(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022012039
(43)【公開日】2022-01-17
(54)【発明の名称】電圧レギュレータ回路
(51)【国際特許分類】
H02J 1/00 20060101AFI20220107BHJP
G05F 1/56 20060101ALI20220107BHJP
【FI】
H02J1/00 309P
G05F1/56 320C
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2020113570
(22)【出願日】2020-06-30
(71)【出願人】
【識別番号】000191238
【氏名又は名称】新日本無線株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】000237592
【氏名又は名称】株式会社デンソーテン
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】特許業務法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】横田 猛昭
(72)【発明者】
【氏名】榎本 光浩
(72)【発明者】
【氏名】久米 正義
(72)【発明者】
【氏名】小宮 基樹
(72)【発明者】
【氏名】榎本 大舗
【テーマコード(参考)】
5G165
5H430
【Fターム(参考)】
5G165BB07
5G165DA01
5G165EA02
5G165EA04
5G165FA01
5G165GA04
5G165NA05
5H430BB01
5H430BB09
5H430BB11
5H430CC02
5H430CC06
5H430EE02
5H430FF04
5H430FF13
5H430GG01
5H430HH03
5H430LA01
(57)【要約】
【課題】電源回路の入出力間の電位差が逆転した場合であっても、出力側から入力側への電流の逆流を防止することができる電圧レギュレータ回路を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る電圧レギュレータ回路は、スイッチ回路と、スイッチ回路を介して外部電源に接続され、第1の負荷に接続され、外部電源から供給される入力電圧を用いて、第1の負荷へ所定の電圧を出力する第1の電源回路と、外部電源及び第1の負荷に接続され、外部電源から供給される入力電圧を用いて、第1の負荷へ所定の電圧を出力する第2の電源回路とを備え、第1の電源回路は、入力側がスイッチ回路を介さずに外部電源に接続され、外部電源から供給される入力電圧を用いてリーク電流を補償するための電流を発生する電流補償回路を有する。
【選択図】
図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
導通状態及び非導通状態を切り替えるスイッチ回路と、
第1の入力端子が前記スイッチ回路を介して外部電源に接続するための第1の外部入力端子に電気的に接続され、第1の出力端子が第1の負荷に接続するための第1の外部出力端子に電気的に接続され、前記第1の外部入力端子から前記第1の入力端子に供給される入力電圧を用いて、前記第1の出力端子から前記第1の外部出力端子へ所定の電圧を出力する第1の電源回路と、
第2の入力端子が外部電源に接続するための第2の外部入力端子に電気的に接続され、第2の出力端子が前記第1の外部出力端子に電気的に接続され、前記第2の外部入力端子から前記第2の入力端子に供給される入力電圧を用いて、前記第2の出力端子から前記第1の外部出力端子へ所定の電圧を出力する第2の電源回路と
を備え、
前記第1の電源回路は、入力側が前記スイッチ回路を介さずに前記第1の外部入力端子に電気的に接続され、前記第1の外部入力端子から供給される入力電圧を用いてリーク電流を補償するための電流を発生する電流補償回路を有する、
電圧レギュレータ回路。
【請求項2】
前記第1の電源回路は、前記入力電圧を用いて前記所定の電圧を出力する出力トランジスタを有し、
前記電流補償回路は、前記リーク電流を補償するための電流を前記出力トランジスタのベース端子に供給する、
請求項1に記載の電圧レギュレータ回路。
【請求項3】
前記第1の電源回路は、前記第1の入力端子と、前記出力トランジスタの前段に設けられるアンプとの間に、前記第1の入力端子から前記出力トランジスタのベース端子へ流れる電流が寄生ダイオードの順方向になるよう電気的に接続され、前記第1の外部入力端子から前記第1の入力端子に前記入力電圧が供給されないときにOFF状態に移行するトランジスタスイッチをさらに備える、請求項2に記載の電圧レギュレータ回路。
【請求項4】
前記第1の電源回路は、前記所定の電圧としての前記入力電圧の出力及び非出力を切り替えるMOSトランジスタを有し、
前記電流補償回路は、前記リーク電流を補償するための電流を前記MOSトランジスタのゲート端子に供給する、
請求項1に記載の電圧レギュレータ回路。
【請求項5】
前記第1の電源回路は、前記第1の入力端子と、前記MOSトランジスタの前段に設けられるドライバ回路との間に、前記第1の入力端子から前記MOSトランジスタのゲート端子へ流れる電流が寄生ダイオードの順方向になるよう電気的に接続され、前記第1の外部入力端子から前記第1の入力端子に前記入力電圧が供給されないときにOFF状態に移行するトランジスタスイッチをさらに備える、請求項4に記載の電圧レギュレータ回路。
【請求項6】
第3の入力端子が前記スイッチ回路を介して前記第1の外部入力端子に電気的に接続され、第3の出力端子が第2の負荷に接続するための第2の外部出力端子に電気的に接続され、前記第1の外部入力端子から前記第3の入力端子に供給される入力電圧を用いて、前記第3の出力端子から前記第2の外部出力端子へ所定の電圧を出力する第3の電源回路をさらに備える、請求項1から請求項5のうちのいずれか一項に記載の電圧レギュレータ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書の実施形態は、電圧レギュレータ回路に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、複数の負荷の各々に必要な電圧を供給するために、多チャンネルの電源を有する複合電源がある。また、複合電源からの電源電圧の常時供給が必要な負荷のために、冗長電源として構成される複合電源がある。
【0003】
このような中、複合電源においては、消費電力の削減や使用用途に応じた選択的な負荷への電圧供給のために、すべてのチャンネルの電源を常時動作させず、一部のチャンネルで電源電圧の供給を停止する場合がある。具体的には、複合電源において、一部のチャンネルの電源(電源回路)をスタンバイ状態にしたり、リレーやスイッチにより一部のチャンネルの電源ラインを切断したりする場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、冗長電源として構成された複合電源において、一部のチャンネルで電源電圧の供給を停止した場合、他の一部のチャンネルでの電源電圧の供給に起因して、停止された電源の入出力間電位差が逆転し、電流の逆流が生じる場合があった。電流の逆流が生じた場合、停止された電源回路の入力側に接続されている他の回路が誤動作する可能性がある。これらの電源は、電源回路、又は、電圧レギュレータ回路とも呼ばれる。以下、電源を、電源回路、又は、電圧レギュレータ回路と記載する場合がある。
【0006】
本発明の目的は、上記に鑑みてなされたものであって、電源回路の入出力間の電位差が逆転した場合であっても、出力側から入力側への電流の逆流を防止することができる電圧レギュレータ回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、実施形態に係る電圧レギュレータ回路は、導通状態及び非導通状態を切り替えるスイッチ回路と、第1の入力端子が前記スイッチ回路を介して外部電源に接続するための第1の外部入力端子に電気的に接続され、第1の出力端子が第1の負荷に接続するための第1の外部出力端子に電気的に接続され、前記第1の外部入力端子から前記第1の入力端子に供給される入力電圧を用いて、前記第1の出力端子から前記第1の外部出力端子へ所定の電圧を出力する第1の電源回路と、第2の入力端子が外部電源に接続するための第2の外部入力端子に電気的に接続され、第2の出力端子が前記第1の外部出力端子に電気的に接続され、前記第2の外部入力端子から前記第2の入力端子に供給される入力電圧を用いて、前記第2の出力端子から前記第1の外部出力端子へ所定の電圧を出力する第2の電源回路とを備え、前記第1の電源回路は、入力側が前記スイッチ回路を介さずに前記第1の外部入力端子に電気的に接続され、前記第1の外部入力端子から供給される入力電圧を用いてリーク電流を補償するための電流を発生する電流補償回路を有する。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、電源回路の入出力間の電位差が逆転した場合であっても、出力側から入力側への電流の逆流を防止することができる電圧レギュレータ回路を提供することができる。また、この電圧レギュレータ回路を用いることで、停止した電圧レギュレータ回路の入力側から、停止した電圧レギュレータ回路の入力側に接続された他の回路への電流の流入を防止することができる。したがって、冗長電源として構成された複合電源において、停止された電源回路の入力側に接続されている他の回路が誤動作することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【
図1】
図1は、第1の実施形態に係る複合電源(電圧レギュレータ回路)の構成の一例を示す図である。
【
図2】
図2は、
図1の複合電源(電圧レギュレータ回路)に搭載される電流補償回路の構成の一例を示す図である。
【
図3】
図3は、
図1の複合電源(電圧レギュレータ回路)に搭載されるアンプの内部回路の構成の一例を示す図である。
【
図4】
図4は、
図1の複合電源(電圧レギュレータ回路)におけるリーク電流のリーク経路について説明するための図である。
【
図5】
図5は、
図1の複合電源(電圧レギュレータ回路)に電流補償回路が搭載されない場合に生じる逆流について説明するための図である。
【
図6】
図6は、第2の実施形態に係る複合電源(電圧レギュレータ回路)の構成の別の一例を示す図である。
【
図7】
図7は、
図6の複合電源(電圧レギュレータ回路)に搭載されるゲートドライバ回路の内部回路の構成の一例を示す図である。
【
図8】
図8は、第1の実施形態に係る複合電源(電圧レギュレータ回路)に搭載されるリーク電流遮断回路の構成の一例を示す図である。
【
図9】
図9は、第2の実施形態に係る複合電源(電圧レギュレータ回路)に搭載されるリーク電流遮断回路の構成の一例を示す図である。
【
図10】
図10は、第1の実施形態および第2の実施形態に係る複合電源(電圧レギュレータ回路)に搭載される逆流遮断回路の構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、図面を参照しながら、電圧レギュレータ回路の実施形態について詳細に説明する。以下の実施形態では、同一の参照符号を付した部分は同様の動作を行うものとして、重複する説明は適宜省略する。
【0011】
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る複合電源1(電圧レギュレータ回路)の構成の一例を示す図である。複合電源1は、外部電源(メインバッテリ2,サブバッテリ3)から供給される入力電圧を用いて、複数の負荷4,5の各々に必要な電圧を供給するように構成される電圧レギュレータ回路である。複合電源1は、
図1に示すように、スイッチ回路S
1、複数の電源REG1,REG2,REG3及びダイオードD
1を有する。
【0012】
スイッチ回路S1は、導通状態及び非導通状態を切り替える回路である。スイッチ回路S1の一端は、外部入力端子VDD1及び電源REG1の電源端子OFFR1に電気的に接続される。スイッチ回路S1の他の一端は、電源REG1及び電源REG2に電気的に接続される。なお、スイッチ回路S1に代えて、リレー回路が利用されても構わない。
【0013】
電源REG1は、負荷4が必要とする電圧の一部を供給する電源回路である。電源REG1は、外部入力端子VDD1から供給される入力電圧を用いて外部出力端子OUT1へ所定の電圧を出力する。電源REG1の入力端子INR1は、スイッチ回路S1を介して、メインバッテリ2に接続するための外部入力端子VDD1に電気的に接続される。電源REG1の出力端子OUTR1は、ノードAを介して、外部出力端子OUT1に電気的に接続される。ノードAは、電源REG1の出力端子OUTR1と、ダイオードD1のカソードとを電気的に接続する接点である。ここで、電源REG1は、第1の電源回路の一例である。また、外部入力端子VDD1は、第1の外部入力端子の一例である。また、外部出力端子OUT1は、第1の外部出力端子の一例である。また、電源REG1の入力端子INR1は、第1の入力端子の一例である。また、電源REG1の出力端子OUTR1は、第1の出力端子の一例である。
【0014】
電源REG1は、
図1に示すように、アンプA
1、出力トランジスタQ
1、抵抗R
1、抵抗R
2、参照電圧源V
REF1及び電流補償回路OFFBIASを有する。
【0015】
アンプA1は、反転入力端子(-)と非反転入力端子(+)との間の電位差に応じた増幅結果(出力トランジスタQ1のベース駆動アナログ信号)を出力する演算増幅器である。アンプA1の反転入力端子(-)は、参照電圧源VREF1に電気的に接続される。アンプA1の非反転入力端子(+)は、抵抗R1と抵抗R2との間に電気的に接続される。アンプA1のVDD端子A1VDDは、電源REG1の入力端子INR1に電気的に接続される。アンプA1のVSS端子A1VSSは、グランド電位となるノード(接地線)に電気的に接続される。アンプA1の出力端子A1OUTは、出力トランジスタQ1のベース及び電流補償回路OFFBIASの出力端子OUTOFFに電気的に接続される。
【0016】
出力トランジスタQ1は、PNP型のバイポーラトランジスタである。出力トランジスタQ1のベースは、アンプA1の出力端子A1OUT及び電流補償回路OFFBIASの出力端子OUTOFFに電気的に接続される。出力トランジスタQ1のエミッタは、電源REG1の入力端子INR1及びアンプA1のVDD端子A1VDDに電気的に接続される。出力トランジスタQ1のコレクタは、電源REG1の出力端子OUTR1及び抵抗R1の抵抗R2との接続端とは反対側の一端に電気的に接続される。
【0017】
抵抗R1及び抵抗R2は、アンプA1の非反転入力端子(+)に入力される電位を発生する抵抗素子である。抵抗R1は、一端が出力トランジスタQ1のコレクタ及び電源REG1の出力端子OUTR1に電気的に接続され、他の一端が抵抗R2及びアンプA1の非反転入力端子(+)に電気的に接続される。抵抗R2は、一端が抵抗R1及びアンプA1の非反転入力端子(+)に電気的に接続され、他の一端がグランド電位となるノード(接地線)に電気的に接続される。
【0018】
参照電圧源VREF1は、アンプA1の反転入力端子(-)に入力される電位(参照電圧)を発生する電圧源である。参照電圧源VREF1は、正側の一端がアンプA1の反転入力端子(-)に電気的に接続され、負側の一端がグランド電位となるノード(接地線)に電気的に接続される。
【0019】
なお、抵抗R1の抵抗値、抵抗R2の抵抗値及び参照電圧源VREF1による参照電圧の値は、負荷4に応じて設定される電源REG1の所望の出力電圧VOUTR1を用いて、以下の式(1)により決定される。
VOUTR1=VREF1×(R1+R2)/R2 ・・・式(1)
【0020】
電流補償回路OFFBIASは、外部入力端子VDD1から供給される入力電圧を用いてリーク電流を補償するための電流を発生する回路である。
図2は、
図1の複合電源1(電圧レギュレータ回路)に搭載される電流補償回路OFFBIASの構成の一例を示す図である。電流補償回路OFFBIASは、
図2に示すように、NMOSトランジスタM
3及び抵抗R
3を有する。
【0021】
電流補償回路OFFBIASの入力端子INOFFは、電源REG1の電源端子OFFR1に電気的に接続される。ここで、電源REG1の電源端子OFFR1は、電流補償回路OFFBIASへ外部入力端子VDD1からの入力電圧を入力するために電源REG1に設けられた電源端子である。電源REG1の電源端子OFFR1は、電源REG1の入力端子INR1とは異なり、スイッチ回路S1を介さずに外部入力端子VDD1に電気的に接続される。具体的には、電源REG1の電源端子OFFR1は、電源REG1の入力端子INR1とは反対側のスイッチ回路S1の一端に電気的に接続される。つまり、電流補償回路OFFBIASの入力端子INOFFは、電源REG1の電源端子OFFR1を介して、外部入力端子VDD1に電気的に接続される。電流補償回路OFFBIASの出力端子OUTOFFは、アンプA1の出力端子A1OUT及び出力トランジスタQ1のベースに電気的に接続される。
【0022】
NMOSトランジスタM3は、デプレッショントランジスタである。NMOSトランジスタM3のドレインは、電流補償回路OFFBIASの入力端子INOFFに電気的に接続される。NMOSトランジスタM3のソースは、抵抗R3の一端に電気的に接続される。NMOSトランジスタM3のゲートは、ソースとの接続端とは反対側の抵抗R3の一端及び電流補償回路OFFBIASの出力端子OUTOFFに電気的に接続される。
【0023】
抵抗R3は、電流制限抵抗(抵抗素子)である。抵抗R3は、一端がNMOSトランジスタM3のソースに電気的に接続され、他の一端がNMOSトランジスタM3のゲート及び電流補償回路OFFBIASの出力端子OUTOFFに電気的に接続される。
【0024】
電源REG2は、負荷5が必要とする電圧を供給する電源回路である。電源REG2は、外部入力端子VDD1から供給される入力電圧を用いて外部出力端子OUT2へ所定の電圧を出力する。電源REG2の入力端子は、スイッチ回路S1を介して、メインバッテリ2に接続するための外部入力端子VDD1に電気的に接続される。電源REG2の出力端子は、外部出力端子OUT2に電気的に接続される。ここで、電源REG2は、第3の電源回路の一例である。また、電源REG2の入力端子は、第3の入力端子の一例である。また、電源REG2の出力端子は、第3の出力端子の一例である。また、外部出力端子OUT2は、第2の外部出力端子の一例である。
【0025】
電源REG3は、負荷4が必要とする電圧の一部を供給する電源回路である。電源REG3は、外部入力端子VDD2から供給される入力電圧を用いて外部出力端子OUT1へ所定の電圧を出力する。電源REG3の入力端子は、サブバッテリ3に接続するための外部入力端子VDD2に電気的に接続される。電源REG3の出力端子は、ダイオードD1及びノードAを介して、外部出力端子OUT1に電気的に接続される。ここで、電源REG3は、第2の電源回路の一例である。また、電源REG3の入力端子は、第2の入力端子の一例である。また、電源REG3の出力端子は、第2の出力端子の一例である。また、外部入力端子VDD2は、第2の外部入力端子の一例である。
【0026】
ダイオードD1は、ノードAから電源REG3への電流の逆流を遮断する回路素子である。ダイオードD1のアノードは、電源REG3の出力端子に電気的に接続される。ダイオードD1のカソードは、外部出力端子OUT1に電気的に接続される。
【0027】
メインバッテリ2及びサブバッテリ3は、それぞれ複合電源1に電源電圧を供給するための外部電源である。メインバッテリ2は、複合電源1の外部入力端子VDD1に電気的に接続される。サブバッテリ3は、複合電源1の外部入力端子VDD2に電気的に接続される。
【0028】
負荷4及び負荷5は、それぞれ複合電源1から供給される電源電圧を用いて動作する負荷である。負荷4は、消費電力を削減する要求や使用用途に応じて、必要とする電源電圧が変化する負荷であるとする。負荷4は、複合電源1の外部出力端子OUT1に電気的に接続される。負荷5は、必要とする電源電圧が変化しない負荷であるとする。負荷5は、複合電源1の外部出力端子OUT2に電気的に接続される。ここで、負荷4は、第1の負荷の一例である。また、負荷5は、第2の負荷の一例である。
【0029】
図3は、
図1の複合電源1(電圧レギュレータ回路)に搭載されるアンプA
1の内部回路の構成の一例を示す図である。
図3に示す例では、アンプA
1の入力段及び利得段については、アンプ入力段/利得段A11として簡略化して図示している。アンプ入力段/利得段A11の入力側は、反転入力端子(-)及び非反転入力端子(+)に電気的に接続される。また、アンプ入力段/利得段A11の出力側は、NMOSトランジスタM
4及びPMOSトランジスタM
5の各ゲートにそれぞれ電気的に接続される。PMOSトランジスタM
5のソースは、アンプA
1のVDD端子A1
VDDに電気的に接続される。NMOSトランジスタM
4及びPMOSトランジスタM
5の各ドレインと、アンプA
1の出力端子A1
OUTとは、電気的に接続される。NMOSトランジスタM
4のソースは、アンプA
1のVSS端子A1
VSSを介してグランド電位となるノード(接地線)に電気的に接続される。
【0030】
上述したように、第1の実施形態に係る複合電源1は、冗長電源として構成されている。冗長電源として構成された複合電源1においては、消費電力の削減や使用用途に応じた選択的な負荷への電圧供給のために、すべてのチャンネルの電源REG1,REG2,REG3を常時動作させず、一部のチャンネルの電源REG1,REG2で電源電圧の供給を停止することができる。具体的には、複合電源1において、一部のチャンネルの電源REG1,REG2をスタンバイ状態にしたり、スイッチ回路S1により一部のチャンネルの電源ライン、すなわち外部入力端子VDD1と一部の電源REG1,REG2との間の接続を切断したりすることができる。これにより、実施形態に係る複合電源1は、負荷5への電源電圧の供給を停止する一方で、サブバッテリ3からの入力電圧を用いる電源REG3により負荷4への電源電圧の供給を継続することができる。
【0031】
しかしながら、冗長電源として構成された複合電源1において負荷5への電源電圧の供給を停止する一方で、負荷4への電源電圧の供給を継続する場合、電源REG1の入出力間電位差が逆転してしまう場合がある。ここで、電源REG1の入出力間電位差は、電源REG1の入力端子INR1と、電源REG1の出力端子OUTR1との間の電位差を言う。具体的には、スイッチ回路S1をOFFにすると、電源REG1及び電源REG2には外部入力端子VDD1からの入力電圧が供給されない。一方で、電源REG3には外部入力端子VDD2からの入力電圧が供給される。このため、電源REG3の出力電圧によりノードAの電位が高まり、電源REG1の入出力間電位差が逆転してしまう場合がある。
【0032】
電源REG1の入出力間電位差が逆転した場合に出力トランジスタQ1の逆流を防止するためには、すなわち出力トランジスタQ1のOFF状態を保持するためには、出力トランジスタQ1のベース電圧より電源REG1の出力端子OUTR1の電位が高くならないように、ベース電流を制御する必要がある。
【0033】
図4は、
図1の複合電源1(電圧レギュレータ回路)におけるリーク電流I
A1-LEAKのリーク経路L1,L2,L3について説明するための図である。
図4に示す例において、回路素子E1,E2,E3は、アンプA
1の内部回路である。ここで、回路素子E1は、
図3のNMOSトランジスタM
4に対応する。また、回路素子E2は、
図3のPMOSトランジスタM
5に対応する。また、回路素子E3は、
図3のアンプ入力段/利得段A11に対応する。回路素子E4は、電源REG2の内部回路である。具体的には、回路素子E4は、電源REG2のVDD端子REG2
VDD及び電源REG2のVSS端子REG2
VSSに電気的に接続される。電源REG2のVDD端子REG2
VDDは、スイッチ回路S
1を介さずに、少なくとも電源REG1の入力端子IN
R1に電気的に接続される。一例として、電源REG2のVDD端子REG2
VDDは、スイッチ回路S
1を介して、メインバッテリ2に接続するための外部入力端子VDD1に電気的に接続される。また、電源REG2のVSS端子REG2
VSSは、グランド電位となるノード(接地線)に電気的に接続される。
【0034】
図4に示す例において、リーク経路L1は、アンプA
1の出力端子A1
OUTから回路素子E1を介してグランド電位となるVSS端子A1
VSSへ向かうリーク電流I
A1-LEAKの経路である。また、リーク経路L2は、アンプA
1の出力端子A1
OUTから回路素子E2及び回路素子E3を介してグランド電位となるVSS端子A1
VSSへ向かうリーク電流I
A1-LEAKの経路である。また、リーク経路L3は、アンプA
1の出力端子A1
OUTから回路素子E2及び回路素子E4を介してグランド電位となる電源REG2のVSS端子REG2
VSSへ向かうリーク電流I
A1-LEAKの経路である。
【0035】
図5は、
図1の複合電源1(電圧レギュレータ回路)に電流補償回路OFFBIASが搭載されない場合に生じる逆流について説明するための図である。
図5に示す複合電源1は、
図1に示す複合電源1の電源REG1が電源REG1´に変更された構成を有する。ここで、電源REG1´は、電流補償回路OFFBIASを有していないこと以外は、電源REG1と同様である。
図5に示すように、電流補償回路OFFBIASが搭載されない場合には、アンプA
1の出力にリーク経路が存在していると、リーク電流I
A1-LEAKにより出力トランジスタQ
1をOFFできず、電源REG1´の入出力間電位差の逆転に伴い、出力トランジスタQ
1が動作する。
【0036】
具体的には、スイッチ回路S
1が切断された場合、アンプA
1のVDD端子A1
VDDの電圧はグランド電位と同電位になる。また、入力電圧が印可されていないため、
図3に示すように、NMOSトランジスタM
4及びPMOSトランジスタM
5は、OFF状態となる。このとき、電源REG1の入出力間電位差の逆転により、出力トランジスタQ
1のコレクタ電位がエミッタ電位より高く、かつ、アンプA
1の出力からのリーク電流I
A1-LEAKにより、出力トランジスタQ
1のベース電位が電源REG1´の出力端子OUT
R1の電位(出力トランジスタQ
1のコレクタ電位)より低くなる。このため、出力トランジスタQ
1がON状態となり、外部入力端子VDD1からの入力電圧が電源REG1´に供給されている場合とは逆方向、すなわち出力トランジスタQ
1のコレクタからエミッタへの逆流が生じる。逆流が生じた場合、電源REG1´の入力側(電源REG1´の入力端子IN
R1)の電圧が上昇し、スタンバイ状態の電源REG2が誤動作してしまう原因となり得る。
【0037】
また、電源REG3とノードAとの間にダイオードD1が設けられている構成と同様に、電源REG1´の出力端子OUTR1とノードAとの間にダイオードを電気的に接続することで、上述したような逆流を防ぐことはできる。しかしながら、ダイオードを用いる構成とした場合、ダイオードの順方向降下電圧が発生するため、負荷4への高精度な電圧供給が困難になるという問題がある。
【0038】
一方で、第1の実施形態に係る複合電源1は、上述したように、電流補償回路OFFBIASを搭載する。電流補償回路OFFBIASは、アンプA1の出力にOFFバイアス電流IOFFBIASを流し込むための回路である。OFFバイアス電流IOFFBIASの電流値は、おおよそ以下の式(2)により算出される。
IOFFBIAS≒VTHM3/R3 ・・・(2)
【0039】
ここで、VTHM3は、NMOSトランジスタM3の閾値である。また、R3は、抵抗R3の抵抗値である。また、OFFバイアス電流IOFFBIASは、以下の式(3)に示すように、アンプA1のリーク電流IA1-LEAK以上の大きさの電流値に設定する。例えば、アンプA1の出力のリーク電流IA1-LEAKが数十nAであれば、OFFバイアス電流IOFFBIASは、数百nA程度に設定され得る。
IA1-LEAK<IOFFBIAS ・・・(3)
【0040】
なお、電源REG1に必要とされる電流供給能力やその耐圧によってアンプA
1の出力段のトランジスタサイズが変化する。このため、アンプA1の出力のリーク電流I
A1-LEAKは、アンプA
1の出力段のトランジスタサイズに伴い変化する。実施形態に係る電流補償回路OFFBIASは、
図2に例示する回路構成を有するため、電流制限抵抗としての抵抗R
3の抵抗値を調整することにより、リーク電流I
A1-LEAKに合わせてOFFバイアス電流I
OFFBIASを容易に設定(調整)することができる。
【0041】
なお、電源REG2及び電源REG3の内部構成は、例えば電流補償回路OFFBIASが搭載されていない
図5の電源REG1´の内部構成と同様である。
【0042】
なお、第1の実施形態に係る複合電源1において、負荷5及び電源REG2は、必ずしも設けられていなくてもよい。
【0043】
なお、第1の実施形態に係る複合電源1において、メインバッテリ2及びサブバッテリ3は、1つのバッテリにより実現されても構わない。また、電流補償回路OFFBIASへ電圧供給する電源REG1の電源端子OFFR1は、メインバッテリ2に限らず、サブバッテリ3や他のバッテリから入力電圧が供給されても構わない。
【0044】
このように、第1の実施形態に係る複合電源1は、アンプA1の出力のリーク電流IA1-LEAK以上のOFFバイアス電流IOFFBIASを、電流補償回路OFFBIASにより出力トランジスタQ1のベースに流し込むように構成されている。この構成によれば、出力トランジスタQ1をOFF状態に保持することができるため、電源REG1での逆流を防ぐことができる。換言すれば、実施形態に係る複合電源1(電圧レギュレータ回路)によれば、電源REG1の入出力間の電位差が逆転した場合であっても、電源REG1の出力側から入力側への電流の逆流を防止することができる。
【0045】
さらに、第1の実施形態に係る複合電源1は、電流補償回路OFFBIASの動作により電源REG1の入出力間の電位差が逆転した場合の逆流を防止できるため、電源REG1の出力端子OUTR1とノードAとの間への逆流防止のためのダイオードの挿入(接続)は、不要とすることができる。これにより、ダイオードの順方向降下電圧が発生しないため、負荷4への高精度な電圧供給を実現することができる。
【0046】
(第2の実施形態)
図6は、第2の実施形態に係る複合電源1(電圧レギュレータ回路)の構成の別の一例を示す図である。
図6に示す複合電源1は、
図1に示す電源REG1に代えて、スイッチ回路S
2を有する。スイッチ回路S
2は、電源REG1と同様に、
図2に示す電流補償回路OFFBIASを有する。一方で、スイッチ回路S
2は、アンプA
1に代えて、ゲートドライバ回路DR
1を有する。
【0047】
スイッチ回路S2は、メインバッテリ2(あるいは外部入力端子VDD1)と負荷4(あるいは外部出力端子OUT1)との間の電源ラインの導通/非導通を切り替える。このことから、スイッチ回路S2は、負荷4への電源電圧の供給を制御する電源であると表現することができる。ここで、スイッチ回路S2は、電源REG1と同様に、第1の電源回路の一例である。また、スイッチ回路S2の入力端子INR1は、第1の入力端子の一例である。また、スイッチ回路S2の出力端子OUTR1は、第1の出力端子の一例である。また、ゲートドライバ回路DR1は、ドライバ回路の一例である。
【0048】
スイッチ回路S
2の入力端子IN
R1は、
図1に示す電源REG1と同様に、スイッチ回路S
1を介して外部入力端子VDD1に電気的に接続される。また、スイッチ回路S
2の出力端子OUT
R1は、
図1に示す電源REG1と同様に、ノードAを介して、外部出力端子OUT1に電気的に接続される。また、スイッチ回路S
2の電源端子OFF
R1は、
図1に示す電源REG1と同様に、スイッチ回路S
1を介さずに外部入力端子VDD1に電気的に接続されるとともに、電流補償回路OFFBIASの入力端子IN
OFFに電気的に接続される。つまり、スイッチ回路S
2の電源端子OFF
R1は、
図1に示す電源REG1と同様に、電流補償回路OFFBIASへ外部入力端子VDD1からの入力電圧を入力するためにスイッチ回路S
2に設けられた電源端子である。
【0049】
ゲートドライバ回路DR1の入力端子ON/OFFは、複合電源1のON/OFF信号の外部入力端子に電気的に接続される。ゲートドライバ回路DR1の入力端子ON/OFFには、ゲートドライバ回路DR1の駆動を制御するための信号が外部入力端子から供給される。ゲートドライバ回路DR1の出力端子DR1OUTには、出力トランジスタQ1に代えて、PMOSトランジスタM1及びPMOSトランジスタM2が設けられている。スイッチ回路S2には、電源REG1における抵抗R1及び抵抗R2は設けられていない。
【0050】
ゲートドライバ回路DR1の出力端子DR1OUTは、PMOSトランジスタM1及びPMOSトランジスタM2の各ゲートに電気的に接続される。PMOSトランジスタM1及びPMOSトランジスタM2の各ソースは、互いに電気的に接続される。PMOSトランジスタM1のドレインは、電源REG1の出力トランジスタQ1のエミッタと同様にスイッチ回路S2の入力端子INR1及びゲートドライバ回路DR1のVDD端子DR1VDDに電気的に接続される。PMOSトランジスタM2のドレインは、スイッチ回路S2の出力端子OUTR1に電気的に接続される。
【0051】
図7は、
図6の複合電源1(電圧レギュレータ回路)に搭載されるゲートドライバ回路DR
1の内部回路の構成の一例を示す図である。
図7に示す例では、ゲートドライバ回路DR
1の入力段については、ゲートドライバ入力段DR11として簡略化して図示している。なお、NMOSトランジスタM
N及びPMOSトランジスタM
Pは、それぞれ、
図3のNMOSトランジスタM
4及びPMOSトランジスタM
5に対応する。ゲートドライバ入力段DR11の入力側は、ゲートドライバ回路DR
1の入力端子ON/OFFに電気的に接続される。また、ゲートドライバ入力段DR11の出力側は、NMOSトランジスタM
N及びPMOSトランジスタM
Pの各ゲートに電気的に接続される。PMOSトランジスタM
Pのソースは、ゲートドライバ回路DR
1のVDD端子DR1
VDDに電気的に接続される。PMOSトランジスタM
P及びNMOSトランジスタM
Nの各ドレインと、ゲートドライバ回路DR
1の出力端子DR1
OUTとは、電気的に接続される。NMOSトランジスタM
Nのソースは、ゲートドライバ回路DR1のVSS端子DR1
VSSを介してグランド電位となるノード(接地線)に電気的に接続される。
【0052】
スイッチ回路S2の入出力間電位差が逆転した場合にPMOSトランジスタM1及びPMOSトランジスタM2の逆流を防止するためには、すなわちPMOSトランジスタM1及びPMOSトランジスタM2のOFF状態を保持するためには、PMOSトランジスタM1及びPMOSトランジスタM2の各ゲート電圧をPMOSトランジスタM1及びPMOSトランジスタM2のソース電圧より高くする必要がある。
【0053】
図6の複合電源1に電流補償回路OFFBIASが搭載されない場合には、
図5を参照して説明した場合と同様に、ゲートドライバ回路DR
1の出力にリーク経路が存在していると、リーク電流I
DR1-LEAKによりPMOSトランジスタM
1及びPMOSトランジスタM
2をOFFできず、スイッチ回路S
2の入出力間電位差の逆転に伴い、PMOSトランジスタM
1及びPMOSトランジスタM
2がオンすることになる。
【0054】
具体的には、スイッチ回路S
1が切断された場合、ゲートドライバ回路DR
1のVDD端子DR1
VDDの電位はグランド電位と同電位になる。また、入力電圧が印可されていないため、
図7のNMOSトランジスタM
N及びPMOSトランジスタM
Pは、OFF状態になる。このとき、
図5を参照して説明した場合と同様に、NMOSトランジスタM
N及びPMOSトランジスタM
Pのリーク電流I
DR1-LEAKによりゲートドライバ回路DR
1の出力端子DR1
OUTの電位は、各トランジスタのソース電位、すなわちグランド電位に推移する。その結果、PMOSトランジスタM
1及びPMOSトランジスタM
2のソース電圧よりゲート電圧が低くなるため、PMOSトランジスタM
1及びPMOSトランジスタM
2がON状態となり、スイッチ回路S2の出力端子OUT
R1から入力端子IN
R1への電流の逆流が発生する。
【0055】
一方で、
図6に示す第2の実施形態に係る複合電源1は、第1の実施形態と同様に、PMOSトランジスタM
1及びPMOSトランジスタM
2の各ゲートにOFFバイアス電流I
OFFBIASを流し込むための回路として、電流補償回路OFFBIASを搭載する。具体的には、電流補償回路OFFBIASの出力端子OUT
OFFは、
図6に示すように、ゲートドライバ回路DR
1の出力端子DR1
OUTに電気的に接続されるとともに、PMOSトランジスタM
1及びPMOSトランジスタM
2の各ゲートに電気的に接続される。本実施形態に係る電流補償回路OFFBIASにおいても、第1の実施形態と同様に、OFFバイアス電流I
OFFBIASの値を、ゲートドライバ回路DR
1の出力のリーク電流I
DR1-LEAK対して充分に大きい値に設定する。これにより、PMOSトランジスタM
1及びPMOSトランジスタM
2のゲート電位が低下することなく、PMOSトランジスタM
1及びPMOSトランジスタM
2をOFF状態に保持することができる。
【0056】
このように、第2の実施形態に係る複合電源1(電圧レギュレータ回路)によれば、電源REG1のような電源回路に限らず、導通/非導通を切り替えるスイッチ回路S2においても、入出力間の電位差が逆転した場合の電流の逆流を防止することができる。
【0057】
(第3の実施形態)
図8は、第1の実施形態に係る複合電源1(電圧レギュレータ回路)に搭載されるリーク電流遮断回路の構成の一例を示す図である。
図8は、
図3のアンプA
1の出力段部の回路にリーク電流遮断回路を追加している。
図8に示すように、アンプA
1は、出力段部において、PMOSトランジスタM
6、NMOSトランジスタM
7、抵抗R
4及び電流源I
1をさらに有する。
【0058】
PMOSトランジスタM6は、逆流防止の用途として、PMOSトランジスタM5のソースと、アンプA1のVDD端子A1VDDとの間に、PMOSトランジスタM5に対して背中合わせに接続される。したがって、PMOSトランジスタM6のドレインは、アンプA1のVDD端子A1VDDに電気的に接続される。PMOSトランジスタM5及びPMOSトランジスタM6の各ソースは、互いに電気的に接続される。また、PMOSトランジスタM5及びPMOSトランジスタM6の各ソースと、PMOSトランジスタM6のゲートとの間には、抵抗R4が電気的に接続される。ここで、PMOSトランジスタM6は、トランジスタスイッチの一例である。
【0059】
NMOSトランジスタM7のドレインは、PMOSトランジスタM6のゲート及び抵抗R4に電気的に接続される。NMOSトランジスタM7のソースは、電流源I1に電気的に接続される。NMOSトランジスタM7のゲートは、アンプA1のスタンバイ制御端子A1STANDBYに電気的に接続される。アンプA1のスタンバイ制御端子A1STANDBYには、例えば複合電源1のスイッチ回路S1を非導通状態にする際に、外部入力端子からNMOSトランジスタM7をOFF状態とするための信号が供給される。なお、スタンバイ制御端子A1STANDBYに供給される信号は、電源REG1がスタンバイ状態のときにNMOSトランジスタM7をOFF状態とするような信号であればよい。スタンバイ制御端子A1STANDBYには、例えば、電源REG1の入力電圧が低下したことを検出する低電圧誤動作防止(UVLO)回路(図示なし)の出力信号を供給してもよい。
【0060】
電流源I1は、一端がNMOSトランジスタM7のソースに電気的に接続され、他の一端がグランド電位となるVSS端子A1VSS及びNMOSトランジスタM4のソースに電気的に接続される。
【0061】
上述したように、電源REG1(電源回路)の入出力間電位差が逆転したとき、出力トランジスタQ
1のベースにリーク電流経路が存在すると、出力トランジスタQ
1において逆流電流が発生する。すなわち、
図5の構成において、
図8に例示するアンプA
1がPMOSトランジスタM
6を有しておらず、PMOSトランジスタM
5のソースと、アンプA
1のVDD端子A1
VDDとが直接接続されており、アンプA1のVDD端子A1
VDDの電位がアンプA
1の出力端子A1
OUTの電位よりも低い場合、PMOSトランジスタM
5のゲートの電位によらず、PMOSトランジスタM
5のボディダイオードを介して、アンプA
1のVDD端子A1
VDDへの逆流電流が発生する。
【0062】
一方で、第3の実施形態に係る複合電源1は、
図8を参照して上述したように、PMOSトランジスタM
6をPMOSトランジスタM
5に対して背中合わせに電気的に接続し、アンプA
1のVDD端子A1
VDDからアンプA
1の出力端子A1
OUTへの片方向のみ電流が流れるように構成されている。
【0063】
また、通常動作時にPMOSトランジスタM
6のボディダイオードにて順方向降下電圧が発生すると、負荷4への高精度な電圧供給が困難になるという問題がある。そこで、実施形態に係る複合電源1は、
図8を参照して上述したように、電流源I
1を有し、抵抗R
4に電流を流すことによりPMOSトランジスタM
6のゲート・ソース間に電圧を発生させて、PMOSトランジスタM
6をON状態にするように構成されている。
【0064】
また、アンプA1のVDD端子A1VDDに入力電圧が入力されていないとき、すなわち電源REG1がスタンバイ状態のときには、抵抗R4への電流供給は停止する。これにより、電源REG1がスタンバイ状態のときには、PMOSトランジスタM6は、ゲート・ソース間に電圧が発生せずOFF状態になる。このため、PMOSトランジスタM6においては寄生ダイオードの順方向にのみ電流を流すことができる。この構成によれば、アンプA1の出力端子A1OUTからアンプA1のVDD端子A1VDDへのリーク電流IA1-LEAKを遮断することができる。このように、出力トランジスタQ1のベースからの逆流経路を遮断することでより確実に電源REG1における逆流電流の発生を防ぐことができる。
【0065】
さらに、OFFバイアス電流
IOFFBIASの値は、
図4を参照して上述したように、3つのリーク経路L1,L2,L3を流れる3つのリーク電流I
A1-LEAKの和以上の大きさに設定される。したがって、リーク電流遮断回路が搭載された複合電源1(電圧レギュレータ回路)によれば、リーク電流I
A1-LEAKを大幅に低減できるため、OFFバイアス電流I
OFFBIASの値を低く設定することができる。これにより、複合電源1による消費電力を削減できるという効果が得られる。
【0066】
なお、第1の実施形態に係る複合電源1にリーク電流遮断回路が搭載された場合を例として説明したが、これに限らない。
図9は、第2の実施形態に係る複合電源1(電圧レギュレータ回路)に搭載されるリーク電流遮断回路の構成の一例を示す図である。本実施形態に係るリーク電流遮断回路は、
図9に示すように第2の実施形態に係る複合電源1に搭載することもできる。
図9に示すゲートドライバ回路DR
1は、
図7に示すゲートドライバ回路DR
1の内部構成に、
図8に示すリーク電流遮断回路の構成を追加した構成であると表現することができる。このため、
図7又は
図8に示す各要素と同様の要素については、適宜説明を省略する。
図9に示すゲートドライバ回路DR
1は、出力段部において、リーク電流遮断回路としてのPMOSトランジスタM
6、NMOSトランジスタM
7、抵抗R
4及び電流源I
1をさらに有する。
【0067】
図9に示すリーク電流遮断回路のPMOSトランジスタM
6は、
図8に示すリーク電流遮断回路と同様に、PMOSトランジスタM
Pのソースと、VDD端子DR1
VDDとの間に、PMOSトランジスタM
Pに対して背中合わせに接続される。また、PMOSトランジスタM
P及びPMOSトランジスタM
6の各ソースと、PMOSトランジスタM
6のゲートとの間には、抵抗R
4が電気的に接続される。また、電流源I
1は、一端がNMOSトランジスタM
7のソースに電気的に接続され、他の一端がグランド電位となるVSS端子DR1
VSS及びNMOSトランジスタM
Nのソースに電気的に接続される。
【0068】
図9に示すリーク電流遮断回路のNMOSトランジスタM
7のゲートは、
図8に示すリーク電流遮断回路と同様に、ゲートドライバ回路DR
1のスタンバイ制御端子DR1
STANDBYに電気的に接続される。ゲートドライバ回路DR
1のスタンバイ制御端子DR1
STANDBYには、例えば複合電源1のスイッチ回路S
1を非導通状態にする際に、外部入力端子からNMOSトランジスタM
7をOFF状態とするための信号が供給される。なお、スタンバイ制御端子DR1
STANDBYに供給される信号は、スイッチ回路S
2がスタンバイ状態のときにNMOSトランジスタM
7をOFF状態とするような信号であればよい。
【0069】
これにより、スイッチ回路S
2がスタンバイ状態のときには、
図8に示すリーク電流遮断回路と同様に、PMOSトランジスタM
6はOFF状態になり、寄生ダイオードの順方向にのみ電流を流すことができる。この構成であっても、ゲートドライバ回路DR
1の出力端子DR1
OUTからゲートドライバ回路DR
1のVDD端子DR1
VDDへのリーク電流I
DR1-LEAKを遮断することができ、より確実にスイッチ回路S
2における逆流電流の発生を防ぐことができる。
【0070】
(第4の実施形態)
図10は、第4の実施形態に係る複合電源1(電圧レギュレータ回路)に搭載される逆流電流遮断回路B
1の構成の一例を示す図である。逆流電流遮断回路B
1の入力端子B1
INは、
図1に例示する複合電源1において、アンプA
1及び電源REG1の入力端子IN
R1に電気的に接続される。逆流電流遮断回路B
1の出力端子B1
OUTは、
図1に例示する複合電源1において、出力トランジスタQ
1のエミッタに電気的に接続される。
図10に示すように、逆流電流遮断回路B
1は、PMOSトランジスタM
8、NMOSトランジスタM
9、抵抗R
5及び電流源I
2を有する。PMOSトランジスタM
8、NMOSトランジスタM
9、抵抗R
5及び電流源I
2は、それぞれ、
図8のPMOSトランジスタM
6、NMOSトランジスタM
7、抵抗R
4及び電流源I
1に相当する。
【0071】
PMOSトランジスタM
8のドレインは、逆流電流遮断回路B
1の入力端子B1
INに電気的に接続される。PMOSトランジスタM
8のソースは、逆流電流遮断回路B
1の出力端子B1
OUTに電気的に接続される。また、PMOSトランジスタM
8のソース(あるいは逆流電流遮断回路B
1の出力端子B1
OUT)と、PMOSトランジスタM
8のゲートとの間には、抵抗R
5が電気的に接続される。また、電流源I
2は、一端がNMOSトランジスタM
9のソースに電気的に接続され、他の一端がグランド電位となるVSS端子B1
VSSに電気的に接続される。NMOSトランジスタM
9のゲートは、
図8又は
図9に示すリーク電流遮断回路と同様に、逆流電流遮断回路B
1のスタンバイ制御端子B1
STANDBYに電気的に接続される。逆流電流遮断回路B
1のスタンバイ制御端子B1
STANDBYには、例えば複合電源1のスイッチ回路S
1を非導通状態にする際に、外部入力端子からNMOSトランジスタM
9をOFF状態とするための信号が供給される。なお、スタンバイ制御端子B1
STANDBYに供給される信号は、電源REG1がスタンバイ状態のときにNMOSトランジスタM
9をOFF状態とするような信号であればよい。
【0072】
これにより、電源REG1がスタンバイ状態のときには、
図8又は
図9に示すリーク電流遮断回路と同様に、PMOSトランジスタM
8においては、寄生ダイオードの順方向にのみ電流が流れることになる。したがって、この構成によれば、第3の実施形態でリーク電流I
A1-LEAKを遮断したのと同様にして、逆流電流そのものを遮断することができる。
【0073】
なお、第1の実施形態に係る複合電源1に逆流電流遮断回路B
1が搭載された場合を例として説明したが、本実施形態に係る逆流電流遮断回路B
1は、第2の実施形態に係る複合電源1に搭載することもできる。この場合、逆流電流遮断回路B
1の入力端子B1
INは、
図6に例示する複合電源1において、ゲートドライバ回路DR
1及びスイッチ回路S
2の入力端子IN
R1に電気的に接続される。逆流電流遮断回路B
1の出力端子B1
OUTは、
図6に例示する複合電源1において、PMOSトランジスタM
1のドレインに電気的に接続される。この構成であっても、上述の効果が得られる。
【0074】
以上、本発明の実施形態を説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上記新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0075】
1 複合電源
2 メインバッテリ
3 サブバッテリ
4,5 負荷
A1 アンプ
A11 アンプ入力段/利得段
D1 ダイオード
DR11 ゲートドライバ入力段
E1,E2,E3,E4 回路素子
I1,I2 電流源
L1,L2,L3 リーク経路
M1,M2,M5,M6,M8,MP PMOSトランジスタ
M3,M4,M7,M9,MN NMOSトランジスタ
OFFBIAS 電流補償回路
Q1 出力トランジスタ
R1,R2,R3,R4,R5 抵抗
REG1,REG1´,REG2,REG3 電源
S1,S2 スイッチ回路
VREF1 参照電圧源