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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022162913
(43)【公開日】2022-10-25
(54)【発明の名称】コネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法
(51)【国際特許分類】
C25D 7/00 20060101AFI20221018BHJP
C25D 5/12 20060101ALI20221018BHJP
C25D 5/50 20060101ALI20221018BHJP
H01R 13/03 20060101ALI20221018BHJP
H01R 43/16 20060101ALI20221018BHJP
【ＦＩ】
C25D7/00 H
C25D5/12
C25D5/50
H01R13/03 D
H01R43/16
【審査請求】有
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021067981
(22)【出願日】2021-04-13
(71)【出願人】
【識別番号】502362758
【氏名又は名称】ＪＸ金属株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000523
【氏名又は名称】アクシス国際特許業務法人
(72)【発明者】
【氏名】片山 晃一
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼橋 知亮
(72)【発明者】
【氏名】成井 浩徳
(72)【発明者】
【氏名】大江 淳雄
【テーマコード（参考）】
4K024
5E063
【Ｆターム（参考）】
4K024AA01
4K024AA03
4K024AA04
4K024AA05
4K024AA07
4K024AA09
4K024AA10
4K024AA11
4K024AA12
4K024AA14
4K024AA21
4K024AB02
4K024AB03
4K024AB04
4K024AB15
4K024AB17
4K024BA09
4K024BB10
4K024BC10
4K024CA01
4K024CA02
4K024CA04
4K024DB02
4K024DB10
4K024GA03
4K024GA16
5E063GA02
5E063GA05
5E063GA08
5E063XA01
(57)【要約】
【課題】メスピンへの挿入力（摩擦力）が低く、且つ、メスピンとの接触抵抗が良好なコネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備え、傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、第１領域の硬度は、第２領域の硬度よりも高く、第２領域の接触抵抗は、第１領域の接触抵抗よりも低く、少なくとも第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
【選択図】図１
【解決手段】銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備え、傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、第１領域の硬度は、第２領域の硬度よりも高く、第２領域の接触抵抗は、第１領域の接触抵抗よりも低く、少なくとも第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域の硬度は、前記第２領域の硬度よりも高く、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低く、
少なくとも前記第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域の硬度は、前記第２領域の硬度よりも高く、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低く、
少なくとも前記第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
【請求項2】
前記第１領域は、Ｎｉ、Ｓｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ及びＣｒの少なくとも一種以上によって被覆されている、請求項１に記載のコネクタ用オスピン。
【請求項3】
銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域は、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されており、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低い、コネクタ用オスピン。
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域は、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されており、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低い、コネクタ用オスピン。
【請求項4】
前記第２領域は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上によって被覆されている、請求項１～３のいずれか一項に記載のコネクタ用オスピン。
【請求項5】
１６０℃で１２０時間加熱した後の前記第２領域の接触抵抗が１０ｍΩ以下である、請求項１～４のいずれか一項に記載のコネクタ用オスピン。
【請求項6】
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
【請求項7】
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域及び前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域及び前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
【請求項8】
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
【請求項9】
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＮｉめっき、又はＣｏめっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＮｉめっき、又はＣｏめっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
【請求項10】
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＩｎめっき又はＩｎ合金めっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＩｎめっき又はＩｎ合金めっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
【請求項11】
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第１のめっきを行う工程２と、
前記第２領域に、前記第１のめっきより厚みの大きいＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第２のめっきを行う工程３と、
前記第１領域の第１のめっき、及び、前記第２領域の第２のめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第１のめっきを行う工程２と、
前記第２領域に、前記第１のめっきより厚みの大きいＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第２のめっきを行う工程３と、
前記第１領域の第１のめっき、及び、前記第２領域の第２のめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、コネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
民生用及び車載用電子機器用接続部品であるコネクタには、黄銅やリン青銅の表面にＮｉやＣｕの下地めっきを施し、さらにその上にＳｎ又はＳｎ合金めっきを施した材料が使用されている。近年、Ｓｎ又はＳｎ合金めっきは、めっき材をプレス加工で成形したオス端子及びメス端子嵌合時の挿入力の低減化が求められている。
【0003】
特許文献１には、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に、Ｎｉ層、Ｃｕ－Ｓｎ合金層及びＳｎ層からなる表面めっき層がこの順に形成され、かつＮｉ層の厚さが０．１～１．０μｍ、Ｃｕ－Ｓｎ合金層の厚さが０．１～１．０μｍ、そのＣｕ濃度が３５～７５ａｔ％、Ｓｎ層の厚さが２．０μｍ以下で、かつ０．００１～０．１質量％のカーボンを含有する接続部品用導電材料が開示されている。そして、このような構成によれば、高温雰囲気下で長時間経過後も低接触抵抗を維持することができると記載されている。
【0004】
特許文献２には、基材に下地めっきを施し、次に第１層のＳｎめっきを施し、更にその上に第１層の１／２以下の平均厚みＩｎめっきを施し、続いてリフローして外観良好なＳｎ－Ｉｎ合金めっきを得ることができると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００７－００２３４１号公報
【特許文献2】特開平１１－２７９７９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
一般に、端子の最大挿入力は、オス端子先端の傾斜部と平坦部との境界をメス端子の接点部が乗り越えるときに生じる。この挿入力を低減するには、低摩擦係数を付与するめっきの適用または端子形状の改善が求められる。低摩擦係数を付与するＳｎ系めっきとして知られる３層めっきは、硬いＣｕ－Ｓｎ層で端子嵌合時の摺動部に掛かる荷重を保持し、挿入力を低く保つ構造となっている。しかしながら、表層が純ＳｎであるためリフローＳｎと同様の機構で摩擦が発生する。その他、従来、種々のめっき構造が知られているが、それぞれ問題がある。例えば、表面にＣｕ－Ｓｎ層を露出させた構造では、挿入力は更に低減するが、表面に酸化Ｃｕが生じることで、接触抵抗が悪化する懸念がある。これは、Ｃｕに限らず、酸化する金属とＳｎとの合金を用いても同様である。
【0007】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、メスピンへの挿入力（摩擦力）が低く、且つ、メスピンとの接触抵抗が良好なコネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明者らは、鋭意検討の結果、オスピンの傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とを区別して互いに異なるめっきで被覆し、第１領域と第２領域とに、それぞれ所定の特性を持たせることにより、上記課題を解決することができることを見出した。
【0009】
以上の知見を基礎として完成した本発明の実施形態は、以下のように特定される。
（１）銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域の硬度は、前記第２領域の硬度よりも高く、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低く、
少なくとも前記第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
（２）前記第１領域は、Ｎｉ、Ｓｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ及びＣｒの少なくとも一種以上によって被覆されている、（１）に記載のコネクタ用オスピン。
（３）銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域は、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されており、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低い、コネクタ用オスピン。
（４）前記第２領域は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上によって被覆されている、（１）～（３）のいずれかに記載のコネクタ用オスピン。
（５）１６０℃で１２０時間加熱した後の前記第２領域の接触抵抗が１０ｍΩ以下である、（１）～（４）のいずれかに記載のコネクタ用オスピン。
（６）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（７）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域及び前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（８）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（９）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＮｉめっき、又はＣｏめっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（１０）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＩｎめっき又はＩｎ合金めっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（１１）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第１のめっきを行う工程２と、
前記第２領域に、前記第１のめっきより厚みの大きいＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第２のめっきを行う工程３と、
前記第１領域の第１のめっき、及び、前記第２領域の第２のめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（１）銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域の硬度は、前記第２領域の硬度よりも高く、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低く、
少なくとも前記第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
（２）前記第１領域は、Ｎｉ、Ｓｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ及びＣｒの少なくとも一種以上によって被覆されている、（１）に記載のコネクタ用オスピン。
（３）銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域は、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されており、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低い、コネクタ用オスピン。
（４）前記第２領域は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上によって被覆されている、（１）～（３）のいずれかに記載のコネクタ用オスピン。
（５）１６０℃で１２０時間加熱した後の前記第２領域の接触抵抗が１０ｍΩ以下である、（１）～（４）のいずれかに記載のコネクタ用オスピン。
（６）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（７）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域及び前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（８）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（９）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＮｉめっき、又はＣｏめっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（１０）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＩｎめっき又はＩｎ合金めっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（１１）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第１のめっきを行う工程２と、
前記第２領域に、前記第１のめっきより厚みの大きいＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第２のめっきを行う工程３と、
前記第１領域の第１のめっき、及び、前記第２領域の第２のめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
【発明の効果】
【0010】
本発明の実施形態によれば、メスピンへの挿入力（摩擦力）が低く、且つ、メスピンとの接触抵抗が良好なコネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン、及び、嵌合するコネクタ用メスピンの外観模式図である。
【図2】本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンの上面模式図である。
【図3】本発明の実施形態に係る「製法１」で製造したコネクタ用オスピンの層構造である。
【図4】本発明の実施形態に係る「製法２」または「製法５」で製造したコネクタ用オスピンの層構造である。
【図5】本発明の実施形態に係る「製法３」で製造したコネクタ用オスピンの層構造である。
【図6】本発明の実施形態に係る「製法４」で製造したコネクタ用オスピンの層構造である。
【図7】（Ａ）は実施例２に係る外観観察写真である。（Ｂ）は（Ａ）の矢印方向に指し示す第１領域（Ｎｉ）と第２領域（Ｓｎ）との境界を含む領域において測定したＳＥＭ像である。
【図8】（Ａ）は実施例６の第１領域に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は実施例６の第１領域に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図9】（Ａ）は実施例１０の第１領域に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は実施例１０の第１領域に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図10】（Ａ）は実施例１０の第２領域に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は実施例１０の第２領域に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図11】（Ａ）は実施例１１の第１領域に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は実施例１１の第１領域に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図12】（Ａ）は実施例１１の第２領域に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は実施例１１の第２領域に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図13】（Ａ）は実施例１２の第１領域に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は実施例１２の第１領域に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図14】（Ａ）は比較例１に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は比較例１に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図15】比較例２に係る断面ＴＥＭ像である。
【図16】比較例４に係る断面ＴＥＭ像である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明のコネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法の実施形態について説明するが、本発明は、これに限定されて解釈されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて、種々の変更、修正、改良を加え得るものである。
【0013】
＜コネクタ用オスピンの構成＞
本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンは、銅又は銅合金からなる基材と、基材の表面に形成されためっき層とで構成されている。コネクタ用オスピンの基材の表面にはＮｉまたはＮｉ合金などからなる下地層が形成されており、さらに後述のように、所定の部位に所定のめっき層が形成されている。本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンの形状は、後述の傾斜部と平坦部とを有する限り特に限定されず、一般に公知のコネクタ用オスピンが有する形状とすることができる。図１に、一例として、本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０、及び、嵌合するコネクタ用メスピン２０の外観模式図を示す。
本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンは、銅又は銅合金からなる基材と、基材の表面に形成されためっき層とで構成されている。コネクタ用オスピンの基材の表面にはＮｉまたはＮｉ合金などからなる下地層が形成されており、さらに後述のように、所定の部位に所定のめっき層が形成されている。本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンの形状は、後述の傾斜部と平坦部とを有する限り特に限定されず、一般に公知のコネクタ用オスピンが有する形状とすることができる。図１に、一例として、本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０、及び、嵌合するコネクタ用メスピン２０の外観模式図を示す。
【0014】
図１に示すように、本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０は、コネクタ用メスピン２０に挿入される傾斜部１１と、傾斜部１１に連なる平坦部１２とを備えている。図１に示すコネクタ用オスピン１０では、四角柱状に形成され、先端が傾斜して先細り、傾斜部１１を構成している。当該四角柱の４つの側面が、それぞれ平坦部１２を有している。コネクタ用オスピン１０は、円柱状であってもよく、三角柱、五角柱などの多角柱状に形成されていてもよい。また、傾斜部１１の角度についても特に限定されず、嵌合するコネクタ用メスピン２０との関係で適宜設計することができる。
【0015】
コネクタ用オスピン１０は、図２に示すように、傾斜部１１から傾斜部１１と平坦部１２との境界１３を含む第１領域１４と、コネクタ用メスピン２０に嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域１５とが、互いに異なるめっきで被覆されている。第１領域１４は、コネクタ用オスピン１０をコネクタ用メスピン２０に嵌合させる際に、初めに挿入される部分に対応し、傾斜部１１を含み、さらに傾斜部１１と平坦部１２との境界１３を含む領域である。第１領域１４は、傾斜部１１から境界１３までであってもよく、図２に示すように、境界１３から少し平坦部１２まで伸びた領域であってもよい。
【0016】
第２領域１５は、コネクタ用メスピン２０に嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する領域に対応し、図２に示すように、第１領域１４の終端から、平坦部１２の所定の長さまでの領域とされ、その長さはコネクタ用メスピン２０の大きさによって適宜調整することができる。
【0017】
コネクタ用オスピン１０の大きさは特に限定されず、コネクタ用メスピン２０との関係から適宜調整することができる。コネクタ用メスピン２０の軸方向における第１領域１４の長さは、例えば、先端から１．５～３ｍｍ程度、第２領域の長さは第１領域との境目から２ｍｍ以上にそれぞれ設計することができる。
【0018】
コネクタ用オスピン１０は、上述のように、コネクタ用メスピン２０に初めに挿入される第１領域１４と、コネクタ用メスピン２０に嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域１５とを、互いに異なるめっきで被覆することで、後述の実施形態１及び２で示すように、それぞれ別々の部位で別々の特性を持たせている。
【0019】
（実施形態１）
本発明の実施形態１に係るコネクタ用オスピン１０は、第１領域１４の硬度が、第２領域１５の硬度よりも高い。このような構成によれば、コネクタ用メスピン２０に初めに挿入される第１領域１４の硬度が第２領域１５の硬度よりも高いため、コネクタ用オスピン１０の挿入力を抑えることができる。第１領域１４の硬度が第２領域１５の硬度よりも相対的に高いことが必要であり、硬さの基準については特に限定されないが、例えば、第１領域１４のビッカース硬さをＨｖ１００以上とし、第２領域１５のビッカース硬さを、第１領域１４のビッカース硬さ未満であり、且つ、Ｈｖ１００未満とすることができる。
本発明の実施形態１に係るコネクタ用オスピン１０は、第１領域１４の硬度が、第２領域１５の硬度よりも高い。このような構成によれば、コネクタ用メスピン２０に初めに挿入される第１領域１４の硬度が第２領域１５の硬度よりも高いため、コネクタ用オスピン１０の挿入力を抑えることができる。第１領域１４の硬度が第２領域１５の硬度よりも相対的に高いことが必要であり、硬さの基準については特に限定されないが、例えば、第１領域１４のビッカース硬さをＨｖ１００以上とし、第２領域１５のビッカース硬さを、第１領域１４のビッカース硬さ未満であり、且つ、Ｈｖ１００未満とすることができる。
【0020】
第１領域１４は、Ｎｉ、Ｓｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ及びＣｒの少なくとも一種以上によって被覆されていてもよい。このような構成によれば、Ｎｉ、Ｓｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒは硬度が高い金属であるため、第１領域１４の硬度を向上させることができる。
【0021】
本発明の実施形態１に係るコネクタ用オスピン１０は、第２領域１５の接触抵抗が第１領域１４の接触抵抗よりも低い。このような構成によれば、第２領域１５の接触抵抗が第１領域１４の接触抵抗よりも低いため、コネクタ用メスピン２０に嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域１５の導電率が相対的に高くなる。第２領域１５の接触抵抗は、良好な導電率を得るという観点からは小さいほうが好ましい。また、接触抵抗が大きすぎると導通不良という問題が生じるおそれがある。このような観点から、第２領域１５の接触抵抗は、５ｍΩ以下であるのが好ましく、３ｍΩ以下であるのがより好ましい。
【0022】
本発明の実施形態１に係るコネクタ用オスピン１０は、少なくとも第１領域１４がオイルで被覆されている。オイルとしては、リン酸エステル、パラフィン類及びチオール化合物等のコンタクトオイルとして一般に用いられているものを使用することができる。少なくとも第１領域１４に被覆されたオイルは、１０ｎｍ以下の厚みの非常に薄い層を構成している。このように、第１領域１４がオイルで被覆されていることで、第１領域１４の潤滑性が向上し、コネクタ用オスピン１０の挿入力を良好に抑制することができる。また、第１領域１４の耐食性が向上し、酸化が抑制されて、耐熱性やはんだ濡れ性等の耐久性を向上させることができる。なお、オスピンの第１領域がオイルで被覆されていることは、オスピンの第１領域を有機溶剤（アセトンなど適宜適した溶媒）に溶かし、当該溶出成分をＧＣ－ＭＳ（ガスクロマトグラフィー質量分析）にかけることによって確認することが出来る。
【0023】
上述のように、本発明の実施形態１に係るコネクタ用オスピン１０は、第１領域と第２領域という異なる部位に、それぞれ異なる特性を持たせているため、共に高い特性を得ることが難しい挿入力と接触抵抗とを両立させることができ、コネクタ用メスピン２０への挿入力（摩擦力）が低く、且つ、メスピンとの接触抵抗が良好となる。
【0024】
（実施形態２）
本発明の実施形態２に係るコネクタ用オスピン１０は、第１領域１４が、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されている。このような構成によれば、第１領域１４が、自己潤滑作用を有する金属であるＩｎ又はＩｎ合金によって被覆されているため、第１領域１４の挿入力を抑制することができる。
本発明の実施形態２に係るコネクタ用オスピン１０は、第１領域１４が、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されている。このような構成によれば、第１領域１４が、自己潤滑作用を有する金属であるＩｎ又はＩｎ合金によって被覆されているため、第１領域１４の挿入力を抑制することができる。
【0025】
本発明の実施形態２に係るコネクタ用オスピン１０は、第２領域１５の接触抵抗が、第１領域の接触抵抗よりも低い。このような構成によれば、第２領域１５の接触抵抗が第１領域１４の接触抵抗よりも低いため、コネクタ用メスピン２０に嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域１５の導電率が相対的に高くなる。
【0026】
上述のように、本発明の実施形態２に係るコネクタ用オスピン１０は、第１領域と第２領域という異なる部位に、それぞれ異なる特性を持たせているため、共に高い特性を得ることが難しい挿入力と接触抵抗とを両立させることができ、コネクタ用メスピン２０への挿入力（摩擦力）が低く、且つ、メスピンとの接触抵抗が良好となる。
【0027】
本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０は、第２領域１５が、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上によって被覆されていてもよい。このような構成によれば、コネクタ用メスピン２０に嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域１５の接触抵抗が低下し、導電率が向上する。また、第２領域１５のはんだ濡れ性も向上する。
【0028】
本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０は、１６０℃で１２０時間加熱した後の第２領域の接触抵抗が１０ｍΩ以下であるのが好ましい。このような構成によれば、コネクタ用オスピン１０の長時間の使用（通電）による接触抵抗の上昇を抑制することができ、製品としての耐久性が向上する。コネクタ用オスピン１０は、１６０℃で１２０時間加熱した後の第２領域の接触抵抗が１０ｍΩ以下であるのがより好ましい。
【0029】
＜コネクタ用オスピンの製造方法＞
次に、本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０の製造方法について詳述する。コネクタ用オスピン１０は、以下の「製法１」～「製法５」に示す５通りの製造方法によってそれぞれ製造することができる。なお、以下の説明では便宜的に第１領域の最表層をＮｉ、Ｃｏ、Ｉｎ、又はこれらの合金とし、第２領域の最表層をＳｎとしているが、上述の通り第１領域および第２領域の最表層はこれに限定されるものではない。
次に、本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０の製造方法について詳述する。コネクタ用オスピン１０は、以下の「製法１」～「製法５」に示す５通りの製造方法によってそれぞれ製造することができる。なお、以下の説明では便宜的に第１領域の最表層をＮｉ、Ｃｏ、Ｉｎ、又はこれらの合金とし、第２領域の最表層をＳｎとしているが、上述の通り第１領域および第２領域の最表層はこれに限定されるものではない。
【0030】
（製法１：リフロー前に第１領域のめっきを剥離）
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる（オスピンの）基材を準備する。基材表面は、前処理として脱脂及び酸洗を行っておく。
次に、傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる（オスピンの）基材を準備する。基材表面は、前処理として脱脂及び酸洗を行っておく。
次に、傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。
【0031】
下地めっきを行った後は、Ｃｕめっき等によって中間層めっきを形成した後に後述のＳｎめっきを行ってもよいし、中間層めっきを形成することなく後述のＳｎめっきを行ってもよい。中間層めっきは、下地めっきのＮｉなどの金属が上層へ拡散することを抑制するために形成される。当該中間層めっきとしては、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。
【0032】
次に、第１領域及び第２領域にＳｎめっきを行う。当該Ｓｎめっきとしては、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。なお、当該Ｓｎめっきは、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきであってもよい。
【0033】
次に、第１領域のＳｎめっきを剥離させる。Ｓｎめっきの剥離方法としては特に限定されないが、例えば、第１領域のみを剥離液（例えば、石原ケミカル株式会社製のＳＰＦ－１１）に浸漬することで、表層のＳｎめっきを剥離させることができる。なお、中間層めっきを形成している場合は、このとき同時に第１領域の中間層めっきを剥離させてもよい。
【0034】
次に、第２領域のＳｎめっきにリフロー処理（加熱処理）を行う。このとき、第１領域も同時に、すなわち、めっき材料全体がリフロー処理されていてもよい。リフローの条件、すなわち加熱温度と加熱時間を調整することにより、表層の厚みや組成が決定される。リフロー条件は、例えば、最高到達点１６０～３００℃とし、加熱時間８～２０秒を、室温から到達温度までの加熱時間で実施してもよい。
【0035】
リフロー処理を施した後に、後処理として、第１領域に対し、更に摩擦を低下させ、また低ウィスカ性及び耐久性も向上させる目的でコンタクトオイル等によるオイル被覆処理を行う。オイル被覆処理としては、第１領域をオイル浴に浸漬してもよく、オイルを噴霧または塗布してもよい。最後に熱風等でオイルを乾燥させる。
以上の「製法１」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図３に示す。
以上の「製法１」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図３に示す。
【0036】
（製法２：リフロー後に第１領域のめっきを剥離）
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
【0037】
次に、第１領域及び第２領域にＳｎめっきを行う。当該Ｓｎめっきとしては、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。なお、当該Ｓｎめっきは、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきであってもよい。
【0038】
次に、第１領域及び第２領域のＳｎめっきにリフロー処理（加熱処理）を行う。リフローの条件、すなわち加熱温度と加熱時間を調整することにより、表層の厚みや組成が決定される。リフロー条件は、製法１と同様とすることができる。
【0039】
次に、第１領域のＳｎめっきを剥離させる。Ｓｎめっきの剥離方法としては特に限定されないが、例えば、第１領域のみを剥離液（例えば、石原ケミカル株式会社製のＳＰＦ－１１）に浸漬することで、表層のＳｎめっきを剥離させることができる。なお、中間層めっきを形成している場合は、このとき同時に第１領域の中間層めっきを剥離させてもよい。
【0040】
第１領域のＳｎめっきを剥離させた後に、後処理として、第１領域に対し、オイル被覆処理を行う。オイル被覆処理としては、製法１と同様とすることができる。最後に熱風等でオイルを乾燥させる。
以上の「製法２」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図４に示す。
以上の「製法２」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図４に示す。
【0041】
（製法３：第２領域にのみＳｎめっき）
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
【0042】
次に、第１領域を除くように第２領域にＳｎめっきを行う。当該Ｓｎめっきとしては、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。なお、当該Ｓｎめっきは、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきであってもよい。
【0043】
次に、第２領域のＳｎめっきにリフロー処理（加熱処理）を行う。このとき、第１領域も同時にリフロー処理されていてもよい。リフローの条件、すなわち加熱温度と加熱時間を調整することにより、表層の厚みや組成が決定される。リフロー条件は、製法１と同様とすることができる。
【0044】
リフロー処理を施した後に、後処理として、第１領域に対し、オイル被覆処理を行う。オイル被覆処理としては、製法１と同様とすることができる。最後に熱風等でオイルを乾燥させる。
以上の「製法３」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図５に示す。
以上の「製法３」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図５に示す。
【0045】
（製法４：第１領域に後付けめっき）
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
【0046】
次に、第１領域及び第２領域にＳｎめっきを行う。当該Ｓｎめっきとしては、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。なお、当該Ｓｎめっきは、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきであってもよい。
【0047】
次に、第１領域のＳｎめっき表面にＮｉめっき、Ｃｏめっき、Ｉｎめっき又はＩｎ合金めっきを行う。当該Ｎｉめっき、Ｃｏめっき、Ｉｎめっき、Ｉｎ合金めっきとしては、それぞれ、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。
【0048】
次に、第２領域のＳｎめっきにリフロー処理（加熱処理）を行う。このとき、第１領域も同時にリフロー処理されていてもよい。リフローの条件、すなわち加熱温度と加熱時間を調整することにより、表層の厚みや組成が決定される。リフロー条件は、製法１と同様とすることができる。
【0049】
リフロー処理を施した後に、後処理として、第１領域に対し、オイル被覆処理を行う。オイル被覆処理としては、製法１と同様とすることができる。最後に熱風等でオイルを乾燥させる。
以上の「製法４」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図６に示す。
以上の「製法４」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図６に示す。
【0050】
（製法５：差厚めっき）
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
【0051】
次に、第１領域に厚さ０．１～０．２μｍのＳｎめっき（第１のＳｎめっき）を行う。なお、下地めっき上に中間層めっき（Ｃｕめっき等）を形成している場合は、Ｓｎめっきは中間層めっきの２倍程度の厚み以下に形成することが好ましい。例えば、中間層めっきとして厚み０．３μｍのＣｕめっきを形成した場合は、Ｓｎめっきは０．６μｍ以下の厚みに形成することが好ましい。このような構成によれば、Ｃｕ－Ｓｎ合金の生成においてＳｎが余ってしまうことを抑制することができる。当該Ｓｎめっきとしては、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。なお、当該第１のＳｎめっきは、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきであってもよい。
【0052】
次に、第２領域に、第１のＳｎめっきより厚みの大きいＳｎめっき（第２のＳｎめっき）を行う。このとき、第２のＳｎめっきは、第１のＳｎめっきの厚みの３～６倍の厚みを有することが好ましい。第２のＳｎめっきが、第１のＳｎめっきの厚みの３倍以上の厚みを有すると、接触抵抗を低くすることができる。また、第２のＳｎめっきが、第１のＳｎめっきの厚みの６倍以下の厚みを有すると、生産性を上げることができる。なお、当該第２のＳｎめっきは、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきであってもよい。
【0053】
次に、第１領域の第１のＳｎめっき、及び、第２領域の第２のＳｎめっきにリフロー処理（加熱処理）を行う。リフロー条件は、製法１と同様とすることができる。但し、第１領域の最表層に純Ｓｎ層が残らないようにリフロー条件を適宜設定する。
【0054】
リフロー処理を施した後に、後処理として、第１領域に対し、オイル被覆処理を行う。オイル被覆処理としては、製法１と同様とすることができる。最後に熱風等でオイルを乾燥させる。
以上の「製法５」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図４に示す。製法５によれば、めっき材料の第１領域をエッジマスクなどで覆い、第１領域に流れる電流量を減らすことで、一回で（一つのめっき浴で）第１のＳｎめっき及び第２のＳｎめっきを同時に行うことができるため、製造効率が良好である。
以上の「製法５」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図４に示す。製法５によれば、めっき材料の第１領域をエッジマスクなどで覆い、第１領域に流れる電流量を減らすことで、一回で（一つのめっき浴で）第１のＳｎめっき及び第２のＳｎめっきを同時に行うことができるため、製造効率が良好である。
【0055】
上述の製法１～５で製造されるコネクタ用オスピンの各めっき層の厚みに関して、第２領域におけるリフローＳｎめっきは０．８～２μｍであるのが好ましい。また、第２領域が３層めっき（下地めっき層、中間層、表層）である場合は、下地めっき層の厚みは０．２～１．５μｍ、中間層の厚みは０．１～１．５μｍ、表層の厚みは０．２～１．５μｍであるのが好ましい。
また、製法４で、第１領域のＳｎめっき表面にＮｉめっき、Ｃｏめっき、Ｉｎめっき又はＩｎ合金めっきを行うが、下層のＳｎめっきを十分に覆うという観点から、各めっきの厚みが０．３μｍ以上であるのが好ましい。また、製造コストの増加を抑制することができるため、各めっきの厚みは１．０μｍ以下であるのが好ましい。
また、製法４で、第１領域のＳｎめっき表面にＮｉめっき、Ｃｏめっき、Ｉｎめっき又はＩｎ合金めっきを行うが、下層のＳｎめっきを十分に覆うという観点から、各めっきの厚みが０．３μｍ以上であるのが好ましい。また、製造コストの増加を抑制することができるため、各めっきの厚みは１．０μｍ以下であるのが好ましい。
【0056】
上述の製法１～５で示した本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンの製造方法によれば、いずれも、コネクタ用オスピンの第１領域は表層がＳｎ以外の金属でめっきされており、挿入力が抑制されている。Ｓｎ以外の金属は、純Ｓｎと比べると接触抵抗が高くなりやすいが、コネクタ用オスピンの先端はメスピンとの電気的な接点として使用されないため、機能上問題はない。また、コネクタ用オスピンの第２領域は、リフローＳｎめっきまたは３層めっきが形成されており、良好な接触抵抗を維持している。リフローＳｎめっきまたは３層めっきは摩擦係数が悪化するが、コネクタ用オスピンの先端の挿入力が低下することでコネクタ用オスピン全体の最大挿入力は低減する。
【実施例0057】
以下、本発明の実施例と比較例を共に示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。
【0058】
＜コネクタ用オスピンの作製＞
実施例１～１２及び比較例１～９として、下記の基材に対し、電解脱脂、酸洗をこの順で行った。次に、下記のめっき処理Ａ～Ｅを行った。
実施例１～１２及び比較例１～９として、下記の基材に対し、電解脱脂、酸洗をこの順で行った。次に、下記のめっき処理Ａ～Ｅを行った。
【0059】
（基材）
図１に示す形状のコネクタ用オスピンの基材を準備した。基材の全長は２３ｍｍ、先端から傾斜部を含む２ｍｍまでを第１領域とし、残りの領域を第２領域とした。メスピンとの接点は先端から３ｍｍの位置となる。基材の成分はＣｕ－３０Ｚｎであった。
図１に示す形状のコネクタ用オスピンの基材を準備した。基材の全長は２３ｍｍ、先端から傾斜部を含む２ｍｍまでを第１領域とし、残りの領域を第２領域とした。メスピンとの接点は先端から３ｍｍの位置となる。基材の成分はＣｕ－３０Ｚｎであった。
【0060】
（めっき処理Ａ：製法１のめっき処理）
（製法１）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、以下の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
（製法１）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、以下の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
【0061】
・無光沢Ｎｉめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）
めっき温度：５５℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）
めっき温度：５５℃
【0062】
次に、第１領域及び第２領域に、以下の条件で無光沢Ｓｎめっきを行い、厚み１μｍのＳｎ層を形成した。
【0063】
・無光沢Ｓｎめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：メタンスルホン酸Ｓｎめっき液（ＪＸ金属商事（株）、ＮＳＰ－Ｓ２００）
めっき方法：電気めっき
めっき液：メタンスルホン酸Ｓｎめっき液（ＪＸ金属商事（株）、ＮＳＰ－Ｓ２００）
【0064】
次に、サンプルの第１領域のみを、剥離液（石原ケミカル株式会社製のＳＰＦ－１１）に４０℃で１分浸漬させた後、洗浄することで、第１領域のＳｎめっきを剥離させた。
次に、サンプルに対し、リフロー処理（加熱処理）を行った。リフロー処理は、電気管状炉を６５０℃に設定し、大気雰囲気の電気管状炉内におかれたサンプルが１６０℃～３００℃に達したことを熱電対で確認して、表１に示す処理時間及び設定温度で実施した。
リフロー処理を施した後に、後処理として、第１領域に対し、コンタクトオイル（Ｈａｒｒｙ Ｍｉｌｌｅｒ Ｃｏｒｐ製ＨＭ－１５）を塗布した後、熱風で乾燥させることで、第１領域にオイル層を形成した。
次に、サンプルに対し、リフロー処理（加熱処理）を行った。リフロー処理は、電気管状炉を６５０℃に設定し、大気雰囲気の電気管状炉内におかれたサンプルが１６０℃～３００℃に達したことを熱電対で確認して、表１に示す処理時間及び設定温度で実施した。
リフロー処理を施した後に、後処理として、第１領域に対し、コンタクトオイル（Ｈａｒｒｙ Ｍｉｌｌｅｒ Ｃｏｒｐ製ＨＭ－１５）を塗布した後、熱風で乾燥させることで、第１領域にオイル層を形成した。
【0065】
（めっき処理Ｂ：製法３のめっき処理）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、以下の条件で、無光沢Ｎｉめっき、半光沢Ｎｉめっき、または、光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、以下の条件で、無光沢Ｎｉめっき、半光沢Ｎｉめっき、または、光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
【0066】
・無光沢Ｎｉめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）
めっき温度：５５℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）
めっき温度：５５℃
【0067】
・半光沢Ｎｉめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）＋サッカリン
めっき温度：５５℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）＋サッカリン
めっき温度：５５℃
【0068】
・光沢Ｎｉめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）＋サッカリン＋添加剤
めっき温度：５５℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）＋サッカリン＋添加剤
めっき温度：５５℃
【0069】
次に、第２領域に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっきを行い、厚み１μｍのＳｎ層を形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
【0070】
（めっき処理Ｃ：製法４のめっき処理）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、実施例１２については、下地めっき上に、中間層めっきとして、以下の条件で厚み０．３６μｍのＣｕめっきを施した。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、実施例１２については、下地めっき上に、中間層めっきとして、以下の条件で厚み０．３６μｍのＣｕめっきを施した。
【0071】
・Ｃｕめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：硫酸Ｃｕめっき液（Ｃｕ濃度６０ｇ／Ｌ）
めっき方法：電気めっき
めっき液：硫酸Ｃｕめっき液（Ｃｕ濃度６０ｇ／Ｌ）
【0072】
次に、第１領域及び第２領域に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっきを行い、厚み１μｍまたは０．２７μｍのＳｎ層を形成した。
次に、第１領域のＳｎめっき表面に、以下の条件で、Ｎｉめっき、Ｃｏめっき、または、Ｉｎめっきを行った。各めっき厚みは表１に示すように、０．３μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、または、１．０μｍであった。
次に、第１領域のＳｎめっき表面に、以下の条件で、Ｎｉめっき、Ｃｏめっき、または、Ｉｎめっきを行った。各めっき厚みは表１に示すように、０．３μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、または、１．０μｍであった。
【0073】
・Ｎｉめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）
めっき温度：５５℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）
めっき温度：５５℃
【0074】
・Ｃｏめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：硫酸コバルトめっき液（Ｃｏ濃度８５ｇ／Ｌ）
めっき温度：５５℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：硫酸コバルトめっき液（Ｃｏ濃度８５ｇ／Ｌ）
めっき温度：５５℃
【0075】
・Ｉｎめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：Ｉｎめっき液（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース株式会社、ミクロファブＩｎ４９５０）
めっき温度：３０℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：Ｉｎめっき液（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース株式会社、ミクロファブＩｎ４９５０）
めっき温度：３０℃
【0076】
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
【0077】
（めっき処理Ｄ：製法５のめっき処理）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、実施例１１については、下地めっき上に、中間層めっきとして、上述のめっき処理Ｃと同様の条件で厚み０．３μｍのＣｕめっきを施した。
次に、第１領域に上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっき（第１のＳｎめっき）を行い、第１領域のみに厚み０．１μｍまたは０．４μｍのＳｎめっきを形成した。
次に、第２領域に上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっき（第２のＳｎめっき）を行い、第２領域のみに厚み０．９μｍまたは０．４μｍのＳｎめっきを形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、実施例１１については、下地めっき上に、中間層めっきとして、上述のめっき処理Ｃと同様の条件で厚み０．３μｍのＣｕめっきを施した。
次に、第１領域に上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっき（第１のＳｎめっき）を行い、第１領域のみに厚み０．１μｍまたは０．４μｍのＳｎめっきを形成した。
次に、第２領域に上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっき（第２のＳｎめっき）を行い、第２領域のみに厚み０．９μｍまたは０．４μｍのＳｎめっきを形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
【0078】
（めっき処理Ｅ：従来のめっき処理）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、比較例２～５については、下地めっき上に、中間層めっきとして、上述のめっき処理Ｃと同様の条件で厚み０．３μｍのＣｕめっきを施した。
次に、第１領域及び第２領域に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっきを行い、厚み１μｍ、０．８μｍ、０．４μｍ、０．２μｍ、または、０．１μｍのＳｎ層を形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、比較例２～５については、下地めっき上に、中間層めっきとして、上述のめっき処理Ｃと同様の条件で厚み０．３μｍのＣｕめっきを施した。
次に、第１領域及び第２領域に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっきを行い、厚み１μｍ、０．８μｍ、０．４μｍ、０．２μｍ、または、０．１μｍのＳｎ層を形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
【0079】
＜評価＞
・層構成
各サンプルの層構成は、以下に示すように、ＳＥＭ像及びＴＥＭ像を撮影して評価した。また、いくつかのサンプルについては、他のサンプルの評価結果から推定した。
実施例１～３、５～９のサンプルについて、それぞれ、ＳＥＭ（ＪＥＯＬ株式会社製、型式ＪＳＭ－５４１０）にて１００～１００００倍の倍率で断面観察を行った。図７（Ａ）に、実施例２について、上述のオスピンが５本連なったサンプルの外観観察写真を示す。図７（Ｂ）に、図７（Ａ）の矢印方向に指し示す第１領域（Ｎｉ）と第２領域（Ｓｎ）との境界を含む領域において測定したＳＥＭ像を示す。
実施例６、１０～１２、比較例１、２、４のサンプルについて、それぞれ、透過電子顕微鏡：ＴＥＭ（日本電子株式会社製ＪＥＭ－２１００Ｆ）を用いて、加速電圧：２００ｋＶとして、断面分析を行った。得られた断面ＴＥＭ像について、図８（Ａ）（実施例６の第１領域）、図９（Ａ）（実施例１０の第１領域）、図１０（Ａ）（実施例１０の第２領域）、図１１（Ａ）（実施例１１の第１領域）、図１２（Ａ）（実施例１１の第２領域）、図１３（Ａ）（実施例１２の第１領域）、図１４（Ａ）（比較例１）、図１５（比較例２）、図１６（比較例４）に示す。各ＴＥＭ像では、ライン分析方向を矢印で示している。
また、上記ライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフについて、図８（Ｂ）（実施例６の第１領域）、図９（Ｂ）（実施例１０の第１領域）、図１０（Ｂ）（実施例１０の第２領域）、図１１（Ｂ）（実施例１１の第１領域）、図１２（Ｂ）（実施例１１の第２領域）、図１３（Ｂ）（実施例１２の第１領域）、図１４（Ｂ）（比較例１）に示す。
実施例１～３の層構成について、第１領域はＳＥＭ像から推定し、第２領域は比較例１から推定した。
実施例４の層構成について、実施例１～３と構造は同じであると推定した。
実施例６の第１領域の層構成について、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。第２領域の層構成は比較例１から推定した。
実施例５、７～９の層構成について、第１領域は実施例６の断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認し、第２領域は比較例１から推定した。なお、表２において実施例５～９の第１領域の層構成は、１種類の層構成ではなく場所によってその層構成が異なると考えられる。例えば、実施例６の第１領域の層構成は図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示されるように、基材／Ｎｉ／Ｎｉ－Ｓｎの層構成と、基材／Ｎｉ／Ｎｉ－Ｓｎ／Ｓｎ／Ｎｉ－Ｓｎの層構成とが混在している。
実施例１０、１１の第１領域および第２領域の層構成それぞれについて、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。
実施例１２の層構成について、第１領域は全面にその組成を付けためっきの断面ＴＥＭ像・ライン分析結果（不図示）から、第２領域は比較例４から推定した。なお、実施例１２の第２領域はＣｕ／Ｓｎ＝０．３６／０．２７に対し、比較例４は０．３０／０．４０とＳｎ比が厚いが、図１６に示される断面では表層までＣｕ－Ｓｎ合金化しているため、実施例１２の第２領域も表層までＣｕ－Ｓｎ合金化していると考えられる。
比較例１、２、４の層構成について、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。
比較例３の層構成について、比較例１、２、４から推定した。
・層構成
各サンプルの層構成は、以下に示すように、ＳＥＭ像及びＴＥＭ像を撮影して評価した。また、いくつかのサンプルについては、他のサンプルの評価結果から推定した。
実施例１～３、５～９のサンプルについて、それぞれ、ＳＥＭ（ＪＥＯＬ株式会社製、型式ＪＳＭ－５４１０）にて１００～１００００倍の倍率で断面観察を行った。図７（Ａ）に、実施例２について、上述のオスピンが５本連なったサンプルの外観観察写真を示す。図７（Ｂ）に、図７（Ａ）の矢印方向に指し示す第１領域（Ｎｉ）と第２領域（Ｓｎ）との境界を含む領域において測定したＳＥＭ像を示す。
実施例６、１０～１２、比較例１、２、４のサンプルについて、それぞれ、透過電子顕微鏡：ＴＥＭ（日本電子株式会社製ＪＥＭ－２１００Ｆ）を用いて、加速電圧：２００ｋＶとして、断面分析を行った。得られた断面ＴＥＭ像について、図８（Ａ）（実施例６の第１領域）、図９（Ａ）（実施例１０の第１領域）、図１０（Ａ）（実施例１０の第２領域）、図１１（Ａ）（実施例１１の第１領域）、図１２（Ａ）（実施例１１の第２領域）、図１３（Ａ）（実施例１２の第１領域）、図１４（Ａ）（比較例１）、図１５（比較例２）、図１６（比較例４）に示す。各ＴＥＭ像では、ライン分析方向を矢印で示している。
また、上記ライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフについて、図８（Ｂ）（実施例６の第１領域）、図９（Ｂ）（実施例１０の第１領域）、図１０（Ｂ）（実施例１０の第２領域）、図１１（Ｂ）（実施例１１の第１領域）、図１２（Ｂ）（実施例１１の第２領域）、図１３（Ｂ）（実施例１２の第１領域）、図１４（Ｂ）（比較例１）に示す。
実施例１～３の層構成について、第１領域はＳＥＭ像から推定し、第２領域は比較例１から推定した。
実施例４の層構成について、実施例１～３と構造は同じであると推定した。
実施例６の第１領域の層構成について、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。第２領域の層構成は比較例１から推定した。
実施例５、７～９の層構成について、第１領域は実施例６の断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認し、第２領域は比較例１から推定した。なお、表２において実施例５～９の第１領域の層構成は、１種類の層構成ではなく場所によってその層構成が異なると考えられる。例えば、実施例６の第１領域の層構成は図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示されるように、基材／Ｎｉ／Ｎｉ－Ｓｎの層構成と、基材／Ｎｉ／Ｎｉ－Ｓｎ／Ｓｎ／Ｎｉ－Ｓｎの層構成とが混在している。
実施例１０、１１の第１領域および第２領域の層構成それぞれについて、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。
実施例１２の層構成について、第１領域は全面にその組成を付けためっきの断面ＴＥＭ像・ライン分析結果（不図示）から、第２領域は比較例４から推定した。なお、実施例１２の第２領域はＣｕ／Ｓｎ＝０．３６／０．２７に対し、比較例４は０．３０／０．４０とＳｎ比が厚いが、図１６に示される断面では表層までＣｕ－Ｓｎ合金化しているため、実施例１２の第２領域も表層までＣｕ－Ｓｎ合金化していると考えられる。
比較例１、２、４の層構成について、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。
比較例３の層構成について、比較例１、２、４から推定した。
【0080】
・挿入力
得られた試料の挿入力は、市販のＳｎリフローめっきメスピン（０２５型住友ＴＳ／矢崎０９０ＩＩシリーズメス端子非防水）を用いてめっきを施したオスピンと挿抜試験することによって評価した。
得られた試料の挿入力は、市販のＳｎリフローめっきメスピン（０２５型住友ＴＳ／矢崎０９０ＩＩシリーズメス端子非防水）を用いてめっきを施したオスピンと挿抜試験することによって評価した。
【0081】
試験に用いた測定装置は、アイコーエンジニアリング株式会社製１３１１ＮＲであり、オスピンの摺動距離３ｍｍで評価した。サンプル数は５個とした。挿入力は、各サンプルの最大値を平均した値を採用した。
【0082】
・接触抵抗（初期）
接触抵抗は株式会社山崎精機研究所製の精密摺動試験装置ＣＲＳ－Ｇ２０５０型を用い、接点荷重１Ｎに設定し、四端子法にて測定した。コネクタを模倣するため、接点部の凸材はＳｎめっき板材（Ｃｕ－３０ＺｎにＳｎを１μｍめっき）をφ３ｍｍの半球状に加工したものを使用した。当該接触抵抗を表２に「接触抵抗（初期）」として示す。
接触抵抗は株式会社山崎精機研究所製の精密摺動試験装置ＣＲＳ－Ｇ２０５０型を用い、接点荷重１Ｎに設定し、四端子法にて測定した。コネクタを模倣するため、接点部の凸材はＳｎめっき板材（Ｃｕ－３０ＺｎにＳｎを１μｍめっき）をφ３ｍｍの半球状に加工したものを使用した。当該接触抵抗を表２に「接触抵抗（初期）」として示す。
【0083】
・接触抵抗（耐熱）
耐熱性は、大気加熱（１６０℃、１２０時間以上）試験後のサンプルの接触抵抗を測定し、評価した。目標とする特性は、接触抵抗１０ｍΩ以下である。当該接触抵抗を表２に「接触抵抗（耐熱）」として示す。
耐熱性は、大気加熱（１６０℃、１２０時間以上）試験後のサンプルの接触抵抗を測定し、評価した。目標とする特性は、接触抵抗１０ｍΩ以下である。当該接触抵抗を表２に「接触抵抗（耐熱）」として示す。
【0084】
・はんだ濡れ性
第２領域と同じめっき構造を有するサンプルを溶かした鉛フリーはんだに浸漬し、Ｓｏｌｄｅｒ ｃｈｅｃｋｅｒ ＳＡＴ－５２００を用いてはんだ濡れ時間を測定した。はんだ濡れ時間（最大濡れ力の２／３に達するまでの時間）が１秒以下をＡ、１秒超３秒以下をＢ、３秒超をＣと評価した。
第２領域と同じめっき構造を有するサンプルを溶かした鉛フリーはんだに浸漬し、Ｓｏｌｄｅｒ ｃｈｅｃｋｅｒ ＳＡＴ－５２００を用いてはんだ濡れ時間を測定した。はんだ濡れ時間（最大濡れ力の２／３に達するまでの時間）が１秒以下をＡ、１秒超３秒以下をＢ、３秒超をＣと評価した。
【0085】
試験条件及び評価結果を表１、２に示す。
【0086】
【表1】
【0087】
【表2】
【0088】
（評価結果）
実施例１～１２は、いずれも、挿入力（摩擦力）が１．３Ｎよりも低かった。
実施例１～１２は、接触抵抗は未評価であるが、表層のめっき構成がこれらと同様である比較例１または比較例４の接触抵抗が良好に抑制されていることから、実施例１～１２も同様に接触抵抗が抑制されていると考えられる。
実施例１～１１は、良好なはんだ濡れ性を示した。
実施例１～１２は、いずれも、挿入力（摩擦力）が１．３Ｎよりも低かった。
実施例１～１２は、接触抵抗は未評価であるが、表層のめっき構成がこれらと同様である比較例１または比較例４の接触抵抗が良好に抑制されていることから、実施例１～１２も同様に接触抵抗が抑制されていると考えられる。
実施例１～１１は、良好なはんだ濡れ性を示した。
【0089】
比較例１、４、６、８は、挿入力が大きかった。
比較例８は、接触抵抗（耐熱）が大きかった。また、比較例８は表層のめっき厚みが０．２μｍと厚いにもかかわらず接触抵抗が大きいため、同様のめっき構成であり、且つ、表層のめっき厚みが比較例８より薄い比較例６、７、及び、表層のめっき厚みが比較例８と同じである比較例９についても、接触抵抗が大きいことがわかる。
また、一般に表層のＳｎめっき厚みが薄いと挿入力が下がる。比較例２は、Ｓｎめっき厚みが比較例１及び４の間であるため、挿入力についてもそれらの間、すなわち、１．３９～１．５の間にあると類推できる。比較例３の挿入力も同様の観点から、比較例１及び５の間、すなわち、１．１２～１．５の間にあると類推できる。
比較例３は、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った以外は比較例２と同様に作製したものであるため、比較例２と同等の接触抵抗を示すと考えられる。
比較例５は、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った以外は比較例４と同様に作製したものであるため、比較例４と同等の接触抵抗を示すと考えられる。
比較例８は、接触抵抗（耐熱）が大きかった。また、比較例８は表層のめっき厚みが０．２μｍと厚いにもかかわらず接触抵抗が大きいため、同様のめっき構成であり、且つ、表層のめっき厚みが比較例８より薄い比較例６、７、及び、表層のめっき厚みが比較例８と同じである比較例９についても、接触抵抗が大きいことがわかる。
また、一般に表層のＳｎめっき厚みが薄いと挿入力が下がる。比較例２は、Ｓｎめっき厚みが比較例１及び４の間であるため、挿入力についてもそれらの間、すなわち、１．３９～１．５の間にあると類推できる。比較例３の挿入力も同様の観点から、比較例１及び５の間、すなわち、１．１２～１．５の間にあると類推できる。
比較例３は、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った以外は比較例２と同様に作製したものであるため、比較例２と同等の接触抵抗を示すと考えられる。
比較例５は、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った以外は比較例４と同様に作製したものであるため、比較例４と同等の接触抵抗を示すと考えられる。
【符号の説明】
【0090】
１０ コネクタ用オスピン
１１ 傾斜部
１２ 平坦部
１３ 傾斜部と平坦部との境界
１４ 第１領域
１５ 第２領域
２０ コネクタ用メスピン
１１ 傾斜部
１２ 平坦部
１３ 傾斜部と平坦部との境界
１４ 第１領域
１５ 第２領域
２０ コネクタ用メスピン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【手続補正書】
【提出日】2022-04-25
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域の硬度は、前記第２領域の硬度よりも高く、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低く、
前記第１領域は、Ｎｉ、Ｃｕを含まないＳｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ及びＣｒの少なくとも一種以上によって被覆されており、
少なくとも前記第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域の硬度は、前記第２領域の硬度よりも高く、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低く、
前記第１領域は、Ｎｉ、Ｃｕを含まないＳｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ及びＣｒの少なくとも一種以上によって被覆されており、
少なくとも前記第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
【請求項2】
銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域は、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されており、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低い、コネクタ用オスピン。
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域は、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されており、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低い、コネクタ用オスピン。
【請求項3】
前記第２領域は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上によって被覆されている、請求項１または２に記載のコネクタ用オスピン。
【請求項4】
１６０℃で１２０時間加熱した後の前記第２領域の接触抵抗が１０ｍΩ以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載のコネクタ用オスピン。
【請求項5】
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、請求項１に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、請求項１に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
【請求項6】
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域及び前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、請求項１に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域及び前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、請求項１に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
【請求項7】
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程４と、
を含む、請求項１に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程４と、
を含む、請求項１に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
【請求項8】
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＮｉめっき、又はＣｏめっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、請求項１に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＮｉめっき、又はＣｏめっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、請求項１に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
【請求項9】
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＩｎめっき又はＩｎ合金めっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＩｎめっき又はＩｎ合金めっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
【請求項10】
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第１のめっきを行う工程２と、
前記第２領域に、前記第１のめっきより厚みの大きいＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第２のめっきを行う工程３と、
前記第１領域の第１のめっき、及び、前記第２領域の第２のめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、請求項１に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第１のめっきを行う工程２と、
前記第２領域に、前記第１のめっきより厚みの大きいＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第２のめっきを行う工程３と、
前記第１領域の第１のめっき、及び、前記第２領域の第２のめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、請求項１に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0009】
以上の知見を基礎として完成した本発明の実施形態は、以下のように特定される。
（１）銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域の硬度は、前記第２領域の硬度よりも高く、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低く、
前記第１領域は、Ｎｉ、Ｃｕを含まないＳｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ及びＣｒの少なくとも一種以上によって被覆されており、
少なくとも前記第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
（２）銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域は、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されており、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低い、コネクタ用オスピン。
（３）前記第２領域は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上によって被覆されている、（１）または（２）に記載のコネクタ用オスピン。
（４）１６０℃で１２０時間加熱した後の前記第２領域の接触抵抗が１０ｍΩ以下である、（１）～（３）のいずれかに記載のコネクタ用オスピン。
（５）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、（１）に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
（６）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域及び前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、（１）に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
（７）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程４と、
を含む、（１）に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
（８）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＮｉめっき、又はＣｏめっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、（１）に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
（９）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＩｎめっき又はＩｎ合金めっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（１０）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第１のめっきを行う工程２と、
前記第２領域に、前記第１のめっきより厚みの大きいＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第２のめっきを行う工程３と、
前記第１領域の第１のめっき、及び、前記第２領域の第２のめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、（１）に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
（１）銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域の硬度は、前記第２領域の硬度よりも高く、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低く、
前記第１領域は、Ｎｉ、Ｃｕを含まないＳｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ及びＣｒの少なくとも一種以上によって被覆されており、
少なくとも前記第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
（２）銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域は、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されており、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低い、コネクタ用オスピン。
（３）前記第２領域は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上によって被覆されている、（１）または（２）に記載のコネクタ用オスピン。
（４）１６０℃で１２０時間加熱した後の前記第２領域の接触抵抗が１０ｍΩ以下である、（１）～（３）のいずれかに記載のコネクタ用オスピン。
（５）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、（１）に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
（６）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域及び前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、（１）に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
（７）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程４と、
を含む、（１）に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
（８）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＮｉめっき、又はＣｏめっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、（１）に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
（９）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＩｎめっき又はＩｎ合金めっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（１０）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第１のめっきを行う工程２と、
前記第２領域に、前記第１のめっきより厚みの大きいＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第２のめっきを行う工程３と、
前記第１領域の第１のめっき、及び、前記第２領域の第２のめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、（１）に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0011】
【図1】本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン、及び、嵌合するコネクタ用メスピンの外観模式図である。
【図2】本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンの上面模式図である。
【図3】本発明の実施形態に係る「製法１」で製造したコネクタ用オスピンの層構造である。
【図4】本発明の実施形態に係る「製法２」または「製法５」で製造したコネクタ用オスピンの層構造である。
【図5】本発明の実施形態に係る「製法３」で製造したコネクタ用オスピンの層構造である。
【図6】本発明の実施形態に係る「製法４」で製造したコネクタ用オスピンの層構造である。
【図7】（Ａ）は実施例２に係る外観観察写真である。（Ｂ）は（Ａ）の矢印方向に指し示す第１領域（Ｎｉ）と第２領域（Ｓｎ）との境界を含む領域において測定したＳＥＭ像である。
【図8】（Ａ）は実施例６の第１領域に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は実施例６の第１領域に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図9】（Ａ）は実施例１０の第１領域に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は実施例１０の第１領域に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図10】（Ａ）は実施例１０の第２領域に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は実施例１０の第２領域に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図11】（Ａ）は参考例１１の第１領域に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は参考例１１の第１領域に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図12】（Ａ）は参考例１１の第２領域に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は参考例１１の第２領域に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図13】（Ａ）は参考例１２の第１領域に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は参考例１２の第１領域に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図14】（Ａ）は比較例１に係る断面ＴＥＭ像である。（Ｂ）は比較例１に係るライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフである。
【図15】比較例２に係る断面ＴＥＭ像である。
【図16】比較例４に係る断面ＴＥＭ像である。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0058】
＜コネクタ用オスピンの作製＞
実施例１～１０、参考例１１、１２及び比較例１～９として、下記の基材に対し、電解脱脂、酸洗をこの順で行った。次に、下記のめっき処理Ａ～Ｅを行った。
実施例１～１０、参考例１１、１２及び比較例１～９として、下記の基材に対し、電解脱脂、酸洗をこの順で行った。次に、下記のめっき処理Ａ～Ｅを行った。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0070】
（めっき処理Ｃ：製法４のめっき処理）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、参考例１２については、下地めっき上に、中間層めっきとして、以下の条件で厚み０．３６μｍのＣｕめっきを施した。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、参考例１２については、下地めっき上に、中間層めっきとして、以下の条件で厚み０．３６μｍのＣｕめっきを施した。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0077】
（めっき処理Ｄ：製法５のめっき処理）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、参考例１１については、下地めっき上に、中間層めっきとして、上述のめっき処理Ｃと同様の条件で厚み０．３μｍのＣｕめっきを施した。
次に、第１領域に上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっき（第１のＳｎめっき）を行い、第１領域のみに厚み０．１μｍまたは０．４μｍのＳｎめっきを形成した。
次に、第２領域に上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっき（第２のＳｎめっき）を行い、第２領域のみに厚み０．９μｍまたは０．４μｍのＳｎめっきを形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、参考例１１については、下地めっき上に、中間層めっきとして、上述のめっき処理Ｃと同様の条件で厚み０．３μｍのＣｕめっきを施した。
次に、第１領域に上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっき（第１のＳｎめっき）を行い、第１領域のみに厚み０．１μｍまたは０．４μｍのＳｎめっきを形成した。
次に、第２領域に上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっき（第２のＳｎめっき）を行い、第２領域のみに厚み０．９μｍまたは０．４μｍのＳｎめっきを形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0079】
＜評価＞
・層構成
各サンプルの層構成は、以下に示すように、ＳＥＭ像及びＴＥＭ像を撮影して評価した。また、いくつかのサンプルについては、他のサンプルの評価結果から推定した。
実施例１～３、５～９のサンプルについて、それぞれ、ＳＥＭ（ＪＥＯＬ株式会社製、型式ＪＳＭ－５４１０）にて１００～１００００倍の倍率で断面観察を行った。図７（Ａ）に、実施例２について、上述のオスピンが５本連なったサンプルの外観観察写真を示す。図７（Ｂ）に、図７（Ａ）の矢印方向に指し示す第１領域（Ｎｉ）と第２領域（Ｓｎ）との境界を含む領域において測定したＳＥＭ像を示す。
実施例６、１０、参考例１１、１２、比較例１、２、４のサンプルについて、それぞれ、透過電子顕微鏡：ＴＥＭ（日本電子株式会社製ＪＥＭ－２１００Ｆ）を用いて、加速電圧：２００ｋＶとして、断面分析を行った。得られた断面ＴＥＭ像について、図８（Ａ）（実施例６の第１領域）、図９（Ａ）（実施例１０の第１領域）、図１０（Ａ）（実施例１０の第２領域）、図１１（Ａ）（参考例１１の第１領域）、図１２（Ａ）（参考例１１の第２領域）、図１３（Ａ）（参考例１２の第１領域）、図１４（Ａ）（比較例１）、図１５（比較例２）、図１６（比較例４）に示す。各ＴＥＭ像では、ライン分析方向を矢印で示している。
また、上記ライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフについて、図８（Ｂ）（実施例６の第１領域）、図９（Ｂ）（実施例１０の第１領域）、図１０（Ｂ）（実施例１０の第２領域）、図１１（Ｂ）（参考例１１の第１領域）、図１２（Ｂ）（参考例１１の第２領域）、図１３（Ｂ）（参考例１２の第１領域）、図１４（Ｂ）（比較例１）に示す。
実施例１～３の層構成について、第１領域はＳＥＭ像から推定し、第２領域は比較例１から推定した。
実施例４の層構成について、実施例１～３と構造は同じであると推定した。
実施例６の第１領域の層構成について、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。第２領域の層構成は比較例１から推定した。
実施例５、７～９の層構成について、第１領域は実施例６の断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認し、第２領域は比較例１から推定した。なお、表２において実施例５～９の第１領域の層構成は、１種類の層構成ではなく場所によってその層構成が異なると考えられる。例えば、実施例６の第１領域の層構成は図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示されるように、基材／Ｎｉ／Ｎｉ－Ｓｎの層構成と、基材／Ｎｉ／Ｎｉ－Ｓｎ／Ｓｎ／Ｎｉ－Ｓｎの層構成とが混在している。
実施例１０、参考例１１の第１領域および第２領域の層構成それぞれについて、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。
参考例１２の層構成について、第１領域は全面にその組成を付けためっきの断面ＴＥＭ像・ライン分析結果（不図示）から、第２領域は比較例４から推定した。なお、参考例１２の第２領域はＣｕ／Ｓｎ＝０．３６／０．２７に対し、比較例４は０．３０／０．４０とＳｎ比が厚いが、図１６に示される断面では表層までＣｕ－Ｓｎ合金化しているため、参考例１２の第２領域も表層までＣｕ－Ｓｎ合金化していると考えられる。
比較例１、２、４の層構成について、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。
比較例３の層構成について、比較例１、２、４から推定した。
・層構成
各サンプルの層構成は、以下に示すように、ＳＥＭ像及びＴＥＭ像を撮影して評価した。また、いくつかのサンプルについては、他のサンプルの評価結果から推定した。
実施例１～３、５～９のサンプルについて、それぞれ、ＳＥＭ（ＪＥＯＬ株式会社製、型式ＪＳＭ－５４１０）にて１００～１００００倍の倍率で断面観察を行った。図７（Ａ）に、実施例２について、上述のオスピンが５本連なったサンプルの外観観察写真を示す。図７（Ｂ）に、図７（Ａ）の矢印方向に指し示す第１領域（Ｎｉ）と第２領域（Ｓｎ）との境界を含む領域において測定したＳＥＭ像を示す。
実施例６、１０、参考例１１、１２、比較例１、２、４のサンプルについて、それぞれ、透過電子顕微鏡：ＴＥＭ（日本電子株式会社製ＪＥＭ－２１００Ｆ）を用いて、加速電圧：２００ｋＶとして、断面分析を行った。得られた断面ＴＥＭ像について、図８（Ａ）（実施例６の第１領域）、図９（Ａ）（実施例１０の第１領域）、図１０（Ａ）（実施例１０の第２領域）、図１１（Ａ）（参考例１１の第１領域）、図１２（Ａ）（参考例１１の第２領域）、図１３（Ａ）（参考例１２の第１領域）、図１４（Ａ）（比較例１）、図１５（比較例２）、図１６（比較例４）に示す。各ＴＥＭ像では、ライン分析方向を矢印で示している。
また、上記ライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフについて、図８（Ｂ）（実施例６の第１領域）、図９（Ｂ）（実施例１０の第１領域）、図１０（Ｂ）（実施例１０の第２領域）、図１１（Ｂ）（参考例１１の第１領域）、図１２（Ｂ）（参考例１１の第２領域）、図１３（Ｂ）（参考例１２の第１領域）、図１４（Ｂ）（比較例１）に示す。
実施例１～３の層構成について、第１領域はＳＥＭ像から推定し、第２領域は比較例１から推定した。
実施例４の層構成について、実施例１～３と構造は同じであると推定した。
実施例６の第１領域の層構成について、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。第２領域の層構成は比較例１から推定した。
実施例５、７～９の層構成について、第１領域は実施例６の断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認し、第２領域は比較例１から推定した。なお、表２において実施例５～９の第１領域の層構成は、１種類の層構成ではなく場所によってその層構成が異なると考えられる。例えば、実施例６の第１領域の層構成は図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示されるように、基材／Ｎｉ／Ｎｉ－Ｓｎの層構成と、基材／Ｎｉ／Ｎｉ－Ｓｎ／Ｓｎ／Ｎｉ－Ｓｎの層構成とが混在している。
実施例１０、参考例１１の第１領域および第２領域の層構成それぞれについて、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。
参考例１２の層構成について、第１領域は全面にその組成を付けためっきの断面ＴＥＭ像・ライン分析結果（不図示）から、第２領域は比較例４から推定した。なお、参考例１２の第２領域はＣｕ／Ｓｎ＝０．３６／０．２７に対し、比較例４は０．３０／０．４０とＳｎ比が厚いが、図１６に示される断面では表層までＣｕ－Ｓｎ合金化しているため、参考例１２の第２領域も表層までＣｕ－Ｓｎ合金化していると考えられる。
比較例１、２、４の層構成について、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。
比較例３の層構成について、比較例１、２、４から推定した。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0086】
【表1】
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0087】
【表2】
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0088】
（評価結果）
実施例１～１０、参考例１１、１２は、いずれも、挿入力（摩擦力）が１．３Ｎよりも低かった。
実施例１～１０、参考例１１、１２は、接触抵抗は未評価であるが、表層のめっき構成がこれらと同様である比較例１または比較例４の接触抵抗が良好に抑制されていることから、実施例１～１０、参考例１１、１２も同様に接触抵抗が抑制されていると考えられる。
実施例１～１０、参考例１１は、良好なはんだ濡れ性を示した。
実施例１～１０、参考例１１、１２は、いずれも、挿入力（摩擦力）が１．３Ｎよりも低かった。
実施例１～１０、参考例１１、１２は、接触抵抗は未評価であるが、表層のめっき構成がこれらと同様である比較例１または比較例４の接触抵抗が良好に抑制されていることから、実施例１～１０、参考例１１、１２も同様に接触抵抗が抑制されていると考えられる。
実施例１～１０、参考例１１は、良好なはんだ濡れ性を示した。