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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022191960
(43)【公開日】2022-12-28
(54)【発明の名称】クリーニング方法及びプラズマ処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/31 20060101AFI20221221BHJP
C23C 16/44 20060101ALI20221221BHJP
C23C 16/511 20060101ALI20221221BHJP
【ＦＩ】
H01L21/31 C
C23C16/44 J
C23C16/511
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021100503
(22)【出願日】2021-06-16
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】原田 保
(72)【発明者】
【氏名】本多 稔
(72)【発明者】
【氏名】野上 隆文
【テーマコード（参考）】
4K030
5F045
【Ｆターム（参考）】
4K030AA06
4K030AA18
4K030BA29
4K030BA37
4K030BA40
4K030BA41
4K030BA44
4K030DA06
4K030FA01
5F045AA08
5F045AB06
5F045AB32
5F045AB33
5F045AC01
5F045AC12
5F045AC15
5F045AC16
5F045AC17
5F045BB15
5F045DP03
5F045EB03
5F045EB06
5F045EC05
5F045EH04
5F045EH20
5F045EK07
5F045EM05
5F045EM09
(57)【要約】
【課題】パーティクルを低減する。
【解決手段】アルミナ製の透過窓を介してマイクロ波をチャンバ内に導入し、処理ガスのプラズマにより基板に対して処理を行うプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、前記クリーニング方法は、フッ素含有ガスのプラズマによるクリーニングを行う工程と、前記クリーニングを行った後に希ガスとＨ２ガスのプラズマによるシーズニングを行う工程と、を有し、前記シーズニングを行う工程は、前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が第１濃度である第１工程と、前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が前記第１濃度と異なる第２濃度である第２工程と、を有し、前記第１工程と前記第２工程を含む一連の工程を複数回繰り返すクリーニング方法が提供される。
【選択図】図４
【解決手段】アルミナ製の透過窓を介してマイクロ波をチャンバ内に導入し、処理ガスのプラズマにより基板に対して処理を行うプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、前記クリーニング方法は、フッ素含有ガスのプラズマによるクリーニングを行う工程と、前記クリーニングを行った後に希ガスとＨ２ガスのプラズマによるシーズニングを行う工程と、を有し、前記シーズニングを行う工程は、前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が第１濃度である第１工程と、前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が前記第１濃度と異なる第２濃度である第２工程と、を有し、前記第１工程と前記第２工程を含む一連の工程を複数回繰り返すクリーニング方法が提供される。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
アルミナ製の透過窓を介してマイクロ波をチャンバ内に導入し、処理ガスのプラズマにより基板に対して処理を行うプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、
前記クリーニング方法は、
フッ素含有ガスのプラズマによるクリーニングを行う工程と、
前記クリーニングを行った後に希ガスとＨ２ガスのプラズマによるシーズニングを行う工程と、を有し、
前記シーズニングを行う工程は、
前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が第１濃度である第１工程と、
前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が前記第１濃度と異なる第２濃度である第２工程と、を有し、
前記第１工程と前記第２工程を含む一連の工程を複数回繰り返すクリーニング方法。
前記クリーニング方法は、
フッ素含有ガスのプラズマによるクリーニングを行う工程と、
前記クリーニングを行った後に希ガスとＨ２ガスのプラズマによるシーズニングを行う工程と、を有し、
前記シーズニングを行う工程は、
前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が第１濃度である第１工程と、
前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が前記第１濃度と異なる第２濃度である第２工程と、を有し、
前記第１工程と前記第２工程を含む一連の工程を複数回繰り返すクリーニング方法。
【請求項2】
前記シーズニングを行う工程は、
更に、前記第１濃度及び前記第２濃度と異なる第３濃度である第３工程を有し、
前記第１工程～前記第３工程を含む一連の工程を複数回繰り返す、
請求項１に記載のクリーニング方法。
更に、前記第１濃度及び前記第２濃度と異なる第３濃度である第３工程を有し、
前記第１工程～前記第３工程を含む一連の工程を複数回繰り返す、
請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項3】
前記シーズニングを行う工程は、前記チャンバ内に付着したＳｉ及びＮを含むＡｌＦ化合物を安定化させる、
請求項１又は２に記載のクリーニング方法。
請求項１又は２に記載のクリーニング方法。
【請求項4】
前記シーズニングを行う工程は、前記ＡｌＦ化合物をＡｌＦに改質する、
請求項３に記載のクリーニング方法。
請求項３に記載のクリーニング方法。
【請求項5】
前記一連の工程を５回以上繰り返す、
請求項１～４のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
請求項１～４のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
【請求項6】
前記クリーニングを行う工程の前に前記処理ガスのプラズマによりシリコン含有膜を成膜する工程を有する、
請求項１～５のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
請求項１～５のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
【請求項7】
前記シリコン含有膜はシリコン窒化膜である、
請求項６に記載のクリーニング方法。
請求項６に記載のクリーニング方法。
【請求項8】
前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度は、０．１以上１０以下である、
請求項１～７のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
請求項１～７のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
【請求項9】
チャンバと、アルミナ製の透過窓と、制御部とを有するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
前記透過窓を介してマイクロ波をチャンバ内に導入し、処理ガスのプラズマにより基板にシリコン含有膜を成膜する工程と、
フッ素含有ガスのプラズマによるクリーニングを行う工程と、
前記クリーニングを行った後に希ガスとＨ２ガスのプラズマによるシーズニングを行う工程と、を含む工程を制御し、
前記シーズニングを行う工程において、
前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が第１濃度である第１工程と、
前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が前記第１濃度と異なる第２濃度である第２工程と、を含む一連の工程を複数回繰り返すように制御する、プラズマ処理装置。
前記制御部は、
前記透過窓を介してマイクロ波をチャンバ内に導入し、処理ガスのプラズマにより基板にシリコン含有膜を成膜する工程と、
フッ素含有ガスのプラズマによるクリーニングを行う工程と、
前記クリーニングを行った後に希ガスとＨ２ガスのプラズマによるシーズニングを行う工程と、を含む工程を制御し、
前記シーズニングを行う工程において、
前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が第１濃度である第１工程と、
前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が前記第１濃度と異なる第２濃度である第２工程と、を含む一連の工程を複数回繰り返すように制御する、プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、クリーニング方法及びプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、特許文献１は、マイクロ波プラズマにより基板を処理するチャンバのクリーニング方法を提案する。特許文献１では、フッ素含有ガス、アルゴンガス及びヘリウムガスを含むクリーニングガスを導入する工程と、マイクロ波パワーを供給する工程と、を有し、前記クリーニングガスを導入する工程は、アルゴンガスに対するヘリウムガスの流量比を２／３～９の範囲内にする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－３４５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、パーティクルを低減できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一の態様によれば、アルミナ製の透過窓を介してマイクロ波をチャンバ内に導入し、処理ガスのプラズマにより基板に対して処理を行うプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、前記クリーニング方法は、フッ素含有ガスのプラズマによるクリーニングを行う工程と、前記クリーニングを行った後に希ガスとＨ２ガスのプラズマによるシーズニングを行う工程と、を有し、前記シーズニングを行う工程は、前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が第１濃度である第１工程と、前記希ガスに対する前記Ｈ２ガスの濃度が前記第１濃度と異なる第２濃度である第２工程と、を有し、前記第１工程と前記第２工程を含む一連の工程を複数回繰り返すクリーニング方法が提供される。
【発明の効果】
【0006】
一の側面によれば、パーティクルを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面模式図。
【図2】実施形態に係るシーズニングの対象であるＡｌＦ化合物を説明するための図。
【図3】実施形態に係るクリーニング方法を示すフローチャート。
【図4】実施形態に係るシーズニング方法を示すフローチャート。
【図5】実施形態に係るシーズニング時のガス及びマイクロ波のタイミングチャート。
【図7】実施形態に係るシーズニング方法による付着物の改質結果の一例を示すグラフ。
【図8】実施形態に係るシーズニング方法の実行後の成膜結果の一例を示すグラフ。
【図9】実施形態及び参考例に係るサイクル回数とパーティクル数の相関の一例を示す実験結果のグラフ。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【0009】
［プラズマ処理装置］
実施形態に係るプラズマ処理装置について、図１を用いて説明する。図１は、プラズマ処理装置の一例を示す断面模式図である。以下では、実施形態に係る成膜方法及びクリーニング方法を実行するプラズマ処理装置の一例としてマイクロ波プラズマ処理装置１００を挙げて説明する。本開示のマイクロ波プラズマ処理装置１００は、ＲＬＳＡ（登録商標）マイクロ波プラズマ処理装置である。マイクロ波プラズマ処理装置は、半導体ウェハ等の基板ＷにプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等のシリコン含有膜を成膜する。
実施形態に係るプラズマ処理装置について、図１を用いて説明する。図１は、プラズマ処理装置の一例を示す断面模式図である。以下では、実施形態に係る成膜方法及びクリーニング方法を実行するプラズマ処理装置の一例としてマイクロ波プラズマ処理装置１００を挙げて説明する。本開示のマイクロ波プラズマ処理装置１００は、ＲＬＳＡ（登録商標）マイクロ波プラズマ処理装置である。マイクロ波プラズマ処理装置は、半導体ウェハ等の基板ＷにプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等のシリコン含有膜を成膜する。
【0010】
マイクロ波プラズマ処理装置１００は、気密に構成され、接地された円筒状のチャンバ１を有している。チャンバ１の底壁１ａの略中央部には円形の開口部１０が形成されており、底壁１ａには開口部１０と連通し、下方に向けて突出する排気室１１が設けられている。
【0011】
チャンバ１の内壁は、アルミニウム等の金属材料に例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）又はイットリア（Ｙ２Ｏ３）の溶射が施されている。チャンバ１内には基板Ｗを水平に支持するためのＡｌＮ等のセラミックスからなるステージ２が設けられている。ステージ２は、排気室１１の底部中央から上方に延びる円筒状のＡｌＮ等のセラミックスからなる支持部材３により支持されている。また、ステージ２には抵抗加熱型のヒーター５が埋め込まれている。ヒーター５はヒーター電源６から給電されることによりステージ２を加熱し基板Ｗを温調する。また、ステージ２は電極７が埋め込まれており、電極７には整合器８を介してバイアス印加用の高周波電源９が接続されている。ステージ２には、基板Ｗを静電吸着するための静電チャック、温度制御機構、基板Ｗの裏面に熱伝達用のガスを供給するガス流路等が設けられてもよい。
【0012】
ステージ２には、基板Ｗを支持して昇降させるためのウェハ支持ピン（不図示）がステージ２の表面に対して突没可能に設けられている。チャンバ１の側壁には環状をなすガス導入部１５、１６が設けられており、ガス導入部１５、１６には周方向に均等にガス放射孔１５ａ、１６ａが形成されている。ガス導入部１５、１６にはガス供給部１７が接続されている。ガス供給部１７は、成膜時には成膜用の処理ガスを供給する。ガス供給部１７は、クリーニング時にはクリーニングガスを導入してもよい。
【0013】
チャンバ１の天板は、誘電体、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）により形成され、マイクロ波を透過させる透過窓２８になっている。透過窓２８の中央にはマイクロ波パワーの導入部４２が設けられている。導入部４２の周囲に設けられたガス導入部１８からガス放射孔１８ａを介して成膜用の処理ガスやクリーニングガスを導入してもよい。
【0014】
排気室１１の側面には排気管２３が接続され、排気管２３には真空ポンプや自動圧力制御バルブ等を含む排気装置２４が接続されている。排気装置２４の真空ポンプを作動させることによりチャンバ１内のガスが、排気室１１の空間１１ａ内へ均一に排出され、排気管２３を介して排気され、自動圧力制御バルブによりチャンバ１内を所定の真空度に制御可能となっている。
【0015】
チャンバ１の側壁には、マイクロ波プラズマ処理装置１００に隣接する搬送室（図示せず）との間で基板Ｗの搬入出を行うための搬入出口２５と、搬入出口２５を開閉するゲートバルブ２６とが設けられている。
【0016】
チャンバ１の上部は開口部となっており、その開口部の周縁部がリング状の支持部２７となっている。支持部２７には円板状の透過窓２８がシール部材２９を介して設けられている。これにより、チャンバ１内は気密に保持される。透過窓２８の上面には、透過窓２８に対応する円板状をなす平面アンテナ３１が設けられている。平面アンテナ３１はチャンバ１の側壁上端に係止されている。
【0017】
平面アンテナ３１は、導電性材料からなる円板で構成され、マイクロ波を放射するための複数のスロット３２が貫通している。スロット３２のパターンの例としては、Ｔ字状に配置された２つのスロット３２を一対として複数対のスロット３２が同心円状に配置されているものを挙げることができる。スロット３２の長さや配列間隔は、マイクロ波の波長（λｇ）に応じて決定され、例えばスロット３２は、それらの間隔がλｇ／４、λｇ／２またはλｇとなるように配置される。なお、スロット３２は、円形状、円弧状等の他の形状であってもよい。さらに、スロット３２の配置形態は特に限定されず、同心円状のほか、例えば、螺旋状、放射状に配置することもできる。
【0018】
平面アンテナ３１の上面には、真空よりも大きい誘電率を有する誘電体、例えば石英、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミドなどの樹脂からなる板状部材３３が設けられている。板状部材３３はマイクロ波の波長を真空中より短くして平面アンテナ３１の寸法を小さくする機能を有している。
【0019】
平面アンテナ３１と透過窓２８との間が密着した状態となっており、また、板状部材３３と平面アンテナ３１との間も密着されている。また、板状部材３３、平面アンテナ３１、透過窓２８、およびプラズマで形成される等価回路が共振条件を満たすように透過窓２８、板状部材３３の厚さが調整されている。板状部材３３の厚さを調整することにより、マイクロ波の位相を調整することができ、平面アンテナ３１との接合部が定在波の「はら」になるようにすることでマイクロ波の反射が極小化され、マイクロ波の放射エネルギーが最大となる。また、板状部材３３と透過窓２８を同じ材質とすることにより、マイクロ波の界面反射を防止することができる。
【0020】
なお、平面アンテナ３１と透過窓２８との間、また、板状部材３３と平面アンテナ３１との間は、離間していてもよい。チャンバ１の上面には、平面アンテナ３１および板状部材３３を覆うように、例えばアルミニウムやステンレス鋼、銅等の金属材料からなるシールド蓋体３４が設けられている。チャンバ１の上面とシールド蓋体３４とはシール部材３５によりシールされている。シールド蓋体３４には、冷却水流路３４ａが形成されており、冷却水流路３４ａに冷却水を通流させることにより、シールド蓋体３４、板状部材３３、平面アンテナ３１、透過窓２８を冷却する。シールド蓋体３４は接地されている。
【0021】
シールド蓋体３４の上壁の中央には開口部３６が形成されており、開口部３６には導波管３７が接続されている。導波管３７の端部には、マッチング回路３８を介してマイクロ波出力部３９が接続されている。これにより、マイクロ波出力部３９で発生した例えば周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波が導波管３７を介して平面アンテナ３１へ伝搬される。なお、マイクロ波の周波数としては、例えば１００Ｍ～２４５０ＭＨｚの範囲の周波数を用いることができる。
【0022】
導波管３７は、シールド蓋体３４の開口部３６から上方へ延在する断面円形状の同軸導波管３７ａと、同軸導波管３７ａの上端部にモード変換器４０を介して接続された水平方向に延びる矩形導波管３７ｂとを有している。モード変換器４０は、矩形導波管３７ｂ内をＴＥモードで伝搬するマイクロ波をＴＥＭモードに変換する機能を有している。同軸導波管３７ａの中心には内部導体４１が延在しており、内部導体４１の下端部は、平面アンテナ３１の中心に接続固定されている。これにより、マイクロ波は、同軸導波管３７ａの内部導体４１を介して平面アンテナ３１へ均一に伝搬される。
【0023】
マイクロ波プラズマ処理装置１００は制御部５０を有している。制御部５０は、マイクロ波プラズマ処理装置１００の各構成部、例えばマイクロ波出力部３９、ヒーター電源６、高周波電源９、排気装置２４、ガス供給部１７のバルブや流量制御器等を制御するＣＰＵ（コンピュータ）を有する。また、制御部５０は、入力装置（キーボード、マウス等）、出力装置（プリンタ等）、表示装置（ディスプレイ等）及び記憶装置（記憶媒体）を有する。制御部５０は、例えば、記憶装置に内蔵された記憶媒体、または記憶装置にセットされた記憶媒体に記憶された処理レシピに基づいて、マイクロ波プラズマ処理装置１００に、以下の成膜方法を実行させる。
【0024】
かかる構成のマイクロ波プラズマ処理装置１００を用いた成膜方法の一実施形態について説明する。まず、ゲートバルブ２６を開き、搬入出口２５から基板Ｗをチャンバ１内に搬入し、ステージ２上に載置する。次いで、チャンバ１内を所定圧力に調整し、ガス供給部１７からガス導入部１５、１６、１８を介してチャンバ１内に処理ガスを導入する。そして、マイクロ波出力部３９から所定パワーのマイクロ波をチャンバ１内に導入してプラズマを生成し、プラズマＣＶＤにより基板Ｗ上にＳｉ含有膜の一例としてＳｉＮ膜を成膜する。
【0025】
マイクロ波出力部３９からの所定のパワーのマイクロ波は、マッチング回路３８を経て導波管３７に導かれる。導波管３７に導かれたマイクロ波は、矩形導波管３７ｂをＴＥモードで伝搬される。ＴＥモードのマイクロ波はモード変換器４０でＴＥＭモードにモード変換され、ＴＥＭモードのマイクロ波が同軸導波管３７ａをＴＥＭモードで伝搬される。そして、ＴＥＭモードのマイクロ波は、板状部材３３、平面アンテナ３１のスロット３２、および透過窓２８を透過し、チャンバ１内に放射される。
【0026】
マイクロ波は表面波として透過窓２８直下の領域に広がり、これにより表面波プラズマが生成され、高電子密度かつ低電子温度のプラズマとなる。これにより、成膜ガスから解離された活性種が基板Ｗ上で反応して所定膜が成膜される。
【0027】
以上に説明した成膜処理を複数枚の基板Ｗに一枚ずつ実行していくと、徐々にチャンバ１の内壁やパーツに成膜した膜の成分等が付着する。その付着物が堆積して剥がれるとパーティクルとなる。所定個数以上のパーティクルは歩留まり低下の要因となるため、所定周期でチャンバ１内をクリーニングすることが行われている。
【0028】
ＳｉＮ膜を成膜する場合、処理ガスの一例としてシランガス（ＳｉＨ４）及びＮ２ガス、又はシランガス及びＮＨ３ガス等が供給される。マイクロ波は、アルミナ製の透過窓２８を介してチャンバ１内に導入される。
【0029】
所定周期でチャンバ１内をクリーニングする際、例えばＮＦ３ガスのプラズマが使用される。よって、クリーニング後のチャンバ１の側壁等には、ＮＦ３ガスに含まれるフッ素と透過窓２８を形成するアルミナ中のアルミニウムを含むＡｌＦ化合物が付着する。ＡｌＦ化合物は、ＡｌＦにＳｉ、Ｎ及びＨが混入したものであり、図２（ａ）に示すようにチャンバ１の側壁等に付着し、ＡｌＦｘ（Ｓｉ／Ｎ／Ｈ）で示すことができる。
【0030】
クリーニングガスとして使用するＮＦ３ガスから生成されるプラズマ中のフッ素ラジカルと、チャンバ１の透過窓２８を形成するアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とが化学反応することで、透過窓２８の内面やチャンバ１内の側面には、ＡｌＦ化合物（ＡｌＦｘ）が付着する。ＡｌＦ化合物に混入するＳｉ及びＮはＳｉＮ膜、Ｓｉ基板又はシランガス（ＳｉＨ４）及びＮ２（又はＮＨ３）ガス中のＳｉ及びＮである。ＡｌＦ化合物に混入するＨは、処理ガスとして使用するＳｉＨ４中のＨである。
【0031】
特に、マイクロ波の表面波プラズマでは、図２（ａ）に示すようにプラズマが強い透過窓２８の表面やチャンバ１内の上部側壁においてＡｌＦ化合物が多く付着する。ＡｌＦ化合物はＳｉやＮの不純物を含み、化学的に安定しない。図２（ｂ）は、チャンバ１側壁の付着物をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ：X-ray Photoelectron Spectroscopy）により分析した結果の一例を示す。この結果から、チャンバ１内の付着物には、Ａｌが２３．４％、Ｆが５１．８％含まれ、ＡｌＦ化合物の約７５％を占める。ＡｌＦ化合物の残りの成分には、Ｎが１１．２％、Ｏが８％、Ｃが４．７％、Ｓｉが０．６％、Ｙが０．４％含まれる。ＡｌＦ化合物中のＹ成分は、チャンバ１内壁をイットリア（Ｙ２Ｏ３）でコーティングしているコーティング膜中のＹが検出されたと考えられる。ＡｌＦ化合物中のＯ成分はＡｌＦが酸化しているため又はイットリア中のＯが検出されたと考えられる。Ｃ成分は、ＸＰＳ分析時にカーボンテープを使用しているため、テープ内のＣが検出されたと考えられる。なお、ＸＰＳ分析上、Ｈ成分の検出は困難であるが、これまでの経験上Ｈも含んでいると考えられる。
【0032】
このようにＡｌＦ化合物は、化学的に安定したＡｌＦの状態と比べて、Ｓｉ、Ｎ及びＨ成分を含み不安定な状態である。このため、ＡｌＦ化合物に例えば希ガスのアルゴンガスから生成されるプラズマ中のアルゴンイオンが衝突すると、チャンバ１内壁から剥がれ易く、パーティクルの発生要因となると考えられる。
【0033】
そこで、クリーニング後のチャンバ１の側壁等に付着したＡｌＦ化合物を安定化させる方法として、本実施形態に係るシーズニングでは、希ガスの一例としてのアルゴンガスと水素（Ｈ２）ガスのプラズマを発生させ、これにより水素のラジカルを発生させる。そして、プラズマ中の水素ラジカル（Ｈ＊）によってＡｌＦ化合物を還元する。具体的には、以下の化学反応（１）により化学的に不安定なＡｌＦ化合物の状態から安定したＡｌＦの状態に改質し、Ｓｉ、Ｎ及びＨ成分はＮＨ＊及びＳｉＨ＊の状態にして揮発させて排気する。
ＡｌＦｘ（Ｓｉ／Ｎ／Ｈ）＋Ａｒ＊＋Ｈ＊→ＡｌＦ＋Ａｌ＋ＮＨ＊＋ＳｉＨ＊・・（１）
ＡｌＦｘ（Ｓｉ／Ｎ／Ｈ）＋Ａｒ＊＋Ｈ＊→ＡｌＦ＋Ａｌ＋ＮＨ＊＋ＳｉＨ＊・・（１）
【0034】
これにより、本実施形態に係るシーズニングでは、パーティクルの発生要因となるＡｌＦｘ（Ｓｉ／Ｎ／Ｈ）という不安定な状態をＡｌＦという安定した状態にすることでＡｌＦがチャンバ内壁から剥がれ難くなり、パーティクルを低減できる。これにより、メンテナンスの間隔を長くし、プラズマ処理装置の稼働率を上げ、生産性を向上させることができる。本明細書においてＡｌＦ化合物の改質とは、ＡｌＦ化合物からＳｉ、Ｎ及びＨを除去しＡｌＦの状態にすることをいう。ただし、ＡｌＦ化合物内のＳｉ、Ｎ及びＨの成分を減少させることもＡｌＦ化合物の改質に含み、ＡｌＦには多少のＳｉ、Ｎ及びＨが混入してもよい。
【0035】
［クリーニング方法］
次に、マイクロ波プラズマ処理装置１００にて実行される成膜及びクリーニング方法について、図３～図５を参照しながら説明する。クリーニング方法ＭＴは、成膜工程において所定枚数の基板ＷにＳｉＮ膜を成膜した後に行われるフッ素含有ガスのプラズマクリーニング工程と希ガスとＨ２ガスのプラズマシーズニング工程とを含む。成膜工程、プラズマクリーニング工程、プラズマシーズニング工程は制御部５０により制御される。以下では、プラズマクリーニング工程においてフッ素含有ガスの一例としてＮＦ３ガスを使用するが、これに限らず、フッ素含有ガスはＣｌＦ３ガス、ＣＦ４ガス等であってもよい。また、プラズマシーズニング工程において希ガスの一例としてＡｒガスを使用するが、これに限らず、希ガスはＨｅガスであってもよい。また、成膜工程においてＳｉ含有膜の一例としてＳｉＮ膜を成膜するが、これに限らず、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＯ２膜、ＳｉＣ膜を成膜してもよい。
次に、マイクロ波プラズマ処理装置１００にて実行される成膜及びクリーニング方法について、図３～図５を参照しながら説明する。クリーニング方法ＭＴは、成膜工程において所定枚数の基板ＷにＳｉＮ膜を成膜した後に行われるフッ素含有ガスのプラズマクリーニング工程と希ガスとＨ２ガスのプラズマシーズニング工程とを含む。成膜工程、プラズマクリーニング工程、プラズマシーズニング工程は制御部５０により制御される。以下では、プラズマクリーニング工程においてフッ素含有ガスの一例としてＮＦ３ガスを使用するが、これに限らず、フッ素含有ガスはＣｌＦ３ガス、ＣＦ４ガス等であってもよい。また、プラズマシーズニング工程において希ガスの一例としてＡｒガスを使用するが、これに限らず、希ガスはＨｅガスであってもよい。また、成膜工程においてＳｉ含有膜の一例としてＳｉＮ膜を成膜するが、これに限らず、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＯ２膜、ＳｉＣ膜を成膜してもよい。
【0036】
図３は、実施形態に係る成膜及びクリーニング方法ＭＴを示すフローチャートである。図３に示す成膜及びクリーニング方法ＭＴは、まず、ステップＳ１において基板Ｗをチャンバ１内に搬入し、ステージ２に載置して準備する。次に、ステップＳ３において処理ガスのシラン（ＳｉＨ４）ガスと窒素（Ｎ２）ガスをチャンバ１内に供給し、マイクロ波を導入する。一例としては、ガス放射孔１８ａから窒素ガスをチャンバ１内に供給し、ガス放射孔１５ａ、１６ａかシランガスをチャンバ１内に供給する。マイクロ波は、透過窓２８を介してチャンバ１内に導入される。
【0037】
次に、ステップＳ５において生成したシランガスと窒素ガスのプラズマにより基板ＷにＳｉＮ膜を成膜する。次に、ステップＳ６において成膜後の基板Ｗをチャンバ１から搬出する。
【0038】
次に、ステップＳ７においてクリーニングを実行するかを判定する。クリーニングを実行するか否かは、例えば、成膜工程の累積時間又はマイクロ波投入の累積時間が所定時間以上になったらクリーニングを行うと判定してもよい。チャンバ１内壁の付着物の厚みを測定し、厚みが所定の厚さ以上になったらクリーニングを行うと判定してもよい。
【0039】
ステップＳ７においてクリーニングを実行しないと判定された場合、ステップＳ１に戻り、次の基板Ｗの成膜処理を実行する。ステップＳ７においてクリーニングを実行すると判定されるまで、ステップＳ１～Ｓ７の処理を繰り返し、各基板ＷにＳｉＮ膜を成膜する。
【0040】
ステップＳ７においてクリーニングを実行すると判定された場合、ステップＳ１１においてマイクロ波によりＮＦ３ガスのプラズマを生成し、プラズマによりチャンバ１内をクリーニングする。次に、ステップＳ１５においてシーズニング方法を実行する。シーズニング方法の詳細については、図４を参照しながら後述する。
【0041】
ステップＳ１５のシーズニングを実行した後、ステップＳ１７において基板Ｗの処理を終了するかを判定し、基板Ｗの処理を終了しないと判定された場合、ステップＳ１に戻り、次の基板Ｗの成膜処理を再開する。基板Ｗの処理を終了すると判定された場合、本処理を終了する。なお、ステップＳ１５のシーズニングは、上記フローのように、ステップＳ１１のプラズマによるクリーニングの直後に行ってもよいし、成膜処理の再開後、パーティクルの増加が確認されたタイミング等、任意のタイミングで行ってもよい。
【0042】
［シーズニング方法］
図３のステップＳ１５のシーズニング方法の詳細について、図４及び図５を参照しながら説明する。図４に示すシーズニング方法ＭＴ２は、図３のステップＳ１５から呼び出され、実行される。図４は、実施形態に係るシーズニング方法ＭＴ２の流れを示す。図５は、図４に示すシーズニング方法ＭＴ２におけるＡｒガス、Ｈ２ガス及びマイクロ波の供給タイミングを示す。
図３のステップＳ１５のシーズニング方法の詳細について、図４及び図５を参照しながら説明する。図４に示すシーズニング方法ＭＴ２は、図３のステップＳ１５から呼び出され、実行される。図４は、実施形態に係るシーズニング方法ＭＴ２の流れを示す。図５は、図４に示すシーズニング方法ＭＴ２におけるＡｒガス、Ｈ２ガス及びマイクロ波の供給タイミングを示す。
【0043】
図４に示すように、シーズニング方法ＭＴ２は、まずステップＳ２０において「一連の工程」の実行回数ｎに１を設定する。一連の工程は、Ａｒガスに対するＨ２ガスの濃度をいずれも異なる濃度である第１濃度、第２濃度、第３濃度に変えてシーズニングを行う１サイクルを示す。
【0044】
具体的にはステップＳ２１においてＡｒガスに対するＨ２ガスの濃度が第１濃度になるようにＡｒガス又はＨ２ガスの流量を制御し、チャンバ１内に供給する。次に、ステップＳ２３においてチャンバ１内にマイクロ波を導入し、マイクロ波により生成した第１濃度のＡｒガス及びＨ２ガスのプラズマによりチャンバ１内壁に付着したＡｌＦ化合物を改質する。Ａｒガス、Ｈ２ガス及びマイクロ波の供給タイミングの一例としては、図５に示すようにＴ０時刻に流量Ａ１のＡｒガスが供給され、Ｔ１時刻（Ｔ１＞Ｔ０）にマイクロ波のパワーが導入され、Ｔ２時刻（Ｔ２＞Ｔ１）に流量ＢのＨ２ガスが供給される。第１濃度はＢ／Ａ１である。
【0045】
【0046】
次に、ステップＳ２５において実行回数ｎが３以上であるかを判定する。この時点でｎは１であるため「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ２６において実行回数ｎに１を加算してステップＳ２７においてＡｒガスに対するＨ２ガスの濃度が第ｎ濃度（この時点ではｎ＝２）になるようにＡｒガス又はＨ２ガスの流量を制御する。次に、ステップＳ２３に戻り、第２濃度のＨ２ガス及びＡｒガスをチャンバ１内に供給し、マイクロ波により生成した第２濃度のＡｒガス及びＨ２ガスのプラズマによりチャンバ１の内壁等に付着したＡｌＦ化合物を改質する。例えば、図５に示すようにＴ４時刻に流量Ａ２（Ａ２＞Ａ１）のＡｒガスが供給され、Ｔ５時刻（Ｔ５＞Ｔ４）にマイクロ波が導入され、Ｔ６時刻（Ｔ６＞Ｔ５）に流量ＢのＨ２ガスが供給される。第２濃度はＢ／Ａ２であり、第１濃度＞第２濃度が成立する。
【0047】
【0048】
次に、ステップＳ２５において実行回数ｎが３以上であるかを判定する。この時点でｎは２であるため「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ２６において実行回数ｎに１を加算してステップＳ２７においてＡｒガスに対するＨ２ガスの濃度が第ｎ濃度（この時点ではｎ＝３）になるようにＡｒガス又はＨ２ガスの流量を制御する。次に、ステップＳ２３に戻り、第３濃度のＨ２ガス及びＡｒガスをチャンバ１内に供給し、マイクロ波により生成した第３濃度のＡｒガス及びＨ２ガスのプラズマによりチャンバ１の内壁等に付着したＡｌＦ化合物を改質する。例えば、図５に示すようにＴ８時刻に流量Ａ３（Ａ３＞Ａ２）のＡｒガスが供給され、Ｔ９時刻（Ｔ９＞Ｔ８）にマイクロ波が導入され、Ｔ１０時刻（Ｔ１０＞Ｔ９）に流量ＢのＨ２ガスが供給される。第３濃度はＢ／Ａ３であり、第１濃度＞第２濃度＞第３濃度が成立する。
【0049】
【0050】
次に、ステップＳ２５において実行回数ｎが３以上であるかを判定する。この時点でｎは３であるため「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ２８において予め設定されたサイクル回数繰り返したかを判定する。サイクル回数だけ繰り返したと判定されるまでステップＳ２０に戻り、ステップＳ２０～Ｓ２７に示す「一連の工程」を繰り返す。ステップＳ２８においてサイクル回数だけ繰り返したと判定された場合、シーズニング処理を終了する。
【0051】
［シーズニング方法におけるサイクル回数］
図４のステップＳ２８ではサイクル回数だけ第１濃度～第３濃度のシーズニングを繰り返した。このサイクル回数の最適値について実験を行った。図６は、図４のＳ２８のサイクル回数とパーティクル数の相関の一例を示す実験結果のグラフである。実験条件は以下である。
＜実験条件＞
１．第１濃度５．６ Ｈ２ガス２８０ｓｃｃｍ、Ａｒガス５０ｓｃｃｍ、圧力４Ｐａ、
マイクロ波パワー４５００Ｗ、シーズニング時間６０ｓ
２．第２濃度２．８ Ｈ２ガス２８０ｓｃｃｍ、Ａｒガス１００ｓｃｃｍ、圧力４Ｐａ、
マイクロ波パワー４５００Ｗ、シーズニング時間６０ｓ
３．第３濃度１．４ Ｈ２ガス２８０ｓｃｃｍ、Ａｒガス２００ｓｃｃｍ、圧力４Ｐａ、
マイクロ波パワー４５００Ｗ、シーズニング時間６０ｓ
なお、４Ｐａはチャンバ１内の圧力であり、圧力を低くすることでチャンバ１のダメージを低減できる。６０ｓは各濃度のシーズニング時間であり、最初にＡｒガスを供給してから各ガスの供給を停止するまでの時間である。
図４のステップＳ２８ではサイクル回数だけ第１濃度～第３濃度のシーズニングを繰り返した。このサイクル回数の最適値について実験を行った。図６は、図４のＳ２８のサイクル回数とパーティクル数の相関の一例を示す実験結果のグラフである。実験条件は以下である。
＜実験条件＞
１．第１濃度５．６ Ｈ２ガス２８０ｓｃｃｍ、Ａｒガス５０ｓｃｃｍ、圧力４Ｐａ、
マイクロ波パワー４５００Ｗ、シーズニング時間６０ｓ
２．第２濃度２．８ Ｈ２ガス２８０ｓｃｃｍ、Ａｒガス１００ｓｃｃｍ、圧力４Ｐａ、
マイクロ波パワー４５００Ｗ、シーズニング時間６０ｓ
３．第３濃度１．４ Ｈ２ガス２８０ｓｃｃｍ、Ａｒガス２００ｓｃｃｍ、圧力４Ｐａ、
マイクロ波パワー４５００Ｗ、シーズニング時間６０ｓ
なお、４Ｐａはチャンバ１内の圧力であり、圧力を低くすることでチャンバ１のダメージを低減できる。６０ｓは各濃度のシーズニング時間であり、最初にＡｒガスを供給してから各ガスの供給を停止するまでの時間である。
【0052】
図６の横軸はシーズニングのサイクル回数を示し、縦軸はパーティクル数を示す。図６に示す実験結果から、ＳｉＮとＡｌＦのパーティクルの合計値であるトータルのパーティクルの結果から、サイクル回数が５回程度でトータルのパーティクル数は１００個程度まで減少することがわかった。サイクル回数が６回以上でもトータルのパーティクル数は最低約１００個であり５回とさほど変わらない。このため、サイクル回数は５回以上であればよいが、サイクル回数が多くなるとシーズニングを含むクリーニング時間が長くなり、スループットが低下する。よって、サイクル回数はシーズニング時間が最短であってパーティクル数が１００個程度まで減少する効果が得られる５回にするのが好ましいことがわかった。
【0053】
［シーズニングの効果］
次に、本開示のシーズニング方法ＭＴ２の効果について図７を参照しながら説明する。図７は、実施形態に係るシーズニング方法ＭＴ２による付着物の改質結果の一例を示すグラフである。図７（ａ）は、シーズニング方法ＭＴ２を実行する前のチャンバ１側壁の付着物をＸ線光電子分光法により分析した結果の一例を示す。この結果から、シーズニング方法ＭＴ２を実行する前のチャンバ１内の付着物は、ＡｌＦ内にＳｉ及びＮが含まれるＡｌＦ化合物の状態であった。
次に、本開示のシーズニング方法ＭＴ２の効果について図７を参照しながら説明する。図７は、実施形態に係るシーズニング方法ＭＴ２による付着物の改質結果の一例を示すグラフである。図７（ａ）は、シーズニング方法ＭＴ２を実行する前のチャンバ１側壁の付着物をＸ線光電子分光法により分析した結果の一例を示す。この結果から、シーズニング方法ＭＴ２を実行する前のチャンバ１内の付着物は、ＡｌＦ内にＳｉ及びＮが含まれるＡｌＦ化合物の状態であった。
【0054】
図７（ｂ）は、シーズニング方法ＭＴ２を実行した後のチャンバ１側壁の付着物をＸ線光電子分光法により分析した結果の一例を示す。この結果から、シーズニング方法ＭＴ２を実行した後のチャンバ１内壁の付着物は、上記（１）の化学反応に示す通り、ＡｌＦ化合物がＨ２ガスのプラズマ中の水素ラジカルにより還元され、ＡｌＦ化合物が改質されてＳｉ、Ｎ及びＨの成分が揮発して安定したＡｌＦとなっていた。これにより、シーズニング後のチャンバ１内壁の付着物は化学的に安定したＡｌＦであり、ＡｌＦ化合物と比べて剥がれ難い。この結果、シーズニング方法ＭＴ２を実行することでパーティクルを低減できる。
【0055】
シーズニング方法ＭＴ２では、Ｈ２ガスの流量を固定し、Ａｒガスの流量を変えることでＡｒガスに対するＨ２ガスの濃度を変化させることに限らない。シーズニング方法ＭＴ２では、Ａｒガスの流量を固定し、Ｈ２ガスの流量を変えることでＡｒガスに対するＨ２ガスの濃度を変化させてもよいし、両方のガスの流量を変えることで濃度を変化させてもよい。Ａｒガスに対するＨ２ガスの濃度を変えることでＳｉ，Ｎ、Ｈの混入量が異なる様々なＡｌＦ化合物や付着場所（天板、ステージ、側壁等）が異なる様々なＡｌＦ化合物に適した改質が可能になる。つまり、Ｓｉ，Ｎ，Ｈの混入量や付着場所が異なる様々なＡｌＦ化合物に適した状態の水素プラズマを、Ｈ２濃度を変えることで発生させることができ、様々なＡｌＦ化合物をＡｌＦに安定化させることができる。これにより、Ｓｉ，Ｎ、Ｈの付着場所や混入量が異なっていてもＡｌＦ化合物をＡｌＦに改質することができる。
【0056】
以上、本実施形態に係るクリーニング方法ＭＴについて説明した。クリーニング方法ＭＴは、フッ素含有ガスのプラズマによるクリーニングを行う工程と、クリーニングを行った後に希ガスとＨ２ガスのプラズマによるシーズニングを行う工程と、を有する。
【0057】
シーズニングを行う工程は、図４のシーズニング方法ＭＴ２に示すように、希ガスに対するＨ２ガスの濃度が第１濃度である第１工程と、希ガスに対するＨ２ガスの濃度が第１濃度と異なる第２濃度である第２工程と、第１濃度及び第２濃度と異なる第３濃度である第３工程とを有し、第１工程～第３工程を含む一連の工程を複数回繰り返す。複数回は５回以上であればよいが５回が好ましい。第１濃度、第２濃度、第３濃度は、いずれも異なる濃度であればよく、段階的に濃度を下げてもよいし、段階的に濃度を上げてもよいし、濃度を上げたり下げたりしてもよい。
【0058】
本開示のシーズニング方法ＭＴ２では、Ａｒガスに対するＨ２ガスの濃度を第１濃度～第３濃度の３段階に制御したが、これに限らない。Ａｒガスに対するＨ２ガスの濃度を２段階又は４段階以上に制御してもよい。例えば、シーズニングを行う工程は、希ガスに対するＨ２ガスの濃度が第１濃度である第１工程と、希ガスに対するＨ２ガスの濃度が第１濃度と異なる第２濃度である第２工程とを有し、第１工程と第２工程を含む一連の工程を複数回繰り返してもよい。
【0059】
また、シーズニング方法ＭＴ２の一つの実験では、第１濃度～第３濃度は、１．４～５．６であったが、これに限らない。Ａｒガスに対するＨ２ガスの濃度は、０．１以上１０以下であってよい。
【0060】
［シーズニングによる成膜への影響］
次に、シーズニング方法ＭＴ２の実行による成膜特性への影響を調べた結果について図８を参照して説明する。図８は、シーズニング方法ＭＴ２の実行後に行った成膜結果の一例を示すグラフである。
次に、シーズニング方法ＭＴ２の実行による成膜特性への影響を調べた結果について図８を参照して説明する。図８は、シーズニング方法ＭＴ２の実行後に行った成膜結果の一例を示すグラフである。
【0061】
【0062】
図８（ａ）に示すＳｉＮ膜の膜厚は、ウェハの面内４９ポイントの膜厚を図った平均値を示す。Ｒ／Ａ［％］は、ウェハの面内４９ポイントの膜厚の最大値と最小値の差を平均値で割った値を示す。つまり、Ｒ／Ａは膜厚分布を示す。図８（ａ）の横軸のシーズニングのサイクル回数に対して左縦軸の膜厚及び右縦軸の膜厚分布（Ｒ／Ａ）ともにサイクル回数による変動はなく、シーズニング方法ＭＴ２を実行しても成膜処理に悪い影響はないことがわかった。
【0063】
図８（ｂ）に示すＳｉＮ膜のＲＩは、ウェハの面内４９ポイントのＲＩを図った平均値を示す。Ｒａｎｇｅは、ウェハの面内４９ポイントのＲＩの最大値と最小値の差を示す。ＲａｎｇｅはＲＩ分布を示す。図８（ｂ）の横軸のシーズニングのサイクル回数に対して左縦軸のＲＩ及び右縦軸のＲＩ分布（Ｒａｎｇｅ）ともにサイクル回数による変動はなく、シーズニング方法ＭＴ２を実行しても成膜処理に悪い影響はないことがわかった。
【0064】
［実施形態及び参考例に係るシーズニングの比較］
最後に、実施形態及び参考例に係るシーズニングの比較について、図９を参照して説明する。図９は、実施形態及び参考例に係るサイクル回数とパーティクル数の相関の一例を示す実験結果のグラフである。
最後に、実施形態及び参考例に係るシーズニングの比較について、図９を参照して説明する。図９は、実施形態及び参考例に係るサイクル回数とパーティクル数の相関の一例を示す実験結果のグラフである。
【0065】
線ｇは、図６の実験を行ったときの＜実験条件＞下で本実施形態のシーズニング方法ＭＴ２を実行したときの横軸のサイクル回数１、５、１０に対する縦軸のパーティクル数を示す。線ｅ，ｆは、参考例１，２に示すようにＡｒガス及びＨ２ガスの流量を固定にしたときのサイクル回数１、５、１０に対するパーティクル数を示す。参考例１の場合、Ａｒガス及びＨ２ガスの流量を５０ｓｃｃｍ、２８０ｓｃｃｍにそれぞれ固定し、これを１サイクルとした。参考例２の場合、Ａｒガス及びＨ２ガスの流量を２００ｓｃｃｍ、２８０ｓｃｃｍにそれぞれ固定し、これを１サイクルとした。本実施形態のシーズニング方法ＭＴ２では＜実験条件＞に示すように、Ａｒガス及びＨ２ガスの流量を（１）５０ｓｃｃｍ、２８０ｓｃｃｍ、（２）１００ｓｃｃｍ、２８０ｓｃｃｍ、（３）２００ｓｃｃｍ、２８０ｓｃｃｍの３つの濃度に変化させ、これを１サイクルとした。
【0066】
本実施形態のシーズニング方法ＭＴ２では、Ａｒガスに対するＨ２ガスの濃度を３段階に変えることで、Ｓｉ、Ｎ、Ｈの混入量や付着場所が異なる様々なＡｌＦ化合物に適した状態の水素プラズマを、Ｈ２濃度を変えることで発生させることができ、様々なＡｌＦ化合物をＡｌＦに改質することができた。この結果、線ｇに示すようにサイクル回数が５回以上でパーティクルのカウント数が低減できた。
【0067】
これに対して参考例１，２では、線ｅ、ｆに示すようにＡｒガスに対するＨ２ガスの濃度を変えずに固定にした。この結果、参考例１，２のいずれもサイクル回数が増えるほどパーティクルのカウント数が増加した。その理由は、Ａｒガスに対するＨ２ガスの濃度を変えずにシーズニングを行うとＳｉ，Ｎ，Ｈの混入量や付着場所が異なる様々なＡｌＦ化合物を安定したＡｌＦに改質できず、チャンバ１の内壁等の付着物にＡｌＦ化合物が残ってしまったためと考えられる。チャンバ１の内壁等のＡｌＦ化合物をＡｒのラジカルやＡｒイオン等で叩いた結果パーティクル数が増加する結果となった。
【0068】
以上、実施形態に係るシーズニング方法ＭＴ２によれば、Ａｒガスに対するＨ２ガスの濃度を２段階以上に変える。これにより、Ｓｉ，Ｎ，Ｈの混入量や付着場所が異なる様々なＡｌＦ化合物を安定したＡｌＦに改質することができる。この結果、パーティクルを低減でき、メンテナンスの周期をより長くすることにより生産性を高めることができる。
【0069】
今回開示された実施形態に係るクリーニング方法及びプラズマ処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【0070】
本開示のプラズマ処理装置は、アルミナ製の透過窓を介してマイクロ波をチャンバ内に導入し、処理ガスのプラズマにより基板を処理する装置であればいずれのタイプの装置でも適用可能である。
【符号の説明】
【0071】
１ チャンバ
２ ステージ
１５、１６、１８ ガス導入部
１７ ガス供給部
２８ 透過窓
３９ マイクロ波出力部
５０ 制御部
１００ マイクロ波プラズマ処理装置
２ ステージ
１５、１６、１８ ガス導入部
１７ ガス供給部
２８ 透過窓
３９ マイクロ波出力部
５０ 制御部
１００ マイクロ波プラズマ処理装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】