(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0012】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係るフレームユニット2の構成例を模式的に示す斜視図であり、
図2は、フレームユニット2の構成例を模式的に示す断面図である。
【0013】
図1及び
図2に示すように、フレームユニット2は、アルミニウム等の材料でなる環状のフレーム4を備えている。フレーム4の中央部分には、このフレーム4を第1面4aから第2面4bに貫通する開口4cが形成されている。開口4cの形状は、例えば、第1面4a側(又は第2面4b側)から見て概ね円形である。なお、フレーム4の材質、形状、大きさ等に特段の制限はない。
【0014】
フレーム4の第2面4bには、ポリエチレン(PE)やポリエチレンテレフタラート(PET)等の材料でなるフィルム状のベースシート(樹脂シート)6が、開口4cを覆うように固定されている。具体的には、円形のベースシート6の第1面6a側の外周部分が、フレーム4の第2面4bに貼付されている。
【0015】
ベースシート6は、被加工物11(
図5等参照)を保護できる程度の柔軟性と、後述する静電気の力を阻害しない程度の絶縁性とを有している。ただし、ベースシート6の材質、形状、厚さ、大きさ等に特段の制限はない。被加工物11は、このベースシート6の第1面6a側で保持される。一方で、ベースシート6の第2面6b側の中央部分には、電極シート8が設けられている。
【0016】
図3は、電極シート8の構成例を模式的に示す平面図であり、
図4は、電極シート8の構成例を模式的に示す断面図である。電極シート8は、例えば、ベースシート6と同様の材料で概ね円形に形成された支持シート10を含んでいる。支持シート10の直径は、開口4cの直径よりも小さく、被加工物11の直径よりも大きい。ただし、支持シート10の材質、形状、厚さ、大きさ等に特段の制限はない。
【0017】
支持シート10の一方の面(例えば、ベースシート6側の面)には、電極層12が配置されている。この電極層12は、例えば、導電性の材料で支持シート10の一方の面に形成された導電材層を、正の電極パターン(電極)12aと負の電極パターン(電極)12bとに分離することで得られる。導電材層を形成する導電性の材料としては、例えば、酸化インジウムスズ(Indium Tin Oxide:ITO)等の可視域で透明な材料を挙げることができる。
【0018】
この場合には、例えば、任意の分離予定ラインに沿ってレーザービームを照射し、アブレーションさせる方法で、導電材層を正の電極パターン12aと負の電極パターン12bとに分離すると良い。つまり、導電材層に吸収され易い波長のレーザービームを分離予定ラインに沿って照射し、この導電材層が除去された絶縁領域12cを形成する。
【0019】
これにより、絶縁領域12cによって分離された正の電極パターン12aと負の電極パターン12bとが得られる。この方法では、導電材層の分離予定ラインに沿ってレーザービームを照射するだけで良いので、マスクを用いるエッチング等の方法に比べて加工に要する時間を短縮し易い。
【0020】
もちろん、エッチング等の方法で導電材層を正の電極パターン12aと負の電極パターン12bとに分離しても良い。また、スクリーン印刷やインクジェット等の方法で、正の電極パターン12aと負の電極パターン12bとに分離された状態の電極層12を形成することもできる。
【0021】
正の電極パターン12a及び負の電極パターン12bの形状は、例えば、正の電極と負の電極とを互い違いに整列させてなる一対の櫛歯状にすると良い。このような櫛歯状の電極(櫛歯電極)では、正の電極と負の電極とが高い密度で配置されるので、例えば、電極と被加工物11との間で作用するグラジエント力等と呼ばれる静電気の力も強くなる。つまり、被加工物11を強い力で保持できるようになる。
【0022】
ただし、正の電極パターン12a及び負の電極パターン12bの形状等に特段の制限はない。例えば、正の電極パターン12a及び負の電極パターン12bを円等で構成しても良い。なお、
図3に示すような絶縁領域12cをレーザービームによるアブレーションで形成する際には、一筆書きの要領でレーザービームを照射すると、加工に要する時間を更に短縮できる。
【0023】
このように構成される電極シート8は、例えば、接着力のあるカバーシート14によって、電極層12側がベースシート6の第2面6b側に密着するように配置される。これにより、支持シート10側を第2面6b側に密着させる場合に比べて、電極層12から発生する電界を第1面6a側の被加工物11に効率よく作用させることができる。
【0024】
カバーシート14は、例えば、ベースシート6と同様の材料で形成される円形の基材シートと、基材シートの一方の面に設けられる糊層(接着材層)とを含む。ここで、カバーシート14(基材シート)の直径は、電極シート8(支持シート10)の直径よりも大きい。ただし、カバーシート14の材質、形状、厚さ、大きさ、構造等に特段の制限はない。
【0025】
なお、本実施形態では、酸化インジウムスズ等の可視域で透明な材料を用いて電極層12を形成するが、電極層12の材質は、フレームユニット2の用途等に応じて変更される。例えば、電極層12を介して被加工物11にレーザービームを照射するのであれば、このレーザービームを透過させる材料で電極層12を形成する必要がある。この場合には、ベースシート6や支持シート10、カバーシート14にも、レーザービームを透過させる材料が用いられる。
【0026】
一方で、電極層12を介さず被加工物11にレーザービームを照射する場合や、環状の切削ブレードを被加工物11に切り込ませる場合等には、必ずしも透明な材料を用いて電極層12を形成しなくて良い。この場合には、ベースシート6や支持シート10、カバーシート14にも、透明な材料を用いる必要はない。
【0027】
ベースシート6の第2面6b側には、正の電極パターン12aに接続される第1配線16aと、負の電極パターン12bに接続される第2配線16bとが配置されている。
図1に示すように、フレーム4の第1面4a側には、給電ユニット18が設けられており、第1配線16a及び第2配線16bは、例えば、フレーム4を回り込むようにして給電ユニット18に接続される。
【0028】
給電ユニット18は、上述した正の電極パターン12a及び負の電極パターン12bへの給電に使用される電池20を収容するための電池ホルダ18aを備えている。また、電池ホルダ18aに隣接する位置には、正の電極パターン12a及び負の電極パターン12bへの給電と非給電とを切り替えるためのスイッチ18bが設けられている。
【0029】
例えば、スイッチ18bを導通状態(オン状態)にすると、電池ホルダ18aに収容されている電池20の電力が、第1配線16a及び第2配線16bを介して正の電極パターン12a及び負の電極パターン12bへと供給される。一方で、スイッチ18bを非導通状態(オフ状態)にすると、正の電極パターン12a及び負の電極パターン12bへの給電は停止する。
【0030】
なお、本実施形態では、給電ユニット18をフレーム4の第1面4a側に配置しているが、給電ユニット18の配置等に特段の制限はない。少なくとも、この給電ユニット18は、フレームユニット2を使用(例えば、支持)する際に邪魔にならない位置に配置されていれば良い。例えば、フレーム4の開口4c内に給電ユニット18を配置することもできる。また、電池20は、ボタン型電池(コイン型電池)のような一次電池でも良いし、充電により繰り返し使用可能な2次電池でも良い。
【0031】
次に、上述のようなフレームユニット2を用いる被加工物のレーザー加工方法について説明する。本実施形態に係る被加工物のレーザー加工方法では、まず、被加工物11をフレームユニット2で吸着する吸着ステップを行う。
図5は、吸着ステップについて説明するための斜視図である。
【0032】
本実施形態で加工される被加工物11は、例えば、シリコン(Si)等の材料でなる円盤状のウェーハである。この被加工物11の表面11a側は、格子状に設定された分割予定ライン(ストリート)13で複数の領域に区画されており、各領域には、IC(Integrated Circuit)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)等のデバイス15が形成されている。
【0033】
なお、本実施形態では、シリコン等の材料でなる円盤状のウェーハを被加工物11としているが、被加工物11の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる被加工物11を用いることもできる。同様に、デバイス15の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
【0034】
吸着ステップでは、まず、被加工物11の裏面11b側とベースシート6の第1面6a側とが接触するように、被加工物11をベースシート6に載せる。より具体的には、被加工物11をベースシート6の電極シート8に対応する領域(中央部分)に載せる。次に、給電ユニット18のスイッチ18bを導通状態にして、電池20の電力を正の電極パターン12aと負の電極パターン12bとに供給する。
【0035】
これにより、正の電極パターン12a及び負の電極パターン12bの周りに電界が発生し、その効果として、被加工物11と電極層12との間に静電気の力が作用する。この静電気の力により、被加工物11は、フレームユニット2に吸着、保持される。なお、被加工物11と電極層12との間に作用する静電気の力には、クーロン力、ジョンソン・ラーベック力、グラジエント力等がある。
【0036】
吸着ステップの後には、被加工物11を吸着した状態のフレームユニット2を支持するフレームユニット支持ステップを行う。
図6は、フレームユニット支持ステップ等で使用されるレーザー加工装置102の構成例を模式的に示す斜視図であり、
図7は、フレームユニット支持ステップ等について説明するための断面図である。なお、
図6及び
図7では、レーザー加工装置102の一部の構成要素を機能ブロック等で示している。
【0037】
図6に示すように、レーザー加工装置102は、各構成要素を支持する基台104を備えている。基台104の後端部には、Z軸方向(鉛直方向)に延びる支持構造106が設けられている。支持構造106から離れた基台4の前方の角部には、上方に突き出た突出部104aが設けられている。
【0038】
突出部104aの内部には空間が形成されており、この空間には、昇降機構(不図示)によって昇降するカセットエレベータ108が設けられている。カセットエレベータ108の上面には、複数の被加工物11を収容するためのカセット110が載せられる。なお、被加工物11は、上述した吸着ステップの後に、フレームユニット2に吸着、保持された状態でカセット110に収容される。
【0039】
突出部104aに隣接する位置には、被加工物11を保持するフレームユニット2の大まかな位置を調整するための位置調整ユニット112が配置されている。位置調整ユニット112は、例えば、Y軸方向(割り出し送り方向)に平行な状態を維持しながら接近、離隔される一対のガイドレールを含む。各ガイドレールは、フレーム23を支持する支持面と、支持面に垂直な側面とを有している。
【0040】
例えば、カセット110から搬出されたフレームユニット2を位置調整ユニット112のガイドレールに乗せ、このガイドレールによってフレームユニット2をX軸方向(加工送り方向)に挟み込むことで、フレームユニット2を所定の位置に合わせることができる。位置調整ユニット112の近傍には、フレームユニット2(被加工物11)を搬送するための搬送ユニット114が配置されている。搬送ユニット114は、フレームユニット2中のフレーム4を吸着する吸着パッド116を備えている。
【0041】
基台4の中央には、移動機構(加工送り機構、割り出し送り機構)118が設けられている。移動機構118は、基台4の上面に配置されY軸方向に平行な一対のY軸ガイドレール120を備えている。Y軸ガイドレール120には、Y軸移動テーブル122がスライド可能に取り付けられている。
【0042】
Y軸移動テーブル122の裏面側(下面側)には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Y軸ガイドレール120に平行なY軸ボールネジ124が螺合されている。Y軸ボールネジ124の一端部には、Y軸パルスモータ126が連結されている。Y軸パルスモータ126でY軸ボールネジ124を回転させれば、Y軸移動テーブル122は、Y軸ガイドレール120に沿ってY軸方向に移動する。
【0043】
Y軸移動テーブル122の表面(上面)には、X軸方向に平行な一対のX軸ガイドレール128が設けられている。X軸ガイドレール128には、X軸移動テーブル130がスライド可能に取り付けられている。
【0044】
X軸移動テーブル130の裏面側(下面側)には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、X軸ガイドレール128に平行なX軸ボールネジ132が螺合されている。X軸ボールネジ132の一端部には、X軸パルスモータ134が連結されている。X軸パルスモータ134でX軸ボールネジ132を回転させれば、X軸移動テーブル130は、X軸ガイドレール128に沿ってX軸方向に移動する。
【0045】
X軸移動テーブル130の表面側(上面側)には、テーブルベース136が設けられている。テーブルベース136の上部には、フレームユニット2を支持するためのテーブルユニット138が配置されている。このテーブルユニット138は、テーブルベース136を介してモータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、Z軸方向(鉛直方向)に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
【0046】
また、テーブルユニット138及びテーブルベース136は、上述した移動機構118によってX軸方向及びY軸方向に移動する(加工送り、割り出し送り)。テーブルユニット138の詳細については、後述する。
【0047】
支持構造106には、前方(テーブルユニット138側)に突出する支持アーム106aが設けられており、この支持アーム106aの先端部には、下方に向けてレーザービームを照射するためのレーザー照射ユニット140が配置されている。また、レーザー照射ユニット140に隣接する位置には、被加工物11等を撮像するための撮像ユニット(カメラ)142が設けられている。
【0048】
レーザー照射ユニット140は、被加工物11に対して透過性を有する波長のレーザービームをパルス発振するレーザー発振器(不図示)を備えている。例えば、被加工物11がシリコン等の半導体材料でなるウェーハの場合には、Nd:YAG等のレーザー媒質を用いて波長が1000nm以上(例えば、1064nm)のレーザービームをパルス発振するレーザー発振器等を用いると良い。
【0049】
また、レーザー照射ユニット140は、レーザー発振器からパルス発振されたレーザービームを集光する集光器を備えており、フレームユニット2を介してテーブルユニット138に支持される被加工物11の内部にこのレーザービームを照射、集光する。例えば、レーザー照射ユニット140でレーザービームを照射しながら、テーブルユニット138をX軸方向に移動させることで、被加工物11の内部をX軸方向に沿って改質できる。
【0050】
被加工物11を加工した後には、例えば、搬送ユニット114によってフレームユニット2をカセット110に再び収容する。カセットエレベータ108、位置調整ユニット112、搬送ユニット114、移動機構118、テーブルユニット138、レーザー照射ユニット140、撮像ユニット142等の構成要素は、それぞれ、制御ユニット144に接続されている。
【0051】
この制御ユニット144は、被加工物11の加工に必要な一連の工程に合わせて、上述した各構成要素を制御する。また、制御ユニット144には、ユーザインタフェースとなるタッチパネル式のモニタ146が接続されている。
【0052】
図7に示すように、テーブルユニット138は、例えば、底壁138aと、底壁138aの外周部分に設けられた側壁138bと、側壁138bの上端に接続された天井壁138cと、を有する箱状に形成されている。側壁138bの一部には、開口が形成されており、被加工物11を吸着した状態のフレームユニット2は、この開口を通じてテーブルユニット138の内部へと搬入される。
【0053】
天井壁138cの中央部分には、天井壁138cを上下に貫通する円形の開口が形成されている。この開口には、レーザー照射ユニット140から放射されるレーザービームを透過させる材料で形成された板状の支持部材(支持テーブル)138dが嵌め込まれている。
【0054】
すなわち、支持部材138dは、被加工物11に対して透過性を有する波長のレーザービームを透過させる。なお、
図7では、説明の便宜上、支持部材138dのハッチングを省略している。この支持部材138d(開口)の直径は、被加工物11の直径よりも大きい。そのため、支持部材138dによって被加工物11の全面を支持できる。
【0055】
天井壁138cの下面側には、フレームユニット2のフレーム4を固定するためのクランプ138eが設けられている。また、このクランプ138eに近接する天井壁138cの下面には、吸引路138fの一端側が開口している。吸引路138fの他端側は、バルブ148等を介して吸引源150に接続されている。
【0056】
フレームユニット支持ステップでは、まず、被加工物11を吸着した状態のフレームユニット2をカセット110から搬出し、テーブルユニット138内に搬入する。具体的には、支持部材138dの下面(第1面)にベースシート6の第2面6b側(電極シート8側、カバーシート14側)が密着するようにフレーム4をクランプ138eで固定する。
【0057】
そして、この状態でバルブ148を開き、吸引源150の負圧を作用させる。これにより、フレームユニット2を支持部材138dの下面側で支持できる。このように、被加工物11は、表面11a側が下方に露出した状態でフレームユニット2を介してテーブルユニット138に保持される。
【0058】
フレームユニット支持ステップの後には、支持部材138dの上面(第2面)側からレーザービームを照射して被加工物11を加工するレーザー加工ステップを行う。レーザー加工ステップは、引き続きレーザー加工装置102を用いて行われる。具体的には、まず、テーブルユニット138を回転させて、加工の対象となる分割予定ライン13の伸長する方向をレーザー加工装置12のX軸方向に合わせる。
【0059】
次に、テーブルユニット138を移動させて、例えば、対象となる分割予定ライン13の延長線上にレーザー照射ユニット140の位置を合わせる。そして、
図7に示すように、レーザー照射ユニット140から被加工物11に向けてレーザービーム152を照射しながら、テーブルユニット138をX軸方向に移動させる。
【0060】
ここで、レーザービーム152の照射条件(加工条件)は、被加工物11の内部を多光子吸収によって改質できる範囲で調整される。具体的には、例えば、レーザービーム152を被加工物11の内部に集光させる。他の条件は、例えば、次の通りである。
レーザービームの波長:1000nm以上
レーザービームの出力:1W
レーザービームの繰り返し周波数:80kHz
テーブルユニット138の移動速度:800nm/s
【0061】
上述のように、テーブルユニット138の支持部材138dは、レーザービーム152を透過させる材料で形成されている。また、フレームユニット2のベースシート6、支持シート10、電極層12、及びカバーシート14も、レーザービーム152を透過させる材料で形成されている。
【0062】
よって、支持部材138d及びフレームユニット2を介してレーザービーム152を被加工物11の内部に照射し、分割予定ライン13に沿う改質層17を形成できる。このような動作を繰り返し、例えば、全ての分割予定ライン13に沿って改質層17が形成されると、レーザー加工ステップは終了する。
【0063】
レーザー加工ステップの後には、テーブルユニット138(支持部材138d)からフレームユニット2を取り外すフレームユニット取り外しステップを行う。具体的には、まず、バルブ148を閉じて、吸引源150の負圧を遮断する。そして、搬送ユニット114等でフレームユニット2をテーブルユニット138から搬出する。搬出されたフレームユニット2は、カセット110に再び収容される。
【0064】
フレームユニット取り外しステップの後には、被加工物11をフレームユニット2のベースシート6(電極シート8)から剥離する剥離ステップを行う。
図8(A)及び
図8(B)は、剥離ステップについて説明するための斜視図である。この剥離ステップでは、例えば、加工後の被加工物11を保持するフレームユニット2をカセット110から取り出し、
図8(A)に示すように、被加工物11の表面11a側に粘着テープ21の表面21a側を貼付する。
【0065】
次に、給電ユニット18のスイッチ18bを非導通状態にして、正の電極パターン12a及び負の電極パターン12bへの給電を停止させる。これにより、被加工物11と電極層12との間に作用する静電気の力が弱まり、又は失われる。この状態で、例えば、粘着テープ21の裏面21b側が下方を向くようにフレームユニット2を上下に反転させることで、
図8(B)に示すように、被加工物11をベースシート6(電極シート8)から剥離できる。
【0066】
以上のように、本実施形態に係るフレームユニット2は、環状のフレーム4と、正の電極パターン(電極)12aと負の電極パターン(電極)12bとを含む電極層12を備える電極シート8と、正の電極パターン12a及び負の電極パターン12bに給電する電池20が装着され、電池20から正の電極パターン12a及び負の電極パターン12bへの給電を制御する給電ユニット18と、を有し、被加工物11を静電気の力で吸着して保持するので、粘着材を使用する粘着テープとは異なり、繰り返し使用できる。よって、このフレームユニットを粘着テープの代わりに用いることで、被加工物11の加工に要する費用を低く抑えられる。
【0067】
なお、本発明は、上記実施形態等の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、被加工物11の内部に改質層17を形成する場合について説明しているが、電極層12を介さず被加工物11にレーザービームを照射する場合や、環状の切削ブレードを被加工物11に切り込ませる場合等にも、本実施形態のフレームユニット2を使用できる。
【0068】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。