特許6982268IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

発光装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

このような発光装置においては、蛍光部の下面に照射される放射光の光強度が、中心部においてその周囲よりも高くなる。この場合は、蛍光部において、放射光の中心部が照射された領域の発熱量が大きくなることにより、蛍光部の変換効率が低下するおそれがある。また、蛍光部から取り出される光の発光強度にむらが生じるおそれがある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一形態に係る発光装置は、基体と、前記基体の上面に配置された、第1放射光を発する第1半導体レーザ素子と、前記基体の上面に配置された、前記第1放射光を反射する平面を含む第1光反射面を有する第1光反射部と、前記基体の上面に配置された、第2放射光を発する第2半導体レーザ素子と、前記基体の上面に配置された、前記第2放射光を反射する平面を含む第2光反射面を有する第2光反射部と、前記第1光反射部に・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
の発光装置によれば、蛍光部の変換効率の低下を低減するとともに、蛍光部から取り出される光の発光強度のむらを低減した発光装置とすることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】図1は、第1発光装置の斜視図である。

【図2】図2は、第1発光装置の上面図である。

【図3】図3は、図2のIII−IIIにおける断面図である。

【図4】図4は、第1発光装置に含まれる第1光反射部の斜視図である。

【図5】図5は、第1発光装置における基体の凹部の内部を説明するための図である。

【図6】図6は、第1発光装置において、第1半導体レーザ素子から放射された第1放射光が第1光反射部で反射されて蛍光部の下面に照射されるまでの第1放射光の行路を説明するための図である。

【図7】図7は、光強度を均一に近づけて蛍光部に光を照射した場合の蛍光部の発光強度分布を測定したデータである。

【図8】図8は、第2発光装置の斜視図である。

【図9】図9は、第2発光装置の上面図である。

【図10】図10は、第2発光装置における基体の凹部の内部を説明するための図である。

【図11】図11は、図10の点線枠内の拡大図である。

【図12】図12は、蛍光部の下面に照射される第1放射光及び第2放射光の光強度分布をシミュレーションして測定した図である。

【図13】図13は、図12のXIII-XIIIを結ぶ直線における光強度分布を示す図である。

【図14】図14は、蛍光部の下面に照射される第1放射光の光強度分布をシミュレーションして測定した図である。

【図15】図15は、第3発光装置の斜視図である。

【図16】図16は、第3発光装置の上面図である。

【図17】図17は、第3発光装置の凹部の内側を説明するための上面図である。

【図18】図18は、図16のXVIII-XVIIIにおける端面図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

11…第1半導体レーザ素子   12…第2半導体レーザ素子   21…第1光反射部   21a…第1領域   21b…第2領域   22…第2光反射部   22a…第3領域   22b…第4領域   30…蛍光部   40…遮光部   50…基体   51…本体部   52a、52b…配線部   53a、53b…第2配線部   61…第1サブマウント   62…第2サブマウント   70…ワイヤ   80…蓋体   81…支持部   82…透光部   83…接合材   90…第2遮光部   100…サーミスタ   110…放熱体   200、300、400…発光装置

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