特開2022-190999半導体基板の熱酸化膜形成方法及び半導体装置の製造方法

発明の名称　半導体基板の熱酸化膜形成方法及び半導体装置の製造方法

出願人　信越半導体株式会社　（識別番号 190149）

　　　　特許公開件数ランキング 539 位（47件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 400 位（61件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2022-190999

公報発行日　2022年12月27

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2022-190999

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