知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022053899
(43)【公開日】2022-04-06
(54)【発明の名称】ＣＶＤ装置、および、ＣＶＤ方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/31 20060101AFI20220330BHJP
H01L 21/316 20060101ALI20220330BHJP
C23C 16/42 20060101ALI20220330BHJP
C23C 16/505 20060101ALI20220330BHJP
【ＦＩ】
H01L21/31 C
H01L21/316 X
C23C16/42
C23C16/505
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020160788
(22)【出願日】2020-09-25
(71)【出願人】
【識別番号】000231464
【氏名又は名称】株式会社アルバック
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】小林 忠正
(72)【発明者】
【氏名】座間 秀昭
【テーマコード（参考）】
4K030
5F045
5F058
【Ｆターム（参考）】
4K030AA06
4K030AA09
4K030AA14
4K030BA44
4K030BB13
4K030CA04
4K030CA12
4K030FA03
4K030FA10
4K030JA06
4K030JA09
4K030JA10
4K030LA02
4K030LA15
5F045AA06
5F045AA08
5F045AB32
5F045AC00
5F045AC07
5F045AC11
5F045AC15
5F045AC16
5F045AD06
5F045AD07
5F045AD08
5F045AD09
5F045AE23
5F045AE25
5F045AF07
5F045BB07
5F045BB09
5F045BB12
5F045BB16
5F045CA15
5F045DP03
5F045DQ10
5F045EC09
5F045EE02
5F045EE04
5F045EE12
5F045EF05
5F045EG02
5F045EH14
5F045EK07
5F058BA20
5F058BB07
5F058BC02
5F058BF04
5F058BF07
5F058BF22
5F058BF29
5F058BF36
5F058BF37
5F058BG01
5F058BG02
5F058BG03
(57)【要約】
【課題】プラズマダメージを抑制して低温成膜を可能にしたＣＶＤ装置、および、ＣＶＤ方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓを収容する真空槽１１と、真空槽１１内を減圧する排気部１２と、真空槽１１に収容された基板Ｓを加熱する基板加熱部１４と、真空槽１１にシラン化合物と酸素含有ガスとを供給する供給部２０とを備え、シラン化合物と酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を基板に形成する。基板加熱部１４は、基板Ｓの温度が２００℃以上５００℃以下になるように基板Ｓを加熱し、酸素含有ガスは、酸素ガス、あるいは、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスのいずれかであり、供給部２０は、シラン化合物であるジイソプロポキシシランに対する酸素含有ガスの分子のモル比が１０以上２５以下となるようにジイソプロポキシシランと酸素含有ガスとを供給する。
【選択図】図１
【解決手段】基板Ｓを収容する真空槽１１と、真空槽１１内を減圧する排気部１２と、真空槽１１に収容された基板Ｓを加熱する基板加熱部１４と、真空槽１１にシラン化合物と酸素含有ガスとを供給する供給部２０とを備え、シラン化合物と酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を基板に形成する。基板加熱部１４は、基板Ｓの温度が２００℃以上５００℃以下になるように基板Ｓを加熱し、酸素含有ガスは、酸素ガス、あるいは、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスのいずれかであり、供給部２０は、シラン化合物であるジイソプロポキシシランに対する酸素含有ガスの分子のモル比が１０以上２５以下となるようにジイソプロポキシシランと酸素含有ガスとを供給する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を収容する真空槽と、
前記真空槽内を減圧する排気部と、
前記真空槽に収容された前記基板を加熱する加熱部と、
前記真空槽にシラン化合物と酸素含有ガスとを供給する供給部と、を備え、
前記シラン化合物と前記酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を前記基板に形成するＣＶＤ装置であって、
前記加熱部は、前記基板の温度が２００℃以上５００℃以下になるように前記基板を加熱し、
前記酸素含有ガスは、酸素ガス、あるいは、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスのいずれかであり、
前記供給部は、前記シラン化合物であるジイソプロポキシシランに対する前記酸素含有ガスの分子のモル比が１０以上２５以下となるように前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとを供給する
ＣＶＤ装置。
前記真空槽内を減圧する排気部と、
前記真空槽に収容された前記基板を加熱する加熱部と、
前記真空槽にシラン化合物と酸素含有ガスとを供給する供給部と、を備え、
前記シラン化合物と前記酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を前記基板に形成するＣＶＤ装置であって、
前記加熱部は、前記基板の温度が２００℃以上５００℃以下になるように前記基板を加熱し、
前記酸素含有ガスは、酸素ガス、あるいは、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスのいずれかであり、
前記供給部は、前記シラン化合物であるジイソプロポキシシランに対する前記酸素含有ガスの分子のモル比が１０以上２５以下となるように前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとを供給する
ＣＶＤ装置。
【請求項2】
前記排気部は、前記真空槽内の圧力が５ＫＰａ以上１５ＫＰａ以下になるように前記真空槽内を排気し、
前記供給部は、前記ジイソプロポキシシランを気化させる気化装置と、前記真空槽に前記気化装置を接続する通路と、を備え、
前記供給部は、前記通路を６０℃以上２００℃以下に加熱する
請求項１に記載のＣＶＤ装置。
前記供給部は、前記ジイソプロポキシシランを気化させる気化装置と、前記真空槽に前記気化装置を接続する通路と、を備え、
前記供給部は、前記通路を６０℃以上２００℃以下に加熱する
請求項１に記載のＣＶＤ装置。
【請求項3】
前記供給部は、前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとを混合して前記真空槽に供給するシャワーヘッドを備え、
前記シャワーヘッドに高周波電力を供給する高周波電源と、
前記供給部の駆動と前記高周波電源の駆動とを制御する制御部と、をさらに備え、
前記制御部は、
前記供給部を駆動して前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとを前記真空槽に供給しながら、前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を形成した後に、
前記供給部を駆動して前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとを前記真空槽に供給しながら、前記高周波電源を駆動して前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとのプラズマ反応によってさらにシリコン酸化膜を形成する
請求項１または２に記載のＣＶＤ装置。
前記シャワーヘッドに高周波電力を供給する高周波電源と、
前記供給部の駆動と前記高周波電源の駆動とを制御する制御部と、をさらに備え、
前記制御部は、
前記供給部を駆動して前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとを前記真空槽に供給しながら、前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を形成した後に、
前記供給部を駆動して前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとを前記真空槽に供給しながら、前記高周波電源を駆動して前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとのプラズマ反応によってさらにシリコン酸化膜を形成する
請求項１または２に記載のＣＶＤ装置。
【請求項4】
減圧された真空槽に収容される基板の加熱と、
シラン化合物および酸素含有ガスの前記真空槽に対する供給と、を含み、
前記シラン化合物と前記酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を前記基板に形成するＣＶＤ方法であって、
前記加熱において、前記基板の温度が２００℃以上５００℃以下になるように前記基板を加熱し、
前記供給において、前記酸素含有ガスは、酸素ガス、あるいは、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスのいずれかであり、
前記シラン化合物であるジイソプロポキシシランに対する前記酸素含有ガスの分子のモル比が１０以上２５以下となるように前記シラン化合物と前記酸素含有ガスとを供給する
ＣＶＤ方法。
シラン化合物および酸素含有ガスの前記真空槽に対する供給と、を含み、
前記シラン化合物と前記酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を前記基板に形成するＣＶＤ方法であって、
前記加熱において、前記基板の温度が２００℃以上５００℃以下になるように前記基板を加熱し、
前記供給において、前記酸素含有ガスは、酸素ガス、あるいは、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスのいずれかであり、
前記シラン化合物であるジイソプロポキシシランに対する前記酸素含有ガスの分子のモル比が１０以上２５以下となるように前記シラン化合物と前記酸素含有ガスとを供給する
ＣＶＤ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ＣＶＤ装置、および、ＣＶＤ方法に関する。
【背景技術】
【0002】
酸化物半導体を主成分とする半導体層を備える薄膜トランジスタとして、トップゲート型の薄膜トランジスタが知られている。トップゲート型の薄膜トランジスタは、例えば、基板と、基板上に形成された半導体層と、半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備えている。また、トップゲート型の薄膜トランジスタは、ソース電極とドレイン電極とを備え、各電極は、半導体層に接続されている。ゲート絶縁膜には、シリコン酸化物によって形成された層が用いられている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１０－１６１３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、トップゲート型の薄膜トランジスタに限らず、薄膜トランジスタが備えるゲート絶縁膜の形成には、熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法が用いられている。また、ゲート絶縁膜は、一辺の長さが１ｍを越える大型のガラス基板に形成することが求められている。大型のガラス基板に対して熱ＣＶＤ法を用いてゲート絶縁膜を形成することは、ゲート絶縁膜の下地に７００℃を越える高温処理を要し、デバイス性能を得られがたい大きな熱収縮を下地膜に生じさせる。また、プラズマＣＶＤ法を用いてゲート絶縁膜を成膜することは、下地の温度を５００℃程度に下げることが可能ではあるが、デバイス性能の向上を妨げるプラズマダメージをゲート絶縁膜や下地膜に生じさせる。
【0005】
本発明は、プラズマダメージを抑制して低温成膜を可能にしたＣＶＤ装置、および、ＣＶＤ方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するためのＣＶＤ装置は、基板を収容する真空槽と、前記真空槽内を減圧する排気部と、前記真空槽に収容された前記基板を加熱する加熱部と、前記真空槽にシラン化合物と酸素含有ガスとを供給する供給部と、を備え、前記シラン化合物と前記酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を前記基板に形成する。前記加熱部は、前記基板の温度が２００℃以上５００℃以下になるように前記基板を加熱し、前記酸素含有ガスは、酸素ガス、あるいは、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスのいずれかであり、前記供給部は、前記シラン化合物であるジイソプロポキシシランに対する前記酸素含有ガスの分子のモル比が１０以上２５以下となるように前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとを供給する。
【0007】
上記課題を解決するためのＣＶＤ方法は、減圧された真空槽に収容される基板の加熱と、シラン化合物および酸素含有ガスの前記真空槽に対する供給と、を含み、前記シラン化合物と前記酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を前記基板に形成する。前記加熱において、前記基板の温度が２００℃以上５００℃以下になるように前記基板を加熱し、前記供給において、前記酸素含有ガスは、酸素ガス、あるいは、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスのいずれかであり、前記シラン化合物であるジイソプロポキシシランに対する前記酸素含有ガスの分子のモル比が１０以上２５以下となるように前記シラン化合物と前記酸素含有ガスとを供給する。
【0008】
上記ＣＶＤ装置および上記ＣＶＤ方法によれば、ジイソプロポキシシランと酸素含有ガスとの熱反応を２００℃以上５００℃以下において進めることが可能であるから、シリコン酸化膜を形成する過程において、プラズマダメージを抑制して低温での成膜を行うことが可能である。
【0009】
上記ＣＶＤ装置において、前記排気部は、前記真空槽内の圧力が５ＫＰａ以上１５ＫＰａ以下になるように前記真空槽内を排気し、前記供給部は、前記ジイソプロポキシシランを気化させる気化装置と、前記真空槽に前記気化装置を接続する通路と、を備え、前記供給部は、前記通路を６０℃以上２００℃以下に加熱してもよい。
【0010】
上記ＣＶＤ装置によれば、５ＫＰａ以上１５ＫＰａの圧力においてジイソプロポキシシランと酸素含有ガスとの熱反応が進められるから、シリコン酸化膜をゲート絶縁膜に適用することに際し、ゲート絶縁膜の形成に求められる成膜速度を得ることが容易である。そして、気化装置と真空槽とを接続する通路が６０℃以上２００℃以下に加熱されるため、一度気化されたジイソプロポキシシランが５ＫＰａ以上１５ＫＰａ以下の圧力を有した真空槽に到達するまでに再度液化することを抑えることも可能である。
【0011】
上記ＣＶＤ装置において、前記供給部は、前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとを混合して前記真空槽に供給するシャワーヘッドを備え、前記シャワーヘッドに高周波電力を供給する高周波電源と、前記供給部の駆動と前記高周波電源の駆動とを制御する制御部と、をさらに備え、前記制御部は、前記供給部を駆動して前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとを前記真空槽に供給しながら、前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を形成した後に、前記供給部を駆動して前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとを前記真空槽に供給しながら、前記高周波電源を駆動して前記ジイソプロポキシシランと前記酸素含有ガスとのプラズマ反応によってさらにシリコン酸化膜を形成してもよい。
【0012】
上記ＣＶＤ装置によれば、ジイソプロポキシシランと酸素含有ガスとのプラズマ反応によるプラズマダメージは、プラズマ反応に先駆けて形成された熱反応によるシリコン酸化膜によって抑制される。そして、熱反応のみによる成膜速度よりも高い成膜速度を実現することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】一実施形態におけるＣＶＤ装置を模式的に示す装置構成図。
【図2】一実施形態におけるＣＶＤ方法を説明するための工程図。
【図3】一実施形態におけるＣＶＤ方法を説明するための工程図。
【図4】一実施形態におけるＣＶＤ方法を説明するための工程図。
【図5】一実施形態におけるＣＶＤ方法を説明するための工程図。
【図6】ＤｉＰＯＳの蒸気圧曲線。
【図7】成膜速度と温度との関係を示すグラフ。
【図8】試験例におけるＭＯＳ型デバイスの構造を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0014】
【0015】
［ＣＶＤ装置］
図１を参照してＣＶＤ装置を説明する。
図１が示すＣＶＤ装置１０は、シラン化合物と酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を基板Ｓに形成するＣＶＤ装置である。ＣＶＤ装置１０は、基板Ｓを収容する真空槽１１を備えている。真空槽１１には、真空槽１１内を減圧する排気部１２が接続されている。真空槽１１内には、基板Ｓを支持する支持部１３が位置している。支持部１３内には、基板加熱部１４が位置している。基板加熱部１４は、真空槽１１に収容された基板Ｓを加熱する。本実施形態では、基板加熱部１４は、支持部１３上に位置する基板Ｓを加熱する。基板Ｓは、例えばガラス基板である。基板Ｓは、例えば、一辺の長さが１ｍ以上の四角形状を有してよい。
図１を参照してＣＶＤ装置を説明する。
図１が示すＣＶＤ装置１０は、シラン化合物と酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を基板Ｓに形成するＣＶＤ装置である。ＣＶＤ装置１０は、基板Ｓを収容する真空槽１１を備えている。真空槽１１には、真空槽１１内を減圧する排気部１２が接続されている。真空槽１１内には、基板Ｓを支持する支持部１３が位置している。支持部１３内には、基板加熱部１４が位置している。基板加熱部１４は、真空槽１１に収容された基板Ｓを加熱する。本実施形態では、基板加熱部１４は、支持部１３上に位置する基板Ｓを加熱する。基板Ｓは、例えばガラス基板である。基板Ｓは、例えば、一辺の長さが１ｍ以上の四角形状を有してよい。
【0016】
ＣＶＤ装置１０は、真空槽１１にシラン化合物と酸素含有ガスとを供給する供給部２０を備えている。本開示において、シラン化合物は、ジイソプロポキシシラン（Diisopropoxysilane : DiPOS）（ＳｉＨ（ＯＣＨ（ＣＨ３）２）２）である。本開示において、酸素含有ガスは、酸素（Ｏ２）ガス、あるいは、酸素ガスとオゾン（Ｏ３）ガスとの混合ガスのいずれかである。
【0017】
供給部２０は、第１配管２１、第２配管２２、酸素含有ガス供給部２３、配管加熱部２４、シャワーヘッド２５、および、気化装置３０を備えている。気化装置３０は、ＤｉＰＯＳを気化させる。シャワーヘッド２５は、ＤｉＰＯＳと酸素含有ガスとを混合して真空槽１１に供給する。シャワーヘッド２５は、真空槽１１内に位置している。第１配管２１は、シャワーヘッド２５に気化装置３０を接続している。そのため、第１配管２１が区画する空間は、真空槽１１に気化装置３０を接続する通路である。
【0018】
第２配管２２は、第１配管２１が気化装置３０から真空槽１１に向けて延びる途中において、第１配管２１に接続されている。第２配管２２には、酸素含有ガス供給部２３が接続されている。酸素含有ガス供給部２３は、例えばマスフローコントローラーである。酸素含有ガス供給部２３は、第２配管２２を通じて酸素含有ガスを第１配管２１に供給する。そのため、第１配管２１のうちで、第２配管２２の接続位置よりも下流において、気化されたＤｉＰＯＳ、すなわちＤｉＰＯＳのガスと、酸素ガスとが混合される。
【0019】
配管加熱部２４は、例えば第１配管２１の外部に位置している。配管加熱部２４は、第１配管２１を加熱する。これにより、配管加熱部２４は、第１配管２１内に供給されるＤｉＰＯＳのガス、および、酸素含有ガスを加熱する。
【0020】
本実施形態において、気化装置３０は、収容槽３１を備えている。収容槽３１内には恒温槽３２が位置している。恒温槽３２は、恒温槽３２が区画する空間内を所定の温度に維持することが可能である。恒温槽３２内には、タンク３３、タンク加熱部３４、ＤｉＰＯＳ供給部３５、および、ＤｉＰＯＳ配管３６が位置している。タンク３３内には、ＤｉＰＯＳが貯蔵されている。タンク加熱部３４は、タンク３３内のＤｉＰＯＳが気液平衡の状態に維持されるように、タンク３３を所定の温度に加熱する。タンク３３には、ＤｉＰＯＳ配管３６によってＤｉＰＯＳ供給部３５が接続されている。そのため、タンク３３において気化されたＤｉＰＯＳが、ＤｉＰＯＳ配管３６を通じてＤｉＰＯＳ供給部３５に供給される。ＤｉＰＯＳ供給部３５は、例えばマスフローコントローラーである。気化装置３０のうち、ＤｉＰＯＳ供給部３５が、第１配管２１によって真空槽１１に接続されている。
【0021】
シャワーヘッド２５には、高周波電源１５が接続されている。高周波電源１５は、シャワーヘッド２５に高周波電力を供給する。高周波電源１５は、例えば、２７．１２ＭＨｚ、または、１３．５６ＭＨｚなどの周波数を有した高周波電力をシャワーヘッド２５に供給する。酸素含有ガスとＤｉＰＯＳのガスとの混合ガスが真空槽１１内に供給された状態において、高周波電源１５がシャワーヘッド２５に高周波電力を供給することによって、シャワーヘッド２５の周りに混合ガスからプラズマが生成される。シャワーヘッド２５が広がる平面と対向する視点から見て、シャワーヘッド２５の面積は、例えば２７００ｃｍ２である。
【0022】
真空槽１１には、加熱用ガス供給部１６が接続されている。加熱用ガス供給部１６は、真空槽１１内に加熱用ガスを供給する。加熱用ガスは、成膜前の基板Ｓを所定の温度に加熱する際に用いられるガスである。加熱用ガスは、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、酸素ガス、および、水素ガスのいずれかであってよい。
【0023】
排気部１２は、例えば、排気ポンプ１２Ａ、第１バルブ１２Ｂ、および、第２バルブ１２Ｃを備えている。第１バルブ１２Ｂは、真空槽１１に排気ポンプ１２Ａを接続する第１通路の開放と閉鎖とが可能である。第２バルブ１２Ｃは、真空槽１１に排気ポンプ１２Ａを接続する第２通路の開放と閉鎖とが可能である。第１通路のコンダクタンスと、第２通路のコンダクタンスとは互いに異なっている。例えば、排気部１２は、ＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を形成する場合に、第１通路を開放する一方で、第２通路を閉鎖する。これに対して、排気部１２は、プラズマＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を形成する場合に、第２通路を開放する一方で、第１通路を閉鎖する。
【0024】
ＣＶＤ装置１０は、制御部１０Ｃをさらに備えている。制御部１０Ｃは、排気部１２、基板加熱部１４、高周波電源１５、加熱用ガス供給部１６、および、供給部２０の各々の駆動を制御する。これによって、制御部１０Ｃは、ＣＶＤ装置１０によるシリコン酸化膜の形成を可能にする。
【0025】
ＣＶＤ装置１０では、シラン化合物であるＤｉＰＯＳと酸素含有ガスの一例である酸素ガスとの熱反応によって以下の反応式によって示される反応が進行する。これにより、基板Ｓ上にシリコン酸化膜が形成される。
ＳｉＨ２（ＯＣＨ（ＣＨ３）２）２＋１０Ｏ２→ＳｉＯ２＋６ＣＯ２＋８Ｈ２Ｏ
ＳｉＨ２（ＯＣＨ（ＣＨ３）２）２＋１０Ｏ２→ＳｉＯ２＋６ＣＯ２＋８Ｈ２Ｏ
【0026】
ＣＶＤ装置１０は、第１圧力計Ｐ１、および、第２圧力計Ｐ２を備えている。第１圧力計Ｐ１は、真空槽１１内の圧力を測定する。第２圧力計Ｐ２は、第１配管２１のうちで、ＤｉＰＯＳ供給部３５からＤｉＰＯＳのガスが供給される部位での圧力を測定する。
【0027】
［ＣＶＤ方法］
図２から図５を参照して、ＣＶＤ方法を説明する。
本開示のＣＶＤ方法は、減圧された真空槽１１に収容される基板Ｓの加熱と、シラン化合物および酸素含有ガスの真空槽１１に対する供給と、を含み、シラン化合物と酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を基板Ｓに形成する。加熱において、基板Ｓの温度が２００℃以上５００℃以下になるように基板Ｓを加熱する。供給において、酸素含有ガスは、酸素ガス、あるいは、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスのいずれかであり、シラン化合物であるジイソプロポキシシラン（ＭＡ）に対する酸素含有ガスの分子（ＭＢ）のモル比（ＭＢ／ＭＡ）が１０以上２５以下となるようにシラン化合物と素含有ガスとを供給する。以下、図面を参照してＣＶＤ方法をより詳しく説明する。
図２から図５を参照して、ＣＶＤ方法を説明する。
本開示のＣＶＤ方法は、減圧された真空槽１１に収容される基板Ｓの加熱と、シラン化合物および酸素含有ガスの真空槽１１に対する供給と、を含み、シラン化合物と酸素含有ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を基板Ｓに形成する。加熱において、基板Ｓの温度が２００℃以上５００℃以下になるように基板Ｓを加熱する。供給において、酸素含有ガスは、酸素ガス、あるいは、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスのいずれかであり、シラン化合物であるジイソプロポキシシラン（ＭＡ）に対する酸素含有ガスの分子（ＭＢ）のモル比（ＭＢ／ＭＡ）が１０以上２５以下となるようにシラン化合物と素含有ガスとを供給する。以下、図面を参照してＣＶＤ方法をより詳しく説明する。
【0028】
図２は、成膜前の基板Ｓを加熱する加熱工程を示している。
図２が示すように、シリコン酸化膜を形成する際には、まず、成膜前の基板Ｓが真空槽１１内の支持部１３に配置される。次いで、排気部１２が真空槽１１内を排気することによって、真空槽１１内が所定の圧力まで減圧される。そして、加熱用ガス供給部１６が真空槽１１内への窒素ガスの供給を開始する。これにより、真空槽１１内の圧力が、第１圧力に昇圧される。その後、基板加熱部１４が支持部１３を介した基板Ｓの加熱を開始する。このように、加熱工程では、真空槽１１内に窒素ガスが供給されている状態で、基板Ｓの加熱が行われる。加熱工程において、基板Ｓの温度は、２００℃以上５００℃以下の範囲内に含まれる所定の温度に加熱される。
図２が示すように、シリコン酸化膜を形成する際には、まず、成膜前の基板Ｓが真空槽１１内の支持部１３に配置される。次いで、排気部１２が真空槽１１内を排気することによって、真空槽１１内が所定の圧力まで減圧される。そして、加熱用ガス供給部１６が真空槽１１内への窒素ガスの供給を開始する。これにより、真空槽１１内の圧力が、第１圧力に昇圧される。その後、基板加熱部１４が支持部１３を介した基板Ｓの加熱を開始する。このように、加熱工程では、真空槽１１内に窒素ガスが供給されている状態で、基板Ｓの加熱が行われる。加熱工程において、基板Ｓの温度は、２００℃以上５００℃以下の範囲内に含まれる所定の温度に加熱される。
【0029】
すなわち、加熱工程では、制御部１０Ｃが、排気部１２の駆動を制御して、排気部１２に真空槽１１内を所定の圧力まで減圧させ、次いで、加熱用ガス供給部１６の駆動を制御して、加熱用ガス供給部１６に窒素ガスの供給を開始させる。また、制御部１０Ｃは、基板加熱部１４の駆動を制御して、基板加熱部１４に基板Ｓの加熱を開始させる。
【0030】
図３が示すように、基板Ｓの加熱が開始された時点から所定の時間が経過した後に、加熱用ガス供給部１６が真空槽１１内への窒素ガスの供給を停止する。加熱用ガス供給部１６は、基板の温度が上述した所定の温度まで昇温されたと推定される時間が経過した後に、真空槽１１内への窒素ガスの供給を停止する。この際に、排気部１２が真空槽１１内を排気し続けることによって、真空槽１１内から窒素ガスが排気される。すなわち、制御部１０Ｃが、加熱用ガス供給部１６の駆動を制御して、加熱用ガス供給部１６に窒素ガスの供給を停止させる。
【0031】
図４が示すように、窒素ガスの排気が開始された時点から所定の時間が経過した後に、供給部２０がシラン化合物のガスと酸素含有ガスとの混合ガスを真空槽１１内に供給する。上述したように、シラン化合物はＤｉＰＯＳであり、酸素含有ガスは例えば酸素ガスである。この際に、基板加熱部１４は、基板Ｓの温度が２００℃以上５００℃以下になるように基板Ｓを加熱している。供給部２０は、ＤｉＰＯＳに対する酸素分子のモル比が１０以上２５以下となるようにＤｉＰＯＳと酸素ガスとを供給する。すなわち、ＤｉＰＯＳのモル数（ＭＡ）に対する酸素のモル数（ＭＢ）の比（ＭＢ／ＭＡ）が１０以上２５以下となるように、供給部２０はＤｉＰＯＳのガスと酸素ガスとを真空槽１１に供給する。これにより、基板Ｓにシリコン酸化膜Ｆが形成される。なお、真空槽１１内の圧力は、加熱工程から第１圧力に維持されている。
【0032】
このように、シリコン酸化膜Ｆの形成工程では、制御部１０Ｃが、基板加熱部１４の駆動を制御して、基板Ｓの温度が２００℃以上５００℃以下の所定の温度に維持されるように、基板加熱部１４に基板Ｓの加熱を維持させる。また、制御部１０Ｃは、供給部２０の駆動を制御して、ＤｉＰＯＳに対する酸素分子のモル比が１０以上２５以下となるようにＤｉＰＯＳと酸素ガスとを供給させる。
【0033】
こうしたＣＶＤ装置１０によれば、ジイソプロポキシシランと酸素ガスとの熱反応を２００℃以上５００℃以下において進めることが可能であるから、シリコン酸化膜Ｆを形成する過程において、プラズマダメージを抑制して低温での成膜を行うことが可能である。すなわち、低温でのシリコン酸化膜Ｆの形成が可能であるから、シリコン酸化膜Ｆをゲート絶縁膜として用いた場合に、下地膜の熱収縮を抑えることが可能である。また、真空槽１１内にプラズマを生成せずともシリコン酸化膜Ｆの形成が可能であるから、ゲート絶縁膜および下地膜に対するプラズマダメージを避けることが可能である。
【0034】
この際、真空槽１１内の圧力が５ＫＰａ以上１５ＫＰａ以下に設定され、かつ、真空槽１１に気化装置３０を接続する通路の温度が、６０℃以上２００℃以下に設定される。すなわち、排気部１２が、真空槽１１内の圧力が５ＫＰａ以上１５ＫＰａ以下になるように真空槽１１内を排気する。また、供給部２０が、通路を６０℃以上２００℃以下に加熱する。
【0035】
５ＫＰａ以上１５ＫＰａの圧力においてジイソプロポキシシランと酸素ガスとの熱反応が進められるから、シリコン酸化膜Ｆをゲート絶縁膜に適用することに際し、ゲート絶縁膜の形成に求められる成膜速度を得ることが容易である。そして、気化装置３０と真空槽１１とを接続する通路が６０℃以上２００℃以下に加熱されるため、一度気化されたＤｉＰＯＳが５ＫＰａ以上１５ＫＰａ以下の圧力を有した真空槽１１に到達するまでに再度液化することを抑えることも可能である。
【0036】
排気部１２は、ＤｉＰＯＳのガスと酸素ガスとの混合ガスが真空槽１１内に供給されている状態において、真空槽１１内の圧力が５ＫＰａ以上１５ＫＰａとなるような排気速度で真空槽１１内を排気する。供給部２０は、例えば、タンク加熱部３４によって所定の温度に加熱されたシリコン化合物のガスを供給すること、および、第１配管２１を配管加熱部２４によって所定の温度に加熱することによって、通路を６０℃以上２００℃以下に加熱する。
【0037】
この際に、制御部１０Ｃは、排気部１２の駆動を制御して、排気部１２に真空槽１１内の圧力が５ＫＰａ以上１５ＫＰａ以下となるように真空槽１１内を排気させる。また、制御部１０Ｃは、供給部２０の駆動を制御して、供給部２０に通路を加熱させる。
【0038】
図５が示すように、熱反応によって所定の厚さを有したシリコン酸化膜が形成された後に、シャワーヘッド２５に高周波電力が供給される。プラズマダメージを抑えることが可能な厚さを有したシリコン酸化膜Ｆが形成された後において、シャワーヘッド２５に対する高周波電力の供給が開始される。これにより、シャワーヘッド２５の周りに混合ガスからプラズマＰが生成される。この際に、熱反応に求められる真空槽１１内の圧力と、プラズマの生成に求められる真空槽１１内の圧力とが互いに異なるから、第１通路を用いた排気から、第２通路を用いた排気に切り替えられる。
【0039】
すなわち、制御部１０Ｃは、供給部２０を駆動してＤｉＰＯＳと酸素ガスとを真空槽１１に供給しながら、ＤｉＰＯＳと酸素ガスとの熱反応によってシリコン酸化膜を形成した後に、供給部２０と高周波電源１５とを駆動して以下を行う。すなわち、供給部２０を駆動してＤｉＰＯＳと酸素ガスとを真空槽１１に供給しながら、高周波電源１５を駆動してＤｉＰＯＳと酸素ガスとのプラズマ反応によってさらにシリコン酸化膜Ｆを形成する。
【0040】
これにより、ジイソプロポキシシランと酸素ガスとのプラズマ反応によるプラズマダメージは、プラズマ反応に先駆けて形成された熱反応によるシリコン酸化膜Ｆによって抑制される。そして、熱反応のみによる成膜速度よりも高い成膜速度を実現することも可能である。
【0041】
所望の厚さを有したシリコン酸化膜が形成された後に、シャワーヘッド２５に対する高周波電力の供給が停止される。次いで、ＤｉＰＯＳのガスおよび酸素ガスの供給が停止される。すなわち、制御部１０Ｃが、高周波電源１５の駆動を制御して、高周波電源１５に高周波電力の供給を停止させる。また、制御部１０Ｃは、供給部２０の駆動を制御して、ＤｉＰＯＳガスおよび酸素ガスの供給を停止させる。
【0042】
【0043】
［ＤｉＰＯＳの蒸気圧曲線］
図６は、ＤｉＰＯＳの蒸気圧曲線である。
図６が示すように、ＤｉＰＯＳの蒸気圧曲線は、縦軸がＤｉＰＯＳの蒸気圧（Ｐａ）であり、横軸が１０００／Ｔ（１／Ｋ）である場合に、以下の式によって近似される。
ｙ＝２Ｅ＋１１ｅ－５．５２７ｘ
図６は、ＤｉＰＯＳの蒸気圧曲線である。
図６が示すように、ＤｉＰＯＳの蒸気圧曲線は、縦軸がＤｉＰＯＳの蒸気圧（Ｐａ）であり、横軸が１０００／Ｔ（１／Ｋ）である場合に、以下の式によって近似される。
ｙ＝２Ｅ＋１１ｅ－５．５２７ｘ
【0044】
例えば、ＤｉＰＯＳの蒸気圧は、液温が５６℃である場合に、すなわち１０００／Ｔが３．０４（１／Ｋ）である場合に、１００ｈＰａである。ＤｉＰＯＳの蒸気圧は、液温が７５℃である場合に、すなわち１０００／Ｔが２．８７（１／Ｋ）である場合に、２５０ｈＰａである。
【0045】
ＣＶＤ装置１０において、ＤｉＰＯＳの流量が１００ｓｃｃｍに維持され、かつ、真空槽１１内の圧力、すなわち第１圧力計Ｐ１の測定値が５ＫＰａに維持される場合、酸素ガスの流量が１ＳＬＭ以上２５ＳＬＭ以下に設定されることによって、第２圧力計Ｐ２の測定値が以下の値であることが認められた。すなわち、第２圧力計Ｐ２の測定値が、５１ｈＰａ以上９０ｈＰａ以下であることが認められた。なお、第２圧力計Ｐ２の測定値は、酸素ガスの流量が大きいほど大きくなる傾向を有する。
【0046】
また、上述した条件において、真空槽１１内の圧力を１０ＫＰａに変更した場合には、酸素ガスの流量が１ＳＬＭから２５ＳＬＭ以下に設定されることによって、第２圧力計Ｐ２の測定値が、１０２ｈＰａ以上１１６ｈＰａ以下であることが認められた。また、真空槽１１内の圧力を１０１．３ＫＰａに変更した場合には、酸素ガスの流量が２５ＳＬＭであることによって、第２圧力計Ｐ２の測定値が、１０３２ｈＰａであることが認められた。
【0047】
このように、ＤｉＰＯＳ分子のモル数に対する酸素分子のモル数の比が１０以上２５以下となるようにＤｉＰＯＳと酸素ガスとを真空槽１１に供給する場合には、第２圧力計Ｐ２の測定値が１００ｈＰａを超えることが好ましい。先に参照したＤｉＰＯＳの蒸気圧曲線によれば、液温が６０℃である場合にＤｉＰＯＳの蒸気圧が１１６ｈＰａであるから、第１配管２１の温度が６０℃以上であることによって、気化装置３０から放出されたＤｉＰＯＳの液化を抑えることが可能である。なお、上述したように、基板Ｓは過剰に加熱されないことが好ましいから、ＤｉＰＯＳの供給に起因した基板Ｓの加熱を抑える観点において、第１配管２１の温度は、基板Ｓの温度における下限値である２００℃以下に設定されることが好ましい。
【0048】
【0049】
［成膜条件］
・基板の温度 ３５０℃以上４２０℃以下
・１０００／Ｔ １．４４以上１．６１以下
・ＤｉＰＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素含有ガス 酸素ガス
・酸素ガスの流量 ３４００ｓｃｃｍ
・真空槽内の圧力 １０ＫＰａ
・基板の温度 ３５０℃以上４２０℃以下
・１０００／Ｔ １．４４以上１．６１以下
・ＤｉＰＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素含有ガス 酸素ガス
・酸素ガスの流量 ３４００ｓｃｃｍ
・真空槽内の圧力 １０ＫＰａ
【0050】
なお、図７には、酸素含有ガスが酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスであって、酸素含有ガスの流量が３４００ｓｃｃｍであり、かつ、酸素含有ガスにおける５体積％がオゾンガスである場合の成膜速度が示されている。
【0051】
図７が示すように、基板の温度が３５０℃以上４２０℃以下の範囲において、シリコン酸化膜の成膜速度は、１．０×１０－１ｎｍ／ｍｉｎ以上であることが認められた。また、酸素含有ガスがオゾンガスを含む場合にも、酸素含有ガスが酸素ガスである場合と同様の成膜速度でシリコン酸化膜が形成されることが認められた。なお、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と酸素ガスとを用いた熱ＣＶＤ法では、参考文献１（J. Electrochem. Soc. SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, June 1979, The deposition of Silicon Dioxide Films at Reduced Pressure）に記載のように、基板の温度が４００℃以下である場合には、成膜速度が１．０×１０－２ｎｍ／ｍｉｎ未満であることが認められている。
【0052】
［不純物濃度］
［試験例１］
プラズマＣＶＤ法を用いて、以下の成膜条件によりシリコン酸化膜を形成した。得られたシリコン酸化膜において、水素濃度、炭素濃度、および、窒素濃度は、以下の表１が示す通りであった。
［試験例１］
プラズマＣＶＤ法を用いて、以下の成膜条件によりシリコン酸化膜を形成した。得られたシリコン酸化膜において、水素濃度、炭素濃度、および、窒素濃度は、以下の表１が示す通りであった。
【0053】
［成膜条件］
・基板の温度 ３５０℃
・１０００／Ｔ １．６１
・ＴＥＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素ガスの流量 １６０００ｓｃｃｍ
・真空槽内の圧力 １７５Ｐａ
・高周波電力 ０．６Ｗ／ｃｍ２
・基板の温度 ３５０℃
・１０００／Ｔ １．６１
・ＴＥＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素ガスの流量 １６０００ｓｃｃｍ
・真空槽内の圧力 １７５Ｐａ
・高周波電力 ０．６Ｗ／ｃｍ２
【0054】
［試験例２］
熱ＣＶＤ法を用いて、以下の成膜条件によりシリコン酸化膜を形成した。得られたシリコン酸化膜において、水素濃度、炭素濃度、および、窒素濃度は、以下の表１が示す通りであった。
熱ＣＶＤ法を用いて、以下の成膜条件によりシリコン酸化膜を形成した。得られたシリコン酸化膜において、水素濃度、炭素濃度、および、窒素濃度は、以下の表１が示す通りであった。
【0055】
［成膜条件］
・基板の温度 ４０５℃
・１０００／Ｔ １．４７
・ＤｉＰＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素ガスの流量 ３４００ｓｃｃｍ
・真空槽内の圧力 １００００Ｐａ
・基板の温度 ４０５℃
・１０００／Ｔ １．４７
・ＤｉＰＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素ガスの流量 ３４００ｓｃｃｍ
・真空槽内の圧力 １００００Ｐａ
【0056】
【表1】
【0057】
表１が示すように、試験例１では、水素濃度が２×１０２１であり、炭素濃度が１×１０２０であり、窒素濃度が１×１０１８であることが認められた。これに対して、試験例２では、水素濃度が４×１０２１であり、炭素濃度が３×１０１９であり、窒素濃度が９×１０１８であることが認められた。すなわち、試験例２のシリコン酸化膜における不純物濃度が、試験例１のシリコン酸化膜における不純物濃度と同程度であることが認められた。
【0058】
［電気的特性］
プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法、または、熱ＣＶＤ法を用いて形成したシリコン酸化膜を備える試験用のＭＯＳ型デバイスを形成した。そして、ＭＯＳ型デバイスを用いて、各シリコン酸化膜の電気的特性を測定した。
プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法、または、熱ＣＶＤ法を用いて形成したシリコン酸化膜を備える試験用のＭＯＳ型デバイスを形成した。そして、ＭＯＳ型デバイスを用いて、各シリコン酸化膜の電気的特性を測定した。
【0059】
なお、図８が示すように、シリコン基板４１と、シリコン基板４１上に位置するシリコン酸化膜４２と、シリコン酸化膜４２上に位置するアルミニウム電極４３とを備えるＭＯＳ型デバイスを形成した。ＭＯＳ型デバイスにおいて、シリコン基板４１の大きさを１辺の長さが２５ｍｍである正方形状に設定した。また、シリコン酸化膜の厚さを１００ｎｍに設定した。試験例３から試験例６の各々において、以下の成膜条件によってシリコン酸化膜を形成した。また、試験例６では、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスを酸素含有ガスとして用いた。この際に、オゾンガスの体積を混合ガスの全体積における５体積％に設定した。
【0060】
［試験例３］
・基板の温度 ３５０℃
・１０００／Ｔ １．６１
・ＴＥＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素ガスの流量 １６０００ｓｃｃｍ
・真空槽内の圧力 １７５Ｐａ
・高周波電力 ０．６Ｗ／ｃｍ２
・基板の温度 ３５０℃
・１０００／Ｔ １．６１
・ＴＥＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素ガスの流量 １６０００ｓｃｃｍ
・真空槽内の圧力 １７５Ｐａ
・高周波電力 ０．６Ｗ／ｃｍ２
【0061】
［試験例４］
・基板の温度 ４２０℃
・１０００／Ｔ １．４４
・ＴＥＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素ガスの流量 １６０００ｓｃｃｍ
・真空槽内の圧力 １７５Ｐａ
・高周波電力 ０．６Ｗ／ｃｍ２
・基板の温度 ４２０℃
・１０００／Ｔ １．４４
・ＴＥＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素ガスの流量 １６０００ｓｃｃｍ
・真空槽内の圧力 １７５Ｐａ
・高周波電力 ０．６Ｗ／ｃｍ２
【0062】
［試験例５］
・基板の温度 ４０５℃
・１０００／Ｔ １．４７
・ＤｉＰＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素ガスの流量 ３４００ｓｃｃｍ
・真空槽内の圧力 １００００Ｐａ
・基板の温度 ４０５℃
・１０００／Ｔ １．４７
・ＤｉＰＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素ガスの流量 ３４００ｓｃｃｍ
・真空槽内の圧力 １００００Ｐａ
【0063】
［試験例６］
・基板の温度 ４０５℃
・１０００／Ｔ １．４７
・ＤｉＰＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素含有ガスの流量 ３４００ｓｃｃｍ（オゾン ５体積％）
・真空槽内の圧力 １００００Ｐａ
・基板の温度 ４０５℃
・１０００／Ｔ １．４７
・ＤｉＰＯＳの流量 ３２０ｓｃｃｍ
・酸素含有ガスの流量 ３４００ｓｃｃｍ（オゾン ５体積％）
・真空槽内の圧力 １００００Ｐａ
【0064】
なお、リーク電流は、各ＭＯＳ型デバイスに対して２ＭＶ／ｃｍの電圧を印加したときの電流値である。また、絶縁耐圧は、リーク電流が１×１０－６Ａ／ｃｍ２である印加電圧の値である。界面における欠陥密度の測定には、半導体検査装置（セミコンダクターフィジックスラボラトリー社製、ＭＣＶ‐５３０）を用いた。各試験例のＭＯＳ型デバイスにおける電気的特性は、以下の表２に示す通りであった。
【0065】
【表2】
【0066】
表２が示すように、試験例５，６のＭＯＳ型デバイスにおける電気的特性、すなわち、比誘電率、リーク電流、絶縁耐圧、および、界面欠陥密度の値は、いずれも試験例３，４のＭＯＳ型デバイスと同程度であるか、あるいはそれ以上であることが認められた。
【0067】
以上説明したように、ＣＶＤ装置、および、ＣＶＤ方法の一実施形態によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
（１）ＤｉＰＯＳと酸素含有ガスとの熱反応を２００℃以上５００℃以下において進めることが可能であるから、シリコン酸化膜を形成する過程において、プラズマダメージを抑制して低温での成膜を行うことが可能である。
（１）ＤｉＰＯＳと酸素含有ガスとの熱反応を２００℃以上５００℃以下において進めることが可能であるから、シリコン酸化膜を形成する過程において、プラズマダメージを抑制して低温での成膜を行うことが可能である。
【0068】
（２）５ＫＰａ以上１５ＫＰａの圧力においてＤｉＰＯＳと酸素含有ガスとの熱反応が進められるから、シリコン酸化膜をゲート絶縁膜に適用することに際し、ゲート絶縁膜の形成に求められる成膜速度を得ることが容易である。
【0069】
（３）気化装置３０と真空槽１１とを接続する通路が６０℃以上２００℃以下に加熱されるため、一度気化されたＤｉＰＯＳが５ＫＰａ以上１５ＫＰａ以下の圧力を有した真空槽１１に到達するまでに再度液化することを抑えることも可能である。
【0070】
（４）ＤｉＰＯＳと酸素含有ガスとのプラズマ反応によるプラズマダメージは、プラズマ反応に先駆けて形成された熱反応によるシリコン酸化膜によって抑制される。そして、熱反応のみによる成膜速度よりも高い成膜速度を実現することも可能である。
【0071】
なお、上述した実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
［第２圧力計］
・ＣＶＤ装置１０において、第２圧力計Ｐ２は省略されてもよい。この場合であっても、第１配管２１との温度によって、気化装置３０から放出されたＤｉＰＯＳが再度液化することが抑えられるから、上述した（３）に準じた効果を得ることはできる。
［第２圧力計］
・ＣＶＤ装置１０において、第２圧力計Ｐ２は省略されてもよい。この場合であっても、第１配管２１との温度によって、気化装置３０から放出されたＤｉＰＯＳが再度液化することが抑えられるから、上述した（３）に準じた効果を得ることはできる。
【0072】
［高周波電源］
・ＣＶＤ装置１０において、高周波電源１５は省略されてもよい。この場合には、排気部１２において、第１通路および第２バルブ１２Ｃが省略されてよい。また、図５を参照して先に説明したプラズマＣＶＤ法によって酸化シリコン膜を形成する工程が省略される。この場合であっても、ＤｉＰＯＳと酸素含有ガスとの熱反応を２００℃以上５００度以下において進めることが可能であるから、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
・ＣＶＤ装置１０において、高周波電源１５は省略されてもよい。この場合には、排気部１２において、第１通路および第２バルブ１２Ｃが省略されてよい。また、図５を参照して先に説明したプラズマＣＶＤ法によって酸化シリコン膜を形成する工程が省略される。この場合であっても、ＤｉＰＯＳと酸素含有ガスとの熱反応を２００℃以上５００度以下において進めることが可能であるから、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
【0073】
［配管加熱部］
・気化装置３０から放出されたＤｉＰＯＳによって第１配管２１を６０℃以上２００℃以下の温度に加熱することが可能であれば、ＣＶＤ装置１０において、配管加熱部２４は省略されてもよい。この場合であっても、上述した（３）に準じた効果を得ることはできる。
・気化装置３０から放出されたＤｉＰＯＳによって第１配管２１を６０℃以上２００℃以下の温度に加熱することが可能であれば、ＣＶＤ装置１０において、配管加熱部２４は省略されてもよい。この場合であっても、上述した（３）に準じた効果を得ることはできる。
【符号の説明】
【0074】
１０…ＣＶＤ装置
１０Ｃ…制御部
１１…真空槽
１２…排気部
１４…基板加熱部
１５…高周波電源
２０…供給部
２１…第１配管
２４…配管加熱部
２５…シャワーヘッド
３０…気化装置
３４…タンク加熱部
１０Ｃ…制御部
１１…真空槽
１２…排気部
１４…基板加熱部
１５…高周波電源
２０…供給部
２１…第１配管
２４…配管加熱部
２５…シャワーヘッド
３０…気化装置
３４…タンク加熱部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
