特開 2022-32233 配線基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022032233

(43)【公開日】2022-02-25

(54)【発明の名称】配線基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/16 20060101AFI20220217BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20220217BHJP

【ＦＩ】

H05K1/16 B

H05K3/46 Q

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020135813

(22)【出願日】2020-08-11

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】中村 順一

(72)【発明者】

【氏名】高井 豪

(72)【発明者】

【氏名】唐澤 裕介

(72)【発明者】

【氏名】神部 能久

(72)【発明者】

【氏名】百瀬 修平

(72)【発明者】

【氏名】白鳥 俊樹

【テーマコード（参考）】

4E351

5E316

【Ｆターム（参考）】

4E351AA02

4E351AA03

4E351BB11

4E351BB33

4E351BB49

4E351CC06

4E351DD04

4E351GG06

5E316AA02

5E316AA41

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC32

5E316DD12

5E316DD25

5E316DD33

5E316EE33

5E316FF04

5E316FF15

5E316FF18

5E316GG15

5E316GG17

5E316HH01

5E316HH33

5E316JJ14

(57)【要約】

【課題】磁性体樹脂の貫通孔内に信頼性の高い配線を形成した配線基板を提供できる。
【解決手段】本配線基板は、第１貫通孔が形成されたコア層と、前記第１貫通孔内に充填された磁性体樹脂と、前記磁性体樹脂に形成された第２貫通孔と、前記第２貫通孔の内壁面を被覆するめっき膜と、を有し、前記めっき膜は、無電解めっき膜及び電解めっき膜を含み、前記無電解めっき膜は、前記第２貫通孔の内壁面に直接接する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１貫通孔が形成されたコア層と、
前記第１貫通孔内に充填された磁性体樹脂と、
前記磁性体樹脂に形成された第２貫通孔と、
前記第２貫通孔の内壁面を被覆するめっき膜と、を有し、
前記めっき膜は、無電解めっき膜及び電解めっき膜を含み、
前記無電解めっき膜は、前記第２貫通孔の内壁面に直接接する、配線基板。

【請求項2】

前記磁性体樹脂の端面上に、第１無電解めっき膜、第１電解めっき膜、第２無電解めっき膜、第２電解めっき膜、第３無電解めっき膜、及び第３電解めっき膜が順次積層された積層部を含む配線層を備え、
前記第２貫通孔の内壁面に直接接する前記無電解めっき膜は、前記積層部の前記第２無電解めっき膜が、前記第１電解めっき膜の端面及び前記第１無電解めっき膜の端面を被覆して前記第２貫通孔内に延伸したものである、請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記コア層上に配線層が形成されており、
前記コア層上に形成された配線層の厚さが、前記磁性体樹脂の端面上に形成された配線層の厚さより厚い、請求項２に記載の配線基板。

【請求項4】

前記第２貫通孔内に位置する前記電解めっき膜は、前記積層部の前記第２電解めっき膜が、前記第２無電解めっき膜を被覆した状態で、前記第２貫通孔内に延伸したものである、請求項３に記載の配線基板。

【請求項5】

前記第２貫通孔内に位置する前記電解めっき膜の内側に第３貫通孔を有し、前記第３貫通孔は絶縁樹脂で充填されている、請求項４に記載の配線基板。

【請求項6】

前記積層部の前記第２電解めっき膜の一方の面と前記絶縁樹脂の一方の端面とは面一であり、
前記第３無電解めっき膜は、前記積層部の前記第２電解めっき膜の一方の面と前記絶縁樹脂の一方の端面を連続的に被覆し、前記第３無電解めっき膜上に前記第３電解めっき膜が積層されている請求項５に記載の配線基板。

【請求項7】

前記第２貫通孔内に位置する前記第２電解めっき膜の厚さは、前記第１電解めっき膜の厚さ及び前記第３電解めっき膜の厚さよりも厚い、請求項３乃至６の何れか一項に記載の配線基板。

【請求項8】

前記積層部の前記第２電解めっき膜の厚さは、前記第２貫通孔内に位置する前記第２電解めっき膜の厚さよりも薄い、請求項３乃至７の何れか一項に記載の配線基板。

【請求項9】

コア層に第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔内に磁性体樹脂を充填する工程と、
前記磁性体樹脂に第２貫通孔を形成する工程と、
前記第２貫通孔の内壁面を被覆するめっき膜を形成する工程と、を有し、
前記めっき膜を形成する工程は、無電解めっき膜を形成する工程及び電解めっき膜を形成する工程を含み、
前記無電解めっき膜を形成する工程では、前記無電解めっき膜は、前記第２貫通孔の内壁面に直接接するように形成される、配線基板の製造方法。

【請求項10】

前記めっき膜を形成する工程では、前記磁性体樹脂の端面上に、第１無電解めっき膜、第１電解めっき膜、第２無電解めっき膜、第２電解めっき膜、第３無電解めっき膜、及び第３電解めっき膜が順次積層された積層部を含む配線層が形成され、
前記第２貫通孔の内壁面に直接接する前記無電解めっき膜は、前記積層部の前記第２無電解めっき膜が、前記第１電解めっき膜の端面及び前記第１無電解めっき膜の端面を被覆して前記第２貫通孔内に延伸したものである、請求項９に記載の配線基板の製造方法。

【請求項11】

前記積層部の前記第２電解めっき膜の厚さを、前記第２貫通孔内に位置する前記第２電解めっき膜の厚さよりも薄くする工程を含み、
前記第２貫通孔内に位置する前記第２電解めっき膜は、前記積層部の前記第２電解めっき膜が前記第２貫通孔内に延伸したものであり、
前記第２貫通孔内に位置する前記第２無電解めっき膜を被覆して、前記第２貫通孔内に前記第２電解めっき膜が設けられる、請求項１０に記載の配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来より、磁性体樹脂を備えた配線基板が知られている。一例として、開口が形成されたコア基板と、開口内に充填され、貫通孔を有する磁性体樹脂と、貫通孔に形成されためっき膜とを有する構造が挙げられる。この配線基板では、貫通孔の内壁面には電解めっき膜が接触している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－２２０５０４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、磁性体樹脂の上下面から貫通孔の内部までの導通路が長いため、磁性体樹脂の貫通孔の内壁面に電解めっき膜を直接形成することは困難である。仮に、磁性体樹脂の貫通孔の内壁面に電解めっき膜を直接形成できたとしても、特に配線基板が厚い場合は、貫通孔の厚さ方向の中央付近の電解めっき膜が薄くなるため、貫通孔内に形成された配線の信頼性が確保できない。

【0005】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、磁性体樹脂の貫通孔内に信頼性の高い配線を形成した配線基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本配線基板は、第１貫通孔が形成されたコア層と、前記第１貫通孔内に充填された磁性体樹脂と、前記磁性体樹脂に形成された第２貫通孔と、前記第２貫通孔の内壁面を被覆するめっき膜と、を有し、前記めっき膜は、無電解めっき膜及び電解めっき膜を含み、前記無電解めっき膜は、前記第２貫通孔の内壁面に直接接する。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、磁性体樹脂の貫通孔内に信頼性の高い配線を形成した配線基板を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係る配線基板を例示する部分断面図である。

【図2】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。

【図3】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。

【図4】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。

【図5】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。

【図6】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。

【図7】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。

【図8】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。

【図9】第１実施形態の変形例１に係る配線基板を例示する図である。

【図10】第１実施形態の変形例２に係る配線基板を例示する部分断面図である。

【図11】第１実施形態の変形例３に係る配線基板を例示する部分断面図である。

【図12】第１実施形態の変形例３に係る配線基板の製造工程を例示する図である。

【図13】応用例１に係る多層配線基板を例示する断面図である。

【図14】応用例２に係る半導体パッケージを例示する断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

〈第１実施形態〉
［配線基板の構造］
図１は、第１実施形態に係る配線基板を例示する部分断面図である。図１を参照すると、配線基板１は、コア層１０と、配線層２０と、配線層３０と、磁性体樹脂４０と、絶縁樹脂５０とを有している。

【0011】

なお、本実施形態では、便宜上、配線基板１の配線層２０側を上側又は一方の側、配線層３０側を下側又は他方の側とする。又、各部位の配線層２０側の面を一方の面又は上面、配線層３０側の面を他方の面又は下面とする。但し、配線基板１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。又、平面視とは対象物をコア層１０の一方の面１０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物をコア層１０の一方の面１０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

【0012】

コア層１０としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。コア層１０として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂等を含浸させた基板等を用いてもよい。コア層１０の厚さは、例えば、４００～１２００μｍ程度とすることができる。

【0013】

コア層１０には、コア層１０を厚さ方向に貫通する貫通孔１０１及び１０２が設けられている。貫通孔１０１及び１０２の平面形状は例えば円形である。貫通孔１０１の平面形状が円形である場合、貫通孔１０１の直径は、例えば、３５０～４５０μｍ程度とすることができる。貫通孔１０２の平面形状が円形である場合、貫通孔１０２の直径は、例えば、１００～１８０μｍ程度とすることができる。

【0014】

貫通孔１０１内には磁性体樹脂４０が充填されている。磁性体樹脂４０と貫通配線（後述の第２無電解めっき膜２３ａ及び第２電解めっき膜２３ｂ）とで、インダクタを形成することができる。磁性体樹脂４０としては、例えば、磁性粒子を含有するエポキシ系樹脂等を使用できる。磁性粒子としては、例えば、鉄、酸化鉄、コバルト酸化鉄、珪素鉄、磁性合金、フェライト等のフィラーが挙げられる。

【0015】

磁性体樹脂４０の中心側には貫通孔１０３が形成されている。貫通孔１０３の平面形状は、例えば、円形である。貫通孔１０１と貫通孔１０３の平面形状が共に円形である場合、両者は、例えば、同心的に設けられる。貫通孔１０３の平面形状が円形である場合、貫通孔１０３の直径は、例えば、１００～１８０μｍ程度とすることができる。

【0016】

なお、磁性体樹脂４０の上端部はコア層１０の一方の面１０ａから突出しており、磁性体樹脂４０の下端部はコア層１０の他方の面１０ｂから突出している。磁性体樹脂４０の上端部の、コア層１０の一方の面１０ａからの突出量は、金属箔２１（後述）の厚さと同程度である。磁性体樹脂４０の下端部の、コア層１０の他方の面１０ｂからの突出量は、金属箔３１（後述）の厚さと同程度である。

【0017】

配線層２０は、パッド２０Ａ及び２０Ｂを少なくとも含み、配線パターンを含んでもよい。パッド２０Ａは、少なくとも一部が磁性体樹脂４０の一方の端面上に形成されている。パッド２０Ａの平面形状は、例えば、貫通孔１０３よりも大径で貫通孔１０１よりも小径の円形である。パッド２０Ｂは、少なくとも一部がコア層１０の一方の面１０ａ上に形成されている。パッド２０Ｂの平面形状は、例えば、貫通孔１０２よりも大径の円形である。

【0018】

配線層３０は、パッド３０Ａ及び３０Ｂを少なくとも含み、配線パターンを含んでもよい。パッド３０Ａは、少なくとも一部が磁性体樹脂４０の他方の端面上に形成されている。パッド３０Ａの平面形状は、例えば、貫通孔１０３よりも大径で貫通孔１０１よりも小径の円形である。パッド３０Ｂは、少なくとも一部がコア層１０の他方の面１０ｂ上に形成されている。パッド３０Ｂの平面形状は、例えば、貫通孔１０２よりも大径の円形である。

【0019】

パッド２０Ａは、磁性体樹脂４０の一方の端面上に、第１無電解めっき膜２２ａ、第１電解めっき膜２２ｂ、第２無電解めっき膜２３ａ、第２電解めっき膜２３ｂ、第３無電解めっき膜２４ａ、第３電解めっき膜２４ｂが順次積層された積層部を含んでいる。積層部を構成する第１無電解めっき膜２２ａ、第１電解めっき膜２２ｂ、第２無電解めっき膜２３ａ、及び第２電解めっき膜２３ｂは、例えば、平面形状が円環状に形成されている。第３無電解めっき膜２４ａ及び第３電解めっき膜２４ｂは、例えば、平面形状が円形状に形成されている。

【0020】

パッド３０Ａは、磁性体樹脂４０の他方の端面上に、第１無電解めっき膜３２ａ、第１電解めっき膜３２ｂ、第２無電解めっき膜２３ａ、第２電解めっき膜２３ｂ、第３無電解めっき膜３４ａ、第３電解めっき膜３４ｂが順次積層された積層部を含んでいる。積層部を構成する第１無電解めっき膜３２ａ、第１電解めっき膜３２ｂ、第２無電解めっき膜２３ａ、及び第２電解めっき膜２３ｂは、例えば、平面形状が円環状に形成されている。第３無電解めっき膜３４ａ及び第３電解めっき膜３４ｂは、例えば、平面形状が円形状に形成されている。

【0021】

パッド２０Ａの積層部を構成する第２無電解めっき膜２３ａは、貫通孔１０３側に屈曲し、第１電解めっき膜２２ｂの端面（内壁面）及び第１無電解めっき膜２２ａの端面（内壁面）を順次被覆して貫通孔１０３内に延伸している。又、パッド２０Ａの積層部を構成する第２電解めっき膜２３ｂは、第２無電解めっき膜２３ａを被覆した状態で貫通孔１０３側に屈曲し、貫通孔１０３内に延伸している。

【0022】

貫通孔１０３内の第２無電解めっき膜２３ａは、更に延伸して第１無電解めっき膜３２ａの端面（内壁面）及び第１電解めっき膜３２ｂの端面（内壁面）を被覆する。貫通孔１０３内の第２電解めっき膜２３ｂは、第２無電解めっき膜２３ａを被覆した状態で更に延伸する。その後、第２無電解めっき膜２３ａ及び第２電解めっき膜２３ｂは、貫通孔１０３の外側であってコア層１０の他方の面１０ｂに平行な方向に屈曲し、パッド３０Ａの磁性体樹脂４０の他方の端面上の領域に至る。すなわち、パッド２０Ａは、貫通孔１０３内に形成された貫通配線である第２無電解めっき膜２３ａ及び第２電解めっき膜２３ｂを介してパッド３０Ａと電気的に接続されている。

【0023】

貫通孔１０３内において、第２無電解めっき膜２３ａは貫通孔１０３の内壁面に直接接しており、第２電解めっき膜２３ｂは第２無電解めっき膜２３ａ上に積層されている。第２電解めっき膜２３ｂの内側には貫通孔１０３よりも一回り小さい貫通孔１０４が形成され、貫通孔１０４内には絶縁樹脂５０が充填されている。絶縁樹脂５０としては、例えば、シリカ等のフィラーを含有する絶縁樹脂（例えば、エポキシ系樹脂等）を使用できる。

【0024】

積層部の第２電解めっき膜２３ｂの一方の面と絶縁樹脂５０の一方の端面とは、例えば、面一である。パッド２０Ａにおいて、第３無電解めっき膜２４ａは、積層部の第２電解めっき膜２３ｂの一方の面と絶縁樹脂５０の一方の端面を連続的に被覆し、第３無電解めっき膜２４ａ上に第３電解めっき膜２４ｂが積層されている。

【0025】

積層部の第２電解めっき膜２３ｂの他方の面と絶縁樹脂５０の他方の端面とは、例えば、面一である。パッド３０Ａにおいて、第３無電解めっき膜３４ａは、積層部の第２電解めっき膜２３ｂの他方の面と絶縁樹脂５０の他方の端面を連続的に被覆し、第３無電解めっき膜３４ａ上に第３電解めっき膜３４ｂが積層されている。

【0026】

パッド２０Ｂは、コア層１０の一方の面１０ａ上に、金属箔２１、第１無電解めっき膜２２ａ、第１電解めっき膜２２ｂ、第２無電解めっき膜２３ａ、第２電解めっき膜２３ｂ、第３無電解めっき膜２４ａ、第３電解めっき膜２４ｂが順次積層された積層部を含んでいる。積層部を構成する金属箔２１、第１無電解めっき膜２２ａ、第１電解めっき膜２２ｂ、第２無電解めっき膜２３ａ、及び第２電解めっき膜２３ｂは、例えば、平面形状が円環状に形成されている。第３無電解めっき膜２４ａ及び第３電解めっき膜２４ｂは、例えば、平面形状が円形状に形成されている。

【0027】

パッド３０Ｂは、コア層１０の他方の面１０ｂ上に、金属箔３１、第１無電解めっき膜３２ａ、第１電解めっき膜３２ｂ、第２無電解めっき膜２３ａ、第２電解めっき膜２３ｂ、第３無電解めっき膜３４ａ、第３電解めっき膜３４ｂが順次積層された積層部を含んでいる。積層部を構成する金属箔３１、第１無電解めっき膜３２ａ、第１電解めっき膜３２ｂ、第２無電解めっき膜２３ａ、及び第２電解めっき膜２３ｂは、例えば、平面形状が円環状に形成されている。第３無電解めっき膜３４ａ及び第３電解めっき膜３４ｂは、例えば、平面形状が円形状に形成されている。

【0028】

パッド２０Ｂの積層部を構成する第２無電解めっき膜２３ａは、貫通孔１０２側に屈曲し、第１電解めっき膜２２ｂの端面（内壁面）、第１無電解めっき膜２２ａの端面（内壁面）、及び金属箔２１の端面（内壁面）を順次被覆して貫通孔１０２内に延伸している。又、パッド２０Ｂの積層部を構成する第２電解めっき膜２３ｂは、第２無電解めっき膜２３ａを被覆した状態で貫通孔１０２側に屈曲し、貫通孔１０２内に延伸している。

【0029】

貫通孔１０２内の第２無電解めっき膜２３ａは、更に延伸して金属箔３１の端面（内壁面）、第１無電解めっき膜３２ａの端面（内壁面）、及び第１電解めっき膜３２ｂの端面（内壁面）を被覆する。貫通孔１０２内の第２電解めっき膜２３ｂは、第２無電解めっき膜２３ａを被覆した状態で更に延伸する。その後、第２無電解めっき膜２３ａ及び第２電解めっき膜２３ｂは、貫通孔１０２の外側であってコア層１０の他方の面１０ｂに平行な方向に屈曲し、パッド３０Ｂのコア層１０の他方の面１０ｂ上の領域に至る。すなわち、パッド２０Ｂは、貫通孔１０２内に形成された貫通配線である第２無電解めっき膜２３ａ及び第２電解めっき膜２３ｂを介してパッド３０Ｂと電気的に接続されている。

【0030】

貫通孔１０２内において、第２無電解めっき膜２３ａは貫通孔１０２の内壁面に直接接しており、第２電解めっき膜２３ｂは第２無電解めっき膜２３ａ上に積層されている。第２電解めっき膜２３ｂの内側には貫通孔１０２よりも一回り小さい貫通孔１０５が形成され、貫通孔１０５内には絶縁樹脂５０が充填されている。

【0031】

積層部の第２電解めっき膜２３ｂの一方の面と絶縁樹脂５０の一方の端面とは、例えば、面一である。パッド２０Ｂにおいて、第３無電解めっき膜２４ａは、積層部の第２電解めっき膜２３ｂの一方の面と絶縁樹脂５０の一方の端面を連続的に被覆し、第３無電解めっき膜２４ａ上に第３電解めっき膜２４ｂが積層されている。

【0032】

積層部の第２電解めっき膜２３ｂの他方の面と絶縁樹脂５０の他方の端面とは、例えば、面一である。パッド３０Ｂにおいて、第３無電解めっき膜３４ａは、積層部の第２電解めっき膜２３ｂの他方の面と絶縁樹脂５０の他方の端面を連続的に被覆し、第３無電解めっき膜３４ａ上に第３電解めっき膜３４ｂが積層されている。

【0033】

金属箔２１及び３１、第１無電解めっき膜２２ａ及び３２ａ、第１電解めっき膜２２ｂ及び３２ｂ、第２無電解めっき膜２３ａ、第２電解めっき膜２３ｂ、第３無電解めっき膜２４ａ及び３４ａ、並びに第３電解めっき膜２４ｂ及び３４ｂの材料は、例えば、銅や銅合金であるが、ニッケル等の他の金属を用いてもよい。

【0034】

金属箔２１及び３１の厚さは、例えば、６～１８μｍ程度である。第１無電解めっき膜２２ａ及び３２ａの厚さは、例えば、０．５～３μｍ程度である。第１電解めっき膜２２ｂ及び３２ｂの厚さは、例えば、３～１４μｍ程度である。なお、第１電解めっき膜２２ｂ及び３２ｂの厚さを３μｍ以上とすることで、第１電解めっき膜２２ｂ及び３２ｂが磁性体樹脂４０から剥がれるおそれを低減できる。

【0035】

第２無電解めっき膜２３ａの厚さは、例えば、０．５～３μｍ程度である。第２電解めっき膜２３ｂの厚さは、例えば、２～４０μｍ程度である。第３無電解めっき膜２４ａ及び３４ａの厚さは、例えば、０．５～３μｍ程度である。第３電解めっき膜２４ｂ及び３４ｂの厚さは、例えば、６～２４μｍ程度である。なお、第３電解めっき膜２４ｂ及び３４ｂの厚さを６μｍ以上とすることで、上層となる絶縁層にレーザでビアホール（例えば、後述の図１３のビアホール６１ｘや７１ｘ）を設ける際に、レーザが第３電解めっき膜２４ｂ及び３４ｂを貫通するおそれを低減できる。

【0036】

パッド２０Ａ及び３０Ａの厚さは、例えば、ｔ１であり、パッド２０Ｂ及び３０Ｂの厚さは、例えば、ｔ２である。パッド２０Ｂ及び３０Ｂの厚さｔ２は、金属箔２１及び３１の厚さ分（例えば、６～１８μｍ程度）だけ、パッド２０Ａ及び３０Ａの厚さｔ１よりも厚い。

【0037】

このように、パッド２０Ｂ及び３０Ｂの厚さｔ２を厚くすることで、高温時の絶縁樹脂５０の膨張による応力を緩和し、応力に対する耐久性を向上できる。すなわち、厚さ方向では、コア層１０の膨張よりも絶縁樹脂５０の膨張のほうが大きいため、それぞれの膨張差による圧力及びクラックをパッド２０Ｂ及び３０Ｂの厚さｔ２を厚くすることで抑制できる。これにより、パッド２０Ｂ及び３０Ｂのオープン不良や信頼性低下を防止できる。

【0038】

なお、パッド２０Ａ及び３０Ａについては、コア層１０と絶縁樹脂５０の膨張差を磁性体樹脂４０で緩和できるため、パッド２０Ａ及び３０Ａの厚さｔ１がパッド２０Ｂ及び３０Ｂの厚さｔ２より薄くても、パッド２０Ａ及び３０Ａの信頼性は十分に高い。

【0039】

このように、配線基板１は、磁性体樹脂４０に形成された貫通孔１０３の内壁面を被覆するめっき膜を有し、貫通孔１０３の内壁面を被覆するめっき膜は、無電解めっき膜及び電解めっき膜を含む。そして、無電解めっき膜が貫通孔１０３の内壁面に直接接している。具体的には、貫通孔１０３内に形成された第２無電解めっき膜２３ａ及び第２電解めっき膜２３ｂが貫通配線を構成するが、このうち貫通孔１０３の内壁面に直接接しているのは第２無電解めっき膜２３ａである。この構造では、第２無電解めっき膜２３ａを貫通孔１０３の内壁面に高い信頼性で形成でき、更に、第２無電解めっき膜２３ａ上に比較的厚い第２電解めっき膜２３ｂを形成できる。又、この構造では、コア層１０が厚い場合でも、貫通孔１０３の厚さ方向の中央付近の第２電解めっき膜２３ｂを十分な厚さに形成できるため、貫通孔１０３内に信頼性の高い貫通配線を形成できる。例えば、貫通孔１０３内における第２電解めっき膜２３ｂの断線を防止できる。

【0040】

貫通孔１０３内に位置する第２電解めっき膜２３ｂの厚さは、積層部の第２電解めっき膜２３ｂの厚さより厚くすることができる。これにより、貫通孔１０３内に形成された貫通配線の信頼性を向上できる。更に、積層部の厚さを薄くできることで、配線層２０及び配線層３０の微細化を図れる。また、貫通孔１０３内に形成された貫通配線の信頼性を向上するために、貫通孔１０３内の第２電解めっき膜２３ｂの厚さを、第１電解めっき膜２２ｂ及び３２ｂの厚さ、並びに第３電解めっき膜２４ｂ及び３４ｂの厚さよりも厚くしても良い。

【0041】

［配線基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２～図８は、第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、ここでは、１つの配線基板を作製する工程の例を示すが、配線基板となる複数の部分を作製し、その後個片化して各配線基板とする工程としてもよい。

【0042】

まず、図２（ａ）に示す工程では、例えば、所謂ガラスエポキシ基板等であるコア層１０の一方の面１０ａに金属箔２１が形成され、他方の面１０ｂに金属箔３１が形成された積層板を準備する。金属箔２１及び３１は、この時点ではパターニングされていないプレーン状の銅箔等である。

【0043】

次に、図２（ｂ）に示す工程では、金属箔２１、コア層１０、及び金属箔３１を貫通する貫通孔１０１を形成する。貫通孔１０１の平面形状は、例えば、円形である。貫通孔１０１は、例えば、レーザ加工法やドリル加工法等により形成できる。貫通孔１０１を形成後、必要に応じてデスミア処理を行い、貫通孔１０１の内壁面に付着したコア層１０に含まれる樹脂の残渣を除去する。デスミア処理の一例としては、過マンガン酸カリウム溶液による処理が挙げられる。

【0044】

次に、図３（ａ）に示す工程では、貫通孔１０１を内に磁性体樹脂４０を充填する。磁性体樹脂４０は、例えば、スクリーン印刷法等により充填できる。磁性体樹脂４０は、例えば、金属箔２１の上面及び金属箔３１の下面から突出するように充填される。磁性体樹脂４０の材料については、前述のとおりである。

【0045】

次に、図３（ｂ）に示す工程では、金属箔２１の上面及び金属箔３１の下面から突出する磁性体樹脂４０を研磨する。磁性体樹脂４０は、例えば、バフ研磨やロール研磨等により研磨できる。磁性体樹脂４０の一方の端面は、例えば、金属箔２１の上面と面一となり、磁性体樹脂４０の他方の端面は、例えば、金属箔３１の下面と面一となる。

【0046】

次に、図４（ａ）に示す工程では、無電解めっき法により、金属箔２１の上面及び磁性体樹脂４０の一方の端面を連続的に被覆する第１無電解めっき膜２２ａを形成する。そして、第１無電解めっき膜２２ａを給電層に利用した電解めっき法により、第１無電解めっき膜２２ａに第１電解めっき膜２２ｂを積層する。同様に、無電解めっき法により、金属箔３１の下面及び磁性体樹脂４０の他方の端面を連続的に被覆する第１無電解めっき膜３２ａを形成する。そして、第１無電解めっき膜３２ａを給電層に利用した電解めっき法により、第１無電解めっき膜３２ａに第１電解めっき膜３２ｂを積層する。第１無電解めっき膜２２ａ及び３２ａ、第１電解めっき膜２２ｂ及び３２ｂの材料や厚さは前述のとおりである。

【0047】

次に、図４（ｂ）に示す工程では、第１電解めっき膜２２ｂ、第１無電解めっき膜２２ａ、金属箔２１、コア層１０、金属箔３１、第１無電解めっき膜３２ａ、及び第１電解めっき膜３２ｂを貫通する貫通孔１０２を形成する。貫通孔１０２の平面形状は、例えば、円形である。貫通孔１０２は、例えば、レーザ加工法やドリル加工法等により形成できる。貫通孔１０２を形成後、必要に応じてデスミア処理を行い、貫通孔１０２の内壁面に付着したコア層１０に含まれる樹脂の残渣を除去する。

【0048】

次に、図５（ａ）に示す工程では、第１電解めっき膜２２ｂ、第１無電解めっき膜２２ａ、磁性体樹脂４０、第１無電解めっき膜３２ａ、及び第１電解めっき膜３２ｂを貫通する貫通孔１０３を形成する。貫通孔１０３の平面形状は、例えば、円形である。貫通孔１０３は、例えば、レーザ加工法やドリル加工法等により形成できる。貫通孔１０３を形成後、必要に応じて水洗を行い、貫通孔１０３の内壁面に付着した磁性体樹脂４０の残渣を除去する。

【0049】

次に、図５（ｂ）に示す工程では、無電解めっき法により、第１電解めっき膜２２ｂの上面、貫通孔１０２及び１０３の内壁面、及び第１電解めっき膜３２ｂの下面を被覆する第２無電解めっき膜２３ａを形成する。第２無電解めっき膜２３ａは、貫通孔１０２及び１０３の内壁面に直接接する。次に、第２無電解めっき膜２３ａを給電層に利用した電解めっき法により、第２無電解めっき膜２３ａに第２電解めっき膜２３ｂを積層する。第２無電解めっき膜２３ａ及び第２電解めっき膜２３ｂの材料や厚さは前述のとおりである。貫通孔１０３内の第２電解めっき膜２３ｂの内側には貫通孔１０３よりも一回り小さい貫通孔１０４が形成され、貫通孔１０２内の第２電解めっき膜２３ｂの内側には貫通孔１０２よりも一回り小さい貫通孔１０５が形成される。

【0050】

次に、図６（ａ）に示す工程では、貫通孔１０４及び１０５に絶縁樹脂５０を充填する。絶縁樹脂５０は、例えば、スクリーン印刷法等により充填できる。絶縁樹脂５０は、例えば、コア層１０の一方の面１０ａ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの上面及びコア層１０の他方の面１０ｂ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの下面から突出するように充填される。絶縁樹脂５０の材料については、前述のとおりである。

【0051】

次に、図６（ｂ）に示す工程では、コア層１０の一方の面１０ａ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの上面及びコア層１０の他方の面１０ｂ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの下面から突出する絶縁樹脂５０を研磨する。絶縁樹脂５０は、例えば、バフ研磨やロール研磨等により研磨できる。絶縁樹脂５０の上端面は、例えば、コア層１０の一方の面１０ａ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの上面と面一となり、絶縁樹脂５０の下端面は、例えば、コア層１０の他方の面１０ｂ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの下面と面一となる。研磨後、必要に応じてデスミア処理を行い、絶縁樹脂５０の上端面、コア層１０の一方の面１０ａ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの上面、絶縁樹脂５０の下端面、及びコア層１０の他方の面１０ｂ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの下面に付着した絶縁樹脂５０の残渣を除去する。

【0052】

次に、図７（ａ）に示す工程では、無電解めっき法により、コア層１０の一方の面１０ａ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの上面、及び絶縁樹脂５０の上端面を連続的に被覆する第３無電解めっき膜２４ａを形成する。そして、第３無電解めっき膜２４ａを給電層に利用した電解めっき法により、第３無電解めっき膜２４ａに第３電解めっき膜２４ｂを積層する。同様に、無電解めっき法により、コア層１０の他方の面１０ｂ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの下面、及び絶縁樹脂５０の下端面を連続的に被覆する第３無電解めっき膜３４ａを形成する。そして、第３無電解めっき膜３４ａを給電層に利用した電解めっき法により、第３無電解めっき膜３４ａに第３電解めっき膜３４ｂを積層する。第３無電解めっき膜２４ａ及び３４ａ、第３電解めっき膜２４ｂ及び３４ｂの材料や厚さは前述のとおりである。

【0053】

次に、図７（ｂ）に示す工程では、第３電解めっき膜２４ｂの上面に、パッド２０Ａ及び２０Ｂを含む配線層２０を形成する領域を被覆するエッチングレジストパターン３１０を形成する。又、第３電解めっき膜３４ｂの下面に、パッド３０Ａ及び３０Ｂを含む配線層３０を形成する領域を被覆するエッチングレジストパターン３２０を形成する。エッチングレジストパターン３１０及び３２０の材料は、所望の解像性を有し、耐エッチング性を有する材料であれば特に限定されない。

【0054】

磁性体樹脂４０の平面形状が円形である場合、パッド２０Ａ及び３０Ａを形成する領域のエッチングレジストパターン３１０及び３２０は、例えば、磁性体樹脂４０よりも小径かつ絶縁樹脂５０よりも大径の円形状で、少なくとも絶縁樹脂５０と平面視で重複する位置に形成される。又、絶縁樹脂５０の平面形状が円形である場合、パッド２０Ｂ及び３０Ｂを形成する領域のエッチングレジストパターン３１０及び３２０は、例えば、絶縁樹脂５０よりも大径の円形状で、少なくとも絶縁樹脂５０と平面視で重複する位置に形成される。

【0055】

次に、図８に示す工程では、エッチングレジストパターン３１０をマスクにして、金属箔２１、第１無電解めっき膜２２ａ、第１電解めっき膜２２ｂ、コア層１０の一方の面１０ａ側に位置する第２無電解めっき膜２３ａ及び第２電解めっき膜２３ｂ、第３無電解めっき膜２４ａ、並びに第３電解めっき膜２４ｂをウエットエッチングにより除去する。又、エッチングレジストパターン３２０をマスクにして、金属箔３１、第１無電解めっき膜３２ａ、第１電解めっき膜３２ｂ、コア層１０の他方の面１０ｂ側に位置する第２無電解めっき膜２３ａ及び第２電解めっき膜２３ｂ、第３無電解めっき膜３４ａ、並びに第３電解めっき膜３４ｂをウエットエッチングにより除去する。これにより、パッド２０Ａ及び２０Ｂを含む配線層２０、並びにパッド３０Ａ及び３０Ｂを含む配線層３０が形成される。各無電解めっき膜及び各電解めっき膜の材料として銅や銅合金を用いた場合には、エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液を使用できる。その後、エッチングレジストパターン３１０及び３２０を除去することで、図１に示す配線基板１が完成する。

【0056】

なお、磁性体樹脂４０が過マンガン酸カリウム溶液等のアルカリ性薬剤に晒されると磁性粒子の脱落が生じ、インダクタンスの低下が生じる。しかし、本実施形態に係る製造方法では、磁性体樹脂４０がめっき膜で被覆された状態でアルカリ性薬剤による処理を行うため、このようなおそれがない。

【0057】

〈第１実施形態の変形例１〉
第１実施形態の変形例１では、磁性体樹脂を貫通する複数の貫通孔を設ける例を示す。なお、第１実施形態の変形例１において、既に説明した実施形態と同一構成部品についての説明は省略する場合がある。

【0058】

図９は、第１実施形態の変形例１に係る配線基板を例示する図であり、図９（ａ）は部分断面図、図９（ｂ）は図９（ａ）の磁性体樹脂近傍の部分平面図である。図９を参照すると、配線基板１Ａは、磁性体樹脂４０に、磁性体樹脂４０を貫通する３つの貫通孔１０３が設けられた点が、配線基板１（図１参照）と相違する。但し、磁性体樹脂４０を貫通する貫通孔１０３は、２つ設けてもよいし、４つ以上設けてもよい。

【0059】

配線基板１Ａでは、平面視において、例えば円形の磁性体樹脂４０に、３つの貫通孔１０３が、磁性体樹脂４０の中心に対して点対称に配置されている。各々の貫通孔１０３内の配線構造やパッド２０Ａの配線構造については、配線基板１の場合と同様である。

【0060】

このように、磁性体樹脂４０を貫通する複数の貫通孔１０３を設けてもよい。この場合も、各々の貫通孔１０３の内壁面に直接接しているのは第２無電解めっき膜２３ａである。その結果、配線基板１の場合と同様に、各々の貫通孔１０３内に信頼性の高い貫通配線を形成できる。

【0061】

又、磁性体樹脂４０の体積増加と磁性体樹脂４０を貫通する貫通配線の数の増加により、電気特性（インダクタンス）が向上する。

【0062】

〈第１実施形態の変形例２〉
第１実施形態の変形例２では、コア層から突出する磁性体樹脂の外周面を被覆するようにパッドを形成する例を示す。なお、第１実施形態の変形例２において、既に説明した実施形態と同一構成部品についての説明は省略する場合がある。

【0063】

図１０は、第１実施形態の変形例２に係る配線基板を例示する部分断面図である。図１０を参照すると、配線基板１Ｂは、パッド２０Ａ及び３０Ａがパッド２０Ｃ及び３０Ｃに置換された点が、配線基板１（図１参照）と相違する。

【0064】

パッド２０Ｃは、コア層１０の一方の面１０ａから突出する磁性体樹脂４０の外周面に接する円環状の金属箔２１を含む点が、パッド２０Ａと相違する。金属箔２１の上面と磁性体樹脂４０の一方の端面とは、例えば、面一である。第１無電解めっき膜２２ａ、第１電解めっき膜２２ｂ、第２無電解めっき膜２３ａ、第２電解めっき膜２３ｂ、第３無電解めっき膜２４ａ、及び第３電解めっき膜２４ｂは、金属箔２１の上面の上側まで拡径している。

【0065】

パッド３０Ｃは、コア層１０の他方の面１０ｂから突出する磁性体樹脂４０の外周面に接する円環状の金属箔３１を含む点が、パッド３０Ａと相違する。金属箔３１の下面と磁性体樹脂４０の他方の端面とは、例えば、面一である。第１無電解めっき膜３２ａ、第１電解めっき膜３２ｂ、第２無電解めっき膜２３ａ、第２電解めっき膜２３ｂ、第３無電解めっき膜３４ａ、及び第３電解めっき膜３４ｂは、金属箔３１の下面の下側まで拡径している。

【0066】

例えば、平面形状が円形のパッド２０Ｃ及び３０Ｃを形成するには、図７（ｂ）の工程において、エッチングレジストパターン３１０及び３２０を磁性体樹脂４０よりも大径の円形状とし、少なくとも磁性体樹脂４０と平面視で重複する位置に形成すればよい。

【0067】

このように、コア層１０から突出する磁性体樹脂４０の外周面を被覆するパッド２０Ｃ及び３０Ｃを形成してもよい。この場合も、貫通孔１０３の内壁面に直接接しているのは第２無電解めっき膜２３ａである。その結果、配線基板１の場合と同様に、貫通孔１０３内に信頼性の高い貫通配線を形成できる。

【0068】

又、磁性体樹脂４０がアルカリ性薬剤に晒されると磁性粒子の脱落が生じ、インダクタンスの低下が生じる。この例では、 配線パターン形成後でも磁性体樹脂４０の露出がないため、磁性体樹脂４０のアルカリ性薬剤等によるダメージを防止できる。

【0069】

〈第１実施形態の変形例３〉
第１実施形態の変形例３では、配線層を薄化する例を示す。なお、第１実施形態の変形例３において、既に説明した実施形態と同一構成部品についての説明は省略する場合がある。

【0070】

図１１は、第１実施形態の変形例３に係る配線基板を例示する部分断面図である。図１１を参照すると、配線基板１Ｃは、パッド２０Ａ及び３０Ａがパッド２０Ｄ及び３０Ｄに置換され、パッド２０Ｂ及び３０Ｂがパッド２０Ｅ及び３０Ｅに置換された点が、配線基板１（図１参照）と相違する。

【0071】

パッド２０Ｄ及び３０Ｄでは、積層部の第２電解めっき膜２３ｂの厚さは、貫通孔１０３内に位置する第２電解めっき膜２３ｂの厚さよりも薄い。パッド２０Ｄ及び３０Ｄでは、積層部の第２電解めっき膜２３ｂの厚さは、第１電解めっき膜２２ｂ及び３２ｂの厚さ、並びに第３電解めっき膜２４ｂ及び３４ｂの厚さよりも薄いことが好ましい。パッド２０Ｄ及び３０Ｄでは、貫通孔１０３内に位置する第２電解めっき膜２３ｂの厚さは、第１電解めっき膜２２ｂ及び３２ｂの厚さ、並びに第３電解めっき膜２４ｂ及び３４ｂの厚さよりも厚いことが好ましい。

【0072】

又、パッド２０Ｅ及び３０Ｅでは、積層部の第２電解めっき膜２３ｂの厚さは、貫通孔１０２内に位置する第２電解めっき膜２３ｂの厚さよりも薄い。パッド２０Ｅ及び３０Ｅでは、積層部の第２電解めっき膜２３ｂの厚さは、第１電解めっき膜２２ｂ及び３２ｂの厚さ、並びに第３電解めっき膜２４ｂ及び３４ｂの厚さよりも薄いことが好ましい。パッド２０Ｅ及び３０Ｅでは、貫通孔１０２内に位置する第２電解めっき膜２３ｂの厚さは、第１電解めっき膜２２ｂ及び３２ｂの厚さ、並びに第３電解めっき膜２４ｂ及び３４ｂの厚さよりも厚いことが好ましい。

【0073】

積層部の第２電解めっき膜２３ｂの厚さを、貫通孔内に位置する第２電解めっき膜２３ｂの厚さよりも薄く形成するには、第１実施形態で示した図６（ｂ）に示す工程に代えて図１２に示す工程を実行すればよい。

【0074】

図１２に示す工程では、コア層１０の一方の面１０ａ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの上面及びコア層１０の他方の面１０ｂ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの下面から突出する絶縁樹脂５０を研磨する。そして、絶縁樹脂５０の上端面がコア層１０の一方の面１０ａ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの上面と面一となり、絶縁樹脂５０の下端面がコア層１０の他方の面１０ｂ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの下面と面一となった後も研磨を継続する。

【0075】

そして、コア層１０の一方の面１０ａ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂ、及びコア層１０の他方の面１０ｂ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂが所望の厚さになったら研磨を終了する。研磨後、必要に応じてデスミア処理を行い、絶縁樹脂５０の上端面、コア層１０の一方の面１０ａ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの上面、絶縁樹脂５０の下端面、及びコア層１０の他方の面１０ｂ側に位置する第２電解めっき膜２３ｂの下面に付着した絶縁樹脂５０の残渣を除去する。

【0076】

配線基板１Ｃでは、上記のような構造により、貫通孔１０３の内壁面に形成された第２電解めっき膜２３ｂの厚さを確保しつつ、パッド２０Ｄ、２０Ｅ、３０Ｄ、及び３０Ｅを含む配線層２０及び３０を薄化できる。その結果、貫通孔１０３内に信頼性の高い貫通配線を形成できると共に、配線層２０及び３０を薄化することで配線層２０及び３０の微細化を図れる。

【0077】

〈応用例１〉
応用例１では、配線基板１を含む多層配線基板の例を示す。なお、応用例１において、既に説明した実施形態と同一構成部品についての説明は省略する場合がある。

【0078】

図１３は、応用例１に係る多層配線基板を例示する断面図である。図１３を参照すると、多層配線基板２は、配線基板１と、配線基板１のコア層１０の一方の面１０ａに順次積層された、絶縁層６１、配線層６２、絶縁層６３、配線層６４、及びソルダーレジスト層６５と、コア層１０の他方の面１０ｂに順次積層された、絶縁層７１、配線層７２、絶縁層７３、配線層７４、及びソルダーレジスト層７５とを有している。

【0079】

絶縁層６１は、コア層１０の一方の面１０ａに配線層２０を覆うように形成されている。絶縁層６１の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層６１の厚さは、例えば３０～４０μｍ程度とすることができる。絶縁層６１は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有することができる。

【0080】

配線層６２は、絶縁層６１の一方の側に形成されている。配線層６２は、絶縁層６１を貫通し配線層２０の上面を露出するビアホール６１ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層６１の上面に形成された配線パターンを含んでいる。配線層６２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層２０と電気的に接続されている。ビアホール６１ｘは、例えば、絶縁層６３側に開口されている開口部の径が配線層２０の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層６２の材料は、例えば、銅等である。

【0081】

絶縁層６３は、絶縁層６１の上面に配線層６２を覆うように形成されている。絶縁層６３の材料や厚さは、例えば、絶縁層６１と同様である。絶縁層６３は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有することができる。

【0082】

配線層６４は、絶縁層６３の一方の側に形成されている。配線層６４は、絶縁層６３を貫通し配線層６２の上面を露出するビアホール６３ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層６３の上面に形成された配線パターンを含んでいる。配線層６４の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層６２と電気的に接続されている。ビアホール６３ｘは、例えば、ソルダーレジスト層６５側に開口されている開口部の径が配線層６２の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層６４の材料は、例えば、銅等である。

【0083】

ソルダーレジスト層６５は、多層配線基板２の一方の側の最外層であり、絶縁層６３の上面に、配線層６４を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層６５は、例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の感光性樹脂等から形成することができる。ソルダーレジスト層６５の厚さは、例えば１５～３５μｍ程度とすることができる。

【0084】

ソルダーレジスト層６５は、開口部６５ｘを有し、開口部６５ｘの底部には配線層６４の上面の一部が露出している。開口部６５ｘの平面形状は、例えば、円形である。必要に応じ、開口部６５ｘ内に露出する配線層６４の上面に金属層を形成したり、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施したりしてもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。

【0085】

開口部６５ｘの底部に露出する配線層６４の上面には、外部接続端子６６が形成されている。外部接続端子６６は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。外部接続端子６６は、半導体チップと電気的に接続するための端子となる。

【0086】

絶縁層７１は、コア層１０の他方の面１０ｂに配線層３０を覆うように形成されている。絶縁層７１の材料や厚さは、例えば、絶縁層６１と同様である。絶縁層７１は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有することができる。

【0087】

配線層７２は、絶縁層７１の他方の側に形成されている。配線層７２は、絶縁層７１を貫通し配線層３０の下面を露出するビアホール７１ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層７１の下面に形成された配線パターンを含んでいる。配線層７２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層３０と電気的に接続されている。ビアホール７１ｘは、例えば、絶縁層７３側に開口されている開口部の径が配線層３０の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部である。配線層７２の材料は、例えば、銅等である。

【0088】

絶縁層７３は、絶縁層７１の下面に配線層７２を覆うように形成されている。絶縁層７３の材料や厚さは、例えば、絶縁層６１と同様である。絶縁層７３は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有することができる。

【0089】

配線層７４は、絶縁層７３の他方の側に形成されている。配線層７４は、絶縁層７３を貫通し配線層７２の下面を露出するビアホール７３ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層７３の下面に形成された配線パターンを含んでいる。配線層７４の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層７２と電気的に接続されている。ビアホール７３ｘは、例えば、ソルダーレジスト層７５側に開口されている開口部の径が配線層７２の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部である。配線層７４の材料は、例えば、銅等である。

【0090】

ソルダーレジスト層７５は、多層配線基板２の他方の側の最外層であり、絶縁層７３の下面に、配線層７４を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層７５の材料や厚さは、例えば、ソルダーレジスト層６５と同様である。

【0091】

ソルダーレジスト層７５は、開口部７５ｘを有し、開口部７５ｘ内には配線層７４の下面の一部が露出している。開口部７５ｘの平面形状は、例えば、円形とすることができる。開口部７５ｘ内に露出する配線層７４は、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続するためのパッドとして用いることができる。必要に応じ、開口部７５ｘ内に露出する配線層７４の下面に前述の金属層を形成したり、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施したりしてもよい。

【0092】

このように、第１実施形態に係る配線基板１を用いて、多層配線基板２を作製することができる。配線基板１に代えて、配線基板１Ａ、１Ｂ、又は１Ｃを用いてもよい。

【0093】

〈応用例２〉
応用例２では、応用例１の多層配線基板に半導体チップが搭載（フリップチップ実装）された半導体パッケージの例を示す。なお、応用例２において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0094】

図１４は、応用例２に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図１４を参照するに、半導体パッケージ３は、図１３に示す多層配線基板２と、半導体チップ１００と、バンプ１３０と、アンダーフィル樹脂１４０とを有する。半導体パッケージ３において、多層配線基板２のソルダーレジスト層６５側は半導体チップ１００が搭載される半導体チップ搭載面となり、多層配線基板２のソルダーレジスト層７５側は外部接続端子が形成される外部接続面となる。

【0095】

半導体チップ１００は、例えば、シリコン等からなる薄板化された半導体基板１１０上に半導体集積回路（図示せず）等が形成されたものである。半導体基板１１０には、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続された電極パッド１２０が形成されている。

【0096】

バンプ１３０は、半導体チップ１００の電極パッド１２０と、多層配線基板２の外部接続端子６６とを電気的に接続している。バンプ１３０は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。アンダーフィル樹脂１４０は、半導体チップ１００と多層配線基板２のソルダーレジスト層６５との間に充填されている。

【0097】

このように、多層配線基板２に半導体チップ１００を搭載することにより、半導体パッケージ３を実現できる。

【0098】

以上、好ましい実施形態について詳説したが、上述した実施形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0099】

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 配線基板
２ 多層配線基板
３ 半導体パッケージ
１０ コア層
１０ａ 一方の面
１０ｂ 他方の面
２０、３０、６２、６４、７２、７４ 配線層
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ、３０Ｅ パッド
２２ａ、３２ａ 第１無電解めっき膜
２２ｂ、３２ｂ 第１電解めっき膜
２３ａ 第２無電解めっき膜
２３ｂ 第２電解めっき膜
２４ａ、３４ａ 第３無電解めっき膜
２４ｂ、３４ｂ 第３電解めっき膜
４０ 磁性体樹脂
５０ 絶縁樹脂
６１、６３、７１、７３ 絶縁層
６１ｘ、６３ｘ、７１ｘ、７３ｘ ビアホール
６５、７５ ソルダーレジスト層
６５ｘ、７５ｘ 開口部
６６ 外部接続端子
１００ 半導体チップ
１０１、１０２、１０３、１０４、１０５ 貫通孔
１１０ 半導体基板
１２０電極パッド
１３０ バンプ
１４０ アンダーフィル樹脂

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】