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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022064033
(43)【公開日】2022-04-25
(54)【発明の名称】切断用ブレード
(51)【国際特許分類】
B24D 5/12 20060101AFI20220418BHJP
B24D 3/02 20060101ALI20220418BHJP
B24D 3/28 20060101ALI20220418BHJP
H01L 21/301 20060101ALI20220418BHJP
【ＦＩ】
B24D5/12 Z
B24D3/02 310E
B24D3/28
H01L21/78 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】3
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020172520
(22)【出願日】2020-10-13
(71)【出願人】
【識別番号】000151494
【氏名又は名称】株式会社東京精密
(74)【代理人】
【識別番号】100165179
【弁理士】
【氏名又は名称】田▲崎▼ 聡
(74)【代理人】
【識別番号】100126664
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 慎吾
(74)【代理人】
【識別番号】100126893
【弁理士】
【氏名又は名称】山崎 哲男
(74)【代理人】
【識別番号】100142424
【弁理士】
【氏名又は名称】細川 文広
(72)【発明者】
【氏名】池田 吉隆
【テーマコード（参考）】
3C063
5F063
【Ｆターム（参考）】
3C063AA02
3C063AB03
3C063BA02
3C063BC03
3C063BD01
3C063BD09
3C063EE31
3C063FF22
5F063AA22
5F063DD02
5F063DD20
(57)【要約】
【課題】脆性材料を長時間にわたって高品位に切断することが可能な切断用ブレードを提供すること。
【解決手段】軸線の廻りに回転されるブレード本体１０が切れ刃１１Ａによって被切断材を切断する切断用ブレード１００であって、前記ブレード本体１０は、円板状に形成され樹脂からなるレジンボンド相２０と、前記レジンボンド相２０に分散される砥粒３０と、前記レジンボンド相２０に分散されフィラー４０と、前記レジンボンド相２０の外周部１１に配置される切れ刃１１Ａと、を備え、前記フィラー４０は、硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーを含んでいることを特徴とする。
【選択図】図３
【解決手段】軸線の廻りに回転されるブレード本体１０が切れ刃１１Ａによって被切断材を切断する切断用ブレード１００であって、前記ブレード本体１０は、円板状に形成され樹脂からなるレジンボンド相２０と、前記レジンボンド相２０に分散される砥粒３０と、前記レジンボンド相２０に分散されフィラー４０と、前記レジンボンド相２０の外周部１１に配置される切れ刃１１Ａと、を備え、前記フィラー４０は、硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーを含んでいることを特徴とする。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
軸線の廻りに回転されるブレード本体が切れ刃によって被切断材を切断する切断用ブレードであって、
前記ブレード本体は、
円板状に形成され樹脂からなるレジンボンド相と、
前記レジンボンド相に分散される砥粒と、
前記レジンボンド相に分散されフィラーと、
前記レジンボンド相の外周部に配置される切れ刃と、
を備え、
前記フィラーは、
硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーを含んでいる
ことを特徴とする切断用ブレード。
前記ブレード本体は、
円板状に形成され樹脂からなるレジンボンド相と、
前記レジンボンド相に分散される砥粒と、
前記レジンボンド相に分散されフィラーと、
前記レジンボンド相の外周部に配置される切れ刃と、
を備え、
前記フィラーは、
硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーを含んでいる
ことを特徴とする切断用ブレード。
【請求項2】
請求項１に記載の切断用ブレードであって、
硼化チタン（ＴｉＢ２）を含んだ前記フィラー全体の含有率は、
前記ブレード本体に対して２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下である
ことを特徴とする切断用ブレード。
硼化チタン（ＴｉＢ２）を含んだ前記フィラー全体の含有率は、
前記ブレード本体に対して２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下である
ことを特徴とする切断用ブレード。
【請求項3】
請求項１又は２に記載の切断用ブレードであって、
前記硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーの平均粒径は１μｍ以上１５μｍ以下である
ことを特徴とする切断用ブレード。
前記硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーの平均粒径は１μｍ以上１５μｍ以下である
ことを特徴とする切断用ブレード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えばガラス、セラミックス等の脆性材料の切断加工に使用される切断用ブレードに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体製品などに用いられるガラスやセラミックス等の脆性材料（硬脆材料）からなる被切断材に、溝加工を施したり、切断することによって個片化したりする加工（本明細書では、これらの加工を総じて切断加工又は単に切断という）には、高品位であることが要求されている。
【0003】
このような切断加工を高品位で行うためには、例えば、レジンボンド相に砥粒を分散した切断用ブレード（薄刃砥石）が使用されている。
切断用ブレードは、例えば、円形板状をなすブレード本体と、前記ブレード本体の外周縁部に形成された切れ刃と、を備えており、ブレード本体は、樹脂からなるレジンボンド相と、レジンボンド相に分散されたダイヤモンドやｃＢＮ（立方晶窒化ホウ素）からなる砥粒（超砥粒）とを備えている。
切断用ブレードは、例えば、円形板状をなすブレード本体と、前記ブレード本体の外周縁部に形成された切れ刃と、を備えており、ブレード本体は、樹脂からなるレジンボンド相と、レジンボンド相に分散されたダイヤモンドやｃＢＮ（立方晶窒化ホウ素）からなる砥粒（超砥粒）とを備えている。
【0004】
ところで、上記切断用ブレードによって切断、製造される電子材料部品としては、上述の半導体素子のように半導体ウェハから切断されて分割された後にリードフレームに実装されて樹脂モールディングされるものや、例えばリードフレーム上に一括して多数の素子を実装してこれらをモールディングした後にまとめて切断して個片化されるＱＦＮ（ｑｕａｄｆｌａｔｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄｐａｃｋａｇｅ）や、ガラスエポキシ樹脂製の基体に形成されたスルーホールの内周面にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ等のめっきが施された基板を有していて切断により個片化されるＩｒＤＡ（赤外線データ通信協会）規格の光伝送モジュール（以下、単にＩｒＤＡと略称する。）が知られている。
【0005】
このような電子材料部品の切断においては、例えばＱＦＮではモールディング樹脂中に配置されたＣｕ等の延性の高い金属リードフレームを切断する必要があることから、切断の際の切断用ブレードの送り方向や回転方向によってリードフレーム等の金属バリが生じやすいという問題がある。
【0006】
そのため、切断用ブレードの耐摩耗性を向上させるために、例えば、ＳｉＣやＡｌ２Ｏ３等を含有させる場合がある。しかし、ＳｉＣやＡｌ２Ｏ３等を含有させただけの切断用ブレードは、電子材料部品を切断すると超砥粒が脱落しやすく切れ味が早期に失われてしまうとい問題があり、バリの発生を長期にわたって抑えることは困難であった。
【0007】
また、切断用ブレードは、超砥粒の脱落により切れ味が劣化すると、切断抵抗が増大することから、切断作業途中で中間ドレスを実施したり、切断作業当初の切れ味を確保するために初期ドレスを実施する等、切断用ブレードをドレッシングする作業が頻繁に必要である。このようなドレッシング作業は、稼働率の低下や作業効率の低下を招くことにもなる。
【0008】
一方、電子材料部品を切断する切断装置では、そのゼロ点検知をすることが一般的であり、切断用ブレードに導電させることにより電気的手段を用いて上記ゼロ点を確実に検出するために導電性が要求される場合がある。
一方で、レジンボンド相は一般的に絶縁性であることから、切断用ブレードに導電性を付与するためにカーボン等の導電性材料を添加する場合があるが、レジンボンド相にカーボン等を添加すると耐摩耗性が低下して超砥粒の脱落により切れ味が一層劣化する結果となる。
一方で、レジンボンド相は一般的に絶縁性であることから、切断用ブレードに導電性を付与するためにカーボン等の導電性材料を添加する場合があるが、レジンボンド相にカーボン等を添加すると耐摩耗性が低下して超砥粒の脱落により切れ味が一層劣化する結果となる。
【0009】
そこで、例えば、ＱＦＮやＩｒＤＡといった電子材料部品の切断に際して、耐摩耗性を向上して長期にわたってバリの発生を確実に防ぐとともに導電性を付与するためにＷＣ（タングステンカーバイド）粉末を添加した切断用ブレードが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0010】
【特許文献1】特開２００６－０６２００９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
しかしながら、上記特許文献１に記載の切断用ブレードは、ＷＣ（タングステンカーバイド）により耐摩耗性が向上するとともに導電性を容易に付与することが可能となるが、ＷＣが重いために高速回転させることは困難であり切断性能が低下する可能性がある。
また、例えば、切断加工する際に水を使用すると、砥粒が脱落しやすくなり、切断性能を充分に維持することは困難である。
また、例えば、切断加工する際に水を使用すると、砥粒が脱落しやすくなり、切断性能を充分に維持することは困難である。
【0012】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、寿命近くになっても脆性材料を高品位に切断することが可能な切断用ブレードを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0013】
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。
（１）本発明の第１態様は、軸線の廻りに回転されるブレード本体が切れ刃によって被切断材を切断する切断用ブレードであって、前記ブレード本体は、円板状に形成され樹脂からなるレジンボンド相と、前記レジンボンド相に分散される砥粒と、前記レジンボンド相に分散されフィラーと、前記レジンボンド相の外周部に配置される切れ刃と、を備え、前記フィラーは、硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーを含んでいることを特徴とする。
（１）本発明の第１態様は、軸線の廻りに回転されるブレード本体が切れ刃によって被切断材を切断する切断用ブレードであって、前記ブレード本体は、円板状に形成され樹脂からなるレジンボンド相と、前記レジンボンド相に分散される砥粒と、前記レジンボンド相に分散されフィラーと、前記レジンボンド相の外周部に配置される切れ刃と、を備え、前記フィラーは、硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーを含んでいることを特徴とする。
【0014】
本発明の切断用ブレードによれば、ブレード本体は、樹脂からなるレジンボンド相と、レジンボンド相に分散される砥粒と、レジンボンド相に分散されフィラーとを備えている。また、この実施形態において、フィラーは、すべて硼化チタン（ＴｉＢ２）により構成されている。
硼化チタン（ＴｉＢ２）は、耐摩耗性に優れていて、長時間にわたって耐摩耗性が維持されて、脆性材料を切断する際に、切断加工における切断抵抗の増大を抑制することができる。
また、硼化チタン（ＴｉＢ２）は、耐水性に優れているので、水をかけながら被切断材を切断しても、砥粒や硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーがレジンボンド相から脱落するのが抑制され、寿命近くになっても脆性材料を高品位に切断することが可能となる。言い換えると切断用ブレードの長寿命化を実現することができる。
その結果、脆性材料を切断する際の切断抵抗が低減されて被切断材の角欠け（例えば、裏面角欠け）やチッピング等が抑制され、高品位な切断加工を安定して長時間にわたって維持することができる。
硼化チタン（ＴｉＢ２）は、耐摩耗性に優れていて、長時間にわたって耐摩耗性が維持されて、脆性材料を切断する際に、切断加工における切断抵抗の増大を抑制することができる。
また、硼化チタン（ＴｉＢ２）は、耐水性に優れているので、水をかけながら被切断材を切断しても、砥粒や硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーがレジンボンド相から脱落するのが抑制され、寿命近くになっても脆性材料を高品位に切断することが可能となる。言い換えると切断用ブレードの長寿命化を実現することができる。
その結果、脆性材料を切断する際の切断抵抗が低減されて被切断材の角欠け（例えば、裏面角欠け）やチッピング等が抑制され、高品位な切断加工を安定して長時間にわたって維持することができる。
【0015】
また、硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーは耐摩耗性に加えて導電性を有しており、ブレード本体に分散させることにより導電性を付与することが可能となる。
また、カーボンを含有させなくても容易に通電性を確保することができ、被切断材に対する切断用ブレードの位置を容易に検出することができる。
また、カーボンを含有させなくても容易に通電性を確保することができ、被切断材に対する切断用ブレードの位置を容易に検出することができる。
【0016】
また、硼化チタン（ＴｉＢ２）は、ＷＣ（タングステンカーバイド）に比べて軽量であり、さらに切断時に水をかけても超砥粒が脱落しにくいので、高速回転で切断加工してもブレード本体が破損するのが抑制され、被切断材を効率的に切断加工することができる。
【0017】
また、切断用ブレードの製造時において、ブレード本体（ブレード本体素材）が例えば２５０℃程度に加熱される工程（焼結工程）が含まれる場合であっても、硼化チタン（ＴｉＢ２）は、変質することがなく、レジンボンド相に拡散（結合）したりすることがないことから、上述の作用、効果を安定的かつ確実に得ることができる。
【0018】
（２）上記（１）に記載の切断用ブレードは、硼化チタン（ＴｉＢ２）を含んだ前記フィラー全体の含有率は、前記ブレード本体に対して２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下であることが好ましい。
【0019】
本発明の切断用ブレードによれば、硼化チタン（ＴｉＢ２）を含んだフィラー全体の含有率が、ブレード本体に対して２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下であるので、適度な結合力が確保されて砥粒が脱落するのを抑制することができる。
なお、フィラーの含有率を２０％以上とすることは、レジンボンド相に充分な結合力を持たせて砥粒及びフィラーがブレード本体から脱落するのを抑制することが可能となり、長時間にわたって高品位な切断を維持することができる。
その結果、脆性材料を長時間にわたって高品位に切断することができる。
一方、フィラーの含有率が５０％を超えると、レジンボンド相の結合力が低下して、砥粒が脱落しやすくなり、加工性能及び耐摩耗性が低下することから、フィラーの含有率はブレード本体に対して５０ｖｏｌ％以下とするのが好適である。
なお、フィラーの含有率を２０％以上とすることは、レジンボンド相に充分な結合力を持たせて砥粒及びフィラーがブレード本体から脱落するのを抑制することが可能となり、長時間にわたって高品位な切断を維持することができる。
その結果、脆性材料を長時間にわたって高品位に切断することができる。
一方、フィラーの含有率が５０％を超えると、レジンボンド相の結合力が低下して、砥粒が脱落しやすくなり、加工性能及び耐摩耗性が低下することから、フィラーの含有率はブレード本体に対して５０ｖｏｌ％以下とするのが好適である。
【0020】
（３）上記（１）又は（２）に記載の切断用ブレードは、前記硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーの平均粒径は１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【0021】
本発明の切断用ブレードによれば、硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーの平均粒径が１μｍ以上１５μｍ以下であるので、ブレード本体において、砥粒がレジンボンド相に対して充分に分散される。
その結果、充分な耐久性が確保されて良好な加工性能を得ることができる。
硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーの平均粒径を１μｍ以上とすることは、ファイラーが安定的に入手可能となり、安定した品質の切断用ブレードを製造することができる。また、平均粒径を１５μｍよりも大きくすることは、ブレード本体に砥粒を充分に分散させるのが難しくなり、充分な加工性能を安定して確保するのが容易ではなくなることから好ましくない。
その結果、充分な耐久性が確保されて良好な加工性能を得ることができる。
硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーの平均粒径を１μｍ以上とすることは、ファイラーが安定的に入手可能となり、安定した品質の切断用ブレードを製造することができる。また、平均粒径を１５μｍよりも大きくすることは、ブレード本体に砥粒を充分に分散させるのが難しくなり、充分な加工性能を安定して確保するのが容易ではなくなることから好ましくない。
【発明の効果】
【0022】
本発明に係る切断用ブレードによれば、フィラーが硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーを含んでいるので、レジンボンド相から砥粒が脱落するのが抑制され、寿命近くになっても脆性材料を長時間にわたって高品位に切断することができる。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】本発明の一実施形態に係る切断用ブレードの概略構成を説明する側面図である。
【図4】本発明の切断用ブレードに係る実施例における評価事項の概略を説明する概念図であり、（Ａ）は評価対象の概略構成を、（Ｂ）は評価項目の定義を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下、図１～図３を参照して、本発明の一実施形態に係る切断用ブレードについて説明する。図１は本発明の一実施形態に係る切断用ブレードの概略構成を説明する側面図であり、図２は切断用ブレードの概略構成を説明する図１に矢視II－IIで示す断面図である。また、図３は、切断用ブレードの概略構成を説明する図２にIIIで示す部分の拡大図である。
【0025】
図１～図３において、符号１００は切断用ブレードを、符号１０はブレード本体を、符号１１は外周面を、符号１１Ａは切れ刃を、符号２０はレジンボンド相を、符号３０は超砥粒（砥粒）を、符号４０フィラーを示している。
【0026】
一実施形態に係る切断用ブレード１００は、図１、図２に示すように、例えば、軸線Ｏの廻りに回転されるブレード本体１０が切れ刃１１Ａによって被切断材（不図示）を切断する切断用ブレードである。
また、切断用ブレード１００は、半導体デバイス（電子材料部品）に用いられる例えばガラス、セラミックス、石英等の脆性材料（硬脆材料）を被切断材とした精密切断加工に使用される。
また、切断用ブレード１００は、半導体デバイス（電子材料部品）に用いられる例えばガラス、セラミックス、石英等の脆性材料（硬脆材料）を被切断材とした精密切断加工に使用される。
【0027】
また、切断用ブレード１００は、特に図示しないが、そのブレード本体１０がフランジを介して切断装置の主軸に取り付けられ、該ブレード本体１０の中心軸Ｏの回りに回転されつつ該中心軸Ｏに垂直な方向（例えば、高さ方向）に移動されることにより、このブレード本体１０においてフランジより径方向外側に突出された外周縁部の切れ刃１１Ａで被切断材を切断する。
ここで、本明細書においては、ブレード本体１０の中心軸Ｏ方向に沿う方向を幅方向といい、中心軸Ｏに直交する方向を径方向といい、中心軸Ｏ回りに周回する方向を周方向という場合がある。
ここで、本明細書においては、ブレード本体１０の中心軸Ｏ方向に沿う方向を幅方向といい、中心軸Ｏに直交する方向を径方向といい、中心軸Ｏ回りに周回する方向を周方向という場合がある。
【0028】
なお、図２においては説明のため、ブレード本体１０の厚さが実際より厚く示されている。また、ブレード本体１０の径方向の中央部（中心軸Ｏ上）には、中心軸Ｏを中心とし、ブレード本体１０を幅方向に貫通する円形状の取付孔１３が形成されている。このため、ブレード本体１０は具体的には円環板状をなしている。すなわち、本明細書でいう「円形板状をなすブレード本体１０」には、円環板状であることも含まれる趣旨である。
【0029】
切断用ブレード１００は、図１、図２に示すように、例えば、円板状に形成され樹脂からなるレジンボンド相２０と、レジンボンド相２０に分散される超砥粒３０と、レジンボンド相２０に分散されフィラー４０と、レジンボンド相２０の外周部に配置される切れ刃１１Ａと、を備えている。
切断用ブレード１００の寸法については任意に設定することが可能であるが、この実施形態において、切断用ブレード１００は、例えば、外径φ５６ｍｍ、内径（取付孔の直径）φ４０ｍｍ、厚さｔ０．１５ｍｍ（例えば、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下）に設定されている。
切断用ブレード１００の寸法については任意に設定することが可能であるが、この実施形態において、切断用ブレード１００は、例えば、外径φ５６ｍｍ、内径（取付孔の直径）φ４０ｍｍ、厚さｔ０．１５ｍｍ（例えば、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下）に設定されている。
【0030】
ブレード本体１０の切れ刃１１Ａは、図３に示すように、該ブレード本体１０の厚さと等しい極小さな幅とされたブレード本体１０の外周面１１と、該ブレード本体１０の幅方向を向く両側面１２の外周縁部と、これら側面１２の外周縁部と前記外周面１１との交差稜線をなすエッジ部と、によって形成されている。
【0031】
レジンボンド相２０は、例えば、レジンボンド相２０は、例えばフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂製である。図１および図２に示すように、レジンボンド相２０は、中心軸Ｏを中心とする円環板状である。すなわち、本実施形態でいう上記「円板状のレジンボンド相２０」の円板状には、円板の中央に孔を有する円環板状が含まれる。
【0032】
レジンボンド相２０は、取付孔１３を有する。取付孔１３は、レジンボンド相２０の中心軸Ｏ上に位置する。取付孔１３は、レジンボンド相２０を厚さ方向に貫通する。つまり取付孔１３は、レジンボンド相２０の厚さ方向を向く一対の側面１２に開口する。取付孔１３は、中心軸Ｏを中心とする円孔状である。
【0033】
レジンボンド相２０の厚さ方向の寸法（（以下厚さという）は、例えば、０．１５ｍｍ（例えば、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下）である。
切れ刃１１Ａは、中心軸Ｏを中心とする環状である。切れ刃１１Ａは、レジンボンド相２０の外周面に配置される。切れ刃１１Ａは、レジンボンド相２０の厚さと同じ寸法の刃幅を有する。
切れ刃１１Ａは、中心軸Ｏを中心とする環状である。切れ刃１１Ａは、レジンボンド相２０の外周面に配置される。切れ刃１１Ａは、レジンボンド相２０の厚さと同じ寸法の刃幅を有する。
【0034】
砥粒３０は、例えば、ダイヤモンド及びｃＢＮのいずれかからなる。ただし、砥粒３０として、上記ダイヤモンド、ｃＢＮ以外の硬質材料（ただし、レジンボンド相２０よりも硬質の材料）を用いてもよい。また、砥粒３０の平均粒径は、例えば０．５～１００μｍとされている。また、ブレード本体１０全体の体積に対する砥粒３０の体積の割合（砥粒３０の含有率）は、例えば、２．５～３５％である。尚、特に図示しないが、砥粒３０の外面（表面）には、例えばＴｉ等の金属材料が被覆されていてもよい。
【0035】
上記「平均粒径」とは、多数の超砥粒３０の粒径の平均値を表しており、例えば、ある粒径範囲をもった超砥粒３０をＭｉｃｒｏｔｒａｃ社（登録商標）製の型式ＭＴ３３００ＥＸII－ＳＤＣ等により測定し、平均粒径をメッシュサイズに基づく粒度表示（ＪＩＳ Ｂ ４１３０：１９９８を参照）により算出する等の方法が取られる。
また、レジンボンド相２０には、超砥粒３０の他に、フィラー４０が分散されている。
また、レジンボンド相２０には、超砥粒３０の他に、フィラー４０が分散されている。
【0036】
そして、本実施形態のフィラー４０は、すべて粒体又は粉体等からなる粒子状の硼化チタン（ＴｉＢ２）から構成されている。なお、硼化チタン（ＴｉＢ２）は粒子状に形成されていればよく、形状については特に限定されない。
硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラー４０の平均粒径は任意に設定することが可能であるが、例えば、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好適である。この実施形態において、硼化チタン（ＴｉＢ２）の平均粒径は、例えば、５μｍとされている。
硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラー４０の平均粒径は任意に設定することが可能であるが、例えば、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好適である。この実施形態において、硼化チタン（ＴｉＢ２）の平均粒径は、例えば、５μｍとされている。
【0037】
硼化チタン（ＴｉＢ２）の平均粒径を１μｍ以上とするのは、安定的に入手することが可能となり、安定した品質の切断用ブレードを製造することができるからである。また、平均粒径を１５μｍよりも大きくするとブレード本体に砥粒を充分に分散させるのが難しくなり、その結果、充分な加工性能を安定して確保するのが容易でなくなることから平均粒径１５μｍ以下とすることが望ましい。なお、硼化チタン（ＴｉＢ２）の平均粒径を１μｍ未満としても特に問題はなく、その点で、硼化チタン（ＴｉＢ２）の平均粒径は、例えば、１５μｍ以下であればよい。
【0038】
また、ブレード本体１０全体の体積に対する硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラー４０の含有率（ｖｏｌ％）（体積割合）は任意に設定することが可能であり、例えば、２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下が好適である。また、硼化チタン（ＴｉＢ２）の含有率は、３０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下であることがより好適である。
この実施形態において、硼化チタン（ＴｉＢ２）の含有率は、例えば、３５ｖｏｌ％とされている。
この実施形態において、硼化チタン（ＴｉＢ２）の含有率は、例えば、３５ｖｏｌ％とされている。
【0039】
一実施形態に係る切断用ブレード１００によれば、ブレード本体１０が、フェノール樹脂からなるレジンボンド相２０と、レジンボンド相２０に分散される超砥粒３０と、レジンボンド相２０に分散されフィラー４０とを備えていて、フィラー４０が硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーを含んでいるので、レジンボンド相２０から超砥粒３０が脱落するのが抑制され、長時間にわたって耐摩耗性が維持される。
その結果、一実施形態に係る切断用ブレード１００によれば、脆性材料を長時間にわたって高品位（加工品に）に切断することができる。すなわち、寿命近くになっても脆性材料を高品位に切断することができ長寿命を実現することができる。
その結果、一実施形態に係る切断用ブレード１００によれば、脆性材料を長時間にわたって高品位（加工品に）に切断することができる。すなわち、寿命近くになっても脆性材料を高品位に切断することができ長寿命を実現することができる。
【0040】
また、一実施形態に係る切断用ブレード１００によれば、硼化チタン（ＴｉＢ２）は耐水性が優れているので、水をかけながら被切断材を切断しても、レジンボンド相２０から超砥粒３０や硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラー４０が脱落するのが抑制され長時間にわたって被切断材を高品位に切断することができる。
【0041】
また、一実施形態に係る切断用ブレード１００によれば、硼化チタン（ＴｉＢ２）によりブレード本体１０に導電性を付与することができるので、電子材料部品を切断する切断装置において、そのゼロ点検知を正確に行うことができる。
また、切断用ブレード１００によれば、カーボンを混入することなく導電性を付与することができるので、カーボン添加による砥粒脱落が生じることがなく、長時間にわたって耐摩耗性を維持して高品位に切断することができる。
また、切断用ブレード１００によれば、カーボンを混入することなく導電性を付与することができるので、カーボン添加による砥粒脱落が生じることがなく、長時間にわたって耐摩耗性を維持して高品位に切断することができる。
【0042】
また、一実施形態に係る切断用ブレード１００によれば、ブレード本体１０に対する硼化チタン（ＴｉＢ２）の含有率が３５ｖｏｌ％に設定されているので、適度な結合力が確保されて砥粒が脱落するのを抑制することができる。
【0043】
以上のように、一実施形態に係る切断用ブレード１００によれば切断する際に水を用いても、長時間にわたって耐摩耗性が維持されて、被切断材を切断する際の切断抵抗が低減されて被切断材の裏面角欠け（角欠け）やチッピング等が抑制され、高品位な切断加工を安定して維持することができる。また、工具寿命を長くすることができる。
【0044】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、下記に例示するように、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えて任意に実施することが可能である。
【0045】
例えば、上記実施形態においては、レジンボンド相２０に分散されるフィラー４０がすべて硼化チタン（ＴｉＢ２）である場合について説明したが、フィラー４０の中に少なくとも硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーが含まれていればよく、フィラー４０として硼化チタン（ＴｉＢ２）以外の物質を含めるかどうかは任意に設定することが可能である。例えば、硼化チタン（ＴｉＢ２）に加えてＳｉＣやＡｌ２Ｏ３等（１種類又は複数種類）をレジンボンド相２０に分散してもよい。
【0046】
また、上記実施形態においては、硼化チタン（ＴｉＢ２）の平均粒径が５μｍ以上２０μｍ以下である場合について説明したが、硼化チタン（ＴｉＢ２）の平均粒径を５μｍよりも小さく設定してもよいし２０μｍよりも大きく設定してもよい。
【0047】
また、上記実施形態においては、ブレード本体１０に対する硼化チタン（ＴｉＢ２）の含有量が２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下である場合について説明したが、ブレード本体１０に対する含有量を２０ｖｏｌ％未満、又は５０ｖｏｌ％より高く設定してもよい。
【0048】
また、上記実施形態においては、砥粒３０がダイヤモンド超砥粒である場合について説明したが、砥粒３０については任意に設定することが可能であり、例えば、ダイヤモンド超砥粒に代えてｃＢＮ等他の砥粒をレジンボンド相２０に分散されてもよい。
また、砥粒の平均粒径、含有量については任意に設定することが可能である。
また、砥粒の平均粒径、含有量については任意に設定することが可能である。
【0049】
また、上記実施形態においては、レジンボンド相２０を構成する樹脂がフェノール樹脂である場合について説明したが、レジンボンド相２０を構成する樹脂については任意に設定することが可能であり、フェノール樹脂に代えて、例えば、ポリイミド等を用いてもよい。
【0050】
また、上記実施形態においては、切断用ブレード１００が外径：φ５６ｍｍ、内径（取付孔の直径）：４０ｍｍ、厚さ：０．１５ｍｍに形成されている場合について説明したが、切断用ブレード１００が外径、内径、厚さについては任意に設定してもよい。
【0051】
また、前述の実施形態では、切断用ブレード１００が、被切断材として例えばガラス、石英（セラミックス）等の硬脆材料の切断に使用される場合について説明したが、例えば、ＱＦＮ（ｑｕａｄｆｌａｔｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄｐａｃｋａｇｅ）やＩｒＤＡ（赤外線データ通信協会）規格の光伝送モジュールやそれ以外の電子部品材料を被切断材として切断するのに用いてもよい。
【0052】
その他、本発明の趣旨から逸脱しない範囲において、前述の実施形態、変形例及び尚書き等で説明した各構成（構成要素）を組み合わせてもよく、また、構成の付加、省略、置換、その他の変更が可能である。また本発明は、前述した実施形態によって限定されるものではない。
【実施例0053】
以下、図４、及び表１～表６を参照して、硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラーの平均粒径（実施例１）と、硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラーの含有率（実施例２）が、被切断材の加工品位に与える影響について説明する。ただし、本実施例は一例を示すものであり、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【0054】
図４は、本発明の切断用ブレードに
係る実施例における評価事項の概略を説明する概念図であり、図４（Ａ）は、評価対象の概略構成を、図４（Ｂ）は、評価項目の定義を示している。図４において、符号Ｗは被切断材を、符号Ａは裏面角欠けを、符号Ｂは表面チッピング、符号Ｃは裏面チッピングを示している。また、符号ＬＡ１、ＬＡ２は裏面角欠けの切断方向及び切断直交方向の寸法を、符号ＬＢは表面チッピングのチッピングサイズ（寸法）（以下、表面チッピングサイズという）を、符号ＬＣは裏面チッピングのチッピングサイズ（寸法）（以下、裏面チッピングサイズという）を示している。
係る実施例における評価事項の概略を説明する概念図であり、図４（Ａ）は、評価対象の概略構成を、図４（Ｂ）は、評価項目の定義を示している。図４において、符号Ｗは被切断材を、符号Ａは裏面角欠けを、符号Ｂは表面チッピング、符号Ｃは裏面チッピングを示している。また、符号ＬＡ１、ＬＡ２は裏面角欠けの切断方向及び切断直交方向の寸法を、符号ＬＢは表面チッピングのチッピングサイズ（寸法）（以下、表面チッピングサイズという）を、符号ＬＣは裏面チッピングのチッピングサイズ（寸法）（以下、裏面チッピングサイズという）を示している。
【0055】
裏面角欠けＡとは、図４（Ａ）に示すように、矩形状に切り出されたチップ（被加工材）の角部に形成された角欠けである。
また、裏面角欠けＡの大きさ（寸法）は、図４（Ｂ）に示すように、切断方向における寸法ＬＡ１、切断直交方向における寸法ＬＡ２で表される。
また、裏面角欠けＡの大きさ（寸法）は、図４（Ｂ）に示すように、切断方向における寸法ＬＡ１、切断直交方向における寸法ＬＡ２で表される。
【0056】
また、表面チッピングＢは、図４（Ａ）に示すように、切断加工によって、チップ（被加工材）の表面に生じたカーフ端面からチップ表面に沿って内方に向かって生じたチッピングである。
また、表面チッピングサイズＬＢは、図４（Ｂ）に示すように、チップ（被加工材）に生じた表面チッピングのカーフ端面から表面チッピングＢの先端部分までの大きさ（寸法）である。
また、表面チッピングサイズＬＢは、図４（Ｂ）に示すように、チップ（被加工材）に生じた表面チッピングのカーフ端面から表面チッピングＢの先端部分までの大きさ（寸法）である。
【0057】
また、同様に、裏面チッピングＣは、図４（Ａ）に示すように、切断加工によって、チップ（被加工材）の表面に生じたカーフ端面からチップ裏面に沿って内方に向かって生じたチッピングである。
また、裏面チッピングサイズＬＣは、図４（Ｂ）に示すように、チップ（被加工材）に生じた裏面チッピングのカーフ端面から裏面チッピングＣの先端部分までの大きさ（寸法）である。
また、裏面チッピングサイズＬＣは、図４（Ｂ）に示すように、チップ（被加工材）に生じた裏面チッピングのカーフ端面から裏面チッピングＣの先端部分までの大きさ（寸法）である。
【0058】
＜実施例１＞
（１）硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラーの平均粒径による切断品位への影響
実施例１では、レジンボンド相２０にフィラーとして分散される硼化チタン（ＴｉＢ２）の平均粒径を変化させて、平均粒径と切断品位（裏面角欠けの有無又は寸法、裏面チッピングの有無、又はそれらの寸法）、主軸電流値（切断抵抗の大きさ）との関係について確認した。
（１）硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラーの平均粒径による切断品位への影響
実施例１では、レジンボンド相２０にフィラーとして分散される硼化チタン（ＴｉＢ２）の平均粒径を変化させて、平均粒径と切断品位（裏面角欠けの有無又は寸法、裏面チッピングの有無、又はそれらの寸法）、主軸電流値（切断抵抗の大きさ）との関係について確認した。
【0059】
具体的には、粒度＃６００のダイヤモンドからなる砥粒３０がレジンボンド相２０に分散された、外径：φ５６ｍｍ、内径（取付孔の直径）：４０ｍｍ、厚さ：０．１５ｍｍのブレード本体１０を有する切断用ブレード１００を用いて切断試験を実施した。
これら切断用ブレードのうち、硼化チタン（ＴｉＢ２）のフィラー４０を混入させなかったものを比較例（ベースブレード）とした。
また、フィラー４０として、硼化チタン（ＴｉＢ２）を分散させたものを本発明例１～６とした。実施例１では、フィラー４０として硼化チタン（ＴｉＢ２）のみを使用した。
これら切断用ブレードのうち、硼化チタン（ＴｉＢ２）のフィラー４０を混入させなかったものを比較例（ベースブレード）とした。
また、フィラー４０として、硼化チタン（ＴｉＢ２）を分散させたものを本発明例１～６とした。実施例１では、フィラー４０として硼化チタン（ＴｉＢ２）のみを使用した。
【0060】
実施例１で評価した比較例、本発明例１～６における、硼化チタン（ＴｉＢ２）の平均粒径は、以下に示すとおりである。
比較例 ： ベースブレード（＃６００レジンブレード（５６Ｄ/４０Ｈ／０．１５）
本発明例１ ： ベースブレード ＋ 硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラー（１μｍ）
本発明例２ ： ベースブレード ＋ 硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラー（５μｍ） 本発明例３ ： ベースブレード ＋ 硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラー（１０μｍ）
本発明例４ ： ベースブレード ＋ 硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラー（１５μｍ）
本発明例５ ： ベースブレード ＋ 硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラー（２０μｍ）
本発明例６ ： ベースブレード ＋ 硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラー（３０μｍ）
本発明例１～６におけるフィラー４０の含有量は、ブレード本体１０に対して体積比率で３５ｖｏｌ％に設定した。
比較例 ： ベースブレード（＃６００レジンブレード（５６Ｄ/４０Ｈ／０．１５）
本発明例１ ： ベースブレード ＋ 硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラー（１μｍ）
本発明例２ ： ベースブレード ＋ 硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラー（５μｍ） 本発明例３ ： ベースブレード ＋ 硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラー（１０μｍ）
本発明例４ ： ベースブレード ＋ 硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラー（１５μｍ）
本発明例５ ： ベースブレード ＋ 硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラー（２０μｍ）
本発明例６ ： ベースブレード ＋ 硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラー（３０μｍ）
本発明例１～６におけるフィラー４０の含有量は、ブレード本体１０に対して体積比率で３５ｖｏｌ％に設定した。
【0061】
ここで、ベースブレードは、フェノール樹脂からなるレジンボンド相２０に、超砥粒（砥粒）３０として、＃６００のダイヤモンド超砥粒を分散させたレジンブレードである。なお、ブレード本体に対するダイヤモンド超砥粒の含有率は１２．５ｖｏｌ％である。
【0062】
また、切断条件は、以下のとおりである。
〔切断条件〕
ワーク（被切断材）：石英（１００ｍｍ×１００ｍｍ×ｔ０．５ｍｍ）
フランジ：φ４９．６ｍｍ
主軸回転数：２００００ｍｉｎ－１
送り速度：５ｍｍ／ｓｅｃ
〔切断条件〕
ワーク（被切断材）：石英（１００ｍｍ×１００ｍｍ×ｔ０．５ｍｍ）
フランジ：φ４９．６ｍｍ
主軸回転数：２００００ｍｉｎ－１
送り速度：５ｍｍ／ｓｅｃ
【0063】
そして、被切断材Ｗを切断して得られたチップに関して、切断されたチップの矩形形状の四隅の角部のいずれか一か所の裏面角欠けＡの有無、裏面角欠けＡがある場合は、裏面角欠けＡの切断方向寸法ＬＡ１、切断直行寸法ＬＡ２のうち、大きいほうの寸法を記載した。
また、裏面チッピングＣが複数ある場合は、裏面チッピングＣのうち、最も大きいチッピングサイズ（寸法）ＬＣを記載した。
また、切断抵抗を示すものとして、切断加工時の主軸電流値について確認した。
ここで、実施例１では、チップ（被切断材）が石英であることから、裏面チッピングサイズＬＣ＞表面チッピングサイズＬＢとなることが一般的であり、裏面チッピングサイズＬＣについてのみ確認した。
また、裏面チッピングＣが複数ある場合は、裏面チッピングＣのうち、最も大きいチッピングサイズ（寸法）ＬＣを記載した。
また、切断抵抗を示すものとして、切断加工時の主軸電流値について確認した。
ここで、実施例１では、チップ（被切断材）が石英であることから、裏面チッピングサイズＬＣ＞表面チッピングサイズＬＢとなることが一般的であり、裏面チッピングサイズＬＣについてのみ確認した。
【0064】
表１は、実施例１において、切断ブレード用ブレード１００の使用を開始した加工初期（１枚目）における被切断材Ｗの切断品位及び主軸電流値を示している。
表２は、切断加工により切断用ブレード１００が径方向に２ｍｍ摩耗した段階における被切断材Ｗの切断品位及び主軸電流値を示している。
また、表３は、切断用ブレード１００が径方向に２ｍｍ摩耗した段階と、加工初期における被切断材Ｗの切断品位及び主軸電流値の差を示している。
表２は、切断加工により切断用ブレード１００が径方向に２ｍｍ摩耗した段階における被切断材Ｗの切断品位及び主軸電流値を示している。
また、表３は、切断用ブレード１００が径方向に２ｍｍ摩耗した段階と、加工初期における被切断材Ｗの切断品位及び主軸電流値の差を示している。
【0065】
以下、表１～表３を参照して、実施例１における硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラーの平均粒度に関する切断試験結果について説明する。
実施例１の切断試験結果は、表１～表３に示すとおりである。
実施例１の切断試験結果は、表１～表３に示すとおりである。
【0066】
【表1】
【0067】
【表2】
【0068】
【表3】
【0069】
〔裏面角欠け〕
表１、表２に示すように、比較例では、裏面角欠けが加工初期にはないものの、２ｍｍ摩耗段階では１５０μｍの裏面角欠けが見つかった。
一方、本発明例１～４では、裏面角欠けは発生しなかった。
また、本発明例５では、加工初期は裏面角欠けがないものの、２ｍｍ摩耗段階では３０μｍの裏面角欠けが見つかった。
また、本発明例６では、加工初期に２５μｍの裏面角欠けが生じており、２ｍｍ摩耗段階では裏面角欠けは３３μｍまで成長した。なお、裏面角欠けの一般的な許容基準が３０μｍであることを考慮すると、本発明例６は、許容基準をわずかにオーバーしている。
以上のように、本発明例１～６では、裏面角欠けが小さく抑えられており、良好な加工品位が確保されている。
表１、表２に示すように、比較例では、裏面角欠けが加工初期にはないものの、２ｍｍ摩耗段階では１５０μｍの裏面角欠けが見つかった。
一方、本発明例１～４では、裏面角欠けは発生しなかった。
また、本発明例５では、加工初期は裏面角欠けがないものの、２ｍｍ摩耗段階では３０μｍの裏面角欠けが見つかった。
また、本発明例６では、加工初期に２５μｍの裏面角欠けが生じており、２ｍｍ摩耗段階では裏面角欠けは３３μｍまで成長した。なお、裏面角欠けの一般的な許容基準が３０μｍであることを考慮すると、本発明例６は、許容基準をわずかにオーバーしている。
以上のように、本発明例１～６では、裏面角欠けが小さく抑えられており、良好な加工品位が確保されている。
【0070】
また、表３に示すように、加工初期の状態に対する切断用ブレード１００が２ｍｍ摩耗した段階の差が、比較例では１５０μｍであるが、本発明例１～５では０～３０μｍであり、本発明例６では８μｍである。したがって、本発明例１～６では、加工初期から２ｍｍ摩耗時に移行する際の変化量が非常に小さく、寿命近くになっても高品位な切断が可能であることがわかる。
【0071】
裏面角欠けの許容基準が３０μｍであることを考慮すると、本発明例では、２ｍｍ摩耗段階の切断品位が確保されていないことになるが、寿命の基準を短縮するか、切断条件を見直せば、許容基準を充分に満足できると推測される。
したがって、本発明例１～６の切断用ブレードは、長時間切断した場合の加工品位が比較例に比べて大幅に改善していることがわかる。
したがって、本発明例１～６の切断用ブレードは、長時間切断した場合の加工品位が比較例に比べて大幅に改善していることがわかる。
【0072】
〔裏面チッピング〕
表１、表２に示すように、比較例では、裏面チッピングサイズが加工初期で１１μｍ、２ｍｍ摩耗段階では２５μｍであった。
一方、本発明例１～６では、加工初期は裏面チッピングサイズが７～２０μｍ、２ｍｍ摩耗段階では最大チッピングサイズが８～１８μｍであった。
以上のように、比較例では、加工初期は裏面チッピングサイズは小さいが、２ｍｍ摩耗段階では裏面チッピングサイズが２５μｍと大きかった。また、本発明例１～６では、加工初期、２ｍｍ摩耗段階の裏面チッピングサイズがそれぞれ２０μｍ、１８μｍであり、裏面チッピングサイズが小さく抑えられ、良好な加工品位が確保されることが分かった。
また、表３に示すように、加工初期の状態に対する切断用ブレード１００が２ｍｍ摩耗した段階の差が、比較例では１４μｍであるが、本発明例１～６では－２～２μｍであり、本発明例１～６は、比較例に比べて、寿命近くになっても切断品位に大きな変化がなく、切断品位が大幅に向上していることが確認できた。
表１、表２に示すように、比較例では、裏面チッピングサイズが加工初期で１１μｍ、２ｍｍ摩耗段階では２５μｍであった。
一方、本発明例１～６では、加工初期は裏面チッピングサイズが７～２０μｍ、２ｍｍ摩耗段階では最大チッピングサイズが８～１８μｍであった。
以上のように、比較例では、加工初期は裏面チッピングサイズは小さいが、２ｍｍ摩耗段階では裏面チッピングサイズが２５μｍと大きかった。また、本発明例１～６では、加工初期、２ｍｍ摩耗段階の裏面チッピングサイズがそれぞれ２０μｍ、１８μｍであり、裏面チッピングサイズが小さく抑えられ、良好な加工品位が確保されることが分かった。
また、表３に示すように、加工初期の状態に対する切断用ブレード１００が２ｍｍ摩耗した段階の差が、比較例では１４μｍであるが、本発明例１～６では－２～２μｍであり、本発明例１～６は、比較例に比べて、寿命近くになっても切断品位に大きな変化がなく、切断品位が大幅に向上していることが確認できた。
【0073】
〔主軸電流値〕
表１、表２に示すように、比較例では、主軸電流値が加工初期に２．５Ａであるが、２ｍｍ摩耗段階には３．３Ａである。したがって、比較例では、加工初期に比較して２ｍｍ摩耗時に主軸電流値が０．８Ａ増加している。
一方、本発明例１～６では、加工初期の主軸電流値は２．３～３．１Ａであり、２ｍｍ摩耗時には主軸電流値は２．３～３．１Ａである。本発明例５は、加工初期、２ｍｍ摩耗時の主軸電流値がともに３．１Ａと大きいものの加工初期から径方向に２ｍｍ摩耗した際に変化はしておらず切断抵抗は維持されている。
すなわち、比較例では切断ブレードの切断抵抗が大幅に増加しているのに対して、本発明例５は維持されており、寿命近くになっても切断抵抗が大きく変化しないことが確認できた。
また、主軸電流値（切断抵抗）の変化の許容範囲を０．５Ａとした場合、比較例は不適合であるといえる。
以上のように、本発明例１～６は、２ｍｍ摩耗段階の切断抵抗が、比較例に比較して小さく、しかも切断抵抗の変化が小さいことから、耐摩耗性が大幅に改善していることがうかがえる。
表１、表２に示すように、比較例では、主軸電流値が加工初期に２．５Ａであるが、２ｍｍ摩耗段階には３．３Ａである。したがって、比較例では、加工初期に比較して２ｍｍ摩耗時に主軸電流値が０．８Ａ増加している。
一方、本発明例１～６では、加工初期の主軸電流値は２．３～３．１Ａであり、２ｍｍ摩耗時には主軸電流値は２．３～３．１Ａである。本発明例５は、加工初期、２ｍｍ摩耗時の主軸電流値がともに３．１Ａと大きいものの加工初期から径方向に２ｍｍ摩耗した際に変化はしておらず切断抵抗は維持されている。
すなわち、比較例では切断ブレードの切断抵抗が大幅に増加しているのに対して、本発明例５は維持されており、寿命近くになっても切断抵抗が大きく変化しないことが確認できた。
また、主軸電流値（切断抵抗）の変化の許容範囲を０．５Ａとした場合、比較例は不適合であるといえる。
以上のように、本発明例１～６は、２ｍｍ摩耗段階の切断抵抗が、比較例に比較して小さく、しかも切断抵抗の変化が小さいことから、耐摩耗性が大幅に改善していることがうかがえる。
【0074】
以上のことから、硼化チタン（ＴｉＢ２）の平均粒径については、本発明例１～６の範囲において、裏面角欠け、裏面チッピング、主軸電流値（切断抵抗）のいずれに関しても良好であり、硼化チタン（ＴｉＢ２）からなるフィラーの平均粒径を５μｍ以上３０μｍ以下とすることで、格別な効果を奏することが確認できた。
【0075】
＜実施例２＞
硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラーの含有率による切断品位への影響
実施例２では、レジンボンド相２０にフィラーとして分散された硼化チタン（ＴｉＢ２）のブレード本体１０に対する体積の割合（含有率（体積比率））を変化させて、硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラーの含有率と切断品位（チップの裏面角欠け、表面チッピングサイズ、裏面チッピングサイズ、主軸電流値（切断抵抗）の関係について確認した。
硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラーの含有率による切断品位への影響
実施例２では、レジンボンド相２０にフィラーとして分散された硼化チタン（ＴｉＢ２）のブレード本体１０に対する体積の割合（含有率（体積比率））を変化させて、硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラーの含有率と切断品位（チップの裏面角欠け、表面チッピングサイズ、裏面チッピングサイズ、主軸電流値（切断抵抗）の関係について確認した。
【0076】
具体的には、粒度＃８００のダイヤモンドからなる砥粒３０がレジンボンド相２０に分散された、外径：φ５６ｍｍ、内径（取付孔の直径）：４０ｍｍ、厚さ：０．１ｍｍのブレード本体１０を有する切断用ブレード１００を用いて切断試験を実施した。
これら切断用ブレードのうち、硼化チタン（ＴｉＢ２）のフィラー４０を混入させなかったものを比較例（ベースブレード）とした。
また、フィラー４０として、硼化チタン（ＴｉＢ２）を分散させたものを本発明例７～１２とした。
そして、本発明例７～１２における、ブレード本体１０全体の体積に対するフィラー４０の体積の割合（フィラー４０の含有率）は１５～６０ｖｏｌ％とした。
具体的な含有量は以下に示すとおりである。
この実施例では、フィラー４０として硼化チタン（ＴｉＢ２）のみを使用した。
これら切断用ブレードのうち、硼化チタン（ＴｉＢ２）のフィラー４０を混入させなかったものを比較例（ベースブレード）とした。
また、フィラー４０として、硼化チタン（ＴｉＢ２）を分散させたものを本発明例７～１２とした。
そして、本発明例７～１２における、ブレード本体１０全体の体積に対するフィラー４０の体積の割合（フィラー４０の含有率）は１５～６０ｖｏｌ％とした。
具体的な含有量は以下に示すとおりである。
この実施例では、フィラー４０として硼化チタン（ＴｉＢ２）のみを使用した。
【0077】
比較例 ： ベースブレード（＃８００レジンブレード（５６Ｄ/４０Ｈ／０．１ｔ）
本発明例７ ： ベースブレード ＋ フィラー含有率１５ｖｏｌ％
本発明例８ ： ベースブレード ＋ フィラー含有率２０ｖｏｌ％
本発明例９ ： ベースブレード ＋ フィラー含有率３０ｖｏｌ％
本発明例１０ ： ベースブレード ＋ フィラー含有率４０ｖｏｌ％
本発明例１１ ： ベースブレード ＋ フィラー含有率５０ｖｏｌ％
本発明例１２ ： ベースブレード ＋ フィラー含有率６０ｖｏｌ％
本発明例７～１２のフィラー４０の平均粒径は５μｍとした。
本発明例７ ： ベースブレード ＋ フィラー含有率１５ｖｏｌ％
本発明例８ ： ベースブレード ＋ フィラー含有率２０ｖｏｌ％
本発明例９ ： ベースブレード ＋ フィラー含有率３０ｖｏｌ％
本発明例１０ ： ベースブレード ＋ フィラー含有率４０ｖｏｌ％
本発明例１１ ： ベースブレード ＋ フィラー含有率５０ｖｏｌ％
本発明例１２ ： ベースブレード ＋ フィラー含有率６０ｖｏｌ％
本発明例７～１２のフィラー４０の平均粒径は５μｍとした。
【0078】
ここで、ベースブレードは、フェノール樹脂からなるレジンボンド相２０に、超砥粒（砥粒）３０として、＃８００のダイヤモンド超砥粒を分散させたレジンブレードである。なお、ブレード本体に対するダイヤモンド超砥粒の平均粒径は５μｍである。
【0079】
切断条件は、以下のとおりである。
〔切断条件〕
ワーク（被切断材）：アルカリガラス（１００ｍｍ×１００ｍｍ×ｔ０．５ｍｍ）
フランジ：φ５２ｍｍ
主軸回転数：１５０００ｍｉｎ－１
送り速度：１０ｍｍ／ｓｅｃ
〔切断条件〕
ワーク（被切断材）：アルカリガラス（１００ｍｍ×１００ｍｍ×ｔ０．５ｍｍ）
フランジ：φ５２ｍｍ
主軸回転数：１５０００ｍｉｎ－１
送り速度：１０ｍｍ／ｓｅｃ
【0080】
そして、被切断材Ｗを切断して得られたチップに関して、切断されたチップの矩形形状の四隅の角部のいずれか一か所の裏面角欠けＡの有無、裏面角欠けＡがある場合は、裏面角欠けＡの切断方向寸法ＬＡ１、切断直行寸法ＬＡ２のうち、大きいほうの寸法を記載した。
また、表面チッピングＢが複数ある場合は、表面チッピングＢのうち、最も大きい表面チッピングサイズ（寸法）ＬＢを記載した。
また、裏面チッピングＣが複数ある場合は、裏面チッピングＣのうち、最も大きい裏面チッピングサイズ（寸法）ＬＣを記載した。
また、切断抵抗を示すものとして、切断加工時の主軸電流値について確認した。
ここで、実施例２では、チップ（被切断材）がアルカリガラスであることから、裏面チッピングサイズＬＣ＞表面チッピングサイズＬＢとは限らないので、表面チッピングサイズＬＢ、裏面チッピングサイズＬＣの双方について確認した。
また、表面チッピングＢが複数ある場合は、表面チッピングＢのうち、最も大きい表面チッピングサイズ（寸法）ＬＢを記載した。
また、裏面チッピングＣが複数ある場合は、裏面チッピングＣのうち、最も大きい裏面チッピングサイズ（寸法）ＬＣを記載した。
また、切断抵抗を示すものとして、切断加工時の主軸電流値について確認した。
ここで、実施例２では、チップ（被切断材）がアルカリガラスであることから、裏面チッピングサイズＬＣ＞表面チッピングサイズＬＢとは限らないので、表面チッピングサイズＬＢ、裏面チッピングサイズＬＣの双方について確認した。
【0081】
表４は、実施例２における切断ブレード１００による加工初期の状態を示す表である。 また、表４は切断加工により切断用ブレード１００が２ｍｍ摩耗した段階における状態を示す表である。また、表６は、加工初期の状態に対する切断用ブレード１００が２ｍｍ摩耗した段階の差を示す表である。
【0082】
【表4】
【0083】
【表5】
【0084】
【表6】
【0085】
以下、表４～表６を参照して、実施例２における硼化チタン（ＴｉＢ２）フィラーの含有率に関する切断試験結果について説明する。
実施例２の切断結果は、表４～表６に示すとおりである。
実施例２の切断結果は、表４～表６に示すとおりである。
【0086】
〔裏面角欠け〕
表４、表５に示すように、比較例では、裏面角欠けが加工初期にはないものの、２ｍｍ摩耗段階では１８０μｍの裏面角欠けが見つかった。
また、本発明例７では、加工初期に５３μｍの裏角欠けが発生し、２ｍｍ摩耗段階では４９μｍの裏角欠けが見つかった。
また、本発明例１２では、加工初期に４１μｍの裏面角欠けが発生し、２ｍｍ摩耗段階で５１μｍの裏角欠けが発生した。
一方、本発明例８～１１では、加工初期、２ｍｍ摩耗段階のいずれにおいても、裏角欠けは発生しなかった。
以上のように、本発明例８～１１では、裏面角欠けがなく、良好な加工品位が確保された。
しかしながら、表６に示すように、本発明例７、１２は、裏面角欠けの大きさがあまり変化しておらず、しかも比較例の１８０μｍと比較すると非常に小さく、本発明例７、１２については、寿命が近づいても加工品位に大きな変化がないことが確認できた。
表４、表５に示すように、比較例では、裏面角欠けが加工初期にはないものの、２ｍｍ摩耗段階では１８０μｍの裏面角欠けが見つかった。
また、本発明例７では、加工初期に５３μｍの裏角欠けが発生し、２ｍｍ摩耗段階では４９μｍの裏角欠けが見つかった。
また、本発明例１２では、加工初期に４１μｍの裏面角欠けが発生し、２ｍｍ摩耗段階で５１μｍの裏角欠けが発生した。
一方、本発明例８～１１では、加工初期、２ｍｍ摩耗段階のいずれにおいても、裏角欠けは発生しなかった。
以上のように、本発明例８～１１では、裏面角欠けがなく、良好な加工品位が確保された。
しかしながら、表６に示すように、本発明例７、１２は、裏面角欠けの大きさがあまり変化しておらず、しかも比較例の１８０μｍと比較すると非常に小さく、本発明例７、１２については、寿命が近づいても加工品位に大きな変化がないことが確認できた。
【0087】
〔表面チッピング〕
表４、表５に示すように、比較例では、表面チッピングサイズが加工初期で２０μｍ、２ｍｍ摩耗段階では３６μｍであった。
以上のように、比較例では、加工初期は表面チッピングサイズが小さいものの、２ｍｍ摩耗段階では約１．８倍に増大した。
一方、本発明例７～１２では、表面チッピングサイズは加工初期に１５～２４μｍ、２ｍｍ摩耗段階に１８～２４μｍであり、一般的な許容基準３０μｍを充分に満足することがわかった。
以上のように、比較例では、加工初期は表面チッピングサイズは小さいが、２ｍｍ摩耗段階では大きく、しかも２ｍｍ摩耗段階での変化率が大きいことが確認できた。
また、本発明例７～１２では、加工初期、２ｍｍ摩耗段階ともに、表面チッピングサイズが小さく抑えられ、寿命近くになっても切断品位に大きな変化がなく、切断品位が大幅に向上していることが確認できた。
表４、表５に示すように、比較例では、表面チッピングサイズが加工初期で２０μｍ、２ｍｍ摩耗段階では３６μｍであった。
以上のように、比較例では、加工初期は表面チッピングサイズが小さいものの、２ｍｍ摩耗段階では約１．８倍に増大した。
一方、本発明例７～１２では、表面チッピングサイズは加工初期に１５～２４μｍ、２ｍｍ摩耗段階に１８～２４μｍであり、一般的な許容基準３０μｍを充分に満足することがわかった。
以上のように、比較例では、加工初期は表面チッピングサイズは小さいが、２ｍｍ摩耗段階では大きく、しかも２ｍｍ摩耗段階での変化率が大きいことが確認できた。
また、本発明例７～１２では、加工初期、２ｍｍ摩耗段階ともに、表面チッピングサイズが小さく抑えられ、寿命近くになっても切断品位に大きな変化がなく、切断品位が大幅に向上していることが確認できた。
【0088】
〔裏面チッピング〕
表４、表５に示すように、比較例では、裏面チッピングサイズが加工初期で３０μｍ、２ｍｍ摩耗段階では６１μｍであった。
以上のように、比較例では、加工初期では、一般的な許容基準３０μｍを満足するものの、２ｍｍ摩耗段階では許容基準３０μｍを満足することができず、しかも２ｍｍ摩耗段階での変化率が約２倍と大きいことが確認できた。
また、本発明例７は、加工初期に２９μｍ、２ｍｍ摩耗段階で３１μｍであり、２ｍｍ摩耗段階では一般的な許容基準３０μｍをわずかに満足していない。
また、本発明例９は、加工初期に３２μｍ、２ｍｍ摩耗段階で３０μｍであり、加工初期に許容基準３０μｍをわずかに満足していない。
また、本発明例１２は、加工初期に３９μｍ、２ｍｍ摩耗段階に４０μｍであり、加工初期、２ｍｍ摩耗段階のいずれにおいても許容基準３０μｍをわずかに満足していない。
一方、本発明例８、１０、１１では、表面チッピングは加工初期に２５～２６μｍ、２ｍｍ摩耗段階で２８μｍ～２９μｍであり、許容基準３０μｍを満足している。
以上のように、比較例では、加工初期は表面チッピングサイズは小さいが、２ｍｍ摩耗段階では大きく、しかも２ｍｍ摩耗段階での変化率が大きいことが確認できた。
また、本発明例７～１２では、加工初期、２ｍｍ摩耗段階ともに、裏面チッピングサイズがわずかに超える場合があるものの、寿命近くになっても切断品位に大きな変化がなく、切断品位が大幅に向上していることが確認できた。
表４、表５に示すように、比較例では、裏面チッピングサイズが加工初期で３０μｍ、２ｍｍ摩耗段階では６１μｍであった。
以上のように、比較例では、加工初期では、一般的な許容基準３０μｍを満足するものの、２ｍｍ摩耗段階では許容基準３０μｍを満足することができず、しかも２ｍｍ摩耗段階での変化率が約２倍と大きいことが確認できた。
また、本発明例７は、加工初期に２９μｍ、２ｍｍ摩耗段階で３１μｍであり、２ｍｍ摩耗段階では一般的な許容基準３０μｍをわずかに満足していない。
また、本発明例９は、加工初期に３２μｍ、２ｍｍ摩耗段階で３０μｍであり、加工初期に許容基準３０μｍをわずかに満足していない。
また、本発明例１２は、加工初期に３９μｍ、２ｍｍ摩耗段階に４０μｍであり、加工初期、２ｍｍ摩耗段階のいずれにおいても許容基準３０μｍをわずかに満足していない。
一方、本発明例８、１０、１１では、表面チッピングは加工初期に２５～２６μｍ、２ｍｍ摩耗段階で２８μｍ～２９μｍであり、許容基準３０μｍを満足している。
以上のように、比較例では、加工初期は表面チッピングサイズは小さいが、２ｍｍ摩耗段階では大きく、しかも２ｍｍ摩耗段階での変化率が大きいことが確認できた。
また、本発明例７～１２では、加工初期、２ｍｍ摩耗段階ともに、裏面チッピングサイズがわずかに超える場合があるものの、寿命近くになっても切断品位に大きな変化がなく、切断品位が大幅に向上していることが確認できた。
【0089】
〔主軸電流値〕
表３、表４に示すように、比較例では主軸電流値が加工初期に２．４Ａであるが、２ｍｍ摩耗段階では３．３Ａである。したがって、比較例では、加工初期に比較して２ｍｍ摩耗段階で０．９Ａ（３２％）増加しており、許容可能な基準０．５を超えていることが確認できた。
一方、本発明例７～１２では、主軸電流値は加工初期に２．３～３．０Ａであり、２ｍｍ摩耗時には主軸電流値は２．３～２．９Ａである。
また、表６に示すように、本発明例７～１２では、主軸電流値（切断抵抗）の変化が－０．１～０．１Ａで、ほとんど変化しておらず、寿命近くになっても切断抵抗に大きな変化がないことが確認できた。
以上のように、本発明例７～１２は、比較例に比較して、２ｍｍ摩耗段階での切断抵抗が小さく、寿命近くになっても切断抵抗に大きな変化がないことが確認できた。
表３、表４に示すように、比較例では主軸電流値が加工初期に２．４Ａであるが、２ｍｍ摩耗段階では３．３Ａである。したがって、比較例では、加工初期に比較して２ｍｍ摩耗段階で０．９Ａ（３２％）増加しており、許容可能な基準０．５を超えていることが確認できた。
一方、本発明例７～１２では、主軸電流値は加工初期に２．３～３．０Ａであり、２ｍｍ摩耗時には主軸電流値は２．３～２．９Ａである。
また、表６に示すように、本発明例７～１２では、主軸電流値（切断抵抗）の変化が－０．１～０．１Ａで、ほとんど変化しておらず、寿命近くになっても切断抵抗に大きな変化がないことが確認できた。
以上のように、本発明例７～１２は、比較例に比較して、２ｍｍ摩耗段階での切断抵抗が小さく、寿命近くになっても切断抵抗に大きな変化がないことが確認できた。
【0090】
以上のことから、硼化チタン（ＴｉＢ２）の平均粒径を変化させた場合、本発明例７～１２の範囲が、裏面角欠け、表面チッピング、裏面チッピング、主軸電流値（切断抵抗）のいずれに関しても良好であり、硼化チタン（ＴｉＢ２）の含有率は２０％以上６０％以下に設定することで、格別顕著な効果を奏することが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【0091】
本発明に係る切断用ブレードによれば、脆性材料を長時間にわたって高品位に切断することができるので、産業状利用可能である。
【符号の説明】
【0092】
１０ ブレード本体
１１ 外周面（外周部）
１１Ａ 切れ刃
２０ レジンボンド相
３０ 砥粒
４０ フィラー
１００ 切断用ブレード
１１ 外周面（外周部）
１１Ａ 切れ刃
２０ レジンボンド相
３０ 砥粒
４０ フィラー
１００ 切断用ブレード
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】