知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
特開2022-146347有機ケイ素化合物、熱硬化性樹脂組成物、成形体、および光半導体装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022146347
(43)【公開日】2022-10-05
(54)【発明の名称】有機ケイ素化合物、熱硬化性樹脂組成物、成形体、および光半導体装置
(51)【国際特許分類】
C07F 7/21 20060101AFI20220928BHJP
C09K 3/10 20060101ALI20220928BHJP
C08G 77/20 20060101ALI20220928BHJP
H01L 23/29 20060101ALI20220928BHJP
H01L 33/56 20100101ALI20220928BHJP
C07B 61/00 20060101ALN20220928BHJP
【ＦＩ】
C07F7/21 CSP
C09K3/10 G
C09K3/10 B
C08G77/20
H01L23/30 F
H01L33/56
C07B61/00 300
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021047255
(22)【出願日】2021-03-22
(71)【出願人】
【識別番号】311002067
【氏名又は名称】ＪＮＣ株式会社
(72)【発明者】
【氏名】養王田 昌昭
(72)【発明者】
【氏名】西澤 啓介
(72)【発明者】
【氏名】池野 浩章
【テーマコード（参考）】
4H017
4H039
4H049
4J246
4M109
5F142
【Ｆターム（参考）】
4H017AA04
4H017AB15
4H017AD06
4H017AE05
4H039CA40
4H039CB10
4H049VN01
4H049VP09
4H049VP10
4H049VQ88
4H049VR21
4H049VR43
4H049VS88
4H049VT17
4H049VU29
4H049VU31
4H049VV06
4H049VW02
4J246AA03
4J246AB02
4J246AB07
4J246BA040
4J246BA04X
4J246BB020
4J246BB021
4J246BB022
4J246BB02X
4J246CA120
4J246CA12E
4J246CA12U
4J246CA12X
4J246CA240
4J246CA24X
4J246CA250
4J246CA25M
4J246CA25X
4J246CA340
4J246CA34E
4J246CA34X
4J246CA400
4J246CA40U
4J246CA40X
4J246FA271
4J246FA291
4J246FA321
4J246FA371
4J246FA372
4J246FA451
4J246FB191
4J246FE04
4J246FE26
4J246FE27
4J246GA01
4J246GA02
4J246GB02
4J246GC18
4J246GC23
4J246GC31
4J246HA16
4J246HA29
4M109AA01
4M109EA10
4M109EB04
4M109EB08
4M109EC12
4M109GA01
5F142AA63
5F142CG05
5F142CG13
5F142DA12
(57)【要約】 （修正有）
【課題】高い光透過性とガスバリア性を有する成形体を得ることができる有機ケイ素化合物及び熱硬化性樹脂組成物、並びにこのような熱硬化性樹脂組成物を用いて得られる成形体及び光半導体装置を提供する。
【解決手段】式（１－１）で例示される有機ケイ素化合物（Ａ１）による。
（式中、Ｒ０は独立してフェニル又はフェニルを核水素化した六員環基；Ｒ１は独立してＨ又はＯＨ；ｎは化合物の平均値として０≦ｎ≦１０を満たす数）
【選択図】なし
【解決手段】式（１－１）で例示される有機ケイ素化合物（Ａ１）による。
（式中、Ｒ０は独立してフェニル又はフェニルを核水素化した六員環基；Ｒ１は独立してＨ又はＯＨ；ｎは化合物の平均値として０≦ｎ≦１０を満たす数）
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
式（１－１）で表される有機ケイ素化合物（Ａ１）、式（１－２）で表される有機ケイ素化合物（Ａ２）、および式（１－３）で表される有機ケイ素化合物（Ａ３）から選択される化合物。
式（１－１）、式（１－２）、および式（１－３）中、Ｒ０は独立して、フェニル、またはフェニルを核水素化した六員環基であり、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は独立して、水素またはヒドロキシであり、ｎは化合物の平均値として０≦ｎ≦１０を満たす。
式（１－１）、式（１－２）、および式（１－３）中、Ｒ０は独立して、フェニル、またはフェニルを核水素化した六員環基であり、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は独立して、水素またはヒドロキシであり、ｎは化合物の平均値として０≦ｎ≦１０を満たす。
【請求項2】
Ｒ０が、フェニルに対する核水素化による水素化率が、化合物として３０％以上となる基を選択する、請求項1に記載の有機ケイ素化合物。
【請求項3】
請求項１または２に記載の有機ケイ素化合物（Ａ１）と、式（２－１）および式（２－２）で表される化合物から選択された化合物とを、酸触媒下で平衡化重合して得られる有機ケイ素化合物（Ａ４）。
式（２－１）中、nは３≦ｎ≦８を満たす整数である。
式（２－２）中、ｍは０≦ｍ≦５０を満たす平均値であり、Ｖｉはビニルを表す。
式（２－１）中、nは３≦ｎ≦８を満たす整数である。
式（２－２）中、ｍは０≦ｍ≦５０を満たす平均値であり、Ｖｉはビニルを表す。
【請求項4】
請求項１または２に記載の有機ケイ素化合物（Ａ１）、有機ケイ素化合物（Ａ２）、または有機ケイ素化合物（Ａ３）のうち、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３が水素である有機ケイ素化合物、または請求項３に記載の有機ケイ素化合物（Ａ４）のうち、１種または２種以上の混合物からなる有機ケイ素化合物（Ａ）
有機ケイ素化合物（Ａ）以外の、分子内に複数の架橋性基を有する有機ケイ素化合物（Ｂ）、および
ヒドロシリル化触媒（Ｃ）
を含有し、
有機ケイ素化合物（Ｂ）が、有機ケイ素化合物（Ａ）と架橋可能な化合物を含む熱硬化性樹脂組成物。
有機ケイ素化合物（Ａ）以外の、分子内に複数の架橋性基を有する有機ケイ素化合物（Ｂ）、および
ヒドロシリル化触媒（Ｃ）
を含有し、
有機ケイ素化合物（Ｂ）が、有機ケイ素化合物（Ａ）と架橋可能な化合物を含む熱硬化性樹脂組成物。
【請求項5】
有機ケイ素化合物（Ｂ）が式（３）で表される化合物を含む請求項４に記載の熱硬化性樹脂組成物。
式（３）中、Ｒ３は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルであり、Ｘは独立して、式（Ｘ１）、式（Ｘ２）、または式（Ｘ３）で表される基である。
式（３）で表される化合物１分子あたりの式（Ｘ１）で表される基の平均数をｘ１、式（Ｘ２）で表される基の平均数をｘ２、式（Ｘ３）で表される基の平均数をｘ３としたとき、ｘ１＋２ｘ２＋ｘ３＝４ｒ、０＜ｘ１＜４ｒ、０≦ｘ２＜２ｒ、かつ０＜ｘ３＜４ｒを満たし、ｒは、１～１００を満たす平均値である。
式（Ｘ１）、式（Ｘ２）、および式（Ｘ３）中、＊は、結合部位を示す。
式（Ｘ２）中、Ｒ４は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。ｓは、２～２０を満たす平均値である。
式（Ｘ３）中、Ｒ５は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。Ｒ６は、炭素数２～５のアルケニルである。Ｒ７は、Ｒ６と同じ炭素数のアルカンジイルであり、ｔは、２～２０を満たす平均値である。
式（３）で表される化合物１分子あたりの式（Ｘ１）で表される基の平均数をｘ１、式（Ｘ２）で表される基の平均数をｘ２、式（Ｘ３）で表される基の平均数をｘ３としたとき、ｘ１＋２ｘ２＋ｘ３＝４ｒ、０＜ｘ１＜４ｒ、０≦ｘ２＜２ｒ、かつ０＜ｘ３＜４ｒを満たし、ｒは、１～１００を満たす平均値である。
式（Ｘ１）、式（Ｘ２）、および式（Ｘ３）中、＊は、結合部位を示す。
式（Ｘ２）中、Ｒ４は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。ｓは、２～２０を満たす平均値である。
式（Ｘ３）中、Ｒ５は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。Ｒ６は、炭素数２～５のアルケニルである。Ｒ７は、Ｒ６と同じ炭素数のアルカンジイルであり、ｔは、２～２０を満たす平均値である。
【請求項6】
有機ケイ素化合物（Ｂ）が式（４）で表される化合物を含む請求項４に記載の熱硬化性樹脂組成物。
式（４）中のｙは０≦ｙ≦５０を満たす平均値であり、Ｒ３はビニルまたは水素である。
【請求項7】
有機ケイ素化合物（Ｂ）が３つ以上のSiH基を有する化合物を含む請求項４に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項8】
有機ケイ素化合物（Ｂ）が、式（６－１）、式（６－２）、または式（６－３）で表される化合物を含む請求項４に記載の熱硬化性樹脂組成物。
式（６－１）、式（６－２）、および式（６－３）中、ｎは化合物の平均値として１≦ｎ≦１０を満たす。
式（６－１）、式（６－２）、および式（６－３）中、ｎは化合物の平均値として１≦ｎ≦１０を満たす。
【請求項9】
有機ケイ素化合物（Ｂ）の含有量が３０質量％以上である請求項４から８のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項10】
有機ケイ素化合物（Ａ）と有機ケイ素化合物（Ｂ）との合計１００質量％に対して有機ケイ素化合物（Ａ）が３０質量％以上である請求項４から８のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項11】
密着性付与剤（Ｄ）をさらに含有し、
密着性付与剤（Ｄ）が、式（７）で表される化合物を含む請求項４から１０のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
式（７）中、Ｒ１８は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルであり、Ｚは独立して、式（Ｚ１）、式（Ｚ２）、式（Ｚ３１）、式（Ｚ３２）、式（Ｚ３３）、または式（Ｚ４１）で表される基である。
式（７）で表される化合物１分子あたりの式（Ｚ１）で表される基の平均数をｚ１、式（Ｚ２）で表される基の平均数をｚ２、式（Ｚ３１）、式（Ｚ３２）、または式（Ｚ３３）で表される基の平均数をｚ３、式（Ｚ４１）で表される基の平均数をｚ４としたとき、ｚ１＋２ｚ２＋ｚ３＋ｚ４＝４ｗ、０．５ｗ≦ｚ１≦３ｗ、０．５ｗ≦２ｚ２≦２ｗ、０．１ｗ≦ｚ３≦２ｗ、かつ０≦ｚ４≦ｗを満たし、ｗは、１～１００を満たす平均値である。
式（Ｚ１）、式（Ｚ２）、式（Ｚ３１）、式（Ｚ３２）、式（Ｚ３３）、および式（Ｚ４１）中、＊は、結合部位を示す。
式（Ｚ２）中、Ｒ１９は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルであり、ｉは、１～２０を満たす平均値である。
式（Ｚ４１）中、Ｒ２０は独立して、メチル、エチル、ブチル、またはイソプロピルである。
密着性付与剤（Ｄ）が、式（７）で表される化合物を含む請求項４から１０のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
式（７）中、Ｒ１８は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルであり、Ｚは独立して、式（Ｚ１）、式（Ｚ２）、式（Ｚ３１）、式（Ｚ３２）、式（Ｚ３３）、または式（Ｚ４１）で表される基である。
式（７）で表される化合物１分子あたりの式（Ｚ１）で表される基の平均数をｚ１、式（Ｚ２）で表される基の平均数をｚ２、式（Ｚ３１）、式（Ｚ３２）、または式（Ｚ３３）で表される基の平均数をｚ３、式（Ｚ４１）で表される基の平均数をｚ４としたとき、ｚ１＋２ｚ２＋ｚ３＋ｚ４＝４ｗ、０．５ｗ≦ｚ１≦３ｗ、０．５ｗ≦２ｚ２≦２ｗ、０．１ｗ≦ｚ３≦２ｗ、かつ０≦ｚ４≦ｗを満たし、ｗは、１～１００を満たす平均値である。
式（Ｚ１）、式（Ｚ２）、式（Ｚ３１）、式（Ｚ３２）、式（Ｚ３３）、および式（Ｚ４１）中、＊は、結合部位を示す。
式（Ｚ２）中、Ｒ１９は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルであり、ｉは、１～２０を満たす平均値である。
式（Ｚ４１）中、Ｒ２０は独立して、メチル、エチル、ブチル、またはイソプロピルである。
【請求項12】
密着性付与剤（Ｄ）の含有量が０．１質量％以上５質量％以下である請求項１１に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項13】
蛍光体（Ｅ）または白色顔料（Ｆ）をさらに含む請求項４から１２のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項14】
請求項４から請求項１３のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物を硬化させてなる成形体。
【請求項15】
請求項１４に記載の成形体、およびこの成形体によって封止された光半導体素子を備える光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機ケイ素化合物、熱硬化性樹脂組成物、成形体、および該組成物を用いて作製した光半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光半導体素子を備える光半導体装置は、各種照明装置、電光掲示板、信号機、液晶表示装置のバックライト、ＬＥＤディスプレイ等に実用化されている。これらの光半導体装置においては、光半導体素子が透明な封止材で封止されていることが一般的である。光半導体素子の封止材の一つとして、シリコーン樹脂が広く用いられている。シリコーン樹脂は、耐熱性や光透過性に優れるものの腐食性ガスや水蒸気バリア性が低いという課題がある。また素子の高出力化や高周波数化に伴い冷熱衝撃性や低誘電性も求められている。
【0003】
特許文献１には、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造と架橋性官能基を有する架橋性ケイ素化合物が光透過性や光屈折率性、冷熱衝撃に優れることが記載されている。しかしながら、上記架橋性ケイ素化合物はガスバリア性や低誘電性に対する記載が全くない。
【0004】
特許文献２には、上記架橋性ケイ素化合物とシルセスキオキサン構造を含むシロキサンポリマーを用いて得られた熱硬化性樹脂組成物は高温環境下でクラックが生じ難い成形体に優れることが記載されている。しかしながら、上記シロキサンポリマーは白濁粘性液体であることから光透過性に劣る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１０－２８０７６６号公報
【特許文献2】特開２０２０－０９０５９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明の目的は、光透過性が良好でありながらガスバリア性に優れた熱硬化性樹脂組成物を提供することである。また、本発明の他の目的は、光透過性に優れたシロキサンポリマーおよび冷熱衝撃性や低誘電性に優れた硬化物を提供することにある。
【0007】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、高い光透過性とガスバリア性を有する成形体を得ることができる有機ケイ素化合物及び熱硬化性樹脂組成物、並びにこのような熱硬化性樹脂組成物を用いて得られる成形体及び光半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するためになされた発明は、フェニルを有するダブルデッカー型シルセスキオキサン構造を含む有機ケイ素化合物において、フェニルを３０％以上核水素化することで得られる有機ケイ素化合物である。
【0009】
当該有機ケイ素化合物の例としては、式（１－１）で表される有機ケイ素化合物（Ａ１）、式（１－２）で表される有機ケイ素化合物（Ａ２）、または式（１－３）で表される有機ケイ素化合物（Ａ３）が挙げられる。ここで、ｎは化合物の平均値として０以上１０以下であり、Ｒ０は独立して、シクロヘキシルまたはシクロヘキセニルに代表されるフェニルを核水素化した六員環基、またはフェニルであり、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は独立して、水素またはヒドロキシである。
【0010】
【0011】
当該有機ケイ素化合物のＲ０としては、フェニルに対する核水素化による水素化率が、化合物として３０％以上となる基の組み合わせを選択することが好ましく、６０％以上となる組み合わせがより好ましく、９０％以上となる組み合わせが更に好ましい。
【0012】
有機ケイ素化合物（Ａ１）、有機ケイ素化合物（Ａ２）、および有機ケイ素化合物（Ａ３）において、ｎは化合物の平均値として０以上６以下であることが好ましい。
【0013】
上記課題を解決するためになされた別の発明は、有機ケイ素化合物（Ａ１）と、式（２－１）および式（２－２）で表される化合物から選択された化合物とを、酸触媒下で平衡化重合して得られる有機ケイ素化合物（Ａ４）である。
式（２－１）中のｎは３≦ｎ≦８を満たす整数である。
式（２－２）中のｍは０≦ｍ≦５０を満たす平均値であり、Ｖｉはビニルを表す。
式（２－１）中のｎは３≦ｎ≦８を満たす整数である。
式（２－２）中のｍは０≦ｍ≦５０を満たす平均値であり、Ｖｉはビニルを表す。
【0014】
有機ケイ素化合物（Ａ４）を式（２－３）に示す。ここで、ｍは１～５を満たす平均値であり、ｎは２～５０を満たす平均値であり、Ｒ０は独立して、シクロヘキシルまたはシクロヘキセニルに代表されるフェニルを核水素化した六員環基、またはフェニルであり、Ｖｉはビニルを表す。
【0015】
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、
有機ケイ素化合物（Ａ）：有機ケイ素化合物（Ａ１）、有機ケイ素化合物（Ａ２）、または有機ケイ素化合物（Ａ３）のうちＲ１、Ｒ２、Ｒ３が水素である有機ケイ素化合物、または有機ケイ素化合物（Ａ４）、
有機ケイ素化合物（Ｂ）：有機ケイ素化合物（Ａ）以外の、分子内に複数の架橋性基を有する有機ケイ素化合物、
および
ヒドロシリル化触媒（Ｃ）を含有し、
有機ケイ素化合物（Ｂ）が、少なくとも有機ケイ素化合物（Ａ）と架橋可能な化合物を含む熱硬化性樹脂組成物である。
有機ケイ素化合物（Ａ）：有機ケイ素化合物（Ａ１）、有機ケイ素化合物（Ａ２）、または有機ケイ素化合物（Ａ３）のうちＲ１、Ｒ２、Ｒ３が水素である有機ケイ素化合物、または有機ケイ素化合物（Ａ４）、
有機ケイ素化合物（Ｂ）：有機ケイ素化合物（Ａ）以外の、分子内に複数の架橋性基を有する有機ケイ素化合物、
および
ヒドロシリル化触媒（Ｃ）を含有し、
有機ケイ素化合物（Ｂ）が、少なくとも有機ケイ素化合物（Ａ）と架橋可能な化合物を含む熱硬化性樹脂組成物である。
【0016】
有機ケイ素化合物（Ｂ）が、式（３）で表される化合物を含むことが好ましい。
式（３）中、Ｒ３は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルである。Ｘは独立して、式（Ｘ１）、式（Ｘ２）、または式（Ｘ３）で表される基である。
式（３）で表される化合物１分子あたりの式（Ｘ１）で表される基の平均数をｘ１、式（Ｘ２）で表される基の平均数をｘ２、式（Ｘ３）で表される基の平均数をｘ３としたとき、ｘ１＋２ｘ２＋ｘ３＝４ｒ、０＜ｘ１＜４ｒ、０≦ｘ２＜２ｒ、かつ０＜ｘ３＜４ｒを満たす。ｒは、１～１００を満たす平均値である。
式（３）中、Ｒ３は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルである。Ｘは独立して、式（Ｘ１）、式（Ｘ２）、または式（Ｘ３）で表される基である。
式（３）で表される化合物１分子あたりの式（Ｘ１）で表される基の平均数をｘ１、式（Ｘ２）で表される基の平均数をｘ２、式（Ｘ３）で表される基の平均数をｘ３としたとき、ｘ１＋２ｘ２＋ｘ３＝４ｒ、０＜ｘ１＜４ｒ、０≦ｘ２＜２ｒ、かつ０＜ｘ３＜４ｒを満たす。ｒは、１～１００を満たす平均値である。
【0017】
式（Ｘ１）、式（Ｘ２）、および式（Ｘ３）中、＊は、結合部位を示す。
式（Ｘ２）中、Ｒ４は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。ｓは、２～２０を満たす平均値である。
式（Ｘ３）中、Ｒ５は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。Ｒ６は、炭素数２～５のアルケニルである。Ｒ７は、Ｒ６と同じ炭素数のアルカンジイルである。ｔは、２～２０を満たす平均値である。）
【0018】
有機ケイ素化合物（Ｂ）が、式（４）で表される化合物を含むことが好ましい。
式（４）中のｙは０≦ｙ≦５０を満たす平均値であり、Ｒ３はビニルまたは水素である。
式（４）中のｙは０≦ｙ≦５０を満たす平均値であり、Ｒ３はビニルまたは水素である。
【0019】
有機ケイ素化合物（Ｂ）が３つ以上のＳｉＨ基を有する化合物を含むことが好ましい。
３つ以上のＳｉＨ基を有する化合物の例としては、式（５－１）～式（５－４）で表す化合物などが挙げられる。
３つ以上のＳｉＨ基を有する化合物の例としては、式（５－１）～式（５－４）で表す化合物などが挙げられる。
【0020】
有機ケイ素化合物（Ｂ）が式（６－１）、式（６－２）、または式（６－３）で表される化合物を含むことが好ましい。
式（６－１）、式（６－２）、および式（６－３）中、ｎは化合物の平均値として１≦ｎ≦１０を満たす
式（６－１）、式（６－２）、および式（６－３）中、ｎは化合物の平均値として１≦ｎ≦１０を満たす
【0021】
当該熱硬化性樹脂組成物においては有機ケイ素化合物（Ａ）の含有量が３０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。
【0022】
当該熱硬化性樹脂組成物においては有機ケイ素化合物（Ａ）と有機ケイ素化合物（Ｂ）との合計１００質量％に対して有機ケイ素化合物（Ａ）が３０質量％以上であることが好ましい。
【0023】
当該熱硬化性樹脂組成物は、密着性付与剤（Ｄ）をさらに含有し、密着性付与剤（Ｄ）が、式（７）で表される化合物を含むことが好ましい。
【0024】
式（７）中、Ｒ１８は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルである。Ｚは独立して、式（Ｚ１）、式（Ｚ２）、式（Ｚ３１）、式（Ｚ３２）、式（Ｚ３３）、又は式（Ｚ４１）で表される基である。式（７）で表される化合物１分子あたりの式（Ｚ１）で表される基の平均数をｚ１、式（Ｚ２）で表される基の平均数をｚ２、式（Ｚ３１）、式（Ｚ３２）、または式（Ｚ３３）で表される基の平均数をｚ３、式（Ｚ４１）で表される基の平均数をｚ４としたとき、ｚ１＋２ｚ２＋ｚ３＋ｚ４＝４ｗ、０．５ｗ≦ｚ１≦３ｗ、０．５ｗ≦２ｚ２≦２ｗ、０．１ｗ≦ｚ３≦２ｗ、かつ０≦ｚ４≦ｗを満たす。ｗは、１～１００を満たす平均値である。
【0025】
式（Ｚ１）、式（Ｚ２）、式（Ｚ３１）、式（Ｚ３２）、式（Ｚ３３）、および式（Ｚ４１）中、＊は、結合部位を示す。
式（Ｚ２）中、Ｒ１９は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。ｉは、１～２０を満たす平均値である。
式（Ｚ４１）中、Ｒ２０は独立して、メチル、エチル、ブチル、またはイソプロピルである。
【0026】
当該熱硬化性樹脂組成物においては密着性付与剤（Ｄ）の含有量が０．１質量％以上５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上２質量％以下であることが更に好ましい。
【0027】
当該熱硬化性樹脂組成物は、蛍光体（Ｅ）または白色顔料（Ｆ）をさらに含むことが好ましい。
【0028】
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化させてなる成形体である。
【0029】
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、光半導体素子、及び上記光半導体素子を封止する当該成形体を備える光半導体装置である。
【発明の効果】
【0030】
本発明によれば、高い光透過性とガスバリア性を有する成形体を得ることができる有機ケイ素化合物および熱硬化性樹脂組成物、並びにこのような熱硬化性樹脂組成物を用いて得られる成形体および光半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0031】
以下、本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物、熱硬化性樹脂組成物、成形体、および半導体装置について詳説する。
【0032】
＜本発明の有機ケイ素化合物＞
有機ケイ素化合物（Ａ１）、有機ケイ素化合物（Ａ２）、または有機ケイ素化合物（Ａ３）を含む、本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物は、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位を核とし、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位のケイ素原子に直接結合したフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基を有し、末端基としてヒドロシリルまたはヒドロキシを有する。また、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位と末端基との間に連結されたジメチルシロキサン単位を有してもよい。
有機ケイ素化合物（Ａ１）、有機ケイ素化合物（Ａ２）、または有機ケイ素化合物（Ａ３）を含む、本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物は、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位を核とし、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位のケイ素原子に直接結合したフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基を有し、末端基としてヒドロシリルまたはヒドロキシを有する。また、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位と末端基との間に連結されたジメチルシロキサン単位を有してもよい。
【0033】
当該有機ケイ素化合物のフェニル基の水素化率を（当該有機ケイ素化合物に付加した１分子当たりの平均の水素分子数）／（当該有機ケイ素化合物の原料であるフェニル基を有するダブルデッカー型シルセスキオキサン構造を含む有機ケイ素化合物に含まれるフェニル基の数×３）とする。例えば有機ケイ素化合物（Ａ１）において平均で２．５個のフェニルがシクロヘキシルに核水素化された場合、水素化率は３１％であり、例えば有機ケイ素化合物（Ａ２）において平均で４個のフェニルがシクロヘキセニルに核水素化され、かつ平均で４個のフェニルがシクロヘキサンジイルに核水素化された場合、水素化率は５０％である。
【0034】
当該有機ケイ素化合物のフェニルの水素化率を３０％以上とすることで、ジメチルシロキサン構造とダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造との相溶性が向上し、相分離を起こしにくくなることにより、当該有機ケイ素化合物を含む熱硬化性樹脂組成物を用いて得られる成形体の光透過性が向上する。この効果は水素化率を高めるほど顕著になり、水素化率は６０％以上が好ましく、９０％以上がさらに好ましい。
【0035】
当該有機ケイ素化合物のフェニル基の核水素化における水素化率を３０％以上とすることで、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造同士のパッキングが密になり、当該有機ケイ素化合物を含む熱硬化性樹脂組成物を用いて得られる成形体のガスバリア性が向上する。この効果は水素化率を高めるほど顕著になり、水素化率は６０％以上が好ましく、９０％以上がさらに好ましい。
【0036】
当該有機ケイ素化合物のフェニル基の水素化は、芳香族化合物の水素化方法として一般的に知られている方法で実施可能である。
【0037】
＜有機ケイ素化合物（Ａ１）＞
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物（Ａ１）は式（１－１）で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位を核とし、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位のケイ素に直接結合したフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基を有し、末端基としてヒドロシリル基、またはヒドロキシを有する。また、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位と上記末端基との間に連結されたジメチルシロキサン単位を有してもよい。
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物（Ａ１）は式（１－１）で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位を核とし、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位のケイ素に直接結合したフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基を有し、末端基としてヒドロシリル基、またはヒドロキシを有する。また、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位と上記末端基との間に連結されたジメチルシロキサン単位を有してもよい。
【0038】
【0039】
式（１－１）中、Ｒ０は独立して、シクロヘキシルまたはシクロヘキセニルに代表されるフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基、またはフェニルであり、Ｒ１は独立して、水素またはヒドロキシである。
【0040】
式（１－１）中のｎは有機ケイ素化合物（Ａ１）における２本のジメチルシロキサン単位の長さの平均値であり、０以上１０以下が好ましく、０以上６以下がさらに好ましい。
【0041】
＜有機ケイ素化合物（Ａ２）＞
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物（Ａ２）は式（１－２）で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位を核とし、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位のケイ素に直接結合したフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基を有し、末端基としてヒドロシリル基、またはヒドロキシを有する。また、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位と上記末端基との間に連結されたジメチルシロキサン単位を有してもよい。
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物（Ａ２）は式（１－２）で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位を核とし、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位のケイ素に直接結合したフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基を有し、末端基としてヒドロシリル基、またはヒドロキシを有する。また、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位と上記末端基との間に連結されたジメチルシロキサン単位を有してもよい。
【0042】
【0043】
式（１－２）中、Ｒ０は独立して、シクロヘキシルまたはシクロヘキセニルに代表されるフェニルを核素化することで得られる炭化水素基、またはフェニルであり、Ｒ２は独立して、水素またはヒドロキシである。
【0044】
式（１－２）中のｎは有機ケイ素化合物（Ａ２）における４本のジメチルシロキサン単位の長さの平均値であり、０以上１０以下が好ましく、０以上６以下がさらに好ましい。
【0045】
＜有機ケイ素化合物（Ａ３）＞
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物（Ａ３）は式（１－３）で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位を核とし、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位のケイ素に直接結合したフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基を有し、末端基としてヒドロシリル、またはヒドロキシを有する。また、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位と上記末端基との間に連結されたジメチルシロキサン単位を有してもよい。
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物（Ａ３）は式（１－３）で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位を核とし、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位のケイ素に直接結合したフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基を有し、末端基としてヒドロシリル、またはヒドロキシを有する。また、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位と上記末端基との間に連結されたジメチルシロキサン単位を有してもよい。
【0046】
【0047】
式（１－３）中、Ｒ０は独立して、シクロヘキシルまたはシクロヘキセニルに代表されるフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基、またはフェニルであり、Ｒ３は独立して、水素またはヒドロキシ基である。
【0048】
式（１－３）中のｎは有機ケイ素化合物（Ａ２）における４本のジメチルシロキサン単位の長さの平均値であり、０以上１０以下が好ましく、０以上６以下がさらに好ましい。
【0049】
＜有機ケイ素化合物誘導体（Ａ４）＞
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物（Ａ４）は式（２－３）で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位のケイ素に直接結合したフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基を有するダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位、ジメチルシロキサン単位、および末端基としてのビニルを有し、有機ケイ素化合物（Ａ１）と式（２－１）または式（２－２）で表される化合物とを酸触媒下で平衡化重合することで得ることができる。
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物（Ａ４）は式（２－３）で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位のケイ素に直接結合したフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基を有するダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位、ジメチルシロキサン単位、および末端基としてのビニルを有し、有機ケイ素化合物（Ａ１）と式（２－１）または式（２－２）で表される化合物とを酸触媒下で平衡化重合することで得ることができる。
【0050】
【0051】
式（２－１）中のｎは３≦ｎ≦８を満たす整数である。
式（２－２）中のｍは０≦ｍ≦５０を満たす平均値であり、Ｖｉはビニルを表す。
式（２－３）中、ｍは１～５を満たす平均値であり、ｎは２～５０を満たす平均値であり、Ｒ０は独立して、シクロヘキシルまたはシクロヘキセニルに代表されるフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基、またはフェニルであり、Ｖｉはビニルを表す。
式（２－２）中のｍは０≦ｍ≦５０を満たす平均値であり、Ｖｉはビニルを表す。
式（２－３）中、ｍは１～５を満たす平均値であり、ｎは２～５０を満たす平均値であり、Ｒ０は独立して、シクロヘキシルまたはシクロヘキセニルに代表されるフェニルを核水素化することで得られる炭化水素基、またはフェニルであり、Ｖｉはビニルを表す。
【0052】
＜熱硬化性樹脂組成物＞
本発明の一実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、有機ケイ素化合物（Ａ１）又は有機ケイ素化合物（Ａ２）、有機ケイ素化合物（Ａ３）、または有機ケイ素化合物誘導体（Ａ４）（以下、「（Ａ）有機ケイ素化合物」または「（Ａ）成分」ともいう。）、有機ケイ素化合物（Ａ）以外の複数の架橋性基を有する有機ケイ素化合物（以下、「（Ｂ）有機ケイ素化合物」または「（Ｂ）成分」ともいう。）、およびヒドロシリル化触媒（Ｃ）を含有する。有機ケイ素化合物（Ｂ）は、少なくとも有機ケイ素化合物（Ａ）と架橋可能な化合物を含む。当該熱硬化性樹脂組成物は、有機ケイ素化合物（Ａ）を含有するため、ジメチルシロキサン構造とダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造との相溶性が高く相分離を起こしにくいほか、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造同士のパッキングが密になり、硬化して得られる成形体の光透過性及びガスバリア性に優れる。当該熱硬化性樹脂組成物は、さらに他の成分を含有していてもよい。以下、当該熱硬化性樹脂組成物を構成する各成分について詳説する。
本発明の一実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、有機ケイ素化合物（Ａ１）又は有機ケイ素化合物（Ａ２）、有機ケイ素化合物（Ａ３）、または有機ケイ素化合物誘導体（Ａ４）（以下、「（Ａ）有機ケイ素化合物」または「（Ａ）成分」ともいう。）、有機ケイ素化合物（Ａ）以外の複数の架橋性基を有する有機ケイ素化合物（以下、「（Ｂ）有機ケイ素化合物」または「（Ｂ）成分」ともいう。）、およびヒドロシリル化触媒（Ｃ）を含有する。有機ケイ素化合物（Ｂ）は、少なくとも有機ケイ素化合物（Ａ）と架橋可能な化合物を含む。当該熱硬化性樹脂組成物は、有機ケイ素化合物（Ａ）を含有するため、ジメチルシロキサン構造とダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造との相溶性が高く相分離を起こしにくいほか、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造同士のパッキングが密になり、硬化して得られる成形体の光透過性及びガスバリア性に優れる。当該熱硬化性樹脂組成物は、さらに他の成分を含有していてもよい。以下、当該熱硬化性樹脂組成物を構成する各成分について詳説する。
【0053】
＜（Ａ）成分：有機ケイ素化合物（Ａ）＞
有機ケイ素化合物（Ａ）は、上述した有機ケイ素化合物（Ａ１）、有機ケイ素化合物（Ａ２）、または有機ケイ素化合物（Ａ３）のうちＲ１、Ｒ２、Ｒ３が水素である有機ケイ素化合物、または有機ケイ素化合物誘導体（Ａ４）である。有機ケイ素化合物（Ａ）は、１種または２種以上の混合物であってよい。
有機ケイ素化合物（Ａ）は、上述した有機ケイ素化合物（Ａ１）、有機ケイ素化合物（Ａ２）、または有機ケイ素化合物（Ａ３）のうちＲ１、Ｒ２、Ｒ３が水素である有機ケイ素化合物、または有機ケイ素化合物誘導体（Ａ４）である。有機ケイ素化合物（Ａ）は、１種または２種以上の混合物であってよい。
【0054】
当該熱硬化性樹脂組成物における全有機ケイ素化合物に占める有機ケイ素化合物（Ａ）の含有量の下限としては、１質量％が好ましく、５質量％がより好ましく、１０質量％がさらに好ましい場合もある。一方、この含有量の上限としては、９０質量％が好ましく、７０質量％がより好ましく、５０質量％、３０質量％がさらに好ましい場合もある。例えば、有機ケイ素化合物（Ａ）が両末端にヒドロシリル基が存在する形態の場合、有機ケイ素化合物（Ａ）の含有量を比較的小さくし、有機ケイ素化合物（Ｂ）の含有量を大きくすることで、得られる成形体の光透過性、ガスバリア性、熱衝撃性および誘電特性が向上する傾向がある。
【0055】
有機ケイ素化合物（Ａ）の含有量を１質量％以上９０質量％以下とすることで、他の成分との混合比率が好適化されることなどにより、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化して得られる成形体の光透過性及びガスバリア性がより向上する。
【0056】
＜（Ｂ）成分：有機ケイ素化合物（Ｂ）＞
有機ケイ素化合物（Ｂ）は、分子内に複数の架橋性基を有する有機ケイ素化合物（有機ケイ素化合物（Ａ）を除く）である。架橋性基としては、ビニル等のアルケニル、エチニル等のアルキニル、ヒドロシリル等を挙げることができ、ビニルおよびヒドロシリルが好ましい。有機ケイ素化合物（Ｂ）は、１種または２種以上の混合物であってよい。有機ケイ素化合物（Ｂ）は、有機ケイ素化合物（Ａ）と架橋可能な少なくとも１種を含む。有機ケイ素化合物（Ａ）の末端にビニルが存在する形態の場合、架橋性基としてヒドロシリル基を含む化合物が、ヒドロシリル化反応により有機ケイ素化合物（Ａ）と架橋することができる。有機ケイ素化合物（Ａ）の末端にヒドロシリルが存在する形態の場合、架橋性基としてビニルを含む化合物が、ヒドロシリル化反応により有機ケイ素化合物（Ａ）と架橋することができる。有機ケイ素化合物（Ｂ）のうち、ヒドロシリル基を有する化合物としては、後述する有機ケイ素化合物（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）、（Ｂ４）等が挙げられる。有機ケイ素化合物（Ｂ）のうち、ビニルを有する有機ケイ素化合物としては、後述する有機ケイ素化合物（Ｂ１）、（Ｂ２）等が挙げられる。
有機ケイ素化合物（Ｂ）は、分子内に複数の架橋性基を有する有機ケイ素化合物（有機ケイ素化合物（Ａ）を除く）である。架橋性基としては、ビニル等のアルケニル、エチニル等のアルキニル、ヒドロシリル等を挙げることができ、ビニルおよびヒドロシリルが好ましい。有機ケイ素化合物（Ｂ）は、１種または２種以上の混合物であってよい。有機ケイ素化合物（Ｂ）は、有機ケイ素化合物（Ａ）と架橋可能な少なくとも１種を含む。有機ケイ素化合物（Ａ）の末端にビニルが存在する形態の場合、架橋性基としてヒドロシリル基を含む化合物が、ヒドロシリル化反応により有機ケイ素化合物（Ａ）と架橋することができる。有機ケイ素化合物（Ａ）の末端にヒドロシリルが存在する形態の場合、架橋性基としてビニルを含む化合物が、ヒドロシリル化反応により有機ケイ素化合物（Ａ）と架橋することができる。有機ケイ素化合物（Ｂ）のうち、ヒドロシリル基を有する化合物としては、後述する有機ケイ素化合物（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）、（Ｂ４）等が挙げられる。有機ケイ素化合物（Ｂ）のうち、ビニルを有する有機ケイ素化合物としては、後述する有機ケイ素化合物（Ｂ１）、（Ｂ２）等が挙げられる。
【0057】
当該熱硬化性樹脂組成物においては、有機ケイ素化合物（Ａ）と有機ケイ素化合物（Ｂ）の少なくとも一種とがヒドロシリル化触媒（Ｃ）の下で架橋反応し、硬化物が得られることとなる。なお、有機ケイ素化合物（Ｂ）同士で架橋反応が生じてもよい。以下、有機ケイ素化合物（Ａ）として好適な有機ケイ素化合物（Ｂ１）～（Ｂ４）について説明する。すなわち、有機ケイ素化合物（Ｂ）は、有機ケイ素化合物（Ｂ１）～（Ｂ４）のうちの１種または２種以上を含むことが好ましい。
【0058】
＜有機ケイ素化合物（Ｂ１）＞
有機ケイ素化合物（Ｂ１）は、ヒドロシリル、ビニル、およびシルセスキオキサン構造を有する有機ケイ素化合物である。有機ケイ素化合物（Ｂ１）は、シルセスキオキサン構造を有するため、得られる成形体の耐熱性をより高めることができる。有機ケイ素化合物（Ｂ１）としては、式（３）で表される化合物を挙げることができる。
有機ケイ素化合物（Ｂ１）は、ヒドロシリル、ビニル、およびシルセスキオキサン構造を有する有機ケイ素化合物である。有機ケイ素化合物（Ｂ１）は、シルセスキオキサン構造を有するため、得られる成形体の耐熱性をより高めることができる。有機ケイ素化合物（Ｂ１）としては、式（３）で表される化合物を挙げることができる。
【0059】
【0060】
式（３）中、Ｒ３は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルである。Ｘは独立して、式（Ｘ１）、式（Ｘ２）、または式（Ｘ３）で表される基である。式（３）で表される化合物１分子あたりの式（Ｘ１）で表される基の平均数をｘ１、式（Ｘ２）で表される基の平均数をｘ２、式（Ｘ３）で表される基の平均数をｘ３としたとき、ｘ１＋２ｘ２＋ｘ３＝４ｒ、０＜ｘ１＜４ｒ、０≦ｘ２＜２ｒ、かつ０＜ｘ３＜４ｒを満たす。ｒは、１～１００を満たす平均値である。
【0061】
Ｒ３としては、アルキルが好ましく、メチルがより好ましい。
【0062】
ｘ１は、ｒを超えることが好ましく、２ｒを超えることがより好ましい。また、ｘ１は、３ｒ未満が好ましい。上記ｘ２は、ｒ以下であることが好ましい。上記ｘ３は、ｒを超えることが好ましい。また、上記ｘ３は、３ｒ未満が好ましく、２ｒ未満がより好ましい。ｘ１＞ｘ３を満たすことも好ましい。一形態として、ｘ２は０であってよい。このとき、ｒは１となる。
【0063】
式（Ｘ１）、式（Ｘ２）、および式（Ｘ３）中、＊は、結合部位を示す。
【0064】
式（Ｘ２）中、Ｒ４は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。ｓは、２～２０を満たす平均値である。
【0065】
式（Ｘ３）中、Ｒ５は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。Ｒ６は、炭素数２～５のアルケニルである。Ｒ７は、Ｒ６と同じ炭素数のアルカンジイルである。ｔは、２～２０を満たす平均値である。
【0066】
Ｒ５としては、アルキルが好ましく、メチルがより好ましい。Ｒ６およびＲ７の炭素数としては、２が好ましい。ｔの上限としては、１０が好ましく、５がより好ましく、３がさらに好ましい。
【0067】
式（３）で表される化合物は、例えば国際公開第２０１１／１４５６３８号に記載の方法にて合成することができる。
【0068】
当該熱硬化性樹脂組成物における全有機ケイ素化合物に占める有機ケイ素化合物（Ｂ１）の含有量の下限としては、０．０１質量％が好ましく、３０質量％がより好ましく、５０質量％がさらに好ましい場合もある。一方、この含有量の上限としては、９０質量％が好ましく、７０質量％がより好ましく、５０質量％がさらに好ましい場合もある。有機ケイ素化合物（Ｂ１）の含有量を０．０１質量％以上９０質量％以下とすることで、他の成分との混合比率が好適化されることなどにより、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化して得られる成形体の光透過性およびガスバリア性がより向上する。
【0069】
＜有機ケイ素化合物（Ｂ２）＞
有機ケイ素化合物（Ｂ２）は、式（４）で表される化合物である。
有機ケイ素化合物（Ｂ２）は、式（４）で表される化合物である。
【0070】
式（４）中のｙは０≦ｙ≦５０を満たす平均値であり、Ｒ３はビニルまたは水素である。
【0071】
当該熱硬化性樹脂組成物における全有機ケイ素化合物に占める有機ケイ素化合物（Ｂ２）の含有量の下限としては、０．５質量％が好ましく、１質量％がより好ましい。一方、この含有量の上限としては、２０質量％が好ましく、１０質量％がより好ましく、５質量％がさらに好ましい。有機ケイ素化合物（Ｂ２）の含有量を０．５質量％以上２０質量％以下とすることで、他の成分との混合比率が好適化されることなどにより、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化して得られる成形体の光透過性およびガスバリア性がより向上する。
【0072】
＜有機ケイ素化合物（Ｂ３）＞
有機ケイ素化合物（Ｂ３）は、３つ以上のＳｉＨ基を有する化合物である。
有機ケイ素化合物（Ｂ３）は、３つ以上のＳｉＨ基を有する化合物である。
【0073】
３つ以上のＳｉＨ基を有する化合物の例としては、式（５－１）～式（５－４）で表す化合物などが挙げられる。
【0074】
当該熱硬化性樹脂組成物における全有機ケイ素化合物に占める有機ケイ素化合物の含有量（Ｂ３）の下限としては、０．５質量％が好ましく、１質量％がより好ましく、３質量％または５質量％がさらに好ましい場合もある。一方、この含有量の上限としては、４０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましく、２５質量％または２０質量％がさらに好ましい場合もある。有機ケイ素化合物（Ｂ３）の含有量を０．５質量％以上４０質量％以下とすることで、他の成分との混合比率が好適化されることなどにより、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化して得られる成形体の光透過性及びガスバリア性がより向上する。
【0075】
＜有機ケイ素化合物（Ｂ４）＞
有機ケイ素化合物（Ｂ４）は、式（６－１）、式（６－２）、または式（６－３）で表される化合物である。
有機ケイ素化合物（Ｂ４）は、式（６－１）、式（６－２）、または式（６－３）で表される化合物である。
【0076】
式（６－１）、式（６－２）、および式（６－３）中、ｎは化合物の平均値として１≦ｎ≦１０を満たす
【0077】
式（６－１）、式（６－２）、および式（６－３）中のｎは有機ケイ素化合物（Ｂ４）におけるジメチルシロキサン単位の長さの平均値であり、１以上１０以下が好ましく、２以上６以下がさらに好ましい。
【0078】
当該熱硬化性樹脂組成物における全有機ケイ素化合物に占める有機ケイ素化合物（Ｂ４）の含有量の下限としては、０．５質量％が好ましく、１質量％がより好ましく、３質量％または５質量％がさらに好ましい場合もある。一方、この含有量の上限としては、４０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましく、２５質量％または２０質量％がさらに好ましい場合もある。有機ケイ素化合物（Ｂ４）の含有量を０．５質量％以上４０質量％以下とすることで、他の成分との混合比率が好適化されることなどにより、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化して得られる成形体の光透過性およびガスバリア性がより向上する。
【0079】
当該熱硬化性樹脂組成物における全有機ケイ素化合物に占める有機ケイ素化合物（Ｂ）の含有量の下限としては、１０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましく、４０質量％がさらに好ましく、６０質量％または７５質量％がよりさらに好ましい場合もある。一方、この含有量の上限としては、９０質量％が好ましく、７０質量％または６５質量％がより好ましい場合もある。有機ケイ素化合物（Ｂ）の含有量を１０質量％以上９０質量％以下とすることで、他の成分との混合比率が好適化されることなどにより、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化して得られる成形体の光透過性及びガスバリア性がより向上する。
【0080】
また、当該熱硬化性樹脂組成物における各成分の含有量に関し、全成分中の全てのヒドロシリルのモル数に対する全成分中の全てのビニルのモル数の比（ビニル／ヒドロシリル）の下限としては、０．６が好ましく、０．７がより好ましく、０．８がさらに好ましく、０．９がよりさらに好ましい。さらに、この比は１超がより好ましい場合もある。一方、この比の上限としては、１．６が好ましく、１．４がより好ましい。ヒドロシリル基とビニル基とのモル比が上記範囲内である場合、より効果的に架橋反応が進行し、耐熱性等をより高めることができる。
【0081】
＜成分（Ｃ）：ヒドロシリル化触媒（Ｃ）＞
ヒドロシリル化触媒（Ｃ）としては、有機ケイ素化合物（Ａ）と有機ケイ素化合物（Ｂ）等とのヒドロシリル化反応を生じさせる触媒であれば特に限定されるものではない。このような触媒としては、塩化白金酸、カルステッド触媒等の白金触媒を挙げることができる。
ヒドロシリル化触媒（Ｃ）としては、有機ケイ素化合物（Ａ）と有機ケイ素化合物（Ｂ）等とのヒドロシリル化反応を生じさせる触媒であれば特に限定されるものではない。このような触媒としては、塩化白金酸、カルステッド触媒等の白金触媒を挙げることができる。
【0082】
当該熱硬化性樹脂組成物におけるヒドロシリル化触媒（Ｃ）の含有量の下限としては、例えば０．１ｐｐｍであり、０．５ｐｐｍが好ましい。ヒドロシリル化触媒（Ｃ）の含有量を０．１ｐｐｍ以上とすることで、十分な反応を生じさせることができる。一方、この含有量の上限としては、例えば１，０００ｐｐｍであり、１００ｐｐｍが好ましく、１０ｐｐｍまたは３ｐｐｍがより好ましい。触媒（Ｃ）の含有量を１，０００ｐｐｍ以下とすることで、得られる成形体の耐クラック性や光透過性等をより良好にすることができる。
【0083】
＜（Ｄ）成分：密着性付与剤（Ｄ）＞
当該熱硬化性樹脂組成物は、密着性付与剤（Ｄ）をさらに含有することが好ましい。密着性付与剤（Ｄ）としては、ヒドロシリルおよびエポキシを有する有機ケイ素化合物が好ましく、さらにアルコキシシリルを有するものであることがより好ましい。このような化合物は、当該熱硬化性樹脂組成物中の他の成分と架橋反応しつつ、当該熱硬化性樹脂組成物が積層される基材等の成分と結合反応することができ、得られる成形体の密着性を高めることができる。さらに、密着性付与剤（Ｄ）は、耐熱性などの点から、シルセスキオキサン構造を有するものであることがより好ましい。このような好適な密着性付与剤（Ｄ）としては、式（７）で表される化合物を挙げることができる。
当該熱硬化性樹脂組成物は、密着性付与剤（Ｄ）をさらに含有することが好ましい。密着性付与剤（Ｄ）としては、ヒドロシリルおよびエポキシを有する有機ケイ素化合物が好ましく、さらにアルコキシシリルを有するものであることがより好ましい。このような化合物は、当該熱硬化性樹脂組成物中の他の成分と架橋反応しつつ、当該熱硬化性樹脂組成物が積層される基材等の成分と結合反応することができ、得られる成形体の密着性を高めることができる。さらに、密着性付与剤（Ｄ）は、耐熱性などの点から、シルセスキオキサン構造を有するものであることがより好ましい。このような好適な密着性付与剤（Ｄ）としては、式（７）で表される化合物を挙げることができる。
【0084】
【0085】
式（７）中、Ｒ１８は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルである。Ｚは独立して、式（Ｚ１）、式（Ｚ２）、式（Ｚ３１）、式（Ｚ３２）、式（Ｚ３３）、または式（Ｚ４１）で表される基である。式（７）で表される化合物１分子あたりの式（Ｚ１）で表される基の平均数をｚ１、式（Ｚ２）で表される基の平均数をｚ２、式（Ｚ３１）、式（Ｚ３２）、または式（Ｚ３３）で表される基の平均数をｚ３、式（Ｚ４１）で表される基の平均数をｚ４としたとき、ｚ１＋２ｚ２＋ｚ３＋ｚ４＝４ｗ、０．５ｗ≦ｚ１≦３ｗ、０．５ｗ≦２ｚ２≦２ｗ、０．１ｗ≦ｚ３≦２ｗ、かつ０≦ｚ４≦ｗを満たす。ｗは、１～１００を満たす平均値である。
【0086】
Ｒ１８としては、アルキルが好ましく、メチルがより好ましい。ｚ１、ｚ２、ｚ３、およびｚ４は、それぞれ、ｗ≦ｚ１≦２ｗ、０．３ｗ≦ｚ２≦ｗ、０．３ｗ≦ｚ３≦ｗ、かつ０．３ｗ≦ｚ４≦ｗであることが好ましい。ｗの下限は、３であってよく、５であってもよい。また、ｗの上限は、３０であってよく、１５であってもよい。
【0087】
【0088】
式（Ｚ１）、式（Ｚ２）、式（Ｚ３１）、式（Ｚ３２）、式（Ｚ３３）、および式（Ｚ４１）中、＊は、結合部位を示す。
【0089】
式（Ｚ２）中、Ｒ１９は独立して、炭素数１～４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。ｉは、１～２０を満たす平均値である。Ｒ１９としては、アルキルが好ましく、メチルがより好ましい。
【0090】
式（Ｚ４１）中、Ｒ２０は独立して、メチル、エチル、ブチル、またはイソプロピルである。Ｒ２０としては、メチルが好ましい。
【0091】
当該熱硬化性樹脂組成物における密着性付与剤（Ｄ）の含有量の下限としては、０．１質量％が好ましく、１質量％がより好ましい。密着性付与剤（Ｄ）の含有量を０．１質量％以上とすることで、十分な密着性を付与することができる。一方、この含有量の上限としては、１０質量％が好ましく、３質量％がより好ましい。密着性付与剤（Ｄ）の含有量を１０質量％以下とすることで、他の成分との混合比率や得られる成形体の架橋密度が好適化されることなどにより、硬化して得られる成形体の高温環境下での耐クラック性がより向上する。また、密着性付与剤（Ｄ）は有機ケイ素化合物であってもよい。
【0092】
＜（Ｅ）成分：蛍光体（Ｅ）＞
＜（Ｆ）成分：白色顔料（Ｆ）＞
当該熱硬化性樹脂組成物は、蛍光体（Ｅ）または白色顔料（Ｆ）をさらに含むことが好ましい。蛍光体（Ｅ）または白色顔料（Ｆ）は、通常、当該熱硬化性樹脂組成物中に分散含有される。当該熱硬化性樹脂組成物が蛍光体（Ｅ）または白色顔料（Ｆ）をさらに含む場合、当該熱硬化性樹脂組成物は、光半導体素子の封止材等としてより好適に用いることができる。
＜（Ｆ）成分：白色顔料（Ｆ）＞
当該熱硬化性樹脂組成物は、蛍光体（Ｅ）または白色顔料（Ｆ）をさらに含むことが好ましい。蛍光体（Ｅ）または白色顔料（Ｆ）は、通常、当該熱硬化性樹脂組成物中に分散含有される。当該熱硬化性樹脂組成物が蛍光体（Ｅ）または白色顔料（Ｆ）をさらに含む場合、当該熱硬化性樹脂組成物は、光半導体素子の封止材等としてより好適に用いることができる。
【0093】
蛍光体（Ｅ）としては、ＹＡＧ系蛍光体、ＴＡＧ系蛍光体、シリケート系蛍光体等の無機蛍光体や、アリルスルホアミド・メラミンホルムアルデヒド共縮合染色物、ペリレン系蛍光体等の有機蛍光体を挙げることができる。
【0094】
白色顔料（Ｆ）としては、酸化チタン、アルミナ、チタン酸バリウム、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、無機中空粒子等を挙げることができる。
【0095】
＜その他の成分＞
当該熱硬化性樹脂組成物は、上述した（Ａ）～（Ｅ）成分以外の他の成分を含有していてもよい。他の成分としては、充填剤、難燃剤、イオン吸着体、酸化防止剤、硬化遅延剤、硬化禁止剤、紫外線吸収剤等を挙げることができる。
当該熱硬化性樹脂組成物は、上述した（Ａ）～（Ｅ）成分以外の他の成分を含有していてもよい。他の成分としては、充填剤、難燃剤、イオン吸着体、酸化防止剤、硬化遅延剤、硬化禁止剤、紫外線吸収剤等を挙げることができる。
【0096】
（Ａ）～（Ｆ）成分以外の他の成分の含有量は、用途等に応じて適宜設定することができる。一方、これらの他の成分は、少ない方が好ましい場合もある。当該熱硬化性樹脂組成物における（Ａ）～（Ｆ）成分以外の他の成分の含有量の上限は、１０質量％、１質量％、０．１質量％または０．０１質量％が好ましい場合もある。一方、（Ａ）～（Ｆ）成分以外の他の成分の含有量の下限は、例えば０．０１質量％、０．１質量％または１質量％であってよい。
【0097】
当該熱硬化性樹脂組成物は、溶媒やその他の揮発性成分を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。但し、有機ケイ素化合物（Ａ）は、通常、液状であるため、溶媒を用いなくても良好な流動性を示すことができる。また、実質的に溶媒等の揮発性成分を含まない組成とすることで、光半導体素子の封止材等としてより好適に用いることができる。当該熱硬化性樹脂組成物における溶媒又は揮発性成分の含有量の上限としては、１質量％が好ましく、０．１質量％がより好ましく、０．０１質量％がより好ましい。
【0098】
＜調製方法＞
当該熱硬化性樹脂組成物の調製方法は特に限定されるものでは無い。当該熱硬化性樹脂組成物の調製方法は、例えばホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール、ビーズミル等の混合機を用いて、常温または４０℃から２００℃などの加温下で、各成分を混合する方法が挙げられる。
当該熱硬化性樹脂組成物の調製方法は特に限定されるものでは無い。当該熱硬化性樹脂組成物の調製方法は、例えばホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール、ビーズミル等の混合機を用いて、常温または４０℃から２００℃などの加温下で、各成分を混合する方法が挙げられる。
【0099】
＜用途＞
当該熱硬化性樹脂組成物は、光半導体素子の封止材、その他の半導体素子の封止材、絶縁膜、シール材、光学レンズ等の形成材料、その他接着剤等として好適に用いることができる。中でも、硬化して得られる成形体が、光透過性及びガスバリア性に優れるため、光半導体素子の封止材として特に好適に用いることができる。
当該熱硬化性樹脂組成物は、光半導体素子の封止材、その他の半導体素子の封止材、絶縁膜、シール材、光学レンズ等の形成材料、その他接着剤等として好適に用いることができる。中でも、硬化して得られる成形体が、光透過性及びガスバリア性に優れるため、光半導体素子の封止材として特に好適に用いることができる。
【0100】
＜成形体＞
本発明の一実施形態に係る成形体は、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化させてなる成形体である。すなわち、当該成形体は、当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物である。本発明の一実施形態は、当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物も含まれる。当該成形体としては、光半導体素子等の半導体素子の封止材、絶縁膜、シール材、光学レンズ等が挙げられ、これらの中でも光半導体素子の封止材であることが好ましい。
本発明の一実施形態に係る成形体は、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化させてなる成形体である。すなわち、当該成形体は、当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物である。本発明の一実施形態は、当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物も含まれる。当該成形体としては、光半導体素子等の半導体素子の封止材、絶縁膜、シール材、光学レンズ等が挙げられ、これらの中でも光半導体素子の封止材であることが好ましい。
【0101】
当該成形体は、上述した熱硬化性樹脂組成物を加熱により硬化させることにより得られる。このときの加熱温度としては、例えば６０～２００℃であり、８０～１６０℃が好ましい。また、加熱時間は、例えば１～２４時間とすることができる。
【0102】
＜光半導体装置＞
本発明の一実施形態に係る光半導体装置は、光半導体素子、及び上記光半導体素子を封止する当該成形体を備える。
本発明の一実施形態に係る光半導体装置は、光半導体素子、及び上記光半導体素子を封止する当該成形体を備える。
【0103】
上記光半導体素子としては特に限定されず、例えば、上記光半導体素子がＬＥＤである場合、例えば基板上に半導体材料を積層して形成したものが挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えばＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮ、ＳｉＣ等が挙げられる。
【0104】
当該光半導体装置は、光半導体素子を本発明の一実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物を用いて封止することにより得られる。この封止方法は、例えば（１）モールド型枠中に当該熱硬化性樹脂組成物を予め注入し、そこに光半導体素子が固定されたリードフレーム等を浸漬した後、熱硬化させる方法、（２）光半導体素子を挿入した型枠中に当該熱硬化性樹脂組成物を注入し、熱硬化させる方法等が挙げられる。当該熱硬化性樹脂組成物を注入する方法としては、例えばディスペンサーによる注入、トランスファー成形及び射出成形が挙げられる。更に、その他の封止方法としては、例えば当該熱硬化性樹脂組成物を光半導体素子上へ滴下、印刷又は塗布等し、その後、熱硬化させる方法なども挙げられる。
【0105】
当該光半導体装置は、本発明の一実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物が封止材として用いられているため、その封止材が透明性に優れ、硫化ガスまたは水蒸気ガスに暴露されても素子不良を発生しない、かつ冷熱の激しい環境下でもクラックを発生しない信頼性に優れた光半導体装置となる。（また誘電特性に優れた絶縁膜を備えた光半導体装置となる。）当該光半導体装置は、各種照明装置、電光掲示板、信号機、液晶表示装置のバックライト、ＬＥＤディスプレイ等に用いることができる。
【実施例0106】
本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。なお、化学式中「Ｍｅ」はメチルを表し、「Ｖｉ」はビニルを表し、「Ｐｈ」はフェニルを表す。以下、合成した有機ケイ素化合物の分析方法を示す。
【0107】
＜数平均分子量及び重量平均分子量＞
日本分光（株）製の高速液体クロマトグラフシステムＣＯ－１５６５ｐｌｕｓを使用し、試料濃度１質量％のＴＨＦ溶液２０μＬを分析サンプルとして、以下の条件でのＧＰＣ法により測定した。ポリスチレン換算することにより、数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ ＫＦ４０２ＨＱ、Ｓｈｏｄｅｘ ＫＦ４０２．５ＨＱ［昭和電工（株）製］
カラム温度：４０℃
検出器：ＲＩ
溶離液：ＴＨＦ
溶離液流速：０．３ｍＬ毎分
日本分光（株）製の高速液体クロマトグラフシステムＣＯ－１５６５ｐｌｕｓを使用し、試料濃度１質量％のＴＨＦ溶液２０μＬを分析サンプルとして、以下の条件でのＧＰＣ法により測定した。ポリスチレン換算することにより、数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ ＫＦ４０２ＨＱ、Ｓｈｏｄｅｘ ＫＦ４０２．５ＨＱ［昭和電工（株）製］
カラム温度：４０℃
検出器：ＲＩ
溶離液：ＴＨＦ
溶離液流速：０．３ｍＬ毎分
【0108】
＜ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル）＞
日本電子（株）製の４００ＭＨＺのＮＭＲ測定装置を使用し、１Ｈ－ＮＭＲ及び１３Ｃ－ＮＭＲについては測定サンプルを重クロロホルム（ＡＣＲＯＳ ＯＲＧＡＮＩＣＳ社製）に溶解して測定し、２９Ｓｉ－ＮＭＲについては測定サンプルをテトラヒドロフラン（富士フイルム和光純薬株式会社製）に溶解して測定した。また、１Ｈ－ＮＭＲまたは２９Ｓｉ－ＮＭＲの積分比より、合成した有機ケイ素化合物におけるフェニル基の核水素化率を計算した。また、１Ｈ－ＮＭＲ又は２９Ｓｉ－ＮＭＲの積分比より、合成した有機ケイ素化合物誘導体において導入された平均ポリシロキサン鎖長（式（２－３）におけるｎ）等を決定した。
日本電子（株）製の４００ＭＨＺのＮＭＲ測定装置を使用し、１Ｈ－ＮＭＲ及び１３Ｃ－ＮＭＲについては測定サンプルを重クロロホルム（ＡＣＲＯＳ ＯＲＧＡＮＩＣＳ社製）に溶解して測定し、２９Ｓｉ－ＮＭＲについては測定サンプルをテトラヒドロフラン（富士フイルム和光純薬株式会社製）に溶解して測定した。また、１Ｈ－ＮＭＲまたは２９Ｓｉ－ＮＭＲの積分比より、合成した有機ケイ素化合物におけるフェニル基の核水素化率を計算した。また、１Ｈ－ＮＭＲ又は２９Ｓｉ－ＮＭＲの積分比より、合成した有機ケイ素化合物誘導体において導入された平均ポリシロキサン鎖長（式（２－３）におけるｎ）等を決定した。
【0109】
＜ＵＶ－Ｖｉｓ吸収スペクトル＞
日本分光（株）製のＵＶ－Ｖｉｓ吸収スペクトル測定装置Ｖ－６６０を使用し、試料濃度１ミリモル％のＴＨＦ溶液を調製し、光路長１０ミリメートルの石英セルに入れて測定した。フェニル由来の光吸収ピークの吸光度の比較により、合成した有機ケイ素化合物におけるフェニル基の核水素化率を計算した。
日本分光（株）製のＵＶ－Ｖｉｓ吸収スペクトル測定装置Ｖ－６６０を使用し、試料濃度１ミリモル％のＴＨＦ溶液を調製し、光路長１０ミリメートルの石英セルに入れて測定した。フェニル由来の光吸収ピークの吸光度の比較により、合成した有機ケイ素化合物におけるフェニル基の核水素化率を計算した。
【0110】
＜粘度＞
東機産業（株）製のＴＶ－２２形粘度計コーンプレートタイプを使用し、恒温槽温度２５℃にて、粘度を測定した。
東機産業（株）製のＴＶ－２２形粘度計コーンプレートタイプを使用し、恒温槽温度２５℃にて、粘度を測定した。
【0111】
＜ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦＭＳ＞
Ｂｒｕｋｅｒ Ｄａｌｔｏｎｉｃｓ社製のＭＡＬＤＩ－ＴＯＦＭＳ測定装置ａｕｔｏｆｌｅｘＩＩＩを使用し、Ｒｅｆｒａｃｔｏｒ Ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｍｏｄｅ（測定範囲：ｍ／ｚ＝４００～２０００）で測定した。測定用サンプルは、マトリックスとしてＤＩＴ、イオン化剤としてＬｉＴＦＡを使用し、マトリックス／イオン化剤／対象試料＝１００／１０／１のモル比で調製した。
Ｂｒｕｋｅｒ Ｄａｌｔｏｎｉｃｓ社製のＭＡＬＤＩ－ＴＯＦＭＳ測定装置ａｕｔｏｆｌｅｘＩＩＩを使用し、Ｒｅｆｒａｃｔｏｒ Ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｍｏｄｅ（測定範囲：ｍ／ｚ＝４００～２０００）で測定した。測定用サンプルは、マトリックスとしてＤＩＴ、イオン化剤としてＬｉＴＦＡを使用し、マトリックス／イオン化剤／対象試料＝１００／１０／１のモル比で調製した。
【0112】
［合成例１］
＜有機ケイ素化合物（８－１）の合成＞
特許第４３７９１２０号公報記載の方法にて、式（８－１）で表される有機ケイ素化合物を合成した。
＜有機ケイ素化合物（８－１）の合成＞
特許第４３７９１２０号公報記載の方法にて、式（８－１）で表される有機ケイ素化合物を合成した。
【0113】
【0114】
［合成例２］
＜有機ケイ素化合物（Ｂ４－１）の合成＞
温度計及び還流管を取り付けた反応容器にヘキサメチルシクロトリシロキサン（Ｄ３）１８．０ｇ、トルエン３６．１ｇを仕込み攪拌しながら１０℃以下まで冷却した。そこにジメチルクロロシラン（ＤＭＣＳ）６．４ｇ、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＥＡ）ｇを加え５時間熟成した。その後有機ケイ素化合物（８－１）２０．０ｇ、トルエン４０．０ｇを投入し、トリエチルアミン（ＴＥＡ）６．０ｇを滴下して一晩熟成した。続いてＤＭＣＳ２．８ｇを投入し更に５時間熟成した後、反応液を酢酸水、重曹水、純水で洗浄し、エバポレーターで低沸成分を除去して白色粘性液体を得た。得られた液体は、分析結果から有機ケイ素化合物（Ｂ４－１）と判断される。
＜有機ケイ素化合物（Ｂ４－１）の合成＞
温度計及び還流管を取り付けた反応容器にヘキサメチルシクロトリシロキサン（Ｄ３）１８．０ｇ、トルエン３６．１ｇを仕込み攪拌しながら１０℃以下まで冷却した。そこにジメチルクロロシラン（ＤＭＣＳ）６．４ｇ、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＥＡ）ｇを加え５時間熟成した。その後有機ケイ素化合物（８－１）２０．０ｇ、トルエン４０．０ｇを投入し、トリエチルアミン（ＴＥＡ）６．０ｇを滴下して一晩熟成した。続いてＤＭＣＳ２．８ｇを投入し更に５時間熟成した後、反応液を酢酸水、重曹水、純水で洗浄し、エバポレーターで低沸成分を除去して白色粘性液体を得た。得られた液体は、分析結果から有機ケイ素化合物（Ｂ４－１）と判断される。
【0115】
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重アセトン）：δ（ｐｐｍ）： ７．６６－７．２２ （４０Ｈ）， ４．７６－４．６７（２Ｈ）， ０．３８－０．３４ （６Ｈ）， ０．２０－０．００ （４２Ｈ）．
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－３．９（ｓ、０．４Ｓｉ）、 －６．５（ｓ、１．５Ｓｉ）、 －１９．５～－２０．８（ｓ、４．５Ｓｉ）、 －６２．９（ｓ、０．３Ｓｉ）、 －６４．６（ｓ、１．５Ｓｉ）、 －７８．５～－７９．０（ｍ、８．０Ｓｉ）．
粘度＝３１５０ｍＰａ・ｓ
数平均分子量：Ｍｎ＝１４３５
重量平均分子量：Ｍｗ＝１５２５
ｎ＝３．５
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重アセトン）：δ（ｐｐｍ）： ７．６６－７．２２ （４０Ｈ）， ４．７６－４．６７（２Ｈ）， ０．３８－０．３４ （６Ｈ）， ０．２０－０．００ （４２Ｈ）．
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－３．９（ｓ、０．４Ｓｉ）、 －６．５（ｓ、１．５Ｓｉ）、 －１９．５～－２０．８（ｓ、４．５Ｓｉ）、 －６２．９（ｓ、０．３Ｓｉ）、 －６４．６（ｓ、１．５Ｓｉ）、 －７８．５～－７９．０（ｍ、８．０Ｓｉ）．
粘度＝３１５０ｍＰａ・ｓ
数平均分子量：Ｍｎ＝１４３５
重量平均分子量：Ｍｗ＝１５２５
ｎ＝３．５
【0116】
【0117】
［合成例３］
＜有機ケイ素化合物（８－２）の合成＞
特許第４３７９１２０号公報記載の方法にて、式（８－２）で表される有機ケイ素化合物を合成した。
＜有機ケイ素化合物（８－２）の合成＞
特許第４３７９１２０号公報記載の方法にて、式（８－２）で表される有機ケイ素化合物を合成した。
【0118】
【0119】
［合成例４］
＜有機ケイ素化合物（Ｂ４－２）＞
温度計及び還流管を取り付けた反応容器にヘキサメチルシクロトリシロキサン（Ｄ３）２６．９ｇ、トルエン５３．９ｇを仕込み攪拌しながら１０℃以下まで冷却した。そこにジメチルクロロシラン（ＤＭＣＳ）９．５ｇ、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド（ＤＥＡ）８．１ｇを加え５時間熟成した。その後有機ケイ素化合物（８－２）１５．０ｇ、トルエン６０．０ｇを投入し、トリエチルアミン（ＴＥＡ）１０．６ｇを滴下して一晩熟成した。続いてＤＭＣＳ２．２ｇを投入し更に２時間熟成した後、反応液を酢酸水、重曹水、純水で洗浄し、エバポレーターで低沸成分を除去して白色粘性液体を得た。得られた液体は、分析結果から有機ケイ素化合物（Ｂ４－２）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重アセトン）：δ（ｐｐｍ）：７．６７－７．０５ （４０Ｈ）， ４．８８－４．６６ （４Ｈ）， ０．１５－ －０．０１ （７４Ｈ）．
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－３．０（ｓ、１．１Ｓｉ）、－７．０（ｓ、１．９）、－１９．７～－２０．９（ｍ、５．６Ｓｉ）、－７８．７～－７９．３（ｍ、６．２Ｓｉ）、 －１０６．２～－１０９．５（ｍ、１．８Ｓｉ）．
粘度＝６６３ｍＰａ・ｓ
数平均分子量：Ｍｎ＝１６７０
重量平均分子量：Ｍｗ＝１９５１
ｎ＝３．１
＜有機ケイ素化合物（Ｂ４－２）＞
温度計及び還流管を取り付けた反応容器にヘキサメチルシクロトリシロキサン（Ｄ３）２６．９ｇ、トルエン５３．９ｇを仕込み攪拌しながら１０℃以下まで冷却した。そこにジメチルクロロシラン（ＤＭＣＳ）９．５ｇ、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド（ＤＥＡ）８．１ｇを加え５時間熟成した。その後有機ケイ素化合物（８－２）１５．０ｇ、トルエン６０．０ｇを投入し、トリエチルアミン（ＴＥＡ）１０．６ｇを滴下して一晩熟成した。続いてＤＭＣＳ２．２ｇを投入し更に２時間熟成した後、反応液を酢酸水、重曹水、純水で洗浄し、エバポレーターで低沸成分を除去して白色粘性液体を得た。得られた液体は、分析結果から有機ケイ素化合物（Ｂ４－２）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重アセトン）：δ（ｐｐｍ）：７．６７－７．０５ （４０Ｈ）， ４．８８－４．６６ （４Ｈ）， ０．１５－ －０．０１ （７４Ｈ）．
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－３．０（ｓ、１．１Ｓｉ）、－７．０（ｓ、１．９）、－１９．７～－２０．９（ｍ、５．６Ｓｉ）、－７８．７～－７９．３（ｍ、６．２Ｓｉ）、 －１０６．２～－１０９．５（ｍ、１．８Ｓｉ）．
粘度＝６６３ｍＰａ・ｓ
数平均分子量：Ｍｎ＝１６７０
重量平均分子量：Ｍｗ＝１９５１
ｎ＝３．１
【0120】
【0121】
［合成例５］
＜有機ケイ素化合物（８－３）の合成＞
特許第５７０４１６８号公報記載の方法にて、式（８－３）で表される有機ケイ素化合物を合成した。
＜有機ケイ素化合物（８－３）の合成＞
特許第５７０４１６８号公報記載の方法にて、式（８－３）で表される有機ケイ素化合物を合成した。
【0122】
［合成例６］＜有機ケイ素化合物（Ｂ４－３）の合成＞
特開２０１２－０３１３５４記載の方法にて、式（Ｂ４－３）で表される有機ケイ素化合物を合成した。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重アセトン）：δ（ｐｐｍ）：８．０２－７．１７ （４０Ｈ）， ４．９０－４．６５ （４Ｈ）， ４．６－ －０．１９ （７４Ｈ）．
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－３．９（ｓ、０．８Ｓｉ）、 －７．０（ｓ、３．５Ｓｉ）、 －１９．３～ －２１．９（ｍ、９．５Ｓｉ）、 －７５．３～－８０．０（ｍ、８．０Ｓｉ）．
粘度＝１９６０ｍＰａ・ｓ
数平均分子量：Ｍｎ＝１５９２
重量平均分子量：Ｍｗ＝１７３５
ｎ＝３．１
特開２０１２－０３１３５４記載の方法にて、式（Ｂ４－３）で表される有機ケイ素化合物を合成した。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重アセトン）：δ（ｐｐｍ）：８．０２－７．１７ （４０Ｈ）， ４．９０－４．６５ （４Ｈ）， ４．６－ －０．１９ （７４Ｈ）．
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－３．９（ｓ、０．８Ｓｉ）、 －７．０（ｓ、３．５Ｓｉ）、 －１９．３～ －２１．９（ｍ、９．５Ｓｉ）、 －７５．３～－８０．０（ｍ、８．０Ｓｉ）．
粘度＝１９６０ｍＰａ・ｓ
数平均分子量：Ｍｎ＝１５９２
重量平均分子量：Ｍｗ＝１７３５
ｎ＝３．１
【0123】
【0124】
［比較合成例１］
特許第４３７９１２０号記載の方法で、シクロヘキシルトリメトキシシラン、水酸化ナトリウム、および２－プロパノールを原料として、式（９－１）で表される有機ケイ素化合物の合成を試みた。得られた化合物のＮＭＲ、ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦＭＳなどの分析結果から、得られた化合物の主成分は式（９－２）で表される有機ケイ素化合物と判断される。
特許第４３７９１２０号記載の方法で、シクロヘキシルトリメトキシシラン、水酸化ナトリウム、および２－プロパノールを原料として、式（９－１）で表される有機ケイ素化合物の合成を試みた。得られた化合物のＮＭＲ、ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦＭＳなどの分析結果から、得られた化合物の主成分は式（９－２）で表される有機ケイ素化合物と判断される。
【0125】
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：０．４９～０．６８（ｍ，８．０Ｈ）、０．９７～０．１．２４（ｍ，４０．９Ｈ）、１．４５～１．８７（ｍ，４１．４Ｈ）、５．５５（ｓ，１．４Ｈ）、５．８２（ｓ，１．５Ｈ）、６．４２（ｓ，０．７Ｈ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：重ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－６１．９（ｓ、２．３Ｓｉ）、－６１．８（ｓ、２．３Ｓｉ）、―６１．６（ｓ、２．２Ｓｉ）、―６１．５（ｓ、０．３Ｓｉ）、―５１．５（ｓ、１．０Ｓｉ）
ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦＭＳ：ｍ／ｚ＝９９７．４ （［（９－２）＋Ｌｉ］＋）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：０．４９～０．６８（ｍ，８．０Ｈ）、０．９７～０．１．２４（ｍ，４０．９Ｈ）、１．４５～１．８７（ｍ，４１．４Ｈ）、５．５５（ｓ，１．４Ｈ）、５．８２（ｓ，１．５Ｈ）、６．４２（ｓ，０．７Ｈ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：重ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－６１．９（ｓ、２．３Ｓｉ）、－６１．８（ｓ、２．３Ｓｉ）、―６１．６（ｓ、２．２Ｓｉ）、―６１．５（ｓ、０．３Ｓｉ）、―５１．５（ｓ、１．０Ｓｉ）
ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦＭＳ：ｍ／ｚ＝９９７．４ （［（９－２）＋Ｌｉ］＋）
【0126】
その他、以下の有機ケイ素化合物の合成の際に使用した試薬等を以下に示す。
【0127】
＜核水素化触媒＞
・Ｒｕ／Ｃ， Ｂタイプ（Ｒｕ５％）（含水）（エヌ・イー ケムキャット社製）
・Ｒｕ／Ｃ， Ｂタイプ（Ｒｕ５％）（含水）（エヌ・イー ケムキャット社製）
【0128】
＜式（２－１）で表される化合物＞
・オクタメチルシクロテトラシロキサン（Ｄ４：モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）
（式（２－１）におけるｎが４である化合物）
・オクタメチルシクロテトラシロキサン（Ｄ４：モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）
（式（２－１）におけるｎが４である化合物）
【0129】
＜式（２－２）で表される化合物＞
・１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン（ＤＶＤＳ：信越化学（株）製）
（式（２－２）におけるｍが０である化合物）
・１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン（ＤＶＤＳ：信越化学（株）製）
（式（２－２）におけるｍが０である化合物）
【0130】
＜酸触媒＞
・トリフルオロメタンスルホン酸（東京化成工業（株）製）
・トリフルオロメタンスルホン酸（東京化成工業（株）製）
【0131】
［実施例１］
＜有機ケイ素化合物（Ａ１―１）の合成＞
温度計と圧力計を取り付けた反応容器に有機ケイ素化合物（８－１）３７．８ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル１４３．０ｇ、Ｒｕ／Ｃ３．８ｇを仕込んだ。反応容器内を水素置換した後、１２０℃、３．０ＭＰａＧまで昇温・昇圧して水素吸収が止まるまで５時間熟成した。続いて冷却、反応容器内を窒素置換した後、Ｒｕ／Ｃを濾別した。その後エバポレーターで溶媒を留去し、得られた固体をアセトンで洗浄した後、減圧乾燥して白色固体３０．５ｇを得た。得られた固体は、下記の分析結果から有機ケイ素化合物（Ａ１―１）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：０．１６（ｓ，６．０Ｈ）、０．６０～０．７９（ｍ，７．５Ｈ）、１．１１～１．３８（ｍ，４８．８Ｈ）、１．６１～１．８９（ｍ，３８．４Ｈ）、２．３３（ｓ，１．７Ｈ）
１３Ｃ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－４．２（ｓ）、２２．５～２４．５（ｍ）、２６．５～２８．０（ｍ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－７０．５～－６９．８（ｍ、３．３Ｓｉ）、－６８．７～－６８．１（ｍ、３．５Ｓｉ）、－５６．２～－５５．６（ｍ、２．０Ｓｉ）
核水素化率：＞９９％
数平均分子量：Ｍｎ＝８７４
重量平均分子量：Ｍｗ＝８８４
＜有機ケイ素化合物（Ａ１―１）の合成＞
温度計と圧力計を取り付けた反応容器に有機ケイ素化合物（８－１）３７．８ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル１４３．０ｇ、Ｒｕ／Ｃ３．８ｇを仕込んだ。反応容器内を水素置換した後、１２０℃、３．０ＭＰａＧまで昇温・昇圧して水素吸収が止まるまで５時間熟成した。続いて冷却、反応容器内を窒素置換した後、Ｒｕ／Ｃを濾別した。その後エバポレーターで溶媒を留去し、得られた固体をアセトンで洗浄した後、減圧乾燥して白色固体３０．５ｇを得た。得られた固体は、下記の分析結果から有機ケイ素化合物（Ａ１―１）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：０．１６（ｓ，６．０Ｈ）、０．６０～０．７９（ｍ，７．５Ｈ）、１．１１～１．３８（ｍ，４８．８Ｈ）、１．６１～１．８９（ｍ，３８．４Ｈ）、２．３３（ｓ，１．７Ｈ）
１３Ｃ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－４．２（ｓ）、２２．５～２４．５（ｍ）、２６．５～２８．０（ｍ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－７０．５～－６９．８（ｍ、３．３Ｓｉ）、－６８．７～－６８．１（ｍ、３．５Ｓｉ）、－５６．２～－５５．６（ｍ、２．０Ｓｉ）
核水素化率：＞９９％
数平均分子量：Ｍｎ＝８７４
重量平均分子量：Ｍｗ＝８８４
【0132】
【0133】
［実施例２］
＜有機ケイ素化合物（Ａ１―２）の合成＞
温度計と圧力計を取り付けた反応容器に有機ケイ素化合物（８－１）１５．３ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル５７．４ｇ、Ｒｕ／Ｃ１．５ｇを仕込んだ。反応容器内を水素置換した後、１２０℃、２．０ＭＰａＧまで昇温・昇圧して４時間熟成した。続いて冷却、反応容器内を窒素置換した後、Ｒｕ／Ｃを濾別した。その後エバポレーターで溶媒を留去し、得られた固体をアセトンで洗浄した後、減圧乾燥して白色固体１２．３ｇを得た。得られた固体は、分析結果から有機ケイ素化合物（Ａ１―２）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：０．１４～０．４１（ｍ，６．０Ｈ）、０．４８～０．８６（ｍ，４．６Ｈ）、０．８６～１．４７（ｍ，２３．１Ｈ）、１．４７～１．９２（ｍ，２４．８Ｈ）、２．１９～２．８４（ｍ，１．３Ｈ）、６．０６～６．４４（ｍ，０．３Ｈ）、６．９８～７．８０（ｍ，１５．５Ｈ）
１３Ｃ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－３．８９（ｓ）、２３．１～２４．５（ｍ）、２５．９～２８．０（ｍ）、１２７．３～１２８．３（ｍ）、１２９．８～１３０．８（ｍ）、１３３．７～１３４．５（ｍ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－８０．８～－７７．０（ｍ、３．０Ｓｉ）、－７１．３～－６５．８（ｍ、４．３Ｓｉ）、－５６．８～－５４．４（ｍ、２．０Ｓｉ）
核水素化率：７４％
数平均分子量：Ｍｎ＝８８４
重量平均分子量：Ｍｗ＝８９６
＜有機ケイ素化合物（Ａ１―２）の合成＞
温度計と圧力計を取り付けた反応容器に有機ケイ素化合物（８－１）１５．３ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル５７．４ｇ、Ｒｕ／Ｃ１．５ｇを仕込んだ。反応容器内を水素置換した後、１２０℃、２．０ＭＰａＧまで昇温・昇圧して４時間熟成した。続いて冷却、反応容器内を窒素置換した後、Ｒｕ／Ｃを濾別した。その後エバポレーターで溶媒を留去し、得られた固体をアセトンで洗浄した後、減圧乾燥して白色固体１２．３ｇを得た。得られた固体は、分析結果から有機ケイ素化合物（Ａ１―２）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：０．１４～０．４１（ｍ，６．０Ｈ）、０．４８～０．８６（ｍ，４．６Ｈ）、０．８６～１．４７（ｍ，２３．１Ｈ）、１．４７～１．９２（ｍ，２４．８Ｈ）、２．１９～２．８４（ｍ，１．３Ｈ）、６．０６～６．４４（ｍ，０．３Ｈ）、６．９８～７．８０（ｍ，１５．５Ｈ）
１３Ｃ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－３．８９（ｓ）、２３．１～２４．５（ｍ）、２５．９～２８．０（ｍ）、１２７．３～１２８．３（ｍ）、１２９．８～１３０．８（ｍ）、１３３．７～１３４．５（ｍ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－８０．８～－７７．０（ｍ、３．０Ｓｉ）、－７１．３～－６５．８（ｍ、４．３Ｓｉ）、－５６．８～－５４．４（ｍ、２．０Ｓｉ）
核水素化率：７４％
数平均分子量：Ｍｎ＝８８４
重量平均分子量：Ｍｗ＝８９６
【0134】
【0135】
［実施例３］
＜有機ケイ素化合物（Ａ１―３）の合成＞
温度計と圧力計を取り付けた反応容器に有機ケイ素化合物（８－１）３７．８ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル１４３．１ｇ、Ｒｕ／Ｃ３．８ｇを仕込んだ。反応容器内を水素置換した後、１２０℃、２．５ＭＰａＧまで昇温・昇圧して２時間熟成した。続いて冷却、反応容器内を窒素置換した後、Ｒｕ／Ｃを濾別した。その後エバポレーターで溶媒を留去し、得られた固体をアセトンで洗浄した後、減圧乾燥して白色固体２４．０ｇを得た。得られた固体は、分析結果から有機ケイ素化合物（Ａ１―３）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：０．１５～０．３９（ｍ，６．０Ｈ）、０．５１～０．８７（ｍ，２．７Ｈ）、０．８７～１．４６（ｍ，１３．６Ｈ）、１．４６～２．１５（ｍ，１６．９Ｈ）、２．３２～２．７４（ｍ，１．７Ｈ）、７．００～７．７８（ｍ，１５．５Ｈ）
１３Ｃ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－３．７９（ｓ）、２３．１～２４．５（ｍ）、２５．７～２８．０（ｍ）、１２７．４～１２８．１（ｍ）、１３０．０～１３０．８（ｍ）、１３３．７～１３４．４（ｍ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－７９．３～－７５．１（ｍ、４．８Ｓｉ）、－６９．５～－６４．９（ｍ、３．０Ｓｉ）、－５５．４～－５２．８（ｍ、２．０Ｓｉ）
核水素化率：３４％
数平均分子量：Ｍｎ＝８８５
重量平均分子量：Ｍｗ＝８９９
＜有機ケイ素化合物（Ａ１―３）の合成＞
温度計と圧力計を取り付けた反応容器に有機ケイ素化合物（８－１）３７．８ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル１４３．１ｇ、Ｒｕ／Ｃ３．８ｇを仕込んだ。反応容器内を水素置換した後、１２０℃、２．５ＭＰａＧまで昇温・昇圧して２時間熟成した。続いて冷却、反応容器内を窒素置換した後、Ｒｕ／Ｃを濾別した。その後エバポレーターで溶媒を留去し、得られた固体をアセトンで洗浄した後、減圧乾燥して白色固体２４．０ｇを得た。得られた固体は、分析結果から有機ケイ素化合物（Ａ１―３）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：０．１５～０．３９（ｍ，６．０Ｈ）、０．５１～０．８７（ｍ，２．７Ｈ）、０．８７～１．４６（ｍ，１３．６Ｈ）、１．４６～２．１５（ｍ，１６．９Ｈ）、２．３２～２．７４（ｍ，１．７Ｈ）、７．００～７．７８（ｍ，１５．５Ｈ）
１３Ｃ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－３．７９（ｓ）、２３．１～２４．５（ｍ）、２５．７～２８．０（ｍ）、１２７．４～１２８．１（ｍ）、１３０．０～１３０．８（ｍ）、１３３．７～１３４．４（ｍ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－７９．３～－７５．１（ｍ、４．８Ｓｉ）、－６９．５～－６４．９（ｍ、３．０Ｓｉ）、－５５．４～－５２．８（ｍ、２．０Ｓｉ）
核水素化率：３４％
数平均分子量：Ｍｎ＝８８５
重量平均分子量：Ｍｗ＝８９９
【0136】
【0137】
［実施例４］
＜有機ケイ素化合物（Ａ１―４）の合成＞
温度計と圧力計を取り付けた反応容器に有機ケイ素化合物（Ｂ４－１）９．８ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル７７．５ｇ、Ｒｕ／Ｃ２．０ｇを仕込んだ。反応容器内を水素置換した後、１５０℃、５．０ＭＰａＧまで昇温・昇圧して水素吸収が止まるまで７．５時間熟成した。続いて冷却、反応容器内を窒素置換した後、Ｒｕ／Ｃを濾別した。その後エバポレーターで溶媒を留去し、得られた固体をヘプタンで洗浄した後、減圧乾燥して白色固体８．２ｇを得た。得られた固体は、分析結果から有機ケイ素化合物（Ａ１―４）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－０．１５～０．２８（ｍ，３５．９Ｈ）、０．５４～０．７７（ｍ，８．０Ｈ）、０．９８～１．３７（ｍ，４７．３Ｈ）、１．６１～１．９０（ｍ，４０．０Ｈ）、６．９２～７．０８（ｍ，０．４Ｈ）、７．１８～７．３１（ｍ）、７．３２～７．４９（ｍ，０．５Ｈ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－７８．４（ｓ、０．２Ｓｉ）、－７０．１（ｓ、４．２Ｓｉ）、－６８．５（ｓ、４．２Ｓｉ）、－６５．０（ｓ、２．０Ｓｉ）、－５６．１（ｓ、０．２Ｓｉ）、－４６．８（ｓ、０．３Ｓｉ）、－２１．３～－１８．９（ｍ、５．６Ｓｉ）、－１４．０～－１１．９（ｍ、１．７Ｓｉ）
核水素化率：＞９９％
＜有機ケイ素化合物（Ａ１―４）の合成＞
温度計と圧力計を取り付けた反応容器に有機ケイ素化合物（Ｂ４－１）９．８ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル７７．５ｇ、Ｒｕ／Ｃ２．０ｇを仕込んだ。反応容器内を水素置換した後、１５０℃、５．０ＭＰａＧまで昇温・昇圧して水素吸収が止まるまで７．５時間熟成した。続いて冷却、反応容器内を窒素置換した後、Ｒｕ／Ｃを濾別した。その後エバポレーターで溶媒を留去し、得られた固体をヘプタンで洗浄した後、減圧乾燥して白色固体８．２ｇを得た。得られた固体は、分析結果から有機ケイ素化合物（Ａ１―４）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－０．１５～０．２８（ｍ，３５．９Ｈ）、０．５４～０．７７（ｍ，８．０Ｈ）、０．９８～１．３７（ｍ，４７．３Ｈ）、１．６１～１．９０（ｍ，４０．０Ｈ）、６．９２～７．０８（ｍ，０．４Ｈ）、７．１８～７．３１（ｍ）、７．３２～７．４９（ｍ，０．５Ｈ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－７８．４（ｓ、０．２Ｓｉ）、－７０．１（ｓ、４．２Ｓｉ）、－６８．５（ｓ、４．２Ｓｉ）、－６５．０（ｓ、２．０Ｓｉ）、－５６．１（ｓ、０．２Ｓｉ）、－４６．８（ｓ、０．３Ｓｉ）、－２１．３～－１８．９（ｍ、５．６Ｓｉ）、－１４．０～－１１．９（ｍ、１．７Ｓｉ）
核水素化率：＞９９％
【0138】
【0139】
［実施例５］
＜有機ケイ素化合物（Ａ３―１）の合成＞
温度計と圧力計を取り付けた反応容器に有機ケイ素化合物（Ｂ４－３）２０．０ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル７７．８ｇ、Ｒｕ／Ｃ５．６ｇを仕込んだ。反応容器内を水素置換した後、１５０℃、５．０ＭＰａＧまで昇温・昇圧して１０時間熟成した。続いて冷却、反応容器内を窒素置換した後、Ｒｕ／Ｃを濾別した。ろ液にシクロペンチルメチルエーテル（ＣＰＭＥ）を加え塩酸、純水で洗浄した後、エバポレーターで溶媒を留去した後、減圧乾燥して褐色固体１１．０ｇを得た。得られた固体は、分析結果から有機ケイ素化合物（Ａ３―１）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－０．３３～０．４０（ｍ，１１９Ｈ）、０．６４～０．９０（ｍ，８．０Ｈ）、０．９～１．９９（ｍ）、４．９２～５．３０（ｍ，３．６Ｈ）、６．８２～７．９０（ｍ，１８．９Ｈ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－９１～－８８（ｍ、１．６Ｓｉ）、－８２～－７４（ｍ、５．０Ｓｉ）、－７３～－６２（ｍ、１４．５Ｓｉ）、－４６．７（ｓ、０．２Ｓｉ）、－２５～－１７（ｍ、２４．２Ｓｉ）、－１５～－１２（ｍ、４．０Ｓｉ）
核水素化率：６８％
＜有機ケイ素化合物（Ａ３―１）の合成＞
温度計と圧力計を取り付けた反応容器に有機ケイ素化合物（Ｂ４－３）２０．０ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル７７．８ｇ、Ｒｕ／Ｃ５．６ｇを仕込んだ。反応容器内を水素置換した後、１５０℃、５．０ＭＰａＧまで昇温・昇圧して１０時間熟成した。続いて冷却、反応容器内を窒素置換した後、Ｒｕ／Ｃを濾別した。ろ液にシクロペンチルメチルエーテル（ＣＰＭＥ）を加え塩酸、純水で洗浄した後、エバポレーターで溶媒を留去した後、減圧乾燥して褐色固体１１．０ｇを得た。得られた固体は、分析結果から有機ケイ素化合物（Ａ３―１）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－０．３３～０．４０（ｍ，１１９Ｈ）、０．６４～０．９０（ｍ，８．０Ｈ）、０．９～１．９９（ｍ）、４．９２～５．３０（ｍ，３．６Ｈ）、６．８２～７．９０（ｍ，１８．９Ｈ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－９１～－８８（ｍ、１．６Ｓｉ）、－８２～－７４（ｍ、５．０Ｓｉ）、－７３～－６２（ｍ、１４．５Ｓｉ）、－４６．７（ｓ、０．２Ｓｉ）、－２５～－１７（ｍ、２４．２Ｓｉ）、－１５～－１２（ｍ、４．０Ｓｉ）
核水素化率：６８％
【0140】
【0141】
［実施例６］
＜有機ケイ素化合物誘導体（Ａ４―１）の合成＞
温度計と還流管を取り付けた反応容器に有機ケイ素化合物（Ａ１―１）２５．１ｇ、オクタメチルシクロテトラシロキサン（Ｄ４）２５．４ｇ、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン（ＤＶＤＳ）６．４ｇ、トルエンを５７．５ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．４ｇを仕込み、設定温度１２０℃で５時間熟成した。冷却後反応液を重曹水、純水で洗浄し、有機層からエバポレーターで低沸成分を留去して無色粘性液体２９．６ｇを得た。得られた液体は、分析結果から有機ケイ素化合物誘導体（Ａ４―１）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－０．１６～０．３０（ｍ，１６５．１Ｈ）、０．５７～０．８０（ｍ、１４．２Ｈ）、０．９７～１．３９（ｍ、７２．３Ｈ）、１．６２～１．９５（ｍ、７１．３Ｈ）、５．６８～６．１９（ｍ，６．０Ｈ）
１３Ｃ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－２．９（ｓ）、０．３２（ｓ）、０．７～１．６（ｍ）、２４．３（ｄ）、２６．９（ｄ）、２７．７（ｄ）、１３１．７（ｓ）、１３９．４（ｓ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－６９．３（ｓ、４．４Ｓｉ）、－６７．８（ｓ、４．３Ｓｉ）、－６４．３（ｓ、２．０Ｓｉ）、－２１．０～－１７．５（ｍ、１６．７Ｓｉ）、－１．９（ｓ、１．２Ｓｉ）
粘度＝１４．５Ｐａ・ｓ
数平均分子量：Ｍｎ＝３７８０
重量平均分子量：Ｍｗ＝６４６０
ｎ＝１２．０
ｍ＝２．５
＜有機ケイ素化合物誘導体（Ａ４―１）の合成＞
温度計と還流管を取り付けた反応容器に有機ケイ素化合物（Ａ１―１）２５．１ｇ、オクタメチルシクロテトラシロキサン（Ｄ４）２５．４ｇ、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン（ＤＶＤＳ）６．４ｇ、トルエンを５７．５ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．４ｇを仕込み、設定温度１２０℃で５時間熟成した。冷却後反応液を重曹水、純水で洗浄し、有機層からエバポレーターで低沸成分を留去して無色粘性液体２９．６ｇを得た。得られた液体は、分析結果から有機ケイ素化合物誘導体（Ａ４―１）と判断される。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－０．１６～０．３０（ｍ，１６５．１Ｈ）、０．５７～０．８０（ｍ、１４．２Ｈ）、０．９７～１．３９（ｍ、７２．３Ｈ）、１．６２～１．９５（ｍ、７１．３Ｈ）、５．６８～６．１９（ｍ，６．０Ｈ）
１３Ｃ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－２．９（ｓ）、０．３２（ｓ）、０．７～１．６（ｍ）、２４．３（ｄ）、２６．９（ｄ）、２７．７（ｄ）、１３１．７（ｓ）、１３９．４（ｓ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：－６９．３（ｓ、４．４Ｓｉ）、－６７．８（ｓ、４．３Ｓｉ）、－６４．３（ｓ、２．０Ｓｉ）、－２１．０～－１７．５（ｍ、１６．７Ｓｉ）、－１．９（ｓ、１．２Ｓｉ）
粘度＝１４．５Ｐａ・ｓ
数平均分子量：Ｍｎ＝３７８０
重量平均分子量：Ｍｗ＝６４６０
ｎ＝１２．０
ｍ＝２．５
【0142】
【0143】
［比較合成例２］
＜有機ケイ素化合物誘導体（ａ－２）の合成＞
特開２０２０－０９０５９３号記載の方法にて、式（ａ－２）で表される有機ケイ素化合物誘導体を合成した。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－０．１５～０．４２（ｍ，１８７．０Ｈ）、５．６０～６．１９（ｍ，６．０Ｈ）、６．９５～７．７２（ｍ，８９．９Ｈ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：―７８．１～―７６．９（ｍ、９．０Ｓｉ）、－６３．４（ｓ、２．０Ｓｉ）、－２１．３～－１７．５（ｍ、１３．２Ｓｉ）、－２．４（ｓ、１．３Ｓｉ）
粘度＝１１．６Ｐａ・ｓ
数平均分子量：Ｍｎ＝３９６０
重量平均分子量：Ｍｗ＝６７６０
ｎ＝９．５
ｍ＝３．２
＜有機ケイ素化合物誘導体（ａ－２）の合成＞
特開２０２０－０９０５９３号記載の方法にて、式（ａ－２）で表される有機ケイ素化合物誘導体を合成した。
（分析結果）
１Ｈ－ＮＭＲ（溶剤：重クロロホルム）：δ（ｐｐｍ）：－０．１５～０．４２（ｍ，１８７．０Ｈ）、５．６０～６．１９（ｍ，６．０Ｈ）、６．９５～７．７２（ｍ，８９．９Ｈ）
２９Ｓｉ－ＮＭＲ（溶剤：ＴＨＦ）：δ（ｐｐｍ）：―７８．１～―７６．９（ｍ、９．０Ｓｉ）、－６３．４（ｓ、２．０Ｓｉ）、－２１．３～－１７．５（ｍ、１３．２Ｓｉ）、－２．４（ｓ、１．３Ｓｉ）
粘度＝１１．６Ｐａ・ｓ
数平均分子量：Ｍｎ＝３９６０
重量平均分子量：Ｍｗ＝６７６０
ｎ＝９．５
ｍ＝３．２
【0144】
【0145】
以下の熱硬化性樹脂組成物の調製に用いた、合成した上記有機ケイ素化合物（（Ａ）有機ケイ素化合物）以外の成分を以下に示す。
【0146】
＜（Ｂ）有機ケイ素化合物＞
【0147】
・Ｂ２－１：式（Ｂ２－１）で表される有機ケイ素化合物（製品名「ＦＭ－１１１１」：ＪＮＣ（株）製）
（式（４）におけるＲ３が水素、ｙが１０であるジメチルシロキサンポリマー）
（式（４）におけるＲ３が水素、ｙが１０であるジメチルシロキサンポリマー）
【0148】
・Ｂ２－３：式（Ｂ２－３）で表される化合物（製品名「ＦＭ－２２０５」：ＪＮＣ（株）製）
（式（４）におけるＲ３がビニル、ｙが７であるジメチルシロキサンポリマー）
（式（４）におけるＲ３がビニル、ｙが７であるジメチルシロキサンポリマー）
【0149】
・Ｂ３－１：テトラキス（ジメチルシリルオキシ）シラン（東京化成工業（株）製）
＜ヒドロキシ化触媒（Ｃ）＞
・Ｃ－１：カルステッド触媒（製品名「Ｐｔ－ＶＴＳ－３．０Ｘ」：３ｗｔ％キシレン溶液、ユミコア社製）
＜ヒドロキシ化触媒（Ｃ）＞
・Ｃ－１：カルステッド触媒（製品名「Ｐｔ－ＶＴＳ－３．０Ｘ」：３ｗｔ％キシレン溶液、ユミコア社製）
【0150】
＜その他の成分＞
・硬化遅延剤：１，３，５，７－テトラビニル－１，３，５，７－テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＭＶＳ－Ｈ：ＧＥＬＥＳＴ社製）
・硬化禁止剤：１－エチニルシクロヘキサノール（ＥＣＹＨ－ＯＨ：東京化成（株）製）
・硬化遅延剤：１，３，５，７－テトラビニル－１，３，５，７－テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＭＶＳ－Ｈ：ＧＥＬＥＳＴ社製）
・硬化禁止剤：１－エチニルシクロヘキサノール（ＥＣＹＨ－ＯＨ：東京化成（株）製）
【0151】
［実施例７～８、比較例１～２］
＜組成物及び硬化物の特性評価＞
表に示す配合で樹脂組成物を調製し、硬化物は下記の方法で組成物を１５０℃で２時間加熱して得た。
４ｍｍ厚硬化物：ガラス２枚に４ｍｍ径のナフロンＳＰパッキン（ニチアス（株）製）をスペーサーとして挟み、この中に樹脂組成物を流し込んだ。次いで加熱硬化させ、ガラスをはがして４ｍｍ厚の表面が平滑な硬化物を得た。
１ｍｍ厚硬化物：ガラス２枚に１ｍｍ厚のＳＵＳ板をスペーサーとして挟み、この中に樹脂組成物を流し込んだ。次いで加熱硬化させ、ガラスをはがして１ｍｍ厚の表面が平滑な硬化物を得た。
得られた組成物及び硬化物の特性評価を以下の方法で行なった。
＜組成物及び硬化物の特性評価＞
表に示す配合で樹脂組成物を調製し、硬化物は下記の方法で組成物を１５０℃で２時間加熱して得た。
４ｍｍ厚硬化物：ガラス２枚に４ｍｍ径のナフロンＳＰパッキン（ニチアス（株）製）をスペーサーとして挟み、この中に樹脂組成物を流し込んだ。次いで加熱硬化させ、ガラスをはがして４ｍｍ厚の表面が平滑な硬化物を得た。
１ｍｍ厚硬化物：ガラス２枚に１ｍｍ厚のＳＵＳ板をスペーサーとして挟み、この中に樹脂組成物を流し込んだ。次いで加熱硬化させ、ガラスをはがして１ｍｍ厚の表面が平滑な硬化物を得た。
得られた組成物及び硬化物の特性評価を以下の方法で行なった。
【0152】
＜粘度＞
Ｅ型回転粘度計（ＴＶ－２５：東機産業（株）製）にて、組成液の粘度（２５℃）を測定した。
Ｅ型回転粘度計（ＴＶ－２５：東機産業（株）製）にて、組成液の粘度（２５℃）を測定した。
【0153】
＜光透過率＞
４ｍｍ厚硬化物を紫外可視分光光度計（Ｖ－６５０：日本分光（株）製）にて波長４００ｎｍにおける光の透過率を測定した。
４ｍｍ厚硬化物を紫外可視分光光度計（Ｖ－６５０：日本分光（株）製）にて波長４００ｎｍにおける光の透過率を測定した。
【0154】
＜硬度＞
４ｍｍ厚硬化物を自動硬度計（ＧＸ－６１０ＩＩ：（株）テクロック製）を用いてＪＩＳ Ｋ６３０１に準拠して測定した（タイプＡ）。
４ｍｍ厚硬化物を自動硬度計（ＧＸ－６１０ＩＩ：（株）テクロック製）を用いてＪＩＳ Ｋ６３０１に準拠して測定した（タイプＡ）。
【0155】
＜光屈折率＞
３０ｍｍ×１０ｍｍ×４ｍｍ厚の板状試験片を作製し、アッベ屈折計（ＮＡＲ－２Ｔ：（株）アタゴ製）によりナトリウムランプのＤ線を用いて、上記試験片の一か所の光屈折率を測定した。中間液は１－ブロモナフタレン（和光純薬工業（株）製）を用いた。
３０ｍｍ×１０ｍｍ×４ｍｍ厚の板状試験片を作製し、アッベ屈折計（ＮＡＲ－２Ｔ：（株）アタゴ製）によりナトリウムランプのＤ線を用いて、上記試験片の一か所の光屈折率を測定した。中間液は１－ブロモナフタレン（和光純薬工業（株）製）を用いた。
【0156】
＜ＤＭＡ＞
３０ｍｍ×１０ｍｍ×１．０ｍｍ厚の板状試験片を作製し、動的粘弾性測定装置（ＤＭＳ６１００：日立ハイテクサイエンス（株）製）にて下記条件で測定して得られた貯蔵弾性率（
Ｅ´）と損失弾性率（Ｅ´´）の商で表される損失係数（ｔａｎδ＝Ｅ´´／Ｅ´）の極大点の温度を求めた。
測定温度：－１００℃～２５０℃（昇温速度：１０℃／ｍｉｎ）
測定周波数：１０Ｈｚ
３０ｍｍ×１０ｍｍ×１．０ｍｍ厚の板状試験片を作製し、動的粘弾性測定装置（ＤＭＳ６１００：日立ハイテクサイエンス（株）製）にて下記条件で測定して得られた貯蔵弾性率（
Ｅ´）と損失弾性率（Ｅ´´）の商で表される損失係数（ｔａｎδ＝Ｅ´´／Ｅ´）の極大点の温度を求めた。
測定温度：－１００℃～２５０℃（昇温速度：１０℃／ｍｉｎ）
測定周波数：１０Ｈｚ
【0157】
＜水蒸気透過率＞
７０ｍｍΦ×１ｍｍ厚の試験片を作製し、ＪＩＳ Ｚ－０２０８（１９７６年）に準拠し、下記の装置および試験条件でカップ法に基づいて測定した。
装置：小型環境試験機（ＳＨ－２４２：エスペック（株）製）
試験条件：４０℃、９０％ＲＨ
７０ｍｍΦ×１ｍｍ厚の試験片を作製し、ＪＩＳ Ｚ－０２０８（１９７６年）に準拠し、下記の装置および試験条件でカップ法に基づいて測定した。
装置：小型環境試験機（ＳＨ－２４２：エスペック（株）製）
試験条件：４０℃、９０％ＲＨ
【0158】
＜密着性＞
ガラス板にメチルシリコーン（ＯＥ－７３４０：ダウ・コーニング製）の硬化物（約０．１ｍｍ厚）を作製し、この硬化物の上に組成物（約０．１ｍｍ厚）を作製させて積層体を得た。この積層体をＪＩＳ Ｋ５６００－５－６に準拠し、クロスカット法に基づいて下層との密着性を評価した。 切込間隔：２ｍｍ
カット数：１０×１０個
判定： ○：剥離面積≦３０％
×：３０％＜剥離面積
ガラス板にメチルシリコーン（ＯＥ－７３４０：ダウ・コーニング製）の硬化物（約０．１ｍｍ厚）を作製し、この硬化物の上に組成物（約０．１ｍｍ厚）を作製させて積層体を得た。この積層体をＪＩＳ Ｋ５６００－５－６に準拠し、クロスカット法に基づいて下層との密着性を評価した。 切込間隔：２ｍｍ
カット数：１０×１０個
判定： ○：剥離面積≦３０％
×：３０％＜剥離面積
【0159】
＜誘電率＞
９ｃｍ×７ｃｍにカットしたクロム基板上に約３０μｍ厚の硬化物を作製し、膜上に真空蒸着装置（ＶＥ－２０３０：（株）真空デバイス）でアルミニウムを蒸着させ電極を作成した。誘電率および誘電正接は、アジレントテクノロジー（株）製のＬＣＲメータ（Ｅ４９８０Ａ プレシジョン：Ａｇｉｌｅｎｔ製）を用いて測定した。
９ｃｍ×７ｃｍにカットしたクロム基板上に約３０μｍ厚の硬化物を作製し、膜上に真空蒸着装置（ＶＥ－２０３０：（株）真空デバイス）でアルミニウムを蒸着させ電極を作成した。誘電率および誘電正接は、アジレントテクノロジー（株）製のＬＣＲメータ（Ｅ４９８０Ａ プレシジョン：Ａｇｉｌｅｎｔ製）を用いて測定した。
【0160】
＜熱衝撃＞
２０ｍｍ長×３ｍｍ幅×１．０ｍｍ厚の板状試験片を作製し、熱機械的分析装置（ＴＭＡ／ＳＳ７１００：日立ハイテクサイエンス（株）製）にて、長さ制御モードで３０℃からー８０℃まで冷却（冷却速度：１０℃／ｍｉｎ）した際の応力を測定した。
２０ｍｍ長×３ｍｍ幅×１．０ｍｍ厚の板状試験片を作製し、熱機械的分析装置（ＴＭＡ／ＳＳ７１００：日立ハイテクサイエンス（株）製）にて、長さ制御モードで３０℃からー８０℃まで冷却（冷却速度：１０℃／ｍｉｎ）した際の応力を測定した。
【0161】
表１．樹脂組成物の組成および硬化物の特性評価結果１
【0162】
表１に示される通り、実施例ｂは波長４００ｎｍの光透過性が優れているのに対して、（Ａ）成分を含有しない組成物である比較例ｂは波長４００ｎｍの光透過性に劣っていた。
【0163】
表２．樹脂組成物の組成および硬化物の特性評価結果２
【0164】
表２に示される通り、実施例ｃは水蒸気バリア性およびメチルシリコーン樹脂との密着性が優れているのに対して、成分（Ａ）を含有しない組成物である比較例ｃは水蒸気バリア性およびメチルシリコーン樹脂との密着性に劣っていた。
【0165】
表３．樹脂組成物の組成および硬化物の特性評価結果３
【0166】
表３に示される通り、実施例ｄおよびｅは低誘電性および急冷却時の熱応力が優れているのに対して、（Ａ）成分を含有しない組成物である比較例ｄおよびｅは低誘電性および急冷却時の熱応力に劣っていた。
【0167】
以上のことから、本発明の有機ケイ素化合物及びこれを含む熱硬化性樹脂組成物は、光透過性、ガスバリア性、低誘電性、および熱衝撃性に優れた硬化物を与えることが明らかとなった。
【産業上の利用可能性】
【0168】
本発明の有機ケイ素化合物及びこれを含む熱硬化性樹脂組成物は、光半導体素子の封止材、その他の半導体素子の封止材、絶縁膜、シール材、光学レンズ等に用いることができる。