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特開2022-180855ＳｉＣ基板の表面加工方法
発明の名称 ＳｉＣ基板の表面加工方法
出願人 株式会社デンソー （識別番号 4260）
特許公開件数ランキング 16 位（1245件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 8 位（1351件）（共同出願を含む）
出願人 国立大学法人大阪大学 （識別番号 504176911）
特許公開件数ランキング 375 位（190件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 242 位（207件）（共同出願を含む）
公報番号 特開-2022-180855
公報発行日 2022年12月7
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2022-180855
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