(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022149253
(43)【公開日】2022-10-06
(54)【発明の名称】接続回路および通信インターフェース
(51)【国際特許分類】
H04L 25/03 20060101AFI20220929BHJP
H03K 19/0175 20060101ALI20220929BHJP
【FI】
H04L25/03 Z
H03K19/0175 220
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2021051315
(22)【出願日】2021-03-25
(71)【出願人】
【識別番号】000004226
【氏名又は名称】日本電信電話株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】591230295
【氏名又は名称】NTTエレクトロニクス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100098394
【弁理士】
【氏名又は名称】山川 茂樹
(74)【代理人】
【識別番号】100153006
【弁理士】
【氏名又は名称】小池 勇三
(74)【代理人】
【識別番号】100064621
【弁理士】
【氏名又は名称】山川 政樹
(74)【代理人】
【識別番号】100121669
【弁理士】
【氏名又は名称】本山 泰
(72)【発明者】
【氏名】美濃谷 直志
(72)【発明者】
【氏名】岸 俊樹
(72)【発明者】
【氏名】卜部 義和
(72)【発明者】
【氏名】十林 正俊
【テーマコード(参考)】
5J056
5K029
【Fターム(参考)】
5J056AA05
5J056BB24
5J056CC06
5J056DD55
5J056FF10
5J056GG06
5J056GG13
5J056KK01
5K029AA04
5K029BB03
5K029DD12
(57)【要約】
【課題】波形歪が低減された直流成分を含むベースバンド信号を送信回路に伝達する。
【解決手段】本発明に係る接続回路10は、送信回路12の前段に接続され、ベースバンド信号が入力される接続回路であって、入力端子111と出力端子112の間に接続される分離素子105と、分離素子105と並列に接続される信号中点検出部103と、信号中点検出部103と直列に接続されるバイアス加算部104と、フレーム検出回路101と接続される電圧初期値検出回路102とを備え、電圧初期値検出回路102が、フレーム検出回路101の信号により、ベースバンド信号の電圧初期値を保持して、信号中点検出部103に出力し、信号中点検出部103が、ベースバンド信号と電圧初期値とから中点電圧を検出してバイアス加算部104に出力し、バイアス加算部104が、ベースバンド信号をバイアスするバイアス電圧に、中点電圧を加える。
【選択図】
図2
【特許請求の範囲】
【請求項1】
送信回路の前段に接続され、ベースバンド信号が入力される接続回路であって、
入力端子と出力端子の間に接続される分離素子と、
前記分離素子と並列に接続される信号中点検出部と、
前記信号中点検出部と直列に接続されるバイアス加算部と、
フレーム検出回路と接続される電圧初期値検出回路と
を備え、
前記電圧初期値検出回路が、前記フレーム検出回路の信号により、前記ベースバンド信号の電圧初期値を保持して、前記信号中点検出部に出力し、
前記信号中点検出部が、前記ベースバンド信号と前記電圧初期値とから中点電圧を検出して前記バイアス加算部に出力し、
前記バイアス加算部が、前記ベースバンド信号をバイアスするバイアス電圧に、前記中点電圧を加えることを特徴とする接続回路。
【請求項2】
前記電圧初期値検出回路が、
前記入力端子と接続する信号遅延回路と、
前記信号遅延回路と接続するサンプルホールド回路とを備え、
前記信号中点検出部が、
前記入力端子と接続する低域通過フィルタと、
前記低域通過フィルタと接続する中点電圧演算部とを備え、
前記サンプルホールド回路が、前記フレーム検出回路の信号により、前記信号遅延回路から入力される前記ベースバンド信号の電圧初期値を保持し、前記電圧初期値を前記中点電圧演算部に出力し、
前記中点電圧演算部が、前記低域通過フィルタの出力と前記サンプルホールド回路の出力との差分を前記バイアス加算部に出力することを特徴とする請求項1に記載の接続回路。
【請求項3】
前記分離素子を複数備え、
前記信号中点検出部を複数備え、
前記バイアス加算部を複数備え、
前記複数の分離素子それぞれと並列に、前記複数の信号中点検出部がそれぞれ接続され、
前記電圧初期値検出回路が、前記複数の信号中点検出部それぞれに出力し、
前記複数の信号中点検出部それぞれが、前記複数のバイアス加算部それぞれに出力することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の接続回路。
【請求項4】
複数の送信回路の前段に接続され、複数のベースバンド信号が入力される接続回路であって、
複数の入力端子と複数の出力端子の間にそれぞれ接続される複数の分離素子と、
前記複数の分離素子それぞれと並列に接続される複数の信号中点検出部と、
前記複数の信号中点検出部それぞれと直列に接続される複数のバイアス加算部と、
チャンネル間補間VL検出回路と
を備え、
前記チャンネル間補間VL検出回路が、前記複数のベースバンド信号のうち低電圧信号を検出して、前記複数の信号中点検出部それぞれに出力し、
前記信号中点検出部が、前記ベースバンド信号と前記低電圧信号とから中点電圧を検出して前記バイアス加算部に出力し、
前記バイアス加算部が、前記ベースバンド信号をバイアスするバイアス電圧に、前記中点電圧を加えることを特徴とする接続回路。
【請求項5】
複数の送信回路の前段に接続され、複数のベースバンド信号が入力される接続回路であって、
複数の入力端子と複数の出力端子の間にそれぞれ接続される複数の分離素子と、
前記複数の分離素子それぞれと並列に接続される複数のフレーム検出回路と、
前記複数のフレーム検出回路それぞれと直列に接続される複数のスイッチ素子と、
前記複数のスイッチ素子それぞれと直列に接続される複数のバイアス加算部と、
チャンネル間補間VL検出回路の出力とチャンネル間補間VH検出回路の出力とが入力される差分平均中点電圧演算部と
を備え、
前記チャンネル間補間VL検出回路が、複数のベースバンド信号のうち低電圧の信号の入力を検出して、前記低電圧の信号を前記差分平均中点電圧演算部に出力し、
前記チャンネル間補間VH検出回路が、複数のベースバンド信号のうち高電圧の信号の入力を検出して、前記高電圧の信号を前記差分平均中点電圧演算部に出力し、
前記差分平均中点電圧演算部が、前記チャンネル間補間VL検出回路の出力と前記チャンネル間補間VH検出回路の出力とから中点電圧を前記スイッチ素子に出力し、
前記スイッチ素子が、前記フレーム検出回路からの入力により、前記中点電圧を前記バイアス加算部に出力し、
前記バイアス加算部が、前記ベースバンド信号をバイアスするバイアス電圧に、前記中点電圧を加えることを特徴とする接続回路。
【請求項6】
前記チャンネル間補間VH検出回路が、複数のダイオード回路と、抵抗と、電圧源を備え、
前記複数のダイオード回路それぞれの一端に、前記複数のベースバンド信号それぞれが入力し、
前記複数のダイオード回路それぞれの他端に、前記抵抗を介して、前記電圧源が接続され、
前記ダイオード回路が、前記一端から前記他端への方向が順方向となるように接続されることを特徴とする請求項5に記載の接続回路。
【請求項7】
前記チャンネル間補間VL検出回路が、複数のダイオード回路と、抵抗と、電圧源を備え、
前記複数のダイオード回路それぞれの一端に、前記複数のベースバンド信号それぞれが入力し、
前記複数のダイオード回路それぞれの他端に、前記抵抗を介して、前記電圧源が接続され、
前記ダイオード回路が、前記他端から前記一端への方向が順方向となるように接続されることを特徴とする請求項4から請求項6のいずれか一項に記載の接続回路。
【請求項8】
請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の接続回路を備える通信インターフェース。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、送信回路に接続する接続回路および通信インターフェースに関する。
【背景技術】
【0002】
コンピュータのデータ処理能力を向上させることが求められており、このためにはコンピュータに大量のデータを送受信することが必要であり、送受信に光通信などの高速インターフェースを多数使用することが有望である。コンピュータのデータ処理部分であるCPUやGPUのチップと光通信インターフェースのチップは別々に製造された後に、基板上の配線で接続されることがある。このとき、データのソースであるCPUやGPUのチップと光通信インターフェースのチップ間に流れる直流電流をブロックするために、DCブロック用のチップ容量を挿入することがある。
【0003】
この接続形態において、コンピュータのデータ処理部分であるCPUやGPUのチップは、ビルドアップ基板等のパッケージ基板上に実装されることが多い。光通信のチップもパッケージ基板上に実装する場合では、パッケージ基板の面積が限られているため、DCブロック用のチップ容量を除去することが望まれる。
【0004】
そこで、
図10に示すように、従来の送信インターフェース5における接続形態からチップ容量が除去された、送信インターフェース5を用いた接続形態が考えられる。この送信インターフェースにおいて、送信回路52は、送信回路52に適したバイアス電圧でバイアスされており、データのソース3との接続で直流電流が流入してバイアス電圧が変動しないように、容量53により分離されている。図中の挿入
図561に送信インターフェースに入力される信号の概略図を示し、挿入
図562に送信回路に入力される信号の概略図を示す。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0005】
【非特許文献1】https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/1227139.html
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、この送信インターフェースにデータのソースからベースバンド信号が送信されたとき、容量の影響により、ベースバンド信号に含まれる直流成分が、容量と抵抗によるCR時定数に従って徐々に減衰し、波形歪が生じる(
図10中、挿入
図562)。その結果、送信回路のバイアス電圧をデータ入力直後のデータ信号に合わせると、CR時定数で直流成分が減衰した後のデータが正確に送信されない。一方、バイアス電圧をCR時定数で直流成分が減衰した後のデータ信号に合わせると、データ入力直後のデータが正確に送信されない。このように、従来の送信インターフェースではデータを正確に送信できないという問題が生じる。
【0007】
本発明の目的は、DCブロック用のチップ容量を除去して送信インタフェースチップに容量を内蔵した構成で、波形歪が低減された直流成分を含むベースバンド信号を送信回路に伝達できる接続回路および通信インターフェースを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上述したような課題を解決するために、本発明に係る接続回路は、送信回路の前段に接続され、ベースバンド信号が入力される接続回路であって、入力端子と出力端子の間に接続される分離素子と、前記分離素子と並列に接続される信号中点検出部と、前記信号中点検出部と直列に接続されるバイアス加算部と、フレーム検出回路と接続される電圧初期値検出回路とを備え、前記電圧初期値検出回路が、前記フレーム検出回路の信号により、前記ベースバンド信号の電圧初期値を保持して、前記信号中点検出部に出力し、前記信号中点検出部が、前記ベースバンド信号と前記電圧初期値とから中点電圧を検出して前記バイアス加算部に出力し、前記バイアス加算部が、前記ベースバンド信号をバイアスするバイアス電圧に、前記中点電圧を加えることを特徴とする。
【0009】
また、本発明に係る接続回路は、複数の送信回路の前段に接続され、複数のベースバンド信号が入力される接続回路であって、複数の入力端子と複数の出力端子の間にそれぞれ接続される複数の分離素子と、前記複数の分離素子それぞれと並列に接続される複数の信号中点検出部と、前記複数の信号中点検出部それぞれと直列に接続される複数のバイアス加算部と、チャンネル間補間VL検出回路とを備え、前記チャンネル間補間VL検出回路が、前記複数のベースバンド信号のうち低電圧信号を検出して、前記複数の信号中点検出部それぞれに出力し、前記信号中点検出部が、前記ベースバンド信号と前記低電圧信号とから中点電圧を検出して前記バイアス加算部に出力し、前記バイアス加算部が、前記ベースバンド信号をバイアスするバイアス電圧に、前記中点電圧を加えることを特徴とする。
【0010】
また、本発明に係る接続回路は、複数の送信回路の前段に接続され、複数のベースバンド信号が入力される接続回路であって、複数の入力端子と複数の出力端子の間にそれぞれ接続される複数の分離素子と、前記複数の分離素子それぞれと並列に接続される複数のフレーム検出回路と、前記複数のフレーム検出回路それぞれと直列に接続される複数のスイッチ素子と、前記複数のスイッチ素子それぞれと直列に接続される複数のバイアス加算部と、チャンネル間補間VL検出回路の出力とチャンネル間補間VH検出回路の出力とが入力される差分平均中点電圧演算部とを備え、前記チャンネル間補間VL検出回路が、複数のベースバンド信号のうち低電圧の信号の入力を検出して、前記低電圧の信号を前記差分平均中点電圧演算部に出力し、前記チャンネル間補間VH検出回路が、複数のベースバンド信号のうち高電圧の信号の入力を検出して、前記高電圧の信号を前記差分平均中点電圧演算部に出力し、前記差分平均中点電圧演算部が、前記チャンネル間補間VL検出回路の出力と前記チャンネル間補間VH検出回路の出力とから中点電圧を前記スイッチ素子に出力し、前記スイッチ素子が、前記フレーム検出回路からの入力により、前記中点電圧を前記バイアス加算部に出力し、前記バイアス加算部が、前記ベースバンド信号をバイアスするバイアス電圧に、前記中点電圧を加えることを特徴とする。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、波形歪が低減された直流成分を含むベースバンド信号を送信回路に伝達できる接続回路および通信インターフェースを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【
図1】
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る接続回路を用いた送信インターフェースの構成を示すブロック図である。
【
図2】
図2は、本発明の第1の実施の形態に係る接続回路の構成を示すブロック図である。
【
図3】
図3は、本発明の第1の実施の形態に係る接続回路の動作を説明するためのタイムチャート図である。
【
図4】
図4は、本発明の第1の実施の形態に係る接続回路の動作を説明するための信号の概略図である。
【
図5】
図5は、本発明の第2の実施の形態に係る接続回路の構成を示すブロック図である。
【
図6】
図6は、本発明の第3の実施の形態に係る接続回路の構成を示すブロック図である。
【
図7】
図7は、本発明の第3の実施の形態に係る接続回路の構成を示すブロック図である。
【
図8】
図8は、本発明の第4の実施の形態に係る接続回路の構成を示すブロック図である。
【
図9】
図9は、本発明の第4の実施の形態に係る接続回路におけるch間補間VH検出回路の構成例を示す図である。
【
図10】
図10は、従来の送信インターフェースの接続形態を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
<第1の実施の形態>
本発明の第1の実施の形態に係る接続回路および通信インターフェースについて
図1~
図4を参照して説明する。
【0014】
<接続回路および通信インターフェースの構成>
本実施の形態に係る接続回路を用いた送信インターフェース1のブロック図を示す。送信インターフェース1は、
図1に示すように、本実施の形態に係る接続回路10と、終端負荷11と、送信回路12とを備える。送信インターフェース1では、接続回路10が、終端負荷11と送信回路12との間に接続され、データのソース3から伝送線2を介してベースバンド信号(以下、「データ信号」という。)が入力される。ここで、データのソース3は、CPUやGPUなどである。
図1中の挿入
図131に送信インターフェースに入力される信号の概略図を示し、挿入
図132に送信回路に入力される信号の概略図を示す。
【0015】
本実施の形態に係る接続回路10は、
図2に示すように、電圧初期値検出回路102と、フレーム検出回路101と、信号中点検出部103と、バイアス加算部104と、分離素子105とを備える。分離素子105には、キャパシタを有するコンデンサ等の素子(容量)や光カプラを用いることができる。
【0016】
フレーム検出回路101は、データのソース3から出力されたデータ信号の入力時の電圧の変化を検出し、フレーム検出信号を出力する。フレーム検出回路101は、マルチバイブレータ回路、チャタリング防止のRSラッチ回路、低域通過フィルタ等で構成できる。
【0017】
電圧初期値検出回路102は、入力端子111側から順に信号遅延回路1021とサンプルホールド回路1022とを備え、データ信号の未入力時の電圧(以下、「電圧初期値」という。)を検出するとともに、フレーム検出信号の入力により電圧初期値を保持し、電圧初期値を出力する。
【0018】
信号中点検出部103は、入力端子111側から順に低域通過フィルタ1031と中点電圧演算部1032とを備え、データの電圧の高電圧と低電圧の中点の電圧である中点電圧を検出する。
【0019】
バイアス加算部104は、データ信号が入力されると中点電圧を加算して送信回路に入力されるベースバンド信号をバイアスする。
【0020】
接続回路10において、分離素子105と並列に、フレーム検出回路101と電圧初期値検出回路102と信号中点検出部103とバイアス加算部104により構成される回路が接続される。
【0021】
この分離素子105と並列に接続される回路において、フレーム検出回路101と、電圧初期値検出回路102の信号遅延回路1021と、信号中点検出部103の低域通過フィルタ1031とが並列に接続される。
【0022】
電圧初期値検出回路102の信号遅延回路1021にサンプルホールド回路1022が接続され、フレーム検出回路101の出力が、サンプルホールド回路1022に入力(接続)される。
【0023】
信号中点検出部103の低域通過フィルタ1031に中点電圧演算部1032が接続され、サンプルホールド回路1022の出力が中点電圧演算部1032に入力(接続)される。
【0024】
中点電圧演算部1032の出力が、バイアス加算部104に入力(接続)される。
【0025】
バイアス加算部104では、バイアス電圧に中点電圧演算部1032の出力が加算され出力される。
【0026】
<接続回路の動作>
本実施の形態に係る接続回路10の動作を、
図3を参照して説明する。
【0027】
データ信号が接続回路10に入力する前は、データのソース3から電圧初期値として低電圧VLが出力される。その後、信号が入力されると、信号のデータに従ってデータ先頭から高電圧VHと低電圧VLで変化する波形となる(
図3中141)。
【0028】
フレーム検出回路101では、データ信号が変化することを読み取ってフレーム検出信号を高電圧VHで出力し、いったんフレーム検出信号を高電圧VHで出力すると継続して出力する(
図3中142)。その後、データ信号において低電圧VLが所定時間継続する場合等の所定の条件で、高電圧VHの出力を停止し、低電圧VLを出力する(図示せず)。
【0029】
例えば、フレーム検出回路101にマルチバイブレータ回路を用いる場合には、マルチバイブレータ回路がデータ信号の入力により所定の時間幅の矩形波(高電圧VH)を出力し、出力を所定の時間継続し、その後低電圧VLを出力する。
【0030】
また、例えば、フレーム検出回路101にRSラッチ回路を用いる場合には、RSラッチ回路の一方の端子(図示せず)への入力がされない状態を維持して、他方の端子にデータ信号が入力(高電圧VH)された場合に、高電圧VHが出力される。他方の端子へのデータ信号が低電圧VLになった場合でも、高電圧VHの出力が維持される。その後、一方の端子(図示せず)に入力がされた場合に、低電圧VLを出力される。
【0031】
また、例えば、フレーム検出回路101に低域通過フィルタ1を用いる場合には、データ信号(高電圧VH)が入力されると、信号変化が緩和されるので信号が平坦化して、フレーム検出信号が継続して出力される。一方、データ信号で低電圧VLの出力が継続すると、平坦化される信号の出力が低電圧VLになる。さらに、低域通過フィルタの後段にコンパレータ回路を接続することにより、低域通過フィルタの出力が所定のしきい値以上のときにフレーム検出信号を高電圧VHで出力して、所定のしきい値未満が継続する場合に低電圧VLを出力できる。
【0032】
信号遅延回路1021では、データ信号が遅延される(
図3中143)。その結果、信号遅延回路1021の出力は、フレーム検出信号が出力された時に、まだデータ信号の入力前の電圧初期値が低電圧VLで出力されている。
【0033】
サンプルホールド回路1022には、信号遅延回路1021により遅延された信号が入力される。そこで、サンプルホールド回路1022は、接続回路10へのデータ信号の入力時より前では、電圧初期値(低電圧VL)がそのまま出力される。また、接続回路10へのデータ信号の入力時以降では、上述のフレーム検出信号がサンプルホールド回路1022に入力される時に、信号遅延回路1021からデータ信号の入力前の電圧初期値が低電圧VLで入力される。その結果、接続回路10へのデータ信号の入力後も、電圧初期値(低電圧VL)がホールド(保持)されて信号中点検出部103の中点電圧演算部1032に出力される(
図3中144)。
【0034】
信号中点検出部103の低域通過フィルタ1031では、データ入力前は電圧初期値VLが出力され、データ入力後はデータが平滑化されたVL+中点電圧が出力される(
図3中145)。低域通過フィルタ1031において、データ信号は高周波成分が遮断され、低周波成分からなるので、信号変化が緩和され平坦化され、VLに信号変化の平均値である中点電圧を加えたVL+中点電圧が出力される。ここで、出力電圧は、VLからVL+中点電圧まで、低域通過フィルタ1031内部の時定数に従って増加する。
【0035】
中点電圧演算部1032には、通常の減算回路を用いられ、低域通過フィルタ1031の出力とサンプルホールド回路の出力との差分が出力される。その結果、データ入力前はゼロ、データ入力後は中点電圧が出力される(
図3中146)。
【0036】
バイアス加算部104には、通常の加算回路を用いられ、送信回路のバイアス電圧Vbと中点電圧演算部1032の出力(中点電圧)との和が出力される(
図3中147)。その結果、データ入力前ではVb、データ入力後ではVb+中点電圧で、送信回路に入力されるベースバンド信号がバイアスされる。
【0037】
データのソース3から出力されたベースバンド信号の直流成分は、容量と接続回路10の抵抗によるCR時定数に従って減衰する波形歪を有する(
図4中、破線)。このベースバンド信号がバイアス加算部104の出力(
図4中、点線)によりバイアスされると、ベースバンド信号の直流成分におけるCR時定数による波形歪が、バイアス加算部104の出力の低域通過フィルタ1031内部の時定数による変化(増加)により相殺される(
図4中、実線)。その結果、送信回路へ入力されるベースバンド信号の波形歪が低減される。
【0038】
このように、本実施の形態に係る接続回路10は、データのソースから出力されたベースバンド信号を、ベースバンド信号の中点電圧が加算されたバイアス電圧でバイアスして、送信回路に歪が低減されたベースバンド信号を入力できる。
【0039】
本実施の形態に係る接続回路10によれば、DCブロック用のチップ容量を除去して、送信インタフェースチップに容量を内蔵しても、直流成分を含むベースバンド信号を送信回路に伝達でき、データのソースであるチップと送信インターフェースのチップを高密度に実装できる。
【0040】
<第2の実施の形態>
本発明の第2の実施の形態に係る接続回路および通信インターフェースについて
図5を参照して説明する。
【0041】
<接続回路の構成>
本実施の形態に係る接続回路20は、
図5に示すように、複数(N個)の入力と出力に対して、1個の電圧初期値検出回路202と、1個のフレーム検出回路201と、複数(N個)の信号中点検出部203_1~203_Nと、複数(N個)のバイアス加算部204_1~204_Nと、複数(N個)の分離素子205_1~205_Nとを備える。電圧初期値検出回路202と信号中点検出部203_1~203_Nの構成および電圧初期値検出回路202とフレーム検出回路201との接続形態は、第1の実施の形態と同様である。
【0042】
接続回路20において、複数の分離素子305_1~305_Nと並列に、それぞれ信号中点検出部203_1~203_Nとバイアス加算部204_1~204_Nとが直列に接続され、複数の入力端子のうち1つの入力端子(例えば、入力端子211_1)に接続される電圧初期値検出回路202の出力が、複数の信号中点検出部203_1~203_Nの中点電圧演算部に入力(接続)される。
【0043】
<接続回路の動作>
第1の実施の形態と同様に、電圧初期値検出回路202は、データ信号の入力にかかわらず電圧初期値VLを出力する。そこで、本実施の形態に係る接続回路20によれば、データ信号の入力にかかわらず電圧初期値VLが、複数の信号中点検出部203_1~203_Nの中点電圧演算部に出力される。
【0044】
そこで、全入力(1~N)で電気信号の仕様が同じであれば、1つの入力端子(例えば、入力端子211_1)に接続される電圧初期値検出回路202により、全ての信号中点検出部203_1~203_Nに対して同じ電圧初期値VLを出力できる。
【0045】
その結果、第1の実施の形態と同様に、それぞれの信号中点検出部203_1~203_Nの中点電圧演算部で低域通過フィルタの出力と電圧初期値検出回路202の出力(電圧初期値VL)との差分が出力され、バイアス加算部204_1~204_Nにより送信回路に入力されるベースバンド信号がバイアスされ、ベースバンド信号の波形歪が低減される。
【0046】
本実施の形態に係る接続回路20は、第1の実施の形態と同様に、送信インターフェースに用いることができる。この送信インターフェースにおいて、接続回路20の複数の入力端子それぞれに終端負荷が接続され、複数の出力端子それぞれに送信回路が接続される。
【0047】
以上のように、本実施の形態に係る接続回路20によれば、データのソースと複数の送信回路を有する送信インターフェースとの間にチップ容量(DCブロック用のチップ容量)を配置することなく、送信インタフェースチップに容量を内蔵して、波形歪が低減された直流成分を含むベースバンド信号を送信回路に伝達でき、データのソースであるチップと送信インターフェースのチップを高密度に実装できる。
【0048】
また、本実施の形態に係る接続回路20によれば、すべての入力に対して電圧初期値検出回路とフレーム検出回路を配置する構成と比較して、電圧初期値検出回路とフレーム回路が1個であるので、消費電力を低減でき、チップ面積を低減できる。
【0049】
<第3の実施の形態>
本発明の第3の実施の形態に係る接続回路および通信インターフェースについて
図6~
図7を参照して説明する。本実施の形態に係る接続回路は、第2の実施の形態に係る接続回路と比較して、信号中点検出部の前段の構成が異なる。その他の構成は、第2の実施の形態と同様である。
【0050】
<接続回路の構成>
本実施の形態に係る接続回路30は、
図6に示すように、複数(N個)の入力と出力に対して、1個のチャンネル(ch)間補間電圧初期値(VL)検出回路301と、複数(N個)の信号中点検出部303_1~303_Nと、複数(N個)のバイアス加算部304_1~304_Nと、複数(N個)の分離素子305_1~305_Nとを備える。信号中点検出部303_1~303_Nの構成は、第1の実施の形態と同様である。
【0051】
接続回路30において、複数の分離素子305_1~305_Nと並列に、それぞれ信号中点検出部303_1~303_Nとバイアス加算部304_1~304_Nとが直列に接続され、複数の入力端子311_1~311_Nに接続されるch間補間VL検出回路301の出力が、複数の信号中点検出部303_1~303_Nに入力(接続)される。
【0052】
ch間補間VL検出回路301は、入力端子311_1~311_Nと接続し、複数チャンネルの信号の中で低い電圧の信号を検出する。詳細には、
図7に示すように、各入力端子311_1~311_Nと各信号中点検出部303_1~303_Nの入力との間にダイオード回路3011_1~3011_Nを備え、信号中点検出部303_1~303_Nの入力に電圧源(V1)3013に接続された抵抗(Rb)3012が接続される。
【0053】
ここで、ダイオード回路3011_1~3011_Nは、順方向しきい値電圧が0Vの理想ダイオード回路とする。また、ダイオード回路3011_1~3011_Nは、各信号中点検出部303_1~303_Nの入力から各入力端子311_1~311_Nの方向が順方向になるように接続される。
【0054】
<接続回路の動作>
初めに、ch間補間VL検出回路301の動作を説明する。電圧源の電圧V1はあらかじめ入力信号の低電圧VLと高電圧VHの間でVL<V1<VHとなるように設定されているものとする。
【0055】
入力端子311_1~311_Nのうち1つの入力端子(例えば、入力端子311_1)に電圧初期値として電圧VLが入力されると、V1>VLのため、ダイオード回路(例えば、3011_1)に順方向電圧VLが印加されONとなるので、信号中点検出部303_1~303_Nの入力電圧VaがVLと等しくなる。ここで、入力電圧がVHであるダイオード回路はOFF状態のためVHはVaに影響しない。
【0056】
ここで、Rb3032と信号中点検出部303_1~303_Nの入力に存在するダイオード等の寄生容量で形成されるCR時定数のため、入力端子311_1~311_NがすべてVHになった瞬間からVaはCR時定数に従ってV1に変化する。その結果、CR時定数による所定の時間経過後に、Va=V1になる。したがって、所定の時間以上、入力端子311_1~311_NがすべてVHとなる状態が継続されないと、VaがVLから変化しない。換言すれば、ほとんどVaはVLの状態を維持する。
【0057】
仮に、Va=V1になると、Va=VLのときに信号がVLとVHの間で変化する場合に比べて、信号がV1とVHの間で変化するので、信号変化量(振幅)が減少する。その結果、信号の検知が困難になるなどの不利益が生じる。
【0058】
上述のVaのVLからの変化が発生する確率について、以下に説明する。
【0059】
Vaの変化が発生する確率は、入力端子311_1~311_NがすべてVHとなる状態が10ビット連続で生じたときにVaが変化するようにCR時定数を結滞して、以下の通り計算される。
【0060】
ビットレートを10Gbpsとする。10ビットVHになる確率は1/210となる。N=1の場合では、210/10Gbps=102.4ナノ秒となり、102.4ナノ秒に1回Vaがずれる。N=8の場合では、すべてのチャンネルで10ビットVHとなる確率は1/280となり、280/10Gbps=1.21x1014秒=3.8x106年となる。この結果より、3.8x106年に1回のみVaが変化する。また、チャンネル数が多いほどVaが変化する確率は低くなる。
【0061】
このように、VaのVLからの変化が発生する確率は極めて低いので、VaのVLからの変化が発生することはほとんどない。
【0062】
以上のように、ch間補間VL検出回路301に電圧初期値として電圧VLが入力されると、信号中点検出部303_1~303_Nの入力電圧Vaは電圧初期値VLに維持される。
【0063】
次に、接続回路30の動作を説明する。
【0064】
上述の通り、信号中点検出部303_1~303_Nの入力Vaは電圧初期値である低電圧VLで維持されるので、信号中点検出部303_1~303_Nからバイアス加算部304_1~304_Nへの出力も低電圧VLで維持される。
【0065】
このように、入力端子311_1~311_Nのうち1つの入力端子に電圧VLが入力されると、低電圧VLが継続してバイアス加算部304_1~304_Nに出力される。
【0066】
その結果、第1~2の実施の形態と同様に、それぞれの信号中点検出部303_1~303_Nの中点電圧演算部で低域通過フィルタの出力とch間補間VL検出回路301の出力(電圧初期値VL)との差分が出力され、バイアス加算部304_1~304_Nにより送信回路に入力されるベースバンド信号がバイアスされ、ベースバンド信号の波形歪が低減される。
【0067】
本実施の形態に係る接続回路30は、第1の実施の形態と同様に、送信インターフェースに用いることができる。この送信インターフェースにおいて、接続回路30の複数の入力端子それぞれに終端負荷が接続され、複数の出力端子それぞれに送信回路が接続される。
【0068】
以上のように、本実施の形態に係る接続回路によれば、データのソースと複数の送信回路を有する送信インターフェースとの間にチップ容量(DCブロック用のチップ容量)を配置することなく、送信インタフェースチップに容量を内蔵して、波形歪が低減された直流成分を含むベースバンド信号を送信回路に伝達でき、データのソースであるチップと送信インターフェースのチップを高密度に実装できる。
【0069】
また、第2の実施の形態に係る接続回路では、1つの入出力回路においてVLを抽出して、このVLをN個の入力される信号における最低電圧値とみなして中点電圧が検出された。しかしながら、このVLはN個の入力信号での最低電圧ではないので、N個の入力信号における正確な中点電圧が検出されない。本実施の形態に係る接続回路では、N個の入力信号での最低電圧を抽出することにより、N個の入力信号におけるより正確な中点電圧を検出できる。
【0070】
また、第2の実施の形態に係る接続回路では、一の入力端子に信号が入力される前に、他の入力端子に信号が入力された場合には、ベースバンド信号の波形歪を低減できない。一方、本実施の形態に係る接続回路によれば、1~Nの入力信号に対して低電圧VLを検出するので、1~Nいずれの入力端子に信号が入力された場合でも、ベースバンド信号の波形歪を低減できる。
【0071】
<第4の実施の形態>
次に、本発明の第4の実施の形態に係る接続回路および通信インターフェースについて
図8~
図9を参照して説明する。
【0072】
<接続回路の構成>
本実施の形態に係る接続回路40は、
図8に示すように、複数(N個)の入力と出力に対して、1個のチャンネル(ch)間補間VL検出回路401と、1個のチャンネル(ch)間補間VH検出回路402と、1個の差分平均中点電圧演算部403と複数(N個)のフレーム検出回路404_1~404_Nと複数(N個)のスイッチ(SW)素子405_1~405_Nと複数(N個)のバイアス加算部406_1~406_Nと、複数(N個)の分離素子407_1~407_Nとを備える。
【0073】
接続回路40において、複数(N個)の分離素子407_1~407_Nと並列に、それぞれフレーム検出回路404_1~404_Nと複数(N個)のスイッチ(SW)素子405_1~405_Nと複数(N個)のバイアス加算部406_1~406_Nとが直列に接続され、複数の入力端子411_1~411_Nに接続されるch間補間VL検出回路401とch間補間VH検出回路402とが差分平均中点電圧演算部403に接続され、差分平均中点電圧演算部403が複数(N個)のスイッチ(SW)素子405_1~405_Nに接続される。
【0074】
チャンネル(ch)間補間VL検出回路401は、第3の実施の形態と同様の構成を有し、各入力端子411_1~411_Nと差分平均中点電圧演算部403の入力との間にそれぞれダイオード回路を備え、差分平均中点電圧演算部403の入力に電圧源4023に接続された抵抗(Rb2)4022が接続される。
【0075】
ch間補間VH検出回路402は、ch間補間VL検出回路401と並列に、入力端子411_1~411_Nと接続し、複数チャンネルの信号の中で高い電圧の信号を検出する。詳細には、
図9に示すように、各入力端子411_1~411_Nと差分平均中点電圧演算部403の入力との間にダイオード回路4021_1~4021_Nを備え、差分平均中点電圧演算部403の入力に電圧源(V1)4023に接続された抵抗(Rb)4022が接続される。ここで、ダイオード回路4021_1~4021_Nは、順方向しきい値電圧が0Vの理想ダイオード回路とする。また、ダイオード回路4021_1~4021_Nは、各入力端子411_1~411_Nから差分平均中点電圧演算部403への入力の方向が順方向になるように接続される。
【0076】
<接続回路の動作>
初めに、ch間補間VH検出回路402の動作を説明する。電圧源の電圧V1はあらかじめ入力信号の低電圧VLと高電圧VHの間でVL<V1<VHとなるように設定されているものとする。
【0077】
入力端子411_1~411_Nのうち1つの入力端子(例えば、入力端子411_1)に電圧VHが入力されると、V1<VHのため、ダイオード回路(例えば、4021_1)に順方向電圧VLが印加されONとなるので、差分平均中点電圧演算部403の入力電圧Va2がVHと等しくなる。ここで、入力電圧がVLであるダイオード回路はOFF状態のためVLはVa2に影響しない。したがって、入力1~Nの中で電圧がVHである入力があればVa2はVHとなる。
【0078】
ここで、抵抗(Rb2)4022と差分平均中点電圧演算部403の入力に存在するダイオード等の寄生容量で形成されるCR時定数のため、入力端子411_1~411_NがすべてVLになった瞬間からVa2はCR時定数に従ってV1に変化する。その結果、CR時定数による所定の時間経過後に、Va2=V1になる。したがって、所定の時間以上、入力端子411_1~411_NがすべてVLとなる状態が継続されないと、Va2がVHから変化しない。換言すれば、ほとんどVa2はVHの状態を維持する。
【0079】
仮に、Va2=V1になると、Va2=VHのときに信号がVLとVHの間で変化する場合に比べて、信号がV1とVHの間で変化するので、信号変化量(振幅)が減少する。その結果、信号の検知が困難になるなどの不利益が生じる。
【0080】
第3の実施の形態で説明した、VaのVLからの変化が発生する確率と同様に、入力端子411_1~411_NがすべてVLとなる状態は、全ての送信回路にデータが入力されていないとき以外では極めて低く、チャンネル数が多くなるほど確率は低くなる。
【0081】
このように、Va2のVLからの変化が発生する確率は極めて低いので、Va2のVLからの変化が発生することはほとんどない。
【0082】
以上のように、ch間補間VH検出回路402に電圧VHが入力されると、差分平均中点電圧演算部403の入力電圧Va2はVHに維持される。
【0083】
次に、接続回路40の動作を説明する。
【0084】
チャンネル(ch)間補間VL検出回路401は、第3の実施の形態と同様の構成を有し、複数チャンネルの信号の中で低い電圧の信号を検出する。
【0085】
チャンネル(ch)間補間VH検出回路402は、上述の通り、複数チャンネルの信号の中で高い電圧の信号を検出する。
【0086】
差分平均中点電圧演算部403は、チャンネル(ch)間補間VL検出回路401の出力電圧VLとチャンネル(ch)間補間VH検出回路402の出力電圧VHとから、VLとVHとの中点電圧を演算して、中点電圧をスイッチ(SW)素子405_1~405_Nに出力する。
【0087】
例えば、差分平均中点電圧演算部403は、差動回路の後段に分圧回路を接続して構成できる。差動回路によりVLとVHとの差分の電圧を出力して、その差分の電圧が1/2になるように分圧回路により分圧する。その結果、VLとVHとの中点電圧が演算される。
【0088】
フレーム検出回路404_1~404_Nでは、第1の実施の形態と同様に、データ信号が変化することを読み取ってフレーム検出信号を高電圧VHで出力し、いったんフレーム検出信号を高電圧VHで出力すると継続して、スイッチ(SW)素子405_1~405_Nに出力する。
【0089】
スイッチ(SW)素子405_1~405_Nは、フレーム検出信号がVHで入力されたときにONとなり、差分平均中点電圧演算部403の出力電圧(中点電圧)をバイアス加算部406_1~406_Nに出力する。
【0090】
バイアス加算部406_1~406_Nでは、第1の実施の形態と同様に、送信回路のバイアス電圧Vb1~VbNとスイッチ(SW)素子405_1~405_Nの出力との和が出力される。
【0091】
このように、それぞれの入力端子にデータ信号が入力されたときに、それぞれのバイアス加算部406_1~406_Nでバイアス電圧に中点電圧が加算される。その結果、データ入力前ではVb1~VbN、データ入力後ではVb1~VbN+中点電圧で、それぞれの入力端子から入力されるベースバンド信号がバイアスされ、送信回路に出力される。
【0092】
その結果、第1~3の実施の形態と同様に、バイアス加算部406_1~406_Nにより送信回路に入力されるベースバンド信号がバイアスされ、ベースバンド信号の波形歪が低減される。
【0093】
本実施の形態に係る接続回路40は、第1の実施の形態と同様に、送信インターフェースに用いることができる。この送信インターフェースにおいて、接続回路40の複数の入力端子それぞれに終端負荷が接続され、複数の出力端子それぞれに送信回路が接続される。
【0094】
以上のように、本実施の形態に係る接続回路によれば、データのソースと複数の送信回路を有する送信インターフェースとの間にチップ容量(DCブロック用のチップ容量)を配置することなく、送信インタフェースチップに容量を内蔵して、波形歪が低減された直流成分を含むベースバンド信号を送信回路に伝達でき、データのソースであるチップと送信インターフェースのチップを高密度に実装できる。
【0095】
本実施の形態に係る接続回路では、第3の実施の形態に係る接続回路と比較して、N個の入力信号での低電圧に加えて高電圧も抽出することにより、N個の入力信号におけるより正確な中点電圧を検出できる。
【0096】
また、本実施の形態に係る接続回路によれば、第3の実施の形態に係る接続回路と同様に、1~Nの入力信号に対して低電圧VLと高電圧VHとを検出するので、1~Nいずれの入力端子に信号が入力された場合でも、ベースバンド信号の波形歪を低減できる。
【0097】
本発明の実施の形態では、接続回路の構成、製造方法などにおいて、各構成部の構造、寸法、材料等の一例を示したが、これに限らない。接続回路の機能を発揮し効果を奏するものであればよい。
【産業上の利用可能性】
【0098】
本発明は、送信回路に接続する接続回路および通信インターフェースに関するものであり、通信伝送システムに適用することができる。
【符号の説明】
【0099】
10 接続回路
11 終端負荷
12 送信回路
101 フレーム検出回路
102 電圧初期値検出回路
1021 信号遅延回路
1022 サンプルホールド回路
103 信号中点検出部
1031 低域通過フィルタ
1032 中点電圧演算部
104 バイアス加算部
105 分離素子
111 入力端子
112 出力端子