特開 2022-140859 有機ＥＬ表示装置及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022140859

(43)【公開日】2022-09-29

(54)【発明の名称】有機ＥＬ表示装置及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/24 20060101AFI20220921BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20220921BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20220921BHJP

   H05B 33/26 20060101ALI20220921BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20220921BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20220921BHJP

【ＦＩ】

H05B33/24

H05B33/14 A

H01L27/32

H05B33/22 C

H05B33/26 Z

H05B33/22 A

H05B33/12 B

G09F9/30 365

G09F9/30 338

【審査請求】未請求

【請求項の数】25

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2019112910

(22)【出願日】2019-06-18

(71)【出願人】

【識別番号】000183646

【氏名又は名称】出光興産株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000637

【氏名又は名称】特許業務法人樹之下知的財産事務所

(72)【発明者】

【氏名】神戸 江美子

(72)【発明者】

【氏名】澤野 将太

(72)【発明者】

【氏名】中村 雅人

(72)【発明者】

【氏名】齊藤 雅俊

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC05

3K107CC37

3K107DD10

3K107DD22

3K107DD27

3K107DD53

3K107DD66

3K107DD71

3K107DD74

3K107DD75

3K107EE33

3K107FF15

3K107FF19

5C094AA10

5C094BA27

5C094DA13

5C094EA05

5C094FB01

5C094JA02

5C094JA08

(57)【要約】

【課題】高性能な有機ＥＬ表示装置を提供すること。
【解決手段】青色有機ＥＬ素子１０Ｂと赤色有機ＥＬ素子１０Ｒとをそれぞれ画素として有し、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのいずれも、光反射層２、透明電極３、正孔輸送帯域４、発光層５、電子輸送帯域６及び半透過性電極７をこの順で有し、青色有機ＥＬ素子１０Ｂは、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂを含む青色発光層５Ｂを有し、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒを含む赤色発光層５Ｒを有し、正孔輸送帯域４は、有機ＥＬ素子１０Ｂ，１０Ｒに亘って同じ膜厚で共通して設けられ、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒは、光反射層２と半透過性電極７との間で干渉次数が一次の共振器構造を有しており、赤色発光層５Ｒの膜厚は、５０ｎｍ未満であり、有機ＥＬ素子１０Ｂ，１０Ｒのそれぞれにおける透明電極３及び正孔輸送帯域４の膜厚の和が４０ｎｍ未満である有機ＥＬ表示装置１。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

青色有機ＥＬ素子と、赤色有機ＥＬ素子と、をそれぞれ画素として有し、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のいずれも、
光反射層、
透明電極、
正孔輸送帯域、
発光層、
電子輸送帯域、及び
半透過性電極をこの順で有し、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のいずれにおいても、
前記光反射層と前記透明電極とが直接接し、
前記透明電極と前記正孔輸送帯域とが直接接し、
前記正孔輸送帯域と前記発光層とが直接接し、
前記発光層と前記電子輸送帯域とが直接接し、
前記電子輸送帯域と前記半透過性電極とが直接接し、
前記青色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての青色発光層を有し、
前記赤色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての赤色発光層を有し、
前記青色発光層は、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂを含み、
前記赤色発光層は、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒを含み、
前記正孔輸送帯域は、前記青色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子に亘って同じ膜厚で共通して設けられ、
前記赤色有機ＥＬ素子は、前記光反射層と前記半透過性電極との間で干渉次数が一次の共振器構造を有しており、
前記赤色発光層の膜厚は、５０ｎｍ未満であり、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のそれぞれにおける前記透明電極及び前記正孔輸送帯域の膜厚の和が４０ｎｍ未満である、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項2】

請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記青色有機ＥＬ素子における電子輸送帯域の厚さは、前記赤色有機ＥＬ素子における電子輸送帯域の厚さよりも小さい、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項3】

請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のそれぞれにおける前記透明電極及び前記正孔輸送帯域の膜厚の和が１５ｎｍ以上である、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項4】

青色有機ＥＬ素子と、緑色有機ＥＬ素子と、赤色有機ＥＬ素子と、をそれぞれ画素として有し、
前記青色有機ＥＬ素子、前記緑色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のいずれも、
光反射層、
透明電極、
正孔輸送帯域、
発光層、
電子輸送帯域、及び
半透過性電極をこの順で有し、
前記青色有機ＥＬ素子、前記緑色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のいずれにおいても、
前記光反射層と前記透明電極とが直接接し、
前記透明電極と前記正孔輸送帯域とが直接接し、
前記正孔輸送帯域と前記発光層とが直接接し、
前記発光層と前記電子輸送帯域とが直接接し、
前記電子輸送帯域と前記半透過性電極とが直接接し、
前記青色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての青色発光層を有し、
前記緑色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての緑色発光層を有し、
前記赤色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての赤色発光層を有し、
前記青色発光層は、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂを含み、
前記赤色発光層は、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒを含み、
前記正孔輸送帯域は、前記青色有機ＥＬ素子、前記緑色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子に亘って同じ膜厚で共通して設けられ、
前記赤色有機ＥＬ素子は、前記光反射層と前記半透過性電極との間で干渉次数が一次の共振器構造を有しており、
前記赤色発光層の膜厚は、５０ｎｍ未満であり、
前記青色有機ＥＬ素子、前記緑色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のそれぞれにおける前記透明電極及び前記正孔輸送帯域の膜厚の和が４０ｎｍ未満である、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項5】

請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記緑色発光層は、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇを含み、
前記緑色有機ＥＬ素子は、前記光反射層と前記半透過性電極との間で干渉次数が一次の共振器構造を有しており、
前記緑色発光層の膜厚は、４０ｎｍ未満である、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項6】

請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記緑色発光層は、さらに、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇを含み、
前記遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｇ）と、前記蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＦＬ_Ｇ）とが、下記数式（数２Ａ）の関係を満たす、
有機ＥＬ表示装置。
Ｓ_１（ＤＦ_Ｇ）＞Ｓ_１（ＦＬ_Ｇ） …（数２Ａ）

【請求項7】

請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記緑色発光層は、さらに、化合物ＳＨ_Ｇを含み、
前記遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｇ）と、前記化合物ＳＨ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＳＨ_Ｇ）とが、下記数式（数２Ｂ）の関係を満たす、
有機ＥＬ表示装置。
Ｓ_１（ＳＨ_Ｇ）＞Ｓ_１（ＤＦ_Ｇ） …（数２Ｂ）

【請求項8】

請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記青色有機ＥＬ素子における電子輸送帯域の厚さは、前記緑色有機ＥＬ素子における電子輸送帯域の厚さよりも小さく、
前記緑色有機ＥＬ素子における電子輸送帯域の厚さは、前記赤色有機ＥＬ素子における電子輸送帯域の厚さよりも小さい、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項9】

請求項４から請求項８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記青色有機ＥＬ素子、前記緑色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のそれぞれにおける前記透明電極及び前記正孔輸送帯域の膜厚の和が１５ｎｍ以上である、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項10】

請求項４から請求項９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記緑色有機ＥＬ素子における電子輸送帯域が複数の層からなる、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項11】

請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記赤色発光層は、さらに、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒを含み、
前記遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｒ）と、前記蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒの一重項エネルギーＳ_１（ＦＬ_Ｒ）とが、下記数式（数１Ａ）の関係を満たす、
有機ＥＬ表示装置。
Ｓ_１（ＤＦ_Ｒ）＞Ｓ_１（ＦＬ_Ｒ） …（数１Ａ）

【請求項12】

請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記赤色発光層は、さらに、化合物ＳＨ_Ｒを含み、
前記遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｒ）と、前記化合物ＳＨ_Ｒの一重項エネルギーＳ_１（ＳＨ_Ｒ）とが、下記数式（数１Ｂ）の関係を満たす、
有機ＥＬ表示装置。
Ｓ_１（ＳＨ_Ｒ）＞Ｓ_１（ＤＦ_Ｒ） …（数１Ｂ）

【請求項13】

請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記赤色有機ＥＬ素子における電子輸送帯域が複数の層からなる、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項14】

青色有機ＥＬ素子と、緑色有機ＥＬ素子と、をそれぞれ画素として有し、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記緑色有機ＥＬ素子のいずれも、
光反射層、
透明電極、
正孔輸送帯域、
発光層、
電子輸送帯域、及び
半透過性電極をこの順で有し、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記緑色有機ＥＬ素子のいずれにおいても、
前記光反射層と前記透明電極とが直接接し、
前記透明電極と前記正孔輸送帯域とが直接接し、
前記正孔輸送帯域と前記発光層とが直接接し、
前記発光層と前記電子輸送帯域とが直接接し、
前記電子輸送帯域と前記半透過性電極とが直接接し、
前記青色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての青色発光層を有し、
前記緑色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての緑色発光層を有し、
前記青色発光層は、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂを含み、
前記緑色発光層は、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇを含み、
前記正孔輸送帯域は、前記青色有機ＥＬ素子及び前記緑色有機ＥＬ素子に亘って同じ膜厚で共通して設けられ、
前記緑色有機ＥＬ素子は、前記光反射層と前記半透過性電極との間で干渉次数が一次の共振器構造を有しており、
前記緑色発光層の膜厚は、４０ｎｍ未満であり、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記緑色有機ＥＬ素子のそれぞれにおける前記透明電極及び前記正孔輸送帯域の膜厚の和が４０ｎｍ未満である、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項15】

請求項１４に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記緑色発光層は、さらに、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇを含み、
前記遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｇ）と、前記蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＦＬ_Ｇ）とが、下記数式（数２Ａ）の関係を満たす、
有機ＥＬ表示装置。
Ｓ_１（ＤＦ_Ｇ）＞Ｓ_１（ＦＬ_Ｇ） …（数２Ａ）

【請求項16】

請求項１５に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記緑色発光層は、さらに、化合物ＳＨ_Ｇを含み、
前記遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｇ）と、前記化合物ＳＨ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＳＨ_Ｇ）とが、下記数式（数２Ｂ）の関係を満たす、
有機ＥＬ表示装置。
Ｓ_１（ＳＨ_Ｇ）＞Ｓ_１（ＤＦ_Ｇ） …（数２Ｂ）

【請求項17】

請求項１４から請求項１６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記青色有機ＥＬ素子における電子輸送帯域の厚さは、前記緑色有機ＥＬ素子における電子輸送帯域の厚さよりも小さい、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項18】

請求項１４から請求項１７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記緑色有機ＥＬ素子のそれぞれにおける前記透明電極及び前記正孔輸送帯域の膜厚の和が１５ｎｍ以上である、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項19】

請求項１４から請求項１８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記緑色有機ＥＬ素子における電子輸送帯域が複数の層からなる、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項20】

請求項１から請求項１９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記透明電極の膜厚は、１５ｎｍ以下である、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項21】

請求項１から請求項２０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記透明電極の膜厚は、５ｎｍ以上である、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項22】

請求項１から請求項２１のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記正孔輸送帯域の膜厚は、１０ｎｍ以上２５ｎｍ未満である、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項23】

請求項１から請求項２２のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記正孔輸送帯域が単一の層のみからなる、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項24】

請求項１から請求項２３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記青色有機ＥＬ素子における電子輸送帯域が複数の層からなる、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項25】

請求項１から請求項２４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置を搭載した電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、有機ＥＬ表示装置及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という場合がある。）は、陽極及び陰極の間に発光層を挟んだ構造を有する。陽極から発光層に正孔が注入され、陰極から発光層に電子が注入される。発光層で正孔と電子とが再結合することによって、有機ＥＬ素子は、発光する。

【0003】

有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子を画素として含む。画素としての有機ＥＬ素子は、発光色に応じた色で発光可能な発光層を有する。
例えば、特許文献１には、赤色有機ＥＬ素子、緑色有機ＥＬ素子及び青色有機ＥＬ素子をそれぞれ画素として有する有機ＥＬ表示装置が記載されている。
特許文献１に記載の有機ＥＬ表示装置においては、緑色有機ＥＬ素子の発光層が遅延蛍光材料を有する。

【0004】

有機ＥＬ素子として熱活性化遅延蛍光（以下、単に「遅延蛍光」という場合がある。）を利用した蛍光型の有機ＥＬ素子が提案され、研究がなされている。
例えば、ＴＡＤＦ（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ、熱活性化遅延蛍光）機構（メカニズム）が研究されている。このＴＡＤＦメカニズムは、一重項準位と三重項準位とのエネルギー差（ΔＳＴ）の小さな材料を用いた場合に、三重項励起子から一重項励起子への逆項間交差が熱的に生じる現象を利用するメカニズムである。熱活性化遅延蛍光については、例えば、『安達千波矢編、「有機半導体のデバイス物性」、講談社、２０１２年４月１日発行、２６１－２６８ページ』に記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１０－１１４４２８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

ＴＡＤＦメカニズムを利用した有機ＥＬ素子は、従来の蛍光型の有機ＥＬ素子とは異なるメカニズムで発光する。そのため、ＴＡＤＦ材料を含む有機ＥＬ素子を搭載した有機ＥＬ表示装置は、ＴＡＤＦメカニズムを考慮して構造設計される。

【0007】

本発明の目的は、高性能な有機ＥＬ表示装置、例えば、生産効率を低下させずに、光取り出し効率及び／または発光色の角度依存性が小さい有機ＥＬ表示装置を提供すること、並びに当該有機ＥＬ表示装置を搭載した電子機器を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一態様によれば、青色有機ＥＬ素子と、赤色有機ＥＬ素子と、をそれぞれ画素として有し、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のいずれも、
光反射層、
透明電極、
正孔輸送帯域、
発光層、
電子輸送帯域、及び
半透過性電極をこの順で有し、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のいずれにおいても、
前記光反射層と前記透明電極とが直接接し、
前記透明電極と前記正孔輸送帯域とが直接接し、
前記正孔輸送帯域と前記発光層とが直接接し、
前記発光層と前記電子輸送帯域とが直接接し、
前記電子輸送帯域と前記半透過性電極とが直接接し、
前記青色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての青色発光層を有し、
前記赤色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての赤色発光層を有し、
前記青色発光層は、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂを含み、
前記赤色発光層は、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒを含み、
前記正孔輸送帯域は、前記青色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子に亘って同じ膜厚で共通して設けられ、
前記赤色有機ＥＬ素子は、前記光反射層と前記半透過性電極との間で干渉次数が一次の共振器構造を有しており、
前記赤色発光層の膜厚は、５０ｎｍ未満であり、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のそれぞれにおける前記透明電極及び前記正孔輸送帯域の膜厚の和が４０ｎｍ未満である、
有機ＥＬ表示装置が提供される。

【0009】

本発明の一態様によれば、青色有機ＥＬ素子と、緑色有機ＥＬ素子と、赤色有機ＥＬ素子と、をそれぞれ画素として有し、
前記青色有機ＥＬ素子、前記緑色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のいずれも、
光反射層、
透明電極、
正孔輸送帯域、
発光層、
電子輸送帯域、及び
半透過性電極をこの順で有し、
前記青色有機ＥＬ素子、前記緑色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のいずれにおいても、
前記光反射層と前記透明電極とが直接接し、
前記透明電極と前記正孔輸送帯域とが直接接し、
前記正孔輸送帯域と前記発光層とが直接接し、
前記発光層と前記電子輸送帯域とが直接接し、
前記電子輸送帯域と前記半透過性電極とが直接接し、
前記青色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての青色発光層を有し、
前記緑色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての緑色発光層を有し、
前記赤色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての赤色発光層を有し、
前記青色発光層は、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂを含み、
前記赤色発光層は、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒを含み、
前記正孔輸送帯域は、前記青色有機ＥＬ素子、前記緑色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子に亘って同じ膜厚で共通して設けられ、
前記赤色有機ＥＬ素子は、前記光反射層と前記半透過性電極との間で干渉次数が一次の共振器構造を有しており、
前記赤色発光層の膜厚は、５０ｎｍ未満であり、
前記青色有機ＥＬ素子、前記緑色有機ＥＬ素子及び前記赤色有機ＥＬ素子のそれぞれにおける前記透明電極及び前記正孔輸送帯域の膜厚の和が４０ｎｍ未満である、
有機ＥＬ表示装置が提供される。

【0010】

本発明の一態様によれば、
青色有機ＥＬ素子と、緑色有機ＥＬ素子と、をそれぞれ画素として有し、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記緑色有機ＥＬ素子のいずれも、
光反射層、
透明電極、
正孔輸送帯域、
発光層、
電子輸送帯域、及び
半透過性電極をこの順で有し、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記緑色有機ＥＬ素子のいずれにおいても、
前記光反射層と前記透明電極とが直接接し、
前記透明電極と前記正孔輸送帯域とが直接接し、
前記正孔輸送帯域と前記発光層とが直接接し、
前記発光層と前記電子輸送帯域とが直接接し、
前記電子輸送帯域と前記半透過性電極とが直接接し、
前記青色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての青色発光層を有し、
前記緑色有機ＥＬ素子は、前記発光層としての緑色発光層を有し、
前記青色発光層は、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂを含み、
前記緑色発光層は、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇを含み、
前記正孔輸送帯域は、前記青色有機ＥＬ素子及び前記緑色有機ＥＬ素子に亘って同じ膜厚で共通して設けられ、
前記緑色有機ＥＬ素子は、前記光反射層と前記半透過性電極との間で干渉次数が一次の共振器構造を有しており、
前記緑色発光層の膜厚は、４０ｎｍ未満であり、
前記青色有機ＥＬ素子及び前記緑色有機ＥＬ素子のそれぞれにおける前記透明電極及び前記正孔輸送帯域の膜厚の和が４０ｎｍ未満である、
有機ＥＬ表示装置が提供される。

【0011】

本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置のいずれかを搭載した電子機器が提供される。

【発明の効果】

【0012】

本発明の一態様によれば、高性能な有機ＥＬ表示装置を提供できる。本発明の一態様によれば、当該有機ＥＬ表示装置を搭載した及び電子機器を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。

【図2】過渡ＰＬを測定する装置の概略図である。

【図3】過渡ＰＬの減衰曲線の一例を示す図である。

【図4】赤色発光層における遅延蛍光性の化合物及び蛍光性の化合物のエネルギー準位並びにエネルギー移動の関係を示す図である。

【図5】第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。

【図6】緑色発光層における遅延蛍光性の化合物及び蛍光性の化合物のエネルギー準位並びにエネルギー移動の関係を示す図である。

【図7】第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。

【図8】第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置において、赤色発光層における遅延蛍光性の化合物、蛍光性の化合物及び第三成分としての化合物のエネルギー準位及びエネルギー移動の関係を示す図である。

【図9】第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置において、緑色発光層における遅延蛍光性の化合物、蛍光性の化合物及び第三成分としての化合物のエネルギー準位及びエネルギー移動の関係を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

〔第１実施形態〕
［有機ＥＬ表示装置］
第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の一例の構成について図１を参照して説明する。
図１には、有機ＥＬ表示装置１が記載されている。
有機ＥＬ表示装置１は、青色有機ＥＬ素子１０Ｂと、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒと、をそれぞれ画素として有する。

【0015】

青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのいずれも、光反射層２、透明電極３、正孔輸送帯域４、発光層５、電子輸送帯域６、及び半透過性電極７を有する。本明細書において、正孔輸送帯域４、発光層５及び電子輸送帯域６を有機層と称する場合がある。
青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのいずれも、光反射層２、透明電極３、正孔輸送帯域４、発光層５、電子輸送帯域６、及び半透過性電極７をこの順で有する。有機ＥＬ表示装置１においては、画素としての青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒが基板８の上に並列に配置されている。

【0016】

青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのいずれにおいても、透明電極３と正孔輸送帯域４とが直接接し、正孔輸送帯域４と発光層５とが直接接し、発光層５と電子輸送帯域６とが直接接し、電子輸送帯域６と半透過性電極７とが直接接している。

【0017】

有機ＥＬ表示装置１は、青色画素としての青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色画素としての赤色有機ＥＬ素子１０Ｒを有する。各画素には独立してそれぞれ電圧がかかる。有機ＥＬ表示装置１において、青色画素及び赤色画素を選択的に発光させることができる。有機ＥＬ表示装置１は、青色画素及び赤色画素を１つずつ含む単位を、複数、有してもよい。この場合、当該青色画素及び赤色画素からなる単位が、複数、基板上に繰り返し配列されていてもよい。また、一単位中にそれぞれの画素が、複数、含まれていてもよく、例えば、青色画素が１つ、赤色画素が２つである構成を一単位としてもよい。なお、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、青色画素及び赤色画素以外の他の色で発光する画素を有してもよい。

【0018】

（赤色有機ＥＬ素子）
赤色有機ＥＬ素子１０Ｒは、発光層５としての赤色発光層５Ｒを有する。図１中、赤色発光層５Ｒは「Ｒ」と示される。

【0019】

赤色有機ＥＬ素子１０Ｒは、光反射層２、透明電極３、正孔輸送帯域４、発光層５、電子輸送帯域６、及び半透過性電極７のそれぞれに対応する、光反射層２Ｒ、透明電極３Ｒ、正孔輸送帯域４Ｒ、赤色発光層５Ｒ、電子輸送帯域６Ｒ、及び半透過性電極７Ｒを有する。

【0020】

赤色発光層５Ｒは、正孔輸送帯域４Ｒと電子輸送帯域６Ｒとの間に含まれる。
赤色発光層５Ｒは、正孔輸送帯域４Ｒと直接接し、さらに、電子輸送帯域６Ｒとも直接接している。

【0021】

赤色発光層５Ｒの膜厚は、５０ｎｍ未満である。赤色発光層５Ｒの膜厚は、１５ｎｍ以上であることが好ましい。
赤色発光層５Ｒの膜厚は、青色発光層５Ｂの膜厚よりも大きい。

【0022】

（層又は帯域の膜厚の測定方法）
有機ＥＬ素子が含む各層又は帯域の膜厚は、以下のように測定できる。
測定対象となる層又は帯域を有する有機ＥＬ素子の中心部を、測定対象の層又は帯域の形成面に対して垂直方向（つまり有機層の厚さ方向）に切断し、その中心部の切断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察して、膜厚を測定する。
例えば、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒの赤色発光層５Ｒの膜厚を測定する場合、測定対象となる層を有する赤色有機ＥＬ素子１０Ｒの中心部を、赤色発光層５Ｒの形成面に対して垂直方向（つまり赤色発光層５Ｒの厚さ方向）に切断し、その中心部の切断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察して、膜厚を測定する。赤色有機ＥＬ素子１０Ｒの中心部は、図１中、符号ＣＬ_Ｒで示し、青色有機ＥＬ素子１０Ｂの中心部は、図１中、符号ＣＬ_Ｂで示す。
なお、有機ＥＬ素子の中心部とは、各画素において、有機ＥＬ素子を半透過性電極側から投影した形状の中心部を意味し、例えば、投影形状が矩形状である場合には矩形の対角線の交点を意味する。
本明細書において、厚さとは、目的とする帯域又は層がそれぞれ複数層で構成される場合、複数の層の厚さの和を意味する。

【0023】

本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１において、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒが、光反射層２と半透過性電極７との間で干渉次数が一次の共振器構造を有する。具体的には、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒは、光反射層２Ｒと半透過性電極７Ｒとの間で干渉次数が一次の共振器構造を有する。赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける光反射層２Ｒと半透過性電極７Ｒとの間隔ｄ１は、正孔輸送帯域４Ｒの厚さ、赤色発光層５Ｒの厚さ及び電子輸送帯域６Ｒの厚さの和に相当する。

【0024】

［共振器構造］
以下に有機ＥＬ素子における共振器構造について説明する。
有機ＥＬ表示装置１が有する有機ＥＬ素子を、光反射層２と半透過性電極７との間で発光光を共振させて取り出す共振器構造とすることで、取り出し光の色純度を向上させ、共振の中心波長付近の取り出し光の強度を向上させることができる。
光反射層２の発光層５側の反射端面を第１端部Ｐ１とし、
半透過性電極７の発光層５側の反射端面を第２端部Ｐ２とし、
有機層（正孔輸送帯域４、発光層５及び電子輸送帯域６）を共振部として、
発光層５で発生した光を共振させて第２端部Ｐ２側から取り出す共振器構造とした場合には、下記数式（ＯＰ１）を満たすように、共振器の第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌを設定する。光学的距離Ｌは、実際には、数式（ＯＰ１）を満たす正の最小値となるように選択することが好ましい。

【0025】

【数1】

【0026】

上記数式（ＯＰ１）における記号の説明は、以下の通りである。
Ｌは、第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離である。
Φは、第１端部Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ１と第２端部Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ２との和（Φ＝Φ１＋Φ２）であり、位相シフトの単位は、ｒａｄである。
λは、第２端部Ｐ２の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長である。
ｍは、Ｌが正となる整数であり、ｍは、干渉次数に相当する。ｍが１のとき、有機ＥＬ素子は、干渉次数が一次である共振器構造を有する。
数式（ＯＰ１）において、Ｌ及びλは、単位が共通すればよく、Ｌ及びλの単位は、例えば、ｎｍである。

【0027】

光学的距離Ｌは、光反射層２と半透過性電極７との間の有機層の光学膜厚（＝屈折率（ｎ）×膜厚（ｄ））の総和（＝ｎ_１ｄ_１＋ｎ_２ｄ_２＋・・・）である。なお、実際に光反射層２並びに半透過性電極７にて光が反射する際、反射界面を構成する電極材料及び有機材料の組み合わせにより、位相シフトの和Φが変化する。

【0028】

有機ＥＬ表示装置１においては、発光層５の最大発光位置と第１端部Ｐ１との間の光学的距離Ｌ_１が下記数式（ＯＰ２）を満たし、最大発光位置と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌ_２が下記数式（ＯＰ３）を満たすように調整されていることが好ましい。ここで、最大発光位置とは、発光領域のうちで最も発光強度が大きい位置を言う。例えば、発光層５の光反射層２側の界面及び半透過性電極７側の界面の両方で発光する場合、最大発光位置は、それら界面の内、発光強度が大きい方の界面である。

【0029】

【数2】

【0030】

上記数式（ＯＰ２）における記号の説明は、以下の通りである。
ｔＬ_１は、第１端部Ｐ１と最大発光位置との間の光学的理論距離である。
ａ_１は、発光層５における発光分布に基づく補正量である。
λは、取り出したい光のスペクトルのピーク波長である。
Φ_１は、第１端部Ｐ１で生じる反射光の位相シフトであり、単位は、ｒａｄである。
ｍ_１は、０又は整数である。有機ＥＬ表示装置１において、ｍ_１は、０である。ｍ_１が０であるときの光学的距離Ｌ_１の位置が光反射層２側からみた「０次干渉位置」に相当する。

【0031】

【数3】

【0032】

上記数式（ＯＰ３）における記号の説明は、以下の通りである。
ｔＬ_２は、第２端部Ｐ２と最大発光位置との間の光学的理論距離である。
ａ_２は、発光層５における発光分布に基づく補正量である。
λは、取り出したい光のスペクトルのピーク波長である。
Φ_２は、第２端部Ｐ２で生じる反射光の位相シフトであり、単位は、ｒａｄである。
ｍ_２は、０または整数である。ｍ_２は、１であることが好ましい。
ｍ_１が０であり、ｍ_２が１であることがより好ましい。ｍ_２が１であるときの光学的距離Ｌ_２の位置が半透過性電極７側からみた「１次干渉位置」に相当する。

【0033】

上記数式（ＯＰ２）は、発光層５で発生した光のうち光反射層２の方へ向かう光が第１端部Ｐ１で反射して戻ってきたときに、その戻り光の位相と発光時の位相とが同一となり、発光した光のうち半透過性電極７の方へ向かう光と強め合う関係となるようにするための条件を表す。
また、数式（ＯＰ３）は、発光層５で発生した光のうち半透過性電極７の方へ向かう光が第２端部Ｐ２で反射して戻ってきたときに、その戻り光の位相と発光時の位相とが同一となり、発光した光のうち光反射層２の方へ向かう光と強め合う関係となるようにするための条件を表す。

【0034】

本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、電子輸送帯域６の膜厚を正孔輸送帯域４の膜厚よりも厚く形成することで、上記数式（ＯＰ２）及び（ＯＰ３）中のｍ_１及びｍ_２が、ｍ_２＞ｍ_１となるように設計することが可能である。ｍ_２＞ｍ_１となるように設計することにより、有機ＥＬ表示装置１の視野角を改善することができる。

【0035】

尚、数式（ＯＰ２）の光学的理論距離ｔＬ_１及び数式（ＯＰ３）の光学的理論距離ｔＬ_２は、発光領域に広がりがないと考えた場合に、第１端部Ｐ１又は第２端部Ｐ２での位相変化量と、進行することでの位相変化量がちょうど打ち消し合い、戻り光の位相と発光時の位相とが同一となる理論値である。ただし、発光領域には通常広がりがあるので、数式（ＯＰ２）及び数式（ＯＰ３）では、発光分布に基づく補正量ａ_１及びａ_２が加えられている。

【0036】

補正量ａ_１及びａ_２は、発光分布により異なるが、最大発光位置が発光層５の半透過性電極７側にあり、発光分布が最大発光位置から光反射層２側に広がっている場合、又は最大発光位置が発光層５の光反射層２側にあり、発光分布が最大発光位置から半透過性電極７側に広がっている場合には、例えば、下記数式（ＯＰ４）により補正量ａ_１及びａ_２を求めることができる。

【0037】

【数4】

【0038】

上記数式（ＯＰ４）における記号の説明は、以下の通りである。
ｂは、発光層５における発光分布が最大発光位置から光反射層２の方向へ広がっている場合には２ｎ≦ｂ≦６ｎの範囲内の値であり、最大発光位置から半透過性電極７の方向へ広がっている場合には－６ｎ≦ｂ≦－２ｎの範囲内の値である。
ｓは、発光層５における発光分布に関する物性値（１／ｅ減衰距離）である。
ｎは、取り出したい光のスペクトルのピーク波長λにおける第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の平均屈折率である。

【0039】

以上が有機ＥＬ表示装置における共振器構造の説明である。
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒが共振器構造を有する。共振器構造を有する赤色有機ＥＬ素子１０Ｒについては、上記共振器構造の説明中、光反射層２、半透過性電極７、正孔輸送帯域４、発光層５及び電子輸送帯域６のそれぞれを、光反射層２Ｒ、半透過性電極７Ｒ、正孔輸送帯域４Ｒ、赤色発光層５Ｒ及び電子輸送帯域６Ｒとして読み替えて適用できる。

【0040】

（赤色発光層）
赤色発光層５Ｒは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒを含む。

【0041】

一実施形態においては、赤色発光層５Ｒは、さらに、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒを含むことが好ましい。本明細書において、「蛍光性の化合物」は、遅延蛍光性を示さない化合物である。よって、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒは、遅延蛍光性を示さない化合物である。

【0042】

赤色発光層５Ｒが遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒ及び蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒを含む場合、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｒ）と、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒの一重項エネルギーＳ_１（ＦＬ_Ｒ）とが、下記数式（数１Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（ＤＦ_Ｒ）＞Ｓ_１（ＦＬ_Ｒ） …（数１Ａ）

【0043】

赤色発光層５Ｒが蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒを含む場合、化合物ＦＬ_Ｒは、赤色蛍光発光性の化合物であることが好ましい。

【0044】

赤色発光層５Ｒにおいて、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒは、ドーパント材料（ゲスト材料、エミッター又は発光材料と称する場合もある。）であることが好ましく、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒは、ホスト材料（マトリックス材料と称する場合もある。）であることが好ましい。

【0045】

赤色発光層５Ｒは、燐光発光性材料を含まないことが好ましい。
赤色発光層５Ｒは、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。
また、赤色発光層５Ｒは、金属錯体を含まないことも好ましい。

【0046】

・赤色発光層における化合物の含有率
本実施形態の赤色発光層５Ｒにおいて、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒの含有率は、０．０１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの含有率は、８０質量％以上９９．９９質量％以下であることが好ましい。赤色発光層５Ｒにおける蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒ、および遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの合計含有率の上限は、１００質量％である。なお、本実施形態は、赤色発光層５Ｒに、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒ、および遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒ以外の材料が含まれることを除外するものではない。
赤色発光層５Ｒは、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒを１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。赤色発光層５Ｒは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒを１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

【0047】

本明細書において、赤色の発光とは、蛍光スペクトルの主ピーク波長が６００ｎｍ以上、６６０ｎｍ以下の範囲内である発光をいう。
蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒが赤色蛍光発光性の化合物である場合、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒの主ピーク波長は、６００ｎｍ以上、６６０ｎｍ以下であることが好ましく、６００ｎｍ以上、６４０ｎｍ以下であることがより好ましく、６００ｎｍ以上、６３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
本明細書において、主ピーク波長とは、測定対象化合物が１０^－６モル／リットル以上１０^－５モル／リットル以下の濃度で溶解しているトルエン溶液について、測定した蛍光スペクトルにおける発光強度が最大となる蛍光スペクトルのピーク波長をいう。測定装置は、分光蛍光光度計（日立ハイテクサイエンス社製、Ｆ－７０００）を用いる。

【0048】

・遅延蛍光性
遅延蛍光については、「有機半導体のデバイス物性」（安達千波矢編、講談社発行）の２６１～２６８ページで解説されている。その文献の中で、蛍光発光材料の励起一重項状態と励起三重項状態のエネルギー差ΔＥ_１３を小さくすることができれば、通常は遷移確率が低い励起三重項状態から励起一重項状態への逆エネルギー移動が高効率で生じ、熱活性化遅延蛍光（ＴｈｅｒｍａｌｌｙＡｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ，ＴＡＤＦ）が発現すると説明されている。さらに、当該文献中の図１０．３８で、遅延蛍光の発生メカニズムが説明されている。本実施形態における遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒは、このようなメカニズムで発生する熱活性化遅延蛍光を示す化合物であることが好ましい。

【0049】

一般に、遅延蛍光の発光は過渡ＰＬ（Ｐｈｏｔｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）測定により確認できる。

【0050】

過渡ＰＬ測定から得た減衰曲線に基づいて遅延蛍光の挙動を解析することもできる。過渡ＰＬ測定とは、試料にパルスレーザーを照射して励起させ、照射を止めた後のＰＬ発光の減衰挙動（過渡特性）を測定する手法である。ＴＡＤＦ材料におけるＰＬ発光は、最初のＰＬ励起で生成する一重項励起子からの発光成分と、三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光成分に分類される。最初のＰＬ励起で生成する一重項励起子の寿命は、ナノ秒オーダーであり、非常に短い。そのため、当該一重項励起子からの発光は、パルスレーザーを照射後、速やかに減衰する。
一方、遅延蛍光は、寿命の長い三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光のため、ゆるやかに減衰する。このように最初のＰＬ励起で生成する一重項励起子からの発光と、三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光とでは、時間的に大きな差がある。そのため、遅延蛍光由来の発光強度を求めることができる。

【0051】

図２には、過渡ＰＬを測定するための例示的装置の概略図が示されている。図２を用いた過渡ＰＬの測定方法、及び遅延蛍光の挙動解析の一例を説明する。

【0052】

図２の過渡ＰＬ測定装置１００は、所定波長の光を照射可能なパルスレーザー部１０１と、測定試料を収容する試料室１０２と、測定試料から放射された光を分光する分光器１０３と、２次元像を結像するためのストリークカメラ１０４と、２次元像を取り込んで解析するパーソナルコンピュータ１０５とを備える。なお、過渡ＰＬの測定は、図２に記載の装置に限定されない。

【0053】

試料室１０２に収容される試料は、マトリックス材料に対し、ドーピング材料が１２質量％の濃度でドープされた薄膜を石英基板に成膜することで得られる。

【0054】

試料室１０２に収容された薄膜試料に対し、パルスレーザー部１０１からパルスレーザーを照射してドーピング材料を励起させる。励起光の照射方向に対して９０度の方向へ発光を取り出し、取り出した光を分光器１０３で分光し、ストリークカメラ１０４内で２次元像を結像する。その結果、縦軸が時間に対応し、横軸が波長に対応し、輝点が発光強度に対応する２次元画像を得ることができる。この２次元画像を所定の時間軸で切り出すと、縦軸が発光強度であり、横軸が波長である発光スペクトルを得ることができる。また、当該２次元画像を波長軸で切り出すと、縦軸が発光強度の対数であり、横軸が時間である減衰曲線（過渡ＰＬ）を得ることができる。

【0055】

例えば、マトリックス材料として、下記参考化合物Ｈ１を用い、ドーピング材料として下記参考化合物Ｄ１を用いて上述のようにして薄膜試料Ａを作製し、過渡ＰＬ測定を行った。

【0056】

【化1】

【0057】

ここでは、前述の薄膜試料Ａ、及び薄膜試料Ｂを用いて減衰曲線を解析した。薄膜試料Ｂは、マトリックス材料として下記参考化合物Ｈ２を用い、ドーピング材料として前記参考化合物Ｄ１を用いて、上述のようにして薄膜試料を作製した。

【0058】

図３には、薄膜試料Ａ及び薄膜試料Ｂについて測定した過渡ＰＬから得た減衰曲線が示されている。

【0059】

【化2】

【0060】

上記したように過渡ＰＬ測定によって、縦軸を発光強度とし、横軸を時間とする発光減衰曲線を得ることができる。この発光減衰曲線に基づいて、光励起により生成した一重項励起状態から発光する蛍光と、三重項励起状態を経由し、逆エネルギー移動により生成する一重項励起状態から発光する遅延蛍光との、蛍光強度比を見積もることができる。遅延蛍光性の材料では、素早く減衰する蛍光の強度に対し、緩やかに減衰する遅延蛍光の強度の割合が、ある程度大きい。

【0061】

具体的には、遅延蛍光性の材料からの発光としては、Ｐｒｏｍｐｔ発光（即時発光）と、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）とが存在する。Ｐｒｏｍｐｔ発光（即時発光）とは、当該遅延蛍光性の材料が吸収する波長のパルス光（パルスレーザーから照射される光）で励起された後、当該励起状態から即座に観察される発光である。Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）とは、当該パルス光による励起後、即座には観察されず、その後観察される発光である。

【0062】

Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比は、“Ｎａｔｕｒｅ ４９２， ２３４－２３８， ２０１２”（参考文献１）に記載された方法と同様の方法により求めることができる。なお、Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量の算出に使用される装置は、前記参考文献１に記載の装置、または図２に記載の装置に限定されない。

【0063】

また、本実施形態では、化合物ＤＦ_Ｒの遅延蛍光性の測定には、次に示す方法により作製した試料を用いる。例えば、化合物ＤＦ_Ｒをトルエンに溶解し、自己吸収の寄与を取り除くため励起波長において吸光度が０．０５以下の希薄溶液を調製する。また酸素による消光を防ぐため、試料溶液を凍結脱気した後にアルゴン雰囲気下で蓋付きのセルに封入することで、アルゴンで飽和された酸素フリーの試料溶液とする。
上記試料溶液の蛍光スペクトルを分光蛍光光度計ＦＰ－８６００（日本分光社製）で測定し、また同条件で９，１０－ジフェニルアントラセンのエタノール溶液の蛍光スペクトルを測定する。両スペクトルの蛍光面積強度を用いて、Ｍｏｒｒｉｓ ｅｔ ａｌ． Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．８０（１９７６）９６９中の（１）式により全蛍光量子収率を算出する。

【0064】

Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比は、“Ｎａｔｕｒｅ ４９２， ２３４－２３８， ２０１２”（参考文献１）に記載された方法と同様の方法により求めることができる。なお、Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量の算出に使用される装置は、前記参考文献１に記載の装置、または図２に記載の装置に限定されない。
本実施形態においては、測定対象化合物（化合物ＤＦ_Ｒ）のＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量をＸ_Ｐとし、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量をＸ_Ｄとしたときに、Ｘ_Ｄ／Ｘ_Ｐの値が０．０５以上であることが好ましい。
本明細書における化合物ＤＦ_Ｒ以外の化合物のＰｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比の測定も、化合物ＤＦ_ＲのＰｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比の測定と同様である。

【0065】

（ＴＡＤＦ機構）
本実施形態の赤色有機ＥＬ素子１０Ｒでは、化合物ＤＦ_ＲとしてΔＳＴ（ＤＦ_Ｒ）が小さい化合物を用いることが好ましく、外部から与えられる熱エネルギーによって、化合物ＤＦ_Ｒの三重項準位から化合物ＤＦ_Ｒの一重項準位への逆項間交差が起こり易くなる。有機ＥＬ素子内部の電気励起された励起子の励起三重項状態が、逆項間交差によって、励起一重項状態へスピン交換がされるエネルギー状態変換機構をＴＡＤＦ機構と呼ぶ。

【0066】

図４は、赤色発光層５Ｒにおける化合物ＤＦ_Ｒ及び化合物ＦＬ_Ｒのエネルギー準位の関係の一例を示す図である。図４中の記号の説明は、以下の通りである。
Ｓ０は、基底状態を表す。
Ｓ１（ＤＦ_Ｒ）は、化合物ＤＦ_Ｒの最低励起一重項状態を表す。
Ｔ１（ＤＦ_Ｒ）は、化合物ＤＦ_Ｒの最低励起三重項状態を表す。
Ｓ１（ＦＬ_Ｒ）は、化合物ＦＬ_Ｒの最低励起一重項状態を表す。
Ｔ１（ＦＬ_Ｒ）は、化合物ＦＬ_Ｒの最低励起三重項状態を表す。

【0067】

図４中のＳ１（ＤＦ_Ｒ）からＳ１（ＦＬ_Ｒ）へ向かう破線の矢印は、化合物ＤＦ_Ｒの最低励起一重項状態から化合物ＦＬ_Ｒの最低励起一重項状態へのフェルスター型エネルギー移動を表す。なお、本実施形態では、最低励起一重項状態Ｓ１と最低励起三重項状態Ｔ１との差を、ΔＳＴとして定義する。
図４に示すように、化合物ＤＦ_ＲとしてΔＳＴ（ＤＦ_Ｒ）の小さな化合物を用いると、最低励起三重項状態Ｔ１（ＤＦ_Ｒ）は、熱エネルギーにより、最低励起一重項状態Ｓ１（ＤＦ_Ｒ）に逆項間交差が可能である。そして、化合物ＤＦ_Ｒの最低励起一重項状態Ｓ１（ＤＦ_Ｒ）から化合物ＦＬ_Ｒへのフェルスター型エネルギー移動が生じ、最低励起一重項状態Ｓ１（ＦＬ_Ｒ）が生成する。この結果、化合物ＦＬ_Ｒの最低励起一重項状態Ｓ１（ＦＬ_Ｒ）からの蛍光発光を観測することができる。このＴＡＤＦ機構による遅延蛍光を利用することによっても、理論的に内部効率を１００％まで高めることができると考えられている。

【0068】

・三重項エネルギーと７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップとの関係
ここで、三重項エネルギーと７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップとの関係について説明する。本実施形態では、７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップは、通常定義される三重項エネルギーとは異なる点がある。
三重項エネルギーの測定は、次のようにして行われる。まず、測定対象となる化合物を適切な溶媒中に溶解した溶液を石英ガラス管内に封入した試料を作製する。この試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値に基づいて、所定の換算式から三重項エネルギーを算出する。
ここで、本実施形態に係る化合物の内、熱活性化遅延蛍光性の化合物は、ΔＳＴが小さい化合物であることが好ましい。ΔＳＴが小さいと、低温（７７［Ｋ］）状態でも、項間交差、及び逆項間交差が起こりやすく、励起一重項状態と励起三重項状態とが混在する。その結果、上記と同様にして測定されるスペクトルは、励起一重項状態、及び励起三重項状態の両者からの発光を含んでおり、いずれの状態から発光したのかについて峻別することは困難であるが、基本的には三重項エネルギーの値が支配的と考えられる。
そのため、本実施形態では、通常の三重項エネルギーＴと測定手法は同じであるが、その厳密な意味において異なることを区別するため、次のようにして測定される値をエネルギーギャップＴ_７７Ｋと称する。測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、濃度が１０μｍｏｌ／Ｌとなるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とする。この測定試料について、
低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λ_ｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式（Ｆ１）から算出されるエネルギー量を７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋとする。
換算式（Ｆ１）：Ｔ_７７Ｋ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λ_ｅｄｇｅ

【0069】

燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ－４５００形分光蛍光光度計本体を用いることができる。なお、測定装置はこの限りではなく、冷却装置、及び低温用容器と、励起光源と、受光装置とを組み合わせることにより、測定してもよい。

【0070】

・最低励起一重項エネルギーＳ_１
溶液を用いた最低励起一重項エネルギーＳ_１の測定方法（溶液法と称する場合がある。）としては、下記の方法が挙げられる。
測定対象となる化合物の１０μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸収強度、横軸：波長とする。）を測定する。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式（Ｆ２）に代入して最低励起一重項エネルギーを算出する。
換算式（Ｆ２）：Ｓ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
吸収スペクトル測定装置としては、例えば、日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）が挙げられるが、これに限定されない。

【0071】

吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。

【0072】

本実施形態では、最低励起一重項エネルギーＳ_１と、７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋとの差（Ｓ_１－Ｔ_７７Ｋ）をΔＳＴとして定義する。

【0073】

本実施形態において、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの最低励起一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｒ）と、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（ＤＦ_Ｒ）との差ΔＳＴ（ＤＦ_Ｒ）は、好ましくは０．３ｅＶ未満、より好ましくは０．２ｅＶ未満、さらに好ましくは０．１ｅＶ未満である。すなわち、ΔＳＴ（ＤＦ_Ｒ）は、下記数式（数１０）、（数１１）又は（数１２）の関係を満たすことが好ましい。
ΔＳＴ（ＤＦ_Ｒ）＝Ｓ_１（ＤＦ_Ｒ）－Ｔ_７７Ｋ（ＤＦ_Ｒ）＜０．３ｅＶ …（数１０）
ΔＳＴ（ＤＦ_Ｒ）＝Ｓ_１（ＤＦ_Ｒ）－Ｔ_７７Ｋ（ＤＦ_Ｒ）＜０．２ｅＶ …（数１１）
ΔＳＴ（ＤＦ_Ｒ）＝Ｓ_１（ＤＦ_Ｒ）－Ｔ_７７Ｋ（ＤＦ_Ｒ）＜０．１ｅＶ …（数１２）

【0074】

（青色有機ＥＬ素子）
青色有機ＥＬ素子１０Ｂは、発光層５としての青色発光層５Ｂを有する。図１中、青色発光層５Ｂは「Ｂ」と示される。

【0075】

青色有機ＥＬ素子１０Ｂは、光反射層２、透明電極３、正孔輸送帯域４、発光層５、電子輸送帯域６、及び半透過性電極７のそれぞれに対応する、光反射層２Ｂ、透明電極３Ｂ、正孔輸送帯域４Ｂ、青色発光層５Ｂ、電子輸送帯域６Ｂ、及び半透過性電極７Ｂを有する。

【0076】

青色発光層５Ｂは、正孔輸送帯域４Ｂと電子輸送帯域６Ｂとの間に含まれる。
青色発光層５Ｂは、正孔輸送帯域４Ｂと直接接し、さらに、電子輸送帯域６Ｂとも直接接している。

【0077】

青色発光層５Ｂの膜厚は、１５ｎｍ以上であることが好ましい。青色発光層５Ｂの膜厚は、３０ｎｍ以下であることが好ましい。青色発光層５Ｂの膜厚及び赤色発光層５Ｒの膜厚は、正孔輸送帯域４の膜厚の測定方法と同様にして測定することができる。

【0078】

青色発光層５Ｂは、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂを含む。本明細書において、「蛍光性の化合物」は、遅延蛍光性を示さない化合物である。よって、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂは、遅延蛍光性を示さない化合物である。

【0079】

蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂは、青色蛍光発光性の化合物であることが好ましい。青色蛍光発光性の化合物としては、特に制限されない。

【0080】

本明細書において、青色の発光とは、蛍光スペクトルの主ピーク波長が４３０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内である発光をいう。
蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂが青色蛍光発光性の化合物である場合、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂの主ピーク波長は、４３０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることが好ましく、４３０ｎｍ以上、５００ｎｍ未満であることがより好ましい。

【0081】

一実施形態においては、青色発光層５Ｂは、さらに、化合物ＦＨ_Ｂを含むことが好ましい。
青色発光層５Ｂが化合物ＦＨ_Ｂと、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂとを含む場合、化合物ＦＬ_Ｂの一重項エネルギーＳ_１（ＦＬ_Ｂ）と、化合物ＦＨ_Ｂの一重項エネルギーＳ１（ＦＨ_Ｂ）とが、下記数式（数３Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（ＦＨ_Ｂ）＞Ｓ_１（ＦＬ_Ｂ） …（数３Ａ）

【0082】

青色発光層５Ｂが化合物ＦＨ_Ｂと、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂとを含む場合、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂは、ドーパント材料（ゲスト材料、エミッター又は発光材料と称する場合もある。）であることが好ましく、化合物ＦＨ_Ｂは、ホスト材料（マトリックス材料と称する場合もある。）であることが好ましい。化合物ＦＨ_Ｂとしては、例えば、青色蛍光発光性の化合物（ドーパント材料）と組み合わせて使用できるホスト材料であれば、特に限定されず、例えば、アントラセン誘導体等が挙げられる。

【0083】

（光反射層）
光反射層２は、透明電極３と直接接している。
光反射層２の透明電極３との界面における反射率は、５０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。
光反射層２は、金属層であることが好ましい。金属層を構成する金属としては、特に限定されないが、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）及び銀（Ａｇ）からなる群から選択される金属、並びにこれら金属の群から選択される複数種の金属を含む合金等が挙げられる。光反射層２としては、例えば、ＡＰＣ層が挙げられる。ＡＰＣは、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）及び銅（Ｃｕ）の合金である。

【0084】

有機ＥＬ表示装置１における光反射層２は、非共通層であることが好ましい。すなわち、光反射層２Ｒ及び光反射層２Ｂは、それぞれ、非共通層であることが好ましい。
本明細書においては、複数の素子に亘って共通して設けられている層を共通層と称する場合がある。本明細書において、複数の素子に亘って共通して設けられておらず、有機ＥＬ素子ごとに設けられている層（共通層ではない層）を非共通層と称する場合がある。

【0085】

（透明電極）
透明電極３は、光反射層２と正孔輸送帯域４との間に含まれる。
透明電極３は、光反射層２と直接接し、さらに、正孔輸送帯域４とも直接接している。
透明電極３は、透明導電膜であることが好ましい。透明電極３としての透明導電膜は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜及びインジウム亜鉛酸化物膜等が挙げられる。
透明電極３の透過率は、５０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。透明電極３の透過率は、１００％以下であることが好ましい。多重反射による減衰を抑える観点から、透明電極３の消光係数は、０．０５以下であることが好ましく、０．０１以下であることがより好ましい。

【0086】

透明電極３の膜厚は、１５ｎｍ以下であることが好ましい。
透明電極３の膜厚は、５ｎｍ以上であることが好ましい。
透明電極３の膜厚は、前述の「層又は帯域の膜厚の測定方法」によって測定することができる。透明電極３の膜厚が１５ｎｍ以下であることによって、正孔輸送帯域及び透明電極の膜厚の和を４０ｎｍ未満に維持しながら、正孔輸送帯域の膜厚を厚くすることができる。透明電極３の膜厚が５ｎｍ以上であることによって、正孔を安定的に注入することができる。

【0087】

有機ＥＬ表示装置１における透明電極３は、非共通層であることが好ましい。すなわち、透明電極３Ｒ及び透明電極３Ｂは、それぞれ、非共通層であることが好ましい。
透明電極３Ｒ及び透明電極３Ｂが非共通層である場合、透明電極３Ｒ及び透明電極３Ｂの膜厚は、それぞれ独立に、５ｎｍ以上、１５ｎｍ以下であることが好ましい。

【0088】

（正孔輸送帯域）
正孔輸送帯域４は、少なくとも透明電極３と発光層５との間に含まれる。
正孔輸送帯域４は、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒに亘って同じ膜厚で共通して設けられている。
本明細書においては、複数の素子に亘って共通して設けられている帯域を共通帯域と称する場合がある。
正孔輸送帯域４は、共通帯域であり、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒに亘って同じ膜厚である。正孔輸送帯域４が共通帯域であるため、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ及び青色有機ＥＬ素子１０Ｂのそれぞれの正孔輸送帯域４を、マスク等を入れ替えずに作製できる。その結果、有機ＥＬ表示装置１の生産性が向上する。

【0089】

正孔輸送帯域の膜厚は、１０ｎｍ以上、２５ｎｍ未満であることが好ましく、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることがより好ましい。具体的には、有機ＥＬ表示装置１において、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける正孔輸送帯域４Ｂの膜厚が、１０ｎｍ以上、２５ｎｍ未満であり、かつ赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける正孔輸送帯域４Ｒの膜厚が、１０ｎｍ以上、２５ｎｍ未満であることが好ましく、正孔輸送帯域４Ｂの膜厚が、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であり、かつ正孔輸送帯域４Ｒの膜厚が、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることがより好ましい。
正孔輸送帯域４の膜厚は、前述の「層又は帯域の膜厚の測定方法」によって測定することができる。

【0090】

青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのそれぞれにおける透明電極３及び正孔輸送帯域４の膜厚の和が４０ｎｍ未満である。具体的には、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける透明電極３Ｂの膜厚と正孔輸送帯域４Ｂの膜厚との和が４０ｎｍ未満であり、かつ、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける透明電極３Ｒの膜厚と正孔輸送帯域４Ｒの膜厚との和が４０ｎｍ未満である。透明電極３及び正孔輸送帯域４の膜厚の和は、図１中、ｄ_ＨＴ１として示す。
青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのそれぞれにおける透明電極３及び正孔輸送帯域４の膜厚の和が４０ｎｍ未満であることによって、視野角を改善することができる。

【0091】

青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのそれぞれにおける透明電極３及び正孔輸送帯域４の膜厚の和が１５ｎｍ以上であることが好ましい。具体的には、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける透明電極３Ｂの膜厚と正孔輸送帯域４Ｂの膜厚との和が１５ｎｍ以上であり、かつ、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける透明電極３Ｒの膜厚と正孔輸送帯域４Ｒの膜厚との和が１５ｎｍ以上であることが好ましい。

【0092】

正孔輸送帯域とは、正孔が移動する領域を意味する。正孔輸送帯域における正孔移動度μ^Ｈは、１０^－６［ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）］以上であることが好ましい。正孔移動度μ^Ｈ［ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）］は、特開２０１４－１１０３４８号公報に記載のインピーダンス分光法にて測定することができる。

【0093】

正孔輸送帯域４は、単一の層のみからなることも好ましい。
正孔輸送帯域４は、複数の層からなることも好ましい。
正孔輸送帯域４を構成する層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層及び電子障壁層が挙げられる。
正孔輸送帯域４が複数の層で構成される場合、正孔輸送帯域４を構成する各層が、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒに亘って同じ膜厚で共通して設けられている共通層である。

【0094】

（電子輸送帯域）
電子輸送帯域６は、少なくとも発光層５と半透過性電極７との間に含まれる。
電子輸送帯域６は、発光層５と直接接し、さらに、半透過性電極７とも直接接している。

【0095】

青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける電子輸送帯域６（電子輸送帯域６Ｂ）の膜厚は、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける電子輸送帯域６（電子輸送帯域６Ｒ）の膜厚よりも小さいことが好ましい。電子輸送帯域６Ｂ及び電子輸送帯域６Ｒの膜厚は、正孔輸送帯域４の膜厚の測定方法と同様にして測定することができる。

【0096】

電子輸送帯域６とは、電子が移動する領域を意味する。電子輸送帯域６における電子移動度μ^Ｅは、１０^－６［ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）］以上であることが好ましい。電子移動度μ^Ｅ［ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）］は、特開２０１４－１１０３４８号公報に記載のインピーダンス分光法にて測定することができる。

【0097】

電子輸送帯域６は、単層であっても複数層であってもよい。すなわち、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける電子輸送帯域６Ｒは、単層からなる帯域であっても、複数層からなる帯域であってもよく、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける電子輸送帯域６Ｂは、単層からなる帯域であっても、複数層からなる帯域であってもよい。
電子輸送帯域６を構成する層としては、例えば、電子注入層、電子輸送層及び正孔障壁層が挙げられる。

【0098】

（半透過性電極）
半透過性電極７は、光を透過させると共に、電子輸送帯域６との界面で光を反射させる。半透過性電極７の透過率は、５０％以上であることが好ましい。
半透過性電極７の膜厚は、５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることが好ましい。
半透過性電極７は、金属材料の単体又は合金で構成されることが好ましい。消衰係数が大きい金属材料の場合、半透過性電極７を光が透過する際に光吸収により透過光量が減少してしまう。半透過性電極７から効率よく光を取り出すためには、光吸収を抑えることが好ましい。そのため、半透過性電極７の材料としては、実部屈折率の小さい金属材料の単体又は合金を選ぶことが好ましく、金属材料としては、例えば、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム及び金等が挙げられる。

【0099】

半透過性電極７は、複数の有機ＥＬ素子に亘って同じ膜厚で共通して設けられている共通層であることが好ましい。すなわち、有機ＥＬ表示装置１においては、半透過性電極７Ｒ及び半透過性電極７Ｂが共通層であることが好ましい。

【0100】

本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１においては、少なくとも光反射層２及び透明電極３により反射性電極が構成される。有機ＥＬ表示装置１は、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ素子を有する。有機ＥＬ表示装置１の青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのそれぞれにおいては、基板８上に反射性電極を備え、有機層を挟んで反対側の半透過性電極７から光が取り出される。
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１においては、反射性電極が陽極であり、半透過性電極７が陰極である。

【0101】

（キャッピング層）
有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型である場合、有機ＥＬ表示装置１は、陰極としての半透過性電極７の上部にキャッピング層を有してもよい。
キャッピング層の材料としては、例えば、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、窒化ケイ素及びシリコン化合物（酸化ケイ素等）等が挙げられる。
また、キャッピング層の材料としては、例えば、芳香族アミン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、フルオレン誘導体及びジベンゾフラン誘導体等が挙げられる。
また、有機ＥＬ表示装置１は、キャッピング層に用いられる材料を含む複数の層を積層させた積層体を、キャッピング層として有してもよい。

【0102】

（基板）
基板８は、画素としての有機ＥＬ素子を支持する支持体である。基板８の材質としては、例えば、ガラス、石英及びプラスチックが挙げられる。また、基板８として、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことである。可撓性基板としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル又はポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、基板８として無機蒸着フィルムを用いることもできる。

【0103】

（層厚）
有機ＥＬ表示装置１において、陽極としての反射性電極と、半透過性電極７との間に含まれる有機層を構成する各層の膜厚は、本明細書で特に規定した場合を除いて、特に制限されない。一般に、有機層を構成する各層の膜厚は、薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなる。有機層を構成する各層の膜厚は、通常、数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

【0104】

＜有機ＥＬ表示装置の製造方法＞
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。
基板８上に光反射層２を積層してパターニングする。光反射層２は、トップエミッション型の構造の場合には反射層である金属層（例えばＡＰＣ層）を用いる。
次に、光反射層２の上に透明電極３を形成する。
次に、共通帯域としての正孔輸送帯域４を光反射層２及び透明電極３からなる反射性電極（陽極）の上に亘って形成する。赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ及び青色有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔輸送帯域４は、同じ材料、かつ、同じ膜厚で形成する。
次に、正孔輸送帯域４の上であって、青色有機ＥＬ素子１０Ｂの透明電極３Ｂに対応する領域に、所定の成膜用マスクを用いて、所定膜厚で青色発光層５Ｂを形成する。
同様に、正孔輸送帯域４の上であって、赤色発光層５Ｒの透明電極３Ｒに対応する領域に、所定の成膜用マスクを用いて、所定膜厚で赤色発光層５Ｒを形成する。
青色発光層５Ｂ及び赤色発光層５Ｒは、それぞれ、異なる材料で形成される。
次に、青色発光層５Ｂ及び赤色発光層５Ｒに亘って同じ材料で電子輸送帯域６を形成する。青色有機ＥＬ素子１０Ｂの電子輸送帯域６Ｂの膜厚と赤色有機ＥＬ素子１０Ｒの電子輸送帯域６Ｒの膜厚とは異なる。
次に、電子輸送帯域６の上に半透過性電極７を形成する。半透過性電極７の上にキャッピング層を形成してもよい。
以上のようにして、図１に示す有機ＥＬ表示装置１を製造する。

【0105】

本明細書に記載の有機ＥＬ表示装置が有する有機ＥＬ素子の各層の形成方法としては、上記で特に言及した以外には制限されないが、乾式成膜法又は湿式成膜法等の公知の方法を採用することができる。乾式成膜法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、及びイオンプレーティング法等が挙げられる。湿式成膜法としては、例えば、スピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法及びインクジェット法等が挙げられる。

【0106】

本実施形態によれば、高性能な有機ＥＬ表示装置１を提供できる。その理由を以下に説明する。
有機ＥＬ素子の発光層は、所定の膜厚で形成されている。主に光が発生する発光層中の位置（最大発光位置と称する場合がある。）は、発光層ごとに異なる。最大発光位置は、発光層中で正孔と電子とが再結合して励起子が主に生成及び失活する位置である。
一方で、有機ＥＬ素子には、電極間の光の干渉により生じる、「発光を強め合う位置（発光層の厚さ方向の位置）」が存在する。有機ＥＬ素子は、「発光を強め合う位置」と「最大発光位置」とが重なるように設計される。
「発光を強め合う位置」は、発光波長の関数である。従って、画素としての有機ＥＬ素子（本実施形態では、青色有機ＥＬ素子及び赤色有機ＥＬ素子）のそれぞれにおいて、「発光を強め合う位置」が、互いに異なる。なお、通常は、画素としての有機ＥＬ素子のそれぞれにおける総膜厚も、互いに異なる。

【0107】

このような実情において、本発明者らは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒを含有する赤色発光層５Ｒにおける「最大発光位置」は、従来考えられていた位置とは異なり、具体的には、赤色発光層５Ｒの電子輸送帯域６Ｒ側の領域で、局在的に正孔と電子とが再結合することを見出した。遅延蛍光性の化合物を含む発光層において最大発光位置が電子輸送帯域側となるのは、遅延蛍光性の化合物は、電子トラップ性が強いためと考えられる。

【0108】

例えば、従来、赤色有機ＥＬ素子の赤色発光層及び緑色有機ＥＬ素子の緑色発光層には、燐光発光材料が用いられている。このような燐光発光性の有機ＥＬ素子（以下、デバイスＡと称する場合がある。）においても「発光を強め合う位置」（１次干渉位置）と「最大発光位置」とが重なり合うように設計されている。しかしながら、遅延蛍光性の化合物を含有する発光層における「最大発光位置」は、燐光発光性の有機ＥＬ素子における「最大発光位置」とは異なるため、従来、燐光発光性の有機ＥＬ素子向けに設計されている素子構造のまま、燐光発光材料に代えて遅延蛍光性の化合物を用いた場合、「発光を強め合う位置」（１次干渉位置）と「最大発光位置」とがずれてしまい、光取り出し効率が低下する。

【0109】

また、遅延蛍光性の化合物を含有する発光層（以下、遅延蛍光発光層と称する場合がある。）における「最大発光位置」と「発光を強め合う位置」（１次干渉位置）とが重なるように、有機ＥＬ素子における正孔輸送帯域及び電子輸送帯域の膜厚を厚くした構造を有する有機ＥＬ素子（以下、デバイスＢと称する場合がある。）も考えられる。このような素子構造によれば、遅延蛍光発光層における「最大発光位置」と「発光を強め合う位置」（１次干渉位置）とが重なって、光取り出し効率を向上できる。この場合、遅延蛍光発光層を有する有機ＥＬ素子については、他の有機ＥＬ素子（本実施形態では、青色有機ＥＬ素子）の成膜工程と共通して実施できない工程（正孔輸送帯域の膜厚を厚くするための工程、及び電子輸送帯域の膜厚を厚くするための工程）を実施することになる。その結果、成膜時のマスク回数が増加して、有機ＥＬ表示装置の生産性を向上させ難い。

【0110】

また、デバイスＡ及びデバイスＢは、発光層の「最大発光位置」が、「発光を強め合う位置」の内の「１次干渉位置」に重なるように設計されている。従来技術であるデバイスＡのように、燐光発光性の赤色有機ＥＬ素子及び緑色有機ＥＬ素子においては、発光スペクトルの半値幅が大きいため、燐光発光層の「最大発光位置」と「１次干渉位置」とが重なり合う素子構造でも問題が少なかった。
一方、遅延蛍光発光層の「最大発光位置」と「１次干渉位置」とが重なり合う素子構造においては、遅延蛍光発光層からの発光（特に遅延蛍光性の化合物とともに蛍光性の化合物を含む発光層からの発光）は、燐光素子に比べて発光スペクトルの半値幅が小さいため、発光色の角度依存性が大きくなってしまうという課題を、本発明者らは、見出した。

【0111】

また、デバイスＡ及びデバイスＢにおける青色有機ＥＬ素子の発光層としては、蛍光性の化合物を含有する青色蛍光発光層が使用される。青色蛍光発光層は、電子輸送性が強いため、デバイスＡ及びデバイスＢの構成のように正孔輸送帯域の膜厚を厚くすると、蛍光発光層中の正孔が不足して、青色有機ＥＬ素子の寿命が短くなるという課題も、本発明者らは、見出した。

【0112】

本実施形態によれば、生産効率を低下させずに、光取り出し効率、ひいては電流効率を向上させ、発光色の角度依存性が小さい、有機ＥＬ表示装置１を提供することができる。
有機ＥＬ表示装置１においては、正孔輸送帯域４は、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒに亘って同じ膜厚で共通して設けられている。そのため、デバイスＢのようにマスク回数を増加させることなく、有機ＥＬ表示装置１を製造できる。
さらに、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒの赤色発光層５Ｒは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒを含有し、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒは、干渉次数が１次の共振器構造を有し、赤色発光層５Ｒの膜厚が５０ｎｍ未満であり、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける透明電極３Ｒ及び正孔輸送帯域４Ｒの膜厚の和が４０ｎｍ未満である。その結果、有機ＥＬ表示装置１の赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおいては、赤色発光層５Ｒの「最大発光位置」と光反射層２側から見た「０次干渉位置」とが重なり、発光色の角度依存性が小さく、光取り出し効率が向上する。
さらに、青色有機ＥＬ素子は、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｂを含有する青色発光層５Ｂ（蛍光発光層）を有し、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける透明電極３Ｂ及び正孔輸送帯域４Ｂの膜厚の和が４０ｎｍ未満である。その結果、有機ＥＬ表示装置１の青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおいては、青色発光層５Ｂの「最大発光位置」と光反射層２側から見た「０次干渉位置」とが重なり、発光色の角度依存性が小さく、光取り出し効率が向上する。さらに、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける正孔輸送帯域４Ｂ側の膜厚が薄いため、青色発光層５Ｂに正孔が注入され易くなり、青色有機ＥＬ素子１０Ｂの寿命が長くなると考えられる。青色発光層において通常使用される青色ホスト化合物は、電子輸送性が高いため、青色発光層への正孔の供給が不足すると青色有機ＥＬ素子の寿命が短くなる傾向にある。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の構成では、正孔輸送帯域４の膜厚を薄くするため、青色発光層５Ｂへのホール供給量が増加し、青色発光層５Ｂ中のキャリアバランスが改善して、青色有機ＥＬ素子１０Ｂの寿命が向上すると考えられる。

【0113】

有機ＥＬ表示装置の具体例としては、例えば、表示部品（例えば、有機ＥＬパネルモジュール等）、テレビ、携帯電話、タブレット、及びパーソナルコンピュータ等が挙げられる。以降の実施形態等における有機ＥＬ表示装置についても、これらと同様の具体例が挙げられる。

【0114】

〔第２実施形態〕
第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の一例の構成について図５を参照して説明する。
図５には、有機ＥＬ表示装置１Ａが記載されている。
有機ＥＬ表示装置１Ａは、青色有機ＥＬ素子１０Ｂと、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇと、をそれぞれ画素として有する。
有機ＥＬ表示装置１Ａは、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１の赤色有機ＥＬ素子１０Ｒに代えて緑色有機ＥＬ素子１０Ｇを有する点で、第１実施形態と相違し、その他の点は、第１実施形態と同様である。そのため、第１実施形態と同様の点は、同一の符号を付す等して、説明を省略又は簡略化する。

【0115】

青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び緑色有機ＥＬ素子１０Ｇのいずれも、光反射層２、透明電極３、正孔輸送帯域４、発光層５、電子輸送帯域６、及び半透過性電極７を有する。本明細書において、正孔輸送帯域４、発光層５及び電子輸送帯域６を有機層と称する場合がある。
青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び緑色有機ＥＬ素子１０Ｇのいずれも、光反射層２、透明電極３、正孔輸送帯域４、発光層５、電子輸送帯域６、及び半透過性電極７をこの順で有する。有機ＥＬ表示装置１においては、画素としての青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び緑色有機ＥＬ素子１０Ｇが基板８の上に並列に配置されている。

【0116】

有機ＥＬ表示装置１Ａの青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び緑色有機ＥＬ素子１０Ｇのいずれにおいても、透明電極３と正孔輸送帯域４とが直接接し、正孔輸送帯域４と発光層５とが直接接し、発光層５と電子輸送帯域６とが直接接し、電子輸送帯域６と半透過性電極７とが直接接している。

【0117】

有機ＥＬ表示装置１Ａは、青色画素としての青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び緑色画素としての緑色有機ＥＬ素子１０Ｇを有する。各画素には独立してそれぞれ電圧がかかる。有機ＥＬ表示装置１Ａにおいて、青色画素及び緑色画素を選択的に発光させることができる。有機ＥＬ表示装置１Ａは、青色画素及び緑色画素を１つずつ含む単位を、複数、有してもよい。この場合、当該青色画素及び緑色画素からなる単位が、複数、基板上に繰り返し配列されていてもよい。また、一単位中にそれぞれの画素が、複数、含まれていてもよく、例えば、青色画素が１つ、緑色画素が２つである構成を一単位としてもよい。なお、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、青色画素及び緑色画素以外の他の色で発光する画素を有してもよい。

【0118】

（緑色有機ＥＬ素子）
緑色有機ＥＬ素子１０Ｇは、発光層５としての緑色発光層５Ｇを有する。図５中、緑色発光層５Ｇは「Ｇ」と示される。

【0119】

緑色有機ＥＬ素子１０Ｇは、光反射層２、透明電極３、正孔輸送帯域４、発光層５、電子輸送帯域６、及び半透過性電極７のそれぞれに対応する、光反射層２Ｇ、透明電極３Ｇ、正孔輸送帯域４Ｇ、緑色発光層５Ｇ、電子輸送帯域６Ｇ、及び半透過性電極７Ｇを有する。

【0120】

緑色発光層５Ｇは、正孔輸送帯域４Ｇと電子輸送帯域６Ｇとの間に含まれる。
緑色発光層５Ｇは、正孔輸送帯域４Ｇと直接接し、さらに、電子輸送帯域６Ｇとも直接接している。

【0121】

緑色発光層５Ｇの膜厚は、４０ｎｍ未満である。緑色発光層５Ｇの膜厚は、１５ｎｍ以上であることが好ましい。
緑色発光層５Ｇの膜厚は、青色発光層５Ｂの膜厚よりも大きい。緑色発光層５Ｇ及び青色発光層５Ｂの膜厚は、前述の「層又は帯域の膜厚の測定方法」によって測定することができる。なお、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇの中心部は、図５中、符号ＣＬ_Ｇで示し、青色有機ＥＬ素子１０Ｂの中心部は、図５中、符号ＣＬ_Ｂで示す。

【0122】

本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１Ａにおいて、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇが、光反射層２と半透過性電極７との間で干渉次数が一次の共振器構造を有する。具体的には、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇは、光反射層２Ｇと半透過性電極７Ｇとの間で干渉次数が一次の共振器構造を有する。緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける光反射層２Ｇと半透過性電極７Ｇとの間隔ｄ２は、正孔輸送帯域４Ｇの厚さ、緑色発光層５Ｇの厚さ及び電子輸送帯域６Ｇの厚さの和に相当する。

【0123】

本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１Ａは、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇが共振器構造を有する。共振器構造を有する緑色有機ＥＬ素子１０Ｇについては、第１実施形態における共振器構造の説明中、有機ＥＬ表示装置１、光反射層２、半透過性電極７、正孔輸送帯域４、発光層５及び電子輸送帯域６のそれぞれを、有機ＥＬ表示装置１Ａ、光反射層２Ｇ、半透過性電極７Ｇ、正孔輸送帯域４Ｇ、緑色発光層５Ｇ及び電子輸送帯域６Ｇとして読み替えて適用できる。

【0124】

（緑色発光層）
緑色発光層５Ｇは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇを含む。

【0125】

一実施形態においては、緑色発光層５Ｇは、さらに、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇを含むことが好ましい。本明細書において、「蛍光性の化合物」は、遅延蛍光性を示さない化合物である。よって、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇは、遅延蛍光性を示さない化合物である。

【0126】

緑色発光層５Ｇが遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇ及び蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇを含む場合、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｇ）と、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＦＬ_Ｇ）とが、下記数式（数２Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（ＤＦ_Ｇ）＞Ｓ_１（ＦＬ_Ｇ） …（数２Ａ）

【0127】

緑色発光層５Ｇが蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇを含む場合、化合物ＦＬ_Ｇは、緑色蛍光発光性の化合物であることが好ましい。

【0128】

緑色発光層５Ｇにおいて、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇは、ドーパント材料（ゲスト材料、エミッター又は発光材料と称する場合もある。）であることが好ましく、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇは、ホスト材料（マトリックス材料と称する場合もある。）であることが好ましい。

【0129】

緑色発光層５Ｇは、燐光発光性材料を含まないことが好ましい。
緑色発光層５Ｇは、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。
また、緑色発光層５Ｇは、金属錯体を含まないことも好ましい。

【0130】

・緑色発光層における化合物の含有率
本実施形態の緑色発光層５Ｇにおいて、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇの含有率は、０．０１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの含有率は、８０質量％以上９９．９９質量％以下であることが好ましい。緑色発光層５Ｇにおける蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇ、および遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの合計含有率の上限は、１００質量％である。なお、本実施形態は、緑色発光層５Ｇに、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇ、および遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇ以外の材料が含まれることを除外するものではない。
緑色発光層５Ｇは、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇを１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。緑色発光層５Ｇは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇを１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

【0131】

本明細書において、緑色の発光とは、蛍光スペクトルの主ピーク波長が５００ｎｍ以上、５６０ｎｍ以下の範囲内である発光をいう。
蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇが緑色蛍光発光性の化合物である場合、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇの主ピーク波長は、５００ｎｍ以上、５６０ｎｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以上、５４０ｎｍ以下であることがより好ましく、５１０ｎｍ以上、５３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

【0132】

本実施形態において、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの最低励起一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｇ）と、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（ＤＦ_Ｇ）との差ΔＳＴ（ＤＦ_Ｇ）は、好ましくは０．３ｅＶ未満、より好ましくは０．２ｅＶ未満、さらに好ましくは０．１ｅＶ未満である。すなわち、ΔＳＴ（ＤＦ_Ｇ）は、下記数式（数２０）、（数２１）又は（数２２）の関係を満たすことが好ましい。
ΔＳＴ（ＤＦ_Ｇ）＝Ｓ_１（ＤＦ_Ｇ）－Ｔ_７７Ｋ（ＤＦ_Ｇ）＜０．３ｅＶ …（数２０）
ΔＳＴ（ＤＦ_Ｇ）＝Ｓ_１（ＤＦ_Ｇ）－Ｔ_７７Ｋ（ＤＦ_Ｇ）＜０．２ｅＶ …（数２１）
ΔＳＴ（ＤＦ_Ｇ）＝Ｓ_１（ＤＦ_Ｇ）－Ｔ_７７Ｋ（ＤＦ_Ｇ）＜０．１ｅＶ …（数２２）

【0133】

（ＴＡＤＦ機構）
本実施形態の緑色有機ＥＬ素子１０Ｇでは、化合物ＤＦ_ＧとしてΔＳＴ（ＤＦ_Ｇ）が小さい化合物を用いることが好ましく、外部から与えられる熱エネルギーによって、化合物ＤＦ_Ｇの三重項準位から化合物ＤＦ_Ｇの一重項準位への逆項間交差が起こり易くなる。有機ＥＬ素子内部の電気励起された励起子の励起三重項状態が、逆項間交差によって、励起一重項状態へスピン交換がされるエネルギー状態変換機構をＴＡＤＦ機構と呼ぶ。

【0134】

図６は、緑色発光層５Ｇにおける化合物ＤＦ_Ｇ及び化合物ＦＬ_Ｇのエネルギー準位の関係の一例を示す図である。図６中の記号の説明は、以下の通りである。
Ｓ０は、基底状態を表す。
Ｓ１（ＤＦ_Ｇ）は、化合物ＤＦ_Ｇの最低励起一重項状態を表す。
Ｔ１（ＤＦ_Ｇ）は、化合物ＤＦ_Ｇの最低励起三重項状態を表す。
Ｓ１（ＦＬ_Ｇ）は、化合物ＦＬ_Ｇの最低励起一重項状態を表す。
Ｔ１（ＦＬ_Ｇ）は、化合物ＦＬ_Ｇの最低励起三重項状態を表す。

【0135】

図６中のＳ１（ＤＦ_Ｇ）からＳ１（ＦＬ_Ｇ）へ向かう破線の矢印は、化合物ＤＦ_Ｇの最低励起一重項状態から化合物ＦＬ_Ｇの最低励起一重項状態へのフェルスター型エネルギー移動を表す。なお、本実施形態では、最低励起一重項状態Ｓ１と最低励起三重項状態Ｔ１との差を、ΔＳＴとして定義する。
図６に示すように、化合物ＤＦ_ＧとしてΔＳＴ（ＤＦ_Ｇ）の小さな化合物を用いると、最低励起三重項状態Ｔ１（ＤＦ_Ｇ）は、熱エネルギーにより、最低励起一重項状態Ｓ１（ＤＦ_Ｇ）に逆項間交差が可能である。そして、化合物ＤＦ_Ｇの最低励起一重項状態Ｓ１（ＤＦ_Ｇ）から化合物ＦＬ_Ｇへのフェルスター型エネルギー移動が生じ、最低励起一重項状態Ｓ１（ＦＬ_Ｇ）が生成する。この結果、化合物ＦＬ_Ｇの最低励起一重項状態Ｓ１（ＦＬ_Ｇ）からの蛍光発光を観測することができる。このＴＡＤＦ機構による遅延蛍光を利用することによっても、理論的に内部効率を１００％まで高めることができると考えられている。

【0136】

（青色有機ＥＬ素子）
有機ＥＬ表示装置１Ａにおける青色有機ＥＬ素子１０Ｂは、発光層５としての青色発光層５Ｂを有する。図５中、青色発光層５Ｂは「Ｂ」と示される。
本実施形態の青色有機ＥＬ素子１０Ｂは、第１実施形態における青色有機ＥＬ素子１０Ｂと同様であるため、説明を省略する。

【0137】

（正孔輸送帯域）
正孔輸送帯域４は、少なくとも透明電極３と発光層５との間に含まれる。
正孔輸送帯域４は、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び緑色有機ＥＬ素子１０Ｇに亘って同じ膜厚で共通して設けられている。
正孔輸送帯域４は、共通帯域であり、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び緑色有機ＥＬ素子１０Ｇに亘って同じ膜厚である。正孔輸送帯域４が共通帯域であるため、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び青色有機ＥＬ素子１０Ｂのそれぞれの正孔輸送帯域４を、マスク等を入れ替えずに作製できる。その結果、有機ＥＬ表示装置１Ａの生産性が向上する。

【0138】

有機ＥＬ表示装置１Ａにおいて、正孔輸送帯域４の膜厚は、１０ｎｍ以上２５ｎｍ未満であることが好ましく、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることがより好ましい。具体的には、有機ＥＬ表示装置１Ａにおいて、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける正孔輸送帯域４Ｂの膜厚が、１０ｎｍ以上２５ｎｍ未満であり、かつ緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける正孔輸送帯域４Ｇの膜厚が、１０ｎｍ以上２５ｎｍ未満であることが好ましく、正孔輸送帯域４Ｂの膜厚が、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、かつ正孔輸送帯域４Ｇの膜厚が、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることがより好ましい。
有機ＥＬ表示装置１Ａにおける正孔輸送帯域４の膜厚は、第１実施形態における「層又は帯域の膜厚の測定方法」によって測定することができる。

【0139】

青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び緑色有機ＥＬ素子１０Ｇのそれぞれにおける透明電極３及び正孔輸送帯域４の膜厚の和が４０ｎｍ未満である。具体的には、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける透明電極３Ｂの膜厚と正孔輸送帯域４Ｂの膜厚との和が４０ｎｍ未満であり、かつ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける透明電極３Ｇの膜厚と正孔輸送帯域４Ｇの膜厚との和が４０ｎｍ未満である。透明電極３及び正孔輸送帯域４の膜厚の和は、図５中、ｄ_ＨＴ２として示す。
青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び緑色有機ＥＬ素子１０Ｇのそれぞれにおける透明電極３及び正孔輸送帯域４の膜厚の和が４０ｎｍ未満であることによって、視野角を改善することができる。

【0140】

青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び緑色有機ＥＬ素子１０Ｇのそれぞれにおける透明電極３及び正孔輸送帯域４の膜厚の和が１５ｎｍ以上であることが好ましい。具体的には、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける透明電極３Ｂの膜厚と正孔輸送帯域４Ｂの膜厚との和が１５ｎｍ以上であり、かつ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける透明電極３Ｇの膜厚と正孔輸送帯域４Ｇの膜厚との和が１５ｎｍ以上であることが好ましい。

【0141】

有機ＥＬ表示装置１Ａにおける正孔輸送帯域４は、単一の層のみからなることも好ましい。
有機ＥＬ表示装置１Ａにおける正孔輸送帯域４は、複数の層からなることも好ましい。
有機ＥＬ表示装置１Ａにおける正孔輸送帯域４を構成する層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層及び電子障壁層が挙げられる。
有機ＥＬ表示装置１Ａにおける正孔輸送帯域４が複数の層で構成される場合、正孔輸送帯域４を構成する各層が、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び緑色有機ＥＬ素子１０Ｇに亘って同じ膜厚で共通して設けられている共通層である。

【0142】

（その他の構成）
有機ＥＬ表示装置１Ａにおける光反射層２、透明電極３、電子輸送帯域６、半透過性電極７及びキャッピング層は、それぞれ、第１実施形態における光反射層２、透明電極３、電子輸送帯域６、半透過性電極７及びキャッピング層と同様であるため、説明を省略又は簡略化する。

【0143】

本実施形態においても、光反射層２は、非共通層であることが好ましい。すなわち、光反射層２Ｇ及び光反射層２Ｂは、それぞれ、非共通層であることが好ましい。

【0144】

本実施形態においても、透明電極３は、非共通層であることが好ましい。すなわち、透明電極３Ｇ及び透明電極３Ｂは、それぞれ、非共通層であることが好ましい。透明電極３Ｇ及び透明電極３Ｂが非共通層である場合、透明電極３Ｇ及び透明電極３Ｂの膜厚は、それぞれ独立に、５ｎｍ以上、１５ｎｍ以下であることが好ましい。

【0145】

本実施形態においても、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける電子輸送帯域６（電子輸送帯域６Ｂ）の膜厚は、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける電子輸送帯域６（電子輸送帯域６Ｇ）の膜厚よりも小さいことが好ましい。電子輸送帯域６Ｂ及び電子輸送帯域６Ｇの膜厚は、正孔輸送帯域４の膜厚の測定方法と同様にして測定することができる。
本実施形態においても、電子輸送帯域６は、単層であっても複数層であってもよい。すなわち、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける電子輸送帯域６Ｇは、単層からなる帯域であっても、複数層からなる帯域であってもよく、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける電子輸送帯域６Ｂは、単層からなる帯域であっても、複数層からなる帯域であってもよい。

【0146】

本実施形態においても、半透過性電極７は、複数の有機ＥＬ素子（緑色有機ＥＬ素子及び青色有機ＥＬ素子）に亘って共通して設けられている共通層であることが好ましい。すなわち、有機ＥＬ表示装置１Ａにおいては、半透過性電極７Ｇ及び半透過性電極７Ｂが共通層であることが好ましい。

【0147】

また、有機ＥＬ表示装置１Ａは、赤色発光層５Ｒに代えて、緑色発光層５Ｇを形成すること以外、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１とほぼ同様の方法で製造できるため、説明を省略する。

【0148】

本実施形態によれば、生産効率を低下させずに、光取り出し効率を向上させ、発光色の角度依存性が小さい有機ＥＬ表示装置１Ａを提供することができる。
有機ＥＬ表示装置１Ａにおいては、正孔輸送帯域４は、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び緑色有機ＥＬ素子１０Ｇに亘って同じ膜厚で共通して設けられている。そのため、デバイスＢのようにマスク回数を増加させることなく、有機ＥＬ表示装置１Ａを製造できる。
さらに、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇの緑色発光層５Ｇは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇを含有し、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇは、干渉次数が１次の共振器構造を有し、緑色発光層５Ｇの膜厚が４０ｎｍ未満であり、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける透明電極３Ｇ及び正孔輸送帯域４Ｇの膜厚の和が４０ｎｍ未満である。その結果、有機ＥＬ表示装置１Ａの緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおいては、緑色発光層５Ｇの「最大発光位置」と光反射層２側から見た「０次干渉位置」とが重なり、発光色の角度依存性が小さく、光取り出し効率が向上する。
さらに、青色有機ＥＬ素子１０Ｂについては、第１実施形態での説明と同様、発光色の角度依存性が小さく、光取り出し効率が向上する。また、青色有機ＥＬ素子１０Ｂについては、第１実施形態での説明と同様、寿命が向上すると考えられる。

【0149】

〔第３実施形態〕
第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の一例の構成について図７を参照して説明する。
図７には、有機ＥＬ表示装置１Ｂが記載されている。
有機ＥＬ表示装置１Ｂは、青色有機ＥＬ素子１０Ｂと、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇと、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒと、をそれぞれ画素として有する。
有機ＥＬ表示装置１Ｂは、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１の青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒに加えて、さらに第２実施形態の緑色有機ＥＬ素子１０Ｇを有し、画素として３種の有機ＥＬ素子を有する点で、第１実施形態又は第２実施形態と相違し、その他の点は、第１実施形態又は第２実施形態と同様である。そのため、第１実施形態又は第２実施形態と同様の点は、同一の符号を付す等して、説明を省略又は簡略化する。

【0150】

青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのいずれも、光反射層２、透明電極３、正孔輸送帯域４、発光層５、電子輸送帯域６、及び半透過性電極７を有する。本明細書において、正孔輸送帯域４、発光層５及び電子輸送帯域６を有機層と称する場合がある。
青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのいずれも、光反射層２、透明電極３、正孔輸送帯域４、発光層５、電子輸送帯域６、及び半透過性電極７をこの順で有する。有機ＥＬ表示装置１においては、画素としての青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒが基板８の上に並列に配置されている。

【0151】

有機ＥＬ表示装置１Ｂの青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのいずれにおいても、透明電極３と正孔輸送帯域４とが直接接し、正孔輸送帯域４と発光層５とが直接接し、発光層５と電子輸送帯域６とが直接接し、電子輸送帯域６と半透過性電極７とが直接接している。

【0152】

有機ＥＬ表示装置１Ｂは、青色画素としての青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、緑色画素としての緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色画素としての赤色有機ＥＬ素子１０Ｒを有する。各画素には独立してそれぞれ電圧がかかる。有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいて、青色画素、緑色画素及び赤色画素を選択的に発光させることができる。有機ＥＬ表示装置１Ｂは、青色画素、緑色画素及び赤色画素を１つずつ含む３つの画素からなる単位を、一単位としてもよく、有機ＥＬ表示装置１Ｂは、この単位を複数、有してもよい。この場合、当該青色画素、緑色画素及び赤色画素からなる単位が、複数、基板上に繰り返し配列されていてもよい。また、一単位中にそれぞれの画素が、複数、含まれていてもよく、例えば、青色画素が１つ、緑色画素が１つ、赤色画素が２つからなる４つの画素からなる単位を一単位としてもよい。なお、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、青色画素、緑色画素及び赤色画素以外の他の色で発光する画素を有してもよい。

【0153】

有機ＥＬ表示装置１Ｂは、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒを有し、これら有機ＥＬ素子は、第１実施形態又は第２実施形態で説明した青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒと同様であるため、以下、説明を省略又は簡略化する。

【0154】

緑色発光層５Ｇは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇを含み、赤色発光層５Ｒは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒを含む。
赤色発光層５Ｒの膜厚は、５０ｎｍ未満であり、緑色発光層５Ｇの膜厚は、４０ｎｍ未満である。
有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいて、赤色発光層５Ｒの膜厚は、緑色発光層５Ｇの膜厚よりも大きく、緑色発光層５Ｇの膜厚は、青色発光層５Ｂの膜厚よりも大きい。

【0155】

本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいて、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのそれぞれが、光反射層２と半透過性電極７との間で干渉次数が一次の共振器構造を有する。具体的には、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒは、光反射層２Ｒと半透過性電極７Ｒとの間で干渉次数が一次の共振器構造を有する。赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける光反射層２Ｒと半透過性電極７Ｒとの間隔ｄ１は、正孔輸送帯域４Ｒの厚さ、赤色発光層５Ｒの厚さ及び電子輸送帯域６Ｒの厚さの和に相当する。また、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇは、光反射層２Ｇと半透過性電極７Ｇとの間で干渉次数が一次の共振器構造を有する。緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける光反射層２Ｇと半透過性電極７Ｇとの間隔ｄ２は、正孔輸送帯域４Ｇの厚さ、緑色発光層５Ｇの厚さ及び電子輸送帯域６Ｇの厚さの和に相当する。

【0156】

本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１Ｂは、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのそれぞれが、共振器構造を有する。共振器構造を有する緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒについては、第１実施形態における共振器構造の説明中、有機ＥＬ表示装置１、光反射層２、半透過性電極７、正孔輸送帯域４、発光層５及び電子輸送帯域６のそれぞれを、有機ＥＬ表示装置１Ｂ、光反射層２Ｇ又は光反射層２Ｒ、半透過性電極７Ｇ又は半透過性電極７Ｒ、正孔輸送帯域４Ｇ又は正孔輸送帯域４Ｒ、緑色発光層５Ｇ又は赤色発光層５Ｒ、及び電子輸送帯域６Ｇ又は電子輸送帯域６Ｒとして読み替えて適用できる。
また、図７に示すように、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇの光反射層２Ｇの緑色発光層５Ｇ側の反射端面を第１端部ＰＧ１とし、半透過性電極７Ｇの緑色発光層５Ｇ側の反射端面を第２端部ＰＧ２とし、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒの光反射層２Ｒの赤色発光層５Ｒ側の反射端面を第１端部ＰＲ１とし、半透過性電極７Ｒの赤色発光層５Ｒ側の反射端面を第２端部ＰＲ２とした。第１実施形態における共振器構造の説明中、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇについては、第１端部Ｐ１及び第２端部Ｐ２を第１端部ＰＧ１及び第２端部ＰＧ２として読み替えて適用でき、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒについては、第１端部Ｐ１及び第２端部Ｐ２を第１端部ＰＲ１及び第２端部ＰＲ２として読み替えて適用できる。

【0157】

（正孔輸送帯域）
有機ＥＬ表示装置１Ｂの正孔輸送帯域４は、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒに亘って同じ膜厚で共通して設けられている。

【0158】

有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいて、正孔輸送帯域４の膜厚は、１０ｎｍ以上、２５ｎｍ未満であることが好ましく、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることがより好ましい。具体的には、有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいて、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける正孔輸送帯域４Ｂの膜厚が、１０ｎｍ以上、２５ｎｍ未満であり、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける正孔輸送帯域４Ｇの膜厚が、１０ｎｍ以上２５ｎｍ未満であり、かつ赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける正孔輸送帯域４Ｒの膜厚が、１０ｎｍ以上、２５ｎｍ未満であることが好ましく、正孔輸送帯域４Ｂの膜厚が、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であり、正孔輸送帯域４Ｇの膜厚が、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であり、かつ、正孔輸送帯域４Ｒの膜厚が、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることがより好ましい。
有機ＥＬ表示装置１Ｂにおける正孔輸送帯域４の膜厚は、第１実施形態における「層又は帯域の膜厚の測定方法」によって測定することができる。

【0159】

有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいて、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのそれぞれにおける透明電極３及び正孔輸送帯域４の膜厚の和が４０ｎｍ未満である。具体的には、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける透明電極３Ｂの膜厚と正孔輸送帯域４Ｂの膜厚との和が４０ｎｍ未満であり、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける透明電極３Ｇの膜厚と正孔輸送帯域４Ｇの膜厚との和が４０ｎｍ未満であり、かつ、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける透明電極３Ｒの膜厚と正孔輸送帯域４Ｒの膜厚との和が４０ｎｍ未満である。透明電極３及び正孔輸送帯域４の膜厚の和は、図７中、ｄ_ＨＴ１又はｄ_ＨＴ２として示す。
青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのそれぞれにおける透明電極３及び正孔輸送帯域４の膜厚の和が４０ｎｍ未満であることによって、視野角を改善することができる。

【0160】

青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒのそれぞれにおける透明電極３及び正孔輸送帯域４の膜厚の和が１５ｎｍ以上であることが好ましい。具体的には、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける透明電極３Ｂの膜厚と正孔輸送帯域４Ｂの膜厚との和が１５ｎｍ以上であり、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける透明電極３Ｇの膜厚と正孔輸送帯域４Ｇの膜厚との和が１５ｎｍ以上であり、かつ、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける透明電極３Ｒの膜厚と正孔輸送帯域４Ｒの膜厚との和が１５ｎｍ以上であることが好ましい。

【0161】

有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいて、正孔輸送帯域４は、単一の層のみからなることも好ましい。
有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいて、正孔輸送帯域４は、複数の層からなることも好ましい。
有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいて、正孔輸送帯域４を構成する層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層及び電子障壁層が挙げられる。
有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいて、正孔輸送帯域４が複数の層で構成される場合、正孔輸送帯域４を構成する各層が、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒに亘って同じ膜厚で共通して設けられている共通層である。

【0162】

（その他の構成）
有機ＥＬ表示装置１Ｂにおける光反射層２、透明電極３、電子輸送帯域６、半透過性電極７及びキャッピング層は、それぞれ、第１実施形態又は第２実施形態における光反射層２、透明電極３、電子輸送帯域６、半透過性電極７及びキャッピング層と同様であるため、説明を省略又は簡略化する。

【0163】

本実施形態においても、光反射層２は、非共通層であることが好ましい。すなわち、光反射層２Ｒ、光反射層２Ｇ及び光反射層２Ｂは、それぞれ、非共通層であることが好ましい。

【0164】

本実施形態においても、透明電極３は、非共通層であることが好ましい。すなわち、透明電極３Ｒ、透明電極３Ｇ及び透明電極３Ｂは、それぞれ、非共通層であることが好ましい。透明電極３Ｒ、透明電極３Ｇ及び透明電極３Ｂが非共通層である場合、透明電極３Ｒ、透明電極３Ｇ及び透明電極３Ｂは、それぞれ独立に、５ｎｍ以上、１５ｎｍ以下であることが好ましい。

【0165】

本実施形態において、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける電子輸送帯域６（電子輸送帯域６Ｂ）の膜厚は、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける電子輸送帯域６（電子輸送帯域６Ｇ）の膜厚よりも小さく、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける電子輸送帯域６（電子輸送帯域６Ｇ）の膜厚は、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける電子輸送帯域６（電子輸送帯域６Ｒ）の膜厚よりも小さいことが好ましい。電子輸送帯域６Ｂ、電子輸送帯域６Ｇ及び電子輸送帯域６Ｒの膜厚は、正孔輸送帯域４の膜厚の測定方法と同様にして測定することができる。
本実施形態においても、電子輸送帯域６は、単層であっても複数層であってもよい。すなわち、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける電子輸送帯域６Ｒは、単層からなる帯域であっても、複数層からなる帯域であってもよく、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける電子輸送帯域６Ｇは、単層からなる帯域であっても、複数層からなる帯域であってもよく、青色有機ＥＬ素子１０Ｂにおける電子輸送帯域６Ｂは、単層からなる帯域であっても、複数層からなる帯域であってもよい。

【0166】

本実施形態においても、半透過性電極７は、複数の有機ＥＬ素子（赤色有機ＥＬ素子、緑色有機ＥＬ素子及び青色有機ＥＬ素子）に亘って共通して設けられている共通層であることが好ましい。すなわち、有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいては、半透過性電極７Ｒ、半透過性電極７Ｇ及び半透過性電極７Ｂが共通層であることが好ましい。

【0167】

また、有機ＥＬ表示装置１Ｂは、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇを第２実施形態と同様にしてさらに形成すること以外、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１とほぼ同様の方法で製造できるため、説明を省略する。

【0168】

本実施形態によれば、生産効率を低下させずに、光取り出し効率を向上させ、発光色の角度依存性が小さく、画素としての青色有機ＥＬ素子の寿命が長い、有機ＥＬ表示装置１Ｂを提供することができる。
有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいては、正孔輸送帯域４は、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒに亘って同じ膜厚で共通して設けられている。そのため、デバイスＢのようにマスク回数を増加させることなく、有機ＥＬ表示装置１Ｂを製造できる。
さらに、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇの緑色発光層５Ｇは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇを含有し、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇは、干渉次数が１次の共振器構造を有し、緑色発光層５Ｇの膜厚が４０ｎｍ未満であり、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおける透明電極３Ｇ及び正孔輸送帯域４Ｇの膜厚の和が４０ｎｍ未満である。その結果、有機ＥＬ表示装置１Ｂの緑色有機ＥＬ素子１０Ｇにおいては、緑色発光層５Ｇの「最大発光位置」と光反射層２側から見た「０次干渉位置」とが重なり、発光色の角度依存性が小さく、光取り出し効率が向上する。
さらに、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒの赤色発光層５Ｒは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒを含有し、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒは、干渉次数が１次の共振器構造を有し、赤色発光層５Ｒの膜厚が５０ｎｍ未満であり、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおける透明電極３Ｒ及び正孔輸送帯域４Ｒの膜厚の和が４０ｎｍ未満である。その結果、有機ＥＬ表示装置１の赤色有機ＥＬ素子１０Ｒにおいては、赤色発光層５Ｒの「最大発光位置」と光反射層２側から見た「０次干渉位置」とが重なり、発光色の角度依存性が小さく、光取り出し効率が向上する。
さらに、青色有機ＥＬ素子１０Ｂについては、第１実施形態での説明と同様、発光色の角度依存性が小さく、光取り出し効率が向上する。また、青色有機ＥＬ素子１０Ｂについては、第１実施形態での説明と同様、寿命が向上すると考えられる。

【0169】

〔第４実施形態〕
第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、赤色発光層５Ｒが、さらに化合物ＳＨ_Ｒを含んでいる点で、第一実施形態及び第三実施形態に係る有機ＥＬ素子と異なる。その他の点については第一実施形態及び第三実施形態と同様である。

【0170】

化合物ＳＨ_Ｒは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒ及び蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒとは異なる化合物である。この態様の場合、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒは、ドーパント材料であることが好ましく、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒは、ホスト材料であることが好ましい。

【0171】

遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｒ）と、化合物ＳＨ_Ｒの一重項エネルギーＳ_１（ＳＨ_Ｒ）とが、下記数式（数１Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（ＳＨ_Ｒ）＞Ｓ_１（ＤＦ_Ｒ） …（数１Ｂ）

【0172】

遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｒ）と、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒの一重項エネルギーＳ_１（ＦＬ_Ｒ）と、化合物ＳＨ_Ｒの一重項エネルギーＳ_１（ＳＨ_Ｒ）とが、下記数式（数１Ｃ）の関係を満たすことがより好ましい。
Ｓ_１（ＳＨ_Ｒ）＞Ｓ_１（ＤＦ_Ｒ）＞Ｓ_１（ＦＬ_Ｒ） …（数１Ｃ）

【0173】

化合物ＳＨ_Ｒは、遅延蛍光性の化合物でもよいし、遅延蛍光性を示さない化合物でもよい。
化合物ＳＨ_Ｒとしては、特に限定されないが、アミン化合物以外の化合物であることが好ましい。また、例えば、化合物ＳＨ_Ｒとしては、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、及びジベンゾチオフェン誘導体からなる群から選択される誘導体を用いることができるが、これら誘導体に限定されない。

【0174】

赤色発光層５Ｒにおいて、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの電子アフィニティ準位Ａｆ（ＤＦ_Ｒ）と、化合物ＳＨ_Ｒの電子アフィニティ準位Ａｆ（ＳＨ_Ｒ）とが、下記数式（数１Ｄ）の関係を満たすことが好ましい。
Ａｆ（ＳＨ_Ｒ）＜Ａｆ（ＤＦ_Ｒ） …（数１Ｄ）

【0175】

数式（数１Ｄ）の関係を満たすことで、赤色発光層５Ｒに注入された電子が遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒによって補足（トラップ）され、赤色発光層５Ｒにおける再結合領域が電子輸送帯域６Ｒ側に局在化しやすくなると考えられる。

【0176】

赤色発光層５Ｒにおいて、化合物ＳＨ_Ｒの７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（ＳＨ_Ｒ）は、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒの７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（ＦＬ_Ｒ）よりも大きいことが好ましい。
赤色発光層において、化合物ＳＨ_Ｒの７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（ＳＨ_Ｒ）は、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（ＤＦ_Ｒ）よりも大きいことが好ましい。

【0177】

赤色発光層５Ｒにおいて、化合物ＳＨ_Ｒ、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒ、及び蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒは、下記数式（数１Ｅ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_７７Ｋ（ＳＨ_Ｒ）＞Ｔ_７７Ｋ（ＤＦ_Ｒ）＞Ｔ_７７Ｋ（ＦＬ_Ｒ） …（数１Ｅ）

【0178】

本実施形態の有機ＥＬ素子を発光させたときに、各発光層において、主に各発光層に含まれるドーパント材料が発光していることが好ましい。
発光層が赤色発光層である場合、主に赤色発光層に含まれる蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒが発光していることが好ましい。

【0179】

・赤色発光層における化合物の含有率
本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、赤色発光層５Ｒにおいて、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒの含有率は、０．０１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上５質量％以下であることがより好ましく、０．０１質量％以上１質量％以下であることがさらに好ましい。
遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの含有率は、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上６０質量％であることがさらに好ましい。
化合物ＳＨ_Ｒの含有率は、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましい。
赤色発光層における蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒ、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒ、及び化合物ＳＨ_Ｒの合計含有率の上限は、１００質量％である。なお、本実施形態は、赤色発光層に、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒ、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒ、及び化合物ＳＨ_Ｒ以外の材料が含まれることを除外しない。
赤色発光層５Ｒは、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒを１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。赤色発光層５Ｒは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒを１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。赤色発光層５Ｒは、化合物ＳＨ_Ｒを１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

【0180】

図８は、赤色発光層５Ｒにおける蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒ、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒ、及び化合物ＳＨ_Ｒのエネルギー準位の関係の一例を示す図である。
図８中の記号の説明は、以下の通りである。
Ｓ０は、基底状態を表す。
Ｓ１（ＦＬ_Ｒ）は、化合物ＦＬ_Ｒの最低励起一重項状態を表す。
Ｔ１（ＦＬ_Ｒ）は、化合物ＦＬ_Ｒの最低励起三重項状態を表す。
Ｓ１（ＤＦ_Ｒ）は、化合物ＤＦ_Ｒの最低励起一重項状態を表す。
Ｔ１（ＤＦ_Ｒ）は、化合物ＤＦ_Ｒの最低励起三重項状態を表す。
Ｓ１（ＳＨ_Ｒ）は、化合物ＳＨ_Ｒの最低励起一重項状態を表す。
Ｔ１（ＳＨ_Ｒ）は、化合物ＳＨ_Ｒの最低励起三重項状態を表す。

【0181】

図８中のＳ１（ＤＦ_Ｒ）からＳ１（ＦＬ_Ｒ）へ向かう破線の矢印は、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの最低励起一重項状態から蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒの最低励起一重項状態へのフェルスター型エネルギー移動を表す。
図８に示すように、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_ＲとしてΔＳＴ（ＤＦ_Ｒ）の小さな化合物を用いると、最低励起三重項状態Ｔ１（ＤＦ_Ｒ）は、熱エネルギーにより、最低励起一重項状態Ｓ１（ＤＦ_Ｒ）に逆項間交差が可能である。そして、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｒの最低励起一重項状態Ｓ１（ＤＦ_Ｒ）から蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒへのフェルスター型エネルギー移動が生じ、最低励起一重項状態Ｓ１（ＦＬ_Ｒ）が生成する。この結果、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｒの最低励起一重項状態Ｓ１（ＦＬ_Ｒ）からの蛍光発光を観測することができる。このＴＡＤＦメカニズムによる遅延蛍光を利用することによっても、理論的に内部量子効率を１００％まで高めることができると考えられている。

【0182】

第４実施形態に係る有機ＥＬ素子によれば、第１実施形態及び第３実施形態の奏する効果に加えて、発光効率をさらに向上させることができる。

【0183】

〔第５実施形態〕
第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、緑色発光層５Ｇが、さらに化合物ＳＨ_Ｇを含んでいる点で、第二実施形態、第三実施形態及び第四実施形態に係る有機ＥＬ素子と異なる。その他の点については第二実施形態、第三実施形態及び第四実施形態と同様である。

【0184】

化合物ＳＨ_Ｇは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇ及び蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇとは異なる化合物である。この態様の場合、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇは、ドーパント材料であることが好ましく、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇは、ホスト材料であることが好ましい。

【0185】

遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｇ）と、化合物ＳＨ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＳＨ_Ｇ）とが、下記数式（数２Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（ＳＨ_Ｇ）＞Ｓ_１（ＤＦ_Ｇ） …（数２Ｂ）

【0186】

遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＤＦ_Ｇ）と、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＦＬ_Ｇ）と、化合物ＳＨ_Ｇの一重項エネルギーＳ_１（ＳＨ_Ｇ）とが、下記数式（数２Ｃ）の関係を満たすことがより好ましい。
Ｓ_１（ＳＨ_Ｇ）＞Ｓ_１（ＤＦ_Ｇ）＞Ｓ_１（ＦＬ_Ｇ） …（数２Ｃ）

【0187】

化合物ＳＨ_Ｇは、遅延蛍光性の化合物でもよいし、遅延蛍光性を示さない化合物でもよい。
化合物ＳＨ_Ｇとしては、特に限定されないが、アミン化合物以外の化合物であることが好ましい。また、例えば、化合物ＳＨ_Ｇとしては、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、及びジベンゾチオフェン誘導体からなる群から選択される誘導体を用いることができるが、これら誘導体に限定されない。

【0188】

緑色発光層５Ｇにおいて、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの電子アフィニティ準位Ａｆ（ＤＦ_Ｇ）と、化合物ＳＨ_Ｇの電子アフィニティ準位Ａｆ（ＳＨ_Ｇ）とが、下記数式（数２Ｄ）の関係を満たすことが好ましい。
Ａｆ（ＳＨ_Ｇ）＜Ａｆ（ＤＦ_Ｇ） …（数２Ｄ）

【0189】

数式（数２Ｄ）の関係を満たすことで、緑色発光層５Ｇに注入された電子が遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇによって補足（トラップ）され、緑色発光層５Ｇにおける再結合領域が電子輸送帯域６Ｇ側に局在化しやすくなると考えられる。

【0190】

緑色発光層５Ｇにおいて、化合物ＳＨ_Ｇの７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（ＳＨ_Ｇ）は、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇの７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（ＦＬ_Ｇ）よりも大きいことが好ましい。
緑色発光層において、化合物ＳＨ_Ｇの７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（ＳＨ_Ｇ）は、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（ＤＦ_Ｇ）よりも大きいことが好ましい。

【0191】

緑色発光層５Ｇにおいて、化合物ＳＨ_Ｇ、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇ、及び蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇは、下記数式（数２Ｅ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_７７Ｋ（ＳＨ_Ｇ）＞Ｔ_７７Ｋ（ＤＦ_Ｇ）＞Ｔ_７７Ｋ（ＦＬ_Ｇ） …（数２Ｅ）

【0192】

本実施形態の有機ＥＬ素子を発光させたときに、各発光層において、主に各発光層に含まれるドーパント材料が発光していることが好ましい。
発光層が緑色発光層である場合、主に緑色発光層に含まれる光性の化合物ＦＬ_Ｇが発光していることが好ましい。

【0193】

・緑色発光層における化合物の含有率
本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、緑色発光層５Ｇにおいて、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇの含有率は、０．０１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上５質量％以下であることがより好ましく、０．０１質量％以上１質量％以下であることがさらに好ましい。
遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇの含有率は、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上６０質量％であることがさらに好ましい。
化合物ＳＨ_Ｇの含有率は、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましい。
緑色発光層における蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇ、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇ、及び化合物ＳＨ_Ｇの合計含有率の上限は、１００質量％である。なお、本実施形態は、緑色発光層に、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇ、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇ、及び化合物ＳＨ_Ｇ以外の材料が含まれることを除外しない。
緑色発光層５Ｇは、蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇを１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。緑色発光層５Ｇは、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇを１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。緑色発光層５Ｇは、化合物ＳＨ_Ｇを１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

【0194】

図９は、緑色発光層５Ｇにおける蛍光性の化合物ＦＬ_Ｇ、遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇ、及び化合物ＳＨ_Ｇのエネルギー準位の関係の一例を示す図である。
図９中の記号の説明は、以下の通りである。
Ｓ０は、基底状態を表す。
Ｓ１（ＦＬ_Ｇ）は、化合物ＦＬ_Ｇの最低励起一重項状態を表す。
Ｔ１（ＦＬ_Ｇ）は、化合物ＦＬ_Ｇの最低励起三重項状態を表す。
Ｓ１（ＤＦ_Ｇ）は、化合物ＤＦ_Ｇの最低励起一重項状態を表す。
Ｔ１（ＤＦ_Ｇ）は、化合物ＤＦ_Ｇの最低励起三重項状態を表す。
Ｓ１（ＳＨ_Ｇ）は、化合物ＳＨ_Ｇの最低励起一重項状態を表す。
Ｔ１（ＳＨ_Ｇ）は、化合物ＳＨ_Ｇの最低励起三重項状態を表す。

【0195】

第５実施形態の緑色有機ＥＬ素子の緑色発光層においても、第４実施形態の赤色有機ＥＬ素子の赤色発光層と同様に、図９に示すようなエネルギー移動が生じる。第５実施形態の有機ＥＬ表示装置においても、ＴＡＤＦメカニズムによる遅延蛍光を利用することによっても、理論的に内部量子効率を１００％まで高めることができると考えられている。

【0196】

第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置によれば、第２実施形態、第３実施形態及び第４実施形態の奏する効果に加えて、発光効率をさらに向上させることができる。

【0197】

〔第６実施形態〕
［電子機器］
本実施形態に係る電子機器は、いずれかの実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を搭載している。電子機器としては、例えば、表示部品（例えば、有機ＥＬパネルモジュール等）、テレビ、携帯電話、タブレット、及びパーソナルコンピュータ等が挙げられる。また、有機ＥＬ表示装置を電子機器としての発光装置としても用いることができ、発光装置としては、例えば、照明及び車両用灯具等が挙げられる。

【0198】

〔有機ＥＬ表示装置の発光層に用いる化合物〕
有機ＥＬ表示装置の発光層に用いる化合物について、説明する。

【0199】

（遅延蛍光性の化合物）
遅延蛍光性の化合物は、遅延蛍光性を有する化合物であれば特に限定されない。
遅延蛍光性の化合物は、例えば、下記一般式（１）で表される化合物が挙げられる。

【0200】

【化3】

【0201】

前記一般式（１）において、
Ｌは、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の芳香族複素環基であり、
ＣＮは、シアノ基であり、
ｋは、１以上の整数であって、Ｌに結合するシアノ基の数であり、
Ｄは、下記一般式（１０）又は一般式（１１）で表される基であり、
ｍは、１以上の整数であって、Ｌに結合するＤの数であり、
ｍが２以上の整数のとき、複数のＤは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒは、水素原子もしくは置換基であるか、又は隣接するＲ同士の組が互いに結合して環を形成し、
ｎは、０又は１以上の整数であって、Ｌに結合するＲの数であり、
ｎが２以上の整数のとき、複数のＲは、互いに同一であるか、又は異なり、
置換基としてのＲは、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロゲン化アルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３～３０のアルキルシリル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～６０のアリールシリル基であり、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基としてのＲは、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、又はフェノキサジニル基である。

【0202】

【化4】

【0203】

【化5】

【0204】

前記一般式（１０）において、
Ｒ_１１～Ｒ_１８は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であるか、またはＲ_１１及びＲ_１２の組、Ｒ_１２及びＲ_１３の組、Ｒ_１３及びＲ_１４の組、Ｒ_１５及びＲ_１６の組、Ｒ_１６及びＲ_１７の組、並びにＲ_１７及びＲ_１８の組のいずれか１つ以上の組が互いに結合して環を形成し、
置換基としてのＲ_１１～Ｒ_１８は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロゲン化アルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３～３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～６０のアリールシリル基
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数２～３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキルチオ基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～６０のアリールチオ基であり、
Ａは、下記一般式（１０ａ）又は下記一般式（１０ｂ）で表される環構造であり、
環構造Ａは、隣接する環構造と縮合することができ、
ｐは、０、１、２、３又は４であって、環構造Ａの数であり、
ｐが２、３又は４の場合、複数の環構造Ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
＊は、前記一般式（１）中のＬとの結合位置である。

【0205】

前記一般式（１１）において、
Ｒ_１０１～Ｒ_１０８は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であるか、またはＲ_１０１及びＲ_１０２の組、Ｒ_１０２及びＲ_１０３の組、Ｒ_１０３及びＲ_１０４の組、Ｒ_１０５及びＲ_１０６の組、Ｒ_１０６及びＲ_１０７の組、並びにＲ_１０７及びＲ_１０８の組のいずれか１つ以上の組が互いに結合して環を形成し、
置換基としてのＲ_１０１～Ｒ_１０８は、それぞれ独立に、置換基としてのＲ_１１～Ｒ_１８と同義であり、
Ｂ及びＣは、それぞれ独立に、下記一般式（１０ａ）又は下記一般式（１０ｂ）で表される環構造であり、
環構造Ｂは、隣接する環構造と縮合することができ、
ｐｘは、１、２、３又は４であって、環構造Ｂの数であり、
ｐｘが２、３又は４の場合、複数の環構造Ｂは、互いに同一であるか、又は異なり、
環構造Ｃは、隣接する環構造と縮合することができ、
ｐｙは、１、２、３又は４であって、環構造Ｃの数であり、
ｐｙが２、３又は４の場合、複数の環構造Ｃは、互いに同一であるか、又は異なり、
＊は、前記一般式（１）中のＬとの結合位置である。

【0206】

【化6】

【0207】

前記一般式（１０ａ）において、
Ｒ_１９及びＲ_２０は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であるか、またはＲ_１９及びＲ_２０の組が互いに結合して環を形成し、
置換基としてのＲ_１９及びＲ_２０は、それぞれ独立に、置換基としてのＲ_１１～Ｒ_１８と同義である。
前記一般式（１０ｂ）において、
Ｘ_１は、ＣＲ_１１１Ｒ_１１２、ＮＲ_１１３、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｒ_１１１及びＲ_１１２は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であるか、またはＲ_１１１及びＲ_１１２の組が互いに結合して環を形成し、
Ｒ_１１３は、水素原子もしくは置換基であり、
置換基としての、Ｒ_１１１、Ｒ_１１２及びＲ_１１３は、それぞれ独立に、置換基としてのＲ_１１～Ｒ_１８と同義である。

【0208】

前記一般式（１０）におけるｐが０である場合、前記一般式（１０）で表される基は、下記一般式（１０Ａ）で表される。

【0209】

【化7】

【0210】

前記一般式（１０Ａ）においては、Ｒ_１１～Ｒ_１８は、それぞれ独立に、前記一般式（１０）におけるＲ_１１～Ｒ_１８と同義であり、
＊は、前記一般式（１）中のＬとの結合位置である。

【0211】

遅延蛍光性の化合物の具体的な例を以下に挙げるが、本発明は、これらの具体例に限定されない。

【0212】

【化8】

【0213】

（蛍光性の化合物）
蛍光性の化合物は、遅延蛍光性を示さない化合物であって、蛍光性を示す化合物であれば、特に限定されない。

【0214】

緑色発光層及び赤色発光層の少なくともいずれかに用いられる蛍光性の化合物としては、例えば、下記一般式（２０）で表される化合物等が挙げられる。

【0215】

【化9】

【0216】

前記一般式（２０）において、
Ｘは、窒素原子、又はＹと結合する炭素原子であり、
Ｙは、水素原子又は置換基であり、
Ｒ_２１～Ｒ_２６は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であるか、又はＲ_２１及びＲ_２２の組、Ｒ_２２及びＲ_２３の組、Ｒ_２４及びＲ_２５の組、並びにＲ_２５及びＲ_２６の組のいずれか１つ以上の組が互いに結合して環を形成し、
置換基としてのＹ、及びＲ_２１～Ｒ_２６は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロゲン化アルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロゲン化アルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の炭素数２～３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数７～３０のアラルキル基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０のヘテロアリール基、
ハロゲン原子、
カルボキシ基、
置換もしくは無置換のエステル基、
置換もしくは無置換のカルバモイル基、
置換もしくは無置換のアミノ基、
ニトロ基、
シアノ基、
置換もしくは無置換のシリル基、及び
置換もしくは無置換のシロキサニル基からなる群から選択され、
Ｚ_２１及びＺ_２２は、それぞれ独立に、置換基であるか、又はＺ_２１及びＺ_２２が互いに結合して環を形成し、
置換基としてのＺ_２１及びＺ_２２は、それぞれ独立に、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロゲン化アルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロゲン化アルコキシ基、及び
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基からなる群から選択される。

【0217】

蛍光性の化合物としては、例えば、下記化合物等が挙げられるが、本発明は、これらの具体例に限定されない。

【0218】

【化10】

【0219】

（第三成分としての化合物）
化合物ＳＨ_Ｒ及び化合物ＳＨ_Ｇのように発光層において遅延蛍光性の化合物及び蛍光性の化合物以外の第三成分として含まれる化合物としては、例えば、下記化合物等が挙げられるが、本発明は、この具体例に限定されない。

【0220】

【化11】

【0221】

〔その他の説明〕
本明細書において、Ｒｘ及びＲｙが互いに結合して環を形成するとは、例えば、Ｒｘ及びＲｙが炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子又はケイ素原子を含み、Ｒｘに含まれる原子（炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子又はケイ素原子）と、Ｒｙに含まれる原子（炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子又はケイ素原子）とが、単結合、二重結合、三重結合、又は二価の連結基を介して結合し、環形成原子数が５以上の環（具体的には、複素環又は芳香族炭化水素環）を形成することを意味する。ｘは、数字、文字、又は、数字と文字との組み合わせである。ｙは、数字、文字、又は、数字と文字との組み合わせである。
二価の連結基としては特に制限されないが、例えば、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ_２－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、－ＮＨ－、－ＮＲａ－、及びこれらの連結基を２以上組み合わせた基等が挙げられる。
複素環の具体例としては、後述の「一般式中における各置換基についての説明」で例示した「ヘテロアリール基Ｓｕｂ_２」から結合手を除いた環構造（複素環）が挙げられる。これらの複素環は置換基を有していてもよい。
芳香族炭化水素環の具体例としては、後述の「一般式中における各置換基についての説明」で例示した「アリール基Ｓｕｂ_１」から結合手を除いた環構造（芳香族炭化水素環）が挙げられる。これらの芳香族炭化水素環は置換基を有していてもよい。
Ｒａとしては、例えば、後述の「一般式中における各置換基についての説明」で例示した置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基Ｓｕｂ_３、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基Ｓｕｂ_１、置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０のヘテロアリール基Ｓｕｂ_２等が挙げられる。
例えば、Ｒｘ及びＲｙが互いに結合して環を形成するとは、下記一般式（Ｅ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ_１に含まれる原子とが、一般式（Ｅ２）で表される環（環構造）Ｅを形成すること；一般式（Ｆ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ_１に含まれる原子とが、一般式（Ｆ２）で表される環Ｆを形成すること；一般式（Ｇ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ_１に含まれる原子とが、一般式（Ｇ２）で表される環Ｇを形成すること；一般式（Ｈ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ_１に含まれる原子とが、一般式（Ｈ２）で表される環Ｈを形成すること；一般式（Ｉ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ_１に含まれる原子とが、一般式（Ｉ２）で表される環Ｉを形成すること；を意味する。
一般式（Ｅ１）～（Ｉ１）中、＊は、それぞれ独立に、一分子中の他の原子との結合位置を表す。一般式（Ｅ１）中の２つの＊は一般式（Ｅ２）中の２つの＊にそれぞれ対応し、一般式（Ｆ１）中の２つの＊は一般式（Ｆ２）中の２つの＊にそれぞれ対応し、一般式（Ｇ１）中の２つの＊は一般式（Ｇ２）中の２つの＊にそれぞれ対応し、一般式（Ｈ１）中の２つの＊は一般式（Ｈ２）中の２つの＊にそれぞれ対応し、一般式（Ｉ１）中の２つの＊は一般式（Ｉ２）中の２つの＊にそれぞれ対応する。

【0222】

【化12】

【0223】

【化13】

【0224】

一般式（Ｅ２）～（Ｉ２）で表される分子構造において、Ｅ～Ｉはそれぞれ環構造（前記環形成原子数が５以上の環）を表す。一般式（Ｅ２）～（Ｉ２）中、＊は、それぞれ独立に、一分子中の他の原子との結合位置を表す。一般式（Ｅ２）中の２つの＊は一般式（Ｅ１）中の２つの＊にそれぞれ対応する。一般式（Ｆ２）～（Ｉ２）中の２つの＊についても同様に、一般式（Ｆ１）～（Ｉ１）中の２つの＊にそれぞれ対応する。

【0225】

例えば、一般式（Ｅ１）において、Ｒｘ_１及びＲｙ_１が互いに結合して一般式（Ｅ２）中の環Ｅを形成し、環Ｅが無置換のベンゼン環である場合、一般式（Ｅ１）で表される分子構造は、下記一般式（Ｅ３）で表される分子構造になる。ここで、一般式（Ｅ３）中の２つの＊は、それぞれ独立に、一般式（Ｅ２）及び一般式（Ｅ１）中の２つの＊に対応する。
例えば、一般式（Ｅ１）において、Ｒｘ_１及びＲｙ_１が互いに結合して一般式（Ｅ２）中の環Ｅを形成し、環Ｅが無置換のピロール環である場合、一般式（Ｅ１）で表される分子構造は、下記一般式（Ｅ４）で表される分子構造になる。ここで、一般式（Ｅ４）中の２つの＊は、それぞれ独立に、一般式（Ｅ２）及び一般式（Ｅ１）中の２つの＊に対応する。一般式（Ｅ３）及び（Ｅ４）中、＊は、それぞれ独立に、一分子中の他の原子との結合位置を表す。

【0226】

【化14】

【0227】

本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記載される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジニル基は環形成炭素数が５であり、フラニル基は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。

【0228】

本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記載される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は、環形成原子数が６であり、キナゾリン環は、環形成原子数が１０であり、フラン環は、環形成原子数が５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。

【0229】

・一般式中の各置換基についての説明（各置換基の説明）
次に、本明細書における一般式中の各置換基について説明する。

【0230】

本明細書におけるアリール基（芳香族炭化水素基と称する場合がある。）は、例えば、アリール基Ｓｕｂ_１であり、アリール基Ｓｕｂ_１は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ピセニル基、及びペリレニル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

【0231】

本明細書におけるアリール基Ｓｕｂ_１としては、環形成炭素数が、６～３０であることが好ましく、６～２０であることがより好ましく、６～１４であることがさらに好ましく、６～１２であることがよりさらに好ましい。上記アリール基Ｓｕｂ_１の中でもフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、及びフルオレニル基が好ましい。１－フルオレニル基、２－フルオレニル基、３－フルオレニル基及び４－フルオレニル基については、９位の炭素原子に、後述する本明細書における置換もしくは無置換のアルキル基Ｓｕｂ_３や、置換もしくは無置換のアリール基Ｓｕｂ_１が置換されていることが好ましい。

【0232】

本明細書におけるヘテロアリール基（複素環基、ヘテロ芳香族環基、又は芳香族複素環基と称する場合がある。）は、例えば、複素環基Ｓｕｂ_２である。複素環基Ｓｕｂ_２は、ヘテロ原子として、窒素、硫黄、酸素、ケイ素、セレン原子、及びゲルマニウム原子からなる群から選択される少なくともいずれかの原子を含む基である。複素環基Ｓｕｂ_２は、ヘテロ原子として、窒素、硫黄、及び酸素からなる群から選択される少なくともいずれかの原子を含む基であることが好ましい。

【0233】

本明細書における複素環基Ｓｕｂ_２は、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、及びフェノキサジニル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

【0234】

本明細書における複素環基Ｓｕｂ_２としては、環形成原子数が、５～３０であることが好ましく、５～２０であることがより好ましく、５～１４であることがさらに好ましい。上記複素環基Ｓｕｂ_２の中でも１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、４－ジベンゾチエニル基、１－カルバゾリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基、４－カルバゾリル基、及び９－カルバゾリル基がさらにより好ましい。１－カルバゾリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基及び４－カルバゾリル基については、９位の窒素原子に、本明細書における置換もしくは無置換のアリール基Ｓｕｂ_１や、置換もしくは無置換の複素環基Ｓｕｂ_２が置換していることが好ましい。

【0235】

また、本明細書において、複素環基Ｓｕｂ_２は、例えば、下記一般式（ＸＹ－１）～（ＸＹ－１８）で表される部分構造から誘導される基であってもよい。

【0236】

【化15】

【0237】

【化16】

【0238】

【化17】

【0239】

前記一般式（ＸＹ－１）～（ＸＹ－１８）において、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａは、それぞれ独立に、ヘテロ原子であり、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ケイ素原子、又はゲルマニウム原子であることが好ましい。前記一般式（ＸＹ－１）～（ＸＹ－１８）で表される部分構造は、任意の位置で結合手を有して複素環基となり、この複素環基は、置換基を有していてもよい。

【0240】

また、本明細書において、複素環基Ｓｕｂ_２は、例えば、下記一般式（ＸＹ－１９）～（ＸＹ－２２）で表される基であってもよい。また、結合手の位置も適宜変更され得る。

【0241】

【化18】

【0242】

本明細書におけるアルキル基は、直鎖のアルキル基、分岐鎖のアルキル基又は環状のアルキル基のいずれであってもよい。
本明細書におけるアルキル基は、例えば、アルキル基Ｓｕｂ_３である。
本明細書における直鎖のアルキル基は、例えば、直鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３１である。
本明細書における分岐鎖のアルキル基は、例えば、分岐鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３２である。
本明細書における環状のアルキル基は、例えば、環状のアルキル基Ｓｕｂ_３３である。
アルキル基Ｓｕｂ_３は、例えば、直鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３１、分岐鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３２、及び環状のアルキル基Ｓｕｂ_３３からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

【0243】

直鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３１又は分岐鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３２は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ネオペンチル基、アミル基、イソアミル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、１－ペンチルヘキシル基、１－ブチルペンチル基、１－ヘプチルオクチル基、及び３－メチルペンチル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

【0244】

本明細書における直鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３１又は分岐鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３２の炭素数は、１～３０であることが好ましく、１～２０であることがより好ましく、１～１０であることがさらに好ましく、１～６であることがよりさらに好ましい。上記直鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３１又は分岐鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３２としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、アミル基、イソアミル基、及びネオペンチル基がさらにより好ましい。

【0245】

本明細書における環状のアルキル基Ｓｕｂ_３３は、例えば、シクロアルキル基Ｓｕｂ_３３１である。

【0246】

本明細書におけるシクロアルキル基Ｓｕｂ_３３１は、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４－メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、及びノルボルニル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。シクロアルキル基Ｓｕｂ_３３１の環形成炭素数は、３～３０であることが好ましく、３～２０であることがより好ましく、３～１０であることがさらに好ましく、５～８であることがよりさらに好ましい。シクロアルキル基Ｓｕｂ_３３１の中でも、シクロペンチル基やシクロヘキシル基がさらにより好ましい。

【0247】

本明細書におけるハロゲン化アルキル基は、例えば、ハロゲン化アルキル基Ｓｕｂ_４であり、ハロゲン化アルキル基Ｓｕｂ_４は、例えば、アルキル基Ｓｕｂ_３が１以上のハロゲン原子、好ましくはフッ素原子で置換されたアルキル基である。

【0248】

本明細書におけるハロゲン化アルキル基Ｓｕｂ_４は、例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基、トリフルオロエチル基、及びペンタフルオロエチル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

【0249】

本明細書における置換シリル基は、例えば、置換シリル基Ｓｕｂ_５であり、置換シリル基Ｓｕｂ_５は、例えば、アルキルシリル基Ｓｕｂ_５１及びアリールシリル基Ｓｕｂ_５２からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

【0250】

本明細書におけるアルキルシリル基Ｓｕｂ_５１は、例えば、上記アルキル基Ｓｕｂ_３を有するトリアルキルシリル基Ｓｕｂ_５１１である。
トリアルキルシリル基Ｓｕｂ_５１１は、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ－ｎ－ブチルシリル基、トリ－ｎ－オクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチル－ｎ－プロピルシリル基、ジメチル－ｎ－ブチルシリル基、ジメチル－ｔ－ブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、及びトリイソプロピルシリル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。トリアルキルシリル基Ｓｕｂ_５１１における３つのアルキル基Ｓｕｂ_３は、互いに同一でも異なっていてもよい。

【0251】

本明細書におけるアリールシリル基Ｓｕｂ_５２は、例えば、ジアルキルアリールシリル基Ｓｕｂ_５２１、アルキルジアリールシリル基Ｓｕｂ_５２２、及びトリアリールシリル基Ｓｕｂ_５２３からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

【0252】

ジアルキルアリールシリル基Ｓｕｂ_５２１は、例えば、上記アルキル基Ｓｕｂ_３を２つ有し、上記アリール基Ｓｕｂ_１を１つ有するジアルキルアリールシリル基である。ジアルキルアリールシリル基Ｓｕｂ_５２１の炭素数は、８～３０であることが好ましい。

【0253】

アルキルジアリールシリル基Ｓｕｂ_５２２は、例えば、上記アルキル基Ｓｕｂ_３を１つ有し、上記アリール基Ｓｕｂ_１を２つ有するアルキルジアリールシリル基である。アルキルジアリールシリル基Ｓｕｂ_５２２の炭素数は、１３～３０であることが好ましい。

【0254】

トリアリールシリル基Ｓｕｂ_５２３は、例えば、上記アリール基Ｓｕｂ_１を３つ有するトリアリールシリル基である。トリアリールシリル基Ｓｕｂ_５２３の炭素数は、１８～３０であることが好ましい。

【0255】

本明細書における置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基は、例えば、アルキルスルホニル基Ｓｕｂ_６であり、アルキルスルホニル基Ｓｕｂ_６は、－ＳＯ_２Ｒ_ｗで表される。－ＳＯ_２Ｒ_ｗにおけるＲ_ｗは、置換もしくは無置換の上記アルキル基Ｓｕｂ_３を表す。

【0256】

本明細書におけるアラルキル基（アリールアルキル基と称する場合がある）は、例えば、アラルキル基Ｓｕｂ_７である。アラルキル基Ｓｕｂ_７におけるアリール基は、例えば、上記アリール基Ｓｕｂ_１及び上記ヘテロアリール基Ｓｕｂ_２の少なくとも一方を含む。

【0257】

本明細書におけるアラルキル基Ｓｕｂ_７は、アリール基Ｓｕｂ_１を有する基であることが好ましく、－Ｚ_３－Ｚ_４と表される。このＺ_３は、例えば、上記アルキル基Ｓｕｂ_３に対応するアルキレン基等である。このＺ_４は、例えば、上記アリール基Ｓｕｂ_１である。このアラルキル基Ｓｕｂ_７は、アリール部分が炭素数６～３０（好ましくは６～２０、より好ましくは６～１２）、アルキル部分が炭素数１～３０（好ましくは１～２０、より好ましくは１～１０、さらに好ましくは１～６）であることが好ましい。このアラルキル基Ｓｕｂ_７は、例えば、ベンジル基、２－フェニルプロパン－２－イル基、１－フェニルエチル基、２－フェニルエチル基、１－フェニルイソプロピル基、２－フェニルイソプロピル基、フェニル－ｔ－ブチル基、α－ナフチルメチル基、１－α－ナフチルエチル基、２－α－ナフチルエチル基、１－α－ナフチルイソプロピル基、２－α－ナフチルイソプロピル基、β－ナフチルメチル基、１－β－ナフチルエチル基、２－β－ナフチルエチル基、１－β－ナフチルイソプロピル基、及び２－β－ナフチルイソプロピル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

【0258】

本明細書におけるアルコキシ基は、例えば、アルコキシ基Ｓｕｂ_８であり、アルコキシ基Ｓｕｂ_８は、－ＯＺ_１と表される。このＺ_１は、例えば、上記アルキル基Ｓｕｂ_３である。アルコキシ基Ｓｕｂ_８は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、及びヘキシルオキシ基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。アルコキシ基Ｓｕｂ_８の炭素数は、１～３０であることが好ましく、１～２０であることがより好ましい。

【0259】

本明細書におけるハロゲン化アルコキシ基は、例えば、ハロゲン化アルコキシ基Ｓｕｂ_９であり、ハロゲン化アルコキシ基Ｓｕｂ_９は、例えば、上記アルコキシ基Ｓｕｂ_８が１以上のハロゲン原子、好ましくはフッ素原子で置換されたアルコキシ基である。

【0260】

本明細書におけるアリールオキシ基（アリールアルコキシ基と称する場合がある）は、例えば、アリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０である。アリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０におけるアリール基は、アリール基Ｓｕｂ_１及びヘテロアリール基Ｓｕｂ_２の少なくとも一方を含む。

【0261】

本明細書におけるアリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０は、－ＯＺ_２と表される。このＺ_２のは、例えば、アリール基Ｓｕｂ_１又はヘテロアリール基Ｓｕｂ_２である。アリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０の環形成炭素数は、６～３０であることが好ましく、６～２０であることがより好ましい。このアリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０としては、例えば、フェノキシ基が挙げられる。

【0262】

本明細書における置換アミノ基は、例えば、置換アミノ基Ｓｕｂ_１１であり、置換アミノ基Ｓｕｂ_１１は、例えば、アリールアミノ基Ｓｕｂ_１１１及びアルキルアミノ基Ｓｕｂ_１１２からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。
アリールアミノ基Ｓｕｂ_１１１は、－ＮＨＲ_Ｖ１、又は－Ｎ（Ｒ_Ｖ１）_２と表される。このＲ_Ｖ１は、例えば、アリール基Ｓｕｂ_１である。－Ｎ（Ｒ_Ｖ１）_２における２つのＲ_Ｖ１は、同一又は異なる。
アルキルアミノ基Ｓｕｂ_１１２は、－ＮＨＲ_Ｖ２、又は－Ｎ（Ｒ_Ｖ２）_２と表される。このＲ_Ｖ２は、例えば、アルキル基Ｓｕｂ_３である。－Ｎ（Ｒ_Ｖ２）_２における２つのＲ_Ｖ２は、同一又は異なる。

【0263】

本明細書におけるアルケニル基は、例えば、アルケニル基Ｓｕｂ_１２であり、アルケニル基Ｓｕｂ_１２は、直鎖又は分岐鎖のいずれかであり、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、スチリル基、２，２－ジフェニルビニル基、１，２，２－トリフェニルビニル基、及び２－フェニル－２－プロペニルからなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

【0264】

本明細書におけるアルキニル基は、例えば、アルキニル基Ｓｕｂ_１３であり、アルキニル基Ｓｕｂ_１３は、直鎖又は分岐鎖のいずれであってもよく、例えば、エチニル、プロピニル、及び２－フェニルエチニルからなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

【0265】

本明細書におけるアルキルチオ基は、例えば、アルキルチオ基Ｓｕｂ_１４である。
アルキルチオ基Ｓｕｂ_１４は、－ＳＲ_Ｖ３と表される。このＲ_Ｖ３は、例えば、アルキル基Ｓｕｂ_３である。アルキルチオ基Ｓｕｂ_１４の炭素数は、１～３０であることが好ましく、１～２０であることがより好ましい。
本明細書におけるアリールチオ基は、例えば、アリールチオ基Ｓｕｂ_１５である。
アリールチオ基Ｓｕｂ_１５は、－ＳＲ_Ｖ４と表される。このＲ_Ｖ４は、例えば、アリール基Ｓｕｂ_１である。アリールチオ基Ｓｕｂ_１５の環形成炭素数は、６～３０であることが好ましく、６～２０であることがより好ましい。

【0266】

本明細書におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。

【0267】

本明細書における置換ホスフィノ基は、例えば、置換ホスフィノ基Ｓｕｂ_１６であり、置換ホスフィノ基Ｓｕｂ_１６は、例えば、フェニルホスファニル基である。

【0268】

本明細書におけるアリールカルボニル基は、例えば、アリールカルボニル基Ｓｕｂ_１７であり、アリールカルボニル基Ｓｕｂ_１７は、－ＣＯＹ’と表される。このＹ’は、例えば、アリール基Ｓｕｂ_１である。本明細書におけるアリールカルボニル基Ｓｕｂ_１７は、例えば、フェニルカルボニル基、ジフェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、及びトリフェニルカルボニル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

【0269】

本明細書におけるアシル基は、例えば、アシル基Ｓｕｂ_１８であり、アシル基Ｓｕｂ_１８は、－ＣＯＲ’と表される。このＲ’は、例えば、アルキル基Ｓｕｂ_３である。本明細書におけるアシル基Ｓｕｂ_１８は、例えば、アセチル基及びプロピオニル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

【0270】

本明細書における置換ホスホリル基は、例えば、置換ホスホリル基Ｓｕｂ_１９であり、置換ホスホリル基Ｓｕｂ_１９は、下記一般式（Ｐ）で表される。

【0271】

【化19】

【0272】

前記一般式（Ｐ）において、Ａｒ_Ｐ１及びＡｒ_Ｐ２は、上記アルキル基Ｓｕｂ_３、及び上記アリール基Ｓｕｂ_１からなる群から選択されるいずれかの置換基である。

【0273】

本明細書におけるエステル基は、例えば、エステル基Ｓｕｂ_２０であり、エステル基Ｓｕｂ_２０は、例えば、アルキルエステル基及びアリールエステル基 からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。
本明細書におけるアルキルエステル基は、例えば、アルキルエステル基Ｓｕｂ_２０１であり、アルキルエステル基Ｓｕｂ_２０１は、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^Ｅで表される。Ｒ^Ｅは、例えば、置換もしくは無置換の上記アルキル基Ｓｕｂ_３（好ましくは炭素数１～１０）である。
本明細書におけるアリールエステル基は、例えば、アリールエステル基Ｓｕｂ_２０２であり、アリールエステル基Ｓｕｂ_２０２は、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^Ａｒで表される。Ｒ^Ａｒは、例えば、置換もしくは無置換の上記アリール基Ｓｕｂ_１である。

【0274】

本明細書におけるシロキサニル基は、例えば、シロキサニル基Ｓｕｂ_２１であり、シロキサニル基Ｓｕｂ_２１は、エーテル結合を介したケイ素化合物基である。シロキサニル基Ｓｕｂ_２１は、例えば、トリメチルシロキサニル基である。

【0275】

本明細書におけるカルバモイル基は、－ＣＯＮＨ_２で表される。
本明細書における置換のカルバモイル基は、例えば、カルバモイル基Ｓｕｂ_２２であり、カルバモイル基Ｓｕｂ_２２は、－ＣＯＮＨ－Ａｒ^Ｃ、又は－ＣＯＮＨ－Ｒ^Ｃで表される。Ａｒ^Ｃは、例えば、置換もしくは無置換の上記アリール基Ｓｕｂ_１（好ましくは環形成炭素数６～１０）及び上記ヘテロアリール基Ｓｕｂ_２（好ましくは環形成原子数５～１４）からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。Ａｒ^Ｃは、アリール基Ｓｕｂ_１とヘテロアリール基Ｓｕｂ_２とが結合した基であってもよい。
Ｒ^Ｃは、例えば、置換もしくは無置換の上記アルキル基Ｓｕｂ_３（好ましくは炭素数１～６）である。

【0276】

本明細書において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、及び芳香環を含む）を構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。

【0277】

また、本明細書において、水素原子とは、中性子数の異なる同位体、すなわち、軽水素（Ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、三重水素（Ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。

【0278】

以下、アルキル基Ｓｕｂ_３とは、「各置換基の説明」で説明した直鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３１、分岐鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３２、及び環状のアルキル基Ｓｕｂ_３３のいずれか１以上の基を意味する。
同様に、置換シリル基Ｓｕｂ_５とは、アルキルシリル基Ｓｕｂ_５１及びアリールシリル基Ｓｕｂ_５２のいずれか１以上の基を意味する。
同様に、置換アミノ基Ｓｕｂ_１１とは、アリールアミノ基Ｓｕｂ_１１１及びアルキルアミノ基Ｓｕｂ_１１２のいずれか１以上の基を意味する。

【0279】

本明細書において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基としては、例えば置換基Ｒ_Ｆ１であり、置換基Ｒ_Ｆ１は、アリール基Ｓｕｂ_１、ヘテロアリール基Ｓｕｂ_２、アルキル基Ｓｕｂ_３、ハロゲン化アルキル基Ｓｕｂ_４、置換シリル基Ｓｕｂ_５、アルキルスルホニル基Ｓｕｂ_６、アラルキル基Ｓｕｂ_７、アルコキシ基Ｓｕｂ_８、ハロゲン化アルコキシ基Ｓｕｂ_９、アリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０、置換アミノ基Ｓｕｂ_１１、アルケニル基Ｓｕｂ_１２、アルキニル基Ｓｕｂ_１３、アルキルチオ基Ｓｕｂ_１４、アリールチオ基Ｓｕｂ_１５、置換ホスフィノ基Ｓｕｂ_１６、アリールカルボニル基Ｓｕｂ_１７、アシル基Ｓｕｂ_１８、置換ホスホリル基Ｓｕｂ_１９、エステル基Ｓｕｂ_２０、シロキサニル基Ｓｕｂ_２１、カルバモイル基Ｓｕｂ_２２、無置換のアミノ基、無置換のシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、チオール基、ニトロ基、及びカルボキシ基からなる群から選択される少なくとも一種の基である。

【0280】

本明細書において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基Ｒ_Ｆ１は、ジアリールホウ素基（Ａｒ_Ｂ１Ａｒ_Ｂ２Ｂ－）であってもよい。このＡｒ_Ｂ１及びＡｒ_Ｂ２の例としては、上述のアリール基Ｓｕｂ_１が挙げられる。Ａｒ_Ｂ１Ａｒ_Ｂ２Ｂ－におけるＡｒ_Ｂ１及びＡｒ_Ｂ２は同一又は異なる。

【0281】

置換基Ｒ_Ｆ１の具体例及び好ましい基としては、「各置換基の説明」中の置換基（例えば、アリール基Ｓｕｂ_１、ヘテロアリール基Ｓｕｂ_２、アルキル基Ｓｕｂ_３、ハロゲン化アルキル基Ｓｕｂ_４、置換シリル基Ｓｕｂ_５、アルキルスルホニル基Ｓｕｂ_６、アラルキル基Ｓｕｂ_７、アルコキシ基Ｓｕｂ_８、ハロゲン化アルコキシ基Ｓｕｂ_９、アリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０、置換アミノ基Ｓｕｂ_１１、アルケニル基Ｓｕｂ_１２、アルキニル基Ｓｕｂ_１３、アルキルチオ基Ｓｕｂ_１４、アリールチオ基Ｓｕｂ_１５、置換ホスフィノ基Ｓｕｂ_１６、アリールカルボニル基Ｓｕｂ_１７、アシル基Ｓｕｂ_１８、置換ホスホリル基Ｓｕｂ_１９、エステル基Ｓｕｂ_２０、シロキサニル基Ｓｕｂ_２１、及びカルバモイル基Ｓｕｂ_２２）の具体例及び好ましい基と同様の基が挙げられる。

【0282】

「置換もしくは無置換の」という場合における置換基Ｒ_Ｆ１は、アリール基Ｓｕｂ_１、ヘテロアリール基Ｓｕｂ_２、アルキル基Ｓｕｂ_３、ハロゲン化アルキル基Ｓｕｂ_４、置換シリル基Ｓｕｂ_５、アルキルスルホニル基Ｓｕｂ_６、アラルキル基Ｓｕｂ_７、アルコキシ基Ｓｕｂ_８、ハロゲン化アルコキシ基Ｓｕｂ_９、アリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０、置換アミノ基Ｓｕｂ_１１、アルケニル基Ｓｕｂ_１２、アルキニル基Ｓｕｂ_１３、アルキルチオ基Ｓｕｂ_１４、アリールチオ基Ｓｕｂ_１５、置換ホスフィノ基Ｓｕｂ_１６、アリールカルボニル基Ｓｕｂ_１７、アシル基Ｓｕｂ_１８、置換ホスホリル基Ｓｕｂ_１９、エステル基Ｓｕｂ_２０、シロキサニル基Ｓｕｂ_２１、カルバモイル基Ｓｕｂ_２２、無置換のアミノ基、無置換のシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、チオール基、ニトロ基、及びカルボキシ基からなる群から選択される少なくとも一種の基（以下、置換基Ｒ_Ｆ２とも称する）によってさらに置換されてもよい。また、これらの置換基Ｒ_Ｆ２は複数が互いに結合して環を形成してもよい。

【0283】

「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基Ｒ_Ｆ１で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。

【0284】

なお、本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表し、置換されている場合の置換基Ｒ_Ｆ１の炭素数は含めない。

【0285】

本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表し、置換されている場合の置換基Ｒ_Ｆ１の原子数は含めない。

【0286】

本明細書において説明する化合物、又はその部分構造において、「置換もしくは無置換の」という場合についても、前記と同様である。

【0287】

本明細書において、置換基同士が互いに結合して環が構築される場合、当該環の構造は、飽和環、不飽和環、芳香族炭化水素環、又は複素環である。

【0288】

本明細書において、連結基における芳香族炭化水素基としては、例えば、上述した一価のアリール基Ｓｕｂ_１から、１つ以上の原子を除いて得られる二価以上の基が挙げられる。
本明細書において、連結基における複素環基としては、例えば、上述した一価のヘテロアリール基Ｓｕｂ_２から、１つ以上の原子を除いて得られる二価以上の基が挙げられる。

【0289】

本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前に記載される数値を下限値とし、「～」の後に記載される数値を上限値として含む範囲を意味する。

【0290】

〔実施形態の変形〕
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良などは、本発明に含まれる。

【0291】

有機ＥＬ表示装置１又は有機ＥＬ表示装置１Ａにおいては、青色有機ＥＬ素子１０Ｂ及び赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ又は緑色有機ＥＬ素子１０Ｇが基板８の上に並列して配置されている態様を例に挙げて説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置として、少なくとも、画素としての青色有機ＥＬ素子及び赤色有機ＥＬ素子又は緑色有機ＥＬ素子が基板の上に並列して配置されていればよい。また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置として、少なくとも、画素としての青色有機ＥＬ素子及び緑色有機ＥＬ素子が基板の上に並列して配置されていればよい。また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置として、少なくとも、画素としての青色有機ＥＬ素子、緑色有機ＥＬ素子及び赤色有機ＥＬ素子が基板の上に並列して配置されていればよく、他の発光色の有機ＥＬ素子が配置されていてもよい。

【0292】

有機ＥＬ表示装置おいて、共振器構造を有する有機ＥＬ素子は、前記実施形態で説明した有機ＥＬ素子に限定されない。
例えば、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の場合、赤色有機ＥＬ素子だけでなく、青色有機ＥＬ素子も光反射層と半透過性電極との間で干渉次数が一次の共振器構造を有していてもよい。第２～第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置についても、青色有機ＥＬ素子も光反射層と半透過性電極との間で干渉次数が一次の共振器構造を有していてもよい。有機ＥＬ表示装置において光反射層と半透過性電極との間とは、光反射層、透明電極及び半透過性電極を含まず、正孔輸送帯域、発光層及び電子輸送帯域からなる帯域である。有機ＥＬ表示装置において光反射層と半透過性電極との間隔ｄ１は、正孔輸送帯域の厚さ、発光層の厚さ及び電子輸送帯域の厚さの和に相当する。

【0293】

第３、第４及び第５実施形態における緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び緑色発光層５Ｇは、第２実施形態で説明した緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ及び緑色発光層５Ｇであるが、本発明の別の態様としては、このような態様に限定されない。例えば、第３、第４及び第５実施形態における緑色有機ＥＬ素子が緑色で発光可能な画素としての有機ＥＬ素子である態様が挙げられ、この態様における緑色有機ＥＬ素子は、例えば、緑色発光層に遅延蛍光性の化合物ＤＦ_Ｇを含んでいなくてもよいし、光反射層と半透過性電極との間で干渉次数が一次の共振器構造を有していなくてもよい。

【0294】

その他、本発明の実施における具体的な構造及び形状などは、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などとしてもよい。

【実施例0295】

以下、本発明に係る実施例を説明する。本発明はこれらの実施例によって何ら限定されない。

【0296】

＜化合物＞
実施例及び比較例に係る有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物を以下に示す。

【0297】

【化20】

【0298】

【化21】

【0299】

【化22】

【0300】

【化23】

【0301】

【化24】

【0302】

【化25】

【0303】

＜有機ＥＬ表示装置の作製＞
有機ＥＬ表示装置を以下のように作製し、評価した。

【0304】

〔実施例１〕
先ず、素子作製用基板としてのガラス基板の上に、銀合金層であるＡＰＣ（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ）層をスパッタリング法により成膜した。ＡＰＣ層の膜厚は、１００ｎｍとした。ＡＰＣ層は、反射層に相当する。
次に、ＡＰＣ層の上に、膜厚１０ｎｍの酸化亜鉛（ＩＺＯ）膜をスパッタリング法により成膜した。この酸化亜鉛膜は、透明電極に相当する。

【0305】

続いて通常のリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、酸化亜鉛膜をパターニングし、下部電極（陽極）を形成した。
なお、パネル駆動のためには上記陽極の下部にＴＦＴを形成し、ＴＦＴ上面の凸凹を平坦化するための有機材料からなる平坦化膜及びＴＦＴ出力端と上記下部電極（陽極）とを電気的に接続するためのコンタクトホールを介して接続して形成してもよい。
下部電極が形成された基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。

【0306】

ＵＶオゾン洗浄の後、真空蒸着法を用いて、化合物ＨＴ－１及び化合物ＨＡを用いて、共通層としての正孔注入層を下部電極の上に形成した。正孔注入層における化合物ＨＴ－１の質量比を９８質量％とし、化合物ＨＡの質量比を２質量％とした。正孔注入層の膜厚は、１０ｎｍとした。

【0307】

次に、真空蒸着法を用いて、共通層としての正孔輸送層を正孔注入層の上に形成した。正孔輸送層の形成に化合物ＨＴ－２を用いた。正孔輸送層の膜厚は、５ｎｍとした。
正孔注入層と正孔輸送層とを合わせて、正孔輸送帯域と呼ぶ。

【0308】

続いて、発光パターンに対応したマスクを用いて同一基板上に対する蒸着の塗分けを施した。

【0309】

赤色の画素部には、化合物ＣＢＰ、化合物ＲＤ及び化合物ＴＡＤＦ－１を用いて、膜厚４０ｎｍの赤色発光層を形成した。赤色発光層における化合物ＣＢＰの質量比を７９質量％とし、化合物ＲＤの質量比を１質量％とし、化合物ＴＡＤＦ－１の質量比を２０質量％とした。

【0310】

緑色の画素部には、化合物ＣＢＰ、化合物ＧＤ及び化合物ＴＡＤＦ－２を用いて、膜厚３０ｎｍの緑色発光層を形成した。緑色発光層における化合物ＣＢＰの質量比を７９質量％とし、ＧＤの質量比を１質量％とし、ＴＡＤＦ－２の質量比を２０質量％とした。

【0311】

青色の画素部には、化合物ＢＨ及び化合物ＢＤを用いて、膜厚２０ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層における化合物ＢＨの質量比を９５質量％とし、化合物ＢＤの質量比を５質量％とした。
赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層は、正孔輸送帯域の上に形成した。

【0312】

次に、赤色画素の赤色発光層及び緑色画素の緑色発光層のそれぞれの上に、正孔障壁層及び電子輸送層を形成した。
正孔障壁層及び電子輸送層を形成する際、マスクを用いた真空蒸着法により、赤色画素部には化合物ＥＴ－１を用いて、膜厚１０ｎｍの正孔障壁層を形成した後、化合物ＥＴ－２を用いて、膜厚９５ｎｍの電子輸送層を形成した。赤色画素における正孔障壁層及び電子輸送層からなる２層（合計膜厚１０５ｎｍ）は、光学干渉距離を調整するために設けた。

【0313】

また、緑色画素部の正孔障壁層及び電子輸送層を形成する際にも、マスクを用いた真空蒸着法により、緑色の画素部には化合物ＥＴ－１を用いて、膜厚１０ｎｍの正孔障壁層を形成した後、化合物ＥＴ－２を用いて、膜厚２５ｎｍの電子輸送層を形成した。緑色画素における正孔障壁層及び電子輸送層からなる２層（合計膜厚３５ｎｍ）は、光学干渉距離を調整するために設けた。

【0314】

青色画素の青色発光層の上には、光学干渉距離を調整するための層を形成しなかった。

【0315】

次に、赤色画素及び緑色画素の光学干渉距離を調整するための層の上、並びに青色画素の発光層の上に、化合物ＥＴ－２を用いて、膜厚１５０ｎｍの共通層としての電子輸送層を真空蒸着法により形成した。

【0316】

次に、カソード電極用マスクに変更し、電子輸送層の上に、ＬｉＦを用いて、膜厚１ｎｍの共通層としての電子注入層を形成した。
正孔障壁層と電子輸送層と電子注入層とを合わせて、電子輸送帯域と呼ぶ。

【0317】

次に、電子注入層の上に、Ｍｇ：Ａｇの質量比が１：９である膜厚１２ｎｍの共通層としての電極（カソード）を形成し、この電極（カソード）の上に、化合物Ｃａｐ１を用いて、膜厚７０ｎｍの共通層としての有機キャッピング層を形成した。

【0318】

実施例１に係る有機ＥＬ表示装置の製造においてマスク蒸着が必要なのは、発光層の成膜と光学干渉距離を調整するために設けた正孔障壁層及び電子輸送層の成膜であり、有機機能層の成膜に必要なマスク蒸着回数は、５回であった。

【0319】

実施例１に係る有機ＥＬ表示装置の赤色画素、緑色画素及び青色画素の正面での電流効率及び４５°での電流効率を、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２で測定した。
測定の結果、遅延蛍光性の化合物を有する発光層からの発光である赤色画素及び緑色画素、また、通常の蛍光発光である青色画素において高い効率が得られた。また、正面での電流効率及び４５°での電流効率の発光効率差が小さかった。

【0320】

〔比較例１〕
比較例１に係る有機ＥＬ表示装置を次のようにして製造した。

【0321】

実施例１と同様にして、ガラス基板の上へのＡＰＣ（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ）層の形成からＵＶオゾン洗浄まで実施した。
ＵＶオゾン洗浄の後、下部電極の上に、化合物ＨＴ－１及び化合物ＨＡを用いて、共通層としての正孔注入層を真空蒸着法により形成した。正孔注入層における化合物ＨＴ－１の質量比を９８質量％とし、化合物ＨＡの質量比を２質量％とした。正孔注入層の膜厚は、１０ｎｍとした。

【0322】

次に、正孔注入層の上に、化合物ＨＴ－１を用いて、共通層としての第１正孔輸送層を真空蒸着法により形成した。第１正孔輸送層の膜厚は、１２３ｎｍとした。

【0323】

続いて、発光パターンに対応したマスクを用いて同一基板上に対する蒸着の塗分けを施した。赤色画素の第１正孔輸送層及び緑色画素の第１正孔輸送層のそれぞれの上に、光学干渉距離を調整するための層を形成した。
光学干渉距離を調整するための層として、赤色画素部には、化合物ＨＴ－１を用いて、膜厚９０ｎｍの層を、マスクを用いた真空蒸着法により形成した。
光学干渉距離を調整するための層として、緑色画素部には、化合物ＨＴ－１を用いて、膜厚３０ｎｍの層を、マスクを用いた真空蒸着法により形成した。
青色画素の第１正孔輸送層の上には、光学干渉距離を調整するための層を形成しなかった。

【0324】

次に、青色画素の第１正孔輸送層の上、並びに赤色画素及び緑色画素の光学干渉距離を調整するための層の上に、化合物ＨＴ－２を用いて、共通層としての第２正孔輸送層を真空蒸着法により形成した。第２正孔輸送層の膜厚は、１０ｎｍとした。
比較例１において、正孔注入層と第１正孔輸送層と光学干渉距離を調整するための層と第２正孔輸送層とを合わせて、正孔輸送帯域と呼ぶ。

【0325】

続いて発光パターンに対応したマスクを用いて同一基板上に対する蒸着の塗分けを施した。

【0326】

赤色の画素部には、化合物ＣＢＰ、化合物ＲＤ及び化合物ＴＡＤＦ－１を用いて、膜厚４０ｎｍの赤色発光層を形成した。赤色発光層における化合物ＣＢＰの質量比を７９質量％とし、化合物ＲＤの質量比を１質量％とし、化合物ＴＡＤＦ－１の質量比を２０質量％とした。

【0327】

緑色の画素部には、化合物ＣＢＰ、化合物ＧＤ及び化合物ＴＡＤＦ－２を用いて、膜厚３０ｎｍの緑色発光層を形成した。緑色発光層における化合物ＣＢＰの質量比を７９質量％とし、ＧＤの質量比を１質量％とし、ＴＡＤＦ－２の質量比を２０質量％とした。

【0328】

青色の画素部には、化合物ＢＨ及び化合物ＢＤを用いて、膜厚２０ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層における化合物ＢＨの質量比を９５質量％とし、化合物ＢＤの質量比を５質量％とした。
赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層は、正孔輸送帯域の上に形成した。

【0329】

次に、赤色画素の赤色発光層、緑色画素の緑色発光層及び青色画素の青色発光層のそれぞれの上に、化合物ＥＴ－１を用いて、共通層としての第１電子輸送層を真空蒸着法により形成した。第１電子輸送層の膜厚は、１０ｎｍとした。

【0330】

次に、赤色画素、緑色画素及び青色画素の共通層としての第１電子輸送層の上に、化合物ＥＴ－２を用いて、共通層としての第２電子輸送層を真空蒸着法により形成した。第２電子輸送層の膜厚は、２０ｎｍとした。

【0331】

次に、カソード電極用マスクに変更し、共通層としての第２電子輸送層の上に、ＬｉＦを用いて、膜厚１ｎｍの共通層としての電子注入層を形成した。

【0332】

第１電子輸送層と第２電子輸送層と電子注入層とを合わせて、電子輸送帯域と呼ぶ。

【0333】

次に、電子注入層の上に、Ｍｇ：Ａｇの質量比が１：９である膜厚１２ｎｍの共通層としての電極（カソード）を形成し、この電極（カソード）の上に、化合物Ｃａｐ１を用いて、膜厚７０ｎｍの共通層としての有機キャッピング層を形成した。

【0334】

比較例１に係る有機ＥＬ表示装置の製造においてマスク蒸着が必要なのは、光学干渉距離を調整するために設けた層の成膜と発光層の成膜であり、有機機能層の成膜に必要なマスク蒸着回数は、５回であった。

【0335】

比較例１に係る有機ＥＬ表示装置の赤色画素、緑色画素及び青色画素の正面での電流効率及び４５°での電流効率を、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２で測定した。
測定の結果、正孔及び電子の再結合位置が電子輸送帯域側である、遅延蛍光性の化合物を有する発光層からの発光である赤色画素及び緑色画素の効率が低下した。また、赤色画素及び緑色画素の正面での電流効率及び４５°での電流効率の発光効率差が大きかった。

【0336】

〔比較例２〕
比較例２に係る有機ＥＬ表示装置を次のようにして製造した。

【0337】

実施例１と同様にして、ガラス基板の上へのＡＰＣ（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ）層の形成からＵＶオゾン洗浄まで実施した。
ＵＶオゾン洗浄の後、下部電極の上に、化合物ＨＴ－１及び化合物ＨＡを用いて、共通層としての正孔注入層を真空蒸着法により形成した。正孔注入層における化合物ＨＴ－１の質量比を９８質量％とし、化合物ＨＡの質量比を２質量％とした。正孔注入層の膜厚は、１０ｎｍとした。

【0338】

次に、正孔注入層の上に、化合物ＨＴ－１を用いて、共通層としての第１正孔輸送層を真空蒸着法により形成した。第１正孔輸送層の膜厚は、１２３ｎｍとした。

【0339】

続いて、発光パターンに対応したマスクを用いて同一基板上に対する蒸着の塗分けを施した。赤色画素の第１正孔輸送層及び緑色画素の第１正孔輸送層のそれぞれの上に、光学干渉距離を調整するための層を形成した。
光学干渉距離を調整するための層として、赤色画素部には、化合物ＨＴ－１を用いて、膜厚６０ｎｍの層を、マスクを用いた真空蒸着法により形成した。
光学干渉距離を調整するための層として、緑色画素部には、化合物ＨＴ－１を用いて、膜厚１５ｎｍの層を、マスクを用いた真空蒸着法により形成した。
青色画素の第１正孔輸送層の上には、光学干渉距離を調整するための層を形成しなかった。

【0340】

次に、青色画素の第１正孔輸送層の上、並びに赤色画素及び緑色画素の光学干渉距離を調整するための層の上に、化合物ＨＴ－２を用いて、共通層としての第２正孔輸送層を真空蒸着法により形成した。第２正孔輸送層の膜厚は、１０ｎｍとした。
比較例２において、正孔注入層と第１正孔輸送層と光学干渉距離を調整するための層と第２正孔輸送層とを合わせて、正孔輸送帯域と呼ぶ。

【0341】

続いて発光パターンに対応したマスクを用いて同一基板上に対する蒸着の塗分けを施した。

【0342】

赤色の画素部には、化合物ＣＢＰ、化合物ＲＤ及び化合物ＴＡＤＦ－１を用いて、膜厚４０ｎｍの赤色発光層を形成した。赤色発光層における化合物ＣＢＰの質量比を７９質量％とし、化合物ＲＤの質量比を１質量％とし、化合物ＴＡＤＦ－１の質量比を２０質量％とした。

【0343】

緑色の画素部には、化合物ＣＢＰ、化合物ＧＤ及び化合物ＴＡＤＦ－２を用いて、膜厚３０ｎｍの緑色発光層を形成した。緑色発光層における化合物ＣＢＰの質量比を７９質量％とし、ＧＤの質量比を１質量％とし、ＴＡＤＦ－２の質量比を２０質量％とした。

【0344】

青色の画素部には、化合物ＢＨ及び化合物ＢＤを用いて、膜厚２０ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層における化合物ＢＨの質量比を９５質量％とし、化合物ＢＤの質量比を５質量％とした。
赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層は、正孔輸送帯域の上に形成した。

【0345】

続いて、発光パターンに対応したマスクを用いて同一基板上に対する蒸着の塗分けを施した。赤色画素の赤色発光層及び緑色画素の緑色発光層のそれぞれの上に、光学干渉距離を調整するための層を形成した。

【0346】

光学干渉距離を調整するための層として、マスクを用いた真空蒸着法により、赤色画素部には化合物ＥＴ－１を用いて、膜厚１０ｎｍの正孔障壁層を形成した後、化合物ＥＴ－２を用いて、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を形成した。赤色画素における正孔障壁層及び電子輸送層からなる２層の合計膜厚は、３０ｎｍとした。

【0347】

光学干渉距離を調整するための層として、マスクを用いた真空蒸着法により、緑色画素部には化合物ＥＴ－１を用いて、膜厚１０ｎｍの正孔障壁層を形成した後、化合物ＥＴ－２を用いて、膜厚５ｎｍの電子輸送層を形成した。緑色画素における正孔障壁層及び電子輸送層からなる２層の合計膜厚は、１５ｎｍとした。

【0348】

青色画素の青色発光層の上には、光学干渉距離を調整するための層を形成しなかった。

【0349】

次に、赤色画素及び緑色画素の光学干渉距離を調整するための層の上、並びに青色画素の発光層の上に、化合物ＥＴ－２を用いて、膜厚３０ｎｍの共通層としての電子輸送層を真空蒸着法により形成した。

【0350】

次に、カソード電極用マスクに変更し、電子輸送層の上に、ＬｉＦを用いて、膜厚１ｎｍの共通層としての電子注入層を形成した。
正孔障壁層と電子輸送層と電子注入層とを合わせて、電子輸送帯域と呼ぶ。

【0351】

次に、電子注入層の上に、Ｍｇ：Ａｇの質量比が１：９である膜厚１２ｎｍの共通層としての電極（カソード）を形成し、この電極（カソード）の上に、化合物Ｃａｐ１を用いて、膜厚７０ｎｍの共通層としての有機キャッピング層を形成した。

【0352】

比較例２に係る有機ＥＬ表示装置の製造においてマスク蒸着が必要なのは、光学干渉距離を調整するために設けた層の成膜と発光層の成膜であり、有機機能層の成膜に必要なマスク蒸着回数は、７回であった。すなわち、実施例１及び比較例１に比較して、光学干渉距離を調整するための層を追加したことで、マスク蒸着回数が２回増加した。

【0353】

比較例２に係る有機ＥＬ表示装置の赤色画素、緑色画素及び青色画素の正面での電流効率及び４５°での電流効率を、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２で測定した。結果を表１に示した。

【0354】

〔比較例３〕
比較例３に係る有機ＥＬ表示装置を次のようにして製造した。

【0355】

実施例１と同様にして、ガラス基板の上へのＡＰＣ（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ）層の形成からＵＶオゾン洗浄まで実施した。
ＵＶオゾン洗浄の後、下部電極の上に、化合物ＨＴ－１及び化合物ＨＡを用いて、共通層としての正孔注入層を真空蒸着法により形成した。正孔注入層における化合物ＨＴ－１の質量比を９８質量％とし、化合物ＨＡの質量比を２質量％とした。正孔注入層の膜厚は、１０ｎｍとした。

【0356】

次に、正孔注入層の上に、化合物ＨＴ－１を用いて、共通層としての第１正孔輸送層を真空蒸着法により形成した。第１正孔輸送層の膜厚は、１２３ｎｍとした。

【0357】

次に、正孔注入層の上に、化合物ＨＴ－２を用いて、共通層としての第２正孔輸送層を真空蒸着法により形成した。第２正孔輸送層の膜厚は、１０ｎｍとした。
正孔注入層と第１正孔輸送層と第２正孔輸送層とを合わせて、正孔輸送帯域と呼ぶ。

【0358】

続いて、発光パターンに対応したマスクを用いて同一基板上に対する蒸着の塗分けを施した。

【0359】

赤色の画素部には、化合物ＣＢＰ、化合物ＲＤ及び化合物ＴＡＤＦ－１を用いて、膜厚１００ｎｍの赤色発光層を形成した。赤色発光層における化合物ＣＢＰの質量比を７９質量％とし、化合物ＲＤの質量比を１質量％とし、化合物ＴＡＤＦ－１の質量比を２０質量％とした。

【0360】

緑色の画素部には、化合物ＣＢＰ、化合物ＧＤ及び化合物ＴＡＤＦ－２を用いて、膜厚４５ｎｍの緑色発光層を形成した。緑色発光層における化合物ＣＢＰの質量比を７９質量％とし、ＧＤの質量比を１質量％とし、ＴＡＤＦ－２の質量比を２０質量％とした。

【0361】

青色の画素部には、化合物ＢＨ及び化合物ＢＤを用いて、膜厚２０ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層における化合物ＢＨの質量比を９５質量％とし、化合物ＢＤの質量比を５質量％とした。
赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層は、正孔輸送帯域の上に形成した。

【0362】

続いて、発光パターンに対応したマスクを用いて同一基板上に対する蒸着の塗分けを施した。赤色画素の赤色発光層及び緑色画素の緑色発光層のそれぞれの上に、光学干渉距離を調整するための層を形成した。

【0363】

光学干渉距離を調整するための層として、マスクを用いた真空蒸着法により、赤色画素部には化合物ＥＴ－１を用いて、膜厚１０ｎｍの正孔障壁層を形成した後、化合物ＥＴ－２を用いて、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を形成した。赤色画素における正孔障壁層及び電子輸送層からなる２層の合計膜厚は、３０ｎｍとした。

【0364】

光学干渉距離を調整するための層として、マスクを用いた真空蒸着法により、緑色画素部には化合物ＥＴ－１を用いて、膜厚１０ｎｍの正孔障壁層を形成した後、化合物ＥＴ－２を用いて、膜厚５ｎｍの電子輸送層を形成した。緑色画素における正孔障壁層及び電子輸送層からなる２層の合計膜厚は、１５ｎｍとした。

【0365】

青色画素の青色発光層の上には、光学干渉距離を調整するための層を形成しなかった。

【0366】

次に、赤色画素及び緑色画素の光学干渉距離を調整するための層の上、並びに青色画素の発光層の上に、化合物ＥＴ－２を用いて、膜厚３０ｎｍの共通層としての電子輸送層を真空蒸着法により形成した。

【0367】

次に、カソード電極用マスクに変更し、電子輸送層の上に、ＬｉＦを用いて、膜厚１ｎｍの共通層としての電子注入層を形成した。
正孔障壁層と電子輸送層と電子注入層とを合わせて、電子輸送帯域と呼ぶ。

【0368】

次に、電子注入層の上に、Ｍｇ：Ａｇの質量比が１：９である膜厚１２ｎｍの共通層としての電極（カソード）を形成し、この電極（カソード）の上に、化合物Ｃａｐ１を用いて、膜厚７０ｎｍの共通層としての有機キャッピング層を形成した。

【0369】

比較例３に係る有機ＥＬ表示装置の製造においてマスク蒸着が必要なのは、発光層の成膜と光学干渉距離を調整するために設けた層の成膜であり、有機機能層の成膜に必要なマスク蒸着回数は、５回であった。

【0370】

比較例３に係る有機ＥＬ表示装置の赤色画素、緑色画素及び青色画素の正面での電流効率及び４５°での電流効率を、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２で測定した。
比較例３に係る有機ＥＬ表示装置の製造においては、比較例２と比べて光学干渉距離を調整するために設けた層を減らし、発光層の膜厚を厚くしたことで、マスク蒸着回数は、実施例１及び比較例１と同様に５回であった。
しかしながら、発光層の膜厚が厚いことに起因して、有機ＥＬ素子の発光効率が大幅に低下した。

【0371】

＜有機ＥＬ表示装置の評価＞
実施例及び比較例で作製した有機ＥＬ表示装置について、以下の評価を行った。評価結果を表１に示す。

【0372】

（電流効率）
・電流効率
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように各色の素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定し、電流効率（ｃｄ／Ａ）を算出した。
角度０°の時の電流効率をＥ_０とし、角度４５°の時の電流効率をＥ_４５とする。電流効率の単位は、ｃｄ／Ａである。
表１には、実施例１の赤色画素の電流効率Ｅ_０及びＥ_４５を１００とした場合における、比較例１～３の赤色画素の電流効率の値を示した。例えば、電流効率Ｅ_０の場合は、｛（対象となる赤色画素の電流効率Ｅ_０）／（実施例１の赤色画素の電流効率Ｅ_０）｝×１００の数式で算出され、電流効率Ｅ_４５の場合は、｛（対象となる赤色画素の電流効率Ｅ_４５）／（実施例１の赤色画素の電流効率Ｅ_４５）｝×１００の数式で算出される。緑色画素及び青色画素についても、赤色画素の場合と同様に算出される。
また、表１には、各画素の電流効率Ｅ_４５の測定値を電流効率Ｅ_０の測定値で除した電流効率比Ｅ４５／Ｅ０も示した。

【0373】

【表1】

【0374】

＜化合物の評価＞
実施例及び比較例で使用した化合物の物性値を以下の方法で測定した。

【0375】

（遅延蛍光性）
・化合物ＴＡＤＦ－１の遅延蛍光性
遅延蛍光性は図２に示す装置を利用して過渡ＰＬを測定することにより確認した。前記化合物ＴＡＤＦ－１をトルエンに溶解し、自己吸収の寄与を取り除くため励起波長において吸光度が０．０５以下の希薄溶液を調製した。また酸素による消光を防ぐため、試料溶液を凍結脱気した後にアルゴン雰囲気下で蓋付きのセルに封入することで、アルゴンで飽和された酸素フリーの試料溶液とした。
上記試料溶液の蛍光スペクトルを分光蛍光光度計ＦＰ－８６００（日本分光社製）で測定し、また同条件で９，１０－ジフェニルアントラセンのエタノール溶液の蛍光スペクトルを測定した。両スペクトルの蛍光面積強度を用いて、Ｍｏｒｒｉｓ ｅｔ ａｌ． Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．８０（１９７６）９６９中の（１）式により全蛍光量子収率を算出した。
前記化合物ＴＡＤＦ－１が吸収する波長のパルス光（パルスレーザーから照射される光）で励起された後、当該励起状態から即座に観察されるＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）と、当該励起後、即座には観察されず、その後観察されるＤｅｌａｙ発光（遅延発光）とが存在する。本実施例における遅延蛍光発光とは、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量がＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量に対して５％以上を意味する。具体的には、Ｐｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量をＸ_Ｐとし、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量をＸ_Ｄとしたときに、Ｘ_Ｄ／Ｘ_Ｐの値が０．０５以上であることを意味する。
Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比は、“Ｎａｔｕｒｅ ４９２， ２３４－２３８， ２０１２” （参考文献１）に記載された方法と同様の方法により求めることができる。なお、Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量の算出に使用される装置は、前記参考文献１に記載の装置、または図２に記載の装置に限定されない。
化合物ＴＡＤＦ－１について、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量がＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量に対して５％以上あることが確認された。
具体的には、化合物ＴＡＤＦ－１について、Ｘ_Ｄ／Ｘ_Ｐの値が０．０５以上であった。

【0376】

・化合物ＴＡＤＦ－２の遅延蛍光性
化合物ＴＡＤＦ－１に代えて、化合物ＴＡＤＦ－２をそれぞれ用いたこと以外、上記と同様にして化合物ＴＡＤＦ－２の遅延蛍光性を確認した。
化合物ＴＡＤＦ－２について、Ｘ_Ｄ／Ｘ_Ｐの値は、０．０５以上であった。

【0377】

（一重項エネルギーＳ_１）
測定対象化合物の一重項エネルギーＳ_１を、前述の溶液法により測定した。測定結果を表２に示す。

【0378】

【表2】

【0379】

（７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップ）
化合物ＴＡＤＦ－１及び化合物ＴＡＤＦ－２の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋを前述の方法により測定した。

【0380】

（ΔＳＴ）
測定した一重項エネルギーＳ_１と７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋとに基づいて、ΔＳＴを算出した。化合物ＴＡＤＦ－１及び化合物ＴＡＤＦ－２のΔＳＴは、いずれも、０．０１ｅＶ未満と確認した。

【0381】

（主ピーク波長）
測定対象となる化合物の５μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の蛍光スペクトル（縦軸：蛍光発光強度、横軸：波長とする。）を測定した。本実施例では、蛍光スペクトルを日立社製の分光光度計（装置名：Ｆ－７０００）で測定した。なお、蛍光スペクトル測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。蛍光スペクトルにおいて、発光強度が最大となる蛍光スペクトルのピーク波長を主ピーク波長とした。
化合物ＲＤの主ピーク波長は、６０９ｎｍであった。
化合物ＧＤの主ピーク波長は、５１６ｎｍであった。
化合物ＢＤの主ピーク波長は、４４９ｎｍであった。

【符号の説明】

【0382】

１，１Ａ，１Ｂ…有機ＥＬ表示装置
１０Ｂ…青色有機ＥＬ素子
１０Ｇ…緑色有機ＥＬ素子
１０Ｒ…赤色有機ＥＬ素子
２，２Ｂ，２Ｇ，２Ｒ…光反射層
３，３Ｂ，３Ｇ，３Ｒ…透明電極
４，４Ｂ，４Ｇ，４Ｒ…正孔輸送帯域
５…発光層
５Ｂ…青色発光層
５Ｇ…緑色発光層
５Ｒ…赤色発光層
６，６Ｂ，６Ｇ，６Ｒ…電子輸送帯域
７，７Ｂ，７Ｇ，７Ｒ…半透過性電極
８…基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】