特許6978708IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

発光ダイオード(Light Emitting Diode, LED)を用いた半導体発光装置およびその製造方法に関する。特に、配光特性が求められる光源装置において好適に用いられる半導体発光装置およびその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、光学レンズを用いて、光の広がり方、方向など配光特性を制御する照明器具において、発光面積が小さく正面の輝度が高い、かつ、配光色温度差の小さい配光特性をもつ、いわゆる点光源の発光装置が好ましいとされている。そのため、従来のLEDを用いた半導体発光装置では、発光素子に、レンズを設置されたものが用いられている。発光素子に、レンズを設置することで、光の取り出し効率を上げて、正面の輝度を高くしている。しかし、レンズが必要とされるため、レンズを形成させる工程が必要とされていた。 本発明は、かかる従来の課題にかんがみてなされたものであり、簡素な構造で実現でき、発光素子のエッジ方向への光漏れを抑制して光源の配光特性を良好とする、半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、半導体層と、前記半導体層の下面側に形成される電極と、前記半導体層の外縁を囲む枠状部であって、前記半導体層の上面に対し垂直の方向において当該上面に対し一定の高さを有し、かつ、前記上面に沿う方向においてその上端部分に一定の幅を有する枠状部であって、少なくとも一部が前記半導体層の外縁に接して形成される枠状部と、を備える半導体発光装置である。
【発明の効果】
本発明の半導体発光装置によれば、簡素な構造で実現でき、エッジ方向への光漏れを抑制して光源の配光特性を良好とすることができる。また、本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、工程数が少なく量産性に優れた高品質の半導体発光装置を得ることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本発明の第1の実施形態による半導体発光装置の断面構造を模式的に示す図である。

【図2】図1に示した第1の実施形態による半導体発光装置を光取り出し面側から見た平面図である。

【図3】第1の実施形態による半導体発光装置の作用を説明するための図である。

【図4】第1の実施形態による半導体発光装置を製造する方法を説明するための製造工程図である。

【図5】本発明の第2の実施形態による半導体発光装置の断面構造を模式的に示す図である。

【図6】第2の実施形態による半導体発光装置の作用を説明するための図である。

【図7】第2の実施形態による半導体発光装置を製造する方法を説明するための製造工程図である。

【図8】第3の実施形態による、半導体発光装置を製造する方法を説明するための製造工程図である。

【図9】第4の実施形態による、光源装置の断面を模式的に示す図である。

【図10】第5の実施形態による半導体発光装置の断面構造を模式的に示す図である。

【図11】第5の実施形態の変形例による半導体発光装置の断面構造を模式的に示す図である。

【図12】第5の実施形態の他の変形例による半導体発光装置の断面構造を模式的に示す図である。

【図13】第6の実施形態による半導体発光装置の断面構造を模式的に示す図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

10 半導体発光装置   11 半導体層   11a 上面   12 p電極   13 n電極   14 絶縁部材   14a 枠状部   14b 外壁面   14c 溝   14t 内側面   15 波長変換部   20 実装基板   30 半導体ウェハ   31 成長基板   31a、31b 溝   32 発光素子

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