特開 2022-43361 検査装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022043361

(43)【公開日】2022-03-16

(54)【発明の名称】検査装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20220309BHJP

   G01N 21/956 20060101ALN20220309BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 J

H01L21/66 Z

G01N21/956 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2018209474

(22)【出願日】2018-11-07

(71)【出願人】

【識別番号】501387839

【氏名又は名称】株式会社日立ハイテク

(74)【代理人】

【識別番号】110002572

【氏名又は名称】特許業務法人平木国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 良広

(72)【発明者】

【氏名】増田 俊夫

(72)【発明者】

【氏名】松野 均

(72)【発明者】

【氏名】芝山 慧

(72)【発明者】

【氏名】吉村 修

(72)【発明者】

【氏名】飯島 雄一郎

【テーマコード（参考）】

2G051

4M106

【Ｆターム（参考）】

2G051AA51

2G051DA01

2G051DA08

2G051DA17

4M106AA01

4M106CA38

4M106DB30

4M106DH47

4M106DJ01

(57)【要約】      （修正有）

【課題】清浄な空気を検査室に対して供給する検査装置において、基板周辺の清浄な空気流を基板の下方へ確実に向かわせることが可能な検査装置を提供する。
【解決手段】検査室１００において、基板２０を載置するステージ１２０の上面の一部を覆うとともに、気体供給部１１０とステージとの間に配置され基板へ向かう気流を遮断する、整流板１４０を備える。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ステージに載置されている基板を検査する検査装置であって、
前記ステージを配置している検査室の内部に対して前記ステージの側方から気体の流れを供給する気体供給部、
前記気体を前記検査室から排出する排出部、
前記気体の流れを整流する整流板、
を備え、
前記整流板は、前記ステージの上面の一部を覆う第１部位を有しており、
前記整流板は、前記気体供給部が前記気体を噴射する供給口と前記ステージとの間に配置されることにより、前記気体供給部が供給する前記気体の流れが前記基板に対して直接当たらないようにする、第２部位を有しており、
前記第１部位と前記第２部位は、前記整流板の連続する部位として形成されており、
前記整流板は、前記第１部位と前記ステージの上面との間に第１空間が形成される位置に配置されており、
前記整流板は、前記第２部位と前記ステージとの間に第２空間が形成される位置に配置されている
ことを特徴とする検査装置。

【請求項2】

前記整流板は、屈折または湾曲する形状によって前記第１部位と前記第２部位が形成されることにより、前記第１部位が前記ステージの上面の一部を覆うとともに、前記第２部位が前記ステージの側方を前記気体の流れから覆うように形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の検査装置。

【請求項3】

前記整流板は、平板が鈍角に屈折することにより前記第１部位と前記第２部位が形成された形状を有する
ことを特徴とする請求項２記載の検査装置。

【請求項4】

前記整流板は、前記第１部位が前記ステージの上面に対して平行ではない傾斜角を有するように配置されている
ことを特徴とする請求項３記載の検査装置。

【請求項5】

前記整流板は、前記第２部位が前記ステージの法線方向に対して平行ではない傾斜角を有するように配置されている
ことを特徴とする請求項３記載の検査装置。

【請求項6】

前記整流板は、アーチ状に湾曲することにより前記第１部位と前記第２部位が形成された形状を有する
ことを特徴とする請求項２記載の検査装置。

【請求項7】

前記整流板は、前記第１部位と前記ステージの上面との間の距離が、前記ステージの上面の中心から外周に向かって次第に小さくなる形状に形成されている
ことを特徴とする請求項６記載の検査装置。

【請求項8】

前記整流板は、前記第２部位と前記ステージとの間の距離が、前記ステージの下方に向かうほど次第に大きくなる形状に形成されている
ことを特徴とする請求項６記載の検査装置。

【請求項9】

前記ステージは、前記検査室の外から前記基板を受け取る受け取り位置と、前記基板を検査する検査位置との間で、前記基板を相互に移動させることができるように構成されており、
前記整流板は、前記受け取り位置から前記検査位置まで延伸している
ことを特徴とする請求項１記載の検査装置。

【請求項10】

前記整流板は、前記気体が前記供給口から前記ステージの上面へ向かって通過する開口部を有し、
前記開口部は、前記ステージの上面に対して投影したとき、前記基板を検査する検査位置において、前記ステージと重なる領域をもつような円形形状を有する
ことを特徴とする請求項１記載の検査装置。

【請求項11】

前記整流板は、前記気体が前記供給口から前記ステージの上面へ向かって通過する開口部を有し、
前記開口部は、前記ステージの上面に対して投影したとき、前記検査室の外から前記基板を受け取る受け取り位置から前記基板を検査する検査位置まで延伸し、それぞれの位置において前記ステージと重なる領域をもつような円形形状を有する
ことを特徴とする請求項１記載の検査装置。

【請求項12】

前記整流板は、前記気体供給部が供給する前記気体の流れを、前記第１部位の上方、前記ステージの上面、前記第１空間、前記第２空間、の順に導くように構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の検査装置。

【請求項13】

ステージに載置された被検査基板を検査する検査装置において、
清浄な気体を装置内に平行流を側方から供給する供給手段と、
前記気体を排出する排出部と、
前記ステージを回転駆動する回転駆動手段と、
前記清浄な気体を整流する整流板と、
を備え、
前記整流板は被検査基板に対向する第１の面と、第１の面に連続で非平行な第２の面を有し、
前記被検査基板と前記整流板における第１の面との間に空間を有し、
前記清浄な空気が前記第２の面、前記空間、前記第１の面の順に通過をして、前記排出部に流入するように配置される、
検査装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板を検査する検査装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体製造工程においては、基板（半導体ウエハ）上に異物が存在すると、配線の絶縁不良や短絡等の不良の原因となる。これらの異物は、搬送装置等の可動部から発生するものや、人体から発生するもの、プロセスガスにより処理装置内で反応生成されたもの、薬品や材料の混入していたもの等種々の状態で混入される。磁気ディスクや液晶表示素子の製造工程においても同様であり、発生した異物の基板（磁気ディスク、又は液晶表示素子）への付着は不良の原因となる。

【0003】

そこで、製造工程においては表面検査装置を用いて基板表面の異物を検出し、管理することにより、各製造装置の発塵状況や各工程の清浄度などを監視・制御し、製品の品質低下や歩留り低下等の抑制を図っている。しかし、そのような表面検査装置においても、可動部等からの異物の発生は皆無ではなく、他の工程と同様に検査対象の基板（被検査基板）への異物の付着が懸念される。

【0004】

検査装置の清浄技術に関する先行技術としては、主に特許文献１と２があげられる。
特許文献１は、基板の表面状態を検査する表面検査装置について記載している。同文献は、『検出感度の校正を容易に行うことができる表面検査装置及びその校正方法を提供する。』ことを課題として、『ケース１５内の検出ユニット１４内に設けられたウエハチャック７に載置されたウエハ１を高速回転することにより検査する表面検査装置において、ＦＦＵ３により検出ユニット１４内のウエハ１周辺に清浄な空気を供給し、ウエハチャック７の下方に設けた排気口により検出ユニット１４内の空気を排出することにより、ウエハチャック７の下方に設けられ回転機構４によって、ウエハチャック７及びウエハ１が高速回転する場合に、その周辺に生じる乱流を層流にする。』という技術を記載している（要約参照）。

【0005】

特許文献２は、装置内の清浄化を図るために、ファンフィルタユニットと呼ばれる清浄空気を供給するファンと排気ユニットを複数配置し、それぞれの流量を制御することで装置内の気流の乱れを抑制し、異物付着数を低減することを開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１０－２３６９４８号公報

【特許文献2】特開２０１１－７５３５１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

特許文献１においては、気流ガイド２１２（同文献の図２）やルーバ４１２（同文献の図６）などの部材によって、ウエハ周辺の気流を排気口へ導くとともに、乱流発生を抑制することを図っている。しかし同文献においては、気流を排気口へ導く吸い込み力の大部分を排気ファンユニット１１に依拠している。したがって同文献においては、ウエハ周辺の気流がＦＦＵ９から供給される気流によって押し戻され、ウエハ上に戻る可能性がある。これによりウエハが汚染される可能性が増す。
特許文献２においては、検査装置においてウエハを載置するステージの数千rpm程度での回転により発生する回転気流は、特許文献１に開示されるようなファンフィルタユニットから供給される気流よりも流速が高く、検査部内で支配的な流れになりやすい。よって、特許文献１に開示される方法のみでは回転気流による異物の巻き上げや気流の乱れを完全に排除することはできない。

【0008】

本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、清浄な空気を検査室に対して供給する検査装置において、基板周辺の清浄な空気流を基板の下方へ確実に向かわせることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明に係る検査装置は、基板を載置するステージの上面の一部を覆うとともに、気体供給部と前記ステージとの間に配置され前記基板へ向かう気流を遮断する、整流板を備える。

【発明の効果】

【0010】

本発明に係る検査装置によれば、検査室に対して供給する正常な空気を、基板周辺において基板の下方へ確実に向かわせることができる。これにより、基板上に気流が戻されて基板が汚染される可能性を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】実施形態１に係る検査装置１０の構成要素を示す概略上面図である。

【図2】検査室１００の内部構成を示す透視側面図である。

【図3】整流板１４０の配置を説明する図である。

【図4】整流板１４０周辺の気流を説明する図である。

【図5A】比較例として第１部位１４１と第２部位１４２が形成する角度を直角とした構成例を示す。

【図5B】比較例として第１部位１４１と第２部位１４２が形成する角度を鋭角とした構成例を示す。

【図5C】比較例として第１部位１４１とステージ１２０の上面との間の距離を図４よりも広げた構成例を示す。

【図5D】比較例として第１部位１４１が図４よりも長い構成例を示す。

【図6】実施形態２における整流板１４０の構成例を示す図である。

【図7】実施形態３における整流板１４０の構成例を示す図である。

【図8】実施形態４における検査室１００の構成を示す。

【図9】実施形態５における検査室１００の構成を示す。

【図10】比較例として整流板１４０の上部開口形状が矩形である構成例を示す。

【図11】整流板１４０の上部が図８の円形状の開口部を有している場合の検査位置ＭＰにおける気流の様子を示す。

【発明を実施するための形態】

【0012】

＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施形態１に係る検査装置１０の構成要素を示す概略上面図である。基板である半導体ウエハ２０を搭載したカートリッジ２００が検査装置１０に対して導入されると、プリアライナ３００は半導体ウエハ２０の位置合わせなどを実施する。半導体ウエハ２０はその後、検査室１００に搬送される。検査室１００は、受け取り位置（Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＴＰ）において半導体ウエハ２０を受け取り、検査位置（Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＰ）において半導体ウエハ２０を検査する。気体供給装置１１０は、検査室１００内に対して清浄な気流を供給する。

【0013】

図２は、検査室１００の内部構成を示す透視側面図である。半導体ウエハ２０は、ステージ１２０上に載置される。ステージ１２０は、受け取り位置ＴＰと検査位置ＭＰとの間で半導体ウエハ２０を移動させる。ステージ１２０はさらに、半導体ウエハ２０の表面を検査するために、ステージ機構１２１により、半導体ウエハ２０を光学検査ユニット１３０の下方で回転させることができる。図２は半導体ウエハ２０が検査位置ＭＰにある状態を示している。光学検査ユニット１３０は、半導体ウエハ２０の表面状態を検査する。

【0014】

検査室１００の側方（ステージ１２０の側方）からは、気体供給装置１１０によって清浄な空気流が供給される。気体供給装置１１０は、例えばファンフィルタユニット（ＦＦＵ）によって構成することができる。ＦＦＵは、取り付けられている壁から外気を吸引し、これを清浄化して平行気流に変換する。気体供給装置１１０は、その清浄空気の平行気流を検査室１００に対して供給する。

【0015】

気体供給装置１１０が気流を供給する供給口と、ステージ１２０との間には、整流板１４０が配置されている。ステージ１２０の回転により、ステージ１２０外周部からは流速の高い旋回流が放出される。整流板１４０は、気体供給装置１１０が供給する気流の一部をステージ１２０の上方に導き、ステージ１２０外周部からの旋回流の作用により、整流板１４０とステージ１２０外周の隙間を通して、気流をステージ１２０の下方へ導く役割を有する。さらに、整流板１４０の内側に導かれた気流は、検査室１００の下方に導かれる。整流板１４０とステージ機構１２１の間には狭い隙間１２２が設けられており、整流板１４０内側の空間はベンチュリ効果によって負圧になるため、旋回流から放出された気流が効率よく検査室１００の下方に導かれる。また整流板１４０は、気体供給装置１１０が供給する気流の一部を検査室の下方に導く。検査室の下方、さらにステージ機構１２１の下方へ導かれた気流は、検査室１００の下方に配置された排気口１５０から検査室１００外へ排出される。整流板１４０は、ステージ１２０から見て気体供給装置１１０の反対側にも配置することができる。気体供給装置１１０から光学検査ユニット１３０を通過した気流は整流板上側を通って検査室１００の外に排出される。また整流板１４０とステージ１２０外周の隙間を通して、ステージ１２０の下方（気体供給装置１１０の反対側）へ導かれた気流は、整流板下側を通って検査室１００の外に排出される。

【0016】

図３は、整流板１４０の配置を説明する図である。図３は、図２のうちステージ１２０の周辺を拡大したものである。整流板１４０は、第１部位１４１、第２部位１４２および両者を接続する曲率を有する第３部位１４３で構成される。第１部位１４１は、上方から投影したとき、ステージ１２０の上面と空隙をもちつつステージ１２０の上面の一部と重なる位置に配置されている。さらには、半導体ウエハ２０の上面との一部とも重なるか、あるいはほぼ同等であることが望ましい。第２部位１４２は、気体供給装置１１０からの気流を第１部位１４１、さらにステージ１２０の上方に導くとともに、気体供給装置１１０の供給口とステージ１２０との間の空間を遮ることにより、気流が半導体ウエハ２０に対して直接当たらない位置に配置されている。第２部位１４２はさらに、ステージ１２０の底面よりも下方まで延伸していることが望ましい。第３部位１４３は第１部位１４１と第２部位１４２を連続の曲線で接続する部位であり、曲率の大きさは第２部位１４２と気体供給装置１１０の空間距離で決定される。第１部位１４１とステージ１２０の上面との間、および第２部位１４２とステージ１２０の側端部との間には、それぞれ空隙が設けられている。第１部位１４１と第２部位１４２が形成する角度については後述する。

【0017】

図４は、整流板１４０周辺の気流を説明する図である。記載の便宜上、一部の符号と部材を省略した。気体供給装置１１０が供給する水平方向の気流は、第２部位１４２から第３部位１４３を通して第１部位１４１に至る連続した曲線形状により、ステージ１２０および半導体ウエハ２０の上方に導かれる。一方、ステージ１２０の回転により、ステージ上面および下面からの気流はステージ１２０の外周に輸送されて、外周には旋回流が発生する。この旋回流により、ステージ１２０および半導体ウエハ２０の上方に導かれた気流が引き込まれるとともに、気流は旋回慣性力によって勢いをもって外周方向へ放たれる。この気流はステージ１２０の機構等から発生する塵埃を含んでいる可能性があるので、半導体ウエハ２０の上方へ循環させることなくステージ１２０の下方へ確実に導く必要がある。

【0018】

ステージ１２０の旋回流に起因して、ステージ１２０の端部と第１部位１４１との間の空間において、負圧領域１４４が発生する。この負圧は、整流板の第１部位１４１がステージ１２０の上面と空隙をもちつつステージ１２０の一部と重なって設置された構成において、ステージ１２０が回転することにより発生する。この負圧領域１４４の作用により気流が引き込まれる。したがって、ステージ１２０および半導体ウエハ２０の上方に到達した気流は、第１部位１４１とステージ１２０の上面との間の空隙に導かれ、第３部位１４３で滑らかに第２部位１４２方向へ導かれ、さらに第２部位１４２とステージ１２０の側端部との間の空隙に導かれる。これにより、気流はよどみ点を形成することなく、ステージ１２０の下方へ導かれることになる。このとき、気体供給装置１１０が供給する水平方向の気流は第２部位１４２によって遮られているので、ステージ１２０の下方へ導かれた気流が半導体ウエハ２０の上方に再度巻き上げられる可能性は小さいといえる。これに加えて、ステージ１２０下面でも旋回流が発生し、外周に向かう旋回慣性力による気流が生じる。この気流は、半導体ウエハ２０上面の気流同様に第２部位１４２に衝突し、該部位は下方に導く傾斜形状となっているため、半導体ウエハ２０上面からの気流の流れを妨げることがない。したがって、塵埃を含む可能性がある気流は半導体ウエハ２０の上方へ循環することなく排気口１５０から排出されるので、検査装置１０の信頼性を高めることができる。

【0019】

図５Ａは、比較例として第１部位１４１と第２部位１４２が形成する角度を直角とした構成例を示す。図５Ａ（１）は第３部位１４３を設けず、第１部位１４１と第２部位１４２が直接接続される。図５Ａ（２）は第３部位１４３により、第１部位１４１と第２部位１４２が連続した曲線で接続される。図４に示す本実施形態１の構成例においては、第１部位１４１と第２部位１４２が形成する角度は鈍角であり、第３部位１４３により連続した曲線で接続されている。これに対して図５Ａ（１）のように両部位間の角度を直角に形成した場合、点線で囲んだ角部に導かれた気流が乱流を生じさせ、ステージ１２０の下方へ向かう気流を妨げる可能性がある。この角部の乱流は、図５Ａ（２）のように第３部位１４３を設けることで、緩和される。しかしステージ１２０下面の気流は第２部位１４２に直角に衝突することとなり、気流の不安定な状況が生じる。これによって、半導体ウエハ２０上面からの下方への流れをも不安定にさせる。したがって図５Ａ（１）、図５Ａ（２）のような構成は望ましくないといえる。

【0020】

図５Ｂは、比較例として第１部位１４１と第２部位１４２が形成する角度を鋭角とした構成例を示す。図５Ｂ（１）は第３部位１４３を設けない場合、図５Ｂ（２）は第３部位１４３を設けた場合である。この場合も図５Ａと同様に角部において乱流が発生する可能性があることに加えて、図４や図５Ａと比較してステージ１２０の下方へ気流を導く力が弱まる。さらには、ステージ１２０下面の気流は第２部位に到達すると、該部位はステージ上方に導かれる傾斜形状となっており、半導体ウエハ２０からの下方の流れを妨げる作用が生じる。このような構成は図５Ａよりもさらに望ましくない。

【0021】

図５Ｃは、比較例として第１部位１４１とステージ１２０の上面との間の距離を図４よりも広げた構成例を示す。この構成例においては、第１部位１４１とステージ１２０の上面との間の空間において気流が巻き上がり、半導体ウエハ２０の上方に戻ってくる可能性が高まる。さらに、ステージ１２０の端部と第１部位１４１との間の空隙が大きいことで発生する負圧も小さくなり、気流の引き込み効果が小さくなる。したがって第１部位１４１とステージ１２０の上面との間の距離は、図５Ｃのような巻き上がり気流を抑制し負圧を発生できるようにあらかじめ調整することが望ましい。

【0022】

図５Ｄは、比較例として第１部位１４１が図４よりも長い構成例を示す。第１部位１４１がステージ１２０の上面を覆う面積が大きすぎると、第１部位１４１の上方を通過した気流を第１部位１４１とステージ１２０の上面との間の空間へ導く作用が弱まる。さらに、ステージ１２０の端部と第１部位１４１との間で発生する負圧が大きくなることで、ステージ１２０の外周からの旋回慣性力により排出の作用が弱まる。したがって図５Ｄのような構成は望ましくないといえる。

【0023】

＜実施の形態１：まとめ＞
本実施形態１に係る検査装置１０は、気体供給装置１１０とステージ１２０との間に配置された整流板１４０を備え、第１部位１４１はステージ１２０との間で空隙をもちつつステージ１２０の上面の一部を覆い、第２部位１４２は気体供給装置１１０が供給する気流を第１部位１４１、さらにステージ１２０の上方に導く。これにより、気体供給装置１１０からステージ１２０および半導体ウエハ２０上方に到達した気流がステージ１２０の回転による旋回流により引き込まれて、勢いをもって外周方向へ放たれ、整流板１４０の第１部位１４１、第３部位１４３、第２部位１４２により、ステージ１２０の下方に排出される。

【0024】

また、第２部位１４２は気体供給装置１１０が供給する気流が半導体ウエハ２０に対して直接当たらないように遮る。これにより、気流をステージ１２０下方に導いたとき、気体供給装置１１０から供給される新たな気流によってステージ１２０の下方で気流が巻き上げられる可能性を抑制することができる。したがって、ステージ１２０の機構等から発生する塵埃を含んでいる可能性のある気流をステージ１２０下方へ確実に導くことができる。すなわち、巻き上げ気流によって半導体ウエハ２０が汚染される可能性を抑制することができる。

【0025】

＜実施の形態２＞
図６は、本発明の実施形態２における整流板１４０の構成例を示す図である。整流板１４０以外は実施形態１と同じであるので、以下では整流板１４０に関する差異点について主に説明する。本実施形態２において、第１部位１４１と第２部位１４２が形成する角度は、鈍角でありかつ実施形態１よりも大きい。本実施形態２においても、実施形態１と同様に気流をステージ１２０の下方へ導く作用が生じるが、以下の点において実施形態１とは異なる。

【0026】

半導体ウエハ２０の周辺を清浄に維持するためには、清浄気流を半導体ウエハ２０の上方からステージ１２０の下方へ向かって確実に導くことが望ましい。図６に示すように、本実施形態２においては、第１部位１４１とステージ１２０の上面との間の距離が、ステージ１２０の上面の中心から外周に向かって次第に小さくなるように構成されている（すなわち第１部位１４１がステージ１２０の上面に対して傾斜している）。これにより、気流をステージ１２０下方に引き込む負圧力は、ステージ１２０の上面の中心から外周に向かって次第に強くなる。すなわち実施形態１と比較して、気流をステージ１２０下方へ導く作用が強くなるので、実施形態１よりも確実に、清浄気流を半導体ウエハ２０の上方からステージ１２０の下方へ向かって導くことができる。

【0027】

ただし、気流が第１部位１４１の下方に入る開口部分があまり大きすぎると、図５Ｃと同様の巻き上がり気流が生じやすくなるので、第１部位１４１を傾斜させたことにともなって整流板１４０全体の位置も調整することが望ましい。

【0028】

＜実施の形態３＞
図７は、本発明の実施形態３における整流板１４０の構成例を示す図である。整流板１４０以外は実施形態１と同じであるので、以下では整流板１４０に関する差異点について主に説明する。本実施形態３において、整流板１４０はアーチ状に湾曲している。アーチのうち水平面に投影したとき概ねステージ１２０の上面と重なる部分が第１部位１４１に相当し、残部が第２部位１４２に相当する。

【0029】

本実施形態３においても実施形態１と同様に、気体供給装置１１０が供給する清浄気流を半導体ウエハ２０の上方からステージ１２０の下方へ導く作用が生じる。また実施形態２と同様に、第１部位１４１とステージ１２０の上面との間の距離が、ステージ１２０の上面の中心から外周に向かって次第に小さくなる。これにより実施形態２と同様に、気流をステージ１２０下方へ導く作用がより強くなる。

【0030】

実施形態２と３を比較すると、実施形態２においては、ステージ１２０端部近傍における圧力が第１部位１４１の傾斜にしたがって１次関数的に変化するので、圧力勾配が緩やかである。したがって急激な圧力変化による振動が生じる可能性が実施形態３よりも低いといえる。他方で実施形態２においては、第１部位１４１と第２部位１４２との間に角部が存在するので、角部における乱流が生じる可能性がある。

【0031】

＜実施の形態４＞
図８は、本発明の実施形態４における検査室１００の構成を示す。図８上段は検査室１００の上面模式図である。図８下段は整流板１４０の形状を示す斜視図である。図８において、実施形態１の図３などで説明したステージ１２０の左側の整流板１４０に添え字ａを付与し、ステージ１２０の右側の整流板１４０に添え字ｂを付与することにより区別している。ステージ１２０は、受け取り位置ＴＰ・検査位置ＭＰのそれぞれにおいて、破線で示している。

【0032】

本実施形態４において、各整流板１４０は検査位置ＭＰで円形の開口を設けるように構成されている。開口の大きさはステージ１２０（図中の検査位置ＭＰにおける破線）よりも小さく、ステージ１２０と重なる領域があるように形成している。これにより、検査位置ＭＰにおいて、ステージ１２０に載置された半導体ウエハ２０を清浄に維持することができる。その他構成は実施形態１～３と同様である。

【0033】

＜実施の形態５＞
図９は、本発明の実施形態５における検査室１００の構成を示す。図９上段は検査室１００の上面模式図である。図９下段は整流板１４０の形状を示す斜視図である。図９において、実施形態１の図３などで説明したステージ１２０の左側の整流板１４０に添え字ａを付与し、ステージ１２０の右側の整流板１４０に添え字ｂを付与することにより区別している。

【0034】

本実施形態５において、各整流板１４０の開口部は円形形状が受け取り位置ＴＰから検査位置ＭＰまで延伸するような長円形状に構成されている。開口の大きさは、受け取り位置ＴＰ・検査位置ＭＰの両端位置でステージ１２０（図中の検査位置ＭＰ・受け取り位置ＴＰにおける破線）よりも小さく、すなわちステージ１２０と重なる領域があるように形成している。すなわち、ステージ１２０に載置された半導体ウエハ２０が受け取り位置ＴＰと検査位置ＭＰとの間で回転しながら搬送される間においても、半導体ウエハ２０周辺の気流を実施形態１～３と同様にステージ１２０下方へ導くことができる。これにより、受け取り位置ＴＰと検査位置ＭＰ双方において、半導体ウエハ２０を清浄に維持することができる。その他構成は実施形態１～３と同様である。

【0035】

図１０は、比較例として整流板１４０の上部開口形状が矩形である構成例を示す。図９に示す例において、整流板１４０の上部は長円形状の開口部を有し、角部がなく円形となっている。これに対して図９における開口部は矩形であり、角部は直角である。このように角部が直角になっていると、角部においては半導体ウエハ２０と重なる領域が無いため、気流をステージ１２０下方へ導く作用が弱まる可能性がある。一方、ウエハ周囲全てが重なるように矩形の開口部を小さくすると、半導体ウエハ２０との重なる領域は周方向で一様にならず、例えば重なる領域が大きい箇所では図５Ｄと同様の作用、それ以外は実施の形態１と同様の作用となるなど、この形状では気流をステージ１２０下方へ導く作用のバラツキが生じることで、不安定な気流状態となる。したがって整流板１４０の上部開口は、図８、図９のように円形、あるいは長円の形状を有することが望ましい。

【0036】

図１１は、本構成の効果を示すものとして、整流板１４０の上部が図８の円形状の開口部を有している場合の検査位置ＭＰにおける気流の様子を示す。ここでは図８の整流板の概略構造をともに示している。図４の説明で述べたように、ステージ１２０では、機構部等からの塵埃が外周から放たれる気流にのって排出される可能性がある。そこで図１１ではステージ１２０の外周部からの塵埃放出を想定して、外周を始点にもつ流線を示している。

【0037】

ステージ１２０外周からの流線は、回転による旋回流によって外周方向へ放たれた後に、ステージ１２０の回転で発生する負圧によるステージ１２０上方からの気流引き込みの作用により、ステージ１２０の下方に向かう。また、整流板１４０に向かう流れも、整流板１４０の第１部位１４１、第３部位１４３、第２部位１４２により、ステージ１２０の下方に導かれて排出される。これらにより、ステージ１２０の機構等から外周部に向けて塵埃が放出されたとしても、ステージ１２０外周からの気流をステージ１２０下方へ確実に導くことができる。すなわち、巻き上げ気流によって半導体ウエハ２０が汚染される可能性を抑えることができる。

【0038】

先に、図３の整流板１４０の配置説明において、整流板１４０の第１部位１４１は、上方から投影したとき、ステージ１２０の上面と空隙をもちつつステージ１２０の上面の一部と重なる位置に配置されていることを記載した。また、図８において、整流板１４０は検査位置ＭＰで円形の開口を設けるように構成されており、開口の大きさはステージ１２０よりも小さく、ステージ１２０と重なる領域があるように形成することを記載した。これらの、整流板１４０の開口部の大きさ（円形部の直径）、ステージ１２０の上面と第１部位１４１との重なり、ステージ１２０の上面と第１部位１４１との空隙について、気流解析等に基づき具体的な数値を検討した。この結果、ステージ１２０の回転数が数千ｒｐｍの場合に、ステージ１２０の直径に対して、以下の条件であるときに、本発明の効果が好適にあらわれることを見出した。

【0039】

・整流板１４０開口部の直径：ステージ１２０の直径の98%～80%
・ステージ１２０の上面と第１部位１４１との重なり：ステージ１２０の直径の1%～10%
・ステージ１２０の上面と第１部位１４１との空隙：ステージ１２０の直径の1%～10%

【0040】

より望ましくは、
・整流板１４０開口部の直径：ステージ１２０の直径の98%～90%
・ステージ１２０の上面と第１部位１４１との重なり：ステージ１２０の直径の1%～5%
・ステージ１２０の上面と第１部位１４１との空隙：ステージ１２０の直径の2%～5%

【0041】

なお、図９においては、整流板１４０の開口部は円形形状が受け取り位置ＴＰから検査位置ＭＰまで延伸するような長円形状に構成されている。この長円形状においても、長円部の開口の大きさや、受け取り位置ＴＰ・検査位置ＭＰの両端位置でのステージ１２０との重なりが上述の範囲にあるときに、本発明の効果が好適にあらわれる。

【0042】

＜本発明の変形例について＞
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。

【0043】

例えば整流板１４０ａとして実施形態２で説明した図６の構成を採用し、整流板１４０ｂとして実施形態３で説明した図７の構成を採用することができる。

【0044】

以上の実施形態においては、検査装置１０が検査する被検物として半導体ウエハ２０を例示したが、被検物はこれに限る者ではなく、半導体ウエハ２０以外の被検物を検査する検査装置１０においても本発明を適用することができる。

【0045】

以上の実施形態において、気体供給装置１１０とステージ１２０との間に整流板１４０ａを配置するとともに、ステージ１２０から見て整流板１４０ａの反対側に整流板１４０ｂを配置する例を説明したが、少なくとも整流板１４０ａを配置することにより、本発明の効果を相応に発揮することができる。

【符号の説明】

【0046】

１０：検査装置
２０：半導体ウエハ
１００：検査室
１１０：気体供給装置
１２０：ステージ
１３０：光学検査ユニット
１４０：整流板
１５０：排気口
２００：カートリッジ
３００：プリアライナ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】