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特開2022-6351ターゲット供給装置、ターゲット供給方法、及び電子デバイスの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022006351
(43)【公開日】2022-01-13
(54)【発明の名称】ターゲット供給装置、ターゲット供給方法、及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20220105BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20220105BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
G03F7/20 521
H05G2/00 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020108505
(22)【出願日】2020-06-24
(71)【出願人】
【識別番号】300073919
【氏名又は名称】ギガフォトン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105212
【弁理士】
【氏名又は名称】保坂 延寿
(72)【発明者】
【氏名】白石 裕
(72)【発明者】
【氏名】堀 司
【テーマコード（参考）】
2H197
4C092
【Ｆターム（参考）】
2H197CA10
2H197GA01
2H197GA04
2H197GA05
2H197GA12
2H197GA24
2H197HA03
4C092AA06
4C092AA17
4C092AB11
4C092AB19
4C092AC09
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ＥＵＶ光生成装置の稼働率の低下を抑制できるターゲット供給装置を提供する。
【解決手段】ターゲット供給装置２６１は、固体ターゲット物質２７ａを収容する第１の容器と、第１の容器に接続された第１の接続口Ｐ１と、第１の加圧ガス供給経路に接続された第２の接続口Ｐ２と、ターゲット物質導出経路に接続された第３の接続口Ｐ３と、を備えた第２の容器と、第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容する第１の凹部５１を備え、第２の容器の内部で第１の凹部を移動させることにより、第１の凹部の開口を、第１の接続口、第２の接続口、及び第３の接続口に順番に重ねる移動体と、第２の加圧ガス供給経路とターゲット物質導出経路との両方に接続され、第３の接続口から供給される固体ターゲット物質を溶融させる第３の容器と、第３の容器から供給される溶融したターゲット物質を出力するノズル７２と、を備える。
【選択図】図３
【解決手段】ターゲット供給装置２６１は、固体ターゲット物質２７ａを収容する第１の容器と、第１の容器に接続された第１の接続口Ｐ１と、第１の加圧ガス供給経路に接続された第２の接続口Ｐ２と、ターゲット物質導出経路に接続された第３の接続口Ｐ３と、を備えた第２の容器と、第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容する第１の凹部５１を備え、第２の容器の内部で第１の凹部を移動させることにより、第１の凹部の開口を、第１の接続口、第２の接続口、及び第３の接続口に順番に重ねる移動体と、第２の加圧ガス供給経路とターゲット物質導出経路との両方に接続され、第３の接続口から供給される固体ターゲット物質を溶融させる第３の容器と、第３の容器から供給される溶融したターゲット物質を出力するノズル７２と、を備える。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、
前記第１の容器に接続された第１の接続口と、第１の加圧ガス供給経路に接続された第２の接続口と、ターゲット物質導出経路に接続された第３の接続口と、を備えた第２の容器と、
前記第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容する第１の凹部を備え、前記第２の容器の内部で前記第１の凹部を移動させることにより、前記第１の凹部の開口を、前記第１の接続口、前記第２の接続口、及び前記第３の接続口に順番に重ねる移動体と、
第２の加圧ガス供給経路と前記ターゲット物質導出経路との両方に接続され、前記第３の接続口から供給される固体ターゲット物質を溶融させる第３の容器と、
前記第３の容器から供給される溶融したターゲット物質を出力するノズルと、
を備える、ターゲット供給装置。
前記第１の容器に接続された第１の接続口と、第１の加圧ガス供給経路に接続された第２の接続口と、ターゲット物質導出経路に接続された第３の接続口と、を備えた第２の容器と、
前記第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容する第１の凹部を備え、前記第２の容器の内部で前記第１の凹部を移動させることにより、前記第１の凹部の開口を、前記第１の接続口、前記第２の接続口、及び前記第３の接続口に順番に重ねる移動体と、
第２の加圧ガス供給経路と前記ターゲット物質導出経路との両方に接続され、前記第３の接続口から供給される固体ターゲット物質を溶融させる第３の容器と、
前記第３の容器から供給される溶融したターゲット物質を出力するノズルと、
を備える、ターゲット供給装置。
【請求項2】
請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
前記第２の接続口は、強制排気経路と前記第１の加圧ガス供給経路との両方に接続された、ターゲット供給装置。
前記第２の接続口は、強制排気経路と前記第１の加圧ガス供給経路との両方に接続された、ターゲット供給装置。
【請求項3】
請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
前記第２の接続口の幅は、前記第１の容器から供給される固体ターゲット物質の直径よりも小さい、ターゲット供給装置。
前記第２の接続口の幅は、前記第１の容器から供給される固体ターゲット物質の直径よりも小さい、ターゲット供給装置。
【請求項4】
請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
前記第２の接続口は、前記第１の接続口、前記第３の接続口、及び前記開口のいずれよりも面積が小さい、ターゲット供給装置。
前記第２の接続口は、前記第１の接続口、前記第３の接続口、及び前記開口のいずれよりも面積が小さい、ターゲット供給装置。
【請求項5】
請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
前記第２の加圧ガス供給経路は、前記ターゲット物質導出経路に接続されることにより、前記第３の容器に接続された、ターゲット供給装置。
前記第２の加圧ガス供給経路は、前記ターゲット物質導出経路に接続されることにより、前記第３の容器に接続された、ターゲット供給装置。
【請求項6】
請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
前記第１の加圧ガス供給経路と前記第２の加圧ガス供給経路とに加圧ガスを供給する共通の加圧ガス配管と、
前記第１の加圧ガス供給経路に配置された第１のバルブと、
前記第２の加圧ガス供給経路に配置された第２のバルブと、
プロセッサと、
をさらに備え、
前記プロセッサは、
前記第１の凹部の開口が前記第２の接続口に重ねられ、前記第２のバルブが閉められた状態で、前記第１のバルブが開けられて、前記第１の凹部に加圧ガスが供給され、その後、前記第１の凹部の開口が前記第３の接続口に重ねられ、前記第１の凹部から前記第３の容器に固体ターゲット物質が供給されるように、前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、及び前記移動体を制御する
ターゲット供給装置。
前記第１の加圧ガス供給経路と前記第２の加圧ガス供給経路とに加圧ガスを供給する共通の加圧ガス配管と、
前記第１の加圧ガス供給経路に配置された第１のバルブと、
前記第２の加圧ガス供給経路に配置された第２のバルブと、
プロセッサと、
をさらに備え、
前記プロセッサは、
前記第１の凹部の開口が前記第２の接続口に重ねられ、前記第２のバルブが閉められた状態で、前記第１のバルブが開けられて、前記第１の凹部に加圧ガスが供給され、その後、前記第１の凹部の開口が前記第３の接続口に重ねられ、前記第１の凹部から前記第３の容器に固体ターゲット物質が供給されるように、前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、及び前記移動体を制御する
ターゲット供給装置。
【請求項7】
請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
前記第２の容器は、排気経路に接続された第４の接続口をさらに備え、
前記移動体は、前記開口を、前記第１の接続口、前記第２の接続口、前記第３の接続口、及び前記第４の接続口に順番に重ねる
ターゲット供給装置。
前記第２の容器は、排気経路に接続された第４の接続口をさらに備え、
前記移動体は、前記開口を、前記第１の接続口、前記第２の接続口、前記第３の接続口、及び前記第４の接続口に順番に重ねる
ターゲット供給装置。
【請求項8】
請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
前記第２の容器の内部の壁面は、円形の断面を有し、
前記移動体は、前記断面に垂直な回転軸の周りに前記第１の凹部を回転させる
ターゲット供給装置。
前記第２の容器の内部の壁面は、円形の断面を有し、
前記移動体は、前記断面に垂直な回転軸の周りに前記第１の凹部を回転させる
ターゲット供給装置。
【請求項9】
請求項８に記載のターゲット供給装置であって、
前記第１の接続口、前記第２の接続口、及び前記第３の接続口は、前記断面の円周に沿って順番に配置され、
前記移動体は、前記第１の凹部を一定の回転方向に回転させる
ターゲット供給装置。
前記第１の接続口、前記第２の接続口、及び前記第３の接続口は、前記断面の円周に沿って順番に配置され、
前記移動体は、前記第１の凹部を一定の回転方向に回転させる
ターゲット供給装置。
【請求項10】
請求項８に記載のターゲット供給装置であって、
前記第１の凹部は、Ｎ個の固体ターゲット物質を収容可能であり、Ｎは１以上の整数であり、
前記移動体は、前記第１の凹部を１回転させる毎にＮ個の固体ターゲット物質を前記第３の接続口に供給する
ターゲット供給装置。
前記第１の凹部は、Ｎ個の固体ターゲット物質を収容可能であり、Ｎは１以上の整数であり、
前記移動体は、前記第１の凹部を１回転させる毎にＮ個の固体ターゲット物質を前記第３の接続口に供給する
ターゲット供給装置。
【請求項11】
請求項８に記載のターゲット供給装置であって、
前記移動体は、前記第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容して前記第１の凹部とともに前記回転軸の周りに回転する第２の凹部をさらに備え、
前記第１及び第２の凹部の各々は、Ｎ個の固体ターゲット物質を収容可能であり、Ｎは１以上の整数であり、
前記移動体は、前記第１及び第２の凹部を１回転させる毎にＮ×２個の固体ターゲット物質を前記第３の接続口に供給する
ターゲット供給装置。
前記移動体は、前記第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容して前記第１の凹部とともに前記回転軸の周りに回転する第２の凹部をさらに備え、
前記第１及び第２の凹部の各々は、Ｎ個の固体ターゲット物質を収容可能であり、Ｎは１以上の整数であり、
前記移動体は、前記第１及び第２の凹部を１回転させる毎にＮ×２個の固体ターゲット物質を前記第３の接続口に供給する
ターゲット供給装置。
【請求項12】
請求項８に記載のターゲット供給装置であって、
前記移動体は、前記第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容して前記第１の凹部とともに前記回転軸の周りに回転する第２～第Ｍの凹部をさらに備え、Ｍは３以上の整数であり、
前記第１～第Ｍの凹部の各々は、Ｎ個の固体ターゲット物質を収容可能であり、Ｎは１以上の整数であり、
前記移動体は、前記第１～第Ｍの凹部を１回転させる毎にＮ×Ｍ個の固体ターゲット物質を前記第３の接続口に供給する
ターゲット供給装置。
前記移動体は、前記第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容して前記第１の凹部とともに前記回転軸の周りに回転する第２～第Ｍの凹部をさらに備え、Ｍは３以上の整数であり、
前記第１～第Ｍの凹部の各々は、Ｎ個の固体ターゲット物質を収容可能であり、Ｎは１以上の整数であり、
前記移動体は、前記第１～第Ｍの凹部を１回転させる毎にＮ×Ｍ個の固体ターゲット物質を前記第３の接続口に供給する
ターゲット供給装置。
【請求項13】
請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
前記第２の容器は、強制排気経路に接続された第５の接続口をさらに備え、
前記移動体は、前記開口を、前記第１の接続口、前記第５の接続口、前記第２の接続口、及び前記第３の接続口に順番に重ねる
ターゲット供給装置。
前記第２の容器は、強制排気経路に接続された第５の接続口をさらに備え、
前記移動体は、前記開口を、前記第１の接続口、前記第５の接続口、前記第２の接続口、及び前記第３の接続口に順番に重ねる
ターゲット供給装置。
【請求項14】
請求項１３に記載のターゲット供給装置であって、
前記第５の接続口は、前記第１の接続口、前記第３の接続口、及び前記開口のいずれよりも面積が小さい、ターゲット供給装置。
前記第５の接続口は、前記第１の接続口、前記第３の接続口、及び前記開口のいずれよりも面積が小さい、ターゲット供給装置。
【請求項15】
請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
前記第３の容器の内部のターゲット物質の量を検出するセンサと、
プロセッサと、
をさらに備え、
前記プロセッサは、前記第３の容器の内部のターゲット物質の量が第１の値以上であることを前記センサの出力が示す場合に、前記第１の凹部の移動を抑制する
ターゲット供給装置。
前記第３の容器の内部のターゲット物質の量を検出するセンサと、
プロセッサと、
をさらに備え、
前記プロセッサは、前記第３の容器の内部のターゲット物質の量が第１の値以上であることを前記センサの出力が示す場合に、前記第１の凹部の移動を抑制する
ターゲット供給装置。
【請求項16】
請求項１５に記載のターゲット供給装置であって、
前記プロセッサは、前記第３の容器の内部のターゲット物質の量が前記第１の値より小さくなって一定時間が経過した場合に、前記第１の凹部の移動を開始する
ターゲット供給装置。
前記プロセッサは、前記第３の容器の内部のターゲット物質の量が前記第１の値より小さくなって一定時間が経過した場合に、前記第１の凹部の移動を開始する
ターゲット供給装置。
【請求項17】
請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
前記ノズルから出力されたターゲット物質の量を計測するターゲットセンサと、
プロセッサと、
をさらに備え、
前記プロセッサは、前記第３の接続口から供給された固体ターゲット物質の量が、前記ノズルから出力されたターゲット物質の量以上となった場合に、前記第１の凹部の移動を抑制する
ターゲット供給装置。
前記ノズルから出力されたターゲット物質の量を計測するターゲットセンサと、
プロセッサと、
をさらに備え、
前記プロセッサは、前記第３の接続口から供給された固体ターゲット物質の量が、前記ノズルから出力されたターゲット物質の量以上となった場合に、前記第１の凹部の移動を抑制する
ターゲット供給装置。
【請求項18】
請求項１７に記載のターゲット供給装置であって、
前記プロセッサは、前記第３の接続口から供給された固体ターゲット物質の量が、前記ノズルから出力されたターゲット物質の量以上となって一定時間が経過した場合に、前記第１の凹部の移動を開始する
ターゲット供給装置。
前記プロセッサは、前記第３の接続口から供給された固体ターゲット物質の量が、前記ノズルから出力されたターゲット物質の量以上となって一定時間が経過した場合に、前記第１の凹部の移動を開始する
ターゲット供給装置。
【請求項19】
極端紫外光生成装置におけるターゲット供給方法であって、
固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、
前記第１の容器に接続された第１の接続口と、第１の加圧ガス供給経路に接続された第２の接続口と、ターゲット物質導出経路に接続された第３の接続口と、を備えた第２の容器と、
前記第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容する第１の凹部を備え、前記第２の容器の内部で前記第１の凹部を移動させる移動体と、
第２の加圧ガス供給経路と前記ターゲット物質導出経路との両方に接続され、前記第３の接続口から供給される固体ターゲット物質を溶融させる第３の容器と、
前記第３の容器から供給される溶融したターゲット物質を出力するノズルと、
を備えるターゲット供給装置を用いて、
前記移動体により、前記第１の凹部の開口を、前記第１の接続口に重ね、次に前記第２の接続口に重ね、次に前記第３の接続口に重ねる
ことを含む、ターゲット供給方法。
固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、
前記第１の容器に接続された第１の接続口と、第１の加圧ガス供給経路に接続された第２の接続口と、ターゲット物質導出経路に接続された第３の接続口と、を備えた第２の容器と、
前記第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容する第１の凹部を備え、前記第２の容器の内部で前記第１の凹部を移動させる移動体と、
第２の加圧ガス供給経路と前記ターゲット物質導出経路との両方に接続され、前記第３の接続口から供給される固体ターゲット物質を溶融させる第３の容器と、
前記第３の容器から供給される溶融したターゲット物質を出力するノズルと、
を備えるターゲット供給装置を用いて、
前記移動体により、前記第１の凹部の開口を、前記第１の接続口に重ね、次に前記第２の接続口に重ね、次に前記第３の接続口に重ねる
ことを含む、ターゲット供給方法。
【請求項20】
電子デバイスの製造方法であって、
固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、
前記第１の容器に接続された第１の接続口と、第１の加圧ガス供給経路に接続された第２の接続口と、ターゲット物質導出経路に接続された第３の接続口と、を備えた第２の容器と、
前記第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容する第１の凹部を備え、前記第２の容器の内部で前記第１の凹部を移動させる移動体と、
第２の加圧ガス供給経路と前記ターゲット物質導出経路との両方に接続され、前記第３の接続口から供給される固体ターゲット物質を溶融させる第３の容器と、
前記第３の容器から供給される溶融したターゲット物質を出力するノズルと、
を備えるターゲット供給装置と、
前記ターゲット供給装置から所定領域に出力されたターゲット物質にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、
を備える極端紫外光生成装置において、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射して極端紫外光を生成し、
前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、
前記第１の容器に接続された第１の接続口と、第１の加圧ガス供給経路に接続された第２の接続口と、ターゲット物質導出経路に接続された第３の接続口と、を備えた第２の容器と、
前記第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容する第１の凹部を備え、前記第２の容器の内部で前記第１の凹部を移動させる移動体と、
第２の加圧ガス供給経路と前記ターゲット物質導出経路との両方に接続され、前記第３の接続口から供給される固体ターゲット物質を溶融させる第３の容器と、
前記第３の容器から供給される溶融したターゲット物質を出力するノズルと、
を備えるターゲット供給装置と、
前記ターゲット供給装置から所定領域に出力されたターゲット物質にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、
を備える極端紫外光生成装置において、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射して極端紫外光を生成し、
前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、ターゲット供給装置、ターゲット供給方法、及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【0003】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１５－０５３２９２号公報
【特許文献2】特開平０９－２１７８４９号公報
【特許文献3】特開２００１－３１５９６２号公報
【特許文献4】特開平０６－２７５５３５号公報
【特許文献5】米国特許出願公開第２０１７／０３５０７４５号明細書
【非特許文献】
【0005】
【非特許文献1】日本ボールバルブ総合カタログ，２０１６年１０月，ＰＰ．２３－２４
【概要】
【0006】
本開示の１つの観点に係るターゲット供給装置は、固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、第１の容器に接続された第１の接続口と、第１の加圧ガス供給経路に接続された第２の接続口と、ターゲット物質導出経路に接続された第３の接続口と、を備えた第２の容器と、第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容する第１の凹部を備え、第２の容器の内部で第１の凹部を移動させることにより、第１の凹部の開口を、第１の接続口、第２の接続口、及び第３の接続口に順番に重ねる移動体と、第２の加圧ガス供給経路とターゲット物質導出経路との両方に接続され、第３の接続口から供給される固体ターゲット物質を溶融させる第３の容器と、第３の容器から供給される溶融したターゲット物質を出力するノズルと、を備える。
【0007】
本開示の１つの観点に係るターゲット供給方法は、固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、第１の容器に接続された第１の接続口と、第１の加圧ガス供給経路に接続された第２の接続口と、ターゲット物質導出経路に接続された第３の接続口と、を備えた第２の容器と、第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容する第１の凹部を備え、第２の容器の内部で第１の凹部を移動させることにより、第１の凹部の開口を、第１の接続口、第２の接続口、及び第３の接続口に順番に重ねる移動体と、第２の加圧ガス供給経路とターゲット物質導出経路との両方に接続され、第３の接続口から供給される固体ターゲット物質を溶融させる第３の容器と、第３の容器から供給される溶融したターゲット物質を出力するノズルと、を備えるターゲット供給装置を用いて、移動体により、第１の凹部の開口を、第１の接続口に重ね、次に第２の接続口に重ね、次に第３の接続口に重ねることを含む。
【0008】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、固体ターゲット物質を収容する第１の容器と、第１の容器に接続された第１の接続口と、第１の加圧ガス供給経路に接続された第２の接続口と、ターゲット物質導出経路に接続された第３の接続口と、を備えた第２の容器と、第１の容器から供給される固体ターゲット物質を収容する第１の凹部を備え、第２の容器の内部で第１の凹部を移動させることにより、第１の凹部の開口を、第１の接続口、第２の接続口、及び第３の接続口に順番に重ねる移動体と、第２の加圧ガス供給経路とターゲット物質導出経路との両方に接続され、第３の接続口から供給される固体ターゲット物質を溶融させる第３の容器と、第３の容器から供給される溶融したターゲット物質を出力するノズルと、を備えるターゲット供給装置と、ターゲット供給装置から所定領域に出力されたターゲット物質にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、を備える極端紫外光生成装置において、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射して極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
【図面の簡単な説明】
【0009】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【実施形態】
【0010】
＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例
２．１ 構成及び動作
２．２ 課題
３．ボールバルブ５９を介して固体ターゲット物質２７ａを補充するターゲット供給装置２６１
３．１ 構成
３．１．１ リザーバタンクＣ１
３．１．２ ボールバルブ５９
３．１．３ 配管
３．２ 動作
３．２．１ ボールバルブ５９の動作
３．２．２ 固体ターゲット物質２７ａを補充する動作
３．３ 変形例
３．３．１ 複数の固体ターゲット物質２７ａを収容する第１の凹部５４
３．３．２ 第２の凹部５２を有するボール部５０ｂ
３．３．３ 第２～第Ｍの凹部を有するボール部５０ｃ
３．４ 作用
４．強制排気のための第５の接続口Ｐ５を備えたボディ部Ｃ４
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．圧力タンクＣ３の液面を計測して固体ターゲット物質２７ａを補充するターゲット供給装置２６３
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
６．出力されたターゲット物質の量を計測して固体ターゲット物質２７ａを補充するターゲット供給装置２６４
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
７．その他
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例
２．１ 構成及び動作
２．２ 課題
３．ボールバルブ５９を介して固体ターゲット物質２７ａを補充するターゲット供給装置２６１
３．１ 構成
３．１．１ リザーバタンクＣ１
３．１．２ ボールバルブ５９
３．１．３ 配管
３．２ 動作
３．２．１ ボールバルブ５９の動作
３．２．２ 固体ターゲット物質２７ａを補充する動作
３．３ 変形例
３．３．１ 複数の固体ターゲット物質２７ａを収容する第１の凹部５４
３．３．２ 第２の凹部５２を有するボール部５０ｂ
３．３．３ 第２～第Ｍの凹部を有するボール部５０ｃ
３．４ 作用
４．強制排気のための第５の接続口Ｐ５を備えたボディ部Ｃ４
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．圧力タンクＣ３の液面を計測して固体ターゲット物質２７ａを補充するターゲット供給装置２６３
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
６．出力されたターゲット物質の量を計測して固体ターゲット物質２７ａを補充するターゲット供給装置２６４
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
７．その他
【0011】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【0012】
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３と共に用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給装置２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給装置２６は、ターゲット物質をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。
１．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３と共に用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給装置２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給装置２６は、ターゲット物質をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。
【0013】
チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
【0014】
ＥＵＶ光生成装置１は、プロセッサ５、ターゲットセンサ４等を含む。プロセッサ５は、制御プログラムが記憶されたメモリ５０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）５０２と、を含む処理装置である。プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。
【0015】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。
【0016】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。
【0017】
１．２ 動作
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、チャンバ２内のレーザ光経路に沿って進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、チャンバ２内のレーザ光経路に沿って進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。
【0018】
ターゲット供給装置２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって他の波長域の光に比べて高い反射率で反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【0019】
プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、プロセッサ５は、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【0020】
２．比較例
２．１ 構成及び動作
図２は、比較例に係るターゲット供給装置２６の構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。図２に示されるように、比較例に係るターゲット供給装置２６は、圧力タンクＣ３と、ターゲット供給プロセッサ６０と、圧力調節器６２と、を含む。ターゲット供給プロセッサ６０は、制御プログラムが記憶されたメモリ６０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ６０２と、を含む処理装置である。ターゲット供給プロセッサ６０は本開示におけるプロセッサに相当する。ターゲット供給プロセッサ６０は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。
２．１ 構成及び動作
図２は、比較例に係るターゲット供給装置２６の構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。図２に示されるように、比較例に係るターゲット供給装置２６は、圧力タンクＣ３と、ターゲット供給プロセッサ６０と、圧力調節器６２と、を含む。ターゲット供給プロセッサ６０は、制御プログラムが記憶されたメモリ６０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ６０２と、を含む処理装置である。ターゲット供給プロセッサ６０は本開示におけるプロセッサに相当する。ターゲット供給プロセッサ６０は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。
【0021】
圧力タンクＣ３は、ターゲット物質を収容する容器である。圧力タンクＣ３は本開示における第３の容器に相当する。圧力タンクＣ３は、加圧ガス配管Ｌ０を介してガスボンベＧ１に接続されている。ガスボンベＧ１は、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの高圧の希ガスを加圧ガスとして収容している。
加圧ガス配管Ｌ０に圧力調節器６２が配置されている。図示しない圧力計の出力に基づいてターゲット供給プロセッサ６０が圧力調節器６２を制御することにより、圧力タンクＣ３の内部の圧力が大気圧より高い所定の圧力に調節される。
加圧ガス配管Ｌ０に圧力調節器６２が配置されている。図示しない圧力計の出力に基づいてターゲット供給プロセッサ６０が圧力調節器６２を制御することにより、圧力タンクＣ３の内部の圧力が大気圧より高い所定の圧力に調節される。
【0022】
圧力タンクＣ３には、ヒーター７１と、ノズル７２とが配置されている。
ヒーター７１は、図示しない電源に接続されており、圧力タンクＣ３の内部をターゲット物質の融点より高い所定温度に加熱する。圧力タンクＣ３に配置された図示しない温度センサの出力に基づいて電源が制御されることにより、圧力タンクＣ３の内部の温度が制御される。
ヒーター７１は、図示しない電源に接続されており、圧力タンクＣ３の内部をターゲット物質の融点より高い所定温度に加熱する。圧力タンクＣ３に配置された図示しない温度センサの出力に基づいて電源が制御されることにより、圧力タンクＣ３の内部の温度が制御される。
【0023】
ノズル７２は、圧力タンクＣ３の重力方向における下端部に配置されている。ノズル７２の先端は、チャンバ２（図１参照）の内部に開口している。ヒーター７１によって溶融されたターゲット物質が、圧力調節器６２から供給される加圧ガスとチャンバ２の内部の圧力との圧力差によって、ノズル７２の先端の開口から出力される。図示しないピエゾ素子によってノズル７２に振動を与えると、ノズル７２から出力された図示しないジェット状のターゲット物質が液滴状に分離され、ターゲット２７となる。
【0024】
２．２ 課題
圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質がノズル７２からすべて出力されたら、ターゲット供給装置２６を交換する必要がある。ターゲット供給装置２６の交換作業は、ヒーター７１によって加熱された圧力タンクＣ３の内部の温度を低下させる処理と、新しいターゲット供給装置２６を設置した後の圧力タンクＣ３の内部の昇温や加圧などの立ち上げ処理とを含む。この交換作業の間は、ＥＵＶ光生成装置１によるＥＵＶ光の生成を行うことができないので、交換作業を行うことによってＥＵＶ光生成装置１の稼働率が低下する。
圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質がノズル７２からすべて出力されたら、ターゲット供給装置２６を交換する必要がある。ターゲット供給装置２６の交換作業は、ヒーター７１によって加熱された圧力タンクＣ３の内部の温度を低下させる処理と、新しいターゲット供給装置２６を設置した後の圧力タンクＣ３の内部の昇温や加圧などの立ち上げ処理とを含む。この交換作業の間は、ＥＵＶ光生成装置１によるＥＵＶ光の生成を行うことができないので、交換作業を行うことによってＥＵＶ光生成装置１の稼働率が低下する。
【0025】
以下に説明する実施形態においては、ノズル７２からのターゲット２７の出力を継続したまま圧力タンクＣ３にターゲット物質を補充できるようにして、ＥＵＶ光生成装置１の稼働率の低下を抑制している。
【0026】
３．ボールバルブ５９を介して固体ターゲット物質２７ａを補充するターゲット供給装置２６１
３．１ 構成
図３は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置２６１の構成を概略的に示す。ターゲット供給装置２６１は、リザーバタンクＣ１とボールバルブ５９とを含む。
３．１ 構成
図３は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置２６１の構成を概略的に示す。ターゲット供給装置２６１は、リザーバタンクＣ１とボールバルブ５９とを含む。
【0027】
３．１．１ リザーバタンクＣ１
リザーバタンクＣ１は、固体ターゲット物質２７ａを収容する容器である。固体ターゲット物質２７ａは、例えば高純度のスズで構成される。固体ターゲット物質２７ａは、例えば、互いにほぼ同じ大きさの球形の粒であってもよい。リザーバタンクＣ１は本開示における第１の容器に相当する。リザーバタンクＣ１の内部の温度はターゲット物質の融点より低い温度である。固体ターゲット物質２７ａの酸化が抑制されるように、リザーバタンクＣ１には、アルゴンガス、ヘリウムガス、又は乾燥空気がパージガスとして供給されている。リザーバタンクＣ１の内部の圧力は、大気圧と同程度の圧力である。
リザーバタンクＣ１は、導入経路４１を介してボールバルブ５９に接続されている。導入経路４１は、リザーバタンクＣ１の内部の固体ターゲット物質２７ａを通過させてボールバルブ５９に供給する。
リザーバタンクＣ１は、固体ターゲット物質２７ａを収容する容器である。固体ターゲット物質２７ａは、例えば高純度のスズで構成される。固体ターゲット物質２７ａは、例えば、互いにほぼ同じ大きさの球形の粒であってもよい。リザーバタンクＣ１は本開示における第１の容器に相当する。リザーバタンクＣ１の内部の温度はターゲット物質の融点より低い温度である。固体ターゲット物質２７ａの酸化が抑制されるように、リザーバタンクＣ１には、アルゴンガス、ヘリウムガス、又は乾燥空気がパージガスとして供給されている。リザーバタンクＣ１の内部の圧力は、大気圧と同程度の圧力である。
リザーバタンクＣ１は、導入経路４１を介してボールバルブ５９に接続されている。導入経路４１は、リザーバタンクＣ１の内部の固体ターゲット物質２７ａを通過させてボールバルブ５９に供給する。
【0028】
３．１．２ ボールバルブ５９
ボールバルブ５９は、ボディ部Ｃ２とボール部５０とを含む。
ボディ部Ｃ２は、内部の壁面が円形の断面を有する容器である。この断面は、図３の紙面に平行な断面である。ボディ部Ｃ２は、この断面の円周に沿って順番に配置された第１の接続口Ｐ１、第２の接続口Ｐ２、第３の接続口Ｐ３、及び第４の接続口Ｐ４を備えている。第１の接続口Ｐ１は、導入経路４１を介してリザーバタンクＣ１に接続されている。第２の接続口Ｐ２は、ガス供給経路Ｌ１に接続されている。第３の接続口Ｐ３は、導出経路４２に接続されている。第４の接続口Ｐ４は、排気経路Ｌ４に接続されている。ボディ部Ｃ２は本開示における第２の容器に相当する。ガス供給経路Ｌ１は、本開示における第１の加圧ガス供給経路に相当する。導出経路４２は本開示におけるターゲット物質導出経路に相当する。ボディ部Ｃ２の内部の温度はターゲット物質の融点より低い温度である。
ボールバルブ５９は、ボディ部Ｃ２とボール部５０とを含む。
ボディ部Ｃ２は、内部の壁面が円形の断面を有する容器である。この断面は、図３の紙面に平行な断面である。ボディ部Ｃ２は、この断面の円周に沿って順番に配置された第１の接続口Ｐ１、第２の接続口Ｐ２、第３の接続口Ｐ３、及び第４の接続口Ｐ４を備えている。第１の接続口Ｐ１は、導入経路４１を介してリザーバタンクＣ１に接続されている。第２の接続口Ｐ２は、ガス供給経路Ｌ１に接続されている。第３の接続口Ｐ３は、導出経路４２に接続されている。第４の接続口Ｐ４は、排気経路Ｌ４に接続されている。ボディ部Ｃ２は本開示における第２の容器に相当する。ガス供給経路Ｌ１は、本開示における第１の加圧ガス供給経路に相当する。導出経路４２は本開示におけるターゲット物質導出経路に相当する。ボディ部Ｃ２の内部の温度はターゲット物質の融点より低い温度である。
【0029】
ボール部５０は、円形の断面を有し、ボディ部Ｃ２の内部に配置されている。ボール部５０は、球状又は円筒状の形状を有する。ボール部５０は、第１の凹部５１を有する。第１の凹部５１の開口５６の一部は上記の断面に位置している。ボディ部Ｃ２の内部の壁面であって第１～第４の接続口Ｐ１～Ｐ４の各々の周囲には、ボール部５０の表面と接触する図示しないシール部が形成されている。
ボール部５０は、図示しない駆動装置によって回転軸５５の周りに回転可能に構成されている。これにより、第１の凹部５１が回転軸５５の周りに回転可能となっている。回転軸５５は、上記の断面に垂直である。すなわち、回転軸５５は、図３の紙面に垂直である。ボール部５０は、本開示における移動体に相当する。
ボール部５０は、図示しない駆動装置によって回転軸５５の周りに回転可能に構成されている。これにより、第１の凹部５１が回転軸５５の周りに回転可能となっている。回転軸５５は、上記の断面に垂直である。すなわち、回転軸５５は、図３の紙面に垂直である。ボール部５０は、本開示における移動体に相当する。
【0030】
３．１．３ 配管
圧力タンクＣ３は、導出経路４２とガス供給経路Ｌ２との両方に接続されている。ガス供給経路Ｌ２は、本開示における第２の加圧ガス供給経路に相当する。
図３に示されるように、ガス供給経路Ｌ２は、導出経路４２に接続位置ＣＰで接続されることにより、圧力タンクＣ３に接続されていてもよい。この場合には、導出経路４２における接続位置ＣＰと圧力タンクＣ３との間の位置に、図示しない断熱機構が設けられてもよい。
あるいは、導出経路４２とガス供給経路Ｌ２とがそれぞれ圧力タンクＣ３と直接接続されてもよい。この場合には、導出経路４２に図示しない断熱機構が設けられる他に、ガス供給経路Ｌ２にも図示しない断熱機構が設けられてもよい。
圧力タンクＣ３は、導出経路４２とガス供給経路Ｌ２との両方に接続されている。ガス供給経路Ｌ２は、本開示における第２の加圧ガス供給経路に相当する。
図３に示されるように、ガス供給経路Ｌ２は、導出経路４２に接続位置ＣＰで接続されることにより、圧力タンクＣ３に接続されていてもよい。この場合には、導出経路４２における接続位置ＣＰと圧力タンクＣ３との間の位置に、図示しない断熱機構が設けられてもよい。
あるいは、導出経路４２とガス供給経路Ｌ２とがそれぞれ圧力タンクＣ３と直接接続されてもよい。この場合には、導出経路４２に図示しない断熱機構が設けられる他に、ガス供給経路Ｌ２にも図示しない断熱機構が設けられてもよい。
【0031】
ガス供給経路Ｌ１にはバルブＶ１が配置され、ガス供給経路Ｌ２にはバルブＶ２が配置されている。バルブＶ１は本開示における第１のバルブに相当し、バルブＶ２は本開示における第２のバルブに相当する。ガス供給経路Ｌ１とガス供給経路Ｌ２とが加圧ガス配管Ｌ０に接続されている。加圧ガス配管Ｌ０に配置された圧力調節器６２が、ガス供給経路Ｌ１とガス供給経路Ｌ２との両方のガス圧を調節する。
【0032】
ガス供給経路Ｌ１における第２の接続口Ｐ２とバルブＶ１との間の位置に、強制排気経路Ｌ３が接続されている。これにより、第２の接続口Ｐ２はガス供給経路Ｌ１と強制排気経路Ｌ３との両方に接続されている。強制排気経路Ｌ３には、バルブＶ３と排気ポンプ６３とが配置されている。排気ポンプ６３は、第２の接続口Ｐ２に第１の凹部５１が位置するときに、第１の凹部５１の内部のガスを強制的に排気して第１の凹部５１の内部の圧力を大気圧より低くできるように構成されている。
【0033】
排気経路Ｌ４は、第４の接続口Ｐ４に第１の凹部５１が位置するときに、第１の凹部５１の内部のガスを外部に放出して、第１の凹部５１の内部の圧力を大気圧に近づけることができるように構成されている。
【0034】
３．２ 動作
３．２．１ ボールバルブ５９の動作
図４Ａ～図４Ｄは、第１の実施形態におけるボールバルブ５９の動作を示す断面図である。リザーバタンクＣ１の内部の固体ターゲット物質２７ａは、導入経路４１を通ってボディ部Ｃ２の第１の接続口Ｐ１の付近に到達する。以下のようにして第１の凹部５１が一定の回転方向に回転し、開口５６が第１～第４の接続口Ｐ１～Ｐ４に順番に重ねられることにより、固体ターゲット物質２７ａが導出経路４２に移動する。
３．２．１ ボールバルブ５９の動作
図４Ａ～図４Ｄは、第１の実施形態におけるボールバルブ５９の動作を示す断面図である。リザーバタンクＣ１の内部の固体ターゲット物質２７ａは、導入経路４１を通ってボディ部Ｃ２の第１の接続口Ｐ１の付近に到達する。以下のようにして第１の凹部５１が一定の回転方向に回転し、開口５６が第１～第４の接続口Ｐ１～Ｐ４に順番に重ねられることにより、固体ターゲット物質２７ａが導出経路４２に移動する。
【0035】
図４Ａに示されるように、開口５６が第１の接続口Ｐ１に重ねられると、１つの固体ターゲット物質２７ａが、重力によって第１の凹部５１に移動する。第１の凹部５１の容積は、１つの固体ターゲット物質２７ａの体積よりもわずかに大きく、第１の凹部５１の内部には１つの固体ターゲット物質２７ａしか入らないようになっている。第１の凹部５１の内部の圧力はリザーバタンクＣ１の内部の圧力とほぼ同じであり、例えば、大気圧と同程度である。
【0036】
図４Ｂに示されるように、ボール部５０が回転することにより、開口５６が第２の接続口Ｐ２に重ねられる。第２の接続口Ｐ２に接続されたガス供給経路Ｌ１は、少なくとも、加圧ガスを第１の凹部５１に供給する。これにより、第１の凹部５１の内部が昇圧され、圧力タンクＣ３（図３参照）の内部の圧力に近づけられる。
【0037】
なお、開口５６が第２の接続口Ｐ２に重ねられたときに、強制排気経路Ｌ３（図３参照）により第１の凹部５１の内部を強制的に排気して、その後、上述のように加圧ガスを第１の凹部５１に供給してもよい。強制排気後に加圧ガスを供給する動作については図５を参照しながら後述する。
【0038】
図４Ｃに示されるように、ボール部５０がさらに回転することにより、開口５６が第３の接続口Ｐ３に重ねられる。これにより、固体ターゲット物質２７ａが、重力によって第３の接続口Ｐ３から導出経路４２に移動し、その後、圧力タンクＣ３に供給される。圧力タンクＣ３に供給された固体ターゲット物質２７ａは圧力タンクＣ３の内部で溶融し、すでに圧力タンクＣ３に収容され溶融していたターゲット物質と混ざり合う。ヒーター７１によって、圧力タンクＣ３の内部の温度の低下が抑制される。
【0039】
図４Ｄに示されるように、ボール部５０がさらに回転することにより、開口５６が第４の接続口Ｐ４に重ねられる。これにより、第１の凹部５１の内部の高圧のガスが排気経路Ｌ４に放出され、第１の凹部５１の内部の圧力が大気圧付近に戻される。
【0040】
図４Ａに示されるように、再び、開口５６が第１の接続口Ｐ１に重ねられると、次の固体ターゲット物質２７ａが第１の凹部５１に収容される。
【0041】
固体ターゲット物質２７ａが、第１の接続口Ｐ１、第３の接続口Ｐ３、及び開口５６の各々を通過するため、固体ターゲット物質２７ａの直径は、第１の接続口Ｐ１、第３の接続口Ｐ３、及び開口５６のいずれの幅よりも小さいことが望ましい。本開示において接続口又は開口の「幅」とは、接続口又は開口の両側から接する２本の平行線であって最も間隔の短い平行線間の間隔を意味する。例えば接続口又は開口が楕円形であれば、その幅は楕円の短軸の長さに相当する。
【0042】
また、開口５６が第２の接続口Ｐ２に重ねられたときに、固体ターゲット物質２７ａが第２の接続口Ｐ２に入ることを防止するため、第２の接続口Ｐ２の幅は、固体ターゲット物質２７ａの直径よりも小さいことが望ましい。第２の接続口Ｐ２の幅は、例えば、固体ターゲット物質２７ａの直径の０．０１倍以上、０．９倍以下である。第２の接続口Ｐ２は、第１の接続口Ｐ１、第３の接続口Ｐ３、及び開口５６のいずれよりも面積が小さいことが望ましい。
【0043】
３．２．２ 固体ターゲット物質２７ａを補充する動作
図５は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置２６１の動作手順を示す。第１の実施形態においては、以下のようにして、ターゲット供給装置２６１がノズル７２からのターゲット２７の出力を開始する。ターゲット物質が消費された後、リザーバタンクＣ１の内部の固体ターゲット物質２７ａが、ボールバルブ５９を介して圧力タンクＣ３に補充される。
図５は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置２６１の動作手順を示す。第１の実施形態においては、以下のようにして、ターゲット供給装置２６１がノズル７２からのターゲット２７の出力を開始する。ターゲット物質が消費された後、リザーバタンクＣ１の内部の固体ターゲット物質２７ａが、ボールバルブ５９を介して圧力タンクＣ３に補充される。
【0044】
Ｓ１１において、バルブＶ１～Ｖ３がすべて閉められた状態から動作がスタートする。このとき、第１の凹部５１の開口５６は第１の接続口Ｐ１に重ねられ、１つの固体ターゲット物質２７ａが第１の凹部５１に収容されている。ヒーター７１が、圧力タンクＣ３の内部をターゲット物質の融点より高い所定温度に加熱する。
Ｓ１２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ２を開ける。これにより、ガスボンベＧ１に収容された加圧ガスが圧力タンクＣ３に供給される。
Ｓ１３において、ターゲット供給プロセッサ６０は、圧力調節器６２を制御することにより、圧力タンクＣ３の内部を大気圧より高い所定圧力に調整する。これにより、ターゲット供給装置２６１がノズル７２からのターゲット２７の出力を開始し、ターゲット物質の消費が開始される。
Ｓ１５において、ターゲット供給プロセッサ６０は、一定時間が経過してターゲット物質が消費されるまで待機し、一定時間が経過したら次に進む。
Ｓ１２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ２を開ける。これにより、ガスボンベＧ１に収容された加圧ガスが圧力タンクＣ３に供給される。
Ｓ１３において、ターゲット供給プロセッサ６０は、圧力調節器６２を制御することにより、圧力タンクＣ３の内部を大気圧より高い所定圧力に調整する。これにより、ターゲット供給装置２６１がノズル７２からのターゲット２７の出力を開始し、ターゲット物質の消費が開始される。
Ｓ１５において、ターゲット供給プロセッサ６０は、一定時間が経過してターゲット物質が消費されるまで待機し、一定時間が経過したら次に進む。
【0045】
Ｓ２１において、ターゲット供給プロセッサ６０は、開口５６を第２の接続口Ｐ２に重ねる。
Ｓ２２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、排気ポンプ６３を起動し、その後、バルブＶ３を開ける。第１の凹部５１に収容されているガスは、これにより外部に排気される。
Ｓ２３において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ３を閉め、その後、排気ポンプ６３を停止させる。
Ｓ２２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、排気ポンプ６３を起動し、その後、バルブＶ３を開ける。第１の凹部５１に収容されているガスは、これにより外部に排気される。
Ｓ２３において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ３を閉め、その後、排気ポンプ６３を停止させる。
【0046】
Ｓ３１において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ２を閉める。
その後、Ｓ３２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ１を開ける。バルブＶ１を開けることにより、第１の凹部５１に加圧ガスが供給される。第１の凹部５１の内部の圧力は、圧力タンクＣ３の内部の圧力とほぼ同程度となる。
Ｓ３３において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ２を開ける。
その後、Ｓ３２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ１を開ける。バルブＶ１を開けることにより、第１の凹部５１に加圧ガスが供給される。第１の凹部５１の内部の圧力は、圧力タンクＣ３の内部の圧力とほぼ同程度となる。
Ｓ３３において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ２を開ける。
【0047】
Ｓ３４において、ターゲット供給プロセッサ６０は、開口５６を第３の接続口Ｐ３に重ねる。これにより、第１の凹部５１の内部の固体ターゲット物質２７ａが圧力タンクＣ３に供給される。第１の凹部５１の内部には、Ｓ３２において加圧ガスが供給されているので、開口５６が第３の接続口Ｐ３に重ねられたときの圧力タンクＣ３の内部の圧力変動は小さくて済む。わずかに圧力変動が生じたとしても、バルブＶ２を介して加圧ガスが供給されて所望の圧力に調整される。
Ｓ３５において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ１を閉める。
Ｓ３５において、ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ１を閉める。
【0048】
Ｓ４１において、ターゲット供給プロセッサ６０は、開口５６を第４の接続口Ｐ４に重ねる。これにより、第１の凹部５１の内部の圧力は大気圧と同程度となる。
【0049】
Ｓ４２において、ターゲット供給プロセッサ６０は、開口５６を第１の接続口Ｐ１に重ねる。これにより、次の固体ターゲット物質２７ａが第１の凹部５１に収容される。
Ｓ４３において、ターゲット供給プロセッサ６０は、Ｓ２１の処理に戻る。
Ｓ４３において、ターゲット供給プロセッサ６０は、Ｓ２１の処理に戻る。
【0050】
３．３ 変形例
３．３．１ 複数の固体ターゲット物質２７ａを収容する第１の凹部５４
図６は、第１の変形例におけるボールバルブ５９ａの断面図である。ボールバルブ５９ａに含まれるボール部５０ａは、第１の凹部５４を有する。図４Ａ～図４Ｄに示される例では第１の凹部５１が１つの固体ターゲット物質２７ａを収容するのに対し、図６に示される第１の変形例では第１の凹部５４が複数の固体ターゲット物質２７ａを収容する。
３．３．１ 複数の固体ターゲット物質２７ａを収容する第１の凹部５４
図６は、第１の変形例におけるボールバルブ５９ａの断面図である。ボールバルブ５９ａに含まれるボール部５０ａは、第１の凹部５４を有する。図４Ａ～図４Ｄに示される例では第１の凹部５１が１つの固体ターゲット物質２７ａを収容するのに対し、図６に示される第１の変形例では第１の凹部５４が複数の固体ターゲット物質２７ａを収容する。
【0051】
図４Ａ～図４Ｄ及び図６に示されるように、第１の凹部５１又は５４はＮ個の固体ターゲット物質２７ａを収容可能でよく、Ｎは１以上の整数でよい。ボール部５０又は５０ａは、第１の凹部５１又は５４を１回転させる毎に、Ｎ個の固体ターゲット物質２７ａを第３の接続口Ｐ３に供給する。
【0052】
３．３．２ 第２の凹部５２を有するボール部５０ｂ
図７は、第２の変形例におけるボールバルブ５９ｂの断面図である。ボールバルブ５９ｂに含まれるボール部５０ｂは、第１の凹部５１及び第２の凹部５２を有する。第１の凹部５１及び第２の凹部５２は、回転軸５５を挟んで互いに反対側に位置する。ボール部５０ｂが回転することにより、第１の凹部５１及び第２の凹部５２が回転軸５５の周りに同時に回転する。第１の接続口Ｐ１から第１の凹部５１及び第２の凹部５２の一方に固体ターゲット物質２７ａが入るのとほぼ同時に、第１の凹部５１及び第２の凹部５２の他方から、第３の接続口Ｐ３に別の固体ターゲット物質２７ａが供給される。
図７は、第２の変形例におけるボールバルブ５９ｂの断面図である。ボールバルブ５９ｂに含まれるボール部５０ｂは、第１の凹部５１及び第２の凹部５２を有する。第１の凹部５１及び第２の凹部５２は、回転軸５５を挟んで互いに反対側に位置する。ボール部５０ｂが回転することにより、第１の凹部５１及び第２の凹部５２が回転軸５５の周りに同時に回転する。第１の接続口Ｐ１から第１の凹部５１及び第２の凹部５２の一方に固体ターゲット物質２７ａが入るのとほぼ同時に、第１の凹部５１及び第２の凹部５２の他方から、第３の接続口Ｐ３に別の固体ターゲット物質２７ａが供給される。
【0053】
図４Ａ～図４Ｄに示される例では、ボール部５０が１回転する毎に１つの固体ターゲット物質２７ａが第３の接続口Ｐ３に供給されるのに対し、図７に示される第２の変形例では、ボール部５０ｂが半回転する毎に１つの固体ターゲット物質２７ａが第３の接続口Ｐ３に供給される。すなわち、ボール部５０ｂが１回転する毎に、２つの固体ターゲット物質２７ａが第３の接続口Ｐ３に供給される。
【0054】
第２の変形例において、第１の凹部５１及び第２の凹部５２の各々に、１つの固体ターゲット物質２７ａを収容可能としてもよいし、複数の固体ターゲット物質２７ａを収容可能としてもよい。すなわち、第１の凹部５１及び第２の凹部５２の各々にＮ個の固体ターゲット物質２７ａを収容可能とし、Ｎは１であってもよいし、２以上の整数であってもよい。第１の凹部５１及び第２の凹部５２の各々にＮ個の固体ターゲット物質２７ａを収容可能とした場合、ボール部５０ｂが１回転する毎に、Ｎ×２個の固体ターゲット物質２７ａが第３の接続口Ｐ３に供給される。
【0055】
３．３．３ 第２～第Ｍの凹部を有するボール部５０ｃ
図８は、第３の変形例におけるボールバルブ５９ｃの断面図である。ボールバルブ５９ｃに含まれるボール部５０ｃは、第１～第Ｍの凹部５１～５Ｍを有する。第１～第Ｍの凹部５１～５Ｍは、回転軸５５を中心とする円周上において均等な間隔をあけて配置されている。ボール部５０ｃが回転することにより、第１～第Ｍの凹部５１～５Ｍが回転軸５５の周りに同時に回転する。Ｍは３以上の整数である。
図８は、第３の変形例におけるボールバルブ５９ｃの断面図である。ボールバルブ５９ｃに含まれるボール部５０ｃは、第１～第Ｍの凹部５１～５Ｍを有する。第１～第Ｍの凹部５１～５Ｍは、回転軸５５を中心とする円周上において均等な間隔をあけて配置されている。ボール部５０ｃが回転することにより、第１～第Ｍの凹部５１～５Ｍが回転軸５５の周りに同時に回転する。Ｍは３以上の整数である。
【0056】
図８に示される第３の変形例では、ボール部５０ｃが１／Ｍ回転する毎に、１つの固体ターゲット物質２７ａが第３の接続口Ｐ３に供給される。すなわち、ボール部５０ｃが１回転する毎に、Ｍ個の固体ターゲット物質２７ａが第３の接続口Ｐ３に供給される。
【0057】
第３の変形例において、第１～第Ｍの凹部５１～５Ｍの各々に、１つの固体ターゲット物質２７ａを収容可能としてもよいし、複数の固体ターゲット物質２７ａを収容可能としてもよい。すなわち、第１～第Ｍの凹部５１～５Ｍの各々にＮ個の固体ターゲット物質２７ａを収容可能とし、Ｎは１であってもよいし、２以上の整数であってもよい。第１～第Ｍの凹部５１～５Ｍの各々にＮ個の固体ターゲット物質２７ａを収容可能とした場合、ボール部５０ｃが１回転する毎に、Ｎ×Ｍ個の固体ターゲット物質２７ａが第３の接続口Ｐ３に供給される。
【0058】
３．４ 作用
第１の実施形態によれば、ほぼ大気圧であるリザーバタンクＣ１の内部に収容されている固体ターゲット物質２７ａを、高圧の圧力タンクＣ３の内部に供給できる。圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質が消費されても、圧力タンクＣ３を交換せずに固体ターゲット物質２７ａを補充できるので、ＥＵＶ光生成装置１の停止時間を低減することができる。
第１の実施形態によれば、ほぼ大気圧であるリザーバタンクＣ１の内部に収容されている固体ターゲット物質２７ａを、高圧の圧力タンクＣ３の内部に供給できる。圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質が消費されても、圧力タンクＣ３を交換せずに固体ターゲット物質２７ａを補充できるので、ＥＵＶ光生成装置１の停止時間を低減することができる。
【0059】
（１）第１の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６１は、リザーバタンクＣ１と、ボディ部Ｃ２と、ボール部５０と、圧力タンクＣ３と、ノズル７２と、を備える。リザーバタンクＣ１は、固体ターゲット物質２７ａを収容する。ボディ部Ｃ２は、リザーバタンクＣ１に接続された第１の接続口Ｐ１と、ガス供給経路Ｌ１に接続された第２の接続口Ｐ２と、導出経路４２に接続された第３の接続口Ｐ３と、を備える。ボール部５０は、リザーバタンクＣ１から供給される固体ターゲット物質２７ａを収容する第１の凹部５１を備え、ボディ部Ｃ２の内部で第１の凹部５１を移動させることにより、第１の凹部５１の開口５６を、第１の接続口Ｐ１、第２の接続口Ｐ２、及び第３の接続口Ｐ３に順番に重ねる。圧力タンクＣ３は、ガス供給経路Ｌ２と導出経路４２との両方に接続され、第３の接続口Ｐ３から供給される固体ターゲット物質２７ａを溶融させる。ノズル７２は、圧力タンクＣ３から供給される溶融したターゲット物質を出力する。
【0060】
ガス供給経路Ｌ１に接続された第２の接続口Ｐ２に開口５６を重ねることにより、第１の凹部５１に加圧ガスを供給することができる。これにより、導出経路４２に接続された第３の接続口Ｐ３に開口５６を重ねたときの圧力タンクＣ３の内部の圧力変動を抑制し得る。
ノズル７２から出力されたターゲット２７の移動速度は、圧力タンクＣ３の内部とチャンバ２の内部との圧力差に依存する。圧力タンクＣ３の内部の圧力変動を抑制することにより、ターゲット２７の移動速度の変化が抑制される。ターゲット２７の移動速度の変化が抑制されることにより、パルスレーザ光３３（図１参照）を照射するときのターゲット２７の位置のばらつきが低減され、パルスレーザ光３３をターゲット２７に正確に照射し得る。従って、ＥＵＶ光の品質が安定化し得る。
ノズル７２から出力されたターゲット２７の移動速度は、圧力タンクＣ３の内部とチャンバ２の内部との圧力差に依存する。圧力タンクＣ３の内部の圧力変動を抑制することにより、ターゲット２７の移動速度の変化が抑制される。ターゲット２７の移動速度の変化が抑制されることにより、パルスレーザ光３３（図１参照）を照射するときのターゲット２７の位置のばらつきが低減され、パルスレーザ光３３をターゲット２７に正確に照射し得る。従って、ＥＵＶ光の品質が安定化し得る。
【0061】
（２）第１の実施形態によれば、第２の接続口Ｐ２は、強制排気経路Ｌ３とガス供給経路Ｌ１との両方に接続されている。
これにより、第１の凹部５１を強制排気した後で、第１の凹部５１に加圧ガスを供給することができる。従って、リザーバタンクＣ１から第１の凹部５１に流入したガス成分が、第１の凹部５１から圧力タンクＣ３に流入することが抑制される。この場合、リザーバタンクＣ１に用いられるパージガスの選択肢が広がる。すなわち、パージガスの一部が圧力タンクＣ３に流れることを考慮してパージガスとして希ガスを選択してもよいし、圧力タンクＣ３に流れるパージガスの量は十分に小さいとみなして、パージガスとして乾燥空気を選択してもよい。乾燥空気に含まれる酸素ガスは、圧力タンクＣ３の内部の液体のスズを酸化させる可能性があるが、第１の凹部５１を強制排気することにより、圧力タンクＣ３の内部の液体のスズの酸化は抑制される。
これにより、第１の凹部５１を強制排気した後で、第１の凹部５１に加圧ガスを供給することができる。従って、リザーバタンクＣ１から第１の凹部５１に流入したガス成分が、第１の凹部５１から圧力タンクＣ３に流入することが抑制される。この場合、リザーバタンクＣ１に用いられるパージガスの選択肢が広がる。すなわち、パージガスの一部が圧力タンクＣ３に流れることを考慮してパージガスとして希ガスを選択してもよいし、圧力タンクＣ３に流れるパージガスの量は十分に小さいとみなして、パージガスとして乾燥空気を選択してもよい。乾燥空気に含まれる酸素ガスは、圧力タンクＣ３の内部の液体のスズを酸化させる可能性があるが、第１の凹部５１を強制排気することにより、圧力タンクＣ３の内部の液体のスズの酸化は抑制される。
【0062】
（３）第１の実施形態によれば、第２の接続口Ｐ２の幅は、リザーバタンクＣ１から供給される固体ターゲット物質２７ａの直径よりも小さい。
これにより、固体ターゲット物質２７ａが第２の接続口Ｐ２を通過することが抑制される。
これにより、固体ターゲット物質２７ａが第２の接続口Ｐ２を通過することが抑制される。
【0063】
（４）第１の実施形態によれば、第２の接続口Ｐ２は、第１の接続口Ｐ１、第３の接続口Ｐ３、及び開口５６のいずれよりも面積が小さい。
これにより、第１の接続口Ｐ１、第３の接続口Ｐ３、及び開口５６を通過可能な固体ターゲット物質２７ａが、第２の接続口Ｐ２を通過することが抑制される。
これにより、第１の接続口Ｐ１、第３の接続口Ｐ３、及び開口５６を通過可能な固体ターゲット物質２７ａが、第２の接続口Ｐ２を通過することが抑制される。
【0064】
（５）第１の実施形態によれば、ガス供給経路Ｌ２は、導出経路４２に接続されることにより、圧力タンクＣ３に接続されている。
この場合、ガス供給経路Ｌ２と導出経路４２との接続位置ＣＰと、高温の圧力タンクＣ３との間に、図示しない断熱機構を設ければ、ガス供給経路Ｌ２には断熱機構を設けなくてもよい。あるいは、ガス供給経路Ｌ２として、断熱性能以外の性能を重視した材料を選択することができる。
この場合、ガス供給経路Ｌ２と導出経路４２との接続位置ＣＰと、高温の圧力タンクＣ３との間に、図示しない断熱機構を設ければ、ガス供給経路Ｌ２には断熱機構を設けなくてもよい。あるいは、ガス供給経路Ｌ２として、断熱性能以外の性能を重視した材料を選択することができる。
【0065】
（６）第１の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６１は、加圧ガス配管Ｌ０と、バルブＶ１及びＶ２と、ターゲット供給プロセッサ６０と、をさらに備える。加圧ガス配管Ｌ０は、ガス供給経路Ｌ１とガス供給経路Ｌ２とに加圧ガスを供給する共通の加圧ガス配管Ｌ０である。バルブＶ１はガス供給経路Ｌ１に配置され、バルブＶ２はガス供給経路Ｌ２に配置されている。ターゲット供給プロセッサ６０は、バルブＶ１、バルブＶ２、及びボール部５０を以下のように制御する。すなわち、開口５６が第２の接続口Ｐ２に重ねられ（Ｓ２１）、バルブＶ２が閉められた状態で（Ｓ３１）、バルブＶ１が開けられて（Ｓ３２）、第１の凹部５１に加圧ガスが供給される。その後、開口５６が第３の接続口Ｐ３に重ねられ（Ｓ３４）、第１の凹部５１から圧力タンクＣ３に固体ターゲット物質２７ａが供給される。
【0066】
これによれば、ガス供給経路Ｌ１とガス供給経路Ｌ２とに共通の加圧ガス配管Ｌ０が接続されているので、第１の凹部５１と圧力タンクＣ３との圧力の差を小さくすることができる。従って、Ｓ３４において第３の接続口Ｐ３に開口５６を重ねたときの圧力タンクＣ３の内部の圧力変動を抑制し得る。
Ｓ３２においてバルブＶ１を開けるときに、仮にバルブＶ２が開いていたとすると、圧力タンクＣ３の内部のガスがバルブＶ２及びバルブＶ１を介して、大気圧以下である第１の凹部５１に流れ込む可能性がある。その場合には圧力タンクＣ３の内部の圧力が変動し、ターゲット２７の移動速度が変化してしまう可能性がある。Ｓ３２の前に、Ｓ３１においてバルブＶ２を閉めておくことにより、バルブＶ１を開けたときの圧力タンクＣ３の内部の圧力変動を抑制し得る。
Ｓ３２においてバルブＶ１を開けるときに、仮にバルブＶ２が開いていたとすると、圧力タンクＣ３の内部のガスがバルブＶ２及びバルブＶ１を介して、大気圧以下である第１の凹部５１に流れ込む可能性がある。その場合には圧力タンクＣ３の内部の圧力が変動し、ターゲット２７の移動速度が変化してしまう可能性がある。Ｓ３２の前に、Ｓ３１においてバルブＶ２を閉めておくことにより、バルブＶ１を開けたときの圧力タンクＣ３の内部の圧力変動を抑制し得る。
【0067】
（７）第１の実施形態によれば、ボディ部Ｃ２は、排気経路Ｌ４に接続された第４の接続口Ｐ４をさらに備える。ボール部５０は、開口５６を、第１の接続口Ｐ１、第２の接続口Ｐ２、第３の接続口Ｐ３、及び第４の接続口Ｐ４に順番に重ねる。
これによれば、Ｓ４１において開口５６が第４の接続口Ｐ４に重ねられたときに第１の凹部５１が排気される。この場合、Ｓ４２において開口５６が第１の接続口Ｐ１に重ねられたときに、高圧のガスが第１の接続口Ｐ１からリザーバタンクＣ１に向けて噴出することが抑制される。
これによれば、Ｓ４１において開口５６が第４の接続口Ｐ４に重ねられたときに第１の凹部５１が排気される。この場合、Ｓ４２において開口５６が第１の接続口Ｐ１に重ねられたときに、高圧のガスが第１の接続口Ｐ１からリザーバタンクＣ１に向けて噴出することが抑制される。
【0068】
（８）第１の実施形態によれば、ボディ部Ｃ２の内部の壁面は、円形の断面を有し、ボール部５０は、上記の断面に垂直な回転軸５５の周りに第１の凹部５１を回転させる。
ボール部５０による第１の凹部５１の移動を回転式にすることにより、第１の凹部５１を移動させるための機構を簡素化することができる。
ボール部５０による第１の凹部５１の移動を回転式にすることにより、第１の凹部５１を移動させるための機構を簡素化することができる。
【0069】
（９）第１の実施形態によれば、第１の接続口Ｐ１、第２の接続口Ｐ２、及び第３の接続口Ｐ３は、上記の断面の円周に沿って順番に配置され、ボール部５０は、第１の凹部５１を一定の回転方向に回転させる。
ボール部５０を一定の回転方向に回転させることにより、第１の凹部５１を移動させる動作を簡素化することができる。
ボール部５０を一定の回転方向に回転させることにより、第１の凹部５１を移動させる動作を簡素化することができる。
【0070】
（１０）第１の実施形態によれば、第１の凹部５１又は５４は、Ｎ個の固体ターゲット物質２７ａを収容可能であり、Ｎは１以上の整数である。ボール部５０又は５０ａは、第１の凹部５１又は５４を１回転させる毎にＮ個の固体ターゲット物質２７ａを第３の接続口Ｐ３に供給する。
これによれば、ボール部５０又は５０ａの回転を制御することにより、固体ターゲット物質２７ａの時間あたりの供給量を制御することができる。Ｎを２以上の整数としたボール部５０ａを用いることにより、ボール部５０ａの１回転あたりの固体ターゲット物質２７ａの供給量を増加させることができる。言い換えれば、固体ターゲット物質２７ａの供給量あたりのボール部５０ａの回転の回数を減らせるので、ボール部５０ａの寿命を向上することができる。
これによれば、ボール部５０又は５０ａの回転を制御することにより、固体ターゲット物質２７ａの時間あたりの供給量を制御することができる。Ｎを２以上の整数としたボール部５０ａを用いることにより、ボール部５０ａの１回転あたりの固体ターゲット物質２７ａの供給量を増加させることができる。言い換えれば、固体ターゲット物質２７ａの供給量あたりのボール部５０ａの回転の回数を減らせるので、ボール部５０ａの寿命を向上することができる。
【0071】
（１１）第１の実施形態によれば、ボール部５０ｂは、リザーバタンクＣ１から供給される固体ターゲット物質２７ａを収容して第１の凹部５１とともに回転軸５５の周りに回転する第２の凹部５２をさらに備える。第１及び第２の凹部５１及び５２の各々は、Ｎ個の固体ターゲット物質２７ａを収容可能であり、Ｎは１以上の整数である。ボール部５０ｂは、第１及び第２の凹部５１及び５２を１回転させる毎にＮ×２個の固体ターゲット物質２７ａを第３の接続口Ｐ３に供給する。
第１及び第２の凹部５１及び５２を備えることにより、ボール部５０ｂの１回転あたりの固体ターゲット物質２７ａの供給量を増加させ、ボール部５０ｂの寿命を向上することができる。
第１及び第２の凹部５１及び５２を備えることにより、ボール部５０ｂの１回転あたりの固体ターゲット物質２７ａの供給量を増加させ、ボール部５０ｂの寿命を向上することができる。
【0072】
（１２）第１の実施形態によれば、ボール部５０ｃは、リザーバタンクＣ１から供給される固体ターゲット物質２７ａを収容して第１の凹部５１とともに回転軸５５の周りに回転する第２～第Ｍの凹部５２～５Ｍをさらに備え、Ｍは３以上の整数である。第１～第Ｍの凹部５１～５Ｍの各々は、Ｎ個の固体ターゲット物質２７ａを収容可能であり、Ｎは１以上の整数である。ボール部５０ｃは、第１～第Ｍの凹部５１～５Ｍを１回転させる毎にＮ×Ｍ個の固体ターゲット物質２７ａを第３の接続口Ｐ３に供給する。
第１～第Ｍの凹部５１～５Ｍを備えることにより、ボール部５０ｃの１回転あたりの固体ターゲット物質２７ａの供給量を増加させ、ボール部５０ｃの寿命を向上することができる。
第１～第Ｍの凹部５１～５Ｍを備えることにより、ボール部５０ｃの１回転あたりの固体ターゲット物質２７ａの供給量を増加させ、ボール部５０ｃの寿命を向上することができる。
【0073】
４．強制排気のための第５の接続口Ｐ５を備えたボディ部Ｃ４
４．１ 構成
図９は、第２の実施形態に係るターゲット供給装置２６２の構成を概略的に示す。第１の実施形態においては、ガス供給経路Ｌ１だけでなく強制排気経路Ｌ３も第２の接続口Ｐ２に接続されているのに対し、第２の実施形態においては、強制排気経路Ｌ３が第５の接続口Ｐ５に接続されている。
４．１ 構成
図９は、第２の実施形態に係るターゲット供給装置２６２の構成を概略的に示す。第１の実施形態においては、ガス供給経路Ｌ１だけでなく強制排気経路Ｌ３も第２の接続口Ｐ２に接続されているのに対し、第２の実施形態においては、強制排気経路Ｌ３が第５の接続口Ｐ５に接続されている。
【0074】
図９に示されるボールバルブ５９ｄのボディ部Ｃ４は、ボール部５０の回転軸５５を中心とする円周上に、第１～第４の接続口Ｐ１～Ｐ４の他に第５の接続口Ｐ５を備えている。第５の接続口Ｐ５は、第１の接続口Ｐ１と第２の接続口Ｐ２との間に位置する。ボディ部Ｃ４の内部の壁面であって第５の接続口Ｐ５の周囲には、ボール部５０の表面と接触する図示しないシール部が形成されている。ボディ部Ｃ４は本開示における第２の容器に相当する。
【0075】
また、第５の接続口Ｐ５の幅は、固体ターゲット物質２７ａの直径よりも小さいことが望ましい。第５の接続口Ｐ５の幅は、例えば、固体ターゲット物質２７ａの直径の０．０１倍以上、０．９倍以下である。第５の接続口Ｐ５は、第１の接続口Ｐ１、第３の接続口Ｐ３、及び開口５６のいずれよりも面積が小さいことが望ましい。
【0076】
ガス供給経路Ｌ１は、第２の接続口Ｐ２に接続されている。強制排気経路Ｌ３は、ガス供給経路Ｌ１に接続されることなく、第５の接続口Ｐ５に接続されている。
ガス供給経路Ｌ１、ガス供給経路Ｌ２、及び強制排気経路Ｌ３には、それぞれバルブＶ１、バルブＶ２、及びバルブＶ３が設けられていなくてもよい。
他の点については、第２の実施形態の構成は第１の実施形態の構成と同様である。
ガス供給経路Ｌ１、ガス供給経路Ｌ２、及び強制排気経路Ｌ３には、それぞれバルブＶ１、バルブＶ２、及びバルブＶ３が設けられていなくてもよい。
他の点については、第２の実施形態の構成は第１の実施形態の構成と同様である。
【0077】
４．２ 動作
ボール部５０が回転軸５５の周りに回転することにより、第１の凹部５１の開口５６が、第１の接続口Ｐ１、第５の接続口Ｐ５、第２の接続口Ｐ２、第３の接続口Ｐ３、及び第４の接続口Ｐ４に、この順番で重ねられる。
ボール部５０が回転軸５５の周りに回転することにより、第１の凹部５１の開口５６が、第１の接続口Ｐ１、第５の接続口Ｐ５、第２の接続口Ｐ２、第３の接続口Ｐ３、及び第４の接続口Ｐ４に、この順番で重ねられる。
【0078】
開口５６が第１の接続口Ｐ１に重ねられることによって固体ターゲット物質２７ａが第１の凹部５１に移動した後、開口５６が第５の接続口Ｐ５に重ねられる。排気ポンプ６３は、開口５６が第５の接続口Ｐ５に重ねられる前に起動されていてもよく、その場合は開口５６が第５の接続口Ｐ５に重ねられると短時間で第１の凹部５１の内部が大気圧未満の圧力まで排気される。
【0079】
次に、開口５６が第２の接続口Ｐ２に重ねられる。ガス供給経路Ｌ１にはバルブＶ１（図３参照）が設けられていなくてもよく、あるいは、バルブＶ１が設けられている場合に、バルブＶ１は開口５６が第２の接続口Ｐ２に重ねられる前に開かれていてもよい。それらの場合には、開口５６が第２の接続口Ｐ２に重ねられると短時間でガス供給経路Ｌ１から加圧ガスが第１の凹部５１に供給される。
その後、開口５６が第３の接続口Ｐ３及び第４の接続口Ｐ４に順番に重ねられるときの動作は第１の実施形態と同様である。
その後、開口５６が第３の接続口Ｐ３及び第４の接続口Ｐ４に順番に重ねられるときの動作は第１の実施形態と同様である。
【0080】
４．３ 作用
（１３）第２の実施形態によれば、ボディ部Ｃ４は、第１の接続口Ｐ１、第２の接続口Ｐ２、及び第３の接続口Ｐ３の他に、強制排気経路Ｌ３に接続された第５の接続口Ｐ５を備える。ボール部５０は、開口５６を、第１の接続口Ｐ１、第５の接続口Ｐ５、第２の接続口Ｐ２、及び第３の接続口Ｐ３に順番に重ねる。
これによれば、第５の接続口Ｐ５を強制排気専用の接続口とし、第２の接続口Ｐ２を加圧専用の接続口としているので、バルブＶ１及びＶ３の開閉の切り替えをしなくても強制排気と加圧とを順番に実行することができる。
（１３）第２の実施形態によれば、ボディ部Ｃ４は、第１の接続口Ｐ１、第２の接続口Ｐ２、及び第３の接続口Ｐ３の他に、強制排気経路Ｌ３に接続された第５の接続口Ｐ５を備える。ボール部５０は、開口５６を、第１の接続口Ｐ１、第５の接続口Ｐ５、第２の接続口Ｐ２、及び第３の接続口Ｐ３に順番に重ねる。
これによれば、第５の接続口Ｐ５を強制排気専用の接続口とし、第２の接続口Ｐ２を加圧専用の接続口としているので、バルブＶ１及びＶ３の開閉の切り替えをしなくても強制排気と加圧とを順番に実行することができる。
【0081】
但し、ガス供給経路Ｌ１及びガス供給経路Ｌ２に、それぞれバルブＶ１及びバルブＶ２（図３参照）が設けられていても構わない。バルブＶ２が閉められた状態でバルブＶ１が開けられるようにすれば、第１の凹部５１に加圧ガスを供給するときに、圧力タンクＣ３の内部のガスが第１の凹部５１に流れ込むことが抑制され、圧力タンクＣ３の内部の圧力変動が抑制され得る。
あるいは、バルブＶ１及びＶ２を設ける代わりに、ガス供給経路Ｌ１又はガス供給経路Ｌ２に、オリフィス又はベンチュリ管などの図示しない絞り部が設けられてもよい。絞り部が設けられていれば、第１の凹部５１に加圧ガスを供給するときに、圧力タンクＣ３の内部のガスが第１の凹部５１に急激に流れ込むことが抑制され、圧力タンクＣ３の内部の圧力変動が抑制され得る。
また、強制排気経路Ｌ３におけるボディ部Ｃ４と排気ポンプ６３との間の位置に、バルブＶ３が設けられてもよい。
あるいは、バルブＶ１及びＶ２を設ける代わりに、ガス供給経路Ｌ１又はガス供給経路Ｌ２に、オリフィス又はベンチュリ管などの図示しない絞り部が設けられてもよい。絞り部が設けられていれば、第１の凹部５１に加圧ガスを供給するときに、圧力タンクＣ３の内部のガスが第１の凹部５１に急激に流れ込むことが抑制され、圧力タンクＣ３の内部の圧力変動が抑制され得る。
また、強制排気経路Ｌ３におけるボディ部Ｃ４と排気ポンプ６３との間の位置に、バルブＶ３が設けられてもよい。
【0082】
（１４）第２の実施形態によれば、第５の接続口Ｐ５は、第１の接続口Ｐ１、第３の接続口Ｐ３、及び開口５６のいずれよりも面積が小さい。
これにより、第１の接続口Ｐ１、第３の接続口Ｐ３、及び開口５６を通過可能な固体ターゲット物質２７ａが、第５の接続口Ｐ５に入ることが抑制される。
他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
これにより、第１の接続口Ｐ１、第３の接続口Ｐ３、及び開口５６を通過可能な固体ターゲット物質２７ａが、第５の接続口Ｐ５に入ることが抑制される。
他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
【0083】
５．圧力タンクＣ３の液面を計測して固体ターゲット物質２７ａを補充するターゲット供給装置２６３
以下に説明する第３の実施形態は、圧力タンクＣ３内のターゲット物質の液面が検出位置より低くなった後、一定時間が経過したら固体ターゲット物質２７ａを補充する。
以下に説明する第３の実施形態は、圧力タンクＣ３内のターゲット物質の液面が検出位置より低くなった後、一定時間が経過したら固体ターゲット物質２７ａを補充する。
【0084】
５．１ 構成
図１０は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置２６３の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置２６３は、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量を検出する液面センサ７３を含む。液面センサ７３は、例えば、ターゲット物質との接触の有無を検出するセンサでもよい。ターゲット物質との接触の有無は、例えば、液面センサ７３の下端と、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質と接触する導電性部材とが電気的に導通するか否かによって検出される。液面センサ７３の下端がターゲット物質と接触していたら、ターゲット物質の液面が検出位置以上の高さであること、すなわち、ターゲット物質の量が第１の値以上であることが検出できる。液面センサ７３の下端がターゲット物質と接触していなかったら、ターゲット物質の液面が検出位置より低いこと、すなわち、ターゲット物質の量が第１の値より少ないことが検出できる。液面センサ７３は、本開示におけるセンサの一例である。第１の値は、圧力タンクＣ３が収容するターゲット物質の量の上限に近い値である。但し、第１の値よりもわずかに多いターゲット物質が圧力タンクＣ３に収容されていても、ターゲット供給装置２６３の動作には問題ないものとする。
図１０は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置２６３の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置２６３は、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量を検出する液面センサ７３を含む。液面センサ７３は、例えば、ターゲット物質との接触の有無を検出するセンサでもよい。ターゲット物質との接触の有無は、例えば、液面センサ７３の下端と、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質と接触する導電性部材とが電気的に導通するか否かによって検出される。液面センサ７３の下端がターゲット物質と接触していたら、ターゲット物質の液面が検出位置以上の高さであること、すなわち、ターゲット物質の量が第１の値以上であることが検出できる。液面センサ７３の下端がターゲット物質と接触していなかったら、ターゲット物質の液面が検出位置より低いこと、すなわち、ターゲット物質の量が第１の値より少ないことが検出できる。液面センサ７３は、本開示におけるセンサの一例である。第１の値は、圧力タンクＣ３が収容するターゲット物質の量の上限に近い値である。但し、第１の値よりもわずかに多いターゲット物質が圧力タンクＣ３に収容されていても、ターゲット供給装置２６３の動作には問題ないものとする。
【0085】
他の点については、第３の実施形態の構成は第１の実施形態の構成と同様である。
あるいは、第３の実施形態において、第２の実施形態と同様に、強制排気のための第５の接続口Ｐ５を備えたボディ部Ｃ４の構成が採用されてもよい。
あるいは、第３の実施形態において、第２の実施形態と同様に、強制排気のための第５の接続口Ｐ５を備えたボディ部Ｃ４の構成が採用されてもよい。
【0086】
５．２ 動作
図１１は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置２６３の動作手順を示す。Ｓ１１からＳ１３まで、及びＳ２１からＳ４２までの処理は、第１の実施形態において対応する処理と同様である。第３の実施形態においては、Ｓ１５の代わりに、Ｓ１５ａの処理が行われ、Ｓ４３の代わりに、Ｓ４３ａ及びＳ４４ａの処理が行われる。
図１１は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置２６３の動作手順を示す。Ｓ１１からＳ１３まで、及びＳ２１からＳ４２までの処理は、第１の実施形態において対応する処理と同様である。第３の実施形態においては、Ｓ１５の代わりに、Ｓ１５ａの処理が行われ、Ｓ４３の代わりに、Ｓ４３ａ及びＳ４４ａの処理が行われる。
【0087】
Ｓ１５ａにおいて、まず、ターゲット供給プロセッサ６０は、圧力タンクＣ３内の液面が液面センサ７３の検出位置よりも低くなったか否かを監視する。さらに、ターゲット供給プロセッサ６０は、液面が液面センサ７３の検出位置よりも低くなった後、一定時間が経過してターゲット物質が消費されるまで待機する。Ｓ１５ａにおいては、第１の凹部５１の移動が抑制され、固体ターゲット物質２７ａの補充が抑制される。液面が検出位置よりも低くなった後、一定時間が経過したら、次に進む。
Ｓ２１～Ｓ４２の処理により、リザーバタンクＣ１の内部の固体ターゲット物質２７ａがボールバルブ５９を介して圧力タンクＣ３に補充される。
Ｓ２１～Ｓ４２の処理により、リザーバタンクＣ１の内部の固体ターゲット物質２７ａがボールバルブ５９を介して圧力タンクＣ３に補充される。
【0088】
Ｓ４３ａにおいて、圧力タンクＣ３内の液面が検出位置以上となるまで固体ターゲット物質２７ａが補充されたか否かを判定する。液面が検出位置以上でない場合、Ｓ２１に戻り、固体ターゲット物質２７ａをさらに補充する。
Ｓ４４ａにおいて、液面が検出位置以上となった場合には、Ｓ１５ａに戻り、ターゲット物質が消費されるまで第１の凹部５１の移動を抑制することにより、固体ターゲット物質２７ａの補充を抑制する。
Ｓ４４ａにおいて、液面が検出位置以上となった場合には、Ｓ１５ａに戻り、ターゲット物質が消費されるまで第１の凹部５１の移動を抑制することにより、固体ターゲット物質２７ａの補充を抑制する。
【0089】
５．３ 作用
（１５）第３の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６３は、ターゲット供給プロセッサ６０を備える他、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量を検出する液面センサ７３をさらに備える。ターゲット供給プロセッサ６０は、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量が第１の値以上であることを液面センサ７３の出力が示す場合に、第１の凹部５１の移動を抑制する。
これによれば、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量が第１の値以上である場合に、固体ターゲット物質２７ａの補充を抑制することにより、圧力タンクＣ３からターゲット物質があふれてしまうことが抑制される。
（１５）第３の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６３は、ターゲット供給プロセッサ６０を備える他、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量を検出する液面センサ７３をさらに備える。ターゲット供給プロセッサ６０は、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量が第１の値以上であることを液面センサ７３の出力が示す場合に、第１の凹部５１の移動を抑制する。
これによれば、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量が第１の値以上である場合に、固体ターゲット物質２７ａの補充を抑制することにより、圧力タンクＣ３からターゲット物質があふれてしまうことが抑制される。
【0090】
（１６）第３の実施形態によれば、ターゲット供給プロセッサ６０は、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量が第１の値より小さくなって一定時間が経過した場合に、第１の凹部５１の移動を開始する。
【0091】
ターゲット物質の量が第１の値より小さい第２の値にまで減ったことを図示しない液面センサで直接計測して、固体ターゲット物質２７ａの補充を開始するタイミングを判定する場合には、以下の問題がある。固体ターゲット物質２７ａは高純度のスズで構成されているが、その表面に酸化スズが発生していることがある。この固体ターゲット物質２７ａが圧力タンクＣ３の内部で溶融すると、溶融したスズの液面に、酸化スズを含む導電性の膜が形成されることがある。そのような膜は、液面センサの下端に固着することがあり、つららのように成長して圧力タンクＣ３の底にまで達する場合があり得る。この場合、液面センサと圧力タンクＣ３の底とが電気的に導通し、液面センサの機能が不安定になる。図示しない液面センサの下端から圧力タンクＣ３の底までの距離が短いと、液面センサを長期に安定して機能させることが困難な場合がある。
【0092】
これに対し、ターゲット物質の量が第１の値以上か否かを検出する液面センサ７３は、圧力タンクＣ３の底までの距離が長い。このため、仮に液面センサ７３の下端に酸化スズを含む導電性の膜が固着しても、液面センサ７３は長期に安定して機能し得る。そこで、第３の実施形態においては液面センサ７３が用いられる。すなわち、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質の量が第１の値より小さくなった後、一定時間が経過した場合には、その一定時間の長さに応じてターゲット物質が消費されたと推定できる。これに基づいて固体ターゲット物質２７ａの補充を開始するタイミングを判定すれば、ターゲット物質の量が減ったことを図示しない液面センサで直接計測する必要性を軽減できる。
【0093】
他の点については、第３の実施形態の動作及び作用は第１の実施形態の動作及び作用と同様である。あるいは、第３の実施形態において、強制排気のための第５の接続口Ｐ５を備えるボディ部Ｃ４の構成が採用された場合には、第３の実施形態は第２の実施形態と同様の動作及び作用を有してもよい。
【0094】
６．出力されたターゲット物質の量を計測して固体ターゲット物質２７ａを補充するターゲット供給装置２６４
以下に説明する第４の実施形態は、ノズル７２から出力されたターゲット物質と同じ量の固体ターゲット物質２７ａを補充するように構成されている。
以下に説明する第４の実施形態は、ノズル７２から出力されたターゲット物質と同じ量の固体ターゲット物質２７ａを補充するように構成されている。
【0095】
６．１ 構成
図１２は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置２６４の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置２６４は、ノズル７２から出力されたターゲット２７の数をカウントするためのターゲットセンサ７７を含む。ターゲットセンサ７７は、光源７６とともに用いられる。
図１２は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置２６４の構成を概略的に示す。
ターゲット供給装置２６４は、ノズル７２から出力されたターゲット２７の数をカウントするためのターゲットセンサ７７を含む。ターゲットセンサ７７は、光源７６とともに用いられる。
【0096】
光源７６は、ターゲット２７の軌道に向けて照明光７６ａを出力する。ターゲット２７は、照明光７６ａの光路を通過するときに、照明光７６ａの一部を遮り、又は照明光７６ａの一部を反射する。
【0097】
ターゲットセンサ７７は、例えば、図示しないイメージセンサと、ターゲット２７の軌道に位置する物体の像をイメージセンサの受光面に結像する図示しない光学系と、を含む。ターゲットセンサ７７は、照明光７６ａのうちのターゲット２７によって遮られた部分以外の光、又は、ターゲット２７によって反射された光の一部を受光し、その光の強度分布の変化を検出することにより、ターゲット２７を検出する。
【0098】
ターゲット供給プロセッサ６０は、ターゲットセンサ７７から出力された信号に基づいて、照明光７６ａの光路を通過したターゲット２７の数をカウントする。ノズル７２から出力されたターゲット物質の量は、ターゲット２７の数と、１つのターゲット２７の質量とを乗算したものでよい。これにより、ターゲット供給プロセッサ６０は、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量を計測することができる。
【0099】
他の点については、第４の実施形態の構成は第１の実施形態の構成と同様である。
あるいは、第４の実施形態において、第２の実施形態と同様に、強制排気のための第５の接続口Ｐ５を備えたボディ部Ｃ４の構成が採用されてもよい。
あるいは、第４の実施形態において、第２の実施形態と同様に、強制排気のための第５の接続口Ｐ５を備えたボディ部Ｃ４の構成が採用されてもよい。
【0100】
６．２ 動作
図１３は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置２６４の動作手順を示す。Ｓ１１からＳ１３まで、及びＳ１５からＳ４２までの処理は、第１の実施形態において対応する処理と同様である。第４の実施形態においては、Ｓ１３とＳ１５との間において、Ｓ１４ｂの処理が行われ、Ｓ４３の代わりに、Ｓ４３ｂ及びＳ４４ｂの処理が行われる。
図１３は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置２６４の動作手順を示す。Ｓ１１からＳ１３まで、及びＳ１５からＳ４２までの処理は、第１の実施形態において対応する処理と同様である。第４の実施形態においては、Ｓ１３とＳ１５との間において、Ｓ１４ｂの処理が行われ、Ｓ４３の代わりに、Ｓ４３ｂ及びＳ４４ｂの処理が行われる。
【0101】
Ｓ１４ｂにおいて、ターゲット供給プロセッサ６０は、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量の計測を開始する。
その後、Ｓ１５において、ターゲット供給プロセッサ６０は、一定時間が経過するまでノズル７２から出力されたターゲット物質の量の計測を継続する。すなわち、第１の凹部５１の移動が抑制され、固体ターゲット物質２７ａの補充が抑制される。一定時間が経過したら次に進む。
Ｓ２１～Ｓ４２の処理により、リザーバタンクＣ１の内部の固体ターゲット物質２７ａがボールバルブ５９を介して圧力タンクＣ３に補充される。
その後、Ｓ１５において、ターゲット供給プロセッサ６０は、一定時間が経過するまでノズル７２から出力されたターゲット物質の量の計測を継続する。すなわち、第１の凹部５１の移動が抑制され、固体ターゲット物質２７ａの補充が抑制される。一定時間が経過したら次に進む。
Ｓ２１～Ｓ４２の処理により、リザーバタンクＣ１の内部の固体ターゲット物質２７ａがボールバルブ５９を介して圧力タンクＣ３に補充される。
【0102】
Ｓ４３ｂにおいて、圧力タンクＣ３に補充された固体ターゲット物質２７ａの量が、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量以上となったか否かを判定する。圧力タンクＣ３に補充された固体ターゲット物質２７ａの量は、固体ターゲット物質２７ａの数と、１つの固体ターゲット物質２７ａの質量とを乗算したものでよい。補充された固体ターゲット物質２７ａの量が、出力されたターゲット物質の量以上でない場合、Ｓ２１に戻り、固体ターゲット物質２７ａをさらに補充する。
Ｓ４４ｂにおいて、補充された固体ターゲット物質２７ａの量が、出力されたターゲット物質の量以上となった場合には、Ｓ１４ｂに戻り、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量の計測を再度開始する。
Ｓ４４ｂにおいて、補充された固体ターゲット物質２７ａの量が、出力されたターゲット物質の量以上となった場合には、Ｓ１４ｂに戻り、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量の計測を再度開始する。
【0103】
６．３ 作用
（１７）第４の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６４は、ターゲット供給プロセッサ６０を備える他、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量を計測するターゲットセンサ７７をさらに備える。ターゲット供給プロセッサ６０は、第３の接続口Ｐ３から供給された固体ターゲット物質２７ａの量が、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量以上となった場合に、第１の凹部５１の移動を抑制する。
これによれば、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量以上となるまで、圧力タンクＣ３に固体ターゲット物質２７ａを補充するので、液面センサ７３（図１０参照）を設けなくても、圧力タンクＣ３からターゲット物質があふれてしまうことが抑制される。
（１７）第４の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６４は、ターゲット供給プロセッサ６０を備える他、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量を計測するターゲットセンサ７７をさらに備える。ターゲット供給プロセッサ６０は、第３の接続口Ｐ３から供給された固体ターゲット物質２７ａの量が、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量以上となった場合に、第１の凹部５１の移動を抑制する。
これによれば、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量以上となるまで、圧力タンクＣ３に固体ターゲット物質２７ａを補充するので、液面センサ７３（図１０参照）を設けなくても、圧力タンクＣ３からターゲット物質があふれてしまうことが抑制される。
【0104】
（１８）第４の実施形態によれば、ターゲット供給プロセッサ６０は、第３の接続口Ｐ３から供給された固体ターゲット物質２７ａの量が、ノズル７２から出力されたターゲット物質の量以上となって一定時間が経過した場合に、第１の凹部５１の移動を開始する。
これによれば、ターゲット物質の量の下限を検出する図示しない液面センサを設けなくても、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質がなくなる前に固体ターゲット物質２７ａを補充することができる。
これによれば、ターゲット物質の量の下限を検出する図示しない液面センサを設けなくても、圧力タンクＣ３の内部のターゲット物質がなくなる前に固体ターゲット物質２７ａを補充することができる。
【0105】
他の点については、第４の実施形態の動作及び作用は第１の実施形態の動作及び作用と同様である。あるいは、第４の実施形態において、強制排気のための第５の接続口Ｐ５を備えたボディ部Ｃ４の構成が採用された場合には、第４の実施形態は第２の実施形態と同様の動作及び作用を有してもよい。
【0106】
７．その他
図１４は、ＥＵＶ光生成装置１に接続された露光装置６の構成を概略的に示す。
図１４において、露光装置６は、マスク照射部６８とワークピース照射部６９とを含む。マスク照射部６８は、ＥＵＶ光生成装置１から入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造することができる。
図１４は、ＥＵＶ光生成装置１に接続された露光装置６の構成を概略的に示す。
図１４において、露光装置６は、マスク照射部６８とワークピース照射部６９とを含む。マスク照射部６８は、ＥＵＶ光生成装置１から入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造することができる。
【0107】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
【0108】
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
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【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】