特開2022-184610IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

発光素子

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】順方向電圧の上昇を抑制しつつ、光取り出し効率を向上させることができる発光素子を提供すること。
【解決手段】上面視において、ｐ側電極はｎ側電極の周囲に設けられ、透光性導電膜は、ｐ側電極よりも外側であって、ｐ側電極と、ｐ側半導体層の外縁との間に位置する第１領域と、ｐ側電極よりも内側に位置する第２領域とを有する。上面視において、第１領域は、ｐ側電極からｐ側半導体層の外縁に向かって延伸する複数の第１部分と、第１部分間に位置する第２部分とを有する。第１部分の膜厚は、第２領域の膜厚及び第２部分の膜厚よりも厚い。
【選択図】図２Ａ

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、順方向電圧の上昇を抑制しつつ、光取り出し効率を向上させることができる発光素子を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば、発光素子は、ｐ側半導体層と、ｎ側半導体層と、前記ｐ側半導体層と前記ｎ側半導体層との間に位置する活性層とを有する半導体積層体と、前記ｐ側半導体層上に設けられた透光性導電膜と、前記透光性導電膜上に設けられ、第１接続部と、前記第１接続部から延伸する第１延伸部とを有するｐ側電極と、前記ｎ側半導体層上に設けられたｎ側電極と、を備える。上面視において、前記ｐ側電極は、前記ｎ側電極・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の発光素子によれば、順方向電圧の上昇を抑制しつつ、光取り出し効率を向上させることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の第１実施形態の発光素子の模式上面図である。
【図2A】 図１におけるＡ部の拡大図である。
【図2B】 本発明の第１実施形態の発光素子の模式上面図である。
【図3】 図１のIII-III線における模式断面図である。
【図4】 図１のIV-IV線における模式断面図である。
【図5】 各サンプルの第１領域の全体の面積、第１領域の各部分の幅及び面積を示す表である。
【図6A】 各サンプルの順方向電圧を説明するためのグラフである。
【図6B】 各サンプルの出力を説明するためのグラフである。
【図7】 本発明の第２実施形態の発光素子の模式上面図である。
【図8】 図７におけるＢ部の拡大図である。
【図9】 図７のIX-IX線における模式断面図である。
【図10A】 本発明の実施形態による透光性導電膜の第１の形成方法を示す模式断面図である。
【図10B】 本発明の実施形態による透光性導電膜の第１の形成方法を示す模式断面図である。
【図10C】 本発明の実施形態による透光性導電膜の第１の形成方法を示す模式断面図である。
【図11A】 本発明の実施形態による透光性導電膜の第２の形成方法を示す模式断面図である。
【図11B】 本発明の実施形態による透光性導電膜の第２の形成方法を示す模式断面図である。
【図11C】 本発明の実施形態による透光性導電膜の第２の形成方法を示す模式断面図である。

選択図 図2A出願人が指定した本件の代表的な図

１、２…発光素子、１０…半導体積層体、１１…ｎ側半導体層、１２…ｐ側半導体層、１３…活性層、２０…透光性導電膜、２１…第１領域、２１ａ…第１部分、２１ｂ…第２部分、２１ｃ…第３部分、２１ｄ…第５部分、２２…第２領域、２３…第３領域、２３ａ…第４部分、２３ｂ…第６部分、２５…内側領域、２６…外側領域、２６ａ…第１部分、２６ｂ…第２部分、５０、１５０…ｐ側電極、５１、１５１…第１接続部、５２、１５２…第１延伸部、５４…先端側部分、５４ａ…先端部、６０、１６０…ｎ側電極、６１、１６１…第２接続部、６２、１６２…第２延伸部、１００…基板

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