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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022184046
(43)【公開日】2022-12-13
(54)【発明の名称】外周塗布方法、基板処理装置及び記憶媒体
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20221206BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20221206BHJP
B05C 11/08 20060101ALI20221206BHJP
B05C 9/14 20060101ALI20221206BHJP
B05C 11/10 20060101ALI20221206BHJP
B05D 7/00 20060101ALI20221206BHJP
B05D 7/24 20060101ALI20221206BHJP
B05D 3/06 20060101ALI20221206BHJP
B05D 3/10 20060101ALI20221206BHJP
B05D 3/00 20060101ALI20221206BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 564C
G03F7/20 521
B05C11/08
B05C9/14
B05C11/10
B05D7/00 P
B05D7/24 301T
B05D3/06 102Z
B05D3/10 N
B05D3/10 H
B05D3/00 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021091665
(22)【出願日】2021-05-31
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100096389
【弁理士】
【氏名又は名称】金本 哲男
(74)【代理人】
【識別番号】100101557
【弁理士】
【氏名又は名称】萩原 康司
(74)【代理人】
【識別番号】100167634
【弁理士】
【氏名又は名称】扇田 尚紀
(74)【代理人】
【識別番号】100187849
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 隆史
(74)【代理人】
【識別番号】100212059
【弁理士】
【氏名又は名称】三根 卓也
(72)【発明者】
【氏名】川北 直史
【テーマコード（参考）】
2H197
4D075
4F042
5F146
【Ｆターム（参考）】
2H197AA37
2H197AB04
2H197BA02
2H197CA03
2H197CE01
2H197DB05
2H197DB34
2H197HA03
4D075AC64
4D075AC88
4D075AC91
4D075AC94
4D075AE05
4D075BB20Z
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4D075BB46Z
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4D075BB91Z
4D075CA47
4D075CA48
4D075DA06
4D075DA34
4D075DA35
4D075DB14
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4D075EA05
4D075EA21
4D075EA45
4D075EC30
4F042AA07
4F042BA08
4F042BA12
4F042BA25
4F042CC10
4F042DB42
4F042EB05
4F042EB09
4F042EB18
5F146DD03
5F146JA01
5F146JA09
5F146JA13
5F146JA15
5F146JA20
(57)【要約】
【課題】基板の外周塗布における欠陥を抑制する。
【解決手段】周縁塗布方法であって、（Ａ）基板の周縁部に、紫外線硬化型材料の塗布液を供給し、目標幅より広い塗布膜を形成する工程と、（Ｂ）前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記目標幅を有する所定の領域に、紫外線を選択的に照射し硬化させる工程と、（Ｃ）前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記紫外線が照射されておらず硬化されていない部分を、溶剤で除去する工程と、を含む。
【選択図】図６
【解決手段】周縁塗布方法であって、（Ａ）基板の周縁部に、紫外線硬化型材料の塗布液を供給し、目標幅より広い塗布膜を形成する工程と、（Ｂ）前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記目標幅を有する所定の領域に、紫外線を選択的に照射し硬化させる工程と、（Ｃ）前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記紫外線が照射されておらず硬化されていない部分を、溶剤で除去する工程と、を含む。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
（Ａ）基板の周縁部に、紫外線硬化型材料の塗布液を供給し、目標幅より広い塗布膜を形成する工程と、
（Ｂ）前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記目標幅を有する所定の領域に、紫外線を選択的に照射し硬化させる工程と、
（Ｃ）前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記紫外線が照射されておらず硬化されていない部分を、溶剤で除去する工程と、を含む、周縁塗布方法。
（Ｂ）前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記目標幅を有する所定の領域に、紫外線を選択的に照射し硬化させる工程と、
（Ｃ）前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記紫外線が照射されておらず硬化されていない部分を、溶剤で除去する工程と、を含む、周縁塗布方法。
【請求項2】
前記（Ｂ）工程は、基板を回転させながら紫外線を照射し、
（Ｄ）前記（Ｂ）工程前に、前記塗布液を供給しない状態で、基板を回転させ、前記（Ａ）工程により形成された前記目標幅より広い前記塗布膜の流動性を低下させる工程を含む、請求項１に記載の周縁塗布方法。
（Ｄ）前記（Ｂ）工程前に、前記塗布液を供給しない状態で、基板を回転させ、前記（Ａ）工程により形成された前記目標幅より広い前記塗布膜の流動性を低下させる工程を含む、請求項１に記載の周縁塗布方法。
【請求項3】
前記（Ｄ）工程は、回転する基板の外周を囲うカップに、回転する基板から排出された塗布液が衝突しない回転数で、基板を回転させる、請求項２に記載の周縁塗布方法。
【請求項4】
前記（Ａ）工程は、前記塗布膜における前記（Ｃ）工程で除去される不要部分が基板の中央側に形成されるよう、基板を回転させながら、前記塗布液を供給する、請求項１～３のいずれか１項に記載の周縁塗布方法。
【請求項5】
前記（Ｃ）工程は、前記不要部分よりさらに基板の中央側から前記溶剤を供給する、請求項４に記載の周縁塗布方法。
【請求項6】
前記（Ａ）工程は、基板の中央側から基板の外周に向けて前記塗布液を供給する、請求項４または５に記載の周縁塗布方法。
【請求項7】
前記（Ａ）工程開始時に、基板上に既存膜が既に形成されている場合、
前記既存膜の外周端の位置に基づいて、前記（Ｂ）工程における前記紫外線の照射範囲を決定する工程を含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の周縁塗布方法。
前記既存膜の外周端の位置に基づいて、前記（Ｂ）工程における前記紫外線の照射範囲を決定する工程を含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の周縁塗布方法。
【請求項8】
互いに外周端位置が異なる前記既存膜が複数形成されている場合、
前記（Ｂ）工程は、最も基板の中央側に位置する前記既存膜の外周端から基板の外周端までの領域の一部を構成する保護対象領域に、前記紫外線を照射する、請求項７に記載の周縁塗布方法。
前記（Ｂ）工程は、最も基板の中央側に位置する前記既存膜の外周端から基板の外周端までの領域の一部を構成する保護対象領域に、前記紫外線を照射する、請求項７に記載の周縁塗布方法。
【請求項9】
前記（Ａ）～（Ｃ）工程を繰り返し行い、目標幅の前記塗布膜を積層し、厚膜化する、請求項１～８のいずれか１項に記載の周縁塗布方法。
【請求項10】
請求項１～９のいずれか１項に記載の周縁塗布方法を基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを記憶した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項11】
基板を処理する基板処理装置であって、
基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部に保持されている基板に、紫外線硬化型材料の塗布液を供給する塗布液供給部と、
前記回転保持部に保持されている基板に、紫外線を照射する照射部と、
前記回転保持部に保持されている基板に、溶剤を供給する溶剤供給部と、
制御部と、を備え、
基板の周縁部に、前記塗布液を供給し、目標幅より広い塗布膜を形成する制御と、
前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記目標幅を有する所定の領域に、紫外線を選択的に照射し、前記所定の領域を硬化させる制御と、
前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記紫外線が照射されておらず硬化されていない部分を、溶剤で除去する制御と、を行う、基板処理装置。
基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部に保持されている基板に、紫外線硬化型材料の塗布液を供給する塗布液供給部と、
前記回転保持部に保持されている基板に、紫外線を照射する照射部と、
前記回転保持部に保持されている基板に、溶剤を供給する溶剤供給部と、
制御部と、を備え、
基板の周縁部に、前記塗布液を供給し、目標幅より広い塗布膜を形成する制御と、
前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記目標幅を有する所定の領域に、紫外線を選択的に照射し、前記所定の領域を硬化させる制御と、
前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記紫外線が照射されておらず硬化されていない部分を、溶剤で除去する制御と、を行う、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、外周塗布方法、基板処理装置及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、基板の周縁部に塗布液を塗布する周縁部塗布装置が開示されている。この装置は、基板を水平に保持して回転させる回転保持部と、基板の上方に位置して下方に塗布液を吐出する塗布液ノズルを有し、基板の表面に塗布液を供給する塗布液供給部と、塗布液ノズルを水平方向に移動させる水平移送部と、回転保持部、塗布液供給部及び水平移送部を制御する塗布制御部と、を備える。塗布制御部は、回転保持部を制御して前記基板を回転させると共に、塗布液供給部を制御して塗布液ノズルから塗布液を吐出させながら、水平移送部を制御して塗布液ノズルを基板の周縁の外側から基板の周縁部上に移動させるスキャンイン制御を行う。また、塗布制御部は、回転保持部を制御して基板を回転させると共に、塗布液供給部を制御して塗布液ノズルから塗布液を吐出させながら、水平移送部を制御して塗布液ノズルを基板の周縁部上から基板の周縁の外側に移動させるスキャンアウト制御とを行う。スキャンアウト制御を行うときに、塗布液が基板の周縁側に移動する速度に比べ低い速度で塗布液ノズルを移動させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１４－１１０３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示にかかる技術は、基板の外周塗布における欠陥を抑制する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様は、周縁塗布方法であって、（Ａ）基板の周縁部に、紫外線硬化型材料の塗布液を供給し、目標幅より広い塗布膜を形成する工程と、（Ｂ）前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記目標幅を有する所定の領域に、紫外線を選択的に照射し硬化させる工程と、（Ｃ）前記目標幅より広い前記塗布膜における、前記紫外線が照射されておらず硬化されていない部分を、溶剤で除去する工程と、を含む。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、基板の外周塗布における欠陥を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本実施形態にかかる基板処理装置としての外周塗布装置を備えた塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。
【図2】塗布現像処理システムの正面側の内部構成の概略を示す図である。
【図3】塗布現像処理システムの背面側の内部構成の概略を示す図である。
【図4】外周塗布装置構成の概略を示す縦断面図である。
【図5】外周塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図6】外周塗布処理の一例を示すフローチャートである。
【図7】外周塗布処理中のウェハＷの表面の周囲の様子を示す図である。
【図8】塗布膜の形成領域の他の例を説明するための図である。
【図9】ウェハの一例を示す部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば基板としての半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、その後レジスト膜にパターンを露光し、その後ウェハに対して現像処理を行い、ウェハ表面にレジストパターンを形成する。
【0009】
ところで、ウェハの周縁部のみに塗布液を供給し塗布膜を形成する外周塗布が知られている（特許文献１参照）。しかし、従来の外周塗布では、ウェハの周縁部に塗布液を供給したときに液跳ねが起こり、この液跳ねに起因した欠陥の発生等、不良が生じることがある。
【0010】
そこで、本開示にかかる技術は、基板の外周塗布における欠陥を抑制する。
【0011】
以下、本実施形態にかかる外周塗布方法及び基板処理装置を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0012】
＜塗布現像処理システム＞
図１は、本実施形態にかかる基板処理装置としての外周塗布装置を備えた塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３はそれぞれ、塗布現像処理システム１の正面側と背面側の内部構成の概略を示す図である。
図１は、本実施形態にかかる基板処理装置としての外周塗布装置を備えた塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３はそれぞれ、塗布現像処理システム１の正面側と背面側の内部構成の概略を示す図である。
【0013】
塗布現像処理システム１は、図１～図３に示すように、ウェハを複数収容可能な容器であるカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、レジスト塗布処理等の所定の処理を施す各種処理装置を複数備えた処理ステーション３と、を有する。そして、塗布現像処理システム１は、カセットステーション２と、処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。また、塗布現像処理システム１は、後述の搬送装置７０の制御を含む当該塗布現像処理システム１の制御を行う制御部６を有している。
【0014】
カセットステーション２は、例えばカセット搬入出部１０とウェハ搬送部１１に分かれている。例えばカセット搬入出部１０は、塗布現像処理システム１のＹ方向負方向（図１の左方向）側の端部に設けられている。カセット搬入出部１０には、カセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２上には、複数、例えば４つの載置板１３が設けられている。載置板１３は、水平方向のＸ方向（図１の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらの載置板１３には、塗布現像処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
【0015】
ウェハ搬送部１１には、ウェハＷを搬送する搬送装置２０が設けられている。搬送装置２０は、Ｘ方向に延びる搬送路２１と、搬送路２１上を移動自在な搬送ユニット２２が設けられている。搬送ユニット２２は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各載置板１３上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
【0016】
処理ステーション３には、各種装置を備えた複数、例えば第１～第４の４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
【0017】
第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置３０、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３１、ウェハＷの周縁部に塗布液を供給し塗布膜を形成する外周塗布装置３２が下からこの順に配置されている。
【0018】
例えば現像処理装置３０、レジスト塗布装置３１、外周塗布装置３２は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置３０、レジスト塗布装置３１、外周塗布装置３２の数や配置は、任意に選択できる。
【0019】
現像処理装置３０、レジスト塗布装置３１では、例えばスピン塗布法でウェハＷ上に所定の処理液を塗布する。スピンコーティングでは、例えば吐出ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。
【0020】
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置４０や、ウェハＷ上のレジスト膜の周縁部を露光する周辺露光装置４１が上下方向と水平方向に並べて設けられている。これら熱処理装置４０、周辺露光装置４１の数や配置についても、任意に選択できる。
【0021】
第３のブロックＧ３には、検査装置５０と複数の受け渡し装置５１が設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０が設けられている。
【0022】
図１に示すように第１のブロックＧ１～第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばウェハＷを搬送する搬送装置７０が配置されている。
【0023】
搬送装置７０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有している。搬送装置７０は、ウェハＷを保持した搬送アーム７０ａをウェハ搬送領域Ｄ内で移動させ、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置に、ウェハＷを搬送できる。搬送装置７０は、例えば図３に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１～Ｇ４の同程度の高さの所定の装置にウェハＷを搬送できる。
【0024】
また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置７１が設けられている。
【0025】
シャトル搬送装置７１は、支持したウェハＷをＹ方向に直線的に移動させ、同程度の高さの第３のブロックＧ３の受け渡し装置５１と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６０との間でウェハＷを搬送できる。
【0026】
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側には、搬送装置７２が設けられている。搬送装置７２は、例えばθ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７２ａを有している。搬送装置７２は、ウェハＷを保持した搬送アーム７０ａを上下に移動させ、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置５１に、ウェハＷを搬送できる。
【0027】
インターフェイスステーション５には、搬送装置７３と受け渡し装置７４が設けられている。搬送装置７３は、例えばθ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７３ａを有している。搬送装置７３は、搬送アーム７３ａにウェハＷを保持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置６０、受け渡し装置７４及び露光装置４との間でウェハＷを搬送できる。
【0028】
上述の制御部６は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、上述の各種処理装置や各種搬送装置等の駆動系の動作を制御して、後述のウェハ処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な非一時的な記憶媒体Ｍに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｍから制御部６にインストールされたものであってもよい。記憶媒体Ｍは、一時的なものであっても、非一時的なものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。
【0029】
＜ウェハ処理＞
次に、塗布現像処理システム１を用いたウェハ処理の一例について説明する。なお、以下の処理は制御部６の制御の下、行われる。
次に、塗布現像処理システム１を用いたウェハ処理の一例について説明する。なお、以下の処理は制御部６の制御の下、行われる。
【0030】
塗布現像処理システム１を用いたウェハ処理では、先ず、搬送装置２０によって、カセット載置台１２上のカセットＣからウェハＷが取り出され、処理ステーション３の検査装置５０に搬送される。検査装置５０では、当該検査装置５０が有する撮像部（図示せず）によりウェハＷの表面が撮像され、撮像結果が制御部６に出力される。上記撮像結果は、例えばウェハＷの検査に用いられる。
【0031】
次にウェハＷは、搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハＷは、第１のブロックＧ１のレジスト塗布装置３１に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、プリベーク処理（ＰＡＢ：Pre-Applied Bake）される。なお、プリベーク処理や後段のＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理、ポストベーク処理では、同様な熱処理が行われる。ただし、各熱処理に供される熱処理装置４０は互いに異なる。
【0032】
その後、ウェハＷは、周辺露光装置４１に搬送され、周辺露光処理される。
次にウェハＷは、露光装置４に搬送され、所定のパターンで露光処理される。
次にウェハＷは、露光装置４に搬送され、所定のパターンで露光処理される。
【0033】
次いで、ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、ＰＥＢ処理される。その後ウェハＷは、たとえば現像処理装置３０に搬送されて現像処理される。現像処理終了後、ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。
【0034】
続いて、ウェハは、外周塗布装置３２に搬送され、外周塗布処理が行われ、ウェハＷの周縁部の表面に、環状の塗布膜が形成される。外周塗布処理の詳細については後述する。
その後、ウェハＷは、搬送ユニット２２等により、カセット載置台１２上のカセットＣに搬送され、一連のフォトリソグラフィー工程が完了する。
その後、ウェハＷは、搬送ユニット２２等により、カセット載置台１２上のカセットＣに搬送され、一連のフォトリソグラフィー工程が完了する。
【0035】
【0036】
外周塗布装置３２は、図４及び図５に示すように内部を密閉可能な処理容器１２０を有している。処理容器１２０の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【0037】
処理容器１２０内には、ウェハＷを保持して回転させる回転保持部としてのスピンチャック１２１が設けられている。スピンチャック１２１は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック１２１上に吸着保持できる。
【0038】
スピンチャック１２１は、チャック駆動機構１２２に接続されており、そのチャック駆動機構１２２により所望の速度に回転可能である。チャック駆動機構１２２は、スピンチャック１２１の回転のための駆動力を発生するモータ等の回転駆動源（図示せず）を有する。チャック駆動機構１２２によってスピンチャック１２１が回転することにより、ウェハＷが回転する。
【0039】
さらに、チャック駆動機構１２２には、シリンダ等の昇降駆動源が設けられており、チャック駆動機構１２２によりスピンチャック１２１は昇降可能である。チャック駆動機構１２２によってスピンチャック１２１が昇降することにより、ウェハＷが昇降する。
チャック駆動機構１２２は制御部６により制御される。
チャック駆動機構１２２は制御部６により制御される。
【0040】
また、スピンチャック１２１の下方を取り囲むように、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン１２３が設けられている。昇降ピン１２３は、ピン駆動機構１２４に接続されており、そのピン駆動機構１２４により昇降可能である。昇降ピン１２３は、ピン駆動機構１２４により、スピンチャック１２１の上面より高い位置まで突出することができ、スピンチャック１２１に対するウェハＷの受け渡しを行うことができる。
【0041】
スピンチャック１２１の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するアウターカップ１３０と、アウターカップ１３０の内周側に位置するインナーカップ１４０とが設けられている。アウターカップ１３０は、スピンチャック１２１に保持された状態で回転するウェハＷの外周側方を囲い、インナーカップ１４０は、スピンチャック１２１に保持されたウェハＷの下方に位置する。
【0042】
図５に示すようにアウターカップ１３０のＸ方向負方向（図５の下方向）側には、Ｙ方向（図５の左右方向）に沿って延伸するレール１５０Ａ、１５０Ｂが形成されている。レール１５０Ａ、１５０Ｂは、例えばアウターカップ１３０のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５の右方向）側の外方まで形成されている。レール１５０Ａには、２本のアーム１５１、１５２が設けられ、レール１５０Ｂには、１本のアーム１５３が設けられている。
【0043】
第１アーム１５１には、塗布液供給部としての液供給ノズル１６０が支持されている。液供給ノズル１６０は、スピンチャック１２１に保持されているウェハＷの表面に紫外線硬化型材料の塗布液を供給する。紫外線硬化型材料の塗布液は、レジスト塗布装置３１で用いられるレジスト液とは異なるものであり、例えば紫外線硬化樹脂である。紫外線硬化樹脂は、例えばモノマー、オリゴマー、光重合開始材等を有しており、紫外線が照射されると、液体であるモノマーの状態から、光重合により、固体であるポリマーの状態に変化し、硬化する。紫外線硬化型材料の塗布液は、液供給ノズル１６０からウェハＷの表年に供給された段階では流動性を有している。
【0044】
第１アーム１５１は、ノズル駆動機構１６１により、レール１５０Ａ上を移動自在である。ノズル駆動機構１６１は、第１アーム１５１の移動のための駆動力を発生するモータ等の移動駆動源（図示せず）を有する。ノズル駆動機構１６１により第１アーム１５１がレール１５０Ａ上を移動することにより、液供給ノズル１６０が、アウターカップ１３０のＹ方向負方向側の外方に設置された待機部１６２からアウターカップ１３０内のウェハＷの周縁部上方まで移動できる。また、ノズル駆動機構１６１には、シリンダ等の昇降駆動源が設けられており、ノズル駆動機構１６１によって第１アーム１５１は昇降可能である。ノズル駆動機構１６１によって第１アーム１５１が昇降することにより、液供給ノズル１６０が昇降する。
ノズル駆動機構１６１は制御部６により制御される。
ノズル駆動機構１６１は制御部６により制御される。
【0045】
液供給ノズル１６０には、紫外線硬化型材料の塗布液の供給源（図示せず）が接続されている。また、液供給ノズル１６０と上記供給源とを接続する供給管（図示せず）には、上記供給源から液供給ノズル１６０への紫外線硬化型材料の塗布液の供給を制御するための供給機器群（図示せず）が設けられている。上記供給機器群は、例えば、紫外線硬化型材料の塗布液の供給及び供給停止を切り換える供給弁や上記塗布液の流量を調節する流量調整弁を有する。
上述の供給機器群は制御部６により制御される。
上述の供給機器群は制御部６により制御される。
【0046】
第２アーム１５２には、溶剤供給部としての溶剤供給ノズル１７０が支持されている。溶剤供給ノズル１７０は、スピンチャック１２１に保持されているウェハＷの表面に溶剤を供給する。溶剤は、紫外線硬化型材料の塗布液の供給によりウェハＷ上に形成された塗布膜のうち、硬化されている部分を除去せずに硬化されてない部分のみを除去することができる。
【0047】
第２アーム１５２は、ノズル駆動機構１７１により、レール１５０Ａ上を移動自在である。ノズル駆動機構１７１は、第２アーム１５２の移動のための駆動力を発生するモータ等の移動駆動源（図示せず）を有する。ノズル駆動機構１７１により第２アーム１５２がレール１５０Ａ上を移動することにより、溶剤供給ノズル１７０が、アウターカップ１３０のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１７２からアウターカップ１３０内のウェハＷの周縁部上方まで移動できる。また、ノズル駆動機構１７１には、シリンダ等の昇降駆動源が設けられており、ノズル駆動機構１７１によって第２アーム１５２は昇降可能である。ノズル駆動機構１６１によって第２アーム１５２が昇降することにより、溶剤供給ノズル１７０が昇降する。
ノズル駆動機構１７１は制御部６により制御される。
ノズル駆動機構１７１は制御部６により制御される。
【0048】
溶剤供給ノズル１７０には、溶剤の供給源（図示せず）が接続されている。また、溶剤供給ノズル１７０と上記供給源とを接続する供給管（図示せず）には、上記供給源から溶剤供給ノズル１７０への溶剤の供給を制御するための供給機器群（図示せず）が設けられている。上記供給機器群は、例えば、溶剤の供給及び供給停止を切り換える供給弁や溶剤の流量を調節する流量調整弁を有する。
上述の供給機器群は制御部６により制御される。
上述の供給機器群は制御部６により制御される。
【0049】
第３アーム１５３には、照射部としての照射ノズル１８０が支持されている。照射ノズル１８０は、スピンチャック１２１に保持されているウェハＷの表面に上方から紫外線を照射する。照射ノズル１８０から照射される紫外線の波長は例えば１０～５００ｎｍである。照射ノズル１８０は、例えば、紫外線を出射する光源（図示せず）を有する。この光源は制御部６により制御される。
【0050】
第３アーム１５３は、ノズル駆動機構１８１により、レール１５０Ｂ上を移動自在である。ノズル駆動機構１８１は、第３アーム１５３の移動のための駆動力を発生するモータ等の移動駆動源（図示せず）を有する。ノズル駆動機構１８１により第３アーム１５３がレール１５０Ｂ上を移動することにより、照射ノズル１８０が、アウターカップ１３０のＹ方向正方向側の外方からアウターカップ１３０内のウェハＷの周縁部上方まで移動できる。また、ノズル駆動機構１８１には、シリンダ等の昇降駆動源が設けられており、ノズル駆動機構１８１によって第３アーム１５３は昇降可能である。ノズル駆動機構１８１によって第３アーム１５３が昇降することにより、照射ノズル１８０が昇降する。
ノズル駆動機構１８１は制御部６により制御される。
ノズル駆動機構１８１は制御部６により制御される。
【0051】
液供給ノズル１６０には、紫外線硬化型材料の塗布液の供給源（図示せず）が接続されている。また、液供給ノズル１６０と上記供給源とを接続する供給管（図示せず）には、上記供給源から液供給ノズル１６０への紫外線硬化型材料の塗布液の供給を制御するための供給機器群（図示せず）が設けられている。上記供給機器群は、例えば、紫外線硬化型材料の塗布液の供給及び供給停止を切り換える供給弁や上記塗布液の流量を調節する流量調整弁を有する。
上述の供給機器群は制御部６により制御される。
上述の供給機器群は制御部６により制御される。
【0052】
この外周塗布装置３２は、制御部６が接続されており、該制御部６がノズル駆動機構１６１、１７１、１８１、紫外線硬化型材料の塗布液及び溶剤の供給に対する前述の供給機器群、照射ノズル１８０の光源等を制御することにより、ウェハＷの表面の周縁部に沿って、ウェハＷと略同心且つ環状の塗布膜を形成する。なお、この塗布膜は、例えば、レジストパターンの周縁部に対する保護膜として用いられる。このように保護膜を設けることにより、保護膜形成後のウェハＷに対するエッチング処理時に、レジストパターンの周縁部が除去され下地が露出したり、レジストパターンが異常形状となったりするのを防ぐことができる。
【0053】
＜外周塗布処理＞
次に、外周塗布装置３２における外周塗布処理の一例について説明する。図６は、外周塗布処理の一例を示すフローチャートである。図７は、外周塗布処理中のウェハＷの表面の周囲の様子を示す図である。なお、以下の処理は、制御部６の制御の下、行われる。
次に、外周塗布装置３２における外周塗布処理の一例について説明する。図６は、外周塗布処理の一例を示すフローチャートである。図７は、外周塗布処理中のウェハＷの表面の周囲の様子を示す図である。なお、以下の処理は、制御部６の制御の下、行われる。
【0054】
（ステップＳ１）
図６に示すように、例えば、まず、ウェハＷが、搬送装置７０によって外周塗布装置３２に搬入される（ステップＳ１）。外周塗布装置３２に搬入されたウェハＷは、搬送装置７０から、予め上昇して待機していた昇降ピン１２３に受け渡され、続いて昇降ピン１２３が下降して、アウターカップ１３０内のスピンチャック１２１に受け渡され吸着保持される。
図６に示すように、例えば、まず、ウェハＷが、搬送装置７０によって外周塗布装置３２に搬入される（ステップＳ１）。外周塗布装置３２に搬入されたウェハＷは、搬送装置７０から、予め上昇して待機していた昇降ピン１２３に受け渡され、続いて昇降ピン１２３が下降して、アウターカップ１３０内のスピンチャック１２１に受け渡され吸着保持される。
【0055】
（ステップＳ２）
次いで、図７（ａ）に示すように、ウェハＷの周縁部に、紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１が供給され、目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１が形成される（ステップＳ２）。具体的には、例えば、後述のステップＳ５で塗布膜Ｔ１の不要部分Ｈが除去されるところ、その不要部分ＨがウェハＷの中央側に形成されるよう、ウェハＷが回転され、その回転中に紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１が供給され、目標幅Ｐより広い環状の塗布膜Ｔ１が、ウェハＷの周縁部の表面に形成される。
次いで、図７（ａ）に示すように、ウェハＷの周縁部に、紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１が供給され、目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１が形成される（ステップＳ２）。具体的には、例えば、後述のステップＳ５で塗布膜Ｔ１の不要部分Ｈが除去されるところ、その不要部分ＨがウェハＷの中央側に形成されるよう、ウェハＷが回転され、その回転中に紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１が供給され、目標幅Ｐより広い環状の塗布膜Ｔ１が、ウェハＷの周縁部の表面に形成される。
【0056】
より具体的には、液供給ノズル１６０が、ウェハＷの周縁部の上方まで移動される。その後、スピンチャック１２１に保持されたウェハＷが回転され、その回転中に、液供給ノズル１６０からの紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１が、ウェハＷの周縁部の表面における、目標幅Ｐの塗布膜が形成される領域Ｒ１より内側に供給される。これにより、目標幅Ｐより広い環状の塗布膜Ｔ１が、ウェハＷの周縁部の表面に形成される。
【0057】
紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１の供給の際、図に示すように、ウェハＷの中央側からウェハＷの外周に向けて、紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１が供給されるよう、液供給ノズル１６０が傾けられていてもよい。より具体的には、紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１の供給の際、側面視で目標幅ＰよりもウェハＷの中央側からウェハＷの外周に向けて、紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１が供給されるよう、液供給ノズル１６０が傾けられていてもよい。これにより、以下を防ぐことができる。すなわち、液供給ノズル１６０から吐出された紫外線硬化型材料の塗布液はウェハＷの表面に衝突すると跳ね返ることがあるが、この跳ね返った塗布液が、目標幅Ｐの環状の塗布膜が形成される領域Ｒ１よりウェハＷの中央側すなわち内側に付着することを抑制することができる。
なお、このステップＳ２により形成される環状の塗布膜は、その幅が例えば目標幅より０．５ｍｍ以上大きく、その内周端からウェハＷの周端までの距離Ｌが１０ｍｍ未満である。また、ステップＳ２でのウェハＷの回転数は例えば２００～７００ｒｐｍである。
なお、このステップＳ２により形成される環状の塗布膜は、その幅が例えば目標幅より０．５ｍｍ以上大きく、その内周端からウェハＷの周端までの距離Ｌが１０ｍｍ未満である。また、ステップＳ２でのウェハＷの回転数は例えば２００～７００ｒｐｍである。
【0058】
（ステップＳ３）
続いて、紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１を供給させていない状態で、ウェハＷを回転させ、目標幅より広い塗布膜の流動性を低下させる。
具体的には、液供給ノズル１６０からの紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１の供給が停止された後、液供給ノズル１６０がアウターカップ１３０外に退避されると共に、ステップＳ２から引き続いてウェハＷが回転される。これにより、ウェハＷの周縁部の表面上の上記塗布膜Ｔ１を構成する塗布液の一部が排出され、その結果、上記塗布膜Ｔ１の流動性が低下する。
続いて、紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１を供給させていない状態で、ウェハＷを回転させ、目標幅より広い塗布膜の流動性を低下させる。
具体的には、液供給ノズル１６０からの紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１の供給が停止された後、液供給ノズル１６０がアウターカップ１３０外に退避されると共に、ステップＳ２から引き続いてウェハＷが回転される。これにより、ウェハＷの周縁部の表面上の上記塗布膜Ｔ１を構成する塗布液の一部が排出され、その結果、上記塗布膜Ｔ１の流動性が低下する。
【0059】
このステップＳ３により、塗布膜Ｔ１の流動性は、後述のステップＳ４でウェハＷを回転させ塗布膜に紫外線を照射させるときに、ウェハＷの回転により塗布膜Ｔ１が変位しない程度に低下する。ただし、このステップＳ３により、塗布膜Ｔ１の流動性が完全に失われるわけではない。すなわち、このステップＳ３により塗布膜Ｔ１が乾燥するわけではない。このステップＳ３で塗布膜Ｔ１が乾燥すると、塗布膜Ｔ１の表面の外周端と内周端に盛り上がり（ハンプ（hump））が生じる場合があるが、上述のようにこのステップＳ３では塗布膜Ｔ１乾燥しないため上記ハンプを抑制することができる。
【0060】
例えば、このステップＳ３では、回転するウェハＷから排出された塗布液Ｄ１がアウターカップ１３０に衝突しない回転数でウェハＷが回転される。これにより、アウターカップ１３０に衝突した塗布液Ｄ１の飛沫が生じるのを防ぐことができる。このような回転数であれば、ステップＳ３において、ウェハＷの回転により塗布膜Ｔ１が変位しない程度に、塗布膜の流動性を低下させることができる。
【0061】
なお、このステップＳ３でのウェハＷの回転数はステップＳ２と等しくてもよいし高くてもよい。
また、ステップＳ３は省略してもよい。
また、ステップＳ３は省略してもよい。
【0062】
（ステップＳ４）
その後、目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１における、目標幅Ｐを有する所定の領域Ｒ２に、紫外線Ｕを選択的に照射させ、上記所定の領域Ｒ２を硬化させる。
具体的には、照射ノズル１８０がウェハＷの周縁部の上方まで移動される。また、ステップＳ３に引き続いてウェハＷが回転され、回転中に、照射ノズル１８０からの紫外線がウェハＷの周縁部の表面に向けて照射される。これにより、照射ノズル１８０からの紫外線が、ウェハＷの表面の周縁部に形成された目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１における、目標幅Ｐを有する所定の環状の領域Ｒ２に照射され、上記所定の環状の領域Ｒ２が選択的に硬化される。なお、前述の不要部分Ｈは硬化されない。
その後、目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１における、目標幅Ｐを有する所定の領域Ｒ２に、紫外線Ｕを選択的に照射させ、上記所定の領域Ｒ２を硬化させる。
具体的には、照射ノズル１８０がウェハＷの周縁部の上方まで移動される。また、ステップＳ３に引き続いてウェハＷが回転され、回転中に、照射ノズル１８０からの紫外線がウェハＷの周縁部の表面に向けて照射される。これにより、照射ノズル１８０からの紫外線が、ウェハＷの表面の周縁部に形成された目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１における、目標幅Ｐを有する所定の環状の領域Ｒ２に照射され、上記所定の環状の領域Ｒ２が選択的に硬化される。なお、前述の不要部分Ｈは硬化されない。
【0063】
（ステップＳ５）
そして、図７に示すように、目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１における、紫外線Ｕが照射されておらず硬化されていない部分すなわち不要部分Ｈが溶剤Ｄ２で除去され、これにより、硬化された目標幅Ｐの塗布膜Ｔ２が形成される。
具体的には、照射ノズル１８０からの紫外線Ｕの照射が停止されると共に、照射ノズル１８０がアウターカップ１３０から退避され、代わりに、溶剤供給ノズル１７０がウェハＷの周縁部の上方まで移動される。また、ステップＳ４に引き続いてウェハＷが回転され、回転中に、溶剤供給ノズル１７０からの溶剤Ｄ２が、ウェハＷの周縁部の表面に供給される。これにより、目標幅Ｐより広い環状の塗布膜Ｔ１における未硬化部分すなわち前述の不要部分Ｈが除去され、目標幅Ｐの環状の塗布膜Ｔ２が形成される。
そして、図７に示すように、目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１における、紫外線Ｕが照射されておらず硬化されていない部分すなわち不要部分Ｈが溶剤Ｄ２で除去され、これにより、硬化された目標幅Ｐの塗布膜Ｔ２が形成される。
具体的には、照射ノズル１８０からの紫外線Ｕの照射が停止されると共に、照射ノズル１８０がアウターカップ１３０から退避され、代わりに、溶剤供給ノズル１７０がウェハＷの周縁部の上方まで移動される。また、ステップＳ４に引き続いてウェハＷが回転され、回転中に、溶剤供給ノズル１７０からの溶剤Ｄ２が、ウェハＷの周縁部の表面に供給される。これにより、目標幅Ｐより広い環状の塗布膜Ｔ１における未硬化部分すなわち前述の不要部分Ｈが除去され、目標幅Ｐの環状の塗布膜Ｔ２が形成される。
【0064】
また、このステップＳ５では、上記未硬化部分すなわち前述の不要部分Ｈよりさらにウェハの中央側から溶剤Ｄ２を供給することが好ましい。これにより、ステップＳ２で前述の不要部分Ｈより内側に跳ね返って付着した塗布液Ｄ１の液滴Ｚを除去することができる。
なお、ステップＳ５においても、ステップＳ２と同様、溶剤の供給の際、図に示すように、ウェハＷの中央側からウェハＷの外周に向けて溶剤Ｄ２が供給されるよう、溶剤供給ノズル１７０が傾けられていてもよい。
なお、ステップＳ５においても、ステップＳ２と同様、溶剤の供給の際、図に示すように、ウェハＷの中央側からウェハＷの外周に向けて溶剤Ｄ２が供給されるよう、溶剤供給ノズル１７０が傾けられていてもよい。
【0065】
（ステップＳ６）
その後、ウェハＷの搬入時と逆の手順で、ウェハＷが搬出される。これにより一連の外周塗布処理が完了する。
その後、ウェハＷの搬入時と逆の手順で、ウェハＷが搬出される。これにより一連の外周塗布処理が完了する。
【0066】
＜本実施形態の主な効果＞
以上の外周塗布処理では、制御部６が、
・ウェハＷの周縁部に、紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１を供給し、目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１を形成する制御
・目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１における、目標幅Ｐを有する所定の領域Ｒ２に、紫外線Ｕを選択的に照射し、所定の領域Ｒ２を硬化させる制御
・目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１における、紫外線Ｕが照射されておらず硬化されていない不要部分Ｈを、溶剤Ｄ２で除去する制御
を行っている。
つまり、本実施形態では、目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１の形成後、必要部分のみを硬化させ、不要部分Ｈを洗浄、除去している。
そのため、ウェハＷの周縁部に紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１を供給したときに液跳ねが起こったとしても、溶剤Ｄ２により除去することができる。この液跳ねに起因した欠陥の発生等、を抑制することができる。つまり、ウェハＷの外周塗布における欠陥を抑制することができる。
以上の外周塗布処理では、制御部６が、
・ウェハＷの周縁部に、紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１を供給し、目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１を形成する制御
・目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１における、目標幅Ｐを有する所定の領域Ｒ２に、紫外線Ｕを選択的に照射し、所定の領域Ｒ２を硬化させる制御
・目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１における、紫外線Ｕが照射されておらず硬化されていない不要部分Ｈを、溶剤Ｄ２で除去する制御
を行っている。
つまり、本実施形態では、目標幅Ｐより広い塗布膜Ｔ１の形成後、必要部分のみを硬化させ、不要部分Ｈを洗浄、除去している。
そのため、ウェハＷの周縁部に紫外線硬化型材料の塗布液Ｄ１を供給したときに液跳ねが起こったとしても、溶剤Ｄ２により除去することができる。この液跳ねに起因した欠陥の発生等、を抑制することができる。つまり、ウェハＷの外周塗布における欠陥を抑制することができる。
【0067】
また、本実施形態の外周塗布処理では、以上の説明から明らかな通り、塗布膜形成後のウェハＷの加熱が不要である。外周塗布処理で、塗布膜形成後のウェハＷの加熱が必要な場合、塗布膜形成時に当該塗布膜内に生じた気泡が、ウェハＷの加熱により膨張し、気泡を含む部分が破裂し、塗布膜に穴が開くことがある。それに対し、前述のように、本実施形態では、塗布膜形成後のウェハＷの加熱が不要であるため、塗布膜形成時に当該塗布膜Ｔ１内に生じた気泡が生じたとしても、気泡が膨張しないので、塗布膜Ｔ１、Ｔ２に穴が開くのを抑制することができる。
【0068】
さらに、従来の外周塗布処理では、塗布液が付着した部分が全て塗布膜となるため、環状の塗布膜の内周端に、塗布液の広がり方や吐出精度に起因したうねり（ブレ）が発生する。本実施形態の外周塗布処理によれば、環状の塗布膜Ｔ１の形成時に、環状の塗布膜Ｔ１の内周端にうねりが発生していたとしても、そのうねり部分を除去することができる。つまり、本実施形態によれば、内周端にうねりのない環状の塗布膜Ｔ２を得ることができる。その結果、ウェハＷにおけるデバイス形成領域を有効に活用することができる。
【0069】
また、塗布膜Ｔ１の形成時の条件（例えば塗布液供給時のウェハＷの回転数や液の吐出量）及び薬液種によって塗布液の広がり態様が変わる。そのため、従来の外周塗布処理では、例えば薬液種毎等に上記条件を調節する必要がある。それに対し、本実施形態の塗布処理は、上記条件を薬液毎に調節する必要がないため、ロバスト性が高い。
【0070】
＜塗布膜の形成領域の他の例＞
以上の例では、ウェハＷのベベルを除いた部分における、周縁部の表面に、紫外線硬化型材料の塗布膜を形成していた。これに加えて、図８に示すように、本実施形態の外周処理によってベベルＷ１を含むウェハＷの周縁部の表面に目標幅の紫外線硬化型材料の塗布膜Ｔ１ａを形成してもよい。
以上の例では、ウェハＷのベベルを除いた部分における、周縁部の表面に、紫外線硬化型材料の塗布膜を形成していた。これに加えて、図８に示すように、本実施形態の外周処理によってベベルＷ１を含むウェハＷの周縁部の表面に目標幅の紫外線硬化型材料の塗布膜Ｔ１ａを形成してもよい。
【0071】
ベベルＷ１に目標幅の紫外線硬化型材料の塗布膜Ｔ１ａを形成する場合、例えば、照射ノズル１８０の光軸を可変とし、被照射領域に応じて光軸を調整してもよい。これより、ウェハＷのベベルＷ１にも、紫外線硬化型材料の塗布膜Ｔ１ａを適切に形成することができる。照射ノズル１８０の光軸を可変とすることに代えて、以下のようにしてもよい。すなわち、光源からの紫外線をミラーにより反射し、反射光をベベルＷ１に照射する構成とし、上記ミラーの角度を可変とし、被照射領域に応じてミラーの角度すなわち光路を調整してもよい。
【0072】
また、本実施形態にかかる外周塗布処理では、塗布膜の乾燥が不要であり、ウェハＷを高速で回転させる必要がないため、ウェハＷのベベルＷ１まで塗布膜を形成する場合でも、塗布膜を構成する塗布液の塊がベベルＷ１から飛び出すことを抑制することができる。したがって、上記塗布液の塊の飛び出しに起因する窪み（クレーター）が塗布膜に形成されるのを抑制することができる。
さらに、本実施形態にかかる外周塗布処理によれば、ウェハＷのベベルＷ１における塗布膜を形成する領域を容易に調整することができる。
さらに、本実施形態にかかる外周塗布処理によれば、ウェハＷのベベルＷ１における塗布膜を形成する領域を容易に調整することができる。
【0073】
なお、本実施形態にかかる技術は、紫外線硬化型材料の塗布膜をウェハＷの周縁部の裏面に形成する場合にも適用することができる。
【0074】
＜外周塗布処理の他の例＞
図９は、ウェハの一例を示す部分拡大断面図である。
図９に示すように、ウェハＷに、互いに外周端位置が異なる既存膜が複数形成されている場合がある。図の例では、３つの既存膜Ｆ１～Ｆ３がウェハＷに形成されている。
このように複数の既存膜が形成されている場合または１つの既存膜が形成されている場合も、基本的に、図７を用いて説明した外周塗布処理と同様な処理が行われる。ただし、上述のような場合、既存膜の外周端位置に基づいて、前述のステップＳ４における紫外線の照射範囲が制御部６により決定されてもよい。また、上述のような場合、前述のステップＳ２における塗布膜の形成領域は、十分大きな範囲が予め定められていてもよいし、既存膜の外周端位置に基づいて制御部６により決定されてもよい。
図９は、ウェハの一例を示す部分拡大断面図である。
図９に示すように、ウェハＷに、互いに外周端位置が異なる既存膜が複数形成されている場合がある。図の例では、３つの既存膜Ｆ１～Ｆ３がウェハＷに形成されている。
このように複数の既存膜が形成されている場合または１つの既存膜が形成されている場合も、基本的に、図７を用いて説明した外周塗布処理と同様な処理が行われる。ただし、上述のような場合、既存膜の外周端位置に基づいて、前述のステップＳ４における紫外線の照射範囲が制御部６により決定されてもよい。また、上述のような場合、前述のステップＳ２における塗布膜の形成領域は、十分大きな範囲が予め定められていてもよいし、既存膜の外周端位置に基づいて制御部６により決定されてもよい。
【0075】
既存膜の外周端位置は、例えば、ウェハＷ毎に当該ウェハＷの識別情報と関連付けられたデバイス・レイヤー情報を参照して取得される。デバイス・レイヤー情報とは、ウェハＷ上の各層（レイヤー）を構成する膜に関する情報のリストであり、例えば膜種の情報や前後の処理フローに関する情報等を含む。
また、既存膜の外周端位置は、例えば、検査装置５０等の撮像装置で事前に撮像されたウェハＷの画像から取得されてもよい。
また、既存膜の外周端位置は、例えば、検査装置５０等の撮像装置で事前に撮像されたウェハＷの画像から取得されてもよい。
【0076】
上述のように外周端位置が異なる既存膜Ｆ１～Ｆ３が形成されている場合、前述のステップＳ３では、図９に示すように、最もウェハの中央側に位置する既存膜Ｆ３の外周端からウェハＷの外周端までの領域の一部を構成する領域が保護対象領域とされ、当該保護対象領域に、紫外線が照射されるようにしてもよい。図の例では、既存膜Ｆ３の外周端と、既存膜Ｆ１～Ｆ３にも覆われていないウェハＷの外周端が、保護対象領域Ａ１、Ａ２とされている。
【0077】
このようにすることにより、既存膜Ｆ１～Ｆ３の外周端及び既存膜Ｆ１～Ｆ３にも覆われていないウェハＷの周端のうち、保護が要求される個所が複数であっても、その複数の保護が要求される個所に、一回の外周塗布処理で同時に保護膜すなわち塗布膜Ｔ２を形成することができる。なお、「保護が要求される個所」とは、例えば、後のエッチングにおいて侵食の抑制が要求される部分に設定される。
【0078】
また、保護が要求される個所は、例えば、前述のデバイス・レイヤー情報に基づいて、制御部６が判定してもよい。前述のデバイス・レイヤー情報は、膜種の材料特性に関する情報や、前後の処理フローに関する情報を含んでいる。これらの情報に基づいて、制御部６が、後の処理で保護が必要か否かの判定や、既存膜の材料が保護する必要があるものであるか否かの判定を行い、判定結果に基づいて、保護が要求される個所すなわち前述の紫外線の照射範囲を決定してもよい。なお、保護が要求される個所は、ユーザからの入力に基づいて決定されてもよい。
【0079】
＜外周塗布処理のその他の例＞
前述のステップＳ２～Ｓ５を繰り返し順に行い、目標幅の塗布膜を積層させ、厚膜化させてもよい。１回目のステップＳ５までの実施による硬化状態の塗布膜に対して２回目のステップＳ２の実施により、その硬化状態の塗布膜及びその内側を含む範囲で塗布膜が形成される。そのときの塗布膜は上記硬化状態の塗布膜の範囲において他の領域よりも上方に盛り上がった状態となる。その後、また同様にステップＳ３～Ｓ５を行うと、上記他の領域の塗布膜は除去され、上記硬化状態の塗布膜の厚みが目標幅で増す。流量や回転数を上げても液種や粘度による流動性から一度の供給と硬化によって得られる厚さには限界があることと、基板上の塗布対象範囲外に液を広げたくないことからも、基板上への局所領域での厚膜化に対して、上記のように繰り返しによる複数回の硬化による塗布膜の積層化は有効である。
前述のステップＳ２～Ｓ５を繰り返し順に行い、目標幅の塗布膜を積層させ、厚膜化させてもよい。１回目のステップＳ５までの実施による硬化状態の塗布膜に対して２回目のステップＳ２の実施により、その硬化状態の塗布膜及びその内側を含む範囲で塗布膜が形成される。そのときの塗布膜は上記硬化状態の塗布膜の範囲において他の領域よりも上方に盛り上がった状態となる。その後、また同様にステップＳ３～Ｓ５を行うと、上記他の領域の塗布膜は除去され、上記硬化状態の塗布膜の厚みが目標幅で増す。流量や回転数を上げても液種や粘度による流動性から一度の供給と硬化によって得られる厚さには限界があることと、基板上の塗布対象範囲外に液を広げたくないことからも、基板上への局所領域での厚膜化に対して、上記のように繰り返しによる複数回の硬化による塗布膜の積層化は有効である。
【0080】
＜変形例＞
以上の例では、外周塗布処理を外周塗布装置３２のみで行っていたが、外周塗布処理のうち紫外線照射を周辺露光装置４１で行い、その他を外周塗布装置３２で行うようにしてもよい。
以上の例では、外周塗布処理を外周塗布装置３２のみで行っていたが、外周塗布処理のうち紫外線照射を周辺露光装置４１で行い、その他を外周塗布装置３２で行うようにしてもよい。
【0081】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【0082】
６ 制御部
３２ 外周塗布装置
１２１ スピンチャック
１６０ 液供給ノズル
１７０ 溶剤供給ノズル
１８０ 照射ノズル
Ｄ１ 塗布液
Ｄ２ 溶剤
Ｐ 目標幅
Ｒ２ 領域
Ｔ１ 塗布膜
Ｕ 紫外線
Ｗ ウェハ
３２ 外周塗布装置
１２１ スピンチャック
１６０ 液供給ノズル
１７０ 溶剤供給ノズル
１８０ 照射ノズル
Ｄ１ 塗布液
Ｄ２ 溶剤
Ｐ 目標幅
Ｒ２ 領域
Ｔ１ 塗布膜
Ｕ 紫外線
Ｗ ウェハ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】