【図1】
本方法のレーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程の前に角部を有する分離層を形成した後のデュアルパッド付き半導体発光装置（ＬＥＤ）構造を示す拡大概略断面図である。
【図2】
成長基板上に分離層がそのストリート領域内に伸びていない複数のデュアルパッド付き半導体発光装置（ＬＥＤ）構造を示す拡大概略断面図である。
【図2A】
成長基板上に分離層がそのストリート領域内に伸びている複数のデュアルパッド付き半導体発光装置（ＬＥＤ）構造を示す拡大概略断面図である。
【図3】
本方法のレーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程の前に角部を有する分離層を形成した後の垂直発光ダイオード（ＶＬＥＤ）構造を示す拡大概略断面図である。
【図3A】
本方法のレーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程の前に角部を有する分離層を形成した後のサラウンドメサ構造を有する垂直発光ダイオード（ＶＬＥＤ）構造を示す拡大概略断面図である。
【図4】
成長基板上に分離層がそのストリート領域内に伸びていない複数の垂直発光ダイオード（ＶＬＥＤ）構造を示す拡大概略断面図である。
【図5】
本方法の成長基板上の複数の垂直発光ダイオード（ＶＬＥＤ）構造上に分離層を形成する工程を示す拡大概略断面図である。
【図5A】
本方法の成長基板上のサラウンドメサ構造を有する複数の垂直発光ダイオード（ＶＬＥＤ）構造上に分離層を形成する工程を示す拡大概略断面図である。
【図6】
本方法の分離層上に被覆チャネル層を形成する工程を示す拡大概略断面図である。
【図7】
本方法の被覆チャネル層上にパターニング保護層を形成する工程を示す拡大概略断面図である。
【図8】
本方法の第１化学エッチングプロセスを用いてエッチングチャネルを形成する工程を示す拡大概略断面図である。
【図9】
本方法の第２化学エッチングプロセスを用いて分離層をエッチングする工程を示す拡大概略断面図である。
【図10】
本方法の被覆チャネル層及びパターニング保護層を除去する工程を示す拡大概略断面図である。
【図11】
本方法の成長基板をその上に弾性高分子材料を有するキャリアに接合する工程を示す拡大概略断面図である。
【図12】
本方法の成長基板をデュアルパッド付き半導体発光装置（ＬＥＤ）構造から分離するレーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程を示す拡大概略断面図である。
【図13】
本方法で製造された半導体発光装置（ＬＥＤ）を示す拡大概略断面図である。
【図14】
パターニング保護層を分離層上に直接堆積することができ、第１エッチングプロセスを用いて分離層をエッチングすることによりストリート領域内の材料を除去し、第２エッチングプロセスを用いて側壁アンダーカット構造を形成することができる、代替実施形態の半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法を示す拡大概略断面図である。
【図15】
パターニング保護層を分離層上に直接堆積することができ、第１エッチングプロセスを用いて分離層をエッチングすることによりストリート領域内の材料を除去し、第２エッチングプロセスを用いて側壁アンダーカット構造を形成することができる、代替実施形態の半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法を示す拡大概略断面図である。
【図16】
パターニング保護層を分離層上に直接堆積することができ、第１エッチングプロセスを用いて分離層をエッチングすることによりストリート領域内の材料を除去し、第２エッチングプロセスを用いて側壁アンダーカット構造を形成することができる、代替実施形態の半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法を示す拡大概略断面図である。
【図17】
パターニング保護層を分離層上に直接堆積することができ、第１エッチングプロセスを用いて分離層をエッチングすることによりストリート領域内の材料を除去し、第２エッチングプロセスを用いて側壁アンダーカット構造を形成することができる、代替実施形態の半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法を示す拡大概略断面図である。
【図18】
半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法の工程を示す拡大概略断面図である。
【図19】
半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法の工程を示す拡大概略断面図である。
【図20】
半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法の工程を示す拡大概略断面図である。
【図21】
半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法の工程を示す拡大概略断面図である。
【図22】
半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法の工程を示す拡大概略断面図である。
【図23】
半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法の工程を示す拡大概略断面図である。
【図24】
代替実施形態の半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法の工程を示す拡大概略断面図である。
【図25】
代替実施形態の半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法の工程を示す拡大概略断面図である。
【図26】
代替実施形態の半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法の工程を示す拡大概略断面図である。
【図27】
代替実施形態の半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法の工程を示す拡大概略断面図である。
【図28】
本方法または代替実施形態の半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法のレーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程を示す拡大概略断面図である。
【図29】
本方法または代替実施形態の半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法のレーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程を示す拡大概略断面図である。
【図30】
本方法または代替実施形態の半導体発光装置（ＬＥＤｓ）の製造方法のレーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程を示す拡大概略断面図である。
【図31】
その上に本方法または代替実施形態の方法で製造された複数の半導体発光装置（ＬＥＤ）構造を有するキャリアの平面図である。
【図31A】
図３１の断面線３１Ａ－３１Ａに沿って取られた、単一の半導体発光装置（ＬＥＤ）構造を示す断面図である。
【図32】
先行技術のレーザリフトオフ（ＬＬＯ）プロセスの態様を示す拡大概略断面図である。
【図33】
先行技術のレーザリフトオフ（ＬＬＯ）プロセスの態様を示す拡大概略断面図である。
【図34】
先行技術のレーザリフトオフ（ＬＬＯ）プロセスの態様を示す拡大概略断面図である。
【図35】
先行技術のレーザリフトオフ（ＬＬＯ）プロセスの態様を示す拡大概略断面図である。
【図36】
その上に先行技術のレーザリフトオフ（ＬＬＯ）プロセスを用いて製造された複数の半導体発光装置（ＬＥＤ）構造を有するキャリアの平面図である。
【図36A】
図３６の断面線３６Ａ－３６Ａに沿って取られた、キャリア上の単一の半導体発光装置（ＬＥＤ）構造を示す断面図である。
