特開 2022-164445 レジスト層の形成方法、配線基板の製造方法及びレジスト層の形成装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022164445

(43)【公開日】2022-10-27

(54)【発明の名称】レジスト層の形成方法、配線基板の製造方法及びレジスト層の形成装置

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/00 20060101AFI20221020BHJP

【ＦＩ】

H05K3/00 F

H05K3/00 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021069941

(22)【出願日】2021-04-16

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】神部 能久

(72)【発明者】

【氏名】酒井 豊明

(57)【要約】

【課題】導電パターンの間での短絡を抑制することができるレジスト層の形成方法、配線基板の製造方法及びレジスト層の形成装置を提供する。
【解決手段】レジスト層の形成方法は、第１温度のラミネートローラを用いて、第１圧力でレジスト層を基材の上に積層する工程と、前記第１温度よりも低い第２温度の金属板を用いて、前記第１圧力よりも高い第２圧力で前記レジスト層の前記基材への平板プレスを行う工程と、を有する。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１温度のラミネートローラを用いて、第１圧力でレジスト層を基材の上に積層する工程と、
前記第１温度よりも低い第２温度の金属板を用いて、前記第１圧力よりも高い第２圧力で前記レジスト層の前記基材への平板プレスを行う工程と、
を有することを特徴とするレジスト層の形成方法。

【請求項2】

前記第１温度は６０℃～１４０℃であり、
前記第２温度は４０℃～９０℃であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト層の形成方法。

【請求項3】

前記第１圧力は０．２ＭＰａ～０．６ＭＰａであり、
前記第２圧力は１．０ＭＰａ～２．０ＭＰａであることを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト層の形成方法。

【請求項4】

前記レジスト層を前記基材の上に積層する工程と前記平板プレスを行う工程との間に、第３温度の圧着ローラを用いて、第３圧力で前記レジスト層の前記基材へのロールプレスを行う工程を有し、
前記第２温度は、前記第１温度及び前記第３温度よりも低く、
前記第２圧力は、前記第１圧力及び前記第３圧力よりも高いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレジスト層の形成方法。

【請求項5】

前記第３圧力は０．２ＭＰａ～０．６ＭＰａであることを特徴とする請求項４に記載のレジスト層の形成方法。

【請求項6】

前記第３圧力は０．２ＭＰａ～０．６ＭＰａであることを特徴とする請求項４又は５に記載のレジスト層の形成方法。

【請求項7】

前記基材として、少なくとも一方の面にシード層が形成された第１基材を準備する工程と、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法により、前記第１基材の前記シード層の上に前記レジスト層を形成する工程と、
前記平板プレスを行う工程の後に、前記レジスト層に開口部を形成する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっき法により前記開口部内に金属めっき層を形成する工程と、
前記金属めっき層を形成した後、前記レジスト層を除去する工程と、
前記レジスト層を除去した後、前記金属めっき層をマスクにして、前記シード層を除去する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。

【請求項8】

第１温度のラミネートローラを用いて、第１圧力でレジスト層を基材の上に積層するラミネータと、
第２温度の金属板を用いて、第２圧力で前記レジスト層の前記基材への平板プレスを行う平板プレス機と、
前記ラミネータ及び前記平板プレス機を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、
前記第２温度を前記第１温度よりも低くし、
前記第２圧力を前記第１圧力よりも高くすることを特徴とするレジスト層の形成装置。

【請求項9】

前記ラミネータと前記平板プレス機との間に設けられ、前記制御部により制御され、第３温度の圧着ローラを用いて、第３圧力で前記レジスト層の前記基材へのロールプレスを行うロールプレス機を有し、
前記制御部は、
前記第２温度を前記第１温度及び前記第３温度よりも低くし、
前記第２圧力を前記第１圧力及び前記第３圧力よりも高くすることを特徴とする請求項８に記載のレジスト層の形成装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、レジスト層の形成方法、配線基板の製造方法及びレジスト層の形成装置に関する。

【背景技術】

【0002】

配線基板の配線層をセミアディティブ法により形成する場合、シード層を形成し、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）からなるめっきレジスト層をシード層の上に積層し、めっきレジスト層に開口部を形成する。その後、めっきレジスト層の開口部内に金属めっき層を形成し、めっきレジスト層を剥離し、フラッシュエッチングによりシード層を除去する。

【0003】

特許文献１及び２に、レジスト層の形成方法に関する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００２－２２５０５９号公報

【特許文献2】特開昭６２－９３９９４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

従来の方法でレジスト層を形成して配線基板を製造した場合、配線層内で隣り合う導電パターンの間で短絡が生じることがある。

【0006】

本開示は、導電パターンの間での短絡を抑制することができるレジスト層の形成方法、配線基板の製造方法及びレジスト層の形成装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の一形態によれば、第１温度のラミネートローラを用いて、第１圧力でレジスト層を基材の上に積層する工程と、前記第１温度よりも低い第２温度の金属板を用いて、前記第１圧力よりも高い第２圧力で前記レジスト層の前記基材への平板プレスを行う工程と、を有するレジスト層の形成方法が提供される。

【発明の効果】

【0008】

開示の技術によれば、導電パターンの間での短絡を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】隙間を起因として短絡が生じる過程を示す断面図（その１）である。

【図2】隙間を起因として短絡が生じる過程を示す断面図（その２）である。

【図3】第１実施形態に係るレジスト層の形成装置を示す模式図である。

【図4】第１実施形態に係るレジスト層の形成装置の動作を示す模式図（その１）である。

【図5】第１実施形態に係るレジスト層の形成装置の動作を示す模式図（その２）である。

【図6】第１実施形態に係るレジスト層の形成装置の動作を示す模式図（その３）である。

【図7】第１実施形態に係るレジスト層の形成装置の動作を示す模式図（その４）である。

【図8】めっきレジスト層が形成される過程を示す断面図である。

【図9】配線層の形成方法を示す断面図である。

【図10】第２実施形態に係るレジスト層の形成装置を示す模式図である。

【図11】第２実施形態に係るレジスト層の形成装置の動作を示す模式図である。

【図12】第３実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図13】第３実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図14】第３実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図15】第３実施形態における配線層の形成方法を示す断面図（その１）である。

【図16】第３実施形態における配線層の形成方法を示す断面図（その２）である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

本願発明者らは、従来の配線基板の製造方法において導電パターンの間での短絡が生じる原因を究明すべく鋭意検討を行った。この結果、従来の製造方法では、ＤＦＲからなるめっきレジスト層とシード層との間に隙間が生じることがあり、隙間を起因として短絡が生じていることが明らかになった。ここで、参考例に基づいて、隙間を起因として短絡が生じる過程について説明する。図１～図２は、隙間を起因として短絡が生じる過程を示す断面図である。

【0011】

参考例の方法では、図１（ａ）に示すように、絶縁層１０１の上にシード層１０２を形成する。このとき、絶縁層１０１の表面に凹部１０１Ａが存在すると、シード層１０２の表面に、凹部１０１Ａに倣う凹部１０２Ａが形成される。

【0012】

次いで、図１（ｂ）に示すように、シード層１０２の上にＤＦＲからなるめっきレジスト層１０３を積層する。めっきレジスト層１０３の積層は、例えばラミネートローラを含む装置を用いて行われる。このとき、回転軸を中心にして回転するラミネートローラから絶縁層１０１及びシード層１０２には大きな圧力を印加することができない。このため、めっきレジスト層１０３がシード層１０２の表面の凹部１０２Ａの内側に入り込めず、凹部１０２Ａとめっきレジスト層１０３との間に隙間１０４Ａが生じる。また、シード層１０２の平坦な部分とめっきレジスト層１０３との間に隙間１０４Ｂが生じることもある。

【0013】

次いで、図１（ｃ）に示すように、めっきレジスト層１０３の露光及び現像を行い、めっきレジスト層１０３に開口部１０３Ｘを形成する。このとき、隙間１０４Ａ及び１０４Ｂの一部が残存し得る。

【0014】

次いで、図２（ａ）に示すように、シード層１０２をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、めっきレジスト層１０３の開口部１０３Ｘ内に金属めっき層１０５を形成する。このとき、隙間１０４Ａ及び１０４Ｂの一部が残存していると、金属めっき層１０５は、隙間１０４Ａ及び１０４Ｂの一部内にも形成される。つまり、絶縁層１０１とめっきレジスト層１０３との間に、シード層１０２だけでなく、余分な導電層１０６が存在し得る。

【0015】

次いで、図２（ｂ）に示すように、めっきレジスト層１０３を除去する。更に、金属めっき層１０５をマスクにして、フラッシュエッチングによりシード層１０２を除去する。このようにして、シード層１０２及び金属めっき層１０５を含む複数の導電パターン１０７が形成される。ただし、導電層１０６と絶縁層１０１との間のシード層１０２は、導電層１０６の厚さによっては、残存することがある。また、導電層１０６が残存することもある。このため、隣り合う導電パターン１０７の間に短絡が生じることがある。

【0016】

このように、シード層１０２とめっきレジスト層１０３との間の隙間１０４Ａ又は１０４Ｂを起因として短絡が生じることがある。

【0017】

本願発明者らは、このような知見に基づき、下記の実施形態に想到した。

【0018】

以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。

【0019】

（第１実施形態）
まず、第１実施形態について説明する。第１実施形態は、レジスト層の形成装置に関する。

【0020】

［レジスト層の形成装置の構成］
図３は、第１実施形態に係るレジスト層の形成装置を示す模式図である。第１実施形態に係るレジスト層の形成装置１は、主として、ラミネータ１０と、平板プレス機２０と、第１供給部４０と、第２供給部５０と、搬送路６０と、制御部９０とを有する。

【0021】

搬送路６０は、第１搬送部６１と、第２搬送部６２と、第３搬送部６３とを有し、基材７０を搬送する。搬送路６０は略水平に配置されている。基材７０の移動方向に関し、第２搬送部６２は第１搬送部６１の下流側に配置され、第３搬送部６３は第２搬送部６２の下流側に配置されている。ラミネータ１０は第１搬送部６１と第２搬送部６２との間に配置され、平板プレス機２０は第２搬送部６２と第３搬送部６３との間に配置されている。

【0022】

第１搬送部６１は、複数の搬送ローラ６１Ａを有し、前工程の装置、例えばシード層の形成装置から基材７０をラミネータ１０に搬送する。基材７０は、搬送ローラ６１Ａに接する第１面（下面）７１と、第１面７１とは反対側の第２面（上面）７２とを有する。

【0023】

ラミネータ１０は、第１ラミネートローラ１１と、第２ラミネートローラ１２とを有する。第１ラミネートローラ１１及び第２ラミネートローラ１２は略円柱状の形状を有する。第１ラミネートローラ１１及び第２ラミネートローラ１２は、搬送路６０を間に挟んで配置されている。第１ラミネートローラ１１は、基材７０の第１面７１を押圧するように、搬送路６０の下方に配置され、第２ラミネートローラ１２は、基材７０の第２面７２を押圧するように、搬送路６０の上方に配置されている。

【0024】

第１供給部４０は、ラミネータ１０の下方に配置され、第１供給ローラ４１と、第１吸着プレート４２と、第１ガイド４３と、第１カッター４４と、第１カッターバックアップ４５とを有し、第１供給ローラ４１に巻き付けられた第１ＤＦＲ８１を基材７０と第１ラミネートローラ１１との間に供給する。第１ＤＦＲ８１の移動方向に関し、第１吸着プレート４２は第１供給ローラ４１の下流側に配置され、第１ガイド４３は第１供給ローラ４１の下流側に配置されている。また、第１カッター４４及び第１カッターバックアップ４５は、第１吸着プレート４２と第１ガイド４３との間に配置されている。

【0025】

第１供給ローラ４１から引き出された第１ＤＦＲ８１は、第１吸着プレート４２によって撓みを抑制されながら、第１ガイド４３によって基材７０と第１ラミネートローラ１１との間に案内される。第１カッター４４及び第１カッターバックアップ４５は、１枚の基材７０への第１ＤＦＲ８１の積層が完了したときの第１ＤＦＲ８１の切断に用いられる。第１ＤＦＲ８１を間に挟みながら第１カッター４４の刃を第１カッターバックアップ４５に押し当てることで、第１ＤＦＲ８１を切断できる。

【0026】

第２供給部５０は、ラミネータ１０の上方に配置され、第２供給ローラ５１と、第２吸着プレート５２と、第２ガイド５３と、第２カッター５４と、第２カッターバックアップ５５とを有し、第２供給ローラ５１に巻き付けられた第２ＤＦＲ８２を基材７０と第２ラミネートローラ１２との間に供給する。第２ＤＦＲ８２の移動方向に関し、第２吸着プレート５２は第２供給ローラ５１の下流側に配置され、第２ガイド５３は第２供給ローラ５１の下流側に配置されている。また、第２カッター５４及び第２カッターバックアップ５５は、第２吸着プレート５２と第２ガイド５３との間に配置されている。

【0027】

第２供給ローラ５１から引き出された第２ＤＦＲ８２は、第２吸着プレート５２によって撓みを抑制されながら、第２ガイド５３によって基材７０と第２ラミネートローラ１２との間に案内される。第２カッター５４及び第２カッターバックアップ５５は、１枚の基材７０への第２ＤＦＲ８２の積層が完了したときの第２ＤＦＲ８２の切断に用いられる。第２ＤＦＲ８２を間に挟みながら第２カッター５４の刃を第２カッターバックアップ５５に押し当てることで、第２ＤＦＲ８２を切断できる。

【0028】

ラミネータ１０は、第１ラミネートローラ１１及び第２ラミネートローラ１２を回転させながら、第１供給部４０から供給された第１ＤＦＲ８１を第１ラミネートローラ１１によって基材７０の第１面７１に押し付け、第２供給部５０から供給された第２ＤＦＲ８２を第２ラミネートローラ１２によって基材７０の第２面７２に押し付ける。これにより、基材７０が第１ラミネートローラ１１と第２ラミネートローラ１２との間を通過する間に、第１面７１に第１ＤＦＲ８１からなる第１めっきレジスト層８１Ａ（図５参照）が積層され、第２面７２に第２ＤＦＲ８２からなる第２めっきレジスト層８２Ａ（図５参照）が積層される。以降、第１めっきレジスト層８１Ａ及び第２めっきレジスト層８２Ａが積層された基材７０をレジスト付基材ということがある。

【0029】

第２搬送部６２は、複数の搬送ローラ６２Ａを有し、ラミネータ１０から排出されたレジスト付基材を平板プレス機２０に搬送する。

【0030】

平板プレス機２０は、第１金属板２１と、巻き出しロール２３Ａと、巻き取りロール２４Ａと、ガイドローラ２５Ａと、ガイドローラ２６Ａと、第１搬送フィルム２７Ａと、第２金属板２２と、巻き出しロール２３Ｂと、巻き取りロール２４Ｂと、ガイドローラ２５Ｂと、ガイドローラ２６Ｂと、第２搬送フィルム２７Ｂとを有する。

【0031】

第１金属板２１及び第２金属板２２は、搬送路６０を間に挟んで配置されている。第１金属板２１は、レジスト付基材の第１面７１側の面を押圧するように、搬送路６０の下方に配置され、第２金属板２２は、レジスト付基材の第２面７２側の面を押圧するように、搬送路６０の上方に配置されている。第１金属板２１は、搬送路６０に対向する第１平坦面２１Ａを有し、第２金属板２２は、搬送路６０に対向する第２平坦面２２Ａを有する。第１金属板２１及び第２金属板２２は、例えばステンレス等の鉄鋼製であるが、他の金属製であってもよい。

【0032】

巻き出しロール２３Ａ、巻き取りロール２４Ａ、ガイドローラ２５Ａ、ガイドローラ２６Ａ及び第１搬送フィルム２７Ａは、搬送路６０の下方に配置されている。第１搬送フィルム２７Ａは、巻き出しロール２３Ａと巻き取りロール２４Ａとの間に、ガイドローラ２５Ａ及び２６Ａを介して懸架されている。第１搬送フィルム２７Ａは、第１平坦面２１Ａと第２平坦面２２Ａとの間を通過しながら、巻き出しロール２３Ａから巻き出され、巻き取りロール２４Ａに巻き取られる。

【0033】

巻き出しロール２３Ｂ、巻き取りロール２４Ｂ、ガイドローラ２５Ｂ、ガイドローラ２６Ｂ及び第２搬送フィルム２７Ｂは、搬送路６０の上方に配置されている。第２搬送フィルム２７Ｂは、巻き出しロール２３Ｂと巻き取りロール２４Ｂとの間に、ガイドローラ２５Ｂ及び２６Ｂを介して懸架されている。第２搬送フィルム２７Ｂは、第１平坦面２１Ａと第２平坦面２２Ａとの間を通過しながら、巻き出しロール２３Ｂから巻き出され、巻き取りロール２４Ｂに巻き取られる。

【0034】

第１搬送フィルム２７Ａ及び第２搬送フィルム２７Ｂによってレジスト付基材を挟みながら、第１金属板２１と第２金属板２２との間の位置までレジスト付基材を搬送することができる。

【0035】

レジスト付基材が第２搬送部６２によって平板プレス機２０に搬送されてくると、第１搬送フィルム２７Ａ及び第２搬送フィルム２７Ｂがレジスト付基材を第１金属板２１と第２金属板２２との間の位置まで搬送する。そして、第１金属板２１及び第２金属板２２によりレジスト付基材を押圧する。つまり、第１金属板２１及び第２金属板２２を用いて、第１平坦面２１Ａと第２平坦面２２Ａとの間で平板プレスが行われる。第１金属板２１及び第２金属板２２による平板プレスの後、第１搬送フィルム２７Ａ及び第２搬送フィルム２７Ｂがレジスト付基材を第３搬送部６３に向けて排出する。

【0036】

第３搬送部６３は、複数の搬送ローラ６３Ａを有し、平板プレス機２０から排出されたレジスト付基材を後工程の装置、例えば第１めっきレジスト層８１Ａ及び第２めっきレジスト層８２Ａの露光装置に搬送する。

【0037】

制御部９０は、ラミネータ１０、平板プレス機２０、第１供給部４０、第２供給部５０及び搬送路６０を含む処理部９０Ａの動作を制御する。

【0038】

レジスト層の形成装置１は、このような構成を具備している。

【0039】

［レジスト層の形成装置の動作］
次に、レジスト層の形成装置１の動作、すなわちレジスト層の形成方法について説明する。図４～図７は、レジスト層の形成装置１の動作を示す模式図である。図４～図７に示す一連の動作は、制御部９０により制御される。図８は、基材７０に第１めっきレジスト層８１Ａ及び第２めっきレジスト層８２Ａが形成される過程を示す断面図である。

【0040】

まず、図４に示すように、第１搬送部６１により基材７０がラミネータ１０に搬送される。基材７０は、図８（ａ）に示すように、例えば、基部７５と、第１面７１を構成する第１シード層７６と、第２面７２を構成する第２シード層７７とを有する。基材７０の第１面７１に凹部７１Ａが存在してもよく、第２面７２に凹部７２Ａが存在してもよい。

【0041】

ラミネータ１０では、第１ラミネートローラ１１及び第２ラミネートローラ１２が回転しながら基材７０を挟み込み、基材７０の第１面７１に第１ＤＦＲ８１からなる第１めっきレジスト層８１Ａが積層され、第２面７２に第２ＤＦＲ８２からなる第２めっきレジスト層８２Ａが積層される。第１ラミネートローラ１１及び第２ラミネートローラ１２から基材７０にかかる圧力（第１圧力）は、好ましくは０．２ＭＰａ～０．６ＭＰａとし、より好ましくは０．３ＭＰａ～０．５ＭＰａとする。また、第１ラミネートローラ１１及び第２ラミネートローラ１２の温度（第１温度）は、好ましくは６０℃～１４０℃とし、より好ましくは８０℃～１２０℃とする。

【0042】

図８（ｂ）に示すように、基材７０の第１面７１に凹部７１Ａが存在する場合、第１めっきレジスト層８１Ａが、凹部７１Ａの内側に入り込めず、凹部７１Ａと第１めっきレジスト層８１Ａとの間に隙間８３Ａが生じることがある。また、第１面７１の平坦な部分と第１めっきレジスト層８１Ａとの間に隙間８３Ｂが生じることもある。同様に、基材７０の第２面７２に凹部７２Ａが存在する場合、第２めっきレジスト層８２Ａが、凹部７２Ａの内側に入り込めず、凹部７２Ａと第２めっきレジスト層８２Ａとの間に隙間８４Ａが生じることがある。また、第２面７２の平坦な部分と第２めっきレジスト層８２Ａとの間に隙間８４Ｂが生じることもある。

【0043】

図５に示すように、ラミネータ１０から、第１めっきレジスト層８１Ａ及び第２めっきレジスト層８２Ａが積層された基材７０、すなわちレジスト付基材７４が排出されると、第２搬送部６２がレジスト付基材７４を平板プレス機２０に搬送する。

【0044】

次いで、図６に示すように、平板プレス機２０において、第１搬送フィルム２７Ａ及び第２搬送フィルム２７Ｂがレジスト付基材７４を第１金属板２１と第２金属板２２との間まで搬送する。そして、第１金属板２１及び第２金属板２２がレジスト付基材７４を押圧する。第１金属板２１及び第２金属板２２からレジスト付基材７４にかかる圧力（第２圧力）は、第１圧力よりも高くする。第２圧力は、好ましくは１．０ＭＰａ～２．０ＭＰａとし、より好ましくは１．２ＭＰａ～１．８ＭＰａとする。また、第１金属板２１及び第２金属板２２の温度（第２温度）は、第１温度よりも低くする。第２温度は、好ましくは４０℃～９０℃とし、より好ましくは５０℃～８０℃とする。

【0045】

第１金属板２１及び第２金属板２２がレジスト付基材７４を押圧することで、図８（ｃ）に示すように、隙間８３Ａ、８３Ｂ、８４Ａ及び８４Ｂが実質的に消失する。例えば、隙間８３Ａ又は８３Ｂに存在していた空気は、第１シード層７６と第１めっきレジスト層８１Ａとの間から外部に排出されたり、細分化されて第１シード層７６と第１めっきレジスト層８１Ａとの間に分散したりする。同様に、隙間８４Ａ又は８４Ｂに存在していた空気は、第２シード層７７と第２めっきレジスト層８２Ａとの間から外部に排出されたり、細分化されて第２シード層７７と第２めっきレジスト層８２Ａとの間に分散したりする。

【0046】

その後、第１搬送フィルム２７Ａ及び第２搬送フィルム２７Ｂがレジスト付基材７４を第３搬送部６３に搬送する。

【0047】

図７に示すように、平板プレス機２０からレジスト付基材７４が排出されると、第３搬送部６３がレジスト付基材７４を後工程に搬送する。

【0048】

レジスト層の形成装置１はこのように動作する。

【0049】

形成装置１では、平板プレス機２０における第２圧力がラミネータ１０における第１圧力よりも高いため、ラミネータ１０において隙間８３Ａ、８３Ｂ、８４Ａ及び８４Ｂが生じたとしても、平板プレス機２０を用いた平板プレスにより隙間８３Ａ、８３Ｂ、８４Ａ及び８４Ｂを実質的に消失させることができる。

【0050】

なお、平板プレス機２０における第２温度がラミネータ１０における第１温度よりも高い場合には、基材７０のビア内等に存在していた微細な気泡が、熱膨張により平板プレス機２０において、第１シード層７６と第１めっきレジスト層８１Ａとの間に移動してきたり、第２シード層７７と第２めっきレジスト層８２Ａとの間に移動してきたりするおそれがある。熱膨張により気泡が移動してくると、平板プレス機２０を用いた平板プレス後にも、第１シード層７６と第１めっきレジスト層８１Ａとの間に気泡が残存したり、第２シード層７７と第２めっきレジスト層８２Ａとの間に気泡が残存したりするおそれがある。これに対し、本実施形態では、第２温度が第１温度よりも低いため、熱膨張による気泡の移動を抑制することができる。

【0051】

［配線層の形成方法］
次に、レジスト層の形成装置１から排出されたレジスト付基材７４を用いて配線層を形成する方法について説明する。図９は、配線層の形成方法を示す断面図である。

【0052】

まず、図９（ａ）に示すように、第１めっきレジスト層８１Ａ及び第２めっきレジスト層８２Ａの露光及び現像を行うことで、第１めっきレジスト層８１Ａに開口部８１Ｘを形成し、第２めっきレジスト層８２Ａに開口部８２Ｘを形成する。このとき、第１めっきレジスト層８１Ａと第１面７１との間には隙間が実質的に存在せず、第２めっきレジスト層８２Ａと第２面７２との間には隙間が実質的に存在しない。

【0053】

次いで、図９（ｂ）に示すように、第１シード層７６をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、第１めっきレジスト層８１Ａの開口部８１Ｘ内に第１金属めっき層７８を形成する。同様に、第２シード層７７をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、第２めっきレジスト層８２Ａの開口部８２Ｘ内に第２金属めっき層７９を形成する。このとき、第１めっきレジスト層８１Ａは、基部７５と第１めっきレジスト層８１Ａとの間には形成されず、第２めっきレジスト層８２Ａは、基部７５と第２めっきレジスト層８２Ａとの間には形成されない。

【0054】

次いで、図９（ｃ）に示すように、第１めっきレジスト層８１Ａ及び第２めっきレジスト層８２Ａを除去する。更に、第１金属めっき層７８をマスクにして、フラッシュエッチングにより第１シード層７６を除去し、第２金属めっき層７９をマスクにして、フラッシュエッチングにより第２シード層７７を除去する。このようにして、第１シード層７６及び第１金属めっき層７８を含む複数の第１導電パターン９１と、第２シード層７７及び第２金属めっき層７９を含む複数の第２導電パターン９２とが形成される。複数の第１導電パターン９１から第１配線層９３が構成され、複数の第２導電パターン９２から第２配線層９４が構成される。

【0055】

基部７５と第１めっきレジスト層８１Ａとの間に第１めっきレジスト層８１Ａが形成されていないため、第１シード層７６の除去に伴って、隣り合う第１導電パターン９１同士は適切に電気的に絶縁分離される。同様に、基部７５と第２めっきレジスト層８２Ａとの間に第２めっきレジスト層８２Ａが形成されていないため、第２シード層７７の除去に伴って、隣り合う第２導電パターン９２同士は適切に電気的に絶縁分離される。

【0056】

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、主として、ラミネータ１０と平板プレス機２０との間にロールプレス機を有する点で第１実施形態と相違する。

【0057】

［レジスト層の形成装置の構成］
図１０は、第２実施形態に係るレジスト層の形成装置を示す模式図である。第２実施形態に係るレジスト層の形成装置２は、主として、ラミネータ１０と、平板プレス機２０と、第１供給部４０と、第２供給部５０と、搬送路６０と、制御部９０とに加えて、ロールプレス機３０を有する。

【0058】

搬送路６０は、第１搬送部６１と、第２搬送部６２と、第３搬送部６３とに加えて、第４搬送部６４を有する。第４搬送部６４は、第２搬送部６２と第３搬送部６３との間に配置されている。ロールプレス機３０は、第２搬送部６２と第４搬送部６４との間に配置されている。

【0059】

本実施形態では、第２搬送部６２は、ラミネータ１０から排出されたレジスト付基材７４を平板プレス機２０ではなく、ロールプレス機３０に搬送する。

【0060】

ロールプレス機３０は、第１圧着ローラ３１と、第２圧着ローラ３２とを有する。第１圧着ローラ３１及び第２圧着ローラ３２は略円柱状の形状を有する。第１圧着ローラ３１及び第２圧着ローラ３２は、搬送路６０を間に挟んで配置されている。第１圧着ローラ３１は、レジスト付基材７４の第１面７１を押圧するように、搬送路６０の下方に配置され、第２圧着ローラ３２は、レジスト付基材７４の第２面７２を押圧するように、搬送路６０の上方に配置されている。ロールプレス機３０は、第１圧着ローラ３１及び第２圧着ローラ３２を回転させながらレジスト付基材７４を押圧する。

【0061】

第４搬送部６４は、複数の搬送ローラ６４Ａを有し、ロールプレス機３０から排出されたレジスト付基材７４を平板プレス機２０に搬送する。

【0062】

制御部９０は、ラミネータ１０、平板プレス機２０、ロールプレス機３０、第１供給部４０、第２供給部５０及び搬送路６０を含む処理部９０Ｂの動作を制御する。

【0063】

他の構成は第１実施形態と同様である。

【0064】

［レジスト層の形成装置の動作］
次に、レジスト層の形成装置２の動作、すなわちレジスト層の形成方法について説明する。図１１は、レジスト層の形成装置２の動作を示す模式図である。図１１に示す一連の動作は、制御部９０により制御される。

【0065】

まず、第１実施形態と同様に、ラミネータ１０により、基材７０の第１面７１に第１ＤＦＲ８１からなる第１めっきレジスト層８１Ａが積層され、第２面７２に第２ＤＦＲ８２からなる第２めっきレジスト層８２Ａが積層される。そして、第２搬送部６２がレジスト付基材７４をロールプレス機３０に搬送する。

【0066】

ロールプレス機３０は、レジスト付基材７４が搬送されてくると、図１１に示すように、第１圧着ローラ３１及び第２圧着ローラ３２を回転させながらレジスト付基材７４を押圧する。第１圧着ローラ３１及び第２圧着ローラ３２からレジスト付基材７４にかかる圧力（第３圧力）は、第２圧力より低い。第３圧力は、例えば第１圧力と同程度とする。第３圧力は、好ましくは０．２ＭＰａ～０．６ＭＰａとし、より好ましくは０．３ＭＰａ～０．５ＭＰａとする。また、第１圧着ローラ３１及び第２圧着ローラ３２の温度（第３温度）は、第２温度よりも高くする。第３温度は、例えば第１温度と同程度とする。第３温度は、好ましくは６０℃～１４０℃とし、より好ましくは８０℃～１２０℃とする。

【0067】

ロールプレス機３０からレジスト付基材７４が排出されると、第４搬送部６４がレジスト付基材７４を平板プレス機２０に搬送する。次いで、第１実施形態と同様に、平板プレス機２０において、レジスト付基材７４の平板プレスが行われる。第２圧力は、第１圧力及び第３圧力よりも高くし、第２温度は、第１温度及び第３温度よりも低くする。平板プレス機２０からレジスト付基材７４が排出されると、第３搬送部６３がレジスト付基材７４を後工程に搬送する。

【0068】

レジスト層の形成装置２はこのように動作する。

【0069】

形成装置２では、ラミネータ１０と平板プレス機２０との間にロールプレス機３０が設けられ、ロールプレス機３０がレジスト付基材７４のロールプレスを行う。また、第２圧力は、第１圧力及び第３圧力よりも高く、第２温度は、第１温度及び第３温度よりも低い。このため、ラミネータ１０において隙間８３Ａ、８３Ｂ、８４Ａ及び８４Ｂが生じたとしても、隙間８３Ａ、８３Ｂ、８４Ａ及び８４Ｂをより一層消失させやすい。

【0070】

すなわち、平板プレス機２０による平板プレスの前に、ロールプレス機３０により、レジスト付基材７４に対して前方の端から順に比較的弱い第３圧力がかけられる。このため、シード層１０２とめっきレジスト層１０３との間の空気だまりを除去しやすい。また、ロールプレス機３０によるロールプレスによって空気だまりを除去しきれないことがあるが、空気だまりは細分化される。そして、その後に平板プレス機２０による平板プレスが行われることで、細分化された空気だまりが拡散する。また、絶縁層１０１の表面に凹凸があっても、平板プレス機２０による平板プレスによって、めっきレジスト層１０３を凹凸に追従させることができる。

【0071】

（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、第１実施形態に係るレジスト層の形成装置１又は第２実施形態に係るレジスト層の形成装置２を用いた配線基板の製造方法について説明する。図１２～図１４は、第３実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。

【0072】

まず、図１２（ａ）に示すように、支持体としてコア配線基板２０１を準備する。コア配線基板２０１はコア基板２０２及び第１配線層２０４を備えている。コア基板２０２には厚さ方向に貫通するスルーホール２０３Ａが形成されており、スルーホール２０３Ａ内に貫通導体２０３が設けられている。例えば、スルーホール２０３Ａはドリルやレーザを用いた加工等により形成することができ、貫通導体２０３及び第１配線層２０４はめっき法及びフォトリソグラフィ等により形成することができる。なお、コア配線基板２０１としては、配線基板２００が複数個取れる大判の基板が使用される。つまり、コア配線基板２０１は、配線基板２００に対応する構造体が形成される複数の領域を有している。

【0073】

次いで、図１２（ｂ）に示すように、コア基板２０２の両側に未硬化の樹脂フィルムを貼付し、加熱処理して硬化させることにより、第１絶縁層２０５を形成する。第１絶縁層２０５は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂から形成される。液状樹脂を塗布することにより、第１絶縁層２０５を形成してもよい。その後、コア基板２０２の両側の第１絶縁層２０５をレーザで加工することにより、第１配線層２０４の接続部に到達するビアホール２０６を第１絶縁層２０５に形成する。

【0074】

次いで、図１３（ａ）に示すように、コア基板２０２の両側において、ビアホール２０６内のビア導体を介して第１配線層２０４に接続される第２配線層２０７を第１絶縁層２０５上に形成する。

【0075】

ここで、第２配線層２０７の形成方法について説明する。図１５～図１６は、第３実施形態における第２配線層２０７の形成方法を示す断面図である。

【0076】

まず、図１５（ａ）に示すように、第１絶縁層２０５上及びビアホール２０６の内面に無電解めっき法又はスパッタ法により、銅等からなるシード層２７１を形成する。

【0077】

次いで、図１５（ｂ）に示すように、シード層２７１上に、めっきレジスト層２７２を形成する。めっきレジスト層２７２は、第１実施形態に係る形成装置１又は第２実施形態に係る形成装置２を用いて形成する。すなわち、基材７０として図１５（ａ）に示す構造体を用い、第１めっきレジスト層８１Ａ及び第２めっきレジスト層８２Ａとしてめっきレジスト層２７２を形成する。形成装置１を用いることで、シード層２７１とめっきレジスト層２７２との間に実質的に隙間を生じることなくめっきレジスト層２７２を形成することができる。

【0078】

次いで、めっきレジスト層２７２の露光及び現像を行うことで、図１５（ｃ）に示すように、めっきレジスト層２７２に開口部２７２Ｘを形成する。

【0079】

次いで、図１６（ａ）に示すように、シード層２７１をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、めっきレジスト層２７２の開口部２７２Ｘ内に銅等からなる金属めっき層２７３を形成する。

【0080】

次いで、図１６（ｂ）に示すように、めっきレジスト層２７２を除去する。更に、金属めっき層２７３をマスクにして、フラッシュエッチングによりシード層２７１を除去する。このようにして、シード層２７１及び金属めっき層２７３を含む複数の導電パターン２７４が形成される。複数の導電パターン２７４から第２配線層２０７が構成される。

【0081】

第２配線層２０７の形成後、図１３（ｂ）に示すように、第１絶縁層２０５上に、第２絶縁層２０８を形成する。第２絶縁層２０８は、第１絶縁層２０５と同様の方法で形成することができる。

【0082】

次いで、図１４（ａ）に示すように、コア基板２０２の両側の第２絶縁層２０８をレーザで加工することにより、第２配線層２０７の接続部に到達するビアホール２０９を第２絶縁層２０８に形成する。更に、コア基板２０２の両側において、ビアホール２０９内のビア導体を介して第２配線層２０７に接続される第３配線層２１０を第２絶縁層２０８上に形成する。第３配線層２１０は、第２配線層２０７と同様の方法で形成することができる。

【0083】

次いで、図１４（ｂ）に示すように、コア基板２０２の両側において、第２絶縁層２０８上にソルダレジスト層２５０を形成する。ソルダレジスト層２５０は、感光性のエポキシ樹脂又はアクリル樹脂等の絶縁樹脂から形成される。樹脂フィルムの貼り付け又は液状樹脂の塗布により、ソルダレジスト層２５０を形成してもよい。

【0084】

樹脂フィルムを用いてソルダレジスト層２５０を形成する場合、第１実施形態に係る形成装置１又は第２実施形態に係る形成装置２を用いることができる。すなわち、基材７０として図１４（ａ）に示す構造体を用い、第１ＤＦＲ８１及び第２ＤＦＲ８２に代えて樹脂フィルムを用い、第１めっきレジスト層８１Ａ及び第２めっきレジスト層８２Ａに代えてソルダレジスト層２５０を形成する。形成装置１を用いることで、第２絶縁層２０８とソルダレジスト層２５０との間に実質的に隙間を生じることなくソルダレジスト層２５０を形成することができる。

【0085】

ソルダレジスト層２５０の形成後、コア基板２０２の半導体チップと接続される側のソルダレジスト層２５０に第３配線層２１０の接続部に達する開口部２５１を形成する。また、コア基板２０２の反対側のソルダレジスト層２５０に第３配線層２１０の接続部に達する開口部２５２を形成する。

【0086】

開口部２５１及び開口部２５２は、露光及び現像により形成することができる。第２絶縁層２０８とソルダレジスト層２５０との間に実質的に隙間を生じることなくソルダレジスト層２５０が形成されていると、露光の精度を向上することができる。

【0087】

ソルダレジスト層２５０に非感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂を用いてもよい。この場合、開口部２５１及び開口部２５２は、レーザ加工又はブラスト処理により形成することができる。

【0088】

次いで、図１４（ｂ）に示す構造体をスライサー等により切断する。これにより、配線基板に対応する構造体が個片化され、大判のコア配線基板２０１から複数の配線基板が複数得られる。

【0089】

この方法によれば、第２配線層２０７及び第３配線層２１０における導電パターンの間の短絡を抑制することができる。

【0090】

本開示のレジスト層の形成装置は、サブトラクティブ法により配線層を形成する場合のレジスト層の形成にも用いることができる。この場合、例えば、金属めっき層の上に、金属めっき層とレジスト層との間に実質的に隙間を生じさせることなくレジスト層を形成することができる。そして、開口部を形成するためのレジスト層の露光を高精度で行うことができる。

【0091】

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0092】

１、２ 形成装置
１０ ラミネータ
２０ 平板プレス機
３０ ロールプレス機
４０、５０ 供給部
６０ 搬送路
７６、７７、１０２、２７１ シード層
７８、７９、１０５、２７３ 金属めっき層
８１、８２ ＤＦＲ
８１Ａ、８２Ａ：めっきレジスト層
９０ 制御部
９１、９２、１０７、２７４ 導電パターン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】