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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022144574
(43)【公開日】2022-10-03
(54)【発明の名称】半導体レーザ素子、発光装置、及びそれらの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01S 5/042 20060101AFI20220926BHJP
H01S 5/0236 20210101ALI20220926BHJP
H01S 5/22 20060101ALI20220926BHJP
【ＦＩ】
H01S5/042 612
H01S5/0236
H01S5/22
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021045643
(22)【出願日】2021-03-19
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(72)【発明者】
【氏名】山田 晃平
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173AA08
5F173AH22
5F173AK21
5F173AL02
5F173AL04
5F173AP05
5F173AP82
5F173AP93
5F173AR93
5F173MD63
5F173MD73
5F173MD83
5F173ME03
5F173ME83
5F173ME85
(57)【要約】
【課題】合否判定精度を向上することができる半導体レーザ素子、発光装置、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面と、第２主面と、光出射端面と、光反射端面と、光導波路と、を有する半導体含有部と、第１主面に設けられた電極と、第１主面の電極から離れた位置に設けられた１以上の金属膜と、を備え、第１主面の外縁は、光出射端面の側の第１辺を有し、第１主面と光導波路との間の距離は、第２主面と光導波路との間の距離よりも大きく、１以上の金属膜は、第１主面の第１辺に接しており、（ａ）１以上の金属膜の第１辺に沿った長さは、電極の第１辺と平行な方向における長さよりも小さい、及び／又は、（ｂ）１以上の金属膜は、第１主面の法線方向からみた平面視において、光導波路と重ならない位置に配置されている、半導体レーザ素子。
【選択図】図１
【解決手段】第１主面と、第２主面と、光出射端面と、光反射端面と、光導波路と、を有する半導体含有部と、第１主面に設けられた電極と、第１主面の電極から離れた位置に設けられた１以上の金属膜と、を備え、第１主面の外縁は、光出射端面の側の第１辺を有し、第１主面と光導波路との間の距離は、第２主面と光導波路との間の距離よりも大きく、１以上の金属膜は、第１主面の第１辺に接しており、（ａ）１以上の金属膜の第１辺に沿った長さは、電極の第１辺と平行な方向における長さよりも小さい、及び／又は、（ｂ）１以上の金属膜は、第１主面の法線方向からみた平面視において、光導波路と重ならない位置に配置されている、半導体レーザ素子。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１主面と、第２主面と、光出射端面と、光反射端面と、光導波路と、を有する半導体含有部と、
前記第１主面に設けられた電極と、
前記第１主面の前記電極から離れた位置に設けられた１以上の金属膜と、を備え、
前記第１主面の外縁は、前記光出射端面の側の第１辺を有し、
前記第１主面と前記光導波路との間の距離は、前記第２主面と前記光導波路との間の距離よりも大きく、
前記１以上の金属膜は、前記第１主面の前記第１辺に接しており、
（ａ）前記１以上の金属膜の前記第１辺に沿った長さは、前記電極の前記第１辺と平行な方向における長さよりも小さい、及び／又は、
（ｂ）前記１以上の金属膜は、前記第１主面の法線方向からみた平面視において、前記光導波路と重ならない位置に配置されている、半導体レーザ素子。
前記第１主面に設けられた電極と、
前記第１主面の前記電極から離れた位置に設けられた１以上の金属膜と、を備え、
前記第１主面の外縁は、前記光出射端面の側の第１辺を有し、
前記第１主面と前記光導波路との間の距離は、前記第２主面と前記光導波路との間の距離よりも大きく、
前記１以上の金属膜は、前記第１主面の前記第１辺に接しており、
（ａ）前記１以上の金属膜の前記第１辺に沿った長さは、前記電極の前記第１辺と平行な方向における長さよりも小さい、及び／又は、
（ｂ）前記１以上の金属膜は、前記第１主面の法線方向からみた平面視において、前記光導波路と重ならない位置に配置されている、半導体レーザ素子。
【請求項2】
前記１以上の金属膜の前記第１辺に沿った長さは、前記電極の前記第１辺と平行な方向における長さの７０％以下である、請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項3】
前記１以上の金属膜は、複数の金属膜である、請求項１又は２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項4】
前記複数の金属膜の前記第１辺に沿った長さの合計は、前記第１辺の長さの３０％以上である、請求項３に記載の半導体レーザ素子。
【請求項5】
前記複数の金属膜は、前記第１主面の法線方向からみた平面視において、前記光導波路を挟む位置に配置された１組の金属膜を含む、請求項３又は４に記載の半導体レーザ素子。
【請求項6】
前記第１主面の外縁は、前記光反射端面の側の第２辺を有し、
前記１以上の金属膜は、１以上の第１金属膜であり、
前記半導体レーザ素子は、前記第１主面の前記電極から離れた位置に設けられ、前記第１主面の前記第２辺に接している１以上の第２金属膜を備える、請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
前記１以上の金属膜は、１以上の第１金属膜であり、
前記半導体レーザ素子は、前記第１主面の前記電極から離れた位置に設けられ、前記第１主面の前記第２辺に接している１以上の第２金属膜を備える、請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項7】
前記半導体含有部は、
前記第１主面を構成する第１基板主面と、前記第１基板主面とは反対の側の第２基板主面と、を有する基板と、
前記基板の前記第２基板主面に設けられた半導体層と、を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
前記第１主面を構成する第１基板主面と、前記第１基板主面とは反対の側の第２基板主面と、を有する基板と、
前記基板の前記第２基板主面に設けられた半導体層と、を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項8】
前記電極は第１電極であり、
前記第２主面に設けられた第２電極を備える、請求項７に記載の半導体レーザ素子。
前記第２主面に設けられた第２電極を備える、請求項７に記載の半導体レーザ素子。
【請求項9】
請求項１～８のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子が固定される基体と、を備える発光装置であって、
前記半導体レーザ素子は、前記第２主面が前記基体と対面する配置で前記基体に固定されている、発光装置。
前記半導体レーザ素子が固定される基体と、を備える発光装置であって、
前記半導体レーザ素子は、前記第２主面が前記基体と対面する配置で前記基体に固定されている、発光装置。
【請求項10】
第１主面と第２主面と光導波路とを有する半導体含有部を準備する工程と、
前記半導体含有部の前記第１主面に、第１方向に並ぶ複数の電極と、前記複数の電極の間であって且つ前記複数の電極から離れた位置に、前記第１方向と交わる第２方向における長さが前記複数の電極の前記第２方向における長さよりも小さい１以上の金属膜と、を形成する工程と、
前記複数の電極の間を、前記第２方向に沿って、前記１以上の金属膜を分断する位置で劈開する工程と、を備え、
前記第１主面と前記光導波路との間の距離は、前記第２主面と前記光導波路との間の距離よりも大きい、半導体レーザ素子の製造方法。
前記半導体含有部の前記第１主面に、第１方向に並ぶ複数の電極と、前記複数の電極の間であって且つ前記複数の電極から離れた位置に、前記第１方向と交わる第２方向における長さが前記複数の電極の前記第２方向における長さよりも小さい１以上の金属膜と、を形成する工程と、
前記複数の電極の間を、前記第２方向に沿って、前記１以上の金属膜を分断する位置で劈開する工程と、を備え、
前記第１主面と前記光導波路との間の距離は、前記第２主面と前記光導波路との間の距離よりも大きい、半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項11】
第１主面と第２主面と光導波路とを有する半導体含有部を準備する工程と、
前記半導体含有部の前記第１主面に、第１方向に並ぶ複数の電極と、前記複数の電極の間であって、且つ、前記複数の電極から離れた位置であって、且つ、前記第１主面の法線方向からみた平面視において前記光導波路と重ならない位置に、１以上の金属膜と、を形成する工程と、
前記複数の電極の間を、前記第１方向と交わる第２方向に沿って、前記１以上の金属膜を分断する位置で劈開する工程と、を備え、
前記第１主面と前記光導波路との間の距離は、前記第２主面と前記光導波路との間の距離よりも大きい、半導体レーザ素子の製造方法。
前記半導体含有部の前記第１主面に、第１方向に並ぶ複数の電極と、前記複数の電極の間であって、且つ、前記複数の電極から離れた位置であって、且つ、前記第１主面の法線方向からみた平面視において前記光導波路と重ならない位置に、１以上の金属膜と、を形成する工程と、
前記複数の電極の間を、前記第１方向と交わる第２方向に沿って、前記１以上の金属膜を分断する位置で劈開する工程と、を備え、
前記第１主面と前記光導波路との間の距離は、前記第２主面と前記光導波路との間の距離よりも大きい、半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項12】
請求項１０又は１１に記載の方法により半導体レーザ素子を準備する工程と、
前記半導体レーザ素子を、前記第２主面が基体と対面する配置で、前記基体に固定する工程と、を備える、発光装置の製造方法。
前記半導体レーザ素子を、前記第２主面が基体と対面する配置で、前記基体に固定する工程と、を備える、発光装置の製造方法。
【請求項13】
前記基体に固定する工程の後に、前記半導体レーザ素子の前記１以上の金属膜と、前記基体の端部又は端部を推定可能な部分とを含む認識対象物の外形の少なくとも一部を検出する工程と、
前記検出した認識対象物の外形の少なくとも一部を用いて合否判定を行う工程と、を備える、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
前記検出した認識対象物の外形の少なくとも一部を用いて合否判定を行う工程と、を備える、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体レーザ素子、発光装置、及びそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、共振器長のチップサイズ内に収まるチップサイズよりも小さい複数の電極パターンを形成し、電極パターン間で分割して個々の半導体レーザを得る半導体レーザの製造方法が記載されている。特許文献１では、この方法では同一の半導体ウエハから異なる共振器長のレーザチップを生産することが困難であるため、その解決手段として、電極パターンを共振器長方向に連続して形成する半導体レーザの製造方法が記載されている。この方法では、電極パターンを横切る位置で劈開して個々の半導体レーザを得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００４－０９５８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
電極パターンと電極パターンの間で分割することにより得られたレーザ素子では、レーザ素子の端面には電極パターンがないため、レーザ素子の端面の位置を画像認識装置等で判定できない場合がある。この場合、例えば、電極パターンを画像認識装置等で認識し、その電極パターンから所定の距離に端面が位置していると推定する。このような推定を元に例えばレーザ素子を実装した位置等の種々の合否判定を行うことができるが、端面の実際の位置は必ずしも推定した位置と一致するとは限らないため、本来は良品であるものを不良品として誤判定する可能性がある。
【0005】
また、特許文献１に記載された製造方法のように電極パターンを横切る位置で劈開を行うと、電極パターンは劈開で得られる端部にまで形成されるが、一方で、劈開により電極パターンが延伸して短絡等を引き起こす懸念がある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示は、以下の発明を含む。
第１主面と、第２主面と、光出射端面と、光反射端面と、光導波路と、を有する半導体含有部と、
前記第１主面に設けられた電極と、
前記第１主面の前記電極から離れた位置に設けられた１以上の金属膜と、を備え、
前記第１主面の外縁は、前記光出射端面の側の第１辺を有し、
前記第１主面と前記光導波路との間の距離は、前記第２主面と前記光導波路との間の距離よりも大きく、
前記１以上の金属膜は、前記第１主面の前記第１辺に接しており、
（ａ）前記１以上の金属膜の前記第１辺に沿った長さは、前記電極の前記第１辺と平行な方向における長さよりも小さい、及び／又は、
（ｂ）前記１以上の金属膜は、前記第１主面の法線方向からみた平面視において、前記光導波路と重ならない位置に配置されている、半導体レーザ素子。
第１主面と、第２主面と、光出射端面と、光反射端面と、光導波路と、を有する半導体含有部と、
前記第１主面に設けられた電極と、
前記第１主面の前記電極から離れた位置に設けられた１以上の金属膜と、を備え、
前記第１主面の外縁は、前記光出射端面の側の第１辺を有し、
前記第１主面と前記光導波路との間の距離は、前記第２主面と前記光導波路との間の距離よりも大きく、
前記１以上の金属膜は、前記第１主面の前記第１辺に接しており、
（ａ）前記１以上の金属膜の前記第１辺に沿った長さは、前記電極の前記第１辺と平行な方向における長さよりも小さい、及び／又は、
（ｂ）前記１以上の金属膜は、前記第１主面の法線方向からみた平面視において、前記光導波路と重ならない位置に配置されている、半導体レーザ素子。
【0007】
上述の半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子が固定される基体と、を備える発光装置であって、
前記半導体レーザ素子は、前記第２主面が前記基体と対面する配置で前記基体に固定されている、発光装置。
前記半導体レーザ素子が固定される基体と、を備える発光装置であって、
前記半導体レーザ素子は、前記第２主面が前記基体と対面する配置で前記基体に固定されている、発光装置。
【0008】
第１主面と第２主面と光導波路とを有する半導体含有部を準備する工程と、
前記半導体含有部の前記第１主面に、第１方向に並ぶ複数の電極と、前記複数の電極の間であって且つ前記複数の電極から離れた位置に、前記第１方向と交わる第２方向における長さが前記複数の電極の前記第２方向における長さよりも小さい１以上の金属膜と、を形成する工程と、
前記複数の電極の間を、前記第２方向に沿って、前記１以上の金属膜を分断する位置で劈開する工程と、を備え、
前記第１主面と前記光導波路との間の距離は、前記第２主面と前記光導波路との間の距離よりも大きい、半導体レーザ素子の製造方法。
前記半導体含有部の前記第１主面に、第１方向に並ぶ複数の電極と、前記複数の電極の間であって且つ前記複数の電極から離れた位置に、前記第１方向と交わる第２方向における長さが前記複数の電極の前記第２方向における長さよりも小さい１以上の金属膜と、を形成する工程と、
前記複数の電極の間を、前記第２方向に沿って、前記１以上の金属膜を分断する位置で劈開する工程と、を備え、
前記第１主面と前記光導波路との間の距離は、前記第２主面と前記光導波路との間の距離よりも大きい、半導体レーザ素子の製造方法。
【0009】
第１主面と第２主面と光導波路とを有する半導体含有部を準備する工程と、
前記半導体含有部の前記第１主面に、第１方向に並ぶ複数の電極と、前記複数の電極の間であって、且つ、前記複数の電極から離れた位置であって、且つ、前記第１主面の法線方向からみた平面視において前記光導波路と重ならない位置に、１以上の金属膜と、を形成する工程と、
前記複数の電極の間を、前記第１方向と交わる第２方向に沿って、前記１以上の金属膜を分断する位置で劈開する工程と、を備え、
前記第１主面と前記光導波路との間の距離は、前記第２主面と前記光導波路との間の距離よりも大きい、半導体レーザ素子の製造方法。
前記半導体含有部の前記第１主面に、第１方向に並ぶ複数の電極と、前記複数の電極の間であって、且つ、前記複数の電極から離れた位置であって、且つ、前記第１主面の法線方向からみた平面視において前記光導波路と重ならない位置に、１以上の金属膜と、を形成する工程と、
前記複数の電極の間を、前記第１方向と交わる第２方向に沿って、前記１以上の金属膜を分断する位置で劈開する工程と、を備え、
前記第１主面と前記光導波路との間の距離は、前記第２主面と前記光導波路との間の距離よりも大きい、半導体レーザ素子の製造方法。
【0010】
上述の方法により半導体レーザ素子を準備する工程と、
前記半導体レーザ素子を、前記第２主面が基体と対面する配置で、前記基体に固定する工程と、を備える、発光装置の製造方法。
前記半導体レーザ素子を、前記第２主面が基体と対面する配置で、前記基体に固定する工程と、を備える、発光装置の製造方法。
【発明の効果】
【0011】
上述の半導体レーザ素子、発光装置、及びそれらの製造方法によれば、合否判定精度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の一実施形態の半導体レーザ素子を示す模式的な平面図である。
【図3】本発明の一実施形態の半導体レーザ素子の別の例を示す模式的な平面図である。
【図4A】本発明の一実施形態の発光装置を示す模式的な平面図である。
【図4B】本発明の一実施形態の発光装置の別の例を示す模式的な断面図である。
【図5】本発明の一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法を示すフローチャートである。
【図6】本発明の一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式的な平面図である。
【図8】本発明の一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式的な平面図である。
【図10】本発明の一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式的な平面図である。
【図11】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、図面を参照し、本発明の一実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。また、各断面図では、切断面の様子のみを示し、切断面に存在しない部材は図示を省略する。
【0014】
図１は、一実施形態の半導体レーザ素子を示す模式的な平面図である。図２Ａは、図１のIIＡ－IIＡ線における断面図である。図２Ｂは、図１のIIＢ－IIＢ線における断面図である。図１～図２Ｂに示すように、半導体レーザ素子１００は、半導体含有部１０と、電極２０と、１以上の金属膜３０と、を有する。
【0015】
（半導体含有部１０）
半導体含有部１０は、第１主面１１と、第２主面１２と、光出射端面１３と、光反射端面１４と、光導波路１５と、を有する。第１主面１１の外縁は、光出射端面１３の側の第１辺１１ａを有する。第１主面１１の外縁は、光反射端面１４の側の第２辺１１ｂを有する。第１主面１１の外縁は、第１主面１１の法線方向からみた平面視において、例えば四角形である。第２主面１２の外縁は、第２主面１２の法線方向からみた平面視において、例えば四角形である。例えば、第１主面１１は平面であり、第２主面１２にはリッジ１７ｄが設けられている。もし金属膜３０を段差のある部分に設けると、段差によってコントラストが生じるため、画像認識装置等によって段差が金属膜３０の外形であると誤検出される可能性がある。このため、金属膜３０は平坦な部分に設けることが好ましい。第１主面１１が平面であれば、金属膜３０をどこに形成しても段差がないため、金属膜３０の形成位置の自由度を向上することができる。
半導体含有部１０は、第１主面１１と、第２主面１２と、光出射端面１３と、光反射端面１４と、光導波路１５と、を有する。第１主面１１の外縁は、光出射端面１３の側の第１辺１１ａを有する。第１主面１１の外縁は、光反射端面１４の側の第２辺１１ｂを有する。第１主面１１の外縁は、第１主面１１の法線方向からみた平面視において、例えば四角形である。第２主面１２の外縁は、第２主面１２の法線方向からみた平面視において、例えば四角形である。例えば、第１主面１１は平面であり、第２主面１２にはリッジ１７ｄが設けられている。もし金属膜３０を段差のある部分に設けると、段差によってコントラストが生じるため、画像認識装置等によって段差が金属膜３０の外形であると誤検出される可能性がある。このため、金属膜３０は平坦な部分に設けることが好ましい。第１主面１１が平面であれば、金属膜３０をどこに形成しても段差がないため、金属膜３０の形成位置の自由度を向上することができる。
【0016】
第１主面１１と光導波路１５との間の距離は、第２主面１２と光導波路１５との間の距離よりも大きい。これにより、後述するように半導体レーザ素子１００の第２主面１２が基体と対面する配置で半導体レーザ素子１００が基体に固定される場合に、金属膜３０を用いて光出射端面１３と基体との位置関係を検出することができる。したがって、それらの位置関係の合否判定の精度を向上させることができる。第１主面１１から光導波路１５までの距離と第２主面１２から光導波路１５までの距離との大小関係は、第１主面１１から活性層１７ｂまでの距離と第２主面１２から活性層１７ｂまでの距離との大小関係をもって判断してもよい。すなわち、第１主面１１と活性層１７ｂとの間の距離が、第２主面１２と活性層１７ｂとの間の距離よりも大きければ、第１主面１１と光導波路１５との間の距離が、第２主面１２と光導波路１５との間の距離よりも大きいといえる。
【0017】
光導波路１５は、光出射端面１３と光反射端面１４を繋ぐ位置に配置されている。光導波路１５は、例えば一方向に長い形状である。光導波路１５は、例えば光出射端面１３および光反射端面１４と交わる方向に長い形状である。光導波路１５の長手方向は、光出射端面１３および光反射端面１４に対して８０～１００°の角度で交わることができる。光導波路１５の短手方向は、平面視において、長手方向と垂直に交わる方向である。
【0018】
半導体含有部１０は、基板１６と、半導体層１７と、を有することができる。基板１６は、第１基板主面１６ａと、第１基板主面１６ａとは反対の側の第２基板主面１６ｂと、を有する。半導体層１７は、基板１６の第２基板主面１６ｂに設けられている。
【0019】
基板１６は、例えば半導体基板である。基板１６として例えばＧａＮ基板等の窒化物半導体基板を用いることができる。ＧａＮ等のウルツ鉱構造を有する窒化物半導体の劈開容易面はｍ面（すなわち、｛１０－１０｝面）である。例えば、基板１６の＋ｃ面（すなわち、（０００１）面）に半導体層１７を形成し、基板１６及び半導体層１７のｍ面を光出射端面１３及び光反射端面１４とすることができる。ｃ面は、厳密に（０００１）面と一致する面に限らず、±１度の範囲内のオフ角を有する面も含む。ｍ面は、厳密に｛１０－１０｝面と一致する面に限らず、｛１０－１０｝面からのずれが１度未満の面も含む。基板１６を設けず、半導体含有部１０が半導体層１７のみからなっていてもよい。
【0020】
半導体層１７は、第１導電型半導体層１７ａと、活性層１７ｂと、第２導電型半導体層１７ｃとを有する。これらを構成する半導体は、窒化物半導体とすることができ、例えば、III族窒化物半導体とする。III族窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮが挙げられる。
【0021】
第１導電型半導体層１７ａは、例えばｎ型半導体層である。第２導電型半導体層１７ｃは、例えばｐ型半導体層である。基板１６と、第１導電型半導体層１７ａと、活性層１７ｂと、第２導電型半導体層１７ｃとは、それぞれ直接接していてもよく、それらの間に別の半導体層が配置されていてもよい。例えば、第２導電型半導体層１７ｃと活性層１７ｂとの間にアンドープの層が配置されていてもよい。活性層１７ｂは、多重量子井戸構造、又は、単一量子井戸構造とすることができる。基板１６の上に形成される複数の層としては、例えば、基板１６側から順に、ｎ側クラッド層、ｎ側光ガイド層、活性層１７ｂ、ｐ側電子閉じ込め層、ｐ側光ガイド層、ｐ側クラッド層、ｐ側コンタクト層が挙げられる。例えば、ｎ側クラッド層が第１導電型半導体層１７ａであり、ｐ側コンタクト層が第２導電型半導体層１７ｃである。
【0022】
半導体層１７は、基板１６と反対の側の面にリッジ１７ｄが設けられている。平面視で、リッジ１７ｄは、光出射端面１３と光反射端面１４を繋ぐ位置に配置されている。リッジ１７ｄは、例えば一方向に長い形状である。リッジ１７ｄは、例えば光出射端面１３および光反射端面１４と交わる方向に長い形状である。リッジ１７ｄの長手方向は、光出射端面１３および光反射端面１４に対して８０～１００°の角度で交わることができる。リッジ１７ｄは、例えばストライプ状である。リッジ１７ｄによって光導波路を規定することができる。例えば、第１主面１１の法線方向からみた平面視においては、リッジ１７ｄと一致する部分を光導波路１５とみなすことができる。リッジ１７ｄは、例えば、第２導電型半導体層１７ｃの上面の一部に形成されている。
【0023】
（電極２０）
電極２０は、第１主面１１に設けられている。図１～図２Ｂにおいて、第１主面１１は、基板１６の第１基板主面１６ａで構成されている。すなわち、電極２０は第１基板主面１６ａに設けられている。電極２０は、例えばｎ電極である。電極２０は、例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌのいずれか１以上の金属又は合金の層を１層以上有する。電極２０は、例えば、最表面をＡｕ層とする。電極２０は、第１主面１１の第１辺１１ａに接していない。平面視において、電極２０と第１辺１１ａとの間の距離は、１５μｍ以上とすることができ、４５μｍ以下とすることができる。電極２０は、第１主面１１の第２辺１１ｂに接していない。平面視において、電極２０と第２辺１１ｂとの間の距離は、１５μｍ以上であってもよい。電極２０と第２辺１１ｂとの間の距離は、４５μｍ以下とすることができる。電極２０と第２辺１１ｂは接していてもよい。図１では、複数の金属膜３０の間に電極２０は配置されていないが、複数の金属膜３０の間に電極の一部が配置されていてもよい。
電極２０は、第１主面１１に設けられている。図１～図２Ｂにおいて、第１主面１１は、基板１６の第１基板主面１６ａで構成されている。すなわち、電極２０は第１基板主面１６ａに設けられている。電極２０は、例えばｎ電極である。電極２０は、例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌのいずれか１以上の金属又は合金の層を１層以上有する。電極２０は、例えば、最表面をＡｕ層とする。電極２０は、第１主面１１の第１辺１１ａに接していない。平面視において、電極２０と第１辺１１ａとの間の距離は、１５μｍ以上とすることができ、４５μｍ以下とすることができる。電極２０は、第１主面１１の第２辺１１ｂに接していない。平面視において、電極２０と第２辺１１ｂとの間の距離は、１５μｍ以上であってもよい。電極２０と第２辺１１ｂとの間の距離は、４５μｍ以下とすることができる。電極２０と第２辺１１ｂは接していてもよい。図１では、複数の金属膜３０の間に電極２０は配置されていないが、複数の金属膜３０の間に電極の一部が配置されていてもよい。
【0024】
（金属膜３０）
金属膜３０は、第１主面１１に設けられている。金属膜３０は、電極２０から離れた位置に設けられている。金属膜３０は、第１主面１１の第１辺１１ａに接している。金属膜３０は、下の（ａ）及び（ｂ）の少なくともいずれか一方を満たす。両方満たしていてもよい。（ａ）金属膜３０の第１辺１１ａに沿った長さＬ３０は、電極２０の第１辺１１ａと平行な方向における長さＬ２０よりも小さい。（ｂ）金属膜３０は、第１主面１１の法線方向からみた平面視において、光導波路１５と重ならない位置に配置されている。
金属膜３０は、第１主面１１に設けられている。金属膜３０は、電極２０から離れた位置に設けられている。金属膜３０は、第１主面１１の第１辺１１ａに接している。金属膜３０は、下の（ａ）及び（ｂ）の少なくともいずれか一方を満たす。両方満たしていてもよい。（ａ）金属膜３０の第１辺１１ａに沿った長さＬ３０は、電極２０の第１辺１１ａと平行な方向における長さＬ２０よりも小さい。（ｂ）金属膜３０は、第１主面１１の法線方向からみた平面視において、光導波路１５と重ならない位置に配置されている。
【0025】
金属膜３０を設けることによって、合否判定精度を向上することができる。すなわち、金属膜３０が第１主面１１の第１辺１１ａに接しているため、光出射端面１３の位置を金属膜３０によって判別することができる。これにより、光出射端面１３の実際の位置を元に合否判定をすることができるため、合否判定精度を向上させることができる。また、後述する基体に半導体レーザ素子１００を固定した後、金属膜３０の外形を画像認識装置等を用いて検出することにより光出射端面１３の位置を特定し、基体の端部と光出射端面１３の位置関係から、半導体レーザ素子１００の固定位置の合否判定を行うことができる。
【0026】
また、金属膜３０を設けることによって、後述の図３に示す端面保護膜６２が電極２０に達する確率を低減することが可能である。光出射端面１３から電極２０までの間に金属膜３０があり、金属膜３０によって光出射端面１３に設けられる端面保護膜６２の回り込みを低減することができるためである。この場合、第１主面１１が平面であって、金属膜３０の厚さと電極２０の厚さが等しいか、金属膜３０の厚さの方が大きいことがより好ましい。これにより、光出射端面１３に設けられる端面保護膜６２が電極２０に到達する可能性をより低減することができる。特に、端面保護膜６２を形成する際に第１主面１１の側にスペーサを配置する場合に、金属膜３０の厚さと電極２０の厚さがそのような関係であれば、金属膜３０とスペーサによって端面保護膜６２の回り込みをより低減することができる。
【0027】
金属膜３０は、電極２０と繋がっていない。このため、電極２０を第１辺１１ａに接して形成する場合と比較して、光出射端面１３を形成する際に短絡が生じる可能性が低い。電極２０と金属膜３０との間の距離は、５μｍ以上とすることができる。これにより、より確実に電極２０と金属膜３０とを分離することができる。電極２０と金属膜３０との間の距離は、２０μｍ以下とすることができる。
【0028】
金属膜３０の第１辺１１ａに沿った長さＬ３０は、電極２０の第１辺１１ａと平行な方向における長さＬ２０よりも小さい。これにより、短絡が生じる可能性をさらに低減することができる。また、光出射端面１３が金属膜３０に覆われる確率を低減することができる。金属膜３０の第１辺１１ａに沿った長さＬ３０は、金属膜３０の第１辺１１ａと接する部分の長さを指す。電極２０の第１辺１１ａと平行な方向における長さＬ２０は、電極２０の第１辺１１ａと平行な方向における長さのうち、最も大きいものを指す。金属膜３０の第１辺１１ａに沿った長さＬ３０は、電極２０の光出射端面１３側の端部の第１辺１１ａと平行な方向における長さよりも小さくてもよい。
【0029】
金属膜３０の第１辺１１ａに沿った長さＬ３０は、電極２０の第１辺１１ａと平行な方向における長さＬ２０の９０％以下とすることができ、７０％以下とすることが好ましく、３０％以下とすることがより好ましい。これにより、短絡が生じる可能性を低減することができる。また、光出射端面１３が金属膜３０に覆われる確率を低減することができる。金属膜３０の第１辺１１ａに沿った長さＬ３０は、電極２０の第１辺１１ａと平行な方向における長さＬ２０の１０％以上とすることができる。
【0030】
金属膜３０の第１辺１１ａに沿った長さＬ３０は、１０μｍ以上とすることができ、２０μｍ以上とすることが好ましい。これにより、金属膜３０の画像認識の精度を向上させることができる。金属膜３０の第１辺１１ａに沿った長さＬ３０は、１００μｍ以下とすることができる。これにより、短絡が生じる可能性を低減することができる。
【0031】
金属膜３０の第１辺１１ａに沿った長さＬ３０が長いほど、金属膜３０を画像認識することによる光出射端面１３の位置特定の精度を向上させることができる。一方で、短絡の可能性を低減するためや光出射端面１３が金属膜３０に覆われる確率を低減するためには、金属膜３０の第１辺１１ａに沿った長さＬ３０は短いほどよい。これらを両立するために、金属膜３０は、複数設けることが好ましい。図１では、２つの金属膜３０を設けている。
【0032】
複数の金属膜３０の第１辺１１ａに沿った長さＬ３０の合計は、第１辺１１ａの長さＬ１１ａの３０％以上とすることが好ましい。これにより、金属膜３０による光出射端面１３の位置特定の精度を向上させることができる。複数の金属膜３０の第１辺１１ａに沿った長さＬ３０の合計は、第１辺１１ａの長さＬ１１ａ未満とすることができる。複数の金属膜３０の第１辺１１ａに沿った方向の一方の端から他方の端までの距離Ｄ３０は、第１辺１１ａの長さＬ１１ａの半分以上とすることが好ましく、２／３以上とすることがより好ましい。これにより、金属膜３０による光出射端面１３の位置特定の精度を向上させることができる。距離Ｄ３０は、複数の金属膜３０の第１辺１１ａと接する部分のうち、最も離れた端から端までの距離を指す。距離Ｄ３０は、第１辺１１ａの長さＬ１１ａ未満とすることができる。距離Ｄ３０は、電極２０の第１辺１１ａと平行な方向における長さＬ２０未満でもよく、電極２０の第１辺１１ａと平行な方向における長さＬ２０以上でもよい。複数の金属膜３０のうち隣り合う金属膜３０間の最短距離は、例えば、金属膜３０と電極２０との間の最短距離よりも大きい。
【0033】
図１に示すように、金属膜３０は、平面視において、光導波路１５と重ならない位置に配置されている。これにより、光出射端面１３が金属膜３０に覆われる確率を低減することができる。複数の金属膜３０は、平面視において、光導波路１５を挟む位置に配置された１組の金属膜３０を含むことができる。平面視において、第１主面１１の光導波路１５によって区切られた２つの領域のうち一方の領域に複数の金属膜３０の１以上を配置し、他方の領域に複数の金属膜３０の別の１以上を配置することができる。これにより、一方の領域のみに複数の金属膜３０を配置する場合と比較して、複数の金属膜３０の第１辺１１ａに沿った方向の一方の端から他方の端までの距離Ｄ３０を長くすることができ、金属膜３０による光出射端面１３の位置特定の精度を向上させることができる。図１では、第１主面１１の光導波路１５によって区切られた２つの領域のうち一方の領域に１つの金属膜３０を配置し、他方の領域に別の１つの金属膜３０を配置している。
【0034】
複数の金属膜３０は、何かを基準として左右対称の配置であってもよく、左右対称の配置でなくてもよい。図１に示す半導体レーザ素子１００では、複数の金属膜３０は、第１主面１１の法線方向からみた平面視において、光導波路１５を挟んで左右対称に配置されている。図１では、平面視において、第１辺１１ａの中点と第２辺１１ｂの中点を結ぶ線と重なる位置に光導波路１５が配置されている。この場合、このように光導波路１５を挟んで左右対称に複数の金属膜３０を配置することで、金属膜３０を効率よく配置することができる。光導波路１５を第１辺１１ａの中点と第２辺１１ｂの中点を結ぶ線と重ならない位置に設ける場合は、光導波路１５の左側と右側のうち面積の小さな一方に設ける金属膜３０の長さＬ３０を、他方に設ける金属膜３０の長さＬ３０より小さくすることが好ましい。
【0035】
金属膜３０の外縁は、平面視において、例えば四角形である。金属膜３０の光導波路１５の長手方向に沿った長さは、１０μｍ以上とすることができ、１５μｍ以上とすることが好ましい。これにより、金属膜３０の画像認識の精度を向上させることができる。金属膜３０の光導波路１５の長手方向に沿った長さは、例えば、４０μｍ未満とすることができ、３５μｍ以下としてもよい。これにより、電極２０の面積を拡大することができる。
【0036】
金属膜３０の厚さは、１μｍ以下であることが好ましい。これにより、劈開する際に金属膜３０が展延する可能性を低減することができる。金属膜３０の厚さは、０．１μｍ以上とすることができる。金属膜３０は、例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌのいずれか１以上の金属又は合金の層を１層以上有する。金属膜３０は、例えば、最表面をＡｕ層とする。電極２０と金属膜３０は、同じ材料を有することができる。電極２０と金属膜３０は、同じ積層構造を有することができる。これにより、電極２０と金属膜３０を同一工程で形成することができ、製造工程の簡略化が可能である。金属膜３０は、画像認識が可能な材料で構成されていればよい。このため、金属膜３０に替えて、例えば、画像認識を行う際の照明光を反射する誘電体膜を金属膜３０と同様に形成してもよい。このような誘電体膜は、多層であってもよく、単層であってもよい。
【0037】
図１では、金属膜３０を基板１６の第１基板主面１６ａに設けたが、金属膜３０は半導体層１７に設けてもよい。この場合、半導体層１７のリッジ１７ｄが設けられた側の面が第１主面となる。
【0038】
（第２金属膜４０）
半導体レーザ素子１００は、第１主面１１に設けられた第２金属膜４０を有していてもよい。第２金属膜４０は、電極２０から離れた位置に設けられ、第１主面１１の第２辺１１ｂに接している。後述するように、金属膜３０（第１金属膜）を確実に第１辺１１ａに接して形成するためには、金属膜３０がある位置で分割して光出射端面１３を得ることが好ましい。この場合、１回の分割によって得られる２つの面の一方を光出射端面１３とし、他方を光反射端面１４とすると、図１に示すように第２金属膜４０が形成される。あるいは、１回の分割によって得られる２つの面をいずれも光出射端面１３とする場合には、第２金属膜４０は無くてもよい。
半導体レーザ素子１００は、第１主面１１に設けられた第２金属膜４０を有していてもよい。第２金属膜４０は、電極２０から離れた位置に設けられ、第１主面１１の第２辺１１ｂに接している。後述するように、金属膜３０（第１金属膜）を確実に第１辺１１ａに接して形成するためには、金属膜３０がある位置で分割して光出射端面１３を得ることが好ましい。この場合、１回の分割によって得られる２つの面の一方を光出射端面１３とし、他方を光反射端面１４とすると、図１に示すように第２金属膜４０が形成される。あるいは、１回の分割によって得られる２つの面をいずれも光出射端面１３とする場合には、第２金属膜４０は無くてもよい。
【0039】
第２金属膜４０を有することで、後述の図３に示す端面保護膜６２が電極２０に達する可能性を低減することが可能である。この場合、第１主面１１が平面であって、第２金属膜４０の厚さと電極２０の厚さが等しいか、第２金属膜４０の厚さの方が大きいことがより好ましい。これにより、光反射端面１４に設けられる端面保護膜６２が電極２０に到達する可能性をより低減することができる。特に、端面保護膜６２を形成する際に第１主面１１の側にスペーサを配置する場合に、第２金属膜４０の厚さと電極２０の厚さがそのような関係であれば、第２金属膜４０とスペーサによって端面保護膜６２の回り込みをより低減することができる。
【0040】
（第２電極５０）
半導体レーザ素子１００は、第２主面１２に設けられた第２電極５０を有することができる。第２電極５０は、接触電極５１と、パッド電極５２とを有することができる。第２電極５０は、例えばｐ電極である。第２電極５０は、例えば、第２主面１２の外縁に接していない。もしくは、接触電極５１は第２主面１２の外縁に接しているが、パッド電極５２は第２主面１２の外縁に接していない。
半導体レーザ素子１００は、第２主面１２に設けられた第２電極５０を有することができる。第２電極５０は、接触電極５１と、パッド電極５２とを有することができる。第２電極５０は、例えばｐ電極である。第２電極５０は、例えば、第２主面１２の外縁に接していない。もしくは、接触電極５１は第２主面１２の外縁に接しているが、パッド電極５２は第２主面１２の外縁に接していない。
【0041】
図２Ａ及び図２Ｂでは、半導体層１７の一部にリッジ１７ｄが設けられており、接触電極５１は、リッジ１７ｄと接触している。接触電極５１は、例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ等の金属又は合金、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎから選択される少なくとも１種を含む導電性酸化物等の層を１層以上有する。導電性酸化物の例としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）が挙げられる。パッド電極５２は、例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ等の金属又は合金の層を１層以上有する。パッド電極５２は、例えば、最表面がＡｕ層等のＡｕを含む層である。
【0042】
電極２０（第１電極）と第２電極５０とは同じ側に設けてもよい。例えば、半導体層１７の表面に第１導電型半導体層１７ａが露出した部分と第２導電型半導体層１７ｃが露出した部分とを設け、第１導電型半導体層１７ａが露出した部分に電極２０を形成し、第２導電型半導体層１７ｃが露出した部分に第２電極５０を形成してもよい。この場合、半導体含有部１０の同じ側に、金属膜３０と、電極２０と、第２電極５０とを形成することができる。
【0043】
（その他の部材）
半導体レーザ素子１００は、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、絶縁膜６１を有していてもよい。絶縁膜６１は、半導体層１７の表面に設けられている。絶縁膜６１の一部と第２電極５０の一部が接触している。図３に示すように、半導体レーザ素子１００は、光出射端面１３及び光反射端面１４の両方または一方に設けられた端面保護膜６２を有していてもよい。図３は、一実施形態の半導体レーザ素子１００の別の例を示す模式的な平面図である。光出射端面１３に設ける端面保護膜６２の反射率は、光反射端面１４に設ける端面保護膜６２の反射率よりも低くすることができる。なお、半導体レーザ素子１００を使用する形態は、各図面中の上方を上とする形態に限らず、いずれの方向を上としてもよい。
半導体レーザ素子１００は、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、絶縁膜６１を有していてもよい。絶縁膜６１は、半導体層１７の表面に設けられている。絶縁膜６１の一部と第２電極５０の一部が接触している。図３に示すように、半導体レーザ素子１００は、光出射端面１３及び光反射端面１４の両方または一方に設けられた端面保護膜６２を有していてもよい。図３は、一実施形態の半導体レーザ素子１００の別の例を示す模式的な平面図である。光出射端面１３に設ける端面保護膜６２の反射率は、光反射端面１４に設ける端面保護膜６２の反射率よりも低くすることができる。なお、半導体レーザ素子１００を使用する形態は、各図面中の上方を上とする形態に限らず、いずれの方向を上としてもよい。
【0044】
（発光装置２００）
図４Ａは、一実施形態の発光装置２００を示す模式的な平面図である。発光装置２００は、半導体レーザ素子１００と、半導体レーザ素子１００が固定される基体７０と、を有する。半導体レーザ素子１００は、第２電極５０が基体７０と対面する配置で基体７０に固定されている。基体７０は、半導体レーザ素子１００と電気的に接続されていてもよい。基体７０は、例えばサブマウントである。基体７０は、パッケージであってもよい。
図４Ａは、一実施形態の発光装置２００を示す模式的な平面図である。発光装置２００は、半導体レーザ素子１００と、半導体レーザ素子１００が固定される基体７０と、を有する。半導体レーザ素子１００は、第２電極５０が基体７０と対面する配置で基体７０に固定されている。基体７０は、半導体レーザ素子１００と電気的に接続されていてもよい。基体７０は、例えばサブマウントである。基体７０は、パッケージであってもよい。
【0045】
図４Ａに示すように、第２主面１２の側を基体７０に固定することにより、半導体レーザ素子１００を基体７０に固定した状態で金属膜３０を確認することができる。これにより、半導体レーザ素子１００を基体７０に固定した状態で金属膜３０を合否判定の基準に用いることができる。
【0046】
図４Ｂは、一実施形態の発光装置２００の別の例を示す模式的な断面図である。発光装置２００は、半導体レーザ素子１００と、半導体レーザ素子１００が固定される基体７０と、パッケージ８１と、反射部材８２と、を有する。
【0047】
図４Ｂに示す基体７０はサブマウントである。基体７０は、絶縁性の本体と、その本体の表面に設けられた導電層と、を有する。絶縁性の本体は例えばセラミックスである。半導体レーザ素子の第２電極５０が、導電性の接着剤８３を介して基体７０の導電層に接合されている。
【0048】
パッケージ８１は、金属等の導電性の材料、ガラスやセラミックス等の絶縁性の材料、またはそれらの複合材料からなる。パッケージ８１は、複数の部品の組み合わせにより構成されていてよい。パッケージ８１は、その一部に、レーザ光を透過する透光性を有する窓部を有する。半導体レーザ素子１００が出射するレーザ光は、反射部材８２によって反射され、パッケージ８１の窓部を通過して発光装置２００の外に出射する。パッケージ８１の窓部の位置によっては反射部材８２は不要である。発光装置２００は、レーザ光が通過する位置に設けられた蛍光体等の波長変換部材を有していてもよい。パッケージ８１は、半導体レーザ素子１００を気密封止している。パッケージ８１は、アノード電極とカソード電極とを有する。半導体レーザ素子１００のアノード電極は、導電層や線状のワイヤ等を介してパッケージのアノード電極と電気的に接続されている。半導体レーザ素子１００カソード電極は、導電層や線状のワイヤ等を介してパッケージのカソード電極と電気的に接続されている。
【0049】
図４Ｂに示すように、半導体層１７の側が基体７０に固定されている場合、基板１６の側を基体７０に固定する場合と比較して、光導波路１５から基体７０までの距離が小さく、半導体レーザ素子１００が出射するレーザ光が基体７０に遮られる確率が高い。このため、図４Ｂに示す配置の方が、基体７０の端部と半導体レーザ素子１００の端部との間の距離の許容範囲が小さい。本実施形態の発光装置であれば、金属膜３０を設けることで、合否判定の精度を向上させることができるため、歩留まりの向上が期待できる。
【0050】
（半導体レーザ素子の製造方法）
図５は、一実施形態の半導体レーザ素子１００の製造方法を示すフローチャートである。図６～図１０は、一実施形態の半導体レーザ素子１００の製造方法を示す模式的な平面図または断面図である。半導体レーザ素子１００の製造方法は、半導体含有部準備工程Ｓ１０１と、電極および金属膜形成工程Ｓ１０２と、劈開工程Ｓ１０３と、を有する。なお、半導体レーザ素子１００の製造方法における各部材の形状、配置、材料等は、上で述べたものを採用することができる。
図５は、一実施形態の半導体レーザ素子１００の製造方法を示すフローチャートである。図６～図１０は、一実施形態の半導体レーザ素子１００の製造方法を示す模式的な平面図または断面図である。半導体レーザ素子１００の製造方法は、半導体含有部準備工程Ｓ１０１と、電極および金属膜形成工程Ｓ１０２と、劈開工程Ｓ１０３と、を有する。なお、半導体レーザ素子１００の製造方法における各部材の形状、配置、材料等は、上で述べたものを採用することができる。
【0051】
（半導体含有部準備工程Ｓ１０１）
半導体含有部準備工程Ｓ１０１では、図６及び図７に示すように、第１主面１１と第２主面１２と光導波路１５とを有する半導体含有部１０を準備する。図６は、一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式的な平面図である。図７は、図６のVII－VII線における断面図である。第１主面１１と活性層１７ｂとの間の距離は、第２主面１２と活性層１７ｂとの間の距離よりも大きい。これにより、第１主面１１と光導波路１５との間の距離は、第２主面１２と光導波路１５との間の距離よりも大きいといえる。半導体含有部１０は、基板１６と、半導体層１７とを有することができる。半導体含有部１０は、例えばウエハ状である。半導体層１７は、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により基板１６の表面に形成することができる。リッジ１７ｄは、例えばエッチングにより形成することができる。
半導体含有部準備工程Ｓ１０１では、図６及び図７に示すように、第１主面１１と第２主面１２と光導波路１５とを有する半導体含有部１０を準備する。図６は、一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式的な平面図である。図７は、図６のVII－VII線における断面図である。第１主面１１と活性層１７ｂとの間の距離は、第２主面１２と活性層１７ｂとの間の距離よりも大きい。これにより、第１主面１１と光導波路１５との間の距離は、第２主面１２と光導波路１５との間の距離よりも大きいといえる。半導体含有部１０は、基板１６と、半導体層１７とを有することができる。半導体含有部１０は、例えばウエハ状である。半導体層１７は、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により基板１６の表面に形成することができる。リッジ１７ｄは、例えばエッチングにより形成することができる。
【0052】
（電極および金属膜形成工程Ｓ１０２）
電極および金属膜形成工程Ｓ１０２では、図８及び図９に示すように、半導体含有部１０の第１主面１１に、複数の電極２０および金属膜３１を形成する。図８は、一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式的な平面図である。図９は、図８の IX－IX線における断面図である。複数の電極２０は、第１方向Ｙに並ぶように形成する。金属膜３１は、複数の電極２０の間であって且つ複数の電極２０から離れた位置に形成する。すなわち、隣り合う電極２０間に、１以上の金属膜３１を形成する。金属膜３１は、第１方向Ｙと交わる第２方向Ｘにおける長さが、電極２０の第２方向Ｘにおける長さよりも小さい。金属膜３１は、第１主面１１の法線方向からみた平面視において光導波路１５と重ならない位置に形成する。電極２０および金属膜３１は、例えばスパッタリングまたは化学気相成長法（ＣＶＤ法）により形成することができる。
電極および金属膜形成工程Ｓ１０２では、図８及び図９に示すように、半導体含有部１０の第１主面１１に、複数の電極２０および金属膜３１を形成する。図８は、一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式的な平面図である。図９は、図８の IX－IX線における断面図である。複数の電極２０は、第１方向Ｙに並ぶように形成する。金属膜３１は、複数の電極２０の間であって且つ複数の電極２０から離れた位置に形成する。すなわち、隣り合う電極２０間に、１以上の金属膜３１を形成する。金属膜３１は、第１方向Ｙと交わる第２方向Ｘにおける長さが、電極２０の第２方向Ｘにおける長さよりも小さい。金属膜３１は、第１主面１１の法線方向からみた平面視において光導波路１５と重ならない位置に形成する。電極２０および金属膜３１は、例えばスパッタリングまたは化学気相成長法（ＣＶＤ法）により形成することができる。
【0053】
（劈開工程Ｓ１０３）
劈開工程Ｓ１０３では、図１０に示すように、複数の電極２０の間を、第２方向Ｘに沿って、金属膜３１を分断する位置で劈開する。図１０は、一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式的な平面図である。劈開は、例えば、まず、半導体含有部１０の一部に、レーザスクライブ装置を用いて溝を形成し、その後、ブレードによって半導体含有部１０を押すことによって行うことができる。レーザスクライブ装置を用いて形成する溝は、半導体レーザ素子１００となる領域の外にのみ形成してもよい。例えば、ウエハ又はウエハを分割した分割片である積層体の一方の端部に溝を形成し、その溝に沿って外力により積層体を劈開することができる。
劈開工程Ｓ１０３では、図１０に示すように、複数の電極２０の間を、第２方向Ｘに沿って、金属膜３１を分断する位置で劈開する。図１０は、一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式的な平面図である。劈開は、例えば、まず、半導体含有部１０の一部に、レーザスクライブ装置を用いて溝を形成し、その後、ブレードによって半導体含有部１０を押すことによって行うことができる。レーザスクライブ装置を用いて形成する溝は、半導体レーザ素子１００となる領域の外にのみ形成してもよい。例えば、ウエハ又はウエハを分割した分割片である積層体の一方の端部に溝を形成し、その溝に沿って外力により積層体を劈開することができる。
【0054】
劈開工程Ｓ１０３を行うことにより、光出射端面１３と光反射端面１４とが形成される。図１０において、１回の劈開によって得られる２つの面は、一方が光出射端面１３であり、他方が光反射端面１４である。劈開工程Ｓ１０３を行うことにより、金属膜３１が２つに分かれ、一方が金属膜３０となり、他方が第２金属膜４０となる。１回の劈開によって得られる２つの面の両方が光出射端面１３である場合は、１つの金属膜３１が２つの金属膜３０となる。劈開工程の後に、光出射端面１３及び光反射端面１４の一方または両方に、端面保護膜６２を形成してもよい。
【0055】
以上の工程により、金属膜３０を有する、合否判定精度を向上可能な半導体レーザ素子１００を得ることができる。劈開工程Ｓ１０３の後に、分割工程を行うことができる。分割工程では、劈開工程Ｓ１０３を経た積層体を分割予定線に沿って分割する。分割予定線は、劈開によって得られた光出射端面１３及び光反射端面１４と交わる線である。分割は、例えば、まず、分割予定線に重なる位置に、レーザスクライブ装置を用いて溝を形成し、その後、ブレードによって積層体を押すことによって行うことができる。分割工程と劈開工程Ｓ１０３の順序は入れ替えてもよい。また、劈開工程Ｓ１０３の前に、保護膜等の部材を形成する工程を行ってもよい。
【0056】
（発光装置の製造方法）
図１１は、一実施形態の発光装置２００の製造方法を示すフローチャートである。図１１に示すように、図４Ａ又は図４Ｂに示す発光装置２００の製造方法は、半導体レーザ素子１００を準備する工程（半導体レーザ素子準備工程Ｓ２０１）と、半導体レーザ素子１００を基体７０に固定する工程（固定工程Ｓ２０２）と、を有する。固定工程Ｓ２０２では、半導体レーザ素子１００を、第２主面１２が基体７０と対面する配置で、基体７０に固定する。固定は接着剤８３を介することによって行うことができる。
図１１は、一実施形態の発光装置２００の製造方法を示すフローチャートである。図１１に示すように、図４Ａ又は図４Ｂに示す発光装置２００の製造方法は、半導体レーザ素子１００を準備する工程（半導体レーザ素子準備工程Ｓ２０１）と、半導体レーザ素子１００を基体７０に固定する工程（固定工程Ｓ２０２）と、を有する。固定工程Ｓ２０２では、半導体レーザ素子１００を、第２主面１２が基体７０と対面する配置で、基体７０に固定する。固定は接着剤８３を介することによって行うことができる。
【0057】
固定工程Ｓ２０２の後に、検出工程Ｓ２０３と、合否判定工程Ｓ２０４とを有していてもよい。検出工程Ｓ２０３では、半導体レーザ素子１００の金属膜３０と、基体７０の端部または端部を推定可能な部分とを含む認識対象物の外形を検出する。認識対象物は、これらのみであってもよく、これら以外の部材を含んでいてもよい。認識対象物の外形を検出することは、認識対象物を画像認識することと言い換えてもよい。合否判定工程Ｓ２０４では、検出した認識対象物の外形を用いて合否判定を行う。合否判定は、例えば、基体７０の端部または端部を推定可能な部分と金属膜３０との間の距離が基準値の範囲内であるか否かを判定することにより行うことができる。基体７０の端部を推定可能な部分とは、例えば、平面視において端部と一致はしないが端部の付近に設けられた金属層である。基体７０の金属層と、基体７０の端部との距離は、例えば７０μｍ以下である。
【0058】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。本発明の上述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【0059】
１０ 半導体含有部
１１ 第１主面
１１ａ 第１辺
１１ｂ 第２辺
１２ 第２主面
１３ 光出射端面
１４ 光反射端面
１５ 光導波路
１６ 基板
１６ａ 第１基板主面
１６ｂ 第２基板主面
１７ 半導体層
１７ａ 第１導電型半導体層
１７ｂ 活性層
１７ｃ 第２導電型半導体層
１７ｄ リッジ
２０ 電極
３０ 金属膜
３１ 金属膜
４０ 第２金属膜
５０ 第２電極
５１ 接触電極
５２ パッド電極
６１ 絶縁膜
６２ 端面保護膜
７０ 基体
８１ パッケージ
８２ 反射部材
８３ 接着剤
１００ 半導体レーザ素子
２００ 発光装置
１１ 第１主面
１１ａ 第１辺
１１ｂ 第２辺
１２ 第２主面
１３ 光出射端面
１４ 光反射端面
１５ 光導波路
１６ 基板
１６ａ 第１基板主面
１６ｂ 第２基板主面
１７ 半導体層
１７ａ 第１導電型半導体層
１７ｂ 活性層
１７ｃ 第２導電型半導体層
１７ｄ リッジ
２０ 電極
３０ 金属膜
３１ 金属膜
４０ 第２金属膜
５０ 第２電極
５１ 接触電極
５２ パッド電極
６１ 絶縁膜
６２ 端面保護膜
７０ 基体
８１ パッケージ
８２ 反射部材
８３ 接着剤
１００ 半導体レーザ素子
２００ 発光装置
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】