特許 6977911 化合物、液晶組成物及び高周波移相器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6977911

(24)【登録日】2021年11月15日

(45)【発行日】2021年12月8日

(54)【発明の名称】化合物、液晶組成物及び高周波移相器

(51)【国際特許分類】

   C07D 495/04 20060101AFI20211125BHJP

   C09K 19/34 20060101ALI20211125BHJP

   G02F 1/13 20060101ALI20211125BHJP

【ＦＩ】

   C07D495/04 101

   C09K19/34

   G02F1/13 500

   C07D495/04CSP

【請求項の数】8

【全頁数】59

(21)【出願番号】特願2021-528393(P2021-528393)

(86)(22)【出願日】2020年10月8日

(86)【国際出願番号】JP2020038068

(87)【国際公開番号】WO2021079743

(87)【国際公開日】20210429

【審査請求日】2021年5月20日

(31)【優先権主張番号】特願2019-191942(P2019-191942)

(32)【優先日】2019年10月21日

(33)【優先権主張国】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000002886

【氏名又は名称】ＤＩＣ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100177471

【弁理士】

【氏名又は名称】小川 眞治

(74)【代理人】

【識別番号】100163290

【弁理士】

【氏名又は名称】岩本 明洋

(74)【代理人】

【識別番号】100149445

【弁理士】

【氏名又は名称】大野 孝幸

(72)【発明者】

【氏名】堀口 雅弘

(72)【発明者】

【氏名】林 卓央

(72)【発明者】

【氏名】青木 良夫

【審査官】 松澤 優子

(56)【参考文献】

【文献】 韓国公開特許第１０−２０１６−０００１７７３（ＫＲ，Ａ）

【文献】 特開昭６０−１３６５８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−０４３９２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 THE JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A，2014年，Vol.118，pp.2591-2598

【文献】 Heteroatom Chemistry，2013年，Vol.24, No.1，pp.25-35

【文献】 Organic Letters，2015年，Vol.17，pp.4384-4387

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０７Ｄ

ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

下記の一般式（Ｉ）

【化1】

（式中、
Ｒ^１は炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基又は炭素原子数２から８のアルキニル基を表し、
当該アルキル基中の任意の水素原子がハロゲン原子に置換されていても良く、
Ａ^１及びＡ^２は各々独立して下記の式（Ａ−１）、（Ａ−３）、（Ａ−４）、（Ａ−５）、（Ａ−６）及び（Ａ−７）

【化2】

（式中、
破線は結合位置を表し、
Ｌ^１はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又は炭素原子数１から２０の直鎖状アルキル基を表し、
当該アルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されていても良い
Ｌ^１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）
から選ばれる基を表し、
Ｚ^１及びＺ^２は各々独立して、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｚ^３は、−Ｃ≡Ｃ−を表すが、
ｍ１は０、１又は２の整数を表し、
ｍ２は０又は１の整数を表すが、
ｍ１＋ｍ２は０から３の整数を表し、
Ａ^ｘは下記の式（Ａｘ−１）及び式（Ａｘ−２）

【化3】

（式中、
破線は結合位置を表し、
Ｘ^１及びＸ^２は各々独立して水素原子又は炭素原子数１から８のアルキル基を表し、
Ｙ^１、Ｙ^３、Ｙ^４及びＹ^６は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、
Ｙ^２及びＹ^５は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）
から選ばれる基を表す。）
で表され、
ここで上記一般式（Ｉ）中における

【化4】

で表される構造と、

【化5】

で表される構造とが、同一ではない化合物。

【請求項2】

上記一般式（Ｉ）が、下記の一般式（Ｉ−ｉｉ）

【化6】

（式中、
Ｒ^１２は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良い炭素原子数１から１２の直鎖状又は分岐状アルキル基又は炭素原子数２から８のアルキニル基を表し、
Ａ^１２及びＡ^２２は各々独立して下記の式（Ａ−ｉｉ−１）、（Ａ−ｉｉ−３）、（Ａ−ｉｉ−４）、（Ａ−ｉｉ−５）、（Ａ−ｉｉ−６）及び（Ａ−ｉｉ−７）

【化7】

（式中、
破線は結合位置を表し、
Ｌ^１２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）
から選ばれる基を表すが、
Ｌ^１２はフッ素原子又は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良い炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基を表し、
Ｚ^１２及びＺ^２２は各々独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
Ｚ^３２は、−Ｃ≡Ｃ−を表すが、
ｍ１２は０、１又は２の整数を表し、
ｍ２２は０又は１の整数を表すが、
ｍ１２＋ｍ２２は０、１又は２の整数を表し、
Ｘ^１２は水素原子又は炭素原子数１から５のアルキル基を表し、
Ｙ^１２及びＹ^３２は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、
Ｙ^２２はフッ素原子、塩素原子、シアノ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）
で表される、請求項１に記載の化合物。

【請求項3】

上記一般式（Ｉ）が、下記の一般式（Ｉ−ｉｉｉ）

【化8】

（式中、
Ｒ^１３は炭素原子数１から８のアルキル基又は炭素原子数２から８のアルキニル基を表し、
Ａ^１３及びＡ^２３は各々独立して下記の式（Ａ−ｉｉｉ−１）、（Ａ−ｉｉｉ−３）、（Ａ−ｉｉｉ−４）、（Ａ−ｉｉｉ−５）、（Ａ−ｉｉｉ−６）及び（Ａ−ｉｉｉ−７）

【化9】

（式中、
破線は結合位置を表し、
Ｌ^１３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）
から選ばれる基を表し、
Ｌ^１３はフッ素原子又は炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基を表し、
Ｚ^１３及びＺ^２３は各々独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
Ｚ^３３は、−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｍ１３及びｍ２３は各々独立して０又は１の整数を表すが、
ｍ１３＋ｍ２３は０、１又は２の整数を表し、
Ｘ^１３は水素原子、メチル基又はエチル基を表し、
Ｙ^１３及びＹ^３３は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、
Ｙ^２３はフッ素原子、塩素原子及びシアノ基を表す。）
で表される、請求項１又は２に記載の化合物。

【請求項4】

請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物を含有する液晶組成物。

【請求項5】

屈折率異方性が０．１５以上である、請求項４に記載の液晶組成物。

【請求項6】

誘電率異方性が２以上である、請求項４又は５に記載の液晶組成物。

【請求項7】

誘電率異方性が２以下である、請求項４又は５に記載の液晶組成物。

【請求項8】

請求項４〜７のいずれか一項に記載の液晶組成物を使用した高周波移相器、フェーズドアレイアンテナ、画像認識装置、測距装置、液晶表示素子、液晶レンズ又は立体画像表示用複屈折レンズ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は化合物、当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を使用した素子に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶組成物は、スマートフォンやタブレットデバイスなどのモバイル端末、ＴＶやウィンドウディスプレイなどのディスプレイ用途に用いられている。この液晶組成物の新規用途として、車等の移動体と通信衛星間で、電波の送受信を行うアンテナが注目されている。

【0003】

従来、衛星通信は、パラボラアンテナを用いているが、移動体で用いる場合、随時パラボラアンテナを衛星方向へ向けなければならず、大きな可動部が必要であった。しかし液晶組成物を用いたアンテナは、液晶が動作することにより、電波の送受信方向を変える事が出来るため、アンテナ自体を動かす必要が無く、アンテナの形状も平面にすることが出来る。

【0004】

これらの用途に求められる液晶組成物の屈折率異方性Δｎは、例えば０．４程度であり、ディスプレイ用途に求められるΔｎと比較して非常に大きい。そのため、液晶組成物に添加し使用される化合物には、大きなΔｎを有し、液晶組成物への相溶性が高く、素子を作製した場合に電圧保持率が低下しにくいことが求められる。従来、Δｎが大きな化合物として、チエノチオフェン構造を有する化合物が報告されていた。しかしながら、それらの化合物は、アンテナ用途の液晶組成物へ添加した場合に、相溶性が低かったり、素子を作製した場合に、素子の電圧保持率を低下させてしまったりする問題があった（非特許文献１、特許文献１、２）。そのため、大きなΔｎを有し、液晶組成物への相溶性が高く、素子を作製した場合に電圧保持率が低下しにくい化合物の開発が求められていた。

【先行技術文献】

【非特許文献】

【0005】

【非特許文献1】Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ誌、２００９年、２１巻、１３号、２７２７−２７３２頁

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】ＣＮ１０３４７２１１６Ａ号公報

【特許文献2】ＣＮ１０６５１８８９０Ａ号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明が解決しようとする課題は、大きな屈折率異方性Δｎを有し、液晶組成物への相溶性が高く、液晶組成物に添加し素子を作製した場合に、素子の電圧保持率を低下させにくい化合物、当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を使用した素子を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、特定の化合物の開発に至った。すなわち、本発明は下記の一般式（Ｉ）

【0009】

【化1】

【0010】

（式中、Ｒ^１は水素原子、炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、当該アルキル基中の任意の水素原子がハロゲン原子に置換されていても良く、当該アルキル基中の１個又は２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良いが、酸素原子同士が結合することはなく、
Ａ^１及びＡ^２は各々独立して置換されていてもよい炭素原子数３から１６の炭化水素環又は複素環を表すが、Ａ^１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３は各々独立して二価の連結基又は単結合を表すが、Ｚ^１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ１及びｍ２は各々独立して０から３の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は０から３の整数を表し、
Ａ^ｘは下記の式（Ａｘ−１）及び式（Ａｘ−２）

【0011】

【化2】

【0012】

（式中、破線は結合位置を表し、Ｘ^１及びＸ^２は各々独立して水素原子又は炭素原子数１から８のアルキル基を表し、Ｙ^１、Ｙ^３、Ｙ^４及びＹ^６は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ^２及びＹ^５は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表すが、ここで１個の−ＣＨ_２−又は２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−若しくは−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていても良い。）
から選ばれる基を表す。）で表され、ここで上記一般式（Ｉ）中における

【0013】

【化3】

【0014】

で表される構造と、

【0015】

【化4】

【0016】

で表される構造とが、同一ではない化合物を提供し、当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を使用した素子を提供する。

【発明の効果】

【0017】

本発明の化合物は、大きな屈折率異方性Δｎを有し、液晶組成物への相溶性が高く、液晶組成物に添加し素子を作製した場合に、素子の電圧保持率を低下させにくいことから、高周波移相器、フェーズドアレイアンテナ、画像認識装置、測距装置、液晶表示素子、液晶レンズ又は立体画像表示用複屈折レンズ等の素子用の材料として有用である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

本発明は、一般式（Ｉ）で表される化合物、当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を使用した素子を提供する。

【0019】

一般式（Ｉ）において、Ｒ^１は水素原子、炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、当該アルキル基中の任意の水素原子がハロゲン原子に置換されていても良く、当該アルキル基中の１個又は２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良いが、酸素原子同士が結合することはない。液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、Ｒ^１は水素原子、基中の任意の水素原子がハロゲン原子に置換されていても良く、基中の１個又は２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良い炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基を表すことが好ましく、Ｒ^１は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良く、基中の１個又は２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良い炭素原子数１から１２の直鎖状又は分岐状アルキル基を表すことがより好ましく、Ｒ^１は炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数２から８のアルケニル基、炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基又は炭素原子数２から８のアルキニル基を表すことがさらに好ましく、Ｒ^１は炭素原子数２から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数３から７のアルキニル基を表すことが特に好ましい。

【0020】

一般式（Ｉ）において、Ａ^１及びＡ^２は各々独立して置換されていてもよい炭素原子数３から１６の炭化水素環又は複素環を表すが、Ａ^１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、Ａ^１及びＡ^２が各々独立して、無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ^１によって置換されていても良い、
（ａ）１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良い。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
（ｃ）１，４−シクロヘキセニレン基、ビシクロ［２．２．２］オクタン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−１，４−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基、アントラセン−１，４−ジイル基、アントラセン−９，１０−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基（これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、また、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−１，４−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基、アントラセン−１，４−ジイル基、アントラセン−９，１０−ジイル基又はフェナントレン−２，７−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
（ｄ）チオフェン−２，５−ジイル基、ベンゾチオフェン−２，５−ジイル基、ベンゾチオフェン−２，６−ジイル基、ジベンゾチオフェン−３，７−ジイル基、ジベンゾチオフェン−２，６−ジイル基、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）からなる群より選ばれる基を表すことが好ましく、Ａ^１及びＡ^２は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ^１によって置換されていても良い、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、ベンゾチオフェン−２，５−ジイル基、ベンゾチオフェン−２，６−ジイル基、ベンゾチアゾール−２，５−ジイル基、ベンゾチアゾール−２，６−ジイル基、ジベンゾチオフェン−３，７−ジイル基、ジベンゾチオフェン−２，６−ジイル基又はチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル基から選ばれる基を表すことがより好ましく、Ａ^１及びＡ^２は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して下記の式（Ａ−１）から式（Ａ−１４）

【0021】

【化5】

【0022】

（式中、破線は結合位置を表し、Ｌ^１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）から選ばれる基を表すことがさらに好ましく、Ａ^１及びＡ^２は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して式（Ａ−１）から式（Ａ−７）及び式（Ａ−１２）から選ばれる基を表すことがさらにより好ましく、Ａ^１及びＡ^２は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して式（Ａ−１）、式（Ａ−３）から式（Ａ−７）から選ばれる基を表すことが特に好ましい。

【0023】

Ｌ^１はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ペンタフルオロスルファニル基、ニトロ基、シアノ基、イソシアノ基、アミノ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、トリメチルシリル基、ジメチルシリル基、チオイソシアノ基、又は、１個の−ＣＨ_２−又は２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−若しくは−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていても良い炭素原子数１から２０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から２０の分岐状若しくは環状アルキル基を表すが、酸素原子同士が直接結合することはなく、当該アルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されていても良い基を表す。液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、Ｌ^１はフッ素原子、塩素原子又は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良く、基中の１個の−ＣＨ_２−又は２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−若しくは−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていても良い炭素原子数１から２０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から２０の分岐状若しくは環状アルキル基を表すことが好ましく、Ｌ^１はフッ素原子又は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良く、基中の−ＣＨ_２−が−Ｏ−によって置換されていても良い炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から１０の分岐状若しくは環状アルキル基を表すことがより好ましく、Ｌ^１はフッ素原子又は炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から１０の分岐状若しくは環状アルキル基を表すことがさらに好ましく、Ｌ^１はフッ素原子又は炭素原子数１から８の直鎖状アルキル基を表すことが特に好ましい。

【0024】

一般式（Ｉ）において、Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３は各々独立して二価の連結基又は単結合を表すが、Ｚ^１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３は各々独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｃ＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は炭素原子数２から２０のアルキレン基を表し、このアルキレン基中の１個又は２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい基を表すことが好ましく、Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すことがより好ましく、Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すことがさらに好ましく、Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すことがさらにより好ましく、Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すことが特に好ましい。

【0025】

一般式（Ｉ）において、ｍ１及びｍ２は各々独立して０から３の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は０から３の整数を表す。液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、ｍ１及びｍ２は各々独立して０、１又は２を表し、ｍ１＋ｍ２は０から３の整数を表すことが好ましく、ｍ１及びｍ２は各々独立して０、１又は２を表し、ｍ１＋ｍ２は０、１又は２を表すことがより好ましく、ｍ１及びｍ２は各々独立して０又は１を表し、ｍ１＋ｍ２は０、１又は２を表すことがさらに好ましく、ｍ１及びｍ２は各々独立して０又は１を表し、ｍ１＋ｍ２は０又は１を表すことが特に好ましい。

【0026】

一般式（Ｉ）において、Ａ^ｘは下記の式（Ａｘ−１）及び式（Ａｘ−２）

【0027】

【化6】

【0028】

（式中、破線は結合位置を表し、Ｘ^１及びＸ^２は各々独立して水素原子又は炭素原子数１から８のアルキル基を表し、Ｙ^１、Ｙ^３、Ｙ^４及びＹ^６は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ^２及びＹ^５は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表すが、ここで１個の−ＣＨ_２−又は２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−若しくは−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていても良い。）から選ばれる基を表す。
電圧保持率を高くする観点からは、Ｙ^２及びＹ^５が上記の構造であることが好ましい。一方で、Ｙ^２及びＹ^５としてチオイソシアノ基（-NCS）を用いた場合、チエノチオフェン構造との電子共役状態によっては電圧保持率の低下を招くことがある。
液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、Ａ^ｘは下記の式（Ａｘ−１−ｉ）及び式（Ａｘ−２−ｉ）

【0029】

【化7】

【0030】

（式中、破線は結合位置を表し、Ｘ^１１は水素原子又は炭素原子数１から８のアルキル基を表し、Ｙ^１１、Ｙ^３１、Ｙ^４１及びＹ^６１は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ^２１及びＹ^５１は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）から選ばれる基を表すことが好ましく、Ａ^ｘは下記の式（Ａｘ−１−ｉｉ）

【0031】

【化8】

【0032】

（式中、破線は結合位置を表し、Ｘ^１２は水素原子又は炭素原子数１から５のアルキル基を表し、
Ｙ^１２及びＹ^３２は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ^２２はフッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）から選ばれる基を表すことがより好ましく、Ａ^ｘは下記の式（Ａｘ−１−ｉｉｉ）

【0033】

【化9】

【0034】

（式中、破線は結合位置を表し、Ｘ^１３は水素原子、メチル基又はエチル基を表し、
Ｙ^１３及びＹ^３３は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ^２３はフッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）から選ばれる基を表すことがさらに好ましく、Ａ^ｘは下記の式（Ａｘ−１−ｉｖ）

【0035】

【化10】

【0036】

（式中、破線は結合位置を表し、Ｙ^１４及びＹ^３４は各々独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^２４はフッ素原子又はシアノ基を表す。）から選ばれる基を表すことが特に好ましい。

【0037】

一般式（Ｉ）で表される化合物は、式中における

【0038】

【化11】

【0039】

で表される構造と、

【0040】

【化12】

【0041】

で表される構造とが、同一の構造ではないことが好ましい。これは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル基の両端に結合した前記二つの構造が同一である場合、化合物の構造の対称性が高いことから当該化合物の結晶状態がエネルギー的に安定になり、液晶組成物中から結晶の析出が起こりやすくなって保存安定性の低下を引き起こしやすくなるためである。

【0042】

一般式（Ｉ）で表される化合物は、液晶相を示す温度範囲の広さ、誘電率異方性、液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、下記の一般式（Ｉ−ｉ）

【0043】

【化13】

【0044】

（式中、Ｒ^１１は水素原子、基中の任意の水素原子がハロゲン原子に置換されていても良く、基中の１個又は２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良い炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、
Ａ^１１及びＡ^２１は各々独立して１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、ベンゾチオフェン−２，５−ジイル基、ベンゾチオフェン−２，６−ジイル基、ベンゾチアゾール−２，５−ジイル基、ベンゾチアゾール−２，６−ジイル基、ジベンゾチオフェン−３，７−ジイル基、ジベンゾチオフェン−２，６−ジイル基又はチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル基を表すが、Ａ^１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、これらの基は無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ^１１によって置換されていても良く、
Ｌ^１１はフッ素原子、塩素原子又は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良く、基中の１個の−ＣＨ_２−又は２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−若しくは−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていても良い炭素原子数１から２０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から２０の分岐状若しくは環状アルキル基を表すが、Ｌ^１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^１１、Ｚ^２１及びＺ^３１は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ１１及びｍ２１は各々独立して０、１又は２を表すが、ｍ１＋ｍ２は０から３の整数を表し、
Ａ^ｘ１は下記の式（Ａｘ−１−ｉ）及び式（Ａｘ−２−ｉ）

【0045】

【化14】

【0046】

（式中、破線は結合位置を表し、Ｘ^１１は水素原子又は炭素原子数１から８のアルキル基を表し、Ｙ^１１、Ｙ^３１、Ｙ^４１及びＹ^６１は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ^２１及びＹ^５１は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）から選ばれる基を表す。）で表される化合物であることが好ましく、下記の一般式（Ｉ−ｉｉ）

【0047】

【化15】

【0048】

（式中、Ｒ^１２は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良く、基中の１個又は２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良い炭素原子数１から１２の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、
Ａ^１２及びＡ^２２は各々独立して下記の式（Ａ−ｉｉ−１）から式（Ａ−ｉｉ−１４）

【0049】

【化16】

【0050】

（式中、破線は結合位置を表し、Ｌ^１２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）から選ばれる基を表すが、Ａ^１２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^２２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｌ^１２はフッ素原子又は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良く、基中の−ＣＨ_２−が−Ｏ−によって置換されていても良い炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から１０の分岐状若しくは環状アルキル基を表し、
Ｚ^１２、Ｚ^２２及びＺ^３２は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^１２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^２２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ１２及びｍ２２は各々独立して０、１又は２を表し、ｍ１２＋ｍ２２は０、１又は２を表し、
Ｘ^１２は水素原子又は炭素原子数１から５のアルキル基を表し、
Ｙ^１２及びＹ^３２は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ^２２はフッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物であることがより好ましく、下記の一般式（Ｉ−ｉｉｉ）

【0051】

【化17】

【0052】

（式中、Ｒ^１３は炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数２から８のアルケニル基、炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基又は炭素原子数２から８のアルキニル基を表し、
Ａ^１３及びＡ^２３は各々独立して下記の式（Ａ−ｉｉｉ−１）から式（Ａ−ｉｉｉ−７）及び式（Ａ−ｉｉｉ−１２）

【0053】

【化18】

【0054】

（式中、破線は結合位置を表し、Ｌ^１３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）から選ばれる基を表し、
Ｌ^１３はフッ素原子又は炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から１０の分岐状若しくは環状アルキル基を表し、
Ｚ^１３、Ｚ^２３及びＺ^３３は各々独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
ｍ１３及びｍ２３は各々独立して０又は１を表し、ｍ１３＋ｍ２３は０、１又は２を表し、
Ｘ^１３は水素原子、メチル基又はエチル基を表し、
Ｙ^１３及びＹ^３３は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ^２３はフッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）で表される化合物であることがさらに好ましく、下記の一般式（Ｉ−ｉｖ−１）から一般式（Ｉ−ｉｖ−３）

【0055】

【化19】

【0056】

（式中、Ｒ^１４は炭素原子数２から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数３から７のアルキニル基を表し、
Ａ^１４及びＡ^２４は下記の式（Ａ−ｉｖ−１）、式（Ａ−ｉｖ−３）から式（Ａ−ｉｖ−７）

【0057】

【化20】

【0058】

（式中、破線は結合位置を表し、Ｌ^１４が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）から選ばれる基を表し、
Ｌ^１４はフッ素原子又は炭素原子数１から８の直鎖状アルキル基を表し、
Ｚ^１４、Ｚ^２４及びＺ^３４は各々独立して−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
Ｙ^１４及びＹ^３４は各々独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^２４はフッ素原子又はシアノ基を表す。）で表される化合物であることが特に好ましい。

【0059】

一般式（Ｉ）で表される化合物として具体的には、下記の式（Ｉ−１）から式（Ｉ−２９）

【0060】

【化21】

【0061】

【化22】

【0062】

【化23】

【0063】

【化24】

【0064】

【化25】

【0065】

【化26】

【0066】

で表される化合物が挙げられる。

【0067】

本発明の化合物は以下の製法で製造することができる。
（製法１）下記式（ｓ−７）で表される化合物の製造

【0068】

【化27】

【0069】

（式中、Ｒ^１４は炭素原子数２から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数３から７のアルキニル基を表し、Ａ^１４及びＡ^２４は上記の式（Ａ−ｉｖ−１）、式（Ａ−ｉｖ−３）から式（Ａ−ｉｖ−７）から選ばれる基を表し、Ｙ^１４及びＹ^３４は各々独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^２４はフッ素原子又はシアノ基を表す。）
式（ｓ−１）で表される化合物を例えばＮ−ブロモスクシンイミドと反応させることにより式（ｓ−２）で表される化合物を得ることができる。

【0070】

式（ｓ−２）で表される化合物を例えばＮ−ヨードスクシンイミドと反応させることにより式（ｓ−３）で表される化合物を得ることができる。

【0071】

式（ｓ−３）で表される化合物を一般式（ｓ−４）で表される化合物と反応させることにより一般式（ｓ−５）で表される化合物を得ることができる。反応方法としては例えば金属触媒及び塩基存在下、クロスカップリングさせる方法が挙げられる。金属触媒の具体例としては［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、酢酸パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ］パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）等が挙げられる。金属触媒として酢酸パラジウム（ＩＩ）を使用する場合、トリフェニルホスフィン、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル等の配位子を添加してもよい。塩基の具体例としては炭酸カリウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム等が挙げられる。

【0072】

一般式（ｓ−５）で表される化合物を一般式（ｓ−６）で表される化合物と反応させることにより一般式（ｓ−７）で表される化合物を得ることができる。反応方法としては例えばパラジウム触媒、銅触媒及び塩基を用いた薗頭カップリング反応が挙げられる。パラジウム触媒の具体例としては上記のものが挙げられる。銅触媒の具体例としてはヨウ化銅（Ｉ）が挙げられる。塩基の具体例としてはトリエチルアミン等が挙げられる。
（製法２）下記式（ｓ−１４）で表される化合物の製造

【0073】

【化28】

【0074】

（式中、Ａｌｋｙｌはアルキル基を表し、Ｙ^１４及びＹ^３４は各々独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^２４はフッ素原子又はシアノ基を表す。）
式（ｓ−８）で表される化合物をルイス酸存在下、式（ｓ−９）で表される化合物と反応させることにより式（ｓ−１０）で表される化合物を得ることができる。ルイス酸の具体例としては塩化アルミニウム（ＩＩＩ）等が挙げられる。

【0075】

式（ｓ−１０）で表される化合物のカルボニル基を還元することにより式（ｓ−１１）で表される化合物を得ることができる。反応方法としては例えば塩化アルミニウム（ＩＩＩ）及び水素化リチウムアルミニウムを用いる方法が挙げられる。

【0076】

式（ｓ−１１）で表される化合物を例えばＮ−ブロモスクシンイミドと反応させることにより式（ｓ−１２）で表される化合物を得ることができる。

【0077】

式（ｓ−１２）で表される化合物を一般式（ｓ−１３）で表される化合物と反応させることにより一般式（ｓ−１４）で表される化合物を得ることができる。反応方法としては例えばパラジウム触媒、銅触媒及び塩基を用いた薗頭カップリング反応が挙げられる。パラジウム触媒、銅触媒及び塩基の具体例としては上記のものが挙げられる。

【0078】

各工程において記載した以外の反応条件として、例えば実験化学講座（日本化学会編、丸善株式会社発行）、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ（Ａ Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．，Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ）、Ｂｅｉｌｓｔｅｉｎ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ（Ｂｅｉｌｓｔｅｉｎ−Ｉｎｓｔｉｔｕｔ ｆｕｅｒ Ｌｉｔｅｒａｔｕｒ ｄｅｒ Ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ Ｂｅｒｌｉｎ ａｎｄ Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．Ｋ）、Ｆｉｅｓｅｒｓ’ Ｒｅａｇｅｎｔｓ ｆｏｒ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．）等の文献に記載のもの又はＳｃｉＦｉｎｄｅｒ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ Ｓｅｒｖｉｃｅ，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ）、Ｒｅａｘｙｓ（Ｅｌｓｅｖｉｅｒ Ｌｔｄ．）等のデータベースに収載のものが挙げられる。

【0079】

各工程において必要に応じて官能基を保護することができる。保護基としては、例えば、ＧＲＥＥＮＥ’Ｓ ＰＲＯＴＥＣＴＩＶＥ ＧＲＯＵＰＳ ＩＮ ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ（（Ｆｏｕｒｔｈ Ｅｄｉｔｉｏｎ）、ＰＥＴＥＲ Ｇ．Ｍ．ＷＵＴＳ、ＴＨＥＯＤＯＲＡ Ｗ．ＧＲＥＥＮＥ共著、Ａ Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．，Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ）等に記載の保護基が挙げられる。

【0080】

また、各工程において必要に応じて精製を行うことができる。精製方法としてはクロマトグラフィー、再結晶、蒸留、昇華、再沈殿、吸着、分液処理等が挙げられる。精製剤の具体例としてはシリカゲル、アルミナ、活性炭等が挙げられる。

【0081】

一般式（Ｉ）で表される化合物は、液晶組成物へ添加し使用されることが好ましい。液晶組成物が一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する場合、一般式（Ｉ）で表される１つの化合物を含有しても良く、一般式（Ｉ）で表される複数の化合物を含有しても良い。本発明の液晶組成物が一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物における一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量の合計が、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であり９５質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以上であり９０質量％以下であることがさらに好ましく、２０質量％以上であり８５質量％以下であることが特に好ましい。ここで、「一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量の合計」とは、液晶組成物が一般式（Ｉ）で表される１つの化合物を含有する場合、一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量を意味し、液晶組成物が一般式（Ｉ）で表される複数の化合物を含有する場合、一般式（Ｉ）で表される複数の化合物の含有量の合計を意味する。

【0082】

一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、屈折率異方性（Δｎ）が０．１５以上であり１．００以下であることが好ましい。液晶組成物の液晶相温度範囲、駆動電圧、回転粘度及び弾性率の観点から、屈折率異方性（Δｎ）は０．２０以上であり０．９５以下であることが好ましく、０．２５以上であり０．９０以下であることがより好ましく、０．３０以上であり０．８５以下であることがさらに好ましく、０．３５以上であり０．８０以下であることが特に好ましい。

【0083】

一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物を、高周波移相器、フェーズドアレイアンテナ、画像認識装置、測距装置、液晶表示素子、液晶レンズ又は立体画像表示用複屈折レンズに使用する場合、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、誘電率異方性（Δε）が２以上であり６０以下であることが好ましい。液晶組成物の液晶相温度範囲、保存安定性、耐候性、駆動電圧、回転粘度及び弾性率の観点から、誘電率異方性（Δε）は２．５以上であり５０以下であることが好ましく、３以上であり４０以下であることがより好ましく、３．５以上であり３０以下であることが特に好ましい。

【0084】

一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、高周波数素子に使用することが好ましい。周波数範囲としては、１ＭＨｚ以上であり１ＴＨｚ以下であることが好ましく、１ＧＨｚ以上であり５００ＧＨｚ以下であることがより好ましく、２ＧＨｚ以上であり３００ＧＨｚ以下であることがさらに好ましく、５ＧＨｚ以上であり１５０ＧＨｚ以下であることが特に好ましい。

【0085】

一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、下記の一般式（ＩＶ）

【0086】

【化29】

【0087】

（式中、Ｒ^２は炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数２から８のアルケニル基又は炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ^３は下記の式（Ａ６−１）から式（Ａ６−８）

【0088】

【化30】

【0089】

（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ^３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^４は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＯＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯＯ−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｏ−、−Ｏ−ＮＨ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｓ−、−ＳＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^４が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３は１から４の整数を表し、
Ａ^ｙは下記の式（Ａｙ−１）及び式（Ａｙ−２）

【0090】

【化31】

【0091】

（式中、破線は結合位置を表し、Ｙ^７、Ｙ^９、Ｙ^１０及びＹ^１２は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ^８及びＹ^１１は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、チオイソシアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換された炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換された炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換された炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換された炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表すが、ここで１個の−ＣＨ_２−又は２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−若しくは−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていても良い。）から選ばれる基を表す。）で表される化合物を含有することが好ましい。液晶組成物の液晶相温度範囲、屈折率異方性、誘電率異方性、回転粘度及び弾性率の観点から、一般式（ＶＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＶＩ−ｉ）

【0092】

【化32】

【0093】

（式中、Ｒ^２１は炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から４のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ^３１は上記の式（Ａ６−１）から式（Ａ６−６）から選ばれる基を表すが、Ａ^３１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^４１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^４１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３１は１から３の整数を表し、
Ａ^ｙ１は下記の式（Ａｙ−１−ｉ）及び式（Ａｙ−２−ｉ）

【0094】

【化33】

【0095】

（式中、破線は結合位置を表し、Ｙ^７１、Ｙ^９１、Ｙ^１０１及びＹ^１２１は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ^８１及びＹ^１１１は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、チオイソシアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）から選ばれる基を表す。）で表される化合物であることが好ましく、一般式（ＶＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＶＩ−ｉｉ）

【0096】

【化34】

【0097】

（式中、Ｒ^２２は炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から４のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ^３２は上記の式（Ａ６−１）から式（Ａ６−５）から選ばれる基を表すが、Ａ^３２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^４２は−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^４２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３２は１、２又は３を表し、
Ｙ^７２及びＹ^９２は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ^８２はフッ素原子、塩素原子、シアノ基、チオイソシアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物であることがより好ましく、一般式（ＶＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＶＩ−ｉｉｉ）

【0098】

【化35】

【0099】

（式中、Ｒ^２３は炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基又は炭素原子数２から５のアルケニル基を表し、
Ａ^３３は上記の式（Ａ６−１）から式（Ａ６−５）から選ばれる基を表すが、Ａ^３３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^４３は−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^４３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３３は１、２又は３を表し、
Ｙ^７３及びＹ^９３は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ^８３はフッ素原子、塩素原子、シアノ基又はチオイソシアノ基を表す。）で表される化合物であることがさらに好ましく、一般式（ＶＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＶＩ−ｉｖ−１）から一般式（ＶＩ−ｉｖ−２１）

【0100】

【化36】

【0101】

【化37】

【0102】

【化38】

【0103】

【化39】

【0104】

【化40】

【0105】

【化41】

【0106】

（式中、Ｒ^６１４は炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基又は炭素原子数２から５のアルケニル基を表す。）で表される化合物であることが特に好ましい。

【0107】

一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、下記の一般式（ＩＩＩ）

【0108】

【化42】

【0109】

（式中、Ｒ^３１及びＲ^３２は各々独立して炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数２から８のアルケニル基又は炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ^３１及びＡ^３２は各々独立して下記の式（Ａ３−１）から式（Ａ３−８）

【0110】

【化43】

【0111】

（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ^３２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３１は１から４の整数を表す。）で表される化合物を含有してもよい。液晶組成物の液晶相温度範囲、屈折率異方性、誘電率異方性、回転粘度及び弾性率の観点から、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＩＩ−ｉ）

【0112】

【化44】

【0113】

（式中、Ｒ^３１１及びＲ^３２１は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から４のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ^３１１及びＡ^３２１は各々独立して下記の式（Ａ３１−１）から式（Ａ３１−６）

【0114】

【化45】

【0115】

（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ^３２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３１１は１から３の整数を表す。）で表される化合物であることが好ましく、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＩＩ−ｉｉ）

【0116】

【化46】

【0117】

（式中、Ｒ^３１２及びＲ^３２２は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から４のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ^３１２及びＡ^３２２は各々独立して下記の式（Ａ３２−１）から式（Ａ３２−４）

【0118】

【化47】

【0119】

（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ^３２２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３１２は１又は２を表す。）で表される化合物であることがより好ましく、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＩＩ−ｉｉｉ）

【0120】

（式中、Ｒ^３１３及びＲ^３２３は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基又は炭素原子数２から５のアルケニル基を表し、
Ａ^３１３及びＡ^３２３は各々独立して下記の式（Ａ３３−１）及び式（Ａ３３−２）

【0121】

【化48】

【0122】

（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ^３２３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３１３は１又は２を表す。）で表される化合物であることがさらに好ましく、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＩＩ−ｉｖ−１）から一般式（ＩＩＩ−ｉｖ−１０）

【0123】

【化49】

【0124】

【化50】

【0125】

（式中、Ｒ^３１４及びＲ^３２４は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基又は炭素原子数２から５のアルケニル基を表す。）で表される化合物であることが特に好ましい。

【0126】

また、一般式（Ｉ）で表される化合物は、誘電率異方性（Δε）が中性又は負である液晶組成物へ添加して使用しても良い。その場合、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、誘電率異方性（Δε）が−２０以上であり２以下であることが好ましい。液晶組成物の液晶相温度範囲、保存安定性、耐候性、駆動電圧、回転粘度及び弾性率の観点から、誘電率異方性（Δε）は−１５以上であり１．５以下であることが好ましく、−１０以上であり１以下であることがより好ましく、−５以上であり０．５以下であることが特に好ましい。

【0127】

一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物の誘電率異方性（Δε）が中性又は負である場合、液晶組成物は下記の一般式（ＩＶ）

【0128】

【化51】

【0129】

（式中、Ｒ^４１及びＲ^４２は各々独立して炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数２から８のアルケニル基又は炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ^４１及びＡ^４２は各々独立して下記の式（Ａ４−１）から式（Ａ４−１１）

【0130】

【化52】

【0131】

（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ^４１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^４２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^４１及びＺ^４２は各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＯＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯＯ−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｏ−、−Ｏ−ＮＨ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｓ−、−ＳＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^４１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^４２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ４１及びｍ４２は各々独立して０から３の整数を表すが、ｍ４１＋ｍ４２は１から３の整数を表す。）で表される化合物を含有しても良い。液晶組成物の液晶相温度範囲、屈折率異方性、誘電率異方性、回転粘度及び弾性率の観点から、一般式（ＩＶ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＶ−ｉ）

【0132】

【化53】

【0133】

（式中、Ｒ^４１１及びＲ^４２１は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から４のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ^４１１及びＡ^４２１は各々独立して上記の式（Ａ４−１）から式（Ａ４−９）から選ばれる基を表すが、Ａ^４１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^４２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^４１１及びＺ^４２１は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^４１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^４２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ４１１及びｍ４２１は各々独立して０から３の整数を表すが、ｍ４１１＋ｍ４２１は１から３の整数を表す。）で表される化合物であることが好ましく、一般式（ＩＶ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＶ−ｉｉ）

【0134】

【化54】

【0135】

（式中、Ｒ^４１２及びＲ^４２２は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から４のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ^４１２及びＡ^４２２は各々独立して上記の式（Ａ４−１）から式（Ａ４−７）から選ばれる基を表すが、Ａ^４１２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^４２２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^４１２及びＺ^４２２は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は単結合を表すが、Ｚ^４１２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^４２２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ４１２及びｍ４２２は各々独立して０、１又は２を表すが、ｍ４１２＋ｍ４２２は１又は２を表す。）で表される化合物であることがより好ましく、一般式（ＩＶ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＶ−ｉｉｉ）

【0136】

【化55】

【0137】

（式中、Ｒ^４１３及びＲ^４２３は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基又は炭素原子数２から５のアルケニル基を表し、
Ａ^４１３及びＡ^４２３は各々独立して上記の式（Ａ４−１）から式（Ａ４−５）から選ばれる基を表すが、Ａ^４１３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^４２３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^４１３及びＺ^４２３は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合を表すが、Ｚ^４１３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^４２３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ４１３及びｍ４２３は各々独立して０、１又は２を表すが、ｍ４１３＋ｍ４２３は１又は２を表す。）で表される化合物であることがさらに好ましく、一般式（ＩＶ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＶ−ｉｖ−１）から一般式（ＩＶ−ｉｖ−８）

【0138】

【化56】

【0139】

【化57】

【0140】

（式中、Ｒ^４１４及びＲ^４２４は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基又は炭素原子数２から５のアルケニル基を表す。）で表される化合物であることが特に好ましい。

【0141】

一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、その保存安定性を向上させるために、安定剤を添加することもできる。使用できる安定剤としては、例えば、ヒドロキノン類、ヒドロキノンモノアルキルエーテル類、第三ブチルカテコール類、ピロガロール類、チオフェノール類、ニトロ化合物類、β−ナフチルアミン類、β−ナフトール類、ニトロソ化合物等が挙げられる。安定剤を使用する場合の添加量は、組成物に対して０．００５質量％から１質量％の範囲が好ましく、０．０２質量％から０．８質量％がより好ましく、０．０３質量％から０．５質量％がさらに好ましい。また、１種類の安定剤を用いても良く、２種類以上の安定剤を併用して用いても良い。安定剤としては下記の一般式（Ｘ１）

【0142】

【化58】

【0143】

（式中、Ｓｐ^ｘ１は１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合を表し、Ａ^ｘ１は下記の式（Ａｘ１−１）から式（Ａｘ１−８）

【0144】

【化59】

【0145】

（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ^ｘ１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^ｘ１は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＯＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯＯ−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｏ−、−Ｏ−ＮＨ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｓ−、−ＳＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^ｘ１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍｘ１は０又は１を表し、
ｍｘ２は０から４の整数を表す。）で表される化合物が挙げられる。電圧保持率、液晶組成物への相溶性の観点から、一般式（Ｘ１）で表される化合物は下記の一般式（Ｘ１−ｉ）

【0146】

【化60】

【0147】

（式中、Ｓｐ^ｘ１１は１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合を表し、Ａ^ｘ１１は下記の式（Ａｘ１１−１）及び式（Ａｘ１１−２）

【0148】

【化61】

【0149】

（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ^ｘ１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ^ｘ１１は−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−又は単結合を表すが、Ｚ^ｘ１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍｘ１１は０又は１を表し、
ｍｘ２１は０又は１を表す。）で表される化合物であることが好ましく、一般式（Ｘ１）で表される化合物は下記の一般式（Ｘ１−ｉｉ−１）から一般式（Ｘ１−ｉｉ−４）

【0150】

【化62】

【0151】

（式中、Ｓｐ^ｘ１２は炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合を表す。）で表される化合物であることが特に好ましい。

【0152】

また、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、下記の一般式（Ｘ２）

【0153】

【化63】

【0154】

（式中、Ｒ^ｘ２１、Ｒ^ｘ２２、Ｒ^ｘ２３及びＲ^ｘ２４は各々独立して水素原子、酸素原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１から２０のアルキル基又は炭素原子数１から２０のアルコキシ基を表し、
Ｓｐ^ｘ２１、Ｓｐ^ｘ２２、Ｓｐ^ｘ２３及びＳｐ^ｘ２２は各々独立してスペーサー基又は単結合を表し、
ｍｘ２１は０又は１を表し、
ｍｘ２２は０又は１を表し、
ｍｘ２３は０又は１を表す。）で表される化合物が挙げられる。電圧保持率、液晶組成物への相溶性の観点から、一般式（Ｘ２）で表される化合物は下記の一般式（Ｘ２−ｉ）

【0155】

【化64】

【0156】

（式中、Ｒ^ｘ２１１、Ｒ^ｘ２２１、Ｒ^ｘ２３１及びＲ^ｘ２４１は各々独立して水素原子、酸素原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数１から１０のアルコキシ基を表し、
Ｓｐ^ｘ２１１、Ｓｐ^ｘ２２１、Ｓｐ^ｘ２３１及びＳｐ^ｘ２２１は各々独立して、基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されても良く、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良い炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキレン基又は単結合を表し、
ｍｘ２１１は０又は１を表し、
ｍｘ２２１は０又は１を表し、
ｍｘ２３１は０又は１を表す。）で表される化合物であることが好ましく、一般式（Ｘ２）で表される化合物は下記の一般式（Ｘ２−ｉｉ）

【0157】

【化65】

【0158】

（式中、Ｒ^ｘ２１２及びＲ^ｘ２２２は各々独立して水素原子、炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数１から１０のアルコキシ基を表し、
Ｓｐ^ｘ２１２及びＳｐ^ｘ２２２は各々独立して、１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−に置き換えられても良い炭素原子数１から１０の直鎖状アルキレン基又は単結合を表し、
ｍｘ２１２は０又は１を表す。）で表される化合物であることがより好ましく、一般式（Ｘ２）で表される化合物は下記の一般式（Ｘ２−ｉｉｉ）

【0159】

【化66】

【0160】

（式中、Ｒ^ｘ２１３及びＲ^ｘ２２３は各々独立して水素原子、炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数１から１０のアルコキシ基を表し、
Ｓｐ^ｘ２１３は１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−に置き換えられても良い炭素原子数１から１０の直鎖状アルキレン基を表す。）で表される化合物であることが特に好ましい。

【0161】

本願発明において、１，４−シクロヘキシレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基に含まれる環構造は、各々トランス体及びシス体のいずれであっても良いが、液晶性の観点から、各々トランス体の含有率がシス体の含有率よりも多いことが好ましく、環構造におけるトランス体の含有率が８０％以上であることがより好ましく、環構造におけるトランス体の含有率が９０％以上であることがさらに好ましく、環構造におけるトランス体の含有率が９５％以上であることがさらにより好ましく、環構造におけるトランス体の含有率が９８％以上であることが特に好ましい。また、本願発明において下記の表記（ＣＹ−１）

【0162】

【化67】

【0163】

（式中、破線は結合位置を表す。）は１，４−シクロヘキシレン基のトランス体及び／又はシス体を意味する。

【0164】

また、本願発明において、各元素は同じ元素の同位体に置き換えられていても良い。

【実施例】

【0165】

以下、実施例を挙げて本発明を更に記述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。各工程において酸素及び／又は水分に不安定な物質を取り扱う際は、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス中で作業を行うことが好ましい。各化合物の純度はＵＰＬＣ（Ｗａｔｅｒｓ ＡＣＱＵＩＴＹ ＵＰＬＣ、ＢＥＨ Ｃ_１８（１００×２．１ｍｍ×１．７μｍ）、アセトニトリル／水又は０．１％ギ酸含有アセトニトリル／水、ＰＤＡ、カラム温度４０℃）、ＧＰＣ（島津製作所 ＨＰＬＣ Ｐｒｏｍｉｎｅｎｃｅ、Ｓｈｏｄｅｘ ＫＦ−８０１（３００ｍｍ×８ｍｍ×６μｍ）＋ＫＦ−８０２（３００ｍｍ×８ｍｍ×６μｍ）、テトラヒドロフラン、ＲＩ、ＵＶ（２５４ｎｍ）、カラム温度４０℃）、ＧＣ（Ａｇｉｌｅｎｔ ６８９０Ａ、Ｊ＆Ｗ ＤＢ−１、３０ｍ×０．２５ｍｍ×０．２５μｍ、キャリアガス Ｈｅ、ＦＩＤ、１００℃（１分）→昇温１０℃／分→３００℃（１２分））又は^１Ｈ ＮＭＲ（ＪＥＯＬ、４００ＭＨｚ）によって決定した。
（実施例１）式（Ｉ−１）で表される化合物の製造

【0166】

【化68】

【0167】

窒素雰囲気下、反応容器に塩化アルミニウム（ＩＩＩ）１２．６ｇ、ジクロロメタン３８ｍＬを加えた。氷冷しながらブチリルクロリド１０．０ｇをジクロロメタン１０ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、室温で２時間撹拌した。氷冷しながら式（Ｉ−１−１）で表される化合物１２．０ｇをジクロロメタン４８ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、室温で２時間撹拌した。反応液を氷水に注ぎ、分液処理した。有機層を食塩水で洗浄し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１−２）で表される化合物１０．０ｇを得た。

【0168】

窒素雰囲気下、反応容器に水素化リチウムアルミニウム７．２ｇ、テトラヒドロフラン５８ｍＬを加えた。氷冷しながら、塩化アルミニウム（ＩＩＩ）１２．７ｇを少量ずつ加えた。氷冷しながら、式（Ｉ−１−２）で表される化合物１０．０ｇをテトラヒドロフラン３０ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、室温で５時間撹拌した。氷冷しながら、１０％塩酸を滴下し、析出物を濾過により除去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１−３）で表される化合物７．０ｇを得た。

【0169】

反応容器に式（Ｉ−１−３）で表される化合物７．０ｇ、ジクロロメタン７０ｍＬを加えた。氷冷しながら、Ｎ−ブロモスクシンイミド７．６ｇを少量ずつ加え、室温で５時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、分液処理した。有機層を食塩水で洗浄し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１−４）で表される化合物１０．０ｇを得た。

【0170】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１−４）で表される化合物９．９ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．３ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．３ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７９ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５８ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−１−５）で表される化合物５．９ｇを滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（アセトン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１）で表される化合物２．８ｇを得た。
相転移温度：Ｃ ６８ Ｉ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＨＬＯＲＯＦＯＲＭ−Ｄ）δ ７．３４−７．２９（ｍ，２Ｈ），７．２６−７．２２（ｍ，１Ｈ），７．１２（ｔｄ，Ｊ＝９．４，７．８Ｈｚ，１Ｈ），６．９０（ｄ，Ｊ＝０．９Ｈｚ，１Ｈ），２．９０−２．８７（ｍ，２Ｈ），１．７４−１．６６（ｍ，２Ｈ），１．４２（ｔｄ，Ｊ＝１４．９，７．３Ｈｚ，２Ｈ），０．９４（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３３２
（実施例２）式（Ｉ−２）で表される化合物の製造

【0171】

【化69】

【0172】

反応容器に式（Ｉ−２−１）で表される化合物７．０ｇ、ジクロロメタン７０ｍＬを加えた。氷冷しながら、Ｎ−ブロモスクシンイミド９．３ｇを少量ずつ加え、室温で５時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、分液処理した。有機層を食塩水で洗浄し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−２−２）で表される化合物８．８ｇを得た。

【0173】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−２−２）で表される化合物８．８ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．３ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．３ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４１ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、１−ヘキシン４．０ｇを滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）及び活性炭処理により精製を行うことによって、式（Ｉ−２−３）で表される化合物７．０ｇを得た。

【0174】

反応容器に式（Ｉ−２−３）で表される化合物７．０ｇ、ジクロロメタン７０ｍＬを加えた。氷冷しながら、Ｎ−ブロモスクシンイミド６．９ｇを少量ずつ加え、室温で５時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、分液処理した。有機層を食塩水で洗浄し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−２−４）で表される化合物７．７ｇを得た。

【0175】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−２−４）で表される化合物７．７ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．２ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．２ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４１ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−２−５）で表される化合物４．０ｇを滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（アセトン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−２）で表される化合物５．５ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３５６
（実施例３）式（Ｉ−３）で表される化合物の製造

【0176】

【化70】

【0177】

実施例１においてブチリルクロリドをバレリルクロリドに、式（Ｉ−１−５）で表される化合物を式（Ｉ−３−５）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−３）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３６４
（実施例４）式（Ｉ−４）で表される化合物の製造

【0178】

【化71】

【0179】

実施例２において１−ヘキシンを１−ヘプチンに、式（Ｉ−２−５）で表される化合物を式（Ｉ−４−５）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−４）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３８８
（実施例５）式（Ｉ−５）で表される化合物の製造

【0180】

【化72】

【0181】

実施例１において式（Ｉ−１−５）で表される化合物を式（Ｉ−５−２）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−５）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４００
（実施例６）式（Ｉ−６）で表される化合物の製造

【0182】

【化73】

【0183】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−６−１）で表される化合物７．０ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．２ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．２ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４１ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−６−２）で表される化合物３．７ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１１ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（アセトン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−６−３）で表される化合物５．９ｇを得た。

【0184】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−６−３）で表される化合物５．９ｇ、テトラヒドロフラン５９ｍＬを加えた。−５０℃でブチルリチウム／ヘキサン溶液（１．６１ｍｏｌ／Ｌ）１３ｍＬを滴下し、−５０℃で１時間撹拌した。炭酸ガスを発熱が起こらなくなるまで反応液に導入した。室温に昇温し、反応液を５％塩酸に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／酢酸エチル）及び再結晶（酢酸エチル／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−６−４）で表される化合物５．３ｇを得た。

【0185】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−６−４）で表される化合物５．３ｇ、１，２−ジクロロエタン５３ｍＬ、ピリジン０．５ｍＬを加えた。室温で塩化チオニル２．４ｇを滴下し、６時間加熱還流させた。ジクロロエタン及び過剰の塩化チオニルを減圧留去した。１，２−ジクロロエタン５３ｍＬを加えた。氷冷しながら、アンモニアガスを発熱が起こらなくなるまで反応液に導入した。室温に昇温し、反応液を５％塩酸に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、溶媒を減圧留去した。Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５３ｍＬを加えた。氷冷しながら、オキシ塩化リン２．５ｇを滴下し、室温で１時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）及び再結晶（ジクロロメタン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−６）で表される化合物３．５ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３７１
（実施例７）式（Ｉ−７）で表される化合物の製造

【0186】

【化74】

【0187】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−７−１）で表される化合物７．０ｇ、ピリジン３．２ｇ、ジクロロメタン７０ｍＬを加えた。氷冷しながら、トリフルオロメタンスルホン酸無水物１０．５ｇを滴下し、室温で４時間撹拌した。反応液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、分液処理した。有機層を５％塩酸、水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−７−２）で表される化合物９．２ｇを得た。

【0188】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−７−２）で表される化合物９．２ｇ、酢酸カリウム８．０ｇ、ビス（ピナコラト）ジボロン８．３ｇ、ジメチルスルホキシド７４ｍＬ、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物０．４ｇを加え、８０℃で６時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（アルミナ、ジクロロメタン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−７−３）で表される化合物６．９ｇを得た。

【0189】

反応容器に式（Ｉ−７−４）で表される化合物７．０ｇ、ジクロロメタン７０ｍＬを加えた。氷冷しながら、Ｎ−ヨードスクシンイミド７．９ｇを少量ずつ加え、室温で５時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、分液処理した。有機層を食塩水で洗浄し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−７−５）で表される化合物８．８ｇを得た。

【0190】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−７−５）で表される化合物８．８ｇ、炭酸カリウム５．３ｇ、式（Ｉ−７−３）で表される化合物８．１ｇ、トルエン４５ｍＬ、エタノール２７ｍＬ、水２７ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．４ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）及び再結晶（ジクロロメタン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−７−６）で表される化合物７．３ｇを得た。

【0191】

窒素雰囲気下、反応容器に水素化リチウムアルミニウム５．４ｇ、テトラヒドロフラン５４ｍＬを加えた。氷冷しながら、塩化アルミニウム（ＩＩＩ）４．８ｇを少量ずつ加えた。氷冷しながら、式（Ｉ−７−６）で表される化合物７．３ｇをテトラヒドロフラン１５ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、室温で５時間撹拌した。氷冷しながら、１０％塩酸を滴下し、析出物を濾過により除去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）及び再結晶（ジクロロメタン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−７−７）で表される化合物４．９ｇを得た。

【0192】

実施例１において式（Ｉ−１−４）で表される化合物を式（Ｉ−７−７）で表される化合物に、式（Ｉ−１−５）で表される化合物を式（Ｉ−７−８）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−７）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４６８
（実施例８）式（Ｉ−８）で表される化合物の製造

【0193】

【化75】

【0194】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−８−１）で表される化合物７．０ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．２ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．２ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４１ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−８−２）で表される化合物４．０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド８ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（アセトン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−８−３）で表される化合物５．６ｇを得た。

【0195】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−８−３）で表される化合物５．６ｇ、酢酸カリウム２．８ｇ、ビス（ピナコラト）ジボロン４．０ｇ、ジメチルスルホキシド５６ｍＬ、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物０．１ｇを加え、８０℃で６時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（アルミナ、ジクロロメタン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−８−４）で表される化合物５．０ｇを得た。

【0196】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−８−４）で表される化合物５．０ｇ、炭酸カリウム２．４ｇ、式（Ｉ−８−５）で表される化合物２．７ｇ、トルエン４０ｍＬ、エタノール２０ｍＬ、水２０ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．２ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）及び再結晶（ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−８）で表される化合物３．８ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４７６
（実施例９）式（Ｉ−９）で表される化合物の製造

【0197】

【化76】

【0198】

実施例１において式（Ｉ−１−４）で表される化合物を式（Ｉ−９−１）で表される化合物に、式（Ｉ−１−５）で表される化合物を式（Ｉ−９−２）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−９）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４７２
（実施例１０）式（Ｉ−１０）で表される化合物の製造

【0199】

【化77】

【0200】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１０−１）で表される化合物７．０ｇ、炭酸カリウム４．２ｇ、式（Ｉ−１０−２）で表される化合物４．１ｇ、トルエン５６ｍＬ、エタノール２８ｍＬ、水２８ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．４ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）及び再結晶（ジクロロメタン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１０−３）で表される化合物５．０ｇを得た。

【0201】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１０−３）で表される化合物５．０ｇ、炭酸カリウム２．９ｇ、式（Ｉ−１０−４）で表される化合物２．７ｇ、トルエン４０ｍＬ、エタノール２０ｍＬ、水２０ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．３ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１０）で表される化合物４．０ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４０６
（実施例１１）式（Ｉ−１１）で表される化合物の製造

【0202】

【化78】

【0203】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１１−１）で表される化合物７．０ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．２ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．２ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４０ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−１１−２）で表される化合物３．４ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（アセトン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１１−３）で表される化合物５．６ｇを得た。

【0204】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１１−３）で表される化合物５．６ｇ、テトラヒドロフラン５６ｍＬを加えた。−６０℃でｓｅｃ−ブチルリチウム／シクロヘキサン、ヘキサン溶液（１．０ｍｏｌ／Ｌ）２０ｍＬを滴下し、−６０℃で１時間撹拌した。−６０℃でほう酸トリイソプロピル４．０ｇを滴下し、０℃まで昇温した。氷冷しながら、１０％塩酸２０ｍＬを滴下し、室温で１時間撹拌した。水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（アルミナ、酢酸エチル）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１１−４）で表される化合物５．１ｇを得た。

【0205】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１１−４）で表される化合物５．１ｇ、式（Ｉ−１１−５）で表される化合物２．７ｇ、炭酸カリウム３．０ｇ、ジクロロビス［ジ−ｔ−ブチル（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ］パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、トルエン４０ｍＬ、エタノール２０ｍＬ、水２０ｍＬを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１１−６）で表される化合物４．９ｇを得た。

【0206】

実施例６において式（Ｉ−６−３）で表される化合物を式（Ｉ−１１−６）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１１）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４５１
（実施例１２）式（Ｉ−１２）で表される化合物の製造

【0207】

【化79】

【0208】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１２−１）で表される化合物７．０ｇ、酢酸カリウム８．６ｇ、ビス（ピナコラト）ジボロン８．２ｇ、ジメチルスルホキシド７０ｍＬ、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物０．４ｇを加え、８０℃で６時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（アルミナ、ジクロロメタン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１２−２）で表される化合物６．７ｇを得た。

【0209】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１２−２）で表される化合物６．７ｇ、炭酸カリウム４．９ｇ、式（Ｉ−１２−３）で表される化合物６．６ｇ、トルエン５４ｍＬ、エタノール２７ｍＬ、水２７ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．２ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１２−４）で表される化合物５．９ｇを得た。

【0210】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１２−５）で表される化合物７．０ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．２ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．２ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４１ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、トリメチルシリルアセチレン３．１ｇを滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び活性炭処理により精製を行うことによって、式（Ｉ−１２−６）で表される化合物５．９ｇを得た。

【0211】

反応容器に式（Ｉ−１２−６）で表される化合物５．９ｇ、メタノール１１８ｍＬ、炭酸カリウム５．４ｇを加え、室温で８時間撹拌した。反応液に水を加え、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１２−７）で表される化合物３．６ｇを得た。

【0212】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１２−４）で表される化合物４．６ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．１ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．１ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１ｇ、ジイソプロピルアミン３７ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７４ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−１２−７）で表される化合物３．６ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１２）で表される化合物４．８ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４６８
（実施例１３）式（Ｉ−１３）で表される化合物の製造

【0213】

【化80】

【0214】

実施例７において式（Ｉ−７−１）で表される化合物を式（Ｉ−１３−１）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１３−３）で表される化合物を製造した。

【0215】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１３−４）で表される化合物７．０ｇ、式（Ｉ−１３−３）で表される化合物７．０ｇ、炭酸カリウム５．３ｇ、ジクロロビス［ジ−ｔ−ブチル（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ］パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、トルエン５６ｍＬ、エタノール２８ｍＬ、水２８ｍＬを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１３）で表される化合物６．１ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３４２
（実施例１４）式（Ｉ−１４）で表される化合物の製造

【0216】

【化81】

【0217】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１４−１）で表される化合物７．０ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．２ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．２ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４０ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−１４−２）で表される化合物４．０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド８ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（トルエン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１４）で表される化合物６．０ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３３８
（実施例１５）式（Ｉ−１５）で表される化合物の製造

【0218】

【化82】

【0219】

実施例８において式（Ｉ−８−１）で表される化合物を式（Ｉ−１５−１）で表される化合物に、式（Ｉ−８−２）で表される化合物を式（Ｉ−１５−２）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１５−３）で表される化合物を製造した。

【0220】

実施例１４において式（Ｉ−１４−１）で表される化合物を式（Ｉ−１５−３）で表される化合物に、式（Ｉ−１４−２）で表される化合物を式（Ｉ−１５−４）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１５）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４１０
（実施例１６）式（Ｉ−１６）で表される化合物の製造

【0221】

【化83】

【0222】

実施例７において式（Ｉ−７−１）で表される化合物を式（Ｉ−１６−１）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１６−５）で表される化合物を製造した。

【0223】

実施例７において式（Ｉ−７−７）で表される化合物を式（Ｉ−１６−５）で表される化合物に、式（Ｉ−７−８）で表される化合物を式（Ｉ−１６−６）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１６）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝５０２
（実施例１７）式（Ｉ−１７）で表される化合物の製造

【0224】

【化84】

【0225】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１７−１）で表される化合物５．０ｇ、式（Ｉ−１７−２）で表される化合物２．５ｇ、炭酸カリウム２．６ｇ、ジクロロビス［ジ−ｔ−ブチル（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ］パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、トルエン５０ｍＬ、エタノール２５ｍＬ、水２５ｍＬを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１７）で表される化合物４．２ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４７４
（実施例１８）式（Ｉ−１８）で表される化合物の製造

【0226】

【化85】

【0227】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１８−１）で表される化合物７．０ｇ、式（Ｉ−１８−２）で表される化合物４．２ｇ、炭酸カリウム５．１ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド７０ｍＬ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１ｇを加え１２０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１８−３）で表される化合物６．１ｇを得た。

【0228】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１８−３）で表される化合物６．１ｇ、炭酸カリウム４．２ｇ、式（Ｉ−１８−４）で表される化合物６．８ｇ、トルエン６８ｍＬ、エタノール３４ｍＬ、水３４ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．４ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘプタン）及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１８−５）で表される化合物６．３ｇを得た。

【0229】

実施例６において式（Ｉ−６−１）で表される化合物を式（Ｉ−１８−５）で表される化合物に、式（Ｉ−６−２）で表される化合物を式（Ｉ−１８−６）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１８）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４８１
（実施例１９）式（Ｉ−１９）で表される化合物の製造

【0230】

【化86】

【0231】

実施例１２において式（Ｉ−１２−５）で表される化合物を式（Ｉ−１９−１）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１９−３）で表される化合物を製造した。

【0232】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１９−４）で表される化合物７．０ｇ、炭酸カリウム４．２ｇ、式（Ｉ−１９−５）で表される化合物５．２ｇ、トルエン５６ｍＬ、エタノール２８ｍＬ、水２８ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．２ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１９−６）で表される化合物７．０ｇを得た。

【0233】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１９−６）で表される化合物７．０ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．１ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．１ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１ｇ、ジイソプロピルアミン３７ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７４ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−１９−３）で表される化合物３．３ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１９）で表される化合物６．１ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝５３４
（実施例２０）式（Ｉ−２０）で表される化合物の製造

【0234】

【化87】

【0235】

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−２０−１）で表される化合物７．０ｇ、式（Ｉ−２０−２）で表される化合物７．０ｇ、炭酸カリウム４．１ｇ、ジクロロビス［ジ−ｔ−ブチル（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ］パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、トルエン５６ｍＬ、エタノール２８ｍＬ、水２８ｍＬを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−２０）で表される化合物８．１ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝５８４
（実施例２１及び比較例１）
実施例において液晶化合物の記載について以下の略号を用いる。
（環構造）

【0236】

【化88】

【0237】

（側鎖構造）
２− ＣＨ_３ＣＨ_２−
３− ＣＨ_３（ＣＨ_２）_２−
４− ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３−
５− ＣＨ_３（ＣＨ_２）_４−
−２ −ＣＨ_２ＣＨ_３
−３ −（ＣＨ_２）_２ＣＨ_３
−４ −（ＣＨ_２）_３ＣＨ_３
−５ −（ＣＨ_２）_４ＣＨ_３
−Ｃｌ −Ｃｌ
（連結基）
− 単結合
−Ｔ− −Ｃ≡Ｃ−
下記化合物によって構成される母体液晶Ｎを調製した。
（母体液晶Ｎ）
２−Ｐｈ３−Ｔ−ＰｈＰｈ−３ ２０．０％
４−Ｐｈ３−Ｔ−ＰｈＰｈ−３ ３６．０％
３−Ｐｈ１Ｐｈ１Ｐｈ−Ｃｌ １０．０％
５−Ｐｈ１Ｐｈ１Ｐｈ−Ｃｌ ２０．０％
５−ＣｙＰｈＰｈ１Ｐｈ−２ ７．０％
５−ＣｙＰｈＰｈ１Ｐｈ−３ ７．０％
母体液晶Ｎに対し、実施例１から実施例２０に記載の式（Ｉ−１）から式（Ｉ−２０）で表される化合物を添加し、評価対象の液晶組成物（Ｍ−１）から液晶組成物（Ｍ−２０）を調製した。また、非特許文献１に記載の式（Ｒ−１）で表される化合物、特許文献１に記載の式（Ｒ−２）で表される化合物、特許文献２に記載の式（Ｒ−３）及び式（Ｒ−４）で表される化合物を添加し、比較対象の液晶組成物（ＲＭ−１）から液晶組成物（ＲＭ−４）を調製した。

【0238】

【化89】

【0239】

（液晶組成物（Ｍ−１））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−１）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−２））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−２）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−３））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−３）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−４））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−４）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−５））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−５）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−６））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−６）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−７））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−７）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−８））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−８）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−９））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−９）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１０））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−１０）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１１））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−１１）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１２））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−１２）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１３））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−１３）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１４））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−１４）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１５））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−１５）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１６））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−１６）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１７））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−１７）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１８））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−１８）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１９））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−１９）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−２０））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｉ−２０）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（ＲＭ−１））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｒ−１）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（ＲＭ−２））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｒ−２）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（ＲＭ−３））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｒ−３）で表される化合物 １０．０％
（液晶組成物（ＲＭ−４））
母体液晶Ｎ ９０．０％
式（Ｒ−４）で表される化合物 １０．０％
得られた液晶組成物の誘電率異方性Δε、屈折率異方性Δｎを下表に示す。また、評価対象の各化合物について、保存安定性の評価を行った。保存安定性は、得られた各液晶組成物２ｍＬをアルゴン雰囲気下、ガラス製バイアルに密閉し、１０℃で４週間保管した後の状態を目視により評価した。評価結果を下表に示す。

【0240】

【表1】

【0241】

【表2】

【0242】

【表3】

【0243】

上記の結果から、本発明の化合物は液晶組成物へ添加した場合に析出が起こりにくく、液晶組成物への相溶性が高いことがわかる。

【0244】

評価対象の各液晶組成物を厚さ８．５μｍのＴＮセルに封入した。得られた各液晶セルに対して、周波数１００Ｈｚで３０Ｖの矩形電圧を５０℃で５０時間印加した。各液晶セルについて電圧保持率を測定し、電圧印加前後における電圧保持率の差（ΔＶ_ＨＲ）を算出した。ΔＶ_ＨＲの値が小さいほど、液晶セルの電圧保持率の低下が少ないことを意味する。電圧保持率は、周波数６０Ｈｚ、印加電圧１Ｖ、３３３Ｋにおいて測定した。結果を下表に示す。

【0245】

【表4】

【0246】

【表5】

【0247】

【表6】

【0248】

上記の結果から、本発明の化合物を添加した液晶組成物を使用した素子は電圧保持率の低下が起こりにくいことがわかる。

【0249】

次に、得られた各液晶組成物の高周波数領域での特性を評価した。測定には、伝送遅延方式Ｃｕｔ ｂａｃｋタイプストリップライン法 比誘電率・誘電正接測定器（ＫＥＹＣＯＭ社製）を使用した。ここで、各物性値を下記のように定義する。

【0250】

ε_⊥ ＝（３ε_{ａｖｅｒａｇｅ}−ε_‖）／２
ｔａｎδ_⊥ ＝（３ε_{ａｖｅｒａｇｅ}ｔａｎδ_{ａｖｅｒａｇｅ}−ε_‖ｔａｎδ_‖）／２ε_⊥
変調能（τ） ＝（ε_‖−ε_⊥）／ε_‖
材料特性（ηε）＝τ／（ｍａｘ（ｔａｎδ_‖，ｔａｎδ_⊥））
母体液晶Ｎの１９ＧＨｚ、２０℃における物性値は下記の通りであった。

【0251】

ｔａｎδ_⊥ ＝０．０１４
ｔａｎδ_‖ ＝０．００３
変調能（τ） ＝０．２５
材料特性（ηε）＝１７．５
得られた各液晶組成物についても同様に１９ＧＨｚ、２０℃における物性値を測定した。その結果、本発明の式（Ｉ−１）から式（Ｉ−１２）及び式（Ｉ−１６）から式（Ｉ−２０）で表される化合物を含有する液晶組成物（Ｍ−１）から（Ｍ−２０）について、材料特性（ηε）がいずれも２５以上を示すことがわかった。

【0252】

以上の結果から、本発明の化合物は、大きな屈折率異方性Δｎを有し、液晶組成物への相溶性が高く、液晶組成物に添加し素子を作製した場合に、素子の電圧保持率を低下させにくいことから、高周波移相器、フェーズドアレイアンテナ、画像認識装置、測距装置、液晶表示素子、液晶レンズ又は立体画像表示用複屈折レンズ等の素子用の材料として有用である。