特開 2022-170185 配線基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022170185

(43)【公開日】2022-11-10

(54)【発明の名称】配線基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20221102BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 G

H05K3/46 N

H05K3/46 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021076129

(22)【出願日】2021-04-28

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】村上 昌弘

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA41

5E316AA43

5E316BB16

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC32

5E316DD17

5E316DD25

5E316DD33

5E316DD47

5E316EE33

5E316FF04

5E316FF07

5E316FF15

5E316FF50

5E316HH01

5E316JJ13

5E316JJ26

(57)【要約】

【課題】生産効率の低下を抑制しながらインダクタンスを高めることができる配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板は、第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを備えた絶縁性の基材と、前記基材に形成された第１貫通孔と、前記第１貫通孔内に設けられた第１導電層と、前記第１主面と前記第１導電層の前記第１主面側の面とを覆う第１絶縁層と、前記第２主面と前記第１導電層の前記第２主面側の面とを覆う第２絶縁層と、前記第１絶縁層、前記基材及び前記第２絶縁層に形成された第２貫通孔と、前記第２貫通孔内に設けられた磁性体と、前記磁性体に形成された第３貫通孔と、前記第３貫通孔内に設けられた第２導電層と、を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを備えた絶縁性の基材と、
前記基材に形成された第１貫通孔と、
前記第１貫通孔内に設けられた第１導電層と、
前記第１主面と、前記第１導電層の前記第１主面側の面とを覆う第１絶縁層と、
前記第２主面と、前記第１導電層の前記第２主面側の面とを覆う第２絶縁層と、
前記第１絶縁層、前記基材及び前記第２絶縁層に形成された第２貫通孔と、
前記第２貫通孔内に設けられた磁性体と、
前記磁性体に形成された第３貫通孔と、
前記第３貫通孔内に設けられた第２導電層と、
を有することを特徴とする配線基板。

【請求項2】

前記第１主面上に形成され、前記第１導電層に接続された第１配線層と、
前記第２主面上に形成され、前記第１導電層に接続された第２配線層と、
前記第１絶縁層上に形成され、前記第２導電層に接続された第３配線層と、
前記第２絶縁層上に形成され、前記第２導電層に接続された第４配線層と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記第１導電層は、前記第１貫通孔の壁面上に設けられ、
前記第２導電層は、前記第３貫通孔の壁面上に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。

【請求項4】

前記第１貫通孔の前記第１導電層の内側の部分を充填する絶縁性の第１充填材と、
前記第３貫通孔の前記第２導電層の内側の部分を充填する絶縁性の第２充填材と、
を有することを特徴とする請求項３に記載の配線基板。

【請求項5】

前記第１絶縁層が、複数の絶縁層が積層されてなり、
前記第２絶縁層が、複数の絶縁層が積層されてなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板。

【請求項6】

第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを備えた絶縁性の基材に第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔内に第１導電層を設ける工程と、
前記第１主面と、前記第１導電層の前記第１主面側の面とを覆う第１絶縁層を形成する工程と、
前記第２主面と、前記第１導電層の前記第２主面側の面とを覆う第２絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層、前記基材及び前記第２絶縁層に第２貫通孔を形成する工程と、
前記第２貫通孔内に磁性体を充填する工程と、
前記磁性体に第３貫通孔を形成する工程と、
前記第３貫通孔内に第２導電層を設ける工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。

【請求項7】

前記第１主面上に、前記第１導電層に接続される第１配線層を形成する工程と、
前記第２主面上に、前記第１導電層に接続される第２配線層を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に、前記第２導電層に接続される第３配線層を形成する工程と、
前記第２絶縁層上に、前記第２導電層に接続される第４配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。

【請求項8】

前記第１導電層は、前記第１貫通孔の壁面上に設けられ、
前記第２導電層は、前記第３貫通孔の壁面上に設けられることを特徴とする請求項６又は７に記載の配線基板の製造方法。

【請求項9】

前記第１貫通孔の前記第１導電層の内側の部分を絶縁性の第１充填材により充填する工程と、
前記第３貫通孔の前記第２導電層の内側の部分を絶縁性の第２充填材により充填する工程と、
を有することを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。

【請求項10】

前記第１絶縁層が、複数の絶縁層を積層して形成され、
前記第２絶縁層が、複数の絶縁層を積層して形成されることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、配線基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

配線基板の一つとして、コア基板に形成された貫通孔内に磁性体樹脂が埋め込まれたインダクタ内蔵基板が提案されている（特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－２２０５０４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

従来の磁性体樹脂を含む配線基板を用いてインダクタンスを高めるためには、コア基板を厚くする必要がある。コア基板を厚くすると、貫通孔の形成に多大な時間がかかり生産効率が大きく低下してしまう。

【0005】

本開示は、生産効率の低下を抑制しながらインダクタンスを高めることができる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一形態によれば、第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを備えた絶縁性の基材と、前記基材に形成された第１貫通孔と、前記第１貫通孔内に設けられた第１導電層と、前記第１主面と前記第１導電層の前記第１主面側の面とを覆う第１絶縁層と、前記第２主面と前記第１導電層の前記第２主面側の面とを覆う第２絶縁層と、前記第１絶縁層、前記基材及び前記第２絶縁層に形成された第２貫通孔と、前記第２貫通孔内に設けられた磁性体と、前記磁性体に形成された第３貫通孔と、前記第３貫通孔内に設けられた第２導電層と、を有する配線基板が提供される。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、生産効率の低下を抑制しながらインダクタンスを高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係る配線基板の構造を示す断面図である。

【図2】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図3】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図4】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図5】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。

【図6】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その５）である。

【図7】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その６）である。

【図8】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その７）である。

【図9】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その８）である。

【図10】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その９）である。

【図11】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１０）である。

【図12】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１１）である。

【図13】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１２）である。

【図14】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１３）である。

【図15】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１４）である。

【図16】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１５）である。

【図17】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１６）である。

【図18】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１７）である。

【図19】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１８）である。

【図20】第２実施形態に係る配線基板の構造を示す断面図である。

【図21】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図22】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図23】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図24】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。

【図25】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その５）である。

【図26】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その６）である。

【図27】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その７）である。

【図28】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その８）である。

【図29】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その９）である。

【図30】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１０）である。

【図31】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１１）である。

【図32】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１２）である。

【図33】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１３）である。

【図34】第３実施形態に係る半導体パッケージを示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。

【0010】

（第１実施形態）
まず、第１実施形態について説明する。第１実施形態は配線基板に関する。

【0011】

［配線基板の構造］
まず、配線基板の構造について説明する。図１は、第１実施形態に係る配線基板の構造を示す断面図である。

【0012】

図１に示すように、第１実施形態に係る配線基板１００は、支持体として絶縁性の基材１０２を含む。基材１０２は、ガラスエポキシ樹脂や、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の絶縁材料から形成される。基材１０２は、第１主面１０２Ａと、第１主面１０２Ａとは反対側の第２主面１０２Ｂとを備える。

【0013】

基材１０２に厚さ方向に貫通する第１貫通孔１１１が形成されている。例えば、第１貫通孔１１１の直径は１５０μｍ～２５０μｍである。第１貫通孔１１１内に第１貫通導電ビア１２１が設けられている。第１貫通導電ビア１２１は第１貫通孔１１１の壁面上に設けられている。第１貫通孔１１１の第１貫通導電ビア１２１の内側の部分を充填する絶縁性の第１充填材１９１が設けられている。例えば、第１充填材１９１は樹脂を含有する。第１充填材１９１が更にフィラーを含有してもよい。

【0014】

第１主面１０２Ａ上に第１配線層１１０１が形成され、第２主面１０２Ｂ上に第２配線層１１０２が形成されている。第１配線層１１０１及び第２配線層１１０２は第１貫通導電ビア１２１に接続されている。すなわち、第１配線層１１０１及び第２配線層１１０２は、第１貫通導電ビア１２１を介して相互に接続されている。

【0015】

第１主面１０２Ａ上に第１絶縁層１２０１が形成されている。第１絶縁層１２０１には、第１配線層１１０１の接続部に到達するビアホール１３０１が形成されており、第１絶縁層１２０１上に、ビアホール１３０１内のビア導体を介して第１配線層１１０１に接続される第３配線層１１０３が形成されている。更に、第１絶縁層１２０１上に第３絶縁層１２０３が形成されている。第３絶縁層１２０３には、第３配線層１１０３の接続部に到達するビアホール１３０３が形成されており、第３絶縁層１２０３上に、ビアホール１３０３内のビア導体を介して第３配線層１１０３に接続される第５配線層１１０５が形成されている。

【0016】

第３絶縁層１２０３上に第５絶縁層１２０５が形成されている。第５絶縁層１２０５には、第５配線層１１０５の接続部に到達するビアホール１３０５が形成されており、第５絶縁層１２０５上に、ビアホール１３０５内のビア導体を介して第５配線層１１０５に接続される第７配線層１１０７が形成されている。更に、第５絶縁層１２０５上に第７絶縁層１２０７が形成されている。第７絶縁層１２０７には、第７配線層１１０７の接続部に到達するビアホール１３０７が形成されており、第７絶縁層１２０７上に、ビアホール１３０７内のビア導体を介して第７配線層１１０７に接続される第９配線層１１０９が形成されている。

【0017】

第２主面１０２Ｂ上に第２絶縁層１２０２が形成されている。第２絶縁層１２０２には、第２配線層１１０２の接続部に到達するビアホール１３０２が形成されており、第２絶縁層１２０２上に、ビアホール１３０２内のビア導体を介して第２配線層１１０２に接続される第４配線層１１０４が形成されている。更に、第２絶縁層１２０２上に第４絶縁層１２０４が形成されている。第４絶縁層１２０４には、第４配線層１１０４の接続部に到達するビアホール１３０４が形成されており、第４絶縁層１２０４上に、ビアホール１３０４内のビア導体を介して第４配線層１１０４に接続される第６配線層１１０６が形成されている。

【0018】

第４絶縁層１２０４上に第６絶縁層１２０６が形成されている。第６絶縁層１２０６には、第６配線層１１０６の接続部に到達するビアホール１３０６が形成されており、第６絶縁層１２０６上に、ビアホール１３０６内のビア導体を介して第６配線層１１０６に接続される第８配線層１１０８が形成されている。更に、第６絶縁層１２０６上に第８絶縁層１２０８が形成されている。第８絶縁層１２０８には、第８配線層１１０８の接続部に到達するビアホール１３０８が形成されており、第８絶縁層１２０８上に、ビアホール１３０８内のビア導体を介して第８配線層１１０８に接続される第１０配線層１１１０が形成されている。

【0019】

第７絶縁層１２０７、第５絶縁層１２０５、第３絶縁層１２０３、第１絶縁層１２０１、基材１０２、第２絶縁層１２０２、第４絶縁層１２０４、第６絶縁層１２０６及び第８絶縁層１２０８に厚さ方向に貫通する第２貫通孔１１２が形成されている。第２貫通孔１１２は、基材１０２の厚さ方向に直交する面内方向で第１貫通孔１１１から離間して形成されている。第２貫通孔１１２の直径は第１貫通孔１１１の直径より大きく、例えば３５０μｍ～４５０μｍである。

【0020】

第２貫通孔１１２内に磁性体１１０が設けられている。磁性体１１０は、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂剤と、樹脂剤中に分散した磁性粒子とを含む。磁性粒子としては、酸化鉄やフェライト等のフィラーを用いることができる。磁性体１１０は、第７絶縁層１２０７の表面よりも第１主面１０２Ａから離れた面と、第８絶縁層１２０８の表面よりも第２主面１０２Ｂから離れた面とを有する。

【0021】

磁性体１１０に厚さ方向に貫通する第３貫通孔１１３が形成されている。第３貫通孔１１３の直径は第２貫通孔１１２の直径より小さく、例えば１５０μｍ～２５０μｍである。第３貫通孔１１３内に第２貫通導電ビア１２２が設けられている。第２貫通導電ビア１２２は第３貫通孔１１３の壁面上に設けられている。第３貫通孔１１３の第２貫通導電ビア１２２の内側の部分を充填する絶縁性の第２充填材１９２が設けられている。例えば、第２充填材１９２は樹脂を含有する。第２充填材１９２が更にフィラーを含有してもよい。

【0022】

第９配線層１１０９及び第１０配線層１１１０は第２貫通導電ビア１２２に接続されている。すなわち、第９配線層１１０９及び第１０配線層１１１０は、第２貫通導電ビア１２２を介して相互に接続されている。

【0023】

第１絶縁層１２０１、第３絶縁層１２０３、第５絶縁層１２０５及び第７絶縁層１２０７は、第１絶縁層の一例である。第１絶縁層の数は任意である。１又は２以上の絶縁層を積層して形成できる。第２絶縁層１２０２、第４絶縁層１２０４、第６絶縁層１２０６及び第８絶縁層１２０８は、第２絶縁層の一例である。第２絶縁層の数は任意である。１又は２以上の絶縁層を積層して形成できる。第１配線層１１０１は第１配線層の一例である。第２配線層１１０２は第２配線層の一例である。第９配線層１１０９は第３配線層の一例である。第１０配線層１１１０は第４配線層の一例である。第１貫通導電ビア１２１は第１導電層の一例である。第２貫通導電ビア１２２は第２導電層の一例である。

【0024】

第７絶縁層１２０７上に第９絶縁層１２０９が形成されている。第９絶縁層１２０９には、第９配線層１１０９の接続部に到達するビアホール１３０９が形成されており、第９絶縁層１２０９上に、ビアホール１３０９内のビア導体を介して第９配線層１１０９に接続される第１１配線層１１１１が形成されている。更に、第９絶縁層１２０９上に第１１絶縁層１２１１が形成されている。第１１絶縁層１２１１には、第１１配線層１１１１の接続部に到達するビアホール１３１１が形成されており、第１１絶縁層１２１１上に、ビアホール１３１１内のビア導体を介して第１１配線層１１１１に接続される第１３配線層１１１３が形成されている。

【0025】

第１１絶縁層１２１１上にソルダレジスト層１２１３が形成されている。ソルダレジスト層１２１３に第１３配線層１１１３の接続部に達する開口部１３１３が形成されている。第１３配線層１１１３の接続部上に、開口部１３１３を通じてソルダレジスト層１２１３の上方まで突出する接続端子１１１５が形成されている。接続端子１１１５はポスト及びその上のバンプを含んでもよい。接続端子１１１５に半導体チップの電極が接続される。

【0026】

第８絶縁層１２０８上に第１０絶縁層１２１０が形成されている。第１０絶縁層１２１０には、第１０配線層１１１０の接続部に到達するビアホール１３１０が形成されており、第１０絶縁層１２１０上に、ビアホール１３１０内のビア導体を介して第１０配線層１１１０に接続される第１２配線層１１１２が形成されている。更に、第１０絶縁層１２１０上に第１２絶縁層１２１２が形成されている。第１２絶縁層１２１２には、第１２配線層１１１２の接続部に到達するビアホール１３１２が形成されており、第１２絶縁層１２１２上に、ビアホール１３１２内のビア導体を介して第１２配線層１１１２に接続される第１４配線層１１１４が形成されている。

【0027】

第１２絶縁層１２１２上にソルダレジスト層１２１４が形成されている。ソルダレジスト層１２１４に第１４配線層１１１４の接続部に達する開口部１３１４が形成されている。

【0028】

［配線基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２～図１９は、第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。図２～図１９には、図１中の領域Ｒを詳細に示す。

【0029】

まず、図２（ａ）に示すように、絶縁性の基材１０２と、導電膜１０３Ａと、導電膜１０３Ｂとを備えた積層板１０１を準備する。基材１０２は、第１主面１０２Ａと、第１主面１０２Ａとは反対側の第２主面１０２Ｂとを備え、導電膜１０３Ａは第１主面１０２Ａの上に設けられ、導電膜１０３Ｂは第２主面１０２Ｂの上に設けられている。例えば、導電膜１０３Ａ及び１０３Ｂは銅箔である。積層板１０１としては、配線基板１００が複数個取れる大判の基板が使用される。つまり、積層板１０１は、配線基板１００に対応する構造体が形成される複数の領域を有している。

【0030】

次いで、図２（ｂ）に示すように、積層板１０１に厚さ方向に貫通する第１貫通孔１１１を形成する。第１貫通孔１１１は、導電膜１０３Ａと、基材１０２と、導電膜１０３Ｂとを厚さ方向に貫通する。例えば、第１貫通孔１１１はドリルやレーザを用いた加工等により形成することができる。その後、第１貫通孔１１１の壁面のデスミア処理を行う。デスミア処理とは、樹脂残渣（スミア）を除去する処理である。デスミア処理は、例えば、過マンガン酸カリウム溶液により行うことができる。例えば、第１貫通孔１１１の直径は１５０μｍ～２５０μｍとする。

【0031】

その後、図３（ａ）に示すように、導電膜１０３Ａの表面上と、導電膜１０３Ｂの表面上と、第１貫通孔１１１の壁面上とに無電解銅めっき膜１３１を形成する。続いて、無電解銅めっき膜１３１をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜１３１上に電解銅めっき膜１３２を形成する。例えば、無電解銅めっき膜１３１の厚さは、０．３μｍ～１．０μｍであり、電解銅めっき膜１３２の厚さは、１０μｍ～５０μｍである。

【0032】

次いで、図３（ｂ）に示すように、第１貫通孔１１１内に第１充填材１９１を充填する。例えば、第１充填材１９１はスクリーン印刷法により充填することができる。第１充填材１９１は第１貫通孔１１１内で電解銅めっき膜１３２上に設けられる。その後、第１充填材１９１を硬化させる。第１充填材１９１がエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む場合、加熱処理により第１充填材１９１を硬化させることができる。第１充填材１９１は、電解銅めっき膜１３２の両側の表面から突出するように充填する。充填不足を避けるためである。

【0033】

続いて、第１充填材１９１を電解銅めっき膜１３２の表面が露出するまで研磨する。この結果、第１充填材１９１は、電解銅めっき膜１３２の表面と面一の面を有するようになる。例えば、第１充填材１９１は、化学機械的研磨（chemical mechanical polishing：ＣＭＰ）法により研磨できる。第１充填材１９１の、電解銅めっき膜１３２の表面から突出する部分をバフ研磨又はロール研磨により除去してもよい。

【0034】

次いで、図４（ａ）に示すように、第１主面１０２Ａ側で、電解銅めっき膜１３２の表面上と、第１充填材１９１の電解銅めっき膜１３２の表面と面一の面上とに無電解銅めっき膜１３３Ａを形成する。同様に、第２主面１０２Ｂ側で、電解銅めっき膜１３２の表面上と、第１充填材１９１の電解銅めっき膜１３２の表面と面一の面上とに無電解銅めっき膜１３３Ｂを形成する。その後、無電解銅めっき膜１３３Ａをめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜１３３Ａ上に電解銅めっき膜１３４Ａを形成し、無電解銅めっき膜１３３Ｂをめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜１３３Ｂ上に電解銅めっき膜１３４Ｂを形成する。例えば、無電解銅めっき膜１３３Ａ及び１３３Ｂの厚さは、０．３μｍ～１．０μｍであり、電解銅めっき膜１３４Ａ及び１３４Ｂの厚さは、１５μｍ～４０μｍである。

【0035】

続いて、図４（ｂ）に示すように、第１配線層１１０１のパターンが形成されたレジスト層１５１Ａを電解銅めっき膜１３４Ａ上に形成し、第２配線層１１０２のパターンが形成されたレジスト層１５１Ｂを電解銅めっき膜１３４Ｂ上に形成する。レジスト層１５１Ａ及び１５１Ｂとしては、例えば、ドライフィルム等を用いることができ、露光及び現像によりレジスト層１５１Ａ及び１５１Ｂにパターンを形成できる。

【0036】

次いで、図５（ａ）に示すように、レジスト層１５１Ａをマスクとして電解銅めっき膜１３４Ａ、無電解銅めっき膜１３３Ａ、電解銅めっき膜１３２、無電解銅めっき膜１３１、及び導電膜１０３Ａをエッチングする。また、レジスト層１５１Ｂをマスクとして電解銅めっき膜１３４Ｂ、無電解銅めっき膜１３３Ｂ、電解銅めっき膜１３２、無電解銅めっき膜１３１、及び導電膜１０３Ｂをエッチングする。この結果、第１貫通導電ビア１２１と、第１配線層１１０１と、第２配線層１１０２とが得られる。第１貫通導電ビア１２１は、無電解銅めっき膜１３１及び電解銅めっき膜１３２の、第１主面１０２Ａと第２主面１０２Ｂとの間の部分を含む。第１配線層１１０１は、導電膜１０３Ａと、無電解銅めっき膜１３１及び電解銅めっき膜１３２の、第１主面１０２Ａよりも無電解銅めっき１３３Ａ側の部分と、無電解銅めっき膜１３３Ａと、電解銅めっき膜１３４Ａとを含む。第２配線層１１０２は、導電膜１０３Ｂと、無電解銅めっき膜１３１及び電解銅めっき膜１３２の、第２主面１０２Ｂよりも無電解銅めっき１３３Ｂ側の部分と、無電解銅めっき膜１３３Ｂと、電解銅めっき膜１３４Ｂとを含む。

【0037】

そして、図５（ｂ）に示すように、レジスト層１５１Ａ及び１５１Ｂを除去する。

【0038】

次いで、図６に示すように、第１主面１０２Ａ上に第１配線層１１０１を覆うように未硬化の樹脂フィルムを貼付し、第２主面１０２Ｂ上に第２配線層１１０２を覆うように未硬化の樹脂フィルムを貼付する。その後、これら樹脂フィルムを加熱処理して硬化させることにより、第１絶縁層１２０１及び第２絶縁層１２０２を形成する。第１絶縁層１２０１及び第２絶縁層１２０２は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂から形成される。液状樹脂を塗布することにより、第１絶縁層１２０１及び第２絶縁層１２０２を形成してもよい。続いて、第１絶縁層１２０１及び第２絶縁層１２０２をレーザで加工することにより、第１配線層１１０１の接続部に到達するビアホール１３０１を第１絶縁層１２０１に形成し、第２配線層１１０２の接続部に到達するビアホール１３０２を第２絶縁層１２０２に形成する。

【0039】

次いで、同じく図６に示すように、ビアホール１３０１内のビア導体を介して第１配線層１１０１に接続される第３配線層１１０３を第１絶縁層１２０１上に形成し、ビアホール１３０２内のビア導体を介して第２配線層１１０２に接続される第４配線層１１０４を第２絶縁層１２０２上に形成する。

【0040】

第３配線層１１０３及び第４配線層１１０４はセミアディティブ法によって形成することができる。ここで、第３配線層１１０３の形成方法について詳しく説明する。まず、第１絶縁層１２０１上及びビアホール１３０１の内面に無電解めっき法又はスパッタ法により、銅等からなるシード層（不図示）を形成する。次いで、シード層上に、第３配線層１１０３を形成する部分に開口部が設けられためっきレジスト層（不図示）を形成する。続いて、シード層をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、めっきレジスト層の開口部に銅等からなる金属めっき層を形成する。その後、めっきレジスト層を除去する。次いで、金属めっき層をマスクにしてシード層をウェットエッチングにより除去する。このようにして、シード層及び金属めっき層を含む第３配線層１１０３を形成することができる。第４配線層１１０４も同様の方法により形成することができる。なお、図の簡略化の為、シード層と金属めっき層を一体のものとして第３配線層１１０３及び第４配線層１１０４を図示している。

【0041】

次いで、同じく図６に示すように、第１絶縁層１２０１上に第３配線層１１０３を覆うように第３絶縁層１２０３を形成する。また、第２絶縁層１２０２上に第４配線層１１０４を覆うように第４絶縁層１２０４を形成する。第３絶縁層１２０３及び第４絶縁層１２０４は、第１絶縁層１２０１及び第２絶縁層１２０２と同様の方法で形成することができる。続いて、第３絶縁層１２０３及び第４絶縁層１２０４をレーザで加工することにより、第３配線層１１０３の接続部に到達するビアホール１３０３を第３絶縁層１２０３に形成し、第４配線層１１０４の接続部に到達するビアホール１３０４を第４絶縁層１２０４に形成する。ビアホール１３０３及びビアホール１３０４は、ビアホール１３０１及びビアホール１３０２と同様の方法で形成することができる。

【0042】

更に、同じく図６に示すように、ビアホール１３０３内のビア導体を介して第３配線層１１０３に接続される第５配線層１１０５を第３絶縁層１２０３上に形成し、ビアホール１３０４内のビア導体を介して第４配線層１１０４に接続される第６配線層１１０６を第４絶縁層１２０４上に形成する。第５配線層１１０５及び第６配線層１１０６は、第３配線層１１０３及び第４配線層１１０４と同様の方法で形成することができる。

【0043】

次いで、同じく図６に示すように、第３絶縁層１２０３上に第５配線層１１０５を覆うように第５絶縁層１２０５を形成する。また、第４絶縁層１２０４上に第６配線層１１０６を覆うように第６絶縁層１２０６を形成する。第５絶縁層１２０５及び第６絶縁層１２０６は、第１絶縁層１２０１及び第２絶縁層１２０２と同様の方法で形成することができる。続いて、第５絶縁層１２０５及び第６絶縁層１２０６をレーザで加工することにより、第５配線層１１０５の接続部に到達するビアホール１３０５を第５絶縁層１２０５に形成し、第６配線層１１０６の接続部に到達するビアホール１３０６を第６絶縁層１２０６に形成する。ビアホール１３０５及びビアホール１３０６は、ビアホール１３０１及びビアホール１３０２と同様の方法で形成することができる。

【0044】

更に、同じく図６に示すように、ビアホール１３０５内のビア導体を介して第５配線層１１０５に接続される第７配線層１１０７を第５絶縁層１２０５上に形成し、ビアホール１３０６内のビア導体を介して第６配線層１１０６に接続される第８配線層１１０８を第６絶縁層１２０６上に形成する。第７配線層１１０７及び第８配線層１１０８は、第３配線層１１０３及び第４配線層１１０４と同様の方法で形成することができる。

【0045】

次いで、図７に示すように、第５絶縁層１２０５上に第７配線層１１０７を覆うように未硬化の樹脂フィルムを貼付し、第６絶縁層１２０６上に第８配線層１１０８を覆うように未硬化の樹脂フィルムを貼付する。その後、これら樹脂フィルムを加熱処理して硬化させることにより、第７絶縁層１２０７及び第８絶縁層１２０８を形成する。第７絶縁層１２０７及び第８絶縁層１２０８は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂から形成される。液状樹脂を塗布することにより、第７絶縁層１２０７及び第８絶縁層１２０８を形成してもよい。続いて、第７絶縁層１２０７及び第８絶縁層１２０８をレーザで加工することにより、第７配線層１１０７の接続部に到達するビアホール１３０７を第７絶縁層１２０７に形成し、第８配線層１１０８の接続部に到達するビアホール１３０８を第８絶縁層１２０８に形成する。

【0046】

次いで、図８に示すように、第７絶縁層１２０７上及びビアホール１３０７の内面に無電解銅めっき膜１７１Ａを形成する。同様に、第８絶縁層１２０８上及びビアホール１３０８の内面に無電解銅めっき膜１７１Ｂを形成する。その後、無電解銅めっき膜１７１Ａをめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜１７１Ａ上に電解銅めっき膜１７２Ａを形成し、無電解銅めっき膜１７１Ｂをめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜１７１Ｂ上に電解銅めっき膜１７２Ｂを形成する。例えば、無電解銅めっき膜１７１Ａ及び１７１Ｂの厚さは、０．３μｍ～１．０μｍであり、電解銅めっき膜１７２Ａ及び１７２Ｂの厚さは、１５μｍ～４０μｍである。電解銅めっき膜１７２Ａによりビアホール１３０７の内部が充填される。また、電解銅めっき膜１７２Ｂによりビアホール１３０８の内部が充填される。

【0047】

続いて、図９に示すように、電解銅めっき膜１７２Ａ、無電解銅めっき膜１７１Ａ、第７絶縁層１２０７、第５絶縁層１２０５、第３絶縁層１２０３、第１絶縁層１２０１、基材１０２、第２絶縁層１２０２、第４絶縁層１２０４、第６絶縁層１２０６、第８絶縁層１２０８、無電解銅めっき膜１７１Ｂ及び電解銅めっき膜１７２Ｂに厚さ方向に貫通する第２貫通孔１１２を形成する。例えば、第２貫通孔１１２はドリルやレーザを用いた加工等により形成することができる。次いで、第２貫通孔１１２の壁面のデスミア処理を行う。デスミア処理は、例えば、過マンガン酸カリウム溶液により行うことができる。第２貫通孔１１２の直径は第１貫通孔１１１の直径より大きい。例えば、第２貫通孔１１２の直径は３５０μｍ～４５０μｍとする。

【0048】

その後、図１０に示すように、第２貫通孔１１２内に磁性体１１０を充填する。例えば、磁性体１１０は、電解銅めっき膜１７２Ａ及び１７２Ｂの各表面から突出するように充填する。充填不足を避けるためである。

【0049】

続いて、研磨により、磁性体１１０のうち電解銅めっき膜１７２Ａ及び１７２Ｂの各表面から突出している部分を除去する。例えば、磁性体１１０の突出している部分は、バフ研磨又はロール研磨により除去することができる。この処理が行われた磁性体１１０は、電解銅めっき膜１７２Ａの表面と面一の面と、電解銅めっき膜１７２Ｂの表面と面一の面とを備える。

【0050】

次いで、図１１に示すように、磁性体１１０に厚さ方向に貫通する第３貫通孔１１３を形成する。第３貫通孔１１３の直径は第２貫通孔１１２の直径より小さい。例えば、第３貫通孔１１３はドリルやレーザを用いた加工等により形成することができる。例えば、第３貫通孔１１３の直径は１５０μｍ～２５０μｍとする。その後、水を用いて第３貫通孔１１３の壁面を洗浄する。

【0051】

その後、図１２に示すように、電解銅めっき膜１７２Ａの表面上と、電解銅めっき膜１７２Ｂの表面上と、磁性体１１０の電解銅めっき膜１７２Ａの表面と面一の面上と、磁性体１１０の電解銅めっき膜１７２Ｂの表面と面一の面上と、第３貫通孔１１３の壁面上とに無電解銅めっき膜１７３を形成する。続いて、無電解銅めっき膜１７３をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜１７３上に電解銅めっき膜１７４を形成する。例えば、無電解銅めっき膜１７３の厚さは、０．３μｍ～１．０μｍであり、電解銅めっき膜１７４の厚さは、１０μｍ～５０μｍである。

【0052】

次いで、図１３に示すように、第３貫通孔１１３内に第２充填材１９２を充填する。例えば、第２充填材１９２はスクリーン印刷法により充填することができる。第２充填材１９２は第３貫通孔１１３内で電解銅めっき膜１７４上に設けられる。その後、第２充填材１９２を硬化させる。第２充填材１９２がエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む場合、加熱処理により第２充填材１９２を硬化させることができる。第２充填材１９２は、電解銅めっき膜１７４の両側の表面から突出するように充填する。充填不足を避けるためである。

【0053】

続いて、第２充填材１９２を電解銅めっき膜１７４の表面が露出するまで研磨する。この結果、第２充填材１９２は、電解銅めっき膜１７４の表面と面一の面を有するようになる。例えば、第２充填材１９２は、ＣＭＰ法により研磨できる。第２充填材１９２の、電解銅めっき膜１７４の表面から突出する部分をバフ研磨又はロール研磨により除去してもよい。

【0054】

次いで、図１４に示すように、第１主面１０２Ａ側で、電解銅めっき膜１７４の表面上と、第２充填材１９２の電解銅めっき膜１７４の表面と面一の面上とに無電解銅めっき膜１７５Ａを形成する。同様に、第２主面１０２Ｂ側で、電解銅めっき膜１７４の表面上と、第２充填材１９２の電解銅めっき膜１７４の表面と面一の面上とに無電解銅めっき膜１７５Ｂを形成する。その後、無電解銅めっき膜１７５Ａをめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜１７５Ａ上に電解銅めっき膜１７６Ａを形成し、無電解銅めっき膜１７５Ｂをめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜１７５Ｂ上に電解銅めっき膜１７６Ｂを形成する。例えば、無電解銅めっき膜１７５Ａ及び１７５Ｂの厚さは、０．３μｍ～１．０μｍであり、電解銅めっき膜１７６Ａ及び１７６Ｂの厚さは、１５μｍ～４０μｍである。

【0055】

続いて、図１５に示すように、第９配線層１１０９のパターンが形成されたレジスト層１５２Ａを電解銅めっき膜１７６Ａ上に形成し、第１０配線層１１１０のパターンが形成されたレジスト層１５２Ｂを電解銅めっき膜１７６Ｂ上に形成する。レジスト層１５２Ａ及び１５２Ｂとしては、例えば、ドライフィルム等を用いることができ、露光及び現像によりレジスト層１５２Ａ及び１５２Ｂにパターンを形成できる。

【0056】

次いで、図１６に示すように、レジスト層１５２Ａをマスクとして、電解銅めっき膜１７６Ａ、無電解銅めっき膜１７５Ａ、電解銅めっき膜１７４、無電解銅めっき膜１７３、電解銅めっき膜１７２Ａ及び無電解銅めっき膜１７１Ａをエッチングする。同様に、レジスト層１５２Ｂをマスクとして、電解銅めっき膜１７６Ｂ、無電解銅めっき膜１７５Ｂ、電解銅めっき膜１７４、無電解銅めっき膜１７３、電解銅めっき膜１７２Ｂ及び無電解銅めっき膜１７１Ｂをエッチングする。

【0057】

この結果、第２貫通導電ビア１２２と、第９配線層１１０９と、第１０配線層１１１０とが得られる。第２貫通導電ビア１２２は、無電解銅めっき膜１７３及び電解銅めっき膜１７４の、磁性体１１０の両側の表面の間の部分を含む。第９配線層１１０９は、無電解銅めっき膜１７１Ａと、電解銅めっき膜１７２Ａと、無電解銅めっき膜１７３及び電解銅めっき膜１７４の、磁性体１１０の第１主面１０２Ａ側の表面よりも無電解銅めっき膜１７５Ａ側の部分と、無電解銅めっき膜１７５Ａと、電解銅めっき膜１７６Ａとを含む。第１０配線層１１１０は、無電解銅めっき膜１７１Ｂと、電解銅めっき膜１７２Ｂと、無電解銅めっき膜１７３及び電解銅めっき膜１７４の、磁性体１１０の第２主面１０２Ｂ側の表面よりも無電解銅めっき膜１７５Ｂ側の部分と、無電解銅めっき膜１７５Ｂと、電解銅めっき膜１７６Ｂとを含む。第９配線層１１０９の一部が無電解銅めっき膜１７１Ａ及び電解銅めっき膜１７２Ａを含まなくてもよい。第１０配線層１１１０の一部が無電解銅めっき膜１７１Ｂ及び電解銅めっき膜１７２Ｂを含まなくてもよい。

【0058】

そして、図１７に示すように、レジスト層１５２Ａ及び１５２Ｂを除去する。

【0059】

次いで、図１８に示すように、第７絶縁層１２０７上に第９配線層１１０９を覆うように第９絶縁層１２０９を形成する。また、第８絶縁層１２０８上に第１０配線層１１１０を覆うように第１０絶縁層１２１０を形成する。第９絶縁層１２０９及び第１０絶縁層１２１０は、第１絶縁層１２０１及び第２絶縁層１２０２と同様の方法で形成することができる。続いて、第９絶縁層１２０９及び第１０絶縁層１２１０をレーザで加工することにより、第９配線層１１０９の接続部に到達するビアホール１３０９を第９絶縁層１２０９に形成し、第１０配線層１１１０の接続部に到達するビアホール１３１０を第１０絶縁層１２１０に形成する。ビアホール１３０９及びビアホール１３１０は、ビアホール１３０１及びビアホール１３０２と同様の方法で形成することができる。

【0060】

次いで、同じく図１８に示すように、ビアホール１３０９内のビア導体を介して第９配線層１１０９に接続される第１１配線層１１１１を第９絶縁層１２０９上に形成し、ビアホール１３１０内のビア導体を介して第１０配線層１１１０に接続される第１２配線層１１１２を第１０絶縁層１２１０上に形成する。第１１配線層１１１１及び第１２配線層１１１２は、第３配線層１１０３及び第４配線層１１０４と同様の方法で形成することができる。

【0061】

次いで、同じく図１８に示すように、第９絶縁層１２０９上に第１１配線層１１１１を覆うように第１１絶縁層１２１１を形成する。また、第１０絶縁層１２１０上に第１２配線層１１１２を覆うように第１２絶縁層１２１２を形成する。第１１絶縁層１２１１及び第１２絶縁層１２１２は、第１絶縁層１２０１及び第２絶縁層１２０２と同様の方法で形成することができる。続いて、第１１絶縁層１２１１及び第１２絶縁層１２１２をレーザで加工することにより、第１１配線層１１１１の接続部に到達するビアホール１３１１を第１１絶縁層１２１１に形成し、第１２配線層１１１２の接続部に到達するビアホール１３１２を第１２絶縁層１２１２に形成する。ビアホール１３１１及びビアホール１３１２は、ビアホール１３０１及びビアホール１３０２と同様の方法で形成することができる。

【0062】

更に、同じく図１８に示すように、ビアホール１３１１内のビア導体を介して第１１配線層１１１１に接続される第１３配線層１１１３を第１１絶縁層１２１１上に形成し、ビアホール１３１２内のビア導体を介して第１２配線層１１１２に接続される第１４配線層１１１４を第１２絶縁層１２１２上に形成する。第１３配線層１１１３及び第１４配線層１１１４は、第３配線層１１０３及び第４配線層１１０４と同様の方法で形成することができる。

【0063】

次いで、図１９に示すように、第１１絶縁層１２１１上にソルダレジスト層１２１３を形成し、第１２絶縁層１２１２上にソルダレジスト層１２１４を形成する。その後、ソルダレジスト層１２１３に第１３配線層１１１３の接続部に達する開口部１３１３を形成し、ソルダレジスト層１２１４に第１４配線層１１１４の接続部に達する開口部１３１４を形成する。

【0064】

ソルダレジスト層１２１３及び１２１４は、感光性のエポキシ樹脂又はアクリル樹脂等の絶縁樹脂から形成される。樹脂フィルムの貼り付け又は液状樹脂の塗布により、ソルダレジスト層１２１３及び１２１４を形成してもよい。開口部１３１３及び１３１４は、露光及び現像により形成することができる。ソルダレジスト層１２１３及び１２１４に非感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂を用いてもよい。この場合、開口部１３１３及び１３１４は、レーザ加工又はブラスト処理により形成することができる。

【0065】

続いて、第１３配線層１１１３の接続部上に、開口部１３１３を通じてソルダレジスト層１２１３の上方まで突出する接続端子１１１５を形成する。接続端子１１１５はポスト及びバンプを含む。

【0066】

次いで、接続端子１１１５の形成までの処理を行った構造体を所定の切断線に沿ってスライサー等により切断する。これにより、配線基板１００に対応する構造体が個片化され、大判の積層板１０１から第１実施形態に係る配線基板１００が複数得られる。このようにして、第１実施形態に係る配線基板１００を製造することができる。

【0067】

第１実施形態では、基材１０２だけでなく、第１絶縁層１２０１、第２絶縁層１２０２、第３絶縁層１２０３、第４絶縁層１２０４、第５絶縁層１２０５、第６絶縁層１２０６、第７絶縁層１２０７及び第８絶縁層１２０８にも第２貫通孔１１２が形成され、第２貫通孔１１２内に磁性体１１０が設けられている。そして、磁性体１１０に第３貫通孔１１３が形成され、第３貫通孔１１３内に第２貫通導電ビア１２２が設けられている。従って、厚い基材１０２を用いずとも、第２貫通導電ビア１２２を含む配線に高いインダクタンスを得ることができる。

【0068】

また、基材１０２に第１貫通孔１１１が形成され、第１貫通孔１１１内に第１貫通導電ビア１２１が設けられている。従って、高いインダクタンスが必要されない配線には第１貫通導電ビア１２１を含ませることができる。そして、第１貫通孔１１１の形成に際しては、第１絶縁層１２０１、第２絶縁層１２０２、第３絶縁層１２０３、第４絶縁層１２０４、第５絶縁層１２０５、第６絶縁層１２０６、第７絶縁層１２０７及び第８絶縁層１２０８の加工は不要である。

【0069】

このように、第１実施形態では、厚い基材１０２を用いずとも、所望の配線に高いインダクタンスを確保しつつ、高いインダクタンスを必要としない配線については無駄な加工を省略することができる。従って、所望の配線に高いインダクタンスを確保しながら、生産効率の低下を抑制することができる。

【0070】

また、第１貫通孔１１１が、第１絶縁層１２０１、第２絶縁層１２０２、第３絶縁層１２０３、第４絶縁層１２０４、第５絶縁層１２０５、第６絶縁層１２０６、第７絶縁層１２０７及び第８絶縁層１２０８に形成されないため、第３配線層１１０３、第４配線層１１０４、第５配線層１１０５、第６配線層１１０６、第７配線層１１０７及び第８配線層１１０８の設計の自由度を高めることもできる。

【0071】

また、薄い基材１０２を用いることで、配線基板１００の総厚を小さくしたり、第１貫通孔１１１の形成にかかる時間を短縮したりすることも可能である。

【0072】

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、主として、第９配線層１１０９、第１０配線層１１１０及び第２貫通導電ビア１２２の構成の点で第１実施形態と相違する。

【0073】

［配線基板の構造］
まず、配線基板の構造について説明する。図２０は、第２実施形態に係る配線基板の構造を示す断面図である。図２０には、図２～図１９と同様に、図１中の領域Ｒを詳細に示す。

【0074】

第２実施形態に係る配線基板では、磁性体１１０に代えて磁性体２１０が設けられ、磁性体２１０に第３貫通孔２１３が形成されている。第２貫通導電ビア１２２は、無電解銅めっき膜１７３及び電解銅めっき膜１７４に代えて無電解銅めっき膜２７３及び電解銅めっき膜２７４を有し、第２充填材１９２に代えて第２充填材２９２が設けられている。磁性体２１０、無電解銅めっき膜２７３、電解銅めっき膜２７４及び第２充填材２９２は、第７絶縁層１２０７の表面と面一の面と、第８絶縁層１２０８の表面と面一の面とを有する。

【0075】

第９配線層１１０９は、無電解銅めっき膜１７１Ａ、電解銅めっき膜１７２Ａ、無電解銅めっき膜１７３、電解銅めっき膜１７４、無電解銅めっき膜１７５Ａ及び電解銅めっき膜１７６Ａに代えて、無電解銅めっき膜２７１Ａ及び電解銅めっき膜２７２Ａを含む。第１０配線層１１１０は、無電解銅めっき膜１７１Ｂ、電解銅めっき膜１７２Ｂ、無電解銅めっき膜１７３、電解銅めっき膜１７４、無電解銅めっき膜１７５Ｂ及び電解銅めっき膜１７６Ｂに代えて、無電解銅めっき膜２７１Ｂ及び電解銅めっき膜２７２Ｂを含む。

【0076】

他の構成は第１実施形態と同様である。

【0077】

［配線基板の製造方法］
次に、第２実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２１～図３３は、第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。図２１～図３３には、図２～図１９と同様に、図１中の領域Ｒを詳細に示す。

【0078】

まず、図２１に示すように、第１実施形態と同様にして、第７絶縁層１２０７及び第８絶縁層１２０８の形成までの処理を行う。

【0079】

次いで、図２２に示すように、第７絶縁層１２０７、第５絶縁層１２０５、第３絶縁層１２０３、第１絶縁層１２０１、基材１０２、第２絶縁層１２０２、第４絶縁層１２０４、第６絶縁層１２０６及び第８絶縁層１２０８に厚さ方向に貫通する第２貫通孔１１２を形成する。次いで、第２貫通孔１１２の壁面のデスミア処理を行う。

【0080】

その後、図２３に示すように、第２貫通孔１１２内に磁性体２１０を充填する。例えば、磁性体２１０は、第７絶縁層１２０７及び第８絶縁層１２０８の各表面から突出するように充填する。充填不足を避けるためである。

【0081】

続いて、研磨により、磁性体２１０のうち第７絶縁層１２０７及び第８絶縁層１２０８の各表面から突出している部分を除去する。例えば、磁性体２１０の突出している部分は、バフ研磨又はロール研磨により除去することができる。この処理が行われた磁性体２１０は、第７絶縁層１２０７の表面と面一の面と、第８絶縁層１２０８の表面と面一の面とを備える。

【0082】

次いで、図２４に示すように、磁性体２１０に厚さ方向に貫通する第３貫通孔２１３を形成する。例えば、第３貫通孔２１３はドリルやレーザを用いた加工等により形成することができる。例えば、第３貫通孔２１３の直径は１５０μｍ～２５０μｍとする。その後、水を用いて第３貫通孔２１３の壁面を洗浄する。

【0083】

その後、図２５に示すように、第７絶縁層１２０７の表面上と、第８絶縁層１２０８の表面上と、磁性体２１０の第７絶縁層１２０７の表面と面一の面上と、磁性体２１０の第８絶縁層１２０８の表面と面一の面上と、第３貫通孔２１３の壁面上とに無電解銅めっき膜２７３を形成する。続いて、無電解銅めっき膜２７３をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜２７３上に電解銅めっき膜２７４を形成する。例えば、無電解銅めっき膜２７３の厚さは、０．３μｍ～１．０μｍであり、電解銅めっき膜２７４の厚さは、１０μｍ～５０μｍである。

【0084】

次いで、図２６に示すように、第３貫通孔２１３内に第２充填材２９２を充填する。例えば、第２充填材２９２はスクリーン印刷法により充填することができる。第２充填材２９２は第３貫通孔２１３内で電解銅めっき膜２７４上に設けられる。その後、第２充填材２９２を硬化させる。第２充填材２９２がエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む場合、加熱処理により第２充填材２９２を硬化させることができる。第２充填材２９２は、電解銅めっき膜２７４の両側の表面から突出するように充填する。充填不足を避けるためである。

【0085】

続いて、図２７に示すように、第１主面１０２Ａ側で、電解銅めっき膜２７４と、無電解銅めっき膜２７３と、第２充填材２９２とを第７絶縁層１２０７の表面が露出するまで研磨し、第２主面１０２Ｂ側で、電解銅めっき膜２７４と、無電解銅めっき膜２７３と、第２充填材２９２とを第８絶縁層１２０８の表面が露出するまで研磨する。この結果、無電解銅めっき膜２７３、電解銅めっき膜２７４及び第２充填材２９２は、第７絶縁層１２０７の表面と面一の面と、第８絶縁層１２０８の表面と面一の面とを有するようになる。例えば、無電解銅めっき膜２７３、電解銅めっき膜２７４及び第２充填材２９２は、ＣＭＰ法により研磨できる。電解銅めっき膜２７４、無電解銅めっき膜２７３及び第２充填材２９２を次のようにして研磨してもよい。まず、電解銅めっき膜２７４及び無電解銅めっき膜２７３の、第７絶縁層１２０７の表面上の部分と、第８絶縁層１２０８の表面上の部分とを、ウェットエッチングにより除去する。この結果、第７絶縁層１２０７の表面と第８絶縁層１２０８の表面とが露出する。次いで、第２充填材２９２の、第７絶縁層１２０７の表面から突出する部分と、第８絶縁層１２０８の表面から突出する部分とを、バフ研磨又はロール研磨により除去する。

【0086】

次いで、図２８に示すように、第７絶縁層１２０７及び第８絶縁層１２０８をレーザで加工することにより、第７配線層１１０７の接続部に到達するビアホール１３０７を第７絶縁層１２０７に形成し、第８配線層１１０８の接続部に到達するビアホール１３０８を第８絶縁層１２０８に形成する。

【0087】

その後、図２９に示すように、磁性体２１０、無電解銅めっき膜２７３、電解銅めっき膜２７４及び第２充填材２９２の第７絶縁層１２０７の表面と面一の面と、第７絶縁層１２０７の表面と、ビアホール１３０７の内面とに無電解銅めっき膜２７１Ａを形成する。同様に、磁性体２１０、無電解銅めっき膜２７３、電解銅めっき膜２７４及び第２充填材２９２の第８絶縁層１２０８の表面と面一の面と、第８絶縁層１２０８の表面と、ビアホール１３０８の内面とに無電解銅めっき膜２７１Ｂを形成する。続いて、無電解銅めっき膜２７１Ａをめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜２７１Ａ上に電解銅めっき膜２７２Ａを形成し、無電解銅めっき膜２７１Ｂをめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜２７１Ｂ上に電解銅めっき膜２７２Ｂを形成する。例えば、無電解銅めっき膜２７１Ａ及び２７１Ｂの厚さは、０．３μｍ～１．０μｍであり、電解銅めっき膜２７２Ａ及び２７２Ｂの厚さは、１５μｍ～４０μｍである。電解銅めっき膜２７２Ａによりビアホール１３０７の内部が充填される。また、電解銅めっき膜２７２Ｂによりビアホール１３０８の内部が充填される。

【0088】

次いで、図３０に示すように、第９配線層１１０９のパターンが形成されたレジスト層１５２Ａを電解銅めっき膜２７２Ａ上に形成し、第１０配線層１１１０のパターンが形成されたレジスト層１５２Ｂを電解銅めっき膜２７２Ｂ上に形成する。

【0089】

その後、図３１に示すように、レジスト層１５２Ａをマスクとして、電解銅めっき膜２７２Ａ及び無電解銅めっき膜２７１Ａをエッチングする。同様に、レジスト層１５２Ｂをマスクとして、電解銅めっき膜２７２Ｂ及び無電解銅めっき膜２７１Ｂをエッチングする。

【0090】

この結果、第２貫通導電ビア１２２と、第９配線層１１０９と、第１０配線層１１１０とが得られる。第２貫通導電ビア１２２は、無電解銅めっき膜２７３及び電解銅めっき膜２７４を含む。第９配線層１１０９は、無電解銅めっき膜２７１Ａと、電解銅めっき膜２７２Ａと、を含む。第１０配線層１１１０は、無電解銅めっき膜２７１Ｂと、電解銅めっき膜２７２Ｂとを含む。

【0091】

そして、図３２に示すように、レジスト層１５２Ａ及び１５２Ｂを除去する。

【0092】

その後、図３３に示すように、第１実施形態と同様にして、第９絶縁層１２０９及び第１０絶縁層１２１０の形成以降の処理を行う。このようにして、第２実施形態に係る配線基板を製造することができる。

【0093】

第２実施形態によっても第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0094】

（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は半導体パッケージに関する。図３４は、第３実施形態に係る半導体パッケージを示す断面図である。

【0095】

図３４に示すように、第３実施形態に係る半導体パッケージ３００は、第１実施形態に係る配線基板１００、半導体チップ３１０、バンプ３１２及びアンダーフィル樹脂３３０を有する。

【0096】

半導体チップ３１０は、バンプ３１２を介して接続端子１１１５に接続される接続端子３１１を含む。接続端子３１１は、例えば電極パッドである。バンプ３１２には、例えば、はんだバンプが用いられる。はんだバンプの材料としては、錫銀（ＳｎＡｇ）系合金、錫亜鉛（ＳｎＺｎ）系合金及び錫銅（ＳｎＣｕ）系合金等の無鉛はんだ、並びに鉛錫（ＰｂＳｎ）系合金の有鉛はんだが例示される。半導体チップ３１０と配線基板１００のソルダレジスト層１２１３との間に、エポキシ樹脂等のアンダーフィル樹脂３３０が充填されている。

【0097】

このような半導体パッケージ３００を製造するには、個片化後の配線基板１００を準備し、バンプ３１２を用いて、半導体チップ３１０を配線基板１００にフリップチップ実装する。半導体チップ３１０の実装後、半導体チップ３１０とソルダレジスト層１２１３との間にアンダーフィル樹脂３３０を充填する。

【0098】

このようにして、半導体パッケージ３００を製造することができる。

【0099】

第１実施形態に係る配線基板１００に代えて、第２実施形態に係る配線基板が用いられてもよい。

【0100】

本開示において、第１導電層及び第２導電層の材料は銅に限定されず、第１導電層及び第２導電層が、ニッケル等の他の金属のめっき膜を含んでいてもよい。

【0101】

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0102】

１００ 配線基板
１０２ 基材
１１０、２１０ 磁性体
１１１ 第１貫通孔
１１２ 第２貫通孔
１１３ 第３貫通孔
１２１ 第１貫通導電ビア
１２２ 第２貫通導電ビア

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】