(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022130936
(43)【公開日】2022-09-07
(54)【発明の名称】ウェーハの加工方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20220831BHJP
B23K 26/361 20140101ALI20220831BHJP
B23K 26/53 20140101ALI20220831BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 601B
B23K26/361
B23K26/53
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021029615
(22)【出願日】2021-02-26
(71)【出願人】
【識別番号】000134051
【氏名又は名称】株式会社ディスコ
(74)【代理人】
【識別番号】100075384
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 昂
(74)【代理人】
【識別番号】100172281
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100206553
【弁理士】
【氏名又は名称】笠原 崇廣
(74)【代理人】
【識別番号】100189773
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 英哲
(74)【代理人】
【識別番号】100184055
【弁理士】
【氏名又は名称】岡野 貴之
(74)【代理人】
【識別番号】100185959
【弁理士】
【氏名又は名称】今藤 敏和
(72)【発明者】
【氏名】廣沢 俊一郎
(72)【発明者】
【氏名】湊 浩吉
【テーマコード（参考）】
4E168
5F057
【Ｆターム（参考）】
4E168AD06
4E168AD18
4E168AE01
4E168AE02
4E168CA06
4E168CB01
4E168CB07
4E168DA02
4E168DA04
4E168DA24
4E168HA01
4E168JA12
4E168JA13
5F057AA01
5F057AA19
5F057BA11
5F057BB03
5F057BB06
5F057BB09
5F057CA16
5F057DA17
5F057DA22
5F057GA01
5F057GA15
5F057GB02
5F057GB31
(57)【要約】
【課題】エッジトリミングによって損傷するデバイスの割合を０にする又は低減するとともに、ウェーハが割れる蓋然性、及び／又は、貼り合わせウェーハにおいて汚染源若しくは発塵源が形成される蓋然性を低減することが可能なウェーハの加工方法を提供する。
【解決手段】複数のデバイスが形成されたデバイス領域及びデバイス領域を囲繞する外周余剰領域の境界とウェーハの中心との間隔に応じて変動する幅でウェーハの外周端部を加工する。換言すると、ウェーハのエッジトリミングによって除去される外周端部の幅を、デバイス領域及び外周余剰領域の境界とウェーハの中心との間隔に応じて設定する。
【選択図】図３
【解決手段】複数のデバイスが形成されたデバイス領域及びデバイス領域を囲繞する外周余剰領域の境界とウェーハの中心との間隔に応じて変動する幅でウェーハの外周端部を加工する。換言すると、ウェーハのエッジトリミングによって除去される外周端部の幅を、デバイス領域及び外周余剰領域の境界とウェーハの中心との間隔に応じて設定する。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有し、かつ、外周端部が面取りされたウェーハの加工方法であって、
該ウェーハを保持する保持面を有し、かつ、該保持面の中心を通る回転軸で回転可能な保持テーブルで該ウェーハを保持する保持ステップと、
該複数のデバイスの少なくとも一部及び該ウェーハの外周を含む領域の撮像によって形成された画像に基づいて、該デバイス領域と該外周余剰領域との境界を特定する境界特定ステップと、
該保持面の外周に沿って加工点を移動させながら、該境界と該ウェーハの中心との間隔に応じて該保持面の中心と該加工点との間隔を調整することによって、該境界と該ウェーハの中心との間隔に応じて変動する幅で該ウェーハの該外周端部を加工する加工ステップと、
を含むことを特徴とするウェーハの加工方法。
該ウェーハを保持する保持面を有し、かつ、該保持面の中心を通る回転軸で回転可能な保持テーブルで該ウェーハを保持する保持ステップと、
該複数のデバイスの少なくとも一部及び該ウェーハの外周を含む領域の撮像によって形成された画像に基づいて、該デバイス領域と該外周余剰領域との境界を特定する境界特定ステップと、
該保持面の外周に沿って加工点を移動させながら、該境界と該ウェーハの中心との間隔に応じて該保持面の中心と該加工点との間隔を調整することによって、該境界と該ウェーハの中心との間隔に応じて変動する幅で該ウェーハの該外周端部を加工する加工ステップと、
を含むことを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項2】
該加工ステップは、回転可能なスピンドルの先端に装着された切削ブレードを該ウェーハに切り込ませることによって行われることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【請求項3】
該加工ステップは、該ウェーハに吸収される波長のレーザービームを該ウェーハに照射することによって行われることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【請求項4】
該加工ステップは、該ウェーハを透過する波長のレーザービームの集光点を該ウェーハの内部に位置付けた状態において、該レーザービームを該ウェーハに照射することで該ウェーハの内部に形成される変質層に沿って、該ウェーハを破断することによって行われることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、複数のデバイスが形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有し、かつ、外周端部が面取りされたウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）及びＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）等のデバイスのチップは、携帯電話及びパーソナルコンピュータ等の各種電子機器において不可欠の構成要素である。このようなチップは、例えば、ウェーハの表面に多数のデバイスを形成した後に、ウェーハを個々のデバイスを含む領域毎に分割することで製造される。
【0003】
チップの製造に用いられるウェーハは、外周端部に形成された欠けを起点として割れやすい。そのため、チップの製造工程においては、各種工程に先立って、ウェーハの外周端部が面取りされることが一般的である。さらに、チップの製造工程においては、製造されるチップの小型化等を目的として、ウェーハの分割に先立って、ウェーハの裏面側を研削してウェーハが薄化されることも多い。
【0004】
ただし、外周端部が面取りされたウェーハの裏面側を研削してウェーハを薄化すると、ウェーハの裏面側の外周端部がシャープエッジ（ナイフエッジ）になる。この外周端部には、応力が集中して欠けが生じやすい。そのため、チップの製造工程においては、ウェーハの研削に先立って、ウェーハの面取りされた外周端部の一部又は全部を除去するエッジトリミングが行われることがある（例えば、特許文献１及び２参照）。
【0005】
このようなエッジトリミングは、例えば、以下の順序で行われる。まず、ウェーハを保持する保持面を有し、かつ、保持面の中心を通る回転軸で回転可能な保持テーブルでウェーハを保持する。そして、保持テーブルを回転させながら、保持面の中心から一定の距離にエッジトリミングの加工点を位置付けてウェーハの外周端部を加工する。これにより、面取りされた外周端部の一部又は全部がウェーハから除去される。
【0006】
ただし、ウェーハは、その中心が保持面の中心からずれた状態で保持面に置かれることもある。この状態で保持面の中心から一定の距離に加工点を位置付けてエッジトリミングを行うと、ウェーハの中心と加工点との間隔がばらつく。この点に鑑み、ウェーハの中心と保持面の中心とがずれた場合であっても、ウェーハの中心とエッジトリミングの加工点との間隔を一定にする方法も提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【0007】
この方法においては、まず、ウェーハの外周上の３点の位置を測定し、測定された３点の位置に基づいてウェーハの中心の位置を算出する。次いで、保持テーブルの保持面の中心とウェーハの中心とのずれ量を算出する。次いで、ウェーハの中心と加工点との間隔が一定に維持されるように、保持テーブルを回転させ、かつ、保持面の中心と加工点との間隔を変更しながら、ウェーハの外周端部を加工する。
【0008】
また、エッジトリミングは、シリコン貫通電極（ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ））及び裏面照射（ＢＳＩ（Ｂａｃｋ Ｓｉｄｅ Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ））型ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）センサ等のデバイスのチップの製造に用いられるウェーハに対して実施されることもある（例えば、特許文献４参照）。
【0009】
具体的には、このようなデバイスは、貼り合わせられた２つのウェーハ（貼り合わせウェーハ）を用いて製造されるが、各ウェーハの外周端部が面取りされている場合には、ウェーハの外周端部にウェーハ同士が十分に結合されていない未結合部が形成されやすい。そして、このような未結合部は、ゴミが溜まって汚染源又は発塵源になりやすい。そのため、このような汚染源又は発塵源が形成されないように、２つのウェーハを貼り合わせるのに先立って、２つのウェーハの少なくとも一方に対してエッジトリミングが行われることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0010】
【特許文献1】特開２０００－１７３９６１号公報
【特許文献2】特開２００６－１０８５３２号公報
【特許文献3】特開２００６－９３３３３号公報
【特許文献4】特開平１０－２４２０９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
チップの製造コストを低減するためには、ウェーハの表面にできるだけ多くのデバイスを形成することが好ましい。すなわち、デバイスは、ウェーハの表面の中央の領域のみならず、ウェーハの外周近傍の領域にも形成されることが好ましい。
【0012】
他方、上述したようにウェーハの割れを防止し、かつ／又は、貼り合わせウェーハに汚染源若しくは発塵源を形成しないためには、ウェーハの裏面側を研削するのに先立って、エッジトリミングが十分に行われることが好ましい。すなわち、エッジトリミングは、ウェーハの外周近傍の領域のみならず、それよりも内側の領域に至る幅広の領域に対して実施されることが好ましい。
【0013】
これらの相反する２つの要望に鑑み、本発明の目的は、エッジトリミングによって損傷するデバイスの割合を０にする又は低減するとともに、ウェーハが割れる蓋然性、及び／又は、貼り合わせウェーハにおいて汚染源若しくは発塵源が形成される蓋然性を低減することが可能なウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明によれば、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有し、かつ、外周端部が面取りされたウェーハの加工方法であって、該ウェーハを保持する保持面を有し、かつ、該保持面の中心を通る回転軸で回転可能な保持テーブルで該ウェーハを保持する保持ステップと、該複数のデバイスの少なくとも一部及び該ウェーハの外周を含む領域の撮像によって形成された画像に基づいて、該デバイス領域と該外周余剰領域との境界を特定する境界特定ステップと、該保持面の外周に沿って加工点を移動させながら、該境界と該ウェーハの中心との間隔に応じて該保持面の中心と該加工点との間隔を調整することによって、該境界と該ウェーハの中心との間隔に応じて変動する幅で該ウェーハの該外周端部を加工する加工ステップと、を含むウェーハの加工方法が提供される。
【0015】
さらに、該加工ステップは、回転可能なスピンドルの先端に装着された切削ブレードを該ウェーハに切り込ませることによって行われることが好ましい。
【0016】
あるいは、該加工ステップは、該ウェーハに吸収される波長のレーザービームを該ウェーハに照射することによって行われることが好ましい。
【0017】
あるいは、該加工ステップは、該ウェーハを透過する波長のレーザービームの集光点を該ウェーハの内部に位置付けた状態において、該レーザービームを該ウェーハに照射することで該ウェーハの内部に形成される変質層に沿って、該ウェーハを破断することによって行われることが好ましい。
【発明の効果】
【0018】
本発明においては、複数のデバイスが形成されたデバイス領域及びデバイス領域を囲繞する外周余剰領域の境界とウェーハの中心との間隔に応じて変動する幅でウェーハの外周端部が加工される。換言すると、本発明においては、ウェーハのエッジトリミングによって除去される外周端部の幅が、デバイス領域及び外周余剰領域の境界とウェーハの中心との間隔に応じて設定される。
【0019】
端的には、この境界とウェーハの中心との間隔が長ければ、この幅が狭くなるようにエッジトリミングが行われる。これにより、エッジトリミングによって損傷するデバイスの割合を０にする又は低減することができる。また、この境界とウェーハの中心との間隔が短ければ、この幅が広くなるようにエッジトリミングが行われる。これにより、エッジトリミング後の工程において、ウェーハが割れる蓋然性、及び／又は、貼り合わせウェーハにおいて汚染源若しくは発塵源が形成させる蓋然性を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【発明を実施するための形態】
【0021】
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、ウェーハを加工する加工装置となる切削装置の一例を模式的に示す斜視図である。なお、図１に示されるＸ軸方向（前後方向）及びＹ軸方向（左右方向）は、水平面上において互いに直交する方向であり、また、Ｚ軸方向（上下方向）は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向（鉛直方向）である。
【0022】
図１に示される切削装置２は、各構成要素を支持する基台４を備える。基台４の上面には、長手方向がＸ軸方向に平行な矩形の開口４ａが形成されている。開口４ａ内には、平板状のカバー６と、カバー６の移動に伴って伸縮する蛇腹状のカバー８とが設けられている。
【0023】
カバー６の上方には、保持テーブル１０が設けられている。保持テーブル１０は、上方に露出した円盤状のポーラス板１０ａを有する。ポーラス板１０ａの上面は、概ね平行であり、ウェーハを保持する保持テーブル１０の保持面となる。また、カバー６，８の下方には、カバー６及び保持テーブル１０をＸ軸方向に沿って移動させるＸ軸方向移動機構（不図示）が設けられている。
【0024】
図２（Ａ）は、保持テーブル１０の保持面に保持されるウェーハの一例を模式的に示す上面図であり、図２（Ｂ）は、このウェーハを模式的に示す断面図である。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示されるウェーハ１１は、例えば、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＣ（炭化シリコン）又はＧａＮ（窒化ガリウム）等の半導体材料からなる。
【0025】
ウェーハ１１の表面１１ａは、格子状に設定された複数の分割予定ラインによって複数の領域に区画されている。そして、当該複数の領域のうちウェーハ１１の外周に近接する領域の一部を除く領域のそれぞれには、ＩＣ又はＬＳＩ等のデバイス１３が形成されている。すなわち、ウェーハ１１の表面１１ａには、複数のデバイス１３が形成されるデバイス領域１５ａと、デバイス領域１５ａを囲繞する外周余剰領域１５ｂとが含まれる。
【0026】
また、ウェーハ１１の外周端部は、面取りされている。すなわち、ウェーハ１１の側面１１ｂは、外側に凸になるように湾曲している。そして、ウェーハ１１の裏面１１ｃは、直接又はダイシングテープ（不図示）を介して、保持テーブル１０の保持面（ポーラス板１０ａの上面）に置かれる。
【0027】
保持テーブル１０の内部には、保持テーブル１０の外部に設けられたエジェクタ等の吸引源（不図示）に一端が接続された吸引路（不図示）が形成されている。この吸引路の他端は、ポーラス板１０ａに達している。そのため、保持面にウェーハ１１が置かれた状態で、この吸引源を動作させると、ウェーハ１１が保持テーブル１０に吸引保持される。
【0028】
さらに、保持テーブル１０は、モータ等の保持テーブル用回転駆動源（不図示）に連結されている。この保持テーブル用回転駆動源を動作させると、保持面の中心を通り、かつ、Ｚ軸方向に沿った回転軸で保持テーブル１０が回転する。
【0029】
基台４の上面の開口４ａの近傍には、支持構造１２が設けられている。支持構造１２は、基台４の上面からＺ軸方向に沿って延在する立設部１２ａと、開口４ａを渡るように立設部１２ａの上端部からＹ軸方向に沿って延在する腕部１２ｂとを備える。腕部１２ｂの前面側には、Ｙ軸方向移動機構１４が設けられている。
【0030】
Ｙ軸方向移動機構１４は、腕部１２ｂの前面に固定され、かつ、Ｙ軸方向に沿って延在する一対のＹ軸ガイドレール１６を備える。一対のＹ軸ガイドレール１６の前面側には、一対のＹ軸ガイドレール１６に沿ってスライド可能な態様でＹ軸移動プレート１８が連結されている。
【0031】
また、一対のＹ軸ガイドレール１６の間には、Ｙ軸方向に沿って延在するねじ軸２０が配置されている。ねじ軸２０の一端部には、ねじ軸２０を回転させるためのモータ（不図示）が連結されている。ねじ軸２０の螺旋状の溝が形成された表面には、回転するねじ軸２０の表面を転がるボールを収容するナット部（不図示）が設けられ、ボールねじが構成されている。
【0032】
すなわち、ねじ軸２０が回転すると、ボールがナット部内を循環して、ナット部がＹ軸方向に沿って移動する。また、このナット部は、Ｙ軸移動プレート１８の後面側に固定されている。そのため、ねじ軸２０の一端部に連結されているモータでねじ軸２０を回転させれば、ナット部とともにＹ軸移動プレート１８がＹ軸方向に沿って移動する。
【0033】
Ｙ軸移動プレート１８の前面側には、Ｚ軸方向移動機構２２が設けられている。Ｚ軸方向移動機構２２は、Ｙ軸移動プレート１８の前面に固定され、かつ、Ｚ軸方向に沿って延在する一対のＺ軸ガイドレール２４を備える。一対のＺ軸ガイドレール２４の前面側には、一対のＺ軸ガイドレール２４に沿ってスライド可能な態様でＺ軸移動プレート２６が連結されている。
【0034】
また、一対のＺ軸ガイドレール２４の間には、Ｚ軸方向に沿って延在するねじ軸２８が配置されている。ねじ軸２８の一端部には、ねじ軸２８を回転させるためのモータ３０が連結されている。ねじ軸２８の螺旋状の溝が形成された表面には、回転するねじ軸２８の表面を転がるボールを収容するナット部（不図示）が設けられ、ボールねじが構成されている。
【0035】
すなわち、ねじ軸２８が回転すると、ボールがナット部内を循環して、ナット部がＺ軸方向に沿って移動する。また、このナット部は、Ｚ軸移動プレート２６の後面側に固定されている。そのため、モータ３０でねじ軸２８を回転させれば、ナット部とともにＺ軸移動プレート２６がＺ軸方向に沿って移動する。
【0036】
Ｚ軸移動プレート２６の下部には、切削ユニット３２が固定されている。切削ユニット３２は、長手方向がＹ軸方向に平行な筒状のスピンドルハウジング３４を有する。スピンドルハウジング３４には、長手方向がＹ軸方向に平行な円柱状のスピンドル（不図示）が収容されている。このスピンドルは、回転可能な状態でスピンドルハウジング３４によって支持される。
【0037】
このスピンドルの先端部は、スピンドルハウジング３４の外に突出し、この先端部には環状の切刃を有する切削ブレード３６が装着されている。また、スピンドルの基端部は、スピンドルハウジング３４に内蔵されるモータ等の切削ブレード用回転駆動源（不図示）に連結されている。この切削ブレード用回転駆動源を動作させると、スピンドルとともにＹ軸方向に沿った回転軸で切削ブレード３６が回転する。
【0038】
また、Ｘ軸方向において切削ユニット３２に隣接する位置には、Ｚ軸移動プレート２６の下部に固定されている撮像ユニット３８が設けられている。撮像ユニット３８は、例えば、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源と、対物レンズと、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ又はＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ等の撮像素子とを含む。
【0039】
図３は、切削装置２等の加工装置におけるウェーハ１１の加工方法の一例を模式的に示すフローチャートである。この方法においては、まず、保持テーブル１０でウェーハ１１を保持する（保持ステップ：Ｓ１）。例えば、ウェーハ１１が保持テーブル１０の保持面に置かれた状態で、保持テーブル１０の内部に形成された吸引路に接続されている吸引源を動作させる。
【0040】
次いで、ウェーハ１１のデバイス領域１５ａと外周余剰領域１５ｂとの境界を特定する（境界特定ステップ：Ｓ２）。この特定は、ウェーハ１１の外周及び複数のデバイス１３の一部を含む領域の撮像によって形成された画像に基づいて行われる。この画像の形成は、例えば、以下の順序で行われる。
【0041】
まず、撮像ユニット３８の視野の中心がウェーハ１１の外周よりも僅かに内側に位置し、かつ、この視野にウェーハ１１の外周と少なくとも一つのデバイス１３とが含まれた状態で、撮像ユニット３８がウェーハ１１を撮像する。さらに、保持テーブル１０の回転前後において撮像ユニット３８の視野の一部が重なるように、保持テーブル用回転駆動源を動作させて保持テーブル１０を回転させた後、撮像ユニット３８がウェーハ１１を撮像する。また、保持テーブル１０が１回転するまで同様の処理を複数回繰り返す。
【0042】
これにより、ウェーハ１１の外周及び複数のデバイス１３の一部を含む領域の画像が形成される。そして、ウェーハ１１のデバイス領域１５ａと外周余剰領域１５ｂとの境界が、この画像に基づいて特定される。例えば、ウェーハ１１の表面１１ａに形成された複数のデバイス１３のうち最も外側に位置するデバイス１３の辺又は点を結ぶことによって得られる多角形状の線が、デバイス領域１５ａと外周余剰領域１５ｂとの境界として特定される。
【0043】
次いで、この境界とウェーハ１１の中心との間隔に応じて変動する幅（エッジトリミングの加工幅）でウェーハ１１の外周端部を加工する（加工ステップ：Ｓ３）。端的には、エッジトリミングの加工幅は、この境界とウェーハ１１の中心との間隔が長ければ狭くなり、この境界とウェーハ１１の中心との間隔が短ければ広くなるように設定される。この点について、図４を参照して詳細に説明する。なお、図４は、保持テーブル１０に置かれたウェーハ１１を模式的に示す上面図である。
【0044】
図４に示される２点鎖線Ａは、ウェーハ１１の半径からエッジトリミングの基準幅（例えば、３ｍｍ）を引いた長さ（基準長）を半径とするウェーハ１１の外周の同心円を表している。この２点鎖線Ａは、ウェーハ１１の表面１１ａに形成された複数のデバイス１３のうち最も外側に位置するデバイス１３の一部と重なる。
【0045】
具体的には、この２点鎖線Ａは、デバイス１３ｄ，１３ｊ，１３ｋ等と重なり、デバイス１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｅ，１３ｆ，１３ｇ，１３ｈ，１３ｉ，１３ｌ等と重ならない。すなわち、デバイス１３ｄ，１３ｊ，１３ｋ等の近傍のデバイス領域１５ａと外周余剰領域１５ｂとの境界と、ウェーハ１１の中心との間隔は、上記の基準長よりも長い。
【0046】
このように当該間隔が上記の基準長よりも長くなる場合には、エッジトリミングの加工幅を基準幅よりも狭く設定する。例えば、エッジトリミングの基準幅から最大減分値（例えば、０．５ｍｍ）を限度に加工幅を狭く設定する。なお、図４に示される２点鎖線Ａの外側の点線Ｂは、上記の基準長に最大減分値を足した長さ（最長長）を半径とするウェーハ１１の外周の同心円を表している。
【0047】
この点線Ｂは、デバイス１３ｊ等と重なるものの、デバイス１３ｄ，１３ｋ等と重ならない。そのため、このようにエッジトリミングの加工幅が設定されることで、デバイス１３ｄ，１３ｋ等の損傷が防止される。また、デバイス１３ｊ等の損傷は避けられないが、デバイス１３ｊ等の近傍においても最低限必要な加工幅でエッジトリミングが行われることで、エッジトリミングされたウェーハ１１が割れる蓋然性の増加が抑制される。
【0048】
また、デバイス１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｅ，１３ｆ，１３ｇ，１３ｈ，１３ｉ，１３ｌ等の近傍のデバイス領域１５ａと外周余剰領域１５ｂとの境界と、ウェーハ１１の中心との間隔は、上記の基準長よりも短い。
【0049】
このように当該間隔が上記の基準長よりも短くなる場合には、エッジトリミングの加工幅を基準幅よりも広く設定する。例えば、エッジトリミングの基準幅から最大増分値（例えば、０．５ｍｍ）を限度に加工幅を広く設定する。なお、図４に示される２点鎖線Ａの内側の点線Ｃは、上記の基準長から最大増分値を引いた長さ（最短長）を半径とするウェーハ１１の外周の同心円を表している。
【0050】
この点線Ｃは、デバイス１３ａ，１３ｆ，１３ｇ，１３ｈ等と重ならない。そのため、このようにエッジトリミングの加工幅が広くなるように設定されたとしても、デバイス１３ａ，１３ｆ，１３ｇ，１３ｈ等が損傷することはない。また、デバイス１３ａ，１３ｆ，１３ｇ，１３ｈ等の近傍において十分な加工幅でエッジトリミングが行われることで、エッジトリミングされたウェーハ１１が割れる蓋然性が低減される。
【0051】
そして、加工ステップ（Ｓ３）においては、上述のように加工幅を変動させながらエッジトリミングが行われる。具体的には、このエッジトリミングは、保持テーブル１０の保持面の外周に沿って加工点を移動させながら、デバイス領域１５ａと外周余剰領域１５ｂとの境界とウェーハ１１の中心との間隔に応じて保持面の中心と加工点との間隔を調整することによって行われる。このようなエッジトリミングの一例について、図５～図１１を参照して詳細に説明する。
【0052】
なお、図５～図１１の（Ａ）は、エッジトリミングが行われているウェーハ１１を模式的に示す上面図であり、図５～図１１の（Ｂ）は、エッジトリミングが行われているウェーハ１１を模式的に示す断面図である。なお、図５～図１１の（Ａ）においては、便宜上、切削ブレード３６の上面が模式的に示されている。また、図５～図１１の（Ｂ）においては、便宜上、切削ブレード３６の側面が模式的に示されている。また、この切削ブレード３６としては、上記のエッジトリミングの基準幅及び上記の最大増分値の和よりも幅が広い切削ブレードが用いられる。
【0053】
ウェーハ１１に対してエッジトリミングを行う際には、まず、ウェーハ１１の外周とデバイス１３ａとの間の領域の直上に切削ブレード３６を位置付ける。具体的には、Ｘ軸方向移動機構が保持テーブル１０の位置を調整し、かつ、Ｙ軸方向移動機構１４が切削ユニット３２の位置を調整する。この時、ウェーハ１１の中心と当該領域との間隔は、上記の最短長になるように調整される（図５（Ａ）及び図５（Ｂ）参照）。
【0054】
次いで、切削ブレード用回転駆動源を動作させて切削ブレード３６を回転させながら、切削ブレード３６をウェーハ１１に切り込ませる。例えば、ウェーハ１１の表面１１ａよりも低く、かつ、裏面１１ｃよりも高い位置に切削ブレード３６の最下端を位置付けるように、Ｚ軸方向移動機構２２が切削ユニット３２を下降させる。これにより、切削ブレード３６とウェーハ１１の面取りされた外周端部とが接触する箇所が加工点となって、当該箇所のウェーハ１１の一部が除去される（図６（Ａ）及び図６（Ｂ）参照）。
【0055】
次いで、切削ブレード３６を回転させたまま、保持テーブル用回転駆動源が保持テーブル１０を回転させ、かつ、ウェーハ１１の中心から切削ブレード３６が離隔するようにＹ軸方向移動機構１４が切削ユニット３２の位置を調整する。例えば、Ｙ軸方向移動機構１４は、デバイス１３ｄのウェーハ１１の中心から最も遠い点とウェーハ１１の中心とを通る直線がＹ軸方向に平行になるタイミングで、ウェーハ１１の中心と切削ブレード３６の最下端との間隔が上記の最長長となるように、切削ユニット３２をウェーハ１１の中心から徐々に離隔させる（図７（Ａ）及び図７（Ｂ）参照）。
【0056】
次いで、切削ブレード３６及び保持テーブル１０を回転させたまま、ウェーハ１１の中心に切削ブレード３６が接近するようにＹ軸方向移動機構１４が切削ユニット３２の位置を調整する。例えば、Ｙ軸方向移動機構１４は、デバイス１３ｆのウェーハ１１の中心から最も遠い点とウェーハ１１の中心とを通る直線がＹ軸方向に平行になるタイミングで、ウェーハ１１の中心と切削ブレード３６の最下端との間隔が上記の最短長となるように、切削ユニット３２をウェーハ１１の中心に徐々に接近させる（図８（Ａ）及び図８（Ｂ）参照）。
【0057】
次いで、切削ブレード３６及び保持テーブル１０を回転させたまま、ウェーハ１１の中心と切削ブレード３６との間隔を維持する。例えば、Ｙ軸方向移動機構１４は、デバイス１３ｈのウェーハ１１の中心から最も遠い点とウェーハ１１の中心とを通る直線がＹ軸方向に平行になるまで、切削ユニット３２を移動させない（図９（Ａ）及び図９（Ｂ）参照）。
【0058】
次いで、切削ブレード３６及び保持テーブル１０を回転させたまま、ウェーハ１１の中心から切削ブレード３６が離隔するようにＹ軸方向移動機構１４が切削ユニット３２の位置を調整する。例えば、Ｙ軸方向移動機構１４は、デバイス１３ｊのウェーハ１１の中心から最も遠い点とウェーハ１１の中心とを通る直線がＹ軸方向に平行になるタイミングで、ウェーハ１１の中心と切削ブレード３６の最下端との間隔が上記の最長長となるように、切削ユニット３２を徐々にウェーハ１１の中心から離隔させる（図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）参照）。
【0059】
次いで、切削ブレード３６及び保持テーブル１０を回転させたまま、ウェーハ１１の中心と切削ブレード３６との間隔を維持する。例えば、Ｙ軸方向移動機構１４は、ウェーハ１１の表面１１ａに形成された複数のデバイスのうちデバイス１３ｊがエッジトリミングの加工点に最も近接するデバイスである間は、切削ユニット３２を移動させない。
【0060】
次いで、切削ブレード３６及び保持テーブル１０を回転させたまま、ウェーハ１１の中心に切削ブレード３６が接近するようにＹ軸方向移動機構１４が切削ユニット３２の位置を調整する。例えば、Ｙ軸方向移動機構１４は、デバイス１３ｌのウェーハ１１の中心から最も遠い点とウェーハ１１の中心とを通る直線がＹ軸方向に平行になるタイミングで、ウェーハ１１の中心と切削ブレード３６の最下端との間隔が上記の基準長となるように、切削ユニット３２を徐々にウェーハ１１の中心に接近させる（図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）参照）。
【0061】
以上によって、ウェーハ１１の外周端部の約１／４のエッジトリミングが完了する。また、ウェーハ１１の外周端部の残りの約３／４のエッジトリミングも上記同様に行われる。その結果、図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示されるように、エッジトリミングによって外周端部に段差１１ｄが形成されたウェーハ１１が得られる。
【0062】
なお、図１２（Ａ）は、エッジトリミング後のウェーハ１１を模式的に示す上面図であり、図１２（Ｂ）は、エッジトリミング後のウェーハ１１を模式的に示す側面図である。また、図１２（Ａ）には、便宜上、上記の最長長を半径とするウェーハの同心円を表す点線Ｂ及び上記の最短長を半径とするウェーハ１１の同心円を表す点線Ｃも示されている。
【0063】
図３に示される方法においては、複数のデバイス１３が形成されたデバイス領域１５ａ及びデバイス領域１５ａを囲繞する外周余剰領域１５ｂの境界とウェーハ１１の中心との間隔に応じて変動する幅でウェーハ１１の外周端部が加工される。換言すると、この方法においては、ウェーハ１１のエッジトリミングによって除去される外周端部の幅が、デバイス領域１５ａ及び外周余剰領域１５ｂの境界とウェーハ１１の中心との間隔に応じて設定される。
【0064】
端的には、この境界とウェーハ１１の中心との間隔が長ければ、この幅が狭くなるようにエッジトリミングが行われる。これにより、エッジトリミングによって損傷するデバイスの割合を０にする又は低減することができる。また、この境界とウェーハ１１の中心との間隔が短ければ、この幅が広くなるようにエッジトリミングが行われる。これにより、エッジトリミング後の工程において、ウェーハ１１が割れる蓋然性、及び／又は、ウェーハ１１を用いて構成される貼り合わせウェーハにおいて汚染源若しくは発塵源が形成させる蓋然性を低減することができる。
【0065】
なお、上述した方法は本発明の一態様であって、本発明の方法は上述した方法に限定されない。例えば、上述した方法の加工ステップ（Ｓ３）においては、ウェーハ１１の外周端部の裏面１１ｃ側の一部を残存させるようにエッジトリミングが行われているが、本発明の方法の加工ステップ（Ｓ３）においては、ウェーハ１１の外周端部の全部が除去されてもよい。
【0066】
すなわち、本発明の方法の加工ステップ（Ｓ３）においては、ウェーハ１１の外周端部に段差１１ｄを形成することなく、ウェーハ１１の表面１１ａ及び裏面１１ｃに直交するような側面が形成されるようにエッジトリミングが行われてもよい。
【0067】
このようなエッジトリミングは、例えば、切削ブレード３６の最下端がウェーハ１１の裏面１１ｃよりも下に位置付けられた状態で、図７～図１１等を参照して説明したように、ウェーハ１１の外周端部を加工することによって行われる。
【0068】
なお、この場合には、ウェーハ１１の裏面１１ｃ側にダイシングテープが貼着されていることが好ましい。すなわち、このダイシングテープを介してウェーハ１１が保持テーブル１０に保持された状態で、ウェーハ１１のエッジトリミングが行われることが好ましい。
【0069】
また、上述した方法の加工ステップ（Ｓ３）においては、Ｚ軸方向移動機構２２が切削ユニット３２を下降させることによって切削ブレード３６をウェーハ１１に切り込ませていたが、本発明の方法の加工ステップ（Ｓ３）においては、Ｘ軸方向移動機構が保持テーブル１０を移動させることによって切削ブレード３６をウェーハ１１に切り込ませてもよい。
【0070】
このようにウェーハ１１に対してエッジトリミングを行う際には、まず、切削ブレード３６がウェーハ１１から離隔するように、Ｘ軸方向移動機構が保持テーブル１０をＸ軸方向に沿って移動させる。次いで、切削ブレード３６からみてウェーハ１１の外周とデバイス１３ａとの間の領域がＸ軸方向に配置されるように、Ｙ軸方向移動機構１４が切削ユニット３２をＹ軸方向に沿って移動させる。
【0071】
この時、ウェーハ１１の中心と当該領域との間隔は、上記の最短長になるように調整される。次いで、ウェーハ１１の表面１１ａよりも低く、かつ、裏面１１ｃよりも高い位置に切削ブレード３６の最下端を位置付けるように、Ｚ軸方向移動機構２２が切削ユニット３２を下降させる。次いで、切削ブレード用回転駆動源を動作させて切削ブレード３６を回転させながら、切削ブレード３６をウェーハ１１に切り込ませる。
【0072】
具体的には、切削ブレード３６の最下端がウェーハ１１の外周とデバイス１３ａとの間の領域に至るまで、Ｘ軸方向移動機構が保持テーブル１０をＸ軸方向に沿って移動させる。その後、図７～図１１等を参照して説明したように、ウェーハ１１の外周端部を加工することによってウェーハ１１に対してエッジトリミングが行われる。
【0073】
また、上述した方法の加工ステップ（Ｓ３）においては、切削ブレード３６を用いてウェーハ１１が加工されていたが、本発明の方法の加工ステップ（Ｓ３）においては、レーザービームを用いてウェーハ１１が加工されてもよい。
【0074】
図１３は、レーザービームを用いて加工ステップ（Ｓ３）を行うレーザー照射装置の一例を模式的に示す斜視図である。なお、図１３に示されるＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向は、図１に示されるＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向にそれぞれ対応する。
【0075】
図１３に示されるレーザー照射装置４０は、保持テーブル４２を有する。保持テーブル４２は、上方に露出した円盤状のポーラス板４２ａを有する。ポーラス板４２ａの上面は、概ね平行であり、ウェーハ１１を保持する保持テーブル４２の保持面となる。
【0076】
保持テーブル４２の内部には、保持テーブル４２の外部に設けられたエジェクタ等の吸引源（不図示）に一端が接続された吸引路（不図示）が形成されている。この吸引路の他端は、ポーラス板４２ａに達している。そして、保持面にウェーハ１１が置かれた状態で、この吸引源を動作させると、ウェーハ１１が保持テーブル４２に吸引保持される。
【0077】
さらに、保持テーブル４２は、Ｘ軸方向移動機構（不図示）及びＹ軸方向移動機構（不図示）に連結されている。そして、Ｘ軸方向移動機構及び／又はＹ軸方向移動機構が動作すると、保持テーブル４２は、Ｘ軸方向及び／又はＹ軸方向に沿って移動する。
【0078】
また、保持テーブル４２は、回転駆動源（不図示）に連結されている。そして、この回転駆動源を動作させると、保持面の中心を通り、かつ、Ｚ軸方向に沿った回転軸で保持テーブル４２が回転する。なお、レーザービーム照射ユニット４４においては、保持テーブル４２でウェーハ１１を保持することによって、図３に示される保持ステップ（Ｓ１）が行われる。
【0079】
保持テーブル４２の上方には、レーザービーム照射ユニット４４のヘッド４６が設けられている。ヘッド４６は、Ｙ軸方向に沿って延在する連結部４８の先端（一端）部に設けられている。なお、ヘッド４６は集光レンズ及びミラー等の光学系を収容し、連結部４８はミラー及び／又はレンズ等の光学系を収容する。
【0080】
また、連結部４８の他端部は、Ｚ軸方向移動機構（不図示）に連結されている。そして、Ｚ軸方向移動機構が動作すると、ヘッド４６及び連結部４８は、Ｚ軸方向に沿って移動する。レーザービーム照射ユニット４４は、ウェーハ１１に吸収される波長（例えば、３６５ｎｍ）又はウェーハ１１を透過する波長（例えば、１０６４ｎｍ）のレーザービームを生成するレーザー発振器（不図示）を有する。
【0081】
レーザー発振器は、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧ等のレーザー媒質を有する。そして、レーザー発振器でレーザービームが生成されると、連結部４８及びヘッド４６に収容された光学系を介して、レーザービームがヘッド４６の直下に照射される。さらに、連結部４８の側部には、保持テーブル４２の保持面側を撮像可能な撮像ユニット５０が設けられている。
【0082】
撮像ユニット５０は、例えば、ＬＥＤ等の光源と、対物レンズと、ＣＣＤイメージセンサ又はＣＭＯＳイメージセンサ等の撮像素子とを有する。なお、レーザービーム照射ユニット４４においては、撮像ユニット５０によるウェーハ１１の撮像によって形成された画像に基づいて、図３に示される境界特定ステップ（Ｓ２）が行われる。
【0083】
そして、レーザービーム照射ユニット４４においては、ウェーハ１１に吸収される波長又はウェーハ１１を透過する波長のレーザービームを用いて、図３に示される加工ステップ（Ｓ３）が行われる。
【0084】
そして、ウェーハ１１に吸収される波長のレーザービームを用いる場合には、例えば、以下の順序で加工ステップ（Ｓ３）が行われる。まず、ウェーハ１１の外周とデバイス１３ａとの間の領域の直上にレーザービーム照射ユニット４４のヘッド４６が位置付けられるように、Ｘ軸方向移動機構、Ｙ軸方向移動機構及び回転駆動源がウェーハ１１を保持する保持テーブル１０の位置を調整する。
【0085】
次いで、ウェーハ１１に吸収される波長のレーザービームをウェーハ１１に照射する。この時、レーザービームは、そのＹ軸方向に沿った幅が上記のエッジトリミングの基準幅及び上記の最大増分値の和よりも広くなるように調整される。また、ウェーハ１１の中心とウェーハ１１に照射されるレーザービームとの間隔は、上記の最短長になるように調整される。
【0086】
これにより、ウェーハ１１の面取りされた外周端部を構成する材料のアブレーションが生じる。すなわち、ウェーハ１１に吸収される波長のレーザービームが照射されたウェーハ１１の箇所が加工点となって、当該箇所のウェーハ１１の一部が除去される。
【0087】
次いで、図７～図１１等を参照して説明したように、Ｙ軸方向移動機構及び回転駆動源が保持テーブル４２を移動させながら、レーザービーム照射ユニット４４がウェーハ１１に吸収される波長のレーザービームを照射する。その結果、図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示されるように、エッジトリミングによって外周端部に段差１１ｄが形成されたウェーハ１１が得られる。
【0088】
また、ウェーハ１１を透過する波長のレーザービームを用いる場合には、例えば、以下の順序で加工ステップ（Ｓ３）が行われる。まず、ウェーハ１１の外周とデバイス１３ａとの間の領域の直上にレーザービーム照射ユニット４４のヘッド４６が位置付けられるように、Ｘ軸方向移動機構、Ｙ軸方向移動機構及び回転駆動源がウェーハ１１を保持する保持テーブル１０の位置を調整する。
【0089】
次いで、ウェーハ１１を透過する波長のレーザービームをウェーハ１１に照射する。この時、レーザービームは、その集光点がウェーハ１１の内部に位置付けられるように調整される。また、ウェーハ１１の中心とウェーハ１１に照射されるレーザービームとの間隔は、上記の最短長になるように調整される。
【0090】
これにより、ウェーハ１１の面取りされた外周端部を構成する材料の構造が多光子吸収に起因して変質する。すなわち、ウェーハ１１を透過する波長のレーザービームが照射されたウェーハ１１の箇所が加工点となって、当該箇所のウェーハ１１に変質層が形成される。
【0091】
次いで、図７～図１１等を参照して説明したように、Ｙ軸方向移動機構及び回転駆動源が保持テーブル４２を移動させながら、レーザービーム照射ユニット４４がウェーハ１１を透過する波長のレーザービームを照射する。これにより、円環状の変質層が外周端部の内部に形成されたウェーハ１１が得られる。
【0092】
次いで、ウェーハ１１に外力を付与することで、円環状の変質層に沿ってウェーハ１１を破断する。例えば、ウェーハ１１の裏面１１ｃ側を研削することで、円環状の変質層からウェーハ１１の厚さ方向にクラックを進展させて、ウェーハ１１の中央部と面取りされた外周端部とを分離する。その結果、エッジトリミングされたウェーハ１１が得られる。
【0093】
なお、レーザー照射装置４０における加工点の位置（レーザービームが照射されるウェーハの位置）の調整は、レーザービーム照射ユニット４４に収容された光学系を調整することによって行われてもよい。すなわち、この加工点の調整は、レーザービーム照射ユニット４４に収容されたミラー及び／又はレンズの傾き等を調整することによって行われてもよい。
【0094】
さらに、本発明の方法の保持ステップ（Ｓ１）においては、ウェーハ１１の中心が保持テーブル１０又は保持テーブル４２の保持面の中心からずれた状態でウェーハ１１が保持面に置かれることがある。図１４は、このような状態で保持面に置かれたウェーハ１１を模式的に示す上面図である。なお、図１４においては、便宜上、ウェーハ１１に形成されている複数のデバイス１３が省略されている。
【0095】
また、図１４は、保持テーブル１０又は保持テーブル４２の保持面の中心を原点ＯとするＸ軸方向及びＹ軸方向に平行な座標平面（ＸＹ座標平面）を示していると表現することもできる。図１４においては、ウェーハ１１の中心が、保持面の中心（原点Ｏ）からずれた位置、すなわち、ＸＹ座標平面上の座標（Ｘｃ，Ｙｃ）の位置に置かれている。
【0096】
図１５は、このような場合に、デバイス領域１５ａと外周余剰領域１５ｂとの境界とウェーハ１１の中心との間隔に応じて変動する幅でウェーハ１１の外周端部を加工するための方法の一例を模式的に示すフローチャートである。この方法においては、まず、上記の保持ステップ（Ｓ１）が行われる。
【0097】
次いで、ウェーハ１１の中心の位置を算出する（中心算出ステップ：Ｓ４）。例えば、ウェーハ１１の中心の位置は、ウェーハ１１の外周上の少なくとも３点の位置に基づいて算出される。具体的には、ウェーハ１１の外周上の３点のＸＹ座標平面上の座標が（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ２）及び（Ｘ３，Ｙ３）である場合、ウェーハ１１の中心のＸＹ座標平面上の座標（Ｘｃ，Ｙｃ）は、以下の数式１及び数式２によって算出される。
【0098】
【数1】
【0099】
【数2】
【0100】
なお、ウェーハ１１の外周上の少なくとも３点の位置に対応するＸＹ座標平面上の座標は、例えば、撮像ユニット３８又は撮像ユニット５０によるウェーハ１１の外周を含む領域の撮像によって形成された画像に基づいて特定される。
【0101】
次いで、保持面の中心（原点Ｏ）と加工点とを通る直線上に位置付けられるウェーハ１１の外周上の点の位置を算出する（外周位置算出ステップ：Ｓ５）。なお、上述した切削装置２及びレーザー照射装置４０を用いたエッジトリミングにおいては、この加工点は、保持面の中心からみてＹ軸方向に位置付けられる。
【0102】
そのため、この直線は、図１４に示されるＸＹ座標平面のＹ軸に対応する。また、ウェーハ１１の中心がＸＹ座標平面上の座標（Ｘｃ，Ｙｃ）に位置する場合、このウェーハ１１の外周上の点のＸＹ座標平面上の座標は、（０，Ｙ０）と表現できる。そして、ＸＹ座標平面のＸ軸と、保持面の中心（原点Ｏ）とウェーハ１１の中心（座標（Ｘｃ，Ｙｃ））とを通る直線とがなす角をφとし、ウェーハ１１の半径をｒとすると、Ｙ０は、以下の数式３によって算出される。
【0103】
【数3】
【0104】
さらに、保持テーブル１０又は保持テーブル４２は、上述のとおり、保持面の中心（原点Ｏ）を通り、かつ、ＸＹ座標平面に直交する方向（Ｚ軸方向）に沿った回転軸で回転する。例えば、図１６に示されるように、保持テーブル１０又は保持テーブル４２を回転角θで回転させると、このウェーハ１１の外周上の点のＸＹ座標平面上の座標は、（０，ｙ）と表現できる。そして、ｙは、以下の数式４によって算出される。
【0105】
【数4】
【0106】
次いで、上記の境界特定ステップ（Ｓ２）及び加工ステップ（Ｓ３）が行われる。ただし、図１５に示される方法の加工ステップ（Ｓ３）においては、保持面の中心（原点Ｏ）と加工点との間隔が、デバイス領域１５ａと外周余剰領域１５ｂとの境界とウェーハ１１の中心との間隔のみならず、保持面の中心（原点Ｏ）と加工点とを通る直線上に位置付けられるウェーハ１１の外周上の点の位置に応じて調整される。端的には、保持面の中心（原点Ｏ）と加工点との間隔は、保持テーブル１０又は保持テーブル４２の回転角θを変数とする関数であるｙの値に応じて調整される。
【0107】
例えば、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示されるように、ウェーハ１１の外周とデバイス１３ａとの間の領域に対してエッジトリミングを行う際には、保持面の中心（原点Ｏ）と加工点との間隔が、ｙの値から上記のエッジトリミングの基準幅及び上記の最大増分値を引いた長さとなるように調整される。
【0108】
また、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示されるように、ウェーハ１１の外周とデバイス１３ｄとの間の領域に対してエッジトリミングを行う際には、保持面の中心（原点Ｏ）と加工点との間隔が、ｙの値から、上記のエッジトリミングの基準幅を引き、かつ、上記の最大減分値を足した長さとなるように調整される。
【0109】
また、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）に示されるように、ウェーハ１１の外周とデバイス１３ｌとの間の領域に対してエッジトリミングを行う際には、保持面の中心（原点Ｏ）と加工点との間隔が、ｙの値から上記のエッジトリミングの基準幅を引いた長さとなるように調整される。
【0110】
これにより、図１５に示される方法においては、ウェーハ１１の中心が保持テーブル１０又は保持テーブル４２の保持面の中心からずれた場合であっても、デバイス領域１５ａと外周余剰領域１５ｂとの境界とウェーハ１１の中心との間隔に応じて変動する幅でウェーハ１１の外周端部を加工することができる。
【0111】
なお、図１５に示される方法においては、中心算出ステップ（Ｓ４）及び外周位置算出ステップ（Ｓ５）が境界特定ステップ（Ｓ２）の後に行われてもよい。また、この場合には、境界特定ステップ（Ｓ２）において、デバイス領域１５ａと外周余剰領域１５ｂとの境界を特定するために利用された画像を中心算出ステップ（Ｓ４）において流用してもよい。
【0112】
例えば、境界特定ステップ（Ｓ２）において形成された画像に基づいてウェーハ１１の外周上の３点の位置を特定した後、この３点の位置に基づいてウェーハ１１の中心の位置が算出されてもよい。この場合、中心算出ステップ（Ｓ４）において新たに撮像を行う必要がない点で好ましい。
【0113】
その他、上述した実施形態にかかる構造及び方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【0114】
２ ：切削装置
４ ：基台（４ａ：開口）
６，８：カバー
１０ ：保持テーブル（１０ａ：ポーラス板）
１２ ：支持構造（１２ａ：立設部、１２ｂ：腕部）
１４ ：Ｙ軸方向移動機構
１６ ：Ｙ軸ガイドレール
１８ ：Ｙ軸移動プレート
２０ ：ねじ軸
２２ ：Ｚ軸方向移動機構
２４ ：Ｚ軸ガイドレール
２６ ：Ｚ軸移動プレート
２８ ：ねじ軸
３０ ：モータ
３２ ：切削ユニット
３４ ：スピンドルハウジング
３６ ：切削ブレード
３８ ：撮像ユニット
１１ ：ウェーハ（１１ａ：表面、１１ｂ：側面、１１ｃ：裏面、１１ｄ：段差）
１３ ：デバイス
１３ａ～１３ｌ：デバイス
１５ａ：デバイス領域
１５ｂ：外周余剰領域
４０ ：レーザー照射装置
４２ ：保持テーブル（４２ａ：ポーラス板）
４４ ：レーザービーム照射ユニット
４６ ：ヘッド
４８ ：連結部
５０ ：撮像ユニット
４ ：基台（４ａ：開口）
６，８：カバー
１０ ：保持テーブル（１０ａ：ポーラス板）
１２ ：支持構造（１２ａ：立設部、１２ｂ：腕部）
１４ ：Ｙ軸方向移動機構
１６ ：Ｙ軸ガイドレール
１８ ：Ｙ軸移動プレート
２０ ：ねじ軸
２２ ：Ｚ軸方向移動機構
２４ ：Ｚ軸ガイドレール
２６ ：Ｚ軸移動プレート
２８ ：ねじ軸
３０ ：モータ
３２ ：切削ユニット
３４ ：スピンドルハウジング
３６ ：切削ブレード
３８ ：撮像ユニット
１１ ：ウェーハ（１１ａ：表面、１１ｂ：側面、１１ｃ：裏面、１１ｄ：段差）
１３ ：デバイス
１３ａ～１３ｌ：デバイス
１５ａ：デバイス領域
１５ｂ：外周余剰領域
４０ ：レーザー照射装置
４２ ：保持テーブル（４２ａ：ポーラス板）
４４ ：レーザービーム照射ユニット
４６ ：ヘッド
４８ ：連結部
５０ ：撮像ユニット
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】