特開 2022-12338 インピーダンス変換線路

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022012338

(43)【公開日】2022-01-17

(54)【発明の名称】インピーダンス変換線路

(51)【国際特許分類】

   H01P 5/02 20060101AFI20220107BHJP

   H01P 3/00 20060101ALI20220107BHJP

【ＦＩ】

H01P5/02 603A

H01P3/00 101

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020114126

(22)【出願日】2020-07-01

【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）令和１年度、総務省、電波資源拡大のための研究開発「集積電子デバイスによる大容量映像の非圧縮低電力無線伝送技術の研究開発」委託研究、産業技術力強化法第１７条の適用を受ける特許出願

(71)【出願人】

【識別番号】504136568

【氏名又は名称】国立大学法人広島大学

(74)【代理人】

【識別番号】100163186

【弁理士】

【氏名又は名称】松永 裕吉

(72)【発明者】

【氏名】李 尚曄

(72)【発明者】

【氏名】吉田 毅

【テーマコード（参考）】

5J014

【Ｆターム（参考）】

5J014AA00

(57)【要約】

【課題】設計が容易で広帯域に亘って良好なインピーダンス整合性能を発揮するインピーダンス変換線路を提供する。
【解決手段】インピーダンス変換線路１００は、一定幅の信号線１０と、導電性の線状部材である複数のフィン３０とを備えており、複数のフィン３０が、信号線１０とは別の配線層において信号線１０と電気的に絶縁かつ平面視直交して信号線１０の延在方向に互いに間隔を空けて配置されており、信号線１０の延在方向の区間ごとに複数のフィン３０の配置パターンが異なっている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

一定幅の信号線と、
導電性の線状部材である複数のフィンとを備え、
前記複数のフィンが、前記信号線とは別の配線層において前記信号線と電気的に絶縁かつ平面視直交して前記信号線の延在方向に互いに間隔を空けて配置されており、
前記信号線の延在方向の区間ごとに前記複数のフィンの配置パターンが異なっている
ことを特徴とするインピーダンス変換線路。

【請求項2】

第１の区間における前記フィンの配置間隔と第２の区間における前記フィンの配置間隔とが異なっている、請求項１に記載のインピーダンス変換線路。

【請求項3】

第１の区間における前記フィンと前記信号線との距離と第２の区間における前記フィンと前記信号線との距離とが異なっている、請求項１に記載のインピーダンス変換線路。

【請求項4】

第１の区間における前記フィンの幅と第２の区間における前記フィンの幅とが異なっている、請求項１に記載のインピーダンス変換線路。

【請求項5】

前記複数のフィンの少なくとも一部がグランド線に接続されている、請求項１ないし４のいずれかに記載のインピーダンス変換線路。

【請求項6】

前記信号線と同じ配線層において前記信号線と並行に前記信号線の両側に配置されたグランド線を備えている、請求項１ないし５のいずれかに記載のインピーダンス変換線路。

【請求項7】

前記信号線および前記複数のフィンとは別の配線層に配置され前記信号線と電気的に絶縁された複数のストリップラインを備えている、請求項６に記載のインピーダンス変換線路。

【請求項8】

前記複数のフィンの１本１本が前記信号線よりも細い、請求項１ないし７のいずれかに記載のインピーダンス変換線路。

【請求項9】

前記信号線の延在方向に各区間の特性インピーダンスが単調変化する、請求項１ないし８のいずれかに記載のインピーダンス変換線路。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、インピーダンス変換線路に関し、特に、高周波半導体チップにおけるインピーダンス変換線路として好適な配線構造に関する。

【背景技術】

【0002】

特に高周波回路において特性インピーダンスが合っていない信号線を回路要素に接続すると接続点で信号の反射が起きて信号減衰が発生してしまう。このため、２つの回路要素を接続する場合、各回路要素と信号線との接続点での反射を抑制するためにインピーダンス整合器（トランスフォーマーともいう）が使用される。

【0003】

最も簡単な構成のインピーダンス整合器として、接続される一方の回路要素のインピーダンスをＺ１、他方の回路要素のインピーダンスをＺ２としたとき、特性インピーダンスがｓｑｒｔ（Ｚ１＊Ｚ２）で長さが伝送信号の中心周波数の１／４波長である伝送線路（以下、λ／４線路という）がよく用いられる。λ／４線路はミリ波以上の高周波数帯になるとの長さを数ｍｍ以下にできるため、ＣＭＯＳ集積回路に代表される半導体チップのオンチップ伝送線路としての実装が可能になる。

【0004】

また、λ／４線路以外にもインピーダンス整合器として、信号線の平面形状をテーパー状にしたテーパー線路が知られている（例えば、特許文献１を参照）。信号線の平面形状をテーパー状にすることにより信号線の延長方向に対して特性インピーダンスを緩やかに変化させインピーダンス整合を実現することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１５－８８９６７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

λ／４線路は、構成が簡単であるというメリットはあるが、有損失線路であるため周波数が高くなるとインピーダンス整合器としての性能に限界がある。一方、テーパー線路は、特性インピーダンスが低い方の線路幅が広くなりがちで回路面積が大きくなるという問題がある。また、テーパー線路は線路幅をどのような形状で変化させるのか設計が難しい。コプレナ導波路などにおいてテーパー線路を採用しようとすると信号線だけでなく信号線両側のグランド線もテーパー形状にする必要があり設計が煩雑になる。

【0007】

上記問題に鑑み、本発明は、設計が容易で広帯域に亘って良好なインピーダンス整合性能を発揮するインピーダンス変換線路を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一局面に従ったインピーダンス変換線路は、一定幅の信号線と、導電性の線状部材である複数のフィンとを備えており、前記複数のフィンが、前記信号線とは別の配線層において前記信号線と電気的に絶縁かつ平面視直交して前記信号線の延在方向に互いに間隔を空けて配置されており、前記信号線の延在方向の区間ごとに前記複数のフィンの配置パターンが異なっている。

【0009】

具体的に、前記インピーダンス変換線路において、第１の区間における前記フィンの配置間隔と第２の区間における前記フィンの配置間隔とが異なっている。

【0010】

具体的に、前記インピーダンス変換線路において、第１の区間における前記フィンと前記信号線との距離と第２の区間における前記フィンと前記信号線との距離とが異なっている。

【0011】

具体的に、前記インピーダンス変換線路において、第１の区間における前記フィンの幅と第２の区間における前記フィンの幅とが異なっている。

【0012】

前記インピーダンス変換線路において、前記複数のフィンの少なくとも一部がグランド線に接続されていてもよい。

【0013】

前記インピーダンス変換線路は、前記信号線と同じ配線層において前記信号線と並行に前記信号線の両側に配置されたグランド線を備えていてもよい。

【0014】

さらに、前記インピーダンス変換線路は、前記信号線および前記複数のフィンとは別の配線層に配置され前記信号線と電気的に絶縁された複数のストリップラインを備えていてもよい。

【0015】

具体的に、前記インピーダンス変換線路において、前記複数のフィンの１本１本が前記信号線よりも細い。

【0016】

具体的に、前記インピーダンス変換線路において、前記信号線の延在方向に各区間の特性インピーダンスが単調変化する。

【発明の効果】

【0017】

本発明によると、設計が容易で広帯域に亘って良好なインピーダンス整合性能を発揮するインピーダンス変換線路が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の一実施形態に係るインピーダンス変換線路の平面図

【図2】図１のII－II断面図

【図3】本発明の一実施形態に係るインピーダンス変換線路の分解斜視図

【図4】本実施形態に係るインピーダンス変換線路と従来のλ／４線路の反射特性を比較するグラフ

【図5】本実施形態に係るインピーダンス変換線路と従来のλ／４線路の減衰特性を比較するグラフ

【図6】逆向きに接続した場合の本実施形態に係るインピーダンス変換線路と従来のλ／４線路の反射特性を比較するグラフ

【図7】逆向きに接続した場合の本実施形態に係るインピーダンス変換線路と従来のλ／４線路の減衰特性を比較するグラフ

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。ただし、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。なお、発明者は、当業者が本発明を十分に理解するために添付図面および以下の説明を提供するのであって、これらによって特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。また、図面に描かれた各部材の寸法、細部の詳細形状などは実際のものとは異なることがある。

【0020】

≪インピーダンス変換線路の構造≫
本発明の一実施形態に係るインピーダンス変換線路は、ＣＭＯＳプロセスによりシリコン基板上に実装されるオンチップ伝送線路である。図１は、本発明の一実施形態に係るインピーダンス変換線路１００の平面図である。図２は、図１のII－II断面図である。図３は、本発明の一実施形態に係るインピーダンス変換線路１００の分解斜視図である。ただし、便宜のため、図３ではメタル配線層のみを図示し、各層間のビアおよび各層間に存在する絶縁層（誘電体）は図示を省略している。以下、これらの図を参照して本発明の一実施形態に係るインピーダンス変換線路１００の構造について説明する。

【0021】

インピーダンス変換線路１００は、信号線１０と、信号線１０と並行に信号線１０の両側に配置されたグランド線２０とを備えている。信号線１０は電気信号（電磁波）を伝搬する線路であり、グランド線２０はグランド電位を与える線路である。信号線１０およびグランド線２０は、メタル配線層の中でも配線厚が最も大きく電気抵抗をより小さくすることができる最上位メタル配線層（以下、便宜的にＭ６層とする）を用いて構成するのが好適である。一例として、信号線１０の幅はおよそ６.５μｍの一定幅、グランド線２０の幅はおよそ９μｍの一定幅、信号線１０とグランド線２０との間隔はおよそ１２．２５μｍの一定間隔、信号線１０およびグランド線２０の長さはおよそ１７１.５μｍである。

【0022】

また、インピーダンス変換線路１００は、シリコン基板５０に最も近い最下位メタル配線層（以下、便宜的にＭ１層とする）に配置され信号線１０と電気的に絶縁された複数のストリップライン４０を備えている。具体的に、複数のストリップライン４０は、一本一本が信号線１０よりも十分に細い導電性の線状部材であり、信号線１０と平行に間隔を開けて配置されている。図３では便宜上、複数のストリップライン４０を平面で描いている。このように、インピーダンス変換線路１００は、同一配線層（Ｍ６層）に形成された信号線１０およびグランド線２０の下層にストリップライン４０が敷き詰められたいわゆるスローウェーブ伝送線路の構造を有している。スローウェーブ伝送線路では、グランド線２０を信号線１０から遠ざけることができるので伝送線路のインダクタンスを比較的大きく保つことができ、また、グランド線２０が信号線１０から遠ざかることで低下する伝送線路の容量を複数のストリップライン４０でカバーして伝送線路の容量も比較的大きく保つことができる。このため、スローウェーブ伝送線路は、マイクロストリップラインやコプレナ導波路などの他の構造の伝送線路よりも信号線１０を伝搬する信号の波長をより短くすることができる、すなわち、マイクロストリップラインやコプレナ導波路よりも信号線１０の長さを短くすることができる。

【0023】

さらに、インピーダンス変換線路１００は、導電性の線状部材である複数のフィン３０を備えている。複数のフィン３０は、中間メタル配線層（便宜的にＭ２層からＭ５層とする）において、信号線１０と電気的に絶縁かつ平面視直交して信号線１０の延在方向に互いに間隔を空けて配置されている。より詳細には、中間メタル配線層においてグランド線２０と平面視で重なるように中間グランド線２０ａが形成されており（なお、グランド線２０と中間グランド線２０ａとは図略のビアで接続されている。）、フィン３０は、同一配線層における２本の中間グランド線２０ａを橋渡しするように形成されている。フィン３０は信号線１０よりも十分に細く、一例としてフィン３０の幅はおよそ０.５μｍである。

【0024】

フィン３０はストリップライン４０よりもより信号線１０に近い位置に配置されるため伝送線路の容量増大の効果は大きい。したがって、フィン３０が配置された区間の特性インピーダンスを低くすることができる。また、フィン３０は、信号線１０の延在方向の区間ごとに異なるパターンで配置されている。なお、図１では便宜的に信号線１０から遠い位置にあるフィン３０を細い線で描いている。このように信号線１０の延在方向の区間ごとにフィン３０の配置パターンを変えることでインピーダンス変換線路１００の特性インピーダンスを離散的、段階的に変化させることができる。

【0025】

例えば、インピーダンス変換線路１００はＳ１からＳ７までの７つの連続区間に分けることができる。各図において区間境界を波線で示している。区間Ｓ１では、信号線１０およびグランド線２０があるＭ６層のすぐ下のＭ５層において１１本のフィン３０が一定間隔で配置されている。一例として、区間Ｓ１の長さはおよそ３８.５μｍ、区間Ｓ１におけるフィン３０どうしの間隔はおよそ３.５μｍ、区間Ｓ１の特性インピーダンスはおよそ２９Ωである。続く区間Ｓ２では、区間Ｓ１と同じＭ５層に３本のフィン３０が区間Ｓ１におけるフィン３０どうしの間隔よりも広い一定間隔で配置されている。一例として、区間Ｓ２の長さはおよそ２１μｍ、区間Ｓ２におけるフィン３０どうしの間隔はおよそ７μｍ、区間Ｓ２の特性インピーダンスはおよそ３４Ωである。なお、区間Ｓ１およびＳ２ではＭ５層以外の中間メタル配線層にフィン３０は配置されていない。また、Ｍ５層には区間Ｓ１およびＳ２のフィン３０のみが配置され、それ以外の区間のフィン３０は配置されていない。

【0026】

区間Ｓ２に続く区間Ｓ３では、Ｍ５層のすぐ下のＭ４層において１２本のフィン３０が一定間隔で配置されている。一例として、区間Ｓ３の長さはおよそ２１μｍ、区間Ｓ３におけるフィン３０どうしの間隔はおよそ１．７５μｍ、区間Ｓ３の特性インピーダンスはおよそ３９Ωである。続く区間Ｓ４では、区間Ｓ３と同じＭ４層に６本のフィン３０が区間Ｓ３におけるフィン３０どうしの間隔よりも広い一定間隔で配置されている。一例として、区間Ｓ４の長さはおよそ２１μｍ、区間Ｓ４におけるフィン３０どうしの間隔はおよそ３.５μｍ、区間Ｓ４の特性インピーダンスはおよそ４１Ωである。なお、区間Ｓ３およびＳ４ではＭ４層以外の中間メタル配線層にフィン３０は配置されていない。また、Ｍ４層には区間Ｓ３およびＳ４のフィン３０のみが配置され、それ以外の区間のフィン３０は配置されていない。

【0027】

区間Ｓ４に続く区間Ｓ５では、Ｍ４層のすぐ下のＭ３層において一定間隔で６本のフィン３０が配置されている。一例として、区間Ｓ５の長さはおよそ２１μｍ、区間Ｓ５におけるフィン３０どうしの間隔はおよそ３.５μｍ、区間Ｓ５の特性インピーダンスはおよそ４４Ωである。なお、区間Ｓ５ではＭ３層以外の中間メタル配線層にフィン３０は配置されていない。また、Ｍ３層には区間Ｓ５のフィン３０のみが配置され、それ以外の区間のフィン３０は配置されていない。

【0028】

区間Ｓ５に続く区間Ｓ６では、Ｍ３層のすぐ下のＭ２層において一定間隔で１２本のフィン３０が配置されている。一例として、区間Ｓ６の長さはおよそ２１μｍ、区間Ｓ６におけるフィン３０どうしの間隔はおよそ１．７５μｍ、区間Ｓ６の特性インピーダンスはおよそ４８Ωである。なお、区間Ｓ６ではＭ２層以外の中間メタル配線層にフィン３０は配置されていない。また、Ｍ２層には区間Ｓ６のフィン３０のみが配置され、それ以外の区間のフィン３０は配置されていない。続く区間Ｓ７にはフィン３０は配置されていない。すなわち、区間Ｓ７は一般的なスローウェーブ伝送線路である。一例として、区間Ｓ７の長さはおよそ２８μｍ、区間Ｓ７の特性インピーダンスはおよそ５１Ωである。

【0029】

上記のようにインピーダンス変換線路１００は区間Ｓ１から区間Ｓ７にかけて特性インピーダンスが段階的に大きくなるように構成されている。したがって、信号線１０およびグランド線２０の区間Ｓ１側の端部に特性インピーダンスが低い回路要素を接続し、区間Ｓ７側の端部に特性インピーダンスが高い回路要素を接続することで、インピーダンス変換線路１００はこれら回路要素間で特性インピーダンスを整合して低損失で信号伝送を行うことができる。

【0030】

≪シミュレーション結果≫
上述のインピーダンス変換線路１００の全長、各区間長、各区間における特性インピーダンスの各数値は、具体的に、区間Ｓ１側に２５Ωの特性インピーダンスの負荷（低インピーダンス負荷）を接続し、区間Ｓ７側に５６Ωの特性インピーダンスの負荷（高インピーダンス負荷）を接続して３００ＧＨｚ帯の信号を伝送することを想定して設計したものである。次に、上記構成のインピーダンス変換線路１００の伝送特性を従来のλ／４線路の伝送特性と比較して説明する。

【0031】

－シミュレーション１－
インピーダンス変換線路１００の区間Ｓ１側を入力端子、区間Ｓ７側を出力端子として、入力端子にＺ１＝２５Ωの特性インピーダンスの負荷（低インピーダンス負荷）を接続し、出力端子にＺ２＝５６Ωの特性インピーダンスの負荷（高インピーダンス負荷）を接続したときのインピーダンス変換線路１００のＳパラメータを計算した。比較のために、上記の低インピーダンス負荷と高インピーダンス負荷とを従来のλ／４線路で接続したときのＳパラメータも計算した。なお、この場合のｓｑｒｔ（Ｚ１＊Ｚ２）は３７.４Ωであるが、便宜上、それに近い３７.９Ωのλ／４線路を使用した。また、λ／４線路の長さは３００ＧＨｚ帯の信号伝送を想定して９５μｍに設定した。

【0032】

図４は、本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００と従来のλ／４線路の反射特性を比較するグラフである。図５は、本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００と従来のλ／４線路の減衰特性を比較するグラフである。図４のグラフを参照すると、本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００のＳ１１、Ｓ２２パラメータは全帯域に亘ってλ／４線路よりも小さくなっており、特に１００ＧＨｚ以上でＳ１１は－１０ｄＢよりも小さくなっており、１００ＧＨｚを超える高周波帯域において信号反射抑制の効果は大きい。特にターゲットの３００ＧＨｚ帯において本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００の信号反射抑制の効果が顕著である。また、図５のグラフを参照すると、本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００の長さはλ／４線路の倍近いにもかかわらずＳ２１パラメータ、すなわち、挿入損失はλ／４線路と比べて０．１ｄＢ程度増加するだけである。これらのことから、インピーダンス変換線路１００は、線長はλ／４線路よりも長くなるものの１００ＧＨｚから５００ＧＨｚ超に亘る広帯域でλ／４線路よりも優れたインピーダンス整合性能を発揮することがわかる。

【0033】

－シミュレーション２－
インピーダンス変換線路１００を敢えて逆向きに接続、すなわち、区間Ｓ７側を入力端子、区間Ｓ１側を出力端子として、入力端子にＺ１＝２５Ωの特性インピーダンスの負荷（低インピーダンス負荷）を接続し、出力端子にＺ２＝５６Ωの特性インピーダンスの負荷（高インピーダンス負荷）を接続したときのインピーダンス変換線路１００のＳパラメータを計算した。比較のために、上記の低インピーダンス負荷と高インピーダンス負荷とを従来のλ／４線路で接続したときのＳパラメータも計算した。なお、シミュレーション１と同様に３７.９Ωのλ／４線路を使用した。また、λ／４線路の長さは１３０ＧＨｚ帯の信号伝送を想定して２００μｍに設定した。

【0034】

図６は、逆向きに接続した場合の本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００と従来のλ／４線路の反射特性を比較するグラフである。図７は、逆向きに接続した場合の本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００と従来のλ／４線路の減衰特性を比較するグラフである。図６のグラフを参照すると、本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００のＳ１１、Ｓ２２パラメータは１３０ＧＨｚ帯においてλ／４線路よりも小さくなっている。また、図７のグラフを参照すると、本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００のＳ２１パラメータは１３０ＧＨｚ帯でλ／４線路よりも若干大きい程度であり、整合器としての損失は所望帯域で小さくなっている。これらのことから、インピーダンス変換線路１００は通常とは逆向きで使用することで、ターゲットの周波数帯（本例では３００ＧＨｚ帯）とは別の周波数帯（本例では１３０ＧＨｚ帯）において、λ／４線路よりも短い線長でλ／４線路よりも優れたインピーダンス整合性能を発揮することがわかる。

【0035】

≪効果≫
本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００は広帯域に亘って、特に数百ＧＨｚの高周波帯において優れたインピーダンス整合性能を発揮することができる。また、使用態様によってはλ／４線路よりも短い線長でλ／４線路よりも優れたインピーダンス整合性能を発揮することができ、集積回路の集積化、小型化に貢献する。

【0036】

本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００は、区間ごとに伝送線路モデルを作ってフィン３０の配置間隔、配置配線層などのパラメータをチューニングし、あとは各区間の伝送線路モデルを直列に繋ぐことで全体を構成することができるため目的のインピーダンス変換器を容易に設計することができる。

【0037】

≪変形例≫
本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００では、区間ごとのフィン３０の配置パターンを変えるためにフィン３０の配置間隔および信号線１０からの距離の２つのパラメータを調整しているが、これらのいずれか一方のみを調整するようにしてもよい。一般的に、フィン３０を同一の配線層に配置するのであれば、フィン３０の配置間隔が短いほどその区間の特性インピーダンスは低くなる。一方、フィン３０の配置間隔が同じであれば、フィン３０を信号線１０により近い配線層に配置するほどその区間の特性インピーダンスは低くなる。また、上記以外にフィン３０の幅を調整するようにしてもよい。一般に、フィン３０を同一の配線層において同一の間隔で配置するのであれば、フィン３０の幅が広いほどその区間の特性インピーダンスは低くなる。

【0038】

本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００では、フィン３０はすべてグランド線２０（より正確にはグランド線２０ａ）に接続されているが、一部またはすべてのフィン３０をグランド線２０に接続せずにフローティングフィンにしてもよい。

【0039】

本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００では、信号線１０およびグランド線２０の下層にストリップライン４０が配置されているが、信号線１０およびグランド線２０の上層、あるいは上層および下層の両方にストリップライン４０を配置してもよい。

【0040】

本実施形態に係るインピーダンス変換線路１００は、スローウェーブ伝送線路の構造を有しているが、本発明はマイクロストリップ線路やコプレナ導波路のような構造にも適用可能である。すなわち、伝送線路の種類によらず、信号線１０とは別の配線層において複数のフィン３０を信号線１０と電気的に絶縁かつ平面視直交して信号線の延在方向に互いに間隔を空けて配置し、信号線１０の延在方向の区間ごとに複数のフィン３０の配置パターンを異ならせることで本実施形態と同様の優れたインピーダンス整合性能を発揮することができる。

【0041】

以上のように、本発明における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。また、上述の実施の形態は、本発明における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。

【符号の説明】

【0042】

１００…インピーダンス変換線路、１０…信号線、２０…グランド線、３０…フィン、４０…ストリップライン、Ｓ１～Ｓ７…区間

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】