特許第6942992号(P6942992)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 住友大阪セメント株式会社の特許一覧

<>
  • 特許6942992-光導波路素子 図000002
  • 特許6942992-光導波路素子 図000003
  • 特許6942992-光導波路素子 図000004
  • 特許6942992-光導波路素子 図000005
  • 特許6942992-光導波路素子 図000006
  • 特許6942992-光導波路素子 図000007
  • 特許6942992-光導波路素子 図000008
< >
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6942992
(24)【登録日】2021年9月13日
(45)【発行日】2021年9月29日
(54)【発明の名称】光導波路素子
(51)【国際特許分類】
   G02B 6/125 20060101AFI20210916BHJP
   G02F 1/01 20060101ALI20210916BHJP
   G02B 6/122 20060101ALI20210916BHJP
【FI】
   G02B6/125 301
   G02F1/01 C
   G02B6/122 311
【請求項の数】3
【全頁数】8
(21)【出願番号】特願2017-69256(P2017-69256)
(22)【出願日】2017年3月30日
(65)【公開番号】特開2018-169593(P2018-169593A)
(43)【公開日】2018年11月1日
【審査請求日】2019年8月7日
(73)【特許権者】
【識別番号】000183266
【氏名又は名称】住友大阪セメント株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100116687
【弁理士】
【氏名又は名称】田村 爾
(74)【代理人】
【識別番号】100098383
【弁理士】
【氏名又は名称】杉村 純子
(74)【代理人】
【識別番号】100155860
【弁理士】
【氏名又は名称】藤松 正雄
(72)【発明者】
【氏名】片岡 優
(72)【発明者】
【氏名】宮崎 徳一
(72)【発明者】
【氏名】細川 洋一
【審査官】 山本 元彦
(56)【参考文献】
【文献】 特開2005−181748(JP,A)
【文献】 国際公開第2004/102238(WO,A1)
【文献】 特開平09−211244(JP,A)
【文献】 特開2006−099009(JP,A)
【文献】 特開2016−191820(JP,A)
【文献】 特開2008−089875(JP,A)
【文献】 韓国公開特許第10−2004−0017539(KR,A)
【文献】 特開平08−271744(JP,A)
【文献】 特開2015−191140(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G02B 6/12−6/14
JSTPlus/JST7580(JDreamIII)
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
光導波路が形成された基板と、
該光導波路は、主導波路を伝搬する光を2つに分岐するY分岐構造と、該Y分岐構造の前段に、該主導波路と該主導波路の両側の2つの副導波路を含む3つの導波路に分岐する3分岐構造とを有する光導波路素子において、
該副導波路は、光導波路を伝搬する高次モード光を除去するための導波路であり、
該主導波路は、該3分岐構造と該Y分岐構造との間で、導波路幅が一定の直線導波路部分と、導波路幅が徐々に広くなるテーパー導波路部分とを備え、
該直線導波路部分の長さは、400μmから600μmの範囲であり、かつ該直線導波路部分と該テーパー導波路部分との長さの和が2000μm以下であり、
該直線導波路部分と該テーパー導波路部分とが接続される位置において、該主導波路と該副導波路との間隔が、該主導波路のモードフィールド径の0.7〜1.4倍に設定されていることを特徴とする光導波路素子。
【請求項2】
請求項1に記載の光導波路素子において、該光導波路の入射側端部から該Y分岐構造のテーパー導波路部分と2つの分岐導波路との接続部までの長さが3000μm未満であることを特徴とする光導波路素子。
【請求項3】
請求項1又は2に記載の光導波路素子において、該基板の厚みは、20μm以下であることを特徴とする光導波路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光導波路素子に関し、特に、基板に形成された光導波路が、Y分岐構造の前段に3分岐構造を有する光導波路素子に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、光通信や光計測の分野において、光変調器のように、ニオブ酸リチウム基板や半導体基板等の基板に光導波路や制御電極を形成した光導波路素子が多用されている。
このような光導波路素子では、光導波路に光波を入射する光ファイバの配置のズレや、光導波路の作製誤差、光ファイバと光導波路素子内の光導波路のモードフィールド形状の不一致などにより、光導波路を伝搬する光に高次モード光が発生し、この高次モード光が光導波路を伝搬することがある。
この高次モード光と最低次(1次)モード光(基本モード光とも言う)との各成分が干渉することによって、光の伝搬と共に光分布が揺動する揺動光となる。このような揺動光は、光導波路が分岐するY分岐構造において、光の分岐比がアンバランスとなる原因になる。
【0003】
しかも、20μm以下の厚みの基板(薄板)を使用した光導波路素子の場合においては、基板自体がスラブ導波路として振る舞う。このため、基板中の放射光や漏洩光などが基板の厚み方向に閉じ込められるため、導波路近傍の放射光等の光分布が厚板(厚みが数100μm程度)より強くなり、光導波路の揺動が発生し易い。
このような高次モード光を除去するため、特許文献1では、主導波路を挟むように副導波路を設けた3分岐構造が提案されている。
【0004】
さらに、高次モード光をより効果的に除去するため、3分岐構造の前段において、主導波路の両側に近接して2つのスラブ導波路を配置することが、特許文献2で提案されている。
【0005】
図1は、基板1に形成された光導波路2の従来の形状を示す概略図である。光導波路は、1つの光導波路を3つに分岐させる3分岐構造Aと、その後段で主導波路20をさらに2つの分岐導波路22に分岐させるY分岐構造Bとが形成されている。符号21は、3分岐構造を構成する副導波路を示す。
【0006】
図1に示すように、従来の光導波路素子は、3分岐構造AからY分岐構造Bまでの主導波路は、テーパー形状となっている。その理由は、3分岐構造の直後の主導波路の幅は1次モード光に適合する幅であるが、Y分岐構造の分岐部では、2つの分岐導波路の各々が1次モード光に適合する幅となるため、ほぼ倍の幅まで主導波路20の幅を変化させる必要があるためである。なお、符号Cの位置から3分岐構造Aまでの間も、テーパー形状に設定されている。
【0007】
副導波路が主導波路20に近接している領域では、主導波路20の幅を緩やかに変化させることで、高次モード光の発生を抑える必要があり、また発生した高次モード光は、3分岐構造内で除去することも困難である。このため、テーパー形状をした主導波路2の長さは、例えば、2000μm以上に設定する必要があり、光導波路素子の小型化を図る上で、重要な課題となっていた。
【0008】
また、特許文献3では、図1に示すように、Y分岐構造Bの分岐部で段差を形成することが開示されている。このような段差を利用することで、テーパー部分の長さを幾分短くすることができるが、主導波路20の長さを根本的に短縮するのは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特開2005−181748号公報
【特許文献2】特開2016−191820号公報
【特許文献3】特開2015−191140号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
本発明が解決しようとする課題は、上述した問題を解決し、Y分岐構造の前段で発生する光の揺動を抑制し、かつ小型化が可能な光導波路素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
上記課題を解決するため、本発明の光導波路素子は以下のような技術的特徴を有する。
(1) 光導波路が形成された基板と、該光導波路は、主導波路を伝搬する光を2つに分岐するY分岐構造と、該Y分岐構造の前段に、該主導波路と該主導波路の両側の2つの副導波路を含む3つの導波路に分岐する3分岐構造とを有する光導波路素子において、該副導波路は、光導波路を伝搬する高次モード光を除去するための導波路であり、該主導波路は、該3分岐構造と該Y分岐構造との間で、導波路幅が一定の直線導波路部分と、導波路幅が徐々に広くなるテーパー導波路部分とを備え、該直線導波路部分の長さは、400μmから600μmの範囲であり、かつ該直線導波路部分と該テーパー導波路部分との長さの和が2000μm以下であり、該直線導波路部分と該テーパー導波路部分とが接続される位置において、該主導波路と該副導波路との間隔が、該主導波路のモードフィールド径の0.7〜1.4倍に設定されていることを特徴とする。
【0015】
) 上記(1)に記載の光導波路素子において、該光導波路の入射側端部から該Y分岐構造のテーパー導波路部分と2つの分岐導波路との接続部までの長さが3000μm未満であることを特徴とする。
【0016】
) 上記(1)又は(2)に記載の光導波路素子において、該基板の厚みは、20μm以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【0017】
本発明により、光導波路が形成された基板と、該光導波路は、主導波路を伝搬する光を2つに分岐するY分岐構造と、該Y分岐構造の前段に、該主導波路と該主導波路の両側の2つの副導波路を含む3つの導波路に分岐する3分岐構造とを有する光導波路素子において、該主導波路は、該3分岐構造と該Y分岐構造との間で、導波路幅が一定の直線導波路部分と、導波路幅が徐々に広くなるテーパー導波路部分とを備えるため、Y分岐構造の前段で発生する光の揺動を効果的に抑制でき、かつ小型化が可能な光導波路素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
図1】従来の光導波路素子に用いられる3分岐構造とY分岐構造を組み合わせた光導波路の平面図である。
図2】本発明の光導波路素子に用いられる光導波路の構造の概略を示す平面図である。
図3】3分岐構造の直後の直線導波路部分の長さに対するY分岐構造の分岐比の変化を示すグラフである。
図4】3分岐構造の直後の直線導波路部分の長さに対するY分岐構造の一方の分岐導波路から出射する光の光損失の変化を示すグラフである。
図5】光導波路の入射端部における光の入射角に対するY分岐構造の分岐比の変化を示すグラフである。
図6】入射角を±0.5度に設定した際の、3分岐構造の直後の直線導波路部分の長さに対するY分岐構造の分岐比の変化を示すグラフである。
図7】本発明の光導波路素子の応用例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、本発明に係る光導波路素子について、詳細に説明する。
本発明に係る光導波路素子は、図2に示すように、光導波路2が形成された基板1と、該光導波路は、主導波路を伝搬する光を2つに分岐するY分岐構造Bと、該Y分岐構造の前段に、該主導波路と該主導波路の両側の2つの副導波路21を含む3つの導波路に分岐する3分岐構造Aとを有する光導波路素子において、該主導波路は、該3分岐構造と該Y分岐構造との間で、導波路幅が一定の直線導波路部分201と、導波路幅が徐々に広くなるテーパー導波路部分202とを備えることを特徴とする。
【0020】
基板は、電気光学効果を有する基板や半導体基板、さらには、EOポリマーを用いた基板などが利用可能である。電気光学効果を有する基板としては、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、PLZT(ジルコン酸チタン酸鉛ランタン)、及び石英系の材料から構成され、具体的には、これら単結晶材料のXカット板、Yカット板、及びZカット板から構成される。特に、光導波路デバイスとして構成されやすく、かつ異方性が大きいという理由から、ニオブ酸リチウム(LN)を用いることが好ましい。
【0021】
また、基板本体がスラブ導波路として振舞うような、例えば、基板の厚みが20μm以下の薄板が使用される場合は、本発明を適用することが好ましい。
なお、本発明は、基板の厚みが薄いほど、効果が期待できる。これは、基板が薄くなると、主導波路の近傍に高次モード光が留まり易いため、本発明の構成を用いて高次モード光をより効率的に除去することが可能となるためである。具体的には、基板の厚みが、1μm〜20μmの範囲で、本発明を適用できる。
【0022】
基板に光導波路を形成する方法としては、例えばチタン(Ti)などを基板上に堆積させた後で熱拡散させて形成した光導波路2が設けられている。また、基板上に光導波路に沿ったリッジを形成することで、凸状の光導波路を形成することも可能である。
なお、基板には、光導波路2中を伝搬する光の電極層への吸収を少なくするための酸化シリコン(SiO2)などからなるバッファ層や、光導波路2(特に、図2に示すY分岐構造の分岐導波路)を伝搬する光波を変調するための制御電極(例えば、信号電極や接地電極、DCバイアス電極)なども設けられるが、説明を簡略化するために図示を省略する。
【0023】
本発明の特徴は、光導波路の3分岐構造とY分岐構造との間で、主導波路が、導波路幅が一定の直線導波路部分と、導波路幅が徐々に広くなるテーパー導波路部分とを備えることである。直線導波路部分の幅は、1次モード光(シングルモード光)を主に導波する幅に設定される。基板の厚みや、基板材料と光導波路形成材料の組み合わせ等によって変化するが、例えば、20μmのニオブ酸リチウム基板で、Ti拡散導波路を形成する場合は、約4μm程度に設定される。なお、図2には、図1と同様に、符号Cの位置から3分岐構造Aまでの間も、テーパー形状に設定されている。
【0024】
図2に示す直線導波路部分201の長さL2は、高次モード光を除去し、揺動光を抑制するためには、400μm以上であることが好ましい。また、直線導波路部分が長くなると光損失が増加するため、L2は1000μm以下に設定することが好ましい。また、主導波路を伝搬する1次モード光と副導波路を伝搬する高次モード光とが再結合することを抑制するには、該直線導波路部分と該テーパー導波路部分とが接続される位置Dにおいて、該主導波路と該副導波路との間隔L3が、該主導波路(201)のモードフィールド径の0.7〜1.4倍に設定されていることが好ましい。
【0025】
さらに、図2に示す直線導波路部分201とテーパー導波路部分202との長さの和L1は、直線導波路部分の長さにも依存するが、1000〜2000μmの範囲で設定することが好ましい。特に、2000μm以下に設定することで、光導波路素子の小型化をはかることが可能となる。
【0026】
本発明では、主導波路における直線導波路部分とテーパー導波路部分との組み合わせにより、効果的に高次モード光を除去することができる。このため、図2の光導波路2の左端に位置する、光導波路の入射側端部から2分岐構造Bまでの長さを短くすることも可能になる。
【0027】
通常は、光導波路の入射側端部から入射する光が、光導波路2に適切に結合せず、高次モード光や漏洩光が発生し易い。このような高次モード光等を光導波路2から除去するため、入射側端部から2分岐構造までの長さを一定以上確保することが必要となる。図2に示す構成では、入射側端部から2分岐構造Bまでの長さを、3000μm未満に設定することも可能になる。
【0028】
本発明の構成に関する効果を検証するため、以下に示す試験を行なった。
10μmの厚みのニオブ酸リチウ基板に、Ti拡散で光導波路を形成し、図2に示す光導波路素子を作製した。
第1の試験では、図2に示す直線導波路部分201とテーパー導波路部分202との長さの和L1を1200μmに設定し、直線導波路部分201の長さL2を0〜1000μmの範囲で変化させた。
また、光導波路2の左端の入射側端部において、入射光を光導波路の光軸から0.5μmオフセットさせて入射し、意図的に揺動光を発生させた。
【0029】
図3のグラフは、Y分岐構造で形成した2つの分岐導波路22から出力される各光の強度をPout_X,out_Yとし、両者の差をLoss|X−Y|(=|Pout_X−Pout_Y|)として表示している。Loss|X−Y|=0の場合、2つの分岐導波路から出射する光の強度が等しい状態であり、Y分岐構造による分岐比が1:1の状態となる。
【0030】
図3のグラフを見ると、直線導波路部分L2の長さが長くなるに従い、Loss|X−Y|が低下し、分岐比のアンバランスが改善していることが容易に理解される。これは、直線導波路部分の存在により、高次モード光が効率的に除去されていることを意味している。L2が400μm以上の場合には、Loss|X−Y|もほぼ0.6dB以下に低下し、十分か改善効果が期待できることが理解される。
【0031】
第2の試験では、2つの分岐導波路22の一方から出力される光の強度の変化を測定し、光導波路2における光損失量(Loss)を調べた。図4は、直線導波路部分の長さL2の変化に対する光損失量(Loos)の変化を調べたグラフである。その他の試験条件は、第1の試験と同様である。図4では、直線導波路部分201の長さL2を0〜1190μmの範囲で変化させた。
【0032】
直線導波路部分の長さL2が長くなるに従い、光損失量(Loss)が増加していることが容易に理解される。L2が1000μmを超えると、光損失量が急激に悪化する。このことからも、直線導波路部分の長さL2は1000μm以下に設定することが好ましい。
【0033】
次に、第3の試験として、図2の光導波路2の入射側端部に入射する光の入射角度を変化させた場合のLoss|X−Y|の変化を測定した。入射角度の変化量を、「入射角オフセット量(単位:°[度])」で示す。
また、3分岐構造とY分岐構造との間の主導波路の形状は、L2が、0,400,600及び1190μmの場合について、測定を行なった。また、L1は1200μmに設定した。図5の凡例は、「L2/(L1−L2)」の数値を示したものである。
【0034】
図5に第3の試験結果を示す。図5を見ると、L2が0μmである従来のような光導波路素子の場合には、入射角オフセット量が変化すると、Loss|X−Y|の変化も激しくなり、高次モード光の除去効率が極めて低いことが容易に理解される。これに対し、L2が400μmや600μmの場合には、Loss|X−Y|の変化量も0〜0.4dB程度の範囲に押さえられ、高次モード光の除去が効率的に行なわれていることが理解される。
また、L2が1190μmの場合は、Loss|X−Y|の変化量も増加する傾向に変化することが理解される。このことからも、L2は1000μm以下に設定することが好ましい。
【0035】
第4の試験としては、第3の試験で使用した入射角のオフセットを±0.5°に設定した場合、L2を0〜1190μmの範囲で変化させた場合のLoss|X−Y|の変化量を測定した。試験に際しては、2つの試験体(Sample1とSample2は、同じ設計、同じプロセス条件で製作した、製造バッチの異なる試験体)を用意した。図6は、L2の変化に伴うLoss|X−Y|の変化量を示したものであるが、L2が400μm以上の場合には、Loss|X−Y|の変化量の変化がほぼ定常状態となることが容易に理解される。
【0036】
以上の試験結果から、図2の直線導波路部分の長さL2は、400μm〜1000μmの範囲に設定することが好ましい。
さらに、図7に示すように、本発明の光導波路素子には、特許文献2に示されるような、スラブ導波路3を用いて、高次モード光を除去する技術をさらに付加することが可能である。また、特許文献3のように、Y分岐構造でテーパー導波路と2つの分岐導波路との接続部Bを不連続に構成する技術を付加することも可能であることは、言うまでも無い。
【産業上の利用可能性】
【0037】
以上、説明したように、本発明によれば、Y分岐構造の前段で発生する光の揺動を抑制し、かつ小型化が可能な光導波路素子を提供することができる。
【符号の説明】
【0038】
1 基板
2 光導波路
3 スラブ導波路
21 副導波路
22 分岐導波路
201 直線導波路部分
202 テーパー導波路部分
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7