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特開2022-183058半導体処理システムにおいてガス流を制御するシステムおよび方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022183058
(43)【公開日】2022-12-08
(54)【発明の名称】半導体処理システムにおいてガス流を制御するシステムおよび方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/205 20060101AFI20221201BHJP
C23C 16/455 20060101ALI20221201BHJP
【ＦＩ】
H01L21/205
C23C16/455
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2022083718
(22)【出願日】2022-05-23
(31)【優先権主張番号】63/193,372
(32)【優先日】2021-05-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】519237203
【氏名又は名称】エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(74)【代理人】
【識別番号】100133400
【弁理士】
【氏名又は名称】阿部 達彦
(72)【発明者】
【氏名】マーク・フェスラー
(72)【発明者】
【氏名】グレン・ホルブルック
【テーマコード（参考）】
4K030
5F045
【Ｆターム（参考）】
4K030EA03
4K030EA06
4K030KA41
5F045AB02
5F045AB31
5F045AC01
5F045AC03
5F045AC05
5F045AC15
5F045AC16
5F045AC17
5F045BB08
5F045BB20
5F045EE01
5F045EE04
5F045EE14
5F045EG07
(57)【要約】
【課題】半導体処理システムにおける有害なプロセスガス流の制御に関する。
【解決手段】ガスシステムは、エンクロージャと、プロセスガス計量弁と、遮断弁と、フロースイッチとを含む。プロセスガス計量弁は、プロセスガスを半導体処理システムのプロセスチャンバへと流すために、エンクロージャ内に配置される。遮断弁は、プロセスガス計量弁をプロセスガス供給源から流体的に分離するために、プロセスガス計量弁へと接続される。フロースイッチは、フロースイッチを横断するガスの流れに従って、遮断弁を使用して半導体処理システムのプロセスチャンバへのプロセスガスの流れを停止するために、遮断弁へと動作可能に接続される。半導体処理システム、ガス制御方法、およびガスシステムキットも記述される。
【選択図】図１
【解決手段】ガスシステムは、エンクロージャと、プロセスガス計量弁と、遮断弁と、フロースイッチとを含む。プロセスガス計量弁は、プロセスガスを半導体処理システムのプロセスチャンバへと流すために、エンクロージャ内に配置される。遮断弁は、プロセスガス計量弁をプロセスガス供給源から流体的に分離するために、プロセスガス計量弁へと接続される。フロースイッチは、フロースイッチを横断するガスの流れに従って、遮断弁を使用して半導体処理システムのプロセスチャンバへのプロセスガスの流れを停止するために、遮断弁へと動作可能に接続される。半導体処理システム、ガス制御方法、およびガスシステムキットも記述される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ガスシステムであって、
エンクロージャと、
前記エンクロージャ内に配置され、かつプロセスガスを半導体処理システムのプロセスチャンバへと流すように構成される、プロセスガス計量弁と、
前記プロセスガス計量弁に接続され、かつ前記プロセスガス計量弁をプロセスガス供給源から流体的に分離するように構成される遮断弁と、
前記遮断弁に動作可能に接続されたフロースイッチであって、前記フロースイッチを横断するガスの流れに従って、前記遮断弁を使用して前記半導体処理システムの前記プロセスチャンバへの前記プロセスガスの流れを停止するように構成される、フロースイッチと、を備える、ガスシステム。
エンクロージャと、
前記エンクロージャ内に配置され、かつプロセスガスを半導体処理システムのプロセスチャンバへと流すように構成される、プロセスガス計量弁と、
前記プロセスガス計量弁に接続され、かつ前記プロセスガス計量弁をプロセスガス供給源から流体的に分離するように構成される遮断弁と、
前記遮断弁に動作可能に接続されたフロースイッチであって、前記フロースイッチを横断するガスの流れに従って、前記遮断弁を使用して前記半導体処理システムの前記プロセスチャンバへの前記プロセスガスの流れを停止するように構成される、フロースイッチと、を備える、ガスシステム。
【請求項2】
前記遮断弁および前記フロースイッチのうちの少なくとも１つが、前記エンクロージャの外側に配置される、請求項１に記載のガスシステム。
【請求項3】
前記フロースイッチが、前記遮断弁および前記プロセスガス計量弁に流体連結される、請求項１に記載のガスシステム。
【請求項4】
前記フロースイッチが、前記遮断弁から流体的に分離される、請求項１に記載のガスシステム。
【請求項5】
前記フロースイッチが、遮断トリガを有し、前記プロセスガス計量弁が、流量定格を有し、かつ前記フロースイッチの前記遮断トリガが、前記プロセスガス計量弁の前記流量定格より小さい、請求項１に記載のガスシステム。
【請求項6】
前記フロースイッチを前記遮断弁へと接続するリレーをさらに備える、請求項１に記載のガスシステム。
【請求項7】
前記フロースイッチを前記遮断弁に接続するコントローラをさらに備える、請求項１に記載のガスシステム。
【請求項8】
前記フロースイッチが、前記遮断弁に接続されたプロセスガスフロースイッチであり、前記ガスシステムが、
前記プロセスガスフロースイッチに接続されたシリコン含有ガスを含むプロセスガス供給源と、
前記プロセスガス計量弁に接続されたプロセスチャンバであって、前記プロセスガスフロースイッチが前記プロセスガス供給源を前記プロセスチャンバに流体連結する、プロセスチャンバと、をさらに備える、請求項１に記載のガスシステム。
前記プロセスガスフロースイッチに接続されたシリコン含有ガスを含むプロセスガス供給源と、
前記プロセスガス計量弁に接続されたプロセスチャンバであって、前記プロセスガスフロースイッチが前記プロセスガス供給源を前記プロセスチャンバに流体連結する、プロセスチャンバと、をさらに備える、請求項１に記載のガスシステム。
【請求項9】
前記プロセスガス供給源が第一のプロセスガス供給源であり、前記プロセスガスフロースイッチが第一のプロセスガスフロースイッチであり、かつ前記遮断弁が第一の遮断弁であり、前記ガスシステムが、
第二のプロセスガス供給源と、
前記第二のプロセスガス供給源に接続された第二のプロセスガスフロースイッチと、
前記第二のプロセスガスフロースイッチに接続され、かつ前記第二のプロセスガス供給源を前記プロセスチャンバに流体連結する第二の遮断弁であって、前記第二のプロセスガスフロースイッチが前記第二の遮断弁に動作可能に接続される、第二の遮断弁と、をさらに備える、請求項８に記載のガスシステム。
第二のプロセスガス供給源と、
前記第二のプロセスガス供給源に接続された第二のプロセスガスフロースイッチと、
前記第二のプロセスガスフロースイッチに接続され、かつ前記第二のプロセスガス供給源を前記プロセスチャンバに流体連結する第二の遮断弁であって、前記第二のプロセスガスフロースイッチが前記第二の遮断弁に動作可能に接続される、第二の遮断弁と、をさらに備える、請求項８に記載のガスシステム。
【請求項10】
前記プロセスチャンバに接続されたフォアラインと、
前記フォアラインに接続された真空ポンプと、
前記真空ポンプに接続された不活性ガスフロースイッチと、
前記不活性ガスフロースイッチに接続され、かつそれを通して前記真空ポンプに流体連結される不活性ガス供給源であって、前記不活性ガスフロースイッチが前記遮断弁に動作可能に接続される、不活性ガス供給源と、をさらに備える、請求項９に記載のガスシステム。
前記フォアラインに接続された真空ポンプと、
前記真空ポンプに接続された不活性ガスフロースイッチと、
前記不活性ガスフロースイッチに接続され、かつそれを通して前記真空ポンプに流体連結される不活性ガス供給源であって、前記不活性ガスフロースイッチが前記遮断弁に動作可能に接続される、不活性ガス供給源と、をさらに備える、請求項９に記載のガスシステム。
【請求項11】
前記フロースイッチが、不活性ガスフロースイッチであり、前記ガスシステムが、
前記遮断弁に接続されたプロセスガス供給源と、
前記プロセスガス計量弁に接続され、かつそれを通して前記プロセスガス供給源に流体連結されるプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバに接続された真空ポンプと、
前記不活性ガスフロースイッチに接続され、かつそれを通して前記真空ポンプに流体連結される不活性ガス供給源と、をさらに備える、請求項１に記載のガスシステム。
前記遮断弁に接続されたプロセスガス供給源と、
前記プロセスガス計量弁に接続され、かつそれを通して前記プロセスガス供給源に流体連結されるプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバに接続された真空ポンプと、
前記不活性ガスフロースイッチに接続され、かつそれを通して前記真空ポンプに流体連結される不活性ガス供給源と、をさらに備える、請求項１に記載のガスシステム。
【請求項12】
前記不活性ガスフロースイッチが不活性ガス遮断トリガを有し、前記不活性ガスフロースイッチは、前記不活性ガス供給源から前記真空ポンプへの不活性ガスの流れが前記不活性ガス遮断トリガより小さい時、前記遮断弁を閉鎖するように構成される、請求項１１に記載のガスシステム。
【請求項13】
前記フロースイッチが、プロセスガスフロースイッチであり、前記ガスシステムが、
前記プロセスガス計量弁に流体連結されたフォアラインと、
前記フォアラインに接続された真空ポンプと、
前記真空ポンプに流体連結され、かつそれを通して前記フォアラインに流体連結された不活性ガスフロースイッチであって、前記不活性ガスフロースイッチが前記遮断弁に動作可能に接続される、不活性ガスフロースイッチと、をさらに備える、請求項１に記載のガスシステム。
前記プロセスガス計量弁に流体連結されたフォアラインと、
前記フォアラインに接続された真空ポンプと、
前記真空ポンプに流体連結され、かつそれを通して前記フォアラインに流体連結された不活性ガスフロースイッチであって、前記不活性ガスフロースイッチが前記遮断弁に動作可能に接続される、不活性ガスフロースイッチと、をさらに備える、請求項１に記載のガスシステム。
【請求項14】
前記不活性ガスフロースイッチが、不活性ガス遮断トリガを有し、前記不活性ガスフロースイッチは、前記不活性ガスフロースイッチを横断する前記不活性ガスの流れが前記不活性ガス遮断トリガより小さい時、前記遮断弁を閉鎖するように構成される、請求項１３に記載のガスシステム。
【請求項15】
前記不活性ガスフロースイッチが、第一の不活性ガスフロースイッチであり、前記ガスシステムが、
前記真空ポンプに接続された排気導管と、
前記排気導管に流体連結され、かつそれを通して前記真空ポンプに流体連結される第二の不活性ガスフロースイッチであって、前記第二の不活性ガスフロースイッチが前記フロースイッチに動作可能に接続される、第二の不活性ガスフロースイッチと、をさらに備える、請求項１３に記載のガスシステム。
前記真空ポンプに接続された排気導管と、
前記排気導管に流体連結され、かつそれを通して前記真空ポンプに流体連結される第二の不活性ガスフロースイッチであって、前記第二の不活性ガスフロースイッチが前記フロースイッチに動作可能に接続される、第二の不活性ガスフロースイッチと、をさらに備える、請求項１３に記載のガスシステム。
【請求項16】
請求項１に記載のガスシステムであって、前記フロースイッチが、プロセスガス遮断トリガを有するプロセスガスフロースイッチであり、前記プロセスガス計量弁が流量定格を有し、かつ前記プロセスガスフロースイッチの前記プロセスガス遮断トリガが、前記プロセスガス計量弁の前記流量定格より小さい、ガスシステムと、
前記プロセスガスフロースイッチに接続されたプロセスガス供給源と、
前記プロセスガス計量弁および前記遮断弁によって前記フロースイッチに流体連結されたプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内に配置された基材支持体であって、前記プロセスガス供給源によって提供されるプロセスガスを使用して基材の上への膜の堆積中にその上に基材を着座させるように構成される、基材支持体と、を備える、半導体処理システム。
前記プロセスガスフロースイッチに接続されたプロセスガス供給源と、
前記プロセスガス計量弁および前記遮断弁によって前記フロースイッチに流体連結されたプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内に配置された基材支持体であって、前記プロセスガス供給源によって提供されるプロセスガスを使用して基材の上への膜の堆積中にその上に基材を着座させるように構成される、基材支持体と、を備える、半導体処理システム。
【請求項17】
ガス流制御方法であって、
エンクロージャ、前記エンクロージャ内に配置されたプロセスガス計量弁、前記プロセスガス計量弁に接続された遮断弁、および前記遮断弁に動作可能に接続されたフロースイッチを含むガスシステムにおいて、
前記フロースイッチにプロセスガスを提供するステップと、
前記プロセスガスの流れを、前記フロースイッチの遮断トリガと比較するステップと、
前記プロセスガスの前記流れが前記フロースイッチの遮断トリガより小さい時、前記プロセスガスを、前記遮断弁を通して前記プロセスガス計量弁へと、およびそれを通して半導体処理システムのプロセスチャンバへと流すステップと、
前記プロセスガスの流れが前記フロースイッチの前記遮断トリガより大きい時、前記遮断弁を通した、およびそれを通して前記半導体処理システムの前記半導体処理システムへの前記プロセスガスの流れを停止するステップと、を含む、方法。
エンクロージャ、前記エンクロージャ内に配置されたプロセスガス計量弁、前記プロセスガス計量弁に接続された遮断弁、および前記遮断弁に動作可能に接続されたフロースイッチを含むガスシステムにおいて、
前記フロースイッチにプロセスガスを提供するステップと、
前記プロセスガスの流れを、前記フロースイッチの遮断トリガと比較するステップと、
前記プロセスガスの前記流れが前記フロースイッチの遮断トリガより小さい時、前記プロセスガスを、前記遮断弁を通して前記プロセスガス計量弁へと、およびそれを通して半導体処理システムのプロセスチャンバへと流すステップと、
前記プロセスガスの流れが前記フロースイッチの前記遮断トリガより大きい時、前記遮断弁を通した、およびそれを通して前記半導体処理システムの前記半導体処理システムへの前記プロセスガスの流れを停止するステップと、を含む、方法。
【請求項18】
前記遮断弁を通して前記プロセスガスを流すステップが、前記プロセスガスを使用して基材の上へと膜を堆積させることをさらに含み、かつ前記プロセスガスの流れを停止するステップが、前記基材の上へ前記膜を堆積させるのを停止することを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項19】
ガス流制御方法であって、
エンクロージャ、前記エンクロージャ内に配置されたプロセスガス計量弁、前記プロセスガス計量弁に接続された遮断弁、および前記遮断弁に動作可能に接続されたフロースイッチを含むガスシステムにおいて、
前記フロースイッチに不活性ガスを提供するステップと、
前記不活性ガスの流れを、前記フロースイッチの遮断トリガと比較するステップと、
前記不活性ガスの前記流れが前記フロースイッチの前記遮断トリガより大きい時、プロセスガスを、前記遮断弁を通して前記プロセスガス計量弁へと、およびそれを通して半導体処理システムのプロセスチャンバへと流すステップと、
前記不活性ガスの流れが前記フロースイッチの前記遮断トリガより小さい時、前記遮断弁を通した前記プロセスガスの流れを停止するステップと、を含む、ガス流制御方法。
エンクロージャ、前記エンクロージャ内に配置されたプロセスガス計量弁、前記プロセスガス計量弁に接続された遮断弁、および前記遮断弁に動作可能に接続されたフロースイッチを含むガスシステムにおいて、
前記フロースイッチに不活性ガスを提供するステップと、
前記不活性ガスの流れを、前記フロースイッチの遮断トリガと比較するステップと、
前記不活性ガスの前記流れが前記フロースイッチの前記遮断トリガより大きい時、プロセスガスを、前記遮断弁を通して前記プロセスガス計量弁へと、およびそれを通して半導体処理システムのプロセスチャンバへと流すステップと、
前記不活性ガスの流れが前記フロースイッチの前記遮断トリガより小さい時、前記遮断弁を通した前記プロセスガスの流れを停止するステップと、を含む、ガス流制御方法。
【請求項20】
前記フロースイッチが不活性ガスフロースイッチであり、かつ前記ガスシステムがプロセスガスフロースイッチをさらに備え、前記方法が、
前記プロセスガスフロースイッチへとプロセスガスを提供するステップと、
前記プロセスガスの流れを、前記プロセスガスフロースイッチのプロセスガス遮断トリガと比較するステップと、
前記プロセスガスの前記流れが前記プロセスガスフロースイッチの前記プロセスガス遮断トリガより小さい時、前記プロセスガスを、前記遮断弁を通して前記プロセスガス計量弁へと流すステップと、
前記プロセスガスの流れが前記プロセスガスフロースイッチの前記プロセスガス遮断トリガより大きい時、前記遮断弁を通る前記プロセスガスの流れを停止するステップと、をさらに含む、請求項１９に記載のガス流制御方法。
前記プロセスガスフロースイッチへとプロセスガスを提供するステップと、
前記プロセスガスの流れを、前記プロセスガスフロースイッチのプロセスガス遮断トリガと比較するステップと、
前記プロセスガスの前記流れが前記プロセスガスフロースイッチの前記プロセスガス遮断トリガより小さい時、前記プロセスガスを、前記遮断弁を通して前記プロセスガス計量弁へと流すステップと、
前記プロセスガスの流れが前記プロセスガスフロースイッチの前記プロセスガス遮断トリガより大きい時、前記遮断弁を通る前記プロセスガスの流れを停止するステップと、をさらに含む、請求項１９に記載のガス流制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、概して、半導体処理システムにおけるガス流の制御に関し、より具体的には、半導体処理システムにおける有害なプロセスガス流の制御に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスを製造するために使用されるプロセスツールは、半導体デバイスの製造中に様々なプロセス動作を実施するために、例えば、非常に大規模な集積回路デバイス、太陽電池、およびディスプレイの製造中に基材の上へと膜を堆積させるためにプロセスガスを採用する。プロセスガスは、一般的に、プロセスガスの流れを調整する計量装置を通してプロセスガス供給源からプロセスツールへと流れ、計量装置は、プロセスガスを採用するプロセスツールの処理要件に従って、プロセスガスの流れを調整する。処理中に、プロセスツールは、典型的には、残留プロセスガスおよび／または様々なプロセスガス産物を含む場合がある、排気流を発する。残留プロセスガスおよび／または様々なプロセスガス産物は、有害（例えば、可燃性かつ／または毒性）である場合があるため、そうでなければプロセスツールによって排気される残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物に関連付けられる潜在的な危険を制限（または除去）するために、不活性ガスが、残留プロセスガス産物および／またはプロセスガス産物と混合されてもよい。
【0003】
不活性ガスを排気流へと混合することに対する１つの課題は、ある特定の不活性ガスに関連付けられたコストである。例えば、排気流中の潜在的に危険な化合物の濃度が十分に低いことを保証するために、プロセスツールへと提供される不活性ガスの流れ（例えば、質量流または体積流）は、プロセスガス供給弁が不注意に全開位置に駆動される場合など、プロセスツールに提供されるプロセスガスの最大流量を考慮してサイズ設定されてもよい。不活性ガスの流量は、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物の比較的高い流量に関連付けられた危険を減少させるために十分である限り概して満足できる一方で、方策はまた、不活性ガス流量が、プロセスツールによって採用されるプロセスによって必要とされるものより日常的に高いことも意味する。これは、不活性ガスの消費量に起因して、プロセスツールの操業コストを増加させる。これはまた、通気システムおよび／または排気除害システムなどのある特定のプロセスツールアクセサリが、別の方法で可能なものよりも大きいことを必要とする。
【0004】
不活性ガスに関連付けられるコストを制限するための１つの取り組みは、プロセスガス供給ラインにおいて流れ制限器または流量ガバナーを採用することである。流れ制限器および流量ガバナーは、プロセスガス弁の流量定格より小さく、かつプロセスツールによって必要とされるプロセスフローより大きくなるようにサイズ設定される時に、プロセスツールへの供給源側（例えば、プロセスガスの屋内供給またはバルク供給）からのプロセスガス流れを制限するために採用されてもよい。しかしながら、プロセスツールの不活性ガス要件を制限する上で効果的である一方で、流れ制限器および流量ガバナーは、典型的に、プロセスツールによって必要とされるプロセスガス流れに対して大きすぎる。その結果、プロセスツールへと提供される不活性ガスの流量は、依然としてプロセスツールによって別途必要とされるものより高く、プロセスツールの操業コストは、不活性ガスの要件に起因して、別途必要とされるものより高い。
【0005】
こうしたシステムおよび方法は、概して、その意図される目的のために受け入れられてきた。しかしながら、改善されたガスシステム、ガスシステムを有する半導体処理システム、および半導体処理システムにおけるプロセスガス流れを制御する方法に対するニーズが依然として存在する。本開示は、このニーズに対する解決策を提供する。
【発明の概要】
【0006】
ガスシステムが提供される。ガスシステムは、エンクロージャと、プロセスガス計量弁と、遮断弁と、フロースイッチとを含む。プロセスガス計量弁は、エンクロージャ内に配置され、またプロセスガスを半導体処理システムのプロセスチャンバへと流すように構成される。遮断弁は、プロセスガス計量弁に接続され、またプロセスガス計量弁をプロセスガス供給源から流体的に分離するように構成される。フロースイッチは、遮断弁に動作可能に接続され、またフロースイッチを横断するガスの流れに従って、遮断弁を使用して半導体処理システムのプロセスチャンバへのプロセスガスの流れを停止するように構成される。
【0007】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、遮断弁およびフロースイッチのうちの少なくとも１つがエンクロージャの外側に配置されることを含んでもよい。
【0008】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、フロースイッチが遮断弁およびプロセスガス計量弁へと流体連結されることを含んでもよい。
【0009】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、フロースイッチが遮断弁から流体的に分離されることを含んでもよい。
【0010】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、フロースイッチが、遮断トリガを有することと、プロセスガス計量弁が流量定格を有することと、フロースイッチの遮断トリガがプロセスガス計量弁の流量定格より小さいことと、を含んでもよい。
【0011】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、フロースイッチを遮断弁へと接続するリレーを含んでもよい。
【0012】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、フロースイッチを遮断弁へと接続するコントローラを含んでもよい。
【0013】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、フロースイッチが、遮断弁に接続されたプロセスガスフロースイッチであることと、ガスシステムが、プロセスガスフロースイッチに接続されたプロセスガス供給源およびプロセスガス計量弁に接続されたプロセスチャンバをさらに含むことと、を含んでもよい。プロセスガスフロースイッチは、プロセスガス供給源をプロセスチャンバへと流体連結してもよい。
【0014】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、プロセスガス供給源がシリコン含有ガスを含むことを含んでもよい。
【0015】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、プロセスガス供給源が第一のプロセスガス供給源であることと、プロセスガスフロースイッチが第一のプロセスガスフロースイッチであることと、遮断弁が第一の遮断弁であることと、を含んでもよい。ガスシステムは、第二のプロセスガス供給源と、第二のプロセスガス供給源に接続された第二のプロセスガスフロースイッチと、第二のプロセスガスフロースイッチに接続された第二の遮断弁と、をさらに含んでもよい。第二の遮断弁は、第二のプロセスガス供給源をプロセスチャンバへと流体連結してもよい。第二のプロセスガスフロースイッチは、第二の遮断弁へと動作可能に接続されてもよい。
【0016】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、フォアラインと、真空ポンプと、不活性ガスフロースイッチと、不活性ガス供給源と、を含んでもよい。フォアラインは、プロセスチャンバに接続されてもよく、真空ポンプは、フォアラインに接続されてもよく、また不活性ガスフロースイッチは、真空ポンプに接続されてもよい。不活性ガス供給源は、不活性ガスフロースイッチに接続されてもよく、またそれを通して真空ポンプに流体連結されてもよく、また不活性ガスフロースイッチは、遮断弁に動作可能に接続されてもよい。
【0017】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、フロースイッチが不活性ガスフロースイッチであり、またガスシステムが、遮断弁に接続されたプロセスガス供給源と、プロセスガス計量弁に接続され、かつそれを通してプロセスガス供給源へと流体連結されたプロセスチャンバと、プロセスチャンバに接続された真空ポンプと、不活性ガスフロースイッチに接続され、かつそれを通して真空ポンプに流体連結された不活性ガス供給源と、をさらに含むことを含んでもよい。
【0018】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、不活性ガスフロースイッチが、不活性ガス遮断トリガを有し、また不活性ガスフロースイッチを横断し、かつ真空ポンプへの不活性ガスの流れが不活性ガス遮断トリガより小さい時に、遮断弁を閉鎖するように構成されることを含んでもよい。
【0019】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、フロースイッチがプロセスガスフロースイッチであること、およびガスシステムが、プロセスガス計量弁に流体連結されたフォアラインと、フォアラインに接続された真空ポンプと、真空ポンプに、そしてそれを通してフォアラインに流体連結された不活性ガスフロースイッチとをさらに含むことを含んでもよい。不活性ガススイッチは、遮断弁へと動作可能に接続されてもよい。
【0020】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、不活性ガスフロースイッチが不活性ガス遮断トリガを有することと、不活性ガスフロースイッチを横断する不活性ガスの流れが、不活性ガス遮断トリガより小さい時に、不活性ガスフロースイッチが遮断弁を閉鎖するように構成されることと、を含んでもよい。
【0021】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、不活性ガスフロースイッチが第一の不活性ガスフロースイッチであることと、ガスシステムが排気導管および第二の不活性ガスフロースイッチをさらに含むことと、を含んでもよい。排気導管は、真空ポンプに接続されてもよい。第二の不活性ガスフロースイッチは、排気導管に、そしてそれを通して真空ポンプに流体連結されてもよい。第二の不活性ガスフロースイッチは、フロースイッチに動作可能に接続されてもよい。
【0022】
半導体処理システムが提供される。半導体処理システムは、上述のようなガスシステムと、プロセスガス供給源と、プロセスチャンバと、基材支持体とを含む。プロセスガス供給源は、プロセスガスフロースイッチに接続される。プロセスチャンバは、プロセスガス計量弁および遮断弁によってフロースイッチに流体連結される。基材支持体は、プロセスチャンバ内に配置され、そしてプロセスガス供給源によって提供されるプロセスガスを使用して、基材の上への膜の堆積中に、その上に基材を着座させるように構成される。フロースイッチは、プロセスガス遮断トリガを有するプロセスガスフロースイッチであり、プロセスガス計量弁は、流量定格を有し、またプロセスガスフロースイッチのプロセスガス遮断トリガは、プロセスガス計量弁の流量定格より小さい。
【0023】
ガス流制御方法が提供される。方法は、上述のようなガスシステムにおいて、プロセスガスをフロースイッチへと提供することと、プロセスガスの流れをフロースイッチの遮断トリガと比較することと、プロセスガスの流れがフロースイッチの遮断トリガより小さい時、遮断弁を通してプロセスガスをプロセスガス計量弁へと、そして計量弁を通して半導体処理システムのプロセスチャンバへと流すことを含む。プロセスガスの流れがフロースイッチの遮断トリガより大きい時、遮断弁を通り、かつそれを通って半導体処理システムのプロセスチャンバへのプロセスガスの流れは停止する。
【0024】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、遮断弁を通してプロセスガスを流すことが、プロセスガスを使用して基材の上へと膜を堆積させることをさらに含むことを含んでもよい。
【0025】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、プロセスガスの流れを停止することが、基材の上への膜の堆積を停止することを含むことを含んでもよい。
【0026】
別のガス制御方法が提供される。ガス制御方法は、上述のようなガスシステムにおいて、不活性ガスをフロースイッチへと提供することと、不活性ガスの流れをフロースイッチの遮断トリガと比較することと、不活性ガスの流れがフロースイッチの遮断トリガより大きい時、遮断弁を通してプロセスガスをプロセスガス計量弁へと、そして計量弁を通して半導体処理システムのプロセスチャンバへと流すことを含む。不活性ガスの流れがフロースイッチの遮断トリガより小さい時、遮断弁を通り、かつそれを通って半導体処理システムのプロセスチャンバへのプロセスガスの流れは停止する。
【0027】
上述の特徴のうちの１つ以上に加えて、または別の方法として、さらなる実施例は、フロースイッチが不活性ガスフロースイッチであることと、ガスシステムがプロセスガスフロースイッチをさらに含むことと、方法が、プロセスガスをプロセスガスフロースイッチへと提供し、プロセスガスの流れをプロセスガスフロースイッチのプロセスガス遮断トリガと比較し、そしてプロセスガスの流れがプロセスガスフロースイッチのプロセスガス遮断トリガより小さい時、遮断弁を通してプロセスガスをプロセスガス計量弁へと流すことをさらに含むことと、を含んでもよい。プロセスガスの流れがプロセスガスフロースイッチのプロセスガス遮断トリガより大きい時、遮断弁を通るプロセスガスの流れは停止する。
【0028】
この「発明の概要」は、選択された概念を単純化した形態で導入するために提供されている。これらの概念は、以下の本開示の「発明を実施するための形態」において、さらに詳細に記述される。この「発明の概要」は、特許請求される主題の主要な特徴または本質的な特徴を特定することを意図してはおらず、特許請求される主題の範囲を限定するために使用されることも意図していない。
【0029】
本明細書で開示される本発明のこれらおよび他の特徴、態様、ならびに利点は、ある特定の実施形態の図面を参照しながら以下に記述され、これは本発明を例示することを意図しており、本発明を限定することを意図してはいない。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図2】図２は、フロースイッチを横断するガスの流れに従ってプロセスチャンバへのプロセスガスの流れを停止するように、ガスシステムの遮断弁に動作可能に接続されたガスシステムのフロースイッチを示す、図１のガスシステムの概略図である。
【図4】図４は、第一のプロセスガス供給源および第二のプロセスガス供給源を第一のプロセスガスフロースイッチおよび第二のプロセスガスフロースイッチを通してプロセスチャンバへと流体連結するガスシステムを示す、別の実施例による図１の半導体処理システムの概略図である。
【図6】図６は、不活性ガス供給源を、第一の不活性ガスフロースイッチおよび第二の不活性ガスフロースイッチを通して排気源および排気導管へと流体連結するガスシステムを示す、別の実施例による図１の半導体処理システムの概略図である。
【図7】図７は、プロセスガスフロースイッチおよび不活性ガスフロースイッチを通してプロセスガス供給源および不活性ガス供給源をプロセスチャンバへと流体連結するガスシステムを示す、さらなる実施例による図１のガスシステムおよび半導体処理システムの概略図である。
【図9】図９は、プロセスガスフロースイッチを横断するプロセスガスの流れを使用してプロセスガスのプロセスチャンバへの流れを停止するための動作を示す、半導体処理システム内のガス流を制御する別の方法のブロック図である。
【図10】図１０は、不活性ガスフロースイッチを横断する不活性ガスの流れを使用してプロセスガスのプロセスチャンバへの流れを停止するための動作を示す、半導体処理システム内のガス流を制御するさらなる方法のブロック図である。
【0031】
当然のことながら、図内の要素は単純化および明瞭化のために例示されており、必ずしも実寸に比例して描かれていない。例えば、図内の要素のうちの一部の相対サイズは、本開示の例示された実施形態の理解の向上を助けるために他の要素に対して相対的に誇張されている場合がある。
【発明を実施するための形態】
【0032】
ここで、同様の参照番号が、本開示の類似の構造特徴または態様を特定する図面を参照する。説明および例示の目的で、かつ限定の目的ではなく、本開示によるガスシステムを有する半導体処理システムの実施例の部分図が図１に示され、概して参照文字１００によって指定される。本開示、またはその態様による、ガスシステム、半導体処理システム、および半導体処理システム内のガス流を制御する方法の他の実施例が、記述されるように、図２～図１２に提供される。本開示のシステムおよび方法は、半導体処理システムによって必要とされる不活性ガスの質量流れを制限するため、および／または、基材の上への膜の堆積中に潜在的に危険なプロセスガスを採用する半導体処理システムなどの半導体処理システムの安全性を強化するために使用することができるが、本開示は、概して、いかなる特定のタイプの半導体処理システムまたはプロセスガスにも限定されない。
【0033】
図１を参照すると、半導体処理システム１００が実施例に従って示される。図１に示すように、半導体処理システム１００は、プロセスチャンバ１０２およびガスシステム１０４を含む。半導体処理システム１００はまた、プロセスガス供給源１０６、不活性ガス供給源１１０、通気源１０８、および真空源１１２も含む。半導体処理システム１００は、プロセスガス供給源導管１１４、プロセスガス供給導管１１６、不活性ガス導管１１８、通気導管１２０、フォアライン１２２、および排気導管１２４をさらに含む。
【0034】
プロセスチャンバ１０２は、基材支持体１２６、注入フランジ１２８、および排気フランジ１３０を含む。基材支持体１２６は、プロセスチャンバ１０２の内部に配置され、またプロセスガス１４を使用する基材１０の上への膜１２の堆積中に、基材１０を支持するように構成される。注入フランジ１２８は、プロセスガス供給源導管１１４に接続され、またプロセスチャンバ１０２の内部に流体連結されて、プロセスガス１４をプロセスチャンバ１０２の内部を通して流す。排気フランジ１３０は、フォアライン１２２に接続され、またプロセスチャンバ１０２の内部に流体連結されて、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６をフォアライン１２２へと流す。プロセスチャンバ１０２は、２０１９年１月１日に発行されたＨａｗｋｉｎｓらの米国特許第１０，１６７，５５７号に示され、かつ記述されるようであってもよく、その内容は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【0035】
ガスシステム１０４は、プロセスガス供給源導管１１４に接続され、そしてそれを通してプロセスチャンバ１０２に流体連結される。ガスシステム１０４は、プロセスガス供給源導管１１４に接続され、またそれを通してプロセスガス供給源１０６にも流体連結される。ガスシステム１０４は、さらに通気導管１２０へと、そしてそれを通して通気源１０８へと流体連結される。ある特定の実施例では、ガスシステム１０４は、不活性ガス導管１１８に沿って配置され、そしてそれを通して不活性ガス供給源１１０と真空源１１２との両方に流体連結されてもよい。
【0036】
プロセスガス供給源１０６は、プロセスガス供給源導管１１４に接続され、そしてそれを通してプロセスチャンバ１０２に流体連結される。プロセスガス供給源１０６は、プロセスガス１４を、プロセスガス供給源の導管１１４およびプロセスガス供給導管１１６を通してプロセスチャンバ１０２へと提供するように構成されることが企図される。ある特定の実施例では、プロセスガス供給源１０６は、シリコン含有ガスを含んでもよい。好適なシリコン含有ガスの例としては、シラン（ＳｉＨ４）、ジクロロシラン（ＤＣＳ）、およびトリクロロシラン（ＴＣＳ）が挙げられる。ある特定の実施例によると、プロセスガス供給源１０６は、ハロゲン化物含有ガスを含んでもよい。好適なハロゲン化物の例としては、塩素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）、および塩酸（ＨＣｌ）が挙げられる。また、ある特定の実施例によると、プロセスガス供給源１０６は、ゲルマニウム含有ガスまたはドーパント含有ガスを含んでもよいことも企図される。好適なゲルマニウム含有ガスの例としては、ゲルマン（ＧｅＨ４）が挙げられる。好適なドーパントの例としては、ホウ素（Ｂ）、ヒ素（Ａｒ）、およびリン（Ｐｈ）が挙げられる。
【0037】
通気源１０８は、通気導管１２０に接続され、そしてそれを通してガスシステム１０４に流体連結される。通気源１０８は、プロセスチャンバ１０２から流体的に分離され、またガスシステム１０４の１つ以上のプロセスガス搬送構造に通気を提供するように構成されることが企図される。ある特定の実施例では、通気源１０８は、ブロワーまたはファン１３２を含んでもよい。ブロワーまたはファン１３２は、ガスシステム１０４を通して通気ガス２８を引き出すように配置されてもよい。ブロワーまたはファン１３２はまた、半導体処理システム１００の配置に対して好適なように、ガスシステム１０４を通して通気ガス２８を駆動するように配置されてもよい。
【0038】
不活性ガス供給源１１０は、不活性ガス導管１１８に接続され、そしてそれを通して真空源１１２に流体連結される。ある特定の実施例では、不活性ガス供給源１１０は、ガスシステム１０４によって真空源１１２に流体連結されてもよい。ある特定の実施例によると、不活性ガス供給源１１０は、ガスシステム１０４から流体的に分離されてもよい。不活性ガス供給源１１０は、不活性ガス２０を含むことが企図される。ある特定の実施例では、不活性ガス２０は、高純度窒素（ＨＰＮ）などの窒素（Ｎ２）を含んでもよい。ある特定の実施例によると、不活性ガス２０は、希ガスを含んでもよい。好適な希ガスの例としては、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、およびそれらの混合物も挙げられる。
【0039】
真空源１１２は、フォアライン１２２に接続され、そしてそれを通してプロセスチャンバ１０２に流体連結される。真空源１１２はまた、不活性ガス導管１１８にも接続され、そしてそれを通して不活性ガス供給源１１０に流体連結される。真空源１１２は、排気導管１２４にさらに接続され、そしてそれを通して外部環境２２に流体連結される。ある特定の実施例では、真空源１１２は、スクラバおよび／または窒素酸化物除害装置などの除害装置１３４を通して外部環境２２に流体連結されてもよい。ある特定の実施例によると、排気導管１２４はまた、不活性ガス導管１１８にも接続されてもよく、これにより不活性ガス供給源１１０は真空源１１２と排気導管１２４との両方に接続される。ある特定の実施例によると、真空源１１２は、膜１２の基材１０の上への堆積中に、プロセスチャンバ１０２内に所定の堆積圧力を維持するように構成された真空源１１２を含んでもよいことが企図される。
【0040】
基材１０の上への膜１２の堆積中に、基材１０はプロセスチャンバ１０２内に支持され、また基材支持体１２６上に支持され、不活性ガス供給源１１０は不活性ガス２０を真空源１１２へと提供し、またプロセスガス供給源１０６はプロセスガス１４をプロセスチャンバ１０２へと提供する。プロセスチャンバ１０２は、プロセスガス１４を、膜１２を基材１０の上へと堆積させるために選択した所定の流量（例えば、質量流量または体積流量）で基材１０に全体にわたって流し、そしてその後、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６をフォアライン１２２へと発する。フォアライン１２２は、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６を真空源１１２へと流し、この真空源１１２は、不活性ガス供給源１１０から受容した不活性ガス２０を、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６と混合して、排気ガス１８を形成する。この点で、不活性ガス２０は、例えば、毒性および／または濃度を燃焼のために必要とされる濃度以下に低減することによって、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６に関連付けられた危険を制限（または除去）し、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６を排気導管１２４への連通に対して安全にする。本開示の点から見て当業者であれば理解し得るように、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６を安全な状態するために必要とされる不活性ガス２０の流量は、プロセスチャンバ１０２に提供される可能性があるプロセスガス１４の最大流量を考慮して選択される。典型的には、不活性ガス２０の流量は、基材１０の上への膜１２の堆積中にプロセスチャンバ１０２に通常提供されるプロセスガス１４のより小さい流量ではなく、プロセスガス計量弁１３８（図２に示す）の流量定格１３６（図２に示す）および／またはプロセスガス供給源導管１１４に沿って配置された開口プレート１４０（図２に示す）に対応する。万が一、プロセスガス計量弁１３８が全開位置に移動する（または固定される）場合でも、排気ガス１８が安全にされることを確保するためである。これも本開示の点から見て当業者によって理解され得るように、これは概して、不活性ガス２０の真空源１１２への流量が、膜１２の基材１０の上への堆積中にプロセスチャンバ１０２によって必要とされる流量より大きいことを意味する。これも当業者によって理解されるように、これは、半導体処理システム１００の操業コストを、別の方法で必要なものより高くし、かつ／または通気源１０８および／もしくは除害装置１３４などの半導体処理システム１００のある特定の要素を別の方法で必要とされるものよりも大きなものにさせる。半導体処理システム１００のこうした操業コストを制限し、かつ／または半導体処理システム１００の安全性を強化するために、ガスシステム１０４は、フロースイッチ１４２を含む。
【0041】
図２を参照すると、ガスシステム１０４が示されている。ガスシステム１０４は、プロセスガス計量弁１３８、フロースイッチ１４２、エンクロージャ１４４、および遮断弁１４６を含む。プロセスガス計量弁１３８は、エンクロージャ１４４内に配置され、またプロセスガス１４を半導体処理システム１００（図１に示す）のプロセスチャンバ１０２（図１に示す）へと流すように構成される。遮断弁１４６は、プロセスガス計量弁１３８に接続され、またプロセスガス計量弁１３８をプロセスガス供給源１０６（図１に示す）から流体的に分離するように構成される。フロースイッチ１４２は、遮断弁１４６に動作可能に接続され、またフロースイッチ１４２を横断するガス（プロセスガス１４または不活性ガス２０（図１に示す））の流れに従って、遮断弁１４６を使用して半導体処理システム１００のプロセスチャンバ１０２へのプロセスガス１４の流れを停止するように構成される。
【0042】
ある特定の実施例では、エンクロージャ１４４は、エンクロージャ１４４の内部が通気源１０８に流体連結されるように、通気導管１２０（図１に示す）に接続されてもよい。本開示の点から見て当業者であれば理解し得るように、通気源１０８への流体連結は、通気源１０８が、エンクロージャ１４４の内部に配置されたガス搬送構造（例えば、プロセスガス計量弁１３８）を通気することを可能にする。この点で、通気源１０８は、エンクロージャ１４４の内部を通して通気ガス２８（図１に示す）を駆動してもよい（または引き出してもよい）。ある特定の実施例では、エンクロージャ１４４は、ガスキャビネット構造を含んでもよい。好適なガスキャビネット構造の例としては、ＣＶＤ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（米国ニューヨーク州セントラル・アイスリップ）から入手可能であるＦｉｒｓｔＮａｎｏ（登録商標）ガスキャビネットが挙げられる。
【0043】
プロセスガス計量弁１３８は、プロセスガス供給導管１１６に接続され、またプロセスチャンバ１０２（図１に示す）をプロセスガス供給源１０６（図１に示す）に流体連結する。ある特定の実施例では、プロセスガス計量弁１３８の流量定格１３６は、プロセスガス計量弁１３８がプロセスチャンバ１０２へと流れる場合があるプロセスガス１４の最大流量（例えば、質量流量または体積流量）に対応する。プロセスガス計量弁１３８の流量定格１３６は、膜１２（図１に示す）の基材（図１に示す）１０の上への堆積のために必要とされるプロセスガス１４の通常の堆積流量より大きいことが企図される。例えば、流量定格１３６は、膜１２を基材１０の上へと堆積させるために用いられるプロセスの公称堆積流量の２～５倍、または公称堆積流量の１．５～１０倍、または公称堆積流量の１．２５～２０倍の間であってさえもよい。
【0044】
ある特定の実施例では、プロセスガス計量弁１３８は、質量流れコントローラ（ＭＦＣ）１４８を含んでもよい。こうした実施例では、ＭＦＣ １４８は、質量流れメーター（ＭＦＭ）１５０およびサーボ制御弁１５２を含んでもよい。サーボ制御弁１５２は、ＭＦＭ １５０をプロセスガス供給導管１１６へと流体連結し、かつプロセスガス１４（図１に示す）のプロセスチャンバ１０２（図１に示す）への質量流れを変化させるように配置されてもよい。ＭＦＭ １５０は次に、プロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流量をモニターするためにサーボ制御弁１５２をプロセスチャンバ１０２に流体連結し、膜１２（基材１０）の基材１０の上への堆積中に流量を所定の堆積流量と比較し、そしてプロセスガス１４の流量を所定の堆積流量へと駆動してもよい（図１に示す）。好適なＭＦＣ装置の例としては、Ｏｍｅｇａ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ， Ｉｎｃ．（米国コネチカット州ノーウォーク）から入手可能なＭＦＣ装置、ＦＭＡ－ＬＰ２６００Ａが挙げられる。好適なＭＦＭ装置の例としては、Ｏｍｅｇａ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ， Ｉｎｃ．（米国コネチカット州ノーウォーク）から入手可能なＭＦＭ装置、ＦＭＣ－５５０１ＬＡが挙げられる。プロセスガス計量弁１３８の特定の配置が図２に示されるが、他のタイプのプロセスガス計量弁、例えば、手動弁および異なる方法で作動される弁が使用されてもよく、また本開示の範囲内にとどまることが理解され、認識されるべきである。
【0045】
遮断弁１４６は、プロセスガス供給源１０６（図１に示す）とプロセスガス計量弁１３８との間の選択的な流体連通を提供するように構成される。この点で、遮断弁１４６は、プロセスガス供給源導管１１４に接続され、そしてそれを通してプロセスガス供給源１０６に流体連結されてもよい。さらなる点で、遮断弁１４６が、通常開放配置を有し、遮断弁１４６はそれによってプロセスガス供給源１０６をプロセスガス計量弁１３８に流体連結することが企図される。ある特定の実施例では、遮断弁１４６は、エンクロージャ１４４内に配置されてもよい。ある特定の実施例によると、遮断弁１４６は、エンクロージャ１４４の外側に配置されてもよい。ある特定の実施例によると、遮断弁１４６は、プロセスチャンバ１０２（図１に示す）によって採用される堆積プロセスに従ってフロースイッチ１４２ともに遮断弁１４６のキットを作るために、ハウジング１５４（例えば、施設ハウジング）内に配置されてもよいことも企図される。好適な遮断弁の例としては、Ｐａｒｋｅｒ－Ｈａｎｎｉｆｉｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（米国オハイオ州クリーブランド）から入手可能な９３０シリーズ超高純度弁が挙げられる。
【0046】
フロースイッチ１４２は、フロースイッチ１４２を通るガスの流量に従って、プロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２（図１に示す）への流れを制御するために、ガス供給源に流体連結される。この点で、フロースイッチ１４２は、フロースイッチ１４２がフロースイッチ１４２を横断するガスの流量を遮断トリガ１５６と比較するように構成され、またフロースイッチ１４２が、フロースイッチ１４２を横断するガスの流量（例えば、質量流量または体積流量）の遮断トリガ１５６と比較に基づいて、遮断信号１５８を提供するようにさらに構成される、遮断トリガ１５６を有することが企図される。フロースイッチ１４２と遮断弁１４６との動作的関連は、フロースイッチ１４２が遮断信号１５８を提供する時に遮断弁１４６が閉鎖するようなものであることがさらに企図される。好適なフロースイッチの例としては、Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｓｅｎｓｏｒｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（米国コネチカット州ミルフォード）から入手可能なＶ８Ｆシリーズフロースイッチが挙げられる。
【0047】
ある特定の実施例では、フロースイッチ１４２は、プロセスガス供給源１０６（図１に示す）に流体連結されてもよく、そしてフロースイッチ１４２を横断するプロセスガス１４の流れが遮断トリガ１５６より大きい時に、遮断トリガ１５６を提供するように構成されてもよい。ある特定の実施例によると、遮断トリガ１５６は、プロセスガス計量弁１３８の流量定格１３６より小さくてもよい。有利なことに、フロースイッチ１４２の遮断トリガ１５６がプロセスガス計量弁１３８の流量定格１３６より小さいガスシステム１０４の実施例は、半導体処理システム１００によって必要とされる不活性ガス２０の流量を制限する場合があり、これに釣り合って半導体処理システム１００の動作に関連付けられたコストを制限する場合がある。半導体処理システム１００によって必要とされる不活性ガス２０の流量を制限することは、例えば、必要とされる通気および／または除害を制限し、通気源１０８（図１に示す）および／または除害装置１３４（図１に示す）に関連付けられるコストを制限することによって、半導体処理システム１００のコストも低減する場合がある。ある特定の実施例によると、フロースイッチ１４２は、不活性ガス供給源１１０（図１に示す）に流体連結されてもよく、そして、不活性ガス２０の流れが遮断トリガ１５６より小さい、遮断トリガ１５６を提供するように構成されてもよい。有利なことに、こうした実施例では、フロースイッチ１４２は、万が一不活性ガス２０の流量が、プロセスチャンバ１０２によって発せられる残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６の流れを不活性化するために必要とされるより少ない場合に、遮断弁１４６を閉鎖することによって、半導体処理システム１００の安全性を強化する。本開示の点から見て当業者であれば理解し得るように、これは、万が一不活性ガス２０の真空源１１２への流れが中断された場合に、プロセスガス１４をプロセスチャンバ１０２へと流し続ける可能性を低減（または除去）する。
【0048】
ある特定の実施例によると、ガスシステム１０４は、リレー１６０を含んでもよい。こうした実施例では、リレー１６０は、フロースイッチ１４２を遮断弁１４６へと動作可能に接続してもよい。リレー１６０は、フロースイッチ１４２が遮断信号１５８を提供する時に、遮断弁１４６を閉鎖するように構成されてもよい。リレー１６０は、例えば、エンクロージャ１４４の内部の同一場所に配置されてもよい。リレー１６０は、エンクロージャ１４４の外側に配置されてもよい。リレー１６０が、ハウジング１５４内に配置されてもよいことも企図される。有利なことに、リレー１６０の採用は、２つ以上のフロースイッチを採用するガスシステム１０４の実施例におけるガス流をモニターする複数のフロースイッチのうちのいずれか１つに応答して、遮断弁１４６の閉鎖を可能にする。例えば、フロースイッチ１４２は、フロースイッチ１４２を横断するガスの流量と遮断トリガ１５６の比較に基づいて、０ボルトに降下する２４ボルトＤＣ出力を提供し、リレー１６０に印加された２４ボルトＤＣ出力のうちの１つ（または１つ以上）が０ボルトに降下した時、リレー１６０が遮断弁１４６を閉鎖するように配置されてもよい。好適なリレーの実施例としては、オムロン株式会社（日本国、京都）から入手可能なＧ９ＳＡ安全リレーユニットが挙げられる。
【0049】
また、ある特定の実施例によると、ガスシステム１０４は、コントローラ１６２を含んでもよいことも企図される。コントローラ１６２は、フロースイッチ１４２を遮断弁１４６に動作可能に接続してもよく、またフロースイッチ１４２が遮断信号１５８を提供する時に、遮断弁１４６を閉鎖するように構成されてもよい。ある特定の実施例では、コントローラ１６２は、エンクロージャ１４４の内部に配置されてもよい。ある特定の実施例によると、コントローラ１６２は、エンクロージャ１４４の外側に配置されてもよい。また、ある特定の実施例によると、コントローラ１６２が、ハウジング１５４内に配置されてもよいことも企図される。有利なことに、コントローラ１６２の採用は、非限定的な例としてのフロースイッチ出力電圧のモニターなどの、オペレーター警報および／またはログ記録などの遮断弁１４６の閉鎖に関連して、ガスシステム１０４が追加的な機能を提供することを可能にする。好適なコントローラの実施例としては、Ｂｅｃｋｈｏｆｆ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐａｎｙ（ドイツ国フェルル）から入手可能なＥＫ１９６０ Ｔｗｉｎｓａｆｅ安全コントローラが挙げられる。
【0050】
図３を参照すると、ガスシステム２０４を含む実施例に従って半導体処理システム１００が示される。ガスシステム２０４は、ガスシステム１０４（図１に示す）と同様であり、また追加的にプロセスガスフロースイッチ２４２を含む。プロセスガスフロースイッチ２４２は、プロセスガス遮断トリガ２５６を有し、プロセスガス供給源１０６に接続され、またプロセスガス供給源１０６を遮断弁１４６に流体連結する。プロセスガスフロースイッチ２４２は、プロセスガスフロースイッチ２４２を通るプロセスガス１４の流量がプロセスガス遮断トリガ２５６より大きい時、例えば、プロセスガス１４の流量がプロセスガス遮断トリガ２５６を上回って上昇する時、プロセスガス遮断信号２５８が、プロセスガス遮断トリガ２５６より大きいプロセスガス流量において遮断弁１４６の閉鎖を促す時、プロセスガスフロースイッチ２４２がプロセスガス遮断信号２５８を提供するように構成されることが企図される。
【0051】
基材１０の上への膜１２の堆積中、プロセスガス供給源１０６は、プロセスガスフロースイッチ２４２へとプロセスガス１４を提供し、通気源１０８は、エンクロージャ１４４の内部を通気ガス２８で通気し、そして不活性ガス供給源１１０は不活性ガス２０を真空源１１２に提供する。プロセスガス１４がプロセスガスフロースイッチ２４２を横断する際に、プロセスガスフロースイッチ２４２は、プロセスガス１４の流量をプロセスガス遮断トリガ２５６と比較する。プロセスガス１４の流量がプロセスガス遮断トリガ２５６より小さい時、遮断弁１４６は開放したままであり、そしてプロセスガス１４は、遮断弁１４６およびプロセスガス計量弁１３８を通してプロセスチャンバ１０２へと流れる。プロセスガス１４の流量がプロセスガス遮断トリガ２５６より大きい場合、プロセスガスフロースイッチ２４２は、プロセスガス遮断信号２５８を提供する。プロセスガス遮断信号２５８は、存在する場合、遮断弁１４６を閉鎖させる。遮断弁１４６の閉鎖は、次にプロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れを停止させ、プロセスチャンバ１０２からの残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６の発出を停止する。本開示の点から見て当業者であれば理解し得るように、これは、プロセスガスフロースイッチ２４２のプロセスガス遮断トリガ２５６とプロセスガス計量弁１３８の流量定格１３６との間の差異に従って、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６の真空ポンプへの流量を制限する場合がある。
【0052】
有利なことに、プロセスガスフロースイッチ２４２は、プロセスガス遮断トリガ２５６とプロセスガス計量弁１３８の流量定格１３６との間の差と釣り合って、プロセスチャンバ１０２によって必要とされる不活性ガス２０の流量を減少させてもよい。ある特定の実施例では、プロセスガス遮断トリガ２５６は、プロセスガス計量弁１３８の流量定格１３６より小さい場合がある。例えば、プロセスガス遮断トリガ２５６は、流量定格１３６の約１０％～約９０％、または流量定格１３６の約３０％～約８０％、または流量定格１３６の約５０％～約７０％であってもよい。プロセスガスフロースイッチ２４２のプロセスガス遮断トリガ２５６を、プロセスガス計量弁１３８の流量定格１３６より小さくなるようにサイズ設定することは、プロセスガスフロースイッチ２４２とプロセスガス遮断トリガ２５６との協働に起因して、プロセスチャンバ１０２によって必要とされる不活性ガス２０の流量を、プロセスガス計量弁１３８の流量定格１３６よりも小さくすることを可能にし、不活性ガスの消費量を制限し、かつ半導体処理システム１００の操業コストを低減する。プロセスガスフロースイッチ２４２と遮断弁１４６との協働はまた、例えば、プロセスレシピがプロセスガス計量弁１３８を全開位置へと駆動する場合などに、膜１２を基材１０の上へと堆積させるために必要とされる流量を超える流量でプロセスガス１４がプロセスチャンバ１０２へと流れるのを防止することによって、半導体処理システム１００の安全性も強化する場合がある。また、プロセスガスフロースイッチ２４２と遮断弁１４６との協働は、エンクロージャ１４４を通気するために必要とされる通気ガス２８の流量および／または除害装置１３４の容量も制限する場合がある。
【0053】
図４を参照すると、ガスシステム３０４を含む実施例に従って半導体処理システム１００が示される。ガスシステム３０４は、ガスシステム１０４（図１に示す）と同様であり、そして追加的に第一のプロセスガスフロースイッチ３４２、第二のプロセスガスフロースイッチ３６０、第一の遮断弁３４６、および第二の遮断弁３６２を含む。第一のプロセスガスフロースイッチ３４２および第一の遮断弁３４６は、第一のプロセスガス供給源３０６を第一のプロセスガス計量弁３３８を通してプロセスチャンバ１０２に流体連結する。第二のプロセスガスフロースイッチ３６０および第二の遮断弁３６２は、第二のプロセスガス供給源３６４を第二のプロセスガス計量弁３６６を通してプロセスチャンバ１０２に流体連結する。
【0054】
第一のプロセスガスフロースイッチ３４２が、第一のプロセスガス遮断トリガ３５６を有することが企図される。第一のプロセスガスフロースイッチ３４２を横断する第一のプロセスガス１４の流量が第一のプロセスガス遮断トリガ３５６より大きい時に、第一のプロセスガスフロースイッチ３４２が、第一のプロセスガス遮断信号３５８を提供するように構成されることも企図される。第二のプロセスガスフロースイッチ３６０が、第二のプロセスガス遮断トリガ３６８を有し、また第二のプロセスガス２４の流量が第二のプロセスガス遮断トリガ３６８より大きい時に、第二のプロセスガス遮断信号３７０を提供するように構成されることがさらに企図される。２つのプロセスガス供給源および関連付けられたフロースイッチが例示された実施例に示されるが、ガスシステム３０４の例は、３つ以上のプロセスガスフロースイッチおよび関連付けられた遮断弁を有してもよく、また本開示の範囲内にとどまることが理解され、認識されるべきである。
【0055】
基材１０の上への膜１２の堆積中に、第一のプロセスガス供給源３０６は、第一のプロセスガス１４を第一のプロセスガスフロースイッチ３４２へと提供し、また第二のプロセスガス供給源３６４は、第二のプロセスガス２４を第二のプロセスガスフロースイッチ３６０へと提供する。第一のプロセスガス１４が第一のプロセスガスフロースイッチ３４２を横断する際に、第一のプロセスガスフロースイッチ３４２は、第一のプロセスガス１４の流量を第一のプロセスガス遮断トリガ３５６と比較する。第一のプロセスガス１４の流量が第一のプロセスガス遮断トリガ３５６より小さい時、第一の遮断弁３４６は開放したままであり、そして第一のプロセスガス１４は、第一の遮断弁３４６および第一のプロセスガス計量弁３３８を通してプロセスチャンバ１０２へと流れる。同様に、第二のプロセスガスが第二のプロセスガスフロースイッチ３６０を横断する際、第二のプロセスガスフロースイッチ３６０は、第二のプロセスガス２４の流量を第二のプロセスガス遮断トリガ３６８と比較し、そして第二のプロセスガス２４の流量が第二のプロセスガス遮断トリガ３６８より小さい時、第二の遮断弁３６２は開放したままになる場合がある。
【0056】
第一のプロセスガス１４の流量が第一のプロセスガス遮断トリガ３５６より大きい場合、第一のプロセスガスフロースイッチ３４２は、第一のプロセスガス遮断信号３５８を提供する。第一のプロセスガス遮断信号３５８は、存在する場合、少なくとも第一の遮断弁３４６を閉鎖させる。第一の遮断弁３４６の閉鎖は、次に、第一のプロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れを停止させ、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６のプロセスチャンバ１０２から真空源１１２への発出はその後停止する。ある特定の実施例では、第一のプロセスガス遮断信号３５８はまた、第二の遮断弁３６２も閉鎖させる場合があり、第二のプロセスガス２４に関連付けられた残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６のプロセスチャンバ１０２からの発出も停止させる場合がある。
【0057】
同様に、第二のプロセスガス２４の流量が第二のプロセスガス遮断トリガ３６８より大きい時、第二のプロセスガスフロースイッチ３６０は、第二のプロセスガス遮断信号３７０を提供する。第二のプロセスガス遮断信号３７０は、存在する場合、少なくとも第二の遮断弁３６２を閉鎖させる。第二の遮断弁３６２の閉鎖は、次に、第二のプロセスガス２４のプロセスチャンバ１０２への流れを停止させ、第二のプロセスガス２４に関連付けられた残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６のプロセスチャンバ１０２からの発出はその後停止する。ある特定の実施例では、第二のプロセスガス遮断信号３７０はまた、第二の遮断弁３６２も閉鎖させる場合があり、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６のプロセスチャンバ１０２からの発出も停止させる場合がある。
【0058】
有利なことに、上記のように、第一のプロセスガスフロースイッチ３４２および第二のプロセスガスフロースイッチ３６０は、プロセスチャンバ１０２によって必要とされる不活性ガス２０の流量を減少させる場合がある。例えば、第一のプロセスガス遮断トリガ３５６は、第一のプロセスガス計量弁３３８の第一の流量定格３３６より小さくてもよく、また第二のプロセスガス遮断トリガ３６８は、第二のプロセスガス計量弁３６６の第二の流量定格３７２より小さくてもよい。こうしたサイズ設定は、第一のプロセスガス１４および／または第二のプロセスガス２４のいずれか（もしくは両方）の流量が、プロセスガスの各々によって横断されるフロースイッチの遮断トリガを超える場合、プロセスガスフロースイッチと関連付けられた遮断弁との上述の協働に起因して、プロセスチャンバ１０２によって必要とされる不活性ガス２０の流量を、第一の流量定格３３６および第二の流量定格３７２によって別の方法で必要とされる流量より小さくすることを可能にする。プロセスガスフロースイッチと遮断弁との協働はまた、例えば、いずれかのプロセスガスの流量がそれぞれのフロースイッチの遮断トリガを超える場合に、プロセスチャンバ１０２への第一のプロセスガス１４および第二のプロセスガス２４の両方の流れを停止することによって、半導体処理システム１００の安全性も強化する場合がある。
【0059】
図５を参照すると、ガスシステム４０４を含む実施例に従って半導体処理システム１００が示される。ガスシステム４０４は、ガスシステム１０４（図１に示す）と同様であり、また追加的に不活性ガスフロースイッチ４４２を含む。不活性ガスフロースイッチ４４２は、不活性ガス供給源１１０に接続され、不活性ガス供給源１１０を真空源１１２に流体連結し、また不活性ガスフロースイッチ４４２を横断する不活性ガス２０の流量に従ってプロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れを制御するように構成される。この点で、不活性ガスフロースイッチ４４２は、不活性ガス遮断トリガ４５６を有し、また不活性ガスフロースイッチ４４２を横断する不活性ガス２０の流量が、不活性ガス遮断トリガ４５６より小さい時、例えば、不活性ガス２０の流量が不活性ガス遮断トリガ４５６を下回って降下する時に、不活性ガス遮断信号４５８を提供して、遮断弁１４６の閉鎖を促すように構成される。不活性ガス遮断トリガ４５６は、膜１２の基材１０の上への堆積中にプロセスチャンバ１０２によって発出された残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６を不活性化するのに不活性ガス２０の流量が不十分な時に、不活性ガスフロースイッチ４４２が遮断弁１４６を閉鎖するように選択されることが企図される。
【0060】
膜１２の基材１０の上への堆積中に、不活性ガス供給源１１０は、不活性ガス２０を真空源１１２へと提供し、またプロセスガス供給源１０６は、プロセスガス１４を遮断弁１４６およびプロセスガス計量弁１３８を通してプロセスチャンバ１０２へと提供する。プロセスチャンバ１０２は、次に膜１２を基材１０の上へと堆積させるためにプロセスガス１４を基材１０全体にわたって流し、そしてその後、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６をフォアライン１２２へ、そしてそれを通して真空源１１２へと発出する。真空源１１２は、不活性ガス供給源１１０によって提供される不活性ガス２０を残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６の中へと導入して、排気ガス１８を形成する。本開示の点から見て当業者であれば理解し得るように、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６の中への不活性ガス２０の導入は、そうでなければ残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６に関連付けられる危険を制限する（または除去する）。これも本開示の点から見て当業者であれば理解し得るように、これは、排気導管１２４を通って排気ガス１８を除害装置１３４へと流すために安全にする。
【0061】
不活性ガス２０が不活性ガスフロースイッチ４４２を横断する際に、不活性ガスフロースイッチ４４２は、不活性ガス２０の流量を不活性ガス遮断トリガ４５６と比較する。不活性ガス２０の流量が不活性ガス遮断トリガ４５６より大きい場合、不活性ガスフロースイッチ４４２は何の動作もせず、遮断弁１４６は開放したままであり、またプロセスガス１４は遮断弁１４６とプロセスガス計量弁１３８との両方を通してプロセスチャンバ１０２へと流れる。不活性ガス２０の流量が、不活性ガス遮断トリガ４５６より小さい時、例えば、万が一不活性ガス２０の流れが、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６を除害装置１３４へと安全に流すためには不十分である場合、不活性ガスフロースイッチ４４２は、不活性ガス遮断信号４５８を提供する。不活性ガス遮断信号４５８は、存在する場合、遮断弁１４６を閉鎖させる。遮断弁１４６の閉鎖は、次にプロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れ、およびプロセスチャンバ１０２からの残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６の発出を停止する。本開示の点から見て当業者であれば理解し得るように、これは、真空源１１２および／または除害装置１３４を通して流れる間に、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６に潜在的に関連付けられる危険を制限（または除去）する。本開示の点から見て当業者であれば理解し得るように、不活性ガスフロースイッチ４４２と遮断弁１４６との協働は、半導体処理システム１００の安全性をさらに強化する場合がある。
【0062】
図６を参照すると、ガスシステム５０４を含む実施例に従って半導体処理システム１００が示される。ガスシステム５０４は、ガスシステム１０４（図１に示す）と同様であり、また追加的に第一の不活性ガスフロースイッチ５４２および第二の不活性ガスフロースイッチ５６４を含む。第一の不活性ガスフロースイッチ５４２は、不活性ガス供給源１１０に接続され、不活性ガス供給源１１０を真空源１１２に流体連結し、また第一の不活性ガスフロースイッチ５４２を通り、かつ真空源１１２への不活性ガス２０の第一の部分の流量に従って、プロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れを制御するように構成される。第二の不活性ガスフロースイッチ５６４もまた、不活性ガス供給源１１０に接続され、不活性ガス供給源１１０を排気導管１２４に流体連結し、そして第二の不活性ガスフロースイッチ５６４を通り、かつ排気導管１２４への不活性ガス２０の第二の部分の流量に従ってプロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れを制御するように構成される。
【0063】
第一の不活性ガスフロースイッチ５４２および第二の不活性ガスフロースイッチ５６４は、第一の不活性ガス遮断トリガ５５６および第二の不活性ガス遮断トリガ５６６を使用して、プロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れを制御することが企図される。この点で、第一の不活性ガスフロースイッチ５４２は、不活性ガス２０の真空源１１２への第一の部分の流量を、第一の不活性ガス遮断トリガ５５６と比較し、流量が第一の不活性ガス遮断トリガ５５６より大きい時は、何の動作もせず、また不活性ガス２０の第一の部分の流量が第一の不活性ガス遮断トリガ５５６より小さい時は、第一の不活性ガス遮断信号５５８を提供する。さらなる点で、第二の不活性ガスフロースイッチ５６４は、同様に、不活性ガス２０の排気導管１２４への第二の部分の流量を、第二の不活性ガス遮断トリガ５６６と比較し、流量が第二の不活性ガス遮断トリガ５６６より大きい時は、何の動作もせず、また不活性ガス２０の第二の部分の流量が第二の不活性ガス遮断トリガ５６６より小さい時は、第二の不活性ガス遮断信号５６８を提供する。本開示の点から見て当業者であれば理解し得るように、第一の不活性ガス遮断信号５５８および／または第二の不活性ガス遮断信号５６８の提供は、遮断弁１４６を閉鎖させる。遮断弁１４６の閉鎖は、次にプロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れ、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６の発出をその後停止する。
【0064】
膜１２の基材１０の上への堆積中に、不活性ガス供給源１１０は、不活性ガス２０の第一の部分および第二の部分をそれぞれ真空源１１２および排気導管１２４へと提供し、またプロセスガス供給源１０６は、プロセスガス１４をプロセスチャンバ１０２へと提供する。プロセスチャンバ１０２は、膜１２を基材１０の上へと堆積させるためにプロセスガス１４を基材１０全体にわたって流し、そしてその後、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６をフォアライン１２２へと発出する。フォアライン１２２は、次に残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６を真空源１１２へと流し、この真空源１１２は、不活性ガス２０の第一の部分を、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６へと導入して、真空源１１２が排気導管１２４へと提供する排気ガス１８を形成する。排気導管１２４は、不活性ガス２０の第二の部分を、例えば、排気導管１２４に沿って配置されるユニオンにおいて、排気ガス１８へと導入し、そしてさらに希釈された排気ガス１８を除害装置１３４へと流す。本開示の点から見て当業者であれば理解し得るように、不活性ガス２０を第一の部分および第二の部分へと分割することは、真空源１１２のサイズ設定を制限し、一方で、別の方法で残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６に関連付けられた潜在的な危険を制限する（または除去する）。
【0065】
不活性ガス２０の第一の部分が第一の不活性ガスフロースイッチ５４２を横断する際に、第一の不活性ガスフロースイッチ５４２は、不活性ガス２０の第一の部分の流量を第一の不活性ガス遮断トリガ５５６と比較する。同時に、不活性ガス２０の第二の部分が第二の不活性ガスフロースイッチ５６４を横断する際に、第二の不活性ガスフロースイッチ５６４は、不活性ガス２０の第二の部分の流量を第二の不活性ガス遮断トリガ５６６と比較する。不活性ガス２０の第一の部分および第二の部分の両方の流量が、第一の不活性ガス遮断トリガ５５６および第二の不活性ガス遮断トリガ５６６より大きい時は、第一の不活性ガスフロースイッチ５４２および第二の不活性ガスフロースイッチ５６４のいずれによっても何の動作もせず、遮断弁１４６は開放したままであり、またプロセスガス１４は遮断弁１４６とプロセスガス計量弁１３８との両方を通してプロセスチャンバ１０２へと流れる。不活性ガス２０の第一の部分および／または第二の部分の流量が、第一の不活性ガス遮断トリガ５５６および／または第二の不活性ガス遮断トリガ５６６のそれぞれより小さい時、第一の不活性ガス遮断信号５５８および／または第二の不活性ガス遮断信号５６８が、第一の不活性ガスフロースイッチ５４２および／または第二の不活性ガスフロースイッチ５６４によって提供される。第一の不活性ガス遮断信号５５８および第二の不活性ガス遮断信号５６８のいずれか（または両方）は、存在する場合、遮断弁１４６を閉鎖させる。遮断弁１４６の閉鎖は、次にプロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れを停止し、プロセスチャンバ１０２からの残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６の発出をその後停止する。上記のように、これは、真空源１１２および／または排気導管１２４を通して流れる間に残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６によって別の方法で潜在的に提示される危険を制限（または除去）し、半導体処理システム１００の安全性を強化する。
【0066】
図７を参照すると、ガスシステム６０４を含む実施例に従って半導体処理システム１００が示される。ガスシステム６０４は、ガスシステム１０４（図１に示す）と同様であり、また追加的にプロセスガスフロースイッチ６４２および不活性ガスフロースイッチ６６４を含む。プロセスガスフロースイッチ６４２は、プロセスガス供給源１０６に接続され、遮断弁１４６およびプロセスガス計量弁１３８を通して不活性ガス供給源１１０をプロセスチャンバ１０２に流体連結し、そしてプロセスガスフロースイッチ６４２を横断するプロセスガス１４の流量に従ってプロセスチャンバ１０２へのプロセスガス１４の流れを制御するように構成される。この点で、プロセスガスフロースイッチ６４２は、プロセスガス遮断トリガ６５６を有し、またプロセスガスフロースイッチ６４２を横断するプロセスガス１４の流量がプロセスガス遮断トリガ６５６より大きい時に、プロセスガス遮断信号６５８を提供するように構成される。プロセスガス遮断信号６５８（存在する場合）は、遮断弁１４６を閉鎖させ、プロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れを停止する。プロセスガスフロースイッチ６４２を横断するプロセスガス１４の流量がプロセスガス遮断トリガ６５６を超えない場合、プロセスガスフロースイッチ６４２はプロセスガス遮断信号６５８を提供せず、そしてプロセスガス１４はプロセスチャンバ１０２へと流れてもよい。
【0067】
不活性ガスフロースイッチ６６４は、不活性ガス供給源１１０に接続され、不活性ガス供給源１１０を真空源１１２に流体連結し、そして不活性ガスフロースイッチ６６４を横断する不活性ガス２０の流れに従ってプロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れを制御するように構成される。この点で、不活性ガスフロースイッチ６６４は、不活性ガス２０の流量を不活性ガス遮断トリガ６６６と比較し、不活性ガス２０の流量が不活性ガス遮断トリガ６６６より大きい時は、何の動作もせず、また不活性ガス２０の流量が不活性ガス遮断トリガ６６６より小さい時は、不活性ガス遮断信号６６８を提供する。不活性ガス遮断信号６６８は、存在する場合、遮断弁１４６を閉鎖させ、プロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れを停止する。本開示の点から見て当業者であれば理解し得るように、不活性ガス２０の流量が、不活性ガス遮断トリガ６６６よりも小さい時に、プロセスチャンバ１０２へのプロセスガス１４の流れを停止させることは、万が一不活性ガス供給源１１０が、不活性ガス２０の十分な流れを真空源１１２および／または排気導管１２４に提供することができない場合に、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６と別の方法で関連付けられる場合がある危険を制限（または除去）する。
【0068】
膜１２の基材１０の上への堆積中に、不活性ガス供給源１１０は、不活性ガスフロースイッチ６６４を通して不活性ガス２０を真空源１１２へと提供し、またプロセスガス供給源１０６は、プロセスガス１４をプロセスガスフロースイッチ６４２および遮断弁１４６を通してプロセスチャンバ１０２へと提供する。プロセスチャンバ１０２は、次に、膜１２を基材１０の上へと堆積させるために、プロセスガス１４を基材１０全体にわたって流し、そしてその後、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６をフォアライン１２２へと発する。フォアライン１２２は、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６を真空源１１２へと流し、真空源１１２は次に不活性ガス２０を残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６へと導入して、排気ガス１８を形成する。本開示の点から見て当業者であれば理解し得るように、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６の中への不活性ガス２０の導入は、排気ガス１８を除害装置１３４へと流す前に、別の方法で残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６に関連付けられる危険を制限する（または除去する）。
【0069】
プロセスガス１４がプロセスガスフロースイッチ６４２を横断する際に、プロセスガスフロースイッチ６４２は、プロセスガス１４の流量をプロセスガス遮断トリガ６５６と比較する。プロセスガス１４の流量がプロセスガス遮断トリガ６５６より大きい時、プロセスガスフロースイッチ６４２は、プロセスガス遮断信号６５８を提供し、プロセスガス遮断信号６５８は、遮断弁１４６（存在する場合）を閉鎖し、そしてプロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れを停止する。プロセスガス１４の流量がプロセスガス遮断トリガ６５６より小さい時、プロセスガスフロースイッチ６４２は何の動作もせず、そしてプロセスガス１４の流れは、プロセスチャンバ１０２へと遮断弁１４６およびプロセスガス計量弁１３８を通り続けてもよい。プロセスガスフロースイッチ６４２のプロセスガス遮断トリガ６５６は、プロセスガス計量弁１３８の流量定格１３６より小さく、半導体処理システム１００によって必要とされる不活性ガス２０の流量を制限することによって、半導体処理システム１００の流量操業コストを制限することが企図される。
【0070】
不活性ガス２０が不活性ガスフロースイッチ６６４を横断する際に、不活性ガスフロースイッチ６６４は、不活性ガス２０の流量を不活性ガス遮断トリガ６６６と比較する。不活性ガス２０の流量が不活性ガス遮断トリガ６６６より大きい時、不活性ガスフロースイッチ６６４は何の動作もせず、そしてプロセスチャンバ１０２へと遮断弁１４６およびプロセスガス計量弁１３８を通るプロセスガス１４の流れは、継続してもよい。不活性ガス２０の流量が、不活性ガス遮断トリガ６６６より小さい時、例えば、万が一不活性ガス供給源１１０からの不活性ガス２０の流れが中断した場合、不活性ガスフロースイッチ６６４は、不活性ガス遮断信号６６８を提供する。不活性ガス遮断信号６６８（存在する場合）は、遮断弁１４６を閉鎖させ、プロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れをその後停止する。上記のように、遮断弁１４６を閉鎖することは、不活性ガス２０の流量が、別の方法で残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６に関連付けられる危険を制限（または除去）するために不十分である場合に、プロセスガス１４のプロセスチャンバ１０２への流れを停止することによって残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６のフォアライン１２２への、およびそれを通して真空源１１２への発出を防止し、半導体処理システム１００の安全性を強化する。特に、プロセスガスフロースイッチ６４２および不活性ガスフロースイッチ６６４と遮断弁１４６との協働は、半導体処理システムによって必要とされる不活性ガスを低減することによって、操業コストを制限し、半導体処理システム１００によって必要とされる通気を制限し、除害装置１３４へと提供される排気ガス１８の流量を制限し、かつ／または半導体処理システム１００の安全性を強化する場合がある。
【0071】
図８を参照すると、ガス流制御方法７００が示されている。ボックス７１０で示すように、ガス、例えば、プロセスガス１４（図１に示す）または不活性ガス２０（図１に示す）が、フロースイッチ、例えば、フロースイッチ１４２（図２に示す）へと提供される。ボックス７２０で示すように、フロースイッチは、ガスの流量を、フロースイッチの遮断トリガ、例えば、遮断トリガ１５６（図２に示す）と比較する。流量が所定の範囲内にある時、ボックス７３０、矢印７３２、およびボックス７４０で示すように、プロセスガスは、プロセスチャンバ、例えば、プロセスチャンバ１０２（図１に示す）へと流れる。ボックス７５０で示すように、プロセスガスを使用して、膜が、プロセスチャンバ内で支持された基材の上へと、例えば、膜１２（図１に示す）が基材１０（図１に示す）の上へと、堆積される。ボックス７６０で示すように、膜の基材の上への堆積中にプロセスチャンバによって発出された残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物、例えば、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６（図１に示す）は、その後、不活性ガス供給源２０（図１に示す）、例えば、不活性ガス供給源１１０（図１に示す）によって提供される不活性ガスの流れと混合（不活性化）される。プロセスガスの流量は、矢印７６２で示すように、フロースイッチを用いて基材の上への膜の堆積中に、反復的に（または連続的に）モニターしてもよい。
【0072】
矢印７７０およびボックス７７２で示すように、ガスの流量がプロセスガスのプロセスチャンバへの流れの所定の範囲内にない時、プロセスチャンバへの流れは停止する。ある特定の実施例では、遮断信号、例えば、遮断信号１５８（図２に示す）は、ボックス７７４で示すように、プロセスガスのプロセスチャンバへの流れを停止するために、フロースイッチによって提供されてもよい。ある特定の実施例によると、ボックス７８０で示すように、プロセスガスの流量が所定の範囲外であるとき、基材の上への膜の堆積は停止してもよい。また、ボックス７８２で示すように、フロースイッチ、例えば、遮断弁１４６（図２に示す）と動作可能に関連付けられた遮断弁の閉鎖によって、膜の基材上への堆積も達成される場合があることも企図される。
【0073】
図９を参照すると、ガス流制御方法８００が示されている。ボックス８１０で示すように、プロセスガス、例えば、プロセスガス１４（図１に示す）は、プロセスガスフロースイッチ、例えば、プロセスガスフロースイッチ２４２（図３に示す）へと提供される。ボックス８２０で示すように、プロセスガスフロースイッチは、プロセスガスの流量を、プロセスガスフロースイッチの遮断トリガ、例えば、プロセスガス遮断トリガ２５６（図３に示す）と比較する。プロセスガスの流量が、プロセスガスフロースイッチのプロセスガス遮断トリガより小さい時、プロセスガスは、例えば、ボックス８３０、矢印８３２、およびボックス８４０で示すように、プロセスチャンバ、例えば、プロセスチャンバ１０２（図１に示す）に流れる。プロセスチャンバは、ボックス８５０で示すように、膜が基材の上へと、例えば、膜１２（図１に示す）が基材１０（図１に示す）の上へと堆積されるように、プロセスチャンバ内に支持された基材全体にわたってプロセスガスを流す。残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物、例えば、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６（図１に示す）は、その後、ボックス８６０で示すように、不活性ガス供給源によって提供される不活性ガス、例えば、不活性ガス供給源１１０（図１に示す）によって提供される不活性ガス２０（図１に示す）の流れと混合（例えば、不活性化）される。プロセスガスのプロセスチャンバへの流量は、矢印８６２で示すように、プロセスガスフロースイッチを用いて、基材の上への膜の堆積中に、反復的に（または連続的に）モニターされてもよい。
【0074】
プロセスガスの流量がプロセスガス遮断トリガより大きい時、矢印８７０およびボックス８８０で示すように、プロセスガスのプロセスチャンバへの流れは、停止する。ある特定の実施例では、プロセスガス遮断信号、例えば、プロセスガス遮断信号２５８（図３に示す）は、プロセスガスのプロセスチャンバへの流れを停止するために、プロセスガスフロースイッチによって提供されてもよい。ある特定の実施例によると、ボックス８９０で示すように、プロセスガスフロースイッチを横断するプロセスガスの流量がプロセスガス遮断トリガより大きい（例えば、上回って上昇する）時、基材の上への膜の堆積は停止してもよい。ある特定の実施例によると、プロセスガスフロースイッチと動作可能に関連付けられた遮断弁、例えば、遮断弁１４６（図３に示す）の閉鎖によって、基材の上への膜の堆積が達成される場合があることも企図される。
【0075】
図１０を参照すると、ガス流制御方法９００が示されている。ボックス９１０で示すように、不活性ガス、例えば、不活性ガス２０（図１に示す）は、不活性ガスフロースイッチ、例えば、不活性ガスフロースイッチ４４２（図５に示す）へと提供される。ボックス９２０で示すように、不活性ガスフロースイッチは、不活性ガスフロースイッチを横断する不活性ガスの流量を、不活性ガスフロースイッチの不活性ガス遮断トリガ、例えば、不活性ガス遮断トリガ４５６（図５に示す）と比較する。不活性ガスの流量が、不活性ガス遮断トリガより大きい時、ボックス９３０、矢印９３２、およびボックス９４０で示すように、プロセスガスはプロセスチャンバへと、例えば、プロセスガス１４（図１に示す）はプロセスチャンバ１０２（図１に示す）へと流れる。ボックス９５０で示すように、プロセスガスを使用して、膜が、プロセスチャンバ内で支持された基材の上へと堆積され、例えば、膜１２（図１に示す）が基材１０（図１に示す）の上へと堆積される。ボックス９６０で示すように、膜の基材の上への堆積中にプロセスチャンバによって発出された残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物、例えば、残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物１６（図１に示す）は、その後、不活性ガスと混合（不活性化）される。不活性ガスの流量は、矢印９６２で示すように、プロセスガスがプロセスチャンバへと流れる際、および基材の上へと膜が堆積される際に、プロセスガスフロースイッチを用いて反復的に（または連続的に）モニターされてもよい。
【0076】
不活性ガスの流量が不活性ガス遮断トリガより小さい時、矢印９７０およびボックス９８０で示すように、プロセスガスのプロセスチャンバへの流れは停止する。ある特定の実施例では、遮断信号、例えば、不活性ガス遮断信号４５８（図５に示す）は、プロセスガスのプロセスチャンバへの流れを停止するために、不活性ガスフロースイッチによって提供されてもよい。ある特定の実施例によると、ボックス９９０で示すように、不活性ガスの流量が不活性ガス遮断トリガより小さい（例えば、下回って降下する）時、基材の上への膜の堆積は停止してもよい。また、不活性ガスフロースイッチ、例えば、遮断弁１４６（図５に示す）と動作可能に関連付けられた遮断弁の閉鎖によって、膜の基材上への堆積が達成される場合があることも企図される。
【0077】
図１１を参照すると、ガス流制御方法１０００が示されている。ボックス１０１０および１０２０で示すように、不活性ガスは不活性ガスフロースイッチへと、例えば、不活性ガス２０（図１に示す）は不活性ガスフロースイッチ６６４（図７に示す）へと提供され、またプロセスガスはプロセスガスフロースイッチへと、例えば、プロセスガス１４（図１に示す）はプロセスガスフロースイッチ６４２（図７に示す）へと提供される。ボックス１０３０で示すように、プロセスガスの流量は、プロセスガスフロースイッチのプロセスガス遮断トリガ、例えば、プロセスガス遮断トリガ６５６（図７に示す）と比較される。
【0078】
プロセスガスの流量がプロセスガス遮断トリガより小さい時、ボックス１０４０、矢印１０４２、およびボックス１０５０で示すように、不活性ガスの流量は、不活性ガスフロースイッチの不活性ガス遮断トリガ、例えば、不活性ガス遮断トリガ６６６（図７に示す）と比較される。不活性ガスの流量が不活性ガス遮断トリガより大きい時、ボックス１０６０、矢印１０６２、および基材１０７０で示すように、プロセスガスは、プロセスチャンバ、例えば、プロセスチャンバ１０２（図１に示す）へと流れ、また膜は基材の上へと、例えば、膜１２（図１に示す）は基材１０（図１に示す）の上へと堆積される。残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物は、ボックス１０７２で示すように、不活性ガスをプロセスチャンバによって発出される残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物の中へと導入することによって、不活性化されてもよい。プロセスガスおよび不活性ガスの流量は、矢印１０７４で示すように、基材の上への膜の堆積中に、反復的に（または連続的に）モニターされてもよい。
【0079】
プロセスガスの流量がプロセスガス遮断トリガより大きい時、および／または不活性ガスの流量が不活性ガス遮断トリガより小さい時、矢印１０８０、矢印１０８２、およびボックス１０８４、ボックス１０８６で示すように、プロセスガスのプロセスチャンバへの流れは、停止する。ボックス１０９０で示すように、プロセスチャンバへのプロセスガスの流れを停止することが、例えば、基材の上への膜の堆積の完了の前に、基材の上への膜の堆積を停止する場合があることが企図される。
【0080】
図１２を参照すると、ガス流制御システムガスシステム用キット１１００が示されている。キット１１００は、プロセスチャンバへのプロセスガスの流れを制御するように構成された遮断弁、例えば、遮断弁１４６（図２に示す）と、フロースイッチを横断するガスの流れに従って遮断弁を閉鎖するための遮断弁への動作可能な接続のために構成されたフロースイッチ、例えば、フロースイッチ１４２（図２に示す）と、を含む。ある特定の実施例では、キット１１００は、エンクロージャの外側の遮断弁およびフロースイッチを収容するように構成されたハウジング、例えば、ハウジング１５４（図２に示す）を含んでもよい。ある特定の実施例によると、キット１１００は、フロースイッチを遮断弁へと接続するように構成されたリレーおよび／またはコントローラ、例えば、リレー１６０（図２に示す）および／またはコントローラ１６２（図２に示す）を含んでもよい。フロースイッチは、フロースイッチを横断するプロセスガスまたは不活性ガスに従って、遮断弁を通るプロセスガスの流れを制御するように構成された複数のフロースイッチのうちの１つであってもよいことも企図される。
【0081】
本開示はある特定の実施形態および実施例の文脈で提供されてきたが、本開示は、具体的に記述される実施形態を超えて、本実施形態の他の代替的な実施形態および／または使用および明白な修正ならびにそれらの均等物にまで延長されることを当業者は理解するであろう。加えて、本開示の実施形態のいくつかの変形が示され、かつ詳細に記述されているが、本開示の範囲内にある他の修正は、本開示に基づいて当業者に対して容易に明らかとなるであろう。実施形態の特定の特徴および態様の様々な組み合わせまたは部分組み合わせが作製されてもよく、また依然として本開示の範囲に含まれてもよいこともまた企図される。当然のことながら、開示された実施形態の様々な特徴および態様は、本開示の実施形態の変化するモードを形成するために、互いに組み合わせる、または置き換えることができる。それ故に、本開示の範囲は、上述の特定の実施形態によって限定されるべきではないことが意図される。
【0082】
本明細書で提供される見出しがある場合、見出しは便宜上のものにすぎず、必ずしも本明細書で開示される装置および方法の範囲または意味に影響を与えない。
【符号の説明】
【0083】
１０ 基材
１２ 膜
１４ プロセスガス
１６ 残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物
１８ 排気ガス
２０ 不活性ガス
２２ 外部環境
２４ 第二のプロセスガス
２８ 通気ガス
１００ 半導体処理システム
１０２ プロセスチャンバ
１０４ ガスシステム
１０６ プロセスガス供給源
１０８ 通気源
１１０ 不活性ガス供給源
１１２ 真空源
１１４ プロセスガス供給源導管
１１６ プロセスガス供給導管
１１８ 不活性ガス導管
１２０ 通気導管
１２２ フォアライン
１２４ 排気導管
１２６ 基材支持体
１２８ 排気フランジ
１３０ 排気フランジ
１３２ ブロワーまたはファン
１３４ 除害装置
１３６ 流量定格
１３８ プロセスガス計量弁
１４０ 開口プレート
１４２ フロースイッチ
１４４ エンクロージャ
１４６ 遮断弁
１４８ ＭＦＣ
１５０ ＭＦＭ
１５２ サーボ制御弁
１５４ ハウジング
１５６ 遮断トリガ
１５８ 遮断信号
１６０ リレー
１６２ コントローラ
２０４ ガスシステム
２４２ プロセスガスフロースイッチ
２５６ プロセスガス遮断トリガ
２５８ プロセスガス遮断信号
３０４ ガスシステム
３０６ 第一のプロセスガス供給源
３３８ 第一のプロセスガス計量弁
３４２ 第一のプロセスガスフロースイッチ
３４６ 第一の遮断弁
３５６ 第一のプロセスガス遮断トリガ
３５８ 第一のプロセスガス遮断信号
３６０ 第二のプロセスガスフロースイッチ
３６２ 第二の遮断弁
３６４ 第二のプロセスガス供給源
３６６ 第二のプロセスガス計量弁
３６８ 第二のプロセスガス遮断トリガ
３７０ 第二のプロセスガス遮断信号
４０４ ガスシステム
４４２ 不活性ガスフロースイッチ
４５６ 不活性ガス遮断トリガ
４５８ 不活性ガス遮断信号
５０４ ガスシステム
５４２ 第一の不活性ガスフロースイッチ
５５６ 第一の不活性ガス遮断トリガ
５５８ 第一の不活性ガス遮断信号
５６４ 第二の不活性ガスフロースイッチ
５６６ 第二の不活性ガス遮断トリガ
５６８ 第二の不活性ガス遮断信号
６０４ ガスシステム
６４２ プロセスガスフロースイッチ
６５６ プロセスガス遮断トリガ
６５８ プロセスガス遮断信号
６６４ 不活性ガスフロースイッチ
６６６ 不活性ガス遮断トリガ
６６８ 不活性ガス遮断信号
７００ ガス流制御方法
７１０ ボックス
７２０ ボックス
７３０ ボックス
７３２ 矢印
７４０ ボックス
７５０ ボックス
７６０ ボックス
７７０ 矢印
７７２ ボックス
７７４ ボックス
７８０ ボックス
７８２ ボックス
８００ ガス流制御方法
８１０ ボックス
８２０ ボックス
８３０ ボックス
８３２ 矢印
８４０ ボックス
８５０ ボックス
８６０ ボックス
８６２ 矢印
８７０ 矢印
８８０ ボックス
１２ 膜
１４ プロセスガス
１６ 残留プロセスガスおよび／またはプロセスガス産物
１８ 排気ガス
２０ 不活性ガス
２２ 外部環境
２４ 第二のプロセスガス
２８ 通気ガス
１００ 半導体処理システム
１０２ プロセスチャンバ
１０４ ガスシステム
１０６ プロセスガス供給源
１０８ 通気源
１１０ 不活性ガス供給源
１１２ 真空源
１１４ プロセスガス供給源導管
１１６ プロセスガス供給導管
１１８ 不活性ガス導管
１２０ 通気導管
１２２ フォアライン
１２４ 排気導管
１２６ 基材支持体
１２８ 排気フランジ
１３０ 排気フランジ
１３２ ブロワーまたはファン
１３４ 除害装置
１３６ 流量定格
１３８ プロセスガス計量弁
１４０ 開口プレート
１４２ フロースイッチ
１４４ エンクロージャ
１４６ 遮断弁
１４８ ＭＦＣ
１５０ ＭＦＭ
１５２ サーボ制御弁
１５４ ハウジング
１５６ 遮断トリガ
１５８ 遮断信号
１６０ リレー
１６２ コントローラ
２０４ ガスシステム
２４２ プロセスガスフロースイッチ
２５６ プロセスガス遮断トリガ
２５８ プロセスガス遮断信号
３０４ ガスシステム
３０６ 第一のプロセスガス供給源
３３８ 第一のプロセスガス計量弁
３４２ 第一のプロセスガスフロースイッチ
３４６ 第一の遮断弁
３５６ 第一のプロセスガス遮断トリガ
３５８ 第一のプロセスガス遮断信号
３６０ 第二のプロセスガスフロースイッチ
３６２ 第二の遮断弁
３６４ 第二のプロセスガス供給源
３６６ 第二のプロセスガス計量弁
３６８ 第二のプロセスガス遮断トリガ
３７０ 第二のプロセスガス遮断信号
４０４ ガスシステム
４４２ 不活性ガスフロースイッチ
４５６ 不活性ガス遮断トリガ
４５８ 不活性ガス遮断信号
５０４ ガスシステム
５４２ 第一の不活性ガスフロースイッチ
５５６ 第一の不活性ガス遮断トリガ
５５８ 第一の不活性ガス遮断信号
５６４ 第二の不活性ガスフロースイッチ
５６６ 第二の不活性ガス遮断トリガ
５６８ 第二の不活性ガス遮断信号
６０４ ガスシステム
６４２ プロセスガスフロースイッチ
６５６ プロセスガス遮断トリガ
６５８ プロセスガス遮断信号
６６４ 不活性ガスフロースイッチ
６６６ 不活性ガス遮断トリガ
６６８ 不活性ガス遮断信号
７００ ガス流制御方法
７１０ ボックス
７２０ ボックス
７３０ ボックス
７３２ 矢印
７４０ ボックス
７５０ ボックス
７６０ ボックス
７７０ 矢印
７７２ ボックス
７７４ ボックス
７８０ ボックス
７８２ ボックス
８００ ガス流制御方法
８１０ ボックス
８２０ ボックス
８３０ ボックス
８３２ 矢印
８４０ ボックス
８５０ ボックス
８６０ ボックス
８６２ 矢印
８７０ 矢印
８８０ ボックス
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【外国語明細書】