特許6985580IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体素子用のコレット及び半導体装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

コレットは、硬質な材料によって形成されているため、吸着時にパッド電極を変形させたり、あるいは、損傷させたりする場合がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本以下の構成を含む。 上面にパッド電極を備えた半導体素子を吸着する端面を先端部に備えたコレットであって、端面は、パッド電極と対向する位置に配置される第1面と、第1面よりも先端側に突出すると共に、吸着孔の開口部を備えた第2面と、を備えるコレット。
【発明の効果】
以上により、パッド電極に当接しにくく、パッド電極の損傷を低減したコレットとすることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】図1Aは、実施形態1、2に係るコレットを示す概略側面図である。

【図1B】図1Bは、図1Aに示すコレットの概略断面図である。

【図1C】図1Cは、図1Aに示すコレットの先端部を拡大した概略斜視図である。

【図1D】図1Dは、図1Aに示すコレットの先端部の端面側から見た概略図である。

【図1E】図1Eは、図1Cの1E−1E線における概略断面図である。

【図2A】図2Aは、実施形態1、2に係る半導体素子の概略上面図である。

【図2B】図2Bは、図2Aの2B−2B線における概略断面図である。

【図3A】図3Aは、実施形態1、2に係るコレットと半導体素子を重ねた状態を示す概略図である。

【図3B】図3Bは、実施形態1、2に係る半導体素子をコレットで吸着した状態を示す概略断面図である。

【図4A】図4Aは、実施形態3、4に係るコレットの先端部を拡大した概略斜視図である。

【図4B】図4Bは、図4Aに示すコレットの先端部の端面側から見た概略図である。

【図4C】図4Cは、図4Aの4C−4C線における概略断面図である。

【図5A】図5Aは、実施形態3、4に係る半導体素子の概略上面図である。

【図5B】図5Bは、図5Aの5B−5B線における概略断面図である。

【図6A】図6Aは、実施形態3、4に係るコレットと半導体素子を重ねた状態を示す概略図である。

【図6B】図6Bは、実施形態3、4に係る半導体素子をコレットで吸着した状態を示す概略断面図である。

【図7A】図7Aは、実施形態5、6に係るコレットの先端部を拡大した概略斜視図である。

【図7B】図7Bは、図7Aに示すコレットの先端部の端面側から見た概略図である。

【図7C】図7Cは、図7Aの7C−7C線における概略断面図である。

【図8A】図8Aは、実施形態5、6に係る半導体素子の概略上面図である。

【図8B】図8Bは、図8Aの8B−8B線における概略断面図である。

【図9】図9は、実施形態5、6に係るコレットと半導体素子を重ねた状態を示す概略図である。

【図10】図10は、変形例に係る半導体素子の概略上面図である。

【図11A】図11Aは、変形例に係るコレットの先端部の端面側から見た概略図である。

【図11B】図11Bは、変形例に係るコレットの先端部の端面側から見た概略図である。

【図12A】図12Aは、変形例に係るコレットと半導体素子を重ねた状態を示す概略図である。

【図12B】図12Bは、変形例に係るコレットと半導体素子を重ねた状態を示す概略図である。

10、30、50、60、70…コレット   11…本体部   12、32、52…先端部   121、321、521…端面   1211、3211、5211、6211、7211a、7211b…第1面   1212、3212、5212、6212、7212…第2面   1212a…第1辺部、   1212b…第2辺部   3212a…第1角部   3212b…第2角部   5212a、6212a、7212b…中央部   5212b、6212b、7212b…延伸部   V1…吸着孔(Vn1、Vn3、Vn5…小径部、Vm1…中径部、Vw1…大径部、Vo1、Vo3、Vo5、Vo6、Vo7…開口部)   H1…第2面の高さ(第1面から第2面までの距離)   Wc1…端面の幅   Lc5…端面の長さ   Wf1、Wf3、Wf5…第1面の幅   Lf5…第1面の長さ   Wg1…第2面の幅   Wg5…中央部の幅   Lg5…中央部の長さ   Ws5…延伸部の幅   Ls5…延伸部の長さ   Wv5…開口部の幅   Lv5…開口部の長さ   1A、1B、1C、1D…半導体素子   1a、1b、1c…半導体素子の上面   2A、2B、2C…パッド電極   Hp…パッド電極の高さ   Wp…パッド電極の幅   3A…補助電極   4A、4B、4C…積層構造体

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