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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022059264
(43)【公開日】2022-04-13
(54)【発明の名称】極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20220406BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20220406BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
G03F7/20 521
H05G2/00 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020166890
(22)【出願日】2020-10-01
(71)【出願人】
【識別番号】300073919
【氏名又は名称】ギガフォトン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100083116
【弁理士】
【氏名又は名称】松浦 憲三
(72)【発明者】
【氏名】岩本 文男
【テーマコード（参考）】
2H197
4C092
【Ｆターム（参考）】
2H197CA10
2H197GA01
2H197GA05
2H197GA24
2H197HA03
4C092AA06
4C092AA15
4C092AB15
4C092AB19
4C092AC09
(57)【要約】 （修正有）
【課題】所望のドロップレットを生成する極端紫外光生成装置の提供。
【解決手段】極端紫外光生成装置１２Ａは、チャンバと、チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲット物質の第１のドロップレットを順次供給するドロップレット生成器１１０と、第１のドロップレットの軌道の少なくとも一部の周囲に第１のドロップレットの進行方向に沿ってガスを流すためのガス出口を有するガス流生成装置と、を備え、ドロップレット生成器１１０は、ターゲット物質を出力するノズルに振動を与えて第１のドロップレットよりも小体積の第２のドロップレットを複数生成し、複数の第２のドロップレットを結合させて第１のドロップレットを発生させる加振素子を備え、ガス出口は、複数の第２のドロップレットが結合して第１のドロップレットが発生する位置よりも第１のドロップレットの軌道方向の下流側に位置する。
【選択図】図８
【解決手段】極端紫外光生成装置１２Ａは、チャンバと、チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲット物質の第１のドロップレットを順次供給するドロップレット生成器１１０と、第１のドロップレットの軌道の少なくとも一部の周囲に第１のドロップレットの進行方向に沿ってガスを流すためのガス出口を有するガス流生成装置と、を備え、ドロップレット生成器１１０は、ターゲット物質を出力するノズルに振動を与えて第１のドロップレットよりも小体積の第２のドロップレットを複数生成し、複数の第２のドロップレットを結合させて第１のドロップレットを発生させる加振素子を備え、ガス出口は、複数の第２のドロップレットが結合して第１のドロップレットが発生する位置よりも第１のドロップレットの軌道方向の下流側に位置する。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
内部でプラズマを生成するチャンバと、
ターゲット物質を収容し、前記チャンバ内のプラズマ生成領域に前記ターゲット物質の第１のドロップレットを順次供給するドロップレット生成器と、
前記第１のドロップレットの軌道の少なくとも一部の周囲に前記第１のドロップレットの進行方向に沿ってガスを流すためのガス出口を有するガス流生成装置と、を備え、
前記ドロップレット生成器は、
前記ターゲット物質を出力するノズルに振動を与えて前記第１のドロップレットよりも小体積の第２のドロップレットを複数生成し、複数の前記第２のドロップレットを結合させて前記第１のドロップレットを発生させる加振素子を備え、
前記ガス出口は、前記複数の前記第２のドロップレットが結合して前記第１のドロップレットが発生する位置よりも前記第１のドロップレットの軌道方向の下流側に位置する極端紫外光生成装置。
ターゲット物質を収容し、前記チャンバ内のプラズマ生成領域に前記ターゲット物質の第１のドロップレットを順次供給するドロップレット生成器と、
前記第１のドロップレットの軌道の少なくとも一部の周囲に前記第１のドロップレットの進行方向に沿ってガスを流すためのガス出口を有するガス流生成装置と、を備え、
前記ドロップレット生成器は、
前記ターゲット物質を出力するノズルに振動を与えて前記第１のドロップレットよりも小体積の第２のドロップレットを複数生成し、複数の前記第２のドロップレットを結合させて前記第１のドロップレットを発生させる加振素子を備え、
前記ガス出口は、前記複数の前記第２のドロップレットが結合して前記第１のドロップレットが発生する位置よりも前記第１のドロップレットの軌道方向の下流側に位置する極端紫外光生成装置。
【請求項2】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ガス流生成装置は、
前記第１のドロップレットの軌道の少なくとも一部の周囲を覆う第１の管であって、前記第１のドロップレットの前記軌道方向の上流側端部である第１の端部及び下流側端部である第２の端部の両方が開放された第１の管と、
前記第１の管の少なくとも一部の周囲を覆い、前記第１の管の前記少なくとも一部との間に間隙を持って配置された第２の管であって、前記第２の管の両端部のうち前記軌道方向の下流側端部である第３の端部が開放され、前記第３の端部が前記第１の管の前記第２の端部よりもさらに前記軌道方向の下流側に位置している第２の管と、
前記第１の管と前記第２の管との前記間隙に流すガスを供給し、前記間隙の前記第２の端部側に開口した前記ガス出口から前記軌道方向に前記ガスを流出させるガス導入部材と、を備える、
極端紫外光生成装置。
前記ガス流生成装置は、
前記第１のドロップレットの軌道の少なくとも一部の周囲を覆う第１の管であって、前記第１のドロップレットの前記軌道方向の上流側端部である第１の端部及び下流側端部である第２の端部の両方が開放された第１の管と、
前記第１の管の少なくとも一部の周囲を覆い、前記第１の管の前記少なくとも一部との間に間隙を持って配置された第２の管であって、前記第２の管の両端部のうち前記軌道方向の下流側端部である第３の端部が開放され、前記第３の端部が前記第１の管の前記第２の端部よりもさらに前記軌道方向の下流側に位置している第２の管と、
前記第１の管と前記第２の管との前記間隙に流すガスを供給し、前記間隙の前記第２の端部側に開口した前記ガス出口から前記軌道方向に前記ガスを流出させるガス導入部材と、を備える、
極端紫外光生成装置。
【請求項3】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ノズルの出口から前記複数の前記第２のドロップレットが結合して前記第１のドロップレットが発生するまでの距離が３０ｍｍ以上３５０ｍｍ以下である、
極端紫外光生成装置。
前記ノズルの出口から前記複数の前記第２のドロップレットが結合して前記第１のドロップレットが発生するまでの距離が３０ｍｍ以上３５０ｍｍ以下である、
極端紫外光生成装置。
【請求項4】
請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第１の管及び前記第２の管のそれぞれは四角管又は円管である、
極端紫外光生成装置。
前記第１の管及び前記第２の管のそれぞれは四角管又は円管である、
極端紫外光生成装置。
【請求項5】
請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ガス導入部材は、前記チャンバの内壁に固定される、
極端紫外光生成装置。
前記ガス導入部材は、前記チャンバの内壁に固定される、
極端紫外光生成装置。
【請求項6】
請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第１の管が前記第２の管で覆われる二重管部の長さは、１０ｍｍ以上である、
極端紫外光生成装置。
前記第１の管が前記第２の管で覆われる二重管部の長さは、１０ｍｍ以上である、
極端紫外光生成装置。
【請求項7】
請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記チャンバは、
第１の容器と、
前記第１の容器に連通する第２の容器と、
前記第２の容器を前記第１の容器に対して移動可能に支持する第１のステージと、
を含み、
前記第１の容器と前記第２の容器とが前記第１のステージを介して連結されており、
前記ドロップレット生成器は、前記第２の容器に固定され、
前記ガス導入部材は、前記第１の容器に固定される極端紫外光生成装置。
前記チャンバは、
第１の容器と、
前記第１の容器に連通する第２の容器と、
前記第２の容器を前記第１の容器に対して移動可能に支持する第１のステージと、
を含み、
前記第１の容器と前記第２の容器とが前記第１のステージを介して連結されており、
前記ドロップレット生成器は、前記第２の容器に固定され、
前記ガス導入部材は、前記第１の容器に固定される極端紫外光生成装置。
【請求項8】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、さらに、
前記第１のドロップレットの結合状態を計測するためのセンサを備える、
極端紫外光生成装置。
前記第１のドロップレットの結合状態を計測するためのセンサを備える、
極端紫外光生成装置。
【請求項9】
請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記センサは、前記第１のドロップレットが発生する位置と、前記軌道方向における前記ガス出口の位置との間で前記結合状態を計測する位置に配置される、
極端紫外光生成装置。
前記センサは、前記第１のドロップレットが発生する位置と、前記軌道方向における前記ガス出口の位置との間で前記結合状態を計測する位置に配置される、
極端紫外光生成装置。
【請求項10】
請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、さらに、
前記センサによって結合不良が検出された場合に、前記加振素子に印加する電圧のデューティを調整するプロセッサを備える、
極端紫外光生成装置。
前記センサによって結合不良が検出された場合に、前記加振素子に印加する電圧のデューティを調整するプロセッサを備える、
極端紫外光生成装置。
【請求項11】
請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、さらに、
前記センサによって結合不良が検出された場合に、前記ドロップレット生成器の前記ターゲット物質を収容するタンク内の圧力を調整するプロセッサを備える、
極端紫外光生成装置。
前記センサによって結合不良が検出された場合に、前記ドロップレット生成器の前記ターゲット物質を収容するタンク内の圧力を調整するプロセッサを備える、
極端紫外光生成装置。
【請求項12】
請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、さらに、
前記ドロップレット生成器を前記軌道方向に移動させる第２のステージと、
前記センサによって結合不良が検出された場合に、前記第２のステージを調整するプロセッサと、を備える、
極端紫外光生成装置。
前記ドロップレット生成器を前記軌道方向に移動させる第２のステージと、
前記センサによって結合不良が検出された場合に、前記第２のステージを調整するプロセッサと、を備える、
極端紫外光生成装置。
【請求項13】
請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ガス導入部材は、前記ドロップレット生成器に固定される、
極端紫外光生成装置。
前記ガス導入部材は、前記ドロップレット生成器に固定される、
極端紫外光生成装置。
【請求項14】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ガス出口から吹き出される前記ガスのガス流速は、前記第１のドロップレットの速度よりも大きく、
前記ガス流生成装置は、前記第１のドロップレットを前記ガスの流れによって加速させる、
極端紫外光生成装置。
前記ガス出口から吹き出される前記ガスのガス流速は、前記第１のドロップレットの速度よりも大きく、
前記ガス流生成装置は、前記第１のドロップレットを前記ガスの流れによって加速させる、
極端紫外光生成装置。
【請求項15】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ガスの流れによって前記第１のドロップレットに働く抗力をＦ、前記第１のドロップレットの質量をＭとすると、Ｆは次式で表され、
Ｆ＝ＰＬ２Ｖ（２ＲＴ）－１／２ｈＡ（ｋ）
Ｐ：前記ガスの圧力、
Ｌ：前記第１のドロップレットの半径、
Ｖ：前記第１のドロップレットと前記ガスの相対速度、
Ｒ：気体定数、
Ｔ：前記ガスの温度、
ｈＡ（ｋ）：定数、
前記第１のドロップレットは、加速度Ｆ／Ｍで加速される、
極端紫外光生成装置。
前記ガスの流れによって前記第１のドロップレットに働く抗力をＦ、前記第１のドロップレットの質量をＭとすると、Ｆは次式で表され、
Ｆ＝ＰＬ２Ｖ（２ＲＴ）－１／２ｈＡ（ｋ）
Ｐ：前記ガスの圧力、
Ｌ：前記第１のドロップレットの半径、
Ｖ：前記第１のドロップレットと前記ガスの相対速度、
Ｒ：気体定数、
Ｔ：前記ガスの温度、
ｈＡ（ｋ）：定数、
前記第１のドロップレットは、加速度Ｆ／Ｍで加速される、
極端紫外光生成装置。
【請求項16】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第１のドロップレットを発生させるために結合させる前記第２のドロップレットの数は、５個以上７０個以下である、
極端紫外光生成装置。
前記第１のドロップレットを発生させるために結合させる前記第２のドロップレットの数は、５個以上７０個以下である、
極端紫外光生成装置。
【請求項17】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記加振素子に印加される電圧波形は、振幅変調波又は矩形波である、
極端紫外光生成装置。
前記加振素子に印加される電圧波形は、振幅変調波又は矩形波である、
極端紫外光生成装置。
【請求項18】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ガスは、水素ガスである、
極端紫外光生成装置。
前記ガスは、水素ガスである、
極端紫外光生成装置。
【請求項19】
電子デバイスの製造方法であって、
内部でプラズマを生成するチャンバと、
ターゲット物質を収容し、前記チャンバ内のプラズマ生成領域に前記ターゲット物質の第１のドロップレットを順次供給するドロップレット生成器と、
前記第１のドロップレットの軌道の少なくとも一部の周囲に前記第１のドロップレットの進行方向に沿ってガスを流すためのガス出口を有するガス流生成装置と、を備え、
前記ドロップレット生成器は、
前記ターゲット物質を出力するノズルに振動を与えて前記第１のドロップレットよりも小体積の第２のドロップレットを複数生成し、複数の前記第２のドロップレットを結合させて前記第１のドロップレットを発生させる加振素子を備え、
前記ガス出口は、前記複数の前記第２のドロップレットが結合して前記第１のドロップレットが発生する位置よりも前記第１のドロップレットの軌道方向の下流側に位置する極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光することを含む、
電子デバイスの製造方法。
内部でプラズマを生成するチャンバと、
ターゲット物質を収容し、前記チャンバ内のプラズマ生成領域に前記ターゲット物質の第１のドロップレットを順次供給するドロップレット生成器と、
前記第１のドロップレットの軌道の少なくとも一部の周囲に前記第１のドロップレットの進行方向に沿ってガスを流すためのガス出口を有するガス流生成装置と、を備え、
前記ドロップレット生成器は、
前記ターゲット物質を出力するノズルに振動を与えて前記第１のドロップレットよりも小体積の第２のドロップレットを複数生成し、複数の前記第２のドロップレットを結合させて前記第１のドロップレットを発生させる加振素子を備え、
前記ガス出口は、前記複数の前記第２のドロップレットが結合して前記第１のドロップレットが発生する位置よりも前記第１のドロップレットの軌道方向の下流側に位置する極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光することを含む、
電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。
【0003】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるLaser Produced Plasma（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許第８５９８５５１号
【特許文献2】国際公開第２０１９／１３７８４６号
【特許文献3】国際公開第２０１８／１３８９１８号
【特許文献4】国際公開第２０１７／１３０４４３号
【概要】
【0005】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部でプラズマを生成するチャンバと、ターゲット物質を収容し、チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲット物質の第１のドロップレットを順次供給するドロップレット生成器と、第１のドロップレットの軌道の少なくとも一部の周囲に第１のドロップレットの進行方向に沿ってガスを流すためのガス出口を有するガス流生成装置と、を備え、ドロップレット生成器は、ターゲット物質を出力するノズルに振動を与えて第１のドロップレットよりも小体積の第２のドロップレットを複数生成し、複数の第２のドロップレットを結合させて第１のドロップレットを発生させる加振素子を備え、ガス出口は、複数の第２のドロップレットが結合して第１のドロップレットが発生する位置よりも軌道方向の下流側に位置する。
【0006】
本開示の他の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、内部でプラズマを生成するチャンバと、ターゲット物質を収容し、チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲット物質の第１のドロップレットを順次供給するドロップレット生成器と、第１のドロップレットの軌道の少なくとも一部の周囲に第１のドロップレットの進行方向に沿ってガスを流すためのガス出口を有するガス流生成装置と、を備え、ドロップレット生成器は、ターゲット物質を出力するノズルに振動を与えて第１のドロップレットよりも小体積の第２のドロップレットを複数生成し、複数の第２のドロップレットを結合させて第１のドロップレットを発生させる加振素子を備え、ガス出口は、複数の第２のドロップレットが結合して第１のドロップレットが発生する位置よりも軌道方向の下流側に位置する極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
【図面の簡単な説明】
【0007】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【実施形態】
【0008】
－目次－
１．用語の説明
２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．比較例に係るＥＵＶ光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ ドロップレットの生成について
３．４ 課題
４．実施形態１
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
５．実施形態２
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．実施形態３
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果
７．実施形態４
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果
７．４ 変形例
８．電子デバイスの製造方法の例
９．その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．用語の説明
２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．比較例に係るＥＵＶ光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ ドロップレットの生成について
３．４ 課題
４．実施形態１
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
５．実施形態２
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．実施形態３
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果
７．実施形態４
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果
７．４ 変形例
８．電子デバイスの製造方法の例
９．その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【0009】
１．用語の説明
「パルスレーザ光」は、複数のパルスを含むレーザ光を意味し得る。
「パルスレーザ光」は、複数のパルスを含むレーザ光を意味し得る。
【0010】
「レーザ光」は、パルスレーザ光に限らずレーザ光一般を意味し得る。
【0011】
「レーザ光路」は、レーザ光の光路を意味する。
【0012】
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。ターゲットは、プラズマの発生源となる。
【0013】
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。ドロップレットは、ドロップレット状のターゲットと同義である。ドロップレットは、溶融したターゲット物質の表面張力によってほぼ球状となったターゲットを意味し得る。
【0014】
「ドロップレットの軌道」は、ドロップレットが進行する経路を指す。ドロップレットの軌道は、「ドロップレット軌道」、又は、単に「軌道」と表記される場合がある。
【0015】
「ドロップレットの軌道方向」は、ドロップレットの進行方向と平行な方向を指す。ドロップレットの軌道方向に関して、ドロップレットの生成源側を「上流」とし、ドロップレットの到達点側を「下流」とする。ドロップレットの軌道方向の相対的な位置関係について、「上流側」、「下流側」という表現を用いる場合がある。
【0016】
「プラズマ光」は、プラズマ化したターゲットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれる。
【0017】
「ＥＵＶ光」という表記は、「極端紫外光」の略語表記である。
【0018】
「ピエゾ素子」は、圧電素子と同義である。ピエゾ素子は、「加振素子」の一形態である。ピエゾ素子を単に「ピエゾ」若しくは「ＰＺＴ」と表記する場合がある。
【0019】
２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
２．１ 構成
図１に、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１２は、レーザ装置１４と共に用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１２及びレーザ装置１４を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１０と称する。ＥＵＶ光生成装置１２は、チャンバ１６と、ターゲット供給部１８とを含む。
２．１ 構成
図１に、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１２は、レーザ装置１４と共に用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１２及びレーザ装置１４を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１０と称する。ＥＵＶ光生成装置１２は、チャンバ１６と、ターゲット供給部１８とを含む。
【0020】
チャンバ１６は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部１８は、ターゲット物質をチャンバ１６内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。
【0021】
チャンバ１６の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２０によって塞がれ、ウインドウ２０をレーザ装置１４から出力されるパルスレーザ光２２が透過する。チャンバ１６の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２４が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２４は、第１の焦点及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２４の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２４は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２６に位置し、その第２の焦点が中間集光点２８に位置するように配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２４の中央部には貫通孔３０が備えられ、貫通孔３０をパルスレーザ光２３が通過する。
【0022】
ＥＵＶ光生成装置１２は、プロセッサ４０と、ターゲットセンサ４２等を含む。ターゲットセンサ４２は、ターゲット４４の存在、軌跡、位置及び速度のうち少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４２は、撮像機能を備えてもよい。
【0023】
また、ＥＵＶ光生成装置１２は、チャンバ１６の内部と露光装置４６の内部とを連通させる接続部４８を含む。接続部４８内部には、アパーチャ５０が形成された壁５２が備えられる。壁５２は、そのアパーチャ５０がＥＵＶ集光ミラー２４の第２の焦点に位置するように配置される。
【0024】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１２は、レーザ光伝送装置５４、レーザ光集光ミラー５６、ターゲット４４を回収するためのターゲット回収部５８等を含む。レーザ光伝送装置５４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。
【0025】
２．２ 動作
図１を参照して、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の動作を説明する。レーザ装置１４から出力されたパルスレーザ光２１は、レーザ光伝送装置５４を経て、パルスレーザ光２２としてウインドウ２０を透過してチャンバ１６内に入射する。パルスレーザ光２２は、レーザ光路に沿ってチャンバ１６内を進み、レーザ光集光ミラー５６で反射されて、パルスレーザ光２３としてターゲット４４に照射される。
図１を参照して、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の動作を説明する。レーザ装置１４から出力されたパルスレーザ光２１は、レーザ光伝送装置５４を経て、パルスレーザ光２２としてウインドウ２０を透過してチャンバ１６内に入射する。パルスレーザ光２２は、レーザ光路に沿ってチャンバ１６内を進み、レーザ光集光ミラー５６で反射されて、パルスレーザ光２３としてターゲット４４に照射される。
【0026】
ターゲット供給部１８は、ターゲット物質によって形成されたターゲット４４をチャンバ１６内部のプラズマ生成領域２６に向けて出力する。ターゲット４４には、パルスレーザ光２３が照射される。パルスレーザ光２３が照射されたターゲット４４はプラズマ化し、そのプラズマから放射光６０が放射される。放射光６０に含まれるＥＵＶ光６２は、ＥＵＶ集光ミラー２４によって選択的に反射される。ＥＵＶ集光ミラー２４によって反射されたＥＵＶ光６２は、中間集光点２８で集光され、露光装置４６に出力さる。なお、１つのターゲット４４に、パルスレーザ光２３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【0027】
プロセッサ４０は、ＥＵＶ光生成システム１０全体を制御する。プロセッサ４０は、ターゲットセンサ４２の検出結果を処理する。プロセッサ４０は、ターゲットセンサ４２の検出結果に基づいて、ターゲット４４が出力されるタイミング、ターゲット４４の出力方向等を制御してもよい。さらに、プロセッサ４０は、レーザ装置１４の発振タイミング、パルスレーザ光２２の進行方向、パルスレーザ光２３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【0028】
本開示のプロセッサとは、制御プログラムが記憶された記憶装置と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）とを含む処理装置である。プロセッサは、本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。
【0029】
３．比較例に係るＥＵＶ光生成装置の説明
３．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置１２の構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。
３．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置１２の構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。
【0030】
図２において、方向に関する説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標軸を導入する。チャンバ１６から露光装置４６に向かってＥＵＶ光６２を導出する方向をＺ軸の方向とする。Ｘ軸及びＹ軸は、Ｚ軸に直交し、かつ、互いに直交する軸である。ターゲット物質を出力するノズル１２６の中心軸方向をＹ軸の方向とする。Ｙ軸の方向は、ドロップレット１２２の軌道方向である。図２の紙面に垂直な方向をＸ軸の方向とする。図３以降の図面でも図２で導入した座標軸と同様とする。
【0031】
ＥＵＶ光生成装置１２は、チャンバ１６と、レーザ光伝送装置５４と、プロセッサ４０とを含む。チャンバ１６は、ターゲット供給部１８と、ステージ６６と、タイミングセンサ８０と、ウインドウ２０と、レーザ集光光学系９０と、ＥＵＶ集光ミラー２４と、ターゲット回収部５８と、排気装置１００と、圧力センサ１０２とを含む。
【0032】
ターゲット供給部１８は、ドロップレット生成器１１０と、圧力調節器１１２と、ピエゾ電源１１４と、ヒータ電源１１６とを含む。圧力調節器１１２、ピエゾ電源１１４及びヒータ電源１１６のそれぞれはプロセッサ４０に接続されている。
【0033】
ドロップレット生成器１１０は、ターゲット物質を貯蔵するタンク１２０と、ターゲット物質を出力するノズル穴１２４を含むノズル１２６と、ノズル１２６近傍に配置されたピエゾ素子１２８とを含む。また、ドロップレット生成器１１０は、ヒータ１３０及び温度センサ１３２を含む。ヒータ１３０及び温度センサ１３２は、タンク１２０の外側側面部に配置される。
【0034】
温度センサ１３２は、プロセッサ４０に接続されている。ピエゾ電源１１４は、ピエゾ素子１２８に接続されている。ヒータ電源１１６は、ヒータ１３０に接続されている。
【0035】
ターゲット物質は、例えば、スズであってもよい。タンク１２０の内部は、ターゲット物質と反応し難い材料で構成される。ターゲット物質の一例であるスズと反応し難い材料として、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、或いはＳｉＯ２などを用いることができる。
【0036】
圧力調節器１１２は、管路１１３を介してタンク１２０に接続されている。圧力調節器１１２は、図示しない不活性ガス供給部とタンク１２０との間の配管に配置される。不活性ガス供給部は、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されているガスボンベを含んでいてもよい。不活性ガス供給部は、圧力調節器１１２を介してタンク１２０内に不活性ガスを給気し得る。圧力調節器１１２は、図示しない排気ポンプに接続されていてもよい。圧力調節器１１２は、給気及び排気用の図示しない電磁弁や図示しない圧力センサ等を内部に含む。圧力調節器１１２は、圧力センサを用いてタンク１２０内の圧力を検出し得る。圧力調節器１１２は、排気ポンプを動作させてタンク１２０内のガスを排気することができる。
【0037】
圧力調節器１１２は、検出した圧力の検出信号をプロセッサ４０に出力する。プロセッサ４０は、圧力調節器１１２から出力された検出信号に基づいて、タンク１２０内の圧力が目標とする圧力になるよう圧力調節器１１２の動作を制御するための制御信号を圧力調節器１１２に供給する。
【0038】
ステージ６６は、プロセッサ４０からの指令に基づき、ドロップレット生成器１１０を少なくともＸ－Ｚ平面の指定された位置に移動させることができる。ステージ６６は本開示における「第１のステージ」の一例である。
【0039】
チャンバ１６は、第１の容器１６Ａと、第２の容器１６Ｂとを含む。第２の容器１６Ｂは、第１の容器１６Ａと連通する容器であり、ステージ６６及び支持プレート６７を介して第１の容器１６Ａと連結される。第２の容器１６Ｂは、ステージ６６に固定される。
【0040】
ドロップレット生成器１１０は、第２の容器１６Ｂに固定される。すなわち、ドロップレット生成器１１０は、第２の容器１６Ｂを介してステージ６６に固定される。
【0041】
支持プレート６７は、第１の容器１６Ａに固定される。ステージ６６は、支持プレート６７上で、少なくともＸ－Ｚ平面内で移動できるように構成される。支持プレート６７が固定された第１の容器１６Ａは、所定の位置に固定して設置される固定容器である。ステージ６６に固定された第２の容器１６Ｂは、支持プレート６７上で移動可能な可動容器である。ステージ６６が支持プレート６７上で移動することにより、ドロップレット生成器１１０をプロセッサ４０から指定された位置に移動することができる。
【0042】
タイミングセンサ８０は、光源部８１と受光部８２とを含む。光源部８１と受光部８２とは、ドロップレット１２２の進行経路であるドロップレット軌道１４０を挟んで互いに対向するように配置される。
【0043】
光源部８１は、光源８３と照明光学系８４とを含む。光源部８１は、ドロップレット生成器１１０のノズル穴１２４とプラズマ生成領域２６との間のドロップレット軌道１４０上の検出領域１４２のドロップレット１２２を照明するように配置される。光源８３は、単色光のレーザ光源又は複数波長を出射するランプでもよい。また、光源８３は光ファイバを含んでもよく、光ファイバは照明光学系８４に接続される。照明光学系８４は集光レンズを含む。照明光学系８４は、ウインドウ８５を含んでもよい。ウインドウ８５はチャンバ１６の壁に配置される。
【0044】
タイミングセンサ８０の受光部８２は、受光光学系８６と光センサ８７とを含む。受光部８２は、光源部８１から出力された照明光の少なくとも一部であって検出領域１４２を通った照明光を受光するように配置される。受光光学系８６は集光レンズを含む。受光光学系８６は、ウインドウ８８を含んでもよい。ウインドウ８８は、チャンバ１６の壁に配置される。
【0045】
光センサ８７は、１つ若しくは複数の受光面を含む。光センサ８７は、フォトダイオード、フォトダイオードアレイ、アバランシェフォトダイオード、光電子増倍管、マルチピクセルフォトンカウンター及びイメージインテンシファイアのうちのいずれかによって構成することができる。光センサ８７は受光量に応じた電気信号を出力する。
【0046】
光源部８１のウインドウ８５と受光部８２のウインドウ８８は、ドロップレット軌道１４０を挟んで互いに対向する位置に配置される。光源部８１と受光部８２の対向方向は、ドロップレット軌道１４０と直交してもよいし、ドロップレット軌道１４０と非直交であってもよい。タイミングセンサ８０は、図１に示したターゲットセンサ４２の一例である。
【0047】
図２に示すレーザ光伝送装置５４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子として、第１の高反射ミラー１５１と第２の高反射ミラー１５２とを含む。
【0048】
レーザ集光光学系９０は、レーザ光伝送装置５４から出力されるパルスレーザ光２２が入力されるよう配置される。レーザ集光光学系９０は、ウインドウ２０を介してチャンバ１６に入射したレーザ光をプラズマ生成領域２６に集光するよう構成されている。レーザ集光光学系９０は、レーザ光集光ミラー５６と、高反射平面ミラー９３と、レーザ光マニュピレータ９４とを含む。
【0049】
レーザ光集光ミラー５６は、例えば、高反射軸外放物面ミラーであってもよい。レーザ光集光ミラー５６は、ミラーホルダ５６Ａに保持される。ミラーホルダ５６Ａは、プレート９５に固定される。高反射平面ミラー９３はミラーホルダ９３Ａに保持される。ミラーホルダ９３Ａはプレート９５に固定される。
【0050】
レーザ光マニュピレータ９４は、例えば、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の互いに直交する三軸の方向にプレート９５を移動可能なステージを用いて構成される。レーザ光マニュピレータ９４は、チャンバ１６内のレーザ照射位置を、プロセッサ４０から指定された位置にＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の各軸の方向において移動できるように構成される。
【0051】
ＥＵＶ集光ミラー２４は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ９６に保持される。ＥＵＶ集光ミラーホルダ９６は、プレート９７に固定される。プレート９７は、レーザ集光光学系９０とＥＵＶ集光ミラー２４とを保持する部材である。プレート９７は、チャンバ１６の内壁に固定される。
【0052】
プロセッサ４０は、レーザ装置１４、ターゲット供給部１８、ステージ６６、タイミングセンサ８０及びレーザ光マニュピレータ９４のそれぞれと接続されている。さらにプロセッサ４０は、排気装置１００、圧力センサ１０２及び露光装置制御部１５６と接続されている。露光装置制御部１５６は、露光装置４６を制御する制御装置である。露光装置制御部１５６は、露光装置４６に含まれていてもよい。
【0053】
３．２ 動作
プロセッサ４０は、排気装置１００を制御して、チャンバ１６内のガスを所定圧力以下になるまで排気する。所定圧力は、例えば１Ｐａであってもよい。また、プロセッサ４０は、チャンバ１６内のガスを所定圧力以下まで排気した後に、ヒータ電源１１６を介してヒータ１３０を駆動し、温度センサ１３２によって温度をモニターしながら、タンク１２０内のターゲット物質を融点以上の所定温度に加熱及び維持する制御を行う。ターゲット物質がスズである場合、スズの融点は２３２℃であることから、所定温度は、例えば２５０℃から２９０℃の範囲の温度であってよい。タンク１２０内に収容されているターゲット物質は、ヒータ１３０を用いた加熱によって融解して液体となる。
プロセッサ４０は、排気装置１００を制御して、チャンバ１６内のガスを所定圧力以下になるまで排気する。所定圧力は、例えば１Ｐａであってもよい。また、プロセッサ４０は、チャンバ１６内のガスを所定圧力以下まで排気した後に、ヒータ電源１１６を介してヒータ１３０を駆動し、温度センサ１３２によって温度をモニターしながら、タンク１２０内のターゲット物質を融点以上の所定温度に加熱及び維持する制御を行う。ターゲット物質がスズである場合、スズの融点は２３２℃であることから、所定温度は、例えば２５０℃から２９０℃の範囲の温度であってよい。タンク１２０内に収容されているターゲット物質は、ヒータ１３０を用いた加熱によって融解して液体となる。
【0054】
プロセッサ４０は、液体のターゲット物質をノズル穴１２４から吐出するために、タンク１２０内の圧力を所定圧力となるように圧力調節器１１２を制御する。タンク１２０内の所定圧力は、例えば、３ＭＰａ以上であってもよい。
【0055】
圧力調節器１１２は、プロセッサ４０からの制御信号に基づいてタンク１２０内にガスを給気又はタンク１２０内のガスを排気してタンク１２０内の圧力を加圧又は減圧し得る。圧力調節器１１２によってタンク１２０内の圧力は、目標とする圧力に調節される。タンク１２０内に導入されるガスは、不活性ガスであることが好ましい。
【0056】
圧力調節器１１２は、プロセッサ４０からの指示に応じて、ドロップレット１２２が所定の目標速度でプラズマ生成領域２６に到達するように、タンク１２０内の圧力を所定値に調節する。
【0057】
プロセッサ４０は、ピエゾ電源１１４を介してピエゾ素子１２８に所定波形の駆動電圧を供給する制御を行う。これにより、ノズル穴１２４から吐出するターゲット物質を、所定周期で分離させてドロップレット１２２にする。
【0058】
ターゲット供給部１８によって生成されたドロップレット１２２は、タイミングセンサ８０によって検出される。タイミングセンサ８０は、検出された信号を元にドロップレット１２２の通過タイミングを示す通過タイミング信号を生成し、通過タイミング信号をプロセッサ４０に送信する。
【0059】
プロセッサ４０は、タイミングセンサ８０からの通過タイミング信号に対して、所定の時間遅延させた発光トリガ信号をレーザ装置１４に出力し得る。発光トリガ信号がレーザ装置１４に入力されると、レーザ装置１４はパルスレーザ光２１を出力する。レーザ装置１４から出力されたパルスレーザ光２１は、レーザ光伝送装置５４とウインドウ２０を経由して、レーザ集光光学系９０に入力する。
【0060】
プロセッサ４０は、ドロップレット１２２がプラズマ生成領域２６を通るように、ステージ６６を制御してドロップレット生成器１１０を移動させてもよい。
【0061】
プロセッサ４０は、パルスレーザ光２３がプラズマ生成領域２６で集光するように、レーザ光マニュピレータ９４を制御する。パルスレーザ光２３は、レーザ集光光学系９０によって、プラズマ生成領域２６でドロップレット１２２に集光照射される。こうして、パルスレーザ光２３をドロップレット１２２に集光照射することにより、ＥＵＶ光６２を発生させる。ターゲット供給部１８から所定周期でプラズマ生成領域２６に順次供給されるドロップレット１２２に、パルスレーザ光２３を集光照射することにより、ＥＵＶ光６２を周期的に発生させてもよい。
【0062】
プラズマ生成領域２６から発生したＥＵＶ光６２は、ＥＵＶ集光ミラー２４によって集められ、中間集光点２８で集光した後に露光装置４６に入力してもよい。
【0063】
なお、パルスレーザ光２３が照射されなかったドロップレット１２２は、プラズマ生成領域２６を通過してターゲット回収部５８に入る。ターゲット回収部５８に回収されたドロップレット１２２は、液体のターゲット物質として貯蔵され得る。
【0064】
３．３ ドロップレットの生成について
図３は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置１２におけるドロップレット生成器１１０付近の構成を概略的に示す。ノズル穴１２４から柱状に出たターゲット物質は、ノズル１２６に与えられた振動とターゲット物質の表面張力とにより微小ドロップレットＭＤに分裂する。微小ドロップレットＭＤの間隔λは、通常はノズル穴１２４の直径の３～８倍程度である。例えばノズル穴１２４の直径が３μｍの場合、間隔λは、９～２４μｍ程度となる。ノズル穴１２４から出るターゲット物質の流速をｖとすると、微小ドロップレットＭＤの生成周期ｔは、ｔ=λ／ｖである。例えばｖ＝１００ｍ／ｓ、λ＝２０μｍの場合、ｔ＝０．２μｓとなる。
図３は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置１２におけるドロップレット生成器１１０付近の構成を概略的に示す。ノズル穴１２４から柱状に出たターゲット物質は、ノズル１２６に与えられた振動とターゲット物質の表面張力とにより微小ドロップレットＭＤに分裂する。微小ドロップレットＭＤの間隔λは、通常はノズル穴１２４の直径の３～８倍程度である。例えばノズル穴１２４の直径が３μｍの場合、間隔λは、９～２４μｍ程度となる。ノズル穴１２４から出るターゲット物質の流速をｖとすると、微小ドロップレットＭＤの生成周期ｔは、ｔ=λ／ｖである。例えばｖ＝１００ｍ／ｓ、λ＝２０μｍの場合、ｔ＝０．２μｓとなる。
【0065】
上記の微小ドロップレットＭＤの生成周期ｔは、必ずしもレーザ照射の周期とは一致しないため、レーザ照射するドロップレット１２２の周期をレーザ照射の周期と一致させるために、複数の微小ドロップレットＭＤを周期的に結合させて、所定の周期の最終ドロップレットＦＤを生成する。例えば、微小ドロップレットＭＤの生成周期ｔが０．２μｓ、レーザ照射の周期が１０μｓの場合、５０個ずつ微小ドロップレットＭＤを結合させて１０μｓの周期で最終ドロップレットＦＤを生成する。なお、微小ドロップレットＭＤの「微小」とは、レーザ照射を行う最終ドロップレットＦＤよりも小体積であることを意味する。
【0066】
例えば、ピエゾ素子１２８を使って微小ドロップレットＭＤに所定の第１周期で速度差を生じさせるようにノズル１２６に振動を与えると、微小ドロップレットＭＤが結合を繰り返し、最終的に所定の第２周期で生成されるドロップレット（最終ドロップレットＦＤ）１２２になる。
【0067】
微小ドロップレットＭＤに速度差を生じさせる方法としては、ピエゾ素子１２８に与える電圧波形を振幅変調波とする方法などがある。図４に、ピエゾ素子１２８に印加する振幅変調波の電圧波形の例を示す。また、図５には、ノズル穴１２４から出力されたターゲット物質の振る舞いを模式的に示す。
【0068】
変調の周期をｔｍ、搬送波の周期をｔｃとした場合、ｔｍを最終ドロップレットＦＤの生成周期に、ｔｃを微小ドロップレットＭＤの生成周期に、それぞれ設定することで、微小ドロップレットＭＤを結合させて、所定の周期ｔｍの最終ドロップレットＦＤを生成できる。
【0069】
振幅変調した振動波形でノズル１２６が振動すると、ノズル穴１２４から出たターゲット物質の表面には、振幅変調波形に応じて、大きさの異なる「くびれ」が生成される。ターゲット物質の進行と共にくびれは成長し、やがて分裂に至るが、隣り合うくびれの大きさのバランスにより、分裂後の微小ドロップレットＭＤには速度差が生じる。図５において微小ドロップレットＭＤの上に表示した白抜き矢印は、微小ドロップレットＭＤの平均速度に対する相対速度の向きを表す。なお、図５では、図示の簡略化のために、５つの微小ドロップレットＭＤが結合して１つの最終ドロップレットＦＤが生成される様子を示すが、１つの最終ドロップレットＦＤに結合する微小ドロップレットＭＤの数は特に限定されない。例えば、最終ドロップレットＦＤを発生させるために結合させる微小ドロップレットＭＤの数は、５個以上７０個以下であってもよい。
【0070】
ピエゾ素子１２８を駆動する電圧波形は、図４に例示した振幅変調波に限らず、周波数変調波や位相変調波などでもよい。また、変調波に限らず、最終ドロップレットＦＤの生成周期と同じ周期を持つ周期波、例えば、矩形波によってピエゾ素子１２８を駆動してもよい。
【0071】
図６は、ピエゾ素子１２８に印加される矩形波の電圧波形の例を示す。矩形波における周期Ｔ０は、電圧Ｈｉｇｈの時間ＴＨと、電圧Ｌｏｗの時間ＴＬとを含む。図６のような矩形波のデューティ（Ｄｕｔｙ）は、周期Ｔ０に対する電圧Ｈｉｇｈの時間ＴＨの比率ＴＨ／Ｔ０で定義される。
【0072】
タイミングセンサ８０で未結合のドロップレットを検知した場合、プロセッサ４０はピエゾ素子１２８に印加する電圧波形を制御する。例えば、電圧波形が矩形波の場合は、矩形波のデューティを変化させて未結合のドロップレットが出ないデューティに設定する。
【0073】
３．４ 課題
最終ドロップレットＦＤに結合した後、隣接するドロップレットの間隔が狭いと、ドロップレットをレーザ光で照射したとき衝撃波により次に照射するドロップレットの位置が動いてしまう。これを避けるためには、隣接するドロップレットの間隔を離す必要がある。
最終ドロップレットＦＤに結合した後、隣接するドロップレットの間隔が狭いと、ドロップレットをレーザ光で照射したとき衝撃波により次に照射するドロップレットの位置が動いてしまう。これを避けるためには、隣接するドロップレットの間隔を離す必要がある。
【0074】
ドロップレット生成器１１０のタンク１２０内に印加する圧力を上げることやドロップレット軌道１４０に平行で、かつ、ドロップレットの進行方向に沿ってガスを流すこと等により、ドロップレットの速度を上げ、ドロップレットの間隔を離す方法がある。
【0075】
図７は、ドロップレットの進行方向にガスを流す場合の例を模式的に示す。ガスを流すことによりドロップレットの速度を上げる場合、微小ドロップレットＭＤにガス流れを与えると、微小ドロップレットＭＤの速度や進行方向が乱れるため、その後の最終ドロップレットＦＤへの結合過程が不安定になり、ドロップレットの未結合が発生するなどの問題が発生する。
【0076】
未結合の微小ドロップレットＭＤが存在すると、タイミングセンサ８０が微小ドロップレットＭＤの通過タイミング信号を生成し、微小ドロップレットＭＤにパルスレーザ光を照射してしまうことが起こり得る。このように、パルスレーザ光の照射タイミングを間違えて、微小ドロップレットＭＤにパルスレーザ光を照射した場合は、生成されるＥＵＶ光６２のエネルギが低下する。
【0077】
また、最終ドロップレットＦＤの近傍に微小ドロップレットＭＤが存在すると、パルスレーザ光が最終ドロップレットＦＤ及び／又は微小ドロップレットＭＤに中途半端に照射され、砕けたターゲット物質がチャンバ１６内を汚染する。
【0078】
４．実施形態１
４．１ 構成
図８は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１２Ａにおけるドロップレット生成器１１０付近の構成を概略的に示す断面図である。図９は、図８の矢印Ａ方向から見たＡ矢視図である。図８及び図９に示す構成について、図１と異なる点を説明する。
４．１ 構成
図８は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１２Ａにおけるドロップレット生成器１１０付近の構成を概略的に示す断面図である。図９は、図８の矢印Ａ方向から見たＡ矢視図である。図８及び図９に示す構成について、図１と異なる点を説明する。
【0079】
実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１２Ａは、ドロップレット生成器１１０からプラズマ生成領域２６に至るドロップレット軌道１４０上に、ガス導入部材１７０が配置される。ガス導入部材１７０は、チャンバ１６の内壁に固定される。本実施形態のガス導入部材１７０は、ドロップレット軌道１４０に沿った筒状の第１の容器１６Ａの内壁に固定される。
【0080】
ガス導入部材１７０は、ドロップレットが通過する開口部１７０Ａを備えている。開口部１７０Ａの開口面積は、ドロップレット軌道１４０のばらつきやステージ６６の移動範囲に基づいて、適宜の大きさに決定されてよい。
【0081】
開口部１７０Ａは、ドロップレット軌道１４０の少なくとも一部の周囲を覆う管構造によって構成されている。開口部１７０Ａを構成する管構造の上流側部分は二重管の構造を持つ二重管部１７０Ｂを含み、下流側部分は単一管の構造を持つ単一管部１７０Ｃを含む。すなわち、ガス導入部材１７０は、第１の管１７１と、第２の管１７２とを含んで構成される。第１の管１７１は内管に相当し、第２の管１７２は外管に相当する。第１の管１７１は上流側端部１７１Ａと下流側端部１７１Ｂの両方が開放されている。
【0082】
第１の管１７１と第２の管１７２のそれぞれは、四角管であってよい（図９参照）。本実施形態における二重管部１７０Ｂは、二重四角管の構造を持ち、単一管部１７０Ｃは、単一四角管の構造を持つ。なお、単一管は一重管と同義である。ここでは、四角管構造を例示するが、開口部１７０Ａは、四角管構造に限らず、円管構造であってもよく、円管構造の上流側は二重円管であってもよい。
【0083】
ガス導入部材１７０からガスが吹き出す位置は、二重の四角管から一重の四角管になる境界である。つまり、ガス出口１７７の位置は、第１の管１７１の下流側端部１７１Ｂの位置である。
【0084】
ノズル穴１２４のノズル出口位置ＰＮｏｕｔからドロップレットが最終ドロップレットＦＤになる位置までの距離をＬ１とし、ノズル出口位置ＰＮｏｕｔからガス出口１７７の位置ＰＧｏｕｔまでの距離をＬ２とした場合、Ｌ１とＬ２が以下の関係になるようにガス出口１７７を配置する。
【0085】
Ｌ２≧Ｌ１
Ｌ１は、例えば３０ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってよい。Ｌ１の寸法は、実験等で予め求めておいてもよい。
Ｌ１は、例えば３０ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってよい。Ｌ１の寸法は、実験等で予め求めておいてもよい。
【0086】
二重管部１７０Ｂは、ガスの流れの方向がドロップレットの軌道と平行になるのに十分な長さであることが好ましい。二重管部１７０Ｂの長さは、例えば１０ｍｍでもよい。二重管部１７０Ｂの長さは、１０ｍｍ以上に設計されてもよい。
【0087】
ガス導入部材１７０の材質は、ステンレス鋼やアルミニウムなどであってよい。開口部１７０Ａを構成する第１の管１７１及び第２の管１７２の材質は、ターゲット物質と反応性の小さい材料であることが好ましい。ターゲット物質がスズである場合、第１の管１７１及び第２の管１７２の材質には、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ及びＳｉＯ２のいずれかを用いることが好ましい。また、ステンレス鋼やアルミニウムの表面にターゲット物質と反応しにくい上記材料をコーティングしてもよい。
【0088】
ガス導入部材１７０は、第１の管１７１の外側部に延出した第１の遮蔽部材１７４と、第２の管１７２の外側部に延出した第２の遮蔽部材１７５とを含む。第１の遮蔽部材１７４は、第１の管１７１の上流側端部１７１Ａに接続されており、第１の管１７１と第１の容器１６Ａの内壁との間を覆う。第１の管１７１と第１の遮蔽部材１７４は単一部材として一体的に構成されてもよいし、それぞれ別部材として構成したものを接続した構成であってもよい。
【0089】
第２の遮蔽部材１７５は、第２の管１７２の上流側端部１７２Ａに接続されており、第２の管１７２と第１の容器１６Ａの内壁との間を覆う。第２の管１７２と第２の遮蔽部材１７５は単一部材として一体的に構成されてもよいし、それぞれ別部材として構成したものを接続した構成であってもよい。
【0090】
第１の遮蔽部材１７４と第２の遮蔽部材１７５との間に、ガス導入空間１７６となる間隙が設けられる。
【0091】
ガス導入部材１７０は、管路１８０を介してガス供給源１８２と接続される。管路１８０は、第１の容器１６Ａの壁を貫通し、ガス導入部材１７０のガス導入空間１７６と連通する。ガス導入部材１７０とガス供給源１８２との間に、流量調節器１８４が設けられてもよい。ガス供給源１８２からガス導入部材１７０に供給するガスは、例えば、水素ガスであってよい。ガス供給源１８２は、例えば、水素ガスボンベを含む水素ガス供給源であってもよい。
【0092】
４．２ 動作
流量調節器１８４は、ガス供給源１８２から供給されるガスを所定流量に制御して、ガスをガス導入部材１７０に供給する。ガスは、チャンバ壁から管路１８０を通じてガス導入部材１７０のガス導入空間１７６に導入される。ガス出口１７７からのガスの流速はドロップレットの速度より速いガスが噴き出すように流す。所定流量は、例えば１０ＳＬＭ（Standard Litter /Min）以上であってよい。
流量調節器１８４は、ガス供給源１８２から供給されるガスを所定流量に制御して、ガスをガス導入部材１７０に供給する。ガスは、チャンバ壁から管路１８０を通じてガス導入部材１７０のガス導入空間１７６に導入される。ガス出口１７７からのガスの流速はドロップレットの速度より速いガスが噴き出すように流す。所定流量は、例えば１０ＳＬＭ（Standard Litter /Min）以上であってよい。
【0093】
ガス導入部材１７０に導入されたガスは、ガス導入空間１７６から第１の管１７１と第２の管１７２の間の間隙１７３に供給される。二重管部１７０Ｂの間隙１７３を流れたガスは、第１の管１７１の下流側端部１７１Ｂに開口したガス出口１７７から、ドロップレット軌道方向と平行な流れで第２の管１７２内に流出する。こうして、ガス出口１７７から吹き出されたガスは、ドロップレット１２２の進行方向と平行な流れで第２の管１７２から二重管部１７０Ｂからチャンバ１６内に導入される。
【0094】
ノズル１２６から出たターゲット物質のジェットが微小ドロップレットＭＤに分断したのち、最終ドロップレットＦＤに結合する。
【0095】
最終ドロップレットＦＤに結合した後のドロップレットは、ガス出口１７７から吹き出されたガス流により加速される。ガス流速は最終ドロップレットＦＤの速度よりも大きく、その速度差が大きいほど加速度が大きくなる。
【0096】
図１０は、ドロップレットに対するガス流速の相対速度とドロップレットに加わる加速度との関係を示すグラフである。相対速度は次の式で定義される。
【0097】
相対速度＝ガス流速－ドロップレット速度
ドロップレットに働く抗力Ｆの計算式は、次式（１）で表される。
ドロップレットに働く抗力Ｆの計算式は、次式（１）で表される。
【0098】
Ｆ＝ＰＬ２Ｖ（２ＲＴ）－１／２ｈＡ（ｋ） （１）
Ｐ：気体圧力
Ｌ：ドロップレット半径
Ｖ：ドロップレットと気体の相対速度
Ｒ：気体定数
Ｔ：気体温度
ｈＡ（ｋ）：定数
最終ドロップレットＦＤに働く抗力Ｆを求める場合、Ｌ及びＶについて最終ドロップレットＦＤの値を用いる。
Ｐ：気体圧力
Ｌ：ドロップレット半径
Ｖ：ドロップレットと気体の相対速度
Ｒ：気体定数
Ｔ：気体温度
ｈＡ（ｋ）：定数
最終ドロップレットＦＤに働く抗力Ｆを求める場合、Ｌ及びＶについて最終ドロップレットＦＤの値を用いる。
【0099】
ドロップレットの質量をＭとすると、加速度はＦ／Ｍである。例えば、ガス加速が開始されるまでのドロップレットの速度を１００ｍ／ｓ、ガスの速度を１０００ｍ／ｓとすると、相対速度は９００ｍ／ｓとなる。この場合の加速度は、図１０のグラフから３８９０ｍ／ｓ２となる。よって、ガス出口１７７からＹ軸方向に３００ｍｍ下の位置におけるドロップレットの速度は、１１１ｍ／ｓに加速される。
【0100】
ガス導入部材１７０、第１の管１７１及び第２の管１７２及びガス導入部材１７０は、最終ドロップレットＦＤの軌道の一部の周囲に、ドロップレット進行方向に沿ってガスを流すためのガス流生成装置として機能し、ガス流によってドロップレットを加速するドロップレット加速装置として機能する。ガス導入部材１７０、第１の管１７１及び第２の管１７２及びガス導入部材１７０は本開示における「ガス流生成装置」の一例である。流量調節器１８４及び管路１８０の少なくとも一方は本開示における「ガス流生成装置」の一例に含まれてもよい。第１の管１７１の上流側端部１７１Ａは本開示における「第１の端部」の一例である。第１の管１７１の下流側端部１７１Ｂは本開示における「第２の端部」の一例である。第２の管１７２の下流側端部１７２Ｂは本開示における「第３の端部」の一例である。最終ドロップレットＦＤは本開示における「第１のドロップレット」の一例である。微小ドロップレットＭＤは本開示における「第２のドロップレット」の一例である。
【0101】
４．３ 作用・効果
実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１２Ａによれば、結合前の微小ドロップレットＭＤの速度や進行方向を乱すことなく、結合後の最終ドロップレットＦＤを加速することができる。これによりドロップレットの未結合などの不良を抑制しつつ、隣接する最終ドロップレットＦＤの間隔を拡大できる。
実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１２Ａによれば、結合前の微小ドロップレットＭＤの速度や進行方向を乱すことなく、結合後の最終ドロップレットＦＤを加速することができる。これによりドロップレットの未結合などの不良を抑制しつつ、隣接する最終ドロップレットＦＤの間隔を拡大できる。
【0102】
【0103】
図１１に示すＥＵＶ光生成装置１２Ｂは、ドロップレットの結合状態を計測するために、図２のタイミングセンサ８０と同様のタイミングセンサ２０２が、Ｌ１とＬ２との間の領域に配置される。図１１では、タイミングセンサ２０２がＬ１の位置でターゲットの結合状態を計測するように配置された例を示す。他の構成は、図２及び図８と同様であってよい。
【0104】
タイミングセンサ２０２は、光源部２１０と受光部２２０とを含む。光源部２１０と受光部２２０とは、ドロップレット軌道１４０を挟んで互いに対向するように配置される。
【0105】
光源部２１０は、光源２１２と照明光学系２１４とを含む。光源部２１０は、ドロップレット軌道１４０上の検出領域１４３のドロップレットを照明するように配置される。検出領域１４３は、図１で説明した検出領域１４２よりもノズル穴１２４に近い位置であってもよい。光源２１２及び照明光学系２１４の構成は、図１で説明した光源８３及び照明光学系８４と同様であってよい。照明光学系２１４は、ウインドウ２１５を含んでもよい。ウインドウ２１５はチャンバ１６の壁に配置される。
【0106】
受光部２２０は、受光光学系２２４と光センサ２２６とを含む。受光部２２０は、光源部２１０から出力された照明光の少なくとも一部であって検出領域１４３を通った照明光を受光するように配置される。受光光学系２２４及び光センサ２２６の構成は、図１で説明した受光光学系８６及び光センサ８７と同様であってよい。受光光学系２２４は、ウインドウ２２２を含んでもよい。ウインドウ２２２は、チャンバ１６の壁に配置される。
【0107】
５．２ 動作
図１２は、ＥＵＶ光生成装置１２Ｂの動作の例を示すフローチャートである。ステップＳ２１において、プロセッサ４０は通過タイミング信号Ｔ（ｎ）の間隔の基準（下限値）Ｔｍを設定する。Ｔｍは、ドロップレットに照射されるパルスレーザ光の周期に基づいて決定してもよい。Ｔｍは図示しない記憶装置に保持されてもよく、オペレータが入力してもよい。
図１２は、ＥＵＶ光生成装置１２Ｂの動作の例を示すフローチャートである。ステップＳ２１において、プロセッサ４０は通過タイミング信号Ｔ（ｎ）の間隔の基準（下限値）Ｔｍを設定する。Ｔｍは、ドロップレットに照射されるパルスレーザ光の周期に基づいて決定してもよい。Ｔｍは図示しない記憶装置に保持されてもよく、オペレータが入力してもよい。
【0108】
次いで、ステップＳ２２において、プロセッサ４０はタイミングセンサ２０２から通過タイミング信号Ｔ（ｎ）を受信する。Ｔ（ｎ）は、ｎ番目の通過タイミング信号である。
【0109】
次いで、ステップＳ２３において、プロセッサ４０は通過タイミング間隔Ｔを以下の式から算出する。
【0110】
Ｔ＝Ｔ（ｎ）－Ｔ（ｎ－１）
次いで、ステップＳ２４において、プロセッサ４０はＴとＴｍとを比較して、ＴがＴｍより小さいか否かを判定する。図１３及び図１４に示すように、未結合のドロップレットがある場合、Ｔ＜Ｔｍとなる。一方、図１５及び図１６に示すように、未結合のドロップレットがない場合はＴ≧Ｔｍとなる。つまり、プロセッサ４０は、Ｔ＜Ｔｍである場合、未結合のドロップレットがあると判断し、その他の場合（Ｔ≧Ｔｍ）、未結合のドロップレットの発生はないと判断し得る。なお、ステップＳ２４の判定は、タイミングセンサ８０からの通過タイミング信号Ｔ（ｎ）を基に行われてもよい。
次いで、ステップＳ２４において、プロセッサ４０はＴとＴｍとを比較して、ＴがＴｍより小さいか否かを判定する。図１３及び図１４に示すように、未結合のドロップレットがある場合、Ｔ＜Ｔｍとなる。一方、図１５及び図１６に示すように、未結合のドロップレットがない場合はＴ≧Ｔｍとなる。つまり、プロセッサ４０は、Ｔ＜Ｔｍである場合、未結合のドロップレットがあると判断し、その他の場合（Ｔ≧Ｔｍ）、未結合のドロップレットの発生はないと判断し得る。なお、ステップＳ２４の判定は、タイミングセンサ８０からの通過タイミング信号Ｔ（ｎ）を基に行われてもよい。
【0111】
図１２のステップＳ２４の判定結果がＹｅｓ判定である場合、プロセッサ４０はステップＳ２５に進む。ステップＳ２５において、プロセッサ４０は未結合のドロップレットが発生しないように、ピエゾ素子１２８に印加する電圧のデューティを調整する。プロセッサ４０は、デューティの調整に代えて、又はこれに加えて、ドロップレット生成器１１０のタンク１２０に印加する圧力を調整してもよい。ステップＳ２５の後、プロセッサ４０はステップＳ２２に戻る。
【0112】
図１２のステップＳ２４の判定結果がＮｏ判定である場合、プロセッサ４０はステップＳ２８に進む。ステップＳ２８において、プロセッサ４０はＥＵＶ光生成の停止の指令の有無を確認する。ＥＵＶ光生成の停止の指令が無く、ステップＳ２８の判定結果がＮｏ判定である場合、プロセッサ４０はステップＳ２２に戻る。一方、ＥＵＶ光生成の停止の指令があり、ステップＳ２８の判定結果がＹｅｓ判定である場合、プロセッサ４０は図１２のフローチャートを終了する。
【0113】
図１３及び図１４に示した未結合のドロップレットがある状態は本開示における「結合不良」の一例である。通過タイミング間隔Ｔは、未結合のドロップレットの有無、すなわち、ドロップレットの結合状態を反映している。タイミングセンサ２０２は本開示における「第１のドロップレットの結合状態を計測するためのセンサ」の一例である。
【0114】
５．３ 作用・効果
実施形態２に係るＥＵＶ光生成装置１２Ｂによれば、動作中にピエゾ素子１２８やノズル１２６、ターゲット物質の温度変化等によりＬ１が長くなり、式（１）を満たさなくなった場合に、ピエゾ素子１２８に印加する電圧のデューティを調整して、Ｌ１が式（１）を満たすように調整することができる。
実施形態２に係るＥＵＶ光生成装置１２Ｂによれば、動作中にピエゾ素子１２８やノズル１２６、ターゲット物質の温度変化等によりＬ１が長くなり、式（１）を満たさなくなった場合に、ピエゾ素子１２８に印加する電圧のデューティを調整して、Ｌ１が式（１）を満たすように調整することができる。
【0115】
実施形態２によれば、結合前の微小ドロップレットＭＤの速度や進行方向を乱すことなく、最終ドロップレットＦＤを加速することができる。これによりドロップレットの未結合などの不良を抑制しつつ、隣接する最終ドロップレットＦＤの間隔を拡大できる。
【0116】
６．実施形態３
６．１ 構成
図１７は、実施形態３に係るＥＵＶ光生成装置１２Ｃにおけるドロップレット生成器１１０付近の構成例を概略的に示す。図１７に示す構成について、図１１と異なる点を説明する。図１７に示すＥＵＶ光生成装置１２Ｃは、図１１における二軸のステージ６６に代えて、三軸のステージ６８を含む。すなわち、図１１のステージ６６は、Ｘ軸方向とＺ軸方向の二方向に移動可能なステージであるのに対し、図１７のステージ６８は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の三方向に移動可能なステージである。ステージ６８は本開示における「ステージ」及び「第２のステージ」の一例である。他の構成は、図１１と同様であってよい。
６．１ 構成
図１７は、実施形態３に係るＥＵＶ光生成装置１２Ｃにおけるドロップレット生成器１１０付近の構成例を概略的に示す。図１７に示す構成について、図１１と異なる点を説明する。図１７に示すＥＵＶ光生成装置１２Ｃは、図１１における二軸のステージ６６に代えて、三軸のステージ６８を含む。すなわち、図１１のステージ６６は、Ｘ軸方向とＺ軸方向の二方向に移動可能なステージであるのに対し、図１７のステージ６８は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の三方向に移動可能なステージである。ステージ６８は本開示における「ステージ」及び「第２のステージ」の一例である。他の構成は、図１１と同様であってよい。
【0117】
【0118】
【0119】
図１８におけるステップＳ２４の判定結果がＹｅｓ判定である場合、プロセッサ４０はステップＳ２６に進む。ステップＳ２６において、プロセッサ４０は、未結合のドロップレットが発生しないように、ステージ６８のＹ軸方向を調整し、ドロップレット生成器１１０をＹ軸方向に移動させる制御を実施する。ステップＳ２６の後、プロセッサ４０はステップＳ２２に戻る。
【0120】
６．３ 作用・効果
実施形態３に係るＥＵＶ光生成装置１２Ｃによれば、動作中にピエゾ素子１２８やノズル１２６、ターゲット物質の温度変化等によりＬ１が長くなり、式（１）を満たさなくなった場合に、ステージ６８を制御して、Ｌ１が式（１）を満たすように調整することができる。
実施形態３に係るＥＵＶ光生成装置１２Ｃによれば、動作中にピエゾ素子１２８やノズル１２６、ターゲット物質の温度変化等によりＬ１が長くなり、式（１）を満たさなくなった場合に、ステージ６８を制御して、Ｌ１が式（１）を満たすように調整することができる。
【0121】
実施形態３によれば、結合前の微小ドロップレットＭＤの速度や進行方向を乱すことなく、最終ドロップレットＦＤを加速することができる。これによりドロップレットの未結合などの不良を抑制しつつ、隣接する最終ドロップレットＦＤの間隔を拡大できる。
【0122】
７．実施形態４
７．１ 構成
図１９は、実施形態４に係るＥＵＶ光生成装置１２Ｄにおけるドロップレット生成器１１０付近の構成を概略的に示す。図１９に示す構成について、図１２と異なる点を説明する。図１９に示すＥＵＶ光生成装置１２Ｄは、図１２におけるガス導入部材１７０に代えて、ガス導入部材１９０を備え、ガス導入部材１９０がドロップレット生成器１１０に固定されている。ガス導入部材１９０の流路構造は、図１２のガス導入部材１７０と同様であってよい。図１９において、図１２のガス導入部材１７０と対応する要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
７．１ 構成
図１９は、実施形態４に係るＥＵＶ光生成装置１２Ｄにおけるドロップレット生成器１１０付近の構成を概略的に示す。図１９に示す構成について、図１２と異なる点を説明する。図１９に示すＥＵＶ光生成装置１２Ｄは、図１２におけるガス導入部材１７０に代えて、ガス導入部材１９０を備え、ガス導入部材１９０がドロップレット生成器１１０に固定されている。ガス導入部材１９０の流路構造は、図１２のガス導入部材１７０と同様であってよい。図１９において、図１２のガス導入部材１７０と対応する要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【0123】
また、ＥＵＶ光生成装置１２Ｄでは、チャンバ１６内にガスを導入する導入口１９２が、ドロップレット生成器１１０が固定されている第２の容器１６Ｂの壁に設けられる。ガス導入部材１９０は、導入口１９２に連通する配管１９４を介して流量調節器１８４と接続される。図１９に示す構成を採用することにより、ドロップレット生成器１１０の取り付け及び取り外し時に、ガス配管の接続及び切り離しが容易になる。
【0124】
７．２ 動作
ＥＵＶ光生成装置１２Ｄの動作は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１２Ａの動作と同様であってよい。
ＥＵＶ光生成装置１２Ｄの動作は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１２Ａの動作と同様であってよい。
【0125】
７．３ 作用・効果
実施形態４に係るＥＵＶ光生成装置１２Ｄによれば、ステージ６６をＸＺ平面と平行な方向に動かしても、ドロップレットの軌道がガス流れの中央にくる。このため、ドロップレットに非対称な力を加えることなく加速することができる。実施形態４によれば、結合前の微小ドロップレットＭＤの速度や進行方向を乱すことなく、最終ドロップレットＦＤを加速することができる。これによりドロップレットの未結合などの不良を抑制しつつ、隣接する最終ドロップレットＦＤの間隔を拡大できる。
実施形態４に係るＥＵＶ光生成装置１２Ｄによれば、ステージ６６をＸＺ平面と平行な方向に動かしても、ドロップレットの軌道がガス流れの中央にくる。このため、ドロップレットに非対称な力を加えることなく加速することができる。実施形態４によれば、結合前の微小ドロップレットＭＤの速度や進行方向を乱すことなく、最終ドロップレットＦＤを加速することができる。これによりドロップレットの未結合などの不良を抑制しつつ、隣接する最終ドロップレットＦＤの間隔を拡大できる。
【0126】
７．４ 変形例
実施形態４で説明したガス導入部材１９０の構成は、実施形態２や実施形態３の構成と組み合わせることも可能である。
実施形態４で説明したガス導入部材１９０の構成は、実施形態２や実施形態３の構成と組み合わせることも可能である。
【0127】
８．電子デバイスの製造方法の例
図２０は、ＥＵＶ光生成装置１２Ａと接続された露光装置４６の構成を概略的に示す。露光装置４６は、マスク照射部６０２とワークピース照射部６０４とを含む。マスク照射部６０２は、ＥＵＶ光生成装置１２Ａから入射したＥＵＶ光６２によって、反射光学系６０３を介してマスクテーブルＭＴ上に配置された図示しないマスクのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６０４は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光６２を、反射光学系６０５を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。
図２０は、ＥＵＶ光生成装置１２Ａと接続された露光装置４６の構成を概略的に示す。露光装置４６は、マスク照射部６０２とワークピース照射部６０４とを含む。マスク照射部６０２は、ＥＵＶ光生成装置１２Ａから入射したＥＵＶ光６２によって、反射光学系６０３を介してマスクテーブルＭＴ上に配置された図示しないマスクのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６０４は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光６２を、反射光学系６０５を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。
【0128】
露光装置４６は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光６２をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにマスクパターンを転写後、複数の工程を経ることで半導体デバイスを製造できる。半導体デバイスは本開示における「電子デバイス」の一例である。ＥＵＶ光生成装置１２Ａの代わりに、ＥＵＶ光生成装置１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄなどを用いてもよい。
【0129】
９．その他
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
【0130】
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】