特開2022-179374ピリミジン化合物、有機電界発光素子用材料および有機電界発光素子
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022179374
(43)【公開日】2022-12-02
(54)【発明の名称】ピリミジン化合物、有機電界発光素子用材料および有機電界発光素子
(51)【国際特許分類】
C07D 401/10 20060101AFI20221125BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20221125BHJP
C07D 401/14 20060101ALI20221125BHJP
【ＦＩ】
C07D401/10 CSP
H05B33/14 A
H05B33/22 B
C07D401/14
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022076828
(22)【出願日】2022-05-09
(31)【優先権主張番号】P 2021084236
(32)【優先日】2021-05-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000003300
【氏名又は名称】東ソー株式会社
(72)【発明者】
【氏名】内田 直樹
(72)【発明者】
【氏名】野村 桂甫
(72)【発明者】
【氏名】上原 史成
【テーマコード（参考）】
3K107
4C063
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB02
3K107CC03
3K107CC12
3K107DD74
3K107DD78
4C063AA01
4C063AA03
4C063BB06
4C063CC29
4C063DD12
4C063EE10
(57)【要約】 （修正有）
【課題】駆動電圧を低減し、電流効率を向上し得る有機電界発光素子の作製に資する、新規なピリミジン化合物および、そのピリミジン化合物を含む有機電界発光素子用材料および有機電界発光素子を提供すること。
【解決手段】式（１）で示される特定の構造のピリミジン化合物、該ピリミジン化合物を含む有機電界発光素子用材料および有機電界発光素子。
【選択図】図２
【解決手段】式（１）で示される特定の構造のピリミジン化合物、該ピリミジン化合物を含む有機電界発光素子用材料および有機電界発光素子。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
式（１）で表されるピリミジン化合物：
式中、
Ｘ１及びＸ２は、いずれか一方が窒素原子であり、他方はＣ－Ｈである；
Ａｒ１及びＡｒ２は、各々独立に、
フェニル基、ビフェニリル基、又は、ナフチル基を表す；
Ａｒ３及びＡｒ４は、各々独立に、
炭素数６～２０のアリール基、又は、
炭素数４～２０のヘテロアリール基を表す；
Ｌ１及びＬ２は、各々独立に、
直接結合、フェニレン、ピリジレン、又は、ナフチレンを表す；
環Ａは、
フェニル基、ピリジル基、ナフチル基、炭素数１～１０のアルキル基、及びＣＮ基からなる群よりなる１つ以上の置換基を有していてもよいピリジンであり、かつ、
Ａｒ３及びＬ１は、各々ピリジン環の隣接する２つの炭素原子と結合している；
ｎは１又は２である；
ｎが２のとき、２つのＬ１は互いに同一又は相異なっていてもよい。
【化1】
Ｘ１及びＸ２は、いずれか一方が窒素原子であり、他方はＣ－Ｈである；
Ａｒ１及びＡｒ２は、各々独立に、
フェニル基、ビフェニリル基、又は、ナフチル基を表す；
Ａｒ３及びＡｒ４は、各々独立に、
炭素数６～２０のアリール基、又は、
炭素数４～２０のヘテロアリール基を表す；
Ｌ１及びＬ２は、各々独立に、
直接結合、フェニレン、ピリジレン、又は、ナフチレンを表す；
環Ａは、
フェニル基、ピリジル基、ナフチル基、炭素数１～１０のアルキル基、及びＣＮ基からなる群よりなる１つ以上の置換基を有していてもよいピリジンであり、かつ、
Ａｒ３及びＬ１は、各々ピリジン環の隣接する２つの炭素原子と結合している；
ｎは１又は２である；
ｎが２のとき、２つのＬ１は互いに同一又は相異なっていてもよい。
【請求項2】
Ａｒ１とＡｒ２が同一である請求項１に記載のピリミジン化合物。
【請求項3】
Ａｒ１及びＡｒ２の少なくとも一方が４－ビフェニリル基である請求項１に記載のピリミジン化合物。
【請求項4】
式（Ｅ１）～（Ｅ１０）で表される、請求項１に記載のピリミジン化合物。
【化2】
【請求項5】
陽極と、
陰極と、
少なくとも発光層を含む１以上の有機薄膜層と、を備え、
前記有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１～４のいずれか１項に記載のピリミジン化合物を含有する有機電界発光素子。
陰極と、
少なくとも発光層を含む１以上の有機薄膜層と、を備え、
前記有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１～４のいずれか１項に記載のピリミジン化合物を含有する有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ピリミジン化合物、ピリミジン化合物を含む有機電界発光素子用材料および有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【0002】
有機電界発光素子は、小型モバイル用途を中心に実用化が始まっている。しかしながら、更なる用途拡大には性能向上が必須であり、高電流効率、低駆動電圧、高い発光効率特性、長寿命特性を有する材料が求められている。特許文献１、２は、有機電界発光素子用の材料である、ピリミジン化合物を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】韓国公開特許２０１７／００９３０２３号公報
【特許文献2】韓国公開特許２０１７／０１１３３９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１～２にかかるピリミジン化合物は駆動電圧特性を十分に満たしているとはいえない。
【0005】
そこで、本発明の一態様は、新たなピリミジン化合物であって、駆動電圧を低減し、電流効率を向上し得る有機電界発光素子の形成に資する、新たなピリミジン化合物を提供することに向けられている。
【0006】
さらに、本発明のさらに他の態様は、駆動電圧が低減され、電流効率を向上した有機電界発光素子を提供することに向けられている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様は、下記のものである。
１．式（１）で表されるピリミジン化合物：
１．式（１）で表されるピリミジン化合物：
【0008】
【化1】
【0009】
式中、
Ｘ１及びＸ２は、いずれか一方が窒素原子であり、他方はＣ－Ｈである；
Ａｒ１及びＡｒ２は、各々独立に、
フェニル基、ビフェニリル基、又は、ナフチル基を表す；
Ａｒ３及びＡｒ４は、各々独立に、
炭素数６～２０のアリール基、又は、
炭素数４～２０のヘテロアリール基を表す；
Ｌ１及びＬ２は、各々独立に、
直接結合、フェニレン、ピリジレン、又は、ナフチレンを表す；
環Ａは、
フェニル基、ピリジル基、ナフチル基、炭素数１～１０のアルキル基、及びＣＮ基からなる群よりなる１つ以上の置換基を有していてもよいピリジンであり、かつ、
Ａｒ３及びＬ１は、各々ピリジン環の隣接する２つの炭素原子と結合している；
ｎは１又は２である；
ｎが２のとき、２つのＬ１は互いに同一又は相異なっていてもよい。
２．Ａｒ１とＡｒ２が同一である１．に記載のピリミジン化合物。
３．Ａｒ１及びＡｒ２の少なくとも一方が４－ビフェニリル基である１．または２．に記載のピリミジン化合物。
４．式（Ｅ１）～（Ｅ１０）で表される、１．～３．のいずれかに記載のピリミジン化合物。
Ｘ１及びＸ２は、いずれか一方が窒素原子であり、他方はＣ－Ｈである；
Ａｒ１及びＡｒ２は、各々独立に、
フェニル基、ビフェニリル基、又は、ナフチル基を表す；
Ａｒ３及びＡｒ４は、各々独立に、
炭素数６～２０のアリール基、又は、
炭素数４～２０のヘテロアリール基を表す；
Ｌ１及びＬ２は、各々独立に、
直接結合、フェニレン、ピリジレン、又は、ナフチレンを表す；
環Ａは、
フェニル基、ピリジル基、ナフチル基、炭素数１～１０のアルキル基、及びＣＮ基からなる群よりなる１つ以上の置換基を有していてもよいピリジンであり、かつ、
Ａｒ３及びＬ１は、各々ピリジン環の隣接する２つの炭素原子と結合している；
ｎは１又は２である；
ｎが２のとき、２つのＬ１は互いに同一又は相異なっていてもよい。
２．Ａｒ１とＡｒ２が同一である１．に記載のピリミジン化合物。
３．Ａｒ１及びＡｒ２の少なくとも一方が４－ビフェニリル基である１．または２．に記載のピリミジン化合物。
４．式（Ｅ１）～（Ｅ１０）で表される、１．～３．のいずれかに記載のピリミジン化合物。
【0010】
【化2】
【0011】
５．陽極と、
陰極と、
少なくとも発光層を含む１以上の有機薄膜層と、を備え、
前記有機薄膜層の少なくとも１層が、１．～４．のいずれかに記載のピリミジン化合物を含有する有機電界発光素子
陰極と、
少なくとも発光層を含む１以上の有機薄膜層と、を備え、
前記有機薄膜層の少なくとも１層が、１．～４．のいずれかに記載のピリミジン化合物を含有する有機電界発光素子
【発明の効果】
【0012】
本発明の一態様によれば、駆動電圧を低減し、電流効率を向上し得る有機電界発光素子の形成に資する、新たなピリミジン化合物を提供することができる。
【0013】
また、本発明の他の態様によれば、上記ピリミジン化合物を含む有機電界発光素子用材料、および有機電界発光素子用電子輸送材料を提供することができる。さらに、本発明のさらに他の態様によれば、駆動電圧が低減された有機電界発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】本開示の一態様にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子の積層構成の一例を示す概略断面図である。
【図2】本開示の一態様にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子の他の積層構成の例（素子実施例－１の構成）を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、本発明の各態様について詳細に説明する。
【0016】
本発明の一態様にかかるピリミジン化合物は、式（１）で表されるピリミジン化合物である。
【0017】
【化3】
【0018】
式中、
Ｘ１及びＸ２は、いずれか一方が窒素原子であり、他方はＣ－Ｈである；
Ａｒ１及びＡｒ２は、各々独立に、
フェニル基、ビフェニリル基、又は、ナフチル基を表す；
Ａｒ３及びＡｒ４は、各々独立に、
炭素数６～２０のアリール基、又は、
炭素数４～２０のヘテロアリール基を表す；
Ｌ１及びＬ２は、各々独立に、
直接結合、フェニレン、ピリジレン、又は、ナフチレンを表す；
環Ａは、
フェニル基、ピリジル基、ナフチル基、炭素数１～１０のアルキル基、及びＣＮ基からなる群よりなる１つ以上の置換基を有していてもよいピリジンであり、かつ、
Ａｒ３及びＬ１は、各々ピリジン環の隣接する２つの炭素原子と結合している；
ｎは１又は２である；
ｎが２のとき、２つのＬ１は互いに同一又は相異なっていてもよい。
［Ａｒ１及びＡｒ２について］
Ａｒ１及びＡｒ２は、各々独立に、フェニル基、ビフェニリル基、又は、ナフチル基である。
Ｘ１及びＸ２は、いずれか一方が窒素原子であり、他方はＣ－Ｈである；
Ａｒ１及びＡｒ２は、各々独立に、
フェニル基、ビフェニリル基、又は、ナフチル基を表す；
Ａｒ３及びＡｒ４は、各々独立に、
炭素数６～２０のアリール基、又は、
炭素数４～２０のヘテロアリール基を表す；
Ｌ１及びＬ２は、各々独立に、
直接結合、フェニレン、ピリジレン、又は、ナフチレンを表す；
環Ａは、
フェニル基、ピリジル基、ナフチル基、炭素数１～１０のアルキル基、及びＣＮ基からなる群よりなる１つ以上の置換基を有していてもよいピリジンであり、かつ、
Ａｒ３及びＬ１は、各々ピリジン環の隣接する２つの炭素原子と結合している；
ｎは１又は２である；
ｎが２のとき、２つのＬ１は互いに同一又は相異なっていてもよい。
［Ａｒ１及びＡｒ２について］
Ａｒ１及びＡｒ２は、各々独立に、フェニル基、ビフェニリル基、又は、ナフチル基である。
【0019】
Ａｒ１及びＡｒ２は、ビフェニリル基、ナフチル基であることが好ましく、さらに、４－ビフェニリル基であることが好ましい。
【0020】
Ａｒ１とＡｒ２は同一であることが好ましい。
［Ａｒ３及びＡｒ４について］
Ａｒ３及びＡｒ４は、各々独立に、炭素数６～２０のアリール基、または炭素数４～２０のヘテロアリール基である。
［Ａｒ３及びＡｒ４について］
Ａｒ３及びＡｒ４は、各々独立に、炭素数６～２０のアリール基、または炭素数４～２０のヘテロアリール基である。
【0021】
炭素数６～２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、アントニル基、ピレニル基、ピラニル基、フルオレニル基、ジメチルフルオレニル基、トリフェニレニル基、フルオランテニル基、クリセニル基などが挙げられる。
【0022】
炭素数４～２０のヘテロアリール基の具体例としては、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、ナジチリジニル基、アクリジニル基などが挙げられる。
【0023】
Ａｒ３及びＡｒ４は、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、又は、ピリジル基が好ましい。
［環Ａについて］
環Ａは、
フェニル基、ピリジル基、ナフチル基、炭素数１～１０のアルキル基、及びＣＮ基からなる群よりなる１つ以上の置換基を有していてもよいピリジンであり、かつ、
Ａｒ３及びＬ１は、各々ピリジン環の隣接する２つの炭素原子と結合している。
［環Ａについて］
環Ａは、
フェニル基、ピリジル基、ナフチル基、炭素数１～１０のアルキル基、及びＣＮ基からなる群よりなる１つ以上の置換基を有していてもよいピリジンであり、かつ、
Ａｒ３及びＬ１は、各々ピリジン環の隣接する２つの炭素原子と結合している。
【0024】
環Ａは具体的には、式（Ａ－１）及び（Ａ－２）で表される。
【0025】
【化4】
【0026】
式（Ａ－１）及び（Ａ－２）中、破線は各々独立に、Ａｒ３又はＬ１が置換されている位置を示す。ピリジン環はＡｒ３及びＬ１の他に、フェニル基、ピリジル基、ナフチル基、炭素数１～１０のアルキル基、及びＣＮ基からなる群より選択される１つ以上の基で置換されていてもよい。これらのうち、フェニル基、ピリジル基、ナフチル基、炭素数１～５のアルキル基及びＣＮ基が好ましく、フェニル基、ピリジル基、ナフチル基及び炭素数１～５のアルキル基がより好ましく、フェニル基、ピリジル基、ナフチル基及びメチル基が更に好ましく、フェニル基、ピリジル基、メチル基が特に好ましい。
［Ｌ１及びＬ２について］
Ｌ１及びＬ２は、各々独立に、直接結合、フェニレン、ピリジレン、ナフチレンを表す。Ｌ１及びＬ２は、各々独立に、直接結合、フェニレン、ピリジレンであることが好ましい。
［Ｘ１及びＸ２について］
Ｘ１及びＸ２は、いずれか一方が窒素原子であり、他方はＣ－Ｈである。
［Ｌ１及びＬ２について］
Ｌ１及びＬ２は、各々独立に、直接結合、フェニレン、ピリジレン、ナフチレンを表す。Ｌ１及びＬ２は、各々独立に、直接結合、フェニレン、ピリジレンであることが好ましい。
［Ｘ１及びＸ２について］
Ｘ１及びＸ２は、いずれか一方が窒素原子であり、他方はＣ－Ｈである。
【0027】
以下、ピリミジン化合物の具体的な例を示す。なお、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0028】
【化5】
【0029】
【化6】
【0030】
【化7】
【0031】
【化8】
【0032】
【化9】
【0033】
【化10】
【0034】
【化11】
【0035】
【化12】
【0036】
【化13】
【0037】
【化14】
【0038】
【化15】
【0039】
【化16】
【0040】
【化17】
【0041】
【化18】
【0042】
【化19】
【0043】
【化20】
【0044】
【化21】
【0045】
【化22】
【0046】
【化23】
【0047】
【化24】
【0048】
【化25】
【0049】
【化26】
【0050】
【化27】
【0051】
【化28】
【0052】
【化29】
【0053】
【化30】
【0054】
【化31】
【0055】
【化32】
【0056】
【化33】
【0057】
【化34】
【0058】
【化35】
【0059】
【化36】
【0060】
【化37】
【0061】
【化38】
【0062】
【化39】
【0063】
【化40】
【0064】
【化41】
【0065】
【化42】
【0066】
【化43】
【0067】
また駆動電圧低減の点から、以下に示す構造のものが好ましい。
【0068】
【化44】
【0069】
ピリミジン化合物は、例えば、有機電界発光素子や光電素子等の有機電子素子用途に用いることができる。
＜有機電界発光素子用材料＞
本発明の一態様にかかる有機電界発光素子用材料は、上記ピリミジン化合物を含有する。ピリミジン化合物は、例えば、有機電界発光素子用電子輸送材料として用いることができる。
＜有機電界発光素子用材料＞
本発明の一態様にかかる有機電界発光素子用材料は、上記ピリミジン化合物を含有する。ピリミジン化合物は、例えば、有機電界発光素子用電子輸送材料として用いることができる。
【0070】
本発明の一態様に係るピリミジン化合物が、例えば有機電界発光素子用電子輸送材料として、低い駆動電圧を示す構造的な理由は、以下に挙げるものであると推測される。
＜低い駆動電圧を示す構造的な理由＞
トリアジン環は、電子陰性度の高い窒素原子を環構成に３個組み込み、環自体の電子親和力を高くすることで、高い電子輸送性を有する。また、トリアジン化合物の分子内にピリジン環を有することで陰極からの電子注入性を高める試みがなされている。
＜低い駆動電圧を示す構造的な理由＞
トリアジン環は、電子陰性度の高い窒素原子を環構成に３個組み込み、環自体の電子親和力を高くすることで、高い電子輸送性を有する。また、トリアジン化合物の分子内にピリジン環を有することで陰極からの電子注入性を高める試みがなされている。
【0071】
しかしながら、トリアジン環の高い電子親和力は一般的に広く用いられている発光層や正孔阻止層への電子注入を阻害し得る。また、ピリジン環は分子の電子親和力をさらに高くするため発光層や正孔阻止層への電子注入を阻害し得る。
【0072】
一方、ピリミジン環は、トリアジン環と同様に窒素原子を複数個含むが、その数がトリアジン環と比べて少なく、電子親和力が低いため、発光層または正孔阻止層への電子注入が促進される。また、本態様に係るピリミジン化合物は、ピリジン環の隣接する炭素上にＡｒおよびＬ１が結合していることで、ピリジン環と隣接する芳香環の二面角を大きくし、分子の電子親和力が高くなることを抑制している。これにより電子親和力を低く保ったまま陰極からの電子注入性を高めることを可能としている。この促進された電子注入により高い電流効率を示すことができる。
【0073】
一方、ピリミジン環はトリアジン環と異なり、それ自体が大きな双極子モーメントを有する。有機薄膜において、有機分子が双極子モーメントを有する場合、有機分子が自発的に配向し結晶構造に似た秩序性を有する膜になることが知られている。結晶性の高い膜は膜中に欠陥を生じ、電荷輸送の障害になるため、有機電界発光素子に用いられる有機膜においては高いアモルファス性が求められることが一般的に知られている。
【0074】
また、有機分子同士が自発配向することによって、昇華温度が高くなる。このことは有機電界発光素子作製時の熱分解を促進させ、ひいては分解物の混入による有機電界発光素子の耐久性低下に影響する。
【0075】
すなわち、ピリミジン環を有する化合物は、発光層または正孔阻止層への電子注入性を促進させうるが、膜中の電子輸送が抑制されてしまうという課題を有する。
【0076】
それに対して、本発明の一態様であるピリミジン化合物は、式（１）中のＡｒ３と環Ａが高い立体障害を形成するため、分子の自発配向を抑制し、高いアモルファス性を有することが可能である。したがって、本発明の一態様であるピリミジン化合物は、正孔阻止層への電子注入性を促進しつつ、膜中の電子輸送も抑制されないため、駆動電圧を低減させることが可能である。
【0077】
また、本発明の一態様であるピリミジン化合物は、昇華温度の低下にも寄与するため、材料の熱分解の抑制、有機電界発光素子の耐久性低下の抑制にも寄与することが可能である。
【0078】
【化45】
【0079】
＜有機電界発光素子＞
以下、本発明の一態様にかかる有機電界発光素子（以下、単に有機電界発光素子と称することがある）について説明する。
以下、本発明の一態様にかかる有機電界発光素子（以下、単に有機電界発光素子と称することがある）について説明する。
【0080】
本発明の一態様にかかる有機電界発光素子は、ピリミジン化合物を含有する。
【0081】
有機電界発光素子の構成については特に限定されるものではないが、例えば、以下に示す（ｉ）～（ｖｉ）の構成が挙げられる。
【0082】
（ｉ）：陽極／発光層／陰極
（ｉｉ）：陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（ｉｉｉ）：陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ｉｖ）：陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｖ）：陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｖｉ）：陽極／正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ピリミジン化合物は、上記のいずれの層に含まれていてもよいが、有機電界発光素子の発光特性に優れる点で、発光層および該発光層と陰極との間の層からなる群より選ばれる１層以上に含まれることが好ましい。したがって、上記（ｉ）～（ｖｉ）に示された構成の場合、ピリミジン化合物が、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、および電子注入層からなる群より選ばれる１層以上に含まれることが好ましい。
（ｉｉ）：陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（ｉｉｉ）：陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ｉｖ）：陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｖ）：陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｖｉ）：陽極／正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ピリミジン化合物は、上記のいずれの層に含まれていてもよいが、有機電界発光素子の発光特性に優れる点で、発光層および該発光層と陰極との間の層からなる群より選ばれる１層以上に含まれることが好ましい。したがって、上記（ｉ）～（ｖｉ）に示された構成の場合、ピリミジン化合物が、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、および電子注入層からなる群より選ばれる１層以上に含まれることが好ましい。
【0083】
以下、本発明の一態様にかかる有機電界発光素子を、上記（ｖ）の構成を例に挙げて、図１を参照しながらより詳細に説明する。
【0084】
なお、図１に示す有機電界発光素子は、いわゆるボトムエミッション型の素子構成を有するものであるが、本発明の一態様にかかる有機電界発光素子はボトムエミッション型の素子構成に限定されるものではない。すなわち、本発明の一態様にかかる有機電界発光素子は、トップエミッション型など、他の公知の素子構成であってもよい。
【0085】
図１は、本発明の一態様にかかる有機電界発光素子の積層構成の一例を示す概略断面図である。
【0086】
有機電界発光素子１００は、基板１、陽極２、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７、および陰極８をこの順で備える。ただし、これらの層のうちの一部の層が省略されていてもよく、また逆に他の層が追加されていてもよい。例えば、発光層５と電子輸送層６との間に正孔阻止層が設けられていてもよく、正孔注入層３が省略され、陽極２上に正孔輸送層４が直接設けられていてもよい。
【0087】
また、例えば電子注入層の機能と電子輸送層の機能とを単一の層で併せ持つ電子注入・輸送層のような、複数の層が有する機能を併せ持った単一の層を、当該複数の層の代わりに備えた構成であってもよい。さらに、例えば単層の正孔輸送層４、単層の電子輸送層６が、それぞれ複数層からなっていてもよい。
＜ピリミジン化合物を含有する層＞
図１に示される構成例において有機電界発光素子１００は、発光層５、電子輸送層６および電子注入層７からなる群より選ばれる１層以上に上記ピリミジン化合物を含む。特に、電子輸送層６がピリミジン化合物を含むことが好ましい。なお、ピリミジン化合物は、有機電界発光素子が備える複数の層に含まれていてもよい。
＜ピリミジン化合物を含有する層＞
図１に示される構成例において有機電界発光素子１００は、発光層５、電子輸送層６および電子注入層７からなる群より選ばれる１層以上に上記ピリミジン化合物を含む。特に、電子輸送層６がピリミジン化合物を含むことが好ましい。なお、ピリミジン化合物は、有機電界発光素子が備える複数の層に含まれていてもよい。
【0088】
以下においては、電子輸送層６がピリミジン化合物を含む有機電界発光素子１００について説明する。
［基板１］
基板１としては特に限定はなく、通常の有機電界発光素子に使用できる基板を使用することができる。例えばガラス板、石英板、プラスチック板などが挙げられる。
［陽極２］
基板１上（正孔注入層３側）には陽極２が設けられている。
［基板１］
基板１としては特に限定はなく、通常の有機電界発光素子に使用できる基板を使用することができる。例えばガラス板、石英板、プラスチック板などが挙げられる。
［陽極２］
基板１上（正孔注入層３側）には陽極２が設けられている。
【0089】
陽極の材料としては、通常の有機電界発光素子に使用できる化合物を使用することができる。例えば仕事関数の大きい（例えば４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物が挙げられる。陽極の材料の具体例としては、Ａｕなどの金属；ＣｕＩ、酸化インジウム－スズ（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯなどの導電性透明材料が挙げられる。
［正孔注入層３、正孔輸送層４］
陽極２と後述する発光層５との間には、陽極２側から、正孔注入層３、正孔輸送層４がこの順で設けられている。
［正孔注入層３、正孔輸送層４］
陽極２と後述する発光層５との間には、陽極２側から、正孔注入層３、正孔輸送層４がこの順で設けられている。
【0090】
正孔注入層、正孔輸送層の材料としては、正孔注入性、正孔輸送性、電子障壁性の少なくともいずれかを有するものである。正孔注入層、正孔輸送層の材料は、有機物、無機物のいずれであってもよく、通常の有機電界発光素子に使用できる化合物を使用することができる。
【0091】
正孔注入層、正孔輸送層は、一種または二種以上の材料からなる単構造であってもよく、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【0092】
正孔輸送層４は、２層以上の積層構造であってもよく、陽極２側から、第一正孔輸送層４１、第二正孔輸送層４２の順で設けられ、この第二正孔輸送層４２は上記（ｖｉ）の構成における電子阻止層として使用することができる。
［発光層５］
正孔輸送層４と後述する電子輸送層６との間には、発光層５が設けられている。
［発光層５］
正孔輸送層４と後述する電子輸送層６との間には、発光層５が設けられている。
【0093】
発光層の材料としては、通常の有機電界発光素子に使用できる発光材料を使用することができる。例えば燐光発光材料、蛍光発光材料、熱活性化遅延蛍光発光材料が挙げられる。
【0094】
発光層は、単一の低分子材料または単一のポリマー材料からなっていてもよいが、より一般的には、ゲスト化合物でドーピングされたホスト材料からなっている。発光は主としてドーパントから生じ、任意の色を有することができる。
【0095】
また、発光材料は発光層のみに含有されることに限定されるものではない。例えば、発光材料は、発光層に隣接した層（正孔輸送層４、または電子輸送層６）が含有していてもよい。これによってさらに有機電界発光素子の発光効率を高めることができる。
【0096】
発光層は、一種または二種以上の材料からなる単層構造であってもよく、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
［電子輸送層６］
発光層５と後述する電子注入層７との間には、電子輸送層６が設けられている。
［電子輸送層６］
発光層５と後述する電子注入層７との間には、電子輸送層６が設けられている。
【0097】
電子輸送層は、ピリミジン化合物を含むことが好ましい。また、電子輸送層は、ピリミジン化合物に加えてさらに従来公知の電子輸送材料から選ばれる１種以上を含んでいてもよい。
【0098】
なお、ピリミジン化合物が電子輸送層に含まれず、他の層に含まれる場合は、従来公知の電子輸送材料から選ばれる１種以上を、電子輸送層を構成する電子輸送材料として用いることができる。
【0099】
従来公知の電子輸送性材料としては、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、土類金属錯体等が挙げられる。アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、土類金属錯体としては、例えば、８－ヒドロキシキノリナートリチウム（Ｌｉｑ）、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２－メチル－８－キノリナート）クロロガリウム、ビス（２－メチル－８－キノリナート）（ｏ－クレゾラート）ガリウム、ビス（２－メチル－８－キノリナート）－１－ナフトラートアルミニウム、ビス（２－メチル－８－キノリナート）－２－ナフトラートガリウム等が挙げられる。
【0100】
電子輸送層は、一種または二種以上の材料からなる単層構造であってもよく、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【0101】
本態様にかかる有機電界発光素子においては、電子注入性を向上させ、素子特性（例えば、発光効率、低電圧駆動、または高耐久性）を向上させる目的で、電子注入層を設けてもよい。
【0102】
電子輸送層６は、２層以上の積層構造であってもよく、発光層５側から、第一電子輸送層６１、第二電子輸送層６２の順で設けられ、この第一電子輸送層６１は上記（ｖｉ）の構成における正孔阻止層として使用することができる。
【0103】
本発明の一態様にかかるピリミジン化合物は第一電子輸送層及び第二電子輸送層の両方、またはいずれか一方に使用することができる。
［電子注入層７］
電子輸送層６と後述する陰極８との間には、電子注入層７が設けられている。
［電子注入層７］
電子輸送層６と後述する陰極８との間には、電子注入層７が設けられている。
【0104】
電子注入層の材料としては、通常の有機電界発光素子に使用できる化合物を使用することができる。例えば、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等の有機化合物が挙げられる。
【0105】
また、電子注入層の材料としては、ＳｉＯ２、ＡｌＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ、ＧｅＯ、ＬｉＯ、ＬｉＯＮ、ＴｉＯ、ＴｉＯＮ、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＮ、ＬｉＦ、Ｃ、Ｙｂなどの各種酸化物、フッ化物、窒化物、酸化窒化物等の無機化合物も挙げられる。本発明のピリミジン化合物を使用することもできる。
［陰極８］
電子注入層７上には陰極８が設けられている。
［陰極８］
電子注入層７上には陰極８が設けられている。
【0106】
陰極の材料としては、通常の有機電界発光素子に使用できる化合物を使用することができる。例えば、仕事関数の小さい金属（以下、電子注入性金属とも称する）、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物が挙げられる。ここで、仕事関数の小さい金属とは、例えば、４ｅＶ以下の金属である。
【0107】
電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物などが好ましい。
［各層の形成方法］
以上説明した、電極（陽極、陰極）を除く各層は、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ ｍｅｔｈｏｄ）法などの公知の方法によって薄膜化することにより、形成することができる。各層の材料は、それ単独で用いてもよく、必要に応じて結着樹脂などの材料、溶剤と共に用いてもよい。
［各層の形成方法］
以上説明した、電極（陽極、陰極）を除く各層は、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ ｍｅｔｈｏｄ）法などの公知の方法によって薄膜化することにより、形成することができる。各層の材料は、それ単独で用いてもよく、必要に応じて結着樹脂などの材料、溶剤と共に用いてもよい。
【0108】
このようにして形成された各層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、通常は５ｎｍ～５μｍの範囲である。
【0109】
陽極および陰極は、電極材料を蒸着やスパッタリングなどの方法によって薄膜化することにより、形成することができる。蒸着やスパッタリングの際に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよく、蒸着やスパッタリングなどによって薄膜を形成した後、フォトリソグラフィーで所望の形状のパターンを形成してもよい。
【0110】
陽極および陰極の膜厚は、１μｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【0111】
なお、ピリミジン化合物を含む層を形成するは、上記の従来公知の電子輸送性材料と併用してもよい。したがって、例えば、ピリミジン化合物と従来公知の電子輸送性材料とを共蒸着してもよく、ピリミジン化合物の層に従来公知の電子輸送性材料の層を積層してもよい。
【0112】
有機電界発光素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像をスクリーン等に投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。
【0113】
動画再生用の表示装置として有機電界発光素を使用する場合、駆動方式としては、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式であってもよく、アクティブマトリクス方式であってもよい。また、異なる発光色を有する有機電界発光素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
【実施例0114】
以下、本開示を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本開示はこれらの実施例により何ら限定して解釈されるものではない。
【0115】
１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定は、Ｇｅｍｉｎｉ２００（バリアン社製）またはＢｒｕｋｅｒ ＡＳＣＥＮＤ ４００（４００ＭＨｚ；ＢＲＵＫＥＲ製）を用いて行った。
【0116】
有機電界発光素子の発光特性は、室温下、作製した素子に直流電流を印加し、輝度計（製品名：ＢＭ－９，トプコンテクノハウス社製）を用いて評価した。
合成実施例－１（Ｅ１の合成）
合成実施例－１（Ｅ１の合成）
【0117】
【化46】
【0118】
アルゴン雰囲気下、２－（３－ブロモ－５－クロロフェニル）－４，６－ビス（４－ビフェニリル）ピリミジン（５．７４ｇ、１０ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（１．３４ｇ、１１ｍｍｏｌ）、２Ｍ－リン酸カリウム水溶液（１６．５ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２３１ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（２００ｍＬ）に懸濁し、２７時間還流した。反応混合物をろ過し、ろ液を濃縮した。濃縮したろ液をメタノールに添加することで固体を析出させ、これをろ取することで目的の４，６－ビス（４－ビフェニリル）－２－（５－クロロビフェニル－３－イル）－ピリミジンを得た（収量５．１１ｇ、収率９０％）
アルゴン雰囲気下、４，６－ビス（４－ビフェニリル）－２－（５－クロロビフェニル－３－イル）－ピリミジン（２．０ｇ，３．５ｍｍｏｌ）、３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－２－フェニルピリジン（１．１８ｇ，４．２ｍｍｏｌ）、２Ｍ－リン酸カリウム水溶液（６．３ｍＬ）、酢酸パラジウム（１５．７ｍｇ，０．０７ｍｍｏｌ）および２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル（ＸＰｈｏｓ，６７ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（３５ｍＬ）に懸濁し、１７時間還流した。放冷後、反応混合物に水を加えて固体をろ取し、水およびメタノールで洗浄することで２－［５－（２－フェニルピリジン－３－イル）－ビフェニル－３－イル］－４，６－ビス（４－ビフェニリル）ピリミジン（Ｅ１）を得た（収量２．３８ｇ，収率９９％）。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ８．８８（ｓ，１Ｈ），８．７７（ｄｄ，Ｊ＝４．８，１．７Ｈｚ，１Ｈ），８．６９（ｓ，１Ｈ），８．３６（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．１２（ｓ，１Ｈ），８．００（ｄｄ，Ｊ＝７．７，１．７Ｈｚ，１Ｈ），７．８２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．７０－７．７２（ｍ，４Ｈ），７．３０－７．５５（ｍ，１８Ｈ）．
合成実施例－２（Ｅ２の合成）
アルゴン雰囲気下、４，６－ビス（４－ビフェニリル）－２－（５－クロロビフェニル－３－イル）－ピリミジン（２．０ｇ，３．５ｍｍｏｌ）、３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－２－フェニルピリジン（１．１８ｇ，４．２ｍｍｏｌ）、２Ｍ－リン酸カリウム水溶液（６．３ｍＬ）、酢酸パラジウム（１５．７ｍｇ，０．０７ｍｍｏｌ）および２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル（ＸＰｈｏｓ，６７ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（３５ｍＬ）に懸濁し、１７時間還流した。放冷後、反応混合物に水を加えて固体をろ取し、水およびメタノールで洗浄することで２－［５－（２－フェニルピリジン－３－イル）－ビフェニル－３－イル］－４，６－ビス（４－ビフェニリル）ピリミジン（Ｅ１）を得た（収量２．３８ｇ，収率９９％）。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ８．８８（ｓ，１Ｈ），８．７７（ｄｄ，Ｊ＝４．８，１．７Ｈｚ，１Ｈ），８．６９（ｓ，１Ｈ），８．３６（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．１２（ｓ，１Ｈ），８．００（ｄｄ，Ｊ＝７．７，１．７Ｈｚ，１Ｈ），７．８２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．７０－７．７２（ｍ，４Ｈ），７．３０－７．５５（ｍ，１８Ｈ）．
合成実施例－２（Ｅ２の合成）
【0119】
【化47】
【0120】
アルゴン雰囲気下、４－（３－ブロモ－５－クロロフェニル）－２－（４－ブロモフェニル）－６－（４－ビフェニリル）ピリミジン（２．０ｇ、３．４７ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（０．９３ｇ、７．６３ｍｍｏｌ）、２Ｍ－リン酸カリウム水溶液（１０．４ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（８０ｍｇ，０．０６９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（３５ｍＬ）に懸濁し、１９時間還流した。反応混合物をろ過し、ろ液を濃縮した。濃縮したろ液をメタノールに添加することで固体を析出させ、これをろ取することで目的の２，４－ビス（４－ビフェニリル）－４－（５－クロロビフェニル－３－イル）－ピリミジンを得た（収量１．９１ｇ、収率９６％）
アルゴン雰囲気下、２，４－ビス（４－ビフェニリル）－４－（５－クロロビフェニル－３－イル）－ピリミジン（１．８１ｇ，３．１７ｍｍｏｌ）、３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－２－フェニルピリジン（０．９８２ｇ，３．４９ｍｍｏｌ）、２Ｍ－リン酸カリウム水溶液（４．８ｍＬ）、酢酸パラジウム（１４ｍｇ，０．０６３ｍｍｏｌ）および２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル（ＸＰｈｏｓ，６１ｍｇ，０．１２７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（３２ｍＬ）に懸濁し、１５時間還流した。放冷後、反応混合物に水を加えて固体をろ取し、水およびメタノールで洗浄することで２－［５－（２－フェニルピリジン－３－イル）－ビフェニル－３－イル］－４，６－ビス（４－ビフェニリル）ピリミジン（Ｅ２）を得た（収量３．１８ｇ，収率９２％）。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ８．７８（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，１Ｈ），８．７６（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），８．４１（ｓ，１Ｈ），８．３６（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），８．０４（ｓ，１Ｈ），７．９８（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．８２（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．７９（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．７８（ｓ，１Ｈ），７．６１（ｓ．１Ｈ），７．３５－７．５４（ｍ，１７Ｈ）．
合成実施例－３（Ｅ９の合成）
アルゴン雰囲気下、２，４－ビス（４－ビフェニリル）－４－（５－クロロビフェニル－３－イル）－ピリミジン（１．８１ｇ，３．１７ｍｍｏｌ）、３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－２－フェニルピリジン（０．９８２ｇ，３．４９ｍｍｏｌ）、２Ｍ－リン酸カリウム水溶液（４．８ｍＬ）、酢酸パラジウム（１４ｍｇ，０．０６３ｍｍｏｌ）および２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル（ＸＰｈｏｓ，６１ｍｇ，０．１２７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（３２ｍＬ）に懸濁し、１５時間還流した。放冷後、反応混合物に水を加えて固体をろ取し、水およびメタノールで洗浄することで２－［５－（２－フェニルピリジン－３－イル）－ビフェニル－３－イル］－４，６－ビス（４－ビフェニリル）ピリミジン（Ｅ２）を得た（収量３．１８ｇ，収率９２％）。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ８．７８（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，１Ｈ），８．７６（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），８．４１（ｓ，１Ｈ），８．３６（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），８．０４（ｓ，１Ｈ），７．９８（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．８２（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．７９（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．７８（ｓ，１Ｈ），７．６１（ｓ．１Ｈ），７．３５－７．５４（ｍ，１７Ｈ）．
合成実施例－３（Ｅ９の合成）
【0121】
【化48】
【0122】
アルゴン雰囲気下、２－クロロ－４，６－ビス（４－ビフェニリル）ピリミジン（１．４０ｇ、３．３ｍｍｏｌ）、（５，５－ジメチル－１，３，２－ジオキサボリナン－２－イル）－３，５－ビス（２－フェニルピリジン－３－イル）ベンゼン（１．９９ｇ、４．０ｍｍｏｌ）、２Ｍ－リン酸カリウム水溶液（５．０ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（７７．２ｍｇ，０．０６７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１７ｍＬ）に懸濁し、５時間還流した。反応混合物に水およびメタノールを加えたのちにろ過し、ろ取物を水及びメタノールで洗浄した。得られた固体をトルエンで再結晶することで、目的の４，６－ビス（４－ビフェニリル）－２－［３，５－ビス（２－フェニルピリジン－３－イル）フェニル］－ピリミジン（Ｅ９）を得た（収量２．０５ｇ、収率８０％）。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ８．７３（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈ，２Ｈ），８．４７（ｓ，２Ｈ），８．２３（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．０５（ｓ，１Ｈ），７．７９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．６９－７．７２（ｍ，４Ｈ），７．６１（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），７．４０－７．５３（ｍ，１０Ｈ），７．２７－７．３７（ｍ，８Ｈ），７．２１（ｓ，１Ｈ）．
合成実施例－４（Ｅ１０の合成）
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ８．７３（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈ，２Ｈ），８．４７（ｓ，２Ｈ），８．２３（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．０５（ｓ，１Ｈ），７．７９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．６９－７．７２（ｍ，４Ｈ），７．６１（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），７．４０－７．５３（ｍ，１０Ｈ），７．２７－７．３７（ｍ，８Ｈ），７．２１（ｓ，１Ｈ）．
合成実施例－４（Ｅ１０の合成）
【0123】
【化49】
【0124】
アルゴン雰囲気下、４，６－ビス（４－ビフェニリル）－２－［３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－５－クロロビフェニル－３－イル］－ピリミジン（２．００ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、３－クロロ－５－メチル－２－フェニルピリジン（０．７４ｇ、３．６ｍｍｏｌ）、２Ｍ－リン酸カリウム水溶液（４．５ｍＬ）、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウムジクロライド（４４．６ｍｇ，０．０６ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（３０ｍＬ）に懸濁し、２時間還流した。反応混合物に水およびメタノールを加えたのちにろ過し、ろ取物を水及びメタノールで洗浄した。得られた固体をトルエンで再結晶することで、目的の２－［５－（５－メチル－２－フェニルピリジン－３－イル）－ビフェニル－３－イル］－４，６－ビス（４－ビフェニリル）ピリミジン（Ｅ１０）を得た（収量１．２５ｇ、収率５９％）
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ８．８２（ｓ，１Ｈ），８．６６（ｓ，１Ｈ），８．６０（ｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，１Ｈ），８．３６（ｄ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，４Ｈ），８．１２（ｓ，１Ｈ），７．８２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．８０（ｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，１Ｈ），７．６９－７．７２（ｍ，４Ｈ），７．２７－７．５３（ｍ，１７Ｈ），２．５０（ｓ，３Ｈ）．
また、下記実験例で使用した環状アジン化合物については、前記合成実施例で示される製造法と同様の手段により合成した。
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ８．８２（ｓ，１Ｈ），８．６６（ｓ，１Ｈ），８．６０（ｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，１Ｈ），８．３６（ｄ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，４Ｈ），８．１２（ｓ，１Ｈ），７．８２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．８０（ｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，１Ｈ），７．６９－７．７２（ｍ，４Ｈ），７．２７－７．５３（ｍ，１７Ｈ），２．５０（ｓ，３Ｈ）．
また、下記実験例で使用した環状アジン化合物については、前記合成実施例で示される製造法と同様の手段により合成した。
【0125】
【化50】
【0126】
有機電界発光素子の作製と性能評価に用いる化合物の構造式及びその略称を以下に示した。
【0127】
【化51】
【0128】
素子実施例－１（以下の有機電界発光素子の積層構成については、図２を参照されたい。）
（基板１０１、陽極１０２の用意）
陽極をその表面に備えた基板として、２ｍｍ幅の酸化インジウム－スズ（ＩＴＯ）膜（膜厚１１０ｎｍ）がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用意した。ついで、この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。
（真空蒸着の準備）
洗浄後の表面処理が施された基板上に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、各層を積層形成した。
（基板１０１、陽極１０２の用意）
陽極をその表面に備えた基板として、２ｍｍ幅の酸化インジウム－スズ（ＩＴＯ）膜（膜厚１１０ｎｍ）がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用意した。ついで、この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。
（真空蒸着の準備）
洗浄後の表面処理が施された基板上に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、各層を積層形成した。
【0129】
まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０－４Ｐａまで減圧した。そして、以下の順で、各層の成膜条件に従ってそれぞれ作製した。
（正孔注入層１０３の作製）
昇華精製したＨＴＬ－１とＮＤＰ－９を０．１５ｎｍ／秒の速度で１０ｎｍ成膜し、正孔注入層１０３を作製した。
（第一正孔輸送層１０５１の作製）
昇華精製したＨＴＬを０．１５ｎｍ／秒の速度で８５ｎｍ成膜し、第一正孔輸送層１０５１を作製した。
（第二正孔輸送層１０５２の作製）
昇華精製したＥＢＬ－１を０．１５ｎｍ／秒の速度で５ｎｍ成膜し、第二正孔輸送層１０５２を作製した。
（発光層１０６の作製）
昇華精製したＢＨ－１とＢＤ－１とを９５：５（質量比）の割合で２０ｎｍ成膜し、発光層１０６を作製した。成膜速度は０．１８ｎｍ／秒であった。
（第一電子輸送層１０７１の作製）
昇華精製したＨＢＬ－１を０．０５ｎｍ／秒の速度で６ｎｍ成膜し、第一電子輸送層１０７１を作製した。
（第二電子輸送層１０７２の作製）
化合物Ｅ１およびＬｉｑを５０：５０（質量比）の割合で２５ｎｍ成膜し、第二電子輸送層１０７２を作製した。成膜速度は０．１５ｎｍ／秒であった。
（陰極１０８の作製）
最後に、基板上のＩＴＯストライプと直交するようにメタルマスクを配し、陰極１０８を成膜した。陰極はイッテルビウム、銀／マグネシウム（質量比９／１）と銀とを、この順番で、それぞれ２ｎｍ、１２ｎｍと９０ｎｍとで成膜し、３層構造とした。イッテルビウムの成膜速度は０．０２ｎｍ／秒、銀／マグネシウムの成膜速度は０．５ｎｍ／秒、銀の成膜速度は成膜速度０．２ｎｍ／秒であった。
（正孔注入層１０３の作製）
昇華精製したＨＴＬ－１とＮＤＰ－９を０．１５ｎｍ／秒の速度で１０ｎｍ成膜し、正孔注入層１０３を作製した。
（第一正孔輸送層１０５１の作製）
昇華精製したＨＴＬを０．１５ｎｍ／秒の速度で８５ｎｍ成膜し、第一正孔輸送層１０５１を作製した。
（第二正孔輸送層１０５２の作製）
昇華精製したＥＢＬ－１を０．１５ｎｍ／秒の速度で５ｎｍ成膜し、第二正孔輸送層１０５２を作製した。
（発光層１０６の作製）
昇華精製したＢＨ－１とＢＤ－１とを９５：５（質量比）の割合で２０ｎｍ成膜し、発光層１０６を作製した。成膜速度は０．１８ｎｍ／秒であった。
（第一電子輸送層１０７１の作製）
昇華精製したＨＢＬ－１を０．０５ｎｍ／秒の速度で６ｎｍ成膜し、第一電子輸送層１０７１を作製した。
（第二電子輸送層１０７２の作製）
化合物Ｅ１およびＬｉｑを５０：５０（質量比）の割合で２５ｎｍ成膜し、第二電子輸送層１０７２を作製した。成膜速度は０．１５ｎｍ／秒であった。
（陰極１０８の作製）
最後に、基板上のＩＴＯストライプと直交するようにメタルマスクを配し、陰極１０８を成膜した。陰極はイッテルビウム、銀／マグネシウム（質量比９／１）と銀とを、この順番で、それぞれ２ｎｍ、１２ｎｍと９０ｎｍとで成膜し、３層構造とした。イッテルビウムの成膜速度は０．０２ｎｍ／秒、銀／マグネシウムの成膜速度は０．５ｎｍ／秒、銀の成膜速度は成膜速度０．２ｎｍ／秒であった。
【0130】
以上により、図２に示すような発光面積４ｍｍ２有機電界発光素子１００を作製した。なお、それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ、Ｂｒｕｋｅｒ社製）で測定した。
【0131】
さらに、この素子を酸素および水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、ガラス製の封止キャップと成膜基板（素子）とを、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いて行った。
【0132】
上記のようにして作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２を流した時の駆動電圧（Ｖ）、電流効率を測定した。なお、駆動電圧及び電流効率は、後述の素子比較例－１における結果を基準値（１００）とした相対値である。得られた測定結果を表１に示す。
（素子実施例－２～１０）
素子実施例－１において、化合物Ｅ１の代わりに化合物Ｅ２～Ｅ１０をそれぞれ用いた以外は、素子実施例－１と同じ方法で有機電界発光素子を作製し、評価した。得られた測定結果を表１に示す。
（素子比較例－１～３）
素子実施例－１において、化合物Ｅ１の代わりにＥＴＬ－１～ＥＴＬ－３をそれぞれ用いた以外は、素子実施例－１と同じ方法で有機電界発光素子を作製し、評価した。得られた測定結果を表１に示す。
（素子実施例－２～１０）
素子実施例－１において、化合物Ｅ１の代わりに化合物Ｅ２～Ｅ１０をそれぞれ用いた以外は、素子実施例－１と同じ方法で有機電界発光素子を作製し、評価した。得られた測定結果を表１に示す。
（素子比較例－１～３）
素子実施例－１において、化合物Ｅ１の代わりにＥＴＬ－１～ＥＴＬ－３をそれぞれ用いた以外は、素子実施例－１と同じ方法で有機電界発光素子を作製し、評価した。得られた測定結果を表１に示す。
【0133】
【表1】
【符号の説明】
【0134】
１００ 有機電界発光素子
１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 電子輸送層
７ 電子注入層
８ 陰極
１０１ 基板
１０２ 陽極
１０３ 正孔注入層
１０５１ 第一正孔輸送層
１０５２ 第二正孔輸送層
１０６ 発光層
１０７１ 第一電子輸送層
１０７２ 第二電子輸送層
１０８ 陰極
１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 電子輸送層
７ 電子注入層
８ 陰極
１０１ 基板
１０２ 陽極
１０３ 正孔注入層
１０５１ 第一正孔輸送層
１０５２ 第二正孔輸送層
１０６ 発光層
１０７１ 第一電子輸送層
１０７２ 第二電子輸送層
１０８ 陰極
【図1】
【図2】
