特許 6962366 位相差板、複層位相差板、偏光板、画像表示装置及び重合性化合物

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6962366

(24)【登録日】2021年10月18日

(45)【発行日】2021年11月5日

(54)【発明の名称】位相差板、複層位相差板、偏光板、画像表示装置及び重合性化合物

(51)【国際特許分類】

   G02B 5/30 20060101AFI20211025BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20211025BHJP

   H05B 33/02 20060101ALI20211025BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20211025BHJP

   G02F 1/13363 20060101ALI20211025BHJP

【ＦＩ】

   G02B5/30

   H05B33/14 A

   H05B33/02

   H01L27/32

   G02F1/13363

【請求項の数】12

【全頁数】60

(21)【出願番号】特願2019-509316(P2019-509316)

(86)(22)【出願日】2018年3月16日

(86)【国際出願番号】JP2018010646

(87)【国際公開番号】WO2018180649

(87)【国際公開日】20181004

【審査請求日】2020年9月14日

(31)【優先権主張番号】特願2017-63958(P2017-63958)

(32)【優先日】2017年3月28日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000229117

【氏名又は名称】日本ゼオン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】特許業務法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】齊藤 昌和

(72)【発明者】

【氏名】大里 和弘

(72)【発明者】

【氏名】相松 将

(72)【発明者】

【氏名】坂本 圭

【審査官】 植野 孝郎

(56)【参考文献】

【文献】 特許第４４１００９２（ＪＰ，Ｂ２）

【文献】 特開２０００−１４７２６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２７９７３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１２／１４１２４５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１３／０１８５２６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１３／１４６６３３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１６−１１３５８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−２１３０１２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０２Ｂ ５／３０

Ｃ０８Ｆ２０／３６

Ｇ０２Ｆ １／１３３６３

Ｈ０１Ｌ２７／３２

Ｈ０１Ｌ５１／５０

Ｈ０５Ｂ３３／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

面内方向に配向させた液晶材料の層を含む位相差板であって、
前記位相差板の波長λｎｍにおける面内リターデーションＲｅ（λ）が、
下記式（ｅ１）および下記式(ｅ２)：
｛Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（５５０）｝／｛Ｒｅ（５５０）−Ｒｅ（７００）｝＜２．９０ （ｅ１）
Ｒｅ（４００）／Ｒｅ（７００）＞１.１３ (ｅ２)
を満たし、
前記液晶材料が、下記式（Ｉ）：

【化1】

〔式（Ｉ）中、
Ａｒは、Ｄを置換基として有する２価の芳香族炭化水素環基、または、Ｄを置換基として有する２価の芳香族複素環基を表し、
Ｄは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する炭素数１〜６７の有機基を表し、
Ｚ^１およびＺ^２は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２１−、−ＣＦ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＦ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＦ_２−ＣＦ_２−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｎ−、または−Ｃ≡Ｃ−であり、Ｒ^２１は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、
Ａ^１およびＡ^２並びにＢ^１およびＢ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい環状脂肪族基、または、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、
Ｙ^１〜Ｙ^４は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、または、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２３−を表し、Ｒ^２２およびＲ^２３は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、
Ｇ^１およびＧ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、および、炭素数３〜２０の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基（−ＣＨ_２−）の１以上が−Ｏ−または−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基のいずれかの有機基であり、Ｇ^１およびＧ^２の前記有機基に含まれる水素原子は、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、または、ハロゲン原子に置換されていてもよく、
Ｐ^１およびＰ^２は、それぞれ独立して、重合性基を表し、ｐおよびｑは、それぞれ独立して、０または１である。〕で表される液晶化合物の重合物を含む、位相差板。

【請求項2】

前記面内リターデーションＲｅ（λ）が、
下記式（ｅ３）：
Ｒｅ（４００）／Ｒｅ（７００）≧１．５０ （ｅ３）
を満たす、請求項１に記載の位相差板。

【請求項3】

位相差板Ｐ１及び位相差板Ｐ２を備える複層位相差板であって、
位相差板Ｐ１の面内遅相軸と位相差板Ｐ２の面内遅相軸が直交しており、
位相差板Ｐ２が請求項１または２に記載の位相差板であり、
位相差板Ｐ１の波長λｎｍにおける面内リターデーションＲｅＰ１（λ）、及び位相差板Ｐ２の波長λにおける面内リターデーションＲｅＰ２（λ）が、下記式（ｅ４）及び（ｅ５）：
ＲｅＰ１（５５０）＞ＲｅＰ２（５５０） （ｅ４）
ＲｅＰ１（４００）／ＲｅＰ１（７００）＜ＲｅＰ２（４００）／ＲｅＰ２（７００） （ｅ５）
を満たす、複層位相差板。

【請求項4】

前記ＲｅＰ１（λ）が、下記式（ｅ６）：
ＲｅＰ１（４００）／ＲｅＰ１（７００）＜１．１０ （ｅ６）
を満たす、請求項３記載の複層位相差板。

【請求項5】

前記位相差板Ｐ１が脂環式構造含有重合体を含む樹脂のフィルムの延伸物である、請求項３または４に記載の複層位相差板。

【請求項6】

前記ＲｅＰ１（λ）及び前記ＲｅＰ２（λ）が、式（ｅ７）：
９０ｎｍ＜ＲｅＰ１（５５０）−ＲｅＰ２（５５０）＜１６０ｎｍ （ｅ７）
を満たす、請求項３〜５のいずれか１項に記載の複層位相差板。

【請求項7】

前記ＲｅＰ１（λ）及びＲｅＰ２（λ）が、下記式（ｅ８）及び（ｅ９）：
１８０ｎｍ≦ＲｅＰ１（５５０）≦３５０ｎｍ （ｅ８）
９０ｎｍ≦ＲｅＰ２（５５０）≦１６０ｎｍ （ｅ９）
を満たす、請求項３〜６のいずれか１項に記載の複層位相差板。

【請求項8】

請求項３〜７のいずれか１項に記載の複層位相差板及び直線偏光子を含む、偏光板。

【請求項9】

請求項８に記載の偏光板を備える、画像表示装置。

【請求項10】

下記式（Ｉ）：

【化2】

〔式（Ｉ）中、
Ａｒは、Ｄを置換基として有する２価の芳香族炭化水素環基、または、Ｄを置換基として有する２価の芳香族複素環基を表し、
Ｄは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する炭素数１〜６７の有機基を表し、
Ｚ^１およびＺ^２は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２１−、−ＣＦ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＦ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＦ_２−ＣＦ_２−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｎ−、または−Ｃ≡Ｃ−であり、Ｒ^２１は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、
Ａ^１およびＡ^２並びにＢ^１およびＢ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい環状脂肪族基、または、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、
Ｙ^１〜Ｙ^４は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、または、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２３−を表し、Ｒ^２２およびＲ^２３は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、
Ｇ^１およびＧ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、および、炭素数３〜２０の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基（−ＣＨ_２−）の１以上が−Ｏ−または−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基のいずれかの有機基であり、Ｇ^１およびＧ^２の前記有機基に含まれる水素原子は、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、または、ハロゲン原子に置換されていてもよく、
Ｐ^１およびＰ^２は、それぞれ独立して、重合性基を表し、ｐおよびｑは、それぞれ独立して、０または１である。〕で示される重合性化合物であって、当該化合物を面内方向に配向させた層の波長λｎｍにおける面内リターデーションＲｅ（λ）が、式（ｅ１）および式（ｅ２）：
｛Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（５５０）｝／｛（Ｒｅ（５５０）−Ｒｅ（７００）｝＜２．９０ （ｅ１）
Ｒｅ（４００）／Ｒｅ（７００）＞１．１３ （ｅ２）
を満たす、重合性化合物。

【請求項11】

Ｄに含まれるπ電子の数が４〜１２である、請求項１０記載の重合性化合物。

【請求項12】

Ｄが、
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、
置換基を有していてもよい芳香族複素環基、
式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ（Ｒ^ｇ）Ｒ^ｈで表される基、
式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ^ｇ１）Ｒ^ｈで表される基、及び、
式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｒ^ｈ１で表される基
からなる群より選ばれる基であり、
式中、
Ｒ^ｆは、水素原子、または炭素数１〜６のアルキル基を表し、
Ｒ^ｇおよびＲ^ｇ１は、水素原子、または置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の有機基を表し、
Ｒ^ｈおよびＲ^ｈ１は、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環および炭素数２〜３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる１以上の芳香環を有する有機基を表す、
請求項１０または１１に記載の重合性化合物。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、位相差板、かかる位相差板を備える複層位相差板、偏光板、画像表示装置及び重合性化合物に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の表示装置の構成要素として、位相差板を用いることが広く行われている。例えば、円偏光を直線偏光に変換したり、直線偏光を円偏光に変換したりする目的で、１／４波長板を用いることが広く行われている。かかる位相差板を構成する材料の一つとして、液晶材料が知られている、例えば、重合性の液晶性化合物を液晶状態とし、かかる液晶状態を維持した状態で重合させて得られる材料が知られている（例えば特許文献１及び２）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４−２０６６８４号公報

【特許文献2】特開２００６−２６８０３３号公報（対応公報：米国特許出願公開第２００９／０３３８３５号明細書）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、従来用いられている位相差板は、広い波長範囲において、均等な光学的効果を得ることができなかった。

【0005】

従って、本発明の目的は、広い波長範囲において、均等な光学的効果を得ることができる、位相差板、複層位相差板及び重合性化合物を提供することにある。
本発明のさらなる目的は、広い波長範囲において均等な性能を発現しうる、偏光板及び画像表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

前記の課題を解決するべく検討した結果、本発明者は、液晶材料により形成された位相差板であって、特定の面内リターデーションを有するものが、前記課題を解決しうることを見出した。本発明者は特に、特定の構造を有する液晶化合物が、かかる位相差板を容易に与えうることを見出した。本発明は、このような知見に基づき完成されたものである。
すなわち、本発明は下記の通りである。

【0007】

〔１〕 面内方向に配向させた液晶材料の層を含む位相差板であって、
前記位相差板の波長λｎｍにおける面内リターデーションＲｅ（λ）が、
下記式（ｅ１）および下記式(ｅ２)：
｛Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（５５０）｝）／｛（Ｒｅ（５５０）−Ｒｅ（７００）｝＜２．９０ （ｅ１）
Ｒｅ（４００）／Ｒｅ（７００）＞１.１３ (ｅ２)
を満たす、位相差板。
〔２〕 前記面内リターデーションＲｅ（λ）が、
下記式（ｅ３）：
Ｒｅ（４００）／Ｒｅ（７００）≧１．５０ （ｅ３）
を満たす、〔１〕に記載の位相差板。
〔３〕 前記液晶材料が、下記式（Ｉ）：

【化1】

〔式（Ｉ）中、
Ａｒは、Ｄを置換基として有する２価の芳香族炭化水素環基、または、Ｄを置換基として有する２価の芳香族複素環基を表し、
Ｄは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する炭素数１〜６７の有機基を表し、
Ｚ^１およびＺ^２は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２１−、−ＣＦ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＦ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＦ_２−ＣＦ_２−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｎ−、または−Ｃ≡Ｃ−であり、Ｒ^２１は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、
Ａ^１およびＡ^２並びにＢ^１およびＢ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい環状脂肪族基、または、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、
Ｙ^１〜Ｙ^４は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、または、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２３−を表し、Ｒ^２２およびＲ^２３は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、
Ｇ^１およびＧ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、および、炭素数３〜２０の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基（−ＣＨ_２−）の１以上が−Ｏ−または−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基のいずれかの有機基であり、Ｇ^１およびＧ^２の前記有機基に含まれる水素原子は、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、または、ハロゲン原子に置換されていてもよく、
Ｐ^１およびＰ^２は、それぞれ独立して、重合性基を表し、ｐおよびｑは、それぞれ独立して、０または１である。〕で表される液晶化合物の重合物を含む、〔１〕または〔２〕に記載の位相差板。
〔４〕 位相差板Ｐ１及び位相差板Ｐ２を備える複層位相差板であって、
位相差板Ｐ１の面内遅相軸と位相差板Ｐ２の面内遅相軸が直交しており、
位相差板Ｐ２が〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の位相差板であり、
位相差板Ｐ１の波長λｎｍにおける面内リターデーションＲｅＰ１（λ）、及び位相差板Ｐ２の波長λにおける面内リターデーションＲｅＰ２（λ）が、下記式（ｅ４）及び（ｅ５）：
ＲｅＰ１（５５０）＞ＲｅＰ２（５５０） （ｅ４）
ＲｅＰ１（４００）／ＲｅＰ１（７００）＜ＲｅＰ２（４００）／ＲｅＰ２（７００） （ｅ５）
を満たす、複層位相差板。
〔５〕 前記ＲｅＰ１（λ）が、下記式（ｅ６）：
ＲｅＰ１（４００）／ＲｅＰ１（７００）＜１．１０ （ｅ６）
を満たす、〔４〕記載の複層位相差板。
〔６〕 前記位相差板Ｐ１が脂環式構造含有重合体を含む樹脂のフィルムの延伸物である、〔４〕または〔５〕に記載の複層位相差板。
〔７〕 前記ＲｅＰ１（λ）及び前記ＲｅＰ２（λ）が、式（ｅ７）：
９０ｎｍ＜ＲｅＰ１（５５０）−ＲｅＰ２（５５０）＜１６０ｎｍ （ｅ７）
を満たす、〔４〕〜〔６〕のいずれか１項に記載の複層位相差板。
〔８〕 前記ＲｅＰ１（λ）及びＲｅＰ２（λ）が、下記式（ｅ８）及び（ｅ９）：
１８０ｎｍ≦ＲｅＰ１（５５０）≦３５０ｎｍ （ｅ８）
９０ｎｍ≦ＲｅＰ２（５５０）≦１６０ｎｍ （ｅ９）
を満たす、〔４〕〜〔７〕のいずれか１項に記載の複層位相差板。
〔９〕 〔４〕〜〔８〕のいずれか１項に記載の複層位相差板及び直線偏光子を含む、偏光板。
〔１０〕 〔９〕に記載の偏光板を備える、画像表示装置。
〔１１〕 下記式（Ｉ）：

【化2】

〔式（Ｉ）中、
Ａｒは、Ｄを置換基として有する２価の芳香族炭化水素環基、または、Ｄを置換基として有する２価の芳香族複素環基を表し、
Ｄは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する炭素数１〜６７の有機基を表し、
Ｚ^１およびＺ^２は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２１−、−ＣＦ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＦ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＦ_２−ＣＦ_２−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｎ−、または−Ｃ≡Ｃ−であり、Ｒ^２１は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、
Ａ^１およびＡ^２並びにＢ^１およびＢ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい環状脂肪族基、または、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、
Ｙ^１〜Ｙ^４は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、または、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２３−を表し、Ｒ^２２およびＲ^２３は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、
Ｇ^１およびＧ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、および、炭素数３〜２０の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基（−ＣＨ_２−）の１以上が−Ｏ−または−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基のいずれかの有機基であり、Ｇ^１およびＧ^２の前記有機基に含まれる水素原子は、炭素数1〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、または、ハロゲン原子に置換されていてもよく、
Ｐ^１およびＰ^２は、それぞれ独立して、重合性基を表し、ｐおよびｑは、それぞれ独立して、０または１である。〕で示される重合性化合物であって、当該化合物を面内方向に配向させた層の波長λｎｍにおける面内リターデーションＲｅ（λ）が、式（ｅ１）および式（ｅ２）：
｛Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（５５０）｝／｛（Ｒｅ（５５０）−Ｒｅ（７００）｝＜２．９０ （ｅ１）
Ｒｅ（４００）／Ｒｅ（７００）＞１．１３ （ｅ２）
を満たす、重合性化合物。
〔１２〕 Ｄに含まれるπ電子の数が４〜１２である、〔１１〕記載の重合性化合物。
〔１３〕 Ｄが、
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、
置換基を有していてもよい芳香族複素環基、
式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ（Ｒ^ｇ）Ｒ^ｈで表される基、
式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ^ｇ１）Ｒ^ｈで表される基、及び、
式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｒ^ｈ１で表される基
からなる群より選ばれる基であり、
式中、
Ｒ^ｆは、水素原子、または炭素数１〜６のアルキル基を表し、
Ｒ^ｇおよびＲ^ｇ１は、水素原子、または置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の有機基を表し、
Ｒ^ｈおよびＲ^ｈ１は、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環および炭素数２〜３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる１以上の芳香環を有する有機基を表す、
〔１１〕又は〔１２〕に記載の重合性化合物。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、広い波長範囲において均等な光学的効果を得ることができる位相差板、複層位相差板及び重合性化合物；並びに広い波長範囲において均等な性能を発現しうる偏光板及び画像表示装置が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、実施例において想定したシミュレーションモデルを示す分解斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本発明について実施形態及び例示物を示して詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施形態及び例示物に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

【0011】

以下の説明において、「長尺」のフィルムとは、幅に対して、５倍以上の長さを有するフィルムをいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有するフィルムをいう。フィルムの幅に対する長さの割合の上限は、特に限定されないが、例えば１０，０００倍以下としうる。

【0012】

以下の説明において、フィルムの面内リターデーションＲｅは、別に断らない限り、Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで表される値である。また、フィルムの厚み方向のリターデーションＲｔｈは、別に断らない限り、Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄで表される値である。ここで、ｎｘは、フィルムの厚み方向に垂直な方向（面内方向）であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表す。ｎｙは、前記面内方向であってｎｘの方向に直交する方向の屈折率を表す。ｎｚは厚み方向の屈折率を表す。ｄは、フィルムの厚みを表す。測定波長は、別に断らない限り、５５０ｎｍである。但し複数の位相差板を組み合わせたものを１枚の位相差板であるとみなした場合においては、ｎｘは遅相軸方向として設定した面内方向における屈折率であり、ｎｙはそれに直交する面内方向の屈折率である。面内リターデーションＲｅは、必要に応じてコーシーフィッティング等の処理を行い測定誤差の影響を減らした値を採用しうる。

【0013】

以下の説明において、構成要素の方向が「平行」、「垂直」及び「直交」とは、別に断らない限り、本発明の効果を損ねない範囲内、例えば±５°の範囲内での誤差を含んでいてもよい。

【0014】

以下の説明において、「偏光板」及び「波長板」とは、別に断らない限り、剛直な部材だけでなく、例えば樹脂製のフィルムのように可撓性を有する部材も含む。

【0015】

以下の説明において、複数のフィルムを備える部材における各フィルムの光学軸（偏光子の透過軸、位相差板の遅相軸等）がなす角度は、別に断らない限り、前記のフィルムを厚み方向から見たときの角度を表す。

【0016】

以下の説明において、接着剤とは、別に断らない限り、狭義の接着剤（エネルギー線照射後、あるいは加熱処理後、２３℃における剪断貯蔵弾性率が１ＭＰａ〜５００ＭＰａである接着剤）のみならず、２３℃における剪断貯蔵弾性率が１ＭＰａ未満である粘着剤をも包含する。

【0017】

以下の説明において、フィルムの遅相軸とは、別に断らない限り、当該フィルムの面内における遅相軸を表す。

【0018】

〔１．位相差板〕
本発明の位相差板は、面内方向に配向させた液晶材料の層を含む。

【0019】

本願において、「液晶材料」とは、液晶化合物（即ち、それ自体又は他の物質との混合物が液晶相を呈しうる化合物）を含む液晶組成物を硬化させてなる材料である。液晶材料は、通常は、重合性の液晶化合物の重合体を含みうる。

【0020】

本願において、「面内方向に配向させた」液晶材料の層とは、当該層において、液晶化合物の分子の全体又は一部分が、当該層の面内のある方向に配向した構造を有する液晶材料である。面内方向に配向させた液晶材料は、通常は、液晶組成物の層を形成し、当該液晶組成物中の液晶化合物を配向させ、当該配向を維持した状態で液晶組成物を硬化させることにより得うる。液晶材料の配向は、１の方向としうるがこれには限られない。例えば、液晶材料を形成するための液晶化合物が一分子中に複数のメソゲンを有し、それらが別々の方向に配向しうる場合、面内の２以上の方向に配向した液晶材料を得うる。液晶材料の層は、通常、液晶材料からなる層としうる。

【0021】

本発明の位相差板は、液晶材料の層のみからなってもよく、液晶材料の層に加えて他の層を含んでもよい。

【0022】

液晶材料の層の厚みは、特に限定されず、所望の光学的特性が発現する任意の厚みとしうる。液晶材料の層の厚みは、通常０．３〜８μｍとしうる。

【0023】

本発明の位相差板は、その波長λｎｍにおける面内リターデーションＲｅ（λ）が、下記式（ｅ１）及び（ｅ２）を満たす。
｛Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（５５０）｝／｛（Ｒｅ（５５０）−Ｒｅ（７００）｝＜２．９０ （ｅ１）
Ｒｅ（４００）／Ｒｅ（７００）＞１.１３ (ｅ２)

【0024】

本発明者の見出したところでは、位相差板の面内リターデーションＲｅ（λ）が式（ｅ１）を満たすことにより、他の位相差板と組み合わせて複層位相差板とすることにより、広い波長範囲において、均等な光学的効果を得ることができる。具体的には、位相差板と他の位相差板を組み合わせて１／４波長板等の複層波長板として用いる場合において、可視光領域の広い範囲又は全ての範囲にわたり、理想的な波長板に近い効果を得ることができる。より具体的には、１／４波長板は、可視光領域の全ての波長において、Ｒｅ（λ）＝λ／４の関係を満たすことが理想である。上記式（ｅ１）を満たす位相差板は、他の位相差板と組み合わせて複層位相差板とすることにより、そのようなリニアな相関を容易に得ることができる。加えて、上記式（ｅ２）を満たすことにより、広い波長範囲における均等な光学的効果を、薄い厚みの位相差板において実現することができる。

【0025】

以下の説明においては、ある位相差板についての式（ｅ１）の左辺即ち｛Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（５５０）｝／｛（Ｒｅ（５５０）−Ｒｅ（７００）｝の値を、当該位相差板のリニア性指標という場合がある。本発明の位相差板のリニア性指標は、２．９０以下であり、好ましくは２．４以下であり、さらに好ましくは２．０以下である。リニア性指標が正確に１である場合、理想的な複層位相差板を構成しうる。そのため、リニア性指標の下限は、例えば１以上としうる。

【0026】

本発明の位相差板は、下記式（ｅ３）を満たすことが好ましい。
Ｒｅ（４００）／Ｒｅ（７００）≧１．５０ （ｅ３）

【0027】

式（ｅ３）を満たすことにより、広い波長範囲における均等な光学的効果を、薄い厚みの複層位相差板において実現することができる。そのため、本発明の位相差板を含む偏光板及び表示装置の厚みを薄くすることができ、且つ重量を軽くすることができる。Ｒｅ（４００）／Ｒｅ（７００）の値は、好ましくは１．５０以上、より好ましくは１．７０以上、さらに好ましくは１．９０以上である。一方Ｒｅ（４００）／Ｒｅ（７００）の値の上限は、特に限定されないが、例えば３．５以下としうる。

【0028】

〔２．位相差板の製造方法〕
本発明の位相差板は、液晶化合物を含む液晶組成物を硬化させることにより製造しうる。位相差板の製造は、より具体的には、液晶組成物の層を形成し、当該液晶組成物中の液晶化合物を配向させ、当該配向を維持した状態で液晶組成物を硬化させ、液晶材料を形成することにより行いうる。

【0029】

好ましい例として、液晶材料は、下記一般式（Ｉ）で表される液晶化合物の重合物を含みうる。即ち、本発明の位相差板を製造するための液晶化合物の好ましい例として、下記一般式（Ｉ）で表される重合性の液晶化合物が挙げられる。

【0030】

【化3】

【0031】

ここで、式（Ｉ）中、Ａｒは、Ｄを置換基として有する２価の芳香族炭化水素環基、または、Ｄを置換基として有する２価の芳香族複素環基である。１個のＡｒにおけるＤの数は通常１個である。Ａｒを構成する芳香族炭化水素環基および芳香族複素環基は、Ｄの他に、それ以外の置換基を有していてもよい。
ここで、Ｄは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する、炭素数１〜６７、好ましくは炭素数２〜６７の有機基である。すなわち、Ｄは、芳香環のみからなる基であってもよいし、芳香環及び芳香環以外の構造の両方を有する有機基であってもよい。
Ｄは、芳香族炭化水素環基であってもよく、芳香族複素環基であってもよく、それら以外の有機基であってもよい。
ここで、「芳香族炭化水素環基」の文言は、分子のある部分であって、芳香族炭化水素環を含み、結合を介して分子の残余の部分と連結するものであり、且つかかる結合が、当該ある部分の芳香族炭化水素環から直接残余の部分へ延長する結合であるものである。例えば、アルキルフェニル基は、芳香族炭化水素環基である。一方、フェニルアルキル基は、芳香族炭化水素環を有する有機基であるものの、芳香族炭化水素環基以外の有機基である。
同様に、「芳香族複素環基」の文言は、分子のある部分であって、芳香族複素環を含み、結合を介して分子の残余の部分と連結するものであり、且つかかる結合が、当該ある部分の芳香族複素環から直接残余の部分へ延長する結合であるものである。

【0032】

そして、Ａｒを構成する２価の芳香族炭化水素環基の例としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、アントラセニル−９，１０−ジイル基、アントラセニル−１，４−ジイル基、およびアントラセニル−２，６−ジイル基等が挙げられる。
これらの中でも、２価の芳香族炭化水素環基としては、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基および２，６−ナフチレン基が好ましく、１，４−フェニレン基が特に好ましい。

【0033】

また、Ａｒを構成する２価の芳香族複素環基の例としては、ベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、１，２−ベンゾイソチアゾール−４，７−ジイル基、ベンゾオキサゾール−４，７−ジイル基、インドール−４，７−ジイル基、ベンゾイミダゾール−４，７−ジイル基、ベンゾピラゾール−４，７−ジイル基、１−ベンゾフラン−４，７−ジイル基、２−ベンゾフラン−４，７−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｄ：４，５−ｄ’］ジチアゾリル−４，８−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｄ：５，４−ｄ’］ジチアゾリル−４，８−ジイル基、ベンゾチオフェニル−４，７−ジイル基、１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン−４，７−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：５，４−ｂ’］ジチオフェニル−４，８−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェニル−４，８−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：５，４−ｂ’］ジフラニル−４，８−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラニル−４，８−ジイル基、ベンゾ［２，１−ｂ：４，５−ｂ’］ジピロール−４，８−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：５，４−ｂ’］ジピロール−４，８−ジイル基、およびベンゾ［１，２−ｄ：４，５−ｄ’］ジイミダゾール−４，８−ジイル基等が挙げられる。
これらの中でも、２価の芳香族複素環基の例としては、ベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、ベンゾオキサゾール−４，７−ジイル基、１−ベンゾフラン−４，７−ジイル基、２−ベンゾフラン−４，７−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｄ：４，５−ｄ’］ジチアゾリル−４，８−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｄ：５，４−ｄ’］ジチアゾリル−４，８−ジイル基、ベンゾチオフェニル−４，７−ジイル基、１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン−４，７−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：５，４−ｂ’］ジチオフェニル−４，８−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェニル−４，８−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：５，４−ｂ’］ジフラニル−４，８−ジイル基およびベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラニル−４，８−ジイル基が好ましい。

【0034】

Ａｒを構成する芳香族炭化水素環基および芳香族複素環基は、Ｄの他に、後述する置換基Ｒ^０を有していてもよい。

【0035】

また、本明細書において、「芳香環」とは、Ｈｕｃｋｅｌ則に従う広義の芳香族性を有する環状構造を意味する。すなわち、π電子を（４ｎ＋２）個有する環状共役構造、および、チオフェン、フラン、ベンゾチアゾール等に代表される、硫黄、酸素、窒素等のヘテロ原子の孤立電子対がπ電子系に関与して芳香族性を示す環状構造を意味する。

【0036】

また、前記Ａｒの中に含まれるπ電子の数は、通常２０以下であり、好ましくは８以上１２以下である。

【0037】

また、前記Ａｒを構成する芳香環に含まれるπ電子の数は、芳香環あたり、通常２０以下であり、好ましくは８以上１８以下であり、８以上１２以下が特に好ましい。当該芳香環が置換基を有し当該置換基がさらに芳香環を含む場合、Ａｒを構成する芳香環に含まれる「π電子の数」とは、当該置換基の芳香環に含まれるπ電子の数をも合算した合計のπ電子の数を意味する。また、Ａｒ中に芳香環以外の環構造にπ電子が存在する場合、環構造に直接組み込まれているものは算用するが、環構造中に直接組み込まれていないπ電子（例えば、結合手中に存在するπ電子など）は算用しない。

【0038】

Ｄを構成する芳香族炭化水素環の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、およびフルオレン環等が挙げられる。
これらの中でも、芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、およびアントラセン環が好ましい。

【0039】

また、Ｄを構成する芳香族複素環の具体例としては、１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン環、１−ベンゾフラン環、２−ベンゾフラン環、アクリジン環、イソキノリン環、イミダゾール環、インドール環、オキサジアゾール環、オキサゾール環、オキサゾロピラジン環、オキサゾロピリジン環、オキサゾロピリダジン環、オキサゾロピリミジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、シンノリン環、チアジアゾール環、チアゾール環、チアゾロピラジン環、チアゾロピリジン環、チアゾロピリダジン環、チアゾロピリミジン環、チオフェン環、トリアジン環、トリアゾール環、ナフチリジン環、ピラジン環、ピラゾール環、ピラノン環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピロール環、フェナントリジン環、フタラジン環、フラン環、ベンゾ［ｃ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾトリアジン環、ベンゾトリアゾール環、およびベンゾピラゾール環、等が挙げられる。
これらの中でも、芳香族複素環としては、フラン環、ピラン環、チオフェン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、およびチアジアゾール環等の単環の芳香族複素環、ならびにベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、１−ベンゾフラン環、２−ベンゾフラン環、１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン環、ベンゾ［ｃ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、チアゾロピリジン環、チアゾロピラジン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、およびベンゾチアジアゾール環等の縮合環の芳香族複素環が好ましい。

【0040】

Ｄの具体例としては、特に限定されることなく、
（Ｄ−１）置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、
（Ｄ−２）置換基を有していてもよい芳香族複素環基、
（Ｄ−３）式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ（Ｒ^ｇ）Ｒ^ｈで表される基、
（Ｄ−４）式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ^ｇ１）Ｒ^ｈで表される基、及び、
（Ｄ−５）式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｒ^ｈ１で表される基
が挙げられる。
上記式中、Ｒ^ｆは、水素原子、または、メチル基、エチル基、プロピル基、およびイソプロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。
また、上記式中、Ｒ^ｇおよびＲ^ｇ１は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の有機基を表す。ここで、炭素数１〜３０の有機基およびその置換基の例としては、後述するＡｙの炭素数１〜３０の有機基およびその置換基の具体例として列記したものと同じものが挙げられる。
更に、上記式中、Ｒ^ｈは、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環および炭素数２〜３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる１以上の芳香環を有する有機基を表す。Ｒ^ｈの具体例としては、後述するＡｘの炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環および炭素数２〜３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる１以上の芳香環を有する有機基の具体例として列記したものと同じものが挙げられる。
上記式中、Ｒ^ｈ１は、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環および炭素数２〜３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる１以上の芳香環を有する有機基を表す。Ｒ^ｈ１の具体例としては、後述するＡｚの炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環および炭素数２〜３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる１以上の芳香環を有する有機基の具体例として列記したものと同じものが挙げられる。

【0041】

Ｄが置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基（Ｄ−１）である場合の芳香族炭化水素環基の例としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ピレニル基、およびフルオレニル基等が挙げられる。
これらの中でも、芳香族炭化水素環基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましく、フェニル基がさらに好ましい。

【0042】

Ｄが置換基を有していてもよい芳香族複素環基（Ｄ−２）である場合の芳香族複素環基の例としては、フタルイミド基、１−ベンゾフラニル基、２−ベンゾフラニル基、アクリジニル基、イソキノリニル基、イミダゾリル基、インドリニル基、フラザニル基、オキサゾリル基、オキサゾロピラジニル基、オキサゾロピリジニル基、オキサゾロピリダジニル基、オキサゾロピリミジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、キノリル基、シンノリニル基、チアジアゾリル基、チアゾリル基、チアゾロピラジニル基、チアゾロピリジル基、チアゾロピリダジニル基、チアゾロピリミジニル基、チエニル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、ナフチリジニル基、ピラジニル基、ピラゾリル基、ピラノニル基、ピラニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピロリル基、フェナントリジニル基、フタラジニル基、フラニル基、ベンゾ［ｃ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾトリアジニル基、ベンゾトリアゾリル基、およびベンゾピラゾリル基、等が挙げられる。
これらの中でも、芳香族複素環基としては、フラニル基、ピラニル基、チエニル基、オキサゾリル基、フラザニル基、チアゾリル基、およびチアジアゾリル基等の単環の芳香族複素環基、ならびにベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キノリル基、１−ベンゾフラニル基、２−ベンゾフラニル基、フタルイミド基、ベンゾ［ｃ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、チアゾロピリジル基、チアゾロピラジニル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、およびベンゾチアジアゾリル基等の縮合環の芳香族複素環基が好ましい。

【0043】

（Ｄ−３）〜（Ｄ−５）の構成要素としての、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環および炭素数２〜３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる１以上の芳香環を有する有機基の例としては、インダニル基、インデニル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフチル基、並びに、１，４−ジヒドロナフチル基、１，２−ジヒドロナフチル基、１，３−ベンゾジオキソニル基、１，４−ベンゾジオキサニル基、２，３−ジヒドロベンゾフラニル基、１，３−ジヒドロイソベンゾフラニル基、３，４−ジヒドロ−１Ｈ−２−ベンゾピラン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラニル基、４Ｈ−１−ベンゾピラニル基、２Ｈ−１−ベンゾピラニル基、１Ｈ−２−ベンゾピラニル基、４−オキソ−４Ｈ−１−ベンゾピラニル基、４−クロマノン基、ジヒドロピラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジヒドロフラニル基、およびテトラヒドロフラニル基、１（３Ｈ）−イソベンゾフラノン基等が挙げられる。
これらの中でも、インダニル基、インデニル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフチル基、１，４−ジヒドロナフチル基、１，２−ジヒドロナフチル基、１，３−ベンゾジオキソニル基、１，４−ベンゾジオキサニル基、３，４−ジヒドロ−１Ｈ−２−ベンゾピラン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラニル基、４Ｈ−１−ベンゾピラニル基、２Ｈ−１−ベンゾピラニル基、１Ｈ−２−ベンゾピラニル基、４−オキソ−４Ｈ−１−ベンゾピラニル基、４−クロマノン基、ジヒドロピラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジヒドロフラニル基、およびテトラヒドロフラニル基が好ましい。

【0044】

Ｄを構成する芳香族炭化水素環および芳香族複素環（例えば、（Ｄ−１）を構成する芳香族炭化水素環、（Ｄ−２）を構成する芳香族複素環、並びに（Ｄ−３）〜（Ｄ−５）を構成する芳香族炭化水素環および芳香族複素環）、並びにＤである芳香族炭化水素環基および芳香族複素環基、及び、Ｄである、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環および炭素数２〜３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する有機基は、置換基を有していてもよい。置換基の数は、一つの環あたり一つでもよく複数でもよい。一つの環が複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。
かかる置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の炭素数１〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基；−ＯＣＦ_３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ１；−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ１；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂ１；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；等が挙げられる。
ここで、Ｒ^ｂ１は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、または、置換基を有していてもよい炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。
また、Ｒ^aは、メチル基、エチル基等の炭素数１〜１２のアルキル基；又は、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−メトキシフェニル基等の、炭素数１〜６のアルキル基若しくは炭素数１〜６のアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基を表す。
これらの中でも、置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、および炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基が好ましい。

【0045】

Ｒ^ｂ１が置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である場合における、炭素数１〜２０のアルキル基およびその置換基の具体例、Ｒ^ｂ１が置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基である場合における、炭素数２〜２０のアルケニル基およびその置換基の具体例、Ｒ^ｂ１が置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基である場合における、炭素数３〜１２のシクロアルキル基およびその置換基の具体例、ならびにＲ^ｂ１が置換基を有していてもよい炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基である場合における、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基およびその置換基の具体例としては、それぞれ後述する、Ｒ^ｂが置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である場合における、炭素数１〜２０のアルキル基およびその置換基の具体例、Ｒ^ｂが置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基である場合における、炭素数２〜２０のアルケニル基およびその置換基の具体例、Ｒ^ｂが置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基である場合における、炭素数３〜１２のシクロアルキル基およびその置換基の具体例、ならびにＲ^ｂが置換基を有していてもよい炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基である場合における、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基およびその置換基の具体例として列記したものと同じものが挙げられる。

【0046】

そして、上述したＡｒの例としては、式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ（Ｒ^ｇ）Ｒ^ｈで表される基で置換されたフェニレン基、式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ^ｇ１）Ｒ^ｈで表される基で置換されたフェニレン基、式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｒ^ｈ１で表される基で置換されたフェニレン基、式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ（Ｒ^ｇ）Ｒ^ｈで表される基で置換されたナフチレン基、式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ^ｇ１）Ｒ^ｈで表される基で置換されたナフチレン基、式−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｒ^ｈ１で表される基で置換されたナフチレン基、１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、５−（２−ブチル）−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、４，６−ジメチル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、６−メチル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、４，６，７−トリメチル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、４，５，６−トリメチル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、５−メチル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、５−プロピル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、７−プロピル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、５−フルオロ−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、フェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、４−フルオロフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、４−ニトロフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、４−トリフルオロメチルフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、４−シアノフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、４−メタンスルホニルフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、チオフェン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、チオフェン−３−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、５−メチルチオフェン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、５−クロロチオフェン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、２−ベンゾチアゾリル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、４−ビフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、４−プロピルビフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、４−チアゾリル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、１−フェニルエチレン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、４−ピリジル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、２−フリル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、ナフト［１，２−ｂ］フラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基、５−メトキシ−２−ベンゾチアゾリル基で置換された１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン−４，７−ジイル基、フェニル基で置換された１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン−４，７−ジイル基、４−ニトロフェニル基で置換された１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン−４，７−ジイル基、および、２−チアゾリル基で置換された１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン−４，７−ジイル基等が挙げられる。ここで、Ｒ^ｆ、Ｒ^ｇ、Ｒ^ｇ１、Ｒ^ｈ及びＲ^ｈ１は前記と同じ意味を表す。

【0047】

ここで、Ａｒとしては、下記式（ＩＩａ−１）〜（ＩＩａ−７）、式（ＩＩｂ−１）〜（ＩＩｂ−７）、および式（ＩＩｃ−１）〜（ＩＩｃ−７）の何れかで示される基が好ましい。

【0048】

【化4】

【0049】

上記式（ＩＩａ−１）〜（ＩＩａ−７）、式（ＩＩｂ−１）〜（ＩＩｂ−７）、および式（ＩＩｃ−１）〜（ＩＩｃ−７）中、
Ａｘは、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環および炭素数２〜３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる１以上の芳香環を有する有機基を表し、
Ａｙは、水素原子または置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の有機基を表し、
Ａｚは、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環および炭素数２〜３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる１以上の芳香環を有する有機基を表し、
ＡｘおよびＡｘが有する芳香環は置換基を有していてもよく、
Ｑは、水素原子または、炭素数１〜６のアルキル基を表す。ここで、Ｑの炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。

【0050】

また、Ｒ^０は、ハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ターシャリーブチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；炭素数２〜６のアルケニル基；炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；炭素数２〜１２のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基；炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^a１；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^a１；または−ＳＯ_２Ｒ^a１を表し、Ｒ^a１は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基を表す。Ｒ^０が複数の場合は、複数のＲ^０は互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ^０としては、溶解性向上の観点から、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ニトロ基が好ましい。
さらに、ｎ１は０〜３であり、ｎ２は０〜４であり、ｎ３は０または１であり、ｎ４は０〜２である。そして、ｎ１＝０、ｎ２＝０、ｎ３＝０、ｎ４＝０であることが好ましい。
Ｒ^ａ１の例としての、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基等の炭素数１〜１２のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等の炭素数１〜１２のアルケニル基、および、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基等の炭素数１〜１２のアルキニル基等が挙げられ、炭素数１〜１２のアルキル基であることが好ましい。

【0051】

Ａｒとしては、下記式（ｉｉａ−１）〜（ｉｉａ−２１）、式（ｉｉｂ−１）〜（ｉｉｂ−２１）、および式（ｉｉｃ−１）〜（ｉｉｃ−２１）で表される構造がさらに好ましい。下記式においては、結合状態をより明確にすべく、Ｚ^１とＺ^２を便宜上記載している。式中、Ｚ^１、Ｚ^２、Ａｘ、Ａｙ、Ａｚ、Ｑ、Ｒ^０、ｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４は前記と同じ意味を表す。なかでも、式（ｉｉａ−１）、（ｉｉａ−２），（ｉｉａ−１０）、（ｉｉａ−１２）、式（ｉｉｂ−１）、（ｉｉｂ−２），（ｉｉｂ−１０）、（ｉｉｂ−１２）、式（ｉｉｃ−１）、（ｉｉｃ−２），（ｉｉｃ−１０）、（ｉｉｃ−１２）が特に好ましい。

【0052】

【化5】

【0053】

【化6】

【0054】

【化7】

【0055】

【化8】

【0056】

【化9】

【0057】

【化10】

【0058】

【化11】

【0059】

【化12】

【0060】

【化13】

【0061】

Ａｘは、芳香環を複数個有するものであってもよく、芳香族炭化水素環および芳香族複素環を有するものであってもよい。また、芳香族炭化水素環および芳香族複素環を複数有する場合は、それぞれが同じであっても異なっていてもよい。

【0062】

Ａｘが有する芳香族炭化水素環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、フルオレン環等が挙げられる。これらの中でも、芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましい。

【0063】

また、Ａｘが有する芳香族複素環の例としては、１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン環、１−ベンゾフラン環、２−ベンゾフラン環、アクリジン環、イソキノリン環、イミダゾール環、インドール環、オキサジアゾール環、オキサゾール環、オキサゾロピラジン環、オキサゾロピリジン環、オキサゾロピリダジル環、オキサゾロピリミジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、シンノリン環、チアジアゾール環、チアゾール環、チアゾロピラジン環、チアゾロピリジン環、チアゾロピリダジン環、チアゾロピリミジン環、チオフェン環、トリアジン環、トリアゾール環、ナフチリジン環、ピラジン環、ピラゾール環、ピラノン環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピロール環、フェナントリジン環、フタラジン環、フラン環、ベンゾ［ｃ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾトリアジン環、ベンゾトリアゾール環、およびベンゾピラゾール環、等が挙げられる。
これらの中でも、芳香族複素環としては、フラン環、ピラン環、チオフェン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、およびチアジアゾール環等の単環の芳香族複素環；ならびにベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、１−ベンゾフラン環、２−ベンゾフラン環、１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン環、ベンゾ［ｃ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、チアゾロピリジン環、チアゾロピラジン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、およびベンゾチアジアゾール環等の縮合環の芳香族複素環が好ましい。

【0064】

Ａｘが有する芳香環は置換基を有していてもよい。かかる置換基の例としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の炭素数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基；−ＯＣＦ_３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂ；および−ＳＯ_２Ｒ^ａ；等が挙げられる。ここで、Ｒ^ｂは置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、または、置換基を有していてもよい炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。また、Ｒ^ａは、上記と同じ意味を表す。これらの中でも、Ａｘが有する芳香環の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、および、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。
Ａｘは、上述した置換基から選ばれる複数の置換基を有していてもよい。Ａｘが複数の置換基を有する場合、置換基は同一でも相異なっていてもよい。

【0065】

Ｒ^ｂが置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である場合における、炭素数１〜２０のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−へキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、およびｎ−イコシル基等が挙げられる。置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数は、１〜１２であることが好ましく、４〜１０であることが更に好ましい。

【0066】

Ｒ^ｂが置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基である場合における、炭素数２〜２０のアルケニル基の例としては、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、およびイコセニル基等が挙げられる。置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数は、２〜１２であることが好ましい。

【0067】

Ｒ^ｂが置換基を有する炭素数１〜２０のアルキル基である場合および置換基を有する炭素数２〜２０のアルケニル基である場合における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。当該置換基の例としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の炭素数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基；トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチアゾール−２−イルチオ基等の、炭素数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜１２のフルオロアルキル基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；およびベンゾジオキサニル基等が挙げられる。これらの中でも、Ｒ^ｂにおける当該置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基；フラニル基、チオフェニル基等の、炭素数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜１２のフルオロアルキル基が好ましい。

【0068】

Ｒ^ｂが置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基である場合における炭素数３〜１２のシクロアルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。これらの中でも、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基が好ましい。
Ｒ^ｂが置換基を有する炭素数３〜１２のシクロアルキル基である場合における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。当該置換基の例としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の炭素数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；および、フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基等が挙げられる。中でも、Ｒ^ｂの炭素数３〜１２のシクロアルキル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；および、フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基が好ましい。

【0069】

Ｒ^ｂが置換基を有していてもよい炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基である場合における炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が挙げられる。これらの中でも、フェニル基が好ましい。
Ｒ^ｂが置換基を有する炭素数５〜１２である場合における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。当該置換基の例としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の炭素数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基；トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニル基等の、炭素数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜１２のフルオロアルキル基；−ＯＣＦ_３；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基等が挙げられる。中でも、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基；フラニル基、チオフェニル基等の、炭素数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜１２のフルオロアルキル基；−ＯＣＦ_３から選ばれる１以上の置換基が好ましい。

【0070】

ここで、Ａｘが有する芳香環は、同一の、または、相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は単環であっても、縮合多環であってもよく、不飽和環であっても、飽和環であってもよい。
Ａｘに含まれる炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環および炭素数２〜３０の芳香族複素環の「炭素数」は、環に結合した置換基の炭素原子を含まない、環自体の炭素数を意味する。

【0071】

Ａｘの具体例としては、以下の（Ａｘ−１）〜（Ａｘ−５）が挙げられる。
（Ａｘ−１）１以上の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環を有する、炭素数６〜４０の炭化水素環基、
（Ａｘ−２）炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環および炭素数２〜３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる１以上の芳香環を有する、炭素数２〜４０の複素環基、
（Ａｘ−３）炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基および炭素数２〜３０の芳香族複素環基の１以上で置換された、炭素数１〜１２のアルキル基、
（Ａｘ−４）炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基および炭素数２〜３０の芳香族複素環基の１以上で置換された、炭素数２〜１２のアルケニル基、および
（Ａｘ−５）炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基および炭素数２〜３０の芳香族複素環基の１以上で置換された、炭素数２〜１２のアルキニル基。

【0072】

（Ａｘ−１）における芳香族炭化水素環の具体例としては、Ａｘが有する芳香族炭化水素環の具体例として列記したものと同じものが挙げられる。（Ａｘ−１）における炭化水素環基の具体例としては、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基（フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ピレニル基、およびフルオレニル基等）、インダニル基、インデニル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフチル基、並びに、１，４−ジヒドロナフチル基、１，２−ジヒドロナフチル基等が挙げられる。

【0073】

（Ａｘ−２）における芳香族炭化水素環および芳香族複素環の具体例としては、Ａｘが有する芳香族炭化水素環および芳香族複素環の具体例として列記したものと同じものが挙げられる。（Ａｘ−２）における複素環基の具体例としては、炭素数２〜３０の芳香族複素環基（フタルイミド基、１−ベンゾフラニル基、２−ベンゾフラニル基、アクリジニル基、イソキノリニル基、イミダゾリル基、インドリニル基、フラザニル基、オキサゾリル基、オキサゾロピラジニル基、オキサゾロピリジニル基、オキサゾロピリダジニル基、オキサゾロピリミジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、キノリル基、シンノリニル基、チアジアゾリル基、チアゾリル基、チアゾロピラジニル基、チアゾロピリジニル基、チアゾロピリダジニル基、チアゾロピリミジニル基、チエニル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、ナフチリジニル基、ピラジニル基、ピラゾリル基、ピラノニル基、ピラニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピロリル基、フェナントリジニル基、フタラジニル基、フラニル基、ベンゾ［ｃ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾトリアジニル基、ベンゾトリアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ジヒドロピラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジヒドロフラニル基、およびテトラヒドロフラニル基等）、２，３−ジヒドロインドリル基、９，１０−ジヒドロアクリジニル基、１，２，３，４−テトラヒドロキノリル基、１，４−ベンゾジオキサニル基、２，３−ジヒドロベンゾフラニル基、１，３−ジヒドロイソベンゾフラニル基、３，４−ジヒドロ−１Ｈ−２−ベンゾピラン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラニル基、４Ｈ−１−ベンゾピラニル基、２Ｈ−１−ベンゾピラニル基、１Ｈ−２−ベンゾピラニル基等が挙げられる。

【0074】

（Ａｘ−３）における炭素数１〜１２のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基などが挙げられる。（Ａｘ−３）における炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基および炭素数２〜３０の芳香族複素環基の具体例としては、（Ａｘ−１）及び（Ａｘ−２）におけるそれらの具体例として列記したものと同じものが挙げられる。

【0075】

（Ａｘ−４）における炭素数２〜１２のアルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基などが挙げられる。（Ａｘ−４）における炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基および炭素数２〜３０の芳香族複素環基の具体例としては、（Ａｘ−１）及び（Ａｘ−２）におけるそれらの具体例として列記したものと同じものが挙げられる。

【0076】

（Ａｘ−５）における炭素数２〜１２のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、プロピニル基などが挙げられる。（Ａｘ−５）における炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基および炭素数２〜３０の芳香族複素環基の具体例としては、（Ａｘ−１）及び（Ａｘ−２）におけるそれらの具体例として列記したものと同じものが挙げられる。

【0077】

上において列挙した有機基が、さらに１または複数の置換基を伴うものも、（Ａｘ−１）〜（Ａｘ−５）の例に含まれうる。複数の置換基を有する場合は、複数の置換基は互いに同一でも相異なっていてもよい。

【0078】

かかる置換基の例としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の炭素数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基；−ＯＣＦ_３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^b；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^b；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；等が挙げられる。ここでＲ^b及びＲ^ａは、前記と同じ意味を表す。
これらの中でも、（Ａｘ−１）〜（Ａｘ−５）が有する置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、および、炭素数１〜６のアルコキシ基から選ばれる１以上の置換基が好ましい。

【0079】

Ａｘの好ましい具体例を以下に示す。但し、本発明は以下に示すものに限定されるものではない。下記式中、「−」は環の任意の位置からのびるＮ原子（即ち、式（ＩＩａ−１）〜（ＩＩａ−７）および式（ＩＩｂ−１）〜（ＩＩｂ−７）においてＡｘと結合するＮ原子）との結合手を表す。

【0080】

（Ａｘ−１）における炭化水素環基の具体例としては、下記式（１−１）〜（１−２０）で表される基が挙げられ、式（１−９）〜（１−２０）等で表される炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基が好ましい。

【0081】

【化14】

【0082】

【化15】

【0083】

（Ａｘ−２）における複素環基の具体例としては、下記式（２−１）〜（２−５１）で表される基が挙げられ、式（２−１２）〜（２−５１）等で表される炭素数２〜３０の芳香族複素環基が好ましい。

【0084】

【化16】

【0085】

【化17】

【0086】

【化18】

【0087】

〔各式中、Ｘは、−ＣＨ_２−、−ＮＲ^ｃ−、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−または−ＳＯ_２−を表し、
ＹおよびＺは、それぞれ独立して、−ＮＲ^ｃ−、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−または−ＳＯ_２−を表し、
Ｅは、−ＮＲ^ｃ−、酸素原子または硫黄原子を表す。
ここで、Ｒ^ｃは、水素原子、または、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。（但し、各式中において酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−は、それぞれ隣接しないものとする。）〕

【0088】

（Ａｘ−３）におけるアルキル基の具体例としては、下記式（３−１）〜（３−８）で表される基が挙げられる。

【0089】

【化19】

【0090】

（Ａｘ−４）におけるアルケニル基の具体例としては、下記式（４−１）〜（４−５）で表される基が挙げられる。

【0091】

【化20】

【0092】

（Ａｘ−５）のにおけるアルキニル基の具体例としては、下記式（５−１）〜（５−２）で表される基が挙げられる。

【0093】

【化21】

【0094】

上述したＡｘの好ましい具体例が、さらにその環において１または複数の置換基を伴なうものも、Ａｘの例に含まれうる。そして、複数の置換基を有する場合は、複数の置換基は互いに同一でも相異なっていてもよい。かかる置換基の例としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の炭素数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基；−ＯＣＦ_３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂ；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；等が挙げられる。
ここで、Ｒ^ｂおよびＲ^ａは前記と同じ意味を表す。これらの中でも、Ａｘが有する置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、および、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。

【0095】

上述した中でも、Ａｘは、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、又は炭素数２〜３０の芳香族複素環基であることが好ましい。
そして、Ａｘは、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基、又は、炭素数４〜２０の芳香族複素環基であることがより好ましく、上記式（２−３）及び式（２−１３）、式（２−１５）、式（２−３０）で示される基のいずれかであることが一層好ましい。

【0096】

前述した通り、上記の環は１または複数の置換基を有していてもよい。複数の置換基を有する場合は、複数の置換基は互いに同一でも相異なっていてもよい。かかる置換基の例としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の炭素数１〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂ；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；等が挙げられる。
ここで、Ｒ^ｂおよびＲ^ａは前記と同じ意味を表す。
これらの中でも、上記環が有する置換基としてはハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、および、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。

【0097】

そして、Ａｘとしては、下記式（III−１）〜（III−７）で表される基が更に好ましい。

【0098】

【化22】

【0099】

ここで、式（III−１）〜（III−７）中、Ｒ^２〜Ｒ^1２はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜６のフルオロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、−ＯＣＦ_３、または、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂを表し、Ｒ^ｂは、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、または、置換基を有していてもよい炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。なかでも、Ｒ^２〜Ｒ^１２が全て水素原子であるか、Ｒ^２〜Ｒ^１２のうちの１以上が置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基であり、且つ残りが水素原子であることが好ましい。

【0100】

そして、Ｃ−Ｒ^２〜Ｃ−Ｒ^５同士は、すべて同一であっても、相異なっていてもよく、環を構成する１以上のＣ−Ｒ^２〜Ｃ−Ｒ^５は、窒素原子に置き換えられていてもよい。

【0101】

ここで、上記式（III）で表される基のＣ−Ｒ^２〜Ｃ−Ｒ^５のうちの１以上が窒素原子に置き換えられた基の具体例としては、下記式（III−１−１）〜（III−１−８）で表される構造が挙げられる。但し、Ｃ−Ｒ^２〜Ｃ−Ｒ^５のうちの１以上が窒素原子に置き換えられた基はこれらに限定されるものではない。

【0102】

【化23】

【0103】

〔各式中、Ｒ^２〜Ｒ^５は、前記と同じ意味を表す。〕

【0104】

Ａｙが置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の有機基である場合における、かかる有機基の例としては、特に制限されることなく、例えば、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、−ＳＯ_２Ｒ^ａ、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ、−ＣＳ−ＮＨ−Ｒ^ｂ、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、または、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０の芳香族複素環基が挙げられる。
ここで、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、前記と同じ意味を表す。

【0105】

Ａｙが置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である場合における炭素数１〜２０のアルキル基の具体例、Ａｙが置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基である場合における炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例、およびＡｙが置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基である場合における炭素数３〜１２のシクロアルキル基の具体例としては、上述した、Ｒ^ｂが置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である場合における炭素数１〜２０のアルキル基の具体例、Ｒ^ｂが置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基である場合における炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例、およびＲ^ｂが置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基である場合における炭素数３〜１２のシクロアルキル基の具体例として列記したものと同じものが挙げられる。さらに、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基における、炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数は、１〜１２であることが好ましく、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基における、炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数は、２〜１２であることが好ましく、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基における、炭素数３〜１２のシクロアルキル基の炭素数は、３〜１０であることが好ましい。

【0106】

Ａｙが置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基である場合における炭素数２〜２０のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、プロピニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）、ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、２−ペンチニル基、ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２−オクチニル基、ノナニル基、デカニル基、７−デカニル基等が挙げられる。

【0107】

Ａｙが置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である場合、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基である場合、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基である場合、及び炭素数２〜２０のアルキニル基である場合における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。当該置換基の例としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の炭素数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基；トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニル基等の、炭素数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜１２のフルオロアルキル基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂ；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；−ＳＲ^ｂ；−ＳＲ^ｂで置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；水酸基；等が挙げられる。ここで、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、前記と同じ意味を表す。

【0108】

Ａｙが置換基を有していてもよい炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基である場合および置換基を有していてもよい炭素数２〜３０の芳香族複素環基である場合における、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基及び置換基の例としては、Ａｘが有するそれらの具体例として列記したものと同じものが挙げられる。これらの例のうちＡｙが置換基を有する場合における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。これらの例における芳香族炭化水素環基の炭素数は、６〜２０であることが好ましく、６〜１８であることがより好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。これらの例における芳香族複素環基の炭素数は、２〜２０であることが好ましく、２〜１８であることがより好ましい。

【0109】

上述した中でも、Ａｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜１８の芳香族炭化水素環基、または、置換基を有していてもよい炭素数２〜１８の芳香族複素環基が好ましい。さらに、Ａｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜１８のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜１８のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、または、置換基を有していてもよい炭素数２〜１８の芳香族複素環基がより好ましい。なかでも、Ａｙとしては、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８のアルキル基が特に好ましく、中でも、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２のアルキル基がさらに特に好ましい。

【0110】

Ａｚの例としては、以下の（Ａｚ−６）〜（Ａｚ−７）が挙げられる。
（Ａｚ−６）１以上の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環を有する、炭素数６〜４０の炭化水素環基、及び
（Ａｚ−７）炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環および炭素数２〜３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる１以上の芳香環を有する、炭素数２〜４０の複素環基。
Ａｚの好ましい具体例を以下に示す。但し、本発明は以下に示すものに限定されるものではない。下記式中、「＝」は環の任意の位置からのびるＮ原子（即ち、式（ＩＩｃ−１）〜（ＩＩｃ−７）においてＡｚと結合するＮ原子）との結合手を表す。

【0111】

（Ａｚ−６）における炭化水素環基の具体例としては、下記式（６−１）〜（６−１２）で表される構造が挙げられ、式（６−１）、（６−３）〜（６−４）、（６−７）〜（６−１２）等で表される炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基が好ましい。

【0112】

【化24】

【0113】

【化25】

【0114】

（Ａｚ−７）における複素環基の具体例としては、下記式（７−１）〜（７−３０）で表される構造が挙げられ、式（７−１）〜（７−１１）等で表される炭素数２〜３０の芳香族複素環基が好ましい。

【0115】

【化26】

【0116】

〔各式中、Ｘは、−ＣＨ_２−、−ＮＲ^ｃ−、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−または−ＳＯ_２−を表し、
ＹおよびＺは、それぞれ独立して、−ＮＲ^ｃ−、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−または−ＳＯ_２−を表し、
Ｅは、−ＮＲ^ｃ−、酸素原子または硫黄原子を表す。ここで、Ｒ^ｃは、水素原子、または、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。（但し、各式中において酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−は、それぞれ隣接しないものとする。）〕

【0117】

上述したＡｚの好ましい具体例が、さらにその環において１または複数の置換基を伴うものも、Ａｚの例に含まれうる。そして、複数の置換基を有する場合は、複数の置換基は互いに同一でも相異なっていてもよい。かかる置換基の例としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の炭素数１〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基；−ＯＣＦ_３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂ；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；等が挙げられる。ここで、Ｒ^ｂおよびＲ^ａは前記と同じ意味を表す。これらの中でも、Ａｚが有する上記環が有する置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、および、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。

【0118】

上述した中でも、Ａｚは、１以上の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環を有する、炭素数６〜４０の炭化水素環基、又は１以上の炭素数２〜３０の芳香族複素環を有する炭素数２〜４０の炭化水素環基複素環基であることが好ましい。
そして、Ａｚは、１以上の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環を有する、炭素数６〜４０の炭化水素環基であることがより好ましく、上記式（６−１）、式（６−３）、式（６−４）、式（６−１０）、式（７−１）〜式（７−９）で示される基のいずれかであることが一層好ましい。

【0119】

前述した通り、上記の環は１または複数の置換基を有していてもよい。複数の置換基を有する場合は、複数の置換基は互いに同一でも相異なっていてもよい。かかる置換基の例としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の炭素数１〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂ；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；等が挙げられる。
ここで、Ｒ^ｂおよびＲ^ａは前記と同じ意味を表す。
これらの中でも、上記環が有する置換基としてはハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、および、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。

【0120】

そして、Ａｚとしては、下記式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）で表される基が更に好ましい。

【0121】

【化27】

【0122】

ここで、式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）中、Ｒ^２〜Ｒ^５並びにＲ^２０、Ｒ^３０、Ｒ^４０、Ｒ^５０、Ｒ^６０及びＲ^７０はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜６のフルオロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、−ＯＣＦ_３、または、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂを表し、Ｒ^ｂは、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、または、置換基を有していてもよい炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。なかでも、Ｒ^２〜Ｒ^１１が全て水素原子であるか、Ｒ^２〜Ｒ^１１のうちの１以上が置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基であり、且つ残りが水素原子であることが好ましい。

【0123】

また、前述した式（Ｉ）中、Ｚ^１およびＺ^２は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２１−、−ＣＦ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＦ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＦ_２−ＣＦ_２−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｎ−、または−Ｃ≡Ｃ−であり、Ｒ^２１は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
中でも、Ｚ^１およびＺ^２は、それぞれ独立して、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、又は−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−であることが好ましい。

【0124】

また、前述した式（Ｉ）中、Ｇ^１およびＧ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、および、炭素数３〜２０の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基（−ＣＨ_２−）の１以上が−Ｏ−または−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基の何れかの有機基であり、Ｇ^１およびＧ^２の前記有機基に含まれる水素原子は、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、およびハロゲン原子からなる群から選ばれる１以上の置換基により置換されていてもよい。メチレン基の、−Ｏ−または−Ｃ（＝Ｏ）−による置換は、好ましくはＰ１、Ｐ２、Ｙ３、及びＹ４のいずれかと直接に接続するメチレン基以外のメチレン基の置換である。例えば、炭素数３の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基（−ＣＨ_２−）の１つが−Ｏ−に置換された基は、好ましくは−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−である。「炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基（−ＣＨ_２−）の１以上が−Ｏ−または−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基」において、−Ｏ−は、脂肪族炭化水素基中の連続したメチレン基を置換しない（すなわち、−Ｏ−Ｏ−の構造を形成しない）ことが好ましく、−Ｃ（＝Ｏ）−は、脂肪族炭化水素基中の連続したメチレン基を置換しない（すなわち、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−の構造を形成しない）ことが好ましい。
ここで、Ｇ^１およびＧ^２が炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基である場合におけるその具体例としては、特に限定されることなく、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数１〜２０のアルケニレン基、および、炭素数１〜２０のアルキニレン基などの鎖状脂肪族炭化水素基が挙げられる。上述した脂肪族炭化水素基の炭素数は、３〜１２であることが好ましく、４〜１０であることがより好ましい。

【0125】

ここで、Ｇ^１およびＧ^２の例である有機基としては、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基、または、フッ素原子で置換されていてもよい−（ＣＨ_２）_ｊ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ−で表される基（式中、ｊ、ｋはそれぞれ２〜１２の整数を表し、好ましくは２〜８の整数を表す。）が好ましく、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数２〜１２のアルキレン基がより好ましく、無置換の炭素数２〜１２のアルキレン基が更に好ましく、−（ＣＨ_２）_ｌ−で表される基（式中、ｌは２〜１２の整数を表し、好ましくは２〜８の整数を表す。）が特に好ましい。

【0126】

また、前述した式（Ｉ）中、Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１およびＢ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい環状脂肪族基、または、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の環状脂肪族基、または、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０の芳香族基が好ましい。

【0127】

環状脂肪族基の具体例としては、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロヘプタン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等の炭素数５〜２０のシクロアルカンジイル基；デカヒドロナフタレン−１，５−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基等の炭素数５〜２０のビシクロアルカンジイル基等が挙げられる。中でも、環状脂肪族基としては、置換されていてもよい炭素数５〜２０のシクロアルカンジイル基が好ましく、シクロヘキサンジイル基がより好ましく、特に、下記式（a）で表されるシクロヘキサン−１，４−ジイル基が好ましい。環状脂肪族基としては、式（ａ１）で表されるトランス体であっても、式（ａ２）で表されるシス体であっても、或いは、シス体とトランス体の混合物であってもよいが、式（ａ１）で表されるトランス体がより好ましい。

【0128】

【化28】

【0129】

（式中、Ｒ^０およびｎ２は前記と同じ意味を表す。）

【0130】

芳香族基の具体例としては、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、４，４’−ビフェニレン基等の、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基；フラン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基等の、炭素数２〜２０の芳香族複素環基；等が挙げられる。中でも、芳香族基としては、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環基が好ましく、フェニレン基がさらに好ましく、特に、下記式（ｂ）で表される１，４−フェニレン基が好ましい。

【0131】

【化29】

【0132】

（式中、Ｒ^０およびｎ２は前記と同じ意味を表す。）

【0133】

環状脂肪族基、および芳香族基の置換基の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜５のアルコキシ基；ニトロ基；シアノ基；等が挙げられる。前記環状脂肪族基、炭素数５〜２０の環状脂肪族基、芳香族基、炭素数２〜２０の芳香族基は、上述した置換基から選ばれる１以上の置換基を有していてもよい。置換基を複数有する場合は、各置換基は同一でも相異なっていてもよい。

【0134】

また、前述した式（Ｉ）中、Ｙ^１〜Ｙ^４は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、または、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２３−を表す。ここで、Ｒ^２２およびＲ^２３は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
中でも、Ｙ^１〜Ｙ^４は、それぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、または−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−であることが好ましい。
Ｙ^１およびＹ^２が複数存在する場合、それぞれ同一であっても、相異なっていてもよい。

【0135】

また、前述した式（Ｉ）中、Ｐ^１およびＰ^２の一方は、水素原子または重合性基を表し、Ｐ^１およびＰ^２の他方は、重合性基を表す。ここで、Ｐ^１およびＰ^２は、それぞれ独立して、重合性基を表すことが好ましい。
ここで、Ｐ^１およびＰ^２が重合性基である場合における当該重合性基の例としては、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等のＣＨ_２＝ＣＲ¹−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基（Ｒ¹は、水素原子、メチル基、または塩素原子を表す。）、ビニル基、ビニルエーテル基、ｐ−スチルベン基、アクリロイル基、メタクリロイル基、カルボキシル基、メチルカルボニル基、水酸基、アミド基、炭素数１〜４のアルキルアミノ基、アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、アルデヒド基、イソシアネート基またはチオイソシアネート基などが例示される。中でも、下式（ＩＶ）のような、ＣＨ_２＝ＣＲ¹−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基が好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（アクリロイルオキシ基）、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（メタクリロイルオキシ基）がより好ましく、アクリロイルオキシ基がさらに好ましい。重合性化合物（Ｉ）中に２つのＲ^１が存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。さらに、Ｐ^１およびＰ^２は、相異なっていてもよいが、同じ重合性基であることが好ましい。

【0136】

【化30】

【0137】

〔式（ＩＶ）中、Ｒ^１は、水素原子、メチル基または塩素原子を表す〕

【0138】

ここで、式（Ｉ）中、ｐおよびｑは、それぞれ独立して、０〜２であり、それぞれ独立して、０または１が好ましい。

【0139】

式（Ｉ）で表される液晶化合物の好ましい例としては、下記の式ＬＣ１〜ＬＣ３で表される化合物が挙げられる。

【0140】

【化31】

【0141】

式（Ｉ）で表される液晶化合物は、例えば、国際公開第２０１２／１４１２４５号、国際公開第２０１２／１４７９０４号、国際公開第２０１４／０１０３２５号、国際公開第２０１４／１２６１１３号などの文献に記載された合成の手法と、その他の既知の合成の手法とを組み合わせて調製しうる。

【0142】

本発明の位相差板の製造に用いる液晶組成物は、上に述べたもの等の液晶化合物、光重合開始剤、界面活性剤、有機溶媒、及びその他の任意成分を混合することにより製造しうる。

【0143】

光重合開始剤は、液晶組成物中の重合性化合物が有する重合性基の種類に応じて適宜選択しうる。例えば、重合性基がラジカル重合性であればラジカル重合開始剤を、アニオン重合性の基であればアニオン重合開始剤を、カチオン重合性の基であればカチオン重合開始剤を、それぞれ使用しうる。

【0144】

ラジカル重合開始剤の例としては、光照射により、重合性化合物の重合を開始しえる活性種が発生する化合物である光ラジカル発生剤が挙げられる。

【0145】

光ラジカル発生剤の例としては、国際公開第２０１２／１４７９０４号に記載される、アセトフェノン系化合物、ビイミダゾール系化合物、トリアジン系化合物、Ｏ−アシルオキシム系化合物、オニウム塩系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、α−ジケトン系化合物、多核キノン系化合物、キサントン系化合物、ジアゾ系化合物、イミドスルホナート系化合物等を挙げることができる。

【0146】

前記アニオン重合開始剤の例としては、アルキルリチウム化合物；ビフェニル、ナフタレン、ピレン等の、モノリチウム塩又はモノナトリウム塩；ジリチウム塩やトリリチウム塩等の多官能性開始剤；等が挙げられる。

【0147】

また、前記カチオン重合開始剤の例としては、硫酸、リン酸、過塩素酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のプロトン酸；三フッ化ホウ素、塩化アルミニウム、四塩化チタン、四塩化スズのようなルイス酸；芳香族オニウム塩又は芳香族オニウム塩と、還元剤との併用系；が挙げられる。

【0148】

市販の光重合開始剤の具体的な例としては、ＢＡＳＦ社製の、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３７９、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３７９ＥＧ、及び商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ０２；ＡＤＥＫＡ社製の、商品名：アデカオプトマーＮ１９１９；等が挙げられる。

【0149】

これらの光重合開始剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

【0150】

光重合開始剤の割合は、重合性化合物１００重量部に対し、好ましくは０．１重量部〜１０重量部、より好ましくは１．０重量部〜７．０重量部である。光重合開始剤を２種類以上用いる場合は、その全重量が前記範囲内になるように用いればよい。

【0151】

界面活性剤としては、特に限定はないが、ノニオン系界面活性剤が好ましい。当該ノニオン系界面活性剤としては、市販品を用いうる。例えば、分子量が数千程度のオリゴマーであるノニオン系界面活性剤を用いうる。これらの界面活性剤の具体例としては、ＯＭＮＯＶＡ社ＰｏｌｙＦｏｘの「ＰＦ−１５１Ｎ」、「ＰＦ−６３６」、「ＰＦ−６３２０」、「ＰＦ−６５６」、「ＰＦ−６５２０」、「ＰＦ−３３２０」、「ＰＦ−６５１」、「ＰＦ−６５２」；ネオス社フタージェントの「ＦＴＸ−２０９Ｆ」、「ＦＴＸ−２０８Ｇ」、「ＦＴＸ−２０４Ｄ」、「６０１ＡＤ」；セイミケミカル社サーフロンの「ＫＨ−４０」、「Ｓ−４２０」；ＤＩＣ社の「メガファックＦ−５６２」等を用いることができる。また、界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。界面活性剤の割合は、重合性化合物１００重量部に対し、好ましくは０．００１重量部〜１０重量部、より好ましくは０．００１重量部〜０．１重量部である。

【0152】

有機溶媒の例としては、シクロペンタン、シクロヘキサン等の炭化水素溶媒；シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン溶媒；酢酸ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル溶媒；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素溶媒；及びこれらの混合物が挙げられる。溶媒の沸点は、取り扱い性に優れる観点から、６０℃〜２５０℃であることが好ましく、６０℃〜１５０℃であることがより好ましい。溶媒の使用量は、重合性化合物１００重量部に対し、好ましくは１００重量部〜１０００重量部である。

【0153】

液晶組成物は、さらに、金属、金属錯体、染料、顔料、蛍光材料、燐光材料、レベリング剤、チキソ剤、ゲル化剤、多糖類、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、抗酸化剤、イオン交換樹脂、酸化チタン等の金属酸化物等の任意成分を含みうる。かかる任意の添加剤の割合は、重合性化合物１００重量部に対し、好ましくは、各々０．１重量部〜２０重量部である。

【0154】

液晶組成物の層の形成は、液晶組成物を、支持体の表面に塗布することにより行いうる。支持体としては、液晶化合物に対して配向規制力を発現しうる表面を有する支持体を適宜選択しうる。例えば、樹脂フィルム、ガラス板等の基材であって、その表面にラビング処理により配向規制力を付与したもの、延伸処理により配向規制力を付与したもの、配向規制力を有する層を設けたもの等の各種の支持体を用いうる。支持体として、位相差板Ｐ１（後述）であって、配向規制力を有する表面を有するものを用いてもよい。塗布の操作は、例えば、ワイヤーバーを用いたバー塗装、グラビアロールを用いたグラビア塗装、塗工ダイを用いたダイ塗装、その他、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法、ギャップコーティング法、及びディッピング法等により行いうる。液晶組成物の層の厚みは、所望の厚み及び光学特性を有する位相差板が得られる厚みに適宜調整しうる。

【0155】

液晶組成物中の液晶化合物の配向は、適当な温度に調節された環境下において液晶組成物の層を静置することにより行いうる。例えば、液晶組成物の層を、６５〜１１０℃の環境下に５秒〜２分間置き、その後さらに室温〜４５℃で５秒〜２時間静置することにより、配向処理を達成しうる。

【0156】

液晶組成物の硬化の方法は特に限定されず、処理対処の液晶組成物に適合した方法を適宜選択しうる。例えば、液晶化合物及び／又は重合開始剤として、紫外線の照射により重合を開始しうるものを含む場合、紫外線の照射により液晶化合物を重合させ、硬化を達成しうる。

【0157】

〔３．複層位相差板〕
本発明の複層位相差板は、位相差板Ｐ１及び位相差板Ｐ２を備える複層位相差板であって、これらのうち位相差板Ｐ２が、前記本発明の位相差板である。

【0158】

本発明の複層位相差板においては、位相差板Ｐ１の面内遅相軸と位相差板Ｐ２の面内遅相軸が直交する。これにより、複層位相差板の面内リターデーションは、位相差板Ｐ１の位相差と位相差板Ｐ２の位相差の差として合成される。即ち、複層位相差板Ｐｓの遅相軸方向が位相差板Ｐ１と同じ方向であると設定した場合、波長λにおける複層位相差板Ｐｓの面内リターデーションＲｅＰｓ（λ）と、位相差板Ｐ２の面内リターデーションＲｅＰ２（λ）と、位相差板Ｐ１の面内リターデーションＲｅＰ１（λ）とは、ＲｅＰｓ（λ）＝ＲｅＰ１（λ）−ＲｅＰ２（λ）の関係を有する。

【0159】

本発明の複層位相差板は、ＲｅＰ１（λ）及びＲｅＰ２（λ）が、下記式（ｅ４）及び（ｅ５）を満たす。
ＲｅＰ１（５５０）＞ＲｅＰ２（５５０） （ｅ４）
ＲｅＰ１（４００）／ＲｅＰ１（７００）＜ＲｅＰ２（４００）／ＲｅＰ２（７００） （ｅ５）

【0160】

位相差板Ｐ１の面内遅相軸と位相差板Ｐ２の面内遅相軸が直交し、かつＲｅＰ１（λ）及びＲｅＰ２（λ）が式（ｅ４）及び（ｅ５）を満たすことにより、複層位相差板は、位相差板Ｐ１の面内遅相軸と同じ方向に遅相軸を有する１／４波長板等の波長板として機能しうる。さらに、位相差板Ｐ２として、上に述べた本発明の位相差板を採用することにより、理想分散とのズレの少ない波長分散を有する波長板を、容易に構成しうる。

【0161】

本発明の複層位相差板は、ＲｅＰ１（λ）が、下記式（ｅ６）を満たすことが好ましい。
ＲｅＰ１（４００）／ＲｅＰ１（７００）＜１．１０ （ｅ６）
即ち、ＲｅＰ１（４００）／ＲｅＰ１（７００）の値は、１．１０未満である。ＲｅＰ１（４００）／ＲｅＰ１（７００）の値は、好ましくは１．０８以下、より好ましくは１．０６以下であり、一方好ましくは０．９５以上、より好ましくは１．００以上である。
ＲｅＰ１（λ）が、式（ｅ６）を満たすことにより、理想分散とのズレの少ない波長分散を有する波長板を、容易に構成しうる。特に、位相差板Ｐ２として、前記式（ｅ２）を満たすものを採用し、これと、式（ｅ６）を満たす位相差板Ｐ１とを組み合わせることにより、理想分散とのズレの少ない波長分散を有する波長板を、容易に構成しうる。さらに、式（ｅ６）を満たす位相差板Ｐ１は、脂環式構造含有重合体を含む樹脂のフィルムの延伸物等の、既知の材料を用いることにより容易に構成しうる。

【0162】

本発明の複層位相差板は、ＲｅＰ１（λ）及びＲｅＰ２（λ）が、下記式（ｅ７）を満たすことが好ましい。
９０ｎｍ＜ＲｅＰ１（５５０）−ＲｅＰ２（５５０）＜１６０ｎｍ （ｅ７）

【0163】

式（ｅ７）を満たすことにより、本発明の複層位相差板を、１／４波長板として好ましく構成しうる。より具体的には、位相差板Ｐ１の遅相軸方向と同じ方向を遅相軸とし、且つ理想分散とのズレの少ない波長分散を有する１／４波長板としうる。ＲｅＰ１（５５０）−ＲｅＰ２（５５０）の値は、好ましくは９０ｎｍ超、より好ましくは１２０ｎｍ以上であり、好ましくは１６０ｎｍ未満、より好ましくは１５０ｎｍ以下である。

【0164】

式（ｅ７）を満たす複層位相差板において、ＲｅＰ１（λ）及びＲｅＰ２（λ）のそれぞれは、位相差板Ｐ１及び位相差板Ｐ２の材料、厚み、延伸倍率等の成膜方法を調整することにより、所望の位相差に調整しうる。さらに、複層位相差板のＲｅＰ１（λ）及びＲｅＰ２（λ）は、下記式（ｅ８）及び（ｅ９）を満たすことが好ましい。
１８０ｎｍ≦ＲｅＰ１（５５０）≦３５０ｎｍ （ｅ８）
９０ｎｍ≦ＲｅＰ２（５５０）≦１６０ｎｍ （ｅ９）

【0165】

ＲｅＰ１（５５０）及びＲｅＰ２（５５０）が式（ｅ８）及び（ｅ９）を満たす場合、位相差板Ｐ１は１／２波長板、位相差板Ｐ２は１／４波長板として機能しうる。そして、これらを組み合わせた複層位相差板は、理想分散とのズレの少ない波長分散を有する１／４波長板とて機能しうる。ＲｅＰ１（５５０）の値は、好ましくは１８０ｎｍ以上、より好ましくは２２０ｎｍ以上であり、好ましくは３５０ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。ＲｅＰ２（５５０）の値は、好ましくは９０ｎｍ以上、より好ましくは１２０ｎｍ以上であり、好ましくは１６０ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下である。

【0166】

〔４．位相差板Ｐ１の材料〕
位相差板Ｐ１を構成する材料は、特に限定されず、光学的な用途に利用可能であり且つ上に述べた要件を満たす任意の材料を用いうる。好ましい例において、位相差板Ｐ１は脂環式構造含有重合体を含む樹脂のフィルムの延伸物である。脂環式構造含有重合体を含む樹脂のフィルムを延伸することにより、上に述べた位相差板Ｐ１を容易に得ることができ、その結果、本発明の複層位相差板を容易に製造することができる。脂環式構造含有重合体を含む樹脂のフィルムは、脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなるフィルムとしうる。

【0167】

脂環式構造含有重合体は、繰り返し単位中に脂環式構造を有する重合体であり、通常は非晶質の重合体である。脂環式構造含有重合体としては、主鎖中に脂環式構造を含有する重合体及び側鎖に脂環式構造を含有する重合体のいずれも用いうる。
脂環式構造の例としては、シクロアルカン構造、シクロアルケン構造等が挙げられるが、熱安定性等の観点からシクロアルカン構造が好ましい。
１つの脂環式構造の繰り返し単位を構成する炭素数に特に制限はないが、好ましくは４個以上、より好ましくは５個以上、特に好ましくは６個以上であり、好ましくは３０個以下、より好ましくは２０個以下、特に好ましくは１５個以下である。

【0168】

脂環式構造含有重合体中の脂環式構造を有する繰り返し単位の割合は、使用目的に応じて適宜選択されうるが、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。脂環式構造を有する繰り返し単位を前記のように多くすることにより、フィルムの耐熱性を高くできる。

【0169】

脂環式構造含有重合体は、例えば、（１）ノルボルネン重合体、（２）単環の環状オレフィン重合体、（３）環状共役ジエン重合体、（４）ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素添加物などが挙げられる。これらの中でも、透明性及び成形性の観点から、ノルボルネン重合体がより好ましい。

【0170】

ノルボルネン重合体の例としては、ノルボルネンモノマーの開環重合体、ノルボルネンモノマーと開環共重合可能なその他のモノマーとの開環共重合体、及びそれらの水素添加物；ノルボルネンモノマーの付加重合体、ノルボルネンモノマーと共重合可能なその他のモノマーとの付加共重合体などが挙げられる。これらの中でも、透明性の観点から、ノルボルネンモノマーの開環重合体水素添加物が特に好ましい。

【0171】

上記の脂環式構造含有重合体は、例えば特開２００２−３２１３０２号公報等に開示されている公知の重合体から選ばれる。

【0172】

脂環式構造含有重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１０，０００〜１００，０００、より好ましくは２５，０００〜８０，０００、さらにより好ましくは２５，０００〜５０，０００である。重量平均分子量がこのような範囲にあるときに、フィルムの機械的強度及び成形加工性が高度にバランスされ好適である。前記の重量平均分子量は、溶媒としてシクロヘキサン（樹脂が溶解しない場合にはトルエン）を用いたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と略す。）により、ポリイソプレン換算（溶媒がトルエンのときは、ポリスチレン換算）の値で測定しうる。

【0173】

脂環式構造含有重合体の分子量分布（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ））は、好ましくは１以上、より好ましくは１．２以上であり、好ましくは１０以下、より好ましくは４以下、特に好ましくは３．５以下である。

【0174】

脂環式構造含有重合体を含む樹脂は、脂環式構造含有重合体のみからなってもよいが、本発明の効果を著しく損なわない限り、任意の配合剤を含んでもよい。任意の成分の例としては、紫外線吸収剤；無機微粒子；酸化防止剤、熱安定剤、近赤外線吸収剤等の安定剤；滑剤、可塑剤等の樹脂改質剤；染料、顔料等の着色剤；老化防止剤；などの配合剤が挙げられる。任意の成分は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。脂環式構造含有重合体を含む樹脂中の、脂環式構造含有重合体の割合は、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上である。
脂環式構造含有重合体を含む樹脂の好適な具体例としては、日本ゼオン社製「ゼオノア」を挙げうる。

【0175】

基材フィルムは、１層のみを備える単層フィルムであってもよく、２層以上の層を備える複層フィルムであってもよい。中でも、基材フィルムは、第一表面層、紫外線吸収剤を含む中間層、及び、第二表面層を厚み方向においてこの順に備える複層フィルムであることが好ましい。すなわち、基材フィルムは、脂環式構造を有する重合体を含む熱可塑性樹脂からなる第一表面層と、脂環式構造を有する重合体及び紫外線吸収剤を含む熱可塑性樹脂からなる中間層と、脂環式構造を有する重合体を含む熱可塑性樹脂からなる第二表面層とを、厚み方向においてこの順に備えることが好ましい。このような複層フィルムにおいては、第一表面層及び第二表面層によって中間層に含まれる紫外線吸収剤のブリードアウトを抑制することができる。また、このような複層フィルムを用いた場合、本発明の複層位相差板を偏光板や画像表示装置に組み入れた際に、位相差板Ｐ２や画像表示装置が紫外線により劣化するのを抑制することができる。

【0176】

ブリードアウトの効果的な抑制のためには、第一表面層及び第二表面層は、紫外線吸収剤を含まないことが好ましい。また、第一表面層に含まれる重合体、中間層に含まれる重合体及び第二表面層に含まれる重合体は、同じでもよく、異なっていてもよい。したがって、第一表面層に含まれる熱可塑性樹脂と、第二表面層に含まれる熱可塑性樹脂とは、異なっていてもよいが、層の形成が容易であることから、同じであることが好ましい。通常、第一表面層及び第二表面層は、紫外線吸収剤を含まないこと以外は中間層に含まれる熱可塑性樹脂と同じの熱可塑性樹脂によって、形成される。

【0177】

紫外線吸収剤の例としては、トリアジン系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、アクリロニトリル系紫外線吸収剤等の有機紫外線吸収剤が挙げられる。中でも、波長３８０ｎｍ付近における紫外線吸収性能が優れているという点で、トリアジン系紫外線吸収剤が好ましい。また、紫外線吸収剤としては、分子量は４００以上であるものが好ましい。

【0178】

トリアジン系紫外線吸収剤の例としては、１，３，５−トリアジン環を有する化合物を好ましく用いうる。トリアジン系紫外線吸収剤の具体例としては、２−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−５−［（へキシル）オキシ］−フェノール、２，４−ビス（２−ヒドロキシ−４−ブトキシフェニル）−６−（２，４−ジブトキシフェニル）−１，３，５−トリアジン等が挙げられる。また、トリアジン系紫外線吸収剤の市販品としては、例えば、「チヌビン１５７７」（チバスペシャリティーケミカルズ社製）等を挙げることができる。

【0179】

ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤の例としては、２，２’−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］、２−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−ｐ−クレゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４，６−ビス（１−メチル−１−フェニルエチル）フェノール、２−ベンゾトリアゾール−２−イル−４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−［５−クロロ（２Ｈ）−ベンゾトリアゾール−２−イル］−４−メチル−６−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェノール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−メチル−６−（３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミジルメチル）フェノール、メチル３−（３−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート／ポリエチレングリコール３００の反応生成物、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（直鎖および側鎖ドデシル）−４−メチルフェノール等が挙げられる。トリアゾール系紫外線吸収剤の市販品としては、例えば、「アデカスタブＬＡ−３１」（旭電化工業社製）等を挙げることができる。

【0180】

紫外線吸収剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

【0181】

中間層に含まれる熱可塑性樹脂において、紫外線吸収剤の量は、好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上であり、好ましくは８重量％以下、より好ましくは６重量％以下である。ここで、紫外線吸収剤の量とは、２種類以上の紫外線吸収剤を用いる場合には、それらの紫外線吸収剤の全体量のことを示す。紫外線吸収剤の量を前記範囲の下限以上にすることにより、波長２００ｎｍ〜３７０ｎｍの紫外線の透過を効果的に抑制でき、また、上限以下にすることにより、フィルムの黄色味を抑えることができるので、色味の劣化を抑制できる。さらに、紫外線吸収剤の量を前記範囲とすることにより、多量の紫外線吸収剤を含有しないことから、熱可塑性樹脂の耐熱性の低下を抑制できる。

【0182】

脂環式構造を有する重合体及び紫外線吸収剤を含む熱可塑性樹脂の製造方法としては、溶融押出法による基材フィルムの製造時より前に紫外線吸収剤を脂環式構造を有する重合体に配合する方法；紫外線吸収剤を高濃度に含むマスターバッチを用いる方法；溶融押出法による基材フィルムの製造時に紫外線吸収剤を脂環式構造を有する重合体に配合する方法、などが挙げられる。これらの方法では、紫外線吸収剤の量を前記範囲とすることにより、紫外線吸収剤の分散性を十分に高めることができる。

【0183】

脂環式構造含有重合体を含む樹脂をフィルムの形状に成形する方法は、特に限定されず、押出成形等の既知の方法を採用しうる。押出成形を行った場合、長尺のフィルムを連続的に成形することができ、製造効率の点から好ましい。また、フィルムを延伸して延伸物とする方法も、特に限定されず、延伸の操作の例としては、長尺のフィルム長手方向への延伸、幅方向への延伸、斜め方向への延伸、及びこれらの組み合わせが挙げられる。フィルムの厚み、延伸の倍率、及び延伸後の延伸物の厚みは、所望の位相差板Ｐ１が得られる範囲に適宜調整しうる。

【0184】

熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、更に好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。熱可塑性樹脂のガラス転移温度を前記範囲の下限値以上にすることにより、高温環境下における基材フィルムの耐久性を高めることができ、また、上限値以下にすることにより、延伸処理を容易に行える。

【0185】

さらに、基材フィルムが第一表面層、中間層及び第二表面層を備える場合には、中間層に含まれる熱可塑性樹脂のガラス転移温度ＴｇＡと第一表面層及び第二表面層に含まれる熱可塑性樹脂のガラス転移温度ＴｇＢとは、ＴｇＢ−ＴｇＡ＜１５℃の関係を満たすことが好ましい。

【0186】

基材フィルムの波長３８０ｎｍにおける光線透過率は、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下、特に好ましくは１％以下である。また、基材フィルムの波長２８０ｎｍ〜３７０ｎｍにおける光線透過率は、好ましくは１．５％以下、より好ましくは１％以下である。
ここで光線透過率は、ＪＩＳＫ０１１５に準拠して、分光光度計を用いて測定しうる。

【0187】

〔５．偏光板及び画像表示装置〕
本発明の偏光板は、前記本発明の複層位相差板及び直線偏光子を含む。また、本発明の画像表示装置は、前記本発明の偏光板を備える。本発明の偏光板は、任意の構成要素として、偏光子を保護する保護フィルム、及びこれらを接着する接着層を含みうる。保護フィルムは、通常直接又は接着層を介して偏光子の両面に設けられる。但し、保護フィルムを省略し、保護フィルムに代えて、複層位相差板が直線偏光子を保護する構成を採用してもよい。本発明の偏光板は、直線偏光子に加えて複層位相差板を含むことにより、広い波長範囲において、均等な光学的効果を得ることができる光学部材の構成要素として用いうる。

【0188】

〔５．１．反射防止フィルム〕
好ましい例において、本発明の偏光板は、画像表示装置における反射防止フィルムとして用いうる。反射防止フィルムとして好適に用いうる偏光板の例としては、（位相差板Ｐ２）／（位相差板Ｐ１）／（直線偏光子）の層構成を有し、直線偏光子の透過軸と位相差板Ｐ１の遅相軸とが４０°〜５０°、好ましくは４４°〜４６°、典型的には４５°の関係を有し、複層位相差板が１／４波長板として機能するものが挙げられる。このような偏光板を、画像表示装置の、画素を構成する素子よりも視認側の位置に、直線偏光子側の面を視認側として設けることにより、装置外部から入射した光が、装置内部において反射し、装置外部に出射し、観察者に視認されることを抑制することができる。そして、位相差板として本発明の複層位相差板を備えることにより、そのような反射防止の効果を、広い波長範囲において均等に得ることができる。

【0189】

このような構成において、位相差板Ｐ１及びＰ２の光学的な特性は、可視領域における反射光の反射Ｙ値が最小となるよう適宜調整しうる。例えば可視領域をλ＝３８０ｎｍ〜７８０ｎｍとすると、反射Ｙ値は、下記式（ｅ１０）により求めうる。

【0190】

【数1】

【0191】

式（ｅ１０）においてＳ（λ）は、入射光の分光分布であり、Ｒ（λ）は反射率の分光分布であり、ｙ（λ）は等色関数のｙ値である。本発明の偏光板を利用した反射防止フィルムでは、かかる反射Ｙ値を最小とするよう位相差板Ｐ１及びＰ２を設計した場合において、複層位相差板の面内レターデーションＲｅＰｓ（λ）と、理想分散との差を、非常に小さいものとすることができる。

【実施例】

【0192】

以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものでは無く、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温及び常圧の条件において行った。

【0193】

（合成例１）ＬＣ１の合成

【0194】

【化32】

【0195】

ステップ１：中間体Ａの合成

【0196】

【化33】

【0197】

温度計を備えた４つ口反応器に窒素気流中、２，５−ジヒドロキシベンズアルデヒド２０ｇ（１４４．８ｍｍｏｌ）、４−（６−アクリロイル−ヘクス−１−イルオキシ）安息香酸（ＤＫＳＨ社製）１０５．８ｇ（３６２．０ｍｍｏｌ）、及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン５．３ｇ（４３．４ｍｍｏｌ）をＮ−メチルピロリドン２００ｍｌに溶解させた。この溶液に、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（ＷＳＣ）８３．３ｇ（４３４．４ｍｍｏｌ）を加え、室温下にて１２時間攪拌した。反応終了後、反応液を水１．５リットルに投入し、酢酸エチル５００ｍｌで抽出した。酢酸エチル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをろ別した後、ロータリーエバポレーターにて酢酸エチルを減圧留去して、淡黄色固体を得た。この淡黄色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝９：１)により精製し、白色固体として、上記式（Ａ）で表される中間体Ａを７５ｇ得た（収率：７５．４％）。構造は^１Ｈ−ＮＭＲで同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ、δｐｐｍ）：１０．２０（ｓ、１Ｈ）、８．１８−８．１２（ｍ、４Ｈ）、７．７８（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝２．８Ｈｚ）、７．５２（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝２．８Ｈｚ、８．７Ｈｚ）、７．３８（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝８．７Ｈｚ）、７．００−６．９６（ｍ、４Ｈ）、６．４０（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．４Ｈｚ、１７．４Ｈｚ）、６．１２（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１０．６Ｈｚ、１７．４Ｈｚ）、５．８２（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．４Ｈｚ、１０．６Ｈｚ）、４．１８（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝６．４Ｈｚ）、４．０８−４．０４（ｍ、４Ｈ）、１．８８−１．８１（ｍ、４Ｈ）、１．７６−１．６９（ｍ、４Ｈ）、１．５８−１．４２（ｍ、８Ｈ）。

【0198】

ステップ２：中間体Ｂの合成

【0199】

【化34】

【0200】

温度計を備えた３口反応器に、窒素気流中、ヒドラジン１水和物：１１．１６ｇ（２２２．９ｍｍｏｌ）、及びエタノール３０ｍｌを加えた。この溶液に室温下にて３−チオフェンカルボキシアルデヒド：５．０ｇ（４４．５８ｍｍｏｌ）、及びエタノール１０ｍｌの混合溶液をゆっくり滴下した。滴下終了後、室温下にて３時間撹拌した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌ、及びクロロホルム８００ｍｌを加えて洗浄した。更に有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２００ｍｌで２回洗浄した。その後、有機層を集め、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、硫酸ナトリウムをろ別した。ロータリーエバポレーターにてろ液から溶媒を蒸発除去した後、得られた残留物をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３０ｍｌに溶解させた。この溶液にヘキサン３００ｍｌを加えて、固体を析出させて、析出した固体をろ別した。得られた固体を真空乾燥させて、淡黄色固体として、上記式（Ｂ）で表される中間体Ｂを４．１ｇ得た（収率：７３％）。^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ、δｐｐｍ）：７．８２（ｓ、１Ｈ）、７．３９（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．０Ｈｚ、５．０Ｈｚ）、７．２９−７．３１（ｍ、２Ｈ）、５．４１（ｂｒ、２Ｈ）。

【0201】

ステップ３：ＬＣ１の合成
温度計を備えた３口反応器に、窒素気流中、前記ステップ１で合成した中間体Ａ：１０．２ｇ（１４．８６ｍｍｏｌ）、及びＴＨＦ８０ｍｌを加えた。この溶液に前記ステップ２で合成した中間体Ｂを３．７５ｇ（２９．７２ｍｍｏｌ）を加えた。その後、室温下にて２０時間反応を行った。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水１リットル、及び酢酸エチル５００ｍｌを加えて抽出した。更に有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水３００ｍｌで洗浄した後、有機層を更に飽和食塩水１００ｍｌで洗浄した。有機層を集め、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、硫酸ナトリウムをろ別した。ロータリーエバポレーターにてろ液から溶媒を蒸発除去して、黄色オイルを得た。この黄色オイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝９５：５)により精製し、淡黄色オイルとして、上記式ＬＣ１で表される化合物ＬＣ１を５．８ｇ得た（収率：４９．１％）。目的物の構造は^１Ｈ−ＮＭＲで同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ，δｐｐｍ）：８．７５（ｓ、１Ｈ）、８．５６（ｓ、１Ｈ）、８．１５−８．２０（ｍ、４Ｈ）、８．０４（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝３．０Ｈｚ）、７．７０（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．０Ｈｚ、３．０Ｈｚ）、７．５５（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．０Ｈｚ、５．０Ｈｚ）、７．３０−７．３９（ｍ、３Ｈ）、６．９８−７．０１（ｍ、４Ｈ）、６．４１（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、１７．５Ｈｚ）、６．１３（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１０．５Ｈｚ、１７．５Ｈｚ）、５．８３（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、１０．５Ｈｚ）、４．１９２（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝６．５Ｈｚ）、４．１９１（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝６．５Ｈｚ）、４．０８（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝６．０Ｈｚ）、４．０７（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝６．５Ｈｚ）、１．８３-１．８９（ｍ、４Ｈ）、１．７１−１．７７（ｍ、４Ｈ）、１．４５-１．５７（ｍ、８Ｈ）。

【0202】

（合成例２）ＬＣ２の合成

【0203】

【化35】

【0204】

ステップ１：中間体Ｃの合成

【0205】

【化36】

【0206】

温度計を備えた３口反応器に、窒素気流中、ヒドラジン１水和物５．６８ｇ（１１３．５ｍｍｏｌ）、及びエタノール３０ｍｌを加えた。この溶液に１−インダノン：３．０ｇ（２２．７ｍｍｏｌ）を加えて、６０℃にて６時間加熱した。反応終了後、反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌ、及びクロロホルム６００ｍｌを加えて抽出した。更に有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２００ｍｌで２回洗浄した。その後、有機層を集め、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、硫酸ナトリウムをろ別した。ロータリーエバポレーターにてろ液から溶媒を蒸発除去した後、得られた残留物をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３０ｍｌに溶解させた。この溶液にヘキサン３００ｍｌを加えて、固体を析出させて、析出した固体をろ別した。得られた固体を真空乾燥させて、淡黄色固体として、上記式（Ｃ）で表される中間体Ｃを２．４６ｇ得た（収率：７４％）。^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ、δｐｐｍ）：７．６４（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．５Ｈｚ）、７．２３−７．３１（ｍ、３Ｈ）、５．１５（ｂｒ、２Ｈ）、３．１１−３．１３（ｍ、２Ｈ）、２．６７-２．７０（ｍ、２Ｈ）。

【0207】

ステップ２：ＬＣ２の合成
温度計を備えた３口反応器に、窒素気流中、前記合成例１のステップ１で合成した中間体Ａ：５．２ｇ（７．５７ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ５０ｍｌ、及びエタノール１０ｍｌを加えた。この溶液に前記ステップ１で合成した中間体Ｃを２．４３ｇ（１６．６５ｍｍｏｌ）加えた。その後、６０℃にて３時間反応を行った。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水１リットル、及び酢酸エチル３００ｍｌを加えて抽出した。更に有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水３００ｍｌで洗浄した後、有機層を更に飽和食塩水１００ｍｌで洗浄した。有機層を集め、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、硫酸ナトリウムをろ別した。ロータリーエバポレーターにてろ液から溶媒を蒸発除去して、黄色オイルを得た。この黄色オイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝９０：１０)により精製し、淡黄色固体として、上記式ＬＣ２で表される化合物ＬＣ２を２．８ｇ得た（収率：４５．４％）。目的物の構造は^１Ｈ−ＮＭＲで同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ，δｐｐｍ）：８．６５（ｓ、１Ｈ）、８．１７−８．１９（ｍ、４Ｈ）、８．０４（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝３．０Ｈｚ）、７．８４（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝８．０Ｈｚ）、７．４１（ｔｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．０Ｈｚ、７．５Ｈｚ）、７．３４−７．３６（ｍ、２Ｈ）、７．２５−７．３１（ｍ、２Ｈ）、６．９９（ｄｄ、４Ｈ、Ｊ＝１．０Ｈｚ、８．５Ｈｚ）、６．４１（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．０Ｈｚ、１７．５Ｈｚ）、６．１３（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１０．５Ｈｚ、１７．５Ｈｚ）、５．８３２（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．０Ｈｚ、１０．５Ｈｚ）、５．８３１（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．０Ｈｚ、１０．５Ｈｚ）、４．１９（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝６．５Ｈｚ）、４．０６９（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝６．５Ｈｚ）、４．０６７（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝６．５Ｈｚ）、３．０６（ｂｒ、４Ｈ）、１．８６（ｔｔ、４Ｈ、Ｊ＝６．５Ｈｚ、６．５Ｈｚ）、１．７４（ｔｔ、４Ｈ、Ｊ＝７．０Ｈｚ、７．０Ｈｚ）、１．４５−１．６０（ｍ、８Ｈ）。

【0208】

（合成例３）ＬＣ３の合成

【0209】

【化37】

【0210】

ステップ１：中間体Ｄの合成

【0211】

【化38】

【0212】

温度計を備えた３口反応器に、窒素気流中、２，５−ジヒドロキシベンズアルデヒド１０ｇ（７２．４ｍｍｏｌ）、及びエタノール１５０ｍｌを加えた。そこに、６−アミノ−１，４−ベンゾジオキサン１０．９４ｇ（７２．４ｍｍｏｌ）を加えて、室温下にて２時間撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過して、冷エタノールで洗浄した。得られた固体を真空乾燥させて、淡黄色固体として、上記式（Ｄ）で表される中間体Ｄを１３．５ｇ得た（収率：６８．７％）。目的物の構造は^１Ｈ−ＮＭＲで同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ-ｄ６、ＴＭＳ、δｐｐｍ）：１２．２８（ｓ、１Ｈ）、９．０２（ｓ、１Ｈ）、８．７６（ｓ、１Ｈ）、６．９６−６．９８（１Ｈ、ｍ）、６．９５（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝２．８Ｈｚ）、６．８６−６．９０（２Ｈ、ｍ）、６．８０（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝２．８Ｈｚ、８．８Ｈｚ）、６．７３（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝８．８Ｈｚ）、４．２３（ｓ、４Ｈ）。

【0213】

ステップ２：ＬＣ３の合成
温度計を備えた４つ口反応器に窒素気流中、前記ステップ１で合成した中間体Ｄ５．０ｇ（１８．４ｍｍｏｌ）、及び４−（６−アクリロイル−ヘクス−１−イルオキシ）安息香酸（ＤＫＳＨ社製）１３．４７ｇ（４６．１ｍｍｏｌ）をＮ−メチルピロリドン１００ｍｌに溶解させた。この溶液に、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（ＷＳＣ）１０．５８ｇ（５５．２ｍｍｏｌ）、及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン１．１２ｇ（９．２ｍｍｏｌ）を加えて、室温下にて１２時間攪拌した。反応終了後、反応液を水１リットルに投入し、酢酸エチル５００ｍｌで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水２００ｍｌで洗浄した。有機層を集めて、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをろ別した後、ロータリーエバポレーターにて酢酸エチルを減圧留去して、淡黄色固体を得た。この淡黄色固体をアルミナを充填剤とするカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝９：１)により精製し、淡黄色固体として、上記式ＬＣ３で表される化合物ＬＣ３を３．８得た（収率：２５．２％）。構造は^１Ｈ−ＮＭＲで同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ、δｐｐｍ）：８．５６（ｓ、１Ｈ）、８．１７（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝９．０Ｈｚ）、８．１５（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝９．０Ｈｚ）、８．０７（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝３．０Ｈｚ）、７．３７（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝３．０Ｈｚ、８．５Ｈｚ）、７．３０（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝８．５Ｈｚ）、６．９９（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．５Ｈｚ）、６．９７（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．５Ｈｚ）、６．８１（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝８．５Ｈｚ）、６．７２（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝２．５Ｈｚ）、６．６９（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝２．５Ｈｚ、８．５Ｈｚ）、６．４０（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、１７．５Ｈｚ）、６．１３（２Ｈ、ｄｄ、Ｊ＝１０．５Ｈｚ、１７．５Ｈｚ）、５．８２（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、１０．５Ｈｚ）、４．２２（ｓ、４Ｈ）、４．１８（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝６．５Ｈｚ）、４．０５（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝６．５Ｈｚ）、１．８０−１．８７（ｍ、４Ｈ）、１．６９−１．７６（ｍ、４Ｈ）、１．４４−１．５７（ｍ、８Ｈ）。

【0214】

〈相転移温度の測定〉
化合物ＬＣ１〜３をそれぞれ少量、固体状態のまま、ラビング処理を施したポリイミド配向膜付きのガラス基板（Ｅ．Ｈ．Ｃ．Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製、商品名：配向処理ガラス基板）２枚に挟んだ。この基板をホットプレート上に載せ、４０℃から１００℃まで昇温した後、再び４０℃まで降温した。昇温、降温する際の組織構造の変化を偏向光学顕微鏡（ニコン社製、ＥＣＬＩＰＳＥ ＬＶ１００ＰＯＬ型）で観察した。
測定した相転移温度を下記表１に示す。
表１中、「Ｃ」はＣｒｙｓｔａｌ、「Ｎ」はＮｅｍａｔｉｃ、「Ｉ」はＩｓｏｔｒｏｐｉｃをそれぞれ表す。ここで、Ｃｒｙｓｔａｌとは、試験化合物が固相にあることを、Ｎｅｍａｔｉｃとは、試験化合物がネマチック液晶相にあることを、Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃとは、試験化合物が等方性液体相にあることを、それぞれ示す。

【0215】

【表1】

【0216】

〔実施例１〕
（１−１．液晶組成物の調製）
下記に示す材料（１ａ）〜（１ｅ）を秤量し、遮光瓶に入れて混合物とした。
（１ａ）液晶化合物：合成例１で合成した化合物ＬＣ１（π電子数１０） ２１．０重量部
（１ｂ）界面活性剤：商品名「メガファックＦ−５６２」（ＤＩＣ社製）の１重量％シクロペンタノン溶液 ６．３重量部
（１ｃ）重合開始剤：商品名「Ｎ１９１９」（ＡＤＥＫＡ社製） ０．９重量部
（１ｄ）溶媒：１，３−ジオキソラン ４６．８重量部
（１ｅ）溶媒：シクロペンタノン ２５．０重量部

【0217】

【化39】

【0218】

混合物を、遮光瓶中で６０℃にて１．０時間撹拌した。撹拌終了後、混合物を室温にて静置し、それにより混合物を冷却した。室温まで冷却された混合物を、０．４５μｍのメンブレンフィルターに通した。これにより、液晶組成物を調製した。

【0219】

（１−２．支持体の準備）
支持体として、日本ゼオン社製「ゼオノアフィルム」を準備した。この支持体は、厚み４７μｍの長尺のフィルムであった。フィルムを構成する樹脂のガラス転位温度（Ｔｇ）は１２６℃であった。この支持体は、位相差を有し、波長５５０ｎｍにおける面内リターデーションＲｅは１４１ｎｍであり、面内の遅相軸方向は支持体の幅方向に対して４５°であった。

【0220】

（１−３．位相差板Ｐ２）
（１−２）で得た支持体の一方の面に、（１−１）で得た液晶組成物を塗布した。塗布は、番手Ｎｏ．０３のワイヤーバーを用いたバー塗布にて行った。塗布後、支持体を、６５℃のオーブンに投入し、２分間加熱処理を行った。乾燥後、支持体を、室温にて１時間放置し、液晶組成物の層中の液晶化合物を配向させた。

【0221】

続いて、液晶組成物の層に紫外線を照射した。紫外線照射は、Ｈ−バルブ（ヘレウス社製）を用い、露光量１５０ｍＪ／ｃｍ^２以上の照射とした。これにより、液晶組成物の層を硬化させ位相差板Ｐ２とし、（支持体）／（位相差板Ｐ２）の層構成を有する複層物（ｉ）を得た。得られた位相差板Ｐ２の膜厚は１．６７μｍであった。

【0222】

得られた複層物の位相差板Ｐ２側の面を、接着剤を介しガラス基板に貼合し、支持体を剥離した。これにより、（ガラス基板）／（接着剤層）／（位相差板Ｐ２）の複層物（ｉｉ）を得た。

【0223】

（１−４．位相差板Ｐ２の波長分散測定）
（１−３）で得られた複層物（ｉｉ）上の位相差板Ｐ２の面内リターデーションＲｅを測定した。測定は、波長λ＝３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲において５ｎｍ間隔で行った。測定には位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製）を用いた。得られた測定結果は、フィルムの干渉によると思われる測定値のばらつきを有するものの、概ねコーシーの分散式に従った波長分散を示すものであった。

【0224】

（１−５．コーシーフィッティング、リニア性指標、及びＲｅ（４００）／Ｒｅ（７００）の計算）
（１−４）の測定結果から、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）、Ｒｅ（５５０）／Ｒｅ（５５０）、及びＲｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）の値を求め、これらの値からコーシーフィッティングを行った。即ち、下記式により計算されるＸを最小とする定数Ａ、Ｂ及びＣの値を求めた。
Ｘ＝｛Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）−Ｒｅ（４５０）ｃ／Ｒｅ（５５０）ｃ｝^２
＋｛Ｒｅ（５５０）／Ｒｅ（５５０）−Ｒｅ（５５０）ｃ／Ｒｅ（５５０）ｃ｝^２
＋｛Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）−Ｒｅ（６５０）ｃ／Ｒｅ（５５０）ｃ｝^２

【0225】

上記式において、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）、Ｒｅ（５５０）／Ｒｅ（５５０）、及びＲｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）は、上記実測値であり、Ｒｅ（４５０）ｃ／Ｒｅ（５５０）ｃ、Ｒｅ（５５０）ｃ／Ｒｅ（５５０）ｃ、及びＲｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）ｃは、Ｒｅ（λ）ｃ／Ｒｅ（５５０）ｃ＝Ａ＋（Ｂ／λ^２）＋（Ｃ／λ^４）の計算値から得られる値である。

【0226】

コーシーフィッティングの結果得られた定数Ａ、Ｂ及びＣの値に基づいて、波長λとＲｅ（λ）／Ｒｅ（５５０）との関係を１０ｎｍ間隔で３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲において計算した。結果を表２に示す。本実施例における以下の計算では、このコーシーフィッティングにより補正された値を、位相差板Ｐ２の各波長λにおける面内リターデーションＲｅＰ２（λ）とした。

【0227】

さらに、コーシーフィッティングの結果得られたＲｅＰ２（４００）／ＲｅＰ２（５５０）、ＲｅＰ２（５５０）／ＲｅＰ２（５５０）、及びＲｅＰ２（７００）／ＲｅＰ２（５５０）の値から、位相差板Ｐ２のリニア性指標、及びＲｅ（４００）／Ｒｅ（７００）の値を計算した。結果を表３に示す。

【0228】

（１−６．位相差板Ｐ１）
乾燥させた脂環式構造を有する重合体を含む熱可塑性樹脂（ＣＯＰ１）（日本ゼオン社製、ガラス転移温度１２３℃）１００部、及び、ベンゾトリアゾール系の紫外線吸収剤（ＡＤＥＫＡ社製「ＬＡ−３１」）５．５部を、二軸押出機により混合した。次いで、その混合物を、押出機に接続されたホッパーへ投入し、単軸押出機へ供給し溶融押出して、紫外線吸収剤を含む熱可塑性樹脂（Ｊ１）を得た。この熱可塑性樹脂（Ｊ１）における紫外線吸収剤の量は、５．２重量％であった。

【0229】

目開き３μｍのリーフディスク形状のポリマーフィルターを備えた、ダブルフライト型のスクリュー径５０ｍｍ単軸押出機（スクリュー有効長さＬとスクリュー径Ｄとの比Ｌ／Ｄ＝３２）を用意した。この単軸押出機に装填されたホッパーへ、前記の熱可塑性樹脂（Ｊ１）を投入した。そして、この熱可塑性樹脂（Ｊ１）を溶融させ、押出機の出口温度２８０℃、押出機のギヤポンプの回転数１０ｒｐｍで、溶融した熱可塑性樹脂（Ｊ１）をマルチマニホールドダイに供給した。このマルチマニホールドダイのダイスリップの算術表面粗さＲａは、０．１μｍであった。

【0230】

他方、熱可塑性樹脂（Ｊ１）を投入された単軸押出機とは別に、目開き３μｍのリーフディスク形状のポリマーフィルターを備えた、スクリュー径５０ｍｍの単軸押出機（Ｌ／Ｄ＝３２）を用意した。この単軸押出機に装填されたホッパーへ、熱可塑性樹脂（Ｊ１）の製造に用いたのと同じ脂環式構造を有する重合体を含む熱可塑性樹脂（ＣＯＰ１）を投入した。そして、この熱可塑性樹脂（ＣＯＰ１）を溶融させ、押出機の出口温度２８５℃、押出機のギヤポンプの回転数４ｒｐｍで、溶融した熱可塑性樹脂（ＣＯＰ１）を前記のマルチマニホールドダイに供給した。

【0231】

溶融状態の熱可塑性樹脂（ＣＯＰ１）、紫外線吸収剤を含む溶融状態の熱可塑性樹脂（Ｊ１）、及び、溶融状態の熱可塑性樹脂（ＣＯＰ１）を、それぞれマルチマニホールドダイから２８０℃で吐出させ、１５０℃に温度調整された冷却ロールにキャストして、延伸前フィルムを得た。樹脂の吐出の際、エアギャップ量は５０ｍｍに設定した。また、吐出された樹脂を冷却ロールにキャストする方法として、エッジピニングを採用した。

【0232】

得られた延伸前フィルムは、熱可塑性樹脂（ＣＯＰ１）からなる厚み１５μｍの樹脂層、紫外線吸収剤を含む熱可塑性樹脂（Ｊ１）からなる厚み４０μｍの樹脂層、及び、熱可塑性樹脂（ＣＯＰ１）からなる厚み１５μｍの樹脂層をこの順に備える、３層構造の複層フィルムであった。また、延伸前フィルムの幅は１４００ｍｍ、総厚みは７０μｍであった。こうして得た延伸前フィルムに、当該延伸前フィルムの幅方向の両端部５０ｍｍずつを切り除くトリミング処理を施して、幅を１３００ｍｍにした。

【0233】

前記の延伸前フィルムに、延伸温度１４０℃、延伸速度２０ｍ／ｍｉｎの条件で、延伸前フィルムの長手方向に対して平行でもなく垂直でもない斜め方向に延伸して、基材フィルムとして延伸フィルムを得た。得られた延伸フィルムは、熱可塑性樹脂（ＣＯＰ１）からなる厚み８μｍの第一表面層、紫外線吸収剤を含む熱可塑性樹脂（Ｊ１）からなる厚み３１μｍの中間層、及び、熱可塑性樹脂（ＣＯＰ１）からなる厚み８μｍの第二表面層をこの順に備える、３層構造の複層フィルムであった。また、この延伸フィルムの幅は１３３０ｍｍ、厚みは４７μｍであり、遅相軸は延伸フィルムの長手方向に対して４５°の角度をなしていた。
この延伸フィルムの測定波長５５０ｎｍでの面内レターデーションは１００ｎｍ、測定波長３８０ｎｍにおける光線透過率は０．０２％、屈折率は１．５３であった。

【0234】

上記延伸フィルムを、位相差板Ｐ１として用いた場合を想定し、このフィルムについて、各波長λにおける面内リターデーションＲｅＰ１（λ）を測定し、コーシーフィッティングを行い、波長λとＲｅＰ１（λ）／ＲｅＰ１（５５０）との関係を計算した。その具体的な方法は、位相差板Ｐ２について（１−４）において行ったものと同じ方法とした。結果を表２に示す。以下の計算では、この値を、位相差板Ｐ１の各波長λにおける面内リターデーションＲｅＰ１（λ）とした。

【0235】

（１−７．シミュレーション）
（１−６）の位相差板Ｐ１と、（１−４）の位相差板Ｐ２とを用いて複層位相差板を構成し、それを直線偏光子と組み合わせて反射防止フィルムを構成した場合を想定し、当該反射防止フィルムの性能をシミュレーションした。シミュレーションの詳細は下記の通りである。

【0236】

理想鏡面反射する反射板上に、反射防止フィルムを設け、反射防止フィルムに入射した光が、反射防止フィルムから出射する際の反射Ｙ値を計算した。反射防止フィルムの層構成は、反射板に近い側から順に、（位相差板Ｐ２）／（位相差板Ｐ１）／（直線偏光子）とした。位相差板Ｐ２の遅相軸と位相差板Ｐ１の遅相軸とは直交する方向とした。さらに、位相差板Ｐ１の遅相軸と直線偏光子の吸収軸とがなす角は４５°とした。

【0237】

上記構成において、位相差板Ｐ２と位相差板Ｐ１との組み合わせは、一枚の位相差板Ｐｓと同等とみなしうる。位相差板Ｐｓの遅相軸方向が位相差板Ｐ１と同じ方向であると設定した場合、波長λにおける位相差板Ｐｓの面内リターデーションＲｅＰｓ（λ）と、位相差板Ｐ２の面内リターデーションＲｅＰ２（λ）と、位相差板Ｐ１の面内リターデーションＲｅＰ１（λ）とは、ＲｅＰｓ（λ）＝ＲｅＰ１（λ）−ＲｅＰ２（λ）の関係を有する。

【0238】

上記構成において、波長λにおける、入射光に対する反射光の割合Ｒ（λ）は、偏光板が理想的な偏光作用を有すると仮定すると下記式（ｅ１１）の通りとなる。

【0239】

【数2】

【0240】

式（ｅ１１）において、Ｓ（λ）は入射光の分光分布であり、本シミュレーションにおいては全波長において１とした。

【0241】

可視光中心波長５５０ｎｍにおいて位相差板Ｐｓが理想的な１／４波長板として機能するよう、位相差板Ｐ１及びＰ２の厚みを設定することを前提とした。即ち、ＲｅＰｓ（５５０）＝１３７．５ｎｍであることを前提とした。この前提において、位相差板Ｐ１及び位相差板Ｐ２が様々な厚みとなる場合について検討した。即ち、ＲｅＰ１（５５０）−ＲｅＰ２（５５０）＝１３７．５ｎｍの関係を満たす、様々なＲｅＰ１（λ）及びＲｅＰ２（λ）の組み合わせを設定し、それらのうち、反射光の反射Ｙ値が最小となるものを求めた。

【0242】

反射Ｙ値は、下記式（ｅ１２）により近似的に計算した。

【0243】

【数3】

【0244】

式（ｅ１２）において、１０ｎは、λの１０ｎｍ間隔の値である（即ちｎ＝λ／１０）。各波長におけるＲｅＰｓ（λ）の値は、表２に示すＲｅＰ１（λ）／ＲｅＰ１（５５０）及びＲｅＰ２（λ）／ＲｅＰ２（５５０）の値、並びに設定した組み合わせにおけるＲｅＰ１（５５０）及びＲｅＰ２（５５０）の値から求めた。関数ｙ（λ）は波長λと等色関数のｙ値との関数であり、表２に示す値を採用した。上記計算の結果得られた、反射Ｙ値の最小値、並びに当該最小値を与えたＲｅＰ１（５５０）及びＲｅＰ２（５５０）の値（ＲｅＰ１（５５０）ｍｉｎ及びＲｅＰ２（５５０）ｍｉｎ）を表３に示す。

【0245】

さらに、上に述べた、反射Ｙ値が最小値を示す場合において、位相差板Ｐｓの波長分散と、理想分散を示す仮想的な位相差板Ｐｉとの、波長分散のズレの指標として、ズレ指標を下記式（ｅ１３）に基づいて計算した。結果を表３に示す。

【0246】

【数4】

【0247】

式（ｅ１３）において、ＲｅＰｉ（λ）は、理想分散を示す関数であり、（ＲｅＰｉ（λ）／ＲｅＰｉ（５５０））＝λ／５５０である。

【0248】

〔実施例２〕
（２−１．位相差板Ｐ２の波長分散測定）
（１ａ）の液晶化合物として、合成例１で合成した化合物ＬＣ１に代えて、合成例２で合成した化合物ＬＣ２（π電子数１２）を用いた他は、実施例１の（１−１）〜（１−４）と同じ操作により、位相差板Ｐ２を得て、面内リターデーションＲｅを測定した。

【0249】

【化40】

【0250】

（２−２．評価）
（１−４）の測定結果に代えて（２−１）の測定結果を用いた他は、実施例１の（１−５）〜（１−７）と同じ手順により、シミュレーション等を行った。
結果を表２及び表３に示す。

【0251】

〔実施例３〕
（３−１．位相差板Ｐ２の波長分散測定）
（１ａ）の液晶化合物として、合成例１で合成した化合物ＬＣ１に代えて、合成例３で合成した化合物ＬＣ３（π電子数１２）を用いた他は、実施例１の（１−１）〜（１−４）と同じ操作により、位相差板Ｐ２を得て、面内リターデーションＲｅを測定した。

【0252】

【化41】

【0253】

（３−２．評価）
（１−４）の測定結果に代えて（３−１）の測定結果を用いた他は、実施例１の（１−５）〜（１−７）と同じ手順により、シミュレーション等を行った。
結果を表２及び表３に示す。

【0254】

〔比較例１〕
特開２０１４−２０６６８４号公報の実施例４及び６によれば、１／４波長板として、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＝１．１８、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＝０．９３であるものが得られている。位相差板Ｐ２としてこの１／４波長板を採用した場合におけるコーシーフィッティング及びシミュレーションを行った。即ち、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）、Ｒｅ（５５０）／Ｒｅ（５５０）、及びＲｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）の値として、１．１８、１．００、及び０．９３の値を採用した他は、実施例１の（１−５）〜（１−７）と同じ手順により、シミュレーション等を行った。結果を表２及び表３に示す。

【0255】

〔比較例２〕
特開２０１４−２０６６８４号公報の実施例１によれば、１／４波長板として、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＝１．１０、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＝０．９５であるものが得られている。位相差板Ｐ２としてこの１／４波長板を採用した場合におけるコーシーフィッティング及びシミュレーションを行った。即ち、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）、Ｒｅ（５５０）／Ｒｅ（５５０）、及びＲｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）の値として、１．１０、１．００、及び０．９５の値を採用した他は、実施例１の（１−５）〜（１−７）と同じ手順により、シミュレーション等を行った。結果を表２及び表３に示す。

【0256】

〔比較例３〕
（Ｃ３−１．位相差板Ｐ２の波長分散測定）
（１ａ）の液晶化合物として、合成例１で合成した化合物ＬＣ１に代えて、下記式ＬＣ４で示される液晶化合物を用いた他は、実施例１の（１−１）〜（１−４）と同じ操作により、位相差板Ｐ２を得て、面内リターデーションＲｅを測定した。

【0257】

【化42】

【0258】

（Ｃ３−２．評価）
（１−４）の測定結果に代えて（Ｃ３−１）の測定結果を用いた他は、実施例１の（１−５）〜（１−７）と同じ手順により、シミュレーション等を行った。結果を表２及び表３に示す。

【0259】

〔比較例４〕
（Ｃ４−１．位相差板Ｐ２の波長分散測定）
（１ａ）の液晶化合物として、合成例１で合成した化合物ＬＣ１に代えて、下記式ＬＣ５で示される液晶化合物を用いたこと、オーブンの温度を１００℃にしたことの他は、実施例１の（１−１）〜（１−４）と同じ操作により、位相差板Ｐ２を得て、面内リターデーションＲｅを測定した。

【0260】

【化43】

【0261】

（Ｃ４−２．評価）
（１−４）の測定結果に代えて（Ｃ４−１）の測定結果を用いた他は、実施例１の（１−５）〜（１−７）と同じ手順により、シミュレーション等を行った。結果を表２及び表３に示す。

【0262】

【表2】

【0263】

【表3】

【0264】

表３の結果から明らかな通り、位相差板Ｐ２のリニア性指標が２．９０を下回る実施例１〜実施例３では、理想分散からのズレが著しく小さく、その結果として最小反射Ｙ値も著しく小さかった。さらに、ＲｅＰ２（４００）／ＲｅＰ２（７００）が１．５０以上となる実施例１及び実施例２では、最適となるＲｅＰ２（５５０）がλ／４板程度の小さい値となった。この程度の位相差値の位相差板は、厚みを薄くすることができ、製造が容易で有用に用いることができる。

【0265】

〔実施例４〕
実施例１で得られた位相差板を、液晶表示装置において、サングラスリーダビリティを向上させるフィルムとして使用した場合の性能を、シミュレーションにより評価した。

【0266】

液晶表示装置を、偏光サングラスをかけた使用者が観察した場合に、液晶表示装置とサングラスとがなす角度により表示画面の視認性が変化することがある。サングラスリーダビリティとは、かかる変化が少なく、様々な角度において使用者が均質な画像を認識できる、表示装置の性能をいう。

【0267】

シミュレーションは、シンテック社製シミュレーションソフトＬＣＤ−Ｍａｓｔｅｒを用い、図１に示すモデルを設定して行った。図１に示す通り、シミュレーションモデル１０は、液晶表示装置１１０、及びサングラス１２０を含み、液晶表示装置１１０は、視認側から順に、位相差板１１０Ｐ１、位相差板１１０Ｐ２、及びパネル１１１を備える。モデル１０において、サングラス１２０、位相差板１１０Ｐ１、位相差板１１０Ｐ２、及びパネル１１１は平行に配置される。

【0268】

モデル１０において、サングラス１２０は、矢印Ａ１２０方向に吸収軸を有する理想偏光フィルムである。

【0269】

モデル１０において、パネル１１１は、市販の液晶表示装置（商品名「ｉＰａｄ Ａｉｒ」、Ａｐｐｌｅ社製）とし、その表示面に、白色を表示した際のスペクトルをシミュレーションに供した。パネル１１１は、その視認側に、矢印Ａ１１１方向に吸収軸を有する直線偏光子を含んでおり、従ってパネル１１１からの出射光は直線偏光である。破線Ｂ１１０Ｐ１及びＢ１１０Ｐ２は、それぞれ、矢印Ａ１１１方向を位相差板１１０Ｐ１及び１１０Ｐ２に投影した方向である。θＰ１は、破線Ｂ１１０Ｐ１と、位相差板Ｐ１の遅相軸方向Ａ１１０Ｐ１とがなす角であり、θＰ２は、破線Ｂ１１０Ｐ２と、位相差板Ｐ２の遅相軸方向Ａ１１０Ｐ２とがなす角である。θＰ１は４５°に設定し、θＰ２は１３５°に設定した。

【0270】

シミュレーションにおいては、使用者が、サングラス１２０を介して液晶表示装置１１０を観察することを想定した。観察方向は、液晶表示装置１１０の表示面に対し極角０°方向（破線Ｂ１２０で示す方向）とした。サングラス１２０を固定し、液晶表示装置１１０を、破線Ｂ１２０を軸に回転させ、方位角（パネル１１１の吸収軸Ａ１１１とサングラス１２０の吸収軸Ａ１２０とがなす角度）を０°〜３６０の範囲で５°刻みで変化させた場合における、液晶表示装置１１０から出射し、サングラス１２０を透過する光のＬ＊、ａ＊、及びｂ＊をそれぞれ計算した。次に、サングラス１２０が存在しない場合における、液晶表示装置１１０から出射する光のＬ０＊、ａ０＊、及びｂ０＊を計算した。各方位におけるΔＥ＊（＝√（（Ｌ＊‐Ｌ０＊）^２＋（ａ＊‐ａ０＊）^２＋（ｂ＊‐ｂ０＊）^２））を計算し、得られた値の最大値と最小値の差分をΔＥ＊（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）として算出した。

【0271】

ＲｅＰｓ（５５０）＝１３７．５ｎｍであることを前提とし、位相差板Ｐ１及び位相差板Ｐ２が様々な厚みとなる場合について検討した。それらのうち、ΔＥ＊（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）が最小になる場合におけるＲｅＰ１（５５０）及びＲｅＰ２（５５０）、並びに、その場合におけるΔＥ＊（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）を求めた。結果を表５に示す。ΔＥ＊（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）の値が小さいほど、輝度変化および色味変化が小さく、サングラスの方位角依存特性が少なく、したがってサングラスリーダビリティが高いことを示す。

【0272】

〔実施例５〕
（５−１．位相差板Ｐ２）
下記の変更点の他は、実施例１の（１−１）〜（１−５）と同じ操作により、位相差板Ｐ２を得て、そのリニア性指標、ＲｅＰ２（４００）／ＲｅＰ２（７００）及び各波長におけるＲｅ（λ）／Ｒｅ（５５０）の値を得た。結果を表４及び表５に示す。
・（１−１）の液晶組成物の調整において、（１ａ）の液晶化合物として、化合物ＬＣ１に代えて、化合物ＬＣ１と化合物ＬＣ４と混合物を用いた。化合物ＬＣ１と化合物ＬＣ４との重量比は、８０：２０とした。

【0273】

（５−２．シミュレーションによるサングラスリーダビリティの評価）
位相差板Ｐ２として、実施例１の（１−４）で得たものに代えて（５−１）で得たものを用いた場合について、実施例４と同じ方法でシミュレーションを行い、ΔＥ＊（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）を算出した。結果を表５に示す。

【0274】

〔実施例６〕
（６−１．位相差板Ｐ２）
下記の変更点の他は、実施例１の（１−１）〜（１−５）と同じ操作により、位相差板Ｐ２を得て、そのリニア性指標、ＲｅＰ２（４００）／ＲｅＰ２（７００）及び各波長におけるＲｅ（λ）／Ｒｅ（５５０）の値を得た。結果を表４及び表５に示す。
・（１−１）の液晶組成物の調整において、（１ａ）の液晶化合物として、化合物ＬＣ１に代えて、化合物ＬＣ１と化合物ＬＣ４と混合物を用いた。化合物ＬＣ１と化合物ＬＣ４との重量比は、６０：４０とした。

【0275】

（６−２．シミュレーションによるサングラスリーダビリティの評価）
位相差板Ｐ２として、実施例１の（１−４）で得たものに代えて（６−１）で得たものを用いた場合について、実施例４と同じ方法でシミュレーションを行い、ΔＥ＊（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）を算出した。結果を表５に示す。

【0276】

〔比較例５〕
比較例３で得られた結果を元にして、位相差板Ｐ２として、実施例１の（１−４）で得たものに代えて比較例（Ｃ３−１）で得たものを用いた場合について、実施例４と同じ方法でシミュレーションを行い、ΔＥ＊（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）を算出した。結果を表５に示す。

【0277】

【表4】

【0278】

【表5】

【0279】

表５の結果から明らかな通り、Ｒｅ（４００）／Ｒｅ（７００）の値が１.１３を上回り且つ位相差板Ｐ２のリニア性指標が２．９０を下回る実施例４〜実施例６では、サングラスリーダビリティの高い液晶表示装置を構成しうる位相差板を構成できる。

【符号の説明】

【0280】

１０ シミュレーションモデル
１１０ 液晶表示装置
１１０Ｐ１ 位相差板
１１０Ｐ２ 位相差板
１１１ パネル
１２０ サングラス
Ａ１１１ 吸収軸
Ａ１１０Ｐ１ 遅相軸
Ａ１１０Ｐ２ 遅相軸
Ａ１２０ 吸収軸

【図1】