特開 2022-177703 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022177703

(43)【公開日】2022-12-01

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20221124BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 T

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021084134

(22)【出願日】2021-05-18

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】坂口 勇太

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA12

5E316AA22

5E316AA38

5E316CC04

5E316CC06

5E316CC32

5E316DD33

5E316EE31

5E316FF04

5E316FF07

5E316FF15

5E316HH11

5E316JJ02

(57)【要約】

【課題】接合不良を抑制することができる配線基板及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板は、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを備えた絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の前記第１面の上に設けられた再配線層と、前記絶縁樹脂層の前記第２面から露出する第１接続端子と、前記絶縁樹脂層内に設けられ、前記再配線層と前記第１接続端子とを電気的に接続する導電ビアと、を有し、前記絶縁樹脂層は、前記第２面を構成し、第１フィラーを含有する第１樹脂層と、前記第１樹脂層の前記第１面側に設けられた第２樹脂層と、前記第２樹脂層の前記第１面側に設けられ、第２フィラーを含有し、前記第１面を構成する第３樹脂層と、を有し、前記第１フィラーの平均粒径は、前記第２フィラーの平均粒径よりも大きい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを備えた絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の前記第１面の上に設けられた再配線層と、
前記絶縁樹脂層の前記第２面から露出する第１接続端子と、
前記絶縁樹脂層内に設けられ、前記再配線層と前記第１接続端子とを電気的に接続する導電ビアと、
を有し、
前記絶縁樹脂層は、
前記第２面を構成し、第１フィラーを含有する第１樹脂層と、
前記第１樹脂層の前記第１面側に設けられた第２樹脂層と、
前記第２樹脂層の前記第１面側に設けられ、第２フィラーを含有し、前記第１面を構成する第３樹脂層と、
を有し、
前記第１フィラーの平均粒径は、前記第２フィラーの平均粒径よりも大きいことを特徴とする配線基板。

【請求項2】

前記第１フィラーの平均粒径は、０．０５μｍ～１．００μｍであり、
前記第２フィラーの平均粒径は、０．０１μｍ～０．５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記第１フィラーの平均粒径は、前記第２フィラーの平均粒径の３倍～１００倍であることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。

【請求項4】

前記絶縁樹脂層の前記第１面に垂直な断面において、
前記第１樹脂層中で前記第１フィラーが占める割合は、４０％～７０％であり、
前記第３樹脂層中で前記第２フィラーが占める割合は、５０％～８０％であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板。

【請求項5】

前記絶縁樹脂層の前記第１面に垂直な断面において、
前記第１樹脂層中の前記第１フィラーの個数密度は２個／μｍ^２～１０個／μｍ^２であり、
前記第３樹脂層中の前記第２フィラーの個数密度は２０個／μｍ^２～４０個／μｍ^２であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板。

【請求項6】

前記第２樹脂層はガラス繊維を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板。

【請求項7】

前記第３樹脂層は、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層に比べて厚さが薄いことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の配線基板。

【請求項8】

前記第１接続端子が接合された第２接続端子を備えたビルドアップ基板を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板。

【請求項9】

支持基板の上に接続端子を形成する工程と、
前記支持基板の上に前記接続端子を覆い、前記支持基板に対向する第２面と、前記第２面とは反対側の第１面とを備えた絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層内に前記接続端子に接続される導電ビアを形成する工程と、
前記絶縁樹脂層の前記第１面の上に再配線層を形成する工程と、
を有し、
前記絶縁樹脂層を形成する工程は、
前記第２面を構成し、第１フィラーを含有する第１樹脂層を形成する工程と、
前記第１樹脂層の前記第１面側に第２樹脂層を形成する工程と、
前記第２樹脂層の前記第１面側に、第２フィラーを含有し、前記第１面を構成する第３樹脂層を形成する工程と、
を有し、
前記第１フィラーの平均粒径は、前記第２フィラーの平均粒径よりも大きいことを特徴とする配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ビルドアップ基板の上にインターポーザを搭載した配線基板が開示されている（特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－２０５３３１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載の配線基板によれば、所期の目的は達成されるものの、インターポーザとビルドアップ基板との間に接合不良が生じるおそれがある。

【0005】

本開示は、接合不良を抑制することができる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一形態によれば、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを備えた絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の前記第１面の上に設けられた再配線層と、前記絶縁樹脂層の前記第２面から露出する第１接続端子と、前記絶縁樹脂層内に設けられ、前記再配線層と前記第１接続端子とを電気的に接続する導電ビアと、を有し、前記絶縁樹脂層は、前記第２面を構成し、第１フィラーを含有する第１樹脂層と、前記第１樹脂層の前記第１面側に設けられた第２樹脂層と、前記第２樹脂層の前記第１面側に設けられ、第２フィラーを含有し、前記第１面を構成する第３樹脂層と、を有し、前記第１フィラーの平均粒径は、前記第２フィラーの平均粒径よりも大きい配線基板が提供される。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、接合不良を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係る配線基板を示す断面図である。

【図2】絶縁樹脂層を示す断面図である。

【図3】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図4】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図5】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図6】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。

【図7】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その５）である。

【図8】シミュレーションの結果を示す図である。

【図9】第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。

【0010】

（第１実施形態）
第１実施形態は、配線基板及びその製造方法に関する。

【0011】

［配線基板の構造］
まず、第１実施形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、第１実施形態に係る配線基板を示す断面図である。

【0012】

第１実施形態に係る配線基板１は、ビルドアップ基板１００と、インターポーザ２００と、接合材３００と、接着層４００とを有する。本開示においては、便宜上、ビルドアップ基板１００からみてインターポーザ２００が位置する方向を上方とし、その反対方向を下方とする。また、平面視とは、ビルドアップ基板１００の上面に垂直な方向から対象物を見ることをいう。但し、配線基板は天地逆の状態で用いることができ、また、任意の姿勢で用いることができる。

【0013】

ビルドアップ基板１００は、例えば、コア層１１０と、コア層１１０の上面に設けられたビルドアップ層１２０と、コア層１１０の下面に設けられたビルドアップ層１３０とを有する。

【0014】

コア層１１０は、貫通孔１１１ｘが形成された絶縁性の基材１１１と、貫通孔１１１ｘの内壁面に形成された貫通導電ビア１１２と、貫通導電ビア１１２の内側に充填された充填材１１３とを有する。

【0015】

ビルドアップ層１２０は、絶縁層１２１と、配線層１２２と、ソルダレジスト層１２３とを有する。配線層１２２は、絶縁層１２１の最上面に電極パッド１２４を含む。配線層１２２の材料は、例えば銅等の導電体である。電極パッド１２４は、ビルドアップ基板１００がインターポーザ２００に接合される際の接続端子として用いられる。電極パッド１２４は第２接続端子の一例である。

【0016】

ビルドアップ層１３０は、絶縁層１３１と、配線層１３２と、ソルダレジスト層１３３とを有する。配線層１３２は、絶縁層１３１の最下面に電極パッド１３４を含む。配線層１３２の材料は、例えば銅等の導電体である。電極パッド１３４は、ビルドアップ基板１００がマザーボード等の外部部品に接合される際の接続端子として用いられる。

【0017】

電極パッド１２４と電極パッド１３４とが、配線層１２２、貫通導電ビア１１２及び配線層１３２を介して電気的に接続されている。ビルドアップ層１２０に含まれる絶縁層１２１及び配線層１２２の数、ビルドアップ層１３０に含まれる絶縁層１３１及び配線層１３２の数は特に限定されない。

【0018】

インターポーザ２００は、例えば、第１配線構造体２１０と、第１配線構造体２１０の上面に設けられた第２配線構造体２２０とを有する。

【0019】

第１配線構造体２１０は、電極パッド２１１と、絶縁樹脂層２１２と、導電ビア２１３とを有する。

【0020】

ここで、絶縁樹脂層２１２について説明する。図２は、絶縁樹脂層２１２を示す断面図である。

【0021】

絶縁樹脂層２１２は、第１樹脂層１０と、第１樹脂層１０上の第２樹脂層２０と、第２樹脂層２０上の第３樹脂層３０とを含む。第３樹脂層３０は、第１樹脂層１０及び第２樹脂層２０よりも薄くてよい。例えば、第１樹脂層１０の厚さ及び第２樹脂層２０の厚さは、それぞれ２０μｍ程度であり、第３樹脂層３０の厚さは１８μｍ程度である。絶縁樹脂層２１２は、上面２１２Ａと、上面２１２Ａとは反対側の下面２１２Ｂとを備える。第３樹脂層３０が上面２１２Ａを構成し、第１樹脂層１０が下面２１２Ｂを構成する。上面２１２Ａは第１面の一例であり、下面２１２Ｂは第２面の一例である。

【0022】

第２樹脂層２０は、ガラス繊維２１に絶縁性樹脂を含浸させて形成されている。第２樹脂層２０の補強部材に含浸される絶縁性樹脂は、例えば熱硬化により硬化する。第１樹脂層１０及び第３樹脂層３０は、熱硬化性の樹脂を含むが、ガラス繊維を含まない。第１樹脂層１０は第１フィラー１１を含み、第３樹脂層３０は第２フィラー３１を含む。第１フィラー１１及び第２フィラー３１は、例えばシリカフィラー又はアルミナフィラー等である。第１フィラー１１の平均粒径は、第２フィラー３１の平均粒径よりも大きい。

【0023】

電極パッド２１１は第１樹脂層１０に埋め込まれている。第１樹脂層１０の下面と、電極パッド２１１の下面とが面一になっており、電極パッド２１１は絶縁樹脂層２１２の下面２１２Ｂから露出している。電極パッド２１１の側面は第１樹脂層１０により覆われている。

【0024】

絶縁樹脂層２１２に、上面２１２Ａから電極パッド２１１の上面に到達するビアホール２１２ｘが形成されている。導電ビア２１３はビアホール２１２ｘ内に設けられている。導電ビア２１３は電極パッド２１１に接触する。第３樹脂層３０の上面と、導電ビア２１３の上面とが面一になっている。電極パッド２１１及び導電ビア２１３の材料は、例えば銅等の導電体である。電極パッド２１１は、インターポーザ２００がビルドアップ基板１００に接合される際の接続端子として用いられる。電極パッド２１１は第１接続端子の一例である。

【0025】

第２配線構造体２２０は、絶縁層２２１と、配線層２２２とを有する。配線層２２２の一部は導電ビア２１３に接触している。配線層２２２は、絶縁層２２１の最上面に電極パッド２２４を含む。絶縁層２２１の材料は、例えば有機樹脂である。配線層２２２の材料は、例えば銅等の導電体である。電極パッド２２４は、半導体チップが実装される際の接続端子として用いられる。例えば、第２配線構造体２２０の厚さは２０μｍ程度である。第２配線構造体２２０に含まれる絶縁層２２１及び配線層２２２の数は特に限定されない。第２配線構造体２２０は再配線層の一例である。

【0026】

接合材３００は、ビルドアップ基板１００の電極パッド１２４と、インターポーザ２００の電極パッド２１１とを接合する。接合材３００の材料は、例えば、錫（Ｓｎ）層又ははんだ層である。はんだ層の材料としては、例えば、Ｓｎ－銀（Ａｇ）系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系の鉛（Ｐｂ）フリーはんだを用いることができる。

【0027】

接着層４００は、ビルドアップ基板１００とインターポーザ２００との間に設けられており、ビルドアップ基板１００とインターポーザ２００とを互いに接着する。接着層４００は、例えばエポキシを主剤とする。接着層４００はインターポーザ２００の側面の一部を覆っていてもよい。

【0028】

［配線基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る配線基板１の製造方法について説明する。図３～図７は、第１実施形態に係る配線基板１の製造方法を示す断面図である。

【0029】

まず、図３（ａ）に示すように、支持基板５０を準備する。支持基板５０は支持体５１と、剥離層５２と、銅箔５３とを有する。剥離層５２及び銅箔５３は支持体５１の上面及び下面に形成されている。剥離層５２は、支持体５１と銅箔５３との間にある。例えば、支持体５１は樹脂を含み、剥離層５２は無機物の層である。支持基板５０としては、インターポーザ２００が複数個取れる大判の基板が使用される。つまり、支持基板５０は、インターポーザ２００に対応する構造体が形成される複数の領域を有している。

【0030】

次いで、図３（ｂ）に示すように、支持基板５０の上側及び下側において、銅箔５３の上に電極パッド２１１を形成する。電極パッド２１１は、例えばセミアディティブ法により形成することができる。すなわち、電極パッド２１１を形成する予定の部分に開口部を有するめっきレジスト層（図示せず）を銅箔５３上に形成し、銅箔５３をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、開口部内に銅等からなる電極パッド２１１を形成する。その後、めっきレジスト層を除去する。

【0031】

次いで、図４（ａ）に示すように、支持基板５０の上側及び下側において、電極パッド２１１、銅箔５３及び支持体５１を覆うように絶縁樹脂層２１２を形成する。絶縁樹脂層２１２の形成では、まず、第１樹脂層１０を形成し、次いで、第１樹脂層１０の上に第２樹脂層２０を形成し、第２樹脂層２０の上に第３樹脂層３０を形成する。第１樹脂層１０は第１フィラー１１を含有し、第２樹脂層２０はガラス繊維２１を含有し、第３樹脂層３０は第２フィラー３１を含有する。例えば、第１樹脂層１０の厚さ、第２樹脂層２０の厚さ及び第３樹脂層３０の厚さは、それぞれ２０μｍ程度とする。

【0032】

次いで、図４（ｂ）に示すように、支持基板５０の上側及び下側において、絶縁樹脂層２１２に電極パッド２１１に到達するビアホール２１２ｘを形成する。ビアホール２１２ｘは、例えばレーザ加工により形成することができる。ビアホール２１２ｘの形成後に、デスミア処理を行い、ビアホール２１２ｘの底部に露出する電極パッド２１１の表面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。

【0033】

次いで、支持基板５０の上側及び下側において、絶縁樹脂層２１２の上に、ビアホール２１２ｘを通じて電極パッド２１１に接続される導電層２１３Ａを形成する。導電層２１３Ａは、例えばセミアディティブ法により形成することができる。ここで、導電層２１３Ａの形成方法について詳しく説明する。まず、絶縁樹脂層２１２上及びビアホール２１２ｘの内面に無電解めっき法又はスパッタ法により、銅等からなるシード層（不図示）を形成する。次いで、シード層上に、導電層２１３Ａを形成する部分に開口部が設けられためっきレジスト層（不図示）を形成する。続いて、シード層をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、めっきレジスト層の開口部に銅等からなる金属めっき層を形成する。その後、めっきレジスト層を除去する。次いで、金属めっき層をマスクにしてシード層をウェットエッチングにより除去する。このようにして、シード層及び金属めっき層を含む導電層２１３Ａを形成することができる。

【0034】

次いで、図５（ａ）に示すように、支持基板５０の上側において、化学機械的研磨（chemical mechanical polishing：ＣＭＰ）法により、導電層２１３Ａと、絶縁樹脂層２１２の表層部とを研磨し、導電層２１３Ａの上面と絶縁樹脂層２１２の上面２１２Ａとを面一にする。この研磨の結果、ビアホール２１２ｘ内に導電ビア２１３が形成される。また、この結果、第３樹脂層３０の厚さは１８μｍ程度となり、第１樹脂層１０及び第２樹脂層２０よりも薄くなる。

【0035】

このようにして、絶縁樹脂層２１２と、絶縁樹脂層２１２内の導電ビア２１３と、導電ビア２１３に接続された電極パッド２１１とを備えた第１配線構造体２１０が形成される。

【0036】

次いで、図５（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層２１２及び導電ビア２１３の上に、絶縁層２２１と、配線層２２２とを有する第２配線構造体２２０を形成する。第２配線構造体２２０は、例えばセミアディティブ法により形成することができる。配線層２２２の一部は導電ビア２１３に接触させ、配線層２２２は絶縁層２２１の最上面に電極パッド２２４を含む。

【0037】

次いで、図６（ａ）に示すように、第１配線構造体２１０及び第２配線構造体２２０を銅箔５３とともに、剥離層５２から剥離する。

【0038】

次いで、図６（ｂ）に示すように、銅箔５３を除去する。その後、電極パッド２１１の下面に接合材３００を設け、絶縁樹脂層２１２の下面２１２Ｂに接合材３００を被覆する接着層４００を形成する。接着層４００としては、例えばエポキシを主剤とするＮＣＦ（non-conductive film）を用いることができる。

【0039】

次いで、図６（ｃ）に示すように、接着層４００の形成までの処理を行った構造体を所定の切断線に沿ってスライサー等により切断する。これにより、インターポーザ２００に対応する構造体が個片化され、大判の支持基板５０から複数のインターポーザ２００が得られる。

【0040】

また、図７に示すように、別途、ビルドアップ基板１００を準備する。そして、電極パッド２１１を電極パッド１２４に対向させながら、接着層４００が形成されたインターポーザ２００をビルドアップ基板１００にフリップチップ実装する。このとき、電極パッド２１１と電極パッド１２４とを接合材３００により互いに接合する。

【0041】

このようにして第１実施形態に配線基板１を製造することができる。

【0042】

第１実施形態において、第１配線構造体２１０及び第２配線構造体２２０を含むインターポーザ２００は、剥離層５２から剥離される前までは支持基板５０により拘束される。このため、インターポーザ２００の内部にインターポーザ２００が反るような応力が内在していたとしても、剥離層５２から剥離される前までインターポーザ２００は変形しない。ただし、インターポーザ２００が反るような応力が内在している場合、インターポーザ２００が剥離層５２から剥離されると、支持基板５０による拘束から解放されるため、インターポーザ２００に反りが生じてしまう。例えば、第１樹脂層１０に含まれる第１フィラー１１の平均粒径と、第３樹脂層３０に含まれる第２フィラー３１の平均粒径とが同程度である場合、インターポーザ２００は、下側（第１配線構造体２１０側）に凸となるように変形しやすい。このような反りが生じると、銅箔５３の除去が不均一になったり、インターポーザ２００の電極パッド２１１とビルドアップ基板１００の電極パッド１２４との間の距離が不均一になったりし、接合不良が生じるおそれがある。

【0043】

これに対し、第１実施形態では、第１フィラー１１の平均粒径が第２フィラー３１の平均粒径よりも大きい。このため、インターポーザ２００の内部の応力を低減することができる。従って、インターポーザ２００が剥離層５２から剥離された後でも、インターポーザ２００に反りが生じにくく、インターポーザ２００とビルドアップ基板１００との間の接合不良を抑制することができる。

【0044】

第１フィラー１１の平均粒径は、好ましくは０．０５μｍ～１．００μｍであり、より好ましくは０．１０μｍ～０．８０μｍである。また、第２フィラー３１の平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ～０．５０μｍであり、より好ましくは０．０５μｍ～０．３０μｍである。

【0045】

第１フィラー１１の平均粒径は、第２フィラー３１の平均粒径の３倍～１００倍であることが好ましく、３倍～４０倍であることがより好ましい。

【0046】

第１フィラー１１の最大粒径は、好ましくは０．０５μｍ～５．００μｍであり、より好ましくは０．５０μｍ～５．００μｍである。また、第２フィラー３１の最大粒径は、好ましくは０．１０μｍ～１．００μｍであり、より好ましくは０．３０μｍ～１．００μｍである。

【0047】

第１フィラー１１及び第２フィラー３１の粒径は、走査型電子顕微鏡（scanning electron microscope：ＳＥＭ）を用いた、絶縁樹脂層２１２の上面２１２Ａに垂直な断面の断面観察により測定することができる。例えば、断面観察は３００００倍の倍率で行われる。

【0048】

また、絶縁樹脂層２１２の上面２１２Ａに垂直な断面において、第１樹脂層１０中で第１フィラー１１が占める割合は、第３樹脂層３０中で第２フィラー３１が占める割合より低くてもよい。上記断面において、第１樹脂層１０中で第１フィラーが占める割合は、好ましくは４０％～７０％であり、より好ましくは５０％～６０％である。また、上記断面において、第３樹脂層３０中で第２フィラー３１が占める割合は、好ましくは５０％～８０％であり、より好ましくは６０％～７０％である。

【0049】

また、絶縁樹脂層２１２の上面２１２Ａに垂直な断面において、第１樹脂層１０中の第１フィラー１１の個数密度は、第３樹脂層３０中の第２フィラー３１の個数密度より低くてもよい。上記断面において、第１樹脂層１０中の第１フィラー１１の個数密度は、好ましくは２個／μｍ^２～１０個／μｍ^２であり、より好ましくは５個／μｍ^２～６個／μｍ^２である。また、上記断面において、第３樹脂層３０中の第２フィラー３１の個数密度は、好ましくは２０個／μｍ^２～４０個／μｍ^２であり、より好ましくは２６個／μｍ^２～２９個／μｍ^２である。

【0050】

ここで、本願発明者が行ったシミュレーションについて説明する。このシミュレーションでは、第１樹脂層、第２樹脂層に含まれるフィラーのサイズを異ならせた４種類の条件（条件Ｎｏ．１、条件Ｎｏ．２、条件Ｎｏ．３、条件Ｎｏ．４）について、支持基板を剥離した後のインターポーザの反り量を計算した。表１に、各条件とフィラーとの関係を示す。表１において、フィラーＡは、最大粒径が１μｍで、平均粒径が０．１μｍのフィラーであり、フィラーＢは、最大粒径が５μｍで、平均粒径が０．５μｍのフィラーである。反り量は、インターポーザの平面形状が、一辺の長さが３００ｍｍとしたときの中心を基準とした角部の変位量である。シミュレーションの結果を図８に示す。

【0051】

【表1】

【0052】

図８に示すように、第１樹脂層に含まれるフィラーの平均粒径が、第３樹脂層に含まれるフィラーの平均粒径よりも大きい条件Ｎｏ．２において、条件Ｎｏ．１、条件Ｎｏ．３及び条件Ｎｏ．４よりも反り量が著しく低くなるという結果が得られた。

【0053】

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、半導体装置に関する。図９は、第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。

【0054】

第２実施形態に係る半導体装置２では、第１実施形態に係る配線基板１のインターポーザ２００の上に半導体チップ６０が実装されている。すなわち、半導体チップ６０に設けられた接続端子（図示せず）が、はんだ等の接合材（図示せず）を介して電極パッド２２４に接続されている。

【0055】

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0056】

１ 配線基板
２ 半導体装置
１０ 第１樹脂層
１１ 第１フィラー
２０ 第２樹脂層
２１ ガラス繊維
３０ 第３樹脂層
３１ 第２フィラー
６０ 半導体チップ
１００ ビルドアップ基板
２００ インターポーザ
２１０ 第１配線構造体
２１１ 電極パッド
２１２ 絶縁樹脂層
２１３ 導電ビア
２２０ 第２配線構造体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】