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特開2022-56140非接触式通信装置、磁気テープドライブ、非接触式通信システム、非接触式通信装置の動作方法、及びプログラム
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022056140
(43)【公開日】2022-04-08
(54)【発明の名称】非接触式通信装置、磁気テープドライブ、非接触式通信システム、非接触式通信装置の動作方法、及びプログラム
(51)【国際特許分類】
G06K 7/10 20060101AFI20220401BHJP
G11B 23/30 20060101ALI20220401BHJP
G11B 23/107 20060101ALI20220401BHJP
H04B 5/02 20060101ALI20220401BHJP
【ＦＩ】
G06K7/10 152
G06K7/10 216
G11B23/30 E
G11B23/107
H04B5/02
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020163982
(22)【出願日】2020-09-29
(71)【出願人】
【識別番号】306037311
【氏名又は名称】富士フイルム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】特許業務法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】片岡 英一郎
【テーマコード（参考）】
5K012
【Ｆターム（参考）】
5K012AB02
5K012AC06
5K012AC08
5K012AC10
(57)【要約】
【課題】非接触式通信装置が１つの通信規格のみを用いて非接触式記憶媒体と非接触式の通信を行う場合に比べ、非接触式通信装置に対して、様々な通信規格の非接触式記憶媒体と非接触式の通信を行わせることができる非接触式通信装置、磁気テープドライブ、非接触式通信システム、非接触式通信装置の動作方法、及びプログラムを提供する。
【解決手段】非接触式通信装置は、アンテナと、磁気テープカートリッジに搭載された非接触式記憶媒体とアンテナとを電磁誘導により結合させることで非接触式記憶媒体と通信を行うプロセッサと、を備える。プロセッサは、複数の通信規格の各々で通信可能であり、複数の通信規格のうちの非接触式記憶媒体に対応する通信規格で非接触式記憶媒体と通信を行う。
【選択図】図３２
【解決手段】非接触式通信装置は、アンテナと、磁気テープカートリッジに搭載された非接触式記憶媒体とアンテナとを電磁誘導により結合させることで非接触式記憶媒体と通信を行うプロセッサと、を備える。プロセッサは、複数の通信規格の各々で通信可能であり、複数の通信規格のうちの非接触式記憶媒体に対応する通信規格で非接触式記憶媒体と通信を行う。
【選択図】図３２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
アンテナと、
磁気テープカートリッジに搭載された非接触式記憶媒体と前記アンテナとを電磁誘導により結合させることで前記非接触式記憶媒体と通信を行うプロセッサと、を備える非接触式通信装置であって、
前記プロセッサは、
複数の通信規格の各々で通信可能であり、
複数の通信規格のうちの前記非接触式記憶媒体に対応する通信規格で前記非接触式記憶媒体と通信を行う
非接触式通信装置。
磁気テープカートリッジに搭載された非接触式記憶媒体と前記アンテナとを電磁誘導により結合させることで前記非接触式記憶媒体と通信を行うプロセッサと、を備える非接触式通信装置であって、
前記プロセッサは、
複数の通信規格の各々で通信可能であり、
複数の通信規格のうちの前記非接触式記憶媒体に対応する通信規格で前記非接触式記憶媒体と通信を行う
非接触式通信装置。
【請求項2】
前記プロセッサは、
前記非接触式記憶媒体に対してレスポンスを要求するコマンドを前記アンテナを介して前記非接触式記憶媒体に送信することで前記非接触式記憶媒体から得た前記レスポンスに基づいて、前記複数の通信規格のうちの前記非接触式記憶媒体に対して設定されている通信規格を特定し、
特定した前記通信規格で前記非接触式記憶媒体と通信を行う請求項１に記載の非接触式通信装置。
前記非接触式記憶媒体に対してレスポンスを要求するコマンドを前記アンテナを介して前記非接触式記憶媒体に送信することで前記非接触式記憶媒体から得た前記レスポンスに基づいて、前記複数の通信規格のうちの前記非接触式記憶媒体に対して設定されている通信規格を特定し、
特定した前記通信規格で前記非接触式記憶媒体と通信を行う請求項１に記載の非接触式通信装置。
【請求項3】
前記レスポンスには、前記非接触式記憶媒体に対して設定されている通信規格を特定可能な情報が含まれている請求項２に記載の非接触式通信装置。
【請求項4】
外部から与えられた指示に応じて前記非接触式記憶媒体に対して前記複数の通信規格が選択的に設定される場合、前記プロセッサは、前記複数の通信規格のうち、前記非接触式記憶媒体に対して設定されている通信規格で前記非接触式記憶媒体と通信を行う請求項１から請求項３の何れか一項に記載の非接触式通信装置。
【請求項5】
前記プロセッサは、
前記磁気テープカートリッジに物理的に付与されている特徴であって、前記非接触式記憶媒体に対して設定されている通信規格を特定可能な特徴を取得し、
取得した前記特徴に基づいて前記複数の通信規格のうちの前記非接触式記憶媒体に対応する通信規格を特定し、
特定した前記通信規格で前記非接触式記憶媒体と通信を行う請求項１に記載の非接触式通信装置。
前記磁気テープカートリッジに物理的に付与されている特徴であって、前記非接触式記憶媒体に対して設定されている通信規格を特定可能な特徴を取得し、
取得した前記特徴に基づいて前記複数の通信規格のうちの前記非接触式記憶媒体に対応する通信規格を特定し、
特定した前記通信規格で前記非接触式記憶媒体と通信を行う請求項１に記載の非接触式通信装置。
【請求項6】
前記特徴は、物理的なセンサによって検知される請求項５に記載の非接触式通信装置。
【請求項7】
前記特徴は、前記磁気テープカートリッジの形状及び大きさのうちの少なくとも形状である請求項５又は請求項６に記載の非接触式通信装置。
【請求項8】
前記特徴は、前記非接触式記憶媒体に対して設定されている通信規格を特定可能なマークである請求項５又は請求項６に記載の非接触式通信装置。
【請求項9】
前記非接触式通信装置は、前記磁気テープカートリッジが装填されるドライブに搭載されているリーダライタである請求項１から請求項８の何れか一項に記載の非接触式通信装置。
【請求項10】
前記非接触式通信装置は、前記磁気テープカートリッジの検品用のリーダライタである請求項１から請求項８の何れか一項に記載の非接触式通信装置。
【請求項11】
前記非接触式通信装置は、前記磁気テープカートリッジの診断用のリーダライタである請求項１から請求項８の何れか一項に記載の非接触式通信装置。
【請求項12】
前記非接触式通信装置は、前記磁気テープカートリッジの生産管理用のリーダライタである請求項１から請求項８の何れか一項に記載の非接触式通信装置。
【請求項13】
前記生産管理用のリーダライタは、前記磁気テープカートリッジが複数の製造工程を通過した履歴の管理に用いられるリーダライタである請求項１２に記載の非接触式通信装置。
【請求項14】
前記プロセッサは、前記複数の通信規格のうちの前記通信で用いられる通信規格を、外部から与えられた指示に応じて固定する請求項１から請求項１３の何れか一項に記載の非接触式通信装置。
【請求項15】
請求項１から請求項１４の何れか一項に記載の非接触式通信装置と、
磁気ヘッドと、を備え、
前記非接触式記憶媒体は、磁気テープカートリッジに搭載されており、
前記磁気テープカートリッジは、磁気テープを収容しており、
前記磁気ヘッドは、前記磁気テープカートリッジから引き出された前記磁気テープに対してデータの記録及び読取のうちの少なくとも一方を行う
磁気テープドライブ。
磁気ヘッドと、を備え、
前記非接触式記憶媒体は、磁気テープカートリッジに搭載されており、
前記磁気テープカートリッジは、磁気テープを収容しており、
前記磁気ヘッドは、前記磁気テープカートリッジから引き出された前記磁気テープに対してデータの記録及び読取のうちの少なくとも一方を行う
磁気テープドライブ。
【請求項16】
請求項１から請求項１４の何れか一項に記載の非接触式通信装置と、
前記非接触式記憶媒体と、
を備える非接触式通信システム。
前記非接触式記憶媒体と、
を備える非接触式通信システム。
【請求項17】
アンテナと、磁気テープカートリッジに搭載された非接触式記憶媒体と前記アンテナとを電磁誘導により結合させることで前記非接触式記憶媒体と通信を行うプロセッサと、を備える非接触式通信装置の動作方法であって、
前記プロセッサは、複数の通信規格の各々で通信可能であり、
複数の通信規格のうちの前記非接触式記憶媒体に対応する通信規格で前記非接触式記憶媒体と通信を行うことを含む
非接触式通信装置の動作方法。
前記プロセッサは、複数の通信規格の各々で通信可能であり、
複数の通信規格のうちの前記非接触式記憶媒体に対応する通信規格で前記非接触式記憶媒体と通信を行うことを含む
非接触式通信装置の動作方法。
【請求項18】
アンテナと、磁気テープカートリッジに搭載された非接触式記憶媒体と前記アンテナとを電磁誘導により結合させることで前記非接触式記憶媒体と通信を行うプロセッサと、を備える非接触式通信装置に対して適用されるコンピュータに特定処理を実行させるためのプログラムであって、
前記プロセッサは、複数の通信規格の各々で通信可能であり、
前記特定処理は、複数の通信規格のうちの前記非接触式記憶媒体に対応する通信規格で前記非接触式記憶媒体と通信を行うことを含む処理である
プログラム。
前記プロセッサは、複数の通信規格の各々で通信可能であり、
前記特定処理は、複数の通信規格のうちの前記非接触式記憶媒体に対応する通信規格で前記非接触式記憶媒体と通信を行うことを含む処理である
プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の技術は、非接触式通信装置、磁気テープドライブ、非接触式通信システム、非接触式通信装置の動作方法、及びプログラムに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、記録媒体とともに記録媒体筐体に取り付けられ、記録媒体に関する情報を記憶する記憶部と、記憶部についてのデータ転送を非接触式で実行するための通信部を有する非接触式半導体メモリに対してデータ送受信を行う通信装置が開示されている。 特許文献１に記載の通信装置は、複数の通信処理部を有し、各通信処理部がそれぞれ異なる所定の通信方式において非接触式半導体メモリに対するデータ送信処理及びデータ受信処理を行うようにされた通信処理手段と、通信処理手段の各通信処理部のうちで動作させる通信処理部を切り換える切換手段と、通信処理手段の各通信処理部に対応して設けられる複数のアンテナ手段と、を備えたことを特徴とする非接触式半導体メモリに対する通信装置である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００２－１８９９９４号公報
【発明の概要】
【0004】
本開示の技術に係る一つの実施形態は、非接触式通信装置が１つの通信規格のみを用いて非接触式記憶媒体と非接触式の通信を行う場合に比べ、非接触式通信装置に対して、様々な通信規格の非接触式記憶媒体と非接触式の通信を行わせることができる非接触式通信装置、磁気テープドライブ、非接触式通信システム、非接触式通信装置の動作方法、及びプログラムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の技術に係る第１の態様は、アンテナと、磁気テープカートリッジに搭載された非接触式記憶媒体とアンテナとを電磁誘導により結合させることで非接触式記憶媒体と通信を行うプロセッサと、を備える非接触式通信装置であって、プロセッサが、複数の通信規格の各々で通信可能であり、複数の通信規格のうちの非接触式記憶媒体に対応する通信規格で非接触式記憶媒体と通信を行う非接触式通信装置である。
【0006】
本開示の技術に係る第２の態様は、プロセッサが、非接触式記憶媒体に対してレスポンスを要求するコマンドをアンテナを介して非接触式記憶媒体に送信することで非接触式記憶媒体から得たレスポンスに基づいて、複数の通信規格のうちの非接触式記憶媒体に対して設定されている通信規格を特定し、特定した通信規格で非接触式記憶媒体と通信を行う第１の態様に係る非接触式通信装置である。
【0007】
本開示の技術に係る第３の態様は、レスポンスには、非接触式記憶媒体に対して設定されている通信規格を特定可能な情報が含まれている第２の態様に係る非接触式通信装置である。
【0008】
本開示の技術に係る第４の態様は、外部から与えられた指示に応じて非接触式記憶媒体に対して複数の通信規格が選択的に設定される場合、プロセッサは、複数の通信規格のうち、非接触式記憶媒体に対して設定されている通信規格で非接触式記憶媒体と通信を行う第１の態様から第３の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置である。
【0009】
本開示の技術に係る第５の態様は、プロセッサが、磁気テープカートリッジに物理的に付与されている特徴であって、非接触式記憶媒体に対して設定されている通信規格を特定可能な特徴を取得し、取得した特徴に基づいて複数の通信規格のうちの非接触式記憶媒体に対応する通信規格を特定し、特定した通信規格で非接触式記憶媒体と通信を行う第１の態様に係る非接触式通信装置である。
【0010】
本開示の技術に係る第６の態様は、特徴が、物理的なセンサによって検知される第５の態様に係る非接触式通信装置である。
【0011】
本開示の技術に係る第７の態様は、特徴が、磁気テープカートリッジの形状及び大きさのうちの少なくとも形状である第５の態様又は第６の態様に係る非接触式通信装置である。
【0012】
本開示の技術に係る第８の態様は、特徴が、非接触式記憶媒体に対して設定されている通信規格を特定可能なマークである第５の態様又は第６の態様に係る非接触式通信装置である。
【0013】
本開示の技術に係る第９の態様は、非接触式通信装置が、磁気テープカートリッジが装填されるドライブに搭載されているリーダライタである第１の態様から第８の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置である。
【0014】
本開示の技術に係る第１０の態様は、非接触式通信装置が、磁気テープカートリッジの検品用のリーダライタである第１の態様から第８の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置である。
【0015】
本開示の技術に係る第１１の態様は、非接触式通信装置が、磁気テープカートリッジの診断用のリーダライタである第１の態様から第８の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置である。
【0016】
本開示の技術に係る第１２の態様は、非接触式通信装置が、磁気テープカートリッジの生産管理用のリーダライタである第１の態様から第８の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置である。
【0017】
本開示の技術に係る第１３の態様は、生産管理用のリーダライタが、磁気テープカートリッジが複数の製造工程を通過した履歴の管理に用いられるリーダライタである第１２の態様に係る非接触式通信装置である。
【0018】
本開示の技術に係る第１４の態様は、プロセッサが、複数の通信規格のうちの通信で用いられる通信規格を、外部から与えられた指示に応じて固定する第１の態様から第１３の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置である。
【0019】
本開示の技術に係る第１５の態様は、第１の態様から第１４の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置と、磁気ヘッドと、を備え、非接触式記憶媒体が、磁気テープカートリッジに搭載されており、磁気テープカートリッジが、磁気テープを収容しており、磁気ヘッドが、磁気テープカートリッジから引き出された磁気テープに対してデータの記録及び読取のうちの少なくとも一方を行う磁気テープドライブである。
【0020】
本開示の技術に係る第１６の態様は、第１の態様から第１４の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置と、非接触式記憶媒体と、を備える非接触式通信システムである。
【0021】
本開示の技術に係る第１７の態様は、アンテナと、磁気テープカートリッジに搭載された非接触式記憶媒体とアンテナとを電磁誘導により結合させることで非接触式記憶媒体と通信を行うプロセッサと、を備える非接触式通信装置の動作方法であって、プロセッサが、複数の通信規格の各々で通信可能であり、複数の通信規格のうちの非接触式記憶媒体に対応する通信規格で非接触式記憶媒体と通信を行うことを含む、非接触式通信装置の動作方法である。
【0022】
本開示の技術に係る第１８の態様は、アンテナと、磁気テープカートリッジに搭載された非接触式記憶媒体とアンテナとを電磁誘導により結合させることで非接触式記憶媒体と通信を行うプロセッサと、を備える非接触式通信装置に対して適用されるコンピュータに特定処理を実行させるためのプログラムであって、プロセッサが、複数の通信規格の各々で通信可能であり、特定処理が、複数の通信規格のうちの非接触式記憶媒体に対応する通信規格で非接触式記憶媒体と通信を行うことを含む処理である、プログラムである。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】磁気テープシステムの構成の一例を示すブロック図である。
【図2】磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。
【図3】磁気テープカートリッジの下ケースの内側の右後端部の構造の一例を示す概略斜視図である。
【図4】磁気テープカートリッジの下ケースの内面に設けられた支持部材の一例を示す側面視断面図である。
【図5】磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。
【図6】磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。
【図7】磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに対して非接触式読み書き装置から磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。
【図8】磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の裏面の構造の一例を示す概略底面図である。
【図9】磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の表面の構造の一例を示す概略平面図である。
【図10】磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの回路構成の一例を示す概略回路図である。
【図11】磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータの電気系のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図12】カートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータに含まれるＮＶＭの記憶内容の一例を示す概念図である。
【図13】カートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータ内のＣＰＵによってＣＭ応答処理プログラムが実行される態様の一例を示すブロック図である。
【図14】ＣＭ応答処理の内容の一例を示す概念図である。
【図15】ＣＭ応答処理の内容の一例を示す概念図である。
【図16】カートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータ内のＣＰＵによって通信規格設定プログラムが実行される態様の一例を示すブロック図である。
【図17】通信規格設定処理の内容の一例を示す概念図である。
【図18】通信規格設定処理の内容の一例を示す概念図である。
【図19】非接触式読み書き装置内の電気系のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図20】非接触式読み書き装置内のコンピュータの電気系のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図21】非接触式読み書き装置内のコンピュータに含まれるＮＶＭの記憶内容の一例を示す概念図である。
【図22】非接触式読み書き装置内のコンピュータ内のＣＰＵによって通信規格適応処理プログラムが実行される態様の一例を示すブロック図である。
【図23】通信規格適応処理の内容の一例を示す概念図である。
【図24】通信規格適応処理の内容の一例を示す概念図である。
【図25】通信規格適応処理の内容の一例を示す概念図である。
【図26】非接触式読み書き装置内のコンピュータ内のＣＰＵによって通信規格変更指示処理プログラムが実行される態様の一例を示すブロック図である。
【図27】通信規格変更指示処理の内容の一例を示す概念図である。
【図28】通信規格変更指示処理の内容の一例を示す概念図である。
【図29】通信規格変更指示処理の内容の一例を示す概念図である。
【図30】ＣＭ応答処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図31】通信規格設定処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図32】通信規格適応処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図33】通信規格変更指示処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図34】磁気テープカートリッジの外壁に形成された複数の切り欠きからカートリッジメモリに対して設定されている通信規格を特定する場合の形態例を示す概念図である。
【図35】磁気テープカートリッジの外壁に貼り付けられたマークからカートリッジメモリに対して設定されている通信規格を特定する場合の形態例を示す概念図である。
【図36】複数の磁気テープカートリッジのパッケージに対して非接触式読み書き装置によって磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。
【図37】非接触式読み書き装置内の現設定パラメータ記憶ブロック１３８に現設定パラメータ１４４が固定される場合の形態例を示すブロック図である。
【図38】記憶媒体から非接触式読み書き装置のコンピュータに通信規格適応処理プログラム及び通信規格変更指示処理プログラムがインストールされる態様の一例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下、添付図面に従って本開示の技術に係る非接触式通信装置、磁気テープドライブ、非接触式通信システム、非接触式通信装置の動作方法、及びプログラムの実施形態の一例について説明する。
【0025】
先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。
【0026】
ＣＰＵとは、“Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＤＲＡＭとは、“Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＳＲＡＭとは、“Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Ｎｏｎ－Ｖｏｌａｔｉｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ”の略称を指す。ＳｏＣとは、“Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ－ａ－Ｃｈｉｐ”の略称を指す。ＩＣとは、“Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ”の略称を指す。ＬＴＯとは、“Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ”の略称を指す。ＩＢＭとは、“Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ”の略称を指す。ＣＭとは、“Ｃａｒｔｒｉｄｇｅ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＥＬとは、“Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ”の略称を指す。ＱＲとは、“Ｑｕｉｃｋ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ”の略称を指す。
【0027】
一例として図１に示すように、磁気テープシステム２は、本開示の技術に係る「非接触式通信システム」の一例であり、磁気テープカートリッジ１０及び磁気テープドライブ３０を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープカートリッジ１０は、磁気テープＭＴを収容している。磁気テープドライブ３０は、装填された磁気テープドライブ３０から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴを走行させながら、磁気テープＭＴに対してデータを記録したり、磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。
【0028】
次に、図２～図４を参照しながら、磁気テープカートリッジ１０の構成の一例について説明する。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１０の磁気テープドライブ３０（図５参照）への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１０の前方向とし、磁気テープカートリッジ１０の前方向の側を磁気テープカートリッジ１０の前側とする。以下に示す構造の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１０の前側を指す。
【0029】
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１０の右方向の側を磁気テープカートリッジ１０の右側とする。以下に示す構造の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１０の右側を指す。
【0030】
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ｂ方向と逆の方向を左方向とし、磁気テープカートリッジ１０の左方向の側を磁気テープカートリッジ１０の左側とする。以下に示す構造の説明において、「左」とは、磁気テープカートリッジ１０の左側を指す。
【0031】
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１０の上方向とし、磁気テープカートリッジ１０の上方向の側を磁気テープカートリッジ１０の上側とする。以下に示す構造の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１０の上側を指す。
【0032】
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１０の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の後方向とし、磁気テープカートリッジ１０の後方向の側を磁気テープカートリッジ１０の後側とする。以下に示す構造の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１０の後側を指す。
【0033】
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１０の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の下方向とし、磁気テープカートリッジ１０の下方向の側を磁気テープカートリッジ１０の下側とする。以下に示す構造の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１０の下側を指す。
【0034】
また、以下の説明では、磁気テープカートリッジ１０の仕様としてＬＴＯを例に挙げて説明するが、これはあくまでも一例に過ぎず、ＩＢＭ３５９２の磁気テープカートリッジの仕様に準じていてもよい。
【0035】
一例として図２に示すように、磁気テープカートリッジ１０は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１２を備えている。ケース１２は、本開示の技術に係る「ケース」の一例である。ケース１２には、磁気テープＭＴが収容される。ケース１２は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１４及び下ケース１６を備えている。上ケース１４及び下ケース１６は、上ケース１４の下周縁面と下ケース１６の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。
【0036】
ケース１２の内部には、カートリッジリール１８が回転可能に収容されている。カートリッジリール１８は、リールハブ１８Ａ、上フランジ１８Ｂ１、及び下フランジ１８Ｂ２を備えている。リールハブ１８Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ１８Ａは、カートリッジリール１８の軸心部であり、軸心方向がケース１２の上下方向に沿っており、ケース１２の中央部に配置されている。上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ１８Ａの上端部には上フランジ１８Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ１８Ａの下端部には下フランジ１８Ｂ２の平面視中央部が固定されている。なお、リールハブ１８Ａと下フランジ１８Ｂ２が一体として成型されていてもよい。
【0037】
リールハブ１８Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２によって保持されている。
【0038】
ケース１２の右壁１２Ａの前側には、開口１２Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１２Ｂから引き出される。
【0039】
一例として図３に示すように、磁気テープカートリッジ１０にはカートリッジメモリ１９が搭載されている。カートリッジメモリ１９は、下ケース１６に設けられている。より具体的には、カートリッジメモリ１９は、下ケース１６の右後端部に収容されている。カートリッジメモリ１９は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ１９として採用されている。
【0040】
カートリッジメモリ１９には、磁気テープＭＴに関する情報が記憶されている。磁気テープＭＴに関する情報とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０を管理する管理情報（図１２参照）を指す。管理情報には、例えば、カートリッジメモリ１９に関する情報、磁気テープカートリッジ１０を特定可能な情報、磁気テープＭＴの記録容量、磁気テープＭＴに記録されているデータの概要、データの項目、及びデータの記録形式等を示す情報が含まれている。
【0041】
カートリッジメモリ１９は、非接触式読み書き装置との間で非接触通信を行う。非接触式読み書き装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０の製造工程で使用される非接触式読み書き装置（例えば、図３６に示す非接触式読み書き装置５０Ｂ）、及び、磁気テープドライブ（例えば、図５に示す磁気テープドライブ３０）内で使用される非接触式読み書き装置（例えば、図５～図７等に示す非接触式読み書き装置５０Ａ）が挙げられる。非接触式読み書き装置は、バッテリ（図示省略）又は商用電源から供給される電力を用いて作動する。
【0042】
非接触式読み書き装置は、一般的にリーダライタとも称されている装置であり、カートリッジメモリ１９に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ１９は、非接触式読み書き装置から与えられた磁界ＭＦ（図６等参照）に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ１９は、生成した電力を用いて作動し、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置と通信を行うことで非接触式読み書き装置との間で各種情報の授受を行う。
【0043】
一例として図３に示すように、下ケース１６の右後端部の底板１６Ａの内面には、支持部材２０が設けられている。支持部材２０は、カートリッジメモリ１９を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂである。第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂは、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース１６の後壁１６Ｂの内面及び底板１６Ａの内面に一体化されている。第１傾斜台２０Ａは、傾斜面２０Ａ１を有しており、傾斜面２０Ａ１は、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。また、第２傾斜台２０Ｂは、傾斜面２０Ｂ１を有しており、傾斜面２０Ｂ１も、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。
【0044】
支持部材２０の前方側には、一対の位置規制リブ２２が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ２２は、底板１６Ａの内面に立設されており、支持部材２０に配置された状態のカートリッジメモリ１９の下端部の位置を規制する。
【0045】
一例として図４に示すように、底板１６Ａの外面には基準面１６Ａ１が形成されている。基準面１６Ａ１は、平面である。ここで、平面とは、底板１６Ａを下側にして下ケース１６を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。ここで、「平行」とは、完全な平行の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの平行を指す。支持部材２０の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び傾斜面２０Ｂ１（図３参照）の傾斜角度は、基準面１６Ａ１に対して４５度である。なお、４５度は、あくまでも一例に過ぎず、“０度＜傾斜角度θ＜４５度”であってもよいし、４５度以上であってもよい。
【0046】
カートリッジメモリ１９は、基板２６を備えている。基板２６は、基板２６の裏面２６Ａを下側に向けて支持部材２０上に置かれ、支持部材２０は、基板２６の裏面２６Ａを下方から支持する。基板２６の裏面２６Ａの一部は、支持部材２０の傾斜面、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図３参照）に接触しており、基板２６の表面２６Ｂは、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１側に露出している。
【0047】
上ケース１４は、複数のリブ２４を備えている。複数のリブ２４は、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されている。複数のリブ２４は、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１から下側に突設されており、各リブ２４の先端面２４Ａは、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図３参照）に対応した傾斜面を有する。すなわち、各リブ２４の先端面２４Ａは、基準面１６Ａ１に対して４５度に傾斜している。
【0048】
カートリッジメモリ１９が支持部材２０に配置された状態で、上述したように上ケース１４が下ケース１６に接合されると、各リブ２４の先端面２４Ａは、基板２６に対して表面２６Ｂ側から接触し、基板２６は、各リブ２４の先端面２４Ａと支持部材２０の傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図３参照）とで挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ１９の上下方向の位置がリブ２４によって規制される。
【0049】
一例として図５に示すように、磁気テープドライブ３０は、搬送装置３４、磁気ヘッド３６、及び制御装置３８を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープドライブ３０は、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴに磁気ヘッド３６を用いてデータを記録し、かつ、引き出した磁気テープＭＴから磁気ヘッド３６を用いてデータをリニアサーペンタイン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、データの読み取りとは、換言すると、データの再生を指す。
【0050】
制御装置３８は、磁気テープドライブ３０の全体の動作を制御する。本実施形態において、制御装置３８は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３８は、ＦＰＧＡによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３８は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。
【0051】
搬送装置３４は、磁気テープＭＴを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ４０、巻取リール４２、巻取モータ４４、複数のガイドローラＧＲ、及び制御装置３８を備えている。なお、ここで、順方向とは、磁気テープＭＴの送り出し方向を指し、逆方向とは、磁気テープＭＴの巻き戻し方向を指す。
【0052】
送出モータ４０は、制御装置３８の制御下で、磁気テープカートリッジ１０内のカートリッジリール１８を回転させる。制御装置３８は、送出モータ４０を制御することで、カートリッジリール１８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
【0053】
磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合（ロードする場合）には、制御装置３８は、磁気テープＭＴが順方向に走行するように送出モータ４０を回転させる。送出モータ４０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。
【0054】
巻取モータ４４は、制御装置３８の制御下で、巻取リール４２を回転させる。制御装置３８は、巻取モータ４４を制御することで、巻取リール４２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
【0055】
磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８は、磁気テープＭＴが順方向に走行するように巻取モータ４４を回転させる。磁気テープＭＴをカートリッジリール１８に巻き戻す場合（アンロードする場合）には、制御装置３８は、磁気テープＭＴが逆方向に走行するように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。このようにして送出モータ４０及び巻取モータ４４の各々の回転速度及び回転トルク等が制御装置３８によって調整されることで、磁気テープＭＴに張力が付与される。
【0056】
本実施形態では、送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴに掛けられる張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴに掛けられる張力は、ダンサローラを用いて制御されるようにしてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。
【0057】
複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１０と巻取リール４２との間において磁気ヘッド３６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。
【0058】
磁気ヘッド３６は、磁気素子ユニット４６及びホルダ４８を備えている。磁気素子ユニット４６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４８によって保持されている。磁気素子ユニット４６は、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴにデータを記録したり、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。
【0059】
磁気テープドライブ３０は、非接触式読み書き装置５０Ａを備えている。非接触式読み書き装置５０Ａは、本開示の技術に係る「非接触式通信装置」の一例である。非接触式読み書き装置５０Ａは、磁気テープカートリッジ１０が装填された状態の磁気テープカートリッジ１０の下側にてカートリッジメモリ１９の裏面２６Ａに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態とは、例えば、磁気ヘッド３６による磁気テープＭＴに対するデータの読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に、磁気テープカートリッジ１０が到達した状態を指す。
【0060】
一例として図６に示すように、非接触式読み書き装置５０Ａは、磁気テープカートリッジ１０の下側からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９を貫通する。
【0061】
一例として図７に示すように、非接触式読み書き装置５０Ａは、制御装置３８に接続されている。制御装置３８は、制御信号を非接触式読み書き装置５０Ａに出力する。制御信号は、カートリッジメモリ１９を制御する信号である。非接触式読み書き装置５０Ａは、制御装置３８から入力された制御信号に従って、磁界ＭＦをカートリッジメモリ１９に向けて放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａ側から表面２６Ｂ側に貫通する。
【0062】
非接触式読み書き装置５０Ａは、カートリッジメモリ１９との間で非接触通信を行うことで、制御信号に応じたコマンドをカートリッジメモリ１９に与える。より詳しく説明すると、非接触式読み書き装置５０Ａは、制御装置３８の制御下で、コマンドをカートリッジメモリ１９に空間伝送する。コマンドは、カートリッジメモリ１９に対する指令を示す信号である。本実施形態において、コマンドは、複数の通信規格の何れかに準拠しており、複数の通信規格の何れかに対応したコマンドが非接触式読み書き装置５０Ａから空間伝送される。
【0063】
ここで、複数の通信規格としては、例えば、ＩＳＯ１４４３４３Ａ（ＴｙｐｅＡ）、ＩＳＯ１４４４３Ｂ（ＴｙｐｅＢ）、ＩＳＯ１５６９３、及びＩＳＯ１８０９２等が挙げられる。なお、本実施形態では、説明の便宜上、これらの通信規格を一般化して「第Ｎ通信規格」、又は、単に「通信規格」とも称する。ここで、“Ｎ”は、１以上の自然数を意味する。
【0064】
また、ここでは、制御装置３８の制御下で、非接触式読み書き装置５０Ａがコマンドをカートリッジメモリ１９に空間伝送する形態例を挙げて説明しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階では、非接触式読み書き装置５０Ｂ（図３６参照）が、制御装置３８とは異なる制御装置の制御下で、コマンドをカートリッジメモリ１９に空間伝送する。
【0065】
コマンドが非接触式読み書き装置５０Ａからカートリッジメモリ１９に空間伝送される場合、磁界ＭＦには、非接触式読み書き装置５０Ａによって、制御装置３８からの指示に応じたコマンドが含まれる。換言すると、磁界ＭＦには、非接触式読み書き装置５０Ａによってコマンドが重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置５０Ａは、制御装置３８の制御下で、磁界ＭＦを介してコマンドをカートリッジメモリ１９に送信する。
【0066】
カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂには、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４が搭載されている。ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、表面２６Ｂに接着されている。また、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は封止材５６によって封止されている。ここでは、封止材５６として、紫外線に反応して硬化する紫外線硬化樹脂が採用されている。なお、紫外線硬化樹脂は、あくまでも一例に過ぎず、紫外線以外の波長域の光に反応して硬化する光硬化樹脂を封止材５６として使用してもよいし、熱硬化性樹脂を封止材５６として使用してもよいし、他の接着剤を封止材５６として使用してもよい。
【0067】
一例として図８に示すように、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、アンテナコイル６０がループ状に形成されている。ここでは、アンテナコイル６０の素材として、銅箔が採用されている。銅箔は、あくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。アンテナコイル６０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦ（図６及び図７参照）が作用することで誘導電流を誘起する。
【0068】
カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂが設けられている。第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂは、はんだを有しており、表面２６ＢのＩＣチップ５２（図７及び図９参照）及びコンデンサ５４（図７及び図９参照）に対してアンテナコイル６０の両端部を電気的に接続している。
【0069】
一例として図９に示すように、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、ワイヤ接続方式で互いに電気的に接続されている。具体的には、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が配線６４Ａを介して第１導通部６２Ａに接続されており、他方の端子が配線６４Ｂを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。また、コンデンサ５４は、一対の電極を有する。図９に示す例では、一対の電極は、電極５４Ａ及び５４Ｂである。電極５４Ａは、配線６４Ｃを介して第１導通部６２Ａに接続されており、電極５４Ｂは、配線６４Ｄを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。これにより、アンテナコイル６０に対して、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は並列に接続される。
【0070】
一例として図１０に示すように、ＩＣチップ５２は、内蔵コンデンサ８０、電源回路８２、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８を備えている。ＩＣチップ５２は、磁気テープカートリッジ１０以外の用途にも使用可能な汎用タイプのＩＣチップである。
【0071】
カートリッジメモリ１９は、電力生成器７０を備えている。電力生成器７０は、非接触式読み書き装置５０Ａから与えられた磁界ＭＦがアンテナコイル６０に対して作用することで電力を生成する。具体的には、電力生成器７０は、共振回路９２を用いて交流電力を生成し、生成した交流電力を直流電力に変換して出力する。
【0072】
電力生成器７０は、電源回路８２及び共振回路９２を有する。共振回路９２は、コンデンサ５４、アンテナコイル６０、及び内蔵コンデンサ８０を備えている。内蔵コンデンサ８０は、ＩＣチップ５２に内蔵されているコンデンサであり、電源回路８２もＩＣチップ５２に内蔵されている回路である。内蔵コンデンサ８０は、アンテナコイル６０に対して並列に接続されている。
【0073】
コンデンサ５４は、ＩＣチップ５２に対して外付けされたコンデンサである。ＩＣチップ５２は、本来、磁気テープカートリッジ１０とは異なる用途でも用いることが可能な汎用のＩＣチップである。そのため、内蔵コンデンサ８０の容量は、磁気テープカートリッジ１０で用いられるカートリッジメモリ１９で要求される共振周波数を実現するには不足している場合がある。そこで、カートリッジメモリ１９では、磁界ＭＦが作用することで共振回路９２を予め定められた共振周波数で共振させる上で必要な容量値を有するコンデンサとして、ＩＣチップ５２に対してコンデンサ５４が後付けされている。なお、予め定められた共振周波数は、磁界ＭＦの周波数に相当する周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）であり、カートリッジメモリ１９及び／又は非接触式読み書き装置５０の仕様等によって適宜決定されればよい。また、コンデンサ５４の容量は、内蔵コンデンサ８０の容量の実測値に基づいて定められている。また、ここでは、コンデンサ５４が外付けされている形態例を挙げているが、本開示の技術はこれに限定されず、ＩＣチップ５２に対してコンデンサ５４が事前に組み込まれていてもよい。
【0074】
共振回路９２は、磁界ＭＦがアンテナコイル６０を貫通することでアンテナコイル６０によって誘起された誘導電流を用いて、予め定められた共振周波数の共振現象を発生させることで交流電力を生成し、生成した交流電力を電源回路８２に出力する。
【0075】
電源回路８２は、整流回路及び平滑回路等を有する。整流回路は、複数のダイオードを有する全波整流回路である。全波整流回路は、あくまでも一例に過ぎず、半波整流回路であってもよい。平滑回路は、コンデンサ及び抵抗を含んで構成されている。電源回路８２は、共振回路９２から入力された交流電力を直流電力に変換し、変換して得た直流電力（以下、単に「電力」とも称する）をＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に供給する。電源回路８２によって生成される電力は、磁界ＭＦの強度が大きいほど制限範囲内で大きくなる。
【0076】
電力の供給先である各種の駆動素子としては、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８が挙げられる。電力生成器７０によってＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に対して電力が供給されることで、ＩＣチップ５２は、電力生成器７０によって生成された電力を用いて動作する。
【0077】
コンピュータ８４は、カートリッジメモリ１９の全体の動作を制御する。クロック信号生成器８６は、クロック信号を生成して信号処理回路８８等に出力する。信号処理回路８８等は、クロック信号生成器８６から入力されたクロック信号に従って動作する。クロック信号生成器８６は、コンピュータ８４の指示に従って、クロック信号の周波数を変更する。
【0078】
信号処理回路８８は、共振回路９２に接続されている。信号処理回路８８は、復号回路（図示省略）及び符号化回路（図示省略）を有する。信号処理回路８８の復号回路は、アンテナコイル６０によって受信された磁界ＭＦからのコマンドを抽出して復号し、コンピュータ８４に出力する。コンピュータ８４は、コマンドに対する応答信号を信号処理回路８８に出力する。すなわち、コンピュータ８４は、信号処理回路８８から入力されたコマンドに応じた処理を実行し、処理結果を応答信号として信号処理回路８８に出力する。コンピュータ８４から応答信号が入力されると、信号処理回路８８の符号化回路は、応答信号を符号化することで変調して共振回路９２に出力する。共振回路９２は、信号処理回路８８の符号化回路から入力された応答信号を、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０Ａに送信する。
【0079】
一例として図１１に示すように、コンピュータ８４は、ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８を備えている。ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８は、バス９９に接続されている。
【0080】
ＣＰＵ９４は、コンピュータ８４の動作を制御する。ＮＶＭ９６の一例としては、ＥＥＰＲＯＭが挙げられる。ＥＥＰＲＯＭは、これはあくまでも一例に過ぎず、例えば、ＥＥＰＲＯＭに代えて強誘電体メモリであってもよく、ＩＣチップ５２に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。ＮＶＭ９６には、管理情報（図１２参照）等が記憶されている。ＲＡＭ９８は、各種情報を一時的に記憶し、ワークメモリとして用いられる。ＲＡＭ９８の一例としては、ＤＲＡＭ又はＳＲＡＭ等が挙げられる。
【0081】
また、バス９９には、クロック信号生成器８６及び信号処理回路８８も接続されている。従って、ＣＰＵ９４は、クロック信号生成器８６からクロック信号を取得したり、信号処理回路８８との間で信号の授受を行ったりすることができる。
【0082】
ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力されたコマンドに応じた処理を実行する。コマンドの種類としては、例えば、ポーリングコマンド、読出コマンド、及び書込コマンド等が挙げられる。ここで、ポーリングコマンドは、本開示の技術に係る「非接触式記憶媒体に対してレスポンスを要求するコマンド」の一例である。
【0083】
なお、以下では、説明の便宜上、第Ｎ通信規格に対応したポーリングコマンドを「第Ｎ通信規格ポーリングコマンド」とも称し、複数の通信規格に何れかに対応したポーリングコマンドを特に区別する必要がない場合、「通信規格ポーリングコマンド」又は「ポーリングコマンド」とも称する。
【0084】
ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力されたポーリングコマンドに応じてポーリング処理を実行する。ポーリング処理は、非接触式読み書き装置５０との間で通信を確立する処理であり、例えば、読出処理及び書込処理の前段階の準備処理として行われる。ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力された読出コマンドに応じて読出処理を実行する。読出処理は、ＮＶＭ９６から管理情報（図１２参照）等を読み出す処理である。ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力された書込コマンドに応じて書込処理を実行する。書込処理は、ＮＶＭ９６に管理情報（図１２参照）等を書き込む処理である。
【0085】
また、コマンドの種類としては、ポーリングコマンド、読出コマンド、及び書込コマンド以外にも、例えば、現設定パラメータ書換コマンド（図１７及び図２７参照）が挙げられる。ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力された現設定パラメータ書換コマンドに応じて現設定パラメータ書換処理を実行する。詳しくは後述するが、現設定パラメータ書換処理は、現時点で設定されている現設定パラメータ１１０（図１７参照）を、現設定パラメータ書換コマンドに応じた通信規格パラメータ１０８（図１７参照）に書き換える処理である。
【0086】
一例として図１２に示すように、ＮＶＭ９６は、設定可能パラメータ記憶ブロック１０２、現設定パラメータ記憶ブロック１０４、及びプログラム記憶ブロック１０６を含む複数の記憶ブロックを有する。
【0087】
設定可能パラメータ記憶ブロック１０２には、ＩＣチップ５２において設定可能な通信規格を特定可能な複数の通信規格パラメータ１０８が記憶されている。現設定パラメータ記憶ブロック１０４には、現設定パラメータ１１０が記憶されている。現設定パラメータ１１０は、複数の通信規格パラメータ１０８のうち、ＩＣチップ５２において現在設定されている通信規格に対応する通信規格パラメータ１０８である。なお、以下では、説明の便宜上、現設定パラメータ記憶ブロック１０４には、何らかの通信規格パラメータ１０８が現設定パラメータ１１０として記憶されていることを前提として説明する。
【0088】
プログラム記憶ブロック１０６には、ＣＭ応答処理プログラム１１２、通信規格設定プログラム１１４、及び複数の通信規格専用プログラム１１６が記憶されている。複数の通信規格専用プログラム１１６は、複数の通信規格パラメータ１０８に１対１で対応している。ＣＰＵ９４は、現設定パラメータ記憶ブロック１０４に記憶されている現設定パラメータ１１０に対応する通信規格専用プログラム１１６をプログラム記憶ブロック１０６から読み出し、読み出した通信規格専用プログラム１１６を実行することで、現設定パラメータ記憶ブロック１０４に記憶されている現設定パラメータ１１０に対応する通信規格での通信を実現する。
【0089】
現設定パラメータ記憶ブロック１０４に記憶されている現設定パラメータ１１０から特定される通信規格は、ＩＣチップ５２において現在設定されている通信規格である。つまり、ＣＰＵ９４が、現設定パラメータ記憶ブロック１０４に記憶されている現設定パラメータ１１０に対応する通信規格専用プログラム１１６を実行することで、ＩＣチップ５２は、現在設定されている通信規格でアンテナコイル６０（図１０参照）を介して非接触式読み書き装置５０Ａと通信を行うことが可能となる。
【0090】
一例として図１３に示すように、非接触式読み書き装置５０Ａが磁界ＭＦをアンテナコイル６０に向けて放出することで非接触式読み書き装置５０Ａとアンテナコイル６０とが電磁誘導により結合されると、ＣＰＵ９４は、プログラム記憶ブロック１０６からＣＭ応答処理プログラム１１２を読み出し、読み出したＣＭ応答処理プログラム１１２をＲＡＭ９８上で実行する。ＣＰＵ９４は、ＲＡＭ９８上で実行するＣＭ応答処理プログラム１１２に従ってＣＭ応答処理（図３０参照）を行う。詳しくは後述するが、ＣＭ応答処理は、非接触式読み書き装置５０Ａからの通信規格ポーリングコマンドに対してカートリッジメモリ１９が応答する処理である。
【0091】
一例として図１４に示すように、非接触式読み書き装置５０Ａとアンテナコイル６０とが電磁誘導により結合されると、非接触式読み書き装置５０Ａは、通信規格ポーリングコマンドをカートリッジメモリ１９に対して送信する。非接触式読み書き装置５０Ａは、通信規格が異なる第Ｎ通信規格ポーリングコマンドを順次に送信する。
【0092】
ＣＭ応答処理において、ＣＰＵ９４は、非接触式読み書き装置５０Ａから送信された通信規格ポーリングコマンドを、アンテナコイル６０を介して受信する。また、ＣＭ応答処理において、ＣＰＵ９４は、現設定パラメータ記憶ブロック１０４から現設定パラメータ１１０を取得する。そして、ＣＭ応答処理において、ＣＰＵ９４は、アンテナコイル６０を介して受信した通信規格ポーリングコマンドから特定される通信規格と現設定パラメータ１１０から特定される通信規格とが同一であれば、同一の通信規格、すなわち、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格を特定可能な通信規格特定情報を含む応答信号を生成し、生成した応答信号を、アンテナコイル６０を介して非接触式読み書き装置５０Ａに送信する。また、ＣＰＵ９４は、アンテナコイル６０を介して受信した通信規格ポーリングコマンドから特定される通信規格と現設定パラメータ１１０から特定される通信規格とが同一でなければ、非接触式読み書き装置５０Ａから通信規格ポーリングコマンドが送信されるのを待機する。なお、通信規格特定情報を含む応答信号は、本開示の技術に係る「レスポンス」の一例である。
【0093】
通信規格特定情報を含む応答信号がＣＰＵ９４によってアンテナコイル６０を介して非接触式読み書き装置５０Ａに送信されると、一例として図１５に示すように、ＣＭ応答処理において、ＣＰＵ９４は、現設定パラメータ記憶ブロック１０４から取得した現設定パラメータ１１０に応じた通信規格専用プログラム１１６をプログラム記憶ブロック１０６から読み出し、読み出した通信規格専用プログラム１１６を実行する。これにより、ＣＰＵ９４は、アンテナコイル６０を介して、現設定パラメータ１１０に応じた通信規格で非接触式読み書き装置５０Ａと通信を行う。すなわち、ＣＰＵ９４は、現設定パラメータ１１０に応じた通信規格に則って、非接触式読み書き装置５０Ａから送信されたコマンドを、アンテナコイル６０を介して受信し、かつ、受信したコマンドに応じた応答信号を、アンテナコイル６０を介して非接触式読み書き装置５０Ａに送信する。
【0094】
一例として図１６に示すように、現設定パラメータ１１０に応じた通信規格に則ってＣＰＵ９４と非接触式読み書き装置５０Ａとの間でアンテナコイル６０を介した通信が確立されている状態で、非接触式読み書き装置５０Ａから現設定パラメータ書換コマンドが送信され、ＣＰＵ９４によってアンテナコイル６０を介して現設定パラメータ書換コマンドが受信される。ＣＰＵ９４は、アンテナコイル６０を介して現設定パラメータ書換コマンドを受信すると、プログラム記憶ブロック１０６から通信規格設定プログラム１１４を読み出し、読み出した通信規格設定プログラム１１４をＲＡＭ９８上で実行する。ＣＰＵ９４は、ＲＡＭ９８上で実行する通信規格設定プログラム１１４に従って通信規格設定処理（図３１参照）を行う。詳しくは後述するが、通信規格設定処理は、非接触式読み書き装置５０Ａからの要求に応じて、複数の通信規格のうちの１つをカートリッジメモリ１９に対して設定する処理である。
【0095】
現設定パラメータ書換コマンドは、現設定パラメータ１１０として新たに設定される通信規格パラメータ１０８を指示する信号である。一例として図１７に示すように、通信規格設定処理において、ＣＰＵ９４は、設定可能パラメータ記憶ブロック１０２から、現設定パラメータ書換コマンドに応じた通信規格パラメータ１０８を設定可能パラメータ記憶ブロック１０２から取得する。そして、通信規格設定処理において、ＣＰＵ９４は、設定可能パラメータ記憶ブロック１０２から取得した通信規格パラメータ１０８を現設定パラメータ記憶ブロック１０４に上書き保存することで、現設定パラメータ記憶ブロック１０４内の現設定パラメータ１１０を更新する。すなわち、現設定パラメータ記憶ブロック１０４内の現設定パラメータ１１０がＣＰＵ９４によって新たな現設定パラメータ１１０に書き換えられることで現設定パラメータ記憶ブロック１０４内の現設定パラメータ１１０が更新される。
【0096】
現設定パラメータ記憶ブロック１０４に記憶されている現設定パラメータ１１０から特定される通信規格は、ＩＣチップ５２において現在設定されている通信規格である。ＩＣチップ５２の通信規格の設定は、現設定パラメータ記憶ブロック１０４内の現設定パラメータ１１０がＣＰＵ９４によって書き換えられることで変更される。
【0097】
一例として図１８に示すように、ＣＰＵ９４は、現設定パラメータ記憶ブロック１０４から現設定パラメータ１１０を取得する。そして、ＣＰＵ９４は、現設定パラメータ記憶ブロック１０４から取得した現設定パラメータ１１０に応じた通信規格専用プログラム１１６をプログラム記憶ブロック１０６から読み出し、読み出した通信規格専用プログラム１１６を実行する。ＣＰＵ９４は、現設定パラメータ１１０に応じた通信規格専用プログラム１１６を実行することで、現設定パラメータ１１０に応じた通信規格でアンテナコイル６０を介して非接触式読み書き装置５０Ａと通信を行う。
【0098】
ＣＰＵ９４は、現設定パラメータ１１０に応じた通信規格でアンテナコイル６０を介して非接触式読み書き装置５０Ａと通信することで、非接触式読み書き装置５０Ａから送信されたコマンドに対応する応答信号を非接触式読み書き装置５０Ａに送信する。具体的には、先ず、ＣＰＵ９４は、非接触式読み書き装置５０Ａから磁界ＭＦを介して送信されたコマンドを、アンテナコイル６０を用いて受信し、受信したコマンドをデコードする。そして、ＣＰＵ９４は、コマンドをデコードすることで得た指令に対応する応答信号を、現在設定されている通信規格を用いてアンテナコイル６０から磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信する。
【0099】
一例として図１９に示すように、非接触式読み書き装置５０Ａは、送受信装置１１８、コンピュータ１２０、受付デバイス１２２、及びディスプレイ１２４を備えている。
【0100】
送受信装置１１８は、アンテナコイル１２６及び通信回路１２８を備えている。アンテナコイル１２６は、本開示の技術に係る「アンテナ」の一例である。通信回路１２８は、コンピュータ１２０に接続されており、コンピュータ１２０からの指示に従って動作する。通信回路１２８にはアンテナコイル１２６が接続されており、通信回路１２８は、コンピュータ１２０からの指示に従って、アンテナコイル１２６から磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦの強度は、コンピュータ１２０からの指示に従って通信回路１２８によって調整される。
【0101】
通信回路１２８は、コンピュータ１２０からの指示に従って磁界ＭＦ（図６及び図７も参照）にコマンドを重畳させることでカートリッジメモリ１９にコマンドを送信する。また、通信回路１２８は、カートリッジメモリ１９によって磁界ＭＦに重畳された応答信号を、アンテナコイル１２６を介して受信し、受信した応答信号を復号してコンピュータ１２０に出力する。コンピュータ１２０は、通信回路１２８から入力された応答信号に従って動作する。
【0102】
コンピュータ１２０には、受付デバイス１２２及びディスプレイ１２４が接続されている。受付デバイス１２２は、ハードキー及び／又はタッチパネル等であり、非接触式読み書き装置５０Ａの使用者等（以下、単に「使用者等」とも称する）からの指示を受け付ける。コンピュータ１２０は、受付デバイス１２２によって受け付けられた指示に従って動作する。ディスプレイ１２４は、コンピュータ１２０の制御下で各種情報を表示する。ディスプレイ１２０の一例としては、ＥＬディスプレイ又は液晶ディスプレイが挙げられる。なお、ここでは、情報を提示する具体的手段の一例としてディスプレイ１２０を例示しているが、これに限らず、ディスプレイ１２０に代えて、又は、ディスプレイ１２０と共に、スピーカ、バイブレータ、及び／又はプリンタ等を用いてもよく、使用者等に必要な情報を提示することが可能な提示装置であればよい。
【0103】
一例として図２０に示すように、コンピュータ１２０は、ＣＰＵ１３０、ＮＶＭ１３２、及びＲＡＭ１３４を備えている。ＣＰＵ１３０、ＮＶＭ１３２、及びＲＡＭ１３４は、バス１３５に接続されている。
【0104】
ＣＰＵ１３０は、本開示の技術に係る「プロセッサ」の一例であり、コンピュータ１２０の動作を制御する。ＮＶＭ１３２の一例としては、ＥＥＰＲＯＭが挙げられる。ＥＥＰＲＯＭは、これはあくまでも一例に過ぎず、例えば、ＥＥＰＲＯＭに代えて強誘電体メモリであってもよく、非接触式読み書き装置５０Ａに搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。ＲＡＭ１３４は、各種情報を一時的に記憶し、ワークメモリとして用いられる。ＲＡＭ１３４の一例としては、ＤＲＡＭ又はＳＲＡＭ等が挙げられる。
【0105】
バス１３５には、受付デバイス１２２及びディスプレイ１２４も接続されている。従って、ＣＰＵ１３０は、受付デバイス１２２によって受け付けられた指示を把握したり、ディスプレイ１２４を制御したりすることができる。また、バス１３５には、通信回路１２８を介して送受信装置１１８も接続されている。送受信装置１１８は、ＣＰＵ１３０からの指示に従ってカートリッジメモリ１９に対して磁界ＭＦ（図６及び図７も参照）を付与することでカートリッジメモリ１９内に対して電力を誘起させ、かつ、カートリッジメモリ１９のアンテナコイル６０（図１０及び図１３～図１８参照）と電磁誘導により結合する。これにより、ＣＰＵ１３０は、送受信装置１１８を介してカートリッジメモリ１９との間で通信を行う。ここで、送受信装置１１８を介してＣＰＵ１３０とカートリッジメモリ１９との間で行われる通信とは、例えば、上述したコマンドのカートリッジメモリ１９への送信と、カートリッジメモリ１９からの応答信号の受信とを指す。
【0106】
ところで、一般的に知られている磁気テープカートリッジに搭載されているカートリッジメモリと非接触式読み書き装置（いわゆる、リーダライタとも称されている装置）との間の無線通信で用いられる通信規格としては、ＩＳＯ１８０９２、ＩＳＯ１４４４３Ａ、ＩＳＯ１４４４３Ｂ、及びＩＳＯ１５６９３等の複数の通信規格が存在する。
【0107】
しかし、複数の通信規格が存在するということは、製品別（例えば、従来の磁気テープカートリッジの種類毎）に通信規格が異なることもあり得るので、通信規格に対応するＩＣチップをカートリッジメモリに搭載する必要が生じる。カートリッジメモリに用いられている複数の部品のうち、ＩＣチップ以外の部品の大半（例えば、基板、ワイヤ、及び保護剤等）については、カートリッジメモリ間で同種のものを使用することができるものの、製品別にＩＣチップを変えなければならなくなると、製造コストが増大してしまう。また、一般的に知られている非接触式読み書き装置についても同様のことが言える。すなわち、カートリッジメモリに対して設定されている通信規格が異なると、その都度、カートリッジメモリに対して設定されている通信規格に準拠した通信規格の非接触式読み書き装置を製造したり、設置したりしなければならず、やはり製造コストが増大してしまう。
【0108】
このような事情に鑑み、本実施形態に係る非接触式読み書き装置５０Ａは、複数の通信規格の各々で通信可能な装置とされており、複数の通信規格のうちのカートリッジメモリ１９に対応する通信規格でカートリッジメモリ１９と通信を行うようにしている。以下、このような通信を実現するための構成について詳しく説明する。
【0109】
一例として図２１に示すように、ＮＶＭ１３２は、設定可能パラメータ記憶ブロック１３６、現設定パラメータ記憶ブロック１３８、及びプログラム記憶ブロック１４０を含む複数の記憶ブロックを有する。
【0110】
設定可能パラメータ記憶ブロック１３６には、非接触式読み書き装置５０Ａにおいて設定可能な通信規格を特定可能な複数の通信規格パラメータ１４２が記憶されている。現設定パラメータ記憶ブロック１３８には、現設定パラメータ１４４が記憶されている。現設定パラメータ１４４は、複数の通信規格パラメータ１４２のうち、非接触式読み書き装置５０Ａにおいて現在設定されている通信規格に対応する通信規格パラメータ１４２である。なお、以下では、説明の便宜上、現設定パラメータ記憶ブロック１３８には、何らかの通信規格パラメータ１４２が現設定パラメータ１４４として記憶されていることを前提として説明する。
【0111】
プログラム記憶ブロック１４０には、通信規格適応処理プログラム１４６、通信規格変更指示処理プログラム１４８、及び複数の通信規格専用プログラム１５０が記憶されている。通信規格適応処理プログラム１４６は、本開示の技術に係る「プログラム」の一例である。
【0112】
複数の通信規格専用プログラム１５０は、複数の通信規格パラメータ１４２に１対１で対応している。ＣＰＵ１３０は、現設定パラメータ記憶ブロック１３８に記憶されている現設定パラメータ１４４に対応する通信規格専用プログラム１５０をプログラム記憶ブロック１４０から読み出し、読み出した通信規格専用プログラム１５０を実行することで、現設定パラメータ記憶ブロック１３８に記憶されている現設定パラメータ１４４に対応する通信規格での通信を実現する。
【0113】
現設定パラメータ記憶ブロック１３８に記憶されている現設定パラメータ１４４から特定される通信規格は、非接触式読み書き装置５０Ａにおいて現在設定されている通信規格である。つまり、ＣＰＵ１３０が、現設定パラメータ記憶ブロック１３８に記憶されている現設定パラメータ１４４に対応する通信規格専用プログラム１５０を実行することで、非接触式読み書き装置５０Ａは、現在設定されている通信規格でアンテナコイル１２６（図１９及び図２０参照）を介してカートリッジメモリ１９と通信を行うことが可能となる。
【0114】
一例として図２２に示すように、通信規格適応処理の実行開始の指示（図２２に示す例では、「通信規格適応指示」）が受付デバイス１２２によって受け付けられると、ＣＰＵ１３０は、プログラム記憶ブロック１４０から通信規格適応処理プログラム１４６を読み出し、読み出した通信規格適応処理プログラム１４６をＲＡＭ１３４上で実行する。ＣＰＵ１３０は、ＲＡＭ１３４上で実行する通信規格適応処理プログラム１４６に従って通信規格適応処理を行う。通信規格適応処理は、非接触式読み書き装置５０Ａに対して設定される通信規格を、カートリッジメモリ１９に設定されている通信規格に適応させる処理である。なお、通信規格適応処理は、本開示の技術に係る「特定処理」の一例である。
【0115】
ＣＰＵ１３０は、複数の通信規格の各々でカートリッジメモリ１９と通信可能であり、通信規格適応処理を行うことで、複数の通信規格のうちのカートリッジメモリ１９に対応する通信規格でカートリッジメモリ１９と通信を行う。
【0116】
また、ＣＰＵ１３０は、通信規格ポーリングコマンドをアンテナコイル１２６を介してカートリッジメモリ１９に送信することでカートリッジメモリ１９から得た応答信号に基づいて、複数の通信規格のうちのカートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格を特定する。そして、ＣＰＵ１３０は、特定した通信規格でカートリッジメモリ１９と通信を行う。以下、より詳しく説明する。
【0117】
一例として図２３に示すように、通信規格適応処理において、先ず、ＣＰＵ１３０は、送受信装置１１８に対して通信規格ポーリングコマンドをカートリッジメモリ１９へ送信させる。ポーリングコマンドの送信は、上述したように、第１通信規格ポーリングコマンド、第２通信規格ポーリングコマンド、第３通信規格ポーリングコマンド、・・・・の順に行われる。そして、通信規格ポーリングコマンドがカートリッジメモリ１９に送信されることに応じてカートリッジメモリから送信された応答信号が送受信装置１１８によって受信されると、ＣＰＵ１３０は、送受信装置１１８によって受信された応答信号を送受信装置１１８から取得する。
【0118】
一例として図２４に示すように、通信規格適応処理において、ＣＰＵ１３０は、送受信装置１１８から取得した応答信号に含まれている通信規格特定情報から特定される通信規格を示す通信規格パラメータ１４２を設定可能パラメータ記憶ブロック１３６から取得する。そして、通信規格適応処理において、ＣＰＵ１３０は、設定可能パラメータ記憶ブロック１３６から取得した通信規格パラメータ１４２を現設定パラメータ記憶ブロック１３８に上書き保存することで、現設定パラメータ記憶ブロック１３８内の現設定パラメータ１４４を更新する。すなわち、現設定パラメータ記憶ブロック１３８内の現設定パラメータ１４４がＣＰＵ１３０によって新たな現設定パラメータ１４４に書き換えられることで現設定パラメータ記憶ブロック１３８内の現設定パラメータ１４４が更新される。
【0119】
現設定パラメータ記憶ブロック１３８に記憶されている現設定パラメータ１４４から特定される通信規格は、非接触式読み書き装置５０Ａにおいて現在設定されている通信規格である。非接触式読み書き装置５０Ａの通信規格の設定は、現設定パラメータ記憶ブロック１３８内の現設定パラメータ１４４がＣＰＵ１３０によって書き換えられることで変更される。
【0120】
一例として図２５に示すように、通信規格適応処理において、ＣＰＵ１３０は、現設定パラメータ記憶ブロック１３８から現設定パラメータ１４４を取得する。そして、ＣＰＵ１３０は、現設定パラメータ記憶ブロック１３８から取得した現設定パラメータ１４４に応じた通信規格専用プログラム１５０をプログラム記憶ブロック１４０から読み出し、読み出した通信規格専用プログラム１５０を実行する。ＣＰＵ１３０は、現設定パラメータ１４４に応じた通信規格専用プログラム１５０を実行することで、現設定パラメータ１４４に応じた通信規格でアンテナコイル１２６を介してカートリッジメモリ１９と通信を行う。
【0121】
ＣＰＵ１３０は、現設定パラメータ１４４に応じた通信規格でアンテナコイル１２６を介してカートリッジメモリ１９と通信することで、カートリッジメモリ１９に対してコマンドを送信する。既述したように、カートリッジメモリ１９は、非接触式読み書き装置５０Ａから磁界ＭＦを介して送信されたコマンドを受信し、受信したコマンドをデコードする。そして、カートリッジメモリ１９は、コマンドをデコードすることで得た指令に対応する応答信号を、現在設定されている通信規格で磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信する。ＣＰＵ１３０は、カートリッジメモリ１９から磁界ＭＦを介して送信された応答信号を、アンテナコイル１２６を介して受信する。
【0122】
一例として図２６に示すように、通信規格を変更する指示（図２６に示す例では、「通信規格変更指示」）が受付デバイス１２２によって受け付けられると、ＣＰＵ１３０は、プログラム記憶ブロック１４０から通信規格変更指示処理プログラム１４８を読み出し、読み出した通信規格変更指示処理プログラム１４８をＲＡＭ１３４上で実行する。ＣＰＵ１３０は、ＲＡＭ１３４上で実行する通信規格変更指示処理プログラム１４８に従って通信規格変更指示処理を行う。なお、通信規格変更指示には、変更後の通信規格の指示（例えば、使用者等が要求する通信規格の指示）が含まれている。
【0123】
通信規格変更指示処理は、カートリッジメモリ１９に対して通信規格の変更を指示する処理である。通信規格適応処理がＣＰＵ１３０によって実行されると、先ず、一例として図２７に示すように、現設定パラメータ１４４（図２５参照）に応じた通信規格でＣＰＵ１３０とカートリッジメモリ１９との間での通信が行われる。すなわち、通信規格適応処理がＣＰＵ１３０によって実行されることで、複数の通信規格のうちのカートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格でＣＰＵ１３０とカートリッジメモリ１９との間の通信が確立される。そして、ＣＰＵ１３０とカートリッジメモリ１９との間の通信が確立された状態で、通信規格変更指示処理において、ＣＰＵ１３０は、既述の現設定パラメータ書換コマンドを、アンテナコイル１２６を介してカートリッジメモリ１９に送信する。
【0124】
一例として図２８に示すように、通信規格変更指示処理において、ＣＰＵ１３０は、受付デバイス１２２によって受け付けられた通信規格変更指示に応じた通信規格に対応する通信規格パラメータ１４２を設定可能パラメータ記憶ブロック１３６から取得する。そして、通信規格変更指示処理において、ＣＰＵ１３０は、設定可能パラメータ記憶ブロック１３６から取得した通信規格パラメータ１４２を現設定パラメータ記憶ブロック１３８に上書き保存することで、現設定パラメータ記憶ブロック１３８内の現設定パラメータ１４４を更新する。
【0125】
カートリッジメモリ１９では、外部から与えられた指示、すなわち、現設定パラメータ書換コマンドに応じて複数の通信規格が選択的に設定される（図１７参照）。磁気テープシステム２では、外部から与えられた指示に応じてカートリッジメモリ１９に対して複数の通信規格が選択的に設定される場合、ＣＰＵ１３０は、複数の通信規格のうち、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格でカートリッジメモリ１９と通信を行う。
【0126】
このような通信を実現するために、一例として図２９に示すように、通信規格変更指示処理において、ＣＰＵ１３０は、現設定パラメータ記憶ブロック１３８から現設定パラメータ１４４を取得する。そして、ＣＰＵ１３０は、現設定パラメータ記憶ブロック１３８から取得した現設定パラメータ１４４に応じた通信規格専用プログラム１５０をプログラム記憶ブロック１４０から読み出し、読み出した通信規格専用プログラム１５０を実行する。ＣＰＵ１３０は、現設定パラメータ１４４に応じた通信規格専用プログラム１５０を実行することで、現設定パラメータ１４４に応じた通信規格でアンテナコイル１２６を介してカートリッジメモリ１９と通信を行う。
【0127】
ＣＰＵ１３０は、現設定パラメータ１４４に応じた通信規格でアンテナコイル１２６を介してカートリッジメモリ１９と通信することで、カートリッジメモリ１９に対してコマンドを送信する。既述したように、カートリッジメモリ１９は、非接触式読み書き装置５０Ａから磁界ＭＦを介して送信されたコマンドを受信し、受信したコマンドをデコードする。そして、カートリッジメモリ１９は、コマンドをデコードすることで得た指令に対応する応答信号を、現在設定されている通信規格で磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信する。ＣＰＵ１３０は、カートリッジメモリ１９から磁界ＭＦを介して送信された応答信号を、アンテナコイル１２６を介して受信する。
【0128】
【0129】
図３０には、カートリッジメモリ１９のＣＰＵ９４によって実行されるＣＭ応答処理の流れの一例がフローチャートで示されている。図３１には、カートリッジメモリ１９のＣＰＵ９４によって実行される通信規格設定処理の流れの一例がフローチャートで示されている。図３２には、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０によって実行される通信規格適応処理の流れの一例がフローチャートで示されている。図３２に示す通信規格適応処理の流れは、本開示の技術に係る「非接触式通信装置の動作方法」の一例である。図３３には、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０によって実行される通信規格変更指示処理の流れの一例がフローチャートで示されている。
【0130】
図３０に示すＣＭ応答処理では、先ず、ステップＳＴ１０で、ＣＰＵ９４は、非接触式読み書き装置５０Ａから送信された通信規格ポーリングコマンド（図３２に示すステップＳＴ６０参照）がアンテナコイル６０によって受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ１０において、非接触式読み書き装置５０Ａから送信された通信規格ポーリングコマンドがアンテナコイル６０によって受信されていない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ１０の判定が再び行われる。ステップＳＴ１０において、非接触式読み書き装置５０Ａから送信された通信規格ポーリングコマンドがアンテナコイル６０によって受信された場合は、判定が肯定されて、ＣＭ応答処理はステップＳＴ１２へ移行する。
【0131】
ステップＳＴ１２で、ＣＰＵ９４は、アンテナコイル６０によって受信された通信規格ポーリングコマンドから特定される通信規格と、現設定パラメータ記憶ブロック１０４に記憶されている現設定パラメータ１１０から特定される通信規格とが同一であるか否かを判定する。ステップＳＴ１２において、アンテナコイル６０によって受信された通信規格ポーリングコマンドから特定される通信規格と、現設定パラメータ記憶ブロック１０４に記憶されている現設定パラメータ１１０から特定される通信規格とが異なる場合は、判定が否定されて、ＣＭ応答処理はステップＳＴ１０へ移行する。ステップＳＴ１２において、アンテナコイル６０によって受信された通信規格ポーリングコマンドから特定される通信規格と、現設定パラメータ記憶ブロック１０４に記憶されている現設定パラメータ１１０から特定される通信規格とが同一の場合は、判定が肯定されて、ＣＭ応答処理はステップＳＴ１４へ移行する。
【0132】
ステップＳＴ１４で、ＣＰＵ９４は、現設定パラメータ記憶ブロック１０４から現設定パラメータ１１０を取得し、その後、ＣＭ応答処理はステップＳＴ１６へ移行する。
【0133】
ステップＳＴ１６で、ＣＰＵ９４は、ステップＳＴ１４で取得した現設定パラメータ１１０から特定される通信規格を特定可能な通信規格特定情報を含む応答信号を生成し、その後、ＣＭ応答処理はステップＳＴ１８へ移行する。
【0134】
ステップＳＴ１８で、ＣＰＵ９４は、ステップＳＴ１６で生成した応答信号を、アンテナコイル６０を介して非接触式読み書き装置５０Ａに送信し、その後、ＣＭ応答処理はステップＳＴ２０へ移行する。
【0135】
ステップＳＴ２０で、ＣＰＵ９４は、ステップＳＴ１４で取得した現設定パラメータ１１０に応じた通信規格専用プログラム１１６をプログラム記憶ブロック１０６から読み出し、読み出した通信規格専用プログラム１１６を実行する。ＣＰＵ９４は、通信規格専用プログラム１１６を実行することで、現設定パラメータ１１０に応じた通信規格で非接触式読み書き装置５０Ａと通信を行う。ステップＳＴ２０の処理が実行された後、ＣＭ応答処理が終了する。
【0136】
図３１に示す通信規格設定処理では、先ず、ステップＳＴ４０で、ＣＰＵ９４は、非接触式読み書き装置５０Ａから送信された現設定パラメータ書換コマンド（図３３に示すステップＳＴ８０参照）がアンテナコイル６０によって受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ４０において、非接触式読み書き装置５０Ａから送信された現設定パラメータ書換コマンドがアンテナコイル６０によって受信されていない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ４０の判定が再び行われる。ステップＳＴ４０において、非接触式読み書き装置５０Ａから送信された現設定パラメータ書換コマンドがアンテナコイル６０によって受信された場合は、判定が肯定されて、通信規格設定処理はステップＳＴ４２へ移行する。
【0137】
ステップＳＴ４２で、ＣＰＵ９４は、アンテナコイル６０によって受信された現設定パラメータ書換コマンドに応じた通信規格パラメータ１０８を設定可能パラメータ記憶ブロック１０２から取得し、その後、通信規格設定処理はステップＳＴ４４へ移行する。
【0138】
ステップＳＴ４４で、ＣＰＵ９４は、ステップＳＴ４２で取得した通信規格パラメータ１０８を現設定パラメータ記憶ブロック１０４に上書き保存することで、ステップＳＴ４２で取得した通信規格パラメータ１０８を新たな現設定パラメータ１１０として設定し、その後、通信規格設定処理はステップＳＴ４８へ移行する。
【0139】
ステップＳＴ４６で、ＣＰＵ９４は、現設定パラメータ記憶ブロック１０４から現設定パラメータ１１０を取得し、その後、通信規格設定処理はステップＳＴ４８へ移行する。
【0140】
ステップＳＴ４８で、ＣＰＵ９４は、ステップＳＴ４６で取得した現設定パラメータ１１０に応じた通信規格専用プログラム１１６をプログラム記憶ブロック１０６から読み出し、読み出した通信規格専用プログラム１１６を実行する。ＣＰＵ９４は、通信規格専用プログラム１１６を実行することで、現設定パラメータ１１０に応じた通信規格で非接触式読み書き装置５０Ａと通信を行う。ステップＳＴ４８の処理が実行された後、通信規格設定処理が終了する。
【0141】
図３２に示す通信規格適応処理では、先ず、ステップＳＴ６０で、ＣＰＵ１３０は、複数の通信規格に対応する複数の通信規格ポーリングコマンドのうち、未送信の通信規格ポーリングコマンドを、送受信装置１１８を介してカートリッジメモリ１９へ送信し、その後、通信規格適応処理はステップＳＴ６２へ移行する。
【0142】
ステップＳＴ６２で、ＣＰＵ１３０は、カートリッジメモリ１９から送信された応答信号（図３０に示すステップＳＴ１８参照）が送受信装置１１８によって受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ６２において、カートリッジメモリ１９から送信された応答信号が送受信装置１１８によって受信されていない場合は、判定が否定されて、通信規格適応処理はステップＳＴ６４へ移行する。ステップＳＴ６２において、カートリッジメモリ１９から送信された応答信号が送受信装置１１８によって受信された場合は、判定が肯定されて、通信規格適応処理はステップＳＴ６６へ移行する。
【0143】
ステップＳＴ６４で、ＣＰＵ１３０は、ステップＳＴ６０の処理が実行されてから既定時間（例えば、数秒から数十秒の範囲内で予め指定された時間）が経過したか否かを判定する。ステップＳＴ６４において、ステップＳＴ６０の処理が実行されてから既定時間が経過していない場合は、判定が否定されて、通信規格適応処理はステップＳＴ６２へ移行する。ステップＳＴ６４において、ステップＳＴ６０の処理が実行されてから既定時間が経過した場合は、判定が肯定されて、通信規格適応処理はステップＳＴ６０へ移行する。
【0144】
ステップＳＴ６６で、ＣＰＵ１３０は、ステップＳＴ６２で応答信号が送受信装置１１８によって受信された応答信号から通信規格特定情報を取得し、その後、通信規格適応処理はステップＳＴ６８へ移行する。
【0145】
ステップＳＴ６８で、ＣＰＵ１３０は、ステップＳＴ６６で取得した通信規格特定情報から特定される通信規格を示す通信規格パラメータ１４２を設定可能パラメータ記憶ブロック１３６から取得し、その後、通信規格適応処理はステップＳＴ７０へ移行する。
【0146】
ステップＳＴ７０で、ＣＰＵ１３０は、ステップＳＴ６８で取得した通信規格パラメータ１４２を現設定パラメータ記憶ブロック１３８に上書き保存することで、ステップＳＴ６８で取得した通信規格パラメータ１４２を新たな現設定パラメータ１４４として設定し、その後、通信規格適応処理はステップＳＴ７２へ移行する。
【0147】
ステップＳＴ７２で、ＣＰＵ１３０は、現設定パラメータ記憶ブロック１３８から現設定パラメータ１４４を取得し、その後、通信規格適応処理はステップＳＴ７４へ移行する。
【0148】
ステップＳＴ７４で、ＣＰＵ１３０は、ステップＳＴ７２で取得した現設定パラメータ１４４に応じた通信規格専用プログラム１５０をプログラム記憶ブロック１４０から読み出し、読み出した通信規格専用プログラム１５０を実行する。ＣＰＵ１３０は、通信規格専用プログラム１５０を実行することで、現設定パラメータ１４４に応じた通信規格でカートリッジメモリ１９と通信を行う。ステップＳＴ７４の処理が実行された後、通信規格適応処理が終了する。
【0149】
図３３に示す通信規格変更指示処理では、先ず、ステップＳＴ８０で、ＣＰＵ１３０は、受付デバイス１２２によって受け付けられた通信規格変更指示に応じて現設定パラメータ書換コマンドをカートリッジメモリ１９へ送信する。ここで、現設定パラメータ書換コマンドとは、受付デバイス１２２によって受け付けられた通信規格変更指示に対応する通信規格を示す現設定パラメータ１１０への書き換えを指示する信号を指す。ステップＳＴ８０の処理が実行された後、通信規格変更指示処理はステップＳＴ８２へ移行する。
【0150】
ステップＳＴ８２で、ＣＰＵ１３０は、受付デバイス１２２によって受け付けられた通信規格変更指示に応じた通信規格パラメータ１４２を設定可能パラメータ記憶ブロック１３６から取得し、その後、通信規格変更指示処理はステップＳＴ８４へ移行する。
【0151】
ステップＳＴ８４で、ＣＰＵ１３０は、ステップＳＴ８２で取得した通信規格パラメータ１４２を現設定パラメータ記憶ブロック１３８に上書き保存することで、ステップＳＴ６８で取得した通信規格パラメータ１４２を新たな現設定パラメータ１４４として設定し、その後、通信規格変更指示処理はステップＳＴ８６へ移行する。
【0152】
ステップＳＴ８６で、ＣＰＵ１３０は、現設定パラメータ記憶ブロック１３８から現設定パラメータ１４４を取得し、その後、通信規格変更指示処理はステップＳＴ８８へ移行する。
【0153】
ステップＳＴ８８で、ＣＰＵ１３０は、ステップＳＴ８６で取得した現設定パラメータ１４４に応じた通信規格専用プログラム１５０をプログラム記憶ブロック１４０から読み出し、読み出した通信規格専用プログラム１５０を実行する。ＣＰＵ１３０は、通信規格専用プログラム１５０を実行することで、現設定パラメータ１４４に応じた通信規格でカートリッジメモリ１９と通信を行う。ステップＳＴ８８の処理が実行された後、通信規格変更指示処理が終了する。
【0154】
以上説明したように、磁気テープシステム２では、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０が複数の通信規格の各々で通信可能な装置とされており、複数の通信規格のうちのカートリッジメモリ１９に対応する通信規格でカートリッジメモリ１９と通信を行うようにしている。従って、本構成によれば、非接触式読み書き装置５０Ａが１つの通信規格のみを用いてカートリッジメモリ１９と非接触式の通信を行う場合に比べ、非接触式読み書き装置５０Ａに対して、様々な通信規格のカートリッジメモリ１９と非接触式の通信を行わせることができる。
【0155】
また、磁気テープシステム２では、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０によって通信規格ポーリングコマンドがカートリッジメモリ１９に送信されることでカートリッジメモリ１９から得られた応答信号に基づいて、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格が特定され、特定された通信規格でカートリッジメモリ１９と通信が行われるようにしている。従って、本構成によれば、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格を使用者等が事前に把握していなかったとしても、非接触式読み書き装置５０Ａに対して、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格でカートリッジメモリ１９と非接触式の通信を行わせることができる。
【0156】
また、磁気テープシステム２では、応答信号に通信規格特定情報が含まれており、カートリッジメモリ１９から送信された応答信号から通信規格特定情報が非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０によって取得される。そして、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０は、通信規格特定情報から特定される通信規格でカートリッジメモリ１９と通信を行うようにしている。従って、本構成によれば、非接触式読み書き装置５０Ａは、カートリッジメモリ１９から送信された応答信号を用いて、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格を把握することができる。
【0157】
また、磁気テープシステム２では、非接触式読み書き装置５０Ａから送信された現設定パラメータ書換コマンドに応じてカートリッジメモリ１９に対して複数の通信規格が選択的に設定される。この場合、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０は、複数の通信規格のうち、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格でカートリッジメモリ１９と通信を行うようにしている。従って、本構成によれば、非接触式読み書き装置５０Ａから送信された現設定パラメータ書換コマンドに応じてカートリッジメモリ１９に対して複数の通信規格が選択的に設定される場合であっても、非接触式読み書き装置５０Ａに対して、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格でカートリッジメモリ１９と非接触式の通信を行わせることができる。
【0158】
なお、上記実施形態では、応答信号に通信規格特定情報を含め、応答信号から取得された通信規格特定情報から特定される通信規格で通信が行われる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、通信規格ポーリングコマンドに対する応答信号が送受信装置１１８によって受信された場合に、受信された応答信号に対応する通信規格ポーリングコマンドから特定される通信規格でカートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの間の通信が行われるようにしてもよい。
【0159】
また、上記実施形態では、カートリッジメモリ１９に対して複数の通信規格が選択的に設定可能な場合の形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格は１つの通信規格に固定されていてもよい。このような場合であっても、上記実施形態で説明した通信規格適応処理が非接触式読み書き装置５０のＣＰＵ１３０によって実行されることで、非接触式読み書き装置５０Ａは、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格と同一の通信規格でカートリッジメモリ１９と通信を行うことができる。
【0160】
また、上記実施形態では、非接触式読み書き装置５０Ａは、カートリッジメモリ１９と通信を行うことで、カートリッジメモリ１９から通信規格特定情報を取得し、取得した通信規格特定情報からカートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格を特定しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０は、磁気テープカートリッジ１０に物理的に付与されている特徴であって、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格を特定可能な特徴を取得するようにしてもよい。この場合、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０は、取得した特徴に基づいて複数の通信規格のうちのカートリッジメモリ１９に対応する通信規格を特定し、特定した通信規格でカートリッジメモリ１９と通信を行うようにすればよい。また、ここで、磁気テープカートリッジ１０に物理的に付与されている特徴とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０の形状及び大きさのうちの少なくとも形状を指す。
【0161】
図３４に示す例では、磁気テープカートリッジ１０に付与されている特徴として、右壁１２Ａの右側及び下側が開口された直方体状の切り欠き１２Ａ１及び１２Ａ２が右壁１２Ａに形成されている。ここでは、切り欠き１２Ａ１及び１２Ａ２が例示されているが、切り欠きの形状、大きさ、及び個数のうちの少なくとも１つは、通信規格毎に異なっている。
【0162】
また、ここでは、右壁１２Ａに切り欠き１２Ａ１及び１２Ａ２が形成されている形態例を挙げているが、切り欠き１２Ａ１及び１２Ａ２はあくまでも一例に過ぎず、磁気テープカートリッジ１０の外壁のうちの予め指定された位置に凹凸が形成されていればよい。なお、この場合も、凹凸の形状、大きさ、及び個数のうちの少なくともは、通信規格毎に異なっている。
【0163】
一例として図３４に示すように、磁気テープドライブ３０（図１及び図５参照）は、光学センサ１５２を備えている。光学センサ１５２は、本開示の技術に係る「物理的なセンサ」の一例である。光学センサ１５２は、右壁１２Ａの下方に配置されている。光学センサ１５２は、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に矢印Ａ方向に沿って装填される過程で、切り欠き１２Ａ１及び１２Ａ２を光学的に検知する。なお、切り欠き１２Ａ１及び１２Ａ２の幾何学的な特徴を精度良く特定するためには、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に矢印Ａ方向に沿って装填される速度は、一定の速度であることが好ましい。
【0164】
光学センサ１５２は、例えば、反射型のフォトセンサであり、切り欠き１２Ａ１及び１２Ａ２に向けて光を照射し、切り欠き１２Ａ１及び１２Ａ２を構成する面で反射された反射光の光量を検知する。ここでは、反射型のフォトセンサを例示しているが、これに限らず、透過型のフォトセンサであってもよいし、他のセンサであってもよい。
【0165】
光学センサ１５２は、制御装置３８に接続されており、検知した光量を示す光量信号を制御装置３８に出力する。制御装置３８は、入力された光量信号に基づく凹凸特徴情報を非接触式読み書き装置５０Ａに出力する。凹凸特定情報は、例えば、光量信号の時系列である。光量信号の時系列は、磁気テープカートリッジ１０に付与されている特徴、すなわち、切り欠き１２Ａ１及び１２Ａ２の大きさ、形状、及び間隔等を表している。
【0166】
ＮＶＭ１３２には、通信規格テーブル１５４が記憶されている。通信規格テーブル１５４は、凹凸特定情報と通信規格とが対応付けられたテーブルである。すなわち、通信規格テーブル１５４では、複数の凹凸特定情報の各々に対して異なる通信規格が対応付けられている。
【0167】
非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０は、制御装置３８から入力された凹凸特定情報に対応する通信規格を通信規格テーブル１５４から導出する。ＣＰＵ１３０は、通信規格テーブル１５４から導出した通信規格を特定可能な通信規格特定情報を用いて通信規格適応処理を実行する。これにより、カートリッジメモリ１９による非接触式読み書き装置５０Ａに対する通信規格特定情報の送信が不要となる。
【0168】
また、図３４に示す例では、磁気テープカートリッジ１０に対して切り欠き１２Ａ１及び１２Ａ２という物理的な特徴が付与された形態例が示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、磁気テープカートリッジ１０に対して物理的に付与される特徴は、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格を特定可能なマークであってもよい。例えば、図３５に示す例では、右壁１２Ａにマトリクス型二次元コード（例えば、ＱＲコード（登録商標））１５６が貼り付けられている。マトリクス型二次元コード１５６には、通信規格特定情報が含まれている。
【0169】
一例として図３５に示すように、磁気テープドライブ３０（図１及び図５参照）は、ＱＲコードリーダ１５８を備えている。ＱＲコードリーダ１５８は、マトリクス型二次元コード１５６の貼り付け位置に対峙する箇所に配置されている。ＱＲコードリーダ１５８は、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填されると、マトリクス型二次元コード１５６から通信規格特定情報を読み取る。
【0170】
ＱＲコードリーダ１５８は、制御装置３８に接続されており、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０が、制御装置３８を介してＱＲコードリーダ１５８から通信規格特定情報を取得し、取得した通信規格特定情報を用いて通信規格適応処理を実行する。
【0171】
なお、ここでは、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０が、制御装置３８を介してＱＲコードリーダ１５８から通信規格特定情報を取得する形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、ＱＲコードリーダ１５８が非接触式読み書き装置５０Ａに直接接続されており、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０が制御装置３８を介さずにＱＲコードリーダ１５８から通信規格特定情報を直接取得するようにしてもよい。
【0172】
このように、磁気テープカートリッジ１０に対して物理的に付与される特徴としてマトリクス型二次元コード１５６を用いることで、カートリッジメモリ１９による非接触式読み書き装置５０Ａに対する通信規格特定情報の送信が不要となる。
【0173】
なお、図３５に示す例では、マトリクス型二次元コード１５６が示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、二次元バーコード、及び／又は、通信規格を特定可能な何らかの画像又は記号等であってもよい。
【0174】
また、上記実施形態では、ＣＰＵ１３０によって通信規格適応処理及び通信規格変更指示処理等を含む各種処理が実行される形態例を挙げて説明したが、非接触式読み書き装置５０Ａと通信可能な外部装置のプロセッサ（例えば、制御装置３８又は制御装置３８以外のプロセッサ等）を非接触式読み書き装置５０Ａのハードウェア資源として、ＣＰＵ１３０と共に、又は、ＣＰＵ１３０に代えて用いるようにしてもよい。
【0175】
また、上記実施形態では、磁気テープドライブ３０が、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴに磁気ヘッド３６を用いてデータを記録し、かつ、引き出した磁気テープＭＴから磁気ヘッド３６を用いてデータを読み取る形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴを引き出した磁気テープＭＴに対してデータの記録又は読取のみが行われる磁気ヘッド（図示省略）が用いられてもよい。
【0176】
また、上記実施形態では、非接触式読み書き装置５０Ａが磁気テープドライブ３０に搭載されている態様例が示されているが、本開示の技術はこれに限定されない。磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、磁気テープカートリッジ１０が診断される段階、磁気テープカートリッジ１０の生産管理（例えば、磁気テープカートリッジ１０が複数の製造工程を通過した履歴の管理）が行われる段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階では、一例として図３６に示すように、非接触式読み書き装置５０Ｂが使用される。この場合、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、磁気テープカートリッジ１０が診断される段階、磁気テープカートリッジ１０の生産管理（例えば、磁気テープカートリッジ１０が複数の製造工程を通過した履歴の管理）が行われる段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階でも、上記実施形態と同様の効果が得られる。
【0177】
なお、非接触式読み書き装置５０Ｂは、本開示の技術に係る「非接触式通信装置」、「磁気テープカートリッジの検品用のリーダライタ」、「磁気テープカートリッジの診断用のリーダライタ」、「磁気テープカートリッジの生産管理用のリーダライタ」、及び「磁気テープカートリッジが複数の製造工程を通過した履歴の管理に用いられるリーダライタ」の一例であり、例えば、据え置き型又は携帯型のリーダライタである。
【0178】
図３６に示す例では、上下方向に重ねられた複数の磁気テープカートリッジ１０がプラスチックフィルムでシュリンクされたパッケージ２００内の各磁気テープカートリッジ１０のカートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ｂとの間で情報の送受信が行われる。カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ｂとの間の情報の送受信は、磁気テープカートリッジ１０の後側において複数の磁気テープカートリッジ１０が重ねられた方向に沿って非接触式読み書き装置５０Ｂを移動させながら行われる。この場合、例えば、非接触式読み書き装置５０Ｂは、磁界ＭＦのオンとオフとを繰り返しながら磁気テープカートリッジ１０の各々に対して磁界ＭＦを順次に放出することで、カートリッジメモリ１９との間で情報の送受信を行う。
【0179】
また、上記実施形態では、非接触式読み書き装置５０Ａにおいて、現設定パラメータ記憶ブロック１３８の現設定パラメータ１４４が更新されることで、複数の通信規格が選択的に設定されるようにしているが、本開示の技術はこれに限定されない。非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０は、複数の通信規格のうちのカートリッジメモリ１９に対する通信で用いられる通信規格を、外部から与えられた指示に従って固定するようにしてもよい。
【0180】
この場合、例えば、図３７に示すように、現設定パラメータ１４４を固定する指示（図３７に示す例では「パラメータ固定指示」）が受付デバイス１２２によって受け付けられると、ＣＰＵ１３０は、パラメータ固定指示（本開示の技術に係る「外部から与えられた指示」の一例）に従って現設定パラメータ１４４を現設定パラメータ記憶ブロック１３８に固定することで、現時点で設定されている通信規格を変更不可な状態に固定する。これにより、使用者等が意図しない通信規格に変更されることを回避することができる。
【0181】
また、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０が、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格を固定する指示（通信規格固定指示）をカートリッジメモリ１９に与えることで、カートリッジメモリ１９の現設定パラメータ１１０がカートリッジメモリ１９のＣＰＵ９４によって現設定パラメータ記憶ブロック１０４に固定されるようにしてもよい。このように、現設定パラメータ１１０が現設定パラメータ記憶ブロック１０４に固定されることによって、カートリッジメモリ１９に対して設定されている通信規格が変更不可な状態に固定される。
【0182】
また、非接触式読み書き装置５０Ａの現設定パラメータ１４４が固定された状態、及びカートリッジメモリ１９の現設定パラメータ１１０が固定された状態のうちの少なくとも一方が、外部から与えられた指示、又は、予め定められた条件に応じて解除されたり、固定された状態が維持されたりするようにしてもよい。
【0183】
予め定められた条件の第１の例としては、磁界ＭＦの強度が閾値を下回ったという条件が挙げられる。この場合、例えば、電源回路８２によって生成される電力が電力測定回路（図示省略）によって測定され、測定された電力が閾値を下回ったことを条件に、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０が、現設定パラメータ１４４の固定状態を解除し、カートリッジメモリ１９のＣＰＵ９４が、現設定パラメータ１１０の固定状態を解除するようにしてもよい。逆に、測定された電力が閾値以上になったことを条件に、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０が、現設定パラメータ１４４を固定し、カートリッジメモリ１９のＣＰＵ９４が、現設定パラメータ１１０を固定するようにしてもよい。閾値は、固定値であってもよいし、与えられた指示（例えば、受付デバイス１２２によって受け付けられた指示）又は事前に与えられた条件（例えば、非接触式読み書き装置５０Ａの設置場所及び／又は使用状況等）に応じて変更される可変値であってもよい。
【0184】
予め定められた条件の第２の例としては、磁気テープカートリッジ１０が予め定められた段階に入ったという条件が挙げられる。予め定められた段階とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、磁気テープカートリッジ１０が診断される段階、磁気テープカートリッジ１０の生産管理（例えば、磁気テープカートリッジ１０が複数の製造工程を通過した履歴の管理）が行われる段階、磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階、又は、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された段階が挙げられる。
【0185】
また、外部から与えられた指示に従ってカートリッジメモリ１９のＣＰＵ９４によってフラグ（カートリッジメモリ側固定フラグ）が設定された場合に限り、カートリッジメモリ１９に対して設定される通信規格の固定が許可されるようにしてもよいし、外部から与えられた指示に従って非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１４０によってフラグ（非接触式読み書き装置側固定フラグ）が設定された場合に限り、非接触式読み書き装置５０Ａに対して設定される通信規格の固定が許可されるようにしてもよい。
【0186】
また、外部から与えられた指示に従ってカートリッジメモリ１９のＣＰＵ９４によってフラグ（カートリッジメモリ側解除フラグ）が設定された場合に限り、カートリッジメモリ１９に対して設定された通信規格の固定状態の解除が許可されるようにしてもよいし、外部から与えられた指示に従って非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１４０によってフラグ（非接触式読み書き装置側解除フラグ）が設定された場合に限り、非接触式読み書き装置５０Ａに対して設定された通信規格の固定状態の解除が許可されるようにしてもよい。
【0187】
また、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１３０は、通信規格に関わらず磁界ＭＦの強度を一定にするのではなく、磁界ＭＦの強度を、設定される通信規格毎に異ならせるようにしてもよい。
【0188】
また、上記実施形態では、ＮＶＭ１３２に通信規格適応処理プログラム１４６及び通信規格変更指示処理プログラム１４８（以下、これらを特に区別する必要がない場合は、符号を付さず「プログラム」と称する）が記憶されている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３８に示すように、プログラムが記憶媒体３００に記憶されていてもよい。記憶媒体３００は、非一時的記憶媒体である。記憶媒体３００の一例としては、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなどの任意の可搬型の記憶媒体が挙げられる。
【0189】
記憶媒体３００に記憶されているプログラムは、コンピュータ１２０にインストールされる。ＣＰＵ１３０は、プログラムに従って通信規格適応処理及び通信規格変更指示処理（以下、これらを特に区別する必要がない場合は、「非接触式読み書き装置側処理」と称する）を実行する。図３８に示す例では、ＣＰＵ１３０は、単数のＣＰＵであるが、複数のＣＰＵであってもよい。
【0190】
また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ１２０に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶装置にプログラムを記憶させておき、カートリッジメモリ１９からの要求に応じてプログラムがダウンロードされ、コンピュータ１２０にインストールされるようにしてもよい。
【0191】
図３８に示す例では、コンピュータ１２０が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ１２０に代えて、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及び／又はＰＬＤを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ１２０に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。
【0192】
非接触式読み書き装置側処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで、非接触式読み書き装置側処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、又はＡＳＩＣなどの特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。何れのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、何れのプロセッサもメモリを使用することで非接触式読み書き装置側処理を実行する。
【0193】
非接触式読み書き装置側処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、非接触式読み書き装置側処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。
【0194】
１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが、非接触式読み書き装置側処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣなどに代表されるように、非接触式読み書き装置側処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、非接触式読み書き装置側処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。
【0195】
更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子などの回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。また、上記の支援処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。
【0196】
以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことはいうまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。
【0197】
本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。
【0198】
本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
【符号の説明】
【0199】
２ 磁気テープシステム
１０ 磁気テープカートリッジ
１２ ケース
１２Ａ 右壁
１２Ａ１，１２Ａ２ 切り欠き
１２Ｂ 開口
１４ 上ケース
１４Ａ 天板
１４Ａ１ 内面
１６ 下ケース
１６Ａ 底板
１６Ａ１ 基準面
１６Ｂ 後壁
１８ カートリッジリール
１８Ａ リールハブ
１８Ｂ１ 上フランジ
１８Ｂ２ 下フランジ
１９ カートリッジメモリ
２０ 支持部材
２０Ａ 第１傾斜台
２０Ａ１，２０Ｂ１ 傾斜面
２０Ｂ 第２傾斜台
２２ 位置規制リブ
２４ リブ
２４Ａ 先端面
２６ 基板
２６Ａ 裏面
２６Ｂ 表面
３０ 磁気テープドライブ
３４ 搬送装置
３６ 磁気ヘッド
３８ 制御装置
４０ 送出モータ
４２ 巻取リール
４４ 巻取モータ
４６ 磁気素子ユニット
４８ ホルダ
５０Ａ，５０Ｂ 非接触式読み書き装置
５１Ａ，５１Ｂ 磁化領域
５２ ＩＣチップ
５４ コンデンサ
５４Ａ，５４Ｂ 電極
５６ 封止材
６０，１２６ アンテナコイル
６２Ａ 第１導通部
６２Ｂ 第２導通部
６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ，６４Ｄ 配線
７０ 電力生成器
８０ 内蔵コンデンサ
８２ 電源回路
８４ コンピュータ
８６ クロック信号生成器
８８ 信号処理回路
９２ 共振回路
９４，１３０ ＣＰＵ
９６，１３２ ＮＶＭ
９８，１３４ ＲＡＭ
９９，１３５ バス
１０２，１３６ 設定可能パラメータ記憶ブロック
１０４，１３８ 現設定パラメータ記憶ブロック
１０６，１４０ プログラム記憶ブロック
１０８，１４２ 通信規格パラメータ
１１０，１４４ 現設定パラメータ
１１２ ＣＭ応答処理プログラム
１１４ 通信規格設定プログラム
１１６，１５０ 通信規格専用プログラム
１１８ 送受信装置
１２０ コンピュータ
１２２ 受付デバイス
１２４ ディスプレイ
１２８ 通信回路
１４６ 通信規格適応処理プログラム
１４８ 通信規格変更指示処理プログラム
１５２ 光学センサ
１５４ 通信規格テーブル
１５６ マトリクス型二次元コード
ＭＦ 磁界
θ 傾斜角度
１０ 磁気テープカートリッジ
１２ ケース
１２Ａ 右壁
１２Ａ１，１２Ａ２ 切り欠き
１２Ｂ 開口
１４ 上ケース
１４Ａ 天板
１４Ａ１ 内面
１６ 下ケース
１６Ａ 底板
１６Ａ１ 基準面
１６Ｂ 後壁
１８ カートリッジリール
１８Ａ リールハブ
１８Ｂ１ 上フランジ
１８Ｂ２ 下フランジ
１９ カートリッジメモリ
２０ 支持部材
２０Ａ 第１傾斜台
２０Ａ１，２０Ｂ１ 傾斜面
２０Ｂ 第２傾斜台
２２ 位置規制リブ
２４ リブ
２４Ａ 先端面
２６ 基板
２６Ａ 裏面
２６Ｂ 表面
３０ 磁気テープドライブ
３４ 搬送装置
３６ 磁気ヘッド
３８ 制御装置
４０ 送出モータ
４２ 巻取リール
４４ 巻取モータ
４６ 磁気素子ユニット
４８ ホルダ
５０Ａ，５０Ｂ 非接触式読み書き装置
５１Ａ，５１Ｂ 磁化領域
５２ ＩＣチップ
５４ コンデンサ
５４Ａ，５４Ｂ 電極
５６ 封止材
６０，１２６ アンテナコイル
６２Ａ 第１導通部
６２Ｂ 第２導通部
６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ，６４Ｄ 配線
７０ 電力生成器
８０ 内蔵コンデンサ
８２ 電源回路
８４ コンピュータ
８６ クロック信号生成器
８８ 信号処理回路
９２ 共振回路
９４，１３０ ＣＰＵ
９６，１３２ ＮＶＭ
９８，１３４ ＲＡＭ
９９，１３５ バス
１０２，１３６ 設定可能パラメータ記憶ブロック
１０４，１３８ 現設定パラメータ記憶ブロック
１０６，１４０ プログラム記憶ブロック
１０８，１４２ 通信規格パラメータ
１１０，１４４ 現設定パラメータ
１１２ ＣＭ応答処理プログラム
１１４ 通信規格設定プログラム
１１６，１５０ 通信規格専用プログラム
１１８ 送受信装置
１２０ コンピュータ
１２２ 受付デバイス
１２４ ディスプレイ
１２８ 通信回路
１４６ 通信規格適応処理プログラム
１４８ 通信規格変更指示処理プログラム
１５２ 光学センサ
１５４ 通信規格テーブル
１５６ マトリクス型二次元コード
ＭＦ 磁界
θ 傾斜角度
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
