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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022103057
(43)【公開日】2022-07-07
(54)【発明の名称】パッケージおよびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/02 20060101AFI20220630BHJP
H01L 23/08 20060101ALI20220630BHJP
【ＦＩ】
H01L23/02 C
H01L23/08 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021174728
(22)【出願日】2021-10-26
(31)【優先権主張番号】P 2020217028
(32)【優先日】2020-12-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】391039896
【氏名又は名称】ＮＧＫエレクトロデバイス株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】000004064
【氏名又は名称】日本碍子株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(74)【代理人】
【識別番号】100134991
【弁理士】
【氏名又は名称】中尾 和樹
(74)【代理人】
【識別番号】100148507
【弁理士】
【氏名又は名称】喜多 弘行
(72)【発明者】
【氏名】西島 英孝
(72)【発明者】
【氏名】長廣 雅則
(57)【要約】
【課題】上面と下面との間の電気的接続を確保しつつ、ろう材が側面へ不必要に多量に流れ出ることを防止することができる、パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】メタライズ部２００は、シール面ＳＳ上のシールメタライズ層２１０と、セラミック部１００の下面Ｐ２上の下面メタライズ層２２０と、セラミック部１００の側面Ｐ３上の側面メタライズ層２３０とを含む。側面メタライズ層２３０は、シールメタライズ層２１０につながれた上方部分２３１と、下面メタライズ層２２０につながれた下方部分２３２と、上方部分２３１と下方部分２３２とを互いにつなぐ中間部分２３３とを有する。金属層３００は、メタライジング材料に比してろう材９３０への濡れ性が高い金属材料からなる。金属層３００は、メタライズ部２００のシールメタライズ層２１０を被覆しており、メタライズ部２００の側面メタライズ層２３０の中間部分２３３は被覆していない。
【選択図】図１
【解決手段】メタライズ部２００は、シール面ＳＳ上のシールメタライズ層２１０と、セラミック部１００の下面Ｐ２上の下面メタライズ層２２０と、セラミック部１００の側面Ｐ３上の側面メタライズ層２３０とを含む。側面メタライズ層２３０は、シールメタライズ層２１０につながれた上方部分２３１と、下面メタライズ層２２０につながれた下方部分２３２と、上方部分２３１と下方部分２３２とを互いにつなぐ中間部分２３３とを有する。金属層３００は、メタライジング材料に比してろう材９３０への濡れ性が高い金属材料からなる。金属層３００は、メタライズ部２００のシールメタライズ層２１０を被覆しており、メタライズ部２００の側面メタライズ層２３０の中間部分２３３は被覆していない。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ろう材を用いて蓋体が取り付けられることになる、電子部品用のパッケージであって、
平面視において外縁を有するセラミック部を備え、前記セラミック部は、
前記蓋体を支持するためのシール面を含み、前記シール面の内側に前記電子部品を収めるためのキャビティが設けられた上面と、
前記上面と反対の下面と、
前記平面視において前記外縁に配置され、前記上面と前記下面とを互いにつなぐ側面と、
を有しており、前記パッケージはさらに、
前記セラミック部上に設けられ、メタライジング材料からなるメタライズ部を備え、前記メタライズ部は、
前記シール面上に設けられたシールメタライズ層と、
前記セラミック部の前記下面上に設けられた下面メタライズ層と、
前記セラミック部の前記側面上に設けられ、前記シールメタライズ層につながれた上方部分と、前記下面メタライズ層につながれた下方部分と、前記上方部分と前記下方部分とを互いにつなぐ中間部分と、を有する側面メタライズ層と、を含み、前記パッケージはさらに、
前記メタライジング材料に比して前記ろう材への濡れ性が高い金属材料からなる金属層を備え、前記金属層は、前記メタライズ部の前記シールメタライズ層を被覆しており前記メタライズ部の前記側面メタライズ層の前記中間部分は被覆していない、パッケージ。
平面視において外縁を有するセラミック部を備え、前記セラミック部は、
前記蓋体を支持するためのシール面を含み、前記シール面の内側に前記電子部品を収めるためのキャビティが設けられた上面と、
前記上面と反対の下面と、
前記平面視において前記外縁に配置され、前記上面と前記下面とを互いにつなぐ側面と、
を有しており、前記パッケージはさらに、
前記セラミック部上に設けられ、メタライジング材料からなるメタライズ部を備え、前記メタライズ部は、
前記シール面上に設けられたシールメタライズ層と、
前記セラミック部の前記下面上に設けられた下面メタライズ層と、
前記セラミック部の前記側面上に設けられ、前記シールメタライズ層につながれた上方部分と、前記下面メタライズ層につながれた下方部分と、前記上方部分と前記下方部分とを互いにつなぐ中間部分と、を有する側面メタライズ層と、を含み、前記パッケージはさらに、
前記メタライジング材料に比して前記ろう材への濡れ性が高い金属材料からなる金属層を備え、前記金属層は、前記メタライズ部の前記シールメタライズ層を被覆しており前記メタライズ部の前記側面メタライズ層の前記中間部分は被覆していない、パッケージ。
【請求項2】
前記金属層は前記側面メタライズ層の前記上方部分を被覆している、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項3】
前記金属層は、厚みが徐々に小さくなる端部を有している、請求項１または２に記載のパッケージ。
【請求項4】
前記平面視において、前記セラミック部の前記外縁は、第１の角と、第２の角と、前記第１の角と前記第２の角とを互いにつなぐ一の辺と、を有しており、前記側面メタライズ層は、前記第１の角および前記第２の角から離れて前記一の辺に接している、請求項１から３のいずれか１項に記載のパッケージ。
【請求項5】
前記側面メタライズ層の前記中間部分には、前記メタライジング材料の酸化物からなる表面酸化膜が設けられている、請求項１から４のいずれか１項に記載のパッケージ。
【請求項6】
前記側面メタライズ層の前記中間部分の表面は破断面である、請求項１から５のいずれか１項に記載のパッケージ。
【請求項7】
前記外縁は、前記側面メタライズ層が配置された凹部を有している、請求項１から６のいずれか１項に記載のパッケージ。
【請求項8】
前記凹部は、前記側面メタライズ層の前記中間部分が配置された高さ範囲においては、前記側面メタライズ層によって埋め尽くされている、請求項７に記載のパッケージ。
【請求項9】
前記凹部は、前記側面メタライズ層の前記中間部分が配置された高さ範囲においては、前記側面メタライズ層と、前記側面メタライズ層を介して前記セラミック部に面しセラミックからなる充填部と、によって埋め尽くされている、請求項７に記載のパッケージ。
【請求項10】
前記パッケージは、前記ろう材と前記ろう材にろう付けされた金属枠体とを用いて前記蓋体が取り付けられることになるパッケージであって、
前記シール面は、前記金属枠体を介して前記蓋体を支持するためのものである、
請求項１から９のいずれか１項に記載のパッケージ。
前記シール面は、前記金属枠体を介して前記蓋体を支持するためのものである、
請求項１から９のいずれか１項に記載のパッケージ。
【請求項11】
請求項１から１０のいずれか１項に記載のパッケージの製造方法であって、
（ａ）前記セラミック部となる部分を含むセラミックグリーン部と、前記メタライズ部となる部分を含むメタライズグリーン部と、を有するグリーン積層体を形成する工程を備え、前記セラミックグリーン部および前記メタライズグリーン部の各々は、前記セラミック部の前記外縁の少なくとも一部となる仮想線にまたがっており、さらに、
（ｂ）前記仮想線に沿って前記グリーン積層体にトレンチを形成する工程と、
（ｃ）前記グリーン積層体を焼成することによって、前記セラミック部および前記メタライズ部を含む焼成体を形成する工程と、
（ｄ）前記金属層を形成するために、前記焼成体の前記メタライズ部をめっきする工程と、
（ｅ）前記メタライズ部をめっきする工程の後に、前記トレンチを起点として前記焼成体にクラックを発生させることによって、前記セラミック部をブレイクしつつ前記メタライズ部の前記側面メタライズ層の前記中間部分の表面を形成する工程と、
を備える、パッケージの製造方法。
（ａ）前記セラミック部となる部分を含むセラミックグリーン部と、前記メタライズ部となる部分を含むメタライズグリーン部と、を有するグリーン積層体を形成する工程を備え、前記セラミックグリーン部および前記メタライズグリーン部の各々は、前記セラミック部の前記外縁の少なくとも一部となる仮想線にまたがっており、さらに、
（ｂ）前記仮想線に沿って前記グリーン積層体にトレンチを形成する工程と、
（ｃ）前記グリーン積層体を焼成することによって、前記セラミック部および前記メタライズ部を含む焼成体を形成する工程と、
（ｄ）前記金属層を形成するために、前記焼成体の前記メタライズ部をめっきする工程と、
（ｅ）前記メタライズ部をめっきする工程の後に、前記トレンチを起点として前記焼成体にクラックを発生させることによって、前記セラミック部をブレイクしつつ前記メタライズ部の前記側面メタライズ層の前記中間部分の表面を形成する工程と、
を備える、パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、パッケージおよびその製造方法に関し、特に、電子部品用のパッケージおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
特開２０００－３１２０６０号公報（特許文献１）は、水晶振動子などの電子部品を搭載するための電子部品搭載用基板を開示している。電子部品搭載用基板は、下部絶縁層と、上部絶縁層とを有している。下部絶縁層は、上面に電子部品を搭載するための搭載部を有するとともにこの搭載部から下面にかけて電子部品の電極を外部に接続するための複数のメタライズ導体層が被着形成されている。上部絶縁層は、枠状であり、下部絶縁層上に搭載部を取り囲むようにして積層され、その上面に蓋体を接合するための封止用メタライズ層が被着形成されている。上部絶縁層の外周面にこの上部絶縁層を上下に貫通する切り欠き部が形成されている。この切り欠き部にメタライズ導体層と封止用メタライズ層とを電気的に接続するメタライズ導体柱が、その上端面が上部絶縁層の上面に対し同一面となるように埋設されている。
【0003】
上記構成によれば、封止用メタライズ層がメタライズ導体柱を介してメタライズ導体層に電気的に接続される。よって、メタライズ導体層をグランド電位に接続することによって、封止用メタライズ層もグランド電位に接続することができる。
【0004】
また上記公報は、メタライズ導体層、封止用メタライズ層およびメタライズ導体柱の露出表面に、ろう材との濡れ性に優れる金属、例えば金（Ａｕ）、をめっき法により被着させることを開示している。このめっきにより、酸化腐食を防止することができる。さらに、このめっきにより、ろう材を介しての封止用メタライズ層と金属蓋体との接合を強固なものとすることができる。ろう材は、例えば、金－スズ（Ａｕ－Ｓｎ）合金からなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０００－３１２０６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
上記公報に記載の技術によれば、メタライズ導体層、封止用メタライズ層およびメタライズ導体柱の露出表面を覆うように、ろう材との濡れ性に優れる金属層が設けられる。これによって、上記のように、封止用メタライズ層と金属蓋体とのろう材を介しての接合を強固なものとすることができる。一方で、ろう材との濡れ性に優れる金属層に被覆されていることに起因して、上面に位置する封止用メタライズ層上から、側面に位置するメタライズ導体柱上へ、ろう材が無用に多量に流れ出やすい。特に、ろう材は、金などの高価な材料の含有率が高いことが多く、この場合、ろう材が無用に多量に流れ出ることは、材料コストの顕著な増大につながる。
【0007】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、上面と下面との間の電気的接続を確保しつつ、ろう材が上面から側面へ不必要に多量に流れ出ることを防止することができる、パッケージおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
一態様のパッケージは、電子部品用であって、ろう材を用いて蓋体が取り付けられることになる。パッケージは、セラミック部と、メタライズ部と、金属層と、を有している。セラミック部は平面視において外縁を有している。セラミック部は、上面と、上面と反対の下面と、平面視において外縁に配置され上面と下面とを互いにつなぐ側面と、を有している。上面は、蓋体を支持するためのシール面を含み、シール面の内側に電子部品を収めるためのキャビティが設けられている。メタライズ部は、セラミック部上に設けられており、メタライジング材料からなる。メタライズ部は、シール面上に設けられたシールメタライズ層と、セラミック部の下面上に設けられた下面メタライズ層と、セラミック部の側面上に設けられた側面メタライズ層と、を含む。側面メタライズ層は、シールメタライズ層につながれた上方部分と、下面メタライズ層につながれた下方部分と、上方部分と下方部分とを互いにつなぐ中間部分と、を有している。金属層は、メタライジング材料に比してろう材への濡れ性が高い金属材料からなる。金属層は、メタライズ部のシールメタライズ層を被覆しており、メタライズ部の側面メタライズ層の中間部分は被覆していない。
【0009】
なお上記金属層を構成する金属材料は、純金属および合金のいずれであってもよい。金属層は側面メタライズ層の上方部分を被覆していてよい。金属層は、厚みが徐々に小さくなる端部を有していてよい。平面視において、セラミック部の外縁は、第１の角と、第２の角と、第１の角と第２の角とを互いにつなぐ一の辺と、を有しており、側面メタライズ層は、第１の角および第２の角から離れて一の辺に接していてよい。側面メタライズ層の中間部分には、メタライジング材料の酸化物からなる表面酸化膜が設けられていてよい。側面メタライズ層の中間部分の表面は破断面である。外縁は、側面メタライズ層が配置された凹部を有していてよい。凹部は、側面メタライズ層の中間部分が配置された高さ範囲においては、側面メタライズ層によって埋め尽くされていてよい。凹部は、側面メタライズ層の中間部分が配置された高さ範囲においては、側面メタライズ層と、側面メタライズ層を介してセラミック部に面しセラミックからなる充填部と、によって埋め尽くされていてよい。
【0010】
上記一態様のパッケージの製造方法は、（ａ）セラミック部となる部分を含むセラミックグリーン部と、メタライズ部となる部分を含むメタライズグリーン部と、を有するグリーン積層体を形成する工程を備え、セラミックグリーン部およびメタライズグリーン部の各々は、セラミック部の外縁の少なくとも一部となる仮想線にまたがっており、さらに、（ｂ）仮想線に沿ってグリーン積層体にトレンチを形成する工程と、（ｃ）グリーン積層体を焼成することによって、セラミック部およびメタライズ部を含む焼成体を形成する工程と、（ｄ）金属層を形成するために、焼成体のメタライズ部をめっきする工程と、（ｅ）メタライズ部をめっきする工程の後に、トレンチを起点として焼成体にクラックを発生させることによって、セラミック部をブレイクしつつメタライズ部の側面メタライズ層の中間部分の表面を形成する工程と、を備える。
【発明の効果】
【0011】
上記一態様のパッケージによれば、第１に、メタライズ部は、シール面上に設けられたシールメタライズ層と、セラミック部の下面上に設けられた下面メタライズ層と、セラミック部の側面上に設けられた側面メタライズ層と、を含む。これによって、シールメタライズ層が配置された上面と、下面メタライズ層が配置された下面との間の電気的接続を確保することができる。第２に、溶融状態にあるろう材への濡れ性が高い金属材料からなる金属層が、メタライズ部のシールメタライズ層を被覆しつつも、メタライズ部の側面メタライズ層の中間部分は被覆していない。これによって、ろう材が上面から側面へ不必要に多量に流れ出ることを防止することができる。以上から、上面と下面との間の電気的接続を確保しつつ、ろう材が上面から側面へ不必要に多量に流れ出ることを防止することができる。
【0012】
この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】実施の形態１における電子機器の構成を概略的に示す平面図である。
【図3】実施の形態１におけるパッケージの構成を概略的に示す平面図である。
【図6】実施の形態１におけるパッケージの製造方法の第１工程を概略的に示す部分平面図である。
【図8】実施の形態１におけるパッケージの製造方法の第２工程を概略的に示す部分平面図である。
【図10】実施の形態１におけるパッケージの製造方法の第３工程を概略的に示す部分平面図である。
【図12】実施の形態１におけるパッケージの製造方法の第４工程を概略的に示す部分平面図である。
【図14】実施の形態１におけるパッケージの製造方法の第５工程を概略的に示す部分平面図である。
【図16】実施の形態１におけるパッケージの製造方法の第６工程を概略的に示す部分平面図である。
【図18】実施の形態１におけるパッケージの製造方法の第７工程を概略的に示す部分断面図である。
【図19】比較例における電子機器の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図20】実施の形態２におけるパッケージの構成を概略的に示す平面図である。
【図22】実施の形態２におけるパッケージの製造方法の第３工程を概略的に示す部分平面図である。
【図24】実施の形態２におけるパッケージの製造方法の第４工程を概略的に示す部分平面図である。
【図26】実施の形態２におけるパッケージの製造方法の第５工程を概略的に示す部分平面図である。
【図28】実施の形態２におけるパッケージの製造方法の第６工程を概略的に示す部分平面図である。
【図30】実施の形態２におけるパッケージの製造方法の第７工程を概略的に示す部分平面図である。
【図32】実施の形態２におけるパッケージの製造方法の第８工程を概略的に示す部分平面図である。
【図34】実施の形態２におけるパッケージの製造方法の第９工程を概略的に示す部分断面図である。
【図36】実施の形態３におけるパッケージの構成を概略的に示す部分断面図である。
【図37】実施の形態４におけるパッケージの構成を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、図面に基づいて実施の形態について説明する。
【0015】
＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態１における電子機器９００の構成を概略的に示す平面図である。図２は、図１の線ＩＩ－ＩＩに沿う概略的な部分断面図である。電子機器９００は、パッケージ８０１と、電子部品９１０と、ろう材９３０と、蓋体９２０とを有している。
図１は、本実施の形態１における電子機器９００の構成を概略的に示す平面図である。図２は、図１の線ＩＩ－ＩＩに沿う概略的な部分断面図である。電子機器９００は、パッケージ８０１と、電子部品９１０と、ろう材９３０と、蓋体９２０とを有している。
【0016】
図３は、パッケージ８０１の構成を概略的に示す平面図である。図４および図５のそれぞれは、図３の線ＩＶ－ＩＶおよび線Ｖ－Ｖに沿う概略的な部分断面図である。パッケージ８０１は、電子部品９１０用であり、本実施の形態においては、電子部品９１０が接合されることになる電極パッド４００を有している。パッケージ８０１には、図１および図２に示されているように、ろう材９３０を用いて蓋体９２０が取り付けられることになる。蓋体９２０は、セラミックと熱膨張係数が近似する金属からなることが好ましく、具体的には主成分としてＦｅ（鉄）およびＮｉ（ニッケル）を含む合金からなることが好ましく、例えばＦｅ－Ｎｉ－Ｃｏ（コバルト）系合金またはＦｅ－Ｎｉ系合金からなる。ろう材９３０は、好ましくはＡｕを主成分とし、より好ましくはＡｕ合金であり、典型的にはＡｕ－Ｓｎ合金である。なお、ろう材９３０の材料はこれらに限定されるものではなく、例えば、Ａｇ（銀）－Ｃｕ（銅）合金、Ｐｂ（鉛）－Ｓｎはんだ、または、Ｐｂフリーはんだであってよい。蓋体の形状は平板状であってよい。
【0017】
パッケージ８０１は、セラミック部１００と、セラミック部１００上に設けられたメタライズ部２００と、めっき層３００（金属層）とを有している。メタライズ部２００は、シールメタライズ層２１０と、下面メタライズ層２２０と、側面メタライズ層２３０とを含む。めっき層３００は、上方めっき層３１０と、下方めっき層３２０とを有している。上方めっき層３１０と、下方めっき層３２０とは、互いに分離されている。
【0018】
セラミック部１００は、セラミックからなり、例えばアルミナまたは窒化アルミニウムからなる。アルミナからなるセラミックの場合は、機械的強度を高めるためにジルコニアが１０～２０ｗｔ％添加されていてもよい。セラミック部１００は、図３に示されているように、平面視において外縁ＥＯを有している。またセラミック部１００は、図４に示されているように、上面Ｐ１と、上面Ｐ１と反対の下面Ｐ２と、上面Ｐ１と下面Ｐ２とを互いにつなぐ側面Ｐ３とを有している。側面Ｐ３は、平面視において外縁ＥＯ（図３）に配置されている。外縁ＥＯは凹部ＣＣを有している。本実施の形態においては、凹部ＣＣはおおよそ半円形状を有している。上面Ｐ１は、メタライズ部２００および上方めっき層３１０を介して蓋体９２０（図２）を支持するためのシール面ＳＳを含む。また上面Ｐ１には、シール面ＳＳの内側に、電子部品９１０を収めるためのキャビティＣＶが設けられている。セラミック部１００は平面視（図３）において、キャビティＣＶを囲む枠部を有している。なお、セラミック部１００には、キャビティＣＶの内と外との間をつなぐ内部配線（図示せず）が設けられている。内部配線は、例えば、キャビティＣＶ内に設けられた電極パッド４００と、下面Ｐ２上に設けられた電極パッド（図示せず）とを互いに接続している。
【0019】
メタライズ部２００はメタライジング材料からなる。メタライジング材料の主成分は、高融点金属であることが好ましく、例えば、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、またはこれらの混合材料である。あるいは、メタライジング材料の主成分は、ＷとＭｏからなる合金であってもよい。シールメタライズ層２１０はシール面ＳＳ上に設けられている。下面メタライズ層２２０はセラミック部１００の下面Ｐ２上に設けられている。側面メタライズ層２３０はセラミック部１００の側面Ｐ３上に設けられている。具体的には、側面メタライズ層２３０は、外縁ＥＯの凹部ＣＣに配置されている。本実施の形態においては、凹部ＣＣは、側面メタライズ層２３０の中間部分２３３が配置された高さ範囲において、側面メタライズ層２３０（図４）によって埋め尽くされている。ここで、上記「高さ範囲」が言及されている方向は、パッケージ８０１の厚み方向(図４における縦方向)である。側面メタライズ層２３０は、シールメタライズ層２１０につながれた上方部分２３１と、下面メタライズ層２２０につながれた下方部分２３２と、上方部分２３１と下方部分２３２とを互いにつなぐ中間部分２３３とを有している。側面メタライズ層２３０の中間部分２３３の表面は、焼成面（ａｓ－ｆｉｒｅｄ ｓｕｒｆａｃｅ）ではなく、後述されるブレイク工程によって形成された破断面（ｆｒａｃｔｕｒｅ ｓｕｒｆａｃｅ）ＳＦ（図１８）である。
【0020】
平面視（図３）において、セラミック部１００の外縁ＥＯは、４つの辺と、４つの角とを有する長方形形状を有している。なお正方形は長方形の一種である。具体的には、外縁ＥＯは、第１の角Ｎ１（図中、右上の角）と、第２の角Ｎ２（図中、右下の角）と、第１の角Ｎ１と第２の角Ｎ２とを互いにつなぐ一の辺（図中、右辺）と、を有している。側面メタライズ層２３０は、第１の角Ｎ１および第２の角Ｎ２から離れて一の辺に接している。これに対応して、凹部ＣＣは、第１の角Ｎ１および第２の角Ｎ２から離れて一の辺に接している。なお本実施の形態においては、さらなる側面メタライズ層２３０（およびそれが配置された凹部ＣＣ）が、当該一の辺と反対の辺、すなわち図中における左辺、に接している。なお、１つのパッケージが有する側面メタライズ層の数（および凹部ＣＣの数）は任意である。
【0021】
めっき層３００の上方めっき層３１０は、メタライズ部２００のシールメタライズ層２１０を被覆している。一方で、めっき層３００は、メタライズ部２００の側面メタライズ層２３０の中間部分２３３は被覆していない。本実施の形態においては、上方めっき層３１０は、側面メタライズ層２３０の上方部分２３１を被覆している。上方部分２３１と上方めっき層３１０との界面は、厚み方向(図４における縦方向)に対する傾斜面を含んでいてよい。当該界面は当該傾斜面のみからなっていてもよい。まためっき層３００の下方めっき層３２０は、メタライズ部２００の下面メタライズ層２２０を被覆している。まためっき層３００の下方めっき層３２０は、メタライズ部２００の側面メタライズ層２３０の下方部分２３２を被覆している。
【0022】
めっき層３００の上方めっき層３１０は、厚みが徐々に小さくなる端部（図４における右端部）を有している。同様に、めっき層３００の下方めっき層３２０は、厚みが徐々に小さくなる端部（図４における右端部）を有している。
【0023】
めっき層３００は、メタライジング材料に比して、溶融状態にあるろう材９３０への濡れ性が高い金属材料からなる。言い換えれば、めっき層３００の金属材料の当該濡れ性は、メタライジング材料の当該濡れ性よりも高い。めっき層３００の金属材料は、好ましくはＡｕを主成分とし、例えば実質的にＡｕである。
【0024】
なお、めっき層３００を剥離しにくくするために、めっき層３００とメタライズ部２００との間に、上記金属材料とは異なる導体材料からなる下地層（図示せず）が形成されていることが好ましい。下地層は、めっき層であってよい。下地層の材料は、Ｎｉを主成分としてよく、例えば、ＮｉまたはＮｉ－Ｃｏ合金である。
【0025】
図５は凹部ＣＣが設けられていない箇所の部分断面図である。
【0026】
次に、複数のパッケージ８０１を一括して製造する方法について、図６～図１８を参照しつつ、以下に説明する。なお、図６、図８、図１０、図１２、図１４および図１６のそれぞれは、第１～第６工程を概略的に示す部分平面図である。また、図７、図９、図１１、図１３、図１５および図１７のそれぞれは、線ＶＩＩ－ＶＩＩ（図６）、線ＩＸ－ＩＸ（図８）、線ＸＩ－ＸＩ（図１０）、線ＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ（図１２）、線ＸＶ－ＸＶ（図１４）および線ＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ（図１６）に沿う概略的な部分断面図である。また図１８は、第７工程を概略的に示す部分断面図である。
【0027】
図６および図７を参照して、複数のグリーンシートが積層されることによって、セラミックグリーン部１００Ｇが形成される。セラミックグリーン部１００Ｇは、後述される焼成工程によってセラミック部１００（図４）となる部分を含む。なお、図示は省略されているが、セラミックグリーン部１００Ｇには、セラミック部１００の内部配線（図示せず）となる部分が設けられていてよい。
【0028】
図８および図９を参照して、セラミックグリーン部１００Ｇに、厚み方向に沿って延在する貫通孔ＨＬが形成される。貫通孔ＨＬは、セラミック部１００の外縁ＥＯの少なくとも一部となる仮想線ＬＶにまたがっている。貫通孔ＨＬは、凹部ＣＣ（図３）となる部分を含む。貫通孔ＨＬは、金型を用いた機械加工によって形成される。なお変形例として、貫通孔ＨＬは、レーザ光を用いた加工によって形成されてもよい。
【0029】
図１０および図１１を参照して、金属ペーストの印刷によって、セラミックグリーン部１００Ｇ上に、シールメタライズグリーン層２１０Ｇと下面メタライズグリーン層２２０Ｇと側面メタライズグリーン層２３０Ｇとを含むメタライズグリーン部２００Ｇが形成される。メタライズグリーン部２００Ｇは、後述される焼成工程によってメタライズ部２００となる部分を含む。具体的には、シールメタライズグリーン層２１０Ｇ、下面メタライズグリーン層２２０Ｇおよび側面メタライズグリーン層２３０Ｇのそれぞれは、後述される焼成工程によって、シールメタライズ層２１０、下面メタライズ層２２０および側面メタライズ層２３０となる部分を含む。この結果、セラミック部１００となる部分を含むセラミックグリーン部１００Ｇと、メタライズ部２００となる部分を含むメタライズグリーン部２００Ｇと、を有するグリーン積層体５００Ｇが形成される。
【0030】
セラミックグリーン部１００Ｇと、メタライズグリーン部２００Ｇの側面メタライズグリーン層２３０Ｇと、の各々は、セラミック部１００の外縁ＥＯの少なくとも一部となる仮想線ＬＶ（図１０）にまたがっている。具体的には、セラミックグリーン部１００Ｇは仮想線ＬＶに貫通孔ＨＬ外において、またがっている。またメタライズグリーン部２００Ｇの側面メタライズグリーン層２３０Ｇは仮想線ＬＶに貫通孔ＨＬ内においてまたがっている。
【0031】
図１２および図１３を参照して、仮想線ＬＶ（図１０）に沿ってグリーン積層体５００ＧにトレンチＴＲが形成される。トレンチＴＲを形成する工程は、仮想線ＬＶに沿ってグリーン積層体５００Ｇに刃先を押し付けることによって行われる。なお変形例として、トレンチＴＲを形成する工程は、仮想線ＬＶに沿ってグリーン積層体５００Ｇにレーザ光を照射することによって行われてもよい。
【0032】
次に、グリーン積層体５００Ｇ（図１２および図１３）が焼成される。図１４および図１５を参照して、この焼成によって、セラミック部１００およびメタライズ部２００を含む焼成体５００が形成される。図１６および図１７を参照して、焼成体５００のメタライズ部２００がめっきされる。これにより、めっき層３００が形成される。
【0033】
図１８を参照して、上記めっき処理の後、トレンチＴＲを起点として焼成体５００にクラックが発生させられる。これによって、セラミック部１００がブレイクされつつ、メタライズ部２００の側面メタライズ層２３０の中間部分２３３の表面（破断面ＳＦ）が形成される。以上により、複数のパッケージ８０１が得られる。
【0034】
図１９は、比較例における電子機器９９０の構成を概略的に示す部分断面図である。本比較例においては、実施の形態における電子機器９００（図２）と異なり、側面メタライズ層２３０の側面全体に、めっき層３９０が設けられている。その結果、ろう材９３０を用いて蓋体９２０が取り付けられる際に、図中の矢印に示されているように、ろう材９３０が上面から側面へ不必要に多量に流れ出やすい。なお、ろう材９３０の、図中矢印で示された流れを途中で止めるための部材を追加したとすると、構成および製造方法が複雑化してしまう。
【0035】
また図示は省略するが他の比較例として、図３に類した平面視において、セラミック部１００の枠部に、外縁ＥＯおよびキャビティＣＶのいずれもから離れた貫通孔を形成し、当該貫通孔内に上面Ｐ１と下面Ｐ２とを電気的に接続するための導体部材を形成することが考えられる。この場合、貫通孔の大きさは枠部の幅に比して十分に小さい必要がある。よって、枠部の幅が小さい場合、貫通孔を形成する処理の難易度が高い。例えば、微小ピンを有する金型を用いた機械加工の場合、微小な貫通孔に対応する微小なピンは、容易に折れてしまいやすい。金型に代わってレーザ光を用いる場合は、生産性がかなり低下してしまう。さらに、仮に微小な貫通孔を形成することができたとしても、その中に導体部材を充填する処理の難易度が高い。
【0036】
本実施の形態のパッケージ８０１によれば、第１に、メタライズ部２００（図４）は、シール面ＳＳ上に設けられたシールメタライズ層２１０と、セラミック部１００の下面Ｐ２上に設けられた下面メタライズ層２２０と、セラミック部１００の側面Ｐ３上に設けられた側面メタライズ層２３０とを含む。これによって、シールメタライズ層２１０が配置された上面Ｐ１と、下面メタライズ層２２０が配置された下面Ｐ２と、の間の電気的接続を確保することができる。第２に、溶融状態にあるろう材９３０（図２）への濡れ性が高い金属材料からなるめっき層３００が、メタライズ部２００のシールメタライズ層２１０を被覆しつつも、メタライズ部２００の側面メタライズ層２３０の中間部分２３３は被覆していない。これによって、比較例（図１９）とは異なり、ろう材９３０が上面から側面へ不必要に多量に流れ出ることを防止することができる。以上から、上面Ｐ１と下面Ｐ２との間の電気的接続を確保しつつ、ろう材９３０が上面から側面へ不必要に多量に流れ出ることを防止することができる。
【0037】
上方めっき層３１０（図４）は側面メタライズ層２３０の上方部分２３１を被覆している。これにより、シールメタライズ層２１０の縁からろう材９３０（図２）が容易に流れ出る範囲は、側面メタライズ層２３０の上方部分２３１の範囲に限られる。よって、側面メタライズ層２３０の上方部分２３１の寸法を十分に小さくすることによって、ろう材９３０が流れ出る量を抑えることができる。さらに、ろう材９３０がシールメタライズ層２１０の縁から若干は拡がることによって、ろう材９３０がめっき層３００に、より強固に接合される。なお、側面メタライズ層２３０の中間部分２３３の表面が焼成工程後のブレイク工程（図１８）によって形成され、かつ、当該ブレイク工程の位置を規定するトレンチＴＲ（図１２）が焼成工程前に予め形成される場合、めっき層３００の形成は、焼成工程後かつブレイク工程前のめっき工程（図１７）によって行うことが効率的である。この場合、めっき層３００のうちトレンチＴＲ内に形成された部分が、側面メタライズ層２３０の上方部分２３１を被覆する部分に対応する。よって、めっき層３００が側面メタライズ層２３０の上方部分２３１を被覆していることを許容することによって、本実施の形態におけるめっき層３００を、効率的に形成することができる。
【0038】
上方めっき層３１０は、厚みが徐々に小さくなる端部（図４における右端部）を有している。これにより、端部におけるめっき層３００の剥離を抑制することができる。さらにめっき層３００が高価なＡｕからなる場合、原料費を削減できる。なお、側面メタライズ層２３０の中間部分２３３の表面が焼成工程後のブレイク工程（図１８）によって形成され、かつ、当該ブレイク工程の位置を規定するトレンチＴＲ（図１２）が焼成工程前に予め形成される場合、めっき層３００の形成は、焼成工程後かつブレイク工程前のめっき工程（図１７）によって行うことが効率的である。この場合、完成されたパッケージ８０１が有するめっき層３００の端部となる部分は、めっき工程の時点ではトレンチＴＲの底部に位置する。トレンチＴＲの底部ではめっきが進行しにくくなることから、めっき層３００は、厚みが徐々に小さくなる端部を有することになる。よって、めっき層３００が、厚みが徐々に小さくなる端部を有することを許容することによって、本実施の形態におけるめっき層３００を、効率的に形成することができる。
【0039】
側面メタライズ層２３０は、セラミック部１００の外縁ＥＯ（図３）に関して、第１の角Ｎ１および第２の角Ｎ２から離れて一の辺に接している。外縁ＥＯの角においては側面メタライズ層２３０の剥がれが起きやすいところ、当該構成によってそれを抑制することができる。特に、セラミック部１００の外縁ＥＯを形成するためのブレイク工程（図１８）に起因しての側面メタライズ層２３０へのダメージを、側面メタライズ層２３０が外縁ＥＯの角に位置する場合に比して、抑えることができる。ただしこの効果が特に必要ない場合は、すなわち側面メタライズ層２３０とセラミック部１００との間の密着強度が十分に高い場合は、側面メタライズ層２３０の配置はこれに限定されるものではなく、側面メタライズ層２３０は角に配置されてもよい。
【0040】
側面メタライズ層２３０の中間部分２３３の表面は破断面ＳＦ（図１８）である。これにより、当該表面をブレイク工程によって形成することができる。
【0041】
側面メタライズ層２３０は、外縁ＥＯ（図３）の凹部ＣＣに配置されている。これにより、側面メタライズ層２３０がセラミック部１００の外縁ＥＯから突出してしまうことが避けられる。
【0042】
凹部ＣＣ（図３）は、側面メタライズ層２３０の中間部分２３３（図４）が配置された高さ範囲においては、側面メタライズ層２３０によって埋め尽くされている。これにより、凹部ＣＣを埋め尽くす部材として、側面メタライズ層２３０以外の部材を形成する必要がない。なお、凹部ＣＣが埋め尽くされていることによって、蓋体９２０が接合される領域が凹部ＣＣに起因して小さくなり封止不良が生じるようになることが避けられる。さらに、剛性が高まるため、凹部ＣＣを起点とした、キャビティＣＶを囲む枠部の破壊も、防止できる。このことは、セラミック部１００の、キャビティＣＶを囲む枠部の幅寸法が、凹部ＣＣから離れた場所においても１００μｍ以下しかない場合に効果的である。なお、枠部の幅寸法を１００μｍ以下とすることは、特に、１ｍｍ四方の領域に包含される程度に小さい外縁ＥＯを有する超小型パッケージにおいて、設計上、要請されることが多い。このような超小型パッケージは、典型的には、電子部品９１０（図１）が、（電極が設けられた）超小型水晶ブランクである場合に、求められる。
【0043】
本実施の形態のパッケージ８０１の製造方法によれば、パッケージ８０１を簡素な方法によって製造することができる。具体的には、ブレイク工程にともなって形成される破断面ＳＦ（図１８）が、ろう材９３０のさらなる流れを抑制する面として利用される。よって、ろう材９３０の流れを抑制するための特別の部材を形成する必要がない。また、貫通孔ＨＬ（図８および図９）は、分割されることによってキャスタレーション電極用の凹部ＣＣ（図３）となる。よって、貫通孔ＨＬの径は、本実施の形態と異なり外縁ＥＯおよびキャビティＣＶのいずれもから離れた貫通孔をセラミック部１００の枠部にスルーホール電極用に形成する場合に比べて、比較的、大きく設定できる。よって、貫通孔ＨＬを形成するための金型のピンの径も大きく設定できる。よって貫通孔ＨＬは、金型を用いた機械加工によって容易に形成することができる。これにより、レーザ加工が用いられる場合に比して、生産性を高めることができる。
【0044】
本実施の形態の電子機器９００の製造方法によれば、まず、パッケージ８０１が上記のように製造される。次に、パッケージ８０１の電極パッド４００に電子部品９１０が接合される。次に、パッケージ８０１へ、ろう材９３０を用いて蓋体９２０が、ろう付けによって取り付けられる。これにより、電子機器９００が得られる。ろう付けは、公知の方法によって行われてよく、その場合、ろう材９３０としては、Ａｕ合金、特にＡｕ－Ｓｎ合金、を用いるのが典型的である。ただし、ろう付け方法はこれに限定されるものではなく、例えば、次のように行われてよい。まず、蓋体９２０の一方の面上に、Ａｇ－Ｃｕ合金からなるろう材の層が形成される。次に、ろう材の層がシールメタライズ層２１０に接するように、ろう材の層が設けられた蓋体９２０が、シールメタライズ層２１０上に載置される。次に、通電加熱によって、ろう材が溶融される。これにより、電子機器９００が得られる。
【0045】
なお電子機器９００（図２）は、前述したように下面Ｐ２上に設けられた電極パッド（図示せず）を用いて、外部基板（図示せず）上に実装されることになる。この実装において電極パッドは、外部基板へはんだを用いて接合される。このはんだ接合において、仮に、はんだが下面から側面へと不必要に流れ出てしまったとすると、電極パッドと外部基板との間の接合が不良となりやすい。本実施の形態によれば、溶融状態にあるはんだへの濡れ性が高い金属材料からなるめっき層３００が、メタライズ部２００の下面メタライズ層２２０を被覆しつつも、メタライズ部２００の側面メタライズ層２３０の中間部分２３３は被覆していない。これにより、溶融状態にあるはんだが下面から側面へ不必要に流れ出ることを防止することができる。
【0046】
＜実施の形態２＞
図２０は、本実施の形態２におけるパッケージ８０２の構成を概略的に示す平面図である。図２１は、図２０の線ＸＸＩ－ＸＸＩに沿う概略的な部分断面図である。本実施の形態においては、凹部ＣＣは、側面メタライズ層２３０の中間部分２３３が配置された高さ範囲においては、側面メタライズ層２３０および充填部１５０によって埋め尽くされている。充填部１５０は、側面メタライズ層２３０を介してセラミック部１００に面しており、セラミックからなる。充填部１５０の材料の主成分は、セラミック部１００の材料の主成分と同様であることが好ましい。例えば、充填部１５０およびセラミック部１００が共にアルミナからなっていてよく、あるいは、充填部１５０およびセラミック部１００が共に窒化アルミニウムからなっていてよい。充填部１５０の表面は、焼成面ではなく破断面ＳＧである。なお、図２１に示された断面は線ＸＸＩ－ＸＸＩ（図２０）に沿うものであるところ、線Ａ－Ａ（図２０）に沿う部分断面（図示せず）は、図４（実施の形態１）とおおよそ同様である。
図２０は、本実施の形態２におけるパッケージ８０２の構成を概略的に示す平面図である。図２１は、図２０の線ＸＸＩ－ＸＸＩに沿う概略的な部分断面図である。本実施の形態においては、凹部ＣＣは、側面メタライズ層２３０の中間部分２３３が配置された高さ範囲においては、側面メタライズ層２３０および充填部１５０によって埋め尽くされている。充填部１５０は、側面メタライズ層２３０を介してセラミック部１００に面しており、セラミックからなる。充填部１５０の材料の主成分は、セラミック部１００の材料の主成分と同様であることが好ましい。例えば、充填部１５０およびセラミック部１００が共にアルミナからなっていてよく、あるいは、充填部１５０およびセラミック部１００が共に窒化アルミニウムからなっていてよい。充填部１５０の表面は、焼成面ではなく破断面ＳＧである。なお、図２１に示された断面は線ＸＸＩ－ＸＸＩ（図２０）に沿うものであるところ、線Ａ－Ａ（図２０）に沿う部分断面（図示せず）は、図４（実施の形態１）とおおよそ同様である。
【0047】
次に、複数のパッケージ８０２を一括して製造する方法について、以下に説明する。なお、前述した実施の形態１における第１および第２工程（図６～図９）は、本実施の形態においても共通して行われるので、その説明を省略する。図２２、図２４、図２６、図２８、図３０および図３２のそれぞれは、第３～第８工程を概略的に示す部分平面図である。また、図２３、図２５、図２７、図２９、図３１および図３３のそれぞれは、線ＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ（図２２）、線ＸＸＶ－ＸＸＶ（図２４）、線ＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ（図２６）、線ＸＸＩＸ－ＸＸＩＸ（図２８）、線ＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ（図３０）および線ＸＸＸＩＩＩ－ＸＸＸＩＩＩ（図３２）に沿う概略的な部分断面図である。また図３４は、第９工程を概略的に示す部分断面図である。
【0048】
図２２および図２３を参照して、金属ペーストの印刷によって、貫通孔ＨＬを部分的にのみ充填するように、セラミックグリーン部１００Ｇの貫通孔ＨＬの内面上に側面メタライズグリーン層２３０Ｇが形成される。図２４および図２５を参照して、次に、セラミックペーストの印刷によって、貫通孔ＨＬが埋め尽くされるように、側面メタライズグリーン層２３０Ｇを介して貫通孔ＨＬに充填グリーン部１５０Ｇが充填される。図２６および図２７を参照して、金属ペーストの印刷によって、セラミックグリーン部１００Ｇ上に、シールメタライズグリーン層２１０Ｇと下面メタライズグリーン層２２０Ｇとが形成される。以上、図２２～図２７の工程によって、セラミックグリーン部１００Ｇ上に、メタライズ部２００となる部分を含むメタライズグリーン部２００Ｇが形成される。この結果、セラミック部１００となる部分を含むセラミックグリーン部１００Ｇと、メタライズ部２００となる部分を含むメタライズグリーン部２００Ｇと、充填部１５０となる部分を含む充填グリーン部１５０Ｇと、を有するグリーン積層体５００Ｇが形成される。
【0049】
セラミックグリーン部１００Ｇと、メタライズグリーン部２００Ｇの側面メタライズグリーン層２３０Ｇと、充填グリーン部１５０Ｇと、の各々は、仮想線ＬＶ（図１０）にまたがっている。具体的には、セラミックグリーン部１００Ｇは仮想線ＬＶに貫通孔ＨＬ外においてまたがっている。また側面メタライズグリーン層２３０Ｇおよび充填グリーン部１５０Ｇの各々は仮想線ＬＶに貫通孔ＨＬ内においてまたがっている。
【0050】
図２８および図２９を参照して、仮想線ＬＶ（図２６）に沿ってグリーン積層体５００ＧにトレンチＴＲが形成される。トレンチＴＲを形成する工程は、仮想線ＬＶに沿ってグリーン積層体５００Ｇに刃先を押し付けることによって行われる。トレンチＴＲが刃先を用いて形成される場合、シールメタライズグリーン層２１０Ｇは、図２９に示されているように、トレンチＴＲの側面上にまで延ばされやすい。これは、トレンチＴＲが形成される際に、シールメタライズグリーン層２１０Ｇが刃先に巻き込まれるからである。その結果、後述するめっき工程（図３２および図３３）において、セラミックからなる充填部１５０の表面上にもめっき層３００が形成されやすくなる。
【0051】
【0052】
【0053】
図３４を参照して、上記めっきの後、トレンチＴＲを起点として焼成体５００にクラックが発生させられる。これによって、セラミック部１００および充填部１５０がブレイク（スナップ）されつつ、メタライズ部２００の側面メタライズ層２３０の中間部分２３３の表面（図２０における破断面ＳＦ）が形成される。以上により、複数のパッケージ８０２が得られる。
【0054】
なお、上記以外については、上述した実施の形態１とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【0055】
本実施の形態のパッケージ８０２によれば、凹部ＣＣ（図２０）は、側面メタライズ層２３０の中間部分２３３（図２１）が配置された高さ範囲においては、側面メタライズ層２３０と、側面メタライズ層２３０を介してセラミック部１００に面しセラミックからなる充填部１５０と、によって埋め尽くされている。これにより、側面メタライズ層２３０を充填部１５０によって保護することができる。また、凹部ＣＣとなる部分を含む貫通孔ＨＬ内に、セラミックからなる充填部１５０（図３３）が形成されるので、枠部を構成する材料がセラミックである割合が高くなり均質性が高まるため、ブレイク工程（図３４）における凹部ＣＣ内でのクラックを、より安定的に発生させることができる。
【0056】
本実施の形態のパッケージ８０２の製造方法によれば、トレンチＴＲ（図２９）が刃先を用いて形成される。これにより、前述したように、シールメタライズグリーン層２１０ＧがトレンチＴＲの側面上にまで延ばされやすい。シールメタライズグリーン層２１０ＧがトレンチＴＲの側面上にまで延びる結果、パッケージ８０２のシールメタライズ層２１０もトレンチＴＲの側面上にまで延びる。これにより、図４（実施の形態１）の場合と同様に、トレンチＴＲの側面上において厚みが徐々に小さくなる端部を有する上方めっき層３１０（図２１）を得ることができる。
【0057】
＜実施の形態２の変形例＞
図３５は、図２９の工程の変形例を概略的に示す部分断面図である。図２９の工程においてはトレンチＴＲが刃先を用いて形成されるが、本変形例においては、トレンチＴＲがレーザ加工（すなわち、レーザ光の照射）によって形成される。この場合は、図２９の場合とは異なり、シールメタライズグリーン層２１０ＧがトレンチＴＲの側面上にまでは延びにくい。本変形例によれば、刃先に代わってレーザ光を用いることによって、微細なトレンチＴＲを形成することができる。
図３５は、図２９の工程の変形例を概略的に示す部分断面図である。図２９の工程においてはトレンチＴＲが刃先を用いて形成されるが、本変形例においては、トレンチＴＲがレーザ加工（すなわち、レーザ光の照射）によって形成される。この場合は、図２９の場合とは異なり、シールメタライズグリーン層２１０ＧがトレンチＴＲの側面上にまでは延びにくい。本変形例によれば、刃先に代わってレーザ光を用いることによって、微細なトレンチＴＲを形成することができる。
【0058】
＜実施の形態３＞
図３６は、本実施の形態３におけるパッケージ８０１Ｍの構成を概略的に示す部分断面図である。本実施の形態においては、側面メタライズ層２３０の中間部分２３３には、メタライジング材料の酸化物からなる表面酸化膜２３３Ｘが設けられている。表面酸化膜２３３Ｘは、中間部分２３３の自然酸化膜であってよい。なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態１（図４）の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
図３６は、本実施の形態３におけるパッケージ８０１Ｍの構成を概略的に示す部分断面図である。本実施の形態においては、側面メタライズ層２３０の中間部分２３３には、メタライジング材料の酸化物からなる表面酸化膜２３３Ｘが設けられている。表面酸化膜２３３Ｘは、中間部分２３３の自然酸化膜であってよい。なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態１（図４）の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【0059】
本実施の形態によっても、実施の形態１とほぼ同様の効果が得られる。さらに、本実施の形態によれば、ろう材９３０への中間部分２３３の濡れ性を、表面酸化膜２３３Ｘによって、より低くすることができる。特に、表面酸化膜２３３Ｘが中間部分２３３の自然酸化膜である場合、表面酸化膜２３３Ｘを容易に形成することができる。
【0060】
＜実施の形態４＞
図３７は、本実施の形態４におけるパッケージ８０２Ｍの構成を概略的に示す平面図である。本実施の形態においては、側面メタライズ層２３０の中間部分２３３には、メタライジング材料の酸化物からなる表面酸化膜２３３Ｘが設けられている。表面酸化膜２３３Ｘは、中間部分２３３の自然酸化膜であってよい。なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態２の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
図３７は、本実施の形態４におけるパッケージ８０２Ｍの構成を概略的に示す平面図である。本実施の形態においては、側面メタライズ層２３０の中間部分２３３には、メタライジング材料の酸化物からなる表面酸化膜２３３Ｘが設けられている。表面酸化膜２３３Ｘは、中間部分２３３の自然酸化膜であってよい。なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態２の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【0061】
本実施の形態によっても、実施の形態２とほぼ同様の効果が得られる。さらに、本実施の形態によっても、上述した実施の形態３特有の効果と同様の効果が得られる。
【0062】
＜実施の形態５＞
図３８は、本実施の形態５における電子機器９００Ｍの構成を、図２（電子機器９００：実施の形態１）に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。電子機器９００Ｍは、電子機器９００が有する部材に加えて、金属枠体９４０を有している。金属枠体９４０の形状は、平面視において、シールメタライズ層２１０の形状とほぼ同じである。よって金属枠体９４０は平面視においてキャビティＣＶを囲んでいる。
図３８は、本実施の形態５における電子機器９００Ｍの構成を、図２（電子機器９００：実施の形態１）に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。電子機器９００Ｍは、電子機器９００が有する部材に加えて、金属枠体９４０を有している。金属枠体９４０の形状は、平面視において、シールメタライズ層２１０の形状とほぼ同じである。よって金属枠体９４０は平面視においてキャビティＣＶを囲んでいる。
【0063】
金属枠体９４０は、セラミックと熱膨張係数が近似する金属からなることが好ましく、具体的には主成分としてＦｅ（鉄）およびＮｉ（ニッケル）を含む合金からなることが好ましく、例えばＦｅ－Ｎｉ－Ｃｏ（コバルト）系合金またはＦｅ－Ｎｉ系合金からなる。
【0064】
次に、電子機器９００Ｍの製造方法について説明する。まず、前述した実施の形態１において説明されたパッケージ８０１が準備される。次に、パッケージ８０１のシールメタライズ層２１０に金属枠体９４０がろう材９３０を用いて取り付けられる。言い換えれば、シールメタライズ層２１０に金属枠体９４０がろう付けされる。ろう付けの方法は、前述した実施の形態１またはその変形例においてシールメタライズ層２１０に蓋体９２０をろう付けする方法と同様であってよい。特に本実施の形態においては、ろう材９３０の材料は、Ａｇ－Ｃｕ合金であることが好ましい。次に、金属枠体９４０上に蓋体９２０が取り付けられる。この取り付けは、溶接によって行われることが好ましい。
【0065】
本実施の形態においては、蓋体９２０は、ろう材９３０と、ろう材９３０にろう付けされた金属枠体９４０と、を用いてパッケージ８０１に取り付けられる。言い換えれば、パッケージ８０１は、ろう材９３０と、ろう材９３０にろう付けされた金属枠体９４０と、を用いて蓋体９２０が取り付けられることになるパッケージである。よって本実施の形態においては、パッケージ８０１のシール面ＳＳは、金属枠体９４０を介して蓋体９２０を支持するためのものである。
【0066】
なお変形例として、電子機器９００Ｍにおけるパッケージ８０１が、パッケージ８０１以外の、前述した実施の形態１～４およびその変形例のいずれかのパッケージに置き換えられてもよい。
【0067】
上述した実施の形態および変形例は、互いに自由に組み合わされてよい。この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【符号の説明】
【0068】
１００ ：セラミック部
１００Ｇ ：セラミックグリーン部
１５０ ：充填部
１５０Ｇ ：充填グリーン部
２００ ：メタライズ部
２００Ｇ ：メタライズグリーン部
２１０ ：シールメタライズ層
２１０Ｇ ：シールメタライズグリーン層
２２０ ：下面メタライズ層
２２０Ｇ ：下面メタライズグリーン層
２３０ ：側面メタライズ層
２３０Ｇ ：側面メタライズグリーン層
２３１ ：上方部分
２３２ ：下方部分
２３３ ：中間部分
２３３Ｘ ：表面酸化膜
３００ ：めっき層（金属層）
３１０ ：上方めっき層
３２０ ：下方めっき層
５００ ：焼成体
５００Ｇ ：グリーン積層体
８０１，８０１Ｍ，８０２，８０２Ｍ：パッケージ
９００，９００Ｍ：電子機器
９１０ ：電子部品
９２０ ：蓋体
９４０ ：金属枠体
９３０ ：ろう材
ＣＣ ：凹部
ＣＶ ：キャビティ
ＥＯ ：外縁
ＨＬ ：貫通孔
ＬＶ ：仮想線
Ｎ１，Ｎ２：第１および第２の角
Ｐ１ ：上面
Ｐ２ ：下面
Ｐ３ ：側面
ＳＦ ：破断面
ＳＧ ：破断面
ＳＳ ：シール面
ＴＲ ：トレンチ
１００Ｇ ：セラミックグリーン部
１５０ ：充填部
１５０Ｇ ：充填グリーン部
２００ ：メタライズ部
２００Ｇ ：メタライズグリーン部
２１０ ：シールメタライズ層
２１０Ｇ ：シールメタライズグリーン層
２２０ ：下面メタライズ層
２２０Ｇ ：下面メタライズグリーン層
２３０ ：側面メタライズ層
２３０Ｇ ：側面メタライズグリーン層
２３１ ：上方部分
２３２ ：下方部分
２３３ ：中間部分
２３３Ｘ ：表面酸化膜
３００ ：めっき層（金属層）
３１０ ：上方めっき層
３２０ ：下方めっき層
５００ ：焼成体
５００Ｇ ：グリーン積層体
８０１，８０１Ｍ，８０２，８０２Ｍ：パッケージ
９００，９００Ｍ：電子機器
９１０ ：電子部品
９２０ ：蓋体
９４０ ：金属枠体
９３０ ：ろう材
ＣＣ ：凹部
ＣＶ ：キャビティ
ＥＯ ：外縁
ＨＬ ：貫通孔
ＬＶ ：仮想線
Ｎ１，Ｎ２：第１および第２の角
Ｐ１ ：上面
Ｐ２ ：下面
Ｐ３ ：側面
ＳＦ ：破断面
ＳＧ ：破断面
ＳＳ ：シール面
ＴＲ ：トレンチ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】