特開 2022-138627 成膜方法、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022138627

(43)【公開日】2022-09-26

(54)【発明の名称】成膜方法、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/12 20060101AFI20220915BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20220915BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20220915BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20220915BHJP

   C23C 14/24 20060101ALI20220915BHJP

【ＦＩ】

C23C14/12

H05B33/10

H05B33/14 B

H05B33/12 C

C23C14/24

【審査請求】未請求

【請求項の数】21

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021038610

(22)【出願日】2021-03-10

(71)【出願人】

【識別番号】000183646

【氏名又は名称】出光興産株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000637

【氏名又は名称】特許業務法人樹之下知的財産事務所

(72)【発明者】

【氏名】田崎 聡美

(72)【発明者】

【氏名】西村 和樹

(72)【発明者】

【氏名】齊藤 博之

【テーマコード（参考）】

3K107

4K029

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB02

3K107BB08

3K107CC04

3K107CC21

3K107CC33

3K107CC45

3K107DD51

3K107DD53

3K107DD58

3K107DD68

3K107DD69

3K107FF13

3K107FF15

3K107FF19

3K107FF20

3K107GG04

3K107GG34

4K029AA09

4K029BA03

4K029BA62

4K029CA01

4K029EA00

4K029EA01

4K029FA04

(57)【要約】

【課題】不純物が有機層同士の間に混入することを抑制できる成膜方法を提供すること。
【解決手段】互いに異なる複数の有機材料を用いて互いに異なる複数の有機層を基板１０に成膜する成膜方法であって、複数の有機層に係る複数の有機材料を当該複数の有機材料のそれぞれの蒸着源１１１，１１２，１１３から同時に蒸発させて複数の有機層を成膜する工程を含み、この成膜工程において、基板１０と、蒸着源１１１，１１２，１１３の少なくともいずれかとの相対的距離を変動させながら複数の有機層を成膜し、当該蒸着源から基板１０へ向けて有機材料が蒸発する方向である蒸発方向と、基板１０の表面とがなす角度である蒸発角度は、当該蒸着源ごとに異なり、当該蒸着源のそれぞれの蒸発角度は、同時に直角にならず、当該蒸着源のそれぞれから蒸発した有機材料の蒸気が存在する蒸発範囲ＶＰ１，ＶＰ２，ＶＰ３は、少なくとも一部が重なり合っている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに異なる複数の有機材料を用いて互いに異なる複数の有機層を基板に成膜する成膜方法であって、
互いに異なる前記複数の有機層に係る前記複数の有機材料を当該複数の有機材料のそれぞれの蒸着源から同時に蒸発させて、前記複数の有機層を成膜する工程を含み、
前記複数の有機層を成膜する工程において、
前記基板と、前記蒸着源の少なくともいずれかとの相対的距離を変動させながら前記複数の有機層を成膜し、
前記蒸着源から前記基板へ向けて前記有機材料が蒸発する方向である蒸発方向と、前記基板の表面とがなす角度である蒸発角度は、前記蒸着源ごとに異なり、
前記蒸着源のそれぞれの前記蒸発角度は、同時に直角にならず、
前記蒸着源のそれぞれから蒸発した前記有機材料の蒸気が存在する蒸発範囲は、少なくとも一部が重なり合っている、
成膜方法。

【請求項2】

請求項１に記載の成膜方法において、
前記複数の有機材料のそれぞれが個別に蒸着源に収容されている、
成膜方法。

【請求項3】

請求項１に記載の成膜方法において、
前記複数の有機材料のうち２種以上の有機材料が同一の蒸着源に収容されており、ただし、前記複数の有機層を成膜するために用いる前記複数の有機材料の全てが同一の蒸着源に収容されていることはない、
成膜方法。

【請求項4】

請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の成膜方法において、
前記複数の有機材料として、下記数式（数１）の関係を満たす三重項エネルギーがＴ_１（Ｈ１）である第一の有機化合物及び三重項エネルギーがＴ_１（Ｈ２）である第二の有機化合物を用いる、
成膜方法。
Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数１）

【請求項5】

請求項４記載の成膜方法において、
前記複数の有機材料の少なくともいずれかが、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す発光性化合物である、
成膜方法。

【請求項6】

請求項５に記載の成膜方法において、
前記第一の有機化合物のＳ_１（Ｈ１）と、前記発光性化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｄ１）とが下記数式（数２）の関係を満たす、
成膜方法。
Ｓ_１（Ｈ１）＞Ｓ_１（Ｄ１） …（数２）

【請求項7】

請求項５又は請求項６に記載の成膜方法において、
前記第一の有機化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、前記発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）とが下記数式（数２Ａ）の関係を満たす、
成膜方法。
Ｔ_１（Ｄ１）＞Ｔ_１（Ｈ１） …（数２Ａ）

【請求項8】

請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の成膜方法において、
前記基板の表面側から、前記第一の有機化合物を含有する有機層及び前記第二の有機化合物を含有する有機層の順に成膜する、
成膜方法。

【請求項9】

請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の成膜方法において、
前記蒸着源のそれぞれは、単一の成膜室である第一の成膜室の内部に配置されている、
成膜方法。

【請求項10】

請求項９に記載の成膜方法において、
前記第一の成膜室とは異なる第二の成膜室の内部で、前記複数の有機層とは異なる層を前記基板に成膜する工程を含み、
前記第一の成膜室及び前記第二の成膜室の一方から、前記第一の成膜室及び前記第二の成膜室の他方へ前記基板を移動させる、
成膜方法。

【請求項11】

請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の成膜方法において、
前記蒸着源の少なくともいずれかと、前記基板との間に制御部材を配置し、前記蒸着源の少なくともいずれかの蒸発範囲の一部を遮蔽しながら前記複数の有機層を成膜する、
成膜方法。

【請求項12】

請求項１１に記載の成膜方法において、
前記制御部材は、前記有機材料が前記基板まで到達可能に形成された開口部を少なくとも一つ有し、前記制御部材の前記開口部と前記蒸着源との位置を相対移動させながら前記複数の有機層を成膜する、
成膜方法。

【請求項13】

請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の成膜方法において、
前記基板を移動させながら前記複数の有機層を成膜する、
成膜方法。

【請求項14】

請求項１３に記載の成膜方法において、
前記基板の移動方向に対して、前記蒸着源のうち少なくとも２つの蒸着源を傾斜させて配置して、前記複数の有機層を成膜する、
成膜方法。

【請求項15】

請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の成膜方法において、
前記蒸着源の少なくともいずれかを移動させながら前記複数の有機層を成膜する、
成膜方法。

【請求項16】

請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の成膜方法において、
前記複数の有機層は、第一の発光層及び第二の発光層を含んでいる、
成膜方法。

【請求項17】

請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の成膜方法によって成膜された前記複数の有機層を有する、有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項18】

陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に含まれる第一の有機層と、
前記第一の有機層と前記陰極との間に含まれる第二の有機層と、
前記第一の有機層と前記第二の有機層との間に含まれる第三の有機層と、を有し、
前記第一の有機層は、第一の有機化合物及び第三の有機化合物を含有し、
前記第三の有機層は、前記第一の有機化合物、前記第三の有機化合物及び第二の有機化合物を含有し、
前記第二の有機層は、前記第三の有機化合物及び前記第二の有機化合物を含有する、
有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項19】

請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第一の有機化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、前記第二の有機化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たす、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数１）

【請求項20】

請求項１８又は請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の有機化合物は、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す化合物である、
有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項21】

請求項１８から請求項２０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、成膜方法、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という場合がある。）は、携帯電話及びテレビ等のフルカラーディスプレイへ応用されている。有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、陽極から正孔が発光層に注入され、また陰極から電子が発光層に注入される。そして、発光層において、注入された正孔と電子とが再結合し、励起子が形成される。このとき、電子スピンの統計則により、一重項励起子が２５％の割合で生成し、及び三重項励起子が７５％の割合で生成する。
有機ＥＬ素子の性能向上を図るため、例えば、特許文献１及び特許文献２においては、複数の発光層を積層させることについて検討がなされている。
有機ＥＬ素子の性能としては、例えば、輝度、発光波長、色度、発光効率、駆動電圧、及び寿命が挙げられる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００７－２９４２６１号公報

【特許文献2】米国特許出願公開２０１９／２８０２０９号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１及び特許文献２に記載されているような複数の発光層が積層された有機ＥＬ素子（積層型発光層の有機ＥＬ素子と称する場合がある。）を量産する場合、積層化のためにチャンバーを増設する等、量産装置の大幅な改造が必要になる。
また、積層型発光層の有機ＥＬ素子を量産する場合、それぞれの発光層を異なる成膜室で成膜する必要が生じるか、もしくは、発光層を同じ成膜室内で成膜するもの、従来、発光層と同じ成膜室で成膜していた他の有機層を別の成膜室で成膜する必要が生じる。例えば、基板上に発光層を成膜した後、別の成膜室に基板を移動させて別の発光層を成膜させて積層させると、これら発光層同士の間に不純物が混入し、素子性能が低下する恐れがある。

【0005】

本発明の目的は、複数の有機層を成膜する際に不純物が有機層同士の間に混入することを抑制できる成膜方法を提供することである。本発明の別の目的は、当該成膜方法により成膜した有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。本発明の別の目的は、不純物の混入が抑制された複数の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。本発明の別の目的は、有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一態様によれば、互いに異なる複数の有機材料を用いて互いに異なる複数の有機層を基板に成膜する成膜方法であって、互いに異なる前記複数の有機層に係る前記複数の有機材料を当該複数の有機材料のそれぞれの蒸着源から同時に蒸発させて、前記複数の有機層を成膜する工程を含み、前記複数の有機層を成膜する工程において、前記基板と、前記蒸着源の少なくともいずれかとの相対的距離を変動させながら前記複数の有機層を成膜し、前記蒸着源から前記基板へ向けて前記有機材料が蒸発する方向である蒸発方向と、前記基板の表面とがなす角度である蒸発角度は、前記蒸着源ごとに異なり、前記蒸着源のそれぞれの前記蒸発角度は、同時に直角にならず、前記蒸着源のそれぞれから蒸発した前記有機材料の蒸気が存在する蒸発範囲は、少なくとも一部が重なり合っている、成膜方法が提供される。

【0007】

本発明の一態様によれば、本発明の一態様に係る成膜方法によって成膜された前記複数の有機層を有する、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。

【0008】

本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に含まれる第一の有機層と、前記第一の有機層と前記陰極との間に含まれる第二の有機層と、前記第一の有機層と前記第二の有機層との間に含まれる第三の有機層と、を有し、前記第一の有機層は、第一の有機化合物及び第三の有機化合物を含有し、前記第三の有機層は、前記第一の有機化合物、前記第三の有機化合物及び第二の有機化合物を含有し、前記第二の有機層は、前記第三の有機化合物及び前記第二の有機化合物を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。

【0009】

本発明の一態様によれば、本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器が提供される。

【発明の効果】

【0010】

本発明の一態様によれば、複数の有機層を成膜する際に不純物が有機層同士の間に混入することを抑制できる成膜方法を提供することができる。本発明の一態様によれば、当該成膜方法により成膜した有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。本発明の一態様によれば、不純物の混入が抑制された複数の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。本発明の一態様によれば、本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】第一の実施形態に係る成膜方法を説明するための概略図である。

【図2】第一の実施形態に係る成膜方法を説明するための概略図である。

【図3】第一の実施形態に係る成膜方法を説明するための概略図である。

【図4】実施形態の変形例に成膜方法を説明するための概略図である。

【図5】第二の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。

【図6】実施形態の変形例に係る成膜方法を説明するための概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

〔第一の実施形態〕
（成膜方法）
本実施形態に係る成膜方法は、互いに異なる複数の有機材料を用いて互いに異なる複数の有機層を基板に成膜する成膜方法である。
本実施形態に係る成膜方法は、互いに異なる複数の有機層に係る複数の有機材料を当該複数の有機材料のそれぞれの蒸着源から同時に蒸発させて、複数の有機層を成膜する工程を含む。複数の有機層を成膜する工程において、基板と、蒸着源の少なくともいずれかとの相対的距離を変動させながら複数の有機層を成膜し、蒸着源から基板へ向けて有機材料が蒸発する方向である蒸発方向と、基板の表面とがなす角度である蒸発角度は、蒸着源ごとに異なり、蒸着源のそれぞれの蒸発角度は、同時に直角にならず、蒸着源のそれぞれから蒸発した有機材料の蒸気が存在する蒸発範囲は、少なくとも一部が重なり合っている。

【0013】

図１～図３には、本実施形態に係る成膜方法を説明するための概略図が示されている。本発明は、図１～図３に示された成膜方法に限定されない。
図１は、第一の成膜室１００の内部で、矢印で示す移動方向ＴＲに基板１０を移動させて、蒸着源１１１，１１２，１１３に近づける工程を示している。本実施形態では、蒸着源１１１，１１２，１１３を移動させずに基板１０を移動させることにより、基板と蒸着源の少なくともいずれかとの相対的距離を変動させる態様を例に挙げるが、本発明は、このような態様に限定されない。

【0014】

本実施形態に係る成膜方法において、蒸着源のそれぞれは、単一の成膜室である第一の成膜室の内部に配置されている。

【0015】

本実施形態に係る成膜方法において、複数の有機材料のそれぞれが個別に蒸着源に収容されている。

【0016】

図１に示す第一の成膜室１００の内部に設置された３つの蒸着源について、第一の蒸着源１１１には、第一の有機化合物が収容され、第二の蒸着源１１２には、発光性化合物が収容され、第三の蒸着源１１３には、第二の有機化合物が収容されている。蒸着源１１１，１１２，１１３には、それぞれ１種の化合物が収容されている。

【0017】

蒸着源は、それぞれ、収容されている化合物を放出するための放出口を有している。図１に示す第一の成膜室１００において、第一の蒸着源１１１は、第一の放出口１１１Ａを有し、第二の蒸着源１１２は、第二の放出口１１２Ａを有し、第三の蒸着源１１３は、第三の放出口１１３Ａを有する。

【0018】

第一の有機化合物と第二の有機化合物と発光性化合物とは、互いに異なる有機材料である。図１に示す例では、これら互いに異なる有機材料を用いて互いに異なる複数の有機層を成膜する。なお、本明細書において、互いに異なる複数の有機層とは、各有機層が含有する化合物の種類が互いに異なることを意味する。本明細書において、各有機層が含有する化合物の種類が互いに異なるとは、各有機層が含有する化合物が、互いに一致していないことを意味する。例えば、第一の有機化合物と発光性化合物とを含有する有機層と、第一の有機化合物と第二の有機化合物と発光性化合物とを含有する有機層とでは、第一の有機化合物及び発光性化合物は、両有機層で一致するが、第二の有機化合物が一方の有機層には含有されていないので、両有機層が含有する化合物は、一致していないものとする。

【0019】

本実施形態に係る成膜方法においては、基板を移動させながら複数の有機層を成膜する。
図２及び図３は、複数の有機層としての第一の有機層、第二の有機層及び第三の有機層を基板１０に成膜する工程を示している。複数の有機層を成膜する工程も、基板１０と、蒸着源１１１，１１２，１１３との相対的距離を変動させながら、実施される。本実施形態においては、基板１０を移動させながら、複数の有機層を成膜する工程が実施される。

【0020】

本実施形態に係る成膜方法において、基板の表面側から、第一の有機化合物を含有する有機層及び第二の有機化合物を含有する有機層の順に成膜することが好ましい。
図２及び図３に示す工程においては、第一の有機化合物及び発光性化合物を含有する第一の有機層が成膜され、次いで、第二の有機化合物、第一の有機化合物及び発光性化合物を含有する第三の有機層が成膜され、次いで、第二の有機化合物及び発光性化合物を含有する第二の有機層が成膜される。

【0021】

図２には、蒸着源１１１，１１２，１１３から基板１０へ向けて有機材料が蒸発する方向である蒸発方向と、基板１０の表面とがなす角度である蒸発角度が示されている。具体的には、図２には、基板１０上の任意の点Ｐに向けて、第一の蒸着源１１１の第一の放出口１１１Ａから第一の有機化合物が蒸発する方向である第一の蒸発方向ＶＤ１、第二の蒸着源１１２の第二の放出口１１２Ａから発光性化合物が蒸発する方向である第二の蒸発方向ＶＤ２、並びに第三の蒸着源１１３の第三の放出口１１３Ａから第二の有機化合物が蒸発する方向である第三の蒸発方向ＶＤ３が示されている。
図２に示すように、有機層を成膜する工程においては、第一の蒸発方向ＶＤ１と基板１０の表面とがなす角度である第一の蒸発角度ＶＡ１、第二の蒸発方向ＶＤ２と基板１０の表面とがなす角度である第二の蒸発角度ＶＡ２、並びに第三の蒸発方向ＶＤ３と基板１０の表面とがなす角度である第三の蒸発角度ＶＡ３は、蒸着源１１１，１１２，１１３ごとに異なる。さらに、有機層を成膜する工程においては、第一の蒸発角度ＶＡ１、第二の蒸発角度ＶＡ２及び第三の蒸発角度ＶＡ３は、同時に直角にならない。

【0022】

図３には、蒸着源１１１，１１２，１１３のそれぞれから蒸発した有機材料の蒸気が存在する蒸発範囲が示されている。具体的には、図３には、第一の蒸着源１１１から蒸発した第一の有機化合物の蒸気が存在する第一の蒸発範囲ＶＰ１、第二の蒸着源１１２から蒸発した発光性化合物の蒸気が存在する第二の蒸発範囲ＶＰ２、並びに第三の蒸着源１１３から蒸発した第二の有機化合物の蒸気が存在する第三の蒸発範囲ＶＰ３が示されている。
図３に示すように、有機層を成膜する工程において、第一の成膜室１００の内部には、第一の蒸発範囲ＶＰ１、第二の蒸発範囲ＶＰ２及び第三の蒸発範囲ＶＰ３の少なくとも一部が重なり合っている蒸発範囲（重複蒸発範囲）が形成されている。図３中、第一の蒸発範囲ＶＰ１、第二の蒸発範囲ＶＰ２及び第三の蒸発範囲ＶＰ３が重なり合っている蒸発範囲をＶＰ１＋ＶＰ２＋ＶＰ３で示し、第一の蒸発範囲ＶＰ１及び第二の蒸発範囲ＶＰ２が重なり合っている蒸発範囲をＶＰ１＋ＶＰ２で示し、第二の蒸発範囲ＶＰ２及び第三の蒸発範囲ＶＰ３が重なり合っている蒸発範囲をＶＰ２＋ＶＰ３で示している。本実施形態の成膜方法においては、蒸着源のそれぞれから蒸発した有機材料の蒸発範囲が、全て重なり合っていない。例えば、第一の成膜室１００の内部には、蒸発範囲が全て重なり合っていないＶＰ１＋ＶＰ２及びＶＰ２＋ＶＰ３が形成されている。
有機層を成膜する工程において、各有機材料の重複蒸発範囲が第一の成膜室１００内に形成されていることにより、単一の成膜室内で、互いに異なる複数の有機層を成膜することができる。
成膜室内に重複蒸発範囲が生じていることは、成膜された各有機層に含まれている材料を分析することにより確認することができる。

【0023】

図３に示すような重複蒸発範囲が形成されている場合、基板１０が、移動方向ＴＲに沿って搬送されると、基板１０は、まず、重複蒸発範囲ＶＰ１＋ＶＰ２と接するので、基板１０の表面には、第一の有機化合物及び発光性化合物を含有する第一の有機層が成膜される。
次いで、基板１０の第一の有機層が成膜された領域は、重複蒸発範囲ＶＰ１＋ＶＰ２＋ＶＰ３と接するので、第一の有機層の上に、第一の有機化合物、第二の有機化合物及び発光性化合物を含有する第三の有機層が成膜される。
次いで、基板１０の第三の有機層が成膜された領域は、重複蒸発範囲ＶＰ２＋ＶＰ３と接するので、第三の有機層の上に、第二の有機化合物及び発光性化合物を含有する第二の有機層が成膜される。

【0024】

本実施形態に係る成膜方法において、蒸着源の少なくともいずれかと、基板との間に制御部材を配置し、蒸着源の少なくともいずれかの蒸発範囲の一部を遮蔽しながら複数の有機層を成膜することが好ましい。制御部材を配置することにより、所望の組成及び膜厚の有機層を形成するための蒸発範囲又は重複蒸発範囲を形成させ易くなる。

【0025】

また、制御部材は、有機材料が基板まで到達可能に形成された開口部を少なくとも一つ有することが好ましい。
制御部材の開口部と蒸着源との位置を相対移動させながら複数の有機層を成膜してもよい。制御部材の開口部と蒸着源との位置を相対移動させながら成膜することで、成膜室を大気開放せずに各有機層の膜厚を調整し易くなる。
制御部材の開口部と蒸着源との位置を相対移動させずに複数の有機層を成膜してもよい。制御部材の開口部と蒸着源との位置を相対移動させない場合は、制御部材の開口部と基板との位置を相対移動させながら有機層を成膜してもよい。

【0026】

図１～図３に示すように、第一の成膜室１００の内部には、制御部材１３０が、蒸着源１１１，１１２，１１３を囲うように配置されている。制御部材１３０は、開口部１３１を有し、蒸着源１１１，１１２，１１３のそれぞれから蒸発した有機材料は、開口部１３１を通じて基板まで到達可能である。具体的には、図１～図３に示すように、各蒸着源１１１，１１２，１１３の放出口１１１Ａ，１１２Ａ，１１３Ａと、基板１０との間に位置する制御部材１３０の箇所に開口部１３１が設けられている。なお、開口部１３１は、図１～図３では、第二の蒸着源１１２の第二の放出口１１２Ａの上方に位置しているが、開口部の位置、数及び形状は、制御部材１３０の開口部１３１のような位置、数及び形状に限定されない。

【0027】

本実施形態に係る成膜方法において、基板の移動方向に対して、蒸着源のうち少なくとも１つの蒸着源を傾斜させて配置して、好ましくは、蒸着源のうち少なくとも２つの蒸着源を傾斜させて配置して、複数の有機層を成膜してもよい。蒸着源を傾斜させることにより、所望の組成及び膜厚の有機層を形成するための蒸発範囲又は重複蒸発範囲を形成させ易くなる。
例えば、図１～図３に示す蒸着源１１１，１１２，１１３の内、第一の蒸着源１１１を基板１０の移動方向ＴＲに対して上流側（図の左側）に向けて傾斜させ、第三の蒸着源１１３を基板１０の移動方向ＴＲに対して下流側（図の右側）に向けて傾斜させて配置することが好ましい。
図４には、このように蒸着源を傾斜させて配置した場合の成膜方法を説明するための概略図が示されている。
蒸着源を傾斜させて配置することにより、基板１０と制御部材１３０との間に、第一の有機化合物の第一の蒸発範囲ＶＰ１及び第二の有機化合物の第三の蒸発範囲ＶＰ３を回り込ませ易くなり、第一の有機層及び第二の有機層の膜厚を制御し易い。また、第一の蒸着源１１１から蒸発した第一の有機化合物のみからなる有機層及び第三の蒸着源１１３から蒸発した第二の有機化合物のみからなる有機層を成膜し易くなる。
また、第二の蒸着源１１２も第一の蒸着源１１１と同様に基板１０の移動方向ＴＲに対して上流側（図の左側）に向けて傾斜させてもよい。この場合、基板１０と制御部材１３０との間に、第一の有機化合物及び発光性化合物の重複蒸発範囲ＶＰ１＋ＶＰ２を回り込ませ易くなり、第一の有機化合物及び発光性化合物を、所望量、含有する有機層を成膜し易い。

【0028】

本実施形態に係る成膜方法は、第一の成膜室とは異なる第二の成膜室の内部で、複数の有機層とは異なる層を基板に成膜する工程を含んでいてもよい。第一の成膜室及び第二の成膜室の一方から、第一の成膜室及び第二の成膜室の他方へ基板を移動させてもよい。
例えば、第一の成膜室１００において第一の有機層、第二の有機層及び第三の有機層を形成する成膜工程の前工程及び後工程の少なくともいずれかの工程として、第一の成膜室１００とは異なる第二の成膜室で第一の有機層、第二の有機層及び第三の有機層とは異なる有機層を成膜してもよい。基板１０は、第一の成膜室及び第二の成膜室の一方から他方へと移動させる。さらに、本実施形態に記載の成膜方法は、第一の成膜室及び第二の成膜室とは異なる別の１つ又は複数の成膜室で成膜する工程を含んでいてもよい。

【0029】

従来、基板上に異なる有機層を蒸着により成膜する際には、真空条件下で第一の有機層を成膜した後、真空状態を解除し、第一の有機層とは異なる第二の有機層を成膜するために基板を別の成膜室へ移動させ、当該成膜室を改めて真空状態とする必要がある。真空状態を解除し、改めて真空条件とする際に、不純物が成膜室の内部に混入し、有機層同士の間にも不純物が混入するおそれがあった。
本実施形態に係る成膜方法によれば、互いに異なる複数の有機材料を用いて互いに異なる複数の有機層を単一の成膜室内で成膜することができる。そのため、本実施形態に係る成膜方法によれば、成膜室の真空度を下げずに複数の有機層を基板上に積層させることができるので、有機層同士の間に不純物が混入することを抑制できる。
また、本実施形態に係る成膜方法によれば、各蒸着源の蒸発角度を変化させることで、有機層中の各材料の混合比率を任意の割合に調整できると共に、任意の有機層の膜厚を制御できる。

【0030】

本実施形態に係る成膜方法において、複数の有機層は、第一の発光層及び第二の発光層を含んでいることも好ましい。本実施形態に係る成膜方法によれば、複数の発光層を単一の成膜室内で成膜することができるので、発光層同士の間に不純物が混入することを抑制できる。発光層同士の間への不純物混入を抑制することで、例えば、複数の発光層を有する有機ＥＬ素子の性能低下を抑制し易くなる。

【0031】

本実施形態に係る成膜方法において、複数の有機材料として、下記数式（数１）の関係を満たす三重項エネルギーがＴ_１（Ｈ１）である第一の有機化合物及び三重項エネルギーがＴ_１（Ｈ２）である第二の有機化合物を用いることが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数１）

【0032】

本実施形態に係る成膜方法において、前記複数の有機材料の少なくともいずれかが、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す発光性化合物であることが好ましい。

【0033】

本実施形態に係る成膜方法において、第一の有機化合物のＳ_１（Ｈ１）と、発光性化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｄ１）とが下記数式（数２）の関係を満たすことが好ましい。一重項エネルギーＳ_１とは、最低励起一重項状態と基底状態とのエネルギー差を意味する。
Ｓ_１（Ｈ１）＞Ｓ_１（Ｄ１） …（数２）

【0034】

本実施形態に係る成膜方法において、第一の有機化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）とが下記数式（数２Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｄ１）＞Ｔ_１（Ｈ１） …（数２Ａ）

【0035】

（有機エレクトロルミネッセンス素子）
本実施形態に係る成膜方法によって有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することもできる。本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、本実施形態に係る成膜方法によって成膜された複数の有機層を有する。
本実施形態に係る成膜方法によれば、有機層同士の間に不純物が混入することを抑制できるので、例えば、複数の有機層を備える有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する場合には、素子性能の低下を抑制することができる。

【0036】

本実施形態に係る成膜方法において、複数の有機材料として、前記数式（数１）の関係を満たす三重項エネルギーがＴ_１（Ｈ１）である第一の有機化合物及び三重項エネルギーがＴ_１（Ｈ２）である第二の有機化合物を用いて、第一の有機化合物を含有する第一の有機層としての第一の発光層を成膜し、第二の有機化合物を含有する第二の有機層としての第二の発光層を成膜することが好ましい。本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子がこのように成膜された第一の発光層及び第二の発光層を備えることで、発光効率の向上が期待できる。

【0037】

本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子において、第一の発光層が含有する第一の有機化合物が第一のホスト材料であり、第二の発光層が含有する第二の有機化合物が第二のホスト材料であることが好ましい。第一のホスト材料と第二のホスト材料とは互いに異なる。
本明細書において、「ホスト材料」とは、例えば「層の５０質量％以上」含まれる材料である。したがって、第一の発光層は、例えば、第一のホスト材料を、第一の発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。第二の発光層は、例えば、第二のホスト材料を、第二の発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。

【0038】

本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子において、第一の発光層は、第二の有機化合物としての第二のホスト材料を含有せず、第二の発光層は、第一の有機化合物としての第一のホスト材料を含有しないことも好ましい。この場合、本実施形態の製造方法において、第一の発光層を成膜するための第一のホスト材料の蒸発範囲と、第二の発光層を成膜するための第二のホスト材料の蒸発範囲とが重ならないように、蒸着源又は遮蔽部材等を成膜室内に配置すればよい。
また、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子において、第一の発光層は、第二の有機化合物としての第二のホスト材料を含有せず、第二の発光層は、第一の有機化合物としての第一のホスト材料及び第二の有機化合物としての第二のホスト材料の両方を含有していることも好ましい。この場合、本実施形態の製造方法において、第一の発光層を成膜する際に第一のホスト材料の蒸発範囲と第二のホスト材料の蒸発範囲とが重ならないように、蒸着源又は遮蔽部材等を成膜室内に配置すればよい。

【0039】

本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子において、第一の発光層が含有する発光性化合物を、第一の発光性化合物と称し、第二の発光層が含有する発光性化合物を第二の発光性化合物と称する場合がある。第一の発光性化合物と第二の発光性化合物とは、互いに同一であるか又は異なる。

【0040】

従来、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させるための技術として、Ｔｒｉｐｒｅｔ－Ｔｒｉｐｒｅｔ－Ａｎｎｈｉｌａｔｉｏｎ（ＴＴＡと称する場合がある。）が知られている。ＴＴＡは、三重項励起子と三重項励起子とが衝突して、一重項励起子を生成するという機構（メカニズム）である。なお、ＴＴＡメカニズムは、国際公開第２０１０／１３４３５０号に記載のようにＴＴＦメカニズムと称する場合もある。

【0041】

ＴＴＦ現象を説明する。陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子とは、発光層内で再結合し励起子を生成する。そのスピン状態は、従来から知られているように、一重項励起子が２５％、三重項励起子が７５％の比率である。従来知られている蛍光素子においては、２５％の一重項励起子が基底状態に緩和するときに光を発するが、残りの７５％の三重項励起子については光を発することなく熱的失活過程を経て基底状態に戻る。従って、従来の蛍光素子の内部量子効率の理論限界値は２５％といわれていた。
一方、有機物内部で生成した三重項励起子の挙動が理論的に調べられている。Ｓ．Ｍ．Ｂａｃｈｉｌｏらによれば（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ａ，１０４，７７１１（２０００））、五重項等の高次の励起子がすぐに三重項に戻ると仮定すると、三重項励起子（以下、^３Ａ^＊と記載する）の密度が上がってきたとき、三重項励起子同士が衝突し下記式のような反応が起きる。ここで、^１Ａは、基底状態を表し、^１Ａ^＊は、最低励起一重項励起子を表す。
^３Ａ^＊＋^３Ａ^＊→（４／９）^１Ａ＋（１／９）^１Ａ^＊＋（１３／９）^３Ａ^＊
即ち、５^３Ａ^＊→４^１Ａ＋１Ａ^＊となり、当初生成した７５％の三重項励起子のうち、１／５即ち２０％が一重項励起子に変化することが予測されている。従って、光として寄与する一重項励起子は、当初生成する２５％分に７５％×（１／５）＝１５％を加えた４０％ということになる。このとき、全発光強度中に占めるＴＴＦ由来の発光比率（ＴＴＦ比率）は、１５／４０、すなわち３７．５％となる。また、当初生成した７５％の三重項励起子のお互いが衝突して一重項励起子が生成した（２つの三重項励起子から１つの一重項励起子が生成した）とすると、当初生成する一重項励起子２５％分に７５％×（１／２）＝３７．５％を加えた６２．５％という非常に高い内部量子効率が得られる。このとき、ＴＴＦ比率は、３７．５／６２．５＝６０％である。

【0042】

本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子によれば、第一の発光層で正孔と電子との再結合によって生成した三重項励起子は、当該第一の発光層と直接に接する有機層との界面にキャリアが過剰に存在していても、第一の発光層と当該有機層との界面に存在する三重項励起子がクエンチされ難くなると考えられる。例えば、再結合領域が、第一の発光層と正孔輸送層又は電子障壁層との界面に局所的に存在する場合には、過剰な電子によるクエンチが考えられる。一方、再結合領域が、第一の発光層と電子輸送層又は正孔障壁層との界面に局所的に存在する場合には、過剰な正孔によるクエンチが考えられる。
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子が、所定の関係を満たす、少なくとも２つの発光層（すなわち、第一の発光層及び第二の発光層）を備え、第一の発光層中の第一の有機化合物としての第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第二の発光層中の第二の有機化合物としての第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、前記数式（数１）の関係を満たす場合、第一の発光層で生成した三重項励起子は、過剰キャリアによってクエンチされずに第二の発光層へと移動し、また、第二の発光層から第一の発光層へ逆移動することを抑制できる。その結果、第二の発光層において、ＴＴＦメカニズムが発現して、一重項励起子が効率良く生成され、発光効率が向上する。
このように、有機エレクトロルミネッセンス素子が、三重項励起子を主に生成させる第一の発光層と、第一の発光層から移動してきた三重項励起子を活用してＴＴＦメカニズムを主に発現させる第二の発光層と、を異なる領域として備え、第二の発光層中の第二のホスト材料として、第一の発光層中の第一のホスト材料よりも小さな三重項エネルギーを有する化合物を用いて、三重項エネルギーの差を設けることで、発光効率が向上する。

【0043】

本実施形態に係る成膜方法によれば、第一の発光層及び第二の発光層の成膜に用いる有機材料の蒸発範囲を重ねることで、特に第一の発光層の成膜後、第二の発光層の成膜までの間に成膜室の真空度を下げずに有機ＥＬ素子の第一の発光層及び第二の発光層を成膜できる。その結果、第一の発光層及び第二の発光層の間に不純物が混入することが抑制され、ＴＴＦの効率低下も抑制され、有機ＥＬ素子の発光効率の向上が期待できる。

【0044】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の有機化合物としての第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第二の有機化合物としての第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数５）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ１）－Ｔ_１（Ｈ２）＞０．０３ｅＶ …（数５）

【0045】

（第一の発光層）
第一の発光層は、第一のホスト材料を含む。第一のホスト材料は、第二の発光層が含有する第二のホスト材料とは、異なる化合物である。
第一の発光層は、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光性化合物を少なくとも含むことが好ましい。第一の発光性化合物は、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示す蛍光発光性化合物であることが好ましい。

【0046】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の有機化合物としての第一のホスト材料の一重項エネルギーＳ_１（Ｈ１）と、第一の発光層に含有される発光性化合物（第一の発光性化合物）の一重項エネルギーＳ_１（Ｄ１）とが前記数式（数２）の関係を満たすことが好ましい。
第一のホスト材料と第一の発光性化合物とが、前記数式（数２）の関係を満たすことにより、第一のホスト材料上で生成された一重項励起子は、第一のホスト材料から第一の発光性化合物へエネルギー移動し易くなり、第一の発光性化合物の蛍光性発光に寄与する。

【0047】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の有機化合物としての第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第一の発光層に含有される発光性化合物（第一の発光性化合物）の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）とが前記数式（数２Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
第一のホスト材料と第一の発光性化合物とが、前記数式（数２Ａ）の関係を満たす事により、第一の発光層内で生成した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを有する第一の発光性化合物ではなく、第一のホスト材料上を移動するため、第二の発光層へ移動し易くなる。

【0048】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、下記数式（数２Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｄ１）＞Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数２Ｂ）

【0049】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物は、分子中にアジン環構造を含まない化合物であることが好ましい。

【0050】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物は、ホウ素含有錯体ではないことが好ましく、第一の発光性化合物は、錯体ではないことがより好ましい。

【0051】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、金属錯体を含有しないことが好ましい。また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、ホウ素含有錯体を含有しないことも好ましい。

【0052】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、燐光発光性材料（ドーパント材料）を含まないことが好ましい。
また、第一の発光層は、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。

【0053】

化合物の最大のピーク波長の測定方法は、次の通りである。測定対象となる化合物の５μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の発光スペクトル（縦軸：発光強度、横軸：波長とする。）を測定する。発光スペクトルは、株式会社日立ハイテクサイエンス製の分光蛍光光度計（装置名：Ｆ－７０００）により測定できる。なお、発光スペクトル測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。
発光スペクトルにおいて、発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長を最大ピーク波長とする。なお、本明細書において、蛍光発光の最大ピーク波長を蛍光発光最大ピーク波長（ＦＬ－ｐｅａｋ）と称する場合がある。

【0054】

第一の発光性化合物の発光スペクトルにおいて、発光強度が最大となるピークを最大のピークとし、当該最大のピークの高さを１としたとき、当該発光スペクトルに現れる他のピークの高さは、０．６未満であることが好ましい。なお、発光スペクトルにおけるピークは、極大値とする。
また、第一の発光性化合物の発光スペクトルにおいて、ピークの数が３つ未満であることが好ましい。

【0055】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、素子駆動時に最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の光を放射することが好ましい。
素子駆動時に発光層が放射する光の最大ピーク波長の測定は、次に記載の方法で行うことができる。

【0056】

・素子駆動時に発光層から放射される光の最大ピーク波長λｐ
素子駆動時に第一の発光層から放射される光の最大ピーク波長λｐ_１は、第二の発光層を第一の発光層と同じ材料を用いて有機ＥＬ素子を作製し、有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測する。得られた分光放射輝度スペクトルから、最大ピーク波長λｐ_１（単位：ｎｍ）を算出する。
素子駆動時に第二の発光層から放射される光の最大ピーク波長λｐ_２は、第一の発光層を第二の発光層と同じ材料を用いて有機ＥＬ素子を作製し、有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測する。得られた分光放射輝度スペクトルから、最大ピーク波長λｐ_２（単位：ｎｍ）を算出する。

【0057】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物は、第一の発光層中に、１．１質量％を超えて、含有されることが好ましい。すなわち、第一の発光層は、第一の発光性化合物を、第一の発光層の全質量の１．１質量％超、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の１．２質量％以上、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の１．５質量％以上、含有することがさらに好ましい。
第一の発光層は、第一の発光性化合物を、第一の発光層の全質量の１０質量％以下、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の７質量％以下、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の５質量％以下、含有することがさらに好ましい。

【0058】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、第一のホスト材料を、第一の発光層の全質量の６０質量％以上、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の７０質量％以上、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の８０質量％以上、含有することがさらに好ましく、第一の発光層の全質量の９０質量％以上、含有することがよりさらに好ましく、第一の発光層の全質量の９５質量％以上、含有することがさらになお好ましい。
第一の発光層は、第一のホスト材料を、第一の発光層の全質量の９９質量％以下、含有することが好ましい。
ただし、第一の発光層が第一のホスト材料と第一の発光性化合物とを含有する場合、第一のホスト材料及び第一の発光性化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。

【0059】

なお、本実施形態は、第一の発光層に、第一のホスト材料と第一の発光性化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
第一の発光層は、第一のホスト材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。第一の発光層は、第一の発光性化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

【0060】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層の膜厚は、３ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上であることがより好ましい。第一の発光層の膜厚が３ｎｍ以上であれば、第一の発光層において、正孔と電子との再結合を起こすのに充分な膜厚である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層の膜厚は、１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。第一の発光層の膜厚が１５ｎｍ以下であれば、第二の発光層へ三重項励起子が移動するのに充分に薄い膜厚である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層の膜厚は、３ｎｍ以上、１５ｎｍ以下であることがより好ましい。

【0061】

（三重項エネルギーＴ_１）
三重項エネルギーＴ_１の測定方法としては、下記の方法が挙げられる。
測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、１０^－５ｍｏｌ／Ｌ以上１０^－４ｍｏｌ／Ｌ以下となるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とする。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λ_ｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式（Ｆ１）から算出されるエネルギー量を三重項エネルギーＴ_１とする。
換算式（Ｆ１）：Ｔ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λ_ｅｄｇｅ

【0062】

燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ－４５００形分光蛍光光度計本体を用いることができる。なお、測定装置はこの限りではなく、冷却装置、及び低温用容器と、励起光源と、受光装置とを組み合わせることにより、測定してもよい。

【0063】

（一重項エネルギーＳ_１）
溶液を用いた一重項エネルギーＳ_１の測定方法（溶液法と称する場合がある。）としては、下記の方法が挙げられる。
測定対象となる化合物の１０^－５ｍｏｌ／Ｌ以上１０^－４ｍｏｌ／Ｌ以下のトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸収強度、横軸：波長とする。）を測定する。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式（Ｆ２）に代入して一重項エネルギーを算出する。
換算式（Ｆ２）：Ｓ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
吸収スペクトル測定装置としては、例えば、日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）が挙げられるが、これに限定されない。

【0064】

吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。

【0065】

（第二の発光層）
第二の発光層は、第二のホスト材料を含む。第二のホスト材料は、第一の発光層が含有する第一のホスト材料とは、異なる化合物である。
第二の発光層は、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光性化合物を少なくとも含むことが好ましい。第二の発光性化合物は、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示す蛍光発光性化合物であることが好ましい。
化合物の最大のピーク波長の測定方法は、前述の通りである。

【0066】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）と、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが下記数式（数３Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｄ２）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数３Ａ）

【0067】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物と、第二のホスト材料とが、前記数式（数３Ａ）の関係を満たすことにより、第一の発光層で生成した三重項励起子は、第二の発光層に移動する際、より高い三重項エネルギーを有する第二の発光性化合物ではなく、第二のホスト材料の分子にエネルギー移動する。また、第二のホスト材料上で正孔及び電子が再結合して発生した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを持つ第二の発光性化合物には移動しない。第二の発光性化合物の分子上で再結合し発生した三重項励起子は、速やかに第二のホスト材料の分子にエネルギー移動する。
第二のホスト材料の三重項励起子が第二の発光性化合物に移動することなく、ＴＴＦ現象によって第二のホスト材料上で三重項励起子同士が効率的に衝突することで、一重項励起子が生成される。

【0068】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料の一重項エネルギーＳ_１（Ｈ２）と第二の発光性化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｄ２）とが、下記数式（数４）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（Ｈ２）＞Ｓ_１（Ｄ２） …（数４）

【0069】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物と、第二のホスト材料とが、前記数式（数４）の関係を満たすことにより、第二の発光性化合物の一重項エネルギーは、第二のホスト材料の一重項エネルギーより小さいため、ＴＴＦ現象によって生成された一重項励起子は、第二のホスト材料から第二の発光性化合物へエネルギー移動し、第二の発光性化合物の蛍光性発光に寄与する。

【0070】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、素子駆動時に最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の光を放射することが好ましい。

【0071】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物の最大のピークの半値幅が、１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることが好ましい。

【0072】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物のストークスシフトは、７ｎｍを超えることが好ましい。
第二の発光性化合物のストークスシフトが７ｎｍを越えていれば、自己吸収による発光効率の低下を防止し易くなる。
自己吸収とは、放出した光を同一化合物が吸収する現象であり、発光効率の低下を引き起こす現象である。自己吸収は、ストークスシフトの小さい（すなわち、吸収スペクトルと蛍光スペクトルの重なりが大きい）化合物で顕著に観測されるため、自己吸収を抑制するには、ストークスシフトの大きい（吸収スペクトルと蛍光スペクトルの重なりが小さい）化合物を用いることが好ましい。ストークスシフトは、次に記載する方法で測定できる。
測定対象となる化合物を２．０×１０^－５ｍｏｌ／Ｌの濃度でトルエンに溶解し、測定用試料を調製する。石英セルへ入れた測定用試料に室温（３００Ｋ）で紫外－可視領域の連続光を照射し、吸収スペクトル（縦軸：吸光度、横軸：波長）を測定する。吸収スペクトル測定には、分光光度計を用いることができ、例えば、株式会社日立ハイテクサイエンス製の分光光度計Ｕ－３９００／３９００Ｈ形を用いることができる。また、測定対象となる化合物を４．９×１０^－６ｍｏｌ／Ｌの濃度でトルエンに溶解し、測定用試料を調製する。石英セルへ入れた測定用試料に室温（３００Ｋ）で励起光を照射し、蛍光スペクトル（縦軸：蛍光強度、横軸：波長）を測定した。蛍光スペクトル測定には、分光光度計を用いることができ、例えば、株式会社日立ハイテクサイエンス製の分光蛍光光度計Ｆ－７０００形を用いることができる。
これらの吸収スペクトルと蛍光スペクトルから、吸収極大波長と蛍光極大波長の差を算出し、ストークスシフト（ＳＳ）を求める。ストークスシフトＳＳの単位は、ｎｍである。

【0073】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物は、分子中にアジン環構造を含まない化合物であることが好ましい。

【0074】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物は、ホウ素含有錯体ではないことが好ましく、第二の発光性化合物は、錯体ではないことがより好ましい。

【0075】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、金属錯体を含有しないことが好ましい。また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、ホウ素含有錯体を含有しないことも好ましい。

【0076】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、燐光発光性材料（ドーパント材料）を含まないことが好ましい。
また、第二の発光層は、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。

【0077】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物は、第二の発光層中に、１．１質量％を超えて、含有されることが好ましい。すなわち、第二の発光層は、第二の発光性化合物を、第二の発光層の全質量の１．１質量％超、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の１．２質量％以上、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の１．５質量％以上、含有することがさらに好ましい。
第二の発光層は、第二の発光性化合物を、第二の発光層の全質量の１０質量％以下、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の７質量％以下、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の５質量％以下、含有することがさらに好ましい。

【0078】

第二の発光層は、第二のホスト材料を、第二の発光層の全質量の６０質量％以上、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の７０質量％以上、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の８０質量％以上、含有することがさらに好ましく、第二の発光層の全質量の９０質量％以上、含有することがよりさらに好ましく、第二の発光層の全質量の９５質量％以上、含有することがさらになお好ましい。
第二の発光層は、第二のホスト材料を、第二の発光層の全質量の９９質量％以下、含有することが好ましい。
第二の発光層が第二のホスト材料と第二の発光性化合物とを含有する場合、第二のホスト材料及び第二の発光性化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。

【0079】

なお、本実施形態は、第二の発光層に、第二のホスト材料と第二の発光性化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
第二の発光層は、第二のホスト材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。第二の発光層は、第二の発光性化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

【0080】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層の膜厚は、５ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。第二の発光層の膜厚が５ｎｍ以上であれば、第一の発光層から第二の発光層へ移動してきた三重項励起子が、再び第一の発光層に戻ることを抑制し易い。また、第二の発光層の膜厚が５ｎｍ以上であれば、第一の発光層における再結合部分から三重項励起子を充分離すことができる。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層の膜厚は、２０ｎｍ以下であることが好ましい。第二の発光層の膜厚が２０ｎｍ以下であれば、第二の発光層中の三重項励起子の密度を向上させて、ＴＴＦ現象をさらに起こり易くすることができる。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層の膜厚は、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることが好ましい。

【0081】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物又は第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（ＤＸ）と、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１０）の関係を満たすことが好ましい。
２．６ｅＶ＞Ｔ_１（ＤＸ）＞Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数１０）

【0082】

第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）は、下記数式（数１０Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
２．６ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ１）＞Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数１０Ａ）

【0083】

第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）は、下記数式（数１０Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
２．６ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ２）＞Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数１０Ｂ）

【0084】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物又は第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（ＤＸ）と、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）とが、下記数式（数１１）の関係を満たすことが好ましい。
０ｅＶ＜Ｔ_１（ＤＸ）－Ｔ_１（Ｈ１）＜０．６ｅＶ …（数１１）

【0085】

第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）は、下記数式（数１１Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
０ｅＶ＜Ｔ_１（Ｄ１）－Ｔ_１（Ｈ１）＜０．６ｅＶ …（数１１Ａ）

【0086】

第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）は、下記数式（数１１Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
０ｅＶ＜Ｔ_１（Ｄ２）－Ｔ_１（Ｈ２）＜０．８ｅＶ …（数１１Ｂ）

【0087】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１２）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ１）＞２．０ｅＶ …（数１２）

【0088】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１２Ａ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１２Ｂ）の関係を満たすことも好ましい。
Ｔ_１（Ｈ１）＞２．１０ｅＶ …（数１２Ａ）
Ｔ_１（Ｈ１）＞２．１５ｅＶ …（数１２Ｂ）

【0089】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、前記数式（数１２Ａ）又は前記数式（数１２Ｂ）の関係を満たすことにより、第一の発光層で生成した三重項励起子は、第二の発光層へと移動し易くなり、また、第二の発光層から第一の発光層へ逆移動することを抑制し易くなる。その結果、第二の発光層において、一重項励起子が効率良く生成され、発光効率が向上する。

【0090】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１２Ｃ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１２Ｄ）の関係を満たすことも好ましい。
２．０８ｅＶ＞Ｔ_１（Ｈ１）＞１．８７ｅＶ …（数１２Ｃ）
２．０５ｅＶ＞Ｔ_１（Ｈ１）＞１．９０ｅＶ …（数１２Ｄ）

【0091】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、前記数式（数１２Ｃ）又は前記数式（数１２Ｄ）の関係を満たすことにより、第一の発光層で生成した三重項励起子のエネルギーが小さくなり、有機ＥＬ素子の長寿命化が期待できる。

【0092】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）が、下記数式（数１４Ａ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１４Ｂ）の関係を満たすことも好ましい。
２．６０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ１） …（数１４Ａ）
２．５０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ１） …（数１４Ｂ）
第一の発光層が、前記数式（数１４Ａ）又は（数１４Ｂ）の関係を満たす第一の発光性化合物を含有することにより、有機ＥＬ素子が長寿命化する。

【0093】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）が、下記数式（数１４Ｃ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１４Ｄ）の関係を満たすことも好ましい。
２．６０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ２） …（数１４Ｃ）
２．５０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ２） …（数１４Ｄ）
第二の発光層が、前記数式（数１４Ｃ）又は（数１４Ｄ）の関係を満たす化合物を含有することにより、有機ＥＬ素子が長寿命化する。

【0094】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）が、下記数式（数１３）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ２）≧１．９ｅＶ …（数１３）

【0095】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接していることが好ましい。

【0096】

本明細書において、「第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接している」層構造は、例えば、以下の態様（ＬＳ１）、（ＬＳ２）及び（ＬＳ３）のいずれかの態様も含み得る。
（ＬＳ１）第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第一のホスト材料及び第二のホスト材料の両方が混在する領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
（ＬＳ２）第一の発光層及び第二の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第一のホスト材料、第二のホスト材料及び発光性の化合物が混在する領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
（ＬＳ３）第一の発光層及び第二の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で当該発光性の化合物からなる領域、第一のホスト材料からなる領域、又は第二のホスト材料からなる領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。

【0097】

（有機ＥＬ素子のその他の層）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、第一の発光層及び第二の発光層以外に、１以上の有機層を有していてもよい。有機層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層及び電子障壁層からなる群から選択される少なくともいずれかの層が挙げられる。

【0098】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、陽極及び陰極をさらに含み、陽極と陰極との間に第一の発光層を含み、第一の発光層と陰極との間に第二の発光層を含むことが好ましい。

【0099】

本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、第一の発光層と、第二の発光層と、陰極とをこの順（第一の積層順と称する場合がある。）に有していることも好ましい。第一の積層順の場合、本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、陽極と第一の発光層との間に正孔輸送層を含むことが好ましい。第一の積層順の場合、本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層と陰極との間に電子輸送層を含むことが好ましい。

【0100】

また、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、第二の発光層と、第一の発光層と、陰極とをこの順（第二の積層順と称する場合がある。）に有していることも好ましい。第二の積層順の場合、本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、陽極と第二の発光層との間に正孔輸送層を含むことが好ましい。第二の積層順の場合、本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層と陰極との間に電子輸送層を含むことが好ましい。

【0101】

本実施形態において、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３０）の関係を満たすことも好ましい。
μｅ（Ｈ２）＞μｅ（Ｈ１） …（数３０）

【0102】

第一のホスト材料と第二のホスト材料とが、前記数式（数３０）の関係を満たすことで、第一の発光層でのホールと電子との再結合能が向上する。

【0103】

本実施形態において、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ２）とが、下記数式（数３１）の関係を満たすことも好ましい。
μｈ（Ｈ１）＞μｈ（Ｈ２） …（数３１）

【0104】

本実施形態において、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ１）と、第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ２）と、第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３２）の関係を満たすことも好ましい。
（μｅ（Ｈ２）／μｈ（Ｈ２））＞（μｅ（Ｈ１）／μｈ（Ｈ１）） …（数３２）

【0105】

電子移動度は、下記の手順で作製された移動度評価用素子を用い、インピーダンス測定を行うことで測定できる。移動度評価用素子は、例えば、下記の手順で作製される。
アルミニウム電極（陽極）付きガラス基板上に、アルミニウム電極を覆うようにして電子移動度の測定対象となる化合物Ｔａｒｇｅｔを蒸着して測定対象層を形成する。この測定対象層の上に、下記化合物ＥＴ－Ａを蒸着して電子輸送層を形成する。この電子輸送層の成膜の上に、ＬｉＦを蒸着して電子注入層を形成する。この電子注入層の成膜の上に金属アルミニウム（Ａｌ）を蒸着して金属陰極を形成する。
以上の移動度評価用素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
glass/Al(50)/Target(200)/ET-A(10)/LiF(1)/Al(50)
なお、括弧内の数字は、膜厚（ｎｍ）を示す。

【0106】

【化1】

【0107】

電子移動度の移動度評価用素子を、インピーダンス測定装置に設置し、インピーダンス測定を行う。インピーダンス測定は、測定周波数を１Ｈｚから１ＭＨｚまで掃引して行う。その際、素子には交流振幅０．１Ｖと同時に、直流電圧Ｖを印加する。測定されたインピーダンスＺから、下記計算式（Ｃ１）の関係を用いて、モジュラスＭを計算する。
計算式（Ｃ１）：Ｍ＝ｊωＺ
上記計算式（Ｃ１）において、ｊは、その平方が－１になる虚数単位、ωは、角周波数［ｒａｄ／ｓ］である。
モジュラスＭの虚部を縦軸、周波数［Ｈｚ］を横軸にしたボーデプロットにおいて、ピークを示す周波数ｆｍａｘから移動度評価用素子の電気的な時定数τを下記計算式（Ｃ２）から求める。
計算式（Ｃ２）：τ＝１／（２πｆｍａｘ）
上記計算式（Ｃ２）のπは、円周率を表す記号である。
上記τを用いて、下記計算式（Ｃ３－１）の関係から電子移動度μｅを算出する。
計算式（Ｃ３－１）：μｅ＝ｄ^２／（Ｖτ）
上記計算式（Ｃ３－１）のｄは、素子を構成する有機薄膜の総膜厚であり、電子移動度の移動度評価用素子構成の場合、ｄ＝２１０［ｎｍ］である。

【0108】

正孔移動度は、下記の手順で作製された移動度評価用素子を用い、インピーダンス測定を行うことで測定できる。移動度評価用素子は、例えば、下記の手順で作製される。
ＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板上に、透明電極を覆うようにして下記化合物ＨＡ－２を蒸着して正孔注入層を形成する。この正孔注入層の成膜の上に、下記化合物ＨＴ－Ａを蒸着して正孔輸送層を形成する。続けて、正孔移動度の測定対象となる化合物Ｔａｒｇｅｔを蒸着して測定対象層を形成する。この測定対象層の上に、金属アルミニウム（Ａｌ）を蒸着して金属陰極を形成する。
以上の移動度評価用素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA-2(5)/HT-A(10)/Target(200)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（ｎｍ）を示す。

【0109】

【化2】

【0110】

正孔移動度の移動度評価用素子を、インピーダンス測定装置に設置し、インピーダンス測定を行う。インピーダンス測定は、測定周波数を１Ｈｚから１ＭＨｚまで掃引して行う。その際、素子には交流振幅０．１Ｖと同時に、直流電圧Ｖを印加する。測定されたインピーダンスＺから、前記計算式（Ｃ１）の関係を用いて、モジュラスＭを計算する。
モジュラスＭの虚部を縦軸、周波数［Ｈｚ］を横軸にしたボーデプロットにおいて、ピークを示す周波数ｆｍａｘから移動度評価用素子の電気的な時定数τを前記計算式（Ｃ２）から求める。
前記計算式（Ｃ２）から求めたτを用いて、下記計算式（Ｃ３－２）の関係から正孔移動度μｈを算出する。
計算式（Ｃ３－２）：μｈ＝ｄ^２／（Ｖτ）
上記計算式（Ｃ３－２）のｄは、素子を構成する有機薄膜の総膜厚であり、正孔移動度の移動度評価用素子構成の場合、ｄ＝２１５［ｎｍ］である。

【0111】

本明細書における電子移動度及び正孔移動度は、電界強度の平方根Ｅ^１／２＝５００［Ｖ^１／２／ｃｍ^１／２］の際の値である。電界強度の平方根Ｅ^１／２は、下記計算式（Ｃ４）の関係から算出することができる。
計算式（Ｃ４）：Ｅ^１／２＝Ｖ^１／２／ｄ^１／２
前記インピーダンス測定にはインピーダンス測定装置としてソーラトロン社の１２６０型を用い、高精度化のため、ソーラトロン社の１２９６型誘電率測定インターフェイスを併せて用いることができる。

【0112】

有機ＥＬ素子の構成についてさらに説明する。以下、符号の記載は省略することがある。

【0113】

（基板）
基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、及びプラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、プラスチック基板等が挙げられる。プラスチック基板を形成する材料としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレート等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

【0114】

（陽極）
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

【0115】

これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム－酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１質量％以上１０質量％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５質量％以上５質量％以下、酸化亜鉛を０．１質量％以上１質量％以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。

【0116】

陽極上に形成されるＥＬ層のうち、陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることができる。

【0117】

仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

【0118】

（陰極）
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。

【0119】

なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

【0120】

なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。

【0121】

（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。

【0122】

また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等やジピラジノ［２，３－ｆ：２０，３０－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）も挙げられる。

【0123】

また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。

【0124】

（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^－６ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）以上の正孔移動度を有する物質である。

【0125】

正孔輸送層には、ＣＢＰ、９－［４－（Ｎ－カルバゾリル）］フェニル－１０－フェニルアントラセン（ＣｚＰＡ）、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（ＰＣｚＰＡ）のようなカルバゾール誘導体や、ｔ－ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。

【0126】

但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

【0127】

（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどの金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。本実施態様においては、ベンゾイミダゾール化合物を好適に用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^－６ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層は、単層で構成されていてもよいし、上記物質からなる層が二層以上積層されて構成されていてもよい。

【0128】

また、電子輸送層には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）などを用いることができる。

【0129】

（電子注入層）
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。

【0130】

あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

【0131】

（膜厚）
本実施形態の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、上記で特に言及した場合を除いて限定されない。一般に、膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、膜厚が厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常、有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

【0132】

（第一のホスト材料及び第二のホスト材料）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料及び第二のホスト材料は、それぞれ独立に、例えば、下記一般式（１）、一般式（１Ｘ）、一般式（１２Ｘ）、一般式（１３Ｘ）、一般式（１４Ｘ）、一般式（１５Ｘ）、一般式（１６Ｘ）及び一般式（２）で表される化合物からなる群から選択されるいずれかの化合物であることが好ましい。

【0133】

（一般式（１）で表される化合物）
本実施形態において、第一のホスト材料は、下記一般式（１）で表される化合物であることも好ましい。

【0134】

【化3】

【0135】

（前記一般式（１）において、
Ｒ_１０１～Ｒ_１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）

【0136】

（本実施形態に係る一般式（１）、一般式（１Ｘ）、一般式（１２Ｘ）、一般式（１３Ｘ）、一般式（１４Ｘ）、一般式（１５Ｘ）、一般式（１６Ｘ）で表される化合物中Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３、Ｒ_９０４、Ｒ_９０５、Ｒ_９０６、Ｒ_９０７、Ｒ_８０１及びＲ_８０２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０５が複数存在する場合、複数のＲ_９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０６が複数存在する場合、複数のＲ_９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０７が複数存在する場合、複数のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）

【0137】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基は、下記一般式（１１１）で表される基であることが好ましい。

【0138】

【化4】

【0139】

（前記一般式（１１１）において、
Ｘ_１は、ＣＲ_１２３Ｒ_１２４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_１２５であり、
Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍａは、０、１、２、３又は４であり、
ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
ｍａ＋ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
Ａｒ_１０１は、前記一般式（１１）におけるＡｒ_１０１と同義であり、
Ｒ_１２１、Ｒ_１２２、Ｒ_１２３、Ｒ_１２４及びＲ_１２５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｃは、３であり、
３つのＲ_１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
ｍｄは、３であり、
３つのＲ_１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

【0140】

前記一般式（１１１）で表される基における下記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の炭素原子＊１～＊８の位置のうち、＊１～＊４のいずれか１つの位置にＬ_１１１が結合し、＊１～＊４の残りの３つの位置にＲ_１２１が結合し、＊５～＊８のいずれか１つの位置にＬ_１１２が結合し、＊５～＊８の残りの３つの位置にＲ_１２２が結合する。

【0141】

【化5】

【0142】

例えば、前記一般式（１１１）で表される基において、Ｌ_１１１が前記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の＊２の炭素原子の位置に結合し、Ｌ_１１２が前記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の＊７の炭素原子の位置に結合する場合、前記一般式（１１１）で表される基は、下記一般式（１１１ｂ）で表される。

【0143】

【化6】

【0144】

（前記一般式（１１１ｂ）において、
Ｘ_１、Ｌ_１１１、Ｌ_１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ_１０１、Ｒ_１２１、Ｒ_１２２、Ｒ_１２３、Ｒ_１２４及びＲ_１２５は、それぞれ独立に、前記一般式（１１１）におけるＸ_１、Ｌ_１１１、Ｌ_１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ_１０１、Ｒ_１２１、Ｒ_１２２、Ｒ_１２３、Ｒ_１２４及びＲ_１２５と同義であり、
複数のＲ_１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
複数のＲ_１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

【0145】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１１）で表される基は、前記一般式（１１１ｂ）で表される基であることが好ましい。

【0146】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、ｍａは、０、１又は２であり、ｍｂは、０、１又は２である、ことが好ましい。

【0147】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、ｍａは、０又は１であり、ｍｂは、０又は１であることが好ましい。

【0148】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

【0149】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
Ａｒ_１０１は、
置換もしくは無置換のフェニル基、
置換もしくは無置換のナフチル基、
置換もしくは無置換のビフェニル基、
置換もしくは無置換のターフェニル基、
置換もしくは無置換のピレニル基、
置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は
置換もしくは無置換のフルオレニル基であることが好ましい。

【0150】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ_１０１は、下記一般式（１２）、一般式（１３）又は一般式（１４）で表される基であることも好ましい。

【0151】

【化7】

【0152】

（前記一般式（１２）、一般式（１３）及び一般式（１４）において、
Ｒ_１１１～Ｒ_１２０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_１２４で表される基、
－ＣＯＯＲ_１２５で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１２）、一般式（１３）及び一般式（１４）中の＊は、前記一般式（１１）中のＬ_１０１との結合位置、又は前記一般式（１１１）もしくは一般式（１１１ｂ）中のＬ_１１２との結合位置を示す。）

【0153】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料は、下記一般式（１０１）で表されることも好ましい。

【0154】

【化8】

【0155】

（前記一般式（１０１）において、
Ｒ_１０１～Ｒ_１２０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち１つがＬ_１０１との結合位置を示し、Ｒ_１１１～Ｒ_１２０のうち１つがＬ_１０１との結合位置を示し、
Ｌ_１０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

【0156】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｌ_１０１は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることが好ましい。

【0157】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料は、下記一般式（１０２）で表されることも好ましい。

【0158】

【化9】

【0159】

（前記一般式（１０２）において、
Ｒ_１０１～Ｒ_１２０は、それぞれ独立に、前記一般式（１０１）におけるＲ_１０１～Ｒ_１２０と同義であり、
ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち１つがＬ_１１１との結合位置を示し、Ｒ_１１１～Ｒ_１２０のうち１つがＬ_１１２との結合位置を示し、
Ｘ_１は、ＣＲ_１２３Ｒ_１２４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_１２５であり、
Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍａは、０、１、２、３又は４であり、
ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
ｍａ＋ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
Ｒ_１２１、Ｒ_１２２、Ｒ_１２３、Ｒ_１２４及びＲ_１２５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｃは、３であり、
３つのＲ_１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
ｍｄは、３であり、
３つのＲ_１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

【0160】

前記一般式（１０２）で表される化合物において、ｍａは、０、１又は２であり、ｍｂは、０、１又は２であることが好ましい。

【0161】

前記一般式（１０２）で表される化合物において、ｍａは、０又は１であり、ｍｂは、０又は１であることが好ましい。

【0162】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であることが好ましい。

【0163】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であり、かつ、Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

【0164】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ_１０１は、置換もしくは無置換のピレニレン基ではなく、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではないことが好ましい。

【0165】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。

【0166】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基であることが好ましい。

【0167】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０は、水素原子であることが好ましい。

【0168】

（一般式（１Ｘ）で表される化合物）
本実施形態において、第一のホスト材料は、下記一般式（１Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

【0169】

【化10】

【0170】

（前記一般式（１Ｘ）において、
Ｒ_１０１～Ｒ_１１２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１Ｘ）で表される基であり、
ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１２の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ｘ）で表される基であり、
前記一般式（１１Ｘ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ｘ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１Ｘ）中の＊は、前記一般式（１Ｘ）中のベンズ［ａ］アントラセン環との結合位置を示す。）

【0171】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基は、下記一般式（１１１Ｘ）で表される基であることが好ましい。

【0172】

【化11】

【0173】

（前記一般式（１１１Ｘ）において、
Ｘ_１は、ＣＲ_１４３Ｒ_１４４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_１４５であり、
Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍａは、１、２、３又は４であり、
ｍｂは、１、２、３又は４であり、
ｍａ＋ｍｂは、２、３又は４であり、
Ａｒ_１０１は、前記一般式（１１Ｘ）におけるＡｒ_１０１と同義であり、
Ｒ_１４１、Ｒ_１４２、Ｒ_１４３、Ｒ_１４４及びＲ_１４５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｃは、３であり、
３つのＲ_１４１は、互いに同一であるか、又は異なり、
ｍｄは、３であり、
３つのＲ_１４２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

【0174】

前記一般式（１１１Ｘ）で表される基における下記一般式（１１１ａＸ）で表される環構造中の炭素原子＊１～＊８の位置のうち、＊１～＊４のいずれか１つの位置にＬ_１１１が結合し、＊１～＊４の残りの３つの位置にＲ_１４１が結合し、＊５～＊８のいずれか１つの位置にＬ_１１２が結合し、＊５～＊８の残りの３つの位置にＲ_１４２が結合する。

【0175】

【化12】

【0176】

例えば、前記一般式（１１１Ｘ）で表される基において、Ｌ_１１１が前記一般式（１１１ａＸ）で表される環構造中の＊２の炭素原子の位置に結合し、Ｌ_１１２が前記一般式（１１１ａＸ）で表される環構造中の＊７の炭素原子の位置に結合する場合、前記一般式（１１１Ｘ）で表される基は、下記一般式（１１１ｂＸ）で表される。

【0177】

【化13】

【0178】

（前記一般式（１１１ｂＸ）において、
Ｘ_１、Ｌ_１１１、Ｌ_１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ_１０１、Ｒ_１４１、Ｒ_１４２、Ｒ_１４３、Ｒ_１４４及びＲ_１４５は、それぞれ独立に、前記一般式（１１１Ｘ）におけるＸ_１、Ｌ_１１１、Ｌ_１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ_１０１、Ｒ_１４１、Ｒ_１４２、Ｒ_１４３、Ｒ_１４４及びＲ_１４５と同義であり、
複数のＲ_１４１は、互いに同一であるか、又は異なり、
複数のＲ_１４２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

【0179】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１１Ｘ）で表される基は、前記一般式（１１１ｂＸ）で表される基であることが好ましい。

【0180】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、ｍａは、１又は２であり、ｍｂは、１又は２であることが好ましい。

【0181】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、ｍａは、１であり、ｍｂは、１であることが好ましい。

【0182】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

【0183】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ａｒ_１０１は、
置換もしくは無置換のフェニル基、
置換もしくは無置換のナフチル基、
置換もしくは無置換のビフェニル基、
置換もしくは無置換のターフェニル基、
置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリル基、
置換もしくは無置換のピレニル基、
置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は
置換もしくは無置換のフルオレニル基であることが好ましい。

【0184】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物は、下記一般式（１０１Ｘ）で表されることも好ましい。

【0185】

【化14】

【0186】

（前記一般式（１０１Ｘ）において、
Ｒ_１１１及びＲ_１１２のうち１つがＬ_１０１との結合位置を示し、Ｒ_１３３及びＲ_１３４のうち１つがＬ_１０１との結合位置を示し、
Ｒ_１０１～Ｒ_１１０、Ｒ_１２１～Ｒ_１３０、Ｌ_１０１との結合位置ではないＲ_１１１又はＲ_１１２、並びにＬ_１０１との結合位置ではないＲ_１３３又はＲ_１３４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ_１０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

【0187】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｌ_１０１は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることが好ましい。

【0188】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物は、下記一般式（１０２Ｘ）で表されることも好ましい。

【0189】

【化15】

【0190】

（前記一般式（１０２Ｘ）において、
Ｒ_１１１及びＲ_１１２のうち１つがＬ_１１１との結合位置を示し、Ｒ_１３３及びＲ_１３４のうち１つがＬ_１１２との結合位置を示し、
Ｒ_１０１～Ｒ_１１０、Ｒ_１２１～Ｒ_１３０、Ｌ_１１１との結合位置ではないＲ_１１１又はＲ_１１２並びにＬ_１１２との結合位置ではないＲ_１３３又はＲ_１３４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｘ_１は、ＣＲ_１４３Ｒ_１４４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_１４５であり、
Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍａは、１、２、３又は４であり、
ｍｂは、１、２、３又は４であり、
ｍａ＋ｍｂは、２、３、４又は５であり、
Ｒ_１４１、Ｒ_１４２、Ｒ_１４３、Ｒ_１４４及びＲ_１４５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｃは、３であり、
３つのＲ_１４１は、互いに同一であるか、又は異なり、
ｍｄは、３であり、
３つのＲ_１４２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

【0191】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１０２Ｘ）中のｍａは、１又は２であり、ｍｂは、１又は２であることが好ましい。

【0192】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１０２Ｘ）中のｍａは、１であり、ｍｂは、１であることが好ましい。

【0193】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基は、下記一般式（１１ＡＸ）で表される基、又は下記一般式（１１ＢＸ）で表される基であることも好ましい。

【0194】

【化16】

【0195】

（前記一般式（１１ＡＸ）及び前記一般式（１１ＢＸ）において、
Ｒ_１２１～Ｒ_１３１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１１ＡＸ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１ＡＸ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
前記一般式（１１ＢＸ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１ＢＸ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１３１及びＬ_１３２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
前記一般式（１１ＡＸ）及び前記一般式（１１ＢＸ）中の＊は、それぞれ、前記一般式（１Ｘ）中のベンズ［ａ］アントラセン環との結合位置を示す。）

【0196】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物は、下記一般式（１０３Ｘ）で表されることも好ましい。

【0197】

【化17】

【0198】

（前記一般式（１０３Ｘ）において、
Ｒ_１０１～Ｒ_１１０並びにＲ_１１２は、それぞれ、前記一般式（１Ｘ）におけるＲ_１０１～Ｒ_１１０並びにＲ_１１２と同義であり、
Ｒ_１２１～Ｒ_１３１、Ｌ_１３１及びＬ_１３２は、それぞれ、前記一般式（１１ＢＸ）におけるＲ_１２１～Ｒ_１３１、Ｌ_１３１及びＬ_１３２と同義である。）

【0199】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｌ_１３１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることも好ましい。

【0200】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｌ_１３２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることも好ましい。

【0201】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｒ_１０１～Ｒ_１１２のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であることも好ましい。

【0202】

本前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｒ_１０１～Ｒ_１１２のうち２つ以上が、前記一般式（１１Ｘ）で表される基であり、一般式（１１Ｘ）中のＡｒ_１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

【0203】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、
Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリル基ではなく、
Ｌ_１０１は、置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリレン基ではなく、
前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリル基ではないことも好ましい。

【0204】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。

【0205】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１２は、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基であることが好ましい。

【0206】

前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１２は、水素原子であることが好ましい。

【0207】

（一般式（１２Ｘ）で表される化合物）
本実施形態において、第一のホスト材料は、下記一般式（１２Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

【0208】

【化18】

【0209】

（前記一般式（１２Ｘ）において、
Ｒ_１２０１～Ｒ_１２１０のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成し、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ及び前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_１２０１～Ｒ_１２１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１２１）で表される基であり、
ただし、前記置換もしくは無置換の単環が置換基を有する場合の当該置換基、前記置換もしくは無置換の縮合環が置換基を有する場合の当該置換基、並びにＲ_１２０１～Ｒ_１２１０の少なくとも１つが、前記一般式（１２１）で表される基であり、
前記一般式（１２１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１２１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１２０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１２０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘ２は、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１２０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１２０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１２１）中の＊は、前記一般式（１２Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）

【0210】

前記一般式（１２Ｘ）において、Ｒ_１２０１～Ｒ_１２１０のうちの隣接する２つからなる組とは、Ｒ_１２０１とＲ_１２０２との組、Ｒ_１２０２とＲ_１２０３との組、Ｒ_１２０３とＲ_１２０４との組、Ｒ_１２０４とＲ_１２０５との組、Ｒ_１２０５とＲ_１２０６との組、Ｒ_１２０７とＲ_１２０８との組、Ｒ_１２０８とＲ_１２０９との組、並びにＲ_１２０９とＲ_１２１０との組である。

【0211】

（一般式（１３Ｘ）で表される化合物）
本実施形態において、第一のホスト材料は、下記一般式（１３Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

【0212】

【化19】

【0213】

（前記一般式（１３Ｘ）において、
Ｒ_１３０１～Ｒ_１３１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１３１）で表される基であり、
ただし、Ｒ_１３０１～Ｒ_１３１０の少なくとも１つは、前記一般式（１３１）で表される基であり、
前記一般式（１３１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１３１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１３０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１３０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘ３は、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１３０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１３０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１３０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１３０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１３１）中の＊は、前記一般式（１３Ｘ）中のフルオランテン環との結合位置を示す。）

【0214】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１３１）で表される基ではないＲ_１３０１～Ｒ_１３１０のうち隣接する２つ以上からなる組は、いずれも、互いに結合しない。前記一般式（１３Ｘ）において隣接する２つからなる組とは、Ｒ_１３０１とＲ_１３０２との組、Ｒ_１３０２とＲ_１３０３との組、Ｒ_１３０３とＲ_１３０４との組、Ｒ_１３０４とＲ_１３０５との組、Ｒ_１３０５とＲ_１３０６との組、Ｒ_１３０７とＲ_１３０８との組、Ｒ_１３０８とＲ_１３０９との組、並びにＲ_１３０９とＲ_１３１０との組である。

【0215】

（一般式（１４Ｘ）で表される化合物）
本実施形態において、第一のホスト材料は、下記一般式（１４Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

【0216】

【化20】

【0217】

（前記一般式（１４Ｘ）において、
Ｒ_１４０１～Ｒ_１４１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１４１）で表される基であり、
ただし、Ｒ_１４０１～Ｒ_１４１０の少なくとも１つは、前記一般式（１４１）で表される基であり、
前記一般式（１４１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１４１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１４０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１４０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘ４は、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１４０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１４０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１４０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１４０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１４１）中の＊は、前記一般式（１４Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）

【0218】

（一般式（１５Ｘ）で表される化合物）
本実施形態において、第一のホスト材料は、下記一般式（１５Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

【0219】

【化21】

【0220】

（前記一般式（１５Ｘ）において、
Ｒ_１５０１～Ｒ_１５１４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１５１）で表される基であり、
ただし、Ｒ_１５０１～Ｒ_１５１４の少なくとも１つは、前記一般式（１５１）で表される基であり、
前記一般式（１５１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１５１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１５０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１５０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘ５は、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１５０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１５０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１５０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１５０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１５１）中の＊は、前記一般式（１５Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）

【0221】

（一般式（１６Ｘ）で表される化合物）
本実施形態において、第一のホスト材料は、下記一般式（１６Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

【0222】

【化22】

【0223】

（前記一般式（１６Ｘ）において、
Ｒ_１６０１～Ｒ_１６１４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１６１）で表される基であり、
ただし、Ｒ_１６０１～Ｒ_１６１４の少なくとも１つは、前記一般式（１６１）で表される基であり、
前記一般式（１６１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１６１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１６０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_１６０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘ６は、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ_１６０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１６０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_１６０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１６０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１６１）中の＊は、前記一般式（１６Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）

【0224】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料は、分子中に、単結合で連結されたベンゼン環とナフタレン環とを含む連結構造を有し、当該連結構造中のベンゼン環及びナフタレン環には、それぞれ独立に、さらに単環又は縮合環が縮合しているか又は縮合しておらず、当該連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、当該単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結していることも好ましい。
第一のホスト材料が、このような架橋を含んだ連結構造を有していることにより、有機ＥＬ素子の色度悪化の抑制が期待できる。
この場合の第一のホスト材料は、分子中に、下記式（Ｘ１）又は式（Ｘ２）で表されるような、単結合で連結されたベンゼン環とナフタレン環とを含む連結構造（ベンゼン－ナフタレン連結構造と称する場合がある。）を最小単位として有していればよく、当該ベンゼン環にさらに単環又は縮合環が縮合していてもよいし、当該ナフタレン環にさらに単環又は縮合環が縮合していてもよい。例えば、第一のホスト材料が、分子中に、下記式（Ｘ３）、式（Ｘ４）、又は式（Ｘ５）で表されるような、単結合で連結されたナフタレン環とナフタレン環とを含む連結構造（ナフタレン－ナフタレン連結構造と称する場合がある。）においても、一方のナフタレン環は、ベンゼン環を含んでいるため、ベンゼン－ナフタレン連結構造を含んでいることになる。

【0225】

【化23】

【0226】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記架橋が二重結合を含むことも好ましい。
すなわち、前記ベンゼン環と前記ナフタレン環とが、単結合以外の部分において二重結合を含む架橋構造によりさらに連結した構造を有することも好ましい。

【0227】

ベンゼン－ナフタレン連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結すると、例えば、前記式（Ｘ１）の場合、下記式（Ｘ１１）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ３）の場合、下記式（Ｘ３１）で表される連結構造（縮合環）になる。
ベンゼン－ナフタレン連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、単結合以外の部分において二重結合を含む架橋によりさらに連結すると、例えば、前記式（Ｘ１）の場合、下記式（Ｘ１２）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ２）の場合、下記式（Ｘ２１）又は式（Ｘ２２）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ４）の場合、下記式（Ｘ４１）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ５）の場合、下記式（Ｘ５１）で表される連結構造（縮合環）になる。
ベンゼン－ナフタレン連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、単結合以外の少なくとも１つの部分においてヘテロ原子（例えば、酸素原子）を含む架橋によりさらに連結すると、例えば、前記式（Ｘ１）の場合、下記式（Ｘ１３）で表される連結構造（縮合環）になる。

【0228】

【化24】

【0229】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料は、分子中に、第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが単結合で連結されたビフェニル構造を有し、当該ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、当該単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結していることも好ましい。

【0230】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の１つの部分において前記架橋によりさらに連結していることも好ましい。第一のホスト材料が、このような架橋を含んだビフェニル構造を有していることにより、有機ＥＬ素子の色度悪化の抑制が期待できる。

【0231】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記架橋が二重結合を含むことも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記架橋が二重結合を含まないことも好ましい。

【0232】

前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の２つの部分において前記架橋によりさらに連結していることも好ましい。

【0233】

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の２つの部分において前記架橋によりさらに連結し、前記架橋が二重結合を含まないことも好ましい。第一のホスト材料が、このような架橋を含んだビフェニル構造を有していることにより、有機ＥＬ素子の色度悪化の抑制が期待できる。

【0234】

例えば、下記式（ＢＰ１）で表される前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結すると、当該ビフェニル構造は、下記式（ＢＰ１１）～（ＢＰ１５）等の連結構造（縮合環）になる。

【0235】

【化25】

【0236】

前記式（ＢＰ１１）は、前記単結合以外の１つの部分において二重結合を含まない架橋によって連結した構造である。
前記式（ＢＰ１２）は、前記単結合以外の１つの部分において二重結合を含む架橋によって連結した構造である。
前記式（ＢＰ１３）は、前記単結合以外の２つの部分において二重結合を含まない架橋によって連結した構造である。
前記式（ＢＰ１４）は、前記単結合以外の２つの部分の一方において二重結合を含まない架橋によって連結し、前記単結合以外の２つの部分の他方において二重結合を含む架橋によって連結した構造である。
前記式（ＢＰ１５）は、前記単結合以外の２つの部分において二重結合を含む架橋によって連結した構造である。

【0237】

（一般式（１）、（１Ｘ）、（１２Ｘ）、（１３Ｘ）、（１４Ｘ）、（１５Ｘ）、（１６Ｘ）で表される化合物の具体例）
前記一般式（１）、（１Ｘ）、（１２Ｘ）、（１３Ｘ）、（１４Ｘ）、（１５Ｘ）、（１６Ｘ）で表される化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。ただし、本発明は、これら具体例に限定されない。本明細書において、化合物の具体例中、Ｄは、重水素原子を示し、Ｍｅは、メチル基を示し、ｔＢｕは、ｔｅｒｔ－ブチル基を示す。

【0238】

【化26】

【0239】

【化27】

【0240】

【化28】

【0241】

【化29】

【0242】

【化30】

【0243】

【化31】

【0244】

【化32】

【0245】

【化33】

【0246】

【化34】

【0247】

【化35】

【0248】

【化36】

【0249】

【化37】

【0250】

【化38】

【0251】

【化39】

【0252】

【化40】

【0253】

【化41】

【0254】

【化42】

【0255】

（一般式（２）で表される化合物）
本実施形態において、第二のホスト材料は、下記一般式（２）で表される化合物であることも好ましい。

【0256】

【化43】

【0257】

（前記一般式（２）において、
Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ_２０１及びＬ_２０２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

【0258】

（前記一般式（２）で表される化合物中、Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３、Ｒ_９０４、Ｒ_９０５、Ｒ_９０６、Ｒ_９０７、Ｒ_８０１及びＲ_８０２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０５が複数存在する場合、複数のＲ_９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０６が複数存在する場合、複数のＲ_９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０７が複数存在する場合、複数のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）

【0259】

一実施形態において、
Ｌ_２０１及びＬ_２０２は、それぞれ独立に、
単結合、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であり、
Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

【0260】

一実施形態において、Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２は、それぞれ独立に、
フェニル基、
ナフチル基、
フェナントリル基、
ビフェニル基、
ターフェニル基、
ジフェニルフルオレニル基、
ジメチルフルオレニル基、
ベンゾジフェニルフルオレニル基、
ベンゾジメチルフルオレニル基、
ジベンゾフラニル基、
ジベンゾチエニル基、
ナフトベンゾフラニル基、又は
ナフトベンゾチエニル基であることが好ましい。

【0261】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物中、前記一般式（２１）で表される基ではないＲ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基であることが好ましい。

【0262】

一実施形態において、Ｌ_１０１は、
単結合、又は
無置換の環形成炭素数６～２２のアリーレン基であり、
Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２２のアリール基であることが好ましい。

【0263】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物中、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基であることが好ましい。

【0264】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物中、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、水素原子であることが好ましい。

【0265】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２）中のＬ_２０２が単結合であり、Ａｒ_２０２が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0266】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２）中のＬ_２０２が単結合であり、Ａｒ_２０２が無置換の２－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0267】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２）中のＬ_２０２が単結合であり、Ａｒ_２０２が無置換の１－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0268】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２）中のＬ_２０２が無置換のｐ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０２が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0269】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２）中のＬ_２０２が無置換のｍ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０２が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0270】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２）中のＬ_２０２が無置換のｏ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０２が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0271】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２）中のＬ_２０２が無置換のｐ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０２が無置換の１－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0272】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２）中のＬ_２０２が無置換のｐ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０２が無置換の２－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0273】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２）中のＬ_２０２が無置換の１，４－ナフタレンジイル基であり、Ａｒ_２０２が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0274】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２）中のＬ_２０２が無置換のｍ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０２が無置換の２－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0275】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、下記一般式（２Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

【0276】

【化44】

【0277】

（前記一般式（２Ｘ）において、
Ｒ_２０１並びにＲ_２０３～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ_２０１並びにＲ_２０３～Ｒ_２０８と同義であり、
Ｌ_２０１、Ｌ_２０２、Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２は、それぞれ、前記一般式（２）におけるＬ_２０１、Ｌ_２０２、Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２と同義であり、
Ｌ_２０３は、前記一般式（２）におけるＬ_２０１と同義であり、
Ｌ_２０１、Ｌ_２０２及びＬ_２０３は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_２０３は、前記一般式（２）におけるＡｒ_２０１と同義であり、
Ａｒ_２０１、Ａｒ_２０２及びＡｒ_２０３は、互いに同一であるか、又は異なる。）

【0278】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０２が単結合であり、Ａｒ_２０２が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0279】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０２が単結合であり、Ａｒ_２０２が無置換の２－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0280】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０２が単結合であり、Ａｒ_２０２が無置換の１－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0281】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０２が無置換のｐ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０２が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0282】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０２が無置換のｍ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０２が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0283】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０２が無置換のｏ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０２が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0284】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０２が無置換のｐ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０２が無置換の１－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0285】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０２が無置換のｐ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０２が無置換の２－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0286】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０２が無置換の１，４－ナフタレンジイル基であり、Ａｒ_２０２が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0287】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０２が無置換のｍ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０２が無置換の２－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0288】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０１が単結合であり、Ａｒ_２０１が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0289】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０１が単結合であり、Ａｒ_２０１が無置換の２－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0290】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０１が単結合であり、Ａｒ_２０１が無置換の１－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0291】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０１が無置換のｐ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０１が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0292】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０１が無置換のｍ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０１が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0293】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０１が無置換のｏ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０１が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0294】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０１が無置換のｐ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０１が無置換の１－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0295】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０１が無置換のｐ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０１が無置換の２－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0296】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０１が無置換の１，４－ナフタレンジイル基であり、Ａｒ_２０１が無置換のフェニル基である化合物であることも好ましい。

【0297】

一実施形態において、前記一般式（２）で表される化合物は、前記一般式（２Ｘ）中のＬ_２０１が無置換のｍ－フェニレン基であり、Ａｒ_２０１が無置換の２－ナフチル基である化合物であることも好ましい。

【0298】

前記一般式（２）で表される化合物において、「置換もしくは無置換」と記載された基は、いずれも「無置換」の基であることが好ましい。

【0299】

一実施形態において、第二の発光層は、前記一般式（２）で表される化合物を第二のホスト材料として含有することが好ましい。したがって、例えば、第二の発光層は、前記一般式（２）で表される化合物を、第二の発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。

【0300】

本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置において、前記一般式（２）で表される化合物中、アントラセン骨格の置換基であるＲ_２０１～Ｒ_２０８は、分子間の相互作用が抑制されることを防ぎ、電子移動度の低下を抑制する点から、水素原子であることが好ましいが、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基でもよい。
Ｒ_２０１～Ｒ_２０８がアルキル基及びシクロアルキル基等のかさ高い置換基となった場合、分子間の相互作用が抑制され、第一のホスト材料に対し電子移動度が低下し、前記数式（数３０）に記載のμｅ（Ｈ２）＞μｅ（Ｈ１）の関係を満たさなくなるおそれがある。前記一般式（２）で表される化合物を第二の発光層に用いた場合には、μｅ（Ｈ２）＞μｅ（Ｈ１）の関係を満たす事で第一の発光層でのホールと電子との再結合能の低下、及び発光効率の低下を抑制することが期待できる。なお、置換基としては、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基がかさ高くなるおそれがあり、アルキル基、及びシクロアルキル基がさらにかさ高くなるおそれがある。
前記一般式（２）で表される化合物中、アントラセン骨格の置換基であるＲ_２０１～Ｒ_２０８は、かさ高い置換基ではないことが好ましく、アルキル基及びシクロアルキル基ではないことが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基ではないことがより好ましい。

【0301】

前記一般式（２）で表される化合物中、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８における「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、前述のかさ高くなるおそれのある置換基、特に置換もしくは無置換のアルキル基、及び置換もしくは無置換のシクロアルキル基を含まないことも好ましい。Ｒ_２０１～Ｒ_２０８における「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、置換もしくは無置換のアルキル基、及び置換もしくは無置換のシクロアルキル基を含まないことにより、アルキル基及びシクロアルキル基等のかさ高い置換基が存在する事による分子間の相互作用が抑制されるのを防ぎ、電子移動度の低下を防ぐことができ、また、このような前記一般式（２）で表される化合物を第二の発光層に用いた場合には、第一の発光層でのホールと電子との再結合能の低下、及び発光効率の低下を抑制できる。

【0302】

アントラセン骨格の置換基であるＲ_２０１～Ｒ_２０８がかさ高い置換基ではなく、置換基としてのＲ_２０１～Ｒ_２０８は、無置換であることがさらに好ましい。また、アントラセン骨格の置換基であるＲ_２０１～Ｒ_２０８がかさ高い置換基ではない場合において、かさ高くない置換基としてのＲ_２０１～Ｒ_２０８に置換基が結合する場合、当該置換基もかさ高い置換基ではないことが好ましく、置換基としてのＲ_２０１～Ｒ_２０８に結合する当該置換基は、アルキル基及びシクロアルキル基ではないことが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基ではないことがより好ましい。

【0303】

（一般式（２）で表される化合物の具体例）
前記一般式（２）で表される化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。ただし、本発明は、これら化合物の具体例に限定されない。

【0304】

【化45】

【0305】

【化46】

【0306】

【化47】

【0307】

第一のホスト材料及び第二のホスト材料において、「置換もしくは無置換」と記載された基は、いずれも「無置換」の基であることが好ましい。

【0308】

（第一のホスト材料及び第二のホスト材料の製造方法）
第一のホスト材料及び第二のホスト材料は、公知の方法により製造できる。また、第一のホスト材料及び第二のホスト材料は、公知の方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応及び原料を用いることによっても、製造できる。

【0309】

（発光性化合物）
本実施形態において、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光性化合物及び第二の発光性化合物は、特に限定されないが、それぞれ独立に、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示す蛍光発光性化合物であることが好ましい。
最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示す蛍光発光性化合物は、例えば、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体又はトリアリールアミン誘導体である。本明細書において、青色の発光とは、発光スペクトルの最大ピーク波長が４３０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内である発光をいう。

【0310】

〔第二の実施形態〕
以下の説明では、第二の実施形態との相違に係る部分を主に説明し、重複する説明については省略又は簡略化する。第二の実施形態と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略又は簡略化する。

【0311】

（有機エレクトロルミネッセンス素子）
本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に含まれる第一の有機層と、前記第一の有機層と前記陰極との間に含まれる第二の有機層と、前記第一の有機層と前記第二の有機層との間に含まれる第三の有機層と、を有し、前記第一の有機層は、第一の有機化合物及び第三の有機化合物を含有し、前記第三の有機層は、前記第一の有機化合物、前記第三の有機化合物及び第二の有機化合物を含有し、前記第二の有機層は、前記第三の有機化合物及び前記第二の有機化合物を含有する。

【0312】

本実施形態の有機ＥＬ素子の第一の有機層、第二の有機層及び第三の有機層は、上述のように第一の有機化合物、第二の有機化合物及び第三の有機化合物を含む。これら互いに異なる３つの有機層（第一の有機層、第二の有機層及び第三の有機層）は、成膜時に第一の有機化合物、第二の有機化合物及び第三の有機化合物の蒸発範囲を適宜重ねるようにすることで、単一の成膜室内で成膜することができる。このように、本実施形態の有機ＥＬ素子の構成であれば、成膜室の真空度を下げずに第一の有機層、第三の有機層及び第二の有機層を連続して成膜することができ、その結果、第一の有機層と第三の有機層との間、並びに第三の有機層と第二の有機層との間への不純物の混入を抑制することができる。したがって、本実施形態の有機ＥＬ素子によれば、不純物の混入により素子性能がばらつく事を抑制する事が期待できる。

【0313】

図５に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。図５に示す有機ＥＬ素子１は、基板１０と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層５と、を含む。有機層５は、陽極３側から順に、正孔注入層６、正孔輸送層７、第一の有機層５１、第三の有機層５３、第二の有機層５２、電子輸送層８及び電子注入層９が、この順番で積層されて構成される。本発明は、図５に示す有機ＥＬ素子の構成に限定されない。

【0314】

本実施形態において、第一の有機層は、第一の発光層であることが好ましい。
本実施形態において、第二の有機層は、第二の発光層であることが好ましい。
本実施形態において、第三の有機層は、第三の発光層であることが好ましい。

【0315】

本実施形態の有機ＥＬ素子において、第一の有機化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第二の有機化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、前記数式（数１）の関係を満たすことが好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ素子によれば、第一の発光層及び第二の発光層の間への不純物の混入が抑制されるので、本実施形態の有機ＥＬ素子が前記数式（数１）の関係を満たす三重項エネルギーがＴ_１（Ｈ１）である第一の有機化合物を含有する第一の発光層と、三重項エネルギーがＴ_１（Ｈ２）である第二の有機化合物を含有する第二の発光層と、を有する場合、不純物の混入に起因するＴＴＦ効率の低下が抑制され、発光効率の向上が期待できる。

【0316】

本実施形態の有機ＥＬ素子において、第三の有機化合物は、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す化合物であることが好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ素子において、第三の有機化合物は、第一の実施形態における第一の発光性化合物又は第二の発光性化合物であることも好ましい。

【0317】

本実施形態の第一の発光層は、第一のホスト材料と発光性化合物を含有していることが好ましい。
本実施形態の第二の発光層は、第二のホスト材料と発光性化合物を含有していることが好ましい。
本実施形態の第三の発光層は、第一のホスト材料、第二のホスト材料及び発光性化合物を含有していることが好ましい。
本実施形態の第一のホスト材料、第二のホスト材料及び発光性化合物は、それぞれ、第一の実施形態で説明した第一のホスト材料、第二のホスト材料及び発光性化合物である

【0318】

本実施形態の有機ＥＬ素子の第一の有機層、第二の有機層及び第三の有機層は、第一の実施形態の成膜方法によって成膜された有機層であってもよい。

【0319】

第三の有機層において、第一の有機層側の領域においては、第一の有機化合物の割合（含有率）が第二の有機化合物の割合（含有率）よりも多く、陰極側に向かうにつれて第二の有機化合物の割合（含有率）が増加し、第二の有機層側の領域においては、第二の有機化合物の割合（含有率）が第一の有機化合物の割合（含有率）よりも多くなるような濃度勾配を有することも好ましい。このような濃度勾配を有する有機層の成膜は、例えば、第一の実施形態の成膜方法によって成膜することもできる。

【0320】

第二の実施形態の有機ＥＬ素子に関するその他の構成は、第一の実施形態と同様の構成が適用できる。

【0321】

〔第三の実施形態〕
（電子機器）
本実施形態に係る電子機器は、上述の実施形態のいずれかの有機ＥＬ素子を搭載している。電子機器としては、例えば、表示装置及び発光装置等が挙げられる。表示装置としては、例えば、表示部品（例えば、有機ＥＬパネルモジュール等）、テレビ、携帯電話、タブレット、及びパーソナルコンピュータ等が挙げられる。発光装置としては、例えば、照明及び車両用灯具等が挙げられる。

【0322】

〔実施形態の変形〕
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良等は、本発明に含まれる。

【0323】

前述の実施形態と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略又は簡略化する場合がある。

【0324】

第一の実施形態に係る成膜方法において、第一の有機層、第三の有機層及び第二の有機層をこの順で成膜する方法を例に挙げて説明したが、本発明は、このような方法に限定されない。例えば、第一の有機化合物及び発光性化合物を含有する第一の有機層を成膜し、次いで、第二の有機化合物、第一の有機化合物及び発光性化合物を含有する第三の有機層を成膜し、第二の有機化合物及び発光性化合物を含有する第二の有機層を成膜せずに、第一の成膜室での有機層の成膜を終了させてもよい。この場合、第三の有機層の上に、第一の有機化合物、第二の有機化合物及び発光性化合物とは異なる種類の化合物を含む別の有機層を成膜してもよい。

【0325】

第一の実施形態に係る成膜方法において、複数の有機材料のそれぞれが個別に蒸着源に収容されている態様を例に挙げて説明したが、本発明は、この態様に限定されない。
例えば、複数の有機材料のうち２種以上の有機材料が同一の蒸着源に収容されていてもよい。ただし、この場合には、複数の有機層を成膜するために用いる複数の有機材料の全てが、同一の蒸着源に収容されていることはない。２種以上の有機材料が同一の蒸着源に収容されていることにより、蒸着源の数を減らすことができる。２種以上の有機材料が同一の蒸着源に収容されている例として、成膜室の内部に設置された２つの蒸着源の場合、下記のような第一の、第二の及び第三の収容例が挙げられるが、本発明は、このような例に限定されない。

【0326】

第一の収容例：第一の蒸着源には、第一の有機化合物及び発光性化合物が収容され、第二の蒸着源には、第二の有機化合物及び発光性化合物が収容されている。

【0327】

第二の収容例：第一の蒸着源には、第一の有機化合物が収容され、第二の蒸着源には、第二の有機化合物及び発光性化合物が収容されている。

【0328】

第三の収容例：第一の蒸着源には、第一の有機化合物及び発光性化合物が収容され、第二の蒸着源には、第二の有機化合物が収容されている。

【0329】

前記実施形態では、第一の成膜室１００の内部に３つの蒸着源を配置して成膜する方法を例に挙げて説明したが、本発明は、このような例に限定されない。例えば、単一の成膜室の内部に４つ以上の蒸着源を配置して成膜する方法を実施してもよい。各蒸着源は、放出口を有する。
例えば、発光性化合物を収容する蒸着源を複数配置してもよい。例えば、前記実施形態の例において、さらに、発光性化合物が収容された第四の蒸着源を配置して成膜方法を実施してもよい。この場合、第一の有機化合物が収容された第一の蒸着源、発光性化合物が収容された第二の蒸着源、第二の有機化合物が収容された第三の蒸着源、発光性化合物が収容された第四の蒸着源が単一の成膜室の内部に配置される。この場合、基板の移動方向ＴＲの上流側から下流側へ向かって、例えば、第一の蒸着源、第二の蒸着源、第四の蒸着源及び第三の蒸着源がこの順に配置されていてもよいし、その他の配置順でもよい。
基板の移動方向ＴＲの上流側から下流側へ向かって、例えば、第一の蒸着源、第二の蒸着源、第四の蒸着源及び第三の蒸着源がこの順に配置されている場合、第一の蒸着源及び第二の蒸着源を当該下流側へ向けて傾斜させ、第四の蒸着源及び第三の蒸着源を当該上流側へ向けて傾斜させてもよい。第一の蒸着源及び第二の蒸着源を当該下流側へ向けて傾斜させる際の角度は、同じでも異なっていてもよい。第四の蒸着源及び第三の蒸着源を当該上流側へ向けて傾斜させる際の角度は、同じでも異なっていてもよい。蒸着源を傾斜させる角度を適宜調整することによって、遮蔽版が配置されている場合に、基板と遮蔽版との間に回り込ませる化合物の蒸着範囲を調整でき、その結果、成膜する有機層中の各化合物濃度及び有機層の膜厚等を調整し易くなる。

【0330】

第一の実施形態に係る成膜方法においては、基板を移動させながら複数の有機層を成膜する態様を例に挙げて説明したが、本発明は、この態様に限定されない。
別の態様の成膜方法は、例えば、蒸着源の少なくともいずれかを移動させながら複数の有機層を成膜する工程を含んでいてもよい。
図６には、前述の実施形態とは異なる態様の製造方法を説明するための概略図が示されている。図６に示す成膜室２００の内部に設置された４つの蒸着源について、第一の蒸着源１１１には、第一の有機化合物が収容され、第二の蒸着源１１２には、発光性化合物が収容され、第三の蒸着源１１３には、第二の有機化合物が収容され、第四の蒸着源１１４には、第四の有機化合物が収容されている。第四の蒸着源１１４は、第四の放出口１１４Ａを有する。図６に示すように、成膜室２００の内部には、開口部１３１を有する制御部材１３０が、蒸着源１１１，１１２，１１３，１１４を囲うように配置されている。
蒸着源１１１，１１２，１１３，１１４には、それぞれ１種の化合物が収容されている。蒸着源１１１，１１２，１１３，１１４は、それぞれ独立に、成膜室２００の内部を移動可能に設置されている。例えば、蒸着源１１１，１１２，１１３，１１４は、それぞれ独立に、基板１０の表面に対向する位置と、基板１０との間に制御部材１３０が配置されている位置との間で移動可能に設置されていることも好ましい。
成膜室２００の内部で複数の有機層を成膜する工程は、基板１０を移動させずに、蒸着源１１１，１１２，１１３，１１４の少なくともいずれかを移動させることにより、基板１０と蒸着源１１１，１１２，１１３，１１４との相対的距離を変動させながら実施されることが好ましい。蒸着源１１１，１１２，１１３，１１４は、それぞれ独立に、傾斜させて配置されていてもよい。

【0331】

図６に示すように単一の成膜室の内部に蒸着源１１１，１１２，１１３，１１４が配置されている場合、例えば、第四の蒸着源１１４を基板１０に対向する位置まで移動させて、第四の有機化合物を含む第四の有機層を基板１０に成膜してもよい。図６には、第四の蒸着源１１４から蒸発した第四の有機化合物の蒸気が存在する第四の蒸発範囲ＶＰ４が示されている。第四の有機層の成膜後、第四の蒸着源１１４を元の位置に移動させ、第一の蒸着源１１１、第二の蒸着源１１２及び第三の蒸着源１１３を移動させて、第四の有機層の上に、第一の有機層、第三の有機層及び第二の有機層を成膜してもよい。このような成膜方法によれば、４つの有機層同士の間への不純物の混入を抑制でき、素子性能の向上が期待できる。

【0332】

有機層を成膜する工程は、少なくともいずれかの蒸発角度を変動させながら実施してもよいし、蒸発角度を変動させずに実施してもよい。蒸着源の蒸発角度を変動させることのできる蒸発角度変動機構が蒸着源に備わっていることが好ましい。蒸発源は、成膜室の外部から蒸発角度を変動させることのできる蒸発角度変動機構を有することも好ましい。成膜室の外部から蒸発角度を変動させることにより、成膜室を大気解放せずに各有機層の膜厚の調整が容易となる。

【0333】

［定義］
本明細書において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、及び三重水素（tritium）を包含する。

【0334】

本明細書において、化学構造式中、「Ｒ」等の記号や重水素原子を表す「Ｄ」が明示されていない結合可能位置には、水素原子、即ち、軽水素原子、重水素原子、又は三重水素原子が結合しているものとする。

【0335】

本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、及び複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、別途記載のない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジン環は環形成炭素数５であり、フラン環は環形成炭素数４である。また、例えば、９，９－ジフェニルフルオレニル基の環形成炭素数は１３であり、９，９’－スピロビフルオレニル基の環形成炭素数は２５である。
また、ベンゼン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ベンゼン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているベンゼン環の環形成炭素数は、６である。また、ナフタレン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ナフタレン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているナフタレン環の環形成炭素数は、１０である。

【0336】

本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば、単環、縮合環、及び環集合）の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、及び複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子の結合を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、別途記載のない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。例えば、ピリジン環に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子の数は、ピリジン環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合しているピリジン環の環形成原子数は、６である。また、例えば、キナゾリン環の炭素原子に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子については、キナゾリン環の環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合しているキナゾリン環の環形成原子数は１０である。

【0337】

本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表し、置換されている場合の置換基の炭素数を含めない。ここで、「ＹＹ」は、「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」は、１以上の整数を意味し、「ＹＹ」は、２以上の整数を意味する。

【0338】

本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表し、置換されている場合の置換基の原子数を含めない。ここで、「ＹＹ」は、「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」は、１以上の整数を意味し、「ＹＹ」は、２以上の整数を意味する。

【0339】

本明細書において、無置換のＺＺ基とは「置換もしくは無置換のＺＺ基」が「無置換のＺＺ基」である場合を表し、置換のＺＺ基とは「置換もしくは無置換のＺＺ基」が「置換のＺＺ基」である場合を表す。
本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「無置換」とは、ＺＺ基における水素原子が置換基と置き換わっていないことを意味する。「無置換のＺＺ基」における水素原子は、軽水素原子、重水素原子、又は三重水素原子である。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「置換」とは、ＺＺ基における１つ以上の水素原子が、置換基と置き換わっていることを意味する。「ＡＡ基で置換されたＢＢ基」という場合における「置換」も同様に、ＢＢ基における１つ以上の水素原子が、ＡＡ基と置き換わっていることを意味する。

【0340】

「本明細書に記載の置換基」
以下、本明細書に記載の置換基について説明する。

【0341】

本明細書に記載の「無置換のアリール基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
本明細書に記載の「無置換の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
本明細書に記載の「無置換のアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。
本明細書に記載の「無置換のアルケニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
本明細書に記載の「無置換のアルキニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
本明細書に記載の「無置換のシクロアルキル基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、３～５０であり、好ましくは３～２０、より好ましくは３～６である。
本明細書に記載の「無置換のアリーレン基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
本明細書に記載の「無置換の２価の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
本明細書に記載の「無置換のアルキレン基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。

【0342】

・「置換もしくは無置換のアリール基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」の具体例（具体例群Ｇ１）としては、以下の無置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ａ）及び置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「無置換のアリール基」である場合を指し、置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「置換のアリール基」である場合を指す。）本明細書において、単に「アリール基」という場合は、「無置換のアリール基」と「置換のアリール基」の両方を含む。
「置換のアリール基」は、「無置換のアリール基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアリール基」としては、例えば、下記具体例群Ｇ１Ａの「無置換のアリール基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ１Ｂの置換のアリール基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアリール基」の例、及び「置換のアリール基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアリール基」には、下記具体例群Ｇ１Ｂの「置換のアリール基」におけるアリール基自体の炭素原子に結合する水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ１Ｂの「置換のアリール基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

【0343】

・無置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ａ）：
フェニル基、
ｐ－ビフェニル基、
ｍ－ビフェニル基、
ｏ－ビフェニル基、
ｐ－ターフェニル－４－イル基、
ｐ－ターフェニル－３－イル基、
ｐ－ターフェニル－２－イル基、
ｍ－ターフェニル－４－イル基、
ｍ－ターフェニル－３－イル基、
ｍ－ターフェニル－２－イル基、
ｏ－ターフェニル－４－イル基、
ｏ－ターフェニル－３－イル基、
ｏ－ターフェニル－２－イル基、
１－ナフチル基、
２－ナフチル基、
アントリル基、
ベンゾアントリル基、
フェナントリル基、
ベンゾフェナントリル基、
フェナレニル基、
ピレニル基、
クリセニル基、
ベンゾクリセニル基、
トリフェニレニル基、
ベンゾトリフェニレニル基、
テトラセニル基、
ペンタセニル基、
フルオレニル基、
９，９’－スピロビフルオレニル基、
ベンゾフルオレニル基、
ジベンゾフルオレニル基、
フルオランテニル基、
ベンゾフルオランテニル基、
ペリレニル基、及び
下記一般式（ＴＥＭＰ－１）～（ＴＥＭＰ－１５）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価のアリール基。

【0344】

【化48】

【0345】

【化49】

【0346】

・置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ｂ）：
ｏ－トリル基、
ｍ－トリル基、
ｐ－トリル基、
パラ－キシリル基、
メタ－キシリル基、
オルト－キシリル基、
パラ－イソプロピルフェニル基、
メタ－イソプロピルフェニル基、
オルト－イソプロピルフェニル基、
パラ－ｔ－ブチルフェニル基、
メタ－ｔ－ブチルフェニル基、
オルト－ｔ－ブチルフェニル基、
３，４，５－トリメチルフェニル基、
９，９－ジメチルフルオレニル基、
９，９－ジフェニルフルオレニル基、
９，９－ビス（４－メチルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ビス（４－イソプロピルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）フルオレニル基、
シアノフェニル基、
トリフェニルシリルフェニル基、
トリメチルシリルフェニル基、
フェニルナフチル基、
ナフチルフェニル基、及び
前記一般式（ＴＥＭＰ－１）～（ＴＥＭＰ－１５）で表される環構造から誘導される１価の基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基。

【0347】

・「置換もしくは無置換の複素環基」
本明細書に記載の「複素環基」は、環形成原子にヘテロ原子を少なくとも１つ含む環状の基である。ヘテロ原子の具体例としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、及びホウ素原子が挙げられる。
本明細書に記載の「複素環基」は、単環の基であるか、又は縮合環の基である。
本明細書に記載の「複素環基」は、芳香族複素環基であるか、又は非芳香族複素環基である。
本明細書に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ２）としては、以下の無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ）、及び置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「無置換の複素環基」である場合を指し、置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「置換の複素環基」である場合を指す。）本明細書において、単に「複素環基」という場合は、「無置換の複素環基」と「置換の複素環基」の両方を含む。
「置換の複素環基」は、「無置換の複素環基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換の複素環基」の具体例は、下記具体例群Ｇ２Ａの「無置換の複素環基」の水素原子が置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ２Ｂの置換の複素環基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換の複素環基」の例や「置換の複素環基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換の複素環基」には、具体例群Ｇ２Ｂの「置換の複素環基」における複素環基自体の環形成原子に結合する水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ２Ｂの「置換の複素環基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

【0348】

具体例群Ｇ２Ａは、例えば、以下の窒素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ１）、酸素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ２）、硫黄原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ３）、及び下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ４）を含む。

【0349】

具体例群Ｇ２Ｂは、例えば、以下の窒素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ１）、酸素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ２）、硫黄原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ３）、及び下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基（具体例群Ｇ２Ｂ４）を含む。

【0350】

・窒素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ１）：
ピロリル基、
イミダゾリル基、
ピラゾリル基、
トリアゾリル基、
テトラゾリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ピリジル基、
ピリダジニル基、
ピリミジニル基、
ピラジニル基、
トリアジニル基、
インドリル基、
イソインドリル基、
インドリジニル基、
キノリジニル基、
キノリル基、
イソキノリル基、
シンノリル基、
フタラジニル基、
キナゾリニル基、
キノキサリニル基、
ベンゾイミダゾリル基、
インダゾリル基、
フェナントロリニル基、
フェナントリジニル基、
アクリジニル基、
フェナジニル基、
カルバゾリル基、
ベンゾカルバゾリル基、
モルホリノ基、
フェノキサジニル基、
フェノチアジニル基、
アザカルバゾリル基、及びジアザカルバゾリル基。

【0351】

・酸素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ２）：
フリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
キサンテニル基、
ベンゾフラニル基、
イソベンゾフラニル基、
ジベンゾフラニル基、
ナフトベンゾフラニル基、
ベンゾオキサゾリル基、
ベンゾイソキサゾリル基、
フェノキサジニル基、
モルホリノ基、
ジナフトフラニル基、
アザジベンゾフラニル基、
ジアザジベンゾフラニル基、
アザナフトベンゾフラニル基、及び
ジアザナフトベンゾフラニル基。

【0352】

・硫黄原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ３）：
チエニル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ベンゾチオフェニル基（ベンゾチエニル基）、
イソベンゾチオフェニル基（イソベンゾチエニル基）、
ジベンゾチオフェニル基（ジベンゾチエニル基）、
ナフトベンゾチオフェニル基（ナフトベンゾチエニル基）、
ベンゾチアゾリル基、
ベンゾイソチアゾリル基、
フェノチアジニル基、
ジナフトチオフェニル基（ジナフトチエニル基）、
アザジベンゾチオフェニル基（アザジベンゾチエニル基）、
ジアザジベンゾチオフェニル基（ジアザジベンゾチエニル基）、
アザナフトベンゾチオフェニル基（アザナフトベンゾチエニル基）、及び
ジアザナフトベンゾチオフェニル基（ジアザナフトベンゾチエニル基）。

【0353】

・下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ４）：

【0354】

【化50】

【0355】

【化51】

【0356】

前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）において、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、又はＣＨ_２である。ただし、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａのうち少なくとも１つは、酸素原子、硫黄原子、又はＮＨである。
前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）において、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａの少なくともいずれかがＮＨ、又はＣＨ_２である場合、前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基には、これらＮＨ、又はＣＨ_２から１つの水素原子を除いて得られる１価の基が含まれる。

【0357】

・窒素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ１）：
（９－フェニル）カルバゾリル基、
（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、
（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、
（９－ナフチル）カルバゾリル基、
ジフェニルカルバゾール－９－イル基、
フェニルカルバゾール－９－イル基、
メチルベンゾイミダゾリル基、
エチルベンゾイミダゾリル基、
フェニルトリアジニル基、
ビフェニリルトリアジニル基、
ジフェニルトリアジニル基、
フェニルキナゾリニル基、及び
ビフェニリルキナゾリニル基。

【0358】

・酸素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ２）：
フェニルジベンゾフラニル基、
メチルジベンゾフラニル基、
ｔ－ブチルジベンゾフラニル基、及び
スピロ［９Ｈ－キサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基。

【0359】

・硫黄原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ３）：
フェニルジベンゾチオフェニル基、
メチルジベンゾチオフェニル基、
ｔ－ブチルジベンゾチオフェニル基、及び
スピロ［９Ｈ－チオキサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基。

【0360】

・前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基（具体例群Ｇ２Ｂ４）：

【0361】

前記「１価の複素環基の１つ以上の水素原子」とは、該１価の複素環基の環形成炭素原子に結合している水素原子、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａの少なくともいずれかがＮＨである場合の窒素原子に結合している水素原子、及びＸ_Ａ及びＹ_Ａの一方がＣＨ_２である場合のメチレン基の水素原子から選ばれる１つ以上の水素原子を意味する。

【0362】

・「置換もしくは無置換のアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ３）としては、以下の無置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ａ）及び置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）が挙げられる。（ここで、無置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「無置換のアルキル基」である場合を指し、置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「置換のアルキル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキル基」という場合は、「無置換のアルキル基」と「置換のアルキル基」の両方を含む。
「置換のアルキル基」は、「無置換のアルキル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルキル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルキル基」（具体例群Ｇ３Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）の例等が挙げられる。本明細書において、「無置換のアルキル基」におけるアルキル基は、鎖状のアルキル基を意味する。そのため、「無置換のアルキル基」は、直鎖である「無置換のアルキル基」、及び分岐状である「無置換のアルキル基」が含まれる。尚、ここに列挙した「無置換のアルキル基」の例や「置換のアルキル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルキル基」には、具体例群Ｇ３Ｂの「置換のアルキル基」におけるアルキル基自体の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ３Ｂの「置換のアルキル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

【0363】

・無置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ａ）：
メチル基、
エチル基、
ｎ－プロピル基、
イソプロピル基、
ｎ－ブチル基、
イソブチル基、
ｓ－ブチル基、及び
ｔ－ブチル基。

【0364】

・置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）：
ヘプタフルオロプロピル基（異性体を含む）、
ペンタフルオロエチル基、
２，２，２－トリフルオロエチル基、及び
トリフルオロメチル基。

【0365】

・「置換もしくは無置換のアルケニル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルケニル基」の具体例（具体例群Ｇ４）としては、以下の無置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ａ）、及び置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアルケニル基とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「無置換のアルケニル基」である場合を指し、「置換のアルケニル基」とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「置換のアルケニル基」である場合を指す。）本明細書において、単に「アルケニル基」という場合は、「無置換のアルケニル基」と「置換のアルケニル基」の両方を含む。
「置換のアルケニル基」は、「無置換のアルケニル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルケニル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルケニル基」（具体例群Ｇ４Ａ）が置換基を有する基、及び置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアルケニル基」の例や「置換のアルケニル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルケニル基」には、具体例群Ｇ４Ｂの「置換のアルケニル基」におけるアルケニル基自体の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ４Ｂの「置換のアルケニル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

【0366】

・無置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ａ）：
ビニル基、
アリル基、
１－ブテニル基、
２－ブテニル基、及び
３－ブテニル基。

【0367】

・置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）：
１，３－ブタンジエニル基、
１－メチルビニル基、
１－メチルアリル基、
１，１－ジメチルアリル基、
２－メチルアリル基、及び
１，２－ジメチルアリル基。

【0368】

・「置換もしくは無置換のアルキニル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキニル基」の具体例（具体例群Ｇ５）としては、以下の無置換のアルキニル基（具体例群Ｇ５Ａ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアルキニル基とは、「置換もしくは無置換のアルキニル基」が「無置換のアルキニル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキニル基」という場合は、「無置換のアルキニル基」と「置換のアルキニル基」の両方を含む。
「置換のアルキニル基」は、「無置換のアルキニル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルキニル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルキニル基」（具体例群Ｇ５Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基等が挙げられる。

【0369】

・無置換のアルキニル基（具体例群Ｇ５Ａ）：
エチニル基。

【0370】

・「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ６）としては、以下の無置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ａ）、及び置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「無置換のシクロアルキル基」である場合を指し、置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「置換のシクロアルキル基」である場合を指す。）本明細書において、単に「シクロアルキル基」という場合は、「無置換のシクロアルキル基」と「置換のシクロアルキル基」の両方を含む。
「置換のシクロアルキル基」は、「無置換のシクロアルキル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のシクロアルキル基」の具体例としては、下記の「無置換のシクロアルキル基」（具体例群Ｇ６Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のシクロアルキル基」の例や「置換のシクロアルキル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のシクロアルキル基」には、具体例群Ｇ６Ｂの「置換のシクロアルキル基」におけるシクロアルキル基自体の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ６Ｂの「置換のシクロアルキル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

【0371】

・無置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ａ）：
シクロプロピル基、
シクロブチル基、
シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、
１－アダマンチル基、
２－アダマンチル基、
１－ノルボルニル基、及び
２－ノルボルニル基。

【0372】

・置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）：
４－メチルシクロヘキシル基。

【0373】

・「－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基」
本明細書に記載の－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基の具体例（具体例群Ｇ７）としては、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ２）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）、及び
－Ｓｉ（Ｇ６）（Ｇ６）（Ｇ６）
が挙げられる。ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ１）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ２）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ２）（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ６）（Ｇ６）（Ｇ６）における複数のＧ６は、互いに同一であるか、又は異なる。

【0374】

・「－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基」
本明細書に記載の－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基の具体例（具体例群Ｇ８）としては、
－Ｏ（Ｇ１）、
－Ｏ（Ｇ２）、
－Ｏ（Ｇ３）、及び
－Ｏ（Ｇ６）
が挙げられる。
ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。

【0375】

・「－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基」
本明細書に記載の－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基の具体例（具体例群Ｇ９）としては、
－Ｓ（Ｇ１）、
－Ｓ（Ｇ２）、
－Ｓ（Ｇ３）、及び
－Ｓ（Ｇ６）
が挙げられる。
ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。

【0376】

・「－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基」
本明細書に記載の－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基の具体例（具体例群Ｇ１０）としては、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｎ（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ３）（Ｇ３）、及び
－Ｎ（Ｇ６）（Ｇ６）
が挙げられる。
ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ１）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｎ（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｎ（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｎ（Ｇ６）（Ｇ６）における複数のＧ６は、互いに同一であるか、又は異なる。

【0377】

・「ハロゲン原子」
本明細書に記載の「ハロゲン原子」の具体例（具体例群Ｇ１１）としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。

【0378】

・「置換もしくは無置換のフルオロアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のフルオロアルキル基」は、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子がフッ素原子と置き換わった基を意味し、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している全ての水素原子がフッ素原子で置き換わった基（パーフルオロ基）も含む。「無置換のフルオロアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。「置換のフルオロアルキル基」は、「フルオロアルキル基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。尚、本明細書に記載の「置換のフルオロアルキル基」には、「置換のフルオロアルキル基」におけるアルキル鎖の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び「置換のフルオロアルキル基」における置換基の１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。「無置換のフルオロアルキル基」の具体例としては、前記「アルキル基」（具体例群Ｇ３）における１つ以上の水素原子がフッ素原子と置き換わった基の例等が挙げられる。

【0379】

・「置換もしくは無置換のハロアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のハロアルキル基」は、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子と置き換わった基を意味し、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している全ての水素原子がハロゲン原子で置き換わった基も含む。「無置換のハロアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。「置換のハロアルキル基」は、「ハロアルキル基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。尚、本明細書に記載の「置換のハロアルキル基」には、「置換のハロアルキル基」におけるアルキル鎖の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び「置換のハロアルキル基」における置換基の１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。「無置換のハロアルキル基」の具体例としては、前記「アルキル基」（具体例群Ｇ３）における１つ以上の水素原子がハロゲン原子と置き換わった基の例等が挙げられる。ハロアルキル基をハロゲン化アルキル基と称する場合がある。

【0380】

・「置換もしくは無置換のアルコキシ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルコキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。「無置換のアルコキシ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。

【0381】

・「置換もしくは無置換のアルキルチオ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキルチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。「無置換のアルキルチオ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。

【0382】

・「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。「無置換のアリールオキシ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。

【0383】

・「置換もしくは無置換のアリールチオ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリールチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。「無置換のアリールチオ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。

【0384】

・「置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基」
本明細書に記載の「トリアルキルシリル基」の具体例としては、－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。「トリアルキルシリル基」の各アルキル基の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０であり、より好ましくは１～６である。

【0385】

・「置換もしくは無置換のアラルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアラルキル基」の具体例としては、－（Ｇ３）－（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」であり、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。従って、「アラルキル基」は、「アルキル基」の水素原子が置換基としての「アリール基」と置き換わった基であり、「置換のアルキル基」の一態様である。「無置換のアラルキル基」は、「無置換のアリール基」が置換した「無置換のアルキル基」であり、「無置換のアラルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、７～５０であり、好ましくは７～３０であり、より好ましくは７～１８である。
「置換もしくは無置換のアラルキル基」の具体例としては、ベンジル基、１－フェニルエチル基、２－フェニルエチル基、１－フェニルイソプロピル基、２－フェニルイソプロピル基、フェニル－ｔ－ブチル基、α－ナフチルメチル基、１－α－ナフチルエチル基、２－α－ナフチルエチル基、１－α－ナフチルイソプロピル基、２－α－ナフチルイソプロピル基、β－ナフチルメチル基、１－β－ナフチルエチル基、２－β－ナフチルエチル基、１－β－ナフチルイソプロピル基、及び２－β－ナフチルイソプロピル基等が挙げられる。

【0386】

本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリール基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはフェニル基、ｐ－ビフェニル基、ｍ－ビフェニル基、ｏ－ビフェニル基、ｐ－ターフェニル－４－イル基、ｐ－ターフェニル－３－イル基、ｐ－ターフェニル－２－イル基、ｍ－ターフェニル－４－イル基、ｍ－ターフェニル－３－イル基、ｍ－ターフェニル－２－イル基、ｏ－ターフェニル－４－イル基、ｏ－ターフェニル－３－イル基、ｏ－ターフェニル－２－イル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、９，９’－スピロビフルオレニル基、９，９－ジメチルフルオレニル基、及び９，９－ジフェニルフルオレニル基等である。

【0387】

本明細書に記載の置換もしくは無置換の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、ベンゾイミダゾリル基、フェナントロリニル基、カルバゾリル基（１－カルバゾリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基、４－カルバゾリル基、又は９－カルバゾリル基）、ベンゾカルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、（９－フェニル）カルバゾリル基（（９－フェニル）カルバゾール－１－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－２－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－３－イル基、又は（９－フェニル）カルバゾール－４－イル基）、（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、ジフェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルトリアジニル基、ビフェニリルトリアジニル基、ジフェニルトリアジニル基、フェニルジベンゾフラニル基、及びフェニルジベンゾチオフェニル基等である。

【0388】

本明細書において、カルバゾリル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。

【0389】

【化52】

【0390】

本明細書において、（９－フェニル）カルバゾリル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。

【0391】

【化53】

【0392】

前記一般式（ＴＥＭＰ－Ｃｚ１）～（ＴＥＭＰ－Ｃｚ９）中、＊は、結合位置を表す。

【0393】

本明細書において、ジベンゾフラニル基、及びジベンゾチオフェニル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。

【0394】

【化54】

【0395】

前記一般式（ＴＥＭＰ－３４）～（ＴＥＭＰ－４１）中、＊は、結合位置を表す。

【0396】

本明細書に記載の置換もしくは無置換のアルキル基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及びｔ－ブチル基等である。

【0397】

・「置換もしくは無置換のアリーレン基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリーレン基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換のアリール基」からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換のアリーレン基」の具体例（具体例群Ｇ１２）としては、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。

【0398】

・「置換もしくは無置換の２価の複素環基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換の２価の複素環基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換の複素環基」から複素環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換の２価の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ１３）としては、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」から複素環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。

【0399】

・「置換もしくは無置換のアルキレン基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキレン基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換のアルキル基」からアルキル鎖上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換のアルキレン基」の具体例（具体例群Ｇ１４）としては、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」からアルキル鎖上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。

【0400】

本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリーレン基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは下記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－６８）のいずれかの基である。

【0401】

【化55】

【0402】

【化56】

【0403】

前記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－５２）中、Ｑ_１～Ｑ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
前記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－５２）中、＊は、結合位置を表す。

【0404】

【化57】

【0405】

前記一般式（ＴＥＭＰ－５３）～（ＴＥＭＰ－６２）中、Ｑ_１～Ｑ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
式Ｑ_９及びＱ_１０は、単結合を介して互いに結合して環を形成してもよい。
前記一般式（ＴＥＭＰ－５３）～（ＴＥＭＰ－６２）中、＊は、結合位置を表す。

【0406】

【化58】

【0407】

前記一般式（ＴＥＭＰ－６３）～（ＴＥＭＰ－６８）中、Ｑ_１～Ｑ_８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
前記一般式（ＴＥＭＰ－６３）～（ＴＥＭＰ－６８）中、＊は、結合位置を表す。

【0408】

本明細書に記載の置換もしくは無置換の２価の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは下記一般式（ＴＥＭＰ－６９）～（ＴＥＭＰ－１０２）のいずれかの基である。

【0409】

【化59】

【0410】

【化60】

【0411】

【化61】

【0412】

前記一般式（ＴＥＭＰ－６９）～（ＴＥＭＰ－８２）中、Ｑ_１～Ｑ_９は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。

【0413】

【化62】

【0414】

【化63】

【0415】

【化64】

【0416】

【化65】

【0417】

前記一般式（ＴＥＭＰ－８３）～（ＴＥＭＰ－１０２）中、Ｑ_１～Ｑ_８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。

【0418】

以上が、「本明細書に記載の置換基」についての説明である。

【0419】

・「結合して環を形成する場合」
本明細書において、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は互いに結合せず」という場合は、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合と、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合と、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合しない」場合と、を意味する。
本明細書における、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、及び「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合（以下、これらの場合をまとめて「結合して環を形成する場合」と称する場合がある。）について、以下、説明する。母骨格がアントラセン環である下記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物の場合を例として説明する。

【0420】

【化66】

【0421】

例えば、Ｒ_９２１～Ｒ_９３０のうちの「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、環を形成する」場合において、１組となる隣接する２つからなる組とは、Ｒ_９２１とＲ_９２２との組、Ｒ_９２２とＲ_９２３との組、Ｒ_９２３とＲ_９２４との組、Ｒ_９２４とＲ_９３０との組、Ｒ_９３０とＲ_９２５との組、Ｒ_９２５とＲ_９２６との組、Ｒ_９２６とＲ_９２７との組、Ｒ_９２７とＲ_９２８との組、Ｒ_９２８とＲ_９２９との組、並びにＲ_９２９とＲ_９２１との組である。

【0422】

上記「１組以上」とは、上記隣接する２つ以上からなる組の２組以上が同時に環を形成してもよいことを意味する。例えば、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して環Ｑ_Ａを形成し、同時にＲ_９２５とＲ_９２６とが互いに結合して環Ｑ_Ｂを形成した場合は、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物は、下記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）で表される。

【0423】

【化67】

【0424】

「隣接する２つ以上からなる組」が環を形成する場合とは、前述の例のように隣接する「２つ」からなる組が結合する場合だけではなく、隣接する「３つ以上」からなる組が結合する場合も含む。例えば、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して環Ｑ_Ａを形成し、かつ、Ｒ_９２２とＲ_９２３とが互いに結合して環Ｑ_Ｃを形成し、互いに隣接する３つ（Ｒ_９２１、Ｒ_９２２及びＲ_９２３）からなる組が互いに結合して環を形成して、アントラセン母骨格に縮合する場合を意味し、この場合、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物は、下記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）で表される。下記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）において、環Ｑ_Ａ及び環Ｑ_Ｃは、Ｒ_９２２を共有する。

【0425】

【化68】

【0426】

形成される「単環」、又は「縮合環」は、形成された環のみの構造として、飽和の環であっても不飽和の環であってもよい。「隣接する２つからなる組の１組」が「単環」、又は「縮合環」を形成する場合であっても、当該「単環」、又は「縮合環」は、飽和の環、又は不飽和の環を形成することができる。例えば、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）において形成された環Ｑ_Ａ及び環Ｑ_Ｂは、それぞれ、「単環」又は「縮合環」である。また、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）において形成された環Ｑ_Ａ、及び環Ｑ_Ｃは、「縮合環」である。前記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）の環Ｑ_Ａと環Ｑ_Ｃとは、環Ｑ_Ａと環Ｑ_Ｃとが縮合することによって縮合環となっている。前記一般式（ＴＭＥＰ－１０４）の環Ｑ_Ａがベンゼン環であれば、環Ｑ_Ａは、単環である。前記一般式（ＴＭＥＰ－１０４）の環Ｑ_Ａがナフタレン環であれば、環Ｑ_Ａは、縮合環である。

【0427】

「不飽和の環」とは、芳香族炭化水素環、又は芳香族複素環を意味する。「飽和の環」とは、脂肪族炭化水素環、又は非芳香族複素環を意味する。
芳香族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ１において具体例として挙げられた基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
芳香族複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２において具体例として挙げられた芳香族複素環基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
脂肪族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ６において具体例として挙げられた基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
「環を形成する」とは、母骨格の複数の原子のみ、あるいは母骨格の複数の原子とさらに１以上の任意の元素で環を形成することを意味する。例えば、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）に示す、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して形成された環Ｑ_Ａは、Ｒ_９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ_９２２が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、１以上の任意の元素とで形成する環を意味する。具体例としては、Ｒ_９２１とＲ_９２２とで環Ｑ_Ａを形成する場合において、Ｒ_９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ_９２２とが結合するアントラセン骨格の炭素原子と、４つの炭素原子とで単環の不飽和の環を形成する場合、Ｒ_９２１とＲ_９２２とで形成する環は、ベンゼン環である。

【0428】

ここで、「任意の元素」は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは、炭素元素、窒素元素、酸素元素、及び硫黄元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素である。任意の元素において（例えば、炭素元素、又は窒素元素の場合）、環を形成しない結合は、水素原子等で終端されてもよいし、後述する「任意の置換基」で置換されてもよい。炭素元素以外の任意の元素を含む場合、形成される環は複素環である。
単環または縮合環を構成する「１以上の任意の元素」は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは２個以上１５個以下であり、より好ましくは３個以上１２個以下であり、さらに好ましくは３個以上５個以下である。
本明細書に別途記載のない限り、「単環」、及び「縮合環」のうち、好ましくは「単環」である。
本明細書に別途記載のない限り、「飽和の環」、及び「不飽和の環」のうち、好ましくは「不飽和の環」である。
本明細書に別途記載のない限り、「単環」は、好ましくはベンゼン環である。
本明細書に別途記載のない限り、「不飽和の環」は、好ましくはベンゼン環である。
「隣接する２つ以上からなる組の１組以上」が、「互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、又は「互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは、隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、母骨格の複数の原子と、１個以上１５個以下の炭素元素、窒素元素、酸素元素、及び硫黄元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素とからなる置換もしくは無置換の「不飽和の環」を形成する。

【0429】

上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基は、例えば後述する「任意の置換基」である。上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基である。
上記の「飽和の環」、又は「不飽和の環」が置換基を有する場合の置換基は、例えば後述する「任意の置換基」である。上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基である。
以上が、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、及び「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合（「結合して環を形成する場合」）についての説明である。

【0430】

・「置換もしくは無置換の」という場合の置換基
本明細書における一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基（本明細書において、「任意の置換基」と呼ぶことがある。）は、例えば、
無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、及び
無置換の環形成原子数５～５０の複素環基
からなる群から選択される基等であり、
ここで、Ｒ_９０１～Ｒ_９０７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
Ｒ_９０１が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０２が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０２は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０３が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０３は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０４が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０４は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０５が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０５は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０６が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０６は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０７が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なる。

【0431】

一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～５０のアルキル基、
環形成炭素数６～５０のアリール基、及び
環形成原子数５～５０の複素環基
からなる群から選択される基である。

【0432】

一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～１８のアルキル基、
環形成炭素数６～１８のアリール基、及び
環形成原子数５～１８の複素環基
からなる群から選択される基である。

【0433】

上記任意の置換基の各基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基の具体例である。

【0434】

本明細書において別途記載のない限り、隣接する任意の置換基同士で、「飽和の環」、又は「不飽和の環」を形成してもよく、好ましくは、置換もしくは無置換の飽和の５員環、置換もしくは無置換の飽和の６員環、置換もしくは無置換の不飽和の５員環、又は置換もしくは無置換の不飽和の６員環を形成し、より好ましくは、ベンゼン環を形成する。
本明細書において別途記載のない限り、任意の置換基は、さらに置換基を有してもよい。任意の置換基がさらに有する置換基としては、上記任意の置換基と同様である。

【0435】

本明細書において、「ＡＡ～ＢＢ」を用いて表される数値範囲は、「ＡＡ～ＢＢ」の前に記載される数値ＡＡを下限値とし、「ＡＡ～ＢＢ」の後に記載される数値ＢＢを上限値として含む範囲を意味する。

【実施例0436】

以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明はこれら実施例に何ら限定されない。

【0437】

＜化合物＞
実施例及び参考例の有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物を以下に示す。

【0438】

【化69】

【0439】

【化70】

【0440】

＜有機ＥＬ素子の作製＞
有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。

【0441】

〔実施例１〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして、化合物ＨＴ１及び化合物ＨＡ１を共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を成膜した。この正孔注入層中の化合物ＨＴ１の割合を９７質量％とし、化合物ＨＡ１の割合を３質量％とした。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ１を蒸着し、膜厚８０ｎｍの正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ２を蒸着し、膜厚１０ｎｍの電子障壁層（ＥＢＬ）を成膜した。
電子障壁層上に、第一の発光層、第三の発光層及び第二の発光層を成膜した。これら発光層の成膜は、次のように行った。第一の蒸着源に化合物ＢＨ１（第一のホスト材料（ＢＨ））を収容し、第二の蒸着源に化合物ＢＤ１（発光性化合物（ＢＤ））を収容し、第三の蒸着源に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））を収容した。化合物ＢＨ１の蒸着速度及び化合物ＢＨ２の蒸着速度を制御することで、ガラス基板と、第一の蒸着源、第二の蒸着源及び第三の蒸着源との相対的距離を図１に示すように変動させながら単一の成膜室内で成膜する工程を再現し、第一の発光層、第三の発光層及び第二の発光層を成膜した。
まず、電子障壁層上に、化合物ＢＨ１（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（発光性化合物（ＢＤ））を共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の有機層としての第一の発光層を成膜した。第一の発光層における化合物ＢＨ１の割合が９８質量％、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着した。
次いで、化合物ＢＨ１の蒸着速度及び化合物ＢＨ２の蒸着速度を制御しながら、第一の発光層上に化合物ＢＨ１（第一のホスト材料（ＢＨ））、化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（発光性化合物（ＢＤ））を共蒸着し、膜厚１５ｎｍの第三の有機層としての第三の発光層を成膜した。第三の発光層における化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着した。化合物ＢＨ１の蒸着速度及び化合物ＢＨ２の蒸着速度を制御しながら第三の発光層を成膜することで、ガラス基板と、第一の蒸着源、第二の蒸着源及び第三の蒸着源との相対的距離を図１に示すように変動させながら単一の成膜室内で成膜する発光層のように、第三の発光層中、第一の発光層側の領域においては、化合物ＢＨ１の割合が化合物ＢＨ２の割合よりも多く、陰極側に向かうにつれて化合物ＢＨ２の割合が増加し、後述する第二の発光層側の領域においては、化合物ＢＨ２の割合が化合物ＢＨ１の割合よりも多くなるような化合物の濃度勾配を有する発光層の成膜を再現した。
次いで、第三の発光層上に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（発光性化合物（ＢＤ））を共蒸着し、膜厚５ｎｍの第二の有機層としての第二の発光層を成膜した。第二の発光層における化合物ＢＨ２の割合が９８質量％、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ１を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第一の電子輸送層（正孔障壁層（ＨＢＬ）と称する場合もある。）を形成した。
第一の電子輸送層上に化合物ＥＴ２を蒸着し、膜厚１５ｎｍの第二の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第二の電子輸送層上に化合物ＬｉＦ（フッ化リチウム）を蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚５０ｎｍの陰極を形成した。
実施例１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HT1:HA1(10,97%:3%)/HT1(80)/HT2(10)/BH1:BD1(5,98%:2%)/BH1:BH2:BD1(15,2%)/BH2:BD1(5,98%:2%)/ET1(10)/ET2(15)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９７％：３％）は、正孔注入層における化合物ＨＴ１及び化合物ＨＡ１の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層における第一のホスト材料（化合物ＢＨ１）又は第二のホスト材料（化合物ＢＨ２）及び発光性化合物（化合物ＢＤ１）の割合（質量％）を示す。パーセント表示された数字（２％）は、第三の発光層における発光性化合物（化合物ＢＤ１）の割合（質量％）を示し、残りの９８％は、第一のホスト材料及び第二のホスト材料の合計の割合（質量％）に相当する。

【0442】

〔実施例２及び実施例３〕
実施例２及び実施例３の有機ＥＬ素子は、それぞれ、第二の発光層及び第三の発光層の膜厚を表１に示す膜厚に変更した以外は、実施例１の有機ＥＬ素子と同様に作製した。

【0443】

〔参考例１〕
参考例１の有機ＥＬ素子は、表１に示すように第三の発光層を成膜せずに、第一の発光層と、直接、接する、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した以外は、実施例１の有機ＥＬ素子と同様に作製した。

【0444】

〔参考例２〕
参考例２の有機ＥＬ素子は、実施例１の第三の発光層の成膜の工程に代えて、ガラス基板と、第一の蒸着源、第二の蒸着源及び第三の蒸着源との相対的距離を図１に示すように変動させながら単一の成膜室内で成膜する工程を実施する以外、実施例１の有機ＥＬ素子と同様に作製することができる。

【0445】

〔参考例３〕
参考例３の有機ＥＬ素子は、実施例２の第三の発光層の成膜の工程に代えて、ガラス基板と、第一の蒸着源、第二の蒸着源及び第三の蒸着源との相対的距離を図１に示すように変動させながら単一の成膜室内で成膜する工程を実施する以外、実施例２の有機ＥＬ素子と同様に作製することができる。

【0446】

〔参考例４〕
参考例４の有機ＥＬ素子は、実施例３の第三の発光層の成膜の工程に代えて、ガラス基板と、第一の蒸着源、第二の蒸着源及び第三の蒸着源との相対的距離を図１に示すように変動させながら単一の成膜室内で成膜する工程を実施する以外、実施例３の有機ＥＬ素子と同様に作製することができる。

【0447】

参考例２～４の有機ＥＬ素子の第三の発光層において、第一の発光層側の領域においては、化合物ＢＨ１の割合が化合物ＢＨ２の割合よりも多く、陰極側に向かうにつれて化合物ＢＨ２の割合が増加し、後述する第二の発光層側の領域においては、化合物ＢＨ２の割合が化合物ＢＨ１の割合よりも多くなるような化合物の濃度勾配を有する。

【0448】

〔比較例１〕
比較例１の有機ＥＬ素子は、参考例１の第一の発光層及び第二の発光層を同一の成膜室で成膜せずに、互いに異なる成膜室で成膜する工程を実施する以外、参考例１の有機ＥＬ素子と同様に作製した。比較例１においては、化合物ＢＨ１（第一のホスト材料（ＢＨ））を収容した蒸着源と、化合物ＢＤ１（発光性化合物（ＢＤ））を収容した蒸着源を備える第一の発光層成膜用の成膜室で第一の発光層を成膜し、次いで、化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））を収容した蒸着源と、化合物ＢＤ１（発光性化合物（ＢＤ））を収容した蒸着源を備える第二の発光層成膜用の成膜室へ基板を移動させて第二の発光層を成膜した。

【0449】

＜有機ＥＬ素子の評価＞
作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表１に示す。

【0450】

・外部量子効率ＥＱＥ
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。

【0451】

・寿命ＬＴ９５
作製した有機ＥＬ素子に、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ^２となるように電圧を印加し、初期輝度に対して輝度が９５％となるまでの時間（ＬＴ９５（単位：時間））を測定した。輝度は、分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）を用いて測定した。

【0452】

【表1】

【0453】

表１に示すように、発光層成膜時の成膜室間の移動について、実施例１～３においては、第一の発光層、第三の発光層及び第二の発光層を単一の成膜室内で成膜する工程を実施したため、「なし」と表記し、参考例１においては、第一の発光層及び第二の発光層を単一の成膜室内で成膜する工程を実施したため、「なし」と表記し、比較例１においては、第一の発光層の成膜後、別の成膜室に基板を移動させて第二の発光層を成膜する工程を実施したため、「あり」と表記した。

【0454】

実施例１～３の有機ＥＬ素子は、第一の発光層と第二の発光層との間に、第一のホスト材料、第二のホスト材料及び発光性化合物を含む第三の発光層が成膜されている素子であるが、表１に示すように、第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接している参考例１の有機ＥＬ素子と比べて、同等の発光効率で、長い素子寿命を示した。
参考例２～４の有機ＥＬ素子も、実施例１～３の有機ＥＬ素子と同様、第一の発光層と第二の発光層との間に、第一のホスト材料、第二のホスト材料及び発光性化合物を含む第三の発光層が成膜されている素子である。
参考例１の有機ＥＬ素子のような積層型発光層を成膜するために、第一の発光層の成膜用及び第二の発光層の成膜用の２つの成膜室（チャンバー）を用いなくとも、参考例２～４の有機ＥＬ素子のように、単一の成膜室内に複数の蒸着源を配置して、ガラス基板と、第一の蒸着源、第二の蒸着源及び第三の蒸着源との相対的距離を図１に示すように変動させながら単一の成膜室内で成膜する工程を実施し、第三の発光層を介して第一の発光層と第二の発光層とを積層させた有機ＥＬ素子も、実施例１～３の有機ＥＬ素子と同等の素子性能を示すと推測される。
比較例１の有機ＥＬ素子の製造においては、第一の発光層を成膜した後、別の成膜室に基板を移動させてから第二の発光層を成膜する工程を実施したため、真空度の変動が発生した。そのため、比較例１の有機ＥＬ素子は、発光層間への不純物の混入により、参考例１の有機ＥＬ素子よりも、性能が低下したと推測される。

【0455】

＜化合物の評価方法＞
（三重項エネルギーＴ_１）
測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、濃度が１０μｍｏｌ／Ｌとなるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とした。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λ_ｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式（Ｆ１）から算出されるエネルギー量を三重項エネルギーＴ_１とした。なお、三重項エネルギーＴ_１は、測定条件によっては上下０．０２ｅＶ程度の誤差が生じ得る。
換算式（Ｆ１）：Ｔ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λ_ｅｄｇｅ

【0456】

燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ－４５００形分光蛍光光度計本体を用いた。

【0457】

（一重項エネルギーＳ_１）
測定対象となる化合物の１０μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸収強度、横軸：波長とする。）を測定した。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式（Ｆ２）に代入して一重項エネルギーを算出した。
換算式（Ｆ２）：Ｓ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
吸収スペクトル測定装置としては、日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）を用いた。

【0458】

吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。

【0459】

（蛍光発光最大ピーク波長（ＦＬ－ｐｅａｋ）の測定）
化合物ＢＤ１を、４．９×１０^－６ｍｏｌ／Ｌの濃度でトルエンに溶解し、化合物ＢＤのトルエン溶液を調製した。蛍光スペクトル測定装置（分光蛍光光度計Ｆ－７０００（株式会社日立ハイテクサイエンス製））を用いて、化合物ＢＤ１のトルエン溶液を３９０ｎｍで励起した場合の蛍光発光最大ピーク波長を測定した。
化合物ＢＤ１の蛍光発光最大ピーク波長は、４５３ｎｍであった。

【0460】

化合物の物性値を表２に示す。

【0461】

【表2】

【符号の説明】

【0462】

１…有機ＥＬ素子、１０…基板、１００…第一の成膜室、１１１…第一の蒸着源、１１１Ａ…放出口、１１２…第二の蒸着源、１１２Ａ…放出口、１１３…第三の蒸着源、１１３Ａ…放出口、１１４…蒸着源、１１４Ａ…放出口、１３０…制御部材、１３１…開口部、２…基板、２００…成膜室、３…陽極、４…陰極、５…有機層、５１…第一の有機層、５２…第二の有機層、５３…第三の有機層、６…正孔注入層、７…正孔輸送層、９…電子注入層、ＴＲ…移動方向、ＶＡ１…第一の蒸発角度、ＶＡ２…第二の蒸発角度、ＶＡ３…第三の蒸発角度、ＶＤ１…第一の蒸発方向、ＶＤ２…第二の蒸発方向、ＶＤ３…第三の蒸発方向、ＶＰ１…第一の蒸発範囲、ＶＰ２…第二の蒸発範囲、ＶＰ３…第三の蒸発範囲。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】