特許6982264IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

発光素子の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献1の発光素子の製造方法では、ウェハの上面視において予定される割断予定線は格子状となる。そのため、割断予定線に沿って改質領域から亀裂が伸展したとしても、その亀裂がウェハの割断により後に発光素子となる領域(以下「発光素子領域」という)の内側にまで達する可能性は低い。
一方、発光素子の上面視形状が六角形である場合、割断予定線の延長線上に発光素子領域が位置することになるため、改質領域から伸展する亀裂が発光素子領域の内側に達する可能性が高くなる。発光素子領域にまで達した亀裂は、ウェハを割断し、発光素子に個片化する工程において、発光素子の欠けなどが発生する要因となるため、歩留りの低下を引き起こす。 改質領域から伸展する亀裂が改質領域の延長線上に存在する発光素子領域の内側にまで達することを抑制し、歩留りを向上させることができる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一実施形態は以下の発明を含む。 サファイアからなる基板及び前記基板の上面に設けられた半導体構造を有するウェハを準備する工程と、 レーザ光を走査して、前記基板にレーザ光を照射し、上面視形状が六角形の発光素子に割断するための複数の改質領域を前記基板の内部に形成する工程と、 前記ウェハを前記改質領域に沿って割断して、複数の前記発光素子を得る工程とを含み、 複数の前記改質領域・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本開示によれば、改質領域から伸展する亀裂が改質領域の延長線上に存在する発光素子領域の内側にまで達することを抑制し、歩留りを向上させることができる発光素子の製造方法を提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】本発明の一実施形態の発光素子の製造方法に用いたウェハの平面図である。

【図1B】図1Aのウェハの一部の概略断面図である。

【図1C】図1Aのウェハにレーザ光を照射する工程を説明するための概略断面図である。

【図1D】図1Aのウェハにレーザ光を照射する工程を説明するための概略平面図である。

【図1E】図1Aのウェハにレーザ光を照射する工程を説明するための概略平面図である。

【図2A】図1Aのウェハにレーザ光を照射する工程を説明するための概略平面図である。

【図2B】図1Aのウェハにレーザ光を照射する工程を説明するための概略平面図である。

【図2C】図1Aのウェハにレーザ光を照射する工程を説明するための概略平面図である。

【図2D】図1Aのウェハにレーザ光を照射する工程を説明するための概略平面図である。

【図3A】本発明の一実施形態の発光素子の製造方法によって製造された発光素子の概略斜視図である。

【図3B】図3Aの発光素子のA−A’線概略断面図である。

【図3C】本発明の一実施形態の発光素子の製造方法によって製造された発光素子の概略斜視図である。

2 基板   3 半導体構造   3a n側半導体層   3b 活性層   3c p側半導体層   4 n電極   5 p電極   6 発光素子領域   10 ウェハ   11 第1辺   12 第2辺   13 第3辺   14 第4辺   15 第5辺   16 第6辺   20 発光素子   41 第1改質領域   42 第2改質領域   43 第3改質領域   A (第1照射の)一端(始点)   B 第1位置   C (第2照射の)他端(始点)   D 第2位置   E (第2走査の)始点   F (第2走査の)終点   G (第3走査の)始点   H (第3走査の)終点   LB レーザ光   OL オリエンテーションフラット面   R1 第1走査   R2 第2走査   R3 第3走査   r1 第1照射   r2 第2照射  

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

[広告欄]

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります