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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022071600
(43)【公開日】2022-05-16
(54)【発明の名称】配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20220509BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20220509BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 N
H05K3/46 B
H01L23/12 N
H01L23/12 501B
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020180654
(22)【出願日】2020-10-28
(71)【出願人】
【識別番号】000190688
【氏名又は名称】新光電気工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】室賀 政崇
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA02
5E316AA32
5E316AA43
5E316BB11
5E316BB16
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC13
5E316CC32
5E316CC37
5E316CC38
5E316DD02
5E316DD03
5E316DD25
5E316DD32
5E316DD33
5E316EE33
5E316FF07
5E316FF15
5E316GG17
5E316GG18
5E316GG22
5E316HH11
5E316JJ02
(57)【要約】
【課題】ビア配線と配線層との界面にクラック等が発生することを抑制できる配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１０は、絶縁層４０と、絶縁層４０を厚さ方向に貫通する貫通孔４１と、貫通孔４１内に形成されたビア配線５１と、絶縁層４０の上面に積層されたソルダーレジスト層６０とを有する。配線基板１０は、ソルダーレジスト層６０の下面に設けられ、貫通孔４１と連通する凹部６１と、ソルダーレジスト層６０の上面に設けられ、凹部６１と連通する開口部６２と、ビア配線５１の上面に設けられ、凹部６１と連通する凹部５５とを有する。配線基板１０は、開口部６２内と凹部６１内と凹部５５内とに形成されたビア配線７１と、ソルダーレジスト層６０の上面に形成され、ビア配線７１を介してビア配線５１と電気的に接続される配線パターン７２とを有する。
【選択図】図１
【解決手段】配線基板１０は、絶縁層４０と、絶縁層４０を厚さ方向に貫通する貫通孔４１と、貫通孔４１内に形成されたビア配線５１と、絶縁層４０の上面に積層されたソルダーレジスト層６０とを有する。配線基板１０は、ソルダーレジスト層６０の下面に設けられ、貫通孔４１と連通する凹部６１と、ソルダーレジスト層６０の上面に設けられ、凹部６１と連通する開口部６２と、ビア配線５１の上面に設けられ、凹部６１と連通する凹部５５とを有する。配線基板１０は、開口部６２内と凹部６１内と凹部５５内とに形成されたビア配線７１と、ソルダーレジスト層６０の上面に形成され、ビア配線７１を介してビア配線５１と電気的に接続される配線パターン７２とを有する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔と、
前記第１貫通孔内に形成された第１ビア配線と、
前記第１絶縁層の上面に積層された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の下面に設けられ、前記第１貫通孔と連通する第１凹部と、
前記第２絶縁層の上面に設けられ、前記第１凹部と連通する開口部と、
前記第１ビア配線の上面に設けられ、前記第１凹部と連通する第２凹部と、
前記開口部内と前記第１凹部内と前記第２凹部内とに形成された第２ビア配線と、
前記第２絶縁層の上面に形成され、前記第２ビア配線を介して前記第１ビア配線と電気的に接続される第１配線パターンと、を有する配線基板。
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔と、
前記第１貫通孔内に形成された第１ビア配線と、
前記第１絶縁層の上面に積層された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の下面に設けられ、前記第１貫通孔と連通する第１凹部と、
前記第２絶縁層の上面に設けられ、前記第１凹部と連通する開口部と、
前記第１ビア配線の上面に設けられ、前記第１凹部と連通する第２凹部と、
前記開口部内と前記第１凹部内と前記第２凹部内とに形成された第２ビア配線と、
前記第２絶縁層の上面に形成され、前記第２ビア配線を介して前記第１ビア配線と電気的に接続される第１配線パターンと、を有する配線基板。
【請求項2】
前記第２絶縁層の熱膨張係数は、前記第１絶縁層の熱膨張係数と異なっており、
前記第２ビア配線の下端面と前記第１ビア配線との界面は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との界面よりも下方に設けられている請求項１に記載の配線基板。
前記第２ビア配線の下端面と前記第１ビア配線との界面は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との界面よりも下方に設けられている請求項１に記載の配線基板。
【請求項3】
前記第１凹部内に形成され、前記第１ビア配線と電気的に接続される第２配線パターンと、
前記第２配線パターンを厚さ方向に貫通するとともに、前記開口部及び前記第２凹部と連通する第２貫通孔と、を有し、
前記第２ビア配線は、前記開口部と前記第２貫通孔と前記第２凹部とを充填するように形成されている請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
前記第２配線パターンを厚さ方向に貫通するとともに、前記開口部及び前記第２凹部と連通する第２貫通孔と、を有し、
前記第２ビア配線は、前記開口部と前記第２貫通孔と前記第２凹部とを充填するように形成されている請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
【請求項4】
前記第２貫通孔の上端における開口幅は、前記開口部の下端における開口幅よりも大きく形成されている請求項３に記載の配線基板。
【請求項5】
前記第２貫通孔の下端における開口幅は、前記第１貫通孔の上端における開口幅よりも大きく形成されている請求項４に記載の配線基板。
【請求項6】
前記第２貫通孔の下端における開口幅は、前記第１貫通孔の上端における開口幅よりも小さく形成されており、
前記第２凹部の内側面は、前記第２貫通孔の内側面と連続するように形成されている請求項４に記載の配線基板。
前記第２凹部の内側面は、前記第２貫通孔の内側面と連続するように形成されている請求項４に記載の配線基板。
【請求項7】
前記第１凹部の内側面は、前記第２絶縁層によって形成されており、
前記第１凹部の上端における開口幅は、前記開口部の下端における開口幅よりも大きく形成されており、
前記第２ビア配線は、前記開口部と前記第１凹部と前記第２凹部とを充填するように形成されている請求項１に記載の配線基板。
前記第１凹部の上端における開口幅は、前記開口部の下端における開口幅よりも大きく形成されており、
前記第２ビア配線は、前記開口部と前記第１凹部と前記第２凹部とを充填するように形成されている請求項１に記載の配線基板。
【請求項8】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面に積層された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の下面に設けられた凹部と、
前記第２絶縁層の上面に設けられ、前記凹部と連通する開口部と、
前記開口部と前記凹部とを充填するように形成されたビア配線と、
前記第２絶縁層の上面に形成され、前記ビア配線と一体に形成された第１配線パターンと、を有し、
前記凹部の上端における開口幅は、前記開口部の下端における開口幅よりも大きく形成されており、
前記凹部の内側面は、前記第２絶縁層によって形成されている配線基板。
前記第１絶縁層の上面に積層された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の下面に設けられた凹部と、
前記第２絶縁層の上面に設けられ、前記凹部と連通する開口部と、
前記開口部と前記凹部とを充填するように形成されたビア配線と、
前記第２絶縁層の上面に形成され、前記ビア配線と一体に形成された第１配線パターンと、を有し、
前記凹部の上端における開口幅は、前記開口部の下端における開口幅よりも大きく形成されており、
前記凹部の内側面は、前記第２絶縁層によって形成されている配線基板。
【請求項9】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の配線基板と、
前記配線基板に実装された半導体素子と、を有し、
前記第２絶縁層は、ソルダーレジスト層であり、
前記第１配線パターンは、前記ソルダーレジスト層の上面から上方に延びる柱状の接続端子であり、
前記半導体素子は、前記第１配線パターンに接続されている半導体装置。
前記配線基板に実装された半導体素子と、を有し、
前記第２絶縁層は、ソルダーレジスト層であり、
前記第１配線パターンは、前記ソルダーレジスト層の上面から上方に延びる柱状の接続端子であり、
前記半導体素子は、前記第１配線パターンに接続されている半導体装置。
【請求項10】
第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔を充填する第１ビア配線を形成するとともに、前記第１ビア配線と一体に形成された第２配線パターンを前記第１絶縁層の上面に形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、前記第２配線パターンを被覆する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通するとともに、前記第２配線パターンの上面の一部を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部から露出する前記第２配線パターンを厚さ方向に貫通する第２貫通孔を形成するとともに、前記第２貫通孔と連通して前記第１ビア配線の上面から凹む第２凹部を形成する工程と、
前記第２凹部と前記第２貫通孔と前記開口部とを充填する第２ビア配線を形成するとともに、前記第２ビア配線と一体に形成された第１配線パターンを前記第２絶縁層の上面に形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔を充填する第１ビア配線を形成するとともに、前記第１ビア配線と一体に形成された第２配線パターンを前記第１絶縁層の上面に形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、前記第２配線パターンを被覆する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通するとともに、前記第２配線パターンの上面の一部を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部から露出する前記第２配線パターンを厚さ方向に貫通する第２貫通孔を形成するとともに、前記第２貫通孔と連通して前記第１ビア配線の上面から凹む第２凹部を形成する工程と、
前記第２凹部と前記第２貫通孔と前記開口部とを充填する第２ビア配線を形成するとともに、前記第２ビア配線と一体に形成された第１配線パターンを前記第２絶縁層の上面に形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
半導体素子等の電子部品を実装するための配線基板は、様々な形状・構造のものが提案されている。近年は、半導体素子の高集積化及び高機能化に伴い、半導体素子が実装される配線基板においても配線の微細化の要求が高まっている。そこで、配線層の形成されたベース基板上にソルダーレジスト層を形成し、そのソルダーレジスト層の開口部から露出する配線層上に柱状の接続端子を形成した配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この種の配線基板では、ソルダーレジスト層の開口部に充填されるビア配線の下面が配線層の上面に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１０－１２９９９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、例えば配線基板に半導体素子を実装する際には、ビア配線と配線層との界面近傍に大きな応力が作用しやすい。ここで、配線の微細化に伴ってビア配線の下面の幅が小さくなると、ビア配線の下面と配線層の上面との接触面積が小さくなる。すると、ビア配線と配線層との界面近傍に作用する応力に起因して、ビア配線と配線層との界面にクラック等が発生しやすくなる。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一観点によれば、第１絶縁層と、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔と、前記第１貫通孔内に形成された第１ビア配線と、前記第１絶縁層の上面に積層された第２絶縁層と、前記第２絶縁層の下面に設けられ、前記第１貫通孔と連通する第１凹部と、前記第２絶縁層の上面に設けられ、前記第１凹部と連通する開口部と、前記第１ビア配線の上面に設けられ、前記第１凹部と連通する第２凹部と、前記開口部内と前記第１凹部内と前記第２凹部内とに形成された第２ビア配線と、前記第２絶縁層の上面に形成され、前記第２ビア配線を介して前記第１ビア配線と電気的に接続される第１配線パターンと、を有する。
【発明の効果】
【0006】
本発明の一観点によれば、ビア配線と配線層との界面にクラック等が発生することを抑制できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図2】一実施形態の半導体装置を示す概略断面図である。
【図3】（ａ），（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図4】（ａ），（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図5】（ａ），（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図6】（ａ），（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図7】変更例の配線基板を示す概略断面図である。
【図8】変更例の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図9】（ａ），（ｂ）は、変更例の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図10】変更例の配線基板を示す概略断面図である。
【図11】変更例の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図12】変更例の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図13】変更例の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図14】変更例の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、一実施形態について添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率については各図面で異なる場合がある。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から見ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から見た形状のことを言う。本明細書における「上下方向」及び「左右方向」は、各図面において各部材を示す符号が正しく読める向きを正位置とした場合の方向である。また、本明細書における「平行」や「直交」は、厳密に平行や直交の場合のみでなく、本実施形態における作用効果を奏する範囲内で概ね平行や直交の場合も含まれることが意図される。
なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率については各図面で異なる場合がある。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から見ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から見た形状のことを言う。本明細書における「上下方向」及び「左右方向」は、各図面において各部材を示す符号が正しく読める向きを正位置とした場合の方向である。また、本明細書における「平行」や「直交」は、厳密に平行や直交の場合のみでなく、本実施形態における作用効果を奏する範囲内で概ね平行や直交の場合も含まれることが意図される。
【0009】
まず、配線基板１０の構造について説明する。
図１（ａ）に示すように、配線基板１０は、配線基板１０の厚さ方向の中心付近に設けられた基板本体２０を有している。基板本体２０の下面には、配線層２１と、絶縁層２２と、配線層２３と、ソルダーレジスト層２４とが順に積層されている。基板本体２０の上面には、配線層３１と、絶縁層４０と、配線層５０と、ソルダーレジスト層６０と、配線層７０とが順に積層されている。
図１（ａ）に示すように、配線基板１０は、配線基板１０の厚さ方向の中心付近に設けられた基板本体２０を有している。基板本体２０の下面には、配線層２１と、絶縁層２２と、配線層２３と、ソルダーレジスト層２４とが順に積層されている。基板本体２０の上面には、配線層３１と、絶縁層４０と、配線層５０と、ソルダーレジスト層６０と、配線層７０とが順に積層されている。
【0010】
基板本体２０としては、例えば、コア基板、コア基板を有するコア付きビルドアップ基板、コア基板を有していないコアレス基板を用いることができる。
配線層２１，２３，３１，５０，７０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。絶縁層２２，４０の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。
配線層２１，２３，３１，５０，７０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。絶縁層２２，４０の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。
【0011】
配線層２１は、基板本体２０の下面に形成されている。基板本体２０の下面には、配線層２１を被覆する絶縁層２２が積層されている。絶縁層２２の下面には、配線層２３が積層されている。配線層２３は、絶縁層２２を厚さ方向に貫通するビア配線と、そのビア配線を介して配線層２１と電気的に接続され、絶縁層２２の下面に積層された配線パターンとを有している。
【0012】
絶縁層２２の下面には、配線層２３を被覆するソルダーレジスト層２４が積層されている。ソルダーレジスト層２４の材料としては、例えば、フェノール樹脂やエポキシ樹脂等の感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層２４は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。また、ソルダーレジスト層２４の材料としては、感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂に限らず、例えば、絶縁層２２と同じ絶縁性樹脂を用いてもよい。ソルダーレジスト層２４には、配線層２３の下面の一部を外部接続用パッドＰ１として露出させるための複数の開口部２４Ｘが形成されている。外部接続用パッドＰ１には、配線基板１０をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子８６（図２参照）が接続されるようになっている。
【0013】
開口部２４Ｘの底部に露出する配線層２３の下面には、必要に応じて、表面処理層２５が形成されている。表面処理層２５の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。ここで、Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層である。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき金属層）を用いることができる。また、表面処理層２５の他の例としては、外部接続用パッドＰ１の表面に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して形成されるＯＳＰ膜を用いることができる。ＯＳＰ膜としては、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜を用いることができる。なお、配線層２３の下面に表面処理層２５が形成されている場合には、その表面処理層２５が外部接続用パッドＰ１として機能する。
【0014】
本例では、表面処理層２５上に外部接続端子８６（図２参照）を設けるようにしたが、開口部２４Ｘの底部に露出する配線層２３（又は、配線層２３上に表面処理層２５が形成されている場合には、その表面処理層２５）自体を、外部接続端子としてもよい。
【0015】
配線層３１は、基板本体２０の上面に形成されている。配線層３１は、例えば、基板本体２０内の配線層や貫通電極を介して、配線層２１と電気的に接続されている。
絶縁層４０は、配線層３１を被覆するように基板本体２０の上面に積層されている。配線層３１の上面から絶縁層４０の上面までの厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。
絶縁層４０は、配線層３１を被覆するように基板本体２０の上面に積層されている。配線層３１の上面から絶縁層４０の上面までの厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。
【0016】
絶縁層４０には、当該絶縁層４０を厚さ方向に貫通して配線層３１の上面の一部を露出する貫通孔４１が形成されている。貫通孔４１の平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。本例の貫通孔４１の平面形状は、円形状に形成されている。貫通孔４１の深さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。本例の貫通孔４１は、例えば、図１（ａ）において上側（絶縁層４０の上面側）から下側に向かうに連れて開口幅（開口径）が小さくなるテーパ状に形成されている。
【0017】
貫通孔４１の内側面は、例えば、絶縁層４０の上面から配線層３１に向かうに連れて、貫通孔４１の平面中心に近づくように傾斜して形成されている。なお、貫通孔４１の内側面は、平面である必要はなく、貫通孔４１の内側面の一部又は全部が凸状の曲面や凹状の曲面であってもよい。本例の貫通孔４１の内側面は、断面視において、段差無く直線状に延びるように傾斜した平面に形成されている。すなわち、本例の貫通孔４１の内側面は、一定の角度で傾斜するように形成されている。
【0018】
絶縁層４０の上面には、配線層５０が積層されている。配線層５０は、例えば、貫通孔４１内に形成されたビア配線５１と、そのビア配線５１等を介して配線層３１と電気的に接続され、絶縁層４０の上面に形成された配線パターン５２とを有している。配線層５０は、配線パターン５２の上面からビア配線５１の厚さ方向の途中まで延びる穴部５３を有している。穴部５３は、配線パターン５２を厚さ方向に貫通する貫通孔５４と、ビア配線５１の上面に形成された凹部５５とが連通して形成されている。なお、配線パターン５２の厚さは、例えば、５μｍ～２０μｍ程度とすることができる。ビア配線５１の厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。
【0019】
絶縁層４０の上面には、ソルダーレジスト層６０が積層されている。ソルダーレジスト層６０は、配線層５０を被覆するように形成されている。ソルダーレジスト層６０は、例えば、配線基板１０の最外層（ここでは、最上層）の絶縁層である。ソルダーレジスト層６０は、例えば、絶縁層４０と熱膨張係数の異なる絶縁層である。ソルダーレジスト層６０の材料としては、絶縁層４０を構成する絶縁性樹脂とは熱膨張係数の異なる絶縁性樹脂が用いられる。ソルダーレジスト層６０の材料としては、例えば、フェノール樹脂やエポキシ樹脂等の感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層６０は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。また、ソルダーレジスト層６０の材料としては、感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂に限らず、例えば、熱硬化性樹脂等の非感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いてもよい。なお、配線パターン５２の上面からソルダーレジスト層６０の上面までの厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。
【0020】
図１（ｂ）に示すように、ソルダーレジスト層６０の下面には、凹部６１が設けられている。凹部６１は、ソルダーレジスト層６０の下面からソルダーレジスト層６０の上面側に凹むように形成されている。凹部６１は、貫通孔４１と連通するように形成されている。凹部６１は、例えば、貫通孔４１の直上に設けられている。凹部６１の内側面は、ソルダーレジスト層６０によって形成されている。凹部６１内には、配線パターン５２が形成されている。配線パターン５２は、例えば、凹部６１の内側面を覆うように形成されている。
【0021】
ソルダーレジスト層６０には、当該ソルダーレジスト層６０を厚さ方向に貫通して凹部６１に連通する開口部６２が形成されている。開口部６２は、例えば、凹部６１の直上に設けられている。開口部６２は、例えば、貫通孔４１及び凹部６１と平面視において重なる位置に設けられている。開口部６２の平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。本例の開口部６２の平面形状は、円形状に形成されている。開口部６２の深さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。本例の開口部６２は、例えば、図１（ｂ）において上側（ソルダーレジスト層６０の上面側）から下側に向かうに連れて開口幅（開口径）が小さくなるテーパ状に形成されている。
【0022】
開口部６２の内側面は、例えば、ソルダーレジスト層６０の上面から凹部６１に向かうに連れて、開口部６２の平面中心に近づくように傾斜して形成されている。なお、開口部６２の内側面は、平面である必要はなく、開口部６２の内側面の一部又は全部が凸状の曲面や凹状の曲面であってもよい。本例の開口部６２の内側面は、断面視において、段差無く直線状に延びるように傾斜した平面に形成されている。すなわち、本例の開口部６２の内側面は、一定の角度で傾斜するように形成されている。
【0023】
次に、凹部６１、穴部５３及び開口部６２の構造とそれら周辺の構造について詳述する。
凹部６１は、開口部６２と連通するように形成されている。凹部６１は、開口部６２よりも開口幅が大きく形成されている。例えば、凹部６１の上側の開口端６１Ａ（つまり、上端）における凹部６１の開口幅は、開口部６２の下側の開口端６２Ａ（つまり、下端）における開口部６２の開口幅よりも大きく形成されている。ここで、凹部６１の内側面は、例えば、断面視において、絶縁層４０の上面に対して垂直に延びるように形成されている。配線パターン５２は、凹部６１の内側面に接触して凹部６１の内側面を被覆するように形成されている。このため、配線パターン５２の側面は、例えば、断面視において、絶縁層４０の上面に対して垂直に延びるように形成されている。なお、凹部６１の内側面及び配線パターン５２の側面の形状はこれに限らず、凹部６１の内側面及び配線パターン５２の側面を曲面に形成してもよいし、凹部６１の内側面及び配線パターン５２の側面をテーパ状に形成してもよい。
凹部６１は、開口部６２と連通するように形成されている。凹部６１は、開口部６２よりも開口幅が大きく形成されている。例えば、凹部６１の上側の開口端６１Ａ（つまり、上端）における凹部６１の開口幅は、開口部６２の下側の開口端６２Ａ（つまり、下端）における開口部６２の開口幅よりも大きく形成されている。ここで、凹部６１の内側面は、例えば、断面視において、絶縁層４０の上面に対して垂直に延びるように形成されている。配線パターン５２は、凹部６１の内側面に接触して凹部６１の内側面を被覆するように形成されている。このため、配線パターン５２の側面は、例えば、断面視において、絶縁層４０の上面に対して垂直に延びるように形成されている。なお、凹部６１の内側面及び配線パターン５２の側面の形状はこれに限らず、凹部６１の内側面及び配線パターン５２の側面を曲面に形成してもよいし、凹部６１の内側面及び配線パターン５２の側面をテーパ状に形成してもよい。
【0024】
貫通孔５４は、配線パターン５２を厚さ方向に貫通するように形成されている。貫通孔５４は、開口部６２と連通するとともに、貫通孔４１と連通するように形成されている。貫通孔５４の平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。貫通孔５４の平面形状は、例えば、開口部６２の平面形状と同様の形状に形成されている。本例の貫通孔５４の平面形状は、円形状に形成されている。貫通孔５４の深さは、例えば、５μｍ～２０μｍ程度とすることができる。本例の貫通孔５４は、例えば、図１（ｂ）において上側（開口部６２側）から下側に向かうに連れて開口幅（開口径）が小さくなるテーパ状に形成されている。
【0025】
貫通孔５４の内側面は、例えば、開口部６２から凹部５５に向かうに連れて、開口部６２の平面中心に近づくように傾斜して形成されている。なお、貫通孔５４の内側面は、平面である必要はなく、貫通孔５４の内側面の一部又は全部が凸状の曲面や凹状の曲面であってもよい。本例の貫通孔５４の内側面は、断面視において、段差無く直線状に延びるように傾斜した平面に形成されている。すなわち、本例の貫通孔５４の内側面は、一定の角度で傾斜するように形成されている。
【0026】
貫通孔５４は、例えば、開口部６２よりも開口幅が大きく形成されている。貫通孔５４の上側の開口端５４Ａ（つまり、上端）における貫通孔５４の開口幅は、開口端６２Ａにおける開口部６２の開口幅よりも大きく形成されている。貫通孔５４は、例えば、開口部６２の内側面を構成するソルダーレジスト層６０の下面の一部を露出させるように、開口部６２の開口端６２Ａからソルダーレジスト層６０の内側に食い込むように形成されている。貫通孔５４の開口端５４Ａは、例えば、平面視において、開口部６２の開口端６２Ａよりも開口部６２の平面中心から離れた位置に設けられている。また、開口端５４Ａにおける貫通孔５４の開口幅は、開口端６１Ａにおける凹部６１の開口幅よりも小さく形成されている。貫通孔５４の開口端５４Ａは、例えば、平面視において、凹部６１の開口端６１Ａよりも開口部６２の平面中心に近い位置に設けられている。
【0027】
貫通孔５４の下側の開口端５４Ｂ（つまり、下端）における貫通孔５４の開口幅は、貫通孔４１の上側の開口端４１Ａ（つまり、上端）における貫通孔４１の開口幅よりも大きく形成されている。貫通孔５４は、例えば、貫通孔４１の内側面を構成する絶縁層４０の上面の一部を露出するように形成されている。貫通孔５４の開口端５４Ｂは、例えば、平面視において、貫通孔４１の開口端４１Ａよりも開口部６２の平面中心から離れた位置に設けられている。貫通孔５４の開口端５４Ｂは、例えば、平面視において、貫通孔５４の開口端５４Ａよりも開口部６２の平面中心に近い位置に設けられている。
【0028】
貫通孔５４は、例えば、凹部６１内に配線パターン５２の一部を残すように形成されている。貫通孔５４は、例えば、配線パターン５２の一部を露出するように形成されている。換言すると、貫通孔５４の内側面は、例えば、配線パターン５２によって形成されている。貫通孔５４は、例えば、配線パターン５２とビア配線５１とを分断するように形成されている。配線パターン５２は、例えば、貫通孔５４によってビア配線５１と物理的に離れて設けられている。
【0029】
凹部５５は、ビア配線５１の一部を露出するように形成されている。凹部５５は、貫通孔４１内に設けられている。凹部５５は、例えば、貫通孔４１の開口端４１Ａから貫通孔４１の深さ方向の途中まで延びるように形成されている。すなわち、凹部５５は、その底面が貫通孔４１の深さ方向の中途に位置するように形成されている。換言すると、凹部５５の底面は、絶縁層４０とソルダーレジスト層６０との境界面よりも下方に設けられている。
【0030】
凹部５５の平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。凹部５５の平面形状は、例えば、開口部６２の平面形状と同様の形状に形成されている。本例の凹部５５の平面形状は、円形状に形成されている。本例の凹部５５の平面形状は、貫通孔４１の上部における平面形状と同じ形状及び同じ大きさに形成されている。凹部５５の深さは、例えば、３μｍ～１０μｍ程度とすることができる。本例の凹部５５は、例えば、図１（ｂ）において上側（配線パターン５２側）から下側に向かうに連れて開口幅（開口径）が小さくなるテーパ状に形成されている。
【0031】
凹部５５の内側面は、例えば、絶縁層４０の上面から凹部５５の底面に向かうに連れて、開口部６２の平面中心に近づくように傾斜して形成されている。なお、凹部５５の内側面は、平面である必要はなく、凹部５５の内側面の一部又は全部が凸状の曲面や凹状の曲面であってもよい。本例の凹部５５の内側面は、断面視において、段差無く直線状に延びるように傾斜した平面に形成されている。すなわち、本例の凹部５５の内側面は、一定の角度で傾斜するように形成されている。
【0032】
凹部５５は、例えば、貫通孔５４よりも開口幅が小さく形成されている。凹部５５の上側の開口端５５Ａ（つまり、上端）における凹部５５の開口幅は、開口端５４Ｂにおける貫通孔５４の開口幅よりも小さく形成されている。凹部５５の開口端５５Ａは、例えば、貫通孔４１の開口端４１Ａと一致している。凹部５５は、貫通孔４１の上部における貫通孔４１の内側面を露出するように形成されている。すなわち、凹部５５の内側面は、貫通孔４１の上部における貫通孔４１の内側面によって形成されている。換言すると、凹部５５の内側面は、貫通孔４１の内側面を構成する絶縁層４０によって形成されている。凹部５５は、例えば、貫通孔４１の上部において、貫通孔４１の深さ方向と直交する貫通孔４１の平面方向（図中左右方向）の全面に広がるように形成されている。凹部５５の底部に露出するビア配線５１の上面は、例えば、絶縁層４０の上面と平行な平面に形成されている。ビア配線５１は、例えば、貫通孔４１の下部を充填するように形成されている。
【0033】
穴部５３では、例えば、貫通孔５４の内側面と、貫通孔５４から露出された絶縁層４０の上面と、凹部５５の内側面とによって段差が形成されている。
配線層７０は、開口部６２と貫通孔５４と凹部５５とから露出された配線層５０上に形成されている。配線層７０は、例えば、開口部６２内と貫通孔５４内と凹部５５内とに形成されたビア配線７１と、ビア配線７１を介して配線層５０と電気的に接続され、ソルダーレジスト層６０の上面に形成された配線パターン７２とを有している。
配線層７０は、開口部６２と貫通孔５４と凹部５５とから露出された配線層５０上に形成されている。配線層７０は、例えば、開口部６２内と貫通孔５４内と凹部５５内とに形成されたビア配線７１と、ビア配線７１を介して配線層５０と電気的に接続され、ソルダーレジスト層６０の上面に形成された配線パターン７２とを有している。
【0034】
ビア配線７１は、例えば、開口部６２と貫通孔５４と凹部５５とを充填するように形成されている。ビア配線７１は、開口部６２、貫通孔５４及び凹部５５と同様の形状に形成されている。本例のビア配線７１は、貫通孔５４から露出するソルダーレジスト層６０の下面及び絶縁層４０の上面を被覆するように形成されている。これにより、貫通孔５４においてビア配線７１がソルダーレジスト層６０に食い込むように形成されている。貫通孔５４内に形成されたビア配線７１の側面は、貫通孔５４の内側面を構成する配線パターン５２に接続されている。凹部５５内に形成されたビア配線７１は、凹部５５から露出する貫通孔４１の内側面を被覆するように形成されている。凹部５５内に形成されたビア配線７１の下端面は、凹部５５の底面を構成するビア配線５１に接続されている。ビア配線７１の下端面とビア配線５１との界面は、絶縁層４０とソルダーレジスト層６０との界面よりも下方に設けられている。
【0035】
配線層７０は、凹部５５の内面と貫通孔５４の内面と開口部６２の内面とソルダーレジスト層６０の上面と被覆するシード層７３を有している。本例のシード層７３は、ソルダーレジスト層６０の上面と、開口部６２の内側面全面と、貫通孔５４に露出されたソルダーレジスト層６０の下面全面と、貫通孔５４の内側面全面と、貫通孔５４に露出された絶縁層４０の上面全面と、凹部５５の内側面全面と、凹部５５から露出されたビア配線５１の上面全面とを連続して被覆するように形成されている。シード層７３の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。シード層７３としては、例えば、無電解めっき法により形成された無電解めっき層を用いることができる。
【0036】
配線層７０は、シード層７３よりも内側の開口部６２、貫通孔５４及び凹部５５を充填する金属層７４を有している。本例の金属層７４は、ソルダーレジスト層６０に食い込むように形成されている。金属層７４の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。金属層７４としては、例えば、電解めっき法により形成された電解めっき層を用いることができる。
【0037】
以上説明した開口部６２内と貫通孔５４内と凹部５５内に形成されたシード層７３と金属層７４とによって、配線層７０のビア配線７１が構成されている。
配線層７０は、ソルダーレジスト層６０の上面に形成されたシード層７３上及びビア配線７１（金属層７４）上に形成された金属ポスト７５を有している。金属ポスト７５は、ソルダーレジスト層６０の上面から上方に突出するように柱状に形成されている。金属ポスト７５は、例えば、金属層７４と一体に形成されている。金属ポスト７５の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。金属ポスト７５としては、例えば、電解めっき法により形成された電解めっき層を用いることができる。
配線層７０は、ソルダーレジスト層６０の上面に形成されたシード層７３上及びビア配線７１（金属層７４）上に形成された金属ポスト７５を有している。金属ポスト７５は、ソルダーレジスト層６０の上面から上方に突出するように柱状に形成されている。金属ポスト７５は、例えば、金属層７４と一体に形成されている。金属ポスト７５の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。金属ポスト７５としては、例えば、電解めっき法により形成された電解めっき層を用いることができる。
【0038】
以上説明した金属ポスト７５とソルダーレジスト層６０の上面に形成されたシード層７３とによって、配線層７０の配線パターン７２が構成されている。
配線パターン７２は、例えば、電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。配線パターン７２は、例えば、ソルダーレジスト層６０の上面から上方に突出する柱状の接続端子である。なお、配線パターン７２の上面には、必要に応じて、表面処理層７６が形成されている。表面処理層７６としては、Ａｕ層、Ｎｉ層／Ａｕ層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層、ＯＳＰ膜を用いることができる。
配線パターン７２は、例えば、電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。配線パターン７２は、例えば、ソルダーレジスト層６０の上面から上方に突出する柱状の接続端子である。なお、配線パターン７２の上面には、必要に応じて、表面処理層７６が形成されている。表面処理層７６としては、Ａｕ層、Ｎｉ層／Ａｕ層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層、ＯＳＰ膜を用いることができる。
【0039】
以上説明した絶縁層４０と配線層５０とソルダーレジスト層６０と配線層７０とによって、配線基板１０の端子構造が構成されている。
次に、図２に従って、半導体装置８０の構造について説明する。
次に、図２に従って、半導体装置８０の構造について説明する。
【0040】
図２に示すように、半導体装置８０は、配線基板１０と、１つ又は複数（ここでは、１つ）の半導体素子８１と、アンダーフィル樹脂８５と、外部接続端子８６とを有している。
【0041】
半導体素子８１は、配線基板１０にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体素子８１の回路形成面（ここでは、下面）に配設された接続端子８２を、はんだ層８３を介して配線基板１０の配線層７０に接合することにより、半導体素子８１は、接続端子８２及びはんだ層８３を介して配線層７０と電気的に接続されている。このとき、はんだ層８３は、配線層７０の上面に形成された表面処理層７６に接合されるとともに、接続端子８２の下面に接合されている。
【0042】
ここで、半導体素子８１としては、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）チップやＧＰＵ（Graphics Processing Unit）チップなどのロジックチップを用いることができる。また、半導体素子８１としては、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）チップ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）チップやフラッシュメモリチップなどのメモリチップを用いることができる。なお、配線基板１０に複数の半導体素子８１を搭載する場合には、ロジックチップとメモリチップとを組み合わせて配線基板１０に搭載するようにしてもよい。
【0043】
接続端子８２としては、例えば、金属ポストを用いることができる。接続端子８２は、例えば、半導体素子８１の回路形成面から下方に延びる柱状の接続端子である。本例の接続端子８２は、例えば、円柱状に形成されている。接続端子８２の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。なお、接続端子８２としては、金属ポストの他に、例えば金バンプを用いることもできる。
【0044】
はんだ層８３としては、例えば、鉛フリーはんだのはんだめっきを用いることができる。はんだめっきの材料としては、例えば、Ｓｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｂｉ系の鉛フリーはんだを用いることができる。
【0045】
アンダーフィル樹脂８５は、配線基板１０と半導体素子８１との間の隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂８５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【0046】
外部接続端子８６は、配線基板１０の外部接続用パッドＰ１上に形成されている。外部接続端子８６は、例えば、図示しないマザーボード等の実装基板に設けられたパッドと電気的に接続される接続端子である。外部接続端子８６としては、例えば、はんだボールやリードピンを用いることができる。本実施形態では、外部接続端子８６として、はんだボールを用いている。
【0047】
次に、図３～図６に従って、配線基板１０の製造方法について説明する。ここでは、配線基板１０の端子構造の製造方法について詳述する。なお、説明の便宜上、最終的に配線基板１０の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。
【0048】
まず、図３（ａ）に示すように、配線層３１を被覆する絶縁層４０が形成され、絶縁層４０を厚さ方向に貫通する貫通孔４１が形成され、貫通孔４１を充填するビア配線５１が形成されるとともに絶縁層４０の上面に配線パターン５２が形成された構造体を準備する。すなわち、配線層３１を被覆する絶縁層４０上に、ビア配線５１と配線パターン５２とを有する配線層５０が形成された構造体を準備する。この構造体は、公知の製造方法により製造することが可能であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【0049】
次に、図３（ｂ）に示す工程では、絶縁層４０の上面に、配線パターン５２の上面の一部を露出する開口部６２を有するソルダーレジスト層６０を形成する。ソルダーレジスト層６０は、例えば、感光性のソルダーレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダーレジストを塗布し、当該レジストをフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成することができる。なお、本工程により、ソルダーレジスト層６０の下面に、配線パターン５２を収容する凹部６１が形成される。
【0050】
次に、図４（ａ）に示す工程では、ソルダーレジスト層６０の開口部６２から露出する配線層５０の上面に、開口部６２と連通してビア配線５１の厚さ方向の途中まで延びる穴部５３を形成する。すなわち、開口部６２と連通して配線パターン５２を厚さ方向に貫通する貫通孔５４を形成するとともに、その貫通孔５４と連通する凹部５５をビア配線５１の上面に形成する。貫通孔５４及び凹部５５は、例えば、ソルダーレジスト層６０をエッチングマスクとして配線パターン５２及びビア配線５１をウェットエッチングすることにより形成できる。このようなウェットエッチングを配線パターン５２に対して施した場合には、エッチングが配線パターン５２の面内方向に進行するサイドエッチ現象により、配線パターン５２の貫通孔５４を開口部６２の底部から外側に食い込むように形成することができる。すなわち、配線パターン５２に、開口部６２の下側の開口端６２Ａにおける開口幅よりも大きい開口幅を有する貫通孔５４を形成することができる。この貫通孔５４は、開口部６２の内側面を構成するソルダーレジスト層６０の下面を露出するとともに、貫通孔４１の内側面を構成する絶縁層４０の上面を露出するように形成される。貫通孔５４は、凹部６１内に配線パターン５２の一部を残すように形成される。このため、貫通孔５４の内側面は、配線パターン５２によって形成される。また、凹部５５は、貫通孔５４の底部に露出するビア配線５１の上面に形成される。このとき、貫通孔５４の下側の開口端５４Ｂにおける開口幅が貫通孔４１の上側の開口端４１Ａにおける開口幅（つまり、ビア配線５１の上面の幅）よりも大きく形成されている。このため、ビア配線５１の上面全面に対して凹部５５が形成される。すなわち、本例の凹部５５は、ビア配線５１を上面側から薄化するように形成される。この凹部５５は、絶縁層４０によって構成される貫通孔４１の内側面の一部を露出するように形成される。このように、本工程では、ソルダーレジスト層６０の開口部６２から露出する配線層５０の上面から貫通孔４１（ビア配線５１）の深さ方向の途中まで延びる貫通孔５４及び凹部５５が形成される。
【0051】
続いて、図４（ｂ）に示す工程では、ソルダーレジスト層６０の上面全面と、開口部６２の内面全面と、貫通孔５４の内面全面と、凹部５５の内面全面とを連続して被覆するシード層７３を形成する。シード層７３は、例えば、無電解めっき法により形成することができる。例えば、シード層７３は、硫酸銅、水酸化ナトリウム、カルボン酸塩、硫酸ニッケル及びホルムアルデヒドを混合しためっき液を用いた無電解銅めっき法により形成することができる。
【0052】
次いで、図５（ａ）に示す工程では、ソルダーレジスト層６０の上面に形成されたシード層７３上に、開口パターン９０Ｘを有するレジスト層９０を形成する。開口パターン９０Ｘは、金属ポスト７５（図１（ｂ）参照）の形成領域に対応する部分のシード層７３を露出するように形成される。レジスト層９０の材料としては、例えば、次工程の電解めっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層９０の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば、感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、シード層７３の上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口パターン９０Ｘを有するレジスト層９０を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層９０を形成することができる。
【0053】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、レジスト層９０をめっきマスクとして、シード層７３上に、そのシード層７３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。すなわち、レジスト層９０の開口パターン９０Ｘから露出されたシード層７３の上面に電解めっき法（例えば、電解銅めっき法）を施す。本工程により、シード層７３よりも内側の開口部６２、貫通孔５４及び凹部５５を充填する金属層７４が形成されるとともに、開口パターン９０Ｘ内に金属ポスト７５が形成される。
【0054】
続いて、金属ポスト７５の上面に、必要に応じて、表面処理層７６を形成する。表面処理層７６は、例えば、レジスト層９０をめっきマスクとして、シード層７３をめっき給電層に利用する電解めっき法（例えば、電解銅めっき法）により形成できる。
【0055】
【0056】
次に、図６（ｂ）に示すように、金属ポスト７５をエッチングマスクとして、不要なシード層７３をエッチングにより除去する。シード層７３が無電解銅めっき層である場合には、例えば、硫酸過水系のエッチング液を用いたウェットエッチングにより不要なシード層７３を除去する。これにより、開口部６２及び穴部５３に形成されたシード層７３と金属層７４とからなるビア配線７１と、ソルダーレジスト層６０の上面に形成されたシード層７３と金属ポスト７５とからなる配線パターン７２とを有する配線層７０が形成される。
【0057】
以上説明した製造工程により、図１に示した配線基板１０を製造することができる。
次に、本実施形態の作用効果を説明する。
（１）ソルダーレジスト層６０の上面に設けられた開口部６２内と、ソルダーレジスト層６０の下面に設けられた凹部６１内と、ビア配線５１の上面に設けられた凹部５５内とに形成されたビア配線７１を設けた。このビア配線７１は、ソルダーレジスト層６０の上面からビア配線７１の厚さ方向の途中まで延びるように形成される。これにより、ビア配線７１の下端面を配線層５０に接続させることができるとともに、ビア配線７１の側面を配線層５０に接続させることができる。このため、ビア配線７１の下端面のみが配線パターン５２の上面に接続される場合に比べて、ビア配線７１と配線層５０との接触面積を増大させることができる。これにより、例えば配線基板１０に半導体素子８１を実装する際に、ビア配線７１と配線層５０との界面近傍に大きな応力が作用した場合であっても、その応力に起因してビア配線７１と配線層５０との界面にクラックが発生することを抑制できる。したがって、ビア配線７１が配線層５０から脱離することを好適に抑制できる。この結果、ビア配線７１と配線層５０との接続信頼性を向上させることができる。
次に、本実施形態の作用効果を説明する。
（１）ソルダーレジスト層６０の上面に設けられた開口部６２内と、ソルダーレジスト層６０の下面に設けられた凹部６１内と、ビア配線５１の上面に設けられた凹部５５内とに形成されたビア配線７１を設けた。このビア配線７１は、ソルダーレジスト層６０の上面からビア配線７１の厚さ方向の途中まで延びるように形成される。これにより、ビア配線７１の下端面を配線層５０に接続させることができるとともに、ビア配線７１の側面を配線層５０に接続させることができる。このため、ビア配線７１の下端面のみが配線パターン５２の上面に接続される場合に比べて、ビア配線７１と配線層５０との接触面積を増大させることができる。これにより、例えば配線基板１０に半導体素子８１を実装する際に、ビア配線７１と配線層５０との界面近傍に大きな応力が作用した場合であっても、その応力に起因してビア配線７１と配線層５０との界面にクラックが発生することを抑制できる。したがって、ビア配線７１が配線層５０から脱離することを好適に抑制できる。この結果、ビア配線７１と配線層５０との接続信頼性を向上させることができる。
【0058】
（２）絶縁層４０とソルダーレジスト層６０とは熱膨張係数が互いに異なる。このため、例えば配線基板１０に対して熱サイクルによる信頼性試験を行うと、絶縁層４０とソルダーレジスト層６０との熱膨張係数の相違に基づく熱応力の発生により、絶縁層４０とソルダーレジスト層６０との界面に熱応力が集中し、その界面にクラックが発生しやすい。絶縁層４０とソルダーレジスト層６０との界面にクラックが発生すると、そのクラックが、絶縁層４０とソルダーレジスト層６０との界面が広がる方向、つまり配線基板１０の平面方向に伝搬する。このとき、ビア配線７１の下端面とビア配線５１との界面が絶縁層４０とソルダーレジスト層６０との界面と同一平面上に設けられている場合には、平面方向に伝搬されるクラックに起因して、ビア配線７１とビア配線５１との接続部分にクラック等が発生しやすくなる。これに対し、本実施形態の配線基板１０では、ビア配線７１の下端面とビア配線５１との界面が、絶縁層４０とソルダーレジスト層６０との界面よりも下方に設けられている。すなわち、ビア配線７１の下端面とビア配線５１との界面が、絶縁層４０とソルダーレジスト層６０との界面と同一平面上に形成されていない。このため、仮に絶縁層４０とソルダーレジスト層６０との界面にクラックが発生した場合であっても、そのクラックに起因して、ビア配線７１の下端面とビア配線５１との界面にクラックが発生することを好適に抑制できる。これにより、ビア配線７１が配線層５０から脱離することを好適に抑制できる。
【0059】
（３）ソルダーレジスト層６０の凹部６１内に配線パターン５２が設けられ、その配線パターン５２を厚さ方向に貫通する貫通孔５４が設けられる。そして、開口部６２と貫通孔５４と凹部５５とを充填するようにビア配線７１が形成される。この構成によれば、貫通孔５４の内側面が配線パターン５２によって形成される。このため、貫通孔５４に形成されたビア配線７１の側面を配線パターン５２と接続させることができる。これにより、ビア配線７１と配線層５０との接触面積を増大させることができるため、ビア配線７１と配線層５０との界面にクラックが発生することを好適に抑制できる。
【0060】
（４）貫通孔５４の上側の開口端５４Ａにおける開口幅が、開口部６２の下側の開口端６２Ａにおける開口幅よりも大きく形成されている。そして、貫通孔５４を充填するようにビア配線７１が形成される。これにより、ビア配線７１の一部、つまりビア配線７１のうち貫通孔５４に充填された部分がソルダーレジスト層６０に食い込むように形成される。このため、アンカー効果により、ビア配線７１とソルダーレジスト層６０との密着性を向上させることができる。この結果、ビア配線７１（配線層７０）がソルダーレジスト層６０から脱離することを好適に抑制できる。これにより、配線層５０と配線層７０との接続信頼性を向上させることができる。
【0061】
（他の実施形態）
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
【0062】
・上記実施形態では、貫通孔５４の下端における開口幅を、貫通孔４１の上端における開口幅よりも大きく形成したが、これに限定されない。
例えば図７に示すように、貫通孔５４の下端における開口幅を、貫通孔４１の上側の開口端４１Ａにおける開口幅よりも小さく形成してもよい。この場合の貫通孔５４は、貫通孔４１の内側面を構成する絶縁層４０の上面を露出しないように形成される。また、本変更例では、例えば、凹部５５の開口幅が貫通孔４１の開口幅よりも小さく形成される。この場合の凹部５５は、絶縁層４０により形成される貫通孔４１の内側面を露出しないように形成される。このため、本変更例の凹部５５の内側面は、ビア配線５１によって形成される。本変更例の凹部５５は、ビア配線５１の上面の一部に形成されている。本変更例では、凹部５５の内側面は、貫通孔５４の内側面と連続するように形成されている。本変更例の穴部５３では、貫通孔５４の内側面と凹部５５の内側面とが連続した平面に形成されている。例えば、貫通孔５４の内側面と凹部５５の内側面とは、断面視において、貫通孔５４の上端から凹部５５の下端まで段差の無い直線形状に形成されている。ここで、本変更例の貫通孔５４及び凹部５５は、図７において上側（配線パターン７２側）から下側に向かうに連れて開口幅（開口径）が小さくなるテーパ状に形成されている。本変更例の貫通孔５４の内側面と凹部５５の内側面とは、断面視において、貫通孔５４の上端から凹部５５の下端まで段差無く直線状に延びるように傾斜した平面に形成されている。すなわち、本変更例の貫通孔５４の内側面と凹部５５の内側面とは、貫通孔５４の上端から凹部５５の下端まで一定の角度で傾斜するように形成されている。なお、貫通孔５４の内側面及び凹部５５の内側面は、平面である必要はなく、貫通孔５４の内側面及び凹部５５の内側面の一部又は全部が凸状の曲面や凹状の曲面であってもよい。なお、貫通孔５４の上側の開口端５４Ａにおける開口幅は、開口部６２の下側の開口端６２Ａにおける開口幅よりも大きく形成されている。
例えば図７に示すように、貫通孔５４の下端における開口幅を、貫通孔４１の上側の開口端４１Ａにおける開口幅よりも小さく形成してもよい。この場合の貫通孔５４は、貫通孔４１の内側面を構成する絶縁層４０の上面を露出しないように形成される。また、本変更例では、例えば、凹部５５の開口幅が貫通孔４１の開口幅よりも小さく形成される。この場合の凹部５５は、絶縁層４０により形成される貫通孔４１の内側面を露出しないように形成される。このため、本変更例の凹部５５の内側面は、ビア配線５１によって形成される。本変更例の凹部５５は、ビア配線５１の上面の一部に形成されている。本変更例では、凹部５５の内側面は、貫通孔５４の内側面と連続するように形成されている。本変更例の穴部５３では、貫通孔５４の内側面と凹部５５の内側面とが連続した平面に形成されている。例えば、貫通孔５４の内側面と凹部５５の内側面とは、断面視において、貫通孔５４の上端から凹部５５の下端まで段差の無い直線形状に形成されている。ここで、本変更例の貫通孔５４及び凹部５５は、図７において上側（配線パターン７２側）から下側に向かうに連れて開口幅（開口径）が小さくなるテーパ状に形成されている。本変更例の貫通孔５４の内側面と凹部５５の内側面とは、断面視において、貫通孔５４の上端から凹部５５の下端まで段差無く直線状に延びるように傾斜した平面に形成されている。すなわち、本変更例の貫通孔５４の内側面と凹部５５の内側面とは、貫通孔５４の上端から凹部５５の下端まで一定の角度で傾斜するように形成されている。なお、貫通孔５４の内側面及び凹部５５の内側面は、平面である必要はなく、貫通孔５４の内側面及び凹部５５の内側面の一部又は全部が凸状の曲面や凹状の曲面であってもよい。なお、貫通孔５４の上側の開口端５４Ａにおける開口幅は、開口部６２の下側の開口端６２Ａにおける開口幅よりも大きく形成されている。
【0063】
本変更例のビア配線７１は、開口部６２及び穴部５３（貫通孔５４及び凹部５５）を充填するように形成されている。穴部５３内に形成されたビア配線７１の側面は、貫通孔５４の内側面を構成する配線パターン５２に接続されるとともに、凹部５５の内側面を構成するビア配線５１に接続されている。また、ビア配線７１の下面は、凹部５５の底面を構成するビア配線５１に接続されている。
【0064】
この構成によれば、凹部５５の開口幅が貫通孔４１の開口幅よりも小さく形成されるため、凹部５５に充填されたビア配線７１の幅を貫通孔４１に充填されたビア配線５１の幅よりも小さく形成できる。これにより、凹部５５内に形成されたビア配線７１の側面を凹部５５の内側面を構成するビア配線５１に接触させることができるため、ビア配線７１とビア配線５１との接触面積を配線基板１０の積層方向（図中上下方向）に増大させることができる。したがって、配線基板１０の積層方向と直交する平面方向（図中左右方向）の応力に対して、ビア配線７１とビア配線５１との界面において破断が発生し難い構造にすることができる。
【0065】
次に、本変更例の配線基板１０の製造方法について説明する。
まず、図８に示す工程では、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す工程と同様の工程を実施することにより、絶縁層４０の上面に、配線パターン５２の上面の一部を露出する開口部６２を有するソルダーレジスト層６０を形成する。続いて、ソルダーレジスト層６０の開口部６２から露出する配線層５０の上面に、開口部６２と連通してビア配線５１の厚さ方向の途中まで延びる穴部５３を形成する。すなわち、開口部６２と連通して配線パターン５２を厚さ方向に貫通する貫通孔５４を形成するとともに、その貫通孔５４と連通する凹部５５をビア配線５１の上面に形成する。貫通孔５４及び凹部５５は、図４（ａ）に示した工程と同様に、ソルダーレジスト層６０をエッチングマスクとして配線パターン５２及びビア配線５１をウェットエッチングすることにより形成できる。但し、本変更例では、貫通孔５４の下端における開口幅及び凹部５５の上端における開口幅が貫通孔４１の上側の開口端４１Ａにおける開口幅よりも小さくなるように形成される。なお、凹部５５の上端における開口幅は、例えば、ウェットエッチングの処理時間やエッチング液の組成などによって調整することができる。
まず、図８に示す工程では、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す工程と同様の工程を実施することにより、絶縁層４０の上面に、配線パターン５２の上面の一部を露出する開口部６２を有するソルダーレジスト層６０を形成する。続いて、ソルダーレジスト層６０の開口部６２から露出する配線層５０の上面に、開口部６２と連通してビア配線５１の厚さ方向の途中まで延びる穴部５３を形成する。すなわち、開口部６２と連通して配線パターン５２を厚さ方向に貫通する貫通孔５４を形成するとともに、その貫通孔５４と連通する凹部５５をビア配線５１の上面に形成する。貫通孔５４及び凹部５５は、図４（ａ）に示した工程と同様に、ソルダーレジスト層６０をエッチングマスクとして配線パターン５２及びビア配線５１をウェットエッチングすることにより形成できる。但し、本変更例では、貫通孔５４の下端における開口幅及び凹部５５の上端における開口幅が貫通孔４１の上側の開口端４１Ａにおける開口幅よりも小さくなるように形成される。なお、凹部５５の上端における開口幅は、例えば、ウェットエッチングの処理時間やエッチング液の組成などによって調整することができる。
【0066】
次いで、図９（ａ）に示す工程では、ソルダーレジスト層６０の上面全面と、開口部６２の内面全面と、貫通孔５４の内面全面と、凹部５５の内面全面とを連続して被覆するシード層７３を形成する。続いて、ソルダーレジスト層６０の上面に形成されたシード層７３上に、開口パターン９０Ｘを有するレジスト層９０を形成する。
【0067】
次に、図９（ｂ）に示す工程では、レジスト層９０をめっきマスクとして、シード層７３上に、そのシード層７３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。これにより、シード層７３よりも内側の開口部６２、貫通孔５４及び凹部５５を充填する金属層７４が形成されるとともに、開口パターン９０Ｘ内に金属ポスト７５が形成される。続いて、金属ポスト７５の上面に、必要に応じて、表面処理層７６を形成する。
【0068】
その後、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示した工程と同様に、レジスト層９０をアルカリ性の剥離液により除去し、不要なシード層７３をエッチングにより除去する。
以上の工程により、本変更例の配線基板１０を製造することができる。
以上の工程により、本変更例の配線基板１０を製造することができる。
【0069】
・上記実施形態では、ソルダーレジスト層６０の凹部６１内に、配線パターン５２とビア配線７１とを設けるようにしたが、これに限定されない。
例えば図１０に示すように、凹部６１を充填するようにビア配線７１を形成してもよい。例えば、本変更例の配線基板１０Ａでは、配線パターン７２と平面視で重なる位置に設けられた凹部６１を充填するようにビア配線７１が形成されている。この場合には、配線パターン７２と平面視で重なる位置に設けられた凹部６１内にはビア配線７１のみが形成されており、凹部６１内に配線パターン５２（図１（ｂ）参照）が形成されていない。換言すると、配線パターン７２と平面視で重なる位置において、貫通孔５４が凹部６１の内面全面を露出するように形成され、その貫通孔５４にビア配線７１が充填されている。すなわち、本変更例の貫通孔５４は、配線パターン７２と平面視で重なる位置に設けられた凹部６１と同一形状及び同一の大きさに形成されている。凹部６１（貫通孔５４）には、開口部６２の内側面を構成するソルダーレジスト層６０の下面が露出されるとともに、貫通孔４１の内側面を構成する絶縁層４０の上面が露出される。貫通孔５４の内面全面は、樹脂層（ここでは、ソルダーレジスト層６０及び絶縁層４０）のみによって形成されている。
例えば図１０に示すように、凹部６１を充填するようにビア配線７１を形成してもよい。例えば、本変更例の配線基板１０Ａでは、配線パターン７２と平面視で重なる位置に設けられた凹部６１を充填するようにビア配線７１が形成されている。この場合には、配線パターン７２と平面視で重なる位置に設けられた凹部６１内にはビア配線７１のみが形成されており、凹部６１内に配線パターン５２（図１（ｂ）参照）が形成されていない。換言すると、配線パターン７２と平面視で重なる位置において、貫通孔５４が凹部６１の内面全面を露出するように形成され、その貫通孔５４にビア配線７１が充填されている。すなわち、本変更例の貫通孔５４は、配線パターン７２と平面視で重なる位置に設けられた凹部６１と同一形状及び同一の大きさに形成されている。凹部６１（貫通孔５４）には、開口部６２の内側面を構成するソルダーレジスト層６０の下面が露出されるとともに、貫通孔４１の内側面を構成する絶縁層４０の上面が露出される。貫通孔５４の内面全面は、樹脂層（ここでは、ソルダーレジスト層６０及び絶縁層４０）のみによって形成されている。
【0070】
本変更例のビア配線７１は、開口部６２と凹部６１（貫通孔５４）と凹部５５とを充填するように形成されている。ビア配線７１は、開口部６２及び凹部６１，５５と同様の形状に形成されている。凹部６１内に形成されたビア配線７１の側面は、凹部６１の内側面に沿った形状に形成される。このため、凹部６１内に形成されたビア配線７１の側面は、断面視において、絶縁層４０の上面に対して垂直に延びるように形成されている。なお、凹部６１内に形成されたビア配線７１の側面の形状はこれに限らず、ビア配線７１の側面を曲面に形成してもよいし、ビア配線７１の側面をテーパ状に形成してもよい。
【0071】
本変更例のビア配線７１は、開口部６２の内面全面と凹部６１の内面全面と凹部５５の内面全面とを連続して被覆するシード層７３を有している。シード層７３は、開口部６２の内側面全面と、凹部６１から露出されたソルダーレジスト層６０の下面全面と、凹部６１の内側面全面と、凹部６１から露出された絶縁層４０の上面と、凹部５５の内側面全面と、凹部５５から露出されたビア配線５１の上面全面とを連続して被覆するように形成されている。また、ビア配線７１は、シード層７３よりも内側の開口部６２及び凹部６１，５５を充填する金属層７４を有している。
【0072】
この構成によれば、凹部６１がビア配線７１により充填され、凹部６１内にビア配線７１のみが形成される。このため、凹部６１内において、ビア配線７１と配線パターン５２（図１（ｂ）参照）との界面を無くすことができる。これにより、ビア配線７１と配線パターン５２との界面で発生するおそれのあるクラックの発生を未然に防止することができる。
【0073】
本変更例のソルダーレジスト層６０は、ソルダーレジスト層６０の下面に設けられた凹部６３を有している。また、本変更例のソルダーレジスト層６０は、ソルダーレジスト層６０の上面に設けられ、凹部６３と連通するように形成された開口部６４を有している。開口部６４は、例えば、凹部６３の直上に設けられている。開口部６４は、凹部６３と平面視において重なる位置に設けられている。凹部６３は、絶縁層４０の貫通孔４１と平面視で重ならない位置に設けられている。
【0074】
本変更例の開口部６４は、例えば、図１０において上側（ソルダーレジスト層６０の上面側）から下側に向かうに連れて開口幅（開口径）が小さくなるテーパ状に形成されている。開口部６４の内側面は、例えば、ソルダーレジスト層６０の上面から凹部６３に向かうに連れて、開口部６４の平面中心に近づくように傾斜して形成されている。なお、開口部６４の内側面は、平面である必要はなく、開口部６４の内側面の一部又は全部が凸状の曲面や凹状の曲面であってもよい。本例の開口部６４の内側面は、断面視において、段差無く直線状に延びるように傾斜した平面に形成されている。すなわち、本例の開口部６４の内側面は、一定の角度で傾斜するように形成されている。
【0075】
凹部６３は、例えば、絶縁層４０の上面の一部を露出させるように形成されている。凹部６３の上側の開口端６３Ａ（つまり、上端）における開口幅は、開口部６４の下側の開口端６４Ａ（つまり、下端）における開口幅よりも大きく形成されている。凹部６３の内側面は、例えば、断面視において、絶縁層４０の上面に対して垂直に延びるように形成されている。なお、凹部６３の内側面の形状はこれに限らず、凹部６３の内側面を曲面に形成してもよいし、凹部６３の内側面をテーパ状に形成してもよい。
【0076】
配線層７０は、例えば、開口部６４内と凹部６３内とに形成されたビア配線７１Ａと、ビア配線７１Ａと一体に形成され、ソルダーレジスト層６０の上面に形成された配線パターン７２Ａとを有している。
【0077】
ビア配線７１Ａは、例えば、開口部６４と凹部６３とを充填するように形成されている。ビア配線７１Ａは、開口部６４及び凹部６３と同様の形状に形成されている。本変更例のビア配線７１Ａは、凹部６３から露出するソルダーレジスト層６０の下面及び絶縁層４０の上面を被覆するように形成されている。これにより、凹部６３においてビア配線７１Ａがソルダーレジスト層６０に食い込むように形成されている。凹部６３内に形成されたビア配線７１Ａの側面は、凹部６３の内側面を構成するソルダーレジスト層６０を被覆するように形成されている。凹部６３内に形成されたビア配線７１Ａの側面は、凹部６３の内側面に沿った形状に形成されている。このため、凹部６３内に形成されたビア配線７１Ａの側面は、断面視において、絶縁層４０の上面に対して垂直に延びるように形成されている。
【0078】
ビア配線７１Ａは、開口部６４の内面全面と凹部６３の内面全面とを連続して被覆するシード層７３Ａを有している。シード層７３Ａは、開口部６４の内側面全面と、凹部６３から露出されたソルダーレジスト層６０の下面全面と、凹部６３の内側面全面と、凹部６３から露出された絶縁層４０の上面全面とを連続して被覆するように形成されている。また、ビア配線７１Ａは、シード層７３Ａよりも内側の開口部６４及び凹部６３を充填する金属層７４Ａを有している。
【0079】
配線パターン７２Ａは、ソルダーレジスト層６０の上面に形成されたシード層７３Ａを有している。配線パターン７２Ａは、ソルダーレジスト層６０の上面に形成されたシード層７３Ａ上及びビア配線７１Ａ（金属層７４Ａ）上に形成された金属ポスト７５Ａを有している。金属ポスト７５Ａは、ソルダーレジスト層６０の上面から上方に突出するように柱状に形成されている。金属ポスト７５Ａは、例えば、金属層７４Ａと一体に形成されている。
【0080】
この構成によれば、凹部６３がビア配線７１Ａにより充填され、凹部６３内にビア配線７１Ａのみが形成される。このため、凹部６３内において、ビア配線７１Ａと配線パターン５２（図１（ａ）参照）との界面を無くすことができる。これにより、ビア配線７１Ａと配線パターン５２との界面で発生するおそれのあるクラックの発生を未然に防止することができる。
【0081】
次に、本変更例の配線基板１０Ａの製造方法について説明する。
まず、図１１に示す工程では、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す工程と同様の工程を実施することにより、絶縁層４０の上面にソルダーレジスト層６０を形成する。ここで、配線パターン５２は、ビア配線５１の直上に設けられた配線パターン５２Ａと、ビア配線５１と平面視で重ならない位置に設けられた配線パターン５２Ｂとを有している。ソルダーレジスト層６０には、配線パターン５２Ａの上面の一部を露出する開口部６２と、配線パターン５２Ｂの上面の一部を露出する開口部６４とが形成されている。本工程により、ソルダーレジスト層６０の下面には、配線パターン５２Ａを収容する凹部６１と、配線パターン５２Ｂを収容する凹部６３とが形成される。
まず、図１１に示す工程では、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す工程と同様の工程を実施することにより、絶縁層４０の上面にソルダーレジスト層６０を形成する。ここで、配線パターン５２は、ビア配線５１の直上に設けられた配線パターン５２Ａと、ビア配線５１と平面視で重ならない位置に設けられた配線パターン５２Ｂとを有している。ソルダーレジスト層６０には、配線パターン５２Ａの上面の一部を露出する開口部６２と、配線パターン５２Ｂの上面の一部を露出する開口部６４とが形成されている。本工程により、ソルダーレジスト層６０の下面には、配線パターン５２Ａを収容する凹部６１と、配線パターン５２Ｂを収容する凹部６３とが形成される。
【0082】
次に、ソルダーレジスト層６０をエッチングマスクとして、配線パターン５２Ａ，５２Ｂ及びビア配線５１に対してウェットエッチングを施す。本工程では、図１２に示すように、ソルダーレジスト層６０の開口部６２から露出する配線層５０の上面に、開口部６２と連通してビア配線５１の厚さ方向の途中まで延びる穴部５３が形成される。具体的には、凹部６１内に形成された配線パターン５２Ａ（図１１参照）を除去して凹部６１の内面全面を露出させる貫通孔５４を形成するとともに、その貫通孔５４と連通する凹部５５をビア配線５１の上面に形成する。また、本工程では、凹部６３内に形成された配線パターン５２Ｂ（図１１参照）を除去して凹部６３の内面全面を露出させる。換言すると、本工程では、凹部６１，６３の内面全面が露出されるように、ウェットエッチングを施す。
【0083】
次いで、図１３に示す工程では、開口部６２の内面全面と、凹部６１（貫通孔５４）の内面全面と、凹部５５の内面全面と、ソルダーレジスト層６０の上面全面と、開口部６４の内面全面と、凹部６３の内面全面とを連続して被覆するシード層７３を形成する。続いて、ソルダーレジスト層６０の上面に形成されたシード層７３上に、開口パターン９０Ｘ，９０Ｙを有するレジスト層９０を形成する。開口パターン９０Ｘは、金属ポスト７５（図１０参照）の形成領域に対応する部分のシード層７３を露出するように形成される。開口パターン９０Ｙは、金属ポスト７５Ａ（図１０参照）の形成領域に対応する部分のシード層７３を露出するように形成される。
【0084】
次に、図１４に示す工程では、レジスト層９０をめっきマスクとして、シード層７３上に、そのシード層７３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。これにより、シード層７３よりも内側の開口部６２及び凹部６１，５５を充填する金属層７４が形成されるとともに、開口パターン９０Ｘ内に金属ポスト７５が形成される。また、シード層７３よりも内側の開口部６４及び凹部６３を充填する金属層７４Ａが形成されるとともに、開口パターン９０Ｙ内に金属ポスト７５Ａが形成される。続いて、金属ポスト７５，７５Ａの上面に、必要に応じて、表面処理層７６を形成する。
【0085】
その後、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示した工程と同様に、レジスト層９０をアルカリ性の剥離液により除去し、不要なシード層７３をエッチングにより除去する。これにより、図１０に示すように、開口部６２及び凹部６１，５５に形成されたシード層７３と金属層７４とからなるビア配線７１と、ソルダーレジスト層６０の上面に形成されたシード層７３と金属ポスト７５とからなる配線パターン７２とを有する配線層７０が形成される。また、開口部６４及び凹部６３に形成されたシード層７３Ａと金属層７４Ａとからなるビア配線７１Ａと、ソルダーレジスト層６０の上面に形成されたシード層７３Ａと金属ポスト７５Ａとからなる配線パターン７２Ａとを有する配線層７０が形成される。
【0086】
以上の工程により、本変更例の配線基板１０Ａを製造することができる。
・上記実施形態では、シード層７３を無電解めっき法（例えば、無電解銅めっき法）により形成するようにしたが、これに限定されない。例えば、シード層７３を、スパッタ法や蒸着法などにより形成するようにしてもよい。
・上記実施形態では、シード層７３を無電解めっき法（例えば、無電解銅めっき法）により形成するようにしたが、これに限定されない。例えば、シード層７３を、スパッタ法や蒸着法などにより形成するようにしてもよい。
【0087】
・上記実施形態では、シード層７３を単層構造のシード層に具体化したが、シード層７３を複数層構造（例えば、２層構造）のシード層に具体化してもよい。２層構造のシード層７３としては、例えば、チタン（Ｔｉ）層とＣｕ層とを順に積層した構造を有するシード層を挙げることができる。
【0088】
・上記実施形態では、無電解めっき層からなるシード層７３と、電解めっき層からなる金属層７４及び金属ポスト７５とによって配線層７０を構成するようにしたが、これに限定されない。例えば、配線層７０をはんだバンプに具体化してもよい。例えば、開口部６２、貫通孔５４及び凹部５５から露出する配線層５０上にはんだボールを搭載し、そのはんだボールを溶融してはんだバンプを形成してもよい。また、はんだめっき法を用いて、開口部６２、貫通孔５４及び凹部５５から露出する配線層５０上にはんだバンプを形成してもよい。この場合には、例えば、図５（ｂ）に示した工程において、シード層７３をめっき給電層に利用する電解はんだめっきを施すことにより、はんだバンプとしての配線層７０が形成される。
【0089】
・上記実施形態の配線基板１０における表面処理層２５を省略してもよい。
・上記実施形態の配線基板１０における表面処理層７６を省略してもよい。
・上記実施形態では、配線基板１０の最外層となる保護絶縁層の一例としてソルダーレジスト層６０を例示したが、各種の感光性を有する絶縁性樹脂から保護絶縁層を形成することができる。
・上記実施形態の配線基板１０における表面処理層７６を省略してもよい。
・上記実施形態では、配線基板１０の最外層となる保護絶縁層の一例としてソルダーレジスト層６０を例示したが、各種の感光性を有する絶縁性樹脂から保護絶縁層を形成することができる。
【0090】
・上記実施形態では、絶縁層４０（第１絶縁層）の上面に積層するソルダーレジスト層６０（第２絶縁層）を、絶縁層４０と熱膨張係数が異なる絶縁層に具体化したが、これに限定されない。例えば、第１絶縁層の熱膨張係数と第２絶縁層の熱膨張係数とが互いに同じになるようにしてもよい。
【0091】
・上記実施形態では、配線層７０を、半導体素子８１と接続される接続端子に具体化したが、これに限定されない。すなわち、上記実施形態では、配線層７０が配線基板１０の最外層に設けられている。これに限らず、例えば配線層７０を、配線基板１０の積層方向の中間に設けるようにしてもよい。例えば、配線基板１０において、配線層７０を被覆する絶縁層と、その絶縁層の上面に形成されて配線層７０と電気的に接続される配線層とを更に設けるようにしてもよい。
【0092】
・上記実施形態の半導体装置８０におけるアンダーフィル樹脂８５を省略してもよい。
・上記実施形態の半導体装置８０における外部接続端子８６を省略してもよい。
・上記実施形態の配線基板１０に、半導体素子８１の代わりに、チップコンデンサ、チップ抵抗やチップインダクタ等のチップ部品や水晶振動子などの半導体素子８１以外の電子部品を実装するようにしてもよい。
・上記実施形態の半導体装置８０における外部接続端子８６を省略してもよい。
・上記実施形態の配線基板１０に、半導体素子８１の代わりに、チップコンデンサ、チップ抵抗やチップインダクタ等のチップ部品や水晶振動子などの半導体素子８１以外の電子部品を実装するようにしてもよい。
【0093】
・上記実施形態の配線基板１０を、ＣＳＰ（Chip Size Package）やＳＯＮ（Small Outline Non-Lead Package）等のパッケージに用いられる配線基板に具体化してもよい。
【符号の説明】
【0094】
１０，１０Ａ 配線基板
４０ 絶縁層（第１絶縁層）
４１ 貫通孔（第１貫通孔）
５０ 配線層
５１ ビア配線（第１ビア配線）
５２ 配線パターン（第２配線パターン）
５４ 貫通孔（第２貫通孔）
５５ 凹部（第２凹部）
６０ ソルダーレジスト層（第２絶縁層）
６１ 凹部（第１凹部）
６２ 開口部
６３ 凹部
６４ 開口部
７０ 配線層
７１ ビア配線（第２ビア配線）
７１Ａ ビア配線
７２ 配線パターン（第１配線パターン）
７２Ａ 配線パターン
８０ 半導体装置
８１ 半導体素子
４０ 絶縁層（第１絶縁層）
４１ 貫通孔（第１貫通孔）
５０ 配線層
５１ ビア配線（第１ビア配線）
５２ 配線パターン（第２配線パターン）
５４ 貫通孔（第２貫通孔）
５５ 凹部（第２凹部）
６０ ソルダーレジスト層（第２絶縁層）
６１ 凹部（第１凹部）
６２ 開口部
６３ 凹部
６４ 開口部
７０ 配線層
７１ ビア配線（第２ビア配線）
７１Ａ ビア配線
７２ 配線パターン（第１配線パターン）
７２Ａ 配線パターン
８０ 半導体装置
８１ 半導体素子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
