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特開2022-186787異方性導電フィルム及びその製造方法、並びに接続構造体及びその製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022186787
(43)【公開日】2022-12-15
(54)【発明の名称】異方性導電フィルム及びその製造方法、並びに接続構造体及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01R 43/00 20060101AFI20221208BHJP
H01R 11/01 20060101ALI20221208BHJP
H01B 5/16 20060101ALI20221208BHJP
【ＦＩ】
H01R43/00 H
H01R11/01 501C
H01B5/16
【審査請求】有
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022164228
(22)【出願日】2022-10-12
(62)【分割の表示】P 2017145591の分割
【原出願日】2017-07-27
(71)【出願人】
【識別番号】000004455
【氏名又は名称】昭和電工マテリアルズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100128381
【弁理士】
【氏名又は名称】清水 義憲
(74)【代理人】
【識別番号】100169454
【弁理士】
【氏名又は名称】平野 裕之
(74)【代理人】
【識別番号】100169063
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 洋平
(72)【発明者】
【氏名】森谷 敏光
(72)【発明者】
【氏名】杜 暁黎
(72)【発明者】
【氏名】須方 振一郎
(72)【発明者】
【氏名】横地 精吾
(72)【発明者】
【氏名】江尻 芳則
(57)【要約】
【課題】電気的に互いに接続すべき回路部材の接続箇所が微小であっても絶縁信頼性及び導通信頼性の両方が優れる接続構造体を製造するのに有用な異方性導電フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る異方性導電フィルムの製造方法は、（ａ）転写型に設けられた複数の開口部に、一個又は複数個のはんだ粒子をそれぞれ収容する工程と、（ｂ）転写型の開口部が設けられている側に、絶縁性を有する接着剤成分を接触させることにより、はんだ粒子が転写された第一のフィルムを得る工程と、（ｃ）はんだ粒子が転写された側の第一のフィルムの表面上に、絶縁性を有する接着剤成分からなる第二のフィルムを形成することにより、異方性導電フィルムを得る工程とをこの順序で含む。
【選択図】図７
【解決手段】本発明に係る異方性導電フィルムの製造方法は、（ａ）転写型に設けられた複数の開口部に、一個又は複数個のはんだ粒子をそれぞれ収容する工程と、（ｂ）転写型の開口部が設けられている側に、絶縁性を有する接着剤成分を接触させることにより、はんだ粒子が転写された第一のフィルムを得る工程と、（ｃ）はんだ粒子が転写された側の第一のフィルムの表面上に、絶縁性を有する接着剤成分からなる第二のフィルムを形成することにより、異方性導電フィルムを得る工程とをこの順序で含む。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
異方性導電フィルムの製造方法であって、
（ａ）転写型に設けられた複数の開口部に、一個又は複数個のはんだ粒子をそれぞれ収容する工程と、
（ｂ）前記転写型の前記開口部が設けられている側に、絶縁性を有する接着剤成分を接触させることにより、前記はんだ粒子が転写された第一のフィルムを得る工程と、
（ｃ）前記はんだ粒子が転写された側の前記第一のフィルムの表面上に、絶縁性を有する接着剤成分からなる第二のフィルムを形成することにより、異方性導電フィルムを得る工程と、
をこの順序で含む、異方性導電フィルムの製造方法。
（ａ）転写型に設けられた複数の開口部に、一個又は複数個のはんだ粒子をそれぞれ収容する工程と、
（ｂ）前記転写型の前記開口部が設けられている側に、絶縁性を有する接着剤成分を接触させることにより、前記はんだ粒子が転写された第一のフィルムを得る工程と、
（ｃ）前記はんだ粒子が転写された側の前記第一のフィルムの表面上に、絶縁性を有する接着剤成分からなる第二のフィルムを形成することにより、異方性導電フィルムを得る工程と、
をこの順序で含む、異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項2】
（ｂ）工程で得られる前記第一のフィルムの前記表面に、前記はんだ粒子が露出している、請求項１に記載の製造方法。
【請求項3】
（ｂ）工程において、前記開口部の内部にまで前記接着剤成分を侵入させることにより、前記第一のフィルムの前記表面側に前記はんだ粒子が埋設されている、請求項１に記載の製造方法。
【請求項4】
（ｂ）工程は、前記はんだ粒子の転写後に、前記接着剤成分を硬化させるステップを有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項5】
異方性導電フィルムであって、
絶縁性を有する接着剤成分からなる絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルム中に配置されている複数のはんだ粒子と、
を含み、
当該異方性導電フィルムの縦断面において、一個の前記はんだ粒子又は複数個の前記はんだ粒子からなる粒子群が隣接する一個の前記はんだ粒子又は前記粒子群と離隔した状態で横方向に並ぶように配置されている、異方性導電フィルム。
絶縁性を有する接着剤成分からなる絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルム中に配置されている複数のはんだ粒子と、
を含み、
当該異方性導電フィルムの縦断面において、一個の前記はんだ粒子又は複数個の前記はんだ粒子からなる粒子群が隣接する一個の前記はんだ粒子又は前記粒子群と離隔した状態で横方向に並ぶように配置されている、異方性導電フィルム。
【請求項6】
当該異方性導電フィルムの横断面において、前記粒子群が規則的に配置されている、請求項５に記載の異方性導電フィルム。
【請求項7】
前記はんだ粒子の平均粒径が０．６～１５μｍである、請求項５又は６に記載の異方性導電フィルム。
【請求項8】
前記はんだ粒子が、スズ又はスズ合金を含む、請求項５～７のいずれか一項に記載の異方性導電フィルム。
【請求項9】
前記はんだ粒子が、Ｉｎ－Ｓｎ合金、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ｂｉ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ合金又はＳｎ－Ｃｕ合金からなる、請求項５～８のいずれか一項に記載の異方性導電フィルム。
【請求項10】
前記はんだ粒子の表面が、フラックス成分によって被覆されている、請求項５～９のいずれか一項に記載の異方性導電フィルム。
【請求項11】
第一の基板と当該第一の基板に設けられた第一の電極とを有する第一の回路部材を準備すること；
前記第一の電極と電気的に接続される第二の電極を有する第二の回路部材を準備すること；
前記第一の回路部材の前記第一の電極を有する面と、前記第二の回路部材の前記第二の電極を有する面との間に、請求項５～１０のいずれか一項に記載の異方性導電フィルムを配置すること；
前記第一の回路部材と前記異方性導電フィルムと前記第二の回路部材とを含む積層体を前記積層体の厚さ方向の押圧した状態で、前記はんだ粒子の融点以上に加熱することによって前記第一の電極と前記第二の電極とをはんだを介して電気的に接続し且つ前記第一の回路部材と前記第二の回路部材と接着すること；
を含む接続構造体の製造方法。
前記第一の電極と電気的に接続される第二の電極を有する第二の回路部材を準備すること；
前記第一の回路部材の前記第一の電極を有する面と、前記第二の回路部材の前記第二の電極を有する面との間に、請求項５～１０のいずれか一項に記載の異方性導電フィルムを配置すること；
前記第一の回路部材と前記異方性導電フィルムと前記第二の回路部材とを含む積層体を前記積層体の厚さ方向の押圧した状態で、前記はんだ粒子の融点以上に加熱することによって前記第一の電極と前記第二の電極とをはんだを介して電気的に接続し且つ前記第一の回路部材と前記第二の回路部材と接着すること；
を含む接続構造体の製造方法。
【請求項12】
第一の基板と当該第一の基板に設けられた第一の電極とを有する第一の回路部材と、
前記第一の電極と電気的に接続されている第二の電極を有する第二の回路部材と、
前記第一の電極と前記第二の電極との間に介在するはんだ接合部と、
前記第一の回路部材と前記第二の回路部材との間に設けられ、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材と接着している絶縁樹脂層と、
を備える接続構造体。
前記第一の電極と電気的に接続されている第二の電極を有する第二の回路部材と、
前記第一の電極と前記第二の電極との間に介在するはんだ接合部と、
前記第一の回路部材と前記第二の回路部材との間に設けられ、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材と接着している絶縁樹脂層と、
を備える接続構造体。
【請求項13】
前記第一の電極及び前記第二の電極の少なくとも一方が、銅、ニッケル、パラジウム、金、銀及びこれらの合金、並びに、インジウムスズ酸化物からなる群から選ばれる材質からなる、請求項１２に記載の接続構造体。
【請求項14】
前記第一の電極及び前記第二の電極の少なくとも一方が銅からなり、
前記第一の電極と前記第二の電極が金属間化合物からなる層を介して接続されている、請求項１２又は１３に記載の接続構造体。
前記第一の電極と前記第二の電極が金属間化合物からなる層を介して接続されている、請求項１２又は１３に記載の接続構造体。
【請求項15】
前記金属間化合物からなる層の厚さが、０．１～１０．０μｍである、請求項１４に記載の接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、異方性導電フィルム及びその製造方法、並びに接続構造体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示用ガラスパネルに液晶駆動用ＩＣを実装する方式は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ－ｏｎ－Ｇｌａｓｓ）実装と、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ－ｏｎ－Ｆｌｅｘ）実装との二種に大別することができる。ＣＯＧ実装では、導電粒子を含む異方性導電接着剤を用いて液晶駆動用ＩＣを直接ガラスパネル上に接合する。一方、ＣＯＦ実装では、金属配線を有するフレキシブルテープに液晶駆動用ＩＣを接合し、導電粒子を含む異方性導電接着剤を用いてそれらをガラスパネルに接合する。ここでいう「異方性」とは、加圧方向には導通し、非加圧方向では絶縁性を保つという意味である。
【0003】
ところで、近年の液晶表示の高精細化に伴い、液晶駆動用ＩＣの回路電極である金属バンプは狭ピッチ化及び狭面積化しており、そのため、異方性導電接着剤の導電粒子が隣接する回路電極間に流出してショートを発生させるおそれがある。特にＣＯＧ実装ではその傾向が顕著である。隣接する回路電極間に導電粒子が流出すると、金属バンプとガラスパネルとの間に捕捉される導電粒子数が減少し、対面する回路電極間の接続抵抗が上昇する接続不良を起こすおそれがある。このような傾向は、単位面積あたり２万個／ｍｍ２未満の導電粒子を投入すると、より顕著である。
【0004】
これらの問題を解決する方法として、導電粒子（母粒子）の表面に複数の絶縁粒子（子粒子）を付着させ、複合粒子を形成させる方法が提案されている。例えば、特許文献１，２では導電粒子の表面に球状の樹脂粒子を付着させる方法が提案されている。更に単位面積あたり７万個／ｍｍ２以上の導電粒子を投入した場合であっても、絶縁信頼性に優れた絶縁被覆導電粒子が提案されており、特許文献３では、第１の絶縁粒子と、第１の絶縁粒子よりもガラス転移温度が低い第２の絶縁粒子が導電粒子の表面に付着された絶縁被覆導電粒子が提案されている。また、特許文献４では、電極間の接続をより強固にする観点から、はんだ粒子を含んだ導電ペーストが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特許第４７７３６８５号公報
【特許文献2】特許第３８６９７８５号公報
【特許文献3】特開２０１４－１７２１３号公報
【特許文献4】特開２０１６－７６４９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ところで、電気的に互いに接続すべき回路部材の接続箇所が微小（例えばバンプ面積２０００μｍ２未満）である場合、安定した導通信頼性を得るために導電粒子を増やすことが好ましい。このような理由から、単位面積あたり１０万個／ｍｍ２以上の導電粒子を投入する場合もでてきている。しかしながら、このように接続箇所が微小である場合、特許文献１～３に記載の絶縁被覆導電粒子を用いたとしても、導通信頼性と絶縁信頼性のバランスを取ることは難しく、未だ改善の余地があった。他方、特許文献４に記載のはんだ粒子を含む導電ペーストを用いた場合、導通信頼性は十分に確保し得るものの、絶縁信頼性が不十分であるという課題があった。
【0007】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、電気的に互いに接続すべき回路部材の接続箇所が微小であっても、絶縁信頼性及び導通信頼性の両方が優れる接続構造体を製造するのに有用な異方性導電フィルム及びその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、この異方性導電フィルムを用いて製造される接続構造体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するため、本発明者らは従来の手法では絶縁抵抗値が低下する理由について検討した。その結果、特許文献１，２に記載の発明では、導電粒子の表面に被覆されている絶縁粒子の被覆性が低く、単位面積あたり２万個／ｍｍ２程度又はこれ未満の導電粒子の投入量であっても、絶縁抵抗値が低下しやすいことが分かった。
【0009】
特許文献３に記載の発明においては、特許文献１，２に記載の発明の欠点を補うため、第１の絶縁粒子と、第１の絶縁粒子よりもガラス転移温度が低い第２の絶縁粒子を導電粒子の表面に付着させている。これにより、導電粒子の投入量が単位面積あたり７万個／ｍｍ２程度であれば絶縁抵抗値が十分に高い状態を維持できる。しかし、導電粒子の投入量が単位面積あたり１０万個／ｍｍ２以上ともなると絶縁抵抗値が不十分となる可能性があることが分かった。
【0010】
特許文献４に記載の発明においては、はんだ粒子を含んだ導電ペーストを用いていることで、特許文献１～３に記載の発明と比較して優れた導通信頼性に達成し得ると認められるものの、電気的に互いに接続すべき回路部材の接続箇所が微小（例えばバンプ面積２０００μｍ２未満）である場合、バンプとバンプの間の接続部以外にはんだ粒子が残りやすいため、絶縁信頼性が不十分となる可能性があることが分かった。
【0011】
本発明は本発明者らの上記知見に基づいてなされたものである。本発明は以下の工程をこの順序で含む異方性導電フィルムの製造方法を提供する。
（ａ）転写型に設けられている複数の開口部に、一個又は複数個のはんだ粒子をそれぞれ収容する工程。
（ｂ）転写型の開口部が設けられている側に、絶縁性を有する接着剤成分を接触させることにより、はんだ粒子が転写された第一のフィルムを得る工程。
（ｃ）はんだ粒子が転写された側の第一のフィルムの表面上に、絶縁性を有する接着剤成分からなる第二のフィルムを形成することにより、異方性導電フィルムを得る工程。
（ａ）転写型に設けられている複数の開口部に、一個又は複数個のはんだ粒子をそれぞれ収容する工程。
（ｂ）転写型の開口部が設けられている側に、絶縁性を有する接着剤成分を接触させることにより、はんだ粒子が転写された第一のフィルムを得る工程。
（ｃ）はんだ粒子が転写された側の第一のフィルムの表面上に、絶縁性を有する接着剤成分からなる第二のフィルムを形成することにより、異方性導電フィルムを得る工程。
【0012】
上記異方性導電フィルムの製造方法によれば、転写型を用いることで、異方性導電フィルムの厚さ方向における所定の領域に、一個のはんだ粒子又は複数個のはんだ粒子からなる粒子群が隣接する一個のはんだ粒子又は粒子群と離隔した状態で並ぶように配置された異方性導電フィルムを製造することができる。例えば、接続すべき電極のパターンに応じた転写型を用いて異方性導電フィルムを製造することで、異方性導電フィルムにおけるはんだ粒子の位置及び個数を十分に制御することができる。このような異方性導電フィルムを用いて接続構造体を製造することにより、電気的に互いに接続すべき一対の電極間に存在するはんだ粒子の数を十分に確保する一方、絶縁性を保つべき隣接する電極間に存在するはんだ粒子の数を十分に少なくすることができる。これにより、回路部材の接続箇所が微小であっても、絶縁信頼性及び導通信頼性の両方が優れる接続構造体を十分に効率的且つ安定的に製造することができる。
【0013】
上記（ｂ）工程で得られる第一のフィルムは、その表面に、はんだ粒子が露出していてもよいし、第一のフィルムの表面側にはんだ粒子が埋設されていてもよい。第一のフィルムの表面側にはんだ粒子を埋設するには、（ｂ）工程において、開口部の内部にまで接着剤成分を侵入させればよい。また、（ｂ）工程で得られる第一のフィルムにおいて、転写されたはんだ粒子を固定化するため、（ｂ）工程は、はんだ粒子の転写後に、接着剤成分を硬化させるステップを有してもよい。
【0014】
本発明において、はんだ粒子の平均粒径は、０．６～１５μｍであることが好ましい。はんだ粒子は、スズ又はスズ合金を含むことが好ましい。はんだ粒子を構成するスズ合金の具体例として、Ｉｎ－Ｓｎ合金、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ｂｉ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ合金及びＳｎ－Ｃｕ合金が挙げられる。高い導通信頼性を達成する観点から、はんだ粒子の表面は、フラックス成分によって被覆されていることが好ましい。
【0015】
本発明は次の構成の異方性導電フィルムを提供する。すなわち、本発明に係る異方性導電フィルムは、絶縁性を有する接着剤成分からなる絶縁性フィルムと、絶縁性フィルム中に配置されている複数のはんだ粒子とを含み、当該異方性導電フィルムの縦断面において、一個のはんだ粒子又は複数個のはんだ粒子からなる粒子群が隣接する一個のはんだ粒子又は粒子群と離隔した状態で横方向に並ぶように配置されている。なお、ここでいう「縦断面」とは異方性導電フィルムの主面に対して直交する断面を意味し、「横方向」とは異方性導電フィルムの主面と平行な方向を意味する。
【0016】
接続構造体のより一層優れた絶縁信頼性及び導通信頼性の両方を達成する観点から、上記異方性導電フィルムの横断面において、粒子群が規則的に配置されていることが好ましい。
【0017】
本発明は、上記異方性導電フィルムを用いて接続構造体を製造する方法を提供する。すなわち、本発明に係る接続構造体の製造方法は、第一の基板と当該第一の基板に設けられた第一の電極とを有する第一の回路部材を準備すること；第一の電極と電気的に接続される第二の電極を有する第二の回路部材を準備すること；第一の回路部材の第一の電極を有する面と、第二の回路部材の第二の電極を有する面との間に、上記異方性導電フィルムを配置すること；第一の回路部材と異方性導電フィルムと第二の回路部材とを含む積層体を積層体の厚さ方向の押圧した状態で、はんだ粒子の融点以上に加熱することによって第一の電極と第二の電極とをはんだを介して電気的に接続し且つ第一の回路部材と第二の回路部材と接着することを含む。
【0018】
上記接続構造体の製造方法によれば、第一の電極と第二の電極の接続箇所が微小であっても、絶縁信頼性及び導通信頼性の両方が優れる接続構造体を十分に効率的且つ安定的に製造することができる。すなわち、上記積層体の厚さ方向に押圧した状態で、上記積層体をはんだ粒子の融点以上に加熱することにより、第一の電極と第二の電極の間に、はんだ粒子が溶融しながら寄り集まり、第一の電極と第二の電極とがはんだを介して接合される。これにより、第一の電極と第二の電極との良好な導通信頼性を得ることが可能である。これに加え、第一の電極と第二の電極の間に、はんだ粒子が溶融しながら寄り集まることで、絶縁性を保つべき隣接する電極間に、はんだ粒子が残りづらくなるため、当該電極間のショート発生が抑制され、高い絶縁信頼性を得ることが可能になる。
【0019】
本発明は次の構成の接続構造体を提供する。すなわち、本発明に係る接続構造体は、第一の基板と当該第一の基板に設けられた第一の電極とを有する第一の回路部材と、第一の電極と電気的に接続されている第二の電極を有する第二の回路部材と、第一の電極と第二の電極との間に介在するはんだ接合部と、第一の回路部材と第二の回路部材との間に設けられ、第一の回路部材と第二の回路部材と接着している絶縁接着層とを備える。
【0020】
本発明において、第一の電極及び第二の電極の少なくとも一方が、銅、ニッケル、パラジウム、金、銀及びこれらの合金、並びに、インジウムスズ酸化物からなる群から選ばれる材質からなることが好ましい。第一の電極及び第二の電極の少なくとも一方が銅からなる場合、第一の電極と第二の電極が金属間化合物からなる層を介して接続されていてもよい。この金属間化合物からなる層の厚さは、導通信頼性及び接続強度の観点から０．１～１０．０μｍであることが好ましい。なお、「金属間化合物からなる層」とは、はんだ粒子が融解してはんだ層が形成される際に、はんだ層に銅の拡散が起こることで形成される層をいう。
【発明の効果】
【0021】
本発明によれば、電気的に互いに接続すべき回路部材の接続箇所が微小であっても、絶縁信頼性及び導通信頼性の両方が優れる接続構造体を製造するのに有用な異方性導電フィルム及びその製造方法が提供される。また、本発明によれば、この異方性導電フィルムを用いて製造される接続構造体及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、本発明に実施形態について説明する。本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、以下で例示する材料は、特に断らない限り、一種単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
【0024】
＜異方性導電フィルム＞
図１に示す第一実施形態に係る異方性導電フィルム１０は、絶縁性を有する接着剤成分からなる絶縁性フィルム２と、絶縁性フィルム２中に配置されている複数のはんだ粒子１とによって構成されている。異方性導電フィルム１０の所定の縦断面において、一個のはんだ粒子１は隣接する一個のはんだ粒子１と離隔した状態で横方向（図１における左右方向）に並ぶように配置されている。換言すると、異方性導電フィルム１０は、その縦断面において、複数のはんだ粒子１が横方向に列をなしている中央領域１０ａと、はんだ粒子１が実質的に存在しない表面側領域１０ｂ，１０ｃとによって構成されている。
図１に示す第一実施形態に係る異方性導電フィルム１０は、絶縁性を有する接着剤成分からなる絶縁性フィルム２と、絶縁性フィルム２中に配置されている複数のはんだ粒子１とによって構成されている。異方性導電フィルム１０の所定の縦断面において、一個のはんだ粒子１は隣接する一個のはんだ粒子１と離隔した状態で横方向（図１における左右方向）に並ぶように配置されている。換言すると、異方性導電フィルム１０は、その縦断面において、複数のはんだ粒子１が横方向に列をなしている中央領域１０ａと、はんだ粒子１が実質的に存在しない表面側領域１０ｂ，１０ｃとによって構成されている。
【0025】
図２（ａ）は図１に示すＩＩａ－ＩＩａ線における模式的な横断面図である。同図に示されるとおり、異方性導電フィルム１０の横断面において、はんだ粒子１が規則的に配置されている。図２（ａ）に示されたとおり、はんだ粒子１は異方性導電フィルム１０の全体の領域に対して規則的且つほぼ均等の間隔で配置されていてもよく、図２（ｂ）に示された変形例のように、異方性導電フィルム１０の横断面において、複数のはんだ粒子１が規則的に配置されている領域１０ｄと、はんだ粒子１が実質的に存在しない領域１０ｅとが規則的に形成されるように、はんだ粒子１を配置してもよい。例えば、接続すべき電極の形状、サイズ及びパターン等に応じ、はんだ粒子１の位置及び個数等を設定すればよい。
【0026】
図３に示す第二実施形態に係る異方性導電フィルム２０は、絶縁性を有する接着剤成分からなる絶縁性フィルム２と、絶縁性フィルム２中に配置されている複数の粒子群１Ａとによって構成されている。粒子群１Ａは複数のはんだ粒子１からなる。異方性導電フィルム２０の所定の縦断面において、一つの粒子群１Ａは隣接する一つの粒子群１Ａと離隔した状態で横方向（図３における左右方向）に並ぶように配置されている。換言すると、異方性導電フィルム２０は、その縦断面において、複数の粒子群１Ａが横方向に列をなしている中央領域２０ａと、粒子群１Ａが実質的に存在しない表面側領域２０ｂ，２０ｃとによって構成されている。
【0027】
図４（ａ）は図１に示すＩＶａ－ＩＶａ線における模式的な横断面図である。同図に示されるとおり、異方性導電フィルム２０の横断面において、粒子群１Ａが規則的に配置されている。図４（ａ）に示されたとおり、粒子群１Ａは異方性導電フィルム２０の全体の領域に対して規則的且つほぼ均等の間隔で配置されていてもよく、図４（ｂ）に示された変形例のように、異方性導電フィルム２０の横断面において、複数の粒子群１Ａが規則的に配置されている領域２０ｄと、粒子群１Ａが実質的に存在しない領域２０ｅとが規則的に形成されるように、粒子群１Ａを配置してもよい。例えば、接続すべき電極の形状、サイズ及びパターン等に応じ、粒子群１Ａの位置及び個数等を設定すればよい。
【0028】
（はんだ粒子）
はんだ粒子１の粒径は、例えば、０．４～３０μｍであり、０．５～２０μｍ又は０．６～１５μｍであってもよい。はんだ粒子１の粒径が０．４μｍ未満であると、はんだ表面の酸化の影響を受けやすく、電気的に接続すべき一対の電極ではんだ粒子１が押圧された状態で、はんだ粒子１を融点以上に加熱しても、はんだ粒子１が溶融せずに微小な粒子のままで残る傾向にあり、導通信頼性が不十分となる傾向にある。一方、はんだ粒子１の粒径が３０μｍを超えると、絶縁信頼性が不十分となる傾向にある。
はんだ粒子１の粒径は、例えば、０．４～３０μｍであり、０．５～２０μｍ又は０．６～１５μｍであってもよい。はんだ粒子１の粒径が０．４μｍ未満であると、はんだ表面の酸化の影響を受けやすく、電気的に接続すべき一対の電極ではんだ粒子１が押圧された状態で、はんだ粒子１を融点以上に加熱しても、はんだ粒子１が溶融せずに微小な粒子のままで残る傾向にあり、導通信頼性が不十分となる傾向にある。一方、はんだ粒子１の粒径が３０μｍを超えると、絶縁信頼性が不十分となる傾向にある。
【0029】
はんだ粒子１の平均粒径は、例えば、０．６～１５μｍであり、１．０～１２μｍ又は１．２～１０μｍであってもよい。はんだ粒子１の平均粒径が０．６μｍ未満であると、はんだ表面の酸化の影響を受けやすく、電気的に接続すべき一対の電極ではんだ粒子１が押圧された状態で、はんだ粒子１を融点以上に加熱しても、はんだ粒子１が溶融せずに微小な粒子のままで残る傾向にあり、導通信頼性が不十分となる傾向にある。一方、はんだ粒子１の平均粒径が１５μｍを超えると、絶縁信頼性が不十分となる傾向にある。
【0030】
はんだ粒子１の粒径は、走査電子顕微鏡（以下、ＳＥＭ）を用いた観察により測定することができる。すなわち、はんだ粒子の平均粒径は、任意のはんだ粒子３００個についてＳＥＭを用いた観察により粒径の測定を行い、それらの平均値をとることにより得られる。
【0031】
はんだ粒子１は、スズ又はスズ合金を含む。スズ合金としては、例えば、Ｉｎ－Ｓｎ、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｇ、Ｓｎ－Ｂｉ、Ｓｎ－Ｂｉ－Ａｇ、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ、Ｓｎ－Ｃｕを用いることができ、下記の例が挙げられる。
・Ｉｎ－Ｓｎ(Ｉｎ５２質量％、Ｂｉ４８質量％ 融点１１８℃)
・Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｇ(Ｉｎ２０質量％、Ｓｎ７７．２質量％、Ａｇ２．８質量％ 融点１７５℃)
・Ｓｎ－Ｂｉ(Ｓｎ４３質量％、Ｂｉ５７質量％ 融点１３８℃)
・Ｓｎ－Ｂｉ－Ａｇ(Ｓｎ４２質量％、Ｂｉ５７質量％、Ａｇ１質量％ 融点１３９℃)
・Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ(Ｓｎ９６．５質量％、Ａｇ３質量％、Ｃｕ０．５質量％ 融点２１７℃)
・Ｓｎ－Ｃｕ(Ｓｎ９９．３質量％、Ｃｕ０．７質量％ 融点２２７℃)
・Ｉｎ－Ｓｎ(Ｉｎ５２質量％、Ｂｉ４８質量％ 融点１１８℃)
・Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｇ(Ｉｎ２０質量％、Ｓｎ７７．２質量％、Ａｇ２．８質量％ 融点１７５℃)
・Ｓｎ－Ｂｉ(Ｓｎ４３質量％、Ｂｉ５７質量％ 融点１３８℃)
・Ｓｎ－Ｂｉ－Ａｇ(Ｓｎ４２質量％、Ｂｉ５７質量％、Ａｇ１質量％ 融点１３９℃)
・Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ(Ｓｎ９６．５質量％、Ａｇ３質量％、Ｃｕ０．５質量％ 融点２１７℃)
・Ｓｎ－Ｃｕ(Ｓｎ９９．３質量％、Ｃｕ０．７質量％ 融点２２７℃)
【0032】
接続する温度に応じて、上記スズ合金を選択することができる。例えば、低温で接続したい場合、Ｉｎ－Ｓｎ合金、Ｓｎ－Ｂｉ合金を採用すればよく、１５０℃以下で接続することができる。Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ及びＳｎ－Ｃｕ等の融点の高い材料を採用した場合、高温放置後においても、高い信頼性を達成できる傾向にある。
【0033】
はんだ粒子１を構成するスズ又はスズ合金は、Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ｐｂ，Ａｕ，Ｐ及びＢから選ばれる一種以上を含んでもよい。これらの元素のうち、以下の観点からＡｇ又はＣｕを含んでもよい。すなわち、はんだ粒子１がＡｇ又はＣｕを含むことで、はんだ粒子１の融点を２２０℃程度まで低下させることができる、電極との接合強度が向上することによって良好な導通信頼性を得られるという効果が奏される。
【0034】
はんだ粒子１のＣｕ含有率は、例えば、０．０５～１０質量％であり、０．１～５質量％又は０．２～３質量％であってもよい。Ｃｕ含有率が０．０５質量％以上であれば、良好なはんだ接続信頼性を得られやすく、他方、１０質量％以下であれば融点が低くなり、はんだの濡れ性が向上し、結果として接合部の接続信頼性が良好となりやすい。
【0035】
はんだ粒子１のＡｇ含有率は、例えば、０．０５～１０質量％であり、０．１～５質量％又は０．２～３質量％であってもよい。Ａｇ含有率が０．０５質量％以上であれば、良好なはんだ接続信頼性を得られやすく、他方、１０質量％以下であれば融点が低くなり、はんだの濡れ性が向上し、結果として接合部の接続信頼性が良好となりやすい。
【0036】
（絶縁性フィルム）
絶縁性フィルム２を構成する接着剤成分として、熱硬化性化合物が挙げられる。熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。なかでも、絶縁樹脂の硬化性及び粘度をより一層良好にし、接続信頼性をより一層高める観点から、エポキシ化合物が好ましい。
絶縁性フィルム２を構成する接着剤成分として、熱硬化性化合物が挙げられる。熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。なかでも、絶縁樹脂の硬化性及び粘度をより一層良好にし、接続信頼性をより一層高める観点から、エポキシ化合物が好ましい。
【0037】
接着剤成分は熱硬化剤をさらに含んでもよい。熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤、酸無水物、熱カチオン開始剤及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。これらは一種を単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。これらのうち、低温で速やかに硬化可能である点で、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤が好ましい。また、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを混合したときに保存安定性が高くなるので、潜在性の硬化剤が好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。
【0038】
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン及び２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。
【0039】
上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス－３－メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス－３－メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ－３－メルカプトプロピオネート等が挙げられる。ポリチオール硬化剤の溶解度パラメーターは、好ましくは９．５以上、好ましくは１２以下である。上記溶解度パラメーターは、Ｆｅｄｏｒｓ法にて計算される。例えば、トリメチロールプロパントリス－３－メルカプトプロピオネートの溶解度パラメーターは９．６、ジペンタエリスリトールヘキサ－３－メルカプトプロピオネートの溶解度パラメーターは１１．４である。
【0040】
上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９－ビス（３－アミノプロピル）－２，４，８，１０－テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４－アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
【0041】
上記熱カチオン硬化剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ－ｐ－トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。
【0042】
上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイゾブチロニトリル（ＡＩＢＮ）等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。
【0043】
（フラックス）
異方性導電フィルム１０，２０は、フラックスを含むことが好ましい。具体的には、異方性導電フィルム１０，２０を構成する接着剤成分がフラックスを含有するとともに、はんだ粒子１の表面をフラックスが覆っていることが好ましい。フラックスは、はんだ表面の酸化物を溶融して、粒子同士が融着するとともに、電極へのはんだの濡れ性を向上させる。
異方性導電フィルム１０，２０は、フラックスを含むことが好ましい。具体的には、異方性導電フィルム１０，２０を構成する接着剤成分がフラックスを含有するとともに、はんだ粒子１の表面をフラックスが覆っていることが好ましい。フラックスは、はんだ表面の酸化物を溶融して、粒子同士が融着するとともに、電極へのはんだの濡れ性を向上させる。
【0044】
フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているものを使用できる。具体例としては、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。これらは一種を単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。
【0045】
溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。フラックスとして、カルボキシル基を二個以上有する有機酸又は松脂を使用することにより、電極間の導通信頼性がより一層高くなるという効果が奏される。
【0046】
フラックスの融点は、好ましくは５０℃以上であり、より好ましくは７０℃以上であり、さらに好ましくは８０℃以上である。フラックスの融点は、好ましくは２００℃以下であり、より好ましくは１６０℃以下であり、さらに好ましくは１５０℃以下であり、特に好ましくは１４０℃以下である。上記フラックスの融点が上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。フラックスの融点の範囲は、８０～１９０℃であることが好ましく、８０～１４０℃以下であることがより好ましい。
【0047】
融点が８０～１９０℃の範囲にあるフラックスとしては、コハク酸（融点１８６℃）、グルタル酸（融点９６℃）、アジピン酸（融点１５２℃）、ピメリン酸（融点１０４℃）、スベリン酸（融点１４２℃）等のジカルボン酸、安息香酸（融点１２２℃）、リンゴ酸（融点１３０℃）等が挙げられる。
【0048】
＜異方性導電フィルムの製造方法＞
図５～７を参照しながら、＜異方性導電フィルム１０の製造方法について説明する。
図５～７を参照しながら、＜異方性導電フィルム１０の製造方法について説明する。
【0049】
まず、はんだ粒子１を配列させるための転写型６０を準備する。図５（ａ）は転写型６０の平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示すｂ－ｂ線における断面図である。図６は、転写型６０が有する複数の凹部６２（開口部）にはんだ粒子１が一つずつ収容された状態を示す断面図である。
【0050】
転写型６０の凹部６２は、凹部６２の底部６２ａ側から転写型６０の表面６０ａ側に向けて開口面積が拡大するテーパ状に形成されていることが好ましい。すなわち、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、凹部６２の底部６２ａの幅（これらの図における幅ａ）は、凹部６２の表面６０ａにおける開口の幅（これらの図における幅ｂ）よりも狭いことが好ましい。凹部６２のサイズ（テーパ角度及び深さ）は、凹部６２に収容するはんだ粒子１のサイズに応じて設定すればよい。
【0051】
転写型６０を構成する材料としては、例えば、シリコン、各種セラミックス、ガラス、ステンレススチール等の金属等の無機材料、並びに、各種樹脂等の有機材料を使用することができる。これらのうち、凹部６２にはんだ粒子１を収容した状態で保持する観点から、可撓性を有する樹脂材料からなることが好ましい。転写型６０の凹部６２は、フォトリソグラフ法等の公知の方法によって形成することができる。なお、転写型６０は、熱硬化性樹脂等と接触するとともに、これを硬化させるための熱が加わる場合があることから、耐薬品性及び耐熱性を有する材質からなることが好ましい。
【0052】
転写型６０を使用することで、はんだ粒子１の粒度分布にある程度の幅があっても、これよりも粒度分布の幅が狭い複数のはんだ粒子１を容易に選択し、これらを異方性導電フィルム１０の製造に用いることができる。すなわち、転写型６０の凹部６２のサイズよりも小さいはんだ粒子１は凹部６２に一旦収容されたとしても例えば凹部６２が形成されている面を下に向ければ落下し、一方、凹部６２のサイズよりも大きいはんだ粒子１は凹部６２に収容されない。
【0053】
異方性導電フィルム１０は、凹部６２にはんだ粒子１を収容可能な転写型６０を使用して製造される。すなわち、異方性導電フィルム１０の製造方法は、以下の工程をこの順序で含む。
（ａ１）転写型６０の各凹部６２に、一個のはんだ粒子１を収容する工程。
（ｂ１）転写型６０の凹部６２が設けられている側に、上記接着剤成分からなるフィルム２ａを接触させることにより、複数のはんだ粒子１が転写された第一のフィルム２ｂを得る工程。
（ｃ１）複数のはんだ粒子１が転写された側の第一のフィルム２ｂの表面２ｃ上に、上記接着剤成分からなる第二のフィルム２ｄを形成することにより、異方性導電フィルム１０を得る工程。
（ａ１）転写型６０の各凹部６２に、一個のはんだ粒子１を収容する工程。
（ｂ１）転写型６０の凹部６２が設けられている側に、上記接着剤成分からなるフィルム２ａを接触させることにより、複数のはんだ粒子１が転写された第一のフィルム２ｂを得る工程。
（ｃ１）複数のはんだ粒子１が転写された側の第一のフィルム２ｂの表面２ｃ上に、上記接着剤成分からなる第二のフィルム２ｄを形成することにより、異方性導電フィルム１０を得る工程。
【0054】
図７（ａ）に示された転写型６０は、工程（ａ１）後の状態であって、複数の凹部６２のそれぞれに一個のはんだ粒子１が収容された状態である。この状態を維持したまま、転写型６０の凹部６２が形成されている表面６０ａを、上記接着剤成分からなるフィルム２ａに向け、転写型６０とフィルム２ａとを近づける（図７（ａ）における矢印Ａ,Ｂ）。なお、フィルム２ａは支持体６５の表面上に形成されている。支持体６５は、プラスチックフィルムであってもよいし、金属箔であってもよい。
【0055】
図７（ｂ）は、工程（ｂ１）後の状態であって、転写型６０の凹部６２が形成されている表面６０ａをフィルム２ａに接触させたことにより、転写型６０の凹部６２に収容されていたはんだ粒子１がフィルム２ａに転写された状態を示している。工程（ｂ１）を経ることで、フィルム２ａと、フィルム２ａの所定の位置に配置された複数のはんだ粒子１とによって構成される第一のフィルム２ｂが得られる。第一のフィルム２ｂは、その表面に、複数のはんだ粒子１が露出している。
【0056】
図７（ｃ）は、工程（ｃ１）後の状態であって、第一のフィルム２ｂの表面２ｃ上に、はんだ粒子１を覆うように第二のフィルム２ｄを形成した後、支持体６５を取り除いた状態を示している。これにより、異方性導電フィルム１０が得られる。なお、第二のフィルム２ｄは、接着剤成分からなる絶縁性フィルムを第一のフィルム２ｂにラミネートすることによって形成してもよく、あるいは、接着剤成分を含むワニスで第一のフィルム２ｂを被覆した後、硬化処理を施すことによって形成してもよい。
【0057】
次に、図８，９を参照しながら、異方性導電フィルム２０の製造方法について説明する。異方性導電フィルム２０は、転写型６０のそれぞれの凹部６２に１個のはんだ粒子１を収容する代わりに、複数個のはんだ粒子１を収容することの他は、異方性導電フィルム１０と同様にして製造される。なお、図８に示す転写型６０は凹部６２の開口断面が円形であってテーパ状に形成されている。すなわち、凹部６２の底部の直径（図８における直径ａ）は凹部６２の開口の直径（図８における直径ｂ）よりも小さく設定されている。
【0058】
異方性導電フィルム２０の製造方法は、以下の工程をこの順序で含む。
（ａ２）転写型６０の各凹部６２に、複数のはんだ粒子１を収容する工程。
（ｂ２）転写型６０の凹部６２が設けられている側に、上記接着剤成分からなるフィルム２ａを接触させることにより、複数のはんだ粒子１からなる粒子群１Ａが転写された第一のフィルム２ｂを得る工程。
（ｃ２）複数の粒子群１Ａが転写された側の第一のフィルム２ｂの表面２ｃ上に、上記接着剤成分からなる第二のフィルム２ｅを形成することにより、異方性導電フィルム２０を得る工程。
（ａ２）転写型６０の各凹部６２に、複数のはんだ粒子１を収容する工程。
（ｂ２）転写型６０の凹部６２が設けられている側に、上記接着剤成分からなるフィルム２ａを接触させることにより、複数のはんだ粒子１からなる粒子群１Ａが転写された第一のフィルム２ｂを得る工程。
（ｃ２）複数の粒子群１Ａが転写された側の第一のフィルム２ｂの表面２ｃ上に、上記接着剤成分からなる第二のフィルム２ｅを形成することにより、異方性導電フィルム２０を得る工程。
【0059】
図８（ａ）は、工程（ａ２）後の状態であって、転写型６０の凹部６２に複数のはんだ粒子１が収容された状態を模式的に示す断面図であり、図８（ｂ）は、その平面図である。一つの凹部６２に収容させるはんだ粒子１の数は、はんだ粒子１の粒径及び凹部６２のサイズに応じて適宜設定すればよく、例えば、１～１２個とすればよく、２～８個としてもよい。
【0060】
図９（ａ）に示すとおり、凹部６２に複数個のはんだ粒子１が収容された状態を維持したまま、転写型６０の凹部６２が形成されている表面６０ａを、上記接着剤成分からなるフィルム２ａに向け、転写型６０とフィルム２ａとを近づける（図９（ａ）における矢印Ａ,Ｂ）。なお、凹部６２に収容された複数個のはんだ粒子１は、図８（ａ）に示す状態から転写型６０の上下を逆さにすると、凹部６２からはんだ粒子１が落下するため、図８（ａ）に示す向きを維持することが好ましい。
【0061】
図９（ｂ）は、工程（ｂ２）後の状態であって、転写型６０の凹部６２が形成されている表面６０ａをフィルム２ａに接触させたことにより、転写型６０の凹部６２に収容されていた粒子群１Ａがフィルム２ａに転写された状態を示している。工程（ｂ２）を経ることで、所定の位置に複数の粒子群１Ａが配置された第一のフィルム２ｂが得られる。第一のフィルム２ｂの表面２ｃ側には、凹部６２に応じた複数の凸部２ｅが形成されており、これら凸部２ｅに粒子群１Ａが埋設されている。かかる構成の第一のフィルム２ｂを得るには、（ｂ２）工程において、凹部６２の内部にまで接着剤成分を侵入させればよい。具体的には、凹部６２の中に、接着剤成分が入り込んで、複数個のはんだ粒子１（粒子群１Ａ）を固定化するため、加圧することが好ましい。さらには、減圧をしながら加圧することで、接着剤成分が凹部６２に入りやすくなるので、この方法がより好ましい。また、接着剤成分からなるフィルム２ａの代わりに、接着剤成分を含むワニスを凹部６２に入れた後、硬化処理を施してもよい。
【0062】
図９（ｃ）は、工程（ｃ２）後の状態であって、第一のフィルム２ｂの表面２ｃ上に、第二のフィルム２ｅを形成した後、支持体６５を取り除いた状態を示している。これにより、異方性導電フィルム２０が得られる。なお、第二のフィルム２ｅは、接着剤成分からなる絶縁性フィルムを第一のフィルム２ｂにラミネートすることによって形成してもよく、あるいは、接着剤成分を含むワニスで第一のフィルム２ｂを被覆した後、硬化処理を施すことによって形成してもよい。
【0063】
＜接続構造体＞
図１０は、本実施形態に係る接続構造体５０Ａの一部を拡大して模式的に示す断面図である。すなわち、同図は第一の回路部材３０の電極３２と第二の回路部材４０の電極４２が、融着して形成されたはんだ層７０を介して電気的に接続された状態を模式的に示したものである。本明細書において「融着」とは上記のとおり、第一金属層３ａの少なくとも一部が熱によって融解されたはんだ粒子１によって接合され、その後、これが固化する工程を経ることによって電極の表面にはんだが接合された状態を意味する。第一の回路部材３０は、第一の回路基板３１と、その表面３１ａ上に配置された第一の電極３２とを備える。第二の回路部材４０は、第二の回路基板４１と、その表面４１ａ上に配置された第二の電極４２とを備える。回路部材３０，４０の間に充填された絶縁樹脂層５５は、第一の回路部材３０と第二の回路部材４０が接着された状態を維持するとともに、第一の電極３２と第二の電極４２が電気的に接続された状態を維持する。
図１０は、本実施形態に係る接続構造体５０Ａの一部を拡大して模式的に示す断面図である。すなわち、同図は第一の回路部材３０の電極３２と第二の回路部材４０の電極４２が、融着して形成されたはんだ層７０を介して電気的に接続された状態を模式的に示したものである。本明細書において「融着」とは上記のとおり、第一金属層３ａの少なくとも一部が熱によって融解されたはんだ粒子１によって接合され、その後、これが固化する工程を経ることによって電極の表面にはんだが接合された状態を意味する。第一の回路部材３０は、第一の回路基板３１と、その表面３１ａ上に配置された第一の電極３２とを備える。第二の回路部材４０は、第二の回路基板４１と、その表面４１ａ上に配置された第二の電極４２とを備える。回路部材３０，４０の間に充填された絶縁樹脂層５５は、第一の回路部材３０と第二の回路部材４０が接着された状態を維持するとともに、第一の電極３２と第二の電極４２が電気的に接続された状態を維持する。
【0064】
回路部材３０，４０のうちの一方の具体例として、ＩＣチップ（半導体チップ）、抵抗体チップ、コンデンサチップ、ドライバーＩＣ等のチップ部品；リジット型のパッケージ基板が挙げられる。これらの回路部材は、回路電極を備えており、多数の回路電極を備えているものが一般的である。回路部材３０，４０のうちの他方の具体例としては、金属配線を有するフレキシブルテープ基板、フレキシブルプリント配線板、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が蒸着されたガラス基板等の配線基板が挙げられる。
【0065】
第一の電極３２または第二の電極４２の具体例としては、銅、銅／ニッケル、銅／ニッケル／金、銅／ニッケル／パラジウム、銅／ニッケル／パラジウム／金、銅／ニッケル／金、銅／パラジウム、銅／パラジウム／金、銅／スズ、銅／銀、インジウム錫酸化物等の電極が挙げられる。第一の電極３２または第二の電極４２は、無電解めっき又は電解めっき又はスパッタで形成することができる。
【0066】
図１１は、図１０に示す接続構造体５０Ａの変形例である接続構造体５０Ｂを模式的に示す断面図である。接続構造体５０Ｂにおいては、はんだ層７０は第一の回路部材３０の電極３２と第二の回路部材４０の電極４２に部分的に融着している。
【0067】
図１２は、図１０に示す接続構造体５０Ａの変形例である接続構造体５０Ｃを模式的に示す断面図である。同図は、第一の電極３２及び第二の電極４２が銅からなる場合であって、特に高温放置を行った後の電極部の断面を表している。高温放置により金属間化合物からなる層７１が形成されている。
【0068】
図１３は、図１０に示す接続構造体５０Ａの変形例である接続構造体５０Ｄを模式的に示す断面図である。同図は、第一の電極３２及び第二の電極４２が銅からなる場合であって、特に高温放置を行った後の電極部の断面を表している。高温放置により金属間化合物からなる層７１が形成されている。図１３は、図１２と比較して、高温放置により金属間化合物からなる層７１が厚く形成されたことを表しており、落下衝撃などの衝撃を加えると、信頼性が低下する。
【0069】
図１４は、図１０に示す接続構造体５０Ａの変形例である接続構造体５０Ｅを模式的に示す断面図である。同図は、第一の電極３２及び第二の電極４２が銅からなる場合であって、特に高温放置を行った後の電極部の断面を表している。高温放置により金属間化合物からなる層７１が形成されている。図１４は、図１２と比較して、第一の電極３２と第二の電極４２の間に形成されたはんだ層７０の厚さが薄い場合を示している。
【0070】
図１５は、図１０に示す接続構造体５０Ａの変形例である接続構造体５０Ｆを模式的に示す断面図である。同図は、第一の電極３２及び第二の電極４２が銅からなる場合であり、図１４をさらに高温放置を行った後の電極部の断面を表している。高温放置により金属間化合物からなる層７１が形成されている。この場合、はんだ層は全て、金属間化合物に変化し、厚さが薄い金属間化合物の層７１が形成されていることを表している。図１５は、図１２と比較して、第一の電極３２または第二の電極４２の間に形成された、もとのはんだ層の厚さが薄く、はんだ層が全て金属間化合物に変化しても、金属間化合物の層７１が薄いことを表している。一般的に、金属間化合物の層が厚いと、落下衝撃等の衝撃を加えた際に、信頼性が低下する傾向にあるが、はんだ層の全て金属間化合物に変化し、薄く存在することで、落下衝撃を加えても、信頼性を高く維持することができる。かかる金属間化合物の層７１の厚さは０．１～１０．０μｍが好ましく、０．３～８．０μｍがより好ましく、０．５～６．０μｍがさらに好ましい。
【0071】
＜接続構造体の製造方法＞
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）を参照しながら、接続構造体の製造方法について説明する。これらの図は、図１０に示す接続構造体５０Ａを形成する過程の一例を模式的に示す断面図である。まず、図１に示す異方性導電フィルム１０を予め準備し、これを第一の回路部材３０と第二の回路部材４０とが対面するように配置する（図１６（ａ））。このとき、第一の回路部材３０の第一の電極３２と第二の回路部材４０の第二の電極４２とが対向するように設置する。その後、これらの部材の積層体の厚さ方向（図１６（ａ）に示す矢印Ａ及び矢印Ｂの方向）に加圧する。矢印Ａ及び矢印Ｂの方向に加圧する際に全体をはんだ粒子１の融点よりも高い温度（例えば１３０～２６０℃）に少なくとも加熱することによって、はんだ粒子１が溶融し、第一の電極３２と第二の電極４２の間に寄り集まって、はんだ層７０が形成され、その後、冷却することで第一の電極３２と第二の電極４２の間にはんだ層７０が固着され、第一の電極３２と第二の電極４２が電気的に接続される。
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）を参照しながら、接続構造体の製造方法について説明する。これらの図は、図１０に示す接続構造体５０Ａを形成する過程の一例を模式的に示す断面図である。まず、図１に示す異方性導電フィルム１０を予め準備し、これを第一の回路部材３０と第二の回路部材４０とが対面するように配置する（図１６（ａ））。このとき、第一の回路部材３０の第一の電極３２と第二の回路部材４０の第二の電極４２とが対向するように設置する。その後、これらの部材の積層体の厚さ方向（図１６（ａ）に示す矢印Ａ及び矢印Ｂの方向）に加圧する。矢印Ａ及び矢印Ｂの方向に加圧する際に全体をはんだ粒子１の融点よりも高い温度（例えば１３０～２６０℃）に少なくとも加熱することによって、はんだ粒子１が溶融し、第一の電極３２と第二の電極４２の間に寄り集まって、はんだ層７０が形成され、その後、冷却することで第一の電極３２と第二の電極４２の間にはんだ層７０が固着され、第一の電極３２と第二の電極４２が電気的に接続される。
【0072】
絶縁性フィルム２が例えば熱硬化性樹脂からなる場合、矢印Ａ及び矢印Ｂの方向に加圧する際に全体を加熱することによって熱硬化性樹脂を硬化させることができる。これにより、熱硬化性樹脂の硬化物からなる絶縁樹脂層５５が回路部材３０，４０の間に形成される。
【0073】
図１７は、図１６に示す接続構造体５０Ａの製造方法の変形例を模式的に示す断面図である。この変形例に係る製造方法においては、はんだ粒子１の一部が電極３２,４２の融着に寄与せずに絶縁樹脂層５５内に残存しているものの、異方性導電フィルム１０において特定の位置にはんだ粒子１が配置されているに過ぎず、つまり、はんだ粒子１の密度が十分に低いため、絶縁信頼性を高く維持することができる。
【0074】
図１８は、図１６に示す接続構造体５０Ａの製造方法の変形例を模式的に示す断面図である。この変形例に係る製造方法においては、実質的に全てのはんだ粒子１がはんだ層７０となり、第一の回路部材３０の第一の電極３２と第二の回路部材４０の第二の電極４２を融着している。異方性導電フィルム１０におけるはんだ粒子１の配置をあらかじめ設計することで、融着に寄与せずに接着剤成分内に残存するはんだ粒子１を極力低減することが可能である。これにより、接続構造体の絶縁信頼性をより一層向上することができる。
【0075】
図１９は、図１６に示す接続構造体５０Ａの製造方法の変形例を模式的に示す断面図である。この変形例は、異方性導電フィルム１０を使用する代わりに異方性導電フィルム２０を使用したことの他は、図１６に示す製造方法と同様である。
【0076】
図２０は、図１７に示す接続構造体の製造方法の変形例を模式的に示す断面図である。この変形例は、異方性導電フィルム１０を使用する代わりに異方性導電フィルム２０を使用したことの他は、図１７に示す製造方法と同様である。粒子群１Ａの一部は、電極３２,４２の融着に寄与せず、また、粒子群１Ａは熱履歴により一つのはんだ粒子１Ｂとなって絶縁樹脂層５５内に残存しているものの、異方性導電フィルム２０において特定の位置にはんだ粒子１が配置されているに過ぎず、つまり、はんだ粒子１の密度が十分低く、また、はんだ粒子１の粒径が十分に小さく、はんだ粒子１Ｂの粒径も十分に小さいため、絶縁信頼性を高く維持することができる。
【0077】
図２１は、図１８に示す接続構造体の製造方法の変形例を模式的に示す断面図である。この変形例に係る製造方法においては、ほとんど全ての粒子群１Ａがはんだ層７０となり、第一の回路部材３０の第一の電極３２と第二の回路部材４０の第二の電極４２を融着している。異方性導電フィルム２０における粒子群１Ａの配置をあらかじめ設計することで、融着に寄与せずに接着剤成分内に残存するはんだ粒子を極力低減することが可能である。これにより、接続構造体の絶縁信頼性をより一層向上することができる。
【0078】
上述の実施形態及びそれらの変形例に係る接続構造体の適用対象としては、液晶ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、スマートフォン、タブレット等のデバイスが挙げられる。
【0079】
本実施形態によれば、接続面積が例えば１６～２０００μｍ２あるいは２５～１６００μｍ２又は１００～１０００μｍ２であるように微小であっても、絶縁信頼性及び導通信頼性の両方が優れる接続構造体及びその製造方法が提供される。
【実施例0080】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明の内容をより具体的に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【0081】
＜実施例１＞
［異方性導電フィルムの作製］
（工程１）はんだ粒子の分級
平均粒径５．０μｍ以下（ｄ９０＝５μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ社製、Ｔｙｐｅ８）１００ｇを、蒸留水に浸漬した後、超音波分散させ、次に、φ３μｍのメンブレンフィルタ（メルク株式会社製）で濾過した後、濾液を回収した。その後、濾液を遠心分離にかけ、水溶液中のはんだ粒子を回収した。回収したはんだ粒子は１０ｇであり、平均粒径は、１．０μｍであった。
［異方性導電フィルムの作製］
（工程１）はんだ粒子の分級
平均粒径５．０μｍ以下（ｄ９０＝５μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ社製、Ｔｙｐｅ８）１００ｇを、蒸留水に浸漬した後、超音波分散させ、次に、φ３μｍのメンブレンフィルタ（メルク株式会社製）で濾過した後、濾液を回収した。その後、濾液を遠心分離にかけ、水溶液中のはんだ粒子を回収した。回収したはんだ粒子は１０ｇであり、平均粒径は、１．０μｍであった。
【0082】
（工程２）転写型へのはんだ粒子の配置
開口径１．０μｍφ、底部径０．８μｍφ、深さ１μｍ（底部径０．８μｍφは、凹部を上面からみると、開口径１．２μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が１．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列されている転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に分級後のはんだ粒子（平均粒径１．０μｍ）を配置した。
開口径１．０μｍφ、底部径０．８μｍφ、深さ１μｍ（底部径０．８μｍφは、凹部を上面からみると、開口径１．２μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が１．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列されている転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に分級後のはんだ粒子（平均粒径１．０μｍ）を配置した。
【0083】
（工程３）接着フィルムの作製
フェノキシ樹脂（ユニオンカーバイド社製、商品名「ＰＫＨＣ」）１００ｇと、アクリルゴム（ブチルアクリレート４０質量部、エチルアクリレート３０質量部、アクリロニトリル３０質量部、グリシジルメタクリレート３質量部の共重合体、分子量：８５万）７５ｇとを、酢酸エチル４００ｇに溶解し、溶液を得た。この溶液に、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（エポキシ当量１８５、旭化成株式会社製、商品名「ノバキュアＨＸ－３９４１」）３００ｇを加え、撹拌して接着剤溶液を得た。得られた接着剤溶液を、セパレータ（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフィルム、厚さ４０μｍ）にロールコータを用いて塗布し、９０℃で１０分間の加熱することにより乾燥して、厚さ４μｍ、６μｍ及び８μｍの接着フィルム１（フィルム２ａに相当）をセパレータ上に作製した。
フェノキシ樹脂（ユニオンカーバイド社製、商品名「ＰＫＨＣ」）１００ｇと、アクリルゴム（ブチルアクリレート４０質量部、エチルアクリレート３０質量部、アクリロニトリル３０質量部、グリシジルメタクリレート３質量部の共重合体、分子量：８５万）７５ｇとを、酢酸エチル４００ｇに溶解し、溶液を得た。この溶液に、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（エポキシ当量１８５、旭化成株式会社製、商品名「ノバキュアＨＸ－３９４１」）３００ｇを加え、撹拌して接着剤溶液を得た。得られた接着剤溶液を、セパレータ（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフィルム、厚さ４０μｍ）にロールコータを用いて塗布し、９０℃で１０分間の加熱することにより乾燥して、厚さ４μｍ、６μｍ及び８μｍの接着フィルム１（フィルム２ａに相当）をセパレータ上に作製した。
【0084】
（工程４）接着フィルムへのはんだ粒子の転写
転写型の凹部に配置されたはんだ粒子と、上記接着フィルム１とを向かい合わせて配置し、５０℃、０．０１ＭＰａ（０．１ｋｇｆ／ｃｍ２）で加熱及び加圧することで、接着フィルム１にはんだ粒子を転写させた（図７（ｂ）参照）。
転写型の凹部に配置されたはんだ粒子と、上記接着フィルム１とを向かい合わせて配置し、５０℃、０．０１ＭＰａ（０．１ｋｇｆ／ｃｍ２）で加熱及び加圧することで、接着フィルム１にはんだ粒子を転写させた（図７（ｂ）参照）。
【0085】
（工程５）異方性導電フィルムの作製
はんだ粒子が転写された側の接着フィルムの表面に、工程３で得た、接着フィルム１を接触させて、５０℃、０．１ＭＰａ（１ｋｇｆ／ｃｍ２）で加熱及び加圧させることで、フィルムの断面視において、平均粒径１．０μｍのはんだ粒子が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図７（ｃ）参照）。なお、厚さ４μｍのフィルムに対しては４μｍを重ね合わせ、同様に、６μｍには６μｍ、８μｍには８μｍを重ね合わることで、８μｍ、１２μｍ、１６μｍの厚さの異方性導電フィルムを作製した。異方性導電フィルムにおけるはんだ粒子が配置されるべき箇所には、一つのはんだ粒子が配置されている箇所と、複数のはんだ粒子からなる粒子群が配置されている箇所があり、一箇所あたりのはんだ粒子の平均個数は１．２個であった。
はんだ粒子が転写された側の接着フィルムの表面に、工程３で得た、接着フィルム１を接触させて、５０℃、０．１ＭＰａ（１ｋｇｆ／ｃｍ２）で加熱及び加圧させることで、フィルムの断面視において、平均粒径１．０μｍのはんだ粒子が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図７（ｃ）参照）。なお、厚さ４μｍのフィルムに対しては４μｍを重ね合わせ、同様に、６μｍには６μｍ、８μｍには８μｍを重ね合わることで、８μｍ、１２μｍ、１６μｍの厚さの異方性導電フィルムを作製した。異方性導電フィルムにおけるはんだ粒子が配置されるべき箇所には、一つのはんだ粒子が配置されている箇所と、複数のはんだ粒子からなる粒子群が配置されている箇所があり、一箇所あたりのはんだ粒子の平均個数は１．２個であった。
【0086】
［接続構造体の作製］
（工程６）銅バンプ付きチップの準備
下記に示す、５種類の銅バンプ付きチップ（１．７×１．７ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍ）を準備した。
（１）チップＣ１…面積３０μｍ×３０μｍ、スペース３０μｍ、高さ：１０μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
（２）チップＣ２…面積１５μｍ×１５μｍ、スペース１０μｍ、高さ：１０μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
（３）チップＣ３…面積１０μｍ×１０μｍ、スペース１０μｍ、高さ：７μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数４
（４）チップＣ４…面積５μｍ×５μｍ、スペース６μｍ、高さ：５μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
（５）チップＣ５…面積３μｍ×３μｍ、スペース３μｍ、高さ：５μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
（工程６）銅バンプ付きチップの準備
下記に示す、５種類の銅バンプ付きチップ（１．７×１．７ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍ）を準備した。
（１）チップＣ１…面積３０μｍ×３０μｍ、スペース３０μｍ、高さ：１０μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
（２）チップＣ２…面積１５μｍ×１５μｍ、スペース１０μｍ、高さ：１０μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
（３）チップＣ３…面積１０μｍ×１０μｍ、スペース１０μｍ、高さ：７μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数４
（４）チップＣ４…面積５μｍ×５μｍ、スペース６μｍ、高さ：５μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
（５）チップＣ５…面積３μｍ×３μｍ、スペース３μｍ、高さ：５μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
【0087】
（工程７）銅バンプ付き基板の準備
下記に示す、５種類の銅バンプ付き基板（厚さ：０．７ｍｍ）を準備した。
（１）基板Ｄ１…面積３０μｍ×３０μｍ、スペース３０μｍ、高さ：１０μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
（２）基板Ｄ２…面積１５μｍ×１５μｍ、スペース１０μｍ、高さ：１０μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
（３）基板Ｄ３…面積１０μｍ×１０μｍ、スペース１０μｍ、高さ：７μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数４
（４）基板Ｄ４…面積５μｍ×５μｍ、スペース６μｍ、高さ５μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
（５）基板Ｄ５…面積３μｍ×３μｍ、スペース３μｍ、高さ：５μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
下記に示す、５種類の銅バンプ付き基板（厚さ：０．７ｍｍ）を準備した。
（１）基板Ｄ１…面積３０μｍ×３０μｍ、スペース３０μｍ、高さ：１０μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
（２）基板Ｄ２…面積１５μｍ×１５μｍ、スペース１０μｍ、高さ：１０μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
（３）基板Ｄ３…面積１０μｍ×１０μｍ、スペース１０μｍ、高さ：７μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数４
（４）基板Ｄ４…面積５μｍ×５μｍ、スペース６μｍ、高さ５μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
（５）基板Ｄ５…面積３μｍ×３μｍ、スペース３μｍ、高さ：５μｍ、バンプ数３６２、銅バンプ上導電粒子数８
【0088】
（工程８）接続構造体の作製
次に、作製した異方性導電フィルムを用いて、銅バンプ付きチップ（１．７×１．７ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍ）と、銅バンプ付き基板（厚さ：０．７ｍｍ）との接続を、以下に示すｉ）～ｉｉｉ）の手順に従って行うことによって接続構造体を得た。
ｉ）異方性導電フィルム（２×１９ｍｍ）の片面のセパレータ（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフィルム、厚さ４０μｍ）を剥がし、異方性導電フィルムと銅バンプ付き基板を接触させ、８０℃、０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ２）で貼り付けた。
ｉｉ）セパレータを剥離し、銅バンプ付きチップのバンプと銅バンプ付き基板のバンプの位置合わせを行った。
ｉｉｉ）１８０℃、４０ｇｆ／バンプ、３０秒の条件でチップ上方から加熱及び加圧を行い、本接続を行った。以下の（１）～（５）の「チップ／異方性導電フィルム／基板」の組み合わせで、（１）～（５）に係る計５種類の接続構造体をそれぞれ作製した。
（１）チップＣ１／厚さ１６μｍの異方性導電フィルム／基板Ｄ１、
（２）チップＣ２／厚さ１６μｍの異方性導電フィルム／基板Ｄ２、
（３）チップＣ３／厚さ１２μｍの異方性導電フィルム／基板Ｄ３、
（４）チップＣ４／厚さ８μｍの異方性導電フィルム／基板Ｄ４、
（５）チップＣ５／厚さ８μｍの異方性導電フィルム／基板Ｄ５、
次に、作製した異方性導電フィルムを用いて、銅バンプ付きチップ（１．７×１．７ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍ）と、銅バンプ付き基板（厚さ：０．７ｍｍ）との接続を、以下に示すｉ）～ｉｉｉ）の手順に従って行うことによって接続構造体を得た。
ｉ）異方性導電フィルム（２×１９ｍｍ）の片面のセパレータ（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフィルム、厚さ４０μｍ）を剥がし、異方性導電フィルムと銅バンプ付き基板を接触させ、８０℃、０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ２）で貼り付けた。
ｉｉ）セパレータを剥離し、銅バンプ付きチップのバンプと銅バンプ付き基板のバンプの位置合わせを行った。
ｉｉｉ）１８０℃、４０ｇｆ／バンプ、３０秒の条件でチップ上方から加熱及び加圧を行い、本接続を行った。以下の（１）～（５）の「チップ／異方性導電フィルム／基板」の組み合わせで、（１）～（５）に係る計５種類の接続構造体をそれぞれ作製した。
（１）チップＣ１／厚さ１６μｍの異方性導電フィルム／基板Ｄ１、
（２）チップＣ２／厚さ１６μｍの異方性導電フィルム／基板Ｄ２、
（３）チップＣ３／厚さ１２μｍの異方性導電フィルム／基板Ｄ３、
（４）チップＣ４／厚さ８μｍの異方性導電フィルム／基板Ｄ４、
（５）チップＣ５／厚さ８μｍの異方性導電フィルム／基板Ｄ５、
【0089】
［接続構造体の評価］
得られた接続構造体の導通抵抗試験及び絶縁抵抗試験を以下のように行った。
得られた接続構造体の導通抵抗試験及び絶縁抵抗試験を以下のように行った。
【0090】
（導通抵抗試験－吸湿耐熱試験）
銅バンプ付きチップ（バンプ）／銅バンプ付き基板（バンプ）間の導通抵抗に関して、導通抵抗の初期値と吸湿耐熱試験（温度８５℃、湿度８５％の条件で１００、５００、１０００時間放置）後の値を、２０サンプルについて測定し、それらの平均値を算出した。なお、前述の、チップＣ１と基板Ｄ１、チップＣ２と基板Ｄ２、チップＣ３と基板Ｄ３、チップＣ４と基板Ｄ４、チップＣ５と基板Ｄ５、を組み合わせて接続した接続構造体を用いて評価した。得られた平均値から下記基準に従って導通抵抗を評価した。結果を表１に示す。なお、吸湿耐熱試験１０００時間後に、下記Ａ又はＢの基準を満たす場合は導通抵抗が良好といえる。
Ａ：導通抵抗の平均値が２Ω未満
Ｂ：導通抵抗の平均値が２Ω以上５Ω未満
Ｃ：導通抵抗の平均値が５Ω以上１０Ω未満
Ｄ：導通抵抗の平均値が１０Ω以上２０Ω未満
Ｅ：導通抵抗の平均値が２０Ω以上
銅バンプ付きチップ（バンプ）／銅バンプ付き基板（バンプ）間の導通抵抗に関して、導通抵抗の初期値と吸湿耐熱試験（温度８５℃、湿度８５％の条件で１００、５００、１０００時間放置）後の値を、２０サンプルについて測定し、それらの平均値を算出した。なお、前述の、チップＣ１と基板Ｄ１、チップＣ２と基板Ｄ２、チップＣ３と基板Ｄ３、チップＣ４と基板Ｄ４、チップＣ５と基板Ｄ５、を組み合わせて接続した接続構造体を用いて評価した。得られた平均値から下記基準に従って導通抵抗を評価した。結果を表１に示す。なお、吸湿耐熱試験１０００時間後に、下記Ａ又はＢの基準を満たす場合は導通抵抗が良好といえる。
Ａ：導通抵抗の平均値が２Ω未満
Ｂ：導通抵抗の平均値が２Ω以上５Ω未満
Ｃ：導通抵抗の平均値が５Ω以上１０Ω未満
Ｄ：導通抵抗の平均値が１０Ω以上２０Ω未満
Ｅ：導通抵抗の平均値が２０Ω以上
【0091】
（導通抵抗試験－高温放置試験）
銅バンプ付きチップ（バンプ）／銅バンプ付き基板（バンプ）間の導通抵抗に関して、高温放置前と、高温放置試験後（温度１００℃の条件で１００、５００、１０００時間放置）のサンプルについて測定した。なお、高温放置後は、落下衝撃を加え、落下衝撃後のサンプルの導通抵抗を測定した。落下衝撃は、前記の接続構造体を、金属板にネジ止め固定し、高さ５０ｃｍから落下させた。落下後、最も衝撃の大きいチップコーナーのはんだ接合部（４箇所）において直流抵抗値を測定し、測定値が初期抵抗から５倍以上増加したときに破断が生じたとみなして、評価を行った。なお、２０サンプル、４箇所で合計８０箇所の測定を行った。結果を表１に示す。落下回数２０回後に下記Ａ又はＢの基準を満たす場合をはんだ接続信頼性が良好であると評価した。なお、表中の「－」は評価を実施しなかったことを意味する。
Ａ：落下回数２０回後において、初期抵抗から５倍以上増加したはんだ接続部が、８０箇所全てにおいて認められなかった。
Ｂ：落下回数２０回後において、初期抵抗から５倍以上増加したはんだ接続部が、１箇所以上５箇所以内で認められた。
Ｃ：落下回数２０回後において、初期抵抗から５倍以上増加したはんだ接続部が、６箇所以上２０箇所以内で認められた。
Ｄ：落下回数２０回後において、初期抵抗から５倍以上増加したはんだ接続部が、２１箇所以上で認められた。
銅バンプ付きチップ（バンプ）／銅バンプ付き基板（バンプ）間の導通抵抗に関して、高温放置前と、高温放置試験後（温度１００℃の条件で１００、５００、１０００時間放置）のサンプルについて測定した。なお、高温放置後は、落下衝撃を加え、落下衝撃後のサンプルの導通抵抗を測定した。落下衝撃は、前記の接続構造体を、金属板にネジ止め固定し、高さ５０ｃｍから落下させた。落下後、最も衝撃の大きいチップコーナーのはんだ接合部（４箇所）において直流抵抗値を測定し、測定値が初期抵抗から５倍以上増加したときに破断が生じたとみなして、評価を行った。なお、２０サンプル、４箇所で合計８０箇所の測定を行った。結果を表１に示す。落下回数２０回後に下記Ａ又はＢの基準を満たす場合をはんだ接続信頼性が良好であると評価した。なお、表中の「－」は評価を実施しなかったことを意味する。
Ａ：落下回数２０回後において、初期抵抗から５倍以上増加したはんだ接続部が、８０箇所全てにおいて認められなかった。
Ｂ：落下回数２０回後において、初期抵抗から５倍以上増加したはんだ接続部が、１箇所以上５箇所以内で認められた。
Ｃ：落下回数２０回後において、初期抵抗から５倍以上増加したはんだ接続部が、６箇所以上２０箇所以内で認められた。
Ｄ：落下回数２０回後において、初期抵抗から５倍以上増加したはんだ接続部が、２１箇所以上で認められた。
【0092】
（絶縁抵抗試験）
チップ電極間の絶縁抵抗に関しては、絶縁抵抗の初期値とマイグレーション試験（温度６０℃、湿度９０％、２０Ｖ印加の条件で１００、５００、１０００時間放置）後の値を、２０サンプルについて測定し、全２０サンプル中、絶縁抵抗値が１０９Ω以上となるサンプルの割合を算出した。なお、前述のチップＣ１と基板Ｄ１、チップＣ２と基板Ｄ２、チップＣ３と基板Ｄ３、チップＣ４と基板Ｄ４、チップＣ５と基板Ｄ５、を組み合わせて接続した接続構造体を用いて評価した。得られた割合から下記基準に従って絶縁抵抗を評価した。結果を表２に示す。なお、吸湿耐熱試験１０００時間後に、下記Ａ又はＢの基準を満たした場合は絶縁抵抗が良好といえる。
Ａ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が１００％
Ｂ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が９０％以上１００％未満
Ｃ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が８０％以上９０％未満
Ｄ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が５０％以上８０％未満
Ｅ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が５０％未満
チップ電極間の絶縁抵抗に関しては、絶縁抵抗の初期値とマイグレーション試験（温度６０℃、湿度９０％、２０Ｖ印加の条件で１００、５００、１０００時間放置）後の値を、２０サンプルについて測定し、全２０サンプル中、絶縁抵抗値が１０９Ω以上となるサンプルの割合を算出した。なお、前述のチップＣ１と基板Ｄ１、チップＣ２と基板Ｄ２、チップＣ３と基板Ｄ３、チップＣ４と基板Ｄ４、チップＣ５と基板Ｄ５、を組み合わせて接続した接続構造体を用いて評価した。得られた割合から下記基準に従って絶縁抵抗を評価した。結果を表２に示す。なお、吸湿耐熱試験１０００時間後に、下記Ａ又はＢの基準を満たした場合は絶縁抵抗が良好といえる。
Ａ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が１００％
Ｂ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が９０％以上１００％未満
Ｃ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が８０％以上９０％未満
Ｄ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が５０％以上８０％未満
Ｅ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が５０％未満
【0093】
【表1】
【0094】
＜実施例２＞
実施例１の（工程１）と同様に、平均粒径５．０μｍ以下（ｄ９０＝５μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ社製、Ｔｙｐｅ８）１００ｇを、蒸留水に浸漬した後、超音波分散させ、次に、φ１．２μｍのメンブレンフィルタ（メルク株式会社製）で濾過した後、濾液を回収した。その後、濾液を遠心分離にかけ、水溶液中のはんだ粒子を回収した。回収したはんだ粒子は７ｇであり、平均粒径は、０．８μｍであった。
続いて、実施例１の（工程２）及び（工程３）を行った。このとき、複数個のはんだ粒子が転写型の凹部に収容された。（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は２．５個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表２に結果を示す。
実施例１の（工程１）と同様に、平均粒径５．０μｍ以下（ｄ９０＝５μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ社製、Ｔｙｐｅ８）１００ｇを、蒸留水に浸漬した後、超音波分散させ、次に、φ１．２μｍのメンブレンフィルタ（メルク株式会社製）で濾過した後、濾液を回収した。その後、濾液を遠心分離にかけ、水溶液中のはんだ粒子を回収した。回収したはんだ粒子は７ｇであり、平均粒径は、０．８μｍであった。
続いて、実施例１の（工程２）及び（工程３）を行った。このとき、複数個のはんだ粒子が転写型の凹部に収容された。（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は２．５個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表２に結果を示す。
【0095】
【表2】
【0096】
＜実施例３＞
実施例１の（工程１）と同様に、平均粒径５．０μｍ以下（ｄ９０＝５μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ社製、Ｔｙｐｅ８）１００ｇを、蒸留水に浸漬した後、超音波分散させ、次に、φ０．８μｍのメンブレンフィルタ（メルク株式会社製）で濾過した後、濾液を回収した。その後、濾液を遠心分離にかけ、水溶液中のはんだ粒子を回収した。回収したはんだ粒子は５ｇであり、平均粒径は、０．６μｍであった。
続いて、実施例１の（工程２）及び（工程３）を行った。このとき、複数個のはんだ粒子が転写型の凹部に収容された。（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程ｅ）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は５．１個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表３に結果を示す。
実施例１の（工程１）と同様に、平均粒径５．０μｍ以下（ｄ９０＝５μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ社製、Ｔｙｐｅ８）１００ｇを、蒸留水に浸漬した後、超音波分散させ、次に、φ０．８μｍのメンブレンフィルタ（メルク株式会社製）で濾過した後、濾液を回収した。その後、濾液を遠心分離にかけ、水溶液中のはんだ粒子を回収した。回収したはんだ粒子は５ｇであり、平均粒径は、０．６μｍであった。
続いて、実施例１の（工程２）及び（工程３）を行った。このとき、複数個のはんだ粒子が転写型の凹部に収容された。（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程ｅ）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は５．１個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表３に結果を示す。
【0097】
【表3】
【0098】
＜実施例４＞
実施例１の（工程２）において、転写型の凹部の形状は同じ（開口部１．０μｍ）で、２．０μｍのスペースにすることで、凹部の密度を下げた転写型を用いたこと以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルムを作製するとともに、これらを使用して接続構造体を作製し、それらの評価を行った。表４に結果を示す。
実施例１の（工程２）において、転写型の凹部の形状は同じ（開口部１．０μｍ）で、２．０μｍのスペースにすることで、凹部の密度を下げた転写型を用いたこと以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルムを作製するとともに、これらを使用して接続構造体を作製し、それらの評価を行った。表４に結果を示す。
【0099】
【表4】
【0100】
＜実施例５＞
実施例１の（工程１）と同様にして得たはんだ粒子を、実施例１の（工程２）の開口径１．０μｍφの転写型に配置し、転写型上のはんだ粒子を刷けでなぞることで、１．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は１．９μｍであった。
続いて、開口径２．０μｍφ、底部径１．８μｍφ、深さ２μｍ（底部径１．８μｍφは、凹部を上面からみると、開口径２．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が２．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径１．９μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、実施例１の（工程３）以降を同様に行うことで、はんだ粒子がほぼ単体で、層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図７（ｃ）参照）。異方性導電フィルムにおけるはんだ粒子が配置されるべき箇所の一箇所あたりのはんだ粒子の平均個数は１．１個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表５に結果を示す。
実施例１の（工程１）と同様にして得たはんだ粒子を、実施例１の（工程２）の開口径１．０μｍφの転写型に配置し、転写型上のはんだ粒子を刷けでなぞることで、１．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は１．９μｍであった。
続いて、開口径２．０μｍφ、底部径１．８μｍφ、深さ２μｍ（底部径１．８μｍφは、凹部を上面からみると、開口径２．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が２．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径１．９μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、実施例１の（工程３）以降を同様に行うことで、はんだ粒子がほぼ単体で、層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図７（ｃ）参照）。異方性導電フィルムにおけるはんだ粒子が配置されるべき箇所の一箇所あたりのはんだ粒子の平均個数は１．１個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表５に結果を示す。
【0101】
【表5】
【0102】
＜実施例６＞
実施例１の（工程１）と同様にして得たはんだ粒子を、実施例１の（工程２）の開口径１．０μｍφの転写型に配置し、転写型上のはんだ粒子を刷けでなぞることで、１．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は１．６μｍであった。
続いて、開口径２．０μｍφ、底部径１．８μｍφ、深さ２μｍ（底部径１．８μｍφは、凹部を上面からみると、開口径２．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が２．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径１．６μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は２．５個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表６に結果を示す。
実施例１の（工程１）と同様にして得たはんだ粒子を、実施例１の（工程２）の開口径１．０μｍφの転写型に配置し、転写型上のはんだ粒子を刷けでなぞることで、１．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は１．６μｍであった。
続いて、開口径２．０μｍφ、底部径１．８μｍφ、深さ２μｍ（底部径１．８μｍφは、凹部を上面からみると、開口径２．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が２．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径１．６μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は２．５個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表６に結果を示す。
【0103】
【表6】
【0104】
＜実施例７＞
実施例１の（工程１）と同様にして得たはんだ粒子を、実施例１の（工程２）の開口径１．０μｍφの転写型に配置し、転写型上のはんだ粒子を刷けを用いてでなぞることで、１．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は１．３μｍであった。
続いて、開口径２．０μｍφ、底部径１．８μｍφ、深さ２μｍ（底部径１．８μｍφは、凹部を上面からみると、開口径２．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が２．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径１．３μｍのはんだ粒子を配列した。
実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は４．５個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表７に結果を示す。
実施例１の（工程１）と同様にして得たはんだ粒子を、実施例１の（工程２）の開口径１．０μｍφの転写型に配置し、転写型上のはんだ粒子を刷けを用いてでなぞることで、１．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は１．３μｍであった。
続いて、開口径２．０μｍφ、底部径１．８μｍφ、深さ２μｍ（底部径１．８μｍφは、凹部を上面からみると、開口径２．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が２．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径１．３μｍのはんだ粒子を配列した。
実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は４．５個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表７に結果を示す。
【0105】
【表7】
【0106】
＜実施例８＞
実施例１の（工程１）と同様に、平均粒径５．０μｍ以下（ｄ９０＝５μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ社製、Ｔｙｐｅ８）１００ｇを、蒸留水に浸漬した後、超音波分散させ、次に、φ５μｍのメンブレンフィルタ（メルク株式会社製）で濾過した後、濾液を回収した。その後、濾液を遠心分離にかけ、水溶液中のはんだ粒子を回収した。回収したはんだ粒子は２０ｇであった。
得られたはんだ粒子を、開口径２．０μｍφ、底部径１．８μｍφ、深さ２μｍ（底部径１．８μｍφは、凹部を上面からみると、開口径２．０μｍφの中央に位置するものとする）の転写型に配置した。転写型上のはんだ粒子を刷けでなぞることで、２．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は２．８μｍであった。
続いて、開口径３．０μｍφ、底部径２．５μｍφ、深さ３μｍ（底部径２．５μｍφは、凹部を上面からみると、開口径３．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が３．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径２．８μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、実施例１の（工程３）以降を同様に行うことで、はんだ粒子がほぼ単体で、層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図７（ｃ）参照）。異方性導電フィルムにおけるはんだ粒子が配置されるべき箇所の一箇所あたりのはんだ粒子の平均個数は１．３個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表８に結果を示す。
実施例１の（工程１）と同様に、平均粒径５．０μｍ以下（ｄ９０＝５μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ社製、Ｔｙｐｅ８）１００ｇを、蒸留水に浸漬した後、超音波分散させ、次に、φ５μｍのメンブレンフィルタ（メルク株式会社製）で濾過した後、濾液を回収した。その後、濾液を遠心分離にかけ、水溶液中のはんだ粒子を回収した。回収したはんだ粒子は２０ｇであった。
得られたはんだ粒子を、開口径２．０μｍφ、底部径１．８μｍφ、深さ２μｍ（底部径１．８μｍφは、凹部を上面からみると、開口径２．０μｍφの中央に位置するものとする）の転写型に配置した。転写型上のはんだ粒子を刷けでなぞることで、２．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は２．８μｍであった。
続いて、開口径３．０μｍφ、底部径２．５μｍφ、深さ３μｍ（底部径２．５μｍφは、凹部を上面からみると、開口径３．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が３．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径２．８μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、実施例１の（工程３）以降を同様に行うことで、はんだ粒子がほぼ単体で、層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図７（ｃ）参照）。異方性導電フィルムにおけるはんだ粒子が配置されるべき箇所の一箇所あたりのはんだ粒子の平均個数は１．３個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表８に結果を示す。
【0107】
【表8】
【0108】
＜実施例９＞
実施例１の（工程１）と同様にして得たはんだ粒子を、実施例１の（工程２）の開口径２．０μｍφの転写型に配置し、転写型上のはんだ粒子を刷けでなぞることで、２．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は２．５μｍであった。
続いて、開口径３．０μｍφ、底部径２．５μｍφ、深さ３μｍ（底部径２．５μｍφは、凹部を上面からみると、開口径３．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が３．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径２．５μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は２．３個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表９に結果を示す。
実施例１の（工程１）と同様にして得たはんだ粒子を、実施例１の（工程２）の開口径２．０μｍφの転写型に配置し、転写型上のはんだ粒子を刷けでなぞることで、２．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は２．５μｍであった。
続いて、開口径３．０μｍφ、底部径２．５μｍφ、深さ３μｍ（底部径２．５μｍφは、凹部を上面からみると、開口径３．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が３．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径２．５μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は２．３個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表９に結果を示す。
【0109】
【表9】
【0110】
＜実施例１０＞
実施例１の（工程１）と同様にして得たはんだ粒子を、実施例１の（工程２）の開口径２．０μｍφの転写型に配置し、転写型上のはんだ粒子を刷けでなぞることで、２．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は２．３μｍであった。
続いて、開口径３．０μｍφ、底部径２．５μｍφ、深さ３μｍ（底部径２．５μｍφは、凹部を上面からみると、開口径３．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が３．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径２．３μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は４．６個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表１０に結果を示す。
実施例１の（工程１）と同様にして得たはんだ粒子を、実施例１の（工程２）の開口径２．０μｍφの転写型に配置し、転写型上のはんだ粒子を刷けでなぞることで、２．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は２．３μｍであった。
続いて、開口径３．０μｍφ、底部径２．５μｍφ、深さ３μｍ（底部径２．５μｍφは、凹部を上面からみると、開口径３．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が３．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径２．３μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は４．６個であった。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表１０に結果を示す。
【0111】
【表10】
【0112】
＜実施例１１＞
実施例８で作製した異方性導電フィルムを用い、異方性導電フィルムに形成したはんだ粒子がチップＣ５のバンプのバンプと、基板Ｄ５のバンプの間にくるように、位置あわせを行い、上記（５）に係る構成（チップＣ５／厚さ８μｍの異方性導電フィルム／基板Ｄ５）の接続構造体を作製した。それ以外は、実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った（ただし「導通抵抗試験－高温放置試験」は未実施）。表１１に結果を示す。
実施例８で作製した異方性導電フィルムを用い、異方性導電フィルムに形成したはんだ粒子がチップＣ５のバンプのバンプと、基板Ｄ５のバンプの間にくるように、位置あわせを行い、上記（５）に係る構成（チップＣ５／厚さ８μｍの異方性導電フィルム／基板Ｄ５）の接続構造体を作製した。それ以外は、実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った（ただし「導通抵抗試験－高温放置試験」は未実施）。表１１に結果を示す。
【0113】
＜実施例１２＞
実施例９で作製した異方性導電フィルムを用い、異方性導電フィルムに形成したはんだ粒子がチップＣ５のバンプのバンプと、基板Ｄ５のバンプの間にくるように、位置あわせを行い、上記（５）に係る構成の接続構造体を作製した。それ以外は、実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った（ただし、「導通抵抗試験－高温放置試験」は未実施）。表１１に結果を示す。
実施例９で作製した異方性導電フィルムを用い、異方性導電フィルムに形成したはんだ粒子がチップＣ５のバンプのバンプと、基板Ｄ５のバンプの間にくるように、位置あわせを行い、上記（５）に係る構成の接続構造体を作製した。それ以外は、実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った（ただし、「導通抵抗試験－高温放置試験」は未実施）。表１１に結果を示す。
【0114】
＜実施例１３＞
実施例１０で作製した異方性導電フィルムを用い、異方性導電フィルムに形成したはんだ粒子がチップＣ５のバンプのバンプと、基板Ｄ５のバンプの間にくるように、位置あわせを行い、上記（５）に係る構成の接続構造体を作製した。それ以外は、実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った（ただし、「導通抵抗試験－高温放置試験」は未実施）。表１１に結果を示す。
実施例１０で作製した異方性導電フィルムを用い、異方性導電フィルムに形成したはんだ粒子がチップＣ５のバンプのバンプと、基板Ｄ５のバンプの間にくるように、位置あわせを行い、上記（５）に係る構成の接続構造体を作製した。それ以外は、実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った（ただし、「導通抵抗試験－高温放置試験」は未実施）。表１１に結果を示す。
【0115】
【表11】
【0116】
＜実施例１４＞
粒径２．０μｍ～１４．０μｍ以下（ｄ９０＝１２μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ、Ｔｙｐｅ７）１００ｇを、開口寸法４μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩をかけて、通過しないものを回収した。続いて、回収したはんだ粒子を、開口寸法６μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩にかけ、篩を通過したはんだ粒子を回収した。
粒径２．０μｍ～１４．０μｍ以下（ｄ９０＝１２μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ、Ｔｙｐｅ７）１００ｇを、開口寸法４μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩をかけて、通過しないものを回収した。続いて、回収したはんだ粒子を、開口寸法６μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩にかけ、篩を通過したはんだ粒子を回収した。
【0117】
得られたはんだ粒子を、開口径３．０μｍφ、底部径２．５μｍφ、深さ３μｍ（底部径２．５μｍφは、凹部を上面からみると、開口径３．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部を有する転写型に配置した。そして、転写型上のはんだ粒子を刷けでなぞることで、３．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は４．６μｍであった。
続いて、開口径５．０μｍφ、底部径４．０μｍφ、深さ５μｍ（底部径４．０μｍφは、凹部を上面からみると、開口径５．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が５．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径４．６μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、開口径５．０μｍφ、底部径４．０μｍφ、深さ５μｍ（底部径４．０μｍφは、凹部を上面からみると、開口径５．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が５．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径４．６μｍのはんだ粒子を配列した。
【0118】
続いて、実施例１の（工程３）以降を同様に行うことで、はんだ粒子がほぼ単体で、層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図７（ｃ）参照）。異方性導電フィルムにおけるはんだ粒子が配置されるべき箇所の一箇所あたりのはんだ粒子の平均個数は１．２個であった。実施例１と同様に、下記（１）～（４）の接続構造体の評価を行った。表１２に結果を示す。
（１）チップＣ１／１６μｍの厚みの異方性導電フィルム／基板Ｄ１、
（２）チップＣ２／１６μｍの厚みの異方性導電フィルム／基板Ｄ２、
（３）チップＣ３／１２μｍの厚みの異方性導電フィルム／基板Ｄ３、
（４）チップＣ４／８μｍの厚みの異方性導電フィルム／基板Ｄ４、
（１）チップＣ１／１６μｍの厚みの異方性導電フィルム／基板Ｄ１、
（２）チップＣ２／１６μｍの厚みの異方性導電フィルム／基板Ｄ２、
（３）チップＣ３／１２μｍの厚みの異方性導電フィルム／基板Ｄ３、
（４）チップＣ４／８μｍの厚みの異方性導電フィルム／基板Ｄ４、
【0119】
【表12】
【0120】
＜実施例１５＞
粒径２．０μｍ～１４．０μｍ以下（ｄ９０＝１２μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ、Ｔｙｐｅ７）１００ｇを、開口寸法４μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩をかけて、通過しないものを回収した。続いて、回収したはんだ粒子を、開口寸法５μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩にかけ、篩を通過したはんだ粒子を回収した。
粒径２．０μｍ～１４．０μｍ以下（ｄ９０＝１２μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ、Ｔｙｐｅ７）１００ｇを、開口寸法４μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩をかけて、通過しないものを回収した。続いて、回収したはんだ粒子を、開口寸法５μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩にかけ、篩を通過したはんだ粒子を回収した。
【0121】
得られたはんだ粒子を、開口径３．０μｍφ、底部径２．５μｍφ、深さ３μｍ（底部径２．５μｍφは、凹部を上面からみると、開口径３．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部を有する転写型に配置した。そして、転写型上のはんだ粒子を刷けでなぞることで、３．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は３．７μｍであった。
続いて、開口径５．０μｍφ、底部径４．０μｍφ、深さ５μｍ（底部径４．０μｍφは、凹部を上面からみると、開口径５．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が５．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径３．７μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、開口径５．０μｍφ、底部径４．０μｍφ、深さ５μｍ（底部径４．０μｍφは、凹部を上面からみると、開口径５．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が５．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径３．７μｍのはんだ粒子を配列した。
【0122】
続いて、実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は３．４個であった。実施例１と同様に、（１）～（４）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表１３に結果を示す。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は３．４個であった。実施例１と同様に、（１）～（４）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表１３に結果を示す。
【0123】
【表13】
【0124】
＜実施例１６＞
粒径２．０μｍ～１４．０μｍ以下（ｄ９０＝１２μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ、Ｔｙｐｅ７）１００ｇを、開口寸法４μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩をかけて、通過しないものを回収した。続いて、回収したはんだ粒子を、開口寸法５μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩にかけ、篩を通過したはんだ粒子を回収した。
粒径２．０μｍ～１４．０μｍ以下（ｄ９０＝１２μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ、Ｔｙｐｅ７）１００ｇを、開口寸法４μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩をかけて、通過しないものを回収した。続いて、回収したはんだ粒子を、開口寸法５μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩にかけ、篩を通過したはんだ粒子を回収した。
【0125】
得られたはんだ粒子を、開口径３．０μｍφ、底部径２．５μｍφ、深さ３μｍ（底部径２．５μｍφは、凹部を上面からみると、開口径３．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部を有する転写型に配置した。そして、転写型上のはんだ粒子を刷けでなぞることで、３．０μｍφ以下の粒径のはんだ粒子を凹部内に回収した。回収されずに残ったはんだ粒子の平均粒径は３．２μｍであった。
続いて、開口径５．０μｍφ、底部径４．０μｍφ、深さ５μｍ（底部径４．０μｍφは、凹部を上面からみると、開口径５．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が５．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径３．２μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、開口径５．０μｍφ、底部径４．０μｍφ、深さ５μｍ（底部径４．０μｍφは、凹部を上面からみると、開口径５．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部が５．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径３．２μｍのはんだ粒子を配列した。
【0126】
続いて、実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は４．２個であった。実施例１と同様に、（１）～（４）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表１４に結果を示す。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は４．２個であった。実施例１と同様に、（１）～（４）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表１４に結果を示す。
【0127】
【表14】
【0128】
＜実施例１７＞
５．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している凹部を有する転写型の代わりに、バンプの位置及びサイズに対応した位置に凹部を有する転写型を使用したことの他は、実施例１４と同様にして異方性導電フィルムを作製した。なお、図２２は、異方性導電フィルムのはんだ粒子の位置と、バンプ（サイズ３０μｍ×３０μｍ）の位置との関係を模式的に示す平面図である。図２３は、異方性導電フィルムのはんだ粒子の位置と、バンプ（サイズ１５μｍ×１５μｍ）の位置との関係を模式的に示す平面図である。図２４は、異方性導電フィルムのはんだ粒子の位置と、バンプ（サイズ１０μｍ×１０μｍ）の位置との関係を模式的に示す平面図である。図２５は、異方性導電フィルムのはんだ粒子の位置と、バンプ（サイズ５μｍ×５μｍ）の位置との関係を模式的に示す平面図である。
作製した異方性導電フィルムを使用し、実施例１と同様に、（１）～（４）に係る接続構造体の評価を行った。表１５に結果を示す。
５．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している凹部を有する転写型の代わりに、バンプの位置及びサイズに対応した位置に凹部を有する転写型を使用したことの他は、実施例１４と同様にして異方性導電フィルムを作製した。なお、図２２は、異方性導電フィルムのはんだ粒子の位置と、バンプ（サイズ３０μｍ×３０μｍ）の位置との関係を模式的に示す平面図である。図２３は、異方性導電フィルムのはんだ粒子の位置と、バンプ（サイズ１５μｍ×１５μｍ）の位置との関係を模式的に示す平面図である。図２４は、異方性導電フィルムのはんだ粒子の位置と、バンプ（サイズ１０μｍ×１０μｍ）の位置との関係を模式的に示す平面図である。図２５は、異方性導電フィルムのはんだ粒子の位置と、バンプ（サイズ５μｍ×５μｍ）の位置との関係を模式的に示す平面図である。
作製した異方性導電フィルムを使用し、実施例１と同様に、（１）～（４）に係る接続構造体の評価を行った。表１５に結果を示す。
【0129】
【表15】
【0130】
＜実施例１８＞
凹部が５．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型の代わりに、バンプの位置及びサイズに対応した位置に凹部を有する転写型を使用したことの他は、実施例１５と同様にして異方性導電フィルムを作製した（図２２～２５参照）。作製した異方性導電フィルムを使用し、実施例１と同様に、（１）～（４）に係る接続構造体の評価を行った。表１６に結果を示す。
凹部が５．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型の代わりに、バンプの位置及びサイズに対応した位置に凹部を有する転写型を使用したことの他は、実施例１５と同様にして異方性導電フィルムを作製した（図２２～２５参照）。作製した異方性導電フィルムを使用し、実施例１と同様に、（１）～（４）に係る接続構造体の評価を行った。表１６に結果を示す。
【0131】
【表16】
【0132】
＜実施例１９＞
凹部が５．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型の代わりに、バンプの位置及びサイズに対応した位置に凹部を有する転写型を使用したことの他は、実施例１６と同様にして異方性導電フィルムを作製した（図２２～２５参照）。作製した異方性導電フィルムを使用し、実施例１と同様に、（１）～（４）に係る接続構造体の評価を行った。表１７に結果を示す。
凹部が５．０μｍのスペースの間隔で規則的に配列している転写型の代わりに、バンプの位置及びサイズに対応した位置に凹部を有する転写型を使用したことの他は、実施例１６と同様にして異方性導電フィルムを作製した（図２２～２５参照）。作製した異方性導電フィルムを使用し、実施例１と同様に、（１）～（４）に係る接続構造体の評価を行った。表１７に結果を示す。
【0133】
【表17】
【0134】
＜実施例２０＞
粒径サイズ２．０μｍ～１４．０μｍ以下（ｄ９０＝１２μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ、Ｔｙｐｅ７）１００ｇを、開口寸法５μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩をかけて、通過しないものを回収した。続いて、回収したはんだ粒子を、開口寸法７μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩にかけ、篩を通過したはんだ粒子を回収した。回収されたはんだ粒子の平均粒径は５．７μｍであった。
粒径サイズ２．０μｍ～１４．０μｍ以下（ｄ９０＝１２μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ、Ｔｙｐｅ７）１００ｇを、開口寸法５μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩をかけて、通過しないものを回収した。続いて、回収したはんだ粒子を、開口寸法７μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩にかけ、篩を通過したはんだ粒子を回収した。回収されたはんだ粒子の平均粒径は５．７μｍであった。
【0135】
続いて、開口径１０．０μｍφ、底部径８．０μｍφ、深さ７μｍ（底部径８．０μｍφは、凹部を上面からみると、開口径１０．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部がチップＣ１、Ｃ２及びＣ３のバンプの中央にそれぞれ対応する位置に設けられた転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径５．７μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は３．５個であった。実施例１と同様に、（１）～（３）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表１８に結果を示す。
続いて、実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は３．５個であった。実施例１と同様に、（１）～（３）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表１８に結果を示す。
【0136】
【表18】
【0137】
＜実施例２１＞
実施例１４で得た平均粒径４．６μｍのはんだ粒子を用いるとともに、実施例２０と同様の転写型を用いて異方性導電フィルムを作製した。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は５．７個であった。実施例１と同様に、（１）～（３）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表１９に結果を示す。
実施例１４で得た平均粒径４．６μｍのはんだ粒子を用いるとともに、実施例２０と同様の転写型を用いて異方性導電フィルムを作製した。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は５．７個であった。実施例１と同様に、（１）～（３）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表１９に結果を示す。
【0138】
【表19】
【0139】
＜実施例２２＞
実施例１５で得た平均粒径３．７μｍのはんだ粒子を用いるとともに、実施例２０と同様の転写型を用いて異方性導電フィルムを作製した。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は９．５個であった。実施例１と同様に、（１）～（３）に係る接続構造体の評価を行った。表２０に結果を示す。
実施例１５で得た平均粒径３．７μｍのはんだ粒子を用いるとともに、実施例２０と同様の転写型を用いて異方性導電フィルムを作製した。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は９．５個であった。実施例１と同様に、（１）～（３）に係る接続構造体の評価を行った。表２０に結果を示す。
【0140】
【表20】
【0141】
＜実施例２３＞
粒径サイズ５．０μｍ～２３．０μｍ以下（ｄ９０＝１６μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ、Ｔｙｐｅ６）１００ｇを、開口寸法５μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩をかけて、通過しないものを回収した。続いて、回収したはんだ粒子を、開口寸法７μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩にかけ、篩を通過したはんだ粒子を回収した。回収されたはんだ粒子の平均粒径は６．７μｍであった。
粒径サイズ５．０μｍ～２３．０μｍ以下（ｄ９０＝１６μｍ）のＳｎ－Ｂｉはんだ粒子（５Ｎ Ｐｌｕｓ、Ｔｙｐｅ６）１００ｇを、開口寸法５μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩をかけて、通過しないものを回収した。続いて、回収したはんだ粒子を、開口寸法７μｍの高精度電鋳篩（アズワン株式会社、商品名）により篩にかけ、篩を通過したはんだ粒子を回収した。回収されたはんだ粒子の平均粒径は６．７μｍであった。
【0142】
続いて、開口径１０．０μｍφ、底部径８．０μｍφ、深さ７μｍ（底部径８．０μｍφは、凹部を上面からみると、開口径１０．０μｍφの中央に位置するものとする）の凹部がチップＣ１及びＣ２のバンプの中央にそれぞれ対応する位置に設けられた転写型を準備した。転写型のフィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）を用いた。この転写型の凹部に、上記の平均粒径６．７μｍのはんだ粒子を配列した。
続いて、実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は４．２個であった。実施例１と同様に、（１）及び（２）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表２１に結果を示す。
続いて、実施例１の（工程３）と同様に行った後、実施例１の（工程４）において、圧力を０．１ＭＰａ（１．０ｋｇｆ／ｃｍ２）に変更して加圧することで、接着フィルムの接着剤成分を凹部内に入り込ませ、複数個のはんだ粒子を接着フィルムに固定化した（図９（ｂ）参照）。
続いて、実施例１の（工程５）を行い、複数個のはんだ粒子からなる粒子群が層状に配列された異方性導電フィルムを得た（図９（ｃ）参照）。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は４．２個であった。実施例１と同様に、（１）及び（２）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表２１に結果を示す。
【0143】
【表21】
【0144】
＜実施例２４＞
実施例１４で得た平均粒径４．６μｍのはんだ粒子を用いるとともに、実施例２３と同様の転写型を用いて異方性導電フィルムを作製した。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は６．５個であった。実施例１と同様に、（１）及び（２）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表２２に結果を示す。
実施例１４で得た平均粒径４．６μｍのはんだ粒子を用いるとともに、実施例２３と同様の転写型を用いて異方性導電フィルムを作製した。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は６．５個であった。実施例１と同様に、（１）及び（２）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表２２に結果を示す。
【0145】
【表22】
【0146】
＜実施例２５＞
実施例１５で得た平均粒径３．７μｍのはんだ粒子を用いるとともに、実施例２３と同様の転写型を用いて異方性導電フィルムを作製した。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は９．３個であった。実施例１と同様に、（１）及び（２）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表２３に結果を示す。
実施例１５で得た平均粒径３．７μｍのはんだ粒子を用いるとともに、実施例２３と同様の転写型を用いて異方性導電フィルムを作製した。粒子群を構成するはんだ粒子の平均個数は９．３個であった。実施例１と同様に、（１）及び（２）に係る構成の接続構造体の評価を行った。表２３に結果を示す。
【0147】
【表23】
【0148】
＜比較例１＞
【0149】
下記の成分を下記の質量部で含んだ、はんだ粒子含有異方性導電ペーストを作製した。
（ポリマー）：１２質量部
（熱硬化性化合物）：２９質量部
（高誘電率硬化剤）：２０質量部
（熱硬化剤）：１１．５質量部
（フラックス）：２質量部
（はんだ粒子）３４質量部
（ポリマー）：１２質量部
（熱硬化性化合物）：２９質量部
（高誘電率硬化剤）：２０質量部
（熱硬化剤）：１１．５質量部
（フラックス）：２質量部
（はんだ粒子）３４質量部
【0150】
（ポリマー）
ビスフェノールＦと１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との反応物（ポリマーＡ）の合成：
ビスフェノールＦ（４，４’－メチレンビスフェノールと２，４’－メチレンビスフェノールと２，２’－メチレンビスフェノールとを質量比で２：３：１で含む）７２質量部、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル７０質量部、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＥＰＩＣＬＯＮ ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ」）３０質量部を、三つ口フラスコに入れ、窒素フロー下にて、１５０℃で溶解させた。その後、水酸基とエポキシ基との付加反応触媒であるテトラーｎ－ブチルスルホニウムブロミド０．１質量部を添加し、窒素フロー下にて、１５０℃で６時間、付加重合反応させることにより反応物（ポリマー）を得た。
ビスフェノールＦと１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との反応物（ポリマーＡ）の合成：
ビスフェノールＦ（４，４’－メチレンビスフェノールと２，４’－メチレンビスフェノールと２，２’－メチレンビスフェノールとを質量比で２：３：１で含む）７２質量部、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル７０質量部、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＥＰＩＣＬＯＮ ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ」）３０質量部を、三つ口フラスコに入れ、窒素フロー下にて、１５０℃で溶解させた。その後、水酸基とエポキシ基との付加反応触媒であるテトラーｎ－ブチルスルホニウムブロミド０．１質量部を添加し、窒素フロー下にて、１５０℃で６時間、付加重合反応させることにより反応物（ポリマー）を得た。
【0151】
（熱硬化性化合物）：レゾルシノール型エポキシ化合物、ナガセケムテックス株式会社製「ＥＸ－２０１」
（高誘電率硬化剤）：ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート）
（高誘電率硬化剤）：ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート）
【0152】
（熱硬化剤）：昭和電工株式会社製「カレンズＭＴ ＰＥ１」
【0153】
（フラックス）：アジピン酸、和光純薬工業株式会社製
【0154】
（はんだ粒子）：
ＳｎＢｉはんだ粒子２００ｇ（三井金属鉱業株式会社製「ＳＴ－３」）と、アジピン酸４０ｇと、アセトン７０ｇとを三つ口フラスコに秤量し、次にはんだ粒子本体の表面の水酸基とアジピン酸のカルボキシル基との脱水縮合触媒であるジブチル錫オキサイド０．３ｇを添加し、６０℃で４時間反応させた。その後、はんだ粒子を濾過することで回収した。回収したはんだ粒子と、アジピン酸５０ｇと、トルエン２００ｇと、パラトルエンスルホン酸０．３ｇとを三つ口フラスコに秤量し、真空引き、及び還流を行いながら、１２０℃で、３時間反応させた。この際、ディーンスターク抽出装置を用いて、脱水縮合により生成した水を除去しながら反応させた。その後、濾過によりはんだ粒子を回収し、ヘキサンにて洗浄し、乾燥した。その後、得られたはんだ粒子をボールミルで解砕した後、所定のＣＶ値となるように篩を選択した。得られたＳｎＢｉはんだ粒子の平均粒子径は４μｍ、ＣＶ値７％であった。
ＳｎＢｉはんだ粒子２００ｇ（三井金属鉱業株式会社製「ＳＴ－３」）と、アジピン酸４０ｇと、アセトン７０ｇとを三つ口フラスコに秤量し、次にはんだ粒子本体の表面の水酸基とアジピン酸のカルボキシル基との脱水縮合触媒であるジブチル錫オキサイド０．３ｇを添加し、６０℃で４時間反応させた。その後、はんだ粒子を濾過することで回収した。回収したはんだ粒子と、アジピン酸５０ｇと、トルエン２００ｇと、パラトルエンスルホン酸０．３ｇとを三つ口フラスコに秤量し、真空引き、及び還流を行いながら、１２０℃で、３時間反応させた。この際、ディーンスターク抽出装置を用いて、脱水縮合により生成した水を除去しながら反応させた。その後、濾過によりはんだ粒子を回収し、ヘキサンにて洗浄し、乾燥した。その後、得られたはんだ粒子をボールミルで解砕した後、所定のＣＶ値となるように篩を選択した。得られたＳｎＢｉはんだ粒子の平均粒子径は４μｍ、ＣＶ値７％であった。
【0155】
実施例１の（工程６）と（工程７）と同様の銅バンプ付きチップと銅バンプ付き基板の準備を行った。下記の構造の接続構造体を作製した。なお、基板の上部に、はんだ粒子含有異方性導電ペースト、さらにチップが構成されている。銅バンプ付きチップのバンプと銅バンプ付き基板のバンプの位置合わせを行った。１８０℃、４ｇｆ／バンプ、３０秒の条件でチップ上方から加熱及び加圧を行い、本接続を行った。以下の（１）～（５）の「チップ／はんだ粒子含有異方性導電ペーストム／基板」の組み合わせで、（１）～（５）に係る計５種類の接続構造体をそれぞれ作製した。実施例１と同様に、接続構造体の評価を行った。表２４に結果を示す。
（１）チップＣ１／１６μｍの厚み（銅バンプ上）のはんだ粒子含有異方性導電ペースト／基板Ｄ１、
（２）チップＣ２／１６μｍの厚み（銅バンプ上）のはんだ粒子含有異方性導電ペースト／基板Ｄ２、
（３）チップＣ３／１２μｍの厚み（銅バンプ上）のはんだ粒子含有異方性導電ペースト／基板Ｄ３、
（４）チップＣ４／８μｍの厚み（銅バンプ上）のはんだ粒子含有異方性導電ペースト／基板Ｄ４、
（５）チップＣ５／８μｍの厚み（銅バンプ上）のはんだ粒子含有異方性導電ペースト／基板Ｄ５、
（１）チップＣ１／１６μｍの厚み（銅バンプ上）のはんだ粒子含有異方性導電ペースト／基板Ｄ１、
（２）チップＣ２／１６μｍの厚み（銅バンプ上）のはんだ粒子含有異方性導電ペースト／基板Ｄ２、
（３）チップＣ３／１２μｍの厚み（銅バンプ上）のはんだ粒子含有異方性導電ペースト／基板Ｄ３、
（４）チップＣ４／８μｍの厚み（銅バンプ上）のはんだ粒子含有異方性導電ペースト／基板Ｄ４、
（５）チップＣ５／８μｍの厚み（銅バンプ上）のはんだ粒子含有異方性導電ペースト／基板Ｄ５、
【0156】
【表24】
【0157】
＜比較例２＞
【0158】
比較例１で用いた、ＳｎＢｉはんだ粒子２００ｇ（三井金属鉱業株式会社製「ＳＴ－３」）の代わりに、ＳｎＢｉはんだ粒子２００ｇ（三井金属鉱業株式会社製「ＳＴ－５」）を用い、平均粒子径６μｍ、ＣＶ値１０％のＳｎＢｉはんだ粒子を用いたことの他は、比較例１と同様にて接続構造体の評価を行った。表２５に結果を示す。
【0159】
【表25】
【符号の説明】
【0160】
１…はんだ粒子、１Ａ…粒子群、２…絶縁性フィルム（接着剤成分）、２ａ…フィルム（接着剤成分）、２ｂ…第一のフィルム、２ｃ…第一のフィルムの表面、２ｄ…第二のフィルム（接着剤成分）、１０，２０…異方性導電フィルム、３０…第一の回路部材、３１…第一の基板、３２…第一の電極、４０…第二の回路部材、４１…第二の基板、４２…第二の電極、５０Ａ～５０Ｆ…接続構造体、５５…絶縁樹脂層（接着剤成分又はその硬化物）、６０…転写型、６２…凹部（開口部）、７０…はんだ層、７１…金属間化合物の層。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】