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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022161790
(43)【公開日】2022-10-21
(54)【発明の名称】導電性基板の製造方法及び導電性基板
(51)【国際特許分類】
H01B 13/00 20060101AFI20221014BHJP
H01B 5/14 20060101ALI20221014BHJP
C23C 18/44 20060101ALI20221014BHJP
【ＦＩ】
H01B13/00 503B
H01B5/14 A
C23C18/44
【審査請求】未請求
【請求項の数】24
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021124371
(22)【出願日】2021-07-29
(31)【優先権主張番号】P 2021066722
(32)【優先日】2021-04-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2021110396
(32)【優先日】2021-07-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】306037311
【氏名又は名称】富士フイルム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100152984
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 秀明
(74)【代理人】
【識別番号】100148080
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 史生
(72)【発明者】
【氏名】中山 亜矢
(72)【発明者】
【氏名】温井 克行
(72)【発明者】
【氏名】元村 勇也
(72)【発明者】
【氏名】小川 徹
(72)【発明者】
【氏名】中平 真一
【テーマコード（参考）】
4K022
5G307
5G323
【Ｆターム（参考）】
4K022AA03
4K022AA20
4K022AA31
4K022AA41
4K022BA01
4K022DA01
4K022DB01
4K022DB08
5G307FA02
5G307FB02
5G307FC02
5G307FC09
5G323BA01
5G323BA05
5G323BB01
5G323BB02
5G323BC03
(57)【要約】
【課題】電気抵抗が小さく、視認されてにくい導電性細線を有する導電性基板の製造方法及び導電性基板を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に配置された導電性細線とを含む導電性基板を製造する、導電性基板の製造方法であって、基板上に、金属を含む細線を形成する工程１と、細線と有機酸を含む溶液とを接触させる工程２と、細線に対してめっき処理を施して、導電性細線を形成する工程３と、をこの順に有する。
【選択図】図２
【解決手段】基板と、基板上に配置された導電性細線とを含む導電性基板を製造する、導電性基板の製造方法であって、基板上に、金属を含む細線を形成する工程１と、細線と有機酸を含む溶液とを接触させる工程２と、細線に対してめっき処理を施して、導電性細線を形成する工程３と、をこの順に有する。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、前記基板上に配置された導電性細線とを含む導電性基板を製造する、導電性基板の製造方法であって、
基板上に、金属を含む細線を形成する工程１と、
前記細線と有機酸を含む溶液とを接触させる工程２と、
前記細線に対してめっき処理を施して、導電性細線を形成する工程３と、をこの順に有する、導電性基板の製造方法。
基板上に、金属を含む細線を形成する工程１と、
前記細線と有機酸を含む溶液とを接触させる工程２と、
前記細線に対してめっき処理を施して、導電性細線を形成する工程３と、をこの順に有する、導電性基板の製造方法。
【請求項2】
前記工程１と前記工程２との間に、前記細線に対してめっき処理を施す工程４を更に有する、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項3】
前記有機酸を含む溶液のｐＨ値が、温度２５℃において１．５～６．０の範囲である、請求項１又は２に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項4】
前記有機酸を含む溶液が、カルボン酸を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項5】
前記カルボン酸は、２価以上のカルボン酸である、請求項４に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項6】
前記カルボン酸は、グルタル酸、及び、クエン酸からなる群から選択されるいずれかである、請求項４又は５に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項7】
前記有機酸を含む溶液が、第４級アンモニウム塩を更に含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項8】
前記第４級アンモニウム塩が、一般式（Ｘ）で表される化合物、一般式（Ｙ）で表される化合物、及び、一般式（Ｚ）で表される化合物からなる群から選択される、請求項７に記載の導電性基板の製造方法。
一般式（Ｘ）中、Ｒａ１及びＲａ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒａ３及びＲａ４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｙ）中、Ｒｂ１～Ｒｂ３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒｂ４は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｚ）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
【化1】
一般式（Ｙ）中、Ｒｂ１～Ｒｂ３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒｂ４は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｚ）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
【請求項9】
前記有機酸を含む溶液は、２価以上のカルボン酸と、一般式（Ｘ）で表される化合物、一般式（Ｙ）で表される化合物、及び、一般式（Ｚ）で表される化合物からなる群から選択される化合物とを含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。
一般式（Ｘ）中、Ｒａ１及びＲａ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒａ３及びＲａ４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｙ）中、Ｒｂ１～Ｒｂ３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒｂ４は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｚ）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
【化2】
一般式（Ｙ）中、Ｒｂ１～Ｒｂ３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒｂ４は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｚ）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
【請求項10】
前記工程２において、前記細線と前記有機酸を含む前記溶液との接触時間が、５～１８０秒間である、請求項１～９のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項11】
前記工程１と前記工程２との間、又は、前記工程２と前記工程３との間に、
前記細線に対して、第４級アンモニウム塩を含む溶液を接触させる工程５を更に有する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。
前記細線に対して、第４級アンモニウム塩を含む溶液を接触させる工程５を更に有する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項12】
前記工程３又は前記工程４は、前記細線を、ｐＨ３～７の酸性溶液に接触させ、前記めっき処理によるめっき反応を停止させる中和洗浄工程を有する、請求項２～１１のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項13】
前記酸性溶液は、緩衝作用を有する、請求項１２に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項14】
前記細線は、高分子を含む、請求項１～１３のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項15】
基板と、前記基板上に配置され、金属を含む導電性細線とを含む導電性基板であって、
前記導電性細線が延在する方向と直交する方向での前記導電性細線の垂直断面において、
前記金属が観察される観察領域の最大内接円内での前記金属を示す領域の割合が８１～９９％であり、
反射光を用いて前記導電性細線を撮像して得られるグレー値が２５６階調で表される輝度の値で１５０以下である、導電性基板。
前記導電性細線が延在する方向と直交する方向での前記導電性細線の垂直断面において、
前記金属が観察される観察領域の最大内接円内での前記金属を示す領域の割合が８１～９９％であり、
反射光を用いて前記導電性細線を撮像して得られるグレー値が２５６階調で表される輝度の値で１５０以下である、導電性基板。
【請求項16】
前記金属が観察される前記観察領域に外接する、４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺が前記基板の表面に平行な外接四角形において、前記外接四角形の前記基板の前記表面に垂直な辺と前記観察領域との接点のうち、前記基板の前記表面から最も離れた位置にある上部接点を１つの角とした、前記外接四角形の前記上部接点より前記基板の前記表面の反対側の四角形領域を上部外接四角形とし、前記上部外接四角形は、４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺が前記基板の前記表面に平行であり、
前記上部外接四角形内において、前記金属が存在する領域の輪郭の長さをＬｍとし、前記上部外接四角形の４辺の合計長さをＬｓとし、Ｌｍ／Ｌｓで表される比をγとするとき、１．３≦γ≦２．０である、請求項１５に記載の導電性基板。
前記上部外接四角形内において、前記金属が存在する領域の輪郭の長さをＬｍとし、前記上部外接四角形の４辺の合計長さをＬｓとし、Ｌｍ／Ｌｓで表される比をγとするとき、１．３≦γ≦２．０である、請求項１５に記載の導電性基板。
【請求項17】
前記導電性細線の線幅は、０．１μｍ以上５．０μｍ未満である、請求項１５又は１６に記載の導電性基板。
【請求項18】
前記導電性細線が前記延在する方向と前記直交する方向での前記導電性細線の前記垂直断面において、
前記導電性細線の線幅に対する前記導電性細線の高さの比が０．６以上１．５未満である、請求項１５～１７のいずれか１項に記載の導電性基板。
前記導電性細線の線幅に対する前記導電性細線の高さの比が０．６以上１．５未満である、請求項１５～１７のいずれか１項に記載の導電性基板。
【請求項19】
前記基板は、可撓性フィルムで構成される、請求項１５～１８のいずれか１項に記載の導電性基板。
【請求項20】
前記可撓性フィルムは、ポリエチレンテレフタレート、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、又は、ポリカーボネートを含む、請求項１９に記載の導電性基板。
【請求項21】
前記導電性細線が含む前記金属は、銀を含む、請求項１５～２０のいずれか１項に記載の導電性基板。
【請求項22】
前記導電性細線が含む前記金属は、銀である、請求項１５～２１のいずれか１項に記載の導電性基板。
【請求項23】
前記導電性細線が含む前記金属は、粒子状である、請求項１５～２２のいずれか１項に記載の導電性基板。
【請求項24】
前記導電性細線は、高分子を含む、請求項１５～２３のいずれか１項に記載の導電性基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、導電性細線を有する導電性基板の製造方法及び導電性基板に関する。
【背景技術】
【0002】
導電性細線（導電性を示す細線状の配線）を有する導電性基板は、タッチパネル等の種々の用途に幅広く利用されている。
導電性基板の導電性細線は、例えば、特許文献１に示されるように、ハロゲン化銀を含む感光性層に、露光処理、及び、現像処理等を順次実施して、金属銀を含む導電性細線が形成されている。
導電性基板の導電性細線は、例えば、特許文献１に示されるように、ハロゲン化銀を含む感光性層に、露光処理、及び、現像処理等を順次実施して、金属銀を含む導電性細線が形成されている。
【0003】
特許文献１には、支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を含有する導電性材料前駆体を用いて製造する導電性材料の製造方法が記載されている。特許文献１の導電性材料の製造方法では、導電性材料前駆体を、ハロゲン化銀乳剤層を構成するバインダーに作用する酵素を含有する酵素含有処理液で処理し、その後めっき処理している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特許第４８９５５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
導電性細線を有する導電性基板が、タッチパネルに用いられた場合、導電性細線は、導電性、すなわち、電気抵抗が小さいことが要求され、かつ視認されにくいことも要求される。
しかしながら、特許文献１では、上記特性の両立ができていなかった。
しかしながら、特許文献１では、上記特性の両立ができていなかった。
【0006】
本発明の目的は、電気抵抗が小さく、視認されてにくい導電性細線を有する導電性基板の製造方法及び導電性基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上述の目的を達成するために、本発明の一態様は、基板と、基板上に配置された導電性細線とを含む導電性基板を製造する、導電性基板の製造方法であって、基板上に、金属を含む細線を形成する工程１と、細線と有機酸を含む溶液とを接触させる工程２と、細線に対してめっき処理を施して、導電性細線を形成する工程３と、をこの順に有する、導電性基板の製造方法を提供するものである。
【0008】
工程１と工程２との間に、細線に対してめっき処理を施す工程４を更に有することが好ましい。
有機酸を含む溶液のｐＨ値が、温度２５℃において１．５～６．０の範囲であることが好ましい。
有機酸を含む溶液が、カルボン酸を含むことが好ましい。
カルボン酸は、２価以上のカルボン酸であることが好ましい。
カルボン酸は、グルタル酸、及び、クエン酸からなる群から選択されるいずれかであることが好ましい。
有機酸を含む溶液が、第４級アンモニウム塩を更に含むことが好ましい。
第４級アンモニウム塩が、一般式（Ｘ）で表される化合物、一般式（Ｙ）で表される化合物、及び、一般式（Ｚ）で表される化合物からなる群から選択されることが好ましい。
有機酸を含む溶液のｐＨ値が、温度２５℃において１．５～６．０の範囲であることが好ましい。
有機酸を含む溶液が、カルボン酸を含むことが好ましい。
カルボン酸は、２価以上のカルボン酸であることが好ましい。
カルボン酸は、グルタル酸、及び、クエン酸からなる群から選択されるいずれかであることが好ましい。
有機酸を含む溶液が、第４級アンモニウム塩を更に含むことが好ましい。
第４級アンモニウム塩が、一般式（Ｘ）で表される化合物、一般式（Ｙ）で表される化合物、及び、一般式（Ｚ）で表される化合物からなる群から選択されることが好ましい。
【0009】
【化1】
【0010】
一般式（Ｘ）中、Ｒａ１及びＲａ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒａ３及びＲａ４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｙ）中、Ｒｂ１～Ｒｂ３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒｂ４は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｚ）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｙ）中、Ｒｂ１～Ｒｂ３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒｂ４は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｚ）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
【0011】
有機酸を含む溶液は、２価以上のカルボン酸と、一般式（Ｘ）で表される化合物、一般式（Ｙ）で表される化合物、及び、一般式（Ｚ）で表される化合物からなる群から選択される化合物とを含むことが好ましい。
【0012】
【化2】
【0013】
一般式（Ｘ）中、Ｒａ１及びＲａ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒａ３及びＲａ４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｙ）中、Ｒｂ１～Ｒｂ３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒｂ４は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｚ）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｙ）中、Ｒｂ１～Ｒｂ３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒｂ４は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
一般式（Ｚ）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
【0014】
工程２において、細線と有機酸を含む溶液との接触時間が、５～１８０秒間であることが好ましい。
工程１と工程２との間、又は、工程２と工程３との間に、細線に対して、第４級アンモニウム塩を含む溶液を接触させる工程５を更に有することが好ましい。
工程３又は工程４は、細線を、ｐＨ３～７の酸性溶液に接触させ、めっき処理によるめっき反応を停止させる中和洗浄工程を有することが好ましい。
酸性溶液は、緩衝作用を有することが好ましい。
細線は、高分子を含むことが好ましい。
工程１と工程２との間、又は、工程２と工程３との間に、細線に対して、第４級アンモニウム塩を含む溶液を接触させる工程５を更に有することが好ましい。
工程３又は工程４は、細線を、ｐＨ３～７の酸性溶液に接触させ、めっき処理によるめっき反応を停止させる中和洗浄工程を有することが好ましい。
酸性溶液は、緩衝作用を有することが好ましい。
細線は、高分子を含むことが好ましい。
【0015】
本発明の一態様は、基板と、基板上に配置され、金属を含む導電性細線とを含む導電性基板であって、導電性細線が延在する方向と直交する方向での導電性細線の垂直断面において、金属が観察される観察領域の最大内接円内での金属を示す領域の割合が８１～９９％であり、反射光を用いて導電性細線を撮像して得られるグレー値が２５６階調で表される輝度の値で１５０以下である、導電性基板を提供するものである。
金属が観察される観察領域に外接する、４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺が基板の表面に平行な外接四角形において、外接四角形の基板の表面に垂直な辺と観察領域との接点のうち、基板の表面から最も離れた位置にある上部接点を１つの角とした、外接四角形の上部接点より基板の表面の反対側の四角形領域を上部外接四角形とし、上部外接四角形は、４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺が基板の表面に平行であり、上部外接四角形内において、金属が存在する領域の輪郭の長さをＬｍとし、上部外接四角形の４辺の合計長さをＬｓとし、Ｌｍ／Ｌｓで表される比をγとするとき、１．３≦γ≦２．０であることが好ましい。
金属が観察される観察領域に外接する、４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺が基板の表面に平行な外接四角形において、外接四角形の基板の表面に垂直な辺と観察領域との接点のうち、基板の表面から最も離れた位置にある上部接点を１つの角とした、外接四角形の上部接点より基板の表面の反対側の四角形領域を上部外接四角形とし、上部外接四角形は、４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺が基板の表面に平行であり、上部外接四角形内において、金属が存在する領域の輪郭の長さをＬｍとし、上部外接四角形の４辺の合計長さをＬｓとし、Ｌｍ／Ｌｓで表される比をγとするとき、１．３≦γ≦２．０であることが好ましい。
【0016】
導電性細線の線幅は、０．１μｍ以上５．０μｍ未満であることが好ましい。
導電性細線が延在する方向と直交する方向での導電性細線の垂直断面において、導電性細線の線幅に対する導電性細線の高さの比が０．６以上１．５未満であることが好ましい。
基板は、可撓性フィルムで構成されることが好ましい。
可撓性フィルムは、ポリエチレンテレフタレート、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、又は、ポリカーボネートを含むことが好ましい。
導電性細線が含む金属は、銀を含むことが好ましい。
導電性細線が含む金属は、銀であることが好ましい。
導電性細線が含む金属は、粒子状であることが好ましい。
導電性細線は、高分子を含むことが好ましい。
導電性細線が延在する方向と直交する方向での導電性細線の垂直断面において、導電性細線の線幅に対する導電性細線の高さの比が０．６以上１．５未満であることが好ましい。
基板は、可撓性フィルムで構成されることが好ましい。
可撓性フィルムは、ポリエチレンテレフタレート、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、又は、ポリカーボネートを含むことが好ましい。
導電性細線が含む金属は、銀を含むことが好ましい。
導電性細線が含む金属は、銀であることが好ましい。
導電性細線が含む金属は、粒子状であることが好ましい。
導電性細線は、高分子を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、電気抵抗が小さく、視認されてにくい導電性細線を有する導電性基板の製造方法及び導電性基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】本発明の実施形態の導電性基板一例を示す模式的斜視図である。
【図2】本発明の実施形態の導電性基板の一例を示す模式図である。
【図3】本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線における金属を示す領域の割合の測定方法の一工程を示す模式図である。
【図4】本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線における金属を示す領域の割合の測定方法の一工程を示す模式図である。
【図5】本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線における金属を示す領域の割合の測定方法の一工程を示す模式図である。
【図6】本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線における金属を示す領域の割合の測定方法の一工程を示す模式図である。
【図7】本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線における金属を示す領域の外接四角形を示す模式図である。
【図8】本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線における金属を示す領域の外接四角形を示す模式図である。
【図9】本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線における金属を示す領域の外接四角形を示す模式図である。
【図10】本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線により形成されるメッシュパターンの一例を示す平面図である。
【図11】本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの一例を示す模式的平面図である。
【図12】本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの第１周辺配線の第１の例を示す模式図である。
【図13】本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの第１周辺配線の第２の例を示す模式図である。
【図14】本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの第１周辺配線の第３の例を示す模式図である。
【図15】本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの第１周辺配線の第４の例を示す模式図である。
【図16】本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの第１周辺配線の第５の例を示す模式図である。
【図17】本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの他の例を示す模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の導電性基板の製造方法及び導電性基板を詳細に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値εα～数値εβとは、εの範囲は数値εαと数値εβを含む範囲であり、数学記号で示せばεα≦ε≦εβである。
「具体的な数値で表された角度」、「平行」、「垂直」及び「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値εα～数値εβとは、εの範囲は数値εαと数値εβを含む範囲であり、数学記号で示せばεα≦ε≦εβである。
「具体的な数値で表された角度」、「平行」、「垂直」及び「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
【0020】
＜導電性基板＞
図１は本発明の実施形態の導電性基板一例を示す模式的斜視図であり、図２は本発明の実施形態の導電性基板の一例を示す模式図である。
導電性基板１０は、基板１２と、基板１２の表面１２ａ上に配置され、金属を含む導電性細線１４とを有する。なお、図１では、一方向に延びる導電性細線１４が２つ示されているが、導電性細線１４の配置形態、及び、その数は特に制限されない。
導電性細線１４は、上述のように金属を含むが、例えば、図２に示すように金属１５と高分子１６とを含むことが好ましい。図２に示す導電性細線１４では、金属１５が高分子１６中に存在している。なお、金属１５は、例えば、粒子状であるが、粒子状に限定されず、例えば、融着して一部又は全体にわたって結合している等の形態であってもよい。
図１は本発明の実施形態の導電性基板一例を示す模式的斜視図であり、図２は本発明の実施形態の導電性基板の一例を示す模式図である。
導電性基板１０は、基板１２と、基板１２の表面１２ａ上に配置され、金属を含む導電性細線１４とを有する。なお、図１では、一方向に延びる導電性細線１４が２つ示されているが、導電性細線１４の配置形態、及び、その数は特に制限されない。
導電性細線１４は、上述のように金属を含むが、例えば、図２に示すように金属１５と高分子１６とを含むことが好ましい。図２に示す導電性細線１４では、金属１５が高分子１６中に存在している。なお、金属１５は、例えば、粒子状であるが、粒子状に限定されず、例えば、融着して一部又は全体にわたって結合している等の形態であってもよい。
【0021】
図１及び図２に導電性細線１４が延在する方向ＤＬに直交する方向ＤＷでの導電性細線１４の垂直断面Ａｃを示す。
導電性細線１４の垂直断面Ａｃとは、導電性細線１４が延在する方向ＤＬに直交する面で切断した際の断面のことである。つまり、導電性細線１４の垂直断面Ａｃとは、導電性細線１４が延在する方向ＤＬに直交する方向ＤＷに沿って、導電性細線１４の表面１４ａに垂直な面で切断した際の断面である。
導電性細線１４の垂直断面Ａｃにおいて、金属１５が観察される観察領域Ｒの最大内接円Ｓ内での金属１５を示す領域の割合が８１～９９％である。中でも、好ましくは、８６％以上であり、より好ましくは、８８％以上である。上限は、好ましくは、９６％以下であり、より好ましくは、９４％以下である。
上述の金属を示す領域の割合が８１～９９％であれば、電気抵抗を小さくでき導電性が得られ、かつ導電性細線１４の線見えを防止できる。
導電性細線１４において、金属１５を示す領域の割合が８１％未満では、十分な導電性が得られない。一方、導電性細線１４において、金属１５を示す領域の割合が９９％を超えると、折り曲げ性が悪くなる。
導電性細線１４の垂直断面Ａｃとは、導電性細線１４が延在する方向ＤＬに直交する面で切断した際の断面のことである。つまり、導電性細線１４の垂直断面Ａｃとは、導電性細線１４が延在する方向ＤＬに直交する方向ＤＷに沿って、導電性細線１４の表面１４ａに垂直な面で切断した際の断面である。
導電性細線１４の垂直断面Ａｃにおいて、金属１５が観察される観察領域Ｒの最大内接円Ｓ内での金属１５を示す領域の割合が８１～９９％である。中でも、好ましくは、８６％以上であり、より好ましくは、８８％以上である。上限は、好ましくは、９６％以下であり、より好ましくは、９４％以下である。
上述の金属を示す領域の割合が８１～９９％であれば、電気抵抗を小さくでき導電性が得られ、かつ導電性細線１４の線見えを防止できる。
導電性細線１４において、金属１５を示す領域の割合が８１％未満では、十分な導電性が得られない。一方、導電性細線１４において、金属１５を示す領域の割合が９９％を超えると、折り曲げ性が悪くなる。
【0022】
導電性細線１４を反射光を用いて撮像して得られるグレー値は、２５６階調で表される輝度の値で１５０以下である。２５６階調の値は毎回、ＪＩＳ（日本産業規格） Ｋ ５６０２に準拠した標準白色板で補正した値である。グレー値は、輝度の値で０～１５０であることが好ましく、より好ましくは０～１３０である。上述のグレー値が輝度の値で１５０以下であれば、黒化処理をすることなく、導電性細線１４の線見えを防止できる。
グレー値は、株式会社キーエンス製デジタルマイクロスコープ（ＶＨＸ－５０００）を用いて、レンズ倍率×５０００倍、照明輝度７０％にて、以下のように、導電性細線１４を反射光を用いて観察し、撮影する。撮影した導電性細線１４の画像上に長さ２０μｍに相当する線を引く。次に、画像処理ソフトＩｍａｇｅＪを用いて、上述の長さ２０μｍに相当する線のグレー値を算出する。１画像につき３回グレー値を算出して、平均値を求める。この平均値を、導電性細線１４のグレー値とする。なお、グレー値の測定は、毎回標準校正板を用いたキャリブレーションを行った後に撮影を実施した。
グレー値は、株式会社キーエンス製デジタルマイクロスコープ（ＶＨＸ－５０００）を用いて、レンズ倍率×５０００倍、照明輝度７０％にて、以下のように、導電性細線１４を反射光を用いて観察し、撮影する。撮影した導電性細線１４の画像上に長さ２０μｍに相当する線を引く。次に、画像処理ソフトＩｍａｇｅＪを用いて、上述の長さ２０μｍに相当する線のグレー値を算出する。１画像につき３回グレー値を算出して、平均値を求める。この平均値を、導電性細線１４のグレー値とする。なお、グレー値の測定は、毎回標準校正板を用いたキャリブレーションを行った後に撮影を実施した。
【0023】
導電性基板１０において、延在する１本の導電性細線を選択して、選択された１本の導電性細線の任意の箇所を選び垂直断面Ａｃを得る。垂直断面Ａｃを走査型電子顕微鏡により観察して、以下のようにして最大内接円Ｓ、金属を示す割合、及び、比γを求める。
【0024】
走査型電子顕微鏡による測定方法は、導電性細線１４の表面に導電性を付与するため、イオンスパッタ装置（株式会社日立ハイテクノロジーズ製Ｅ－１０３０型イオンスパッタ）を用いてＰｔを被覆する。この状態で、集束イオンビーム加工機能付き走査型電子顕微鏡（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製Ｈｅｌｉｏｓ６００ｉ）のイオンビーム加工機能にて導電性細線１４の垂直断面Ａｃを加工し、露出した断面形態を観察することにより、導電性細線１４内部の金属１５が存在する領域を観察でき、垂直断面Ａｃの観察画像が得られる。なお、観察条件は、反射電子モードで、加速電圧:１ｋＶで行う。
【0025】
図２に示すように導電性細線１４の垂直断面Ａｃには金属１５が存在する。
最大内接円Ｓは、垂直断面Ａｃにおいて金属１５が観察される観察領域Ｒにおける内接円のうち、最大のものである。
ここで、図３～６は、本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線における金属を示す領域の割合の測定方法を工程順に示す模式図である。
まず、導電性細線１４の垂直断面Ａｃ（図２参照）の観察画像（図示せず）を得る。観察画像は、コンピューターにより解析可能な画像データの形式で取得する。画像データは、２値データでも、グレースケールデータでも、ＲＧＢのデータでもよい。例えば、観察画像から、図３に示す観察領域Ｒの画像データを得る。
最大内接円Ｓは、垂直断面Ａｃにおいて金属１５が観察される観察領域Ｒにおける内接円のうち、最大のものである。
ここで、図３～６は、本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線における金属を示す領域の割合の測定方法を工程順に示す模式図である。
まず、導電性細線１４の垂直断面Ａｃ（図２参照）の観察画像（図示せず）を得る。観察画像は、コンピューターにより解析可能な画像データの形式で取得する。画像データは、２値データでも、グレースケールデータでも、ＲＧＢのデータでもよい。例えば、観察画像から、図３に示す観察領域Ｒの画像データを得る。
【0026】
次に、観察領域Ｒから、図４に示す輪郭線ＲＬを得る。輪郭線ＲＬは垂直断面Ａｃ（図２参照）において金属が観察される観察領域Ｒの輪郭を示す。垂直断面Ａｃ（図２参照）では輪郭線ＲＬ内に金属１５が存在する。
輪郭線ＲＬは、例えば、画像解析ソフトＩｍａｇｅＪを用いて観察領域Ｒの画像から抽出する。なお、輪郭線ＲＬを抽出できれば、画像解析ソフトは、ＩｍａｇｅＪに特に限定されるものではない。
次に、輪郭線ＲＬに対して、最大内接円Ｓを設定する。最大内接円Ｓは、例えば、輪郭線ＲＬ内において、ランダムに内接円を発生させて、発生させた内接円のうち、半径が最大のものを最大内接円Ｓとする。最大半径となる内接円が複数ある場合、内接円の中心位置が、観察領域Ｒの画像データにおける重心に近いものを、最大内接円Ｓとする。このため、最大半径となる内接円が複数ある場合には、観察領域Ｒの画像データにおける質量中心を求め、質量中心の位置の位置情報を記憶する。質量中心の位置は、画像処理ソフトを用いる等、公知の方法を用いて得られる。質量中心の位置の位置情報は、例えば、画像データにおける位置座標である。
なお、内接円の中心位置、及び最大内接円Ｓの中心位置は、輪郭線ＲＬ内であれば、特に限定されるものではない。最大内接円Ｓの中心位置の位置情報を記憶する。中心位置の位置情報は、例えば、画像データにおける位置座標である。
輪郭線ＲＬは、例えば、画像解析ソフトＩｍａｇｅＪを用いて観察領域Ｒの画像から抽出する。なお、輪郭線ＲＬを抽出できれば、画像解析ソフトは、ＩｍａｇｅＪに特に限定されるものではない。
次に、輪郭線ＲＬに対して、最大内接円Ｓを設定する。最大内接円Ｓは、例えば、輪郭線ＲＬ内において、ランダムに内接円を発生させて、発生させた内接円のうち、半径が最大のものを最大内接円Ｓとする。最大半径となる内接円が複数ある場合、内接円の中心位置が、観察領域Ｒの画像データにおける重心に近いものを、最大内接円Ｓとする。このため、最大半径となる内接円が複数ある場合には、観察領域Ｒの画像データにおける質量中心を求め、質量中心の位置の位置情報を記憶する。質量中心の位置は、画像処理ソフトを用いる等、公知の方法を用いて得られる。質量中心の位置の位置情報は、例えば、画像データにおける位置座標である。
なお、内接円の中心位置、及び最大内接円Ｓの中心位置は、輪郭線ＲＬ内であれば、特に限定されるものではない。最大内接円Ｓの中心位置の位置情報を記憶する。中心位置の位置情報は、例えば、画像データにおける位置座標である。
【0027】
次に、図３で得られた観察領域Ｒに、最大内接円Ｓの中心位置の位置情報を用いて、図６に示すように最大内接円Ｓを合わせる。次に、最大内接円Ｓ内における金属１５を示す領域の面積を測定する。最大内接円Ｓ内における金属１５を示す領域の面積をＳｍとする。なお、最大内接円Ｓの面積をＳｓとする。最大内接円Ｓの面積Ｓｓに対する、最大内接円Ｓ内における金属１５を示す領域の面積Ｓｍを求める。すなわち、（Ｓｍ／Ｓｓ）×１００（％）を求める。これにより、金属が観察される観察領域の最大内接円内での金属を示す領域の割合（％）を得ることができる。
【0028】
ここで、図７は本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線における金属を示す領域の外接四角形を示す模式図であり、図８は本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線における金属を示す領域の外接四角形を示す模式図であり、図９は本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線における金属を示す領域の外接四角形を示す模式図である。
【0029】
導電性細線１４では、また、金属１５が観察される観察領域Ｒに外接する、４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺２０ａが基板１２の表面１２ａに平行な外接四角形２０において、外接四角形２０の基板１２の表面１２ａに垂直な辺２０ｂ、２０ｃと観察領域Ｒとの接点２１、２２のうち、基板１２の表面１２ａから最も離れた位置にある上部接点２２ａ（図８参照）を１つの角とした、外接四角形２０の上部接点２２ａより基板１２の反対側の四角形領域を上部外接四角形２３（図８、９参照）とする。上部外接四角形２３は、４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺２３ａが基板１２（図７参照）の表面１２ａ（図７参照）に平行である。
【0030】
上部外接四角形２３内において、金属１５が存在する領域Ｒｂ（図８参照）の輪郭線Ｒｍ（図８参照）の長さをＬｍとし、上部外接四角形２３（図９参照）の４辺の合計長さをＬｓとし、Ｌｍ／Ｌｓで表される比をγとするとき、１．３≦γ≦２．０であることが好ましい。Ｌｍ／Ｌｓで表される比γは、導電性細線１４の表面１４ａ側の凹凸が反映されるパラメータである。比γの値が大きいと、金属１５が存在する領域Ｒｂ（図８参照）の輪郭線Ｒｍ（図８参照）の長さＬｍが長く、長さＬｍと、上部外接四角形２３（図９参照）の４辺の合計長さＬｓとの差が大きい。すなわち、比γの値が大きいと、導電性細線１４の表面積が大きく、導電性細線１４の表面１４ａが凹凸していることを示す。なお、比γの値が２．０以内のとき、導電性細線１４の表面１４ａの凹凸が好ましい大きさとなり、拡散反射光が小さくなり導電性細線１４が見えにくくなる。
比γの値が小さいと、長さＬｍが短い。すなわち、比γの値が小さいと、導電性細線１４の表面積が小さく、導電性細線１４の表面１４ａの凸凹が小さいことを示している。なお、比γの値が１．３以上のとき、導電性細線１４の表面１４ａの凹凸が好ましい大きさとなり、正反射光が小さくなり導電性細線１４が見えにくくなる。
比γの値が１．３≦γ≦２．０であることにより、導電性細線１４の反射率が低下し、輝度が低下する。
比γの値が小さいと、長さＬｍが短い。すなわち、比γの値が小さいと、導電性細線１４の表面積が小さく、導電性細線１４の表面１４ａの凸凹が小さいことを示している。なお、比γの値が１．３以上のとき、導電性細線１４の表面１４ａの凹凸が好ましい大きさとなり、正反射光が小さくなり導電性細線１４が見えにくくなる。
比γの値が１．３≦γ≦２．０であることにより、導電性細線１４の反射率が低下し、輝度が低下する。
【0031】
上述の比γは、まず、図７に示すように金属１５が観察される観察領域Ｒの画像データを得る。画像データは、上述のようにコンピューターにより解析可能なデータである。
次に、金属１５が観察される観察領域Ｒに外接する外接四角形２０を設定する。外接四角形２０は、上述のように４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺２０ａが基板１２の表面１２ａに平行である。４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺が基板１２の表面１２ａに平行な外接四角形をランダムに発生させ、発生させた外接四角形のうち、面積が最大のものが外接四角形２０である。
次に、外接四角形２０の基板１２の表面１２ａに垂直な辺２０ｂ、２０ｃと観察領域Ｒとの接点２１、２２を求める。接点２１、２２のうち、基板１２（図１参照）の表面１２ａ（図７参照）から最も離れた位置にある接点２２を上部接点２２ａ（図８参照）とする。この上部接点２２ａを１つの角とした外接四角形２０の上部接点２２ａより基板１２の反対側の四角形領域を上部外接四角形２３（図８参照）とする。上部外接四角形２３は、例えば、外接四角形２０をトリミングすることにより得られる。上述のように上部外接四角形２３は、４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺２３ａが基板１２（図７参照）の表面１２ａ（図７参照）に平行である。
上部外接四角形２３内において、金属１５が存在する領域Ｒｂ（図８参照）に対して、輪郭線Ｒｍ（図９参照）を得る。図９に示す輪郭線Ｒｍは、上述の輪郭線ＲＬ（図４参照）と同様にして得ることができる。
次に、輪郭線Ｒｍの長さＬｍを求める。また、上部外接四角形２３の４辺の合計長さＬｓを求める。次に、Ｌｍ／Ｌｓで表される比γを求める。
なお、３つの導電性細線１４について比γを求め、その平均値を、最終的な比γの値とする。
次に、金属１５が観察される観察領域Ｒに外接する外接四角形２０を設定する。外接四角形２０は、上述のように４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺２０ａが基板１２の表面１２ａに平行である。４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺が基板１２の表面１２ａに平行な外接四角形をランダムに発生させ、発生させた外接四角形のうち、面積が最大のものが外接四角形２０である。
次に、外接四角形２０の基板１２の表面１２ａに垂直な辺２０ｂ、２０ｃと観察領域Ｒとの接点２１、２２を求める。接点２１、２２のうち、基板１２（図１参照）の表面１２ａ（図７参照）から最も離れた位置にある接点２２を上部接点２２ａ（図８参照）とする。この上部接点２２ａを１つの角とした外接四角形２０の上部接点２２ａより基板１２の反対側の四角形領域を上部外接四角形２３（図８参照）とする。上部外接四角形２３は、例えば、外接四角形２０をトリミングすることにより得られる。上述のように上部外接四角形２３は、４つの角の角度がそれぞれ９０°であり、かつ一辺２３ａが基板１２（図７参照）の表面１２ａ（図７参照）に平行である。
上部外接四角形２３内において、金属１５が存在する領域Ｒｂ（図８参照）に対して、輪郭線Ｒｍ（図９参照）を得る。図９に示す輪郭線Ｒｍは、上述の輪郭線ＲＬ（図４参照）と同様にして得ることができる。
次に、輪郭線Ｒｍの長さＬｍを求める。また、上部外接四角形２３の４辺の合計長さＬｓを求める。次に、Ｌｍ／Ｌｓで表される比γを求める。
なお、３つの導電性細線１４について比γを求め、その平均値を、最終的な比γの値とする。
【0032】
導電性細線は金属を含む。金属は、導電性細線の導電性を担保する部分である。
金属としては、導電性がより優れる点で、銀（金属銀）、銅（金属銅）、金（金属金）、ニッケル（金属ニッケル）、パラジウム（金属パラジウム）、又は、これらのうちの２種以上の混合物が好ましく、銀、銅、又は、その混合物がより好ましく、銀が更に好ましくい。導電性細線に、金属として銀だけが含まれていてもよく、金属は全て銀で構成されることが好ましい。金属を全て銀で構成することにより、導電性細線の断線故障の発生が低下する。
なお、金属は、導電性細線１４中に粒子状の形態で存在しているが、この形態には限定されず、例えば、金属が層状となって導電性細線中に分散した形態であってもよい。
また、導電性細線は、高分子を含んでもよい。この場合、金属粒子が、高分子中に離散して存在してもよく、高分子中に、金属粒子が凝集して凝集体として存在してもよい。高分子の種類は特に制限されず、公知の高分子を使用することができる。
高分子としては、後述する導電性細線の製造方法の説明で述べられる細線に含まれる高分子が挙げられ、後述する特定高分子が好ましい。
金属としては、導電性がより優れる点で、銀（金属銀）、銅（金属銅）、金（金属金）、ニッケル（金属ニッケル）、パラジウム（金属パラジウム）、又は、これらのうちの２種以上の混合物が好ましく、銀、銅、又は、その混合物がより好ましく、銀が更に好ましくい。導電性細線に、金属として銀だけが含まれていてもよく、金属は全て銀で構成されることが好ましい。金属を全て銀で構成することにより、導電性細線の断線故障の発生が低下する。
なお、金属は、導電性細線１４中に粒子状の形態で存在しているが、この形態には限定されず、例えば、金属が層状となって導電性細線中に分散した形態であってもよい。
また、導電性細線は、高分子を含んでもよい。この場合、金属粒子が、高分子中に離散して存在してもよく、高分子中に、金属粒子が凝集して凝集体として存在してもよい。高分子の種類は特に制限されず、公知の高分子を使用することができる。
高分子としては、後述する導電性細線の製造方法の説明で述べられる細線に含まれる高分子が挙げられ、後述する特定高分子が好ましい。
【0033】
基板１２は、例えば、可撓性フィルムで構成される。可撓性フィルムは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）で構成される。
【0034】
導電性細線１４の線幅Ｗａ（図２参照）は、導電性細線１４が延在する方向ＤＬ（図１参照）に直交する方向ＤＷ（図２参照）における導電性細線１４の金属１５が存在する領域の最大の長さである。導電性細線１４の線幅Ｗａは、折り曲げ性及び視認しづらさのバランスの点から、０．１μｍ以上５．０μｍ未満であることが好ましい。なかでも、導電性細線１４が視認されにくい点から、線幅Ｗａは２．５μｍ以下であることが好ましく、２．０μｍ以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線の導電性がより優れる点から、０．５μｍ以上が好ましく、１．２μｍ以上がより好ましい。
導電性細線の高さＴ（図２参照）は、基板１２の表面１２ａに垂直な方向における導電性細線１４の金属１５が存在する領域の最大の長さである。導電性細線１４の高さＴは、特に制限されないが、導電性と折り曲げ性のバランスの点から、０．０６μｍ以上７．５μｍ未満であることが好ましく、高さＴは０．３以上３μｍ以下であることがより好ましい。
導電性細線の高さＴ（図２参照）は、基板１２の表面１２ａに垂直な方向における導電性細線１４の金属１５が存在する領域の最大の長さである。導電性細線１４の高さＴは、特に制限されないが、導電性と折り曲げ性のバランスの点から、０．０６μｍ以上７．５μｍ未満であることが好ましく、高さＴは０．３以上３μｍ以下であることがより好ましい。
【0035】
上述の導電性細線１４の線幅Ｗａは、走査型電子顕微鏡を用いて、１本の導電性細線の線幅に相当する任意の５箇所を選択し、５箇所の線幅相当の算術平均値を線幅Ｗａとする。
また、上述の導電性細線１４の高さＴは、走査型電子顕微鏡を用いて、１本の導電性細線の高さに相当する任意の５箇所を選択し、５箇所の高さに相当する部分の算術平均値を高さＴとする。
導電性細線１４の導電性を確保するためには、ある程度のアスペクト比（例えば、アスペクト比：０．３～２．５）が必要であるが、アスペクト比がある程度低いほうが、ロールの面圧を受けにくく、断線等が生じにくい。このため、導電性細線１４の垂直断面Ａｃにおいて、導電性細線１４の線幅Ｗａに対する導電性細線１４の高さＴの比が０．６以上１．５未満であることが好ましい。
また、上述の導電性細線１４の高さＴは、走査型電子顕微鏡を用いて、１本の導電性細線の高さに相当する任意の５箇所を選択し、５箇所の高さに相当する部分の算術平均値を高さＴとする。
導電性細線１４の導電性を確保するためには、ある程度のアスペクト比（例えば、アスペクト比：０．３～２．５）が必要であるが、アスペクト比がある程度低いほうが、ロールの面圧を受けにくく、断線等が生じにくい。このため、導電性細線１４の垂直断面Ａｃにおいて、導電性細線１４の線幅Ｗａに対する導電性細線１４の高さＴの比が０．６以上１．５未満であることが好ましい。
【0036】
導電性細線の線抵抗値は、２００Ω／ｍｍ未満であることが好ましい。なかでも、タッチパネルとして用いた際の操作性の点から、１００Ω／ｍｍ未満であることがより好ましく、６０Ω／ｍｍ未満が更に好ましい。
線抵抗値とは、四端針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（株式会社マイクロサポート製タングステンプローブ（直径０．５μｍ））を該切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター ２４００型汎用ソースメーター）を用いて内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるよう定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒｉ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲｉをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求める。
線抵抗値とは、四端針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（株式会社マイクロサポート製タングステンプローブ（直径０．５μｍ））を該切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター ２４００型汎用ソースメーター）を用いて内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるよう定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒｉ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲｉをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求める。
【0037】
導電性細線は所定のパターンを形成していてもよく、例えば、そのパターンは特に制限されず、正三角形、二等辺三角形、直角三角形等の三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形等の四角形、（正）六角形、（正）八角形等の（正）ｎ角形、円、楕円、及び、星形等を組み合わせた幾何学図形であることが好ましく、メッシュ状（メッシュパターン）であることがより好ましい。
メッシュ状とは、図１０に示すように、交差する導電性細線１４Ｂにより構成される複数の開口部（格子）１８を含んでいる形状を意図する。導電性細線１４Ｂは、上述の導電性細線１４と同じ構成である。
図１０において、開口部１８は、ひし形（正方形）の形状を有しているが、他の形状であってもよい。例えば、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形、及び、ランダムな多角形）としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
ここで、図１０は本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線により形成されるメッシュパターンの一例を示す平面図である。
メッシュ状とは、図１０に示すように、交差する導電性細線１４Ｂにより構成される複数の開口部（格子）１８を含んでいる形状を意図する。導電性細線１４Ｂは、上述の導電性細線１４と同じ構成である。
図１０において、開口部１８は、ひし形（正方形）の形状を有しているが、他の形状であってもよい。例えば、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形、及び、ランダムな多角形）としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
ここで、図１０は本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線により形成されるメッシュパターンの一例を示す平面図である。
【0038】
開口部１８の一辺の長さＬは特に制限されないが、１５００μｍ以下が好ましく、１３００μｍ以下がより好ましく、１０００μｍ以下であることが更に好ましく、５μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、８０μｍ以上が更に好ましい。開口部の辺の長さが上述の範囲である場合には、更に透明性も良好に保つことが可能であり、導電性基板を表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
可視光透過率の点から、メッシュパターンの開口率は、９０．００％以上が好ましく、９５．００％以上がより好ましく、９９．５０％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１００％未満が挙げられる。
開口率とは、メッシュパターン領域中における導電性細線がある領域を除いた基板上の領域が全体に占める割合に相当する。
可視光透過率の点から、メッシュパターンの開口率は、９０．００％以上が好ましく、９５．００％以上がより好ましく、９９．５０％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１００％未満が挙げられる。
開口率とは、メッシュパターン領域中における導電性細線がある領域を除いた基板上の領域が全体に占める割合に相当する。
【0039】
＜タッチパネルセンサー＞
図１１は本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの一例を示す模式的平面図である。
タッチパネルセンサー３０は、タッチパネル（図示せず）のタッチセンサーとして機能する部位であり、使用者によって入力操作が可能な検出領域Ｅ１である検出部３２と、検出領域Ｅ１の外側に位置する周辺領域Ｅ２に周辺配線部３３とを有する。
検出部３２は、例えば、第１検出電極層３４Ａと第２検出電極層３４Ｂとを有する。第１検出電極層３４Ａと第２検出電極層３４Ｂとは、例えば、基板１２を介して配置されている。第１検出電極層３４Ａと第２検出電極層３４Ｂとは基板により電気的に絶縁される。基板は電気的な絶縁層として機能する。
図１１に示すように、第１検出電極層３４Ａは、複数の第１検出電極３５と隣接した第１検出電極３５間に配置され、第１検出電極３５と絶縁された複数の第１ダミー電極３６ａとを有する。
図１１は本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの一例を示す模式的平面図である。
タッチパネルセンサー３０は、タッチパネル（図示せず）のタッチセンサーとして機能する部位であり、使用者によって入力操作が可能な検出領域Ｅ１である検出部３２と、検出領域Ｅ１の外側に位置する周辺領域Ｅ２に周辺配線部３３とを有する。
検出部３２は、例えば、第１検出電極層３４Ａと第２検出電極層３４Ｂとを有する。第１検出電極層３４Ａと第２検出電極層３４Ｂとは、例えば、基板１２を介して配置されている。第１検出電極層３４Ａと第２検出電極層３４Ｂとは基板により電気的に絶縁される。基板は電気的な絶縁層として機能する。
図１１に示すように、第１検出電極層３４Ａは、複数の第１検出電極３５と隣接した第１検出電極３５間に配置され、第１検出電極３５と絶縁された複数の第１ダミー電極３６ａとを有する。
【0040】
複数の第１検出電極３５は、互いに平行にＸ方向に延びる帯状の電極であり、互いにＸ方向と直交するＹ方向に間隔をあけて、互いにＹ方向において電気的に絶縁された状態で基板１２の表面１２ａ上に設けられている。また、複数の第１ダミー電極３６ａは、第１検出電極３５間に配置され、第１検出電極３５と電気的に絶縁された状態で基板１２の表面１２ａ上に設けられている。第１検出電極３５は、それぞれＸ方向の少なくとも一端に第１電極端子３８が設けられている。
第２検出電極層３４Ｂは、複数の第２検出電極３７と隣接した第２検出電極３７間に配置され、第２検出電極３７と絶縁された複数の第２ダミー電極３６ｂとを有する。複数の第２検出電極３７は、互いに平行にＹ方向に延びる帯状の電極であり、互いにＸ方向に間隔をあけて、互いにＸ方向において電気的に絶縁された状態で基板１２の裏面１２ｂ上に設けられている。また、複数の第２ダミー電極３６ｂは、第２検出電極３７間に配置され、第２検出電極３７と電気的に絶縁された状態で基板１２の裏面１２ｂ上に設けられている。第２検出電極３７は、それぞれＹ方向の一方の端に第２電極端子３９が設けられている。
第２検出電極層３４Ｂは、複数の第２検出電極３７と隣接した第２検出電極３７間に配置され、第２検出電極３７と絶縁された複数の第２ダミー電極３６ｂとを有する。複数の第２検出電極３７は、互いに平行にＹ方向に延びる帯状の電極であり、互いにＸ方向に間隔をあけて、互いにＸ方向において電気的に絶縁された状態で基板１２の裏面１２ｂ上に設けられている。また、複数の第２ダミー電極３６ｂは、第２検出電極３７間に配置され、第２検出電極３７と電気的に絶縁された状態で基板１２の裏面１２ｂ上に設けられている。第２検出電極３７は、それぞれＹ方向の一方の端に第２電極端子３９が設けられている。
【0041】
複数の第１検出電極３５と複数の第２検出電極３７とは、直交して設けられているが、上述のように基板１２により互いに電気的に絶縁されている。
なお、第１検出電極３５及び第２検出電極３７における第１ダミー電極３６ａ及び第２ダミー電極３６ｂは、第１検出電極３５又は第２検出電極３７と断線部により分断されており、電気的に接続されていない領域である。このため、上述のように、複数の第１検出電極３５は互いにＹ方向において電気的に絶縁された状態であり、複数の第２検出電極３７は互いにＸ方向において電気的に絶縁された状態である。図１１に示すように検出部３２では、第１検出電極３５が６つ、第２検出電極３７が５つ設けられているが、その数は特に限定されるものではなく複数あればよい。
第１検出電極層３４Ａと第２検出電極層３４Ｂとは、導電性細線１４（図１参照）により構成される。第１検出電極３５及び第２検出電極３７が、導電性細線１４によるメッシュパターンを有する金属メッシュである場合、第１ダミー電極３６ａ及び第２ダミー電極３６ｂも導電性細線１４によるメッシュパターンを有する金属メッシュである。
第１検出電極３５の電極幅及び第２検出電極３７の電極幅は、特に制限はないが、例えば、１～５ｍｍであり、電極間ピッチは１～６ｍｍである。第１検出電極３５の電極幅はＹ方向の最大長さであり、第２検出電極３７の電極幅はＸ方向の最大長さである。
なお、第１検出電極３５及び第２検出電極３７における第１ダミー電極３６ａ及び第２ダミー電極３６ｂは、第１検出電極３５又は第２検出電極３７と断線部により分断されており、電気的に接続されていない領域である。このため、上述のように、複数の第１検出電極３５は互いにＹ方向において電気的に絶縁された状態であり、複数の第２検出電極３７は互いにＸ方向において電気的に絶縁された状態である。図１１に示すように検出部３２では、第１検出電極３５が６つ、第２検出電極３７が５つ設けられているが、その数は特に限定されるものではなく複数あればよい。
第１検出電極層３４Ａと第２検出電極層３４Ｂとは、導電性細線１４（図１参照）により構成される。第１検出電極３５及び第２検出電極３７が、導電性細線１４によるメッシュパターンを有する金属メッシュである場合、第１ダミー電極３６ａ及び第２ダミー電極３６ｂも導電性細線１４によるメッシュパターンを有する金属メッシュである。
第１検出電極３５の電極幅及び第２検出電極３７の電極幅は、特に制限はないが、例えば、１～５ｍｍであり、電極間ピッチは１～６ｍｍである。第１検出電極３５の電極幅はＹ方向の最大長さであり、第２検出電極３７の電極幅はＸ方向の最大長さである。
【0042】
周辺配線部３３は、第１検出電極３５及び第２検出電極３７にタッチ駆動信号及びタッチ検出信号をコントローラ（図示せず）から送信又は伝達するための配線である周辺配線（第１周辺配線４０ａ、第２周辺配線４０ｂ）が配置された領域である。周辺配線部３３は、複数の第１周辺配線４０ａ及び複数の第２周辺配線４０ｂを有する。第１周辺配線４０ａは、一端が第１電極端子３８を介して第１検出電極３５に電気的に接続され、他端が第１外部接続端子４１ａに電気的に接続されている。また、第２周辺配線４０ｂは、一端が第２電極端子３９を介して第２検出電極３７に電気的に接続されて、他端が第２外部接続端子４１ｂに電気的に接続されている。
第１外部接続端子４１ａ及び第２外部接続端子４１ｂに、フレキシブル回路基板４２が電気的に接続されて、コントローラ（図示せず）と接続される。
なお、第１電極端子３８及び第２電極端子３９は、ベタ膜形状でもよく、特開２０１３－１２７６５８号公報に示されるようなメッシュ形状でもよい。第１電極端子３８及び第２電極端子３９の幅の好ましい範囲は、それぞれ第１検出電極３５及び第２検出電極３７の電極幅の１/３倍以上１．２倍以下である。
第１外部接続端子４１ａ及び第２外部接続端子４１ｂに、フレキシブル回路基板４２が電気的に接続されて、コントローラ（図示せず）と接続される。
なお、第１電極端子３８及び第２電極端子３９は、ベタ膜形状でもよく、特開２０１３－１２７６５８号公報に示されるようなメッシュ形状でもよい。第１電極端子３８及び第２電極端子３９の幅の好ましい範囲は、それぞれ第１検出電極３５及び第２検出電極３７の電極幅の１/３倍以上１．２倍以下である。
【0043】
第１検出電極３５と第１ダミー電極３６ａと第１電極端子３８と第１周辺配線４０ａとは、電気抵抗、及び断線の発生しにくさの等の観点から一体構成であることが好ましく、更には同じ金属材料で形成することがより好ましい。
同じく、第２検出電極３７と第２ダミー電極３６ｂと第２電極端子３９と第２周辺配線４０ｂとは、電気抵抗、及び断線の発生しにくさの等の観点から一体構成であることが好ましく、更には同じ金属材料で形成することがより好ましい。
同じく、第２検出電極３７と第２ダミー電極３６ｂと第２電極端子３９と第２周辺配線４０ｂとは、電気抵抗、及び断線の発生しにくさの等の観点から一体構成であることが好ましく、更には同じ金属材料で形成することがより好ましい。
【0044】
図１２は本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの第１周辺配線の第１の例を示す模式図であり、図１３本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの第１周辺配線の第２の例を示す模式図である。図１４は本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの第１周辺配線の第３の例を示す模式図であり、図１５は本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの第１周辺配線の第４の例を示す模式図である。図１６は本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの第１周辺配線の第５の例を示す模式図である。
なお、図１２～図１６において、図１１に示すタッチパネルセンサー３０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
なお、図１２～図１６において、図１１に示すタッチパネルセンサー３０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【0045】
図１２に示すように第１周辺配線４０ａは、例えば、線幅が同じ構成である。すなわち、一定の線幅で第１周辺配線４０ａが構成されている。また、第１周辺配線４０ａは、図１３に示すように、部分的に線幅が異なる構成でもよい。図１３では、第１周辺配線４０ａは、線幅が狭い第１の配線部４３ａと、第１の配線部４３ａよりも線幅が広い第２の配線部４３ｂとを有する。第１の配線部４３ａが第１検出電極３５に接続されている。
また、第１周辺配線４０ａは、１本で構成されていることに限定されるものではなく、図１４～図１６に示すように、一部を複数線で構成でもよい。図１４～図１６に示すように第１周辺配線４０ａの構成により断線を抑制することができる。図１４～図１６に示す第１周辺配線４０ａでは、第１検出電極３５に接続される部分を複数線で構成している。
また、第１周辺配線４０ａは、１本で構成されていることに限定されるものではなく、図１４～図１６に示すように、一部を複数線で構成でもよい。図１４～図１６に示すように第１周辺配線４０ａの構成により断線を抑制することができる。図１４～図１６に示す第１周辺配線４０ａでは、第１検出電極３５に接続される部分を複数線で構成している。
【0046】
図１４に示す第１周辺配線４０ａは、第１検出電極３５（図示せず）側に、第２の配線部４３ｂよりも線幅が狭い第３の配線部４３ｃと、第４の配線部４３ｄとを有する。第３の配線部４３ｃと、第４の配線部４３ｄとは平行に配置されている。第４の配線部４３ｄは、第３の配線部４３ｃよりも線幅が狭い。第４の配線部４３ｄは、導電性細線１４と線幅が同じであることにより、めっき均一性を向上させ、且つ断線する確率を低減できるため好ましい。
図１５に示す第１周辺配線４０ａは、第１検出電極３５（図示せず）側に、第２の配線部４３ｂよりも線幅が狭い第３の配線部４３ｃと、第４の配線部４３ｄとを有する。第４の配線部４３ｄの両側に第３の配線部４３ｃが配置されており、第１周辺配線４０ａは、一部が、３つの配線部で構成されている。第４の配線部４３ｄは、導電性細線１４と線幅が同じであることにより、めっき均一性を向上させ、且つ断線する確率を低減できるため好ましい。
図１６に示す第１周辺配線４０ａは、第１検出電極３５（図示せず）側に、第２の配線部４３ｂよりも線幅が狭い第３の配線部４３ｃを有する。２つの第３の配線部４３ｃが平行に配置されており、第１周辺配線４０ａは、一部が２つの配線部で構成されている。
なお、タッチパネルセンサー３０の第１周辺配線４０ａについて説明したが、第２周辺配線４０ｂについても、第１周辺配線４０ａと同様の構成とすることもできる。
図１５に示す第１周辺配線４０ａは、第１検出電極３５（図示せず）側に、第２の配線部４３ｂよりも線幅が狭い第３の配線部４３ｃと、第４の配線部４３ｄとを有する。第４の配線部４３ｄの両側に第３の配線部４３ｃが配置されており、第１周辺配線４０ａは、一部が、３つの配線部で構成されている。第４の配線部４３ｄは、導電性細線１４と線幅が同じであることにより、めっき均一性を向上させ、且つ断線する確率を低減できるため好ましい。
図１６に示す第１周辺配線４０ａは、第１検出電極３５（図示せず）側に、第２の配線部４３ｂよりも線幅が狭い第３の配線部４３ｃを有する。２つの第３の配線部４３ｃが平行に配置されており、第１周辺配線４０ａは、一部が２つの配線部で構成されている。
なお、タッチパネルセンサー３０の第１周辺配線４０ａについて説明したが、第２周辺配線４０ｂについても、第１周辺配線４０ａと同様の構成とすることもできる。
【0047】
図１７は本発明の実施形態の導電性基板を用いたタッチパネルセンサーの他の例を示す模式的平面図である。なお、図１７において、図１１に示すタッチパネルセンサー３０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図１７に示すタッチパネルセンサー３０ａは、図１１に示すタッチパネルセンサー３０に比して、シールド電極４３を有する点が異なり、それ以外の構成は、図１１に示すタッチパネルセンサー３０と同様である。シールド電極４３は、基板１２の裏面１２ｂにおいて、検出領域Ｅ１を囲むようにして設けられている。シールド電極４３は、基板１２の裏面１２ｂにおいて周辺領域Ｅ２に相当する領域に設けられている。
シールド電極４３は、検出部３２に対する電磁波を遮蔽するものである。シールド電極４３により、検出部３２に対する電磁波の影響が抑制される。なお、シールド電極４３は、ベタ膜でもよく、例えば、第１検出電極３５と同様にメッシュパターンでもよい。また、シールド電極４３はグランド電極として利用することもできる。
図１７に示すタッチパネルセンサー３０ａは、図１１に示すタッチパネルセンサー３０に比して、シールド電極４３を有する点が異なり、それ以外の構成は、図１１に示すタッチパネルセンサー３０と同様である。シールド電極４３は、基板１２の裏面１２ｂにおいて、検出領域Ｅ１を囲むようにして設けられている。シールド電極４３は、基板１２の裏面１２ｂにおいて周辺領域Ｅ２に相当する領域に設けられている。
シールド電極４３は、検出部３２に対する電磁波を遮蔽するものである。シールド電極４３により、検出部３２に対する電磁波の影響が抑制される。なお、シールド電極４３は、ベタ膜でもよく、例えば、第１検出電極３５と同様にメッシュパターンでもよい。また、シールド電極４３はグランド電極として利用することもできる。
【0048】
導電性細線は、金属部に炭素原子、好ましくは、高分子を多く含む方が好ましい。高分子を含むことにより、耐久性、折り曲げ性、及び、ハンドリング適性を向上させることができる。高分子としては、ゼラチン、及び、後述するゼラチンとは異なる高分子等が好ましく、ゼラチン等の水溶性高分子であることがより好ましい。
導電性細線中における高分子の含有量は、導電性細線の面積当たり、２００ｍｇ／ｍ２以上であることが好ましく、４００ｍｇ／ｍ２以上であることがより好ましく、５００ｍｇ／ｍ２以上であることが更に好ましい。上記高分子の含有量は、高分子が、例えば、ゼラチンであれば、金属ベタ膜が形成された部位のみ、４ｃｍ×４ｃｍ程度の範囲について、ＢＣＡ法（ビシンコニン酸法）で定量することができ、それ以外の高分子であれば、抽出法等適宜公知の方法を選択して定量することができる。
また、導電性細線による検出部に対し、周辺配線部に位置するパターン部分（以下、単に「周辺パターン」ともいう。）に高分子を多く含むことが好ましく、周辺パターン内部の金属原子数比率が５０％以上の領域において、炭素原子／金属原子の原子数比率の比が０．２以上であることが好ましい。
原子数比率は、周辺パターンの原子組成を、導電性細線の基板とは反対側の表面から深さ方向にＡｒスパッタ（２ｋＶ、Ａｒイオン、２ｍｍ×２ｍｍ）と、ＸＰＳ（Ｘ線源：Ａｌ Ｋα、アルバック・ファイ株式会社製Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ）によって分析することにより算出できる。
金属原子数比率が５０％以上となった位置より基板側を内部と定義し、内部領域の炭素原子と金属原子との原子数比率（炭素原子／金属原子）を求めることができる。原子組成を求める方法としては、例えば、幅１００μｍ以上の導電性細線又はパターンの場合、上述のスパッタとＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy）法を用いることができる。パターンの大きさがより小さく、例えば、１００μｍ以下の場合、パターンの断面を出し、その中心を代表値として、ＳＥＭ－ＥＤＸ（Scanning Electron Microscope-Energy Dispersive X-ray Spectrometry）法によってパターン内部の原子組成を求めることができる。
導電性細線中における高分子の含有量は、導電性細線の面積当たり、２００ｍｇ／ｍ２以上であることが好ましく、４００ｍｇ／ｍ２以上であることがより好ましく、５００ｍｇ／ｍ２以上であることが更に好ましい。上記高分子の含有量は、高分子が、例えば、ゼラチンであれば、金属ベタ膜が形成された部位のみ、４ｃｍ×４ｃｍ程度の範囲について、ＢＣＡ法（ビシンコニン酸法）で定量することができ、それ以外の高分子であれば、抽出法等適宜公知の方法を選択して定量することができる。
また、導電性細線による検出部に対し、周辺配線部に位置するパターン部分（以下、単に「周辺パターン」ともいう。）に高分子を多く含むことが好ましく、周辺パターン内部の金属原子数比率が５０％以上の領域において、炭素原子／金属原子の原子数比率の比が０．２以上であることが好ましい。
原子数比率は、周辺パターンの原子組成を、導電性細線の基板とは反対側の表面から深さ方向にＡｒスパッタ（２ｋＶ、Ａｒイオン、２ｍｍ×２ｍｍ）と、ＸＰＳ（Ｘ線源：Ａｌ Ｋα、アルバック・ファイ株式会社製Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ）によって分析することにより算出できる。
金属原子数比率が５０％以上となった位置より基板側を内部と定義し、内部領域の炭素原子と金属原子との原子数比率（炭素原子／金属原子）を求めることができる。原子組成を求める方法としては、例えば、幅１００μｍ以上の導電性細線又はパターンの場合、上述のスパッタとＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy）法を用いることができる。パターンの大きさがより小さく、例えば、１００μｍ以下の場合、パターンの断面を出し、その中心を代表値として、ＳＥＭ－ＥＤＸ（Scanning Electron Microscope-Energy Dispersive X-ray Spectrometry）法によってパターン内部の原子組成を求めることができる。
【0049】
検出部の導電性細線だけでなく、検出部に接続する周辺配線部、検出部の外部に位置するグランド電極、及びシールド電極等がある場合も好ましく、めっき均一性の効果を得ることができる。周辺配線部、グランド配線、シールド電極等について、検出部との相対位置、構成、及び面積等に特に制限はなく、各アプリ―ケーションの用途に沿って好ましく調節することができる。第１周辺配線４０ａ及び複数の第２周辺配線４０ｂの形状については適宜選択することができるが、めっき法の場合、めっき均一性を向上させるため、第１周辺配線４０ａ及び複数の第２周辺配線４０ｂは線幅が、導電性細線１４の線幅と同程度であることが好ましい。
また、第１周辺配線４０ａ及び複数の第２周辺配線４０ｂは、上述の図１３に示すように、第１検出電極３５に接続される第１の配線部４３ａが細い構成も好ましい。第１の配線部４３ａの線幅を細くすると、ハンドリング時、又は加工時に断線リスクが増大するため、第１周辺配線４０ａ及び複数の第２周辺配線４０ｂは、図１４～図１６に示すように、一部を複数線で構成することも好ましい。複数線で構成した場合、めっき均一性を向上させるために、線幅を導電性細線と等しいか、又は導電性細線の線幅と同程度とすることが好ましい。
また、第１周辺配線４０ａ及び複数の第２周辺配線４０ｂは、上述の図１３に示すように、第１検出電極３５に接続される第１の配線部４３ａが細い構成も好ましい。第１の配線部４３ａの線幅を細くすると、ハンドリング時、又は加工時に断線リスクが増大するため、第１周辺配線４０ａ及び複数の第２周辺配線４０ｂは、図１４～図１６に示すように、一部を複数線で構成することも好ましい。複数線で構成した場合、めっき均一性を向上させるために、線幅を導電性細線と等しいか、又は導電性細線の線幅と同程度とすることが好ましい。
【0050】
第１周辺配線４０ａ、第２周辺配線４０ｂの高さは、図２に示すように導電性細線と同様に規定、測定することができる。周辺配線の高さは、特に制限されないが、導電性と折り曲げ性のバランスの点から、０．０６μｍ以上７．５μｍ未満であることが好ましく、０．３以上３μｍ以下であることがより好ましい。
【0051】
第１周辺配線４０ａ、第２周辺配線４０ｂの線幅は、図２に示すように導電性細線と同様に規定、測定することができる。周辺配線の線幅に特に制限はないが、導電性向上には大きい方が好ましく、タッチセンサ―の額縁部分の面積を狭くしデザイン性を上げるためには小さい方が好ましい。具体的には、1μｍ以上５０μｍ未満が好ましく、１．５μｍ以上３０μｍ未満が更に好ましく、３μｍ以上２５μｍ未満が最も好ましい。
第１周辺配線４０ａ、第２周辺配線４０ｂのアスペクト比は、ある程度低いほうがロールの面圧を受けにくく、断線等が生じにくい。このため、第１周辺配線４０ａ、第２周辺配線４０ｂの垂直断面において、周辺配線の線幅に対する周辺配線の高さの比が０．０１以上１未満であることが好ましく、０．０３以上０．６未満であることが更に好ましい。
第１周辺配線４０ａ、第２周辺配線４０ｂのアスペクト比は、ある程度低いほうがロールの面圧を受けにくく、断線等が生じにくい。このため、第１周辺配線４０ａ、第２周辺配線４０ｂの垂直断面において、周辺配線の線幅に対する周辺配線の高さの比が０．０１以上１未満であることが好ましく、０．０３以上０．６未満であることが更に好ましい。
【0052】
＜導電性基板の製造方法＞
次に、導電性基板の製造方法について説明する。
導電性基板の製造方法は、上述した構成の導電性基板が製造できれば特に制限されないが、上述した所定の特性を有する導電性基板を生産性よく製造できる点で、以下の工程１～３をこの順で有する製造方法が好ましい。
工程１：基板上に金属を含む細線を形成する工程
工程２：上記細線と有機酸を含む溶液とを接触させる工程
工程３：上記細線に対してめっき処理を施して、導電性細線を形成する工程
以下、各工程について詳述する。
次に、導電性基板の製造方法について説明する。
導電性基板の製造方法は、上述した構成の導電性基板が製造できれば特に制限されないが、上述した所定の特性を有する導電性基板を生産性よく製造できる点で、以下の工程１～３をこの順で有する製造方法が好ましい。
工程１：基板上に金属を含む細線を形成する工程
工程２：上記細線と有機酸を含む溶液とを接触させる工程
工程３：上記細線に対してめっき処理を施して、導電性細線を形成する工程
以下、各工程について詳述する。
【0053】
［工程１］
工程１は、基板上に金属を含む細線を形成する工程である。
工程１は、基板上に金属を含む細線を形成する工程である。
【0054】
金属の種類としては、上述した導電性細線に含まれる金属として例示したものが挙げられ、銀が好ましい。
金属は粒子状であってもよく、その場合、金属粒子の平均粒子径は、球相当径で１０～１０００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましく、５０～１５０ｎｍが更に好ましい。
なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。また、上記金属粒子の平均粒子径として用いられる「球相当径」は、平均値であり、１００個の対象物の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。
金属は粒子状であってもよく、その場合、金属粒子の平均粒子径は、球相当径で１０～１０００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましく、５０～１５０ｎｍが更に好ましい。
なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。また、上記金属粒子の平均粒子径として用いられる「球相当径」は、平均値であり、１００個の対象物の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。
【0055】
金属粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状（六角形平板状、三角形平板状、四角形平板状等）、八面体状、及び、十四面体状等の形状が挙げられる。
細線における金属の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、３．０～２０．０ｇ／ｍ２が好ましい。
細線における金属の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、３．０～２０．０ｇ／ｍ２が好ましい。
【0056】
上記細線は、高分子を含むことが好ましい。つまり、細線においては、高分子をバインダーとして、金属が高分子中に分散していることが好ましい。
高分子の種類は特に制限されないが、より強度がより優れる導電性細線を形成できる点で、ゼラチンと異なる高分子（以下、「特定高分子」とも記載する。）が好ましい。
特定高分子の種類はゼラチンと異なれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素又は酸化剤で分解しない高分子が好ましい。
特定高分子としては、疎水性高分子（非水溶性高分子）が挙げられ、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系重合体、及び、キトサン系重合体からなる群から選ばれる少なくともいずれかの樹脂、又は、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体等が挙げられる。
また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、感光性層は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。
なかでも、特定高分子としては、後述する一般式（１）で表される高分子（共重合体）が好ましい。
高分子の種類は特に制限されないが、より強度がより優れる導電性細線を形成できる点で、ゼラチンと異なる高分子（以下、「特定高分子」とも記載する。）が好ましい。
特定高分子の種類はゼラチンと異なれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素又は酸化剤で分解しない高分子が好ましい。
特定高分子としては、疎水性高分子（非水溶性高分子）が挙げられ、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系重合体、及び、キトサン系重合体からなる群から選ばれる少なくともいずれかの樹脂、又は、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体等が挙げられる。
また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、感光性層は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。
なかでも、特定高分子としては、後述する一般式（１）で表される高分子（共重合体）が好ましい。
【0057】
細線における高分子の含有量は特に制限されず、導電性細線の電気抵抗がより低いこと、及び、導電性細線がより視認しづらいことの少なくとも一方の効果が得られる点（以下、単に「本発明の効果がより優れる点」ともいう。）で、０．００５～２．０ｇ／ｍ２が好ましく、０．０１～１．０ｇ／ｍが好ましい。
【0058】
細線は所定のパターンを形成していてもよく、上述した導電性細線が形成し得るパターンが挙げられる。
基板の説明は、上述した通りである。
基板の説明は、上述した通りである。
【0059】
基板上に金属を含む細線を形成する方法は特に制限されず、公知の方法が採用される。例えば、ハロゲン化銀を用いて露光及び現像を行う方法、基板の全面に金属を含有する層を形成した後、レジストパターンを用いて上記層の一部を除去して、上記細線を形成する方法、並びに、金属粒子及び高分子を含む組成物をインクジェット等の公知の印刷方法により基材上に吐出して細線を形成する方法が挙げられる。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、ハロゲン化銀を用いて露光及び現像を行う方法が好ましい。
以下、この方法について詳述する。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、ハロゲン化銀を用いて露光及び現像を行う方法が好ましい。
以下、この方法について詳述する。
【0060】
ハロゲン化銀を用いて露光及び現像を行う方法は、以下の工程を有することが好ましい。
工程Ａ：基板上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層を形成する工程
工程Ｂ：ハロゲン化銀含有感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程
工程Ｃ：工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程
工程Ｄ：工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去して、上記細線を形成する工程
以下、各工程の手順について詳述する。
工程Ａ：基板上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層を形成する工程
工程Ｂ：ハロゲン化銀含有感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程
工程Ｃ：工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程
工程Ｄ：工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去して、上記細線を形成する工程
以下、各工程の手順について詳述する。
【0061】
［工程Ａ］
工程Ａは、基板上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層（以下、「感光性層」ともいう。）を形成する工程である。本工程により、後述する露光処理が施される感光性層付き基板が製造される。
まず、工程Ａで使用される材料及び基板について詳述し、その後、工程Ａの手順について詳述する。
工程Ａは、基板上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層（以下、「感光性層」ともいう。）を形成する工程である。本工程により、後述する露光処理が施される感光性層付き基板が製造される。
まず、工程Ａで使用される材料及び基板について詳述し、その後、工程Ａの手順について詳述する。
【0062】
（ハロゲン化銀）
ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子及びフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀、又は、ヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀又は臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀、又は、ヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオン及び／又はヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子及びフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀、又は、ヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀又は臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀、又は、ヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオン及び／又はヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
【0063】
ハロゲン化銀は、通常、固体粒子状であり、ハロゲン化銀の平均粒子径は、球相当径で１０～１０００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましく、５０～１５０ｎｍが更に好ましい。
ハロゲン化銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状（六角形平板状、三角形平板状、四角形平板状等）、八面体状、及び、十四面体状等の形状が挙げられる。
ハロゲン化銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状（六角形平板状、三角形平板状、四角形平板状等）、八面体状、及び、十四面体状等の形状が挙げられる。
【0064】
（ゼラチン）
ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、及び、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基及び／又はカルボキシル基で修飾されたゼラチン（フタル化ゼラチン、及び、アセチル化ゼラチン）等を用いてもよい。
ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、及び、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基及び／又はカルボキシル基で修飾されたゼラチン（フタル化ゼラチン、及び、アセチル化ゼラチン）等を用いてもよい。
【0065】
（特定高分子）
感光性層には、ゼラチンと異なる高分子（特定高分子）が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される銀含有層及び導電性細線の強度がより優れる。
特定高分子の種類、具体例及び形状等の特徴は、上述した通りである。
感光性層には、ゼラチンと異なる高分子（特定高分子）が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される銀含有層及び導電性細線の強度がより優れる。
特定高分子の種類、具体例及び形状等の特徴は、上述した通りである。
【0066】
なかでも、特定高分子としては、以下の一般式（１）で表される高分子（共重合体）が好ましい。
一般式（１）： －（Ａ）ｘ－（Ｂ）ｙ－（Ｃ）ｚ－（Ｄ）ｗ－
なお、一般式（１）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、及びＤはそれぞれ、下記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位を表す。
一般式（１）： －（Ａ）ｘ－（Ｂ）ｙ－（Ｃ）ｚ－（Ｄ）ｗ－
なお、一般式（１）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、及びＤはそれぞれ、下記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位を表す。
【0067】
【化3】
【0068】
Ｒ1は、メチル基又はハロゲン原子を表し、メチル基、塩素原子、又は、臭素原子が好ましい。ｐは０～２の整数を表し、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
Ｒ2は、メチル基又はエチル基を表し、メチル基が好ましい。
Ｒ3は、水素原子又はメチル基を表し、水素原子が好ましい。Ｌは、２価の連結基を表し、下記一般式（２）で表される基が好ましい。
一般式（２）：－（ＣＯ－Ｘ1）ｒ－Ｘ2－
一般式（２）中、Ｘ1は、酸素原子又はＮＲ30－を表す。ここでＲ30は、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アシル基を表し、それぞれ置換基（例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、及び、ヒドロキシル基）を有してもよい。Ｒ30としては、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、及び、ｎ－オクチル基）、又は、アシル基（例えば、アセチル基、及び、ベンゾイル基）が好ましい。Ｘ1としては、酸素原子又はＮＨ－が好ましい。
Ｘ2は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、又は、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＳＯ2－、－Ｎ（Ｒ31）－、又は、－Ｎ（Ｒ31）ＳＯ2－等が途中に挿入されてもよい。Ｒ31は、炭素数１～６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｘ2としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ｏ－フェニレン基、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、－ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2ＣＨ2－、又は、－ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯ（Ｃ6Ｈ4）－が好ましい。
ｒは０又は１を表す。
ｑは０又は１を表し、０が好ましい。
Ｒ2は、メチル基又はエチル基を表し、メチル基が好ましい。
Ｒ3は、水素原子又はメチル基を表し、水素原子が好ましい。Ｌは、２価の連結基を表し、下記一般式（２）で表される基が好ましい。
一般式（２）：－（ＣＯ－Ｘ1）ｒ－Ｘ2－
一般式（２）中、Ｘ1は、酸素原子又はＮＲ30－を表す。ここでＲ30は、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アシル基を表し、それぞれ置換基（例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、及び、ヒドロキシル基）を有してもよい。Ｒ30としては、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、及び、ｎ－オクチル基）、又は、アシル基（例えば、アセチル基、及び、ベンゾイル基）が好ましい。Ｘ1としては、酸素原子又はＮＨ－が好ましい。
Ｘ2は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、又は、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＳＯ2－、－Ｎ（Ｒ31）－、又は、－Ｎ（Ｒ31）ＳＯ2－等が途中に挿入されてもよい。Ｒ31は、炭素数１～６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｘ2としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ｏ－フェニレン基、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、－ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2ＣＨ2－、又は、－ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯ（Ｃ6Ｈ4）－が好ましい。
ｒは０又は１を表す。
ｑは０又は１を表し、０が好ましい。
【0069】
Ｒ4は、アルキル基、アルケニル基、又は、アルキニル基を表し、炭素数５～５０のアルキル基が好ましく、炭素数５～３０のアルキル基がより好ましく、炭素数５～２０のアルキル基が更に好ましい。
Ｒ5は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、又は、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、又は、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6が好ましく、水素原子、メチル基、又は、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
Ｒ6は、水素原子又は炭素数１～８０のアルキル基を表し、Ｒ4と同じでも異なってもよく、Ｒ6の炭素数は１～７０が好ましく、１～６０がより好ましい。
Ｒ5は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、又は、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、又は、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6が好ましく、水素原子、メチル基、又は、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
Ｒ6は、水素原子又は炭素数１～８０のアルキル基を表し、Ｒ4と同じでも異なってもよく、Ｒ6の炭素数は１～７０が好ましく、１～６０がより好ましい。
【0070】
一般式（１）中、ｘ、ｙ、ｚ、及びｗは各繰り返し単位のモル比率を表す。
ｘは、３～６０モル％であり、３～５０モル％が好ましく、３～４０モル％がより好ましい。
ｙは、３０～９６モル％であり、３５～９５モル％が好ましく、４０～９０モル％がより好ましい。
ｚは、０．５～２５モル％であり、０．５～２０モル％が好ましく、１～２０モル％がより好ましい。
ｗは、０．５～４０モル％であり、０．５～３０モル％が好ましい。
一般式（１）において、ｘは３～４０モル％、ｙは４０～９０モル％、ｚは０．５～２０モル％、ｗは０．５～１０モル％の場合が好ましい。
ｘは、３～６０モル％であり、３～５０モル％が好ましく、３～４０モル％がより好ましい。
ｙは、３０～９６モル％であり、３５～９５モル％が好ましく、４０～９０モル％がより好ましい。
ｚは、０．５～２５モル％であり、０．５～２０モル％が好ましく、１～２０モル％がより好ましい。
ｗは、０．５～４０モル％であり、０．５～３０モル％が好ましい。
一般式（１）において、ｘは３～４０モル％、ｙは４０～９０モル％、ｚは０．５～２０モル％、ｗは０．５～１０モル％の場合が好ましい。
【0071】
一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（２）で表される高分子が好ましい。
【0072】
【化4】
【0073】
一般式（２）中、ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、上記の定義の通りである。
【0074】
一般式（１）で表される高分子は、上記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を含んでもよい。
他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、及び、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第３７５４７４５号公報の段落００１０～００２２にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類又はメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレート又はヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
一般式（１）で表される高分子は、一般式（Ｅ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、及び、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第３７５４７４５号公報の段落００１０～００２２にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類又はメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレート又はヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
一般式（１）で表される高分子は、一般式（Ｅ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
【0075】
【化5】
【0076】
上記式中、ＬEはアルキレン基を表し、炭素数１～１０のアルキレン基が好ましく、炭素数２～６のアルキレン基がより好ましく、炭素数２～４のアルキレン基が更に好ましい。
【0077】
一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（３）で表される高分子が特に好ましい。
【0078】
【化6】
【0079】
上記式中、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１及びｅ１は各繰り返し単位のモル比率を表し、ａ１は３～６０（モル％）、ｂ１は３０～９５（モル％）、ｃ１は０．５～２５（モル％）、ｄ１は０．５～４０（モル％）、ｅ１は１～１０（モル％）を表す。
ａ１の好ましい範囲は上記ｘの好ましい範囲と同じであり、ｂ１の好ましい範囲は上記ｙの好ましい範囲と同じであり、ｃ１の好ましい範囲は上記ｚの好ましい範囲と同じであり、ｄ１の好ましい範囲は上記ｗの好ましい範囲と同じである。
ｅ１は、１～１０モル％であり、２～９モル％が好ましく、２～８モル％がより好ましい。
ａ１の好ましい範囲は上記ｘの好ましい範囲と同じであり、ｂ１の好ましい範囲は上記ｙの好ましい範囲と同じであり、ｃ１の好ましい範囲は上記ｚの好ましい範囲と同じであり、ｄ１の好ましい範囲は上記ｗの好ましい範囲と同じである。
ｅ１は、１～１０モル％であり、２～９モル％が好ましく、２～８モル％がより好ましい。
【0080】
特定高分子は、例えば、特許第３３０５４５９号公報及び特許第３７５４７４５号公報等を参照して合成できる。
特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、１０００～１００００００が好ましく、２０００～７５００００がより好ましく、３０００～５０００００が更に好ましい。
特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、１０００～１００００００が好ましく、２０００～７５００００がより好ましく、３０００～５０００００が更に好ましい。
【0081】
感光性層には、必要に応じて、上述した材料以外の他の材料が含まれていてもよい。
他の材料としては、例えば、ハロゲン化銀の安定化及び高感度化のために用いられるロジウム化合物及びイリジウム化合物等の８族及び９族に属する金属化合物が挙げられる。また、他の材料としては、特開２００９－００４３４８号公報の段落０２２０～０２４１に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、及び、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。
また、他の材料としては、粘度調整剤（例えば、増粘多糖類、セルロース類、水溶性ポリマー等）、造膜助剤（例えば、グリコール誘導体、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオールモノイソブチレート等のジオール化合物等）、防腐剤、可塑剤、滑り材、有機又は無機又は有機無機の複合素材からなるフィラー類（例えば、ＰＭＭＡ（Poly Methyl Methacrylate）、ポリスチレン、コロイダルシリカ、ジルコニア、セルロースナノファイバー、ＣＮＴ（カーボンナノチューブ）等）、及び、紫外線吸収剤等も挙げられる。
帯電防止剤は、ハロゲン化銀含有感光材料の帯電による異物の付着又は放電発光による意図せぬ感光による故障を防止することができ、好ましい。界面活性剤は、感光性層の塗布性、基板との密着性、並びに、ハロゲン化銀及びバインダーその他含有成分の分散性を制御できるため好ましい。
また、感光性層には、特開２００９－００４３４８号公報の段落０１４６～０１５８に記載の架橋剤又は硬化剤、段落０１６０～０１７０に記載の染料、段落０２１４～０２１７に記載の水溶性バインダーが含まれていてもよい。また、感光性層には、国際公開第２０２０／１９５６２２号の段落００７９～００８１に記載の金属安定化剤、段落０１０９～０１１８に記載の特定化合物が含まれていてもよい。更には、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。
他の材料としては、例えば、ハロゲン化銀の安定化及び高感度化のために用いられるロジウム化合物及びイリジウム化合物等の８族及び９族に属する金属化合物が挙げられる。また、他の材料としては、特開２００９－００４３４８号公報の段落０２２０～０２４１に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、及び、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。
また、他の材料としては、粘度調整剤（例えば、増粘多糖類、セルロース類、水溶性ポリマー等）、造膜助剤（例えば、グリコール誘導体、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオールモノイソブチレート等のジオール化合物等）、防腐剤、可塑剤、滑り材、有機又は無機又は有機無機の複合素材からなるフィラー類（例えば、ＰＭＭＡ（Poly Methyl Methacrylate）、ポリスチレン、コロイダルシリカ、ジルコニア、セルロースナノファイバー、ＣＮＴ（カーボンナノチューブ）等）、及び、紫外線吸収剤等も挙げられる。
帯電防止剤は、ハロゲン化銀含有感光材料の帯電による異物の付着又は放電発光による意図せぬ感光による故障を防止することができ、好ましい。界面活性剤は、感光性層の塗布性、基板との密着性、並びに、ハロゲン化銀及びバインダーその他含有成分の分散性を制御できるため好ましい。
また、感光性層には、特開２００９－００４３４８号公報の段落０１４６～０１５８に記載の架橋剤又は硬化剤、段落０１６０～０１７０に記載の染料、段落０２１４～０２１７に記載の水溶性バインダーが含まれていてもよい。また、感光性層には、国際公開第２０２０／１９５６２２号の段落００７９～００８１に記載の金属安定化剤、段落０１０９～０１１８に記載の特定化合物が含まれていてもよい。更には、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。
【0082】
また、感光性層には、上記特定高分子同士を架橋するために使用される架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることにより、特定高分子同士間での架橋が進行し、ゼラチンが分解除去された際にも導電性細線中の金属銀同士の連結が保たれる。これらゼラチン及び特定高分子以外の材料は、後述のハロゲン化銀不含有層及び／又は保護層に含有させてもよい。
【0083】
（工程Ａの手順）
工程Ａにおいて上記成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を基板上に接触させ、基板上に感光性層を形成する方法が好ましい。
以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
工程Ａにおいて上記成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を基板上に接触させ、基板上に感光性層を形成する方法が好ましい。
以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
【0084】
（感光性層形成用組成物に含まれる材料）
感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。
溶媒としては、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類）、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。
感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。
溶媒としては、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類）、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。
【0085】
感光性層形成用組成物と基板とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、感光性層形成用組成物を基板上に塗布する方法、及び、感光性層形成用組成物中に基板を浸漬する方法等が挙げられる。
なお、上記処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
なお、上記処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
【0086】
（ハロゲン化銀含有感光性層）
上記手順により形成された感光性層中には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点で、銀換算で３．０～２０．０ｇ／ｍ２が好ましく、５．０～１５．０ｇ／ｍ２がより好ましい。
銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点で、０．０４～２．０ｇ／ｍ2が好ましく、０．０８～０．４０ｇ／ｍ2がより好ましい。
上記手順により形成された感光性層中には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点で、銀換算で３．０～２０．０ｇ／ｍ２が好ましく、５．０～１５．０ｇ／ｍ２がより好ましい。
銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点で、０．０４～２．０ｇ／ｍ2が好ましく、０．０８～０．４０ｇ／ｍ2がより好ましい。
【0087】
［工程Ｂ］
工程Ｂは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程である。
工程Ｂは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程である。
【0088】
感光性層に露光処理を施すことにより、露光領域において潜像が形成される。
露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する導電性細線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、及び、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、及び、Ｘ線が挙げられる。
露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する導電性細線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、及び、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、及び、Ｘ線が挙げられる。
【0089】
開口パターンを有するマスクを介して露光する場合、マスク開口パターン中の特定の場所のみ露光量を減らして露光し、潜像形成量を調整してもよい。潜像形成量を調整すると、後段の操作で形成される金属量、厚み（高さ）を調整することができる。特定の場所のみ露光量を減らす手段に特に制限はないが、例えば、特定部分に照射される光源からの露光量を調整する方法が挙げられる。例えば、当部分の上のランプ、LEDのみ出力を落として露光量を低くする、あるいは、特定部分の上部に減光フィルタを設置する、などの方法が挙げられる。また、特定の場所のみ露光量を減らす別の手段として、マスク開口パターンの特定部分に半透過膜を付与したハーフトーンマスクを用いる方法が挙げられる。生産性の観点で、ハーフトーンマスクを用いることが好ましい。
【0090】
露光された感光性層に現像処理を施すことにより、露光領域（潜像が形成された領域）では、金属銀が析出する。
現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、及び、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、ＰＱ（phenidone hydroquinone）現像液、ＭＱ（Metol hydroquinone）現像液、及び、ＭＡＡ（メトール・アスコルビン酸）現像液が挙げられる。
現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、及び、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、ＰＱ（phenidone hydroquinone）現像液、ＭＱ（Metol hydroquinone）現像液、及び、ＭＡＡ（メトール・アスコルビン酸）現像液が挙げられる。
【0091】
本工程は、未露光部分のハロゲン化銀を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を更に有していてもよい。
定着処理は、現像と同時及び／又は現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、及び、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」（笹井著、株式会社写真工業出版社）ｐ３２１記載の定着液が挙げられる。
定着処理は、現像と同時及び／又は現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、及び、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」（笹井著、株式会社写真工業出版社）ｐ３２１記載の定着液が挙げられる。
【0092】
上記処理を実施することにより、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む、細線状の銀含有層が形成される。
銀含有層の線幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。
また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。
更に、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲及び／又は走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。
銀含有層の線幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。
また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。
更に、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲及び／又は走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。
【0093】
なお、上述した、周辺パターン内部の金属原子数比率が５０％以上の領域における、炭素原子／金属原子の原子数比率の比率を調整するためには、検出電極に対する周辺パターンの大きさを調整する方法が挙げられる。検出電極に対する周辺パターンの大きいと、後述する工程Ｄの際に、周辺パターンからゼラチンが除去しづらくなり、結果として、炭素原子の比率が高い周辺パターンを形成できる。
【0094】
［工程Ｃ］
工程Ｃは、工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層の強度が向上する。
工程Ｃは、工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層の強度が向上する。
【0095】
加熱処理の方法は特に制限されず、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法、及び、温調装置（例えば、ヒーター）で銀含有層を加熱する方法が挙げられ、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法が好ましい。
【0096】
過熱蒸気としては、過熱水蒸気でもよいし、過熱水蒸気に他のガスを混合させたものでもよい。
過熱蒸気と銀含有層との接触時間は特に制限されず、１０～７０秒間が好ましい。
過熱蒸気の供給量は、５００～６００ｇ／ｍ3が好ましく、過熱蒸気の温度は、１気圧で１００～１６０℃（好ましくは１００～１２０℃）が好ましい。
過熱蒸気と銀含有層との接触時間は特に制限されず、１０～７０秒間が好ましい。
過熱蒸気の供給量は、５００～６００ｇ／ｍ3が好ましく、過熱蒸気の温度は、１気圧で１００～１６０℃（好ましくは１００～１２０℃）が好ましい。
【0097】
温調装置で銀含有層を加熱する方法における加熱条件としては、１００～２００℃（好ましくは１００～１５０℃）で１～２４０分間（好ましくは６０～１５０分間）加熱する条件が好ましい。
【0098】
［工程Ｄ］
工程Ｄは、工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去して、上記細線を形成する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層からゼラチンが除去され、内部に空隙が形成された上記細線が形成される。この空隙に後述するめっき液が浸入し、金属めっきが形成される。
なお、ゼラチンを除去する際には、銀含有層中のゼラチンの全てを除去してもよいし、ゼラチンの一部が残るように除去してもよい。中でも、本発明の効果がより優れる点で、ゼラチンの一部が残るように工程Ｄを実施することが好ましい。
工程Ｄは、工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去して、上記細線を形成する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層からゼラチンが除去され、内部に空隙が形成された上記細線が形成される。この空隙に後述するめっき液が浸入し、金属めっきが形成される。
なお、ゼラチンを除去する際には、銀含有層中のゼラチンの全てを除去してもよいし、ゼラチンの一部が残るように除去してもよい。中でも、本発明の効果がより優れる点で、ゼラチンの一部が残るように工程Ｄを実施することが好ましい。
【0099】
ゼラチンを除去する方法は特に制限されず、例えば、タンパク質分解酵素を用いる方法（以下、「方法１」ともいう。）、及び、酸化剤を用いてゼラチンを分解除去する方法（以下、「方法２」ともいう。）が挙げられる。
【0100】
方法１において用いられるタンパク質分解酵素としては、ゼラチン等のタンパク質を加水分解できる植物性又は動物性酵素で公知の酵素が挙げられる。
タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、及び、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、又は、細菌プロテアーゼが好ましい。
方法１における手順としては、銀含有層と上記タンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層とタンパク質分解酵素を含む処理液（以下、「酵素液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酵素液中に浸漬させる方法、及び、銀含有層上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、０．０５～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。
酵素液には、上記タンパク質分解酵素に加え、通常、水が含まれる。
酵素液には、必要に応じて、他の添加剤（例えば、ｐＨ緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、及び、保恒剤）が含まれていてもよい。
酵素液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、一般的には、５～９が好ましい。
酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度、具体的には２０～４５℃が好ましい。
タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、及び、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、又は、細菌プロテアーゼが好ましい。
方法１における手順としては、銀含有層と上記タンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層とタンパク質分解酵素を含む処理液（以下、「酵素液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酵素液中に浸漬させる方法、及び、銀含有層上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、０．０５～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。
酵素液には、上記タンパク質分解酵素に加え、通常、水が含まれる。
酵素液には、必要に応じて、他の添加剤（例えば、ｐＨ緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、及び、保恒剤）が含まれていてもよい。
酵素液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、一般的には、５～９が好ましい。
酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度、具体的には２０～４５℃が好ましい。
【0101】
なお、必要に応じて、酵素液での処理後に、得られた銀含有層を温水にて洗浄する洗浄処理を実施してもよい。
洗浄方法は特に制限されず、銀含有層と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層を浸漬する方法、及び、銀含有層上に温水を塗布する方法が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、２０～８０℃が好ましく、４０～６０℃がより好ましい。
温水と銀含有層との接触時間（洗浄時間）は特に制限されず、生産性の点から、１～６００秒間が好ましく、１０～１８０秒間がより好ましい。
洗浄方法は特に制限されず、銀含有層と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層を浸漬する方法、及び、銀含有層上に温水を塗布する方法が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、２０～８０℃が好ましく、４０～６０℃がより好ましい。
温水と銀含有層との接触時間（洗浄時間）は特に制限されず、生産性の点から、１～６００秒間が好ましく、１０～１８０秒間がより好ましい。
【0102】
方法２で用いられる酸化剤としては、ゼラチンを分解できる酸化剤であればよく、標準電極電位が＋１．５Ｖ以上である酸化剤が好ましい。なお、ここで標準電極電位とは、酸化剤の水溶液中における標準水素電極に対する標準電極電位（２５℃、Ｅ０）を意図する。
上記酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸又はその塩等が挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水（標準電極電位：１．７６Ｖ）、次亜塩素酸又はその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
上記酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸又はその塩等が挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水（標準電極電位：１．７６Ｖ）、次亜塩素酸又はその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
【0103】
方法２における手順としては、銀含有層と上記酸化剤とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層と酸化剤を含む処理液（以下、「酸化剤液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酸化剤液中に浸漬させる方法、及び、銀含有層上に酸化剤液を塗布する方法が挙げられる。
酸化剤液に含まれる溶媒の種類は特に制限されず、水、及び、有機溶媒が挙げられる。
酸化剤液に含まれる溶媒の種類は特に制限されず、水、及び、有機溶媒が挙げられる。
【0104】
［工程Ｅ］
工程１は、工程Ａの前に、基板上にゼラチン及び特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Ｅを有していてもよい。本工程を実施することにより、基板とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、導電性細線と基板との密着性向上に寄与する。
ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０．１～５．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましい。
ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０．０３ｇ／ｍ2以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０ｇ／ｍ2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１．６３ｇ／ｍ2以下の場合が多い。
工程１は、工程Ａの前に、基板上にゼラチン及び特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Ｅを有していてもよい。本工程を実施することにより、基板とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、導電性細線と基板との密着性向上に寄与する。
ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０．１～５．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましい。
ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０．０３ｇ／ｍ2以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０ｇ／ｍ2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１．６３ｇ／ｍ2以下の場合が多い。
【0105】
ハロゲン化銀不含有層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含有する層形成用組成物を基板上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、０．０５μｍ以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０μｍ超が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０μｍ未満であることが好ましい。
層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、０．０５μｍ以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０μｍ超が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０μｍ未満であることが好ましい。
【0106】
［工程Ｆ］
工程１は、工程Ａの後で工程Ｂの前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Ｆを有していてもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止及び力学特性を改良できる。
保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０超２．０以下が好ましく、０超１．０以下がより好ましい。
また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０ｇ／ｍ2超０．３ｇ／ｍ2以下が好ましく、０．００５～０．１ｇ／ｍ2がより好ましい。
工程１は、工程Ａの後で工程Ｂの前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Ｆを有していてもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止及び力学特性を改良できる。
保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０超２．０以下が好ましく、０超１．０以下がより好ましい。
また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０ｇ／ｍ2超０．３ｇ／ｍ2以下が好ましく、０．００５～０．１ｇ／ｍ2がより好ましい。
【0107】
保護層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含む保護層形成用組成物をハロゲン化銀含有感光性層上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
保護層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
保護層の厚みは特に制限されず、０．０３～０．３μｍが好ましく、０．０７５～０．２０μｍがより好ましい。
保護層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
保護層の厚みは特に制限されず、０．０３～０．３μｍが好ましく、０．０７５～０．２０μｍがより好ましい。
【0108】
なお、上述した工程Ｅ、工程Ａ及び工程Ｆは、同時重層塗布によって同時に実施してもよい。
【0109】
［工程２］
工程２は、上記細線と有機酸を含む溶液とを接触させる工程である。本工程を実施することにより有機酸が細線の表面に付着し、後述する工程３のめっき処理の際に、細線表面でのめっき析出を抑制し、細線内部にめっき液がより浸透しやすくなる。結果として、細線内で金属（金属めっき）が析出しやすくなり、所望の効果が得られる。
以下では、まず、本工程で使用される溶液について詳述し、その後、工程２の手順について詳述する。
工程２は、上記細線と有機酸を含む溶液とを接触させる工程である。本工程を実施することにより有機酸が細線の表面に付着し、後述する工程３のめっき処理の際に、細線表面でのめっき析出を抑制し、細線内部にめっき液がより浸透しやすくなる。結果として、細線内で金属（金属めっき）が析出しやすくなり、所望の効果が得られる。
以下では、まず、本工程で使用される溶液について詳述し、その後、工程２の手順について詳述する。
【0110】
（有機酸を含む溶液）
有機酸を含む溶液（以下、単に「第１溶液」ともいう。）に含まれる有機酸の種類は特に制限されず、炭素原子を含む酸であればよく、例えば、カルボン酸（カルボキシ基を有する有機化合物）、スルホン酸（スルホン酸基を有する有機化合物）、及び、ホスホン酸（ホスホン酸基を有する有機化合物）が挙げられる。中でも、本発明の効果がより優れる点で、カルボン酸が好ましい。
有機酸を含む溶液（以下、単に「第１溶液」ともいう。）に含まれる有機酸の種類は特に制限されず、炭素原子を含む酸であればよく、例えば、カルボン酸（カルボキシ基を有する有機化合物）、スルホン酸（スルホン酸基を有する有機化合物）、及び、ホスホン酸（ホスホン酸基を有する有機化合物）が挙げられる。中でも、本発明の効果がより優れる点で、カルボン酸が好ましい。
【0111】
有機酸（例えば、カルボン酸）の分子量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、６０～４００が好ましく、９０～３００がより好ましい。
【0112】
カルボン酸は、１価のカルボン酸であってもよいし、２価以上（多価）のカルボン酸であってもよく、本発明の効果がより優れる点で、多価のカルボン酸が好ましい。２価以上のカルボン酸としては、２～７価のカルボン酸が好ましく、２～４価のカルボン酸がより好ましい。
なお、上記価数は、カルボキシ基が含まれる数を表し、１価のカルボン酸はカルボキシ基を１つ有する化合物である。
なお、上記価数は、カルボキシ基が含まれる数を表し、１価のカルボン酸はカルボキシ基を１つ有する化合物である。
【0113】
カルボン酸は、カルボキシ基以外の他の極性基（例えば、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボニル基、エーテル基）を有していてもよい。
【0114】
カルボン酸としては、酢酸、乳酸、及び、ヒドロキシ酪酸等の１価のカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、Ｌ－アスパラギン酸、ＤＬ－リンゴ酸、オキサロ酢酸、コハク酸、グルタミン酸、２－オキソグルタル酸、グルタル酸、アジピン酸、及び、ピメリン酸等の２価のカルボン酸、クエン酸、１，２，３－プロパントリカルボン酸、及び、１，３，５－ペンタトリカルボン酸等の３価のカルボン酸、１，２，３，４－ブタンテトラカルボン酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、及び、エチレングリコールビス（β－アミノエチルエーテル）－Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ－四酢酸等の４価のカルボン酸、並びに、ジエチレントリアミンペンタ酢酸等の５価のカルボン酸が挙げられる。
【0115】
第１溶液には溶媒が含まれる。溶媒の種類は特に制限されず、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類）、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。中でも、水が好ましい。
【0116】
第１溶液には、上記有機酸及び溶媒以外の他の成分が含まれていてもよい。
他の成分としては、後述する第２溶液に含まれる第４級アンモニウム塩が挙げられる。第４級アンモニウム塩の態様については、後段で詳述する。
他の成分としては、後述する第２溶液に含まれる第４級アンモニウム塩が挙げられる。第４級アンモニウム塩の態様については、後段で詳述する。
【0117】
第１溶液中における有機酸の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、第１溶液全質量に対して、０．２～５質量％が好ましく、０．５～３質量％がより好ましい。
【0118】
第１溶液のｐＨ値は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、温度２５℃において１．５～６．０が好ましく、２．０～４．０がより好ましい。
ｐＨの測定方法としては、ｐＨ電極を用いたｐＨメーターで測定することができる。
ｐＨの測定方法としては、ｐＨ電極を用いたｐＨメーターで測定することができる。
【0119】
第１溶液が第４級アンモニウム塩を含む場合、第１溶液中における第４級アンモニウム塩の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、第１溶液全質量に対して、１０－６～１０－１質量％が好ましく、１０－５～１０－３質量％がより好ましい。
【0120】
（工程２の手順）
細線と第１溶液とを接触させる方法は特に制限されず、細線を有する基板を第１溶液中に浸漬させる方法、及び、細線上に第１溶液を塗布する方法が挙げられる。
細線と第１溶液との接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点及び生産性の点から、５～１８０秒間が好ましく、２０～１２０秒間が好ましい。
細線と第１溶液との接触時の第１溶液の温度は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、３０～１００℃が好ましく、６５～９５℃がより好ましい。
細線と第１溶液とを接触させる方法は特に制限されず、細線を有する基板を第１溶液中に浸漬させる方法、及び、細線上に第１溶液を塗布する方法が挙げられる。
細線と第１溶液との接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点及び生産性の点から、５～１８０秒間が好ましく、２０～１２０秒間が好ましい。
細線と第１溶液との接触時の第１溶液の温度は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、３０～１００℃が好ましく、６５～９５℃がより好ましい。
【0121】
細線と第１溶液とを接触させた後、必要に応じて、細線を溶媒（例えば、水）で洗浄してもよい。
【0122】
［工程３］
工程３は、上記細線に対してめっき処理を施して、導電性細線を形成する工程である。本工程を実施することにより、細線中に金属（めっき金属）が充填された導電性細線が形成される。特に、上述した工程Ａ～Ｄを実施して得られた細線中には、ゼラチンを除去することにより形成された空間があるため、この空間中に金属（めっき金属）が充填される。
なお、工程３の直前に工程２が実施された場合には、工程２で得られた細線に対してめっき処理を施す。後述するように、工程２と工程３との間に、工程５が実施された場合には、工程５で得られた細線に対してめっき処理を施す。
工程３は、上記細線に対してめっき処理を施して、導電性細線を形成する工程である。本工程を実施することにより、細線中に金属（めっき金属）が充填された導電性細線が形成される。特に、上述した工程Ａ～Ｄを実施して得られた細線中には、ゼラチンを除去することにより形成された空間があるため、この空間中に金属（めっき金属）が充填される。
なお、工程３の直前に工程２が実施された場合には、工程２で得られた細線に対してめっき処理を施す。後述するように、工程２と工程３との間に、工程５が実施された場合には、工程５で得られた細線に対してめっき処理を施す。
【0123】
めっき処理の種類は特に制限されないが、無電解めっき（化学還元めっき、又は、置換めっき）及び電解めっきが挙げられ、無電解めっきが好ましい。無電解めっきとしては、公知の無電解めっき技術が用いられる。
めっき処理としては、例えば、銀めっき処理、銅めっき処理、ニッケルめっき処理、及び、コバルトめっき処理が挙げられ、導電性細線の電気抵抗がより小さい点で、銀めっき処理又は銅めっき処理が好ましく、銀めっき処理がより好ましい。
めっき処理としては、例えば、銀めっき処理、銅めっき処理、ニッケルめっき処理、及び、コバルトめっき処理が挙げられ、導電性細線の電気抵抗がより小さい点で、銀めっき処理又は銅めっき処理が好ましく、銀めっき処理がより好ましい。
【0124】
めっき処理で用いられるめっき液に含まれる成分は特に制限されないが、通常、溶媒（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）、４．ｐＨ調整剤が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤等、公知の添加剤が含まれていてもよい。
めっき液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、及び、コバルトイオンが挙げられる。
めっき液のｐＨは特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、温度２５℃において、アルカリ性が好ましく、８．５～１１．０がより好ましく、９．０～１０．５が更に好ましい。
めっき液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、及び、コバルトイオンが挙げられる。
めっき液のｐＨは特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、温度２５℃において、アルカリ性が好ましく、８．５～１１．０がより好ましく、９．０～１０．５が更に好ましい。
【0125】
上述のめっき処理の手順は特に制限されず、細線とめっき液とを接触させる方法であればよく、例えば、めっき液中に銀含有層を浸漬させる方法、及び、細線上にめっき液を塗布する方法が挙げられる。
細線とめっき液との接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点、及び、生産性の点から、２５秒間～３０分間が好ましい。
めっき液に接触した後に、細線を水で洗浄したり、ｐＨ３～７の酸性溶液で中和洗浄してもよく、酸性溶液のｐＨは４～６であることがより好ましい。酸性溶液は、ｐＨ３～７であれば、めっき液由来の亜硫酸から硫黄等が発生することがない。また、めっき液のｐＨの上昇も抑制され、めっき反応を停止できる。酸性溶液は、めっき停止液として機能する。
酸性溶液は、緩衝作用を有することが好ましく、固形分濃度が０．１質量％以上であれば十分な緩衝能力を発揮するため好ましい。
めっき液の温度は、１０～４０℃が好ましく、１５～３０℃がより好ましい。
接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点、及び、生産性の点から、５～６０秒が好ましい。
細線とめっき液との接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点、及び、生産性の点から、２５秒間～３０分間が好ましい。
めっき液に接触した後に、細線を水で洗浄したり、ｐＨ３～７の酸性溶液で中和洗浄してもよく、酸性溶液のｐＨは４～６であることがより好ましい。酸性溶液は、ｐＨ３～７であれば、めっき液由来の亜硫酸から硫黄等が発生することがない。また、めっき液のｐＨの上昇も抑制され、めっき反応を停止できる。酸性溶液は、めっき停止液として機能する。
酸性溶液は、緩衝作用を有することが好ましく、固形分濃度が０．１質量％以上であれば十分な緩衝能力を発揮するため好ましい。
めっき液の温度は、１０～４０℃が好ましく、１５～３０℃がより好ましい。
接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点、及び、生産性の点から、５～６０秒が好ましい。
【0126】
上記工程２及び工程３は繰り返し実施してもよい。つまり、工程３が終わった後、更に、工程２及び工程３を実施してもよい。
工程２及び工程３の手順を繰り返す回数は特に制限されず、２～４回が好ましい。
工程２及び工程３の手順を繰り返す回数は特に制限されず、２～４回が好ましい。
【0127】
［工程４］
導電性基板の製造方法は、工程１と工程２との間に、細線に対してめっき処理を施す工程４を更に有していてもよい。工程４を実施することにより、導電性細線の導電性がより優れる。
工程４の手順は、上述した工程３の手順と同じであるため、説明を省略する。
なお、工程４と工程２と工程３とは繰り返し実施してもよい。つまり、工程３が終わった後、更に、工程４と工程２と工程３とを実施してもよい。
工程４～工程３までの手順を繰り返す回数は特に制限されず、２～４回が好ましい。
工程４でも、工程３と同様に、めっき液に接触した後に、細線を水で洗浄したり、ｐＨ３～７の酸性溶液で中和洗浄してもよく、酸性溶液のｐＨは４～６であることがより好ましい。酸性溶液は、ｐＨ３～７であれば、めっき液由来の亜硫酸から硫黄等が発生することがない。また、めっき液のｐＨの上昇も抑制され、めっき反応を停止できる。
酸性溶液は、緩衝作用を有することが好ましく、固形分濃度が０．１質量％以上であれば十分な緩衝能力を発揮するため好ましい。
上述のように、工程３又は工程４は、細線を、ｐＨ３～７の酸性溶液に接触させ、めっき処理によるめっき反応を停止させる中和洗浄工程を有することが好ましい。また、酸性溶液は、上述のように緩衝作用を有することが好ましい。中和洗浄に緩衝液を用いることにより、めっき液が混入したとしてもｐＨ上昇を抑えることができ、一様にめっき反応を停止させることができる。
導電性基板の製造方法は、工程１と工程２との間に、細線に対してめっき処理を施す工程４を更に有していてもよい。工程４を実施することにより、導電性細線の導電性がより優れる。
工程４の手順は、上述した工程３の手順と同じであるため、説明を省略する。
なお、工程４と工程２と工程３とは繰り返し実施してもよい。つまり、工程３が終わった後、更に、工程４と工程２と工程３とを実施してもよい。
工程４～工程３までの手順を繰り返す回数は特に制限されず、２～４回が好ましい。
工程４でも、工程３と同様に、めっき液に接触した後に、細線を水で洗浄したり、ｐＨ３～７の酸性溶液で中和洗浄してもよく、酸性溶液のｐＨは４～６であることがより好ましい。酸性溶液は、ｐＨ３～７であれば、めっき液由来の亜硫酸から硫黄等が発生することがない。また、めっき液のｐＨの上昇も抑制され、めっき反応を停止できる。
酸性溶液は、緩衝作用を有することが好ましく、固形分濃度が０．１質量％以上であれば十分な緩衝能力を発揮するため好ましい。
上述のように、工程３又は工程４は、細線を、ｐＨ３～７の酸性溶液に接触させ、めっき処理によるめっき反応を停止させる中和洗浄工程を有することが好ましい。また、酸性溶液は、上述のように緩衝作用を有することが好ましい。中和洗浄に緩衝液を用いることにより、めっき液が混入したとしてもｐＨ上昇を抑えることができ、一様にめっき反応を停止させることができる。
【0128】
［工程５］
導電性基板の製造方法は、工程１と工程２との間、又は、工程２と工程３との間に、細線に対して、第４級アンモニウム塩を含む溶液を接触させる工程５を更に有していてもよい。本工程を実施することにより第４級アンモニウム塩のイオンが細線の表面に付着し、後述する工程３のめっき処理の際に、細線表面でのめっき析出を抑制し、細線内部にめっき液がより浸透しやすくなる。結果として、細線内で金属（金属めっき）が析出しやすくなり、所望の効果が得られる。
以下では、まず、本工程５で使用される溶液について詳述し、その後、工程５の手順について詳述する。
導電性基板の製造方法は、工程１と工程２との間、又は、工程２と工程３との間に、細線に対して、第４級アンモニウム塩を含む溶液を接触させる工程５を更に有していてもよい。本工程を実施することにより第４級アンモニウム塩のイオンが細線の表面に付着し、後述する工程３のめっき処理の際に、細線表面でのめっき析出を抑制し、細線内部にめっき液がより浸透しやすくなる。結果として、細線内で金属（金属めっき）が析出しやすくなり、所望の効果が得られる。
以下では、まず、本工程５で使用される溶液について詳述し、その後、工程５の手順について詳述する。
【0129】
（第４級アンモニウム塩を含む溶液）
第４級アンモニウム塩を含む溶液（以下、単に「第２溶液」ともいう。）に含まれる第４級アンモニウム塩の種類は特に制限されず、第４級窒素を有する化合物である。
第４級アンモニウム塩の分子量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１００～７００が好ましく、２００～６５０がより好ましい。
第４級アンモニウム塩を含む溶液（以下、単に「第２溶液」ともいう。）に含まれる第４級アンモニウム塩の種類は特に制限されず、第４級窒素を有する化合物である。
第４級アンモニウム塩の分子量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１００～７００が好ましく、２００～６５０がより好ましい。
【0130】
第４級アンモニウム塩としては、一般式（Ｉ）で表される化合物、又は、一般式（ＩＩ）で表される化合物が好ましい。
一般式（Ｉ） （Ｒ１）４Ｎ＋Ａ－
一般式（Ｉ） （Ｒ１）４Ｎ＋Ａ－
【0131】
【化7】
【0132】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。４つのＲ１は同一の基であってもよいし、互いに異なる基であってもよい。
上記アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。
アルキル基が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アリール基（例えば、フェニル基）、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基（例えば、アセチル基）、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、モノアリールアミノ基、及び、ジアリールアミノ基が挙げられる。
上記アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。
アルキル基が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アリール基（例えば、フェニル基）、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基（例えば、アセチル基）、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、モノアリールアミノ基、及び、ジアリールアミノ基が挙げられる。
【0133】
一般式（ＩＩ）中、Ｒ２は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｒ２で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲は、上述したＲ１で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲が挙げられる。
Ｒ２で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲は、上述したＲ１で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲が挙げられる。
【0134】
一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中のＡ－は、アニオンを表す。アニオンの種類は特に制限されず、例えば、ハロゲンイオン（例えば、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－、及び、Ｉ－）、ＨＳＯ４
－、ＯＨ－、ＣＨ３ＣＯＯ－、ＰＦ６
－、Ｒ３ＣＯ３
－、ＣｌＯ４
－、ＢＦ４
－、ＳｂＦ６
－、及び、ＡｓＦ６
－が挙げられる。なお、Ｒ３は、水素原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｒ３で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲は、上述したＲ１で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲が挙げられる。
Ｒ３で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲は、上述したＲ１で表される置換基を有していてもよいアルキル基の例示及び好適範囲が挙げられる。
【0135】
第４級アンモニウム塩としては、本発明の効果がより優れる点で、一般式（Ｘ）で表される化合物、一般式（Ｙ）で表される化合物、又は、一般式（Ｚ）で表される化合物が好ましい。
【0136】
【化8】
【0137】
一般式（Ｘ）中、Ｒａ１及びＲａ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒａ３及びＲａ４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数８以上のアルキル基を表す。
Ｒａ１及びＲａ２で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は４以下であり、本発明の効果がより優れる点で、１又は２が好ましい。
Ｒａ３及びＲａ４で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は８以上であり、本発明の効果がより優れる点で、８～３０が好ましく、１０～２０がより好ましい。
Ｒａ１及びＲａ２で表されるアルキル基、並びに、Ｒａ３及びＲａ４で表されるアルキル基がそれぞれ有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、モノアリールアミノ基、及び、ジアリールアミノ基が挙げられる。
Ｒａ１及びＲａ２で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は４以下であり、本発明の効果がより優れる点で、１又は２が好ましい。
Ｒａ３及びＲａ４で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は８以上であり、本発明の効果がより優れる点で、８～３０が好ましく、１０～２０がより好ましい。
Ｒａ１及びＲａ２で表されるアルキル基、並びに、Ｒａ３及びＲａ４で表されるアルキル基がそれぞれ有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、モノアリールアミノ基、及び、ジアリールアミノ基が挙げられる。
【0138】
一般式（Ｙ）中、Ｒｂ１～Ｒｂ３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒｂ４は、置換基を有していてもよい炭素数１０以上のアルキル基を表す。
Ｒｂ１～Ｒｂ３で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は４以下であり、本発明の効果がより優れる点で、１又は２が好ましい。
Ｒｂ４で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は８以上であり、本発明の効果がより優れる点で、８～３０が好ましく、１０～２０がより好ましい。
Ｒｂ１～Ｒｂ３で表されるアルキル基、並びに、Ｒｂ４で表されるアルキル基がそれぞれ有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、上述したＲａ１で表されるアルキル基が有していてもよい置換基として例示した基が挙げられる。
Ｒｂ１～Ｒｂ３で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は４以下であり、本発明の効果がより優れる点で、１又は２が好ましい。
Ｒｂ４で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は８以上であり、本発明の効果がより優れる点で、８～３０が好ましく、１０～２０がより好ましい。
Ｒｂ１～Ｒｂ３で表されるアルキル基、並びに、Ｒｂ４で表されるアルキル基がそれぞれ有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、上述したＲａ１で表されるアルキル基が有していてもよい置換基として例示した基が挙げられる。
【0139】
一般式（Ｚ）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい炭素数１０以上のアルキル基を表す。
Ｒｃ１で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は１０以下であり、本発明の効果がより優れる点で、１０～３０が好ましく、１０～２０がより好ましい。
Ｒｃ１で表されるアルキル基が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、上述したＲａ１で表されるアルキル基が有していてもよい置換基として例示した基が挙げられる。
Ｒｃ１で表される置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は１０以下であり、本発明の効果がより優れる点で、１０～３０が好ましく、１０～２０がより好ましい。
Ｒｃ１で表されるアルキル基が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、上述したＲａ１で表されるアルキル基が有していてもよい置換基として例示した基が挙げられる。
【0140】
一般式（Ｘ）～（Ｚ）中のＡ－は、アニオンを表す。
一般式（Ｘ）～（Ｚ）中のＡ－で表されるアニオンとしては、上述した一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中のＡ－のアニオンとして例示されたアニオンが挙げられる。
一般式（Ｘ）～（Ｚ）中のＡ－で表されるアニオンとしては、上述した一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中のＡ－のアニオンとして例示されたアニオンが挙げられる。
【0141】
第２溶液には溶媒が含まれる。溶媒の種類は特に制限されず、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類）、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。中でも、水が好ましい。
【0142】
第２溶液には、上記第４級アンモニウム塩及び溶媒以外の他の成分（例えば、上述した有機酸）が含まれていてもよい。
【0143】
第２溶液中における第４級アンモニウム塩の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、第２溶液全質量に対して、１０－６～１質量％が好ましく、１０－６～０．１質量％がより好ましい。
【0144】
第２溶液のｐＨ値は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、温度２５℃において３～７が好ましく、４～６がより好ましい。
【0145】
（工程５の手順）
細線と第２溶液とを接触させる方法は特に制限されず、細線を有する基板を第２溶液中に浸漬させる方法、及び、細線上に第２溶液を塗布する方法が挙げられる。
細線と第２溶液との接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点及び生産性の点から、５～１８０秒間が好ましく、２０～１２０秒間が好ましい。
細線と第２溶液との接触時の第２溶液の温度は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、２０～８０℃が好ましく、３０～７０℃がより好ましい。
細線と第２溶液とを接触させる方法は特に制限されず、細線を有する基板を第２溶液中に浸漬させる方法、及び、細線上に第２溶液を塗布する方法が挙げられる。
細線と第２溶液との接触時間は特に制限されず、本発明の効果がより優れる点及び生産性の点から、５～１８０秒間が好ましく、２０～１２０秒間が好ましい。
細線と第２溶液との接触時の第２溶液の温度は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、２０～８０℃が好ましく、３０～７０℃がより好ましい。
【0146】
細線と第２溶液とを接触させた後、必要に応じて、細線を溶媒（例えば、水）で洗浄してもよい。
【0147】
工程１と工程２との間で工程５を実施する場合、工程５と工程２と工程３とは繰り返し実施してもよい。つまり、工程３が終わった後、更に、工程５と工程２と工程３とを実施してもよい。
工程５～工程３までの手順を繰り返す回数は特に制限されず、２～４回が好ましい。
工程５～工程３までの手順を繰り返す回数は特に制限されず、２～４回が好ましい。
【0148】
また、工程２と工程３との間で工程５を実施する場合、工程２と工程５と工程３とは繰り返し実施してもよい。つまり、工程３が終わった後、更に、工程２と工程５と工程３とを実施してもよい。
工程２～工程５までの手順を繰り返す回数は特に制限されず、２～４回が好ましい。
工程２～工程５までの手順を繰り返す回数は特に制限されず、２～４回が好ましい。
【0149】
［工程６］
導電性基板の製造方法は、工程３の後に、工程３で得られた導電性細線に対して加熱処理を施す工程６を有していてもよい。本工程を実施することにより、導電性細線の強度が向上する。
工程６で実施する加熱処理としては、上述した工程Ｃで実施する加熱処理が挙げられる。
導電性基板の製造方法は、工程３の後に、工程３で得られた導電性細線に対して加熱処理を施す工程６を有していてもよい。本工程を実施することにより、導電性細線の強度が向上する。
工程６で実施する加熱処理としては、上述した工程Ｃで実施する加熱処理が挙げられる。
【0150】
［工程７］
導電性基板の製造方法は、工程３の後、又は、工程６の後に、導電性細線を溶媒で洗浄してもよい。使用される溶媒としては、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類）、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。
洗浄に用いられる溶媒は数種類使用してもよい。例えば、有機溶剤で洗浄した後に、さらに水で洗浄してもよい。
溶媒としては、混合溶媒を用いてもよく、例えば、アルコール類又はエーテル類と、水との混合溶媒が好ましい。アルコール類としては、エタノールが好ましく、エーテル類としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル又はジエチレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。
導電性基板の製造方法は、工程３の後、又は、工程６の後に、導電性細線を溶媒で洗浄してもよい。使用される溶媒としては、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類）、イオン性液体、及び、これらの混合溶媒が挙げられる。
洗浄に用いられる溶媒は数種類使用してもよい。例えば、有機溶剤で洗浄した後に、さらに水で洗浄してもよい。
溶媒としては、混合溶媒を用いてもよく、例えば、アルコール類又はエーテル類と、水との混合溶媒が好ましい。アルコール類としては、エタノールが好ましく、エーテル類としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル又はジエチレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。
【0151】
＜用途＞
上述のようにして得られた導電性基板は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（又は、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、及び、マザーボード等の種々の用途に適用できる。なかでも、本発明の導電性基板は、タッチパネル（静電容量式タッチパネル）に用いることが好ましい。
本発明の導電性基板をタッチパネルに用いる場合、上述した導電性細線は検出電極として有効に機能し得る。
なお、導電性基板においては、上述した所定の特性を有する導電性細線とは別に、導電性細線とは構成が異なる導電部を有していてもよい。この導電部は、上述した導電性細線と電気的に接続して、導通していてもよい。
上述のようにして得られた導電性基板は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（又は、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、及び、マザーボード等の種々の用途に適用できる。なかでも、本発明の導電性基板は、タッチパネル（静電容量式タッチパネル）に用いることが好ましい。
本発明の導電性基板をタッチパネルに用いる場合、上述した導電性細線は検出電極として有効に機能し得る。
なお、導電性基板においては、上述した所定の特性を有する導電性細線とは別に、導電性細線とは構成が異なる導電部を有していてもよい。この導電部は、上述した導電性細線と電気的に接続して、導通していてもよい。
【0152】
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の導電性基板の製造方法及び導電性基板について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良又は変更をしてもよいのはもちろんである。
【実施例0153】
以下に実施例を挙げて本発明の特徴を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、及び、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の実施例に限定されるものではない。
【0154】
＜実施例１＞
（ハロゲン化銀乳剤の調製）
３０℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液及び３液の各々９０％に相当する量を、１液を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記４液及び５液を８分間にわたって加え、更に、下記の２液及び３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、核粒子を０．１０μｍまで成長させた。更に、得られた溶液にヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し、粒子形成を終了した。
（ハロゲン化銀乳剤の調製）
３０℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液及び３液の各々９０％に相当する量を、１液を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記４液及び５液を８分間にわたって加え、更に、下記の２液及び３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、核粒子を０．１０μｍまで成長させた。更に、得られた溶液にヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し、粒子形成を終了した。
【0155】
１液：
水 ７５０ｍｌ
ゼラチン ８．６ｇ
臭化カリウム ３ｇ
１，３－ジメチルイミダゾリジン－２－チオン ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム １０ｍｇ
クエン酸 ０．７ｇ
２液：
水 ３００ｍｌ
硝酸銀 １５０ｇ
３液：
水 ３００ｍｌ
塩化ナトリウム ３８ｇ
臭化カリウム ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液） ５ｍｌ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液） ７ｍｌ
４液：
水 １００ｍｌ
硝酸銀 ５０ｇ
５液：
水 １００ｍｌ
塩化ナトリウム １３ｇ
臭化カリウム １１ｇ
黄血塩 ５ｍｇ
水 ７５０ｍｌ
ゼラチン ８．６ｇ
臭化カリウム ３ｇ
１，３－ジメチルイミダゾリジン－２－チオン ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム １０ｍｇ
クエン酸 ０．７ｇ
２液：
水 ３００ｍｌ
硝酸銀 １５０ｇ
３液：
水 ３００ｍｌ
塩化ナトリウム ３８ｇ
臭化カリウム ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液） ５ｍｌ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液） ７ｍｌ
４液：
水 １００ｍｌ
硝酸銀 ５０ｇ
５液：
水 １００ｍｌ
塩化ナトリウム １３ｇ
臭化カリウム １１ｇ
黄血塩 ５ｍｇ
【0156】
その後、常法に従ってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、上述の得られた溶液の温度を３５℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでｐＨを下げた（ｐＨ３．６±０．２の範囲であった）。次に、得られた溶液から上澄み液を約３リットル除去した（第１水洗）。次に、上澄み液を除去した溶液に、３リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、得られた溶液から上澄み液を３リットル除去した（第２水洗）。第２水洗と同じ操作を更に１回繰り返して（第３水洗）、水洗及び脱塩工程を終了した。水洗及び脱塩後の乳剤をｐＨ６．４、ｐＡｇ７．５に調整し、ゼラチン２．５ｇ、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム１０ｍｇ、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム３ｍｇ、チオ硫酸ナトリウム１５ｍｇ及び塩化金酸１０ｍｇを加え、５５℃にて最適感度を得るように化学増感を施した。その後、更に、得られた乳剤に、安定剤として１，３，３ａ，７－テトラアザインデン１００ｍｇ、及び、防腐剤としてプロキセル（商品名、ＩＣＩ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）１００ｍｇを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を０．０８モル％含み、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径（球相当径）１００ｎｍ、変動係数９％の塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。
【0157】
（感光性層形成用組成物の調製）
上述の乳剤に１，３，３ａ，７－テトラアザインデン（１．２×１０-4モル／モルＡｇ）、ハイドロキノン（１．２×１０-2モル／モルＡｇ）、クエン酸（３．０×１０-4モル／モルＡｇ）、２，４－ジクロロ－６－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジンナトリウム塩（０．９０ｇ／モルＡｇ）、及び、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のｐＨを５．６に調整した。
上述の組成物に、下記（Ｐ－１）で表される高分子（以下、「高分子１」ともいう。）とジアルキルフェニルＰＥＯ（ＰＥＯはポリエチレンオキシドの略号である。）硫酸エステルからなる分散剤と水とを含有するポリマーラテックス（高分子１の質量に対する分散剤の質量の比（分散剤の質量／高分子１の質量、単位はｇ／ｇ）が０．０２であって、固形分含有量が２２質量％である。）を、組成物中のゼラチンの合計質量に対する、高分子１の質量の比（高分子１の質量／ゼラチンの質量、単位ｇ／ｇ）が０．２５／１となるように添加して、ポリマーラテックス含有組成物を得た。ここで、ポリマーラテックス含有組成物において、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの質量の比（ゼラチンの質量／ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位はｇ／ｇである。）は０．１１であった。
更に、架橋剤としてＥＰＯＸＹ ＲＥＳＩＮ ＤＹ ０２２（商品名：ナガセケムテックス株式会社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ2となるように調整した。更に後述の界面活性剤１、界面活性剤２、及び増粘剤としてポリスチレンスルホン酸ナトリウム（分子量約１００万）を加えた。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、高分子１は、特許第３３０５４５９号公報及び特許第３７５４７４５号公報を参照して合成した。
上述の乳剤に１，３，３ａ，７－テトラアザインデン（１．２×１０-4モル／モルＡｇ）、ハイドロキノン（１．２×１０-2モル／モルＡｇ）、クエン酸（３．０×１０-4モル／モルＡｇ）、２，４－ジクロロ－６－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジンナトリウム塩（０．９０ｇ／モルＡｇ）、及び、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のｐＨを５．６に調整した。
上述の組成物に、下記（Ｐ－１）で表される高分子（以下、「高分子１」ともいう。）とジアルキルフェニルＰＥＯ（ＰＥＯはポリエチレンオキシドの略号である。）硫酸エステルからなる分散剤と水とを含有するポリマーラテックス（高分子１の質量に対する分散剤の質量の比（分散剤の質量／高分子１の質量、単位はｇ／ｇ）が０．０２であって、固形分含有量が２２質量％である。）を、組成物中のゼラチンの合計質量に対する、高分子１の質量の比（高分子１の質量／ゼラチンの質量、単位ｇ／ｇ）が０．２５／１となるように添加して、ポリマーラテックス含有組成物を得た。ここで、ポリマーラテックス含有組成物において、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの質量の比（ゼラチンの質量／ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位はｇ／ｇである。）は０．１１であった。
更に、架橋剤としてＥＰＯＸＹ ＲＥＳＩＮ ＤＹ ０２２（商品名：ナガセケムテックス株式会社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ2となるように調整した。更に後述の界面活性剤１、界面活性剤２、及び増粘剤としてポリスチレンスルホン酸ナトリウム（分子量約１００万）を加えた。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、高分子１は、特許第３３０５４５９号公報及び特許第３７５４７４５号公報を参照して合成した。
【0158】
【化9】
【0159】
厚み４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（「富士フイルム株式会社製ロール状の長尺フィルム」）に上述のポリマーラテックスを塗布して、厚み０．０５μｍの下塗り層を設けた。この処理はロール・トゥ・ロールで行い、以下の各処理（工程）もこれと同様にロール・トゥ・ロールで行った。なお、このときのロール幅は１ｍ、長さは１０００ｍであった。
【0160】
（工程Ｅ－１、工程Ａ－１、工程Ｆ－１）
次に、下塗り層上に、ハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上述の感光性層形成用組成物と、後述の保護層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とを形成した。
ここで、ハロゲン化銀不含有層形成用組成物は、上述の高分子１とゼラチンと、後述の染料の固体分散物、界面活性剤１、界面活性剤２、界面活性剤３、及び増粘剤としてポリスチレンスルホン酸ナトリウム（分子量約１００万）を含む水溶液からなり、ハロゲン化銀不含有層の厚みは２．０μｍであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は２／１であり、高分子１の含有量は１．３ｇ／ｍ2であった。また、染料の含有量は０．０８ｇ／ｍ２であり、界面活性剤１、界面活性剤２、界面活性剤３、増粘剤の含有量はそれぞれ０．０２ｇ／ｍ２、０．０２ｇ／ｍ２、０．０２ｇ／ｍ２、０．０４ｇ／ｍ２であった。
また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚みは２．５μｍであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．２５／１であり、高分子１の含有量は０．１９ｇ／ｍ2であった。また、界面活性剤１、界面活性剤２、増粘剤の含有量はそれぞれ０．０４ｇ／ｍ２、０．０１ｇ／ｍ２、０．０１ｇ／ｍ２であった。
次に、下塗り層上に、ハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上述の感光性層形成用組成物と、後述の保護層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とを形成した。
ここで、ハロゲン化銀不含有層形成用組成物は、上述の高分子１とゼラチンと、後述の染料の固体分散物、界面活性剤１、界面活性剤２、界面活性剤３、及び増粘剤としてポリスチレンスルホン酸ナトリウム（分子量約１００万）を含む水溶液からなり、ハロゲン化銀不含有層の厚みは２．０μｍであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は２／１であり、高分子１の含有量は１．３ｇ／ｍ2であった。また、染料の含有量は０．０８ｇ／ｍ２であり、界面活性剤１、界面活性剤２、界面活性剤３、増粘剤の含有量はそれぞれ０．０２ｇ／ｍ２、０．０２ｇ／ｍ２、０．０２ｇ／ｍ２、０．０４ｇ／ｍ２であった。
また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚みは２．５μｍであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．２５／１であり、高分子１の含有量は０．１９ｇ／ｍ2であった。また、界面活性剤１、界面活性剤２、増粘剤の含有量はそれぞれ０．０４ｇ／ｍ２、０．０１ｇ／ｍ２、０．０１ｇ／ｍ２であった。
【0161】
また、保護層形成用組成物は、上述の高分子１と、ゼラチンと、コロイダルシリカ（平均粒径１２ｎｍ：日産化学株式会社製、スノーテックスＣ）、界面活性剤１、界面活性剤２、界面活性剤３、界面活性剤４、増粘剤としてポリスチレンスルホン酸ナトリウム（分子量約１００万）、及び、ゼラチン架橋剤としてＮ，Ｎ'－ビス（ビニルスルホニルアセチル）エチレンジアミンエチレンビス（ビニルスルホニルアセトアミド）を含む水溶液からなり、保護層の厚みは０．１５μｍであり、保護層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．１／１であり、高分子１の含有量は０．０１５ｇ／ｍ2であった。また、コロイダルシリカの含有量は０．１ｇ／ｍ２、界面活性剤１、界面活性剤２（平均分子量１３６８）、界面活性剤３、界面活性剤４、増粘剤の含有量はそれぞれ０．０１ｇ／ｍ２、０．０２ｇ／ｍ２、０．０２ｇ／ｍ２、０．００１ｇ／ｍ２、０．０１ｇ／ｍ２であった。また、ゼラチン架橋剤の含有量は全層のゼラチンの質量の合計に対して３質量パーセントとなる量であった。
【0162】
【化10】
【0163】
【化11】
【0164】
【化12】
【0165】
【化13】
【0166】
【化14】
【0167】
（工程Ｂ）
作製した上述の感光性層に、格子状のフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した。フォトマスクとしてはパターン形成用のマスクを用いており、図１０に示すような格子を形成する単位正方格子の線幅は１．２μｍ、格子（開口部）の一辺の長さＬは６００μｍになるようにした。
露光後、得られたサンプルに対して、後述する現像液で現像し、更に定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ－Ｒ：富士フイルム株式会社製）を用いて現像処理を行った後、２５℃の純水でリンスし、その後乾燥して、メッシュパターン状に形成された、金属銀を含む銀含有層を有するサンプルＡを得た。サンプルＡにおいては、２１．０ｃｍ×２９．７ｃｍの大きさの導電性メッシュパターン領域が形成されていた。
作製した上述の感光性層に、格子状のフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した。フォトマスクとしてはパターン形成用のマスクを用いており、図１０に示すような格子を形成する単位正方格子の線幅は１．２μｍ、格子（開口部）の一辺の長さＬは６００μｍになるようにした。
露光後、得られたサンプルに対して、後述する現像液で現像し、更に定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ－Ｒ：富士フイルム株式会社製）を用いて現像処理を行った後、２５℃の純水でリンスし、その後乾燥して、メッシュパターン状に形成された、金属銀を含む銀含有層を有するサンプルＡを得た。サンプルＡにおいては、２１．０ｃｍ×２９．７ｃｍの大きさの導電性メッシュパターン領域が形成されていた。
【0168】
（現像液の組成）
現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ－メチルアミノフェノール ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ－メチルアミノフェノール ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
【0169】
得られた上述のサンプルＡを、５０℃の温水中に１８０秒間浸漬させた。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
【0170】
（工程Ｃ－１）
工程Ｂ－１で得られたサンプルＡを、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
工程Ｂ－１で得られたサンプルＡを、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
【0171】
（工程Ｄ－１）
工程Ｃ－１で得られたサンプルＡを、タンパク質分解酵素水溶液（４０℃）に３０秒間浸漬した。サンプルＡをタンパク質分解酵素水溶液から取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
なお、使用したタンパク質分解酵素水溶液は、以下の手順に従って調製した。
タンパク質分解酵素（ナガセケムテックス社製ビオプラーゼ３０Ｌ）の水溶液（タンパク質分解酵素の濃度：０．５質量％）に、トリエタノールアミン、硫酸を加えてｐＨを８．５に調製した。
工程Ｃ－１で得られたサンプルＡを、タンパク質分解酵素水溶液（４０℃）に３０秒間浸漬した。サンプルＡをタンパク質分解酵素水溶液から取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
なお、使用したタンパク質分解酵素水溶液は、以下の手順に従って調製した。
タンパク質分解酵素（ナガセケムテックス社製ビオプラーゼ３０Ｌ）の水溶液（タンパク質分解酵素の濃度：０．５質量％）に、トリエタノールアミン、硫酸を加えてｐＨを８．５に調製した。
【0172】
（工程２－１）
工程Ｄ－１で得られたサンプルＡを、１質量％のグルタル酸水溶液（７０℃）に２分間浸漬した。サンプルＡをグルタル酸水溶液から取り出し、サンプルＡを３０℃の水に５秒間浸漬して、洗浄した。グルタル酸は富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
工程Ｄ－１で得られたサンプルＡを、１質量％のグルタル酸水溶液（７０℃）に２分間浸漬した。サンプルＡをグルタル酸水溶液から取り出し、サンプルＡを３０℃の水に５秒間浸漬して、洗浄した。グルタル酸は富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
【0173】
（工程３－１）
工程２－１で得られたサンプルＡを、以下組成のめっき液Ａ（３０℃）に５分間浸漬した。サンプルＡをめっき液Ａから取り出し、サンプルＡを１質量％のクエン酸緩衝液（ｐＨ＝５、液温：２５℃）に３０秒間浸漬して、洗浄した。すなわち、中和洗浄を実施した。
めっき液Ａ（全量１２００ｍｌ）の組成は、以下の通りであった。なお、めっき液ＡのｐＨは９．９であり、炭酸カリウム（富士フイルム和光純薬株式会社製）を所定量加えることにより調整した。また、使用した以下の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。めっき処理前後で線幅の変化は見られなかった。
工程２－１で得られたサンプルＡを、以下組成のめっき液Ａ（３０℃）に５分間浸漬した。サンプルＡをめっき液Ａから取り出し、サンプルＡを１質量％のクエン酸緩衝液（ｐＨ＝５、液温：２５℃）に３０秒間浸漬して、洗浄した。すなわち、中和洗浄を実施した。
めっき液Ａ（全量１２００ｍｌ）の組成は、以下の通りであった。なお、めっき液ＡのｐＨは９．９であり、炭酸カリウム（富士フイルム和光純薬株式会社製）を所定量加えることにより調整した。また、使用した以下の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。めっき処理前後で線幅の変化は見られなかった。
【0174】
（めっき液Ａの組成）
・ＡｇＮＯ３ ２．１ｇ
・亜硫酸ナトリウム ８６ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 ６０ｇ
・アロンＴ－５０（東亞合成株式会社製、固形分濃度４０％） ３６ｇ
・メチルヒドロキノン １３ｇ
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
・ＡｇＮＯ３ ２．１ｇ
・亜硫酸ナトリウム ８６ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 ６０ｇ
・アロンＴ－５０（東亞合成株式会社製、固形分濃度４０％） ３６ｇ
・メチルヒドロキノン １３ｇ
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
【0175】
（工程７－１）
工程３－１で得られたサンプルＡを、質量比：水／ジエチレングリコールモノエチルエーテル＝３０／７０の溶液（液温：５０℃）に、６０秒間浸漬した。その後、得られたサンプルＡを水（液温：３０℃）に３０秒間浸漬して洗浄した。
（工程６－１）
工程３－１で得られたサンプルＡに対して、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。得られた導電性メッシュパターン領域は、導電性細線より形成されるメッシュ状の層であった。導電性細線の線幅は１．８μｍ、導電性細線の厚み（高さ）は１．８μｍであった。
工程３－１で得られたサンプルＡを、質量比：水／ジエチレングリコールモノエチルエーテル＝３０／７０の溶液（液温：５０℃）に、６０秒間浸漬した。その後、得られたサンプルＡを水（液温：３０℃）に３０秒間浸漬して洗浄した。
（工程６－１）
工程３－１で得られたサンプルＡに対して、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。得られた導電性メッシュパターン領域は、導電性細線より形成されるメッシュ状の層であった。導電性細線の線幅は１．８μｍ、導電性細線の厚み（高さ）は１．８μｍであった。
【0176】
得られたサンプルＡについて、導電性細線の表面に導電性を付与するため、イオンスパッタ装置（株式会社日立ハイテクノロジーズ製Ｅ－１０３０型イオンスパッタ）を用いてＰｔを被覆した。この状態で、集束イオンビーム加工機能付き走査型電子顕微鏡（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製Ｈｅｌｉｏｓ６００ｉ）のイオンビーム加工機能にて導電性細線の垂直断面を加工し、露出した断面形態を観察することにより、導電性細線内部の金属が存在する領域を観察でき、垂直断面の観察画像が得られた。なお、観察条件は、反射電子モードで、加速電圧:１ｋＶで行った。
【0177】
表１に記載する「線幅」及び「グレー値」は工程６－１の加熱水蒸気処理後に測定しており、測定には株式会社キーエンス製のマイクロスコープＶＨＸ－５０００を使用した。
【0178】
＜実施例２～１２、１８～２２＞
後述する表１に示すように、使用した第１溶液の種類、第１溶液の温度、基板の種類、導電性細線の線幅、導電性細線のアスペクト比を調整した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を作製した。
なお、導電性細線の線幅は、工程Ｂ－１における露光量を調整することにより制御した。また、導電性細線のアスペクト比は、感光性層形成用組成物の塗布量を調整することにより制御した。
後述する表１に示すように、使用した第１溶液の種類、第１溶液の温度、基板の種類、導電性細線の線幅、導電性細線のアスペクト比を調整した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を作製した。
なお、導電性細線の線幅は、工程Ｂ－１における露光量を調整することにより制御した。また、導電性細線のアスペクト比は、感光性層形成用組成物の塗布量を調整することにより制御した。
【0179】
＜実施例１３＞
工程Ｄ－１と工程２－１との間に、以下の工程５－１３を実施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を作製した。
工程Ｄ－１と工程２－１との間に、以下の工程５－１３を実施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を作製した。
【0180】
［工程５－１３］
工程Ｄ－１で得られたサンプルＡを、０．１質量％のラウリルピリジニウムクロリド水溶液（３０℃）に２分間浸漬した。サンプルＡをラウリルピリジニウムクロリド水溶液から取り出し、サンプルＡを３０℃の水に５秒間浸漬して、洗浄した。ラウリルピリジニウムクロリドは富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
工程Ｄ－１で得られたサンプルＡを、０．１質量％のラウリルピリジニウムクロリド水溶液（３０℃）に２分間浸漬した。サンプルＡをラウリルピリジニウムクロリド水溶液から取り出し、サンプルＡを３０℃の水に５秒間浸漬して、洗浄した。ラウリルピリジニウムクロリドは富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
【0181】
＜実施例１４＞
工程２－１と工程３－１との間に、以下の工程５－１４を実施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を作製した。
工程２－１と工程３－１との間に、以下の工程５－１４を実施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を作製した。
【0182】
［工程５－１４］
工程２－１で得られたサンプルＡを、０．１質量％のラウリルピリジニウムクロリド水溶液（３０℃）に２分間浸漬した。サンプルＡをラウリルピリジニウムクロリド水溶液から取り出し、サンプルＡを３０℃の水に５秒間浸漬して、洗浄した。ラウリルピリジニウムクロリドは富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
工程２－１で得られたサンプルＡを、０．１質量％のラウリルピリジニウムクロリド水溶液（３０℃）に２分間浸漬した。サンプルＡをラウリルピリジニウムクロリド水溶液から取り出し、サンプルＡを３０℃の水に５秒間浸漬して、洗浄した。ラウリルピリジニウムクロリドは富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
【0183】
＜実施例１５～１７＞
後述する表１に示すように、使用した第２溶液の種類を変更した以外は、実施例１４と同様の手順に従って、導電性基板を作製した。
後述する表１に示すように、使用した第２溶液の種類を変更した以外は、実施例１４と同様の手順に従って、導電性基板を作製した。
【0184】
＜比較例１＞
工程２－１及び工程３－１を実施しなかった以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を作製した。
工程２－１及び工程３－１を実施しなかった以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を作製した。
【0185】
＜比較例２＞
工程２－１を実施しなかった以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を作製した。
工程２－１を実施しなかった以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を作製した。
【0186】
＜評価＞
以下、評価項目である導電性、折り曲げ性、及び、視認性について説明する。
以下、評価項目である導電性、折り曲げ性、及び、視認性について説明する。
【0187】
（導電性）
導電性については、得られた導電性基板の導電性メッシュパターン領域の線抵抗値を測定して評価した。線抵抗値とは、四端針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（株式会社マイクロサポート製タングステンプローブ（直径０．５μｍ））を切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター、２４００型汎用ソースメーター）を用いて２５０μｍ間隔とした内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるよう定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒｉ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲｉをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求めた。得られた抵抗値ＲｉをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値とし、任意の１０箇所の測定値の平均値を、以下の基準に従って、導電性として評価した。導電性の評価としては、下記１～５のうち、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５が更に好ましい。
５：線抵抗値が６０Ω／ｍｍ未満である。
４：線抵抗値が６０Ω／ｍｍ以上、８０Ω／ｍｍ未満である。
３：線抵抗値が８０Ω／ｍｍ以上、１００Ω／ｍｍ未満である。
２：線抵抗値が１００Ω／ｍｍ以上、２００Ω／ｍｍ未満である。
１：線抵抗値が２００Ω／ｍｍ以上である。
導電性については、得られた導電性基板の導電性メッシュパターン領域の線抵抗値を測定して評価した。線抵抗値とは、四端針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（株式会社マイクロサポート製タングステンプローブ（直径０．５μｍ））を切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター、２４００型汎用ソースメーター）を用いて２５０μｍ間隔とした内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるよう定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒｉ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲｉをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求めた。得られた抵抗値ＲｉをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値とし、任意の１０箇所の測定値の平均値を、以下の基準に従って、導電性として評価した。導電性の評価としては、下記１～５のうち、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５が更に好ましい。
５：線抵抗値が６０Ω／ｍｍ未満である。
４：線抵抗値が６０Ω／ｍｍ以上、８０Ω／ｍｍ未満である。
３：線抵抗値が８０Ω／ｍｍ以上、１００Ω／ｍｍ未満である。
２：線抵抗値が１００Ω／ｍｍ以上、２００Ω／ｍｍ未満である。
１：線抵抗値が２００Ω／ｍｍ以上である。
【0188】
（折り曲げ性）
折り曲げ性については、得られた導電性基板を折り曲げ試験機で複数回、導電性細線が延在する方向と、折り曲げ方向とが作る角度が４５°になる方向に折り曲げ、導電性の変化を測定して評価した。折り曲げ試験には、ユアサシステム機器株式会社製の小型卓上試験機ＴＣＤＭ１１１ＬＨを使用した。折り曲げ半径を２ｍｍとし、２０万回折り曲げた後の抵抗変化δによって以下の基準に従って評価した。抵抗変化δは、抵抗変化δ＝（折り曲げ試験後の抵抗値）／（折り曲げ試験前の抵抗値）で表される。
ここでいう「抵抗値」とは、上述の導電性評価によって得られた抵抗値Ｒｉを指す。折り曲げ性の評価としては、下記１～５のうち、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５が更に好ましい。
５：δが１．１未満である。
４：δが１．１以上、１．１５未満である。
３：δが１．１５以上、１．２未満である。
２：δが１．２以上、１．５未満である。
１：δが１．５以上である、もしくは導電性細線が破断している。
折り曲げ性については、得られた導電性基板を折り曲げ試験機で複数回、導電性細線が延在する方向と、折り曲げ方向とが作る角度が４５°になる方向に折り曲げ、導電性の変化を測定して評価した。折り曲げ試験には、ユアサシステム機器株式会社製の小型卓上試験機ＴＣＤＭ１１１ＬＨを使用した。折り曲げ半径を２ｍｍとし、２０万回折り曲げた後の抵抗変化δによって以下の基準に従って評価した。抵抗変化δは、抵抗変化δ＝（折り曲げ試験後の抵抗値）／（折り曲げ試験前の抵抗値）で表される。
ここでいう「抵抗値」とは、上述の導電性評価によって得られた抵抗値Ｒｉを指す。折り曲げ性の評価としては、下記１～５のうち、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５が更に好ましい。
５：δが１．１未満である。
４：δが１．１以上、１．１５未満である。
３：δが１．１５以上、１．２未満である。
２：δが１．２以上、１．５未満である。
１：δが１．５以上である、もしくは導電性細線が破断している。
【0189】
（視認性）
得られた導電性基板をガラス／導電性基板／偏光板／偏光板（偏光面が直行する向き）／黒ＰＥＴ（パナック株式会社製、工業用黒ＰＥＴ（ＧＰＨ１００Ｅ８２Ａ０４））の順になるよう積層して、積層体を得た。なお、導電性基板中、導電性メッシュパターンがガラス側に位置するように、導電性基板を配置した。
次に、得られた積層体に対して、５００ｌｕｘの環境光にて、ガラス面側の正面及び斜め３０～６０°の角度から１０人の観察者が目視にて観察し、以下の基準に従って、視認性を評価した。なお、メッシュパターンが視認されにくい場合、光学特性に優れ、導電性基板をディスプレイに積層した際に発生するモアレが低減される。視認性の評価としては、下記１～５のうち、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５が更に好ましい。
５：１５ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンが視認されなかった。
４：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が０人又は１人であった。
３：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が２～４人であった。
２：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が５人以上であった。
１：５０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が５人以上であった。
得られた導電性基板をガラス／導電性基板／偏光板／偏光板（偏光面が直行する向き）／黒ＰＥＴ（パナック株式会社製、工業用黒ＰＥＴ（ＧＰＨ１００Ｅ８２Ａ０４））の順になるよう積層して、積層体を得た。なお、導電性基板中、導電性メッシュパターンがガラス側に位置するように、導電性基板を配置した。
次に、得られた積層体に対して、５００ｌｕｘの環境光にて、ガラス面側の正面及び斜め３０～６０°の角度から１０人の観察者が目視にて観察し、以下の基準に従って、視認性を評価した。なお、メッシュパターンが視認されにくい場合、光学特性に優れ、導電性基板をディスプレイに積層した際に発生するモアレが低減される。視認性の評価としては、下記１～５のうち、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５が更に好ましい。
５：１５ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンが視認されなかった。
４：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が０人又は１人であった。
３：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が２～４人であった。
２：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が５人以上であった。
１：５０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が５人以上であった。
【0190】
表１中の使用される化合物である「ＬＰＣ」はラウリルピリジニウムクロリド（富士フイルム和光純薬株式会社製）を表し、「ＤＳＡＢ」はジステアリルジメチルアンモニウムブロミド（富士フイルム和光純薬株式会社製）を表し、「ＥＰＢ」はエチルピリジニウムブロミド（東京化成工業株式会社製）を表す。
【0191】
表１中、「第１溶液」欄の「化合物」欄は第１溶液に含まれる有機酸の種類を表し、「第１溶液」欄の「濃度」欄は第１溶液に含まれる有機酸の第１溶液全質量に対する含有量（質量％）を表し、「第１溶液」欄の「ｐＨ」欄は第１溶液のｐＨを表し、「第１溶液」欄の「温度」欄は第１溶液の温度を表す。
なお、実施例１１及び１２においては、第１溶液中にグルタル酸及びＬＰＣの２種が含まれていることを示しており、「濃度」欄は左側の数値がグルタル酸の第１溶液全質量に対する含有量（質量％）、右側の数値がＬＰＣの第１溶液全質量に対する含有量（質量％）を表す。
表１中、「第２溶液」欄の「化合物」欄は第２溶液に含まれる有機酸の種類を表し、「第２溶液」欄の「濃度」欄は第２溶液に含まれる有機酸の第２溶液全質量に対する含有量（質量％）を表し、「第２溶液」欄の「ｐＨ」欄は第２溶液のｐＨを表し、「第２溶液」欄の「温度」欄は第２溶液の温度を表す。
表１中、「内部銀密度」欄は、導電性細線が延在する方向と直交する方向での導電性細線の垂直断面において、銀（金属）が観察される観察領域の最大内接円内での銀（金属）を示す領域の割合を表す。
表１中、「線幅」欄は、導電性細線の線幅を表す。
表１中、「厚み（高さ）」欄は、導電性細線の厚み（高さ）を表す。
表１中、「アスペクト比」欄は、導電性細線のアスペクト比（導電性細線の線幅に対する導電性細線の高さの比）を表す。
表１中、「グレー値」欄は、上述した、反射光を用いて導電性細線を撮像して得られるグレー値である。
表１中、「比γ」欄は、上述した、Ｌｍ／Ｌｓで表される比γである。
なお、上述したように、実施例１３においては、第２溶液を用いた工程５は第１溶液を用いた工程２の前に実施し、実施例１４～１７においては、第２溶液を用いた工程５は第１溶液を用いた工程２の後に実施した。
なお、実施例１１及び１２においては、第１溶液中にグルタル酸及びＬＰＣの２種が含まれていることを示しており、「濃度」欄は左側の数値がグルタル酸の第１溶液全質量に対する含有量（質量％）、右側の数値がＬＰＣの第１溶液全質量に対する含有量（質量％）を表す。
表１中、「第２溶液」欄の「化合物」欄は第２溶液に含まれる有機酸の種類を表し、「第２溶液」欄の「濃度」欄は第２溶液に含まれる有機酸の第２溶液全質量に対する含有量（質量％）を表し、「第２溶液」欄の「ｐＨ」欄は第２溶液のｐＨを表し、「第２溶液」欄の「温度」欄は第２溶液の温度を表す。
表１中、「内部銀密度」欄は、導電性細線が延在する方向と直交する方向での導電性細線の垂直断面において、銀（金属）が観察される観察領域の最大内接円内での銀（金属）を示す領域の割合を表す。
表１中、「線幅」欄は、導電性細線の線幅を表す。
表１中、「厚み（高さ）」欄は、導電性細線の厚み（高さ）を表す。
表１中、「アスペクト比」欄は、導電性細線のアスペクト比（導電性細線の線幅に対する導電性細線の高さの比）を表す。
表１中、「グレー値」欄は、上述した、反射光を用いて導電性細線を撮像して得られるグレー値である。
表１中、「比γ」欄は、上述した、Ｌｍ／Ｌｓで表される比γである。
なお、上述したように、実施例１３においては、第２溶液を用いた工程５は第１溶液を用いた工程２の前に実施し、実施例１４～１７においては、第２溶液を用いた工程５は第１溶液を用いた工程２の後に実施した。
【0192】
【表1】
【0193】
上記表１に示すように、本発明の導電性基板は所定の効果を示した。
なお、実施例１～１７の比較より、内部銀密度が８６％以上の場合、導電性がより優れることが確認された。
また、実施例１～１７の比較より、グレー値が１１５以下の場合、視認性がより優れることが確認された。
また、実施例２０と他の実施例との比較より、導電性細線の線幅が０．１μｍ以上５．０μｍ未満である場合、視認性がより優れることが確認された。
また、実施例２０及び２１と他の実施例との比較より、導電性細線のアスペクト比が０．６以上１．５未満の場合、折り曲げ性がより優れることが確認された。
また、実施例２２と他の実施例との比較より、基板として可撓性フィルムを使用した場合、折り曲げ性がより優れることが確認された。
また、実施例１、２、６～７の比較より、第１溶液の温度が６５～９５℃の場合、より優れた効果が得られることが確認された。
また、実施例１、３～５の比較より、第１溶液中における有機酸の含有量が０．５質量％以上の場合（好ましくは、０．５～１．５質量％の場合）、より優れた効果が得られることが確認された。
また、実施例１、８～１０の比較より、有機酸として２価以上のカルボン酸を使用した場合、より優れた効果が得られることが確認された。
なお、実施例１～１７の比較より、内部銀密度が８６％以上の場合、導電性がより優れることが確認された。
また、実施例１～１７の比較より、グレー値が１１５以下の場合、視認性がより優れることが確認された。
また、実施例２０と他の実施例との比較より、導電性細線の線幅が０．１μｍ以上５．０μｍ未満である場合、視認性がより優れることが確認された。
また、実施例２０及び２１と他の実施例との比較より、導電性細線のアスペクト比が０．６以上１．５未満の場合、折り曲げ性がより優れることが確認された。
また、実施例２２と他の実施例との比較より、基板として可撓性フィルムを使用した場合、折り曲げ性がより優れることが確認された。
また、実施例１、２、６～７の比較より、第１溶液の温度が６５～９５℃の場合、より優れた効果が得られることが確認された。
また、実施例１、３～５の比較より、第１溶液中における有機酸の含有量が０．５質量％以上の場合（好ましくは、０．５～１．５質量％の場合）、より優れた効果が得られることが確認された。
また、実施例１、８～１０の比較より、有機酸として２価以上のカルボン酸を使用した場合、より優れた効果が得られることが確認された。
【0194】
＜実施例２３～２８、比較例３～４＞
後述する表２に示すように、タンパク質分解酵素水溶液温度、浸漬時間、及び、溶液Ｘの種類及び浸漬時間を変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
なお、比較例３及び４では、溶液Ｘによる処理を実施していない。
また、実施例２３～２８においては、図１７に示すような、タッチパネルセンサー（検出電極層、周辺配線、シールド電極）が得られるようなマスクを用いて露光を行った。
後述する表２に示すように、タンパク質分解酵素水溶液温度、浸漬時間、及び、溶液Ｘの種類及び浸漬時間を変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
なお、比較例３及び４では、溶液Ｘによる処理を実施していない。
また、実施例２３～２８においては、図１７に示すような、タッチパネルセンサー（検出電極層、周辺配線、シールド電極）が得られるようなマスクを用いて露光を行った。
【0195】
タンパク質分解酵素水溶液を用いた処理（工程Ｄ）を実施した後に得られた細線中のゼラチン量、及び、めっき処理（工程３）を実施した後に得られた導電性細線中のゼラチンの量に関して、ＢＣＡ法にて定量した。結果を表２にまとめて示す。
導電性基板中の導電性細線内の金属原子数比率が５０％以上となった位置より基板側の内部領域の炭素原子と銀原子との原子数比率（炭素原子／銀原子：Ｃ／Ａｇ比）は、周辺パターンの基板側とは反対側の表面から深さ方向にＡｒスパッタ（２ｋＶ，Ａｒイオン，２ｍｍ□）とＸＰＳ（Ｘ線源：Ａｌ Ｋａアルバック・ファイ株式会社製Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ）によって分析することで算出した。
表２中の「残量１」欄は、工程Ｄを実施した後に得られた細線中のゼラチン量を表す。
表２中の「残量２」欄は、工程３後のシールド電極中でのゼラチン量を表す。
表２中の「残量３」欄は、工程３後の検出電極中でのゼラチン量を表す。
表２中の「残量４」欄は、工程３後の周辺配線中でのゼラチン量を表す。
表２中の「周辺パターン」欄は、シールド電極でのＣ／Ａｇ比を表す。
導電性基板中の導電性細線内の金属原子数比率が５０％以上となった位置より基板側の内部領域の炭素原子と銀原子との原子数比率（炭素原子／銀原子：Ｃ／Ａｇ比）は、周辺パターンの基板側とは反対側の表面から深さ方向にＡｒスパッタ（２ｋＶ，Ａｒイオン，２ｍｍ□）とＸＰＳ（Ｘ線源：Ａｌ Ｋａアルバック・ファイ株式会社製Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ）によって分析することで算出した。
表２中の「残量１」欄は、工程Ｄを実施した後に得られた細線中のゼラチン量を表す。
表２中の「残量２」欄は、工程３後のシールド電極中でのゼラチン量を表す。
表２中の「残量３」欄は、工程３後の検出電極中でのゼラチン量を表す。
表２中の「残量４」欄は、工程３後の周辺配線中でのゼラチン量を表す。
表２中の「周辺パターン」欄は、シールド電極でのＣ／Ａｇ比を表す。
【0196】
【表2】
【0197】
表２に示すように、ゼラチン除去の時間や、溶液Ｘとの接触時間を変更しても、所定の効果が得られることが確認された。
【0198】
＜実施例２９＞
図１２に示す検出電極（長さ１８ｃｍ、幅２ｍｍ、導電性細線の線幅１．８μｍ、開口率９９）及び周辺配線（幅２０μｍ、長さ１１ｃｍ）が得られるようにフォトマスクを変更し、溶液Ｘの温度及び浸漬時間を変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
図１２に示す検出電極（長さ１８ｃｍ、幅２ｍｍ、導電性細線の線幅１．８μｍ、開口率９９）及び周辺配線（幅２０μｍ、長さ１１ｃｍ）が得られるようにフォトマスクを変更し、溶液Ｘの温度及び浸漬時間を変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0199】
＜実施例３０＞
検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．３倍となるように調整した以外は、実施例２９と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．３倍となるように調整した以外は、実施例２９と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0200】
＜実施例３１＞
図１３に示す検出電極（長さ１８ｃｍ、幅２ｍｍ、導電性細線の線幅１．８μｍ、開口率９９）及び周辺配線（第１の配線部：幅１０μｍ、長さ７ｃｍ、第２の配線部：幅２０μｍ、長さ４ｃｍ）が得られるようにフォトマスクを変更し、溶液Ｘの温度及び浸漬時間を変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
図１３に示す検出電極（長さ１８ｃｍ、幅２ｍｍ、導電性細線の線幅１．８μｍ、開口率９９）及び周辺配線（第１の配線部：幅１０μｍ、長さ７ｃｍ、第２の配線部：幅２０μｍ、長さ４ｃｍ）が得られるようにフォトマスクを変更し、溶液Ｘの温度及び浸漬時間を変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0201】
＜実施例３２＞
検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．３倍となるように調整した以外は、実施例３１と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．３倍となるように調整した以外は、実施例３１と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0202】
＜実施例３３＞
第１の配線部の幅を５ｍｍに変更した以外は、実施例３１と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
第１の配線部の幅を５ｍｍに変更した以外は、実施例３１と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0203】
＜実施例３４＞
検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．３倍となるように調整した以外は、実施例３３と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．３倍となるように調整した以外は、実施例３３と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0204】
表３に示すように、周辺配線が接続されたパターンに変更しても、また、周辺配線の膜厚を変更しても所定の効果が得られることが確認された。
【0205】
【表3】
【0206】
＜実施例３５＞
図１２に示す検出電極（長さ１８ｃｍ、幅２ｍｍ、導電性細線の線幅１．８μｍ、開口率９９）及び周辺配線（幅２０μｍ、長さ１１ｃｍ）が得られるようにフォトマスクを変更した以外は、実施例２７と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
図１２に示す検出電極（長さ１８ｃｍ、幅２ｍｍ、導電性細線の線幅１．８μｍ、開口率９９）及び周辺配線（幅２０μｍ、長さ１１ｃｍ）が得られるようにフォトマスクを変更した以外は、実施例２７と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0207】
＜実施例３６＞
実施例３５で使用したフォトマスクについて、検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．３５倍となるように、周辺配線部分のみに半透過膜を付与したハーフトーンマスクを用いた以外は、実施例３５と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
実施例３５で使用したフォトマスクについて、検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．３５倍となるように、周辺配線部分のみに半透過膜を付与したハーフトーンマスクを用いた以外は、実施例３５と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0208】
＜実施例３７＞
実施例３５で使用したフォトマスクについて、検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．２５倍となるように、周辺配線部分のみに半透過膜を付与したハーフトーンマスクを用いた以外は、実施例３５と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
実施例３５で使用したフォトマスクについて、検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．２５倍となるように、周辺配線部分のみに半透過膜を付与したハーフトーンマスクを用いた以外は、実施例３５と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0209】
＜実施例３８＞
図１３に示す検出電極（長さ１８ｃｍ、幅２ｍｍ、導電性細線の線幅１．８μｍ、開口率９９）及び周辺配線（第１の配線部：幅１０μｍ、長さ７ｃｍ、第２の配線部：幅２０μｍ、長さ４ｃｍ）が得られるようにフォトマスクを変更した以外は、実施例２７と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
図１３に示す検出電極（長さ１８ｃｍ、幅２ｍｍ、導電性細線の線幅１．８μｍ、開口率９９）及び周辺配線（第１の配線部：幅１０μｍ、長さ７ｃｍ、第２の配線部：幅２０μｍ、長さ４ｃｍ）が得られるようにフォトマスクを変更した以外は、実施例２７と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0210】
＜実施例３９＞
実施例３８で使用したフォトマスクについて、検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．３５倍となるように、周辺配線部分のみに半透過膜を付与したハーフトーンマスクを用いた以外は、実施例３５と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
実施例３８で使用したフォトマスクについて、検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．３５倍となるように、周辺配線部分のみに半透過膜を付与したハーフトーンマスクを用いた以外は、実施例３５と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0211】
＜実施例４０＞
実施例３８で使用したフォトマスクについて、検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．２５倍となるように、周辺配線部分のみに半透過膜を付与したハーフトーンマスクを用いた以外は、実施例３５と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
実施例３８で使用したフォトマスクについて、検出電極の露光量に対する周辺配線の露光量が０．２５倍となるように、周辺配線部分のみに半透過膜を付与したハーフトーンマスクを用いた以外は、実施例３５と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0212】
＜実施例４１＞
第１の配線部の幅を５ｍｍに変更した以外は、実施例３８と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
第１の配線部の幅を５ｍｍに変更した以外は、実施例３８と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0213】
＜実施例４２＞
第１の配線部の幅を５ｍｍに変更した以外は、実施例３９と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
第１の配線部の幅を５ｍｍに変更した以外は、実施例３９と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0214】
＜実施例４３＞
第１の配線部の幅を５ｍｍに変更した以外は、実施例４０と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
第１の配線部の幅を５ｍｍに変更した以外は、実施例４０と同様の手順に従って、導電性基板を製造した。
【0215】
表４に示すように、周辺配線が接続されたパターンに変更しても、また、周辺配線の膜厚を変更しても所定の効果が得られることが確認された。
【0216】
【表4】
【0217】
＜実施例４４＞
実施例１と同様の手順でサンプルＡを連続で１００枚作製した。工程Ｂの現像液・定着液、工程Ｄ－１のタンパク質分解酵素水溶液、工程２－１の１質量％グルタル酸水溶液、工程３－１の１質量％クエン酸緩衝液は同じ液を連続して使用した。それ以外の液は都度新しい液を使用した。１００枚目のサンプルについて実施例１と同様の評価を行った。
＜実施例４５＞
工程３－１の１質量％クエン酸緩衝液を０．１５質量％クエン酸水溶液（ｐＨ：２．７）に変更した以外は実施例４４と同様の手順に従って作製した。
＜実施例４６＞
工程３－１の１質量％クエン酸緩衝液を純水に変更した以外は実施例４４と同様の手順に従って作製した。
実施例１と同様の手順でサンプルＡを連続で１００枚作製した。工程Ｂの現像液・定着液、工程Ｄ－１のタンパク質分解酵素水溶液、工程２－１の１質量％グルタル酸水溶液、工程３－１の１質量％クエン酸緩衝液は同じ液を連続して使用した。それ以外の液は都度新しい液を使用した。１００枚目のサンプルについて実施例１と同様の評価を行った。
＜実施例４５＞
工程３－１の１質量％クエン酸緩衝液を０．１５質量％クエン酸水溶液（ｐＨ：２．７）に変更した以外は実施例４４と同様の手順に従って作製した。
＜実施例４６＞
工程３－１の１質量％クエン酸緩衝液を純水に変更した以外は実施例４４と同様の手順に従って作製した。
【0218】
表５に示すように、実施例４４は、めっき停止液に緩衝液を用いており、めっき液が混入してもｐＨ上昇が抑制され、連続１００枚処理しても、１枚目と同等の性能を維持することができた。また、実施例４５は、めっき停止液に用いた緩衝液のｐＨが低く、めっき液由来の亜硫酸から硫黄等が発生し、導電率が若干低下した。実施例４６は、めっき停止液に純水を用いており、めっき液が混入するにつれてｐＨが上昇し、めっき反応が停止しにくくなり、グレー値が上がり、視認性が若干悪くなった。
【0219】
【表5】
【符号の説明】
【0220】
１０ 導電性基板
１２ 基板
１２ａ、１４ａ 表面
１２ｂ 裏面
１４、１４Ｂ 導電性細線
１５ 金属
１６ 高分子
１８ 開口部
２０ 外接四角形
２０ａ、２３ａ 一辺
２０ｂ、２０ｃ 辺
２１、２２ 接点
２２ａ 上部接点
２３ 上部外接四角形
３０、３０ａ タッチパネルセンサー
３２ 検出部
３３ 周辺配線部
３４Ａ 第１検出電極層
３４Ｂ 第２検出電極層
３５ 第１検出電極
３６ａ 第１ダミー電極
３６ｂ 第２ダミー電極
３７ 第２検出電極
３８ 第１電極端子
３９ 第２電極端子
４０ａ 第１周辺配線
４０ｂ 第２周辺配線
４１ａ 第１外部接続端子
４１ｂ 第２外部接続端子
４２ フレキシブル回路基板
４３ シールド電極
４３ａ 第１の配線部
４３ｂ 第２の配線部
４３ｃ 第３の配線部
４３ｄ 第４の配線部
Ａｃ 垂直断面
ＤＬ 方向
ＤＷ 方向
Ｅ１ 検出領域
Ｅ２ 周辺領域
Ｒ 観察領域
ＲＬ 輪郭線
Ｒｂ 領域
Ｒｍ 輪郭線
Ｓ 最大内接円
Ｔ 高さ
Ｗａ 線幅
１２ 基板
１２ａ、１４ａ 表面
１２ｂ 裏面
１４、１４Ｂ 導電性細線
１５ 金属
１６ 高分子
１８ 開口部
２０ 外接四角形
２０ａ、２３ａ 一辺
２０ｂ、２０ｃ 辺
２１、２２ 接点
２２ａ 上部接点
２３ 上部外接四角形
３０、３０ａ タッチパネルセンサー
３２ 検出部
３３ 周辺配線部
３４Ａ 第１検出電極層
３４Ｂ 第２検出電極層
３５ 第１検出電極
３６ａ 第１ダミー電極
３６ｂ 第２ダミー電極
３７ 第２検出電極
３８ 第１電極端子
３９ 第２電極端子
４０ａ 第１周辺配線
４０ｂ 第２周辺配線
４１ａ 第１外部接続端子
４１ｂ 第２外部接続端子
４２ フレキシブル回路基板
４３ シールド電極
４３ａ 第１の配線部
４３ｂ 第２の配線部
４３ｃ 第３の配線部
４３ｄ 第４の配線部
Ａｃ 垂直断面
ＤＬ 方向
ＤＷ 方向
Ｅ１ 検出領域
Ｅ２ 周辺領域
Ｒ 観察領域
ＲＬ 輪郭線
Ｒｂ 領域
Ｒｍ 輪郭線
Ｓ 最大内接円
Ｔ 高さ
Ｗａ 線幅
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
