特開 2022-173930 配線基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022173930

(43)【公開日】2022-11-22

(54)【発明の名称】配線基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20221115BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021079993

(22)【出願日】2021-05-10

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】種子田 浩志

(72)【発明者】

【氏名】清水 規良

(72)【発明者】

【氏名】水谷 理絵

(72)【発明者】

【氏名】滝沢 優哉

(72)【発明者】

【氏名】秋山 尚輝

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA43

5E316BB02

5E316BB03

5E316BB04

5E316CC04

5E316CC05

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC37

5E316CC38

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD33

5E316EE09

5E316FF04

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH11

5E316HH18

5E316JJ02

5E316JJ14

(57)【要約】

【課題】薄膜コンデンサの破損を抑制可能な配線基板を提供する。
【解決手段】本配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に積層された薄膜コンデンサと、前記薄膜コンデンサと電気的に接続された配線層と、前記薄膜コンデンサ上に積層された封止樹脂層と、を有し、前記配線層は、前記薄膜コンデンサから突出するパッドを含み、前記封止樹脂層は、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とするモールド樹脂であり、前記封止樹脂層は、前記パッドの上面を露出し、側面の少なくとも一部を被覆する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層と、
前記絶縁層上に積層された薄膜コンデンサと、
前記薄膜コンデンサと電気的に接続された配線層と、
前記薄膜コンデンサ上に積層された封止樹脂層と、を有し、
前記配線層は、前記薄膜コンデンサから突出するパッドを含み、
前記封止樹脂層は、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とするモールド樹脂であり、
前記封止樹脂層は、前記パッドの上面を露出し、側面の少なくとも一部を被覆する、配線基板。

【請求項2】

前記配線層は、前記パッドと連続して形成され、前記薄膜コンデンサ及び前記絶縁層を貫通するビア配線を含む、請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記薄膜コンデンサは、誘電体と、前記誘電体に設けられた電極と、を有し、
前記ビア配線は、前記誘電体及び前記電極を貫通するビア配線を含む、請求項２に記載の配線基板。

【請求項4】

前記配線層は、前記薄膜コンデンサから突出する複数のパッドを含み、
前記電極は、前記誘電体の一方の面に設けられた第１電極、及び前記誘電体の一方の面とは反対側の面に設けられた第２電極を含み、
複数の前記パッドのうち少なくとも１つは、前記第１電極を貫通する第１ビア配線を有し、
前記複数のパッドのうち少なくとも１つは、前記第２電極を貫通する第２ビア配線を有する、請求項３に記載の配線基板。

【請求項5】

複数の前記パッドは、高さが均一である、請求項４に記載の配線基板。

【請求項6】

複数の前記パッドは、上面の面積が均一である、請求項４又は５に記載の配線基板。

【請求項7】

複数の前記パッドの上面側は、前記封止樹脂層から突出している、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の配線基板。

【請求項8】

複数の前記パッドは、半導体チップと電気的に接続するための外部接続端子である、請求項４乃至７のいずれか一項に記載の配線基板。

【請求項9】

前記絶縁層は、感光性樹脂を主成分とする、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線基板。

【請求項10】

絶縁層上に薄膜コンデンサを積層する工程と、
前記薄膜コンデンサと電気的に接続された配線層を形成する工程と、
前記薄膜コンデンサ上に封止樹脂層を積層する工程と、を有し、
前記配線層は、前記薄膜コンデンサから突出するパッドを含み、
前記封止樹脂層は、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とするモールド樹脂であり、
前記封止樹脂層を積層する工程では、前記パッドの上面及び側面を被覆するように前記封止樹脂層を形成し、前記封止樹脂層の上面側を研磨して前記パッドの上面を露出する、配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体チップ等の電子部品が搭載される配線基板として、配線パターンを高密度化するため、ビルドアップ工法により複数の配線層及び絶縁層を交互に積層した配線基板が知られている。この種の配線基板として、伝送特性を向上するために内部に薄膜コンデンサを埋め込んだ構造が検討されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－１７９８６５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

配線基板において、伝送特性をさらに向上するためには、半導体チップに近い上面側に薄膜コンデンサを搭載する必要がある。しかしながら、上面側に薄膜コンデンサが搭載された配線基板に半導体チップを実装する際に、実装時の熱応力や圧力により薄膜コンデンサが破損するおそれがあった。

【0005】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、薄膜コンデンサの破損を抑制可能な配線基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に積層された薄膜コンデンサと、前記薄膜コンデンサと電気的に接続された配線層と、前記薄膜コンデンサ上に積層された封止樹脂層と、を有し、前記配線層は、前記薄膜コンデンサから突出するパッドを含み、前記封止樹脂層は、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とするモールド樹脂であり、前記封止樹脂層は、前記パッドの上面を露出し、側面の少なくとも一部を被覆する。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、薄膜コンデンサの破損を抑制可能な配線基板を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係る配線基板を例示する断面図である。

【図2】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。

【図3】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。

【図4】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。

【図5】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。

【図6】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。

【図7】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。

【図8】第１実施形態の応用例１に係る積層型配線基板を例示する断面図である。

【図9】第１実施形態の応用例２に係る半導体装置を例示する断面図である。

【図10】第１実施形態の変形例１に係る配線基板を例示する断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

〈第１実施形態〉
［配線基板の構造］
まず、第１実施形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、第１実施形態に係る配線基板を例示する断面図である。

【0011】

図１を参照すると、第１実施形態に係る配線基板１は、第１配線構造１Ｌと、第１配線構造１Ｌ上に積層された第２配線構造１Ｈと、第２配線構造１Ｈ上に積層された封止樹脂層３４とを有する。配線基板１の平面形状は、例えば、正方形状や長方形状とすることができる。ただし、これには限定されず、配線基板１は任意の平面形状とすることができる。

【0012】

第１配線構造１Ｌは、第２配線構造１Ｈよりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層であり、配線層１１と、絶縁層１２と、配線層１３とを有する。これに対して、第２配線構造１Ｈは、第１配線構造１Ｌよりも配線密度の高い配線層が形成された高密度配線層であり、配線層１４と、絶縁層１５と、配線層１６と、絶縁層１７と、配線層１８と、絶縁層１９と、薄膜コンデンサ２０と、配線層３１とを有する。

【0013】

なお、本実施形態では、便宜上、配線基板１の封止樹脂層３４側を上側又は一方の側、絶縁層１２側を下側又は他方の側とする。又、各部位の封止樹脂層３４側の面を一方の面又は上面、絶縁層１２側の面を他方の面又は下面とする。ただし、配線基板１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。又、平面視とは対象物を封止樹脂層３４の上面３４ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を封止樹脂層３４の上面３４ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

【0014】

配線層１１は、絶縁層１２の下面側に露出する最下層の配線層であり、上面及び側面が絶縁層１２に被覆されている。配線層１１の下面は、例えば、絶縁層１２の下面１２ｂから配線層１３側に窪んだ位置に露出している。ただし、必要に応じて、配線層１１の下面は、絶縁層１２の下面１２ｂと面一としてもよい。あるいは、配線層１１の側面の一部及び下面が、絶縁層１２の下面１２ｂから下側に突出してもよい。

【0015】

配線層１１は、例えば、平面形状が直径１５０μｍ程度の円形のパッドであるが、配線パターンを含んでいてもよい。隣接する配線層１１の間隔は、例えば、２００μｍ程度とすることができる。配線層１１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１１の厚さは、例えば、１０～２０μｍ程度とすることができる。なお、配線層１１は、他の配線基板と電気的に接続するための外部接続端子（パッド）として使用できる。

【0016】

配線層１１の下面に表面処理層１１０を形成してもよい。表面処理層１１０の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等が挙げられる。また、配線層１１の下面に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施してもよい。

【0017】

絶縁層１２は、配線層１１の上面及び側面を被覆している。絶縁層１２は、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とし、補強部材１２８を有している。絶縁層１２は、補強部材１２８に非感光性の熱硬化性樹脂を含浸させた構成とすることができる。ここで、『非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とし』とは、熱硬化性樹脂以外にフィラー等の他の成分を含有してもよいことを意味する。

【0018】

絶縁層１２に用いる非感光性の熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、フェノール系樹脂、シアネート系樹脂等が挙げられる。補強部材１２８としては、例えば、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布等が挙げられる。絶縁層１２が含有するフィラーとしては、例えば、シリカ（ＳｉＯ_２）、カオリン（Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_５（ＯＨ_４））、タルク（Ｍｇ_３Ｓｉ_４Ｏ_１０（ＯＨ_２））、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等が挙げられる。又、これらを混在させてもよい。

【0019】

絶縁層１２の厚さは、例えば、６０～７０μｍ程度とすることができる。絶縁層１２の熱膨張係数は、例えば、５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下とすることができる。絶縁層１２の熱膨張係数は、例えば、フィラーの含有量や絶縁性樹脂の組成や等により所定値に調整できる。絶縁層１２の熱膨張係数は、絶縁層１５、１７、及び１９の各々の熱膨張係数よりも低い。

【0020】

配線層１３は、絶縁層１２に埋設されたビア配線である。より詳しくは、配線層１３は、絶縁層１２を貫通し配線層１１の上面を露出するビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線であり、配線層１１と電気的に接続されている。ビアホール１２ｘは、絶縁層１５側に開口されている開口部の径が配線層１１の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール１２ｘの開口部の径は、例えば６０～７０μｍ程度とすることができる。

【0021】

ビア配線である配線層１３の上面は、絶縁層１２の上面１２ａから露出している。配線層１３の上面は、例えば、絶縁層１２の上面１２ａと面一とすることができる。配線層１３の上面は、配線層１４の下面と直接接合されている。又、配線層１３の下面は、絶縁層１２内で配線層１１と直接接合されている。配線層１３の材料は、例えば、配線層１１と同様とすることができる。

【0022】

なお、本実施形態では、配線層１３は、絶縁層１２のビアホール１２ｘに形成されたビア配線のみからなる。言い換えれば、配線層１３には、絶縁層１２の上面１２ａに一体的に形成される配線パターンはない。配線層１３と配線層１４は、電気的には接続されているが、一体的ではない。具体的には、後述する製造方法において、配線層１４をセミアディティブ法で形成した場合には、配線層１３の上面と配線層１４の下面の境界にはシード層が介在する。このような構造とする理由は、後述の配線層１４として高密度の配線パターン（例えば、ライン／スペースが３μｍ／３μｍ程度）を形成するためである。詳しくは、配線基板１の製造方法の項で説明する。

【0023】

配線層１４は、絶縁層１２の上面１２ａに形成されている。配線層１４は、絶縁層１２の上面１２ａに直接形成されており、配線層１３を介して配線層１１と電気的に接続された配線（配線パターンやパッド）を含んでいる。すなわち、配線層１４の下面の一部は、配線層１３の上面と接しており、両者は電気的に接続されている。配線層１４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１４は、複数の導体層が積層された積層膜であってもよい。

【0024】

配線層１４は、配線層１１よりも配線密度が高く（ライン／スペースが狭く）、かつ配線層１１よりも薄い。本明細書では、ライン／スペースが８μｍ／８μｍ以下の配線層を配線密度が高い配線層とする。配線層１４のライン／スペースは、例えば、１μｍ／１μｍ～３μｍ／３μｍ程度とすることができる。配線層１４の厚さは、例えば、１～３μｍ程度とすることができる。

【0025】

なお、ライン／スペースにおけるラインとは配線幅を表し、スペースとは隣り合う配線同士の間隔（配線間隔）を表す。例えば、ライン／スペースが２μｍ／２μｍと記載されていた場合、配線幅が２μｍで隣り合う配線同士の間隔が２μｍであることを表す。

【0026】

絶縁層１５は、感光性樹脂を主成分とする絶縁層である。『感光性樹脂を主成分とする』とは、感光性樹脂以外にフィラー等の他の成分を含有してもよいことを意味する。例えば、絶縁層１５は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

【0027】

絶縁層１５は、絶縁層１２の上面１２ａに、配線層１４を被覆するように形成されている。絶縁層１５に用いる感光性樹脂としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の絶縁性樹脂が挙げられる。絶縁層１５の厚さは、例えば５μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。絶縁層１５の熱膨張係数は、例えば、４０ｐｐｍ／℃以上６０ｐｐｍ／℃以下とすることができる。絶縁層１５の熱膨張係数は、例えば、フィラーの含有量や絶縁性樹脂の組成や等により所定値に調整できる。

【0028】

ただし、感光性樹脂を主成分とする絶縁層１５では、フィラーの含有量が多くなると露光が不可能となるため、含有可能なフィラーの量には制限（上限）がある。従って、感光性樹脂を主成分とする絶縁層１５の熱膨張係数は、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層１２の熱膨張係数や封止樹脂層３４の熱膨張係数よりも大きくなる傾向がある。

【0029】

配線層１６は、絶縁層１５の一方の側に形成されており、配線層１４と電気的に接続されている。配線層１６は、絶縁層１５を貫通し配線層１４の上面を露出するビアホール１５ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１５の上面に形成された配線パターンを含んでいる。ビアホール１５ｘは、絶縁層１７側に開口されている開口部の径が配線層１４の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール１５ｘの開口部の径は、例えば１０～２０μｍ程度とすることができる。配線層１６の材料、配線層１６を構成する配線パターンの厚さは、例えば、配線層１４と同様とすることができる。

【0030】

なお、配線層１６のライン／スペースは、例えば、１μｍ／１μｍ～３μｍ／３μｍ程度とすることができるが、配線層１４よりも更にライン／スペースを狭くすることが可能である。すなわち、絶縁層１２の上面１２ａは研磨された面であり、絶縁層１２の下面１２ｂよりも平滑である。しかし、感光性樹脂を主成分とする絶縁層１５の上面は、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層１２の上面１２ａよりも更に平滑である。そのため、配線層１６のライン／スペースは、配線層１４のライン／スペースよりも狭くすることができる。例えば、配線層１４のライン／スペースを３μｍ／３μｍ、配線層１６のライン／スペースを１μｍ／１μｍとすることができる。後述の配線層１８についても同様である。

【0031】

絶縁層１７は、絶縁層１５の一方の面に、配線層１６を被覆するように形成されている。絶縁層１７の材料や厚さや熱膨張係数は、例えば、絶縁層１５と同様とすることができる。絶縁層１７は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

【0032】

配線層１８は、絶縁層１７の一方の側に形成されており、配線層１６と電気的に接続されている。配線層１８は、絶縁層１７を貫通し配線層１６の上面を露出するビアホール１７ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１７の上面に形成された配線パターンを含んでいる。ビアホール１７ｘは、絶縁層１９側に開口されている開口部の径が配線層１６の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール１７ｘの開口部の径は、例えば１０～２０μｍ程度とすることができる。配線層１８の材料、配線層１８を構成する配線パターンの厚さは、例えば、配線層１４と同様とすることができる。配線層１８を構成する配線パターンのライン／スペースは、例えば、配線層１６と同様とすることができる。

【0033】

絶縁層１９は、絶縁層１７の一方の面に、配線層１８を被覆するように形成されている。第２配線構造１Ｈにおいて、絶縁層１９は、最上層の絶縁層である。絶縁層１９の材料や厚さや熱膨張係数は、例えば、絶縁層１５と同様とすることができる。絶縁層１９は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

【0034】

薄膜コンデンサ２０は、絶縁層１９の一方の面に積層されている。薄膜コンデンサ２０は、厚さが５０μｍ程度のシート状のコンデンサであり、例えば、誘電体２１と、第１電極２２と、第２電極２３と、接着層２４とを有している。第１電極２２は、誘電体２１の一方の面に形成されており、例えば、回路のグランドと接続される。第２電極２３は、誘電体２１の他方の面に形成されており、例えば、回路の電源と接続される。接着層２４は、第２電極２３を被覆するように誘電体２１の他方の面に形成されており絶縁層１９と接着される。誘電体２１の材料としては、例えば、チタン酸バリウム等を使用できる。第１電極２２及び第２電極２３の材料としては、例えば、銅等を使用できる。

【0035】

配線層３１は、薄膜コンデンサ２０の一方の側に形成されており、薄膜コンデンサ２０と電気的に接続されている。第２配線構造１Ｈにおいて、配線層３１は、最上層の配線層である。配線層３１は、薄膜コンデンサ２０を貫通するビアホール２０ｘと絶縁層１９を貫通し配線層１８の上面を露出するビアホール１９ｘ内に充填されたビア配線３２、及び薄膜コンデンサ２０の上面側から突出する複数のパッド３３を含んでいる。

【0036】

ビア配線３２は、パッド３３と連続して形成されており、配線層１８と電気的に接続される。一部のビア配線３２は、薄膜コンデンサ２０の誘電体２１と第１電極２２又は第２電極２３と接着層２４とを貫通する。すなわち、第１電極２２と第２電極２３は、ビア配線３２を介して配線層１８と電気的に接続されている。第１電極２２を貫通して電気的に接続されるビア配線３２と、第２電極２３を貫通して電気的に接続されるビア配線３２をそれぞれ有することで、全体として大きなコンデンサ構造が形成されるようになっている。

【0037】

ビアホール１９ｘは、薄膜コンデンサ２０の接着層２４側に開口されている開口部の径が配線層１８の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール１９ｘの開口部の径は、例えば１０～２０μｍ程度とすることができる。

【0038】

ビアホール２０ｘは、ビアホール１９ｘと連通している。ビアホール２０ｘは、開口部の径が略一定の円柱状であり、ビアホール２０ｘの開口部の径は、ビアホール１９ｘの開口部の径よりも大きい。ビアホール２０ｘの開口部の径は、例えば２０～４０μｍ程度とすることができる。

【0039】

配線層３１の材料は、例えば、配線層１４と同様とすることができる。配線層３１の厚さ（ビア配線３２の厚さとパッド３３の厚さの合計）は、例えば、１０μｍ程度とすることができる。パッド３３の平面形状は、例えば、直径が２０～３０μｍ程度の円形とすることができる。パッド３３のピッチは、例えば、４０～５０μｍ程度とすることができる。パッド３３の径と、ビアホール２０ｘの開口部の径との大小関係は、任意に決定できる。なお、パッド３３の封止樹脂層３４から露出する部分は、半導体チップと電気的に接続するための外部接続端子として使用できる。

【0040】

なお、パッド３３の上面に、表面処理層１１０と同様の表面処理層３１０を形成してもよい。表面処理層３１０は、パッド３３の側面の一部及び上面が封止樹脂層３４の上面３４ａから突出している場合には、パッド３３の上面のみ、又は側面の一部及び上面に形成される。

【0041】

封止樹脂層３４は、薄膜コンデンサ２０上に積層され、各々のパッド３３の上面を露出し、各々のパッド３３の側面の少なくとも一部を被覆する。封止樹脂層３４は、パッド３３の上面を露出し、パッド３３の側面の全部を被覆してもよい。この場合、パッド３３の上面は、例えば、封止樹脂層３４の上面３４ａと面一となる。ただし、パッド３３の側面の一部及び上面を封止樹脂層３４の上面３４ａから突出させてもよいし、パッド３３の上面を封止樹脂層３４の上面３４ａよりも窪んだ位置に露出させてもよい。なお、パッド３３の側面の一部及び上面を封止樹脂層３４の上面３４ａから突出させる場合は、封止樹脂層３４と半導体チップとの間隔を確保できるため、封止樹脂層３４と半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂を充填しやすくなる。

【0042】

封止樹脂層３４の材料としては、例えば、モールド樹脂を使用できる。モールド樹脂とは、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法、インジェクションモールド法等に使用可能な非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂である。モールド樹脂は、例えば、非感光性で熱硬化性のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂であり、絶縁層１２と同様のフィラーを含有してもよいが、ガラス繊維等の補強部材は含有していない。

【0043】

配線基板１の反りを低減する観点から、封止樹脂層３４の厚さは、絶縁層１２の厚さよりも厚いことが好ましい。絶縁層１２の厚さが６０μｍ以上７０μｍ以下であれば、例えば、封止樹脂層３４の厚さは、８０μｍ以上１５０μｍ以下とすることができる。封止樹脂層３４の熱膨張係数は、絶縁層１５、１７、及び１９の各々の熱膨張係数よりも低いことが好ましい。なお、図１では、図面作成の便宜上、封止樹脂層３４の厚さを絶縁層１２の厚さよりも薄く描いている。

【0044】

また、配線基板１の反りを低減する観点から、封止樹脂層３４の熱膨張係数は、絶縁層１２の熱膨張係数と略等しいことが好ましい。ここで、略等しいとは、封止樹脂層３４の熱膨張係数が絶縁層１２の熱膨張係数に対して±２０％以下であることを意味する。

【0045】

例えば、絶縁層１２の熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であれば、封止樹脂層３４の熱膨張係数も５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。封止樹脂層３４の熱膨張係数は、例えば、フィラーの含有量や絶縁性樹脂の組成や等により所定値に調整できる。

【0046】

［第１実施形態に係る配線基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２～図７は、第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、ここでは、１つの配線基板を作製する工程の例を示すが、配線基板となる複数の部分を作製し、その後個片化して各配線基板とする工程としてもよい。また、ここでは、支持体の一方側のみに層構造を形成する工程の例を示すが、支持体の一方側及び他方側に層構造を形成する工程としてもよい。

【0047】

まず、図２（ａ）に示す工程では、支持体１００を準備し、支持体１００上に配線層１１及び絶縁層１２を形成し、絶縁層１２にビアホール１２ｘを形成後、絶縁層１２上及びビアホール１２ｘ内にシード層１３１及び電解めっき層１３２の積層構造を形成する。

【0048】

支持体１００は、例えば、コア基板１０１の一方側にキャリア付き銅箔１０４を積層した構造である。コア基板１０１は、例えば、厚さが０．７ｍｍ程度の樹脂製の基板であり、ガラス繊維等の補強部材を有してもよい。キャリア付き銅箔１０４は、例えば銅からなる厚さ１０～５０μｍ程度の厚箔（キャリア箔）１０４ｂ上に、剥離層（図示せず）を介して、例えば銅からなる厚さ１．５～５μｍ程度の薄箔１０４ａが剥離可能な状態で貼着された構造を有する。厚箔１０４ｂは、薄箔１０４ａの取り扱いを容易にするための支持材として設けられている。

【0049】

なお、上記の支持体１００の構造は一例であり、これには限定されない。例えば、支持体１００において、コア基板１０１に代えて、複数のプリプレグが積層された積層体を用いてもよい。また、支持体１００は、ガラス基板や金属基板等の一方側に、剥離層を介してキャリア付き銅箔１０４を配置した構造としてもよい。

【0050】

支持体１００を準備したら、まず、支持体１００の一方側に配線層１１を形成する。具体的には、キャリア付き銅箔１０４の上面（薄箔１０４ａの上面）に、ドライフィルムレジスト等を用いて、配線層１１を形成する部分に開口部を有するレジスト層を形成する。そして、キャリア付き銅箔１０４を給電層とする電解めっき法により、開口部内に露出するキャリア付き銅箔１０４の上面に電解めっき層である配線層１１を形成する。配線層１１の材料や厚さは、前述の通りである。その後、レジスト層を剥離する。

【0051】

次に、キャリア付き銅箔１０４の上面に、配線層１１を被覆する絶縁層１２を形成する。具体的には、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とし、補強部材１２８を有している半硬化状態のフィルム状の絶縁性樹脂を準備する。そして、キャリア付き銅箔１０４の上面に、この絶縁性樹脂をラミネートし、加熱及び加圧しながら硬化させて絶縁層１２とする。絶縁層１２の材料や厚さ、熱膨張係数等は、前述の通りである。

【0052】

次に、絶縁層１２に、絶縁層１２を貫通し配線層１１の上面を露出するビアホール１２ｘを形成する。ビアホール１２ｘは、例えば、ＣＯ_２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。ビアホール１２ｘを形成後、デスミア処理を行い、ビアホール１２ｘの底部に各々露出する配線層１１の表面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。

【0053】

次に、例えば、セミアディティブ法を用いて、絶縁層１２の上面１２ａ及びビアホール１２ｘ内にシード層１３１及び電解めっき層１３２の積層構造を形成する。具体的には、まず、絶縁層１２の上面１２ａ、ビアホール１２ｘの内壁面、及びビアホール１２ｘ内に露出する配線層１１の上面に、無電解めっき法やスパッタ法によりシード層１３１を形成する。シード層１３１としては、例えば、厚さ１００～３５０ｎｍ程度の銅層を用いることができる。又、シード層１３１として、厚さ２０～５０ｎｍ程度のチタン層と厚さ１００～３００ｎｍ程度の銅層をこの順番で積層した積層膜を用いてもよい。シード層１３１の下層にチタン層を形成することにより、絶縁層１２と配線層１３との密着性及を向上できる。チタンに代えて、窒化チタン等を用いても構わない。なお、チタンや窒化チタンは、銅よりも耐腐食性の高い金属である。そして、シード層１３１を給電層とする電解めっき法により、シード層１３１上に電解めっき層１３２（例えば、銅層）を形成する。

【0054】

次に、図２（ｂ）に示す工程では、図２（ａ）に示すシード層１３１及び電解めっき層１３２の積層構造の上面側を研磨して絶縁層１２の上面１２ａを露出させ、ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線である配線層１３を形成する。配線層１３の研磨には、例えば、ＣＭＰ法（chemical mechanical polishing法）等を用いることができる。配線層１３の上面は、例えば、絶縁層１２の上面１２ａと面一とすることができる。

【0055】

配線層１３を研磨する際、絶縁層１２の上面１２ａの一部を同時に研磨して除去してもよい。配線層１３と共に絶縁層１２の上面１２ａを研磨し、絶縁層１２の上面１２ａの一部を除去することにより、絶縁層１２の上面１２ａの粗度を研磨前より小さくできる。つまり、絶縁層１２の上面１２ａの平滑度を向上できる。絶縁層１２の上面１２ａの粗度はＣＭＰ法を実行する前（研磨前）は、例えば、Ｒａ３００～４００ｎｍ程度であり、ＣＭＰ法を実行することによりＲａ１５～４０ｎｍ程度とすることができる。このように、絶縁層１２の上面１２ａの粗度を低減して平滑度を向上することにより、後工程において、微細配線（配線密度が高い配線層）の形成が可能となる。なお、絶縁層１２の下面１２ｂの粗度は、例えば、Ｒａ１８０～２８０ｎｍ程度である。

【0056】

次に、図２（ｃ）に示す工程では、配線層１３の上面及び絶縁層１２の上面１２ａに所定パターンの配線層１４を形成する。配線層１４は、配線層１３と同様に、例えば、セミアディティブ法を用いて形成できる。具体的には、まず、配線層１３の上面及び絶縁層１２の上面１２ａを連続的に被覆するように、無電解めっき法やスパッタ法によりシード層を形成する。なお、シード層の形成に無電解めっき法を用いてもよいが、スパッタ法を用いる方が薄い膜を形成できるので、配線層の高密度化に対してはスパッタ法を用いる方が有利である。

【0057】

そして、シード層の上面の全体に感光性のレジスト層を形成し、レジスト層を露光及び現像し、配線層１４を形成する部分を露出する開口部を形成する。そして、シード層を給電層とする電解めっき法により、開口部内に露出するシード層の上面に電解めっき層を形成する。そして、レジスト層を剥離した後、電解めっき層をマスクにして、電解めっき層に覆われていない部分のシード層をエッチングにより除去する。これにより、シード層上に電解めっき層が積層された配線層１４が形成される。配線層１４の材料や厚さ、ライン／スペース等は、前述の通りである。なお、配線層１４は、シード層上に電解めっき層が積層された構造となるが、図２（ｃ）等において、シード層と電解めっき層との区別は省略されている（他の配線層についても同様に省略する場合がある）。

【0058】

次に、図３（ａ）に示す工程では、配線層１４を被覆するように、絶縁層１２の上面１２ａに液状又はペースト状の感光性樹脂を塗布後、硬化しない程度の温度で加熱して半硬化状態の絶縁層１５を形成する。絶縁層１５の材料や厚さは、前述の通りである。次に、例えば、フォトリソグラフィ法によりビアホール１５ｘを形成後、絶縁層１５を硬化温度以上に加熱して硬化させる。感光性樹脂を主成分とする絶縁層１５の上面は、絶縁層１２の上面１２ａよりも更に平滑となる。絶縁層１５の上面の粗度は、例えば、Ｒａ２～６ｎｍ程度とすることができる。

【0059】

次に、図３（ｂ）に示す工程では、図２（ｃ）及び図３（ａ）と同様の工程を繰り返して配線層１６、絶縁層１７、配線層１８、及び絶縁層１９を形成し、その後、絶縁層１９を貫通し配線層１８の上面を露出するビアホール１９ｘ内を形成する。なお、以降の図４～図６に示す工程ついては、図３（ｂ）のＡ部を拡大した図を参照しながら説明する。

【0060】

次に、図４（ａ）に示す工程では、薄膜コンデンサ２０を準備し、薄膜コンデンサ２０にレーザ加工法等により複数のビアホール２０ｘを形成する。複数のビアホール２０ｘは、第１電極２２を開口するビアホール及び第２電極２３を開口するビアホールを少なくとも含む。各ビアホール２０ｘの径は、同一でなくてもよい。

【0061】

次に、図４（ｂ）に示す工程では、接着層２４側を絶縁層１９側に向けて、薄膜コンデンサ２０を絶縁層１９上に配置する。この際、ビアホール１９ｘとビアホール２０ｘとは連通する。そして、加熱等により接着層２４を硬化させて、薄膜コンデンサ２０を絶縁層１９上に固定する。

【0062】

次に、図４（ｃ）から図５（ｃ）に示す工程では、例えば、セミアディティブ法を用いて、配線層３１を形成する。まず、図４（ｃ）に示すように、誘電体２１の上面、第１電極２２の上面及び側面、ビアホール１９ｘ及び２０ｘの内壁面、並びにビアホール１９ｘ内に露出する配線層１８の上面に、無電解めっき法やスパッタ法によりシード層３１１を形成する。シード層３１１としては、例えば、厚さ１００～３５０ｎｍ程度の銅層を用いることができる。

【0063】

次に、図５（ａ）に示す工程では、シード層３１１上に感光性のレジスト層５００を形成し、レジスト層５００を露光及び現像し、配線層３１を形成する部分を露出する開口部５００ｘを形成する。レジスト層５００は、例えば、ドライフィルムレジストをシード層３１１上にラミネートすることで形成できる。

【0064】

次に、図５（ｂ）に示す工程では、シード層３１１を給電層とする電解めっき法により、開口部５００ｘ内に露出するシード層３１１上に電解めっき層３１２（例えば、銅層）を形成する。そして、図５（ｃ）に示す工程では、レジスト層５００を剥離した後、電解めっき層３１２をマスクにして、電解めっき層３１２に覆われていない部分のシード層３１１をエッチングにより除去する。これにより、図５（ｂ）に示すシード層３１１及び電解めっき層３１２から構成され、ビアホール１９ｘ及び２０ｘ内を充填するビア配線３２、及び薄膜コンデンサ２０の上面側から突出するパッド３３を含む配線層３１が形成される。

【0065】

次に、図６（ａ）に示す工程では、薄膜コンデンサ２０上に、配線層３１のパッド３３の上面及び側面を被覆するように封止樹脂層３４を形成する。封止樹脂層３４は、例えば、モールド樹脂を用いたモールド成形法により形成できる。例えば、図５（ｃ）に示す構造体を金型内に収容し、その金型内に圧力（例えば、５～１０ＭＰａ）を印加して流動化したモールド樹脂を導入する。その後、モールド樹脂を１８０℃程度の温度で加熱して硬化させることにより、封止樹脂層３４を形成する。そして、所要の封止処理を終了後、封止樹脂層３４で覆われた構造体を上記金型から取り出す。モールド成形法としては、例えば、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法、インジェクションモールド法等を使用できる。

【0066】

次に、図６（ｂ）に示す工程では、図６（ａ）に示す封止樹脂層３４の上面側を研磨してパッド３３の少なくとも上面を露出する。封止樹脂層３４の研磨には、例えば、ＣＭＰ法等を用いることができる。パッド３３の上面は、例えば、封止樹脂層３４の上面３４ａと面一とすることができる。ただし、封止樹脂層３４の研磨量の調整等により、パッド３３の側面の一部及び上面を封止樹脂層３４の上面３４ａから突出させてもよいし、パッド３３の上面を封止樹脂層３４の上面３４ａよりも窪んだ位置に露出させてもよい。

【0067】

次に、図７（ａ）に示す工程では、ダイシングブレード等を用いて、図６（ｂ）に部分的に示した構造体の全体における外周部を切断する。次に、図７（ｂ）に示す工程では、図７（ａ）に示す支持体１００を除去し、必要に応じ、パッド３３の上面に表面処理層３１０を形成し、かつ配線層１１の下面に表面処理層１１０を形成する。支持体１００を除去するには、まず、コア基板１０１及び厚箔１０４ｂを薄箔１０４ａから機械的に剥離する。そして、薄箔１０４ａを、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液や過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去する。このとき、配線層１１が銅であれば、配線層１１の下面側もエッチングされ、配線層１１の下面は、絶縁層１２の下面１２ｂから配線層１３側に窪む。表面処理層１１０及び３１０としては、例えば、無電解めっき法により、前述の金属層や金属層の積層体を形成してもよいし、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施してもよい。

【0068】

このように、配線基板１では、パッド３３の直下に薄膜コンデンサ２０が配置されている。パッド３３は、半導体チップと電気的に接続するための外部接続端子として使用されるため、配線基板１の上に半導体チップを実装した場合、薄膜コンデンサ２０は、半導体チップに近い位置に配置されることになる。これにより、薄膜コンデンサ２０の等価直列インダクタンスを低減できるため、半導体チップの高周波（例えば、１００ＭＨｚ以上）での動作が可能となる。

【0069】

また、配線基板１では、薄膜コンデンサ２０上に、パッド３３の上面を露出し、パッド３３の側面の少なくとも一部を被覆する封止樹脂層３４が積層されている。配線基板１の上に半導体チップを実装する際には、パッド３３と半導体チップの電極パッドとの間をはんだで接続する。仮に、薄膜コンデンサが配線基板の表面に露出しているとすれば、半導体チップ実装時に生じる熱応力や圧力により薄膜コンデンサが割れるおそれが有る。しかしながら、配線基板１では、薄膜コンデンサ２０上に積層されている封止樹脂層３４により、薄膜コンデンサ２０が半導体チップ実装時に生じる熱応力や圧力の影響を受け難い構造であるため、薄膜コンデンサの破損を抑制できる。

【0070】

また、配線基板１では、封止樹脂層３４の上面側を研磨してパッド３３の上面を露出するため、複数のパッド３３の上面の高さが均一になる。ここで、高さが均一とは、最も高いパッドが最も低いパッドの＋１０μｍ以下の高さである場合を指す。また、封止樹脂層３４から露出する複数のパッド３３は、上面の面積が均一であり研磨された平滑な平面でもあるため、半導体チップ実装時に、はんだの濡れ広がりが一定となり、半導体チップの実装信頼性を向上できる。ここで、面積が均一とは、最も大面積のパッドの上面が最も小面積のパッドの上面の＋２０％以下の面積である場合を指す。

【0071】

なお、従来の配線基板ではパッドをＣＭＰで研磨しないため、パッドに高さばらつきが生じる。また、従来の配線基板では、パッドの側面全体が露出しているため、パッドの高さの低い部分では、はんだが側面にまで濡れ広がって、上面上のはんだ量が不足する等の問題があった。配線基板１では、このような問題が解消されている。

【0072】

また、配線基板１では、感光性樹脂を主成分とする絶縁層１５、１７、及び１９を含む第２配線構造１Ｈを挟んで、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層１２を含む第１配線構造１Ｌと、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする封止樹脂層３４とを配置している。そして、絶縁層１２の熱膨張係数及び封止樹脂層３４の熱膨張係数は、絶縁層１５、１７、及び１９の各々の熱膨張係数よりも低い。この構造により、配線基板１の厚さ方向における熱膨張係数の不均衡が改善されるため、配線基板１の反りを低減できる。

【0073】

また、配線基板１の反りが低減することで、配線基板１の封止樹脂層３４側に半導体チップを実装したり、配線基板１を他の配線基板上に実装したりすることが容易となる。

【0074】

なお、図７（ａ）で切断する前の状態を出荷形態としてもよい。すなわち、支持体１００付きの配線基板１を出荷形態としてもよい。

【0075】

〈第１実施形態の応用例１〉
第１実施形態の応用例１は、第１実施形態に係る配線基板を他の配線基板上に実装した積層型配線基板の例を示す。なお、第１実施形態の応用例１において、既に説明した実施形態と同一構成部品についての説明は省略する場合がある。

【0076】

図８は、第１実施形態の応用例１に係る積層型配線基板を例示する断面図である。図８を参照すると、積層型配線基板３は、配線基板２上に配線基板１が実装された多層配線基板である。

【0077】

配線基板２は、コア層５０の両面に配線層及び絶縁層が積層された多層配線基板であり、例えば、周知のビルドアップ工法により作製できる。配線基板２の有する各配線層は、配線基板１の配線層１４、１６、１８、３１に比べて配線密度が低い（ライン／スペースが広い）。配線基板２の有する各配線層のライン／スペースは、例えば、２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。

【0078】

配線基板２において、コア層５０の一方の面には、配線層５２と、絶縁層５３と、配線層５４と、絶縁層５５と、配線層５６と、ソルダーレジスト層５７と、配線層５８とが順次積層されている。又、コア層５０の他方の面には、配線層６２と、絶縁層６３と、配線層６４と、絶縁層６５と、配線層６６と、ソルダーレジスト層６７とが順次積層されている。

【0079】

コア層５０としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。コア層５０として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等を含浸させた基板等を用いてもよい。コア層５０の厚さは、例えば、６０～４００μｍ程度とすることができる。コア層５０には、コア層５０を厚さ方向に貫通する貫通孔５０ｘが設けられている。貫通孔５０ｘの平面形状は例えば円形である。

【0080】

配線層５２は、コア層５０の一方の面に形成されている。又、配線層６２は、コア層５０の他方の面に形成されている。配線層５２と配線層６２とは、貫通孔５０ｘ内に形成された貫通配線５１により電気的に接続されている。配線層５２及び６２は、各々所定の平面形状にパターニングされている。配線層５２及び６２、並びに貫通配線５１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層５２及び６２の厚さは、例えば、１０～３０μｍ程度とすることができる。なお、配線層５２と配線層６２と貫通配線５１とは一体に形成されたものであってもよい。

【0081】

絶縁層５３は、コア層５０の一方の面に配線層５２を覆うように形成されている。絶縁層５３の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分とする非感光性で熱硬化性の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層５３の厚さは、例えば３０～４０μｍ程度とすることができる。絶縁層５３は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有することができる。

【0082】

配線層５４は、絶縁層５３の一方の側に形成されている。配線層５４は、絶縁層５３を貫通し配線層５２の上面を露出するビアホール５３ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層５３の上面に形成された配線パターンを含んでいる。配線層５４を構成する配線パターンは、ビア配線を介して、配線層５２と電気的に接続されている。ビアホール５３ｘは、絶縁層５５側に開口されている開口部の径が配線層５２の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。配線層５４の材料や配線パターンの厚さは、例えば、配線層５２と同様とすることができる。

【0083】

絶縁層５５は、絶縁層５３の上面に配線層５４を覆うように形成されている。絶縁層５５の材料や厚さは、例えば、絶縁層５３と同様とすることができる。絶縁層５５は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有することができる。

【0084】

配線層５６は、絶縁層５５の一方の側に形成されている。配線層５６は、絶縁層５５を貫通し配線層５４の上面を露出するビアホール５５ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層５５の上面に形成された配線パターンを含んでいる。配線層５６を構成する配線パターンは、ビア配線を介して、配線層５４と電気的に接続されている。ビアホール５５ｘは、ソルダーレジスト層５７側に開口されている開口部の径が配線層５４の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。配線層５６の材料や配線パターンの厚さは、例えば、配線層５２と同様とすることができる。

【0085】

ソルダーレジスト層５７は、絶縁層５５の上面に、配線層５６を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層５７は、例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の感光性樹脂等から形成することができる。ソルダーレジスト層５７の厚さは、例えば１５～３５μｍ程度とすることができる。

【0086】

配線層５８は、ソルダーレジスト層５７の一方の側に形成されている。配線層５８は、ソルダーレジスト層５７を貫通し配線層５６の上面を露出するビアホール５７ｘ内に充填されたビア配線、及びソルダーレジスト層５７の上面に形成されたパッドを含んでいる。配線層５８を構成するパッドは、ビア配線を介して、配線層５６と電気的に接続されている。ビアホール５７ｘは、配線基板１側に開口されている開口部の径が配線層５６の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。配線層５８の材料や配線パターンの厚さは、例えば、配線層５２と同様とすることができる。配線層５８を構成するパッドの平面形状は、例えば、円形とすることができる。必要に応じ、配線層５８を構成するパッドの表面（上面のみ、又は、上面及び側面）に前述の表面処理層を形成してもよい。

【0087】

絶縁層６３は、コア層５０の他方の面に配線層６２を覆うように形成されている。絶縁層６３の材料や厚さは、例えば、絶縁層５３と同様とすることができる。絶縁層６３は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有することができる。

【0088】

配線層６４は、絶縁層６３の他方の側に形成されている。配線層６４は、絶縁層６３を貫通し配線層６２の下面を露出するビアホール６３ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層６３の下面に形成された配線パターンを含んでいる。配線層６４を構成する配線パターンは、ビア配線を介して、配線層６２と電気的に接続されている。ビアホール６３ｘは、絶縁層６５側に開口されている開口部の径が配線層６２の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。配線層６４の材料や厚さは、例えば、配線層５２と同様とすることができる。

【0089】

絶縁層６５は、絶縁層６３の下面に配線層６４を覆うように形成されている。絶縁層６５の材料や厚さは、例えば、絶縁層５３と同様とすることができる。絶縁層６５は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有することができる。

【0090】

配線層６６は、絶縁層６５の他方の側に形成されている。配線層６６は、絶縁層６５を貫通し配線層６４の下面を露出するビアホール６５ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層６５の下面に形成された配線パターンを含んでいる。配線層６６を構成する配線パターンは、ビア配線を介して、配線層６４と電気的に接続されている。ビアホール６５ｘは、ソルダーレジスト層６７側に開口されている開口部の径が配線層６４の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。配線層６６の材料や厚さは、例えば、配線層５２と同様とすることができる。

【0091】

ソルダーレジスト層６７は、絶縁層６５の下面に、配線層６６を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層６７の材料や厚さは、例えば、ソルダーレジスト層５７と同様とすることができる。ソルダーレジスト層６７は、開口部６７ｘを有し、開口部６７ｘ内には配線層６６の下面の一部が露出している。開口部６７ｘの平面形状は、例えば、円形とすることができる。開口部６７ｘ内に露出する配線層６６は、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続するためのパッドとして用いることができる。必要に応じ、開口部６７ｘ内に露出する配線層６６下面に前述の表面処理層を形成してもよい。

【0092】

配線基板１は、配線基板２上に実装されている。具体的には、配線基板１の表面処理層１１０と、配線基板２の外部接続端子である配線層５８とが、溶融後硬化したはんだ層４１により接合されている。そして、配線基板１の下面（絶縁層１２の下面）と配線基板２の上面（ソルダーレジスト層５７の上面）との間には、アンダーフィル樹脂４２が充填されると共に、配線基板１の側面の一部を被覆し、配線基板１と配線基板２とを接着している。

【0093】

配線基板２の上面（ソルダーレジスト層５７の上面）の外周部には、スティフナ―７０が固着されている。スティフナ―７０は、例えば平面形状が枠状であり、積層型配線基板３全体の強度を補強すると共に、積層型配線基板３をマザーボード等に実装する際に生じる反りを低減するために設けられている。スティフナ―７０の材料としては、例えば、ＳＵＳ３０４（ＣｒとＮｉを主成分とするステンレス鋼：０．０８Ｃ－１８Ｃｒ－８Ｎｉ）等を用いことができる。スティフナ―７０の材料として、銅や銅合金等の金属板や、ガラスエポキシ基板等の樹脂板を用いてもよい。スティフナ―７０は、必要に応じて設けることができる。

【0094】

このように、配線密度の低い配線層を有する配線基板２上に配線密度の高い配線層を有する配線基板１を実装することで、半導体チップを搭載可能な積層型配線基板３を容易に作製することができる。

【0095】

又、配線基板１は反りが小さいため、配線基板１の各々の配線層１１とそれに対向する配線基板２の配線層５８との距離のばらつきが少ない。そのため、配線層１１と配線層５８の、はんだ層４１を介しての接続信頼性を向上できる。

【0096】

〈第１実施形態の応用例２〉
第１実施形態の応用例２は、第１実施形態の応用例１に係る積層型配線基板に半導体チップを搭載した半導体装置の例を示す。なお、第１実施形態の応用例２において、既に説明した実施形態と同一構成部品についての説明は省略する場合がある。

【0097】

図９は、第１実施形態の応用例２に係る半導体装置を例示する断面図である。図９を参照すると、半導体装置５は、図８に示す積層型配線基板３と、半導体チップ８０と、バンプ９０と、アンダーフィル樹脂９５とを有する。積層型配線基板３には、複数の半導体チップ８０がフリップチップ実装されている。

【0098】

半導体チップ８０は、例えば、シリコン等からなる薄板化された半導体基板８１に半導体集積回路（図示せず）等が形成されたものである。半導体基板８１の回路形成面には、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続された電極パッド８２が形成されている。

【0099】

半導体チップ８０の電極パッド８２は、バンプ９０を介して、積層型配線基板３の表面処理層３１０と電気的に接続されている。アンダーフィル樹脂９５は、半導体チップ８０の回路形成面と配線基板１の上面との間に充填され、半導体チップ８０の側面を被覆している。バンプ９０は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えば、ＳｎＢｉはんだ等を用いることができる。

【0100】

各々の半導体チップ８０は、同一の大きさであっても異なる大きさであってもよい。又、各々の半導体チップ８０は、同一の機能であっても異なる機能であってもよい。半導体チップ８０の機能の一例としては、メモリ（ＤＲＡＭ等）やロジック（ＣＰＵ等）が挙げられる。又、積層型配線基板３には１つ又は２つの半導体チップ８０が実装されてもよいし、４つ以上の半導体チップ８０が実装されてもよい。

【0101】

このように、第１実施形態の応用例１に係る積層型配線基板３に半導体チップ８０を搭載することにより、半導体装置５を実現できる。半導体チップ８０は、配線密度の高い配線層を有する配線基板１に実装されるため、半導体チップ８０同士を配線密度が高い配線パターンにより容易に信号接続することが可能となる。また、半導体装置５を構成する配線基板１では、半導体チップ８０に近いパッド３３の直下に薄膜コンデンサ２０が配置されているため、薄膜コンデンサ２０の等価直列インダクタンスを低減でき、半導体チップ８０の高周波での動作が可能となる。

【0102】

〈第１実施形態の変形例１〉
第１実施形態の変形例１は、配線基板２に薄膜コンデンサを搭載する例を示す。なお、第１実施形態の変形例１において、既に説明した実施形態と同一構成部品についての説明は省略する場合がある。

【0103】

図１０は、第１実施形態の変形例１に係る配線基板を例示する断面図である。図１０に示す配線基板６は、図８に示す配線基板２において、ソルダーレジスト層５７を絶縁層５７Ａに置換し、絶縁層５７Ａ上に配線層５８の代わりに、薄膜コンデンサ２０と配線層３１と封止樹脂層３４を設けたものである。絶縁層５７Ａは、絶縁層５３等と同様に、非感光性で熱硬化性の絶縁性樹脂から形成されている。配線層３１は、ビアホール２０ｘ、及びビアホール２０ｘと連通するビアホール５７ｘ内のビア配線３２を介して配線層５６と電気的に接続されている。なお、絶縁層５７Ａにビアホール５７ｘを形成する際には、例えば、レーザ加工法を使用できる。

【0104】

このように、薄膜コンデンサ２０は、配線基板１のように感光性の絶縁性樹脂の上に設けてもよいし、配線基板６のように非感光性で熱硬化性の絶縁性樹脂の上に設けてもよい。配線基板６では、封止樹脂層３４上に半導体チップを実装可能である。

【0105】

配線基板６では、配線基板１と同様に、パッド３３の直下に薄膜コンデンサ２０が配置されている。パッド３３は、半導体チップと電気的に接続するための外部接続端子として使用されるため、配線基板６の上に半導体チップを実装した場合、薄膜コンデンサ２０は、半導体チップに近い位置に配置されることになる。これにより、薄膜コンデンサ２０の等価直列インダクタンスを低減できるため、半導体チップの高周波での動作が可能となる。

【0106】

また、配線基板６では、配線基板１と同様に、薄膜コンデンサ２０上に積層されている封止樹脂層３４により、薄膜コンデンサ２０が半導体チップ実装時に生じる熱応力や圧力の影響を受け難い構造であるため、薄膜コンデンサの破損を抑制できる。また、配線基板６では、配線基板１と同様に、半導体チップ実装時に、はんだの濡れ広がりが一定となり、半導体チップの実装信頼性を向上できる。

【0107】

以上、好ましい実施形態について詳説したが、上述した実施形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0108】

１ 配線基板
１Ｈ 第２配線構造
１Ｌ 第１配線構造
１１、１３、１４、１６、１８、３１ 配線層
１２、１５、１７、１９ 絶縁層
１２ａ、３４ａ 上面
１２ｂ 下面
１２ｘ、１５ｘ、１７ｘ、１９ｘ ビアホール
２０ 薄膜コンデンサ
２１ 誘電体
２２ 第１電極
２３ 第２電極
２４ 接着層
３２ ビア配線
３３ パッド
３４ 封止樹脂層
４１ はんだ層
４２ アンダーフィル樹脂
５０ コア層
５０ｘ 貫通孔
５１ 貫通配線
５２、５４、５６、５８、６２、６４、６６ 配線層
５３、５５、５７Ａ、６３、６５ 絶縁層
５３ｘ、５５ｘ、５７ｘ、６３ｘ、６５ｘ ビアホール
５７、６７ ソルダーレジスト層
５７ｙ、６７ｘ 開口部
５９ パッド
８０ 半導体チップ
８１ 半導体基板
８２ 電極パッド
９０ バンプ
９５ アンダーフィル樹脂
１００ 支持体
１０１ コア基板
１０４ キャリア付き銅箔
１０４ａ 薄箔
１０４ｂ 厚箔
１１０、３１０ 表面処理層
１２８ 補強部材
１３１、３１１ シード層
１３２、３１２ 電解めっき層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】