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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022188695
(43)【公開日】2022-12-21
(54)【発明の名称】高分子材料及び導電性材料
(51)【国際特許分類】
C08L 101/06 20060101AFI20221214BHJP
C08K 3/04 20060101ALI20221214BHJP
【ＦＩ】
C08L101/06
C08K3/04
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021096930
(22)【出願日】2021-06-09
(71)【出願人】
【識別番号】504176911
【氏名又は名称】国立大学法人大阪大学
(71)【出願人】
【識別番号】000115083
【氏名又は名称】ユシロ化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000796
【氏名又は名称】弁理士法人三枝国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼島 義徳
(72)【発明者】
【氏名】原田 明
(72)【発明者】
【氏名】大▲崎▼ 基史
(72)【発明者】
【氏名】朴 峻秀
(72)【発明者】
【氏名】以倉 崚平
(72)【発明者】
【氏名】梶本 晃太
(72)【発明者】
【氏名】白川 瑛規
(72)【発明者】
【氏名】北村 裕二郎
【テーマコード（参考）】
4J002
【Ｆターム（参考）】
4J002AA03W
4J002AA05W
4J002BC04W
4J002BG04W
4J002BG04X
4J002DA016
4J002DA026
4J002DA036
4J002FD116
4J002GQ00
4J002GQ02
(57)【要約】
【課題】導電性を有しながら、力学特性にも優れる高分子材料及び該高分子材料を含む導電性材料を提供する。
【解決手段】本発明の高分子材料は、少なくとも１個のホスト基を有する高分子化合物Ｈと、導電性材料を含有し、前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価の基である。本発明の高分子材料は、導電性を有しながら、力学特性にも優れる。高分子材料の一実施形態では、前記高分子化合物Ｈがさらに少なくとも１個のゲスト基を有し、前記高分子化合物Ｈは分子間でホスト－ゲスト相互作用を形成している。
【選択図】なし
【解決手段】本発明の高分子材料は、少なくとも１個のホスト基を有する高分子化合物Ｈと、導電性材料を含有し、前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価の基である。本発明の高分子材料は、導電性を有しながら、力学特性にも優れる。高分子材料の一実施形態では、前記高分子化合物Ｈがさらに少なくとも１個のゲスト基を有し、前記高分子化合物Ｈは分子間でホスト－ゲスト相互作用を形成している。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも１個のホスト基を有する高分子化合物Ｈと、導電性材料を含有し、
前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された基である、高分子材料。
前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された基である、高分子材料。
【請求項2】
前記高分子化合物Ｈは、さらに少なくとも１個のゲスト基を有し、
前記高分子化合物Ｈは分子間でホスト－ゲスト相互作用を形成している、請求項１に記載の高分子材料。
前記高分子化合物Ｈは分子間でホスト－ゲスト相互作用を形成している、請求項１に記載の高分子材料。
【請求項3】
少なくとも１個のゲスト基を有する高分子化合物Ｇをさらに含み、
前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基と、前記高分子化合物Ｇが有する少なくとも１個の前記ゲスト基とがホスト－ゲスト相互作用を形成している、請求項１に記載の高分子材料。
前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基と、前記高分子化合物Ｇが有する少なくとも１個の前記ゲスト基とがホスト－ゲスト相互作用を形成している、請求項１に記載の高分子材料。
【請求項4】
前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基には、他の高分子化合物Ｈの主鎖が貫通している、請求項１に記載の高分子材料。
【請求項5】
前記高分子化合物Ｈ以外の鎖状高分子化合物Ｐをさらに含む、請求項４に記載の高分子材料。
【請求項6】
前記高分子化合物Ｈ以外の鎖状高分子化合物Ｐをさらに含み、
前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基には、前記鎖状高分子化合物Ｐの主鎖が貫通している、請求項１に記載の高分子材料。
前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基には、前記鎖状高分子化合物Ｐの主鎖が貫通している、請求項１に記載の高分子材料。
【請求項7】
前記導電性材料が炭素材料を含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の高分子材料。
【請求項8】
請求項１～７のいずれか１項に記載の高分子材料を含有する、導電性高分子材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高分子材料及び導電性材料に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、高分子材料の用途はますます多様化していることから、種々の機能を有する高分子材料の創生が求められている。例えば、硬い材料でありながら伸張性にも優れるといったように、いわゆるトレードオフの関係にある複数の物性を向上させた高分子材料は、様々な分野に応用することが期待される。
【0003】
特に、近年のエレクトロニクス分野に代表される電子デバイスは、ＩｏＴの急速な発展とともに普及が進んでおり、この観点から、高強度及び高耐久性を有する導電性高分子材料のニーズは今後さらに高まることは容易に予想される。導電性高分子材料の研究は盛んに行われており、例えば、特許文献１には、自己修復性能を有するイオン伝導ゲルが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００７－２７７１３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、従来の導電性材料は、導電性は必要な水準に達するにしても柔軟性及び伸張性等の力学特性が十分ではなく、改善の余地が残されていた。この観点から、導電性を有しつつも、柔軟性及び伸張性等の力学特性にも優れる導電性材料の創生が強く望まれていた。
【0006】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、導電性を有しながら、力学特性にも優れる高分子化合物及び高分子材料、並びに、該高分子材料を含む導電性材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、高分子化合物に特定の官能基と導電性材料を導入することにより上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0008】
すなわち、本発明は、例えば、以下の項に記載の主題を包含する。
項１
少なくとも１個のホスト基を有する高分子化合物Ｈと、導電性材料を含有し、
前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された基である、高分子材料。
項２
前記高分子化合物Ｈは、さらに少なくとも１個のゲスト基を有し、
前記高分子化合物Ｈは分子間でホスト－ゲスト相互作用を形成している、項１に記載の高分子材料。
項３
少なくとも１個のゲスト基を有する高分子化合物Ｇをさらに含み、
前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基と、前記高分子化合物Ｇが有する少なくとも１個の前記ゲスト基とがホスト－ゲスト相互作用を形成している、項１に記載の高分子材料。
項４
前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基には、他の高分子化合物Ｈの主鎖が貫通している、項１に記載の高分子材料。
項５
前記高分子化合物Ｈ以外の鎖状高分子化合物Ｐをさらに含む、項４に記載の高分子材料。
項６
前記高分子化合物Ｈ以外の鎖状高分子化合物Ｐをさらに含み、
前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基には、前記鎖状高分子化合物Ｐの主鎖が貫通している、項１に記載の高分子材料。
項７
前記導電性材料が炭素材料を含む、項１～６のいずれか１項に記載の高分子材料。
項８
項１～７のいずれか１項に記載の高分子材料を含有する、導電性高分子材料。
項１
少なくとも１個のホスト基を有する高分子化合物Ｈと、導電性材料を含有し、
前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された基である、高分子材料。
項２
前記高分子化合物Ｈは、さらに少なくとも１個のゲスト基を有し、
前記高分子化合物Ｈは分子間でホスト－ゲスト相互作用を形成している、項１に記載の高分子材料。
項３
少なくとも１個のゲスト基を有する高分子化合物Ｇをさらに含み、
前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基と、前記高分子化合物Ｇが有する少なくとも１個の前記ゲスト基とがホスト－ゲスト相互作用を形成している、項１に記載の高分子材料。
項４
前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基には、他の高分子化合物Ｈの主鎖が貫通している、項１に記載の高分子材料。
項５
前記高分子化合物Ｈ以外の鎖状高分子化合物Ｐをさらに含む、項４に記載の高分子材料。
項６
前記高分子化合物Ｈ以外の鎖状高分子化合物Ｐをさらに含み、
前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基には、前記鎖状高分子化合物Ｐの主鎖が貫通している、項１に記載の高分子材料。
項７
前記導電性材料が炭素材料を含む、項１～６のいずれか１項に記載の高分子材料。
項８
項１～７のいずれか１項に記載の高分子材料を含有する、導電性高分子材料。
【発明の効果】
【0009】
本発明に係る高分子化合物は、導電性を有しながら、力学特性にも優れる高分子材料を製造するための原料として適している。また、本発明に係る高分子材料は、導電性を有しながら、力学特性にも優れる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の高分子材料の構造を模式的に示す概略図である。
【図2】実施例１－１で実施した反応スキームを示す。
【図3】実施例２－１で実施した反応スキームを示す。
【図4】実施例３－１で実施した反応スキームを示す。
【図5】実施例４－１で実施した反応スキームを示す。
【図6】実施例１－１、実施例１－２及び比較例１－１で得られた高分子材料の力学特性の評価結果を示す。
【図7】実施例３－１～３－６及び比較例３－１～３－２で得られた高分子材料の力学特性の評価結果を示している。
【図8】実施例３－１～３－６で得られた高分子材料の導電性の測定結果を示す。
【図9】実施例４－１～４－３及び比較例４－１で得られた高分子材料の力学特性の評価結果を示す。
【図10】（ａ）は実施例４－２で得られた高分子材料Ｄのひずみを５％ごとに最大１００％まで増加させたときの繰り返し引張試験結果、（ｂ）は抵抗値測定結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書中において、「含有」及び「含む」なる表現については、「含有」、「含む」、「実質的にからなる」及び「のみからなる」という概念を含む。
【0012】
本発明の高分子材料は、少なくとも１個のホスト基を有する高分子化合物Ｈと、導電性材料を含有する。前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された基である。
【0013】
本発明の高分子材料は、前記高分子化合物Ｈ及び導電性材料を含む限り、その形態は特に制限は無い。例えば、本発明の高分子材料は、以下の高分子材料Ａ、高分子材料Ｂ、高分子材料Ｃ及び高分子材料Ｄを包含する。
【0014】
高分子材料Ａは、前記高分子化合物Ｈ及び前記導電性材料を含み、かつ、前記高分子化合物Ｈは、さらに少なくとも１個のゲスト基を有し、前記高分子化合物Ｈは分子間でホスト－ゲスト相互作用を形成している。
【0015】
高分子材料Ｂは、前記高分子化合物Ｈ及び前記導電性材料を含み、かつ、少なくとも１個のゲスト基を有する高分子化合物Ｇをさらに含み、前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基と、前記高分子化合物Ｇが有する少なくとも１個の前記ゲスト基とがホスト－ゲスト相互作用を形成している。
【0016】
高分子材料Ｃは、前記高分子化合物Ｈ及び前記導電性材料を含み、かつ、前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基には、他の高分子化合物Ｈの主鎖が貫通している。
【0017】
高分子材料Ｄは、前記高分子化合物Ｈ及び前記導電性材料を含み、かつ、前記高分子化合物Ｈ以外の鎖状高分子化合物Ｐをさらに含み、前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基には、前記鎖状高分子化合物Ｐの主鎖が貫通している。
【0018】
高分子材料において、前記高分子化合物Ｈは少なくとも１個のホスト基を有する限り、その構造は特に限定されない。例えば、本発明の一実施形態においては、前記高分子化合物Ｈは、その構造中にホスト基含有重合性単量体単位を有することができる。また、本発明の他の実施形態においては、前記高分子化合物Ｈは、その構造中にホスト基含有重合性単量体単位の他、第３の重合性単量体単位を有することもできる。また、前記高分子材料Ｂに含まれる高分子化合物Ｈにあっては、その構造中にホスト基含有重合性単量体単位及び前記第３の重合性単量体単位の他、さらにゲスト基含有重合性単量体単位を有することができる。以下、まずは前記ホスト基含有重合性単量体単位、前記ゲスト基含有重合性単量体単位及び前記第３の重合性単量体単位について詳述する。
【0019】
（ホスト基含有重合性単量体単位）
ホスト基含有重合性単量体単位とは、ホスト基含有重合性単量体が重合された場合に形成される繰り返しの構成単位を意味する。ホスト基含有重合性単量体単位は、少なくとも１個のホスト基を有する重合性単量体単位である。
ホスト基含有重合性単量体単位とは、ホスト基含有重合性単量体が重合された場合に形成される繰り返しの構成単位を意味する。ホスト基含有重合性単量体単位は、少なくとも１個のホスト基を有する重合性単量体単位である。
【0020】
ホスト基は、前述のように、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された基である。ホスト基は、シクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された基であることが好ましい。ホスト基は１価の基に限定されるものではなく、例えば、ホスト基は２価の基であってもよい。また、ホスト基含有重合性単量体単位において、ホスト基は１個のみ含むことができ、あるいは、２個以上を含むことができる。
【0021】
前記シクロデキストリン誘導体とは、例えば、シクロデキストリンが有する水酸基のうちの少なくとも１個の水酸基において、その水素原子が疎水基で置換された構造を有することが好ましい。つまり、シクロデキストリン誘導体とは、シクロデキストリン分子が疎水性を有する他の有機基で置換された構造を有する分子をいう。ただし、シクロデキストリン誘導体は、少なくとも一つの水素原子又は少なくとも一つの水酸基を有し、好ましくは少なくとも一つの水酸基を有する。
【0022】
前記疎水基は、炭化水素基、アシル基及び－ＣＯＮＨＲ（Ｒはメチル基又はエチル基）からなる群より選ばれる少なくとも１種の基で置換された構造を有することが好ましい。以下、本明細書において、前述の「炭化水素基、アシル基及び－ＣＯＮＨＲ（Ｒはメチル基又はエチル基）からなる群より選ばれる少なくとも１種の基」を便宜上、「炭化水素基等」と表記することがある。
【0023】
ここで、念のための注記に過ぎないが、本明細書でのシクロデキストリンなる表記は、α－シクロデキストリン、β－シクロデキストリン及びγ－シクロデキストリンからなる群より選ばれる少なくとも１種を意味する。従って、シクロデキストリン誘導体は、α－シクロデキストリン誘導体、β－シクロデキストリン誘導体及びγ－シクロデキストリン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種である。
【0024】
ホスト基は、シクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価以上の基であるが、シクロデキストリン誘導体において除される水素原子又は水酸基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体のどの部位であってもよい。
【0025】
ここで、シクロデキストリン１分子が有する水酸基の全個数をＮとした場合、α－シクロデキストリンはＮ＝１８、β－シクロデキストリンはＮ＝２１、γ－シクロデキストリンはＮ＝２４である。
【0026】
仮に、ホスト基がシクロデキストリン誘導体から１個の「水酸基」が除された１価の基である場合は、シクロデキストリン誘導体は、シクロデキストリン１分子あたり最大Ｎ－１個の水酸基の水素原子が炭化水素基等で置換されて形成される。他方、ホスト基がシクロデキストリン誘導体から１個の「水素原子」が除された１価の基である場合は、シクロデキストリン誘導体は、シクロデキストリン１分子あたり最大Ｎ個の水酸基の水素原子が炭化水素基等で置換され得る。
【0027】
前記ホスト基は、シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基数のうちの７０％以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換された構造を有することが好ましい。前記ホスト基は、シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基数のうちの８０％以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることがより好ましく、全水酸基数のうちの９０％以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることが特に好ましい。
【0028】
前記ホスト基は、α－シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基のうちの１３個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換された構造を有することが好ましい。前記ホスト基は、α－シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基のうちの１５個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることがより好ましく、全水酸基のうちの１７個の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることが特に好ましい。
【0029】
前記ホスト基は、β－シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基のうちの１５個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換された構造を有することが好ましい。前記ホスト基は、β－シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基のうちの１７個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることがより好ましく、全水酸基のうちの１９個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることが特に好ましい。
【0030】
前記ホスト基は、γ－シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基のうちの１７個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換された構造を有することが好ましい。前記ホスト基は、γ－シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基のうちの１９個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることがより好ましく、全水酸基のうちの２１個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることが特に好ましい。
【0031】
シクロデキストリン誘導体において、前記炭化水素基の種類は特に限定されない。前記炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基を挙げることができる。
【0032】
前記炭化水素基の炭素数の数は特に限定されず、例えば、炭化水素基の炭素数は１～４個であることが好ましい。
【0033】
炭素数が１～４個である炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ブチル基を挙げることができる。炭化水素基がプロピル基及びブチル基である場合は、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。
【0034】
シクロデキストリン誘導体において、アシル基は、アセチル基、プロピオニル、ホルミル基等を例示することができる。ホスト－ゲスト相互作用を形成しやすく、又は、ホスト基環内を他の高分子鎖が貫通しやすいという点で、また、靭性及び強度に優れる靭性及び強度に優れる高分子材料を得やすいという点で、アシル基は、アセチル基であることが好ましい。
【0035】
シクロデキストリン誘導体において、－ＣＯＮＨＲ（Ｒはメチル基又はエチル基）は、メチルカルバメート基又はエチルカルバメート基である。ホスト－ゲスト相互作用を形成しやすく、又は、ホスト基環内を他の高分子鎖が貫通しやすいという点で、また、靭性及び強度に優れる靭性及び強度に優れる高分子材料を得やすいという点で、－ＣＯＮＨＲは、エチルカルバメート基であることが好ましい。
【0036】
シクロデキストリン誘導体において、炭化水素基等は、炭素数１～４のアルキル基又はアシル基が好ましく、メチル基及びアシル基が好ましく、メチル基、アセチル基、プロピオニル基がさらに好ましく、メチル基及びアセチル基が特に好ましい。
【0037】
ホスト基含有重合性単量体単位は、前記ホスト基を有し、かつ、重合性を有する化合物である限りは特に限定されず、例えば、公知のホスト基含有重合性単量体を広く例示することができる。ホスト基含有重合性単量体は、ラジカル重合性を有する官能基を有することが好ましい。ラジカル重合性を有する官能基は、炭素－炭素二重結合を含む基を挙げることができ、具体的には、アクリロイル基（ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＯ）－）、メタクリロイル基（ＣＨ２＝ＣＣＨ３（ＣＯ）－）、その他、スチリル基、ビニル基、アリル基等が挙げられる。これらの炭素－炭素二重結合を含む基は、ラジカル重合性が阻害されない程度であればさらに置換基を有していてもよい。
【0038】
ホスト基含有重合性単量体の具体例としては、前記ホスト基を有するビニル系重合性単量体を挙げることができる。例えば、ホスト基含有重合性単量体は、下記の一般式（ｈ１）で表される化合物を挙げることができる。
【0039】
【化1】
【0040】
式（ｈ１）中、Ｒａは水素原子またはメチル基を表し、ＲＨは前記ホスト基を表し、Ｒ１はヒドロキシル基、チオール基、１個以上の置換基を有していてもよいアルコキシ基、１個以上の置換基を有していてもよいチオアルコキシ基、１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基、１個の置換基を有していてもよいアミノ基、１個の置換基を有していてもよいアミド基、アルデヒド基及びカルボキシル基からなる群より選択される１価の基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基を表す。
【0041】
あるいは、ホスト基含有重合性単量体は、下記の一般式（ｈ２）で表される化合物を挙げることができる。
【0042】
【化2】
【0043】
式（ｈ２）中、Ｒａ、ＲＨ及びＲ１はそれぞれ式（ｈ１）のＲａ、ＲＨ及びＲ１と同義である。
【0044】
さらには、ホスト基含有重合性単量体は、下記の一般式（ｈ３）で表される化合物を挙げることができる。
【0045】
【化3】
【0046】
式（ｈ３）中、Ｒａ、ＲＨ及びＲ１はそれぞれ式（ｈ１）のＲａ、ＲＨ及びＲ１と同義である。ｎは１～２０、好ましくは１～１０、より好ましくは１～５の整数である。Ｒｂは、水素又は炭素数１～２０のアルキル基（好ましくは炭素数１～１０のアルキル基、より好ましくは炭素数１～６のアルキル基）を示す。
【0047】
なお、式（ｈ１）、（ｈ２）及び（ｈ３）で表されるホスト基含有重合性単量体におけるホスト基ＲＨは、シクロデキストリン誘導体から１個の水酸基が除された１価の基である場合の例である。
【0048】
また、ホスト基含有重合性単量体は、式（ｈ１）、式（ｈ２）及び式（ｈ３）で表される化合物のうちの１種単独とすることができ、あるいは２種以上を含むことができる。この場合、式（ｈ１）、式（ｈ２）及び式（ｈ３）のＲａは互いに同一又は異なる場合がある。同様に、式（ｈ１）、式（ｈ２）及び式（ｈ３）のＲＨ、並びに式（ｈ１）、式（ｈ２）及び式（ｈ３）のＲ１は各々互いに同一又は異なる場合がある。
【0049】
式（ｈ１）～（ｈ３）において、置換基は特に限定されず、例えば、置換基としては、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、ハロゲン原子、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、スルホン基、シアノ基等を挙げることができる。
【0050】
式（ｈ１）～（ｈ３）において、Ｒ１が１個の置換基を有していてもよいアミノ基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基であれば、アミノ基の窒素原子がＣ＝Ｃ二重結合の炭素原子と結合し得る。
【0051】
式（ｈ１）～（ｈ３）において、Ｒ１が１個の置換基を有していてもよいアミド基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基であれば、アミド基の炭素原子がＣ＝Ｃ二重結合の炭素原子と結合し得る。
【0052】
式（ｈ１）～（ｈ３）において、Ｒ１がアルデヒド基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基であれば、アルデヒド基の炭素原子がＣ＝Ｃ二重結合の炭素原子と結合し得る。
【0053】
式（ｈ１）～（ｈ３）において、Ｒ１がカルボキシル基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基である場合、カルボキシル基の炭素原子がＣ＝Ｃ二重結合の炭素原子と結合し得る。
【0054】
式（ｈ１）～（ｈ３）で表されるホスト基含有重合性単量体は、例えば、（メタ）アクリル酸エステル誘導体（すなわち、Ｒ１が－ＣＯＯ－）、（メタ）アクリルアミド誘導体（すなわち、Ｒ１が－ＣＯＮＨ－又は－ＣＯＮＲ－であり、Ｒは前記置換基と同義である）であることが好ましい。前記－ＣＯＮＲ－のＲとしては、例えば、炭素数１～２０のアルキル基が好ましく、炭素数１～１０のアルキル基がより好ましく、炭素数１～６のアルキル基が特に好ましい。
【0055】
なお、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは「アクリル」または「メタクリル」を、「（メタ）アクリレート」とは「アクリレート」または「メタクリレート」を、「（メタ）アリル」とは「アリル」または「メタリル」を意味する。
【0056】
前記ホスト基含有重合性単量体の製造方法は特に限定されず、例えば、公知の製造方法を広く採用することができる。
【0057】
（ゲスト基含有重合性単量体単位）
ゲスト基含有重合性単量体単位とは、ゲスト基含有重合性単量体が重合された場合に形成される繰り返しの構成単位を意味する。ゲスト基含有重合性単量体単位は、少なくとも１個のゲスト基を有する重合性単量体単位である。
ゲスト基含有重合性単量体単位とは、ゲスト基含有重合性単量体が重合された場合に形成される繰り返しの構成単位を意味する。ゲスト基含有重合性単量体単位は、少なくとも１個のゲスト基を有する重合性単量体単位である。
【0058】
ゲスト基としては、前記ホスト基とホスト－ゲスト相互作用をすることができる基である限り、特には前記ホスト基に包接される基である限りは、その種類は限定されない。ゲスト基は１価の基に限定されるものではなく、例えば、ゲスト基は２価の基であってもよい。また、ゲスト基含有重合性単量体単位において、ゲスト基は１個のみ含むことができ、あるいは、２個以上を含むことができる。
【0059】
ゲスト基としては、炭素数３～３０の直鎖又は分岐状の炭化水素基、シクロアルキル基、ヘテロアリール基及び有機金属錯体等が挙げられ、これらは一以上の置換基を有していてもよい。置換基としては、前述の置換基と同様であり、例えば、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素等）、水酸基、カルボキシル基、エステル基、アミド基、保護されていてもよい水酸基等を挙げることができる。
【0060】
より具体的なゲスト基としては、炭素数４～１８の鎖状又は環状のアルキル基、多環芳香族炭化水素に由来する基が挙げられる。炭素数４～１８の鎖状のアルキル基は直鎖及び分岐のいずれでもよい。環状のアルキル基は、かご型の構造であってもよい。多環芳香族炭化水素としては、例えば、少なくとも２個以上の芳香族環で形成されるπ共役系化合物が挙げられ、具体的には、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ベンゾピレン、クリセン、ピレン、トリフェニレン等を挙げることができる。
【0061】
ゲスト基は、その他、例えば、アルコール誘導体；アリール化合物；カルボン酸誘導体；アミノ誘導体；環状アルキル基又はフェニル基を有するアゾベンゼン誘導体；桂皮酸誘導体；芳香族化合物及びそのアルコール誘導体；アミン誘導体；フェロセン誘導体；アゾベンゼン；ナフタレン誘導体；アントラセン誘導体；ピレン誘導体：ペリレン誘導体；フラーレン等の炭素原子で構成されるクラスター類；ダンシル化合物の群から選ばれる少なくとも１種が例示されるゲスト分子から一個の原子（例えば、水素原子）が除されて形成される１価の基を挙げることもできる。
【0062】
ゲスト基のさらなる具体例としては、ｔ－ブチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ドデシル基、イソボルニル基、アダマンチル基、ピレン由来の基及びこれらに前記置換基が結合した基を挙げることができる。
【0063】
ゲスト基含有重合性単量体単位は、前記ゲスト基を有し、かつ、重合性を有する化合物である限りは特に限定されず、例えば、公知のゲスト基含有重合性単量体を広く例示することができる。ゲスト基含有重合性単量体は、ラジカル重合性を有する官能基を有することが好ましい。ラジカル重合性を有する官能基は、炭素－炭素二重結合を含む基を挙げることができ、具体的には、アクリロイル基（ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＯ）－）、メタクリロイル基（ＣＨ２＝ＣＣＨ３（ＣＯ）－）、その他、スチリル基、ビニル基、アリル基等が挙げられる。これらの炭素－炭素二重結合を含む基は、ラジカル重合性が阻害されない程度であればさらに置換基を有していてもよい。
【0064】
ゲスト基含有重合性単量体の具体例としては、前記ゲスト基を有するビニル系の重合性単量体を挙げることができる。例えば、ゲスト基含有重合性単量体は、下記の一般式（ｇ１）で表される化合物を挙げることができる。
【0065】
【化4】
【0066】
式（ｇ１）中、Ｒａは水素原子またはメチル基を示し、ＲＧは前記ゲスト基を示し、Ｒ２は式（ｈ１）のＲ１と同義である。式（ｇ１）で表される重合性単量体の中でも、（メタ）アクリル酸エステル又はその誘導体（すなわち、Ｒ２が－ＣＯＯ－）、（メタ）アクリルアミド又はその誘導体（すなわち、Ｒ２が－ＣＯＮＨ－又は－ＣＯＮＲ－であり、Ｒは前記置換基と同義である）であることが好ましい。この場合、重合反応が進みやすいので、重合体Ａの製造が容易になる。
【0067】
ゲスト基含有重合性単量体の具体例としては、（メタ）アクリル酸ｎ－ヘキシル、（メタ）アクリル酸ｎ－オクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ドデシル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシアダマンチル、１－（メタ）アクリルアミドアダマンタン、２－エチル－２－アダマンチル（メタ）アクリレート、Ｎ－ドデシル（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、１－アクリルアミドアダマンタン、Ｎ－（１－アダマンチル）（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ベンジル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－１－ナフチルメチル（メタ）アクリルアミド、エトキシ化ｏ－フェニルフェノールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレート、イソステアリルアクリレート、ノニルフェノールＥＯ付加物アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ピレン部位を有する（メタ）アクリレート、ピレン部位を有する（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
【0068】
ゲスト基含有重合性単量体は、公知の方法で製造することができる。また、ゲスト基含有重合性単量体は、市販品を使用することもできる。
【0069】
（第３の重合性単量体単位）
第３の重合性単量体単位は、第３の重合性単量体が重合された場合に形成される繰り返しの構成単位を意味する。
第３の重合性単量体単位は、第３の重合性単量体が重合された場合に形成される繰り返しの構成単位を意味する。
【0070】
第３の重合性単量体単位は、前記ホスト基含有重合性単量体及び前記ゲスト基含有重合性単量体と共重合可能な重合性単量体（以下、「第３の重合性単量体」という）が重合された場合に形成される繰り返しの構成単位を意味する。第３の重合性単量体は前記ホスト基を有さない。
【0071】
第３の重合性単量体としては、公知である各種のビニル系重合性単量体を挙げることができる。第３の重合性単量体の具体例としては、下記一般式（ａ１）で表される化合物を挙げることができる。
【0072】
【化5】
【0073】
式（ａ１）中、Ｒａは水素原子またはメチル基、Ｒ３はハロゲン原子、ヒドロキシル基、チオール基、１個の置換基を有していてもよいアミノ基又はその塩、１個の置換基を有していてもよいカルボキシル基又はその塩、１個以上の置換基を有していてもよいアミド基又はその塩、１個以上の置換基を有していてもよいフェニル基を示す。
【0074】
式（ａ１）中、Ｒ３が１個の置換基を有するカルボキシル基である場合、カルボキシル基の水素原子が炭素数１～２０の炭化水素基、ヒドロキシアルキル基（例えば、ヒドロキシメチル基、１－ヒドロキシエチル基、２－ヒドロキシエチル基）、メトキシポリエチレングリコール（エチレングリコールのユニット数は１～２０、好ましくは１～１０、特に好ましくは、２～５）、エトキシポリエチレングリコール（エチレングリコールのユニット数は１～２０、好ましくは１～１０、特に好ましくは、２～５）等で置換されたカルボキシル基（すなわち、エステル）が挙げられる。炭素数１～２０の炭化水素基は、炭素数１～１５であることが好ましく、１～１０であることが好ましく、１～３であることが特に好ましい。炭化水素基は、直鎖及び分岐のいずれであってもよい。
【0075】
式（ａ１）中、Ｒ３が１個以上の置換基を有するアミド基、すなわち、第２級アミド又は第３級アミドである場合、第１級アミドの１個の水素原子又は２個の水素原子が互いに独立に炭素数１～２０の炭化水素基又はヒドロキシアルキル基（例えば、ヒドロキシメチル基、１－ヒドロキシエチル基、２－ヒドロキシエチル基）で置換されたアミド基が挙げられる。炭素数１～２０の炭化水素基は、炭素数１～１５であることが好ましく、２～１０であることが好ましい。炭化水素基は、直鎖及び分岐のいずれであってもよい。
【0076】
式（ａ１）で表される単量体の具体例としては、（メタ）アクリル酸、アリルアミン、無水マレイン酸、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ｎ－オクチル、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド、Ｎ－イソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ヒドロキシメチル（メタ）アクリルアミド、ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリルアミド、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシ－ジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシ－トリエチレングルコール（メタ）アクリレート、メトキシ－ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、スチレン等が挙げられる。これらは１種単独で使用でき、又は２種以上を併用できる。
【0077】
第３の重合性単量体単位は、式（ａ１）で表される化合物の中でも、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリルアミド又はその誘導体であることが好ましい。この場合、重合反応が進みやすいので、重合体の製造が容易になる。
【0078】
（高分子化合物Ｈ）
本発明の高分子材料において、高分子化合物Ｈは、前記ホスト基含有重合性単量体単位を必須の構成単位として有し、必要に応じて前記第３の重合性単量体単位も有することができる。また、高分子材料Ａにあっては、高分子化合物Ｈは、前記ゲスト基含有重合性単量体単位も含む。以下、前記ホスト基含有重合性単量体単位を「ホスト単位」、前記ゲスト基含有重合性単量体単位を単に「ゲスト単位」、前記第３の重合性単量体単位を「第３の単位」と略記する。
本発明の高分子材料において、高分子化合物Ｈは、前記ホスト基含有重合性単量体単位を必須の構成単位として有し、必要に応じて前記第３の重合性単量体単位も有することができる。また、高分子材料Ａにあっては、高分子化合物Ｈは、前記ゲスト基含有重合性単量体単位も含む。以下、前記ホスト基含有重合性単量体単位を「ホスト単位」、前記ゲスト基含有重合性単量体単位を単に「ゲスト単位」、前記第３の重合性単量体単位を「第３の単位」と略記する。
【0079】
高分子材料が優れた力学特性を有しやすく、柔軟性に優れやすいという点で、高分子化合物Ｈは、前記ホスト単位と前記第３の単位の両方を有することが好ましい。高分子化合物Ｈの全構成単位中、前記ホスト単位の含有割合は０．１モル％以上であることが好ましく、０．３モル％以上であることがより好ましく、０．５モル％以上であることがさらに好ましく、１モル％以上であることが特に好ましい。また、高分子化合物Ｈの全構成単位中、前記ホスト単位の含有割合は４０モル％以下であることが好ましく、２０モル％以下であることがより好ましく、１０モル％以下であることがさらに好ましく、５モル％以下であることが特に好ましい。なお、本発明において、高分子化合物Ｈにおける各構成単位の割合（モル比）は、当該高分子化合物の製造時に使用する各単量体のモル比と一致するとみなすことができる。
【0080】
高分子化合物Ｈの質量平均分子量（Ｍｗ）も特に限定されず、例えば、１万～２００万とすることができ、好ましくは２万～１００万である。高分子化合物Ｈは、例えば、ランダムポリマーとすることができる、また、高分子化合物Ｈは、直鎖状とすることができ、本発明の効果が阻害されない限りや、枝分かれ構造及び架橋構造を有することもできる。
【0081】
高分子化合物Ｈのさらなる好ましい態様としては、後記する「高分子化合物Ｈａ」、「高分子化合物Ｈｂ」、「高分子化合物Ｈｃ」、及び「高分子化合物Ｈｄ」を挙げることができる。
【0082】
高分子化合物Ｈの製造方法は特に限定されず、公知の製造方法を広く採用することができる。例えば、前記ホスト基含有重合性単量体と、必要に応じて含まれる前記ゲスト基含有重合性単量体単位及び／又は前記第３の重合性単量体を含む原料の重合反応により、高分子化合物Ｈを製造することができる。重合反応も特に限定されず、例えば、ラジカル重合性モノマーを含む原料である場合は、公知のラジカル重合反応を広く適用することができる。
【0083】
（導電性材料）
本発明の高分子材料に含まれる導電性材料は、導電性を示す限り、その種類は限定されず、例えば、公知の導電性材料を広く挙げることができる。例えば、導電性材料としては、炭素材料、金属材料等が挙げられ、その他、各種の有機材料、無機材料を挙げることができる。
本発明の高分子材料に含まれる導電性材料は、導電性を示す限り、その種類は限定されず、例えば、公知の導電性材料を広く挙げることができる。例えば、導電性材料としては、炭素材料、金属材料等が挙げられ、その他、各種の有機材料、無機材料を挙げることができる。
【0084】
中でも、高分子材料が優れた導電性を有しつつ、力学特性が優れるものとなりやすいという点で、導電性材料は、炭素材料を少なくとも含むことが好ましい。
【0085】
炭素材料としては、カーボンブラック、カーボンファイバー、カーボンナノチューブ、カーボンペーパー、グラフェン、アモルファスカーボン、黒鉛等を挙げることができる。カーボンブラックとしては、ケッチェンブラック、アセチレンブラック、ファーネスブラック、チャンネルブラック、サーマルランプブラック等が例示される。グラフェンとしては、グラフェン・ナノプレートレットが例示される。黒鉛としては、天然黒鉛、人造黒鉛、膨張黒鉛等が例示される。
【0086】
炭素材料の形状、大きさ等も特に制限は無い。例えば、粉末状、鱗片状、繊維状、棒状、不定形状（アモルファス）等の種々の形状とすることができる。
【0087】
高分子材料に含まれる導電性材料は、１種単独とすることができ、あるいは、異なる２種以上とすることもできる。また、導電性材料は、炭素材料と、これ以外の金属材料等の導電性材料を含むことができ、あるいは、導電性材料は、炭素材料のみとすることもできる。
【0088】
導電性材料は公知の製造方法で製造することができ、あるいは、市販品等から入手することもできる。
【0089】
以下、前記高分子材料Ａ、前記高分子材料Ｂ、前記高分子材料Ｃ及び前記高分子材料Ｄについて詳述する。
【0090】
（高分子材料Ａ）
高分子材料Ａは、前記高分子化合物Ｈ及び前記導電性材料を含み、かつ、前記高分子化合物Ｈは、さらに少なくとも１個のゲスト基を有し、前記高分子化合物Ｈは分子間でホスト－ゲスト相互作用を形成している。以下、高分子材料Ａに含まれる前記高分子化合物Ｈを「高分子化合物Ｈａ」と表記する。
高分子材料Ａは、前記高分子化合物Ｈ及び前記導電性材料を含み、かつ、前記高分子化合物Ｈは、さらに少なくとも１個のゲスト基を有し、前記高分子化合物Ｈは分子間でホスト－ゲスト相互作用を形成している。以下、高分子材料Ａに含まれる前記高分子化合物Ｈを「高分子化合物Ｈａ」と表記する。
【0091】
高分子化合物Ｈａは、前記ホスト単位と、前記ゲスト単位と、前記第３の単位とを分子中に有する。ホスト基及びゲスト基は、高分子化合物Ｈａの主鎖又は側鎖に共有結合によって結合している。
【0092】
高分子材料Ａの力学特性が向上しやすく、柔軟性に優れやすいという点で、高分子化合物Ｈａの全構成単位中、前記ホスト単位の含有割合は０．１モル％以上であることが好ましく、０．３モル％以上であることがより好ましく、０．５モル％以上であることがさらに好ましく、１モル％以上であることが特に好ましい。また、高分子化合物Ｈａの全構成単位中、前記ホスト単位の含有割合は４０モル％以下であることが好ましく、２０モル％以下であることがより好ましく、１０モル％以下であることがさらに好ましく、５モル％以下であることが特に好ましい。
【0093】
高分子材料Ａの力学特性が向上しやすく、柔軟性に優れやすいという点で、高分子化合物Ｈａの全構成単位中、前記ゲスト単位の含有割合は０．１モル％以上であることが好ましく、０．３モル％以上であることがより好ましく、０．５モル％以上であることがさらに好ましく、１モル％以上であることが特に好ましい。また、高分子化合物Ｈａの全構成単位中、前記ゲスト単位の含有割合は４０モル％以下であることが好ましく、２０モル％以下であることがより好ましく、１０モル％以下であることがさらに好ましく、５モル％以下であることが特に好ましい。
【0094】
高分子材料Ａの力学特性が向上しやすく、柔軟性に優れやすいという点で、高分子化合物Ｈａの全構成単位中、前記第３の単位の含有割合は５０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上であることがより好ましく、８０モル％以上であることがさらに好ましく、９０モル％以上であることが特に好ましい。また、高分子化合物Ｈａの全構成単位中、前記第３の単位の含有割合は９９．８モル％以下であることが好ましく、９９モル％以下であることがより好ましい。
【0095】
高分子化合物Ｈａは、本発明の効果が阻害されない限り、他の単量体単位を含むことができ、あるいは、高分子化合物Ｈａは、前記ホスト単位、前記ゲスト単位及び前記第３の単位のみで形成することもできる。
【0096】
高分子化合物Ｈａにおいて、ホスト基及びゲスト基の組み合わせは特に限定されず、前述のホスト基及びゲスト基を任意に組み合わせることができる。中でも、高分子化合物Ｈａどうしのホスト－ゲスト相互作用によって、高分子材料Ａの力学特性を向上させやすいという点で、ホスト基がα－シクロデキストリン又はその誘導体由来である場合、ゲスト基はオクチル基及びドデシル基の群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。同様の理由で、ホスト基がβ－シクロデキストリン又はその誘導体由来である場合、ゲスト基はアダマンチル基及びイソボルニル基の群から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ホスト基がγ－シクロデキストリン又はその誘導体由来である場合、ゲスト基はオクチル基、ドデシル基、シクロドデシル基、アダマンチル基、多環芳香族炭化水素由来の基からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましい。ここでの多環芳香族炭化水素は、例えば、ピレン等を挙げることができる。ゲスト基が多環芳香族炭化水素由来の基である場合は、高分子材料Ａにおいて、高分子化合物Ｈａと導電性材料とがより均一に混ざり合うことで導電性及び力学特性が向上しやすく、特に、導電性材料が炭素材料の場合に、導電性及び力学特性が特に向上しやすい。
【0097】
高分子材料Ａでは、前記高分子化合物Ｈが前記高分子化合物Ｈａであることで、当該高分子化合物どうしが分子間でホスト－ゲスト相互作用を形成することができる。即ち、前記高分子化合物Ｈａのホスト基の少なくとも一つに、他の高分子化合物Ｈａの少なくとも一つのゲスト基が包接され、これにより、分子間のホスト－ゲスト相互作用が形成され得る。
【0098】
図１（ａ）は、前記高分子化合物Ｈａどうしがホスト－ゲスト相互作用を形成している様子を模式的に示している。斯かる分子間のホスト－ゲスト相互作用によって、高分子材料Ａ中に存在する導電性材料が均一に分散しやすくなり、この結果として、優れた導電性が発揮されると共に、高分子材料Ａの力学特性が向上し、強靭でありながら優れた柔軟性を有することができる。
【0099】
高分子材料Ａは、分子間のホスト－ゲスト相互作用が形成されることから、自己修復性を有することもできる。例えば、高分子材料Ａが切断等されたとしても、切断面どうしを再接着することで、その接着面でホスト－ゲスト相互作用が再度形成され、この結果、再接合が起こって自己修復が生じる。
【0100】
高分子材料Ａにおいて、前記高分子化合物Ｈａ及び導電性材料の含有割合は特に限定されない。例えば、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈａの総質量に対する導電性材料の含有割合は０．１質量％以上とすることができ、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上、特に好ましくは５質量％以上である。また、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈａの総質量に対する導電性材料の含有割合は８０質量％以下とすることができ、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下、さらに好ましくは５０質量％以下、特に好ましくは４０質量％以下である。導電性材料がケッチェンブラックの場合、前記高分子化合物Ｈａの総質量に対する導電性材料の含有割合は１質量％以上とすることができ、好ましくは３質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは６質量％以上、特に好ましくは７質量％以上であり、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈａの総質量に対する導電性材料の含有割合は３０質量％以下とすることができ、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１２．５質量％以下、特に好ましくは１０質量％以下である。
【0101】
高分子材料Ａには、前記高分子化合物Ｈａ及び導電性材料以外の他の添加剤が含まれていてもよいし、あるいは、高分子材料Ａには、前記高分子化合物Ｈａ及び導電性材料のみで形成することもできる。
【0102】
高分子材料Ａを製造する方法は特に限定されず、例えば、公知の方法を広く採用することができる。例えば、前記高分子化合物Ｈａ及び導電性材料を公知の混合手段で混合することで高分子材料Ａを得ることができる。混合手段は公知の混合機を広く使用することができ、例えば、ボールミル等の混合機を挙げることができる。混合は乾式及び湿式のいずれで行ってもよい。湿式の場合は、例えば、前記高分子化合物Ｈａの溶液と、導電性材料を混合する方法が挙げられる。前記高分子化合物Ｈａの溶液において、溶媒は特に限定されず、前記高分子化合物Ｈａが溶解する各種有機溶媒を使用することができる。
【0103】
（高分子材料Ｂ）
高分子材料Ｂは、前記高分子化合物Ｈ及び前記導電性材料を含み、かつ、少なくとも１個のゲスト基を有する高分子化合物Ｇをさらに含む。高分子材料Ｂでは、前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基と、前記高分子化合物Ｇが有する少なくとも１個の前記ゲスト基とがホスト－ゲスト相互作用を形成している。以下、高分子材料Ｂに含まれる前記高分子化合物Ｈを「高分子化合物Ｈｂ」と表記する。
高分子材料Ｂは、前記高分子化合物Ｈ及び前記導電性材料を含み、かつ、少なくとも１個のゲスト基を有する高分子化合物Ｇをさらに含む。高分子材料Ｂでは、前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基と、前記高分子化合物Ｇが有する少なくとも１個の前記ゲスト基とがホスト－ゲスト相互作用を形成している。以下、高分子材料Ｂに含まれる前記高分子化合物Ｈを「高分子化合物Ｈｂ」と表記する。
【0104】
高分子化合物Ｈｂは、前記ホスト単位と、前記第３の単位とを分子中に有するものであって、前記ゲスト単位は含まない。前記ホスト基は、高分子化合物Ｈｂの主鎖又は側鎖に共有結合によって結合している。
【0105】
高分子材料Ｂの力学特性が向上しやすく、柔軟性に優れやすいという点で、高分子化合物Ｈｂの全構成単位中、前記ホスト単位の含有割合は０．１モル％以上であることが好ましく、０．３モル％以上であることがより好ましく、０．５モル％以上であることがさらに好ましく、１モル％以上であることが特に好ましい。また、高分子化合物Ｈｂの全構成単位中、前記ホスト単位の含有割合は４０モル％以下であることが好ましく、２０モル％以下であることがより好ましく、１０モル％以下であることがさらに好ましく、５モル％以下であることが特に好ましい。
【0106】
高分子材料Ｂの力学特性が向上しやすく、柔軟性に優れやすいという点で、高分子化合物Ｈｂの全構成単位中、前記第３の単位の含有割合は５０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上であることがより好ましく、８０モル％以上であることがさらに好ましく、９０モル％以上であることが特に好ましい。また、高分子化合物Ｈｂの全構成単位中、前記第３の単位の含有割合は９９．９モル％以下であることが好ましく、９９モル％以下であることがより好ましい。
【0107】
高分子化合物Ｈｂは、本発明の効果が阻害されない限り、他の単量体単位（ただし、ゲスト単位を除く）を含むことができ、あるいは、高分子化合物Ｈｂは、前記ホスト単位及び前記第３の単位のみで形成することもできる。
【0108】
一方、前記高分子化合物Ｇは、前記ゲスト単位と、前記第３の単位とを分子中に有するものであって、前記ホスト単位は含まない。前記ゲスト基は、高分子化合物Ｇの主鎖又は側鎖に共有結合によって結合している。
【0109】
高分子材料Ｂの力学特性が向上しやすく、柔軟性に優れやすいという点で、高分子化合物Ｇの全構成単位中、前記ゲスト単位の含有割合は０．１モル％以上であることが好ましく、０．３モル％以上であることがより好ましく、０．５モル％以上であることがさらに好ましく、１モル％以上であることが特に好ましい。また、高分子化合物Ｇの全構成単位中、前記ゲスト単位の含有割合は４０モル％以下であることが好ましく、２０モル％以下であることがより好ましく、１０モル％以下であることがさらに好ましく、５モル％以下であることが特に好ましい。
【0110】
高分子材料Ｂの力学特性が向上しやすく、柔軟性に優れやすいという点で、高分子化合物Ｇの全構成単位中、前記第３の単位の含有割合は５０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上であることがより好ましく、８０モル％以上であることがさらに好ましく、９０モル％以上であることが特に好ましい。また、高分子化合物Ｇの全構成単位中、前記第３の単位の含有割合は９９．９モル％以下であることが好ましく、９９モル％以下であることがより好ましい。
【0111】
高分子化合物Ｇは、本発明の効果が阻害されない限り、他の単量体単位（ただし、ホスト単位を除く）を含むことができ、あるいは、高分子化合物Ｇは、前記ホスト単位及び前記第３の単位のみで形成することもできる。
【0112】
高分子化合物Ｇの質量平均分子量（Ｍｗ）も特に限定されず、例えば、１万～２００万とすることができ、好ましくは２万～１００万である。高分子化合物Ｇは、例えば、ランダムポリマーとすることができる、また、高分子化合物Ｈは、直鎖状とすることができ、本発明の効果が阻害されない限りや、枝分かれ構造及び架橋構造を有することもできる。
【0113】
高分子化合物Ｇの製造方法は特に限定されず、公知の製造方法を広く採用することができる。例えば、前記ゲスト基含有重合性単量体と、前記第３の重合性単量体とを含む原料の重合反応により、高分子化合物Ｇを製造することができる。重合反応も特に限定されず、例えば、ラジカル重合性モノマーを含む原料である場合は、公知のラジカル重合反応を広く適用することができる。
【0114】
高分子化合物Ｈｂ及び高分子化合物Ｇにおいて、第３の単位は互いに同一であってもよいし、一部又は全部が異なるものであってもよい。
【0115】
高分子化合物Ｈｂにおけるホスト基及び高分子化合物Ｇにおけるゲスト基の組み合わせは特に限定されず、前述のホスト基及びゲスト基を任意に組み合わせることができる。中でも、高分子化合物Ｈｂが有する少なくとも１個の前記ホスト基と、前記高分子化合物Ｇが有する少なくとも１個の前記ゲスト基とがホスト－ゲスト相互作用によって、高分子材料Ｂの力学特性を向上させやすいという点で、ホスト基がα－シクロデキストリン又はその誘導体由来である場合、ゲスト基はオクチル基及びドデシル基の群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。同様の理由で、ホスト基がβ－シクロデキストリン又はその誘導体由来である場合、ゲスト基はアダマンチル基及びイソボルニル基の群から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ホスト基がγ－シクロデキストリン又はその誘導体由来である場合、ゲスト基はオクチル基、ドデシル基、シクロドデシル基、アダマンチル基、多環芳香族炭化水素由来の基からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましい。ここでの多環芳香族炭化水素は、例えば、ピレン等を挙げることができる。ゲスト基が多環芳香族炭化水素由来の基である場合は、高分子材料Ｂにおいて、高分子化合物Ｈｂ及び高分子化合物Ｇと、導電性材料とがより均一に混ざり合うことで導電性及び力学特性が向上しやすく、特に、導電性材料が炭素材料の場合に、導電性及び力学特性が特に向上しやすい。
【0116】
高分子材料Ｂでは、前記高分子化合物Ｈが前記高分子化合物Ｈｂであり、かつ、高分子化合物Ｇを含むことで、両高分子化合物どうしが分子間でホスト－ゲスト相互作用を形成することができる。即ち、前記高分子化合物Ｈｂのホスト基の少なくとも一つに、高分子化合物Ｇの少なくとも一つのゲスト基が包接され、これにより、分子間のホスト－ゲスト相互作用が形成され得る。
【0117】
図１（ｂ）は、前記高分子化合物Ｈｂ及び前記高分子化合物Ｇどうしがホスト－ゲスト相互作用を形成している様子を模式的に示している。斯かる分子間のホスト－ゲスト相互作用によって、高分子材料Ｂ中に存在する導電性材料が均一に分散しやすくなり、この結果として、優れた導電性が発揮されると共に、高分子材料Ｂの力学特性が向上し、強靭でありながら優れた柔軟性を有することができる。
【0118】
高分子材料Ｂは、分子間のホスト－ゲスト相互作用が形成されることから、自己修復性を有することもできる。例えば、高分子材料Ｂが切断等されたとしても、切断面どうしを再接着することで、その接着面でホスト－ゲスト相互作用が再度形成され、この結果、再接合が起こって自己修復が生じる。
【0119】
高分子材料Ｂにおいて、前記高分子化合物Ｈｂ、高分子化合物Ｇ及び導電性材料の含有割合は特に限定されない。例えば、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈｂ及び前記高分子化合物Ｇの総質量に対する導電性材料の含有割合は０．１質量％以上とすることができ、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上、特に好ましくは５質量％以上である。また、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈｂ及び前記高分子化合物Ｇの総質量に対する導電性材料の含有割合は８０質量％以下とすることができ、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下、さらに好ましくは５０質量％以下、特に好ましくは４０質量％以下である。導電性材料がケッチェンブラックの場合、前記高分子化合物Ｈｂ及び前記高分子化合物Ｇの総質量に対する導電性材料の含有割合は１質量％以上とすることができ、好ましくは３質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは６質量％以上、特に好ましくは７質量％以上であり、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈｂ及び前記高分子化合物Ｇの総質量に対する導電性材料の含有割合は３０質量％以下とすることができ、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１２．５質量％以下、特に好ましくは１０質量％以下である。
【0120】
高分子材料Ｂにおいて、前記高分子化合物Ｈｂ及び高分子化合物Ｇの含有割合は特に限定されない。例えば、ホスト－ゲスト相互作用がしやすい点で、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈｂ及び高分子化合物Ｇの総質量に対する前記高分子化合物Ｈｂの含有割合は３０～８０質量％、好ましくは４０～６０質量％であり、両者は等量であってもよい。
【0121】
高分子材料Ｂには、前記高分子化合物Ｈｂ、前記高分子化合物Ｇ及び導電性材料以外の他の添加剤が含まれていてもよいし、あるいは、前記高分子化合物Ｈｂ、前記高分子化合物Ｇ及び導電性材料のみで形成することもできる。
【0122】
高分子材料Ｂを製造する方法は特に限定されず、例えば、公知の方法を広く採用することができる。例えば、前記高分子化合物Ｈｂ、前記高分子化合物Ｇ及び導電性材料を公知の混合手段で混合することで高分子材料Ｂを得ることができる。混合手段は公知の混合機を広く使用することができ、例えば、ボールミル等の混合機を挙げることができる。混合は乾式及び湿式のいずれで行ってもよい。湿式の場合は、例えば、前記高分子化合物Ｈｂ及び前記高分子化合物Ｇを含む溶液と、導電性材料を混合する方法が挙げられる。前記溶液の溶媒は特に限定されず、前記高分子化合物Ｈｂ及び前記高分子化合物Ｇの両方が溶解する各種有機溶媒を使用することができる。
【0123】
（高分子材料Ｃ）
高分子材料Ｃは、前記高分子化合物Ｈ及び前記導電性材料を含み、かつ、前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基には、他の高分子化合物Ｈの主鎖が貫通している。以下、高分子材料Ｃに含まれる前記高分子化合物Ｈを「高分子化合物Ｈｃ」と表記する。
高分子材料Ｃは、前記高分子化合物Ｈ及び前記導電性材料を含み、かつ、前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基には、他の高分子化合物Ｈの主鎖が貫通している。以下、高分子材料Ｃに含まれる前記高分子化合物Ｈを「高分子化合物Ｈｃ」と表記する。
【0124】
高分子化合物Ｈｃは、前記ホスト単位と、前記第３の単位とを分子中に有するものであって、前記ゲスト単位は含まない。前記ホスト基は、高分子化合物Ｈｃの主鎖又は側鎖に共有結合によって結合している。
【0125】
高分子化合物Ｈｃにおける前記第３の単位は、高分子化合物Ｈｃが有するホスト基の環内を貫通することができるサイズである。これにより、前述のように、高分子化合物Ｈｃのホスト基環内を他の高分子化合物Ｈｃの主鎖が貫通することができ、より厳密には他の高分子化合物Ｈｃ中の第３の単位で構成されるセグメントがホスト基環内を貫通する。
【0126】
斯かる前記第３の単位を構成するための第３の重合性単量体の種類としては、例えば、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリルアミド又はその誘導体のポリマーであることが好ましく、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル等であることがより好ましく、特に、ホスト基がγ－シクロデキストリン又はその誘導体である場合は、（メタ）アクリル酸エチルが好ましい。
【0127】
高分子材料Ｃの力学特性が向上しやすく、柔軟性に優れやすいという点で、高分子化合物Ｈｃの全構成単位中、前記ホスト単位の含有割合は０．１モル％以上であることが好ましく、０．３モル％以上であることがより好ましく、０．５モル％以上であることがさらに好ましく、１モル％以上であることが特に好ましい。また、高分子化合物Ｈｃの全構成単位中、前記ホスト単位の含有割合は４０モル％以下であることが好ましく、２０モル％以下であることがより好ましく、１０モル％以下であることがさらに好ましく、５モル％以下であることが特に好ましい。
【0128】
高分子材料Ｃの力学特性が向上しやすく、柔軟性に優れやすいという点で、高分子化合物Ｈｃの全構成単位中、前記第３の単位の含有割合は５０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上であることがより好ましく、８０モル％以上であることがさらに好ましく、９０モル％以上であることが特に好ましい。また、高分子化合物Ｈｂの全構成単位中、前記第３の単位の含有割合は９９．９モル％以下であることが好ましく、９９モル％以下であることがより好ましい。
【0129】
高分子化合物Ｈｃは、本発明の効果が阻害されない限り、他の単量体単位（ただし、ゲスト単位を除く）を含むことができ、あるいは、高分子化合物Ｈｃは、前記ホスト単位及び前記第３の単位のみで形成することもできる。
【0130】
高分子材料Ｃは、前記高分子化合物Ｈｃ以外に鎖状高分子化合物Ｐをさらに含むことも好ましい。これにより、高分子材料Ｃの力学特性がさらに向上しやすくなる。
【0131】
鎖状高分子化合物Ｐは、例えば、前記第３の単位を有し、かつ、ホスト基を有さない高分子化合物である。中でも、鎖状高分子化合物Ｐは、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリルアミド又はその誘導体のポリマーであることが好ましく、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル等のポリマーであることがさらに好ましい。
【0132】
鎖状高分子化合物Ｐは、本発明の効果が阻害されない限り、他の単量体単位（ただし、ホスト単位及びゲスト単位を除く）を含むことができ、あるいは、鎖状高分子化合物Ｐは、前記第３の単位のみで形成することもできる。
【0133】
鎖状高分子化合物Ｐの質量平均分子量（Ｍｗ）も特に限定されず、例えば、１万～２００万とすることができ、好ましくは２万～１００万である。鎖状高分子化合物Ｐは、例えば、ホモポリマー、ランダムポリマー等の構造を有することができる、また、鎖状高分子化合物Ｐは、直鎖状とすることができ、本発明の効果が阻害されない限りや、枝分かれ構造及び架橋構造を有することもできる。
【0134】
高分子化合物Ｐの製造方法は特に限定されず、公知の製造方法を広く採用することができる。例えば、前記第３の重合性単量体を含む原料の重合反応により、鎖状高分子化合物Ｐを製造することができる。重合反応も特に限定されず、例えば、ラジカル重合性モノマーを含む原料である場合は、公知のラジカル重合反応を広く適用することができる。
【0135】
高分子化合物Ｈｃ及び鎖状高分子化合物Ｐにおいて、第３の単位は互いに同一であってもよいし、一部又は全部が異なるものであってもよい。
【0136】
高分子材料Ｃでは、前記高分子化合物Ｈが前記高分子化合物Ｈｃであることで、高分子化合物Ｈｃのホスト基環内を他の高分子化合物Ｈｃの第３の単位で構成されるセグメントがホスト基環内を貫通する。
【0137】
図１（ｃ）は、前記高分子化合物Ｈｃのホスト基に他の前記高分子化合物Ｈｃが貫通している様子を模式的に示している。前記高分子化合物Ｈｃのホスト基に他の前記高分子化合物Ｈｃが貫通することよって、前記高分子化合物Ｈｃが可動性を有する架橋構造（可動性架橋構造体）が形成され、これにより、高分子材料Ｃの力学特性が向上し、強靭でありながら優れた柔軟性を有することができる。なお、ホスト基を貫通した高分子化合物Ｈｃもまたホスト基を有することから、当該ホスト基がいわゆるストッパーとなり、脱落が防止され得る。
【0138】
前記高分子化合物Ｈｃの可動性架橋構造体を形成する方法は特に限定されない。例えば、前記高分子化合物Ｈｃを重合反応で生成させることで、同時に可動性架橋構造体も形成され得る。具体的には、前記高分子化合物Ｈｃの重合反応において、高分子化合物Ｈｃの生長反応が進行すると同時に、この生長中のポリマー鎖が他のポリマー鎖のホスト基を貫通することで、図１（ｃ）に示すような可動性架橋構造体が形成され得る。
【0139】
高分子材料Ｃが鎖状高分子化合物Ｐを含む場合、例えば、図１（ｃ）に示すように、鎖状高分子化合物Ｐは、高分子化合物Ｈｃの可動性架橋構造体中に存在しているものと推察され、これによって、高分子材料Ｃの力学特性がさらに向上し得る。
【0140】
高分子材料Ｃにおいて、前記高分子化合物Ｈｃ、鎖状高分子化合物Ｐ及び導電性材料の含有割合は特に限定されない。例えば、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈｃ及び鎖状高分子化合物Ｐの総質量に対する導電性材料の含有割合は０．１質量％以上とすることができ、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上、特に好ましくは５質量％以上である。また、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈｃ及び鎖状高分子化合物Ｐの総質量に対する導電性材料の含有割合は８０質量％以下、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下、さらに好ましくは５０質量％以下、特に好ましくは４０質量％以下である。導電性材料がケッチェンブラックの場合、前記高分子化合物Ｈｃ及び鎖状高分子化合物Ｐの総質量に対する導電性材料の含有割合は１質量％以上とすることができ、好ましくは３質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは６質量％以上、特に好ましくは７質量％以上であり、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈｃ及び鎖状高分子化合物Ｐの総質量に対する導電性材料の含有割合は２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１２．５質量％以下、特に好ましくは１０質量％以下である。
【0141】
高分子材料Ｃが鎖状高分子化合物Ｐを含む場合、前記高分子化合物Ｈｃ及び鎖状高分子化合物Ｐの含有割合は特に限定されない。例えば、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈｃ及び鎖状高分子化合物Ｐの総質量に対する前記高分子化合物Ｈｃの含有割合は例えば１０質量％以上とすることができ、好ましくは２０質量％以上、より好ましくは４０質量％以上、さらに好ましくは５０質量％以上である。また、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈｃ及び鎖状高分子化合物Ｐの総質量に対する前記高分子化合物Ｈｃの含有割合は９０質量％以下とすることができ、好ましくは８０質量％以下、より好ましくは７０質量％以下ある。
【0142】
高分子材料Ｃには、前記高分子化合物Ｈｃ、鎖状高分子化合物Ｐ及び導電性材料以外の他の添加剤が含まれていてもよいし、あるいは、前記高分子化合物Ｈｃ、鎖状高分子化合物Ｐ及び導電性材料のみで形成することもできる。
【0143】
高分子材料Ｃを製造する方法は特に限定されず、例えば、公知の方法を広く採用することができる。例えば、あらかじめ可動性架橋構造体を形成するよう製造した前記高分子化合物Ｈｃと、導電性材料と、必要に応じて鎖状高分子化合物Ｐとを、公知の混合手段で混合することで高分子材料Ｃを得ることができる。混合手段は公知の混合機を広く使用することができ、例えば、ボールミル等の混合機を挙げることができる。混合は乾式及び湿式のいずれで行ってもよい。湿式の場合は、例えば、可動性架橋構造体を形成するように製造した前記高分子化合物Ｈｃを含む溶液と、導電性材料を混合する方法が挙げられる。前記溶液の溶媒は特に限定されず、前記高分子化合物Ｈｃが溶解する各種有機溶媒を使用することができる。
【0144】
（高分子材料Ｄ）
高分子材料Ｄは、前記高分子化合物Ｈ及び前記導電性材料を含み、かつ、前記高分子化合物Ｈ以外の鎖状高分子化合物Ｐをさらに含み、前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基には、前記鎖状高分子化合物Ｐの主鎖が貫通している。以下、高分子材料Ｄに含まれる前記高分子化合物Ｈを「高分子化合物Ｈｄ」と表記する。
高分子材料Ｄは、前記高分子化合物Ｈ及び前記導電性材料を含み、かつ、前記高分子化合物Ｈ以外の鎖状高分子化合物Ｐをさらに含み、前記高分子化合物Ｈが有する少なくとも１個の前記ホスト基には、前記鎖状高分子化合物Ｐの主鎖が貫通している。以下、高分子材料Ｄに含まれる前記高分子化合物Ｈを「高分子化合物Ｈｄ」と表記する。
【0145】
高分子化合物Ｈｄは、前記ホスト単位と、前記第３の単位とを分子中に有するものである。前記ホスト基は、高分子化合物Ｈｄの主鎖又は側鎖に共有結合によって結合している。
【0146】
高分子化合物Ｈｄにおける前記第３の単位は、高分子化合物Ｈｄが有するホスト基の環内を貫通することができないサイズであり、この点で、先の高分子材料Ｃにおける高分子化合物Ｈｃと異なる。
【0147】
斯かる前記第３の単位はホスト基の環内を貫通することができず、かつ、包接錯体を形成することができないサイズであることが好ましい。斯かる第３の単位としては、例えば、スチレン、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、メトキシエチル（メタ）アクリレート、へキシル（メタ）アクリレート、２－エトキシ－へキシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレートが挙げられ、スチレンが好ましい。
【0148】
高分子材料Ｄの力学特性が向上しやすく、柔軟性に優れやすいという点で、高分子化合物Ｈｄの全構成単位中、前記ホスト単位の含有割合は０．１モル％以上であることが好ましく、０．３モル％以上であることがより好ましく、０．５モル％以上であることがさらに好ましく、１モル％以上であることが特に好ましい。また、高分子化合物Ｈｃの全構成単位中、前記ホスト単位の含有割合は４０モル％以下であることが好ましく、３０モル％以下であることがより好ましく、２０モル％以下であることがさらに好ましく、１０モル％以下であることが特に好ましい。
【0149】
高分子材料Ｃの力学特性が向上しやすく、柔軟性に優れやすいという点で、高分子化合物Ｈｄの全構成単位中、前記第３の単位の含有割合は５０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上であることがより好ましく、８０モル％以上であることがさらに好ましく、９０モル％以上であることが特に好ましい。また、高分子化合物Ｈｂの全構成単位中、前記第３の単位の含有割合は９９．９モル％以下であることが好ましく、９９モル％以下であることがより好ましい。
【0150】
高分子化合物Ｈｄは、本発明の効果が阻害されない限り、他の単量体単位（ただし、ゲスト単位を除く）を含むことができ、あるいは、高分子化合物Ｈｃは、前記ホスト単位及び前記第３の単位のみで形成することもできる。
【0151】
高分子材料Ｄに含まれる鎖状高分子化合物Ｐは、前記第３の単位を有し、かつ、ホスト基は有さ、高分子化合物Ｈｄが有するホスト基を貫通する高分子化合物である。斯かる鎖状高分子化合物Ｐは、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリルアミド又はその誘導体のポリマーであることが好ましく、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル等のポリマーであることがさらに好ましい。
【0152】
鎖状高分子化合物Ｐは、本発明の効果が阻害されない限り、他の単量体単位（ただし、ホスト単位及びゲスト単位を除く）を含むことができ、あるいは、鎖状高分子化合物Ｐは、前記第３の単位のみで形成することもできる。
【0153】
鎖状高分子化合物Ｐの質量平均分子量（Ｍｗ）も特に限定されず、例えば、１万～２００万とすることができ、好ましくは２万～１００万とすることができる。鎖状高分子化合物Ｐは、例えば、ホモポリマー、ランダムポリマー等の構造を有することができる、また、鎖状高分子化合物Ｐは、直鎖状とすることができ、本発明の効果が阻害されない限りや、枝分かれ構造及び架橋構造を有することもできる。
【0154】
高分子化合物Ｐの製造方法は特に限定されず、公知の製造方法を広く採用することができる。例えば、前記第３の重合性単量体を含む原料の重合反応により、鎖状高分子化合物Ｐを製造することができる。重合反応も特に限定されず、例えば、ラジカル重合性モノマーを含む原料である場合は、公知のラジカル重合反応を広く適用することができる。
【0155】
高分子化合物Ｈｄ及び鎖状高分子化合物Ｐにおいて、第３の単位は互いに異なる種類である。つまり、高分子化合物Ｈｄが有する第３の単位は高分子化合物Ｈｄ中のホスト基を貫通することができないものであるのに対し、鎖状高分子化合物Ｐが有する第３の単位は高分子化合物Ｈｄ中のホスト基を貫通することができるものである。
【0156】
高分子材料Ｄでは、前記高分子化合物Ｈが前記高分子化合物Ｈｄであり、かつ、ホスト基を貫通することができる鎖状高分子化合物Ｐを含むことで、高分子化合物Ｈｄのホスト基環内を鎖状高分子化合物Ｐが貫通して形成される可動性架橋構造体が含まれる。
【0157】
図１（ｄ）は、前記高分子化合物Ｈｄのホスト基に他の前記高分子化合物Ｈｃが貫通している様子を模式的に示している。前記高分子化合物Ｈｃのホスト基に鎖状高分子化合物Ｐが貫通することよって、前記高分子化合物Ｈｄと鎖状高分子化合物Ｐとで可動性架橋構造体が形成され、これにより、高分子材料Ｄの力学特性が向上し、強靭でありながら優れた柔軟性を有することができる。
【0158】
高分子材料Ｄにおいて、前記高分子化合物Ｈｄ、鎖状高分子化合物Ｐ及び導電性材料の含有割合は特に限定されない。例えば、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈｄ、鎖状高分子化合物Ｐ及び導電性材料の総質量に対する導電性材料の含有割合は０．１質量％以上とすることができ、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上、特に好ましくは５質量％以上である。また、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈｄ及び導電性材料の総質量に対する導電性材料の含有割合は８０質量％以下とすることができ、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下、さらに好ましくは５０質量％以下特に好ましくは４０質量％以下である。導電性材料がケッチェンブラックの場合、前記高分子化合物Ｈｄ及び導電性材料の総質量に対する導電性材料の含有割合は１質量％以上とすることができ、好ましくは３質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは８質量％以上、特に好ましくは１０質量％以上であり、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈｄ及び導電性材料の総質量に対する導電性材料の含有割合は５０質量％以下とすることができ、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。
【0159】
高分子材料Ｄにおいて、前記高分子化合物Ｈｄ及び鎖状高分子化合物Ｐの含有割合は特に限定されない。例えば、導電性及び力学特性が高まりやすいという点で、前記高分子化合物Ｈｄ及び鎖状高分子化合物Ｐ双方の構成単位の全量に対し、前記高分子化合物Ｈｄにおけるホスト単位の含有割合が０．０１モル％以上であることが好ましく、０．１モル％以上であることがより好ましく、０．３モル％以上であることがさらに好ましく、０．５モル％以上であることが特に好ましい。また、前記高分子化合物Ｈｄ及び鎖状高分子化合物Ｐ双方の構成単位の全量に対し、前記高分子化合物Ｈｄにおけるホスト単位の含有割合が４０モル％以下であることが好ましく、２０モル％以下であることがより好ましく、１０モル％以下であることがさらに好ましく、５モル％以下であることが特に好ましい。
【0160】
高分子材料Ｄには、前記高分子化合物Ｈｄ、鎖状高分子化合物Ｐ及び導電性材料以外の他の添加剤が含まれていてもよいし、あるいは、前記高分子化合物Ｈｄ、鎖状高分子化合物Ｐ及び導電性材料のみで形成することもできる。
【0161】
高分子材料Ｄは、例えば、以下の方法で製造することができる。まず、あらかじめ製造した前記高分子化合物Ｈｄの存在下で、鎖状高分子化合物Ｐを得るための原料（第３の重合性単量体単位）の重合反応を行う。この重合反応により、鎖状高分子化合物Ｐの生長反応が進行すると同時に、この生長中のポリマー鎖がホスト基を貫通し得る。この結果、前記高分子化合物Ｈｄと鎖状高分子化合物Ｐとで構成される可動性架橋構造体が生成する。得られた可動性架橋構造体と導電性材料とを、公知の混合手段で混合することで高分子材料Ｄを得ることができる。混合手段は公知の混合機を広く使用することができ、例えば、ボールミル等の混合機を挙げることができる。混合は乾式及び湿式のいずれで行ってもよい。湿式の場合は、例えば、前記高分子化合物Ｈｄと鎖状高分子化合物Ｐとで構成される可動性架橋構造体を含む溶液と、導電性材料を混合する方法が挙げられる。
【0162】
（高分子材料）
本発明の高分子材料は、前述のように、高分子材料Ａ、高分子材料Ｂ、高分子材料Ｃ及び高分子材料Ｄを包含する。
本発明の高分子材料は、前述のように、高分子材料Ａ、高分子材料Ｂ、高分子材料Ｃ及び高分子材料Ｄを包含する。
【0163】
高分子材料の形態は特に限定されず、例えば、フィルム、シート、板、ブロック等の成形体であってもよいし、あるいは、粒子状、繊維状、顆粒状、ペレット状等であってもよい。
【0164】
高分子材料の成形体を製造する場合、その製造方法は特に限定されず、例えば、公知の成形方法を広く採用することができ、具体的には、キャスト法、プレス成形法、押出成形法、射出成形法等を挙げることができる。
【0165】
本発明の高分子材料は、導電性を有しながら、力学特性にも優れるものであり、特に、柔軟性を有し、かつ、強靭な材料である。このため、本発明の高分子材料は、成形性に優れ、種々の形状に成形及び加工をすることができる。また、本発明の高分子材料、特に、高分子材料Ａ及びＢは自己修復機能を発揮しやすいので、ダメージ等を受けたとしても修復が可能であり、結果として耐久性に優れると共に廃棄物の現象にも寄与することができる。
【0166】
本発明の高分子材料は、導電性を有することから、導電性高分子材料の原料としても適したものである。斯かる導電性高分子材料は、本発明の高分子材料を含むので、優れた導電性を有しながら、力学特性にも優れるものであり、これにより、導電性が求められる各種用途に好適に使用することができる。例えば、導電性高分子材料は、導電性フィルムの他、導電性コーティング剤、配線、電子機器、精密機械等の各種分野に適用可能である。
【実施例0167】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例の態様に限定されるものではない。
【0168】
（製造例１）
アクリルアミドβシクロデキストリンを公知の方法で製造した。具体的には、６－アミノ－β－シクロデキストリンと、塩化アクリロイルとをＮａＨＣＯ３の存在下で反応させることで、アクリルアミドβシクロデキストリン（以下、βＣＤＡＡｍと表記）を得た。このβＣＤＡＡｍ２０ｇをピリジン３００ｍＬに溶解し、無水酢酸１７０．１３３ｇを加え、５５℃で１２時間以上撹拌した。その後、メタノール５０ｍＬを加えクエンチし、内容量が２００ｍＬになるまでエバポレーターで濃縮した。得られた濃縮液を、水２０００ｍＬに滴下し、沈殿を回収した。沈殿をアセトン２００ｍＬに溶解し、水２０００ｍＬに滴下し、生成した沈殿物を回収し、これを減圧乾燥することにより目的物であるホスト基含有重合性単量体を単離した。得られたホスト基含有重合性単量体は、下記の式（ｈ１－１）で表される化合物であった（以下、「ＰＡｃβＣＤ」と表記する）。
アクリルアミドβシクロデキストリンを公知の方法で製造した。具体的には、６－アミノ－β－シクロデキストリンと、塩化アクリロイルとをＮａＨＣＯ３の存在下で反応させることで、アクリルアミドβシクロデキストリン（以下、βＣＤＡＡｍと表記）を得た。このβＣＤＡＡｍ２０ｇをピリジン３００ｍＬに溶解し、無水酢酸１７０．１３３ｇを加え、５５℃で１２時間以上撹拌した。その後、メタノール５０ｍＬを加えクエンチし、内容量が２００ｍＬになるまでエバポレーターで濃縮した。得られた濃縮液を、水２０００ｍＬに滴下し、沈殿を回収した。沈殿をアセトン２００ｍＬに溶解し、水２０００ｍＬに滴下し、生成した沈殿物を回収し、これを減圧乾燥することにより目的物であるホスト基含有重合性単量体を単離した。得られたホスト基含有重合性単量体は、下記の式（ｈ１－１）で表される化合物であった（以下、「ＰＡｃβＣＤ」と表記する）。
【0169】
【化6】
【0170】
（製造例２）
２００ｍＬガラス製丸底フラスコにγシクロデキストリン５ｇ（３．９ｍｍｏｌ）、Ｎ－ヒドロキシメチルアクリルアミド７００ｍｇ（６．９ｍｍｏｌ）及びｐ－トルエンスルホン酸一水和物９５ｍｇ（０．６ｍｍｏｌ）を秤量し、これらを２５ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドに加えて反応液を調製した。溶液をオイルバスで９０℃に加熱し、１時間にわたって加熱撹拌することで反応液を得た。次いで、該反応液を放冷し、激しく撹拌しているアセトン４５ｍＬに注ぎこんだ。生じた沈殿をろ別した後、１０ｍＬのアセトンで三回洗浄し常温で一時間減圧乾燥することで反応物を得た。反応物を蒸留水１００ｍＬに溶解し、多孔質ポリスチレン樹脂（三菱化学ダイヤイオンＨＰ－２０）を充填したカラム（見かけ密度６００ｇ／Ｌ）に通じ、３０分間吸着させた。その後、溶液成分を除去し、カラムに新たに１０％メタノール（もしくはアセトニトリル）水溶液５０ｍＬを３回通じ、ポリスチレン樹脂を洗浄することで未反応γシクロデキストリンを除去した。続いてカラムに２５％メタノール水溶液５００ｍＬを二回通ずることで、目的物であるアクリルアミドメチルγシクロデキストリン（γＣＤＡＡｍＭｅと表記）を溶出させた。溶媒を減圧除去することで、γＣＤＡＡｍＭｅを白色粉末として得た。
２００ｍＬガラス製丸底フラスコにγシクロデキストリン５ｇ（３．９ｍｍｏｌ）、Ｎ－ヒドロキシメチルアクリルアミド７００ｍｇ（６．９ｍｍｏｌ）及びｐ－トルエンスルホン酸一水和物９５ｍｇ（０．６ｍｍｏｌ）を秤量し、これらを２５ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドに加えて反応液を調製した。溶液をオイルバスで９０℃に加熱し、１時間にわたって加熱撹拌することで反応液を得た。次いで、該反応液を放冷し、激しく撹拌しているアセトン４５ｍＬに注ぎこんだ。生じた沈殿をろ別した後、１０ｍＬのアセトンで三回洗浄し常温で一時間減圧乾燥することで反応物を得た。反応物を蒸留水１００ｍＬに溶解し、多孔質ポリスチレン樹脂（三菱化学ダイヤイオンＨＰ－２０）を充填したカラム（見かけ密度６００ｇ／Ｌ）に通じ、３０分間吸着させた。その後、溶液成分を除去し、カラムに新たに１０％メタノール（もしくはアセトニトリル）水溶液５０ｍＬを３回通じ、ポリスチレン樹脂を洗浄することで未反応γシクロデキストリンを除去した。続いてカラムに２５％メタノール水溶液５００ｍＬを二回通ずることで、目的物であるアクリルアミドメチルγシクロデキストリン（γＣＤＡＡｍＭｅと表記）を溶出させた。溶媒を減圧除去することで、γＣＤＡＡｍＭｅを白色粉末として得た。
【0171】
このγＣＤＡＡｍＭｅ２０ｇをピリジン３００ｍＬに溶解し、無水酢酸１７０．１３３ｇを加え、５５℃で１２時間以上撹拌した。その後、メタノール５０ｍＬを加えクエンチし、内容量が２００ｍＬになるまでエバポレーターで濃縮した。得られた濃縮液を、水２０００ｍＬに滴下し、沈殿を回収した。沈殿をアセトン２００ｍＬに溶解し、水２０００ｍＬに滴下し、生成した沈殿物を回収し、これを減圧乾燥することにより目的物であるホスト基含有重合性単量体を単離した。得られたホスト基含有重合性単量体は、下記の式（ｈ１－２）で表される化合物であった（以下、「ＰＡｃγＣＤ」と表記する）。
【0172】
【化7】
【0173】
（実施例１－１）
図２に示す反応スキームに従って、高分子化合物Ｈａを合成した。具体的に、製造例１で得られたＰＡｃβＣＤを１ｍｏｌ％、ゲスト基含有重合性単量体であるアクリルアミドアダマンチル１ｍｏｌ％、及び、エチルアクリレート９８ｍｏｌ％含む重合性単量体混合物と、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４とを混合して原料を調製し、該原料に紫外線（λ＝３６５ｎｍ）を照射することで重合反応を行い、高分子化合物Ｈａを得た。
図２に示す反応スキームに従って、高分子化合物Ｈａを合成した。具体的に、製造例１で得られたＰＡｃβＣＤを１ｍｏｌ％、ゲスト基含有重合性単量体であるアクリルアミドアダマンチル１ｍｏｌ％、及び、エチルアクリレート９８ｍｏｌ％含む重合性単量体混合物と、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４とを混合して原料を調製し、該原料に紫外線（λ＝３６５ｎｍ）を照射することで重合反応を行い、高分子化合物Ｈａを得た。
【0174】
得られた高分子化合物Ｈａは、ホスト基含有重合性単量体単位（１モル％）と、ゲスト基含有重合性単量体単位（１モル％）と、第３の重合性単量体の共重合体単位（９８モル％）とを有する高分子化合物であった。次に、１００質量部の高分子化合物Ｈａに対し、導電性材料としてケッチェンブラック７．５質量部（ライオンスペシャリティケミカルズ社「ＥＣ６００ＪＤ」）を配合し、ボールミルで混合することで、高分子材料Ａを得た。
【0175】
（実施例１－２）
ケッチェンブラックの配合量を１０質量部に変更したこと以外は実施例１－１と同様の方法で高分子材料Ａを得た。
ケッチェンブラックの配合量を１０質量部に変更したこと以外は実施例１－１と同様の方法で高分子材料Ａを得た。
【0176】
（比較例１－１）
ケッチェンブラックの配合量を０質量部、つまり、ケッチェンブラックを使用しなかったこと以外は実施例１－１と同様の方法で高分子材料を得た。
ケッチェンブラックの配合量を０質量部、つまり、ケッチェンブラックを使用しなかったこと以外は実施例１－１と同様の方法で高分子材料を得た。
【0177】
（実施例２－１）
図３（ａ）に示す反応スキームに従って、高分子化合物Ｈｂを合成した。具体的に、製造例２で得られたＰＡｃγＣＤを１ｍｏｌ％、エチルアクリレート９９ｍｏｌ％含む重合性単量体混合物の重合反応をＡＩＢＮの存在下、酢酸エチル中で行うことで、高分子化合物Ｈｂを得た。一方、図３（ｂ）に示す反応スキームに従って、高分子化合物Ｇを合成した。具体的に、ピレン部位を有するアクリルアミドを１ｍｏｌ％、エチルアクリレート９９ｍｏｌ％含む重合性単量体混合物の重合反応をＡＩＢＮの存在下、酢酸エチル中で行うことで、高分子化合物Ｇを得た。
図３（ａ）に示す反応スキームに従って、高分子化合物Ｈｂを合成した。具体的に、製造例２で得られたＰＡｃγＣＤを１ｍｏｌ％、エチルアクリレート９９ｍｏｌ％含む重合性単量体混合物の重合反応をＡＩＢＮの存在下、酢酸エチル中で行うことで、高分子化合物Ｈｂを得た。一方、図３（ｂ）に示す反応スキームに従って、高分子化合物Ｇを合成した。具体的に、ピレン部位を有するアクリルアミドを１ｍｏｌ％、エチルアクリレート９９ｍｏｌ％含む重合性単量体混合物の重合反応をＡＩＢＮの存在下、酢酸エチル中で行うことで、高分子化合物Ｇを得た。
【0178】
得られた高分子化合物Ｈｂは、ホスト基含有重合性単量体単位（１モル％）と、第３の重合性単量体の共重合体単位（９９モル％）とを有する高分子化合物であり、また、高分子化合物Ｇは、ゲスト基含有重合性単量体単位（１モル％）と、第３の重合性単量体の共重合体単位（９９モル％）とを有する高分子化合物であった。次に、１００質量部の高分子化合物Ｈｂ及び高分子化合物Ｇの混合物（高分子化合物Ｈｂ：高分子化合物Ｇ＝１：１）に対し、導電性材料としてケッチェンブラック５質量部（ライオンスペシャリティケミカルズ社「ＥＣ６００ＪＤ」）を配合し、ボールミルで混合することで、高分子材料Ｂを得た。
【0179】
（実施例２－２）
ケッチェンブラックの配合量を１０質量部に変更したこと以外は実施例２－１と同様の方法で高分子材料Ｂを得た。
ケッチェンブラックの配合量を１０質量部に変更したこと以外は実施例２－１と同様の方法で高分子材料Ｂを得た。
【0180】
（実施例２－３）
ケッチェンブラックの配合量を２０質量部に変更したこと以外は実施例２－１と同様の方法で高分子材料Ｂを得た。
ケッチェンブラックの配合量を２０質量部に変更したこと以外は実施例２－１と同様の方法で高分子材料Ｂを得た。
【0181】
（実施例２－４）
高分子化合物Ｈｂ：高分子化合物Ｇ＝１：２に変更したこと以外は実施例２－１と同様の方法で高分子材料Ｂを得た。
高分子化合物Ｈｂ：高分子化合物Ｇ＝１：２に変更したこと以外は実施例２－１と同様の方法で高分子材料Ｂを得た。
【0182】
（実施例２－５）
高分子化合物Ｈｂ：高分子化合物Ｇ＝１：２に変更したこと以外は実施例２－２と同様の方法で高分子材料Ｂを得た。
高分子化合物Ｈｂ：高分子化合物Ｇ＝１：２に変更したこと以外は実施例２－２と同様の方法で高分子材料Ｂを得た。
【0183】
（実施例２－６）
高分子化合物Ｈｂ：高分子化合物Ｇ＝１：２に変更したこと以外は実施例２－３と同様の方法で高分子材料Ｂを得た。
高分子化合物Ｈｂ：高分子化合物Ｇ＝１：２に変更したこと以外は実施例２－３と同様の方法で高分子材料Ｂを得た。
【0184】
（実施例２－７）
ケッチェンブラック５質量部の代わりにグラフェンナノプレートレット（ＧＮＰ）３０質量部に変更したこと以外は実施例２－１と同様の方法で高分子材料Ｂを得た。
ケッチェンブラック５質量部の代わりにグラフェンナノプレートレット（ＧＮＰ）３０質量部に変更したこと以外は実施例２－１と同様の方法で高分子材料Ｂを得た。
【0185】
（実施例３－１）
図４（ａ）に示す反応スキームに従って、高分子化合物Ｈｃを合成した。具体的に、製造例２で得られたＰＡｃγＣＤを１ｍｏｌ％、エチルアクリレート９９ｍｏｌ％含む重合性単量体混合物と、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４とを混合して原料を調製し、該原料に紫外線（λ＝３６５ｎｍ）を照射することで重合反応を行い、高分子化合物Ｈｃを得た。得られた高分子化合物Ｈｃは、高分子化合物Ｈｃのホスト基の環内を他の高分子化合物Ｈｃが貫通した構造（可動性架橋構造体）を有する。得られた高分子化合物Ｈｃは、ホスト基含有重合性単量体単位（１モル％）と、第３の重合性単量体の共重合体単位（９９モル％）とを有する高分子化合物であった。
図４（ａ）に示す反応スキームに従って、高分子化合物Ｈｃを合成した。具体的に、製造例２で得られたＰＡｃγＣＤを１ｍｏｌ％、エチルアクリレート９９ｍｏｌ％含む重合性単量体混合物と、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４とを混合して原料を調製し、該原料に紫外線（λ＝３６５ｎｍ）を照射することで重合反応を行い、高分子化合物Ｈｃを得た。得られた高分子化合物Ｈｃは、高分子化合物Ｈｃのホスト基の環内を他の高分子化合物Ｈｃが貫通した構造（可動性架橋構造体）を有する。得られた高分子化合物Ｈｃは、ホスト基含有重合性単量体単位（１モル％）と、第３の重合性単量体の共重合体単位（９９モル％）とを有する高分子化合物であった。
【0186】
一方、図４（ｂ）に示す反応スキームに従って、鎖状高分子化合物Ｐを合成した。具体的に、エチルアクリレートと、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４とを混合して原料を調製し、該原料に紫外線（λ＝３６５ｎｍ）を照射することで重合反応を行い、鎖状高分子化合物Ｐを得た。
【0187】
次に、前記高分子化合物Ｈｃ及び前記鎖状高分子化合物Ｐの混合物１００質量部（質量比５０：５０）に対し、導電性材料としてケッチェンブラック２．５質量部（ライオンスペシャリティケミカルズ社「ＥＣ６００ＪＤ」）を配合し、ボールミルで混合することで、高分子材料Ｃを得た。
【0188】
（実施例３－２）
ケッチェンブラック５質量部に変更したこと以外は実施例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
ケッチェンブラック５質量部に変更したこと以外は実施例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
【0189】
（実施例３－３）
ケッチェンブラック７．５質量部に変更したこと以外は実施例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
ケッチェンブラック７．５質量部に変更したこと以外は実施例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
【0190】
（実施例３－４）
ケッチェンブラック１０質量部に変更したこと以外は実施例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
ケッチェンブラック１０質量部に変更したこと以外は実施例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
【0191】
（実施例３－５）
ケッチェンブラック１２．５質量部に変更したこと以外は実施例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
ケッチェンブラック１２．５質量部に変更したこと以外は実施例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
【0192】
（実施例３－６）
ケッチェンブラック１５質量部に変更したこと以外は実施例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
ケッチェンブラック１５質量部に変更したこと以外は実施例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
【0193】
（比較例３－１）
ケッチェンブラック０質量部に変更、すなわち、ケッチェンブラックを使用しなかったこと以外は実施例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
ケッチェンブラック０質量部に変更、すなわち、ケッチェンブラックを使用しなかったこと以外は実施例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
【0194】
（比較例３－２）
鎖状高分子化合物Ｐを使用しなかったこと以外は比較例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
鎖状高分子化合物Ｐを使用しなかったこと以外は比較例３－１と同様の方法で高分子材料Ｃを得た。
【0195】
（実施例４－１）
図５（ａ）に示す反応スキームに従って、高分子化合物Ｈｄを合成した。具体的に、製造例２で得られたＰＡｃγＣＤを１ｍｏｌ、スチレン２０ｍｏｌ含む重合性単量体混合物を、ＡＩＢＮの存在下、トルエン中で重合反応を行い、高分子化合物Ｈｄを得た。次に、図５（ｂ）に示す反応スキームに従って、高分子化合物Ｈｄと鎖状高分子化合物Ｐとで形成される可動性架橋構造体を合成した。具体的に、高分子化合物Ｈｄとエチルアクリレートと、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４とを混合して原料を調製し、該原料に紫外線（λ＝３６５ｎｍ）を照射することで重合反応を行い、可動性架橋構造体を得た。斯かる可動性架橋構造体は、ホスト基の環内をポリエチルアクリレート（鎖状高分子化合物Ｐ）が貫通した構造を有する。なお、高分子化合物Ｈｄ及び鎖状高分子化合物Ｐの全構成単位中に対するホスト単位の割合は１モル％となるように可動性架橋構造体の使用量を調整した。次に、１００質量部の可動性架橋構造体に対し、導電性材料としてケッチェンブラック５質量部（ライオンスペシャリティケミカルズ社「ＥＣ６００ＪＤ」）を配合し、ボールミルで混合することで、高分子材料Ｄを得た。
図５（ａ）に示す反応スキームに従って、高分子化合物Ｈｄを合成した。具体的に、製造例２で得られたＰＡｃγＣＤを１ｍｏｌ、スチレン２０ｍｏｌ含む重合性単量体混合物を、ＡＩＢＮの存在下、トルエン中で重合反応を行い、高分子化合物Ｈｄを得た。次に、図５（ｂ）に示す反応スキームに従って、高分子化合物Ｈｄと鎖状高分子化合物Ｐとで形成される可動性架橋構造体を合成した。具体的に、高分子化合物Ｈｄとエチルアクリレートと、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４とを混合して原料を調製し、該原料に紫外線（λ＝３６５ｎｍ）を照射することで重合反応を行い、可動性架橋構造体を得た。斯かる可動性架橋構造体は、ホスト基の環内をポリエチルアクリレート（鎖状高分子化合物Ｐ）が貫通した構造を有する。なお、高分子化合物Ｈｄ及び鎖状高分子化合物Ｐの全構成単位中に対するホスト単位の割合は１モル％となるように可動性架橋構造体の使用量を調整した。次に、１００質量部の可動性架橋構造体に対し、導電性材料としてケッチェンブラック５質量部（ライオンスペシャリティケミカルズ社「ＥＣ６００ＪＤ」）を配合し、ボールミルで混合することで、高分子材料Ｄを得た。
【0196】
（実施例４－２）
ケッチェンブラックの配合量を１０質量部に変更したこと以外は実施例４－１と同様の方法で高分子材料Ｄを得た。
ケッチェンブラックの配合量を１０質量部に変更したこと以外は実施例４－１と同様の方法で高分子材料Ｄを得た。
【0197】
（実施例４－３）
ケッチェンブラックの配合量を２０質量部に変更したこと以外は実施例４－１と同様の方法で高分子材料Ｄを得た。
ケッチェンブラックの配合量を２０質量部に変更したこと以外は実施例４－１と同様の方法で高分子材料Ｄを得た。
【0198】
（比較例４－１）
ケッチェンブラックの配合量を０質量部、つまり、ケッチェンブラックを使用しなかったこと以外は実施例４－１と同様の方法で高分子材料Ｄを得た。
ケッチェンブラックの配合量を０質量部、つまり、ケッチェンブラックを使用しなかったこと以外は実施例４－１と同様の方法で高分子材料Ｄを得た。
【0199】
図６（ａ）、（ｂ）は、実施例１－１、実施例１－２及び比較例１－１で得られた高分子材料の力学特性の評価結果を示している。図６の結果から、実施例１－１及び１－２で得られた高分子材料Ａは、比較例１－１で得られた高分子材料に比べて延伸性、破壊エネルギー、ヤング率が向上しており、優れた力学特性を有することがわかった。また、図６（ｃ）から、実施例１－１及び１－２で得られた高分子材料Ａは、８質量％のケッチェンブラックを含むポリエチルアクリレート（図中ＰＥＡ（ＫＢ８％））に比べても優れた力学特性を有することがわかった。
【0200】
また、実施例１－１及び１－２で得られた高分子材料Ａを用いて導通試験を行ったところ、いずれも導電性を有することがわかった。さらに、実施例１－１及び１－２で得られた高分子材料Ａを切断してから、切断面どうしを接着することで、再接着すること、及び、再接着後も導通可能であることも確認した。以上より実施例１－１及び１－２で得られた高分子材料Ａは、導電性を有しつつも優れた力学特性を有する材料であることが実証された。
【0201】
表１は、実施例２－１～２－６で得られた高分子材料Ｂの抵抗値の測定結果を示している。この結果、いずれの高分子材料Ｂも抵抗値が低く、導電性を有していることがわかった。
【0202】
【表1】
【0203】
図７は、実施例３－１～３－６及び比較例３－１～３－２で得られた高分子材料の力学特性評価結果を示している。この結果、実施例３－１～３－６で得られた高分子材料Ｃは比較例３－１及び３－２で得られた高分子材料よりも強靭化していることがわかった。
【0204】
【0205】
以上より、実施例３－１～３－６で得られた高分子材料Ｃは、導電性を有しつつも優れた力学特性を有する材料であることが実証された。
【0206】
図９（ａ）、（ｂ）は、実施例４－１～４－３及び比較例４－１で得られた高分子材料の力学特性の評価結果を示している。図９の結果から、実施例４－１～４－３で得られた高分子材料Ｄは、比較例４－１で得られた高分子材料に比べて延伸性、破壊エネルギー、ヤング率が向上しており、優れた力学特性を有することがわかった。
【0207】
図１０は、実施例４－２で得られた高分子材料Ｄのひずみを１０％ごとに最大１００％まで増加させたときの繰り返し引張試験結果（図１０（ａ））及び抵抗値測定結果（図１０（ｂ））を示している。具体的には、高分子材料Ｄを所定の大きさまで引き伸ばして１５秒静止してから抵抗値を測定し、その後、高分子材料Ｄをひずみ０％の状態（初期状態）に戻し、その後、次の所定のひずみまで引き伸ばして同様の測定を順次繰り返して行った。
【0208】
表２は、実施例４－１～４―３で得られた高分子材料Ｄの抵抗値の測定結果を示している。この結果、実施例４－２～４―３は抵抗値が低く、導電性を有していることがわかった。なお、実施例４－１は導電性を有さなかった。
【0209】
【表2】
【0210】
（力学特性の評価方法）
高分子材料の力学特性は、引張試験（ストローク－試験力曲線）（島津製作所社製「ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ」（型番：ＡＧＸ－ｐｌｕｓ）により、高分子材料の破断点を観測することで評価した。この破断点を終点として、終点までの最大応力を高分子材料の破断応力とした。この引張り試験は、厚み２００～４００μｍに成形したフィルム状の高分子材料の下端を固定し、上端を引張り速度１ｍｍ／ｍｉｎ又は５ｍｍ／ｍｉｎで稼動させるアップ方式で実施した。また、その際のストローク、すなわち、高分子材料を引っ張った際の最大長さを、引張り前の高分子材料長さで除した値を歪率として算出した。なお、「ストローク－試験力曲線」（応力－歪曲線）試験において、破断応力及び破断歪（単に歪ともいう）の一方又は両方が高い値を示す材料は、高分子材料の靭性及び強度が優れると判断できる。特に、破断応力及び歪の両方が高い値を示す材料は、破壊エネルギーが優れる材料であると判断できる。
高分子材料の力学特性は、引張試験（ストローク－試験力曲線）（島津製作所社製「ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ」（型番：ＡＧＸ－ｐｌｕｓ）により、高分子材料の破断点を観測することで評価した。この破断点を終点として、終点までの最大応力を高分子材料の破断応力とした。この引張り試験は、厚み２００～４００μｍに成形したフィルム状の高分子材料の下端を固定し、上端を引張り速度１ｍｍ／ｍｉｎ又は５ｍｍ／ｍｉｎで稼動させるアップ方式で実施した。また、その際のストローク、すなわち、高分子材料を引っ張った際の最大長さを、引張り前の高分子材料長さで除した値を歪率として算出した。なお、「ストローク－試験力曲線」（応力－歪曲線）試験において、破断応力及び破断歪（単に歪ともいう）の一方又は両方が高い値を示す材料は、高分子材料の靭性及び強度が優れると判断できる。特に、破断応力及び歪の両方が高い値を示す材料は、破壊エネルギーが優れる材料であると判断できる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】