発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

モリブデンのオキシクロライドは、例えば酸化モリブデン（ＭｏＯ₃）の原料粉末を塩素ガス（Ｃｌ₂）で塩化することなどにより、合成することができる。このとき合成温度を適切に管理することにより、不純物をある程度分離することができるが、原料中に不純物として含まれるタングステン（Ｗ）等の金属不純物は、塩化物や酸塩化物を形成し、これらは蒸気圧が高いために除去することが困難であった。特に原料ＭｏＯ₃中に高い濃度で存在するＷは、最終製品のモリブデンオキシクロライドに高い濃度で残留する問題があった。本発明は、このような問題を解決しようとするものであり、高純度のモリブデンオキシクロライド及びその製造方法を提供することを課題とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、従来では合成中にその除去が困難であったタングステン（Ｗ）などを分離することができ、高純度モリブデンオキシクロライドを得ることが可能となる。そして、このような高純度モリブデンオキシクロライドをＣＶＤ法やＡＬＤ法における前駆体として用いることにより、半導体装置中の薄膜において、不純物金属に起因する特性不良を回避することができる、という優れた効果を有する。