特開 2022-164088 パッケージ基板の加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022164088

(43)【公開日】2022-10-27

(54)【発明の名称】パッケージ基板の加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20221020BHJP

   B24B 27/06 20060101ALI20221020BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 F

B24B27/06 J

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021069360

(22)【出願日】2021-04-15

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】関家 一馬

【テーマコード（参考）】

3C158

5F063

【Ｆターム（参考）】

3C158AA03

3C158AA12

3C158AA18

3C158AB04

3C158BA07

3C158CB05

3C158DA17

5F063AA43

5F063BA18

5F063BB03

5F063BB04

5F063CB05

5F063CB15

5F063CB25

5F063CC12

5F063DD08

(57)【要約】

【課題】パッケージチップの断面に所定の精度の階段状の段差を形成するコストを抑制できるパッケージ基板の加工方法を提供すること。
【解決手段】パッケージ基板の切削方法は、パッケージ基板１をチャックテーブル１１０で保持する保持ステップと、保持ステップ実施後、第１の切削ブレード１２１を用い、パッケージ基板１の分割予定ラインに沿って第１の深さ６１の溝５１を形成し、パッケージ基板１の反りを緩和する反り緩和ステップと、反り緩和ステップ実施後、第１の切削ブレード１２１を用い、第１の深さ６１の溝５１を更に切削して第２の深さの溝を形成する溝形成ステップと、溝形成ステップ実施後、第１の切削ブレード１２１よりも薄い第２の切削ブレードを用い、第２の深さの溝を更に切削してパッケージ基板１を分割し、パッケージチップを形成する分割ステップと、を備える。
【選択図】図１０

【特許請求の範囲】

【請求項1】

分割予定ラインによって区画された領域に配置されたデバイスが樹脂で封止されたパッケージ基板を切削するパッケージ基板の切削方法であって、
該パッケージ基板をチャックテーブルで保持する保持ステップと、
該保持ステップ実施後、第１の切削ブレードを用い、該パッケージ基板の該分割予定ラインに沿って第１の深さの溝を形成し、該パッケージ基板の反りを緩和する反り緩和ステップと、
該反り緩和ステップ実施後、該第１の切削ブレードを用い、該第１の深さの溝を更に切削して第２の深さの溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップ実施後、該第１の切削ブレードよりも薄い第２の切削ブレードを用い、該第２の深さの溝を更に切削して該パッケージ基板を分割し、パッケージチップを形成する分割ステップと、
を備えるパッケージ基板の加工方法。

【請求項2】

該パッケージ基板は、
デバイスチップが搭載されるチップ搭載領域と該チップ搭載領域の周囲に配置され該分割予定ラインへ突出した電極部とを備える金属枠体と、
該金属枠体に搭載された該デバイスチップを封止するモールド樹脂と、を備え、
該パッケージチップの該電極部は該第２の深さの溝によって該電極部の切断面を階段状に形成する請求項１に記載のパッケージ基板の加工方法。

【請求項3】

該溝形成ステップと該分割ステップとの間に、該電極部にメッキ処理を施すメッキステップを備える請求項２に記載のパッケージ基板の加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、パッケージ基板の加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

各種電子機器に搭載されている半導体デバイスは、モールド樹脂で被覆されたパッケージチップである。パッケージチップは、半導体デバイスウェーハにモールド樹脂が被覆されたり、樹脂や金属のフレームに半導体のデバイスチップを搭載し、更にデバイスチップをモールド樹脂で被覆されたりして構成したパッケージ基板を、分割予定ラインに沿って分割して製造されることが知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－２０６９９５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

パッケージ基板は、モールド樹脂を被覆する際に加熱されるため、冷却されるとモールド樹脂に収縮が発生し、パッケージチップに分割する際、反った状態となる。そのため、切削時にチャックテーブルで保持しても僅かに反ってしまうが、強力にチャックテーブルで吸引したり、フレームにテープにパッケージ基板を固定したりする等して、所謂フルカットで分割していた。

【0005】

しかしながら、パッケージチップの断面を階段状にする場合、例えばウェッタブルフランクと呼ばれるパッケージチップを形成する場合、階段状の段差に所定の精度を必要とするため、反ったパッケージ基板に対しハーフカット溝を形成して階段状の断面を形成すると、反りが徐々に緩和されることでパッケージ基板全面を同じ深さに切削できないという課題が有った。

【0006】

さらに、予めパッケージ基板の高さを測定してから、高さの変動に合わせて切削ブレードの切り込み深さを制御し、階段状の断面を形成する方法も考案されたが、測定器の追加や制御プログラムが必要になり、高コストになるという課題が残った。

【0007】

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、パッケージチップの断面に所定の精度の階段状の段差を形成するコストを抑制できるパッケージ基板の加工方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のパッケージ基板の加工方法は、分割予定ラインによって区画された領域に配置されたデバイスが樹脂で封止されたパッケージ基板を切削するパッケージ基板の切削方法であって、該パッケージ基板をチャックテーブルで保持する保持ステップと、該保持ステップ実施後、第１の切削ブレードを用い、該パッケージ基板の該分割予定ラインに沿って第１の深さの溝を形成し、該パッケージ基板の反りを緩和する反り緩和ステップと、該反り緩和ステップ実施後、該第１の切削ブレードを用い、該第１の深さの溝を更に切削して第２の深さの溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップ実施後、該第１の切削ブレードよりも薄い第２の切削ブレードを用い、該第２の深さの溝を更に切削して該パッケージ基板を分割し、パッケージチップを形成する分割ステップと、を備えるものである。

【0009】

該パッケージ基板は、デバイスチップが搭載されるチップ搭載領域と該チップ搭載領域の周囲に配置され該分割予定ラインへ突出した電極部とを備える金属枠体と、該金属枠体に搭載された該デバイスチップを封止するモールド樹脂と、を備え、該パッケージチップの該電極部は該第２の深さの溝によって該電極部の切断面を階段状に形成してもよい。

【0010】

該溝形成ステップと該分割ステップとの間に、該電極部にメッキ処理を施すメッキステップをさらに備えてもよい。

【発明の効果】

【0011】

本発明は、パッケージチップの断面に所定の精度の階段状の段差を形成するコストを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】図１は、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法の加工対象であるパッケージ基板を示す上面図である。

【図2】図２は、図１のパッケージ基板を示す底面図である。

【図3】図３は、図１のパッケージ基板の長手方向に沿った断面を示す断面図である。

【図4】図４は、図１のパッケージ基板の短手方向に沿った断面を示す断面図である。

【図5】図５は、図１のパッケージ基板を環状フレームで支持した状態を示す上面図である。

【図6】図６は、図１のパッケージ基板を分割して得られるパッケージチップを示す斜視図である。

【図7】図７は、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法を実施する加工装置の構成例を示す斜視図である。

【図8】図８は、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。

【図9】図９は、図８の保持ステップを説明する断面図である。

【図10】図１０は、図８の反り緩和ステップを説明する断面図である。

【図11】図１１は、図８の反り緩和ステップ実施後のパッケージ基板を示す拡大断面図である。

【図12】図１２は、図８の溝形成ステップを説明する断面図である。

【図13】図１３は、図８の溝形成ステップ実施後のパッケージ基板を示す拡大断面図である。

【図14】図１４は、図８のメッキステップを説明する拡大断面図である。

【図15】図１５は、図８の分割ステップを説明する断面図である。

【図16】図１６は、図８の分割ステップ実施後のパッケージ基板を示す拡大断面図である。

【図17】図１７は、実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法を実施する加工装置の構成例を示す斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

【0014】

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法を図面に基づいて説明する。まず、本明細書は、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法の加工対象であるパッケージ基板１を、図面を用いて説明する。図１は、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法の加工対象であるパッケージ基板１を示す上面図である。図２は、図１のパッケージ基板１を示す底面図である。図３は、図１のパッケージ基板１の長手方向に沿った断面を示す断面図である。図４は、図１のパッケージ基板１の短手方向に沿った断面を示す断面図である。図５は、図１のパッケージ基板１を環状フレーム３２で支持した状態を示す上面図である。図６は、図１のパッケージ基板１を分割して得られるパッケージチップ４０を示す斜視図である。

【0015】

パッケージ基板１は、表面において、第１の方向と、第１の方向と交差（実施形態１では直交）する第２の方向とに沿ってそれぞれ形成された複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが配置されており、デバイスが樹脂で封止されたものである。パッケージ基板１は、実施形態１では、図１から図４に示すように、金属枠体１０と、モールド樹脂２０（本発明に係る樹脂の一例）とを備える。金属枠体１０は、金属からなり、平面形状が矩形の平板である。パッケージ基板１は、図１に示すように、金属枠体１０の表面１１において長手方向及び短手方向に沿ってそれぞれ形成された複数の分割予定ライン１２によって区画されたチップ搭載領域１３（本発明に係る領域の一例）にデバイスチップ１４（本発明に係るデバイスの一例）が配置されている。モールド樹脂２０は、例えば、熱硬化性樹脂により構成されている。モールド樹脂２０は、図２から図４に示すように、金属枠体１０の表面１１において、金属枠体１０のチップ搭載領域１３に搭載されたデバイスチップ１４を封止する。

【0016】

実施形態１のパッケージ基板１では、複数（図１に示す例では１６個）のチップ搭載領域１３が互いに分割予定ライン１２を挟んで隣接してまとまって配置されている。パッケージ基板１の金属枠体１０は、実施形態１では、リードの代わりに電極パッドが接続用の端子として形成されたリードレス構造のＱＦＮパッケージ（Quad For Non-lead package）基板であり、複数のチップ搭載領域１３と、各チップ搭載領域１３の周囲に配置され分割予定ライン１２へ突出したＱＦＮパッケージの電極パッドに相当する電極部１５と、互いに隣接してまとまって配置された複数のチップ搭載領域１３を囲繞しデバイスチップ１４が搭載されていない余剰領域１６と、を備える。電極部１５は、図１に示すように、金属枠体１０の表面１１とは反対側の裏面１７において、チップ搭載領域１３に搭載されたデバイスチップ１４の外周部から当該チップ搭載領域１３と分割予定ライン１２を挟んで隣接するチップ搭載領域１３または余剰領域１６にかけて分割予定ライン１２を跨いで、後述する第２の深さ６２（図６等参照）以上の厚みに形成される。パッケージ基板１のチップ搭載領域１３及び電極部１５は、いずれも表面１１側がモールド樹脂２０に覆われており、裏面１７側がモールド樹脂２０に覆われておらず露出している。

【0017】

モールド樹脂２０は、互いに隣接してまとまって配置されている複数のチップ搭載領域１３の表面１１側を覆うように形成されている。パッケージ基板１は、図１から図４に示す例では、複数のチップ搭載領域１３のまとまりが長手方向に配列されて３箇所に形成されており、これらの複数のチップ搭載領域１３のまとまりに対応してモールド樹脂２０が長手方向に配列されて３箇所に形成されている。

【0018】

パッケージ基板１は、金属枠体１０とモールド樹脂２０との熱収縮率の差に起因して、図３及び図４に示すように、側方からみて、金属枠体１０側に凸、モールド樹脂２０側に凹となる方向に湾曲しており、反りを有する。

【0019】

パッケージ基板１は、実施形態１では、図５に示すように、モールド樹脂２０が形成された表面１１側にダイシングテープ３１が貼着され、ダイシングテープ３１の外縁が環状フレーム３２に貼着されることで、裏面１７側が露出した状態で環状フレーム３２の開口にダイシングテープ３１で支持される。

【0020】

パッケージ基板１は、後述するパッケージ基板の加工方法により、各チップ搭載領域１３の分割予定ライン１２に沿って第２の深さ６２の溝５２（図１２及び図１３参照）が形成された後に溝５２の幅方向中央部分が切削されて、図６に示すパッケージチップ４０に分割される。パッケージチップ４０は、ＱＦＮパッケージチップであり、図６に示すように、デバイスチップ１４を搭載したチップ搭載領域１３を中央に配置し、外縁部にＱＦＮパッケージチップの電極パッドに相当する電極部１５を配置している。パッケージチップ４０の電極部１５は、例えば半田を介して、プリント基板等の配線基板に固定される。パッケージチップ４０は、第２の深さ６２の溝５２によって外縁部に全周にわたって裏面１７から第２の深さ６２の段差部４１が形成されて、電極部１５の切断面を含む外縁部が階段状に形成されることにより、電極部１５における半田の接触面積を増加させている。

【0021】

次に、本明細書は、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法を実施する加工装置１００を、図面を用いて説明する。図７は、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法を実施する加工装置１００の構成例を示す斜視図である。加工装置１００は、図７に示すように、チャックテーブル１１０と、加工ユニット１２０と、撮像ユニット１３０と、Ｘ軸移動ユニット１４１と、Ｙ軸移動ユニット１４２と、Ｚ軸移動ユニット１４３と、制御ユニット１５０と、を備える。

【0022】

チャックテーブル１１０は、凹部が形成された円板状の枠体と、凹部内に嵌め込まれた円板状の吸着部と、を有する。チャックテーブル１１０の吸着部は、ポーラス状のポーラスセラミック等から形成され、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続されている。チャックテーブル１１０の吸着部の上面は、パッケージ基板１が載置されて、載置されたパッケージ基板１を吸引保持する保持面１１１である。保持面１１１は、実施形態１では、パッケージ基板１が裏面１７を上方に向けて載置され、載置されたパッケージ基板１を表面１１側からダイシングテープ３１を介して吸引保持する。保持面１１１とチャックテーブル１１０の枠体の上面とは、同一平面上に配置されており、水平面ＸＹ平面に平行に形成される。チャックテーブル１１０は、Ｘ軸移動ユニット１４１により水平方向の一方向であるＸ軸方向に移動自在で、不図示の回転駆動源により鉛直方向であり保持面１１１に対して垂直なＺ軸方向と平行な軸心周りに回転自在に設けられている。

【0023】

また、チャックテーブル１１０は、図１に示すように、枠体の外周部に配置されて、パッケージ基板１にダイシングテープ３１を介して貼着された環状フレーム３２を保持して固定する４つのフレーム保持部であるクランプ１１２を備える。

【0024】

加工ユニット１２０は、図７に示すように、第１の切削ブレード１２１と、第２の切削ブレード１２２と、スピンドル１２３とを有する。第１の切削ブレード１２１及び第２の切削ブレード１２２は、それぞれ、着脱可能、交換可能にスピンドル１２３の先端に装着される。第１の切削ブレード１２１及び第２の切削ブレード１２２は、いずれも、スピンドル１２３により水平方向の別の一方向でありＸ軸方向に直交するＹ軸方向と平行な軸心周りの回転動作が加えられて、チャックテーブル１１０に保持されたパッケージ基板１を切削加工する。加工ユニット１２０は、チャックテーブル１１０に保持されたパッケージ基板１に対して、Ｙ軸移動ユニット１４２によりＹ軸方向に移動自在に設けられ、かつ、Ｚ軸移動ユニット１４３によりＺ軸方向に移動自在に設けられている。

【0025】

第１の切削ブレード１２１及び第２の切削ブレード１２２は、実施形態１では、それぞれ第１の厚み１２６（図１０及び図１２参照）及び第２の厚み１２７（図１５参照）に形成された環状の切り刃を有する。第２の切削ブレード１２２の切り刃は第１の切削ブレード１２１の切り刃よりも薄い、すなわち、第２の厚み１２７は第１の厚み１２６よりも小さい。

【0026】

第１の切削ブレード１２１及び第２の切削ブレード１２２は、実施形態１では、例えば、ダイヤモンドやＣＢＮ（Cubic Boron Nitride）等の砥粒と、金属や樹脂等のボンド材（結合材）とからなる所謂メタルボンドタイプのブレードの切り刃を有している。第１の切削ブレード１２１及び第２の切削ブレード１２２は、ハブを有するハブブレードであっても、ハブを有さないハブレスブレードであってもよい。第１の切削ブレード１２１及び第２の切削ブレード１２２は、本発明ではこれに限定されず、砥粒がめっき層に固着した電鋳ボンドタイプのブレードの切り刃を有していてもよいし、高速度鋼（high-speed steel）や、タングステンカーバイド、コバルト、ニッケル等を焼結して得られた超硬合金からなる薄鋼板ブレードで形成された鋸刃状のメタルソーの切り刃を有していてもよい。

【0027】

加工装置１００は、Ｘ軸移動ユニット１４１、Ｙ軸移動ユニット１４２及びＺ軸移動ユニット１４３によりスピンドル１２３の先端に装着された第１の切削ブレード１２１または第２の切削ブレード１２２をチャックテーブル１１０に保持されたパッケージ基板１に対して所定の位置にセットし、スピンドル１２３の先端に装着された第１の切削ブレード１２１または第２の切削ブレード１２２を回転させながらパッケージ基板１に対して分割予定ライン１２に沿って相対的に移動させることにより、スピンドル１２３の先端に装着された第１の切削ブレード１２１または第２の切削ブレード１２２でパッケージ基板１を分割予定ライン１２に沿って切削加工する。

【0028】

撮像ユニット１３０は、実施形態１では、加工ユニット１２０と一体的に移動するように、加工ユニット１２０に固定されている。撮像ユニット１３０は、チャックテーブル１１０に保持された切削加工前のパッケージ基板１の裏面１７（露出面）及び分割予定ライン１２を撮像する撮像素子を備えている。撮像素子は、例えば、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）撮像素子又はＣＭＯＳ（Complementary MOS）撮像素子である。撮像ユニット１３０は、チャックテーブル１１０に保持された切削加工前のパッケージ基板１の裏面１７等を撮像して、パッケージ基板１とスピンドル１２３の先端に装着された第１の切削ブレード１２１または第２の切削ブレード１２２との位置合わせを行なうアライメントを遂行するため等の画像を得、得た画像を制御ユニット１５０に出力する。

【0029】

制御ユニット１５０は、加工装置１００の各種構成要素の動作を制御して、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法を加工装置１００に実施させる。制御ユニット１５０は、本実施形態では、コンピュータシステムを含む。制御ユニット１５０が含むコンピュータシステムは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（Read Only Memory）又はＲＡＭ（Random Access Memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。制御ユニット１５０の演算処理装置は、制御ユニット１５０の記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、加工装置１００を制御するための制御信号を、制御ユニット１５０の入出力インターフェース装置を介して加工装置１００の各構成要素に出力する。

【0030】

加工装置１００は、カセット載置台１６０と、不図示の洗浄ユニットと、不図示の搬送ユニットと、をさらに備える。カセット載置台１６０は、複数のパッケージ基板１を収容するための収容器であるカセットを載置する載置台であり、載置されたカセットをＺ軸方向に昇降させる。洗浄ユニットは、切削加工後のパッケージ基板１を洗浄し、パッケージ基板１に付着した切削屑等の異物を除去する。不図示の搬送ユニットは、切削加工前のパッケージ基板１をカセット内からチャックテーブル１１０上に搬送し、切削加工後のパッケージ基板１をチャックテーブル１１０上から洗浄ユニットに搬送し、洗浄後のパッケージ基板１を洗浄ユニットからカセット内に搬送する。

【0031】

次に、本明細書は、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法を、図面を用いて説明する。図８は、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。図９は、図８の保持ステップ１００１を説明する断面図である。図１０は、図８の反り緩和ステップ１００２を説明する断面図である。図１１は、図８の反り緩和ステップ１００２実施後のパッケージ基板１を示す拡大断面図である。図１２は、図８の溝形成ステップ１００３を説明する断面図である。図１３は、図８の溝形成ステップ１００３実施後のパッケージ基板１を示す拡大断面図である。図１４は、図８のメッキステップ１００４を説明する拡大断面図である。図１５は、図８の分割ステップ１００５を説明する断面図である。図１６は、図８の分割ステップ１００５実施後のパッケージ基板１を示す拡大断面図である。実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法は、加工装置１００によって実施される動作処理の一例であり、図８に示すように、保持ステップ１００１と、反り緩和ステップ１００２と、溝形成ステップ１００３と、メッキステップ１００４と、分割ステップ１００５と、を備える。

【0032】

保持ステップ１００１は、図９に示すように、パッケージ基板１をチャックテーブル１１０で保持するステップである。保持ステップ１００１では、まず、図５に示すように、パッケージ基板１の表面１１側にダイシングテープ３１を貼着し、ダイシングテープ３１の外縁に環状フレーム３２を貼着することで、パッケージ基板１を裏面１７側が露出した状態で環状フレーム３２の開口にダイシングテープ３１で支持する。保持ステップ１００１では、次に、制御ユニット１５０は、搬送ユニットにより、環状フレーム３２の開口にダイシングテープ３１で支持したパッケージ基板１を、裏面１７を上方に向けてチャックテーブル１１０の保持面１１１上に載置し、チャックテーブル１１０により、保持面１１１上に載置されたパッケージ基板１を表面１１側からダイシングテープ３１を介して吸引保持し、クランプ１１２により、パッケージ基板１にダイシングテープ３１を介して貼着された環状フレーム３２を保持する。

【0033】

反り緩和ステップ１００２は、保持ステップ１００１実施後に実施され、図１０及び図１１に示すように、第１の切削ブレード１２１を用い、パッケージ基板１の分割予定ライン１２に沿って第１の深さ６１の溝５１を形成し、パッケージ基板１の反りを緩和するステップである。反り緩和ステップ１００２では、まず、スピンドル１２３の先端に第１の切削ブレード１２１を装着する。反り緩和ステップ１００２では、次に、制御ユニット１５０は、第１の切削ブレード１２１を回転させながらパッケージ基板１に対して分割予定ライン１２に沿って相対的に移動させることにより、第１の切削ブレード１２１でパッケージ基板１を裏面１７側から分割予定ライン１２に沿って切削加工することで、パッケージ基板１の分割予定ライン１２に沿って第１の深さ６１かつ第１の厚み１２６に相当する幅の溝５１を形成する。反り緩和ステップ１００２では、このように、パッケージ基板１の分割予定ライン１２に沿って第１の深さ６１の溝５１を形成することで、金属枠体１０とモールド樹脂２０との熱収縮率の差に起因して金属枠体１０とモールド樹脂２０との間に生じていたせん断応力の差を緩和して、パッケージ基板１の反りを緩和する。

【0034】

溝５１の第１の深さ６１は、後述する溝形成ステップ１００３で形成する溝５２の第２の深さ６２よりも小さい任意の値に設定される。溝５１の第１の深さ６１は、パッケージ基板１の反りの緩和の機能を十分に果たす（例えば、反りを５０％以下に緩和する）ことができ、かつ、溝５２の第２の深さ６２よりも十分に小さい値（例えば、第２の深さ６２の７０％以下）に設定されることが好ましい。

【0035】

反り緩和ステップ１００２では、実施形態１では、パッケージ基板１の全ての分割予定ライン１２に沿って第１の深さ６１の溝５１を形成するが、本発明ではこれに限定されず、予め選択した一部の複数本の分割予定ライン１２に沿ってのみ第１の深さ６１の溝５１を形成してもよい。反り緩和ステップ１００２で複数本の分割予定ライン１２に沿って第１の深さ６１の溝５１を形成することにより、その後に実施する溝形成ステップ１００３で第１の深さ６１の溝５１をさらに切削して第２の深さ６２の溝５２を形成する際に、残りの少なくとも１本の溝５１がパッケージ基板１の反り緩和の機能を果たす。

【0036】

また、反り緩和ステップ１００２では、例えば、第１の方向（長手方向）に沿った分割予定ライン１２に沿ってのみ第１の深さ６１の溝５１を形成してもよく、第２の方向（短手方向）に沿った分割予定ライン１２に沿ってのみ第１の深さ６１の溝５１を形成してもよい。また、反り緩和ステップ１００２では、例えば、第１の方向（長手方向）に沿った分割予定ライン１２のうち予め選択した一部に沿ってのみ第１の深さ６１の溝５１を形成してもよく、第２の方向（短手方向）に沿った分割予定ライン１２のうち予め選択した一部に沿ってのみ第１の深さ６１の溝５１を形成してもよい。反り緩和ステップ１００２では、第１の深さ６１の溝５１を形成する分割予定ライン１２は、パッケージ基板１の反りに応じて、適宜変更することができる。

【0037】

溝形成ステップ１００３は、反り緩和ステップ１００２実施後に実施され、図１２及び図１３に示すように、第１の切削ブレード１２１を用い、第１の深さ６１の溝５１を更に切削して、第１の深さ６１よりも深い第２の深さ６２の溝５２を形成するステップである。溝形成ステップ１００３は、反り緩和ステップ１００２に引き続き、スピンドル１２３の先端に第１の切削ブレード１２１を装着した状態で実施される。反り緩和ステップ１００２では、制御ユニット１５０は、第１の切削ブレード１２１を回転させながらパッケージ基板１に対して分割予定ライン１２に沿って相対的に移動させることにより、第１の切削ブレード１２１でパッケージ基板１を裏面１７側から分割予定ライン１２に沿って切削加工することで、パッケージ基板１の分割予定ライン１２に沿って第２の深さ６２かつ第１の厚み１２６に相当する幅の溝５２を形成する。なお、溝５２の第２の深さ６２は、パッケージチップ４０の外縁部に形成する段差部４１の所望の深さと同じ値に設定される。溝形成ステップ１００３では、溝５２を形成する前に、溝５１の幅方向の中心に切削ブレード１２１の厚さの中心が来るように切削ブレード１２１の位置を調整して、溝５２の側面に階段状の段差が形成されないよう調整する。

【0038】

溝形成ステップ１００３では、実施形態１では、全ての分割予定ライン１２に沿って切削して第２の深さ６２の溝５２を形成する。また、溝形成ステップ１００３では、反り緩和ステップ１００２で予め選択した一部の複数本の分割予定ライン１２に沿ってのみ第１の深さ６１の溝５１を形成した場合には、第１の深さ６１の溝５１を形成していない分割予定ライン１２にも沿って切削して第２の深さ６２の溝５２を形成する。

【0039】

メッキステップ１００４は、溝形成ステップ１００３と分割ステップ１００５との間に実施され、図１４に示すように、電極部１５にメッキ処理を施すステップである。メッキステップ１００４では、例えば、溝形成ステップ１００３実施後かつ分割ステップ１００５実施前のパッケージ基板１を、電極部１５に所定の電圧を印加して電解メッキ浴に所定時間浸すことにより、ニッケルなどの金属のメッキ膜７０を電極部１５の露出部上に形成する。ここで、電極部１５の露出部は、電極部１５のうち、金属枠体１０の裏面１７並びに溝５２の側面及び底面に露出している部分である。なお、実施形態１では、メッキステップ１００４を実施するが、本発明ではこれに限定されず、メッキステップ１００４を省略してもよい。

【0040】

分割ステップ１００５は、少なくとも溝形成ステップ１００３実施後、実施形態１ではメッキステップ１００４の実施後、図１５及び図１６に示すように、第１の切削ブレード１２１よりも薄い第２の切削ブレード１２２を用い、第２の深さ６２の溝５２を更に切削してパッケージ基板１を分割し、パッケージチップ４０を形成するステップである。分割ステップ１００５では、まず、スピンドル１２３の先端に第２の切削ブレード１２２を装着する。分割ステップ１００５では、次に、制御ユニット１５０は、第２の切削ブレード１２２を回転させながらパッケージ基板１に対して分割予定ライン１２に沿って相対的に移動させることにより、第２の切削ブレード１２２でパッケージ基板１を裏面１７側から分割予定ライン１２に沿って切削加工することで、溝形成ステップ１００３で形成された第２の深さ６２かつ第１の厚み１２６に相当する幅の溝５２の幅方向中央部分を切削して、パッケージ基板１の裏面１７から表面１１に到達する深さかつ第２の厚み１２７に相当する幅の溝５３を形成する。分割ステップ１００５では、実施形態１では、全ての分割予定ライン１２に沿って切削して溝５３を形成する。分割ステップ１００５では、パッケージ基板１の分割予定ライン１２に沿ってこのような溝５３を形成することで、パッケージ基板１を分割予定ライン１２に沿って分割してパッケージチップ４０を形成する。

【0041】

以上のような構成を有する実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法は、階段状の断面を形成するための厚みのある第１の切削ブレード１２１で予め浅い溝５１を形成してパッケージ基板１の反りを緩和し、同じ第１の切削ブレード１２１を使って所望の深さ（第２の深さ６２）の溝５２を形成する。このため、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法は、測定器や特殊な制御プログラム等を用いる事無くパッケージ基板１の反りの影響を低減してから所望の深さの溝５２をパッケージ基板１の全面に形成できるので、パッケージ基板１を分割して得られるパッケージチップ４０の断面に所定の精度の階段状の段差部４１を形成するコストを抑制できるという効果を奏する。また、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法は、浅い溝５１を形成する反り緩和ステップ１００２と所望の深さの溝５２を形成する溝形成ステップ１００３とを１台の加工装置１００で同じ第１の切削ブレード１２１を使って連続して実施することができる。

【0042】

また、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法は、パッケージ基板１が、金属枠体１０とモールド樹脂２０とを備えるために、金属枠体１０とモールド樹脂２０との熱収縮率の差により反りを有し、かつ、リードレス構造のＱＦＮパッケージ基板であるために、パッケージ基板１を分割して得られるパッケージチップ４０の断面に所定の精度の階段状の段差部４１を形成する必要がある場合に、特に顕著に前述の効果を発揮し、所定の精度及び低コストで、半田を介してパッケージチップ４０の電極部１５をプリント基板等の配線基板に固定することができる。

【0043】

また、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法は、溝形成ステップ１００３と分割ステップ１００５との間に、電極部１５にメッキ処理を施すメッキステップ１００４を備えるので、メッキ処理で形成されたメッキ膜７０がパッケージチップ４０の電極部１５の半田の濡れ性が向上するので、さらに、半田を介してパッケージチップ４０の電極部１５をプリント基板等の配線基板に固定する精度を向上させることができる。

【0044】

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法を図面に基づいて説明する。図１７は、実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法を実施する加工装置１００－２の構成例を示す斜視図である。図１７は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0045】

まず、本明細書は、実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法を実施する加工装置１００－２を、図面を用いて説明する。加工装置１００－２は、図１７に示すように、実施形態１の加工装置１００において、チャックテーブル１１０をチャックテーブル１１０－２に変更したものであり、その他の構成は概ね同じである。チャックテーブル１１０－２は、パッケージ基板１に対応してパッケージ基板１を保持する上面側（保持面側）の治具を変更するいわゆる治具チャックテーブルであり、図１７に示すように、テーブルベース１１５と、治具に対応する保持板１１６とを有する。テーブルベース１１５の上面１１８には、パッケージ基板１に対応した保持板１１６が着脱可能に装着される。

【0046】

テーブルベース１１５は、不図示の回転駆動源に連結されており、不図示の回転駆動源によりＺ軸回りに回転自在に設けられている。テーブルベース１１５は、チャックテーブル１１０と同様に、Ｘ軸移動ユニット１４１によりＸ軸方向に移動自在で、不図示の回転駆動源によりＺ軸方向と平行な軸心周りに回転自在に設けられている。

【0047】

保持板１１６は、平面視でパッケージ基板１に対応した矩形状の、平板状の部材（保持部材）である。保持板１１６は、上面にパッケージ基板１を吸引保持する面が形成され、下面側がテーブルベース１１５に着脱可能に装着可能に形成されている。保持板１１６は、下面側がテーブルベース１１５に装着されることにより、上面が水平面であるＸＹ平面に平行となり、パッケージ基板１を保持する保持面となる。保持板１１６は、実施形態１では、例えば、ＳＵＳ等の金属で作られた板状物の、保持面となる側の表面にニトリルゴムやエチレンゴムなどのウレタンゴム等が被覆されて構成される。

【0048】

保持板１１６は、図１７に示すように、上面側に、パッケージ基板１の分割予定ライン１２に対応する位置に形成された複数の溝を有する。これらの溝は、パッケージ基板１の分割予定ライン１２を切削する第２の切削ブレード１２２が挿入される逃げ溝であり、幅がパッケージ基板１の分割予定ライン１２の幅及び第２の切削ブレード１２２の厚さよりも広く、深さが第２の切削ブレード１２２の切り込み深さよりも深く形成されている。保持板１１６は、複数の溝により、複数の分割予定ライン１２で分割された後のパッケージ基板１の各チップ搭載領域１３に対応する複数の領域に区画される。

【0049】

保持板１１６は、図１７に示すように、パッケージ基板１の複数のチップ搭載領域１３に対応する各領域にそれぞれ所定の個数（図１７に示す例では１個）ずつ形成された複数の吸引孔を有する。複数の吸引孔は、いずれもテーブルベース１１５内に形成された吸引路及び不図示の吸引バルブを介して不図示の吸引源と連通される。保持板１１６は、複数の吸引孔から上面側に、吸引路及び吸引バルブを介して吸引源からの負圧が導入されて、パッケージ基板１の複数のチップ搭載領域１３を、それぞれ裏面１７を上方に向けて、表面１１側から吸引保持する。

【0050】

次に、本明細書は、実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法を、図面を用いて説明する。実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法は、加工装置１００－２によって実施される動作処理の一例であり、実施形態１において、チャックテーブル１１０をチャックテーブル１１０－２に変更したことに伴い、保持ステップ１００１を変更したものである。実施形態２に係る保持ステップ１００１では、実施形態１において、パッケージ基板１の表面１１側にダイシングテープ３１を貼着する処理が省略される。実施形態２に係る保持ステップ１００１では、制御ユニット１５０は、搬送ユニットにより、ダイシングテープ３１を貼着していないパッケージ基板１を、裏面１７を上方に向けてチャックテーブル１１０－２のテーブルベース１１５に装着された保持板１１６の上面に載置し、チャックテーブル１１０－２により、保持板１１６の上面に載置されたパッケージ基板１を表面１１側から直接吸引保持する。

【0051】

以上のような構成を有する実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法は、実施形態１において、パッケージ基板１を保持する方法を変更したものであり、溝５１，５２，５３の形成は実施形態１と同様であるので、実施形態１と同様の作用効果を奏するものとなる。実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法は、さらに、パッケージ基板１を保持するためにダイシングテープ３１を貼着する処理を省略することができるので、ダイシングテープ３１の消費に伴うコストを抑制できるという効果を奏する。

【0052】

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、加工装置１００は、本発明では、加工ユニット１２０としてスピンドル１２３が２本搭載されていても良く、その場合は、両方に第１の切削ブレード１２１又は第２の切削ブレード１２２が装着されていても良いし、第１の切削ブレード１２１が一方に、第２の切削ブレード１２２が他方に装着されていても良い。

【符号の説明】

【0053】

１ パッケージ基板
１０ 金属枠体
１２ 分割予定ライン
１３ チップ搭載領域
１４ デバイスチップ
１５ 電極部
２０ モールド樹脂
４０ パッケージチップ
４１ 段差部
５１，５２，５３ 溝
６１ 第１の深さ
６２ 第２の深さ
７０ メッキ膜
１００，１００－２ 加工装置
１１０，１１０－２ チャックテーブル
１２１ 第１の切削ブレード
１２２ 第２の切削ブレード

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】