特開 2022-188558 基板処理システム、及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022188558

(43)【公開日】2022-12-21

(54)【発明の名称】基板処理システム、及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20221214BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20221214BHJP

   H01L 21/02 20060101ALI20221214BHJP

   B24B 37/00 20120101ALI20221214BHJP

   B24B 1/00 20060101ALI20221214BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 622N

H01L21/304 622Q

H01L21/68 N

H01L21/304 643A

H01L21/02 C

B24B37/00 Z

B24B1/00 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021096689

(22)【出願日】2021-06-09

(71)【出願人】

【識別番号】000000239

【氏名又は名称】株式会社荏原製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100106208

【弁理士】

【氏名又は名称】宮前 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100146710

【弁理士】

【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男

(74)【代理人】

【識別番号】100186613

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100172041

【弁理士】

【氏名又は名称】小畑 統照

(72)【発明者】

【氏名】▲濱▼田 聡美

【テーマコード（参考）】

3C049

3C158

5F057

5F131

5F157

【Ｆターム（参考）】

3C049AA07

3C049AB04

3C049AC05

3C049CB06

3C158AA07

3C158CB01

3C158DA12

3C158DA17

3C158EA11

3C158EB01

3C158ED00

5F057AA21

5F057BA11

5F057CA12

5F057CA14

5F057CA21

5F057CA24

5F057CA25

5F057CA36

5F057DA38

5F057FA28

5F057FA37

5F131AA02

5F131AA03

5F131AA12

5F131AA32

5F131AA33

5F131BA33

5F131BA37

5F131BA43

5F131CA12

5F131DA02

5F131DA32

5F131DA33

5F131DA36

5F131DA42

5F131DA54

5F131DA62

5F131DB37

5F131DB52

5F131DB58

5F131DB62

5F131DB72

5F131DB76

5F131EA05

5F131EA06

5F131EA23

5F131EA24

5F131EB01

5F131EB42

5F131EB63

5F131EB81

5F131EC21

5F131EC62

5F131EC72

5F131EC77

5F131GA14

5F131GA19

5F131HA28

5F131JA23

5F131JA24

5F131JA25

5F131JA27

5F131JA28

5F131JA32

5F131JA35

5F157AA15

5F157AA42

5F157AA76

5F157AA96

5F157AB14

5F157AB90

5F157BB22

5F157BB33

5F157BB66

5F157BE12

5F157BE23

5F157BE33

5F157BE43

(57)【要約】

【課題】処理対象である被処理面の裏面の変形および汚染等を防止できる基板処理システム、及び基板処理方法を提案する。
【解決手段】基板の被処理面に処理を施すための基板処理システムであって、前記基板処理システムは、前記基板における前記被処理面の裏面に保護膜を形成するための保護膜形成部と、前記基板の前記被処理面に処理を施すための基板処理部と、前記基板の前記裏面から前記保護膜を除去するための保護膜除去部と、を備える。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の被処理面に処理を施すための基板処理システムであって、
前記基板における前記被処理面の裏面に保護膜を形成するための保護膜形成部と、
前記基板の前記被処理面に処理を施すための基板処理部と、
前記基板の前記裏面から前記保護膜を除去するための保護膜除去部と、
を備える基板処理システム。

【請求項2】

前記保護膜形成部は、前記基板の前記裏面に液状の保護材を付して乾燥させることにより前記保護膜を形成する、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項3】

前記保護膜形成部は、前記基板の回転を伴って当該基板の前記裏面に前記保護膜を形成する、請求項２に記載の基板処理システム。

【請求項4】

前記保護膜形成部は、前記基板の前記裏面にフィルムを貼り付けることにより前記保護膜を形成する、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項5】

前記保護膜除去部は、除去液を前記保護膜に作用させることにより前記保護膜を除去する、請求項１から４の何れか１項に記載の基板処理システム。

【請求項6】

前記保護膜除去部は、前記基板の前記裏面から前記保護膜を剥離させることにより前記保護膜を除去する、請求項１から５の何れか１項に記載の基板処理システム。

【請求項7】

前記基板処理システムは、前記基板を洗浄するための基板洗浄部を有し、
前記保護膜除去部は、前記基板洗浄部による前記基板の洗浄中に前記保護膜を除去する、
請求項１から６の何れか１項に記載の基板処理システム。

【請求項8】

前記保護膜が水溶性である、請求項１から７の何れか１項に記載の基板処理システム。

【請求項9】

前記保護膜は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＳＦ（ポリスルホン）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＥ（ポリエチレン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＡＡ（ポリアクリルアミド）、ポリケトン、セルロース混合エステル、ポリビニリデンフロライド、Ｐ ＳＱ（ポリスチレン４級アンモニウム塩）、ポリエチレンイミン、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド、アミノ基含有カチオン性ポリ（メタ）アクリル酸エステル、アミノ基含有カチオン性ポリ（メタ）アクリルアミド、ポリアミンアミド－エピクロロヒドリン、ポリアリルアミン、ポリジシアンジアミド、キトサン、カチオン化キトサン、アミノ基含有カチオン化デンプン、アミノ基含有カチオン化セルロース、アミノ基含有カチオン化ポリビニルアルコール及び上記ポリマーの酸塩の１つまたは複数の材料から形成される、請求項１から８の何れか１項に記載の基板処理システム。

【請求項10】

前記除去液は、水、ガス溶存水、アンモニア、アンモニア過水、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、コリン、水酸化アンモニウム、硫酸、硫酸過水、過酸化水素水、オゾン水のうちの少なくとも１つから選択された、請求項５に記載の基板処理システム。

【請求項11】

前記基板処理部における処理は、基板の研磨処理、研削処理、全面裏面研磨処理、ベベル研磨処理、または基板洗浄処理、のいずれか１つであることを特徴とする、請求項１か
ら１０の何れか１項に記載の基板処理システム。

【請求項12】

基板の被処理面に処理を施すための基板処理方法あって、
前記基板における前記被処理面の裏面に保護膜を形成し、
前記基板の前記被処理面に処理を施し、
前記基板の前記裏面から前記保護膜を除去する、
ことを特徴とする基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理システム、及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、半導体集積回路における配線パターンの微細化を実現するための装置開発が進められている。これらの半導体集積回路を形成する工程においては、微粒子や塵埃などの異物が半導体集積回路に付着することがある。そして、半導体集積回路に付着した異物は、配線間の短絡や回路の不具合を引き起こしてしまう。したがって、半導体集積回路の信頼性を向上させるために、処理対象である基板（例えばウェハ）を洗浄して、基板の処理面の異物を除去することが行われている。

【0003】

ウェハの裏面にも、上述したような微粒子や粉塵などの異物が付着することがある。また、近年セリア砥粒といった微細な粒子を用いた研磨処理の開発が行われているが、セリアは極めて微細であるため、従来の基板洗浄プロセスでは基板面上から十分満足いくレベルにまで除去することが困難な場合もあることが分かってきた。そして、このような異物がウェハの裏面に付着すると、ウェハが露光装置のステージ基準面から離間したりウェハ表面がステージ基準面に対して傾いたりして、結果として、パターニングのずれや焦点距離のずれが生じるおそれがある。また、ウェハは、複数のウェハを積み重ねて保管する場合があり、こうした場合には、近接する複数のウェハ間で、ウェハの裏面に付着した異物がウェハの被処理面（おもて面）に移るおそれがある。このような問題を防止するために、従来、ウェハの裏面を研磨処理ないし洗浄する基板処理装置が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１に記載の装置は、基板の裏面側を上向きになるように保持し、基板面に研磨液を供給しながら研磨テープを基板の裏面側に押し付けることにより、基板裏面が研磨処理されるように構成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１４－１５０１７８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、ウェハの裏面をロールスポンジ等で洗浄すると、ロールスポンジに蓄積した砥粒などが基板裏面に付着する可能性があり、かえって基板の裏面に微細な異物が生じてしまうことがあり得る。また、基板処理装置では、基板の被処理面に全面裏面研磨処理などの処理を施す際に、基板の裏面を真空吸着する場合がある。こうした場合には、真空吸着によって基板の裏面に凹凸が転写されて裏面が変形しまうおそれがある。さらに、裏面、又はベベルを研磨処理などの処理を施す装置では、被処理面の裏面に、つまりコンタクト配線等が形成されているおもて面に、微細な研磨屑などの異物が生じてしまうことがあり得る。

【0006】

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、処理対象である被処理面の裏面の変形および汚染等を防止できる基板処理システム、及び基板処理方法を提案することを目的の１つとする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一実施形態によれば、基板の被処理面に処理を施すための基板処理システムが提案され、前記基板処理システムは、前記基板における前記被処理面の裏面に保護膜を形
成するための保護膜形成部と、前記基板の前記被処理面に処理を施すための基板処理部と、前記基板の前記裏面から前記保護膜を除去するための保護膜除去部と、を備える。こうした基板処理システムによれば、基板の裏面に保護膜を形成した状態で、被処理面に処理を施すことができる。これにより、被処理面の裏面の変形および汚染等を防止できる。

【0008】

本発明の一実施形態によれば、基板の被処理面に処理を施すための基板処理方法が提案され、前記基板処理方法は、前記基板における前記被処理面の裏面に保護膜を形成し、前記基板の前記被処理面に処理を施し、前記基板の前記裏面から前記保護膜を除去する、ことを特徴とする。こうした基板処理方法によれば、上記した基板処理システムと同様の効果を奏することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本実施形態の基板処理システムの全体構成の一例を示す平面図である。

【図2】基板処理部を模式的に示す斜視図である。

【図3】トップリングの一例を示す断面図である。

【図4】図４（Ａ）は洗浄ユニット４を示す平面図であり、図４（Ｂ）は洗浄ユニット４を示す側面図である。

【図5】本実施形態の基板処理方法の一例を示すフローチャートである。

【図6】保護膜形成モジュールの一例を模式的に示す図である。

【図7】保護膜形成モジュールの別の一例を模式的に示す図である。

【図8】保護膜除去モジュールの一例を模式的に示す図である。

【図9】保護膜除去モジュールの別の一例を模式的に示す図である。

【図10】変形例の研磨装置における研磨処理の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下に、本発明に係る基板処理システム、及び基板処理方法の実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。

【0011】

＜基板処理システム＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの全体構成を示す平面図である。本実施形態の基板処理ステムは、基板（ウェハ）の被処理面に研磨処理を施す研磨装置（ＣＭＰ装置）１０００として構成されている。なお、基板処理システムは、研磨装置１０００に限定されるものではなく、例えば被処理面のバフ処理を行うバフ処理装置、被処理面を洗浄する洗浄装置、又は基板の切り離し処理を行うダイシング装置などであってもよい。

【0012】

また、基板処理システムは、コンタクト配線等が形成されたおもて面を被処理面とするものに限定されず、おもて面に対する背面を被処理面として処理を施すものであってもよい。以下では、「裏面」は、基板処理システムが処理を施す被処理面の裏側の面を意味するものとして説明を行う。つまり、基板処理システムがおもて面に対する背面を被処理面とする場合、コンタクト配線などが形成されたおもて面が「裏面」となる。さらに、以下では、丸型の基板を例に説明するが、基板は、丸型に限定されるものではなく、四角形などの角型であってもよい。また、基板は、半導体基板に限定されず、液晶ディスプレイまたは有機ＥＬディスプレイに用いるガラス基板であってもよい。

【0013】

図１に示すように、基板処理システムの一例である研磨装置（ＣＭＰ装置）１０００は
、略矩形状のハウジング１を備える。ハウジング１の内部は、隔壁１ａ，１ｂによって、ロード／アンロードユニット２と、研磨ユニット３と、洗浄ユニット４と、に区画される。ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。詳しくは後述するが、洗浄ユニット４は、基板（ウェハ）の裏面に保護膜を形成するための保護膜形成室３００と、保護膜を除去するための保護膜除去室４００とを備える。また、洗浄ユニット４は、研磨装置に電源を供給する電源供給部と、処理動作を制御する制御装置５と、を備える。

【0014】

＜ロード／アンロードユニット＞
本発明の一実施形態におけるロード／アンロードユニット２は、多数の基板をストックするウェハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備える。これらのフロントロード部２０は、ハウジング１に隣接して配置され、研磨装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列される。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ及びＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。

【0015】

また、ロード／アンロードユニット２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設される。走行機構２１上には、ウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット（ローダー、搬送機構）２２が設置される。搬送ロボット２２は、走行機構２１上を移動することによって、フロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット２２は、上下に２つのハンドを備えている。上側のハンドは、処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用される。下側のハンドは、処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用される。このように、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、ウェハを反転させることができるように構成されている。

【0016】

ロード／アンロードユニット２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロードユニット２の内部は、研磨装置外部、研磨ユニット３、及び、洗浄ユニット４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット３は、研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット４の内部圧力よりも低く維持される。ロード／アンロードユニット２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、又は、ケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられている。フィルタファンユニットからは、パーティクル、有毒蒸気、又は有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。

【0017】

＜研磨ユニット＞
本発明の一実施形態における研磨ユニット３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域である。研磨ユニット３は、基板処理システムにおける基板処理部の一例である。研磨ユニット３は、第１研磨モジュール３Ａ、第２研磨モジュール３Ｂ、第３研磨モジュール３Ｃ、及び、第４研磨モジュール３Ｄを備えている。第１研磨モジュール３Ａ、第２研磨モジュール３Ｂ、第３研磨モジュール３Ｃ、及び第４研磨モジュール３Ｄは、図１に示すように、研磨装置の長手方向に沿って配列される。

【0018】

図１に示すように、第１研磨モジュール３Ａは、研磨面を有する研磨パッド（研磨具）１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持して研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に
研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体又は液体（例えば純水）を噴射して研磨面上のスラリーや研磨生成物、及びドレッシングによる研磨パッド残渣を除去するアトマイザ３４Ａと、を備えている。

【0019】

同様に、第２研磨モジュール３Ｂは、研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂと、を備えている。第３研磨モジュール３Ｃは、研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃと、を備えている。第４研磨モジュール３Ｄは、研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄと、を備えている。

【0020】

第１研磨モジュール３Ａ、第２研磨モジュール３Ｂ、第３研磨モジュール３Ｃ、及び第４研磨モジュール３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第１研磨モジュール３Ａについてのみ説明する。

【0021】

図２は、第１研磨モジュール３Ａを模式的に示す斜視図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６に支持される。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付される。研磨パッド１０の上面は、ウェハＷを研磨する研磨面を形成する。なお、研磨パッド１０に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング３１Ａ及び研磨テーブル３０Ａは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成される。ウェハＷは、トップリング３１Ａの下面に真空吸着により保持される。本実施形態では、ウェハＷの裏面（図２中、上面）には保護膜４０が形成されており、ウェハＷは、保護膜４０を介してトップリング３１Ａに保持されている。保護膜４０については、後に詳細に説明する。研磨時には、研磨液供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給された状態で、研磨対象であるウェハＷの被処理面（図２中、下面）がトップリング３１Ａにより研磨パッド１０の研磨面に押圧されて研磨される。

【0022】

膜厚センサ７０は、研磨テーブル３０内に設置されており、研磨テーブル３０とともに回転する。膜厚センサ７０は、研磨テーブル３０が１回転するたびに、ウェハＷの中心部を含む複数の領域での膜厚信号を取得するように構成されている。膜厚センサ７０の例としては、光学式センサや渦電流センサが挙げられる。ウェハＷの研磨中、膜厚センサ７０はウェハＷの表面を横切りながら膜厚信号を取得する。この膜厚信号は、ウェハＷの膜厚を直接または間接に示す指標値であり、ウェハＷの膜厚の減少に従って変化する。膜厚センサ７０は制御装置５に接続されており、膜厚信号は制御装置５に送られるようになっている。制御装置５は、膜厚信号によって示されるウェハＷの膜厚が所定の目標値に達したときに、ウェハＷの研磨を終了させる。

【0023】

図３は、一実施形態におけるトップリング３１Ａを示す断面図である。なお、トップリング３１Ｂ～３１Ｄはトップリング３１Ａと同様の構成であるため、トップリング３１Ａについてのみ説明する。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６に自由継手１９を介して連結されるトップリング本体２３と、トップリング本体２３の下方に配置されたリテーナリング２４（図２では省略）とを備えている。

【0024】

トップリング本体２３の下方には、ウェハＷの裏面に形成された保護膜４０に当接する柔軟なメンブレン（弾性膜）２５と、メンブレン２５を保持するチャッキングプレート２６とが配置されている。メンブレン２５とチャッキングプレート２６との間には、４つの圧力室Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が設けられている。圧力室Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４はメンブレン２５とチャッキングプレート２６とによって形成されている。中央の圧力室Ｃ１は円形であり、他の圧力室Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は環状である。これらの圧力室Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は、同心円状に配列されている。圧力室Ｃ１～Ｃ４のそれぞれは、図示しない気体供給源に接続され、内部圧力を互いに独立して変化させることができるようになっている。

【0025】

＜搬送機構＞
次に、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨モジュール３Ａ及び第２研磨モジュール３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。第１リニアトランスポータ６は、研磨モジュール３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウェハを搬送する機構である。また、第３研磨モジュール３Ｃ及び第４研磨モジュール３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置される。第２リニアトランスポータ７は、研磨モジュール３Ｃ，３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウェハを搬送する機構である。

【0026】

ウェハは、第１リニアトランスポータ６によって研磨モジュール３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨モジュール３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。そして、トップリング３１Ａへのウェハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨モジュール３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウェハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨モジュール３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウェハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨モジュール３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウェハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。

【0027】

第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウェハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウェハは、リフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置してシャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウェハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウェハが渡されるようになっている。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄ユニット４と、の間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。スイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有している。第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウェハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨モジュール３Ｃ及び／又は第４研磨モジュール３Ｄに搬送される。また、研磨ユニット３で研磨されたウェハはスイングトランスポータ１２を経由して洗浄ユニット４に搬送される。

【0028】

第１リニアトランスポータ６、第２リニアトランスポータ７は、特開２０１０－５０４３６号公報に記載されているように、それぞれ複数の搬送ステージ（図示せず）を有する。これにより、例えば未研磨のウェハを各搬送位置に搬送する搬送ステージと、研磨後のウェハを各搬送位置から搬送する搬送ステージと、を使い分けることができる。これによりウェハを速やかに搬送位置に搬送して研磨を開始し、研磨後のウェハを速やかに洗浄ユニットに送ることができる。

【0029】

＜洗浄ユニット＞
図４（Ａ）は洗浄ユニット４を示す平面図であり、図４（Ｂ）は洗浄ユニット４を示す
側面図である。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、洗浄ユニット４は、ここではロール洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、ペン洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、保護膜形成室３００と、第３搬送室１９５と、保護膜除去室４００と、に区画されている。洗浄ユニットは、基板処理システムにおける基板洗浄部の一例である。

【0030】

ロール洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂが配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａは、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂは、洗浄液をウェハの表裏面に供給しながら、回転する２つのロールスポンジをウェハの表裏面にそれぞれ押し付けることによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａと下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０４が設けられている。

【0031】

ペン洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂが配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａは、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂは、洗浄液をウェハの表面に供給しながら、回転するペンシルスポンジをウェハの表面に押し付けてウェハの径方向に揺動することによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａと下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０３が設けられている。なお、スイングトランスポータ１２の側方には、図示しないフレームに設置されたウェハＷの仮置き台１８０が配置されている。仮置き台１８０は、第１リニアトランスポータ６に隣接して配置されており、第１リニアトランスポータ６と洗浄ユニット４との間に位置している。

【0032】

上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、及び仮置き台２０３は、図示しないフレームにボルトなどを介して固定される。

【0033】

保護膜形成室３００には、上側保護膜形成モジュール（保護膜形成部）３００Ａ、及び、下側保護膜形成モジュール（保護膜形成部）３００Ｂが備えられる。上側保護膜形成モジュール３００Ａ及び下側保護膜形成モジュール３００Ｂは、研磨装置１０００における処理対象であるウェハＷの被処理面の裏面に、処理に先立って保護膜４０を形成するための機構である。なお、保護膜形成モジュールとして、２つのモジュールが設けられるものに限定されず、１つ、又は３つ以上のモジュールが設けられてもよい。

【0034】

保護膜除去室４００には、上側保護膜除去モジュール（保護膜除去部）４００Ａ、及び下側保護膜除去モジュール（保護膜除去部）４００Ｂが備えられる。上側保護膜除去モジュール４００Ａ及び下側保護膜除去モジュール４００Ｂは、処理が施されたウェハＷの裏面から、保護膜４０を除去するための機構である。なお、保護膜除去モジュールとして、２つのモジュールが設けられるものに限定されず、１つ、又は３つ以上のモジュールが設けられてもよい。

【0035】

なお、保護膜除去室４００には、ウェハＷを乾燥させるための乾燥モジュールが更に配置されてもよい。また、洗浄ユニット４には、保護膜除去室４００とは別に、ウェハＷを乾燥させるための乾燥室が設けられてもよい。さらに、保護膜形成室３００と保護膜除去室４００とが別々に設けられることに限定されず、同一空間とされてもよい。

【0036】

第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット（搬送機構）２０９が配置され
る。第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置される。第３搬送室１９５には、上下動可能な第３搬送ロボット（搬送機構）２１３が配置される。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２，２１４にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２，２１４に沿って上下に移動自在となっている。第１搬送ロボット２０９は、搬送ロボット２２と同様に、上下二段のハンドを有している。第１搬送ロボット２０９は、図４（Ａ）の点線で示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット２０９の下側のハンドが仮置き台１８０にアクセスするときには、隔壁１ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

【0037】

第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、及び、仮置き台２０３、の間でウェハＷを搬送するように動作する。洗浄前のウェハ（スラリーが付着しているウェハ）を搬送するときは、第１搬送ロボット２０９は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。

【0038】

第２搬送ロボット２１０は、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、上側保護膜形成モジュール３００Ａ、及び、下側保護膜形成モジュール３００Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。第２搬送ロボット２１０は、上下二段のハンドを有している。

【0039】

第３搬送ロボット２１３は、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側保護膜除去モジュール４００Ａ、及び、下側保護膜除去モジュール４００Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。第３搬送ロボット２１３は、洗浄されたウェハのみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。図１に示す搬送ロボット２２は、上側のハンドを用いて上側保護膜除去モジュール４００Ａ又は下側保護膜除去モジュール４００Ｂからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット２２の上側ハンドが保護膜除去モジュール４００Ａ，４００Ｂにアクセスするときには、隔壁１ａに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

【0040】

なお、洗浄ユニット４の第１搬送ロボット２０９は、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、及び、仮置き台２０４の間でウェハＷを搬送する。第２搬送ロボット２１０は、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、上側保護膜形成モジュール３００Ａ、下側保護膜形成モジュール３００Ｂ、及び、仮置き台２０４の間でウェハＷを搬送する。第３搬送ロボット２１３は、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、上側保護膜除去モジュール４００Ａ、下側保護膜除去モジュール４００Ｂ、及び、仮置き台２０３の間でウェハＷを搬送する。

【0041】

なお、本実施形態では、洗浄ユニット４内において、保護膜形成室３００、ロール洗浄室１９０、ペン洗浄室１９２、及び保護膜除去室４００を、ロード／アンロードユニット２から遠い方から順番に並べて配置する例を示したが、これには限られない。保護膜形成室３００、ロール洗浄室１９０、ペン洗浄室１９２、及び保護膜除去室４００の配置態様は、ウェハの品質及びスループットなどに応じて適宜選択し得る。また、本実施形態では、保護膜形成モジュール３００Ａ，３００Ｂ、及び、保護膜除去モジュール４００Ａ，４００Ｂを別々に備える例を示すが、これに限らず共通したモジュールを備えていてもよい。また、本実施形態では、ウェハＷを洗浄するモジュールとしてロール洗浄モジュール、及び、ペン洗浄モジュールを挙げて説明したが、これに限らず、バフ研磨、２流体ジェット洗浄（２ＦＪ洗浄）、又はメガソニック洗浄を行うこともできる。バフ研磨は、ウェハＷに対してバフパッドを接触させながら、ウェハＷとバフパッド５０２を相対運動させ、ウェハＷとバフパッドとの間にスラリー等の研磨液を介在させることによりウェハＷの処理面を研磨除去するものである。２流体ジェット洗浄は、高速気体に乗せた微小液滴（ミスト）を２流体ノズルからウェハＷに向けて噴出させて衝突させ、微小液滴のウェハＷ表面への衝突で発生した衝撃波を利用してウェハＷ表面のパーティクル等を除去（洗浄）するものである。メガソニック洗浄は、洗浄液に超音波を加え、洗浄液分子の振動加速度による作用力をパーティクル等の付着粒子に作用させて除去するものである。

【0042】

次に、本実施形態における基板処理方法について説明する。図５は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。本実施形態では、図５に示す基板処理方法は、予め制御装置５に記憶されたプログラムに従って制御装置５が研磨装置１０００の各構成を制御することにより実行されるものとするが、少なくとも一部の工程は作業者等によって実行されてもよい。

【0043】

まず、研磨装置１０００は、ウェハＷの被処理面の処理に先立って、ウェハ（基板）Ｗの裏面に保護膜４０を形成する（Ｓ１２）。本実施形態では、この処理は、上側保護膜形成モジュール３００Ａ又は下側保護膜形成モジュール３００Ｂにおいて行われる。なお、保護膜形成モジュール３００Ａ及び下側保護膜形成モジュール３００Ｂは、保護膜４０の形成に先立って、図示しない気体供給口からウェハＷの裏面に気体を吹き付けるなどして、ウェハＷの裏面から異物等を除去してもよい。保護膜４０は、研磨装置１０００におけるウェハＷの被処理面の処理、及びウェハＷの搬送時に、ウェハＷの裏面に研磨屑などの異物が付着したり、ウェハＷの裏面に凹凸が形成されたりすることを防止するために設けられるものである。ここで、保護膜４０は、水溶性の材料で形成されることが好ましい。こうすれば、ウェハＷの裏面から保護膜４０を除去した後にウェハＷを洗浄することで、ウェハＷの裏面に保護膜４０が残ることを好適に抑制できる。

【0044】

なお、保護膜４０としては、例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＳＦ（ポリスルホン）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＥ（ポリエチレン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＡＡ（ポリアクリルアミド）、ポリケトン、セルロース混合エステル、ポリビニリデンフロライド、Ｐ ＳＱ（ポリスチレン４級アンモニウム塩）、ポリエチレンイミン、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド、アミノ基含有カチオン性ポリ（メタ）アクリル酸エステル、アミノ基含有カチオン性ポリ（メタ）アクリルアミド、ポリアミンアミド－エピクロロヒドリン、ポリアリルアミン、ポリジシアンジアミド、キトサン、カチオン化キトサン、アミノ基含有カチオン化デンプン、アミノ基含有カチオン化セルロース、アミノ基含有カチオン化ポリビニルアルコール及び上記ポリマーの酸塩の１つまたは複数の材料から形成されるものとすることができる。

【0045】

図６は、上側保護膜形成モジュール３００Ａの一例を模式的に示す図である。なお、図６及び後述する図７では、理解の容易のため、ウェハＷの裏面にハッチングを付している。また、下側保護膜形成モジュール３００Ｂは、上側保護膜形成モジュール３００Ａと同一の構成を有しているので、以下、上側保護膜形成モジュール（単に、「保護膜形成モジュール」と称する）３００Ａについてのみ説明する。図６に示す例では、保護膜形成モジュール３００Ａは、ウェハＷの外周を支持するための４つの支持部材３０１と、ウェハＷの裏面に液状の保護材を供給するためのノズル３０６と、を有している。支持部材３０１は例えばスピンドル、チャック等である。このスピンドル、チャック等の回転により、ウェハＷを回転させることができる。図６に示す保護膜形成モジュール３００Ａは、スピンコート法によってウェハＷの裏面に保護膜４０を形成するように構成されている。つまり、保護膜形成モジュール３００Ａは、ノズル３０６から液状の保護材をウェハＷの裏面に供給し、ウェハＷを回転させることによりウェハＷの裏面に保護材を伸ばす。そして、保護材を乾燥させることにより、保護膜４０を形成する。ここで、ノズル３０６からの保護材の供給速度、ウェハＷの回転速度、及び乾燥時間などは、保護材の材質およびウェハＷの大きさなどに基づいて、予め実験等により定められればよい。また、別の一例として、保護膜形成モジュール３００Ａは、ウェハＷを回転させながらノズル３０６をウェハＷの中心と端部との間で移動させてノズル３０６から液状の保護剤を供給して、ウェハＷの裏面に保護膜４０を形成してもよい。この場合には、ウェハＷの中心に近い位置ではノズル３０６の移動を速くし、ウェハＷの中心から離れた位置ではノズル３０６の移動を遅くすることにより、単位面積当たりの保護剤の供給量の均一化を図ってもよい。

【0046】

図７は、保護膜形成モジュール３００Ａの別の一例を模式的に示す図である。図７に示す例では、保護膜形成モジュール３００Ａは、支持部材３０１によって支持されたウェハＷにフィルム４１を貼り付けることによって、ウェハＷの裏面に保護膜４０を形成するように構成されている。ここで、フィルム４１は、図示しないハンドなどの治具を使用してウェハＷの裏面に貼り付けられるものとしてもよい。また、フィルム４１は、真空吸着などによって保持されてウェハＷの裏面に貼り付けられるものとしてもよい。なお、図７に示す例では、フィルム４１を移動させてウェハＷの裏面にフィルム４１が貼り付けられるものとしているが、これに代えて又は加えて、ウェハＷを移動させてウェハＷの裏面にフィルム４１が貼り付けられてもよい。また、フィルム４１は、フィルム４１自体の粘着性によってウェハＷの裏面に貼り付けられてもよいし、接着剤を使用してウェハＷの裏面に貼り付けられてもよい。なお、接着剤は、水溶性であることが好ましい。こうすれば、ウェハＷの裏面から保護膜４０を除去した後にウェハＷを洗浄することで、ウェハＷの裏面に接着剤が残ることを好適に抑制できる。

【0047】

なお、図６及び図７に示す例では、支持部材３０１は、ウェハＷの裏面が上方を向くようにウェハＷを支持するものとしているが、こうした例に限定されず、例えばウェハＷの裏面が下方を向くようにウェハＷを支持してもよい。こうした場合、液状の保護材を供給するためのノズル３０６は、ウェハＷの裏面に保護材を供給するように、その位置および保護材の噴出強度が定められるとよい。また、支持部材３０１は、ウェハＷの外周面を支持する４つの部材で構成されるものとしたが、こうした例に限定されるものではない。例えば、保護膜形成モジュール３００Ａは、ウェハＷの被処理面を支持してもよいし、磁気またはベルヌーイ効果などを利用してウェハＷを支持するように構成されてもよい。

【0048】

なお、ウェハＷの裏面に保護膜４０を形成する方法は、図６、図７に示す例に限定されるものではなく、既知の種々の方法が採られてもよい。例えば、溶媒キャスト法、転写法、印刷法等による製膜方法の他、必要に応じて加熱処理や、圧延・延伸などの機械的処理を組み合わせて、ウェハＷの裏面に保護膜４０を形成してもよい。

【0049】

再び図５を参照する。ウェハＷの裏面に保護膜４０を形成すると、研磨装置１０００は、ウェハＷの被処理面に処理を施す（Ｓ１４）。本実施形態の研磨装置１０００では、研磨ユニット３によって、ウェハＷの被処理面に研磨処理が施される。本実施形態の研磨装置１０００では、ウェハＷの裏面に保護膜４０が形成されているため、ウェハＷの被処理面に処理を施す際に、ウェハＷの裏面の汚染を防止できる。また、トップリング３１Ａによる真空吸着など、ウェハＷの保持または搬送の際に、ウェハＷの裏面が変形することを防止できる。

【0050】

そして、ウェハＷの被処理面に処理を施したら、研磨装置１０００は、ウェハＷの裏面から保護膜４０を除去する（Ｓ１６）。本実施形態では、この処理は、上側保護膜除去モジュール４００Ａ又は下側保護膜除去モジュール４００Ｂにおいて行われる。ここで、上側保護膜除去モジュール４００Ａ及び下側保護膜除去モジュール４００Ｂによる保護膜４０の除去は、洗浄ユニット４によるウェハＷの洗浄中に行われるものとしてもよい。具体的には、保護膜４０の除去は洗浄ユニット４によるウェハＷの被処理面の洗浄がなされた後に行われ、保護膜４０が除去された後にウェハＷの裏面が洗浄されるものとしてもよい。また、保護膜４０の除去は洗浄ユニット４によるウェハＷの被処理面の洗浄および乾燥がなされた後に行われ、保護膜４０が除去された後にウェハＷの裏面が洗浄されるものとしてもよい。ただし、こうした例に限定されず、保護膜除去モジュール４００Ａ，４００Ｂによる保護膜４０の除去後に、洗浄ユニット４によるウェハＷの洗浄が行われるものとしてもよい。

【0051】

図８は、上側保護膜除去モジュール４００Ａの一例を模式的に示す図である。なお、下側保護膜除去モジュール４００Ｂは、上側保護膜除去モジュール４００Ａと同一の構成を有しているので、以下、上側保護膜除去モジュール（単に、「保護膜除去モジュール」と称する）４００Ａについてのみ説明する。図８に示す例では、保護膜除去モジュール４００Ａは、ウェハＷの外周を支持するための４つの支持部材３０２と、保護膜４０をウェハＷの裏面から剥離させるための剥離機構３０７と、を有する。剥離機構３０７は、一例として、ハンド、ピンセット、ヘラ等の剥離治具を使用して保護膜４０をウェハＷの裏面から剥離させるように構成される。なお、保護膜除去モジュール４００Ａは、保護膜４０をウェハＷの裏面から剥離させる際に、剥離を円滑にするための薬液などをウェハＷと保護膜４０との間に供給してもよい。

【0052】

図９は、保護膜除去モジュール４００Ａの別の一例を模式的に示す図である。図９に示す例では、保護膜除去モジュール４００Ａは、ウェハＷを支持するための４つの支持部材３０２と、保護膜４０を除去するための除去液を保護膜４０に作用させるためのノズル３０８と、を有している。支持部材３０２は例えばスピンドル、チャック等である。このスピンドル、チャック等の回転により、ウェハＷを回転させることができる。除去液は、保護膜４０を溶かして除去するための液体であり、保護膜４０の材質に基づいて選択される液体を使用することができる。一例として、除去液は、水、ガス溶存水、アンモニア、アンモニア過水、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、コリン、水酸化アンモニウム、硫酸、硫酸過水、過酸化水素水、オゾン水のうちの少なくとも１つから選択されてもよい。また、保護膜除去モジュール４００Ａは、除去液を加熱するための加熱器を備えてもよい。なお、除去液を保護膜４０に作用させて保護膜４０を除去する場合、除去液によって保護膜４０を完全に溶かすものに限定されない。例えばその後の洗浄ユニット４における洗浄、例えば下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂの作用によって、保護膜４０を除去可能な程度に保護膜４０を溶かすものとしてもよい。また、除去液を保護膜４０に作用させるときには、支持部材３０２によってウェハＷを回転させてもよい。こうすれば、保護膜４０の全体に除去液を作用させることができると考えられる。なお、図９に示す例では、保護膜除去モジュール４００Ａは、ノズル３０８から除去液を保護膜４０へ噴出させて作用させるものとしたが、こうした例に限定されない。例えば、保護膜除去モジュール４００Ａは、除去液が貯められた液槽内にウェハＷを浸けることにより、除去液を保護膜４０に作用させてもよい。

【0053】

なお、図８及び図９に示す例では、支持部材３０２は、ウェハＷの裏面が下方を向くようにウェハＷを支持するものとしているが、こうした例に限定されず、例えばウェハＷの裏面が上方を向くようにウェハＷを支持してもよい。また、支持部材３０２は、ウェハＷの外周面を支持する４つの部材で構成されるものとしたが、こうした例に限定されるものではない。例えば、保護膜除去モジュール４００Ａ，４００Ｂは、ウェハＷの被処理面を
支持してもよいし、磁気などを利用してウェハＷを支持するように構成されてもよい。また、ウェハＷの裏面に保護膜４０を除去する方法は、図８、図９に示す例に限定されるものではなく、既知の種々の方法が採られてもよい。

【0054】

以上説明した基板処理システムおよび基板処理方法によれば、保護膜形成モジュール３００ＡにおいてウェハＷの裏面に保護膜４０を形成する。そして、研磨ユニット３においてウェハＷの被処理面に処理を施し、保護膜除去モジュール４００ＡにおいてウェハＷの裏面から保護膜４０を除去する。これにより、ウェハＷの裏面の汚染および変形等を防止して、ウェハＷの被処理面に処理を施すことができる。また、本実施形態では、保護膜４０が水溶性であるため、保護膜４０を除去した後にウェハＷを洗浄することで、ウェハＷの裏面に保護膜４０が残ることを好適に抑制できる。

【0055】

（変形例）
なお、上記した実施形態では、ウェハＷの裏面に保護膜４０を形成するための保護膜形成モジュール３００Ａ，３００Ｂ、及びウェハＷの裏面から保護膜４０を除去するための保護膜除去モジュール４００Ａ，４００Ｂが、洗浄ユニット４に設けられるものとした。しかし、こうした例に限定されるものではなく、保護膜形成モジュール３００Ａ，３００Ｂと保護膜除去モジュール４００Ａ，４００Ｂとの少なくとも一方は、ロード／アンロードユニット２、又は研磨ユニット３に設けられてもよい。例えば、保護膜形成モジュール３００Ａは、ウェハＷが、上記した搬送ロボット２２の下側のハンドに保持されている状態で、ウェハＷの裏面に保護膜４０を形成するように構成されてもよい。この場合、搬送ロボット２２によるウェハＷの反転に伴ってウェハＷの裏面にフィルム４１が貼り付けられることにより保護膜４０が形成されるものとしてもよい。また、保護膜形成モジュール３００Ａは、上記したトップリング３１Ａを使用して、ウェハＷの裏面に保護膜４０を貼り付けるように構成されてもよい。つまり、保護膜形成モジュール３００Ａは、トップリング３１Ａにフィルム４１を保持させ、基板Ｗの裏面にフィルム４１を貼り付けることにより保護膜４０が形成されるものとしてもよい。この場合には、圧力室Ｃ１～Ｃ４内の圧力を制御してウェハＷの裏面にフィルム４１を貼り付けることができるので、ウェハＷとフィルム４１との間に空気などが残ってしまうことなどを好適に抑制できると考えられる。

【0056】

また、上記した実施形態では、保護膜形成モジュール３００Ａ，３００Ｂ、及び保護膜除去モジュール４００Ａ，４００Ｂが、研磨装置１０００内に設けられるものとした。しかし、こうした例に限定されるものではなく、ウェハＷの裏面に保護膜４０を形成するための保護膜形成装置（保護膜形成部）と、ウェハＷの裏面から保護膜４０を除去するための保護膜除去装置（保護膜除去部）との少なくとも一方が、研磨装置１０００とは別に設けられてもよい。

【0057】

また、上記した実施形態では、研磨パッド１０をウェハＷに押圧することにより、ウェハＷの被処理面が研磨されるものとした。しかしながら、こうした例に限定されるものではなく、一例として、研磨パッド１０の使用に代えて、または加えて、ブラスト処理によりウェハＷの被処理面が研磨されるものとしてもよい。図１０は、変形例の研磨装置における研磨処理の一例を示す図である。図１０に示すように、変形例の研磨装置は、ウェハＷの被処理面（おもて面）に向けられた複数の噴射口３５ａを有する噴射機構３５を備える。一例として、複数の噴射口３５ａは、ウェハＷの半径方向に沿って直線状に配置されてもよい。ウェハＷの回転を伴って、噴射口３５ａから研磨液（ブラスト材）がウェハＷの被処理面に噴きつけられることにより、ウェハＷの被処理面の研磨処理（ブラスト処理）が行われる。なお、噴射機構３５からの研磨液の噴射は、被処理面における噴射位置を変更しながら行われるように、ウェハＷを支持する研磨テーブル３０Ａと噴射機構３５との少なくとも一方の移動を伴って行われてもよい。

【0058】

本発明は、以下の形態としても記載することができる。
［形態１］形態１によれば、基板の被処理面に処理を施すための基板処理システムであって、前記基板処理システムは、前記基板における前記被処理面の裏面に保護膜を形成するための保護膜形成部と、前記基板の前記被処理面に処理を施すための基板処理部と、前記基板の前記裏面から前記保護膜を除去するための保護膜除去部と、を備える。形態１によれば、基板の裏面に保護膜を形成した状態で、被処理面に処理を施すことができる。これにより、被処理面の裏面の変形および汚染等を防止できる。

【0059】

［形態２］形態２によれば、形態１において、前記保護膜形成部は、前記基板の前記裏面に液状の保護材を付して乾燥させることにより前記保護膜を形成する。

【0060】

［形態３］形態３によれば、形態２において、前記保護膜形成部は、前記基板の回転を伴って当該基板の前記裏面に前記保護膜を形成する。

【0061】

［形態４］形態４によれば、形態１において、前記保護膜形成部は、前記基板の前記裏面にフィルムを貼り付けることにより前記保護膜を形成する。

【0062】

［形態５］形態５によれば、形態１から４において、前記保護膜除去部は、除去液を前記保護膜に作用させることにより前記保護膜を除去する。

【0063】

［形態６］形態６によれば、形態１から５において、前記保護膜除去部は、前記基板の前記裏面から前記保護膜を剥離させることにより前記保護膜を除去する。

【0064】

［形態７］形態７によれば、形態１から６において、前記基板処理システムは、前記基板を洗浄するための基板洗浄部を有し、前記保護膜除去部は、前記基板洗浄部による前記基板の洗浄中に前記保護膜を除去する。

【0065】

［形態８］形態８によれば、形態１から７において、前記保護膜が水溶性である。形態８によれば、基板の裏面から保護膜を除去した後に洗浄することで、基板の裏面に保護膜が残ることを好適に抑制できる。

【0066】

［形態９］形態９によれば、形態１から８において、前記保護膜は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＳＦ（ポリスルホン）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＥ（ポリエチレン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＡＡ（ポリアクリルアミド）、ポリケトン、セルロース混合エステル、ポリビニリデンフロライド、Ｐ ＳＱ（ポリスチレン４級アンモニウム塩）、ポリエチレンイミン、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド、アミノ基含有カチオン性ポリ（メタ）アクリル酸エステル、アミノ基含有カチオン性ポリ（メタ）アクリルアミド、ポリアミンアミド－エピクロロヒドリン、ポリアリルアミン、ポリジシアンジアミド、キトサン、カチオン化キトサン、アミノ基含有カチオン化デンプン、アミノ基含有カチオン化セルロース、アミノ基含有カチオン化ポリビニルアルコール及び上記ポリマーの酸塩の１つまたは複数の材料から形成される。

【0067】

［形態１０］形態１０によれば、形態５において、前記除去液は、水、ガス溶存水、アンモニア、アンモニア過水、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、コリン、水酸化アンモニウムのうちの少なくとも１つから選択される。

【0068】

［形態１１］形態１１によれば、形態１から１０において、前記基板処理部における処理
は、基板の研磨処理、研削処理、全面裏面研磨処理、ベベル研磨処理、または基板洗浄処理、のいずれか１つであることを特徴とする。

【0069】

［形態１２］形態１２によれば、基板の被処理面に処理を施すための基板処理方法であって、前記基板における前記被処理面の裏面に保護膜を形成し、前記基板の前記被処理面に処理を施し、前記基板の前記裏面から前記保護膜を除去する、ことを特徴とする。形態１０によれば、上記した形態１の基板処理装置と同様の効果を奏することができる。

【0070】

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、実施形態および変形例の任意の組み合わせが可能であり、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

【符号の説明】

【0071】

３…研磨ユニット
４…洗浄ユニット
５…制御装置
１０…研磨パッド
２２…搬送ロボット
３１Ａ…トップリング
１９０…ロール洗浄室
１９２…ペン洗浄室
３００…保護膜形成室
３００Ａ、３００Ｂ…保護膜形成モジュール（保護膜形成部）
３０６…ノズル
３０７…治具
３０８…ノズル
４００…保護膜除去室
４００Ａ、４００Ｂ…保護膜除去モジュール（保護膜除去部）
１０００…研磨装置
Ｗ…ウェハ（基板）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】