ホーム > 特許ランキング > ＳＫ ｈｙｎｉｘ Ｉｎｃ．
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022074016
(43)【公開日】2022-05-17
(54)【発明の名称】ストレージシステム
(51)【国際特許分類】
G06F 12/0871 20160101AFI20220510BHJP
G06F 12/02 20060101ALI20220510BHJP
G06F 12/0866 20160101ALI20220510BHJP
G06F 12/0868 20160101ALI20220510BHJP
G06F 12/06 20060101ALI20220510BHJP
G06F 12/00 20060101ALI20220510BHJP
G06F 3/06 20060101ALI20220510BHJP
【ＦＩ】
G06F12/0871
G06F12/02 510A
G06F12/0866 100
G06F12/0868 100
G06F12/06 515J
G06F12/00 597U
G06F3/06 302A
G06F3/06 302J
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021169365
(22)【出願日】2021-10-15
(31)【優先権主張番号】10-2020-0144641
(32)【優先日】2020-11-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＭＥＭＯＲＹ ＳＴＩＣＫ
２．ＦＩＲＥＷＩＲＥ
３．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ
(71)【出願人】
【識別番号】310024033
【氏名又は名称】エスケーハイニックス株式会社
【氏名又は名称原語表記】ＳＫ ｈｙｎｉｘ Ｉｎｃ．
【住所又は居所原語表記】２０９１， Ｇｙｅｏｎｇｃｈｕｎｇ－ｄａｅｒｏ，Ｂｕｂａｌ－ｅｕｂ，Ｉｃｈｅｏｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000796
【氏名又は名称】特許業務法人三枝国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】イ キョン ス
【テーマコード（参考）】
5B160
5B205
【Ｆターム（参考）】
5B160AA12
5B160MM03
5B205MM11
5B205VV03
(57)【要約】
【課題】キャッシュされるデータの属性に基づいてキャッシュされたデータを区分して一時的に保存することで性能を改善するストレージシステムを提供する。
【解決手段】一実施例に係るストレージシステム１は、複数の記憶装置３１＿１，３１＿２を含むストレージティア３０と、複数の記憶装置３１＿１，３１＿２毎に割り当てられ、ホットデータゾーン２０＿１、ウォームデータゾーン２０＿２及びコールドデータゾーン２０＿３をそれぞれ含む複数のゾーングループを含むキャッシュティア２０と、ソース記憶装置に保存されたデータをキャッシュティア２０を介してターゲット記憶装置に移動させるシステムコントローラ１０と、を含む。
【選択図】図６
【解決手段】一実施例に係るストレージシステム１は、複数の記憶装置３１＿１，３１＿２を含むストレージティア３０と、複数の記憶装置３１＿１，３１＿２毎に割り当てられ、ホットデータゾーン２０＿１、ウォームデータゾーン２０＿２及びコールドデータゾーン２０＿３をそれぞれ含む複数のゾーングループを含むキャッシュティア２０と、ソース記憶装置に保存されたデータをキャッシュティア２０を介してターゲット記憶装置に移動させるシステムコントローラ１０と、を含む。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１記憶装置と、
データを一時的に保存する第１ゾーングループ及び第２ゾーングループを含むキャッシュティアと、
前記第１記憶装置に保存されたデータを前記キャッシュティアに移動させるシステムコントローラと、を含み、
前記第１ゾーングループ及び前記第２ゾーングループはそれぞれ、
データがアクセスされる回数に基づいてデータを保存するように設定される複数のデータゾーンを含み、
前記システムコントローラは、
前記第１記憶装置に保存されたデータを前記第１ゾーングループに含まれたソースデータゾーンにロードし、
前記ソースデータゾーンがアクセスされた回数である第１アクセスカウントと第２アクセスカウントに基づいて前記ソースデータゾーンにロードされたデータを前記第２ゾーングループに含まれたターゲットデータゾーンに移動させ、
前記第１アクセスカウントは前記ソースデータゾーンのアクセス回数に対応し、前記第２アクセスカウントは前記第２ゾーングループに含まれた基準データゾーンのアクセス回数に対応することを特徴とするストレージシステム。
データを一時的に保存する第１ゾーングループ及び第２ゾーングループを含むキャッシュティアと、
前記第１記憶装置に保存されたデータを前記キャッシュティアに移動させるシステムコントローラと、を含み、
前記第１ゾーングループ及び前記第２ゾーングループはそれぞれ、
データがアクセスされる回数に基づいてデータを保存するように設定される複数のデータゾーンを含み、
前記システムコントローラは、
前記第１記憶装置に保存されたデータを前記第１ゾーングループに含まれたソースデータゾーンにロードし、
前記ソースデータゾーンがアクセスされた回数である第１アクセスカウントと第２アクセスカウントに基づいて前記ソースデータゾーンにロードされたデータを前記第２ゾーングループに含まれたターゲットデータゾーンに移動させ、
前記第１アクセスカウントは前記ソースデータゾーンのアクセス回数に対応し、前記第２アクセスカウントは前記第２ゾーングループに含まれた基準データゾーンのアクセス回数に対応することを特徴とするストレージシステム。
【請求項2】
第２記憶装置をさらに含み、
前記第１ゾーングループは前記第１記憶装置に割り当てられ、
前記第２ゾーングループは前記第２記憶装置に割り当てられ、
前記システムコントローラは、
前記ターゲットデータゾーンに移動されたデータを前記第２記憶装置に保存することを特徴とする請求項１に記載のストレージシステム。
前記第１ゾーングループは前記第１記憶装置に割り当てられ、
前記第２ゾーングループは前記第２記憶装置に割り当てられ、
前記システムコントローラは、
前記ターゲットデータゾーンに移動されたデータを前記第２記憶装置に保存することを特徴とする請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項3】
前記システムコントローラは、
前記第１記憶装置に保存されたデータをリードするリード動作を行うように前記第１記憶装置を制御し、前記ターゲットデータゾーンに移動されたデータを前記第２記憶装置に保存する書き込み動作を行うように前記第２記憶装置を制御するストレージティア制御部と、
前記第１ゾーングループ及び前記第２ゾーングループのそれぞれに保存されたデータがアクセスされた回数を示すアクセスカウント情報を保存するアクセスカウント保存部と、
前記アクセスカウント情報に基づいて前記第１アクセスカウント及び前記第２アクセスカウントを取得し、前記第１アクセスカウント及び前記第２アクセスカウントを比較し、比較結果に応じて前記ソースデータゾーンにロードされたデータを前記ターゲットデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御するキャッシュティア制御部と、を含むことを特徴とする請求項２に記載のストレージシステム。
前記第１記憶装置に保存されたデータをリードするリード動作を行うように前記第１記憶装置を制御し、前記ターゲットデータゾーンに移動されたデータを前記第２記憶装置に保存する書き込み動作を行うように前記第２記憶装置を制御するストレージティア制御部と、
前記第１ゾーングループ及び前記第２ゾーングループのそれぞれに保存されたデータがアクセスされた回数を示すアクセスカウント情報を保存するアクセスカウント保存部と、
前記アクセスカウント情報に基づいて前記第１アクセスカウント及び前記第２アクセスカウントを取得し、前記第１アクセスカウント及び前記第２アクセスカウントを比較し、比較結果に応じて前記ソースデータゾーンにロードされたデータを前記ターゲットデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御するキャッシュティア制御部と、を含むことを特徴とする請求項２に記載のストレージシステム。
【請求項4】
前記キャッシュティア制御部は、
前記ソースデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値を前記第１アクセスカウントで計算し、
前記基準データゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値を前記第２アクセスカウントで計算することを特徴とする請求項３に記載のストレージシステム。
前記ソースデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値を前記第１アクセスカウントで計算し、
前記基準データゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値を前記第２アクセスカウントで計算することを特徴とする請求項３に記載のストレージシステム。
【請求項5】
前記第１ゾーングループ及び前記第２ゾーングループはそれぞれ、
ホットデータゾーン、ウォームデータゾーン及びコールドデータゾーンを含み、
前記第１ゾーングループ内のホットデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値が前記第１ゾーングループ内のウォームデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値より大きく、
前記第１ゾーングループ内のウォームデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値が前記第１ゾーングループ内のコールドデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値より大きいことを特徴とする請求項３に記載のストレージシステム。
ホットデータゾーン、ウォームデータゾーン及びコールドデータゾーンを含み、
前記第１ゾーングループ内のホットデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値が前記第１ゾーングループ内のウォームデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値より大きく、
前記第１ゾーングループ内のウォームデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値が前記第１ゾーングループ内のコールドデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値より大きいことを特徴とする請求項３に記載のストレージシステム。
【請求項6】
前記ソースデータゾーンは、
前記第１ゾーングループ内のウォームデータゾーンであり、
前記基準データゾーンは、
前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンであり、
前記ターゲットデータゾーンは、
前記第２ゾーングループ内のホットデータゾーンであり、
前記キャッシュティア制御部は、
前記第１アクセスカウントが前記第２アクセスカウントより大きければ、前記ソースデータゾーンにロードされたデータを前記第２ゾーングループ内で前記ターゲットデータゾーンに対応する前記ホットデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項５に記載のストレージシステム。
前記第１ゾーングループ内のウォームデータゾーンであり、
前記基準データゾーンは、
前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンであり、
前記ターゲットデータゾーンは、
前記第２ゾーングループ内のホットデータゾーンであり、
前記キャッシュティア制御部は、
前記第１アクセスカウントが前記第２アクセスカウントより大きければ、前記ソースデータゾーンにロードされたデータを前記第２ゾーングループ内で前記ターゲットデータゾーンに対応する前記ホットデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項５に記載のストレージシステム。
【請求項7】
前記ソースデータゾーンは、
前記第１ゾーングループ内のウォームデータゾーンであり、
前記基準データゾーン及び前記ターゲットデータゾーンは、
前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンであり、
前記キャッシュティア制御部は、
前記第１アクセスカウントが前記第２アクセスカウントと同じであれば、前記ソースデータゾーンにロードされたデータを前記第２ゾーングループ内で前記ターゲットデータゾーンに対応する前記ウォームデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項５に記載のストレージシステム。
前記第１ゾーングループ内のウォームデータゾーンであり、
前記基準データゾーン及び前記ターゲットデータゾーンは、
前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンであり、
前記キャッシュティア制御部は、
前記第１アクセスカウントが前記第２アクセスカウントと同じであれば、前記ソースデータゾーンにロードされたデータを前記第２ゾーングループ内で前記ターゲットデータゾーンに対応する前記ウォームデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項５に記載のストレージシステム。
【請求項8】
前記ソースデータゾーンは、
前記第１ゾーングループ内のウォームデータゾーンであり、
前記基準データゾーンは、
前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンであり、
前記ターゲットデータゾーンは、
前記第２ゾーングループ内のコールドデータゾーンであり、
前記キャッシュティア制御部は、
前記第１アクセスカウントが前記第２アクセスカウントより小さければ、前記ソースデータゾーンにロードされたデータを前記第２ゾーングループ内で前記ターゲットデータゾーンに対応する前記コールドデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項５に記載のストレージシステム。
前記第１ゾーングループ内のウォームデータゾーンであり、
前記基準データゾーンは、
前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンであり、
前記ターゲットデータゾーンは、
前記第２ゾーングループ内のコールドデータゾーンであり、
前記キャッシュティア制御部は、
前記第１アクセスカウントが前記第２アクセスカウントより小さければ、前記ソースデータゾーンにロードされたデータを前記第２ゾーングループ内で前記ターゲットデータゾーンに対応する前記コールドデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項５に記載のストレージシステム。
【請求項9】
前記キャッシュティア制御部は、
予め設定された重み付けのうち選択された前記第２記憶装置に対応する重み付けを前記第２アクセスカウントに割り当て、
前記第２記憶装置に対応する重み付けが割り当てられた第２アクセスカウントと前記第１アクセスカウントを比較した結果に応じて、前記ソースデータゾーンにロードされたデータを前記ターゲットデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項３に記載のストレージシステム。
予め設定された重み付けのうち選択された前記第２記憶装置に対応する重み付けを前記第２アクセスカウントに割り当て、
前記第２記憶装置に対応する重み付けが割り当てられた第２アクセスカウントと前記第１アクセスカウントを比較した結果に応じて、前記ソースデータゾーンにロードされたデータを前記ターゲットデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項３に記載のストレージシステム。
【請求項10】
前記キャッシュティア制御部は、
前記第２ゾーングループ内のホットデータゾーンに保存されたデータのサイズが前記第２ゾーングループ内のホットデータゾーンの記憶容量を満たせば、前記第２ゾーングループ内のホットデータゾーンに保存されたデータのＬＲＵ（ｌｅａｓｔ ｒｅｃｅｎｔｌｙ ｕｓｅｄ）に該当するデータを前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項３に記載のストレージシステム。
前記第２ゾーングループ内のホットデータゾーンに保存されたデータのサイズが前記第２ゾーングループ内のホットデータゾーンの記憶容量を満たせば、前記第２ゾーングループ内のホットデータゾーンに保存されたデータのＬＲＵ（ｌｅａｓｔ ｒｅｃｅｎｔｌｙ ｕｓｅｄ）に該当するデータを前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項３に記載のストレージシステム。
【請求項11】
前記キャッシュティア制御部は、
前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンに保存されたデータのサイズが前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンの記憶容量を満たせば、前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンに保存されたデータのＬＲＵに該当するデータを前記第２ゾーングループ内のコールドデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項１０に記載のストレージシステム。
前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンに保存されたデータのサイズが前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンの記憶容量を満たせば、前記第２ゾーングループ内のウォームデータゾーンに保存されたデータのＬＲＵに該当するデータを前記第２ゾーングループ内のコールドデータゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項１０に記載のストレージシステム。
【請求項12】
前記キャッシュティア制御部は、
前記第２ゾーングループ内のコールドデータゾーンに保存されたデータのサイズが前記第２ゾーングループ内のコールドデータゾーンの記憶容量を満たせば、前記第２ゾーングループ内のコールドデータゾーンに保存されたデータのＬＲＵに該当するデータを削除するように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項１１に記載のストレージシステム。
前記第２ゾーングループ内のコールドデータゾーンに保存されたデータのサイズが前記第２ゾーングループ内のコールドデータゾーンの記憶容量を満たせば、前記第２ゾーングループ内のコールドデータゾーンに保存されたデータのＬＲＵに該当するデータを削除するように前記キャッシュティアを制御することを特徴とする請求項１１に記載のストレージシステム。
【請求項13】
前記第１記憶装置は第１速度でアクセスされ、
前記キャッシュティアは前記第１速度より速い第２速度でアクセスされることを特徴とする請求項１に記載のストレージシステム。
前記キャッシュティアは前記第１速度より速い第２速度でアクセスされることを特徴とする請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項14】
複数の記憶装置を含むストレージティアと、
前記複数の記憶装置に保存されるデータを一時的に保存したり、前記複数の記憶装置からリードされたデータを一時的に保存する複数のゾーングループを含むキャッシュティアと、
前記複数の記憶装置のうちソース記憶装置に保存されたデータを前記キャッシュティアを介して前記複数の記憶装置のうちターゲット記憶装置に移動させるシステムコントローラと、を含み、
前記複数のゾーングループは、
前記複数の記憶装置毎にそれぞれ割り当てられ、
保存されたデータの平均アクセスカウントに応じて区分されるＮ個（Ｎは１より大きい自然数）のデータゾーンをそれぞれ含み、
前記システムコントローラは、
前記ソース記憶装置に保存されたデータを前記ソース記憶装置に割り当てられたゾーングループであるソースゾーングループ内のＮ個のデータゾーンのうち第１データゾーンにロードし、
前記第１データゾーンに保存されたデータの第１平均アクセスカウントと、前記ターゲット記憶装置に割り当てられたターゲットゾーングループ内のＮ個のデータゾーンのうち第２データゾーンに保存されたデータの第２平均アクセスカウントとを比較し、
前記第１平均アクセスカウントが前記第２平均アクセスカウントより小さいかまたは同じであれば、前記第１データゾーンにロードされたデータを前記第２データゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御し、
前記第２データゾーンに移動されたデータを前記ターゲット記憶装置に保存するように前記ストレージティアを制御することを特徴とするストレージシステム。
前記複数の記憶装置に保存されるデータを一時的に保存したり、前記複数の記憶装置からリードされたデータを一時的に保存する複数のゾーングループを含むキャッシュティアと、
前記複数の記憶装置のうちソース記憶装置に保存されたデータを前記キャッシュティアを介して前記複数の記憶装置のうちターゲット記憶装置に移動させるシステムコントローラと、を含み、
前記複数のゾーングループは、
前記複数の記憶装置毎にそれぞれ割り当てられ、
保存されたデータの平均アクセスカウントに応じて区分されるＮ個（Ｎは１より大きい自然数）のデータゾーンをそれぞれ含み、
前記システムコントローラは、
前記ソース記憶装置に保存されたデータを前記ソース記憶装置に割り当てられたゾーングループであるソースゾーングループ内のＮ個のデータゾーンのうち第１データゾーンにロードし、
前記第１データゾーンに保存されたデータの第１平均アクセスカウントと、前記ターゲット記憶装置に割り当てられたターゲットゾーングループ内のＮ個のデータゾーンのうち第２データゾーンに保存されたデータの第２平均アクセスカウントとを比較し、
前記第１平均アクセスカウントが前記第２平均アクセスカウントより小さいかまたは同じであれば、前記第１データゾーンにロードされたデータを前記第２データゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御し、
前記第２データゾーンに移動されたデータを前記ターゲット記憶装置に保存するように前記ストレージティアを制御することを特徴とするストレージシステム。
【請求項15】
前記第２データゾーンは、
前記ターゲットゾーングループ内のＮ個のデータゾーンのうち最も少ない平均アクセスカウントのデータを保存することを特徴とする請求項１４に記載のストレージシステム。
前記ターゲットゾーングループ内のＮ個のデータゾーンのうち最も少ない平均アクセスカウントのデータを保存することを特徴とする請求項１４に記載のストレージシステム。
【請求項16】
前記システムコントローラは、
前記第１平均アクセスカウントが前記第２平均アクセスカウントより大きければ、二番目に低い平均アクセスカウントのデータを保存するように設定された第３データゾーンに保存されたデータの第３平均アクセスカウントと前記第１平均アクセスカウントとを比較し、
前記第１平均アクセスカウントが前記第３平均アクセスカウントより小さいかまたは同じであれば、前記第１データゾーンにロードされたデータを前記第３データゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御し、
前記第３データゾーンに移動されたデータを前記ターゲット記憶装置に保存するように前記ストレージティアを制御することを特徴とする請求項１５に記載のストレージシステム。
前記第１平均アクセスカウントが前記第２平均アクセスカウントより大きければ、二番目に低い平均アクセスカウントのデータを保存するように設定された第３データゾーンに保存されたデータの第３平均アクセスカウントと前記第１平均アクセスカウントとを比較し、
前記第１平均アクセスカウントが前記第３平均アクセスカウントより小さいかまたは同じであれば、前記第１データゾーンにロードされたデータを前記第３データゾーンに移動させるように前記キャッシュティアを制御し、
前記第３データゾーンに移動されたデータを前記ターゲット記憶装置に保存するように前記ストレージティアを制御することを特徴とする請求項１５に記載のストレージシステム。
【請求項17】
前記システムコントローラは、
前記複数の記憶装置のそれぞれに対応する重み付けのうち選択された前記ターゲット記憶装置に対応する重み付けを前記第２平均アクセスカウントに割り当てることを特徴とする請求項１４に記載のストレージシステム。
前記複数の記憶装置のそれぞれに対応する重み付けのうち選択された前記ターゲット記憶装置に対応する重み付けを前記第２平均アクセスカウントに割り当てることを特徴とする請求項１４に記載のストレージシステム。
【請求項18】
第１記憶装置と、
第２記憶装置と、
前記第１記憶装置に保存されるデータを一時的に保存したり、前記第１記憶装置からリードされたデータを一時的に保存する第１キャッシュ領域と、
前記第２記憶装置に保存されるデータを一時的に保存したり、前記第２記憶装置からリードされたデータを一時的に保存する第２キャッシュ領域と、
前記第１キャッシュ領域及び前記第２キャッシュ領域を介して前記第１記憶装置と前記第２記憶装置との間でデータが移動されるように制御するシステムコントローラと、を含み、
前記第１キャッシュ領域及び前記第２キャッシュ領域は、
平均アクセスカウントに基づいて再決定された順にデータを保存するように設定されたホットデータゾーン、ウォームデータゾーン及びコールドデータゾーンをそれぞれ含み、
前記第１キャッシュ領域に保存されたデータの平均アクセスカウントは、
前記第２キャッシュ領域に保存されたデータの平均アクセスカウントより大きく、
前記システムコントローラは、
前記第１記憶装置に保存されたデータを前記第２キャッシュ領域のホットデータゾーンに一時的に保存し、前記第２キャッシュ領域のホットデータゾーンに一時的に保存されたデータを前記第２記憶装置に保存することを特徴とするストレージシステム。
第２記憶装置と、
前記第１記憶装置に保存されるデータを一時的に保存したり、前記第１記憶装置からリードされたデータを一時的に保存する第１キャッシュ領域と、
前記第２記憶装置に保存されるデータを一時的に保存したり、前記第２記憶装置からリードされたデータを一時的に保存する第２キャッシュ領域と、
前記第１キャッシュ領域及び前記第２キャッシュ領域を介して前記第１記憶装置と前記第２記憶装置との間でデータが移動されるように制御するシステムコントローラと、を含み、
前記第１キャッシュ領域及び前記第２キャッシュ領域は、
平均アクセスカウントに基づいて再決定された順にデータを保存するように設定されたホットデータゾーン、ウォームデータゾーン及びコールドデータゾーンをそれぞれ含み、
前記第１キャッシュ領域に保存されたデータの平均アクセスカウントは、
前記第２キャッシュ領域に保存されたデータの平均アクセスカウントより大きく、
前記システムコントローラは、
前記第１記憶装置に保存されたデータを前記第２キャッシュ領域のホットデータゾーンに一時的に保存し、前記第２キャッシュ領域のホットデータゾーンに一時的に保存されたデータを前記第２記憶装置に保存することを特徴とするストレージシステム。
【請求項19】
前記システムコントローラは、
前記第１記憶装置に保存されたデータを前記第１キャッシュ領域のウォームデータゾーンにロードし、
前記第１キャッシュ領域のウォームデータゾーンにロードされたデータを前記第２キャッシュ領域のホットデータゾーンに一時的に保存することを特徴とする請求項１８に記載のストレージシステム。
前記第１記憶装置に保存されたデータを前記第１キャッシュ領域のウォームデータゾーンにロードし、
前記第１キャッシュ領域のウォームデータゾーンにロードされたデータを前記第２キャッシュ領域のホットデータゾーンに一時的に保存することを特徴とする請求項１８に記載のストレージシステム。
【請求項20】
前記システムコントローラは、
前記第２記憶装置に保存されたデータを前記第１キャッシュ領域のコールドデータゾーンに一時的に保存させた後、前記第１キャッシュ領域のコールドデータゾーンに一時的に保存されたデータを前記第１記憶装置に保存することを特徴とする請求項１８に記載のストレージシステム。
前記第２記憶装置に保存されたデータを前記第１キャッシュ領域のコールドデータゾーンに一時的に保存させた後、前記第１キャッシュ領域のコールドデータゾーンに一時的に保存されたデータを前記第１記憶装置に保存することを特徴とする請求項１８に記載のストレージシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は電子装置に関し、より具体的に本発明はストレージシステムに関する。
【背景技術】
【0002】
記憶装置はメモリコントローラとメモリ装置を含んでもよい。メモリコントローラはホストからの信号に基づいてメモリ装置へのデータの保存を制御することができる。
【0003】
揮発性メモリ装置は、電源から電力が供給される間のみデータを保存する。若し、電力の供給が遮断されると、揮発性メモリ装置に保存されたデータは消失する。揮発性メモリ装置の例には、静的ランダムアクセスメモリ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ；ＳＲＡＭ）、動的ランダムアクセスメモリ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ；ＤＲＡＭ）が含まれる。
【0004】
不揮発性メモリ装置は、電源が遮断されてもデータを保存する。不揮発性メモリ装置の例には、ロム（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ；ＲＯＭ）、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）及びフラッシュメモリ（Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ）が含まれる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の実施例は、キャッシュされるデータの属性に基づいてキャッシュされたデータを区分して一時的に保存することで性能を改善するストレージシステムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一実施例に係るストレージシステムは、第１記憶装置と、データを一時的に保存する第１ゾーングループ及び第２ゾーングループを含むキャッシュティアと、第１記憶装置に保存されたデータをキャッシュティアに移動させるシステムコントローラと、を含み、第１ゾーングループ及び第２ゾーングループはそれぞれ、データがアクセスされる回数に基づいてデータを保存するように設定される複数のデータゾーンを含み、システムコントローラは、第１記憶装置に保存されたデータを第１ゾーングループに含まれたソースデータゾーンにロードし、ソースデータゾーンがアクセスされた回数である第１アクセスカウントと第２アクセスカウントに基づいてソースデータゾーンにロードされたデータを第２ゾーングループに含まれたターゲットデータゾーンに移動させ、第１アクセスカウントはソースデータゾーンのアクセス回数に対応し、第２アクセスカウントは第２ゾーングループに含まれた基準データゾーンのアクセス回数に対応することができる。
【0007】
本発明のさらに他の実施例に係るストレージシステムは、複数の記憶装置を含むストレージティアと、複数の記憶装置に保存されるデータを一時的に保存したり、複数の記憶装置からリードされたデータを一時的に保存する複数のゾーングループを含むキャッシュティアと、複数の記憶装置のうちソース記憶装置に保存されたデータをキャッシュティアを介して複数の記憶装置のうちターゲット記憶装置に移動させるシステムコントローラと、を含み、複数のゾーングループは、複数の記憶装置毎にそれぞれ割り当てられ、保存されたデータの平均アクセスカウントに応じて区分されるＮ個（Ｎは１より大きい自然数）のデータゾーンをそれぞれ含み、システムコントローラは、ソース記憶装置に保存されたデータをソース記憶装置に割り当てられたゾーングループであるソースゾーングループ内のＮ個のデータゾーンのうち第１データゾーンにロードし、第１データゾーンに保存されたデータの第１平均アクセスカウントと、ターゲット記憶装置に割り当てられたゾーングループであるターゲットゾーングループ内のＮ個のデータゾーンのうち第２データゾーンに保存されたデータの第２平均アクセスカウントとを比較し、第１平均アクセスカウントが第２平均アクセスカウントより小さいかまたは同じであれば、第１データゾーンにロードされたデータを第２データゾーンに移動させるようにキャッシュティアを制御し、第２データゾーンに移動されたデータをターゲット記憶装置に保存するようにストレージティアを制御することができる。
【0008】
本発明のさらに他の実施例に係るストレージシステムは、第１記憶装置と、第２記憶装置と、第１記憶装置に保存されるデータを一時的に保存したり、第１記憶装置からリードされたデータを一時的に保存する第１キャッシュ領域と、第２記憶装置に保存されるデータを一時的に保存したり、第２記憶装置からリードされたデータを一時的に保存する第２キャッシュ領域と、第１キャッシュ領域及び第２キャッシュ領域を介して第１記憶装置と第２記憶装置との間でデータが移動されるように制御するシステムコントローラと、を含み、第１キャッシュ領域及び第２キャッシュ領域は、平均アクセスカウントに基づいて再決定された順にデータを保存するように設定されたホットデータゾーン、ウォームデータゾーン及びコールドデータゾーンをそれぞれ含み、第１キャッシュ領域に保存されたデータの平均アクセスカウントは、第２キャッシュ領域に保存されたデータの平均アクセスカウントより大きく、システムコントローラは、第１記憶装置に保存されたデータを第２キャッシュ領域のホットデータゾーンに一時的に保存し、第２キャッシュ領域のホットデータゾーンに一時的に保存されたデータを第２記憶装置に保存することができる。
【0009】
本発明のさらに他の実施例に係る装置は、命令を保存する記憶領域、及び第１記憶装置及びそれぞれ複数のデータゾーンを含む第１ゾーングループと第２ゾーングループを含むキャッシュティアを制御するための命令を実行するように構成されたコントローラを含んでもよい。コントローラは、第１ゾーングループの複数のデータゾーンのうち１つに対応するソースデータゾーンにおいて第１記憶装置に保存されたデータをロードするロード動作及びソースデータゾーンにロードされたデータを第２ゾーングループの複数のデータゾーンのうち１つに対応するターゲットデータゾーンに移動させる移動動作を第１アクセスカウント及び第２アクセスカウントに基づいて遂行することができる。第１アクセスカウントはソースデータゾーンのアクセスカウントに対応し、第２アクセスカウントは第２ゾーングループの複数のデータゾーンのうち１つに対応する基準データゾーンのアクセス回数に対応することができる。
【発明の効果】
【0010】
本技術によると、キャッシュされるデータの属性に基づいてキャッシュされたデータを区分して一時的に保存することで性能を改善するストレージシステムが提供される。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明の一実施例に係るストレージシステムを説明するための図である。
【図2】本発明の一実施例に係るストレージシステムを具体的に説明するための図である。
【図3】キャッシュティア内でデータを移動させる一実施例を説明するための図である。
【図4】本発明の一実施例に係るアクセスカウント保存部を説明するための図である。
【図5】アクセスカウント情報を含む第１～第３テーブルを説明するための図である。
【図6】キャッシュティア内でデータを移動させる他の実施例を説明するための図である。
【図7】本発明の一実施例に係るストレージシステムの動作方法を説明するためのフローチャートである。
【図8】本発明の一実施例に係る記憶装置を説明するための図である。
【図9】本発明の一実施例に係るメモリ装置を説明するための図である。
【図10】本発明の一実施例に係るメモリブロックを説明するための図である。
【図11】本発明の一実施例に係るメモリコントローラを説明するための図である。
【図12】本発明の一実施例に係る記憶装置が適用されたメモリカードシステムを示すブロック図である。
【図13】本発明の実施例に係る記憶装置が適用されたＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）システムを示すブロック図である。
【図14】本発明の実施例に係る記憶装置が適用されたユーザーシステムを示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
本明細書または出願に開示されている本発明の概念による実施例に対する特定の構造的ないし機能的説明は、本発明の概念による実施例を説明するためだけに例示されたものであり、本発明の概念による実施例は様々な形態で実施されてもよく、本明細書または出願に説明された実施例に限定されると解釈すべきではない。
【0013】
図１は本発明の一実施例に係るストレージシステムを説明するための図である。
【0014】
図１を参照すると、ストレージシステム１は、ユーザーが保存しようとするデータを保存したり、ユーザーが求めるデータを提供するシステムであってもよい。
【0015】
ストレージシステム１は、ＰＣ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、データセンター（ｄａｔａ ｃｅｎｔｅｒ）、企業型データストレージシステム、ＤＡＳ（ｄｉｒｅｃｔ ａｔｔａｃｈｅｄ ｓｔｏｒａｇｅ）を含むデータ処理システム、ＳＡＮ（ｓｔｏｒａｇｅ ａｒｅａ ｎｅｔｗｏｒｋ）を含むデータ処理システム、ＮＡＳ（ｎｅｔｗｏｒｋ ａｔｔａｃｈｅｄ ｓｔｏｒａｇｅ）を含むデータ処理システムなどで具現されてもよい。
【0016】
ストレージシステム１は、システムコントローラ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１０と、キャッシュティア（Ｃａｃｈｅ Ｔｉｅｒ）２０と、ストレージティア（Ｓｔｏｒａｇｅ Ｔｉｅｒ）３０と、を含んでもよい。
【0017】
システムコントローラ１０は、キャッシュティア２０を介してストレージティア３０にデータを保存したり、キャッシュティア２０を介してストレージティア３０に保存されたデータを取得することができる。
【0018】
一実施例において、システムコントローラ１０は外部のソースから提供されたデータをキャッシュティア２０に一時的に保存することができる。システムコントローラ１０はキャッシュティア２０に一時的に保存されたデータをストレージティア３０に出力するようにキャッシュティア２０を制御することができる。また、システムコントローラ１０はキャッシュティア２０に一時的に保存されたデータをストレージティア３０に保存するようにストレージティア３０を制御することができる。
【0019】
具体的に、例えば、システムコントローラ１０は、キャッシュティア２０に一時的に保存されたデータをストレージティア３０に出力（またはフラッシュ（ｆｌｕｓｈ））することを命令するフラッシュコマンド（ｆｌｕｓｈ ｃｏｍｍａｎｄ）をキャッシュティア２０に提供することができる。システムコントローラ１０は、ストレージティア３０へのデータ保存を要求する書き込み要求とデータを識別するための論理アドレスをストレージティア３０に提供することができる。
【0020】
一実施例において、システムコントローラ１０はストレージティア３０に保存されたデータが出力されるようにストレージティア３０を制御することができる。例えば、システムコントローラ１０はストレージティア３０から出力されたデータをキャッシュティア２０に一時的に保存することができる。システムコントローラ１０はキャッシュティア２０に一時的に保存されたデータを外部に提供することができる。
【0021】
例えば、システムコントローラ１０は、ストレージティア３０に保存されたデータのリードを要求するリード要求とストレージティア３０に保存されたデータを識別するための論理アドレスをストレージティア３０に提供することができる。システムコントローラ１０は、リードしたデータをキャッシュティア２０に一時的に保存することができる。一実施例において、システムコントローラ１０は、キャッシュティア２０に一時的に保存されたデータを外部の要求者または目的地に提供するようにキャッシュティア２０を制御することができる。
【0022】
システムコントローラ１０は、データをストレージティア３０に保存したりストレージティア３０に保存されたデータを取得するためにキャッシュティア２０と通信することができ、ストレージティア３０と通信することもできる。
【0023】
システムコントローラ１０は、インターフェースを介してキャッシュティア２０と通信してもよく、インターフェースを介しストレージティア３０と通信してもよい。キャッシュティア２０はインターフェースを介してストレージティア３０と通信してもよい。このような通信には同じインターフェースまたは異なるインターフェースが用いられてもよい。インターフェースの例としては、ＳＡＴＡ（ｓｅｒｉａｌ ａｄｖａｎｃｅｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）インターフェース、ＳＡＴＡｅ（ＳＡＴＡ ｅｘｐｒｅｓｓ）インターフェース、ＳＡＳ（ｓｅｒｉａｌ ａｔｔａｃｈｅｄ ｓｍａｌｌ ｃｏｍｐｕｔｅｒ ｓｙｓｔｅｍ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）インターフェース、ＰＣＩｅ（ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ ｅｘｐｒｅｓｓ）インターフェース、ＮＶＭｅ（ｎｏｎ－ｖｏｌａｔｉｌｅ ｍｅｍｏｒｙ Ｅｘｐｒｅｓｓ）インターフェース、ＡＨＣＩ（ａｄｖａｎｃｅｄ ｈｏｓｔ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）インターフェース、またはマルチメディアカード（ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ ｃａｒｄ）インターフェースが含まれてもよいが、これに限定されるものではない。
【0024】
一実施例において、システムコントローラ１０は、ホストＨＯＳＴまたは異なる類型の装置であってもく、これに含まれてもよい。
【0025】
キャッシュティア２０は、システムコントローラ１０から提供されたデータを一時的に保存したり、ストレージティア３０から出力されたデータを一時的に保存することができる。例えば、キャッシュティア２０は、ストレージティア３０に保存されるデータを一時的に保存したり、ストレージティア３０に保存されたデータを一時的に保存することができる。このため、キャッシュティア２０は１つ以上の揮発性メモリ装置を含んでもよい。キャッシュティア２０は少なくとも１つの揮発性メモリ装置の集合であってもよい。
【0026】
例えば、１つ以上の揮発性メモリ装置には、ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｄａｔａ Ｒａｔｅ Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＬＰＤＤＲ４（Ｌｏｗ Ｐｏｗｅｒ Ｄｏｕｂｌｅ Ｄａｔａ Ｒａｔｅ４） ＳＤＲＡＭ、ＧＤＤＲ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｄｏｕｂｌｅ Ｄａｔａ Ｒａｔｅ） ＳＤＲＡＭ、ＬＰＤＤＲ（Ｌｏｗ Ｐｏｗｅｒ ＤＤＲ）、ＲＤＲＡＭ（Ｒａｍｂｕｓ Ｄｙｎａｍｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）、抵抗変化型メモリ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ：ＲＲＡＭ）、相変化メモリ（ｐｈａｓｅ－ｃｈａｎｇｅ ｍｅｍｏｒｙ：ＰＲＡＭ）、磁気抵抗メモリ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ：ＭＲＡＭ）、強誘電体メモリ（ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）、スピン注入磁化反転メモリ（ｓｐｉｎ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｔｏｒｑｕｅ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）などが含まれてもよい。
【0027】
一実施例において、キャッシュティア２０は複数の揮発性メモリ装置２１、２２、２３、２４を含んでもよい。例えば、キャッシュティア２０は、ＤＲＡＭ２１、ＳＲＡＭ２２、ＲＤＲＡＭ２３、及びＳＴＴ－ＭＲＡＭ（Ｓｐｉｎ－Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｔｏｒｑｕｅ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）２４を含んでもよいが、キャッシュティア２０は他の実施例において１つ以上の異なる類型のメモリ装置を含んでもよい。
【0028】
一実施例において、キャッシュティア２０はストレージティア３０がアクセスされる速度より速い速度でアクセスされることができる。即ち、システムコントローラ１０がキャッシュティアをアクセスする速度は、システムコントローラ１０がストレージティア３０をアクセスする速度より速くてもよい。
【0029】
ストレージティア３０は１つ以上の記憶装置の集合であってもよい。ストレージティア３０はデータを保存したり、既に保存されたデータを出力することができる。
【0030】
一実施例において、ストレージティア３０は、システムコントローラ１０から提供された書き込み要求に応答してシステムコントローラ１０により提供されたデータを保存し、保存が完了したという応答（ｒｅｓｐｏｎｓｅ）をシステムコントローラ１０に提供することができる。
【0031】
一実施例において、ストレージティア３０は、システムコントローラ１０から提供されたリード要求に応答してシステムコントローラ１０が提供した論理アドレスに対応するデータをリードし、リードしたデータをリード要求に対する応答として出力することができる。
【0032】
一実施例において、ストレージティア３０は複数の記憶装置（Ｓｔｏｒａｇｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ）３１＿１、３１＿２、３１＿ｎを含んでもよい。ストレージティア３０に保存された複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎの数はｎ個（ｎは１より大きい自然数）であってもよい。
【0033】
【0034】
一実施例において、ストレージティア３０がアクセスされる速度はキャッシュティア２０がアクセスされる速度より遅くてもよい。
【0035】
システムコントローラ１０が記憶装置をアクセスする頻度は複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎ毎に異なってもよい。複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎのうち第１記憶装置３１＿１がアクセスされる頻度は、複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎから第１記憶装置３１＿１を除いた記憶装置３１＿２、３１＿ｎがアクセスされる頻度より多くてもよい。システムコントローラ１０が記憶装置をアクセスするのは、システムコントローラ１０がデータを記憶装置に保存したり、記憶装置に保存されたデータをリードすることであってもよい。
【0036】
記憶装置がアクセスされる頻度が複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎ毎に異なる場合、複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎ毎に有する寿命が異なることがある。例えば、第１記憶装置３１＿１がアクセスされる頻度が複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎのうち最も多いと、第１記憶装置３１＿１の寿命が複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎのうち最も短い可能性がある。この場合、ストレージシステム１の性能がストレージシステムにおける記憶装置の寿命のばらつきにより低下することがある。
【0037】
ストレージシステム１の性能低下を防ぐために、記憶装置がアクセスされる頻度が相対的に多い一記憶装置に保存されたデータが記憶装置がアクセスされる頻度が相対的に少ない他の記憶装置に移動されてもよい。
【0038】
一実施例において、複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎの間でデータを移動させることで、記憶装置がアクセスされる頻度を均一に保持することができる。また、複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎのそれぞれが有する寿命が均一に保持されることで、ストレージシステム１の性能の過度な低下を防止することができる。
【0039】
一方、記憶装置の容量や記憶装置がアクセスされる頻度などは複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎ毎に異なってもよい。例えば、第１記憶装置３１＿１がアクセスされる速度が複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎのうち最も速くてもよい。例えば、第２記憶装置３１＿２の記憶容量が複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎのうち最も大きくてもよい。
【0040】
求められるデータをより速くアクセスするために、アクセス速度の比較的遅い記憶装置に保存されたデータがアクセスされる速度の比較的速い記憶装置に移動されてもよい。
【0041】
複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎの間でデータを移動させることにより、データをユーザーにより速く提供することで、ストレージシステム１の性能が改善されることができる。
【0042】
図２は本発明の一実施例に係るストレージシステムを具体的に説明するための図である。
【0043】
図１及び図２を参照すると、一実施例において、システムコントローラ１０は、複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎのうちソース記憶装置に保存されたデータをキャッシュティア２０を介して複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎのうちターゲット記憶装置に移動させることができる。例えば、このような移動動作は、ソース記憶装置に保存されたデータがターゲット記憶装置にコピー（ｃｏｐｙ）され、ソース記憶装置に保存されたデータが無効（ｉｎｖａｌｉｄ）処理されるときに行われてもよい。
【0044】
ソース記憶装置はターゲット記憶装置に移動するデータを保存した記憶装置であってもよい。例えば、第１記憶装置３１＿１がソース記憶装置である場合、ターゲット記憶装置は複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎのうち記憶装置３１＿２、３１＿ｎの何れか１つの記憶装置であってもよい。
【0045】
キャッシュティア２０は複数のデータ領域を含んでもよい。データ領域はデータの属性が同じデータ同士が一時的に保存される領域であってもよい。複数のデータ領域の数はＮ個（Ｎは１より大きい自然数）であってもよい。図２を参照すると、例えば、複数のデータ領域の数は３個であってもよい。以下では、説明の便宜上、複数のデータ領域を第１～第３データ領域２０＿１、２０＿２、２０＿３であると仮定する。
【0046】
一実施例において、第１～第３データ領域２０＿１、２０＿２、２０＿３はデータの属性に応じて区分されてもよい。データの属性は、例えば、ホットデータ、ウォームデータ及びコールドデータに区分されることができる。ホットデータ、ウォームデータ及びコールドデータはデータがアクセスされる回数に応じて区分されてもよい。
【0047】
データの属性がホットデータ、ウォームデータ及びコールドデータに区分される場合、第１～第３データ領域２０＿１、２０＿２、２０＿３は、ホットデータ領域、ウォームデータ領域、及びコールドデータ領域に区分されることができる。
【0048】
ホットデータ領域はデータの属性がホットデータであるデータが保存される領域であってもよい。ウォームデータ領域はデータの属性がウォームデータであるデータが保存される領域であってもよい。コールドデータ領域はデータの属性がコールドデータであるデータが保存される領域であってもよい。例えば、第１データ領域２０＿１がホットデータ領域であり、第２データ領域２０＿２がウォームデータ領域であり、第３データ領域２０＿３がコールドデータ領域であってもよい。他の実施例において、ホット、ウォーム、コールドデータ領域は第１～第３データ領域２０＿１、２０＿２、２０＿３の異なる組み合わせに対応することができる。
【0049】
一実施例において、少なくとも１つのデータ領域は図１に示す複数の揮発性メモリ装置２１、２２、２３、２４の何れか１つに対応することができる。この場合、各データ領域は複数の揮発性メモリ装置２１、２２、２３、２４のそれぞれのアクセス速度（例えば、書き込み速度）に応じて対応してもよい。
【0050】
例えば、一般的に複数の揮発性メモリ装置２１、２２、２３、２４のうちＤＲＡＭ２１のアクセス速度よりＲＤＲＡＭ２３のアクセス速度が速く、ＲＤＲＡＭ２３のアクセス速度よりＳＲＡＭ２２のアクセス速度が速い。この場合、第１データ領域２０＿１はＳＲＡＭ２２に対応し、第２データ領域２０＿２はＲＤＲＡＭ２３に対応し、第３データ領域２０＿３はＤＲＡＭ２１に対応することができる。しかし、これに限定されず、第１～第３データ領域２０＿１、２０＿２、２０＿３のうち第１データ領域２０＿１がアクセス速度の最も速い揮発性メモリ装置に対応し、第１～第３データ領域２０＿１、２０＿２、２０＿３のうち第３データ領域２０＿３がアクセス速度の最も遅い揮発性メモリ装置に対応してもよい。
【0051】
他の例として、第１データ領域２０＿１はＳＲＡＭ２２に対応し、第２データ領域２０＿２及び第３データ領域２０＿３がＲＤＲＡＭ２３に対応してもよい。しかし、これに限定されるものではない。
【0052】
１つのデータ領域は複数のデータゾーンを含んでもよい。例えば、第１データ領域２０＿１は第１＿１～第１＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ１＿２、Ｚｏｎｅ１＿ｎを含み、第２データ領域２０＿２は第２＿１～第２＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ２＿２、Ｚｏｎｅ２＿ｎを含み、第３データ領域２０＿３は第３＿１～第３＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ３＿１、Ｚｏｎｅ３＿２、Ｚｏｎｅ３＿ｎを含んでもよい。
【0053】
１つのデータ領域に含まれた複数のデータゾーンの数はストレージティア３０に含まれた複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎの数に対応することができる。例えば、複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎの数がｎ個である場合、第１データ領域２０＿１に含まれた第１＿１～第１＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ１＿２、Ｚｏｎｅ１＿ｎの数はｎ個であってもよい。また、第２データ領域２０＿２に含まれた第２＿１～第２＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ２＿２、Ｚｏｎｅ２＿ｎの数もｎ個であってもよく、第３データ領域２０＿３に含まれた第３＿１～第３＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ３＿１、Ｚｏｎｅ３＿２、Ｚｏｎｅ３＿ｎの数もｎ個であってもよい。
【0054】
１つのデータゾーンは予め設定された記憶容量を有する記憶空間であってもよい。１つのデータ領域に含まれた複数のデータゾーンのそれぞれの記憶容量は同一または異なってもよい。例えば、１つのデータ領域に含まれた複数のデータゾーンの何れか１つのデータゾーンに第１データが保存され、１つのデータ領域に含まれた複数のデータゾーンの他の１つのデータゾーンに第１データ及び第２データが保存されてもよい。しかし、これに限定しない。本明細書において、「データゾーン」または「ゾーン」は同じ意味であることができる。
【0055】
一実施例において、キャッシュティア２０は複数のゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ｎを含んでもよい。
【0056】
複数のゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ｎは、複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎに保存されるデータを一時的に保存したり、複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎからリードしたデータを一時的に保存することができる。
【0057】
複数のゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ｎは複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎ毎に割り当てられるグループであってもよい。例えば、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １は第１記憶装置３１＿１に対して割り当てられたグループであってもよい。第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２は第２記憶装置３１＿２に対して割り当てられたグループであってもよい。第ｎゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ｎは第ｎ記憶装置３１＿ｎに対して割り当てられたグループであってもよい。
【0058】
一実施例において、第１記憶装置３１＿１に保存されたデータは第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １に一時的に保存されてもよい。または第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １に一時的に保存されたデータは第１記憶装置３１＿１に保存されてもよい。
【0059】
一実施例において、第２記憶装置３１＿２に保存されたデータは第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に一時的に保存されてもよい。または第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に一時的に保存されたデータは第２記憶装置３１＿２に保存されてもよい。
【0060】
一実施例において、第３記憶装置３１＿３に保存されたデータは第３ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ３に一時的に保存されてもよい。または第３ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ３に一時的に保存されたデータは第３記憶装置３１＿３に保存されてもよい。
【0061】
複数のゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ｎはＮ個（Ｎは１より大きい自然数）のデータゾーンをそれぞれ含んでもよい。例えば、１つのゾーングループは、第１データ領域２０＿１に含まれた１つのデータゾーンと、第２データ領域２０＿２に含まれた１つのデータゾーンと、第３データ領域２０＿３に含まれた１つのデータゾーンと、を含むことができる。従って、１つのゾーングループは３つのデータゾーンを含むことができるが、他の実施例では異なる数のゾーンを含んでもよい。
【0062】
ここで、Ｎ個のデータゾーンは各データゾーンに保存されたデータの平均アクセスカウントに応じて区分されてもよい。平均アクセスカウントは１つのデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値であることができる。アクセスカウントはデータがアクセスされた回数を示す値であることができる。または、アクセスカウントは各データゾーンがアクセスされた回数を示す値であることができる。例えば、キャッシュティア２０に一時的に保存されるデータが第１＿１データゾーンＺｏｎｅ１＿１にロードされると、第１＿１データゾーンＺｏｎｅ１＿１がアクセスされた回数を示すアクセスカウントが増加することができる。
【0063】
一実施例において、ホットデータ領域である第１データ領域２０＿１に含まれた第１＿１～第１＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ１＿２、Ｚｏｎｅ１＿ｎのそれぞれはホットデータゾーンであってもよい。ウォームデータ領域である第２データ領域２０＿２に含まれた第２＿１～第２＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ２＿２、Ｚｏｎｅ２＿ｎのそれぞれはウォームデータゾーンであってもよい。コールドデータ領域である第３データ領域２０＿３に含まれた第３＿１～第３＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ３＿１、Ｚｏｎｅ３＿２、Ｚｏｎｅ３＿ｎのそれぞれはコールドデータゾーンであってもよい。
【0064】
一実施例において、１つの記憶装置に保存されたデータの属性がホットデータである場合、１つの記憶装置に保存されたデータはホットデータゾーンに一時的に保存されてもよい。１つの記憶装置に保存されたデータの属性がウォームデータである場合、１つの記憶装置に保存されたデータはウォームデータゾーンに一時的に保存されてもよい。１つの記憶装置に保存されたデータの属性がコールドデータである場合、１つの記憶装置に保存されたデータはコールドデータゾーンに一時的に保存されてもよい。
【0065】
一実施例において、ホットデータゾーン、ウォームデータゾーン及びコールドデータゾーンは、１つの記憶装置に保存されたデータがアクセスされる回数に応じてデータが一時的に保存されるゾーンであってもよい。例えば、ホットデータゾーン、ウォームデータゾーン及びコールドデータゾーンのそれぞれに予め決定された順序、例えば、平均アクセスカウントの降順にデータが保存されてもよい。例えば、この順序によると、ホットデータゾーンに保存されたデータの平均アクセスカウントが最も大きく、コールドデータゾーンに保存されたデータの平均アクセスカウントが最も小さくてもよい。他の実施例では異なる予め決定された順序が用いられてもよい。
【0066】
一実施例において、ホットデータゾーン、ウォームデータゾーン及びコールドデータゾーンはデータゾーンがアクセスされる回数に応じて区分されるゾーンであってもよい。
【0067】
記憶装置に保存されるデータはゾーングループに一時的に保存されるか、記憶装置からリードしたデータがゾーングループに一時的に保存されるため、ゾーングループはキャッシュ領域であってもよい。例えば、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １は第１キャッシュ領域であり、第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２は第２キャッシュ領域であってもよい。
【0068】
一実施例において、システムコントローラ１０は１つの記憶装置と１つの記憶装置に対して割り当てられた１つのゾーングループを１つの名前空間Ｎａｍｅ Ｓｐａｃｅで管理することができる。例えば、システムコントローラ１０は、第１記憶装置３１＿１と第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １を第１名前空間Ｎａｍｅ Ｓｐａｃｅ １で管理し、第２記憶装置３１＿２と第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２を第２名前空間Ｎａｍｅ Ｓｐａｃｅ ２で管理し、第ｎ記憶装置３１＿ｎと第ｎゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ｎを第ｎ名前空間Ｎａｍｅ Ｓｐａｃｅ ｎで管理することができる。
【0069】
システムコントローラ１０は、ソース記憶装置に保存されたデータをソースゾーングループに含まれたＮ個のデータゾーンのうちソースデータゾーンにロードすることができる。ここで、ソースゾーングループはソース記憶装置に割り当てられたゾーングループであってもよい。例えば、ソース記憶装置が第１記憶装置３１＿１である場合、ソースゾーングループは第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １であってもよい。ソースデータゾーンはソースゾーングループに含まれたＮ個のデータゾーンの何れか１つのデータゾーンであってもよい。例えば、ソースゾーングループが第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １であれば、ソースデータゾーンは第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １に含まれた第１＿１、第２＿１及び第３＿１データゾーンＺｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ３＿１の何れか１つであってもよい。
【0070】
一実施例において、システムコントローラ１０はソース記憶装置に保存されたデータをソースゾーングループのウォームデータゾーンにロードすることができる。例えば、ソース記憶装置が第１記憶装置３１＿１である場合、ソースゾーングループは第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １であり、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １のウォームデータゾーンは第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １に含まれた第１＿１、第２＿１及び第３＿１データゾーンＺｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ３＿１のうち第２データ領域２０＿２に含まれた第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１であってもよい。このとき、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １のウォームデータゾーンがソースデータゾーンであってもよい。
【0071】
一実施例において、システムコントローラ１０はソース記憶装置に保存されたデータをソースゾーングループのホットデータゾーンにロードすることができる。例えば、ソース記憶装置が第１記憶装置３１＿１である場合、ソースゾーングループは第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １であり、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １のホットデータゾーンは第１＿１、第２＿１及び第３＿１データゾーンＺｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ３＿１のうち第１データ領域２０＿１に含まれた第１＿１データゾーンＺｏｎｅ１＿１であってもよい。このとき、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １のホットデータゾーンがソースデータゾーンであってもよい。
【0072】
一実施例において、システムコントローラ１０はソース記憶装置に保存されたデータをソースゾーングループのコールドデータゾーンにロードすることができる。例えば、ソース記憶装置が第１記憶装置３１＿１である場合、ソースゾーングループは第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １であり、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １のコールドデータゾーンは第１＿１、第２＿１及び第３＿１データゾーンＺｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ３＿１のうち第３データ領域２０＿３に含まれた第３＿１データゾーンＺｏｎｅ３＿１であってもよい。このとき、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １のコールドデータゾーンがソースデータゾーンであってもよい。
【0073】
以下では、説明の便宜上、ソースデータゾーンはウォームデータゾーンであると仮定して本発明の実施例を説明する。
【0074】
ソース記憶装置に保存されたデータがソースゾーングループのウォームデータゾーンにロードされると、システムコントローラ１０はソースゾーングループのウォームデータゾーンがアクセスされた回数である第１アクセスカウントと、ターゲットゾーングループの基準データゾーンがアクセスされた回数である第２カウントとを取得することができる。第１アクセスカウントと第２アクセスカウントを取得する方法は図４及び図５を参照して後述する。
【0075】
ターゲットゾーングループはターゲット記憶装置に割り当てられたゾーングループであってもよい。例えば、ターゲット記憶装置が第２記憶装置３１＿２である場合、ターゲットゾーングループは第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２であってもよい。そして、ターゲットゾーングループの基準データゾーンは、第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第１＿２、第２＿２及び第３＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２、Ｚｏｎｅ２＿２、Ｚｏｎｅ３＿２の何れか１つのデータゾーンであってもよい。具体的に例えると、ターゲットゾーングループの基準データゾーンは第２データ領域２０＿２に含まれた第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２、即ち、ウォームデータゾーンであってもよい。
【0076】
以下では、説明の便宜上、ターゲットゾーングループの基準データゾーンはウォームデータゾーンであることを基準に本発明の実施例を説明する。
【0077】
第１アクセスカウントと第２アクセスカウントを取得すると、システムコントローラ１０は第１アクセスカウントと第２アクセスカウントに基づいて、ソースゾーングループのウォームデータゾーンにロードされたデータをターゲットデータゾーンに移動させるようにキャッシュティア２０を制御することができる。ここで、ターゲットデータゾーンは、ターゲットゾーングループに含まれたホットデータゾーン、ウォームデータゾーン及びコールドデータゾーンの何れか１つのデータゾーンであってもよい。
【0078】
システムコントローラ１０は、ターゲットデータゾーンに移動したデータをターゲット記憶装置に保存するようにストレージティア３０を制御することができる。
【0079】
一実施例において、システムコントローラ１０は、ストレージティア制御部（Ｓｔｏｒａｇｅ Ｔｉｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１１、キャッシュティア制御部（Ｃａｃｈｅ Ｔｉｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１２、及びアクセスカウント保存部（Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ Ｍｅｍｏｒｙ）１３を含んでもよい。
【0080】
ストレージティア制御部１１は、ソース記憶装置に保存されたデータをリードするリード動作を行うようにソース記憶装置を制御することができる。
【0081】
ストレージティア制御部１１は、ターゲットデータゾーンに移動したデータをターゲット記憶装置に保存する書き込み動作を行うようにターゲット記憶装置を制御することができる。
【0082】
キャッシュティア制御部１２は、アクセスカウント保存部１３から提供されるアクセスカウント情報に基づいて第１アクセスカウント及び第２アクセスカウントを取得することができる。
【0083】
キャッシュティア制御部１２は第１アクセスカウント及び第２アクセスカウントを比較することができる。例えば、キャッシュティア制御部１２は、第１アクセスカウントが第２アクセスカウントより大きいかどうかを比較することができる。または、キャッシュティア制御部１２は、第１アクセスカウントが第２アクセスカウントより小さいかまたは同じかを比較することができる。
【0084】
キャッシュティア制御部１２は、比較した結果に応じてソースゾーングループのウォームデータゾーンにロードされたデータをターゲットデータゾーンに移動させるようにキャッシュティア２０を制御することができる。
【0085】
アクセスカウント保存部１３はアクセスカウント情報を保存することができる。アクセスカウント情報は、複数のデータゾーンＺｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ３＿１、Ｚｏｎｅ１＿２、Ｚｏｎｅ２＿２、Ｚｏｎｅ３＿２、Ｚｏｎｅ１＿ｎ、Ｚｏｎｅ２＿ｎ、Ｚｏｎｅ３＿ｎのそれぞれに保存されたデータがアクセスされた回数、即ち、アクセスカウントを示す情報であってもよい。これに対する具体的な説明は図４及び図５を参照して後述する。
【0086】
複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎは１つ以上の互いに異なる特性または属性、例えば、運営ポリシー、有効寿命、用途及び／または１つ以上の異なる特性を有することができる。この場合、キャッシュティア制御部１２は複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎのそれぞれに対応する重み付けを予め設定することができる。キャッシュティア制御部１２が第１アクセスカウントと第２アクセスカウントを比較するとき、キャッシュティア制御部１２は複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎから選択されたターゲット記憶装置の特性に対応する重み付けを第２アクセスカウントに反映することができる。
【0087】
具体的には、例えば、キャッシュティア制御部１２は複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎのそれぞれに対応する重み付けのうちターゲット記憶装置に対応する重み付けを第２アクセスカウントに反映することができる。そして、キャッシュティア制御部１２は、ターゲット記憶装置に対応する重み付けが反映された第２アクセスカウントと第１アクセスカウントを比較した結果に応じてソースゾーングループのウォームデータゾーンにロードされたデータをターゲットデータゾーンに移動させるようにキャッシュティア２０を制御することができる。
【0088】
他の実施例において、システムコントローラ１０は、ソース記憶装置に保存されたデータをソースゾーングループに含まれたＮ個のデータゾーンのうち第１データゾーンにロードすることができる。ソース記憶装置に保存されたデータが第１データゾーンにロードされると、システムコントローラ１０は、第１データゾーンに保存されたデータの第１平均アクセスカウントと、ターゲットゾーングループに含まれたＮ個のデータゾーンのうち第２データゾーンに保存されたデータの第２平均アクセスカウントとを比較することができる。システムコントローラ１０は、第１平均アクセスカウントが第２平均アクセスカウントより小さいかまたは同じかに応じて、第１データゾーンにロードされたデータを第２データゾーンに移動させるようにキャッシュティア２０を制御することができる。システムコントローラ１０は、第２データゾーンに移動されたデータをターゲット記憶装置に保存するようにストレージティア３０を制御することができる。
【0089】
さらに他の実施例において、第１キャッシュ領域（例えば、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １）に保存されたデータの平均アクセスカウントは、第２キャッシュ領域（例えば、第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２）に保存されたデータの平均アクセスカウントより大きくてもよい。この場合、システムコントローラ１０は、１つの記憶装置（例えば、第１記憶装置３１＿１）及び他の記憶装置（例えば、第２記憶装置３１＿２）の間で移動されデータの移動動作を第１キャッシュ領域と第２キャッシュ領域を介して制御することができる。具体的には、システムコントローラ１０は、第１記憶装置３１＿１に保存されたデータを第２キャッシュ領域のホットデータゾーン（例えば、第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２）に一時的に保存させた後、第２キャッシュ領域のホットデータゾーンに一時的に保存されたデータを第２記憶装置３１＿２に保存することができる。
【0090】
図３はキャッシュティア内でデータを移動させる一実施例を説明するための図である。
【0091】
図３に示す実施例を説明するに当たり、ソース記憶装置は第１記憶装置３１＿１であり、ソースゾーングループは第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １であり、ターゲット記憶装置は第２記憶装置３１＿２であり、ターゲットゾーングループは第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２であると仮定する。
【0092】
また、第１データ領域２０＿１はホットデータ領域で、第２データ領域２０＿２はウォームデータ領域で、第３データ領域２０＿３はコールドデータ領域であると仮定する。
【0093】
また、第１データ領域２０＿１に含まれた第１＿１及び第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ１＿２のそれぞれはホットデータゾーンであり、第２データ領域２０＿２に含まれた第２＿１及び第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ２＿２のそれぞれはウォームデータゾーンであり、第３データ領域２０＿３に含まれた第３＿１及び第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿１、Ｚｏｎｅ３＿２のそれぞれはコールドデータゾーンであると仮定する。
【0094】
一実施例において、システムコントローラ１０は、ユーザーの要求に応じて第１記憶装置３１＿１に保存されたデータを第２記憶装置３１＿２に移動させるようにキャッシュティア２０及びストレージティア３０を制御することができる。
【0095】
図２及び図３を参照すると、例えば、システムコントローラ１０は、第１記憶装置３１＿１に保存されたデータを第２キャッシュ領域のホットデータゾーンに一時的に保存させた後、第２キャッシュ領域のホットデータゾーンに一時的に保存されたデータを第２記憶装置３１＿２に保存することができる。
【0096】
具体的に、例えば、ストレージティア制御部１１は、第１記憶装置３１＿１に保存された第ｘデータＤＡＴＡｘ(ｘは自然数）をリードするリード動作を行うように第１記憶装置３１＿１を制御することができる。第１記憶装置３１＿１はリード動作を行い、第ｘデータＤＡＴＡｘを出力することができる。ストレージティア制御部１１は、第ｘデータＤＡＴＡｘを第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １に含まれた第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１にロードすることができる。この場合、第ｘデータＤＡＴＡｘは最近アクセスされたデータなので、第ｘデータＤＡＴＡｘの属性はホットデータとして扱われることができる。キャッシュティア制御部１２は、第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１に保存された第ｘデータＤＡＴＡｘを第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に保存するようにキャッシュティア２０を制御することができる。ストレージティア制御部１１は、第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に保存された第ｘデータＤＡＴＡｘを第２記憶装置３１＿２に保存する書き込み動作を行うように第２記憶装置３１＿２を制御することができる。
【0097】
第ｘデータＤＡＴＡｘが第１記憶装置３１＿１から第２記憶装置３１＿２に移動した後、システムコントローラ１０は第１記憶装置３１＿１に保存された第ｙデータＤＡＴＡｙ（ｙは自然数）を第２記憶装置３１＿２に移動させるようにストレージティア３０を制御することができる。具体的には、第１記憶装置３１＿１に保存された第ｙデータＤＡＴＡｙが第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １に含まれた第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１にロードされることができる。第ｙデータＤＡＴＡｙは最近アクセスされたデータなので、第ｙデータＤＡＴＡｙの属性はホットデータであることができる。第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１に保存された第ｙデータＤＡＴＡｙは第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に移動されることができる。
【0098】
このとき、第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に保存された第ｘデータＤＡＴＡｘと第ｙデータＤＡＴＡｙのサイズが、第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２の記憶容量を満たすことができる。この場合、キャッシュティア制御部１２は、第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に保存された第ｘデータＤＡＴＡｘと第ｙデータＤＡＴＡｙのうちＬＲＵ（ｌｅａｓｔ ｒｅｃｅｎｔｌｙ ｕｓｅｄ）に該当する第ｘデータＤＡＴＡｘを第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２に移動させるようにキャッシュティア２０を制御することができる。
【0099】
一方、第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に保存された第ｙデータＤＡＴＡｙは第２記憶装置３１＿２に保存されることができる。
【0100】
第ｙデータＤＡＴＡｙが第１記憶装置３１＿１から第２記憶装置３１＿２に移動した後、第１記憶装置３１＿１に保存された第ｚデータＤＡＴＡｚ（ｚは自然数）も第２記憶装置３１＿２に移動されることができる。
【0101】
このとき、第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１に保存された第ｚデータＤＡＴＡｚは、第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に移動され、第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に保存された第ｙデータＤＡＴＡｙと第ｚデータＤＡＴＡｚのサイズが第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２の記憶容量を満たすことができる。この場合、第ｙデータＤＡＴＡｙと第ｚデータＤＡＴＡｚのうちＬＲＵに該当する第ｙデータＤＡＴＡｙが第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２に移動されることができる。
【0102】
第ｙデータＤＡＴＡｙが第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２に移動されることによって、第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２に保存された第ｘデータＤＡＴＡｘと第ｙデータＤＡＴＡｙのサイズが第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２の記憶容量を満たすことができる。この場合、キャッシュティア制御部１２は、第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２に保存された第ｘデータＤＡＴＡｘと第ｙデータＤＡＴＡｙのうちＬＲＵに該当する第ｘデータＤＡＴＡｘを第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に移動させるようにキャッシュティア２０を制御することができる。
【0103】
一方、第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に保存された第ｚデータＤＡＴＡｚは第２記憶装置３１＿２に保存されることができる。
【0104】
図示されていないが、第ｚデータＤＡＴＡｚが第１記憶装置３１＿１から第２記憶装置３１＿２に移動された後、第１記憶装置３１＿１に保存されたさらに他のデータが第２記憶装置３１＿２に移動されてもよい。第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に保存された第ｚデータＤＡＴＡｚとさらに他のデータのサイズが第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２の記憶容量を満たすと、第ｚデータＤＡＴＡｚが第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２に移動されることができる。第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２に保存された第ｙデータＤＡＴＡｙ及び第ｚデータＤＡＴＡｚのサイズが第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２の記憶容量を満たすと、第ｙデータＤＡＴＡｙが第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に移動されることができる。
【0105】
第ｙデータＤＡＴＡｙが第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に移動されることによって、第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に保存された第ｘデータＤＡＴＡｘと第ｙデータＤＡＴＡｙのサイズが第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２の記憶容量を満たすことができる。この場合、キャッシュティア制御部１２は、第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に保存された第ｘデータＤＡＴＡｘと第ｙデータＤＡＴＡｙのうちＬＲＵに該当する第ｘデータＤＡＴＡｘを削除するようにキャッシュティア２０を制御することができる。
【0106】
図３を参照して上述した実施例では、第ｘデータＤＡＴＡｘが第２記憶装置３１＿２に保存されてから第ｙデータＤＡＴＡｙが第２記憶装置３１＿２に保存され、第ｙデータＤＡＴＡｙが第２記憶装置３１＿２に保存されてから第ｚデータＤＡＴＡｚが第２記憶装置３１＿２に保存されると説明した。しかし、これに限定されず、第ｘデータＤＡＴＡｘ、第ｙデータＤＡＴＡｙ、及び第ｚデータＤＡＴＡｚが第１記憶装置３１＿１から一度に出力されても上述した実施例を適用することができる。
【0107】
他の実施例において、キャッシュティア２０に保存されたデータがターゲット記憶装置に保存される動作の場合、第１記憶装置３１＿１に保存されたデータがキャッシュティア２０の第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１、第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２、第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２を経て第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に最終的に移動された後、第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に一時的に保存されたデータだけがターゲット記憶装置に保存されてもよい。図３を参照すると、例えば、第ｘデータＤＡＴＡｘ、第ｙデータＤＡＴＡｙ及び第ｚデータＤＡＴＡｚのうち第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に一時的に保存された第ｘデータＤＡＴＡｘだけが第２記憶装置３１＿２に保存されることができる。
【0108】
一方、複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎ毎に運営ポリシーが異なってもよい。この場合、データが複数の記憶装置３１＿１、３１＿２、３１＿ｎのうちどの記憶装置に保存されるかによって、そのデータの属性が異なるように扱われることができる。例えば、第１記憶装置３１＿１に保存されたデータの属性がホットデータとして扱われても、第１記憶装置３１＿１に保存されたデータが第２記憶装置３１＿２でウォームデータまたはコールドデータとして扱われることができる。この場合、第１記憶装置３１＿１に保存されたデータがホットデータゾーンに該当する第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に常に移動されると、そのデータは第２記憶装置３１＿２でウォームデータまたはコールドデータとして扱われるべきであるにもかかわらず、そのデータがホットデータとして扱われることがある。これは第２記憶装置３１＿２の運営ポリシーに合わないため、ストレージシステム１の性能が低下する恐れがある。従って、ソース記憶装置に保存されたデータのアクセスカウントとターゲット記憶装置に保存されたデータのアクセスカウントに基づいて、ソース記憶装置に保存されたデータをキャッシュティア２０内で適切に区分して保存する必要がある。
【0109】
【0110】
図２及び図４を参照すると、アクセスカウント保存部１３は複数のデータゾーンＺｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ３＿１、Ｚｏｎｅ１＿２、Ｚｏｎｅ２＿２、Ｚｏｎｅ３＿２、Ｚｏｎｅ１＿ｎ、Ｚｏｎｅ２＿ｎ、Ｚｏｎｅ３＿ｎがアクセスされた回数をそれぞれ示すアクセスカウント情報を含むことができる。具体的には、アクセスカウント保存部１３は、複数のデータゾーンＺｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ３＿１、Ｚｏｎｅ１＿２、Ｚｏｎｅ２＿２、Ｚｏｎｅ３＿２、Ｚｏｎｅ１＿ｎ、Ｚｏｎｅ２＿ｎ、Ｚｏｎｅ３＿ｎのそれぞれに含まれたデータのアクセスカウントを示すアクセスカウント情報を含んでもよい。アクセスカウント情報は、例えば、テーブル状に整理されてアクセスカウント保存部１３に保存されてもよい。
【0111】
図２及び図４を参照すると、例えば、アクセスカウント保存部１３は、第１データ領域（Ｆｉｒｓｔ Ｄａｔａ Ｒｅｇｉｏｎ）２０＿１に含まれた第１＿１～第１＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ１＿２、Ｚｏｎｅ１＿ｎのそれぞれに保存されたデータのアクセスカウント情報を含む第１＿１～第１＿ｎテーブルＴａｂｌｅ１＿１、Ｔａｂｌｅ１＿２、Ｔａｂｌｅ１＿ｎを保存することができる。ここで、第１＿１テーブルＴａｂｌｅ１＿１は、第１データ領域２０＿１に含まれた第１＿１データゾーンＺｏｎｅ１＿１に保存されたデータのアクセスカウント情報を含んでもよい。第１＿２テーブルＴａｂｌｅ１＿２は、第１データ領域２０＿１に含まれた第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に保存されたデータのアクセスカウント情報を含んでもよい。第１＿ｎテーブルＴａｂｌｅ１＿ｎは、第１データ領域２０＿１に含まれた第１＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ１＿ｎに保存されたデータのアクセスカウント情報を含んでもよい。
【0112】
図２及び図４を参照すると、例えば、アクセスカウント保存部１３は、第２データ領域（Ｓｅｃｏｎｄ Ｄａｔａ Ｒｅｇｉｏｎ）２０＿２に含まれた第２＿１～第２＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ２＿２、Ｚｏｎｅ２＿ｎのそれぞれに保存されたデータのアクセスカウント情報を含む第２＿１～第２＿ｎテーブルＴａｂｌｅ２＿１、Ｔａｂｌｅ２＿２、Ｔａｂｌｅ２＿ｎを保存することができる。ここで、第２＿１テーブルＴａｂｌｅ２＿１は、第２データ領域２０＿２に含まれた第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１に保存されたデータのアクセスカウント情報を含んでもよい。第２＿２テーブルＴａｂｌｅ２＿２は、第２データ領域２０＿２に含まれた第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２に保存されたデータのアクセスカウント情報を含んでもよい。第２＿ｎテーブルＴａｂｌｅ２＿ｎは、第２データ領域２０＿２に含まれた第２＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ２＿ｎに保存されたデータのアクセスカウント情報を含んでもよい。
【0113】
図２及び図４を参照すると、例えば、アクセスカウント保存部１３は、第３データ領域（Ｔｈｉｒｄ Ｄａｔａ Ｒｅｇｉｏｎ）２０＿３に含まれた第３＿１～第３＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ３＿１、Ｚｏｎｅ３＿２、Ｚｏｎｅ３＿ｎのそれぞれに保存されたデータのアクセスカウント情報を含む第３＿１～第３＿ｎテーブルＴａｂｌｅ３＿１、Ｔａｂｌｅ３＿２、Ｔａｂｌｅ３＿ｎを保存することができる。ここで、第３＿１テーブルＴａｂｌｅ３＿１は、第３データ領域２０＿３に含まれた第３＿１データゾーンＺｏｎｅ３＿１に保存されたデータのアクセスカウント情報を含んでもよい。第３＿２テーブルＴａｂｌｅ３＿２は、第３データ領域２０＿３に含まれた第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に保存されたデータのアクセスカウント情報を含んでもよい。第３＿ｎテーブルＴａｂｌｅ３＿ｎは、第３データ領域２０＿３に含まれた第３＿ｎデータゾーンＺｏｎｅ３＿ｎに保存されたデータのアクセスカウント情報を含んでもよい。
【0114】
一実施例において、アクセスカウント情報は、複数のゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ｎのそれぞれに含まれたホットデータゾーン（例えば、Ｚｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ１＿２、及びＺｏｎｅ１＿ｎの何れか１つ）に保存されたデータのアクセスカウントを示す情報を含んでもよい。
【0115】
一実施例において、アクセスカウント情報は、複数のゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ｎのそれぞれに含まれたウォームデータゾーン（例えば、Ｚｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ２＿２、及びＺｏｎｅ２＿ｎの何れか１つ）に保存されたデータのアクセスカウントを示す情報を含んでもよい。
【0116】
一実施例において、アクセスカウント情報は、複数のゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ｎのそれぞれに含まれたコールドデータゾーン（例えば、Ｚｏｎｅ３＿１、Ｚｏｎｅ３＿２、及びＺｏｎｅ３＿ｎの何れか１つ）に保存されたデータのアクセスカウントを示す情報を含んでもよい。
【0117】
図５を参照すると、図５に示す第１テーブルＴａｂｌｅ１は、図４に示す第１＿１～第１＿ｎテーブルＴａｂｌｅ１＿１、Ｔａｂｌｅ１＿２、Ｔａｂｌｅ１＿ｎの何れか１つであってもよい。図５に示す第２テーブルＴａｂｌｅ２は、図４に示す第２＿１～第２＿ｎテーブルＴａｂｌｅ２＿１、Ｔａｂｌｅ２＿２、Ｔａｂｌｅ２＿ｎの何れか１つであってもよい。図５に示す第３テーブルＴａｂｌｅ３は、図４に示す第３＿１～第３＿ｎテーブルＴａｂｌｅ３＿１、Ｔａｂｌｅ３＿２、Ｔａｂｌｅ３＿ｎの何れか１つであってもよい。
【0118】
第１テーブルＴａｂｌｅ１は、第１～第５データＤＡＴＡ１～ＤＡＴＡ５の第１～第５アクセスカウントＡｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ１～Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ５を示す情報を含んでもよい。第２テーブルＴａｂｌｅ２は、第６～第１０データＤＡＴＡ６～ＤＡＴＡ１０の第６～第１０アクセスカウントＡｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ６～Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ１０を示す情報を含んでもよい。第３テーブルＴａｂｌｅ３は、第１１～第１５データＤＡＴＡ１１～ＤＡＴＡ１５の第１１～第１５アクセスカウントＡｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ１１～Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ１５を示す情報を含んでもよい。
【0119】
また、図４を参照すると、一実施例において、キャッシュティア制御部１２は、複数のテーブルＴａｂｌｅ１＿１、Ｔａｂｌｅ２＿１、Ｔａｂｌｅ３＿１、Ｔａｂｌｅ１＿２、Ｔａｂｌｅ２＿２、Ｔａｂｌｅ３＿２、Ｔａｂｌｅ１＿ｎ、Ｔａｂｌｅ２＿ｎ、Ｔａｂｌｅ３＿ｎを参照してデータの平均アクセスカウントを計算することができる。
【0120】
図５を参照すると、例えば、キャッシュティア制御部１２は、第１テーブルＴａｂｌｅ１に含まれた第１～第５アクセスカウントＡｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ１～Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ５の平均値である第ｘ平均アクセスカウントＡｖｅｒａｇｅ Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ ｘを計算することができる。
【0121】
図５を参照すると、例えば、キャッシュティア制御部１２は、第２テーブルＴａｂｌｅ２に含まれた第６～第１０アクセスカウントＡｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ６～Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ１０の平均値である第ｙ平均アクセスカウントＡｖｅｒａｇｅ Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ ｙを計算することができる。
【0122】
図５を参照すると、例えば、キャッシュティア制御部１２は、第３テーブルＴａｂｌｅ３に含まれた第１１～第１５アクセスカウントＡｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ１１～Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ１５の平均値である第ｚ平均アクセスカウントＡｖｅｒａｇｅ Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ ｚを計算することができる。
【0123】
一実施例において、キャッシュティア制御部１２は、ソースゾーングループのウォームデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値を第１アクセスカウントで計算し、ターゲットゾーングループのウォームデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値を第２アクセスカウントで計算することができる。
【0124】
図２、図４及び図５を参照すると、例えば、ソースゾーングループが第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １であり、ターゲットゾーングループが第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２であると仮定すると、キャッシュティア制御部１２は、第２＿１テーブルＴａｂｌｅ２＿１に含まれたアクセスカウントの平均値を第１アクセスカウントで計算することができる。キャッシュティア制御部１２は、第２＿２テーブルＴａｂｌｅ２＿２に含まれたアクセスカウントの平均値を第２アクセスカウントで計算することができる。ここで、アクセスカウントの平均値は、図５を参照して上述したように計算することができる。
【0125】
他の実施例において、平均アクセスカウントは、アクセスカウント保存部１３に保存された複数のテーブルＴａｂｌｅ１＿１、Ｔａｂｌｅ２＿１、Ｔａｂｌｅ３＿１、Ｔａｂｌｅ１＿２、Ｔａｂｌｅ２＿２、Ｔａｂｌｅ３＿２、Ｔａｂｌｅ１＿ｎ、Ｔａｂｌｅ２＿ｎ、Ｔａｂｌｅ３＿ｎのそれぞれに含まれてもよい。この場合、キャッシュティア制御部１２は、別途の演算動作なしにアクセスカウント保存部１３から平均アクセスカウントを取得することができる。
【0126】
一実施例では、複数のゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ｎの何れか１つのゾーングループにおいて、ホットデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値がウォームデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値より大きくてもよい。そして、ウォームデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値がコールドデータゾーンに保存されたデータのアクセスカウントの平均値より大きくてもよい。
【0127】
図４及び図５を参照すると、例えば、複数のゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２、Ｚｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ｎの何れか１つのゾーングループが第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １であり、第１テーブルＴａｂｌｅ１が第１＿１テーブルＴａｂｌｅ１＿１で、第２テーブルＴａｂｌｅ２が第２＿１テーブルＴａｂｌｅ２＿１で、第３テーブルＴａｂｌｅ３が第３＿１テーブルＴａｂｌｅ３＿１であると仮定する。第ｘ平均アクセスカウントＡｖｅｒａｇｅ Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ ｘが第ｙ平均アクセスカウントＡｖｅｒａｇｅ Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ ｙより大きくてもよい。そして、第ｙ平均アクセスカウントＡｖｅｒａｇｅ Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ ｙが第ｚ平均アクセスカウントＡｖｅｒａｇｅ Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｕｎｔ ｚより大きくてもよい。
【0128】
他の実施例において、第１キャッシュ領域に保存されたデータの平均アクセスカウントは、第２キャッシュ領域に保存されたデータの平均アクセスカウントより大きくてもよい。例えば、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １に保存された第１＿１、第２＿１、及び第３＿１テーブルＴａｂｌｅ１＿１、Ｔａｂｌｅ２＿１、Ｔａｂｌｅ３＿１のアクセスカウントの平均値である平均アクセスカウントは、第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に保存された第１＿２、第２＿２、及び第３＿２テーブルＴａｂｌｅ１＿２、Ｔａｂｌｅ２＿２、Ｔａｂｌｅ３＿２のアクセスカウントの平均値である平均アクセスカウントより大きくてもよい。
【0129】
一実施例において、キャッシュティア制御部１２は、アクセスカウント保存部１３に保存されたアクセスカウント情報と予め設定された基準アクセスカウント情報に基づいて、アクセスカウント保存部１３に保存されたアクセスカウント情報をリセットまたは初期化することができる。
【0130】
図６はキャッシュティア内でデータを移動させる他の実施例を説明するための図である。
【0131】
図６に示す実施例を説明するに当たり、ソース記憶装置は第１記憶装置３１＿１であり、ソースゾーングループは第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １であり、ターゲット記憶装置は第２記憶装置３１＿２であり、ターゲットゾーングループは第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２であると仮定する。
【0132】
また、第１データ領域２０＿１はホットデータ領域、第２データ領域２０＿２はウォームデータ領域、及び第３データ領域２０＿３はコールドデータ領域であると仮定する。
【0133】
また、第１データ領域２０＿１に含まれた第１＿１及び第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿１、Ｚｏｎｅ１＿２のそれぞれはホットデータゾーンであり、第２データ領域２０＿２に含まれた第２＿１及び第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿１、Ｚｏｎｅ２＿２のそれぞれはウォームデータゾーンであり、第３データ領域２０＿３に含まれた第３＿１及び第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿１、Ｚｏｎｅ３＿２のそれぞれはコールドデータゾーンであると仮定する。
【0134】
図２及び図６を参照すると、一実施例において、ストレージティア制御部１１は、第１記憶装置３１＿１に保存された第ｘデータＤＡＴＡｘ、第ｙデータＤＡＴＡｙ、及び第ｚデータＤＡＴＡｚをリードするリード動作を行うように第１記憶装置３１＿１を制御することができる。第１記憶装置３１＿１は第ｘデータＤＡＴＡｘ、第ｙデータＤＡＴＡｙ及び第ｚデータＤＡＴＡｚを出力することができる。ストレージティア制御部１１は第ｘデータＤＡＴＡｘ、第ｙデータＤＡＴＡｙ及び第ｚデータＤＡＴＡｚを第１データゾーンにロードすることができる。ここで、第１データゾーンは第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１であってもよい。この場合、第１データゾーンがアクセスされる回数が増加することができる。例えば、第ｘデータＤＡＴＡｘ、第ｙデータＤＡＴＡｙ及び第ｚデータＤＡＴＡｚが第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１にロードされると、第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１がアクセスされる回数が３だけ増加することができる。
【0135】
キャッシュティア制御部１２は、第１データゾーンに保存されたデータの第１アクセスカウントと、第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第２データゾーンに保存されたデータの第２アクセスカウントとを比較することができる。
【0136】
ここで、第１アクセスカウントは第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１に保存されたデータのアクセスカウントの平均値、即ち、第１平均アクセスカウントであってもよい。第２アクセスカウントは第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２に保存されたデータのアクセスカウントの平均値、即ち、第２平均アクセスカウントであってもよい。
【0137】
一実施例において、第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第２データゾーンはウォームデータ領域である第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２であってもよい。
【0138】
一実施例において、キャッシュティア制御部１２は、第１アクセスカウントと第２アクセスカウントを比較した結果に基づいて、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １の第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１にロードされたデータを第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれたターゲットデータゾーンに移動させるようにキャッシュティア２０を制御することができる。この場合、ターゲットデータゾーンがアクセスされる回数は増加しないことがある。
【0139】
具体的には、例えば、キャッシュティア制御部１２は、第１アクセスカウントが第２アクセスカウントより大きければ、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １の第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１にロードされたデータを第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に移動させるようにキャッシュティア２０を制御することができる。
【0140】
また、キャッシュティア制御部１２は、第１アクセスカウントが第２アクセスカウントと同じであれば、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １の第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１にロードされたデータを第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２に移動させるようにキャッシュティア２０を制御することができる。
【0141】
また、キャッシュティア制御部１２は、第１アクセスカウントが第２アクセスカウントより小さければ、第１ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ １の第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１にロードされたデータを第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に移動させるようにキャッシュティア２０を制御することができる。
【0142】
他の実施例において、第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第２データゾーンは、第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた３つのデータゾーンのうち最も少ない平均アクセスカウントのデータが保存されたゾーンであってもよい。具体的には、例えば、第２ゾーングループＺｏｎｅ Ｇｒｏｕｐ ２に含まれた第１＿２、第２＿２、及び第３＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２、Ｚｏｎｅ２＿２、Ｚｏｎｅ３＿２のうちコールドデータゾーンである第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に保存されたデータの平均アクセスカウントが最も少なくてもよい。従って、第２データゾーンは第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２であることができる。しかし、これに限定されない。
【0143】
他の実施例において、キャッシュティア制御部１２は、第１平均アクセスカウントが第２平均アクセスカウントより小さいかまたは同じかに応じて、第１データゾーン（例えば、第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１）にロードされたデータを第２データゾーン（例えば、第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２）に移動させるようにキャッシュティア２０を制御することができる。
【0144】
他の実施例において、キャッシュティア制御部１２は、第２記憶装置３１＿２に対応する重み付けを第２平均アクセスカウントに反映することができる。
【0145】
他の実施例において、キャッシュティア制御部１２は、第１平均アクセスカウントが第２平均アクセスカウントより大きいと、第２データゾーン（例えば、第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２）の次に最も少ない平均アクセスカウントのデータが保存されたゾーンである第３データゾーン（例えば、第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２）に保存されたデータの第３平均アクセスカウントと第１平均アクセスカウントとを比較することができる。そして、キャッシュティア制御部１２は、第１平均アクセスカウントが第３平均アクセスカウントより小さいかまたは同じかに応じて、第１データゾーン（例えば、第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１）にロードされたデータを（例えば、第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２）に移動させるようにキャッシュティア２０を制御することができる。
【0146】
ストレージティア制御部１１は、第１データゾーンから第２データゾーンに移動したデータを第２記憶装置３１＿２に保存するようにストレージティア３０を制御することができる。この場合、ターゲットデータゾーンがアクセスされる回数は増加することができる。
【0147】
図示されていないが、第１キャッシュ領域に保存されたデータの平均アクセスカウントが第２キャッシュ領域に保存されたデータの平均アクセスカウントより大きい場合、さらに他の実施例において、キャッシュティア制御部１２は第１記憶装置３１＿１に保存されたデータを第１キャッシュ領域のウォームデータゾーン（例えば、第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１）にロードし、第１キャッシュ領域のウォームデータゾーン（例えば、第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１）にロードされたデータを第２キャッシュ領域のホットデータゾーン（例えば、第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２）に一時的に保存することができる。
【0148】
図示されていないが、さらに他の実施例において、第１キャッシュ領域に保存されたデータの平均アクセスカウントが第２キャッシュ領域に保存されたデータの平均アクセスカウントより大きくてもよい。キャッシュティア制御部１２は、第２記憶装置３１＿２に保存されたデータを第１キャッシュ領域のコールドデータゾーン（例えば、第３＿１データゾーンＺｏｎｅ３＿１）に一時的に保存させた後、第１キャッシュ領域のコールドデータゾーン（例えば、第３＿１データゾーンＺｏｎｅ３＿１）に一時的に保存されたデータを第１記憶装置３１＿１に保存することができる。
【0149】
図６を参照して上述した実施例では、第ｘデータＤＡＴＡｘ、第ｙデータＤＡＴＡｙ及び第ｚデータＤＡＴＡｚが第１記憶装置３１＿１から一度に出力され、第２記憶装置３１＿２に保存されることを説明したが、これに限定されない。図３を参照して上述したように、第ｘデータＤＡＴＡｘ、第ｙデータＤＡＴＡｙ及び第ｚデータＤＡＴＡｚが第１記憶装置３１＿１から一度に出力されない場合も図６に示す実施例をそのまま適用することができる。
【0150】
他の実施例では、図３を参照して上述したように、第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１から第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に移動されたデータは直ちに第２記憶装置３１＿２に保存されることができる。第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１から第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２に移動されたデータは、第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２から第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に移動されてから第２記憶装置３１＿２に保存されることができる。第２＿１データゾーンＺｏｎｅ２＿１から第１＿２データゾーンＺｏｎｅ１＿２に移動されたデータは、第２＿２データゾーンＺｏｎｅ２＿２を経て第３＿２データゾーンＺｏｎｅ３＿２に移動されてから第２記憶装置３１＿２に保存されることができる。
【0151】
上述によれば、キャッシュティア２０を効率的に運用することで、ストレージシステムの性能が改善される効果がある。
【0152】
また、第１ゾーンの記憶容量が足りない場合、第１ゾーンから第２ゾーンにデータを移動するオーバーヘッドを減らすことで、記憶装置同士の移動動作が迅速に行われることができる。
【0153】
図７は本発明の一実施例に係るストレージシステムの動作方法を説明するためのフローチャートである。
【0154】
図７を参照すると、システムコントローラ１０はソース記憶装置に保存されたデータをソースゾーングループのウォームデータゾーンにロードする（Ｓ１１０）。
【0155】
図示されていないが、他の実施例において、システムコントローラ１０はソース記憶装置に保存されたデータをソースゾーングループのホットデータゾーンまたはコールドデータゾーンにロードしてもよい。
【0156】
システムコントローラ１０は第１アクセスカウント及び第２アクセスカウントを取得する（Ｓ１２０）。
【0157】
システムコントローラ１０は第１アクセスカウントが第２アクセスカウントより大きいかどうかを判断する（Ｓ１３０）。
【0158】
第１アクセスカウントが第２アクセスカウントより大きければ（Ｓ１３０、はい）、システムコントローラ１０はソースゾーングループのウォームデータゾーンに保存されたデータをターゲットゾーングループに含まれたホットデータゾーンに移動させる（Ｓ１４０）。
【0159】
第１アクセスカウントが第２アクセスカウントより大きくなければ（Ｓ１３０、ＮＯ）、システムコントローラ１０は第１アクセスカウントが第２アクセスカウントと同じかどうかを判断する（Ｓ１５０）。
【0160】
第１アクセスカウントが第２アクセスカウントと同じであれば（Ｓ１５０、はい）、システムコントローラ１０はソースゾーングループのウォームデータゾーンに保存されたデータをターゲットゾーングループに含まれたウォームデータゾーンに移動させる（Ｓ１６０）。
【0161】
第１アクセスカウントが第２アクセスカウントより小さければ（Ｓ１５０、ＮＯ）、システムコントローラ１０はソースゾーングループのウォームデータゾーンに保存されたデータをターゲットゾーングループに含まれたコールドデータゾーンに移動させる（Ｓ１７０）。
【0162】
ターゲットゾーングループに含まれたターゲットデータゾーンにデータが移動した後、システムコントローラ１０はターゲットデータゾーンに保存されたデータをターゲット記憶装置に保存する（Ｓ１８０）。
【0163】
図８は本発明の一実施例に係る記憶装置を説明するための図である。
【0164】
【0165】
記憶装置１０００は、携帯電話、スマートフォン、ＭＰ３プレーヤー、ラップトップコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ゲーム機、ＴＶ、タブレットＰＣまたは車載インフォテインメント（ｉｎ－ｖｅｈｉｃｌｅ ｉｎｆｏｔａｉｎｍｅｎｔ）システムなどのシステムコントローラ１０の要求に応じてデータを保存する装置であってもよい。または、システムコントローラ１０がホストである場合、記憶装置１０００はホストの要求に応じてデータを保存する装置であってもよい。
【0166】
記憶装置１０００は、システムコントローラ１０との通信方式であるホストインターフェースに応じて様々な種類の記憶装置の何れか１つで製造されてもよい。例えば、記憶装置１０００は、ＳＳＤ、ＭＭＣ、ｅＭＭＣ、ＲＳ－ＭＭＣ、ｍｉｃｒｏ－ＭＭＣ形状のマルチメディアカード（ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ ｃａｒｄ）、ＳＤ、ｍｉｎｉ－ＳＤ、ｍｉｃｒｏ－ＳＤ形状のセキュアデジタルカード（ｓｅｃｕｒｅ ｄｉｇｉｔａｌ ｃａｒｄ）、ＵＳＢ（ｕｎｉｖｅｒｓａｌ ｓｅｒｉａｌ ｂｕｓ）記憶装置、ＵＦＳ（ｕｎｉｖｅｒｓａｌ ｆｌａｓｈ ｓｔｏｒａｇｅ）装置、ＰＣＭＣＩＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｃｏｍｐｕｔｅｒ ｍｅｍｏｒｙ ｃａｒｄ ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）カード型の記憶装置、ＰＣＩ（ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）カード型の記憶装置、ＰＣＩ－Ｅ（ＰＣＩ ｅｘｐｒｅｓｓ）カード型の記憶装置、ＣＦ（ｃｏｍｐａｃｔ ｆｌａｓｈ）カード、スマートメディア（ｓｍａｒｔ ｍｅｄｉａ）カード、メモリスティック（ｍｅｍｏｒｙ ｓｔｉｃｋ）などの様々な種類の記憶装置の何れか１つで構成されてもよい。
【0167】
記憶装置１０００は様々な種類のパッケージ（ｐａｃｋａｇｅ）の何れか１つに製造されてもよい。例えば、記憶装置１０００は、ＰＯＰ（ｐａｃｋａｇｅ ｏｎ ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＩＰ（ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＣ（ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ｃｈｉｐ）、ＭＣＰ（ｍｕｌｔｉ－ｃｈｉｐ ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＢ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｂｏａｒｄ）、ＷＦＰ（ｗａｆｅｒ－ ｌｅｖｅｌ ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）、ＷＳＰ（ｗａｆｅｒ－ｌｅｖｅｌ ｓｔａｃｋ ｐａｃｋａｇｅ）などの様々な種類のパッケージの何れか１つに製造されてもよい。
【0168】
記憶装置１０００はメモリ装置１００及びメモリコントローラ２００を含んでもよい。
【0169】
メモリ装置１００はメモリコントローラ２００の制御に応答して動作することができる。具体的に、メモリ装置１００はメモリコントローラ２００からコマンド及びアドレスを受信し、メモリセル（不図示）のうちアドレスにより選択されたメモリセルをアクセスすることができる。メモリ装置１００はアドレスにより選択されたメモリセルに対してコマンドが指示する動作を行うことができる。
【0170】
コマンドは、例えば、プログラムコマンド、リードコマンド、またはイレースコマンドであってもよく、コマンドが指示する動作は、例えば、プログラム動作（または書き込み動作）、リード動作、または消去動作であってもよい。
【0171】
プログラム動作は、メモリ装置１００がメモリコントローラ２００の制御に応答してシステムコントローラ１０から提供された書き込みデータを保存する動作であってもよい。
【0172】
例えば、メモリ装置１００はプログラムコマンド、アドレス及びデータを受信し、アドレスにより選択されたメモリセルにデータをプログラムすることができる。ここで、選択されたメモリセルにプログラムされるデータは書き込みデータと定義されることができる。
【0173】
リード動作は、メモリ装置１００がメモリコントローラ２００の制御に応答してメモリ装置１００に保存されたリードデータを読み出す動作であってもよい。
【0174】
例えば、メモリ装置１００はリードコマンド及びアドレスを受信し、メモリセルアレイ（不図示）のうちアドレスにより選択された領域からデータを読み出すことができる。メモリ装置１００に保存されたデータのうち選択された領域からリードされるデータはリードデータと定義されることができる。
【0175】
消去動作は、メモリ装置１００がメモリコントローラ２００の制御に応答してメモリ装置に保存されたデータを消去する動作であってもよい。
【0176】
例えば、メモリ装置１００はイレースコマンド及びアドレスを受信し、アドレスにより選択された領域に保存されたデータを消去することができる。
【0177】
メモリ装置１００は揮発性メモリ装置または不揮発性メモリ装置で具現されてもよい。
【0178】
例えば、揮発性メモリ装置には、ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｄａｔａ Ｒａｔｅ Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＬＰＤＤＲ４（Ｌｏｗ Ｐｏｗｅｒ Ｄｏｕｂｌｅ Ｄａｔａ Ｒａｔｅ４） ＳＤＲＡＭ、ＧＤＤＲ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｄｏｕｂｌｅ Ｄａｔａ Ｒａｔｅ） ＳＤＲＡＭ、ＬＰＤＤＲ（Ｌｏｗ Ｐｏｗｅｒ ＤＤＲ）、ＲＤＲＡＭ（Ｒａｍｂｕｓ Ｄｙｎａｍｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）、抵抗変化型メモリ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ：ＲＲＡＭ）、相変化メモリ（ｐｈａｓｅ－ｃｈａｎｇｅ ｍｅｍｏｒｙ：ＰＲＡＭ）、磁気抵抗メモリ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ：ＭＲＡＭ）、強誘電体メモリ（ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）、スピン注入磁化反転メモリ（ｓｐｉｎ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｔｏｒｑｕｅ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）などが含まれてもよい。
【0179】
例えば、不揮発性メモリ装置にはフラッシュメモリ（ｆｌａｓｈ ｍｅｍｏｒｙ）が含まれてもよい。フラッシュメモリには、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（ＮＡＮＤ ｆｌａｓｈ ｍｅｍｏｒｙ）、垂直ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ ＮＡＮＤ）、ＮＯＲ型フラッシュメモリ（ＮＯＲ ｆｌａｓｈ ｍｅｍｏｒｙ）などが含まれてもよい。
【0180】
本明細書では、説明の便宜上、メモリ装置１００はＮＡＮＤ型フラッシュメモリであると仮定する。
【0181】
メモリ装置１００は、メモリコントローラ２００の制御に応じて書き込みデータを保存したり、保存されたリードデータを読み出してリードデータをメモリコントローラ２００に提供することができる。
【0182】
メモリ装置１００は複数のダイ（不図示）を含んでもよい。１つのダイは少なくとも１つのプレーンを含んでもよい。１つのプレーンは書き込みデータを保存するメモリセルを含むメモリセルアレイ（不図示）を含んでもよい。
【0183】
メモリセルアレイは複数のメモリブロック（不図示）を含んでもよい。メモリブロックはデータを消す消去動作を行う単位であってもよい。
【0184】
メモリブロックは複数のページ（不図示）を含んでもよい。ページは書き込みデータを保存するプログラム動作または保存されたリードデータを読み出すリード動作を行う単位であってもよい。
【0185】
メモリコントローラ２００は記憶装置１０００の全体的な動作を制御することができる。
【0186】
記憶装置１０００に電源が印加されると、メモリコントローラ２００はファームウェアのような命令語を実行することができる。メモリ装置１００がフラッシュメモリ装置である場合、ファームウェアはホストインターフェースレイヤ（Ｈｏｓｔ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｌａｙｅｒ）、フラッシュ変換レイヤ（Ｆｌａｓｈ Ｔｒａｎｓｌａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、及びフラッシュインターフェースレイヤ（Ｆｌａｓｈ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｌａｙｅｒ）を含んでもよい。
【0187】
ホストインターフェースレイヤは、システムコントローラ１０とメモリコントローラ２００との間の動作を制御することができる。
【0188】
フラッシュ変換レイヤは、システムコントローラ１０から提供される論理アドレスを物理アドレスに変換することができる。
【0189】
フラッシュインターフェースレイヤは、メモリコントローラ２００とメモリ装置１００との間の通信を制御することができる。
【0190】
メモリコントローラ２００は、システムコントローラ１０の書き込み要求、リード要求及び消去要求に応答してプログラム動作、リード動作及び消去動作をそれぞれ行うようにメモリ装置１００を制御することができる。
【0191】
プログラム動作の際、メモリコントローラ２００はプログラムコマンド、物理アドレス及び書き込みデータをメモリ装置１００に提供することができる。
【0192】
リード動作の際、メモリコントローラ２００はリードコマンド及び物理アドレスをメモリ装置１００に提供することができる。
【0193】
消去動作の際、メモリコントローラ２００はイレースコマンド及び物理アドレスをメモリ装置１００に提供することができる。
【0194】
メモリコントローラ２００は、システムコントローラ１０から提供された要求に関わらず、自主的にコマンド、アドレス及びデータを生成することができる。メモリコントローラ２００は自主的に生成したコマンド、アドレス及びデータをメモリ装置１００に伝送することができる。
【0195】
例えば、メモリコントローラ２００は背景動作を行うためのコマンド、アドレス及びデータを生成することができる。そして、メモリコントローラ２００はコマンド、アドレス及びデータをメモリ装置１００に提供することができる。
【0196】
背景動作は、ウェアレベリング（ｗｅａｒ ｌｅｖｅｌｉｎｇ）、リードリクレーム（ｒｅａｄ ｒｅｃｌａｉｍ）またはガベージコレクション（ｇａｒｂａｇｅ ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）のうち少なくとも１つであってもよい。
【0197】
ウェアレベリングは、例えば、スタティック・ウェアレベリング、ダイナミック・ウェアレベリングなどを意味することができる。スタティック・ウェアレベリングは、メモリブロックの消去回数を保存し、消去動作や書き込み動作が殆ど起きないコールドデータを最も多い消去回数のメモリブロックに移動させる動作を意味することができる。ダイナミック・ウェアレベリングは、メモリブロックの消去回数を保存し、最も少ない消去回数のメモリブロックにデータをプログラムする動作を意味することができる。
【0198】
リードリクレームは、メモリブロックに保存されたデータに訂正不可エラー（Ｕｎｃｏｒｒｅｃｔａｂｌｅ Ｅｒｒｏｒ）が発生する前にメモリブロックに保存されたデータを別のメモリブロックに移動させる動作を意味することができる。
【0199】
ガベージコレクションは、メモリブロックのうちバッドブロック（ｂａｄ ｂｌｏｃｋ）に含まれた有効データをフリーブロック（ｆｒｅｅ ｂｌｏｃｋ）にコピーし、バッドブロックに含まれた無効データを消去する動作を意味することができる。ここで、バッドブロックに含まれた有効データをフリーブロックにコピーするとは、バッドブロックに含まれた有効データをフリーブロックに移動させることを意味することができる。
【0200】
図示されていないが、記憶装置１０００はバッファメモリ（不図示）をさらに含んでもよい。一実施例において、バッファメモリはメモリコントローラ２００に含まれてもよい。
【0201】
例えば、バッファメモリには、ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｄａｔａ Ｒａｔｅ Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＬＰＤＤＲ４（Ｌｏｗ Ｐｏｗｅｒ Ｄｏｕｂｌｅ Ｄａｔａ Ｒａｔｅ４） ＳＤＲＡＭ、ＧＤＤＲ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｄｏｕｂｌｅ Ｄａｔａ Ｒａｔｅ） ＳＤＲＡＭ、ＬＰＤＤＲ（Ｌｏｗ Ｐｏｗｅｒ ＤＤＲ）、ＲＤＲＡＭ（Ｒａｍｂｕｓ Ｄｙｎａｍｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）、抵抗変化型メモリ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ：ＲＲＡＭ）、相変化メモリ（ｐｈａｓｅ－ｃｈａｎｇｅ ｍｅｍｏｒｙ：ＰＲＡＭ）、磁気抵抗メモリ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ：ＭＲＡＭ）、強誘電体メモリ（ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）、スピン注入磁化反転メモリ（ｓｐｉｎ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｔｏｒｑｕｅ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）などが含まれてもよい。
【0202】
メモリコントローラ２００は２つ以上のメモリ装置１００を制御することができる。この場合、メモリコントローラ２００は、動作性能を向上させるために、メモリ装置１００をインターリーブ（ｉｎｔｅｒｌｅａｖｉｎｇ）方式に応じて制御することができる。
【0203】
インタリーブ方式は、２つ以上のメモリ装置１００に対する動作が重畳するように制御する方式であってもよい。
【0204】
図９は本発明の一実施例に係るメモリ装置を説明するための図である。
【0205】
図９を参照すると、メモリ装置１００はメモリセルアレイ１１０、周辺回路１２０、及び制御ロジック１３０を含んでもよい。
【0206】
メモリセルアレイ１１０は複数のメモリブロックＭＢ１～ＭＢｋ（ｋは正の整数）を含んでもよい。ここで、複数のメモリブロックＭＢ１～ＭＢｋの数は本発明の実施例を説明するための例示に過ぎず、これに限定されるものではない。
【0207】
メモリブロックＭＢ１～ＭＢｋのそれぞれは、ローカル線（ｌｏｃａｌ ｌｉｎｅｓ）ＬＬとビット線ＢＬ１～ＢＬｎ（ｎは正の整数）に接続されてもよい。
【0208】
ローカル線ＬＬはローデコーダ１２２に接続されてもよい。
【0209】
ローカル線ＬＬはメモリブロックＭＢ１～ＭＢｋのそれぞれに接続されてもよい。
【0210】
図示されていないが、ローカル線ＬＬは第１セレクト線（ｆｉｒｓｔ ｓｅｌｅｃｔ ｌｉｎｅ）、第２セレクト線（ｓｅｃｏｎｄ ｓｅｌｅｃｔ ｌｉｎｅ）、第１セレクト線と第２セレクト線との間に配列された複数のワード線（ｗｏｒｄ ｌｉｎｅｓ）を含んでもよい。
【0211】
図示されていないが、ローカル線ＬＬは、第１セレクト線とワード線との間に配列されたダミー線（ｄｕｍｍｙ ｌｉｎｅｓ）、第２セレクト線とワード線との間に配列されたダミー線、及びパイプ線（ｐｉｐｅ ｌｉｎｅｓ）をさらに含んでもよい。
【0212】
ビット線ＢＬ１～ＢＬｎはメモリブロックＭＢ１～ＭＢｋに共通して接続されてもよい。
【0213】
メモリブロックＭＢ１～ＭＢｋは２次元または３次元構造で具現されてもよい。
【0214】
例えば、メモリブロックＭＢ１～ＭＢｋが２次元構造である場合、メモリセルは基板に平行な方向に配列されることができる。
【0215】
例えば、メモリブロックＭＢ１～ＭＢｋが３次元構造である場合、メモリセルは基板に垂直方向に積層されることができる。
【0216】
周辺回路１２０は、電圧生成部１２１、ローデコーダ１２２、ページバッファグループ１２３、コラムデコーダ１２４、入出力回路１２５、及びセンシング回路１２６を含んでもよい。
【0217】
電圧生成部１２１は、動作コマンドＯＰ＿ＣＭＤに応答してプログラム動作、リード動作及び消去動作に使用される様々な動作電圧Ｖｏｐを生成することができる。また、電圧生成部１２１は、動作コマンドＯＰ＿ＣＭＤに応答してローカル線ＬＬを選択的にディスチャージ（ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）することができる。例えば、電圧生成部１２１は、制御ロジック１３０の制御に応じてプログラム電圧、検証電圧、パス電圧、ターンオン電圧、リード電圧、消去電圧及びソース線電圧などを生成することができる。
【0218】
実施例として、電圧生成部１２１は外部電源電圧をレギュレート（ｒｅｇｕｌａｔｉｎｇ）して内部電源電圧を生成してもよい。電圧生成部１２１で生成された内部電源電圧はメモリ装置１００の動作電圧として使用される。
【0219】
実施例として、電圧生成部１２１は外部電源電圧または内部電源電圧を用いて複数の電圧を生成することができる。例えば、電圧生成部１２１は内部電源電圧を受信する複数のポンピングキャパシタを含み、制御ロジック１３０の制御に応答して複数のポンピングキャパシタを選択的に活性化することで複数の電圧を生成する。生成された複数の電圧はローデコーダ１２２によってメモリセルアレイ１１０に供給されてもよい。
【0220】
ローデコーダ１２２は、ローアドレスＲＡＤＤに応答して動作電圧Ｖｏｐをローカル線ＬＬに伝達することができる。動作電圧Ｖｏｐは、ローカル線ＬＬを介して選択されたメモリブロックＭＢ１～ＭＢｋに伝達されることができる。
【0221】
例えば、プログラム動作の際、ローデコーダ１２２は選択されたワード線にプログラム電圧を印加し、非選択されたワード線にプログラム電圧より低いレベルのプログラムパス電圧を印加する。
【0222】
例えば、プログラム検証動作の際に、ローデコーダ１２２は選択されたワード線に検証電圧を印加し、非選択されたワード線に検証電圧より高い検証パス電圧を印加する。
【0223】
例えば、リード動作の際に、ローデコーダ１２２は選択されたワード線にリード電圧を印加し、非選択されたワード線にリード電圧より高いリードパス電圧を印加する。
【0224】
例えば、消去動作の際に、ローデコーダ１２２はデコードされたアドレスに応じて１つのメモリブロックを選択することができる。消去動作の際、ローデコーダ１２２は選択されたメモリブロックに接続されるワード線に接地電圧を印加することができる。
【0225】
ページバッファグループ１２３は、第１～第ｎページバッファＰＢ１～ＰＢｎを含んでもよい。第１～第ｎページバッファＰＢ１～ＰＢｎは、それぞれ第１～第ｎビット線ＢＬ１～ＢＬｎを介してメモリセルアレイ１１０に接続されてもよい。第１～第ｎページバッファＰＢ１～ＰＢｎは制御ロジック１３０の制御に応答して動作することができる。
【0226】
具体的に、第１～第ｎページバッファＰＢ１～ＰＢｎはページバッファ制御信号ＰＢＳＩＧＮＡＬＳに応答して動作することができる。例えば、第１～第ｎページバッファＰＢ１～ＰＢｎは、第１～第ｎビット線ＢＬ１～ＢＬｎを介して受信したデータを一時的に保存したり、リード動作または検証動作の際にビット線ＢＬ１～ＢＬｎの電圧または電流をセンシング（ｓｅｎｓｉｎｇ）することができる。
【0227】
プログラム動作の際、第１～第ｎページバッファＰＢ１～ＰＢｎは、選択されたワード線にプログラム電圧が印加されるとき、コラムデコーダ１２４及び入出力回路１２５を介して受信したデータＤＡＴＡを第１～第ｎビット線ＢＬ１～ＢＬｎを介して選択されたメモリセルに伝達する。伝達されたデータＤＡＴＡに応じて選択されたページのメモリセルはプログラムされる。プログラム許容電圧（例えば、接地電圧）が印加されるビット線に接続されたメモリセルは、上昇したしきい値電圧を有する。プログラム禁止電圧（例えば、電源電圧）が印加されるビット線に接続されたメモリセルのしきい値電圧は保持される。
【0228】
検証動作の際、第１～第ｎページバッファＰＢ１～ＰＢｎは、選択されたメモリセルから第１～第ｎビット線ＢＬ１～ＢＬｎを介して選択されたメモリセルに保存されたデータをセンシングすることができる。
【0229】
リード動作の際、第１～第ｎページバッファＰＢ１～ＰＢｎは選択されたページのメモリセルから第１～第ｎビット線ＢＬ１～ＢＬｎを介してデータＤＡＴＡをセンシングし、センシングしたデータＤＡＴＡをコラムデコーダ１２４の制御に応じて入出力回路１２５に出力することができる。
【0230】
消去動作の際、第１～第ｎページバッファＰＢ１～ＰＢｎは、第１～第ｎビット線ＢＬ１～ＢＬｎをフロート（ｆｌｏａｔｉｎｇ）させることができる。
【0231】
コラムデコーダ１２４は、コラムアドレスＣＡＤＤに応答して入出力回路１２５とページバッファグループ１２３の間でデータを伝達することができる。例えば、コラムデコーダ１２４は、データ線ＤＬを介してページバッファＰＢ１～ＰＢｎとデータをやり取りするか、コラム線ＣＬを介して入出力回路１２５とデータをやり取りすることができる。
【0232】
入出力回路１２５は、メモリコントローラ２００から伝達されたコマンドＣＭＤ及びアドレスＡＤＤを制御ロジック１３０に伝達するか、データＤＡＴＡをコラムデコーダ１２４とやり取りすることができる。
【0233】
センシング回路１２６は、リード動作または検証動作の際に、許容ビットＶＲＹ＿ＢＩＴ＜＃＞に応答して基準電流を生成し、ページバッファグループ１２３から受信したセンシング電圧ＶＰＢと基準電流によって生成された基準電圧を比較してパス信号ＰＡＳＳまたはフェイル信号ＦＡＩＬを出力することができる。
【0234】
制御ロジック１３０は、コマンドＣＭＤ及びアドレスＡＤＤに応答して動作コマンドＯＰ＿ＣＭＤ、ローアドレスＲＡＤＤ、ページバッファ制御信号ＰＢＳＩＧＮＡＬＳ及び許容ビットＶＲＹ＿ＢＩＴ＜＃＞を出力して周辺回路１２０を制御することができる。
【0235】
図１０は本発明の一実施例に係るメモリブロックを説明するための図である。
【0236】
【0237】
メモリブロックＭＢｉは、第１セレクト線、第２セレクト線、複数のワード線ＷＬ１～ＷＬ１６、ソース線ＳＬ、複数のビット線ＢＬ１～ＢＬｎ及び複数のストリング（ｓｔｒｉｎｇｓ）ＳＴを含んでもよい。
【0238】
例えば、第１セレクト線はソースセレクト線ＳＳＬであってもよい。以下では、第１セレクト線はソースセレクト線ＳＳＬであると仮定する。
【0239】
例えば、第２セレクト線はドレインセレクト線ＤＳＬであってもよい。以下では、第２セレクト線はドレインセレクト線ＤＳＬであると仮定する。
【0240】
複数のワード線ＷＬ１～ＷＬ１６は、ソースセレクト線ＳＳＬとドレインセレクト線ＤＳＬの間に互いに平行に配列されてもよい。
【0241】
図１０に示す複数のワード線ＷＬ１～ＷＬ１６の数は例示に過ぎず、図面に限定されない。
【0242】
ソース線ＳＬは複数のストリングＳＴに共通して接続されてもよい。
【0243】
複数のビット線ＢＬ１～ＢＬｎは複数のストリングＳＴにそれぞれ接続されてもよい。
【0244】
複数のストリングＳＴはビット線ＢＬ１～ＢＬｎとソース線ＳＬに接続されてもよい。
【0245】
複数のストリングＳＴは互いに同一に構成されてもよいため、第１ビット線ＢＬ１に接続されたストリングＳＴを例に挙げて具体的に説明する。
【0246】
ストリングＳＴは、複数のメモリセルＭＣ１～ＭＣ１６と、少なくとも１つの第１セレクトトランジスタと、少なくとも１つの第２セレクトトランジスタと、を含んでもよい。
【0247】
複数のメモリセルＭＣ１～ＭＣ１６は、ソースセレクトトランジスタＳＳＴとドレインセレクトトランジスタＤＳＴの間に互いに直列接続されてもよい。
【0248】
メモリセルＭＣ１～ＭＣ１６のゲートは複数のワード線ＷＬ１～ＷＬ１６にそれぞれ接続されてもよい。従って、１つのストリングＳＴに含まれた複数のメモリセルＭＣ１～ＭＣ１６の数は複数のワード線ＷＬ１～ＷＬ１６の数と同じであってもよい。
【0249】
複数のメモリセルＭＣ１～ＭＣ１６の何れか１つのメモリセルは、例えば、ＳＬＣ、ＭＬＣ、ＴＬＣ及びＱＬＣの何れか１つで構成されてもよい。
【0250】
互いに異なるストリングＳＴに含まれたメモリセルのうち同じワード線に接続されたメモリセルのグループを物理ページ（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｐａｇｅ）ＰＧということができる。従って、メモリブロックＭＢｉはワード線ＷＬ１～ＷＬ１６の数分の物理ページＰＧを含んでもよい。以下では、物理ページＰＧに含まれたメモリセル（例えば、ＭＣ３）が選択されたメモリセルであると仮定する。
【0251】
第１セレクトトランジスタは、例えば、ソースセレクトトランジスタＳＳＴであってもよい。以下では、第１セレクトトランジスタはソースセレクトトランジスタＳＳＴであると仮定する。
【0252】
ソースセレクトトランジスタＳＳＴの第１電極はソース線ＳＬに接続されてもよい。ソースセレクトトランジスタＳＳＴの第２電極は複数のメモリセルＭＣ１～ＭＣ１６のうち第１メモリセルＭＣ１に接続されてもよい。ソースセレクトトランジスタＳＳＴのゲート電極はソースセレクト線ＳＳＬと接続されてもよい。
【0253】
第２セレクトトランジスタは、例えば、ドレインセレクトトランジスタＤＳＴであってもよい。以下では、第２セレクトトランジスタはドレインセレクトトランジスタＤＳＴであると仮定する。
【0254】
ドレインセレクトトランジスタＤＳＴの第１電極は複数のメモリセルＭＣ１～ＭＣ１６のうち第１６メモリセルＭＣ１６に接続されてもよい。ドレインセレクトトランジスタＤＳＴの第２電極は第１ビット線ＢＬ１に接続されてもよい。ドレインセレクトトランジスタＤＳＴのゲート電極はドレインセレクト線ＤＳＬと接続されてもよい。
【0255】
図１１は本発明の一実施例に係るメモリコントローラを説明するための図である。
【0256】
図１１を参照すると、メモリコントローラ２００は、プロセッサ２０１、ＲＡＭ２０２、エラー訂正回路２０３、ホストインターフェース２０４、ＲＯＭ２０５、及びフラッシュインターフェース２０６を含んでもよい。
【0257】
プロセッサ２０１はメモリコントローラ２００の諸動作を制御することができる。
【0258】
ＲＡＭ２０２はメモリコントローラ２００のバッファメモリ、キャッシュメモリ、動作メモリなどとして使用されてもよい。
【0259】
エラー訂正回路２０３は、メモリ装置１００から受信したデータのフェイルビット（ｆａｉｌ ｂｉｔ）またはエラービット（ｅｒｒｏｒ ｂｉｔ）を訂正するためのエラー訂正コード（ＥＣＣ：Ｅｒｒｏｒ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｄｅ）を生成することができる。
【0260】
エラー訂正回路２０３は、メモリ装置１００に提供されるデータのエラー訂正エンコードを行い、パリティ（ｐａｒｉｔｙ）ビットが付加されたデータを生成することができる。パリティビット（不図示）はメモリ装置１００に保存されてもよい。
【0261】
エラー訂正回路２０３は、メモリ装置１００から出力されたデータに対してエラー訂正デコードを行うことができ、このとき、エラー訂正回路２０３はパリティ（ｐａｒｉｔｙ）を使用してエラーを訂正することができる。
【0262】
例えば、エラー訂正回路２０３は、ＬＤＰＣ ｃｏｄｅ、ＢＣＨ ｃｏｄｅ、ｔｕｒｂｏ ｃｏｄｅ、リードソロモンコード、ｃｏｎｖｏｌｕｔｉｏｎ ｃｏｄｅ、ＲＳＣ、ＴＣＭ、ＢＣＭなどの様々なコーデッドモジュレーション（ｃｏｄｅｄ ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）を使用してエラーを訂正してもよい。
【0263】
エラー訂正回路２０３は、プログラム動作においてメモリ装置１００にプログラムされるデータのエラー訂正コード値を計算することができる。
【0264】
エラー訂正回路２０３は、リード動作においてメモリ装置１００からリードしたデータをエラー訂正コード値に基づいてエラー訂正動作を行うことができる。
【0265】
エラー訂正回路２０３は、フェイルしたデータの復旧動作においてメモリ装置１００から復旧されたデータのエラー訂正動作を行うことができる。
【0266】
メモリコントローラ２００は、ホストインターフェース２０４を介して外部装置（例えば、ホスト４００、アプリケーションプロセッサなど）と通信することができる。
【0267】
ＲＯＭ２０５は、メモリコントローラ２００の動作に求められる様々な情報をファームウェア形態で保存することができる。
【0268】
メモリコントローラ２００は、フラッシュインターフェース２０６を介してメモリ装置１００と通信することができる。メモリコントローラ２００は、フラッシュインターフェース２０６を介してコマンドＣＭＤ、アドレスＡＤＤＲ及び制御信号ＣＴＲＬなどをメモリ装置１００に伝送することができ、データを受信することもできる。
【0269】
例えば、フラッシュインターフェース２０６はＮＡＮＤ型インターフェース（ＮＡＮＤ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）を含んでもよい。
【0270】
図１２は本発明の一実施例に係る記憶装置が適用されたメモリカードシステムを示すブロック図である。
【0271】
図１２を参照すると、メモリカードシステム２０００は、メモリ装置２１００、メモリコントローラ２２００及びコネクタ２３００を含む。
【0272】
例えば、メモリ装置２１００は、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、ＮＯＲ型フラッシュメモリ、ＰＲＡＭ（Ｐｈａｓｅ－ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）、ＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）、ＦＲＡＭ（登録商標）（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ＲＡＭ）、ＳＴＴ－ＭＲＡＭ（Ｓｐｉｎ－Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｔｏｒｑｕｅ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）などの様々な不揮発性メモリ素子で構成されてもよい。
【0273】
メモリコントローラ２２００はメモリ装置２１００と接続される。メモリコントローラ２２００はメモリ装置２１００をアクセスするように構成される。例えば、メモリコントローラ２２００はメモリ装置２１００の読み出し、書き込み、消去、及び背景（ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ）動作を制御するように構成されてもよい。メモリコントローラ２２００は、メモリ装置２１００とホスト４００の間にインターフェースを提供するように構成される。メモリコントローラ２２００はメモリ装置２１００を制御するためのファームウェアを駆動するように構成される。メモリコントローラ２２００は、図８を参照して説明したメモリコントローラ２００と同様に動作することができるが、他の実施例では他の方法で動作してもよい。
【0274】
例えば、メモリコントローラ２２００は、ラム（ＲＡＭ、Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、プロセッシングユニット（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ）、ホストインターフェース（ｈｏｓｔ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、メモリインターフェース（ｍｅｍｏｒｙ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、エラー訂正部などの構成要素を含んでもよい。
【0275】
メモリコントローラ２２００はコネクタ２３００を介して外部装置と通信することができる。メモリコントローラ２２００は、特定の通信規格に応じて外部装置（例えば、ホスト４００）と通信することができる。例えば、メモリコントローラ２２００は、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ）、ＭＭＣ（ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ ｃａｒｄ）、ｅＭＭＣ（ｅｍｂｅｄｅｄ ＭＭＣ）、ＰＣＩ（ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）、ＰＣＩ－Ｅ（ＰＣＩ－ｅｘｐｒｅｓｓ）、ＡＴＡ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）、Ｓｅｒｉａｌ－ＡＴＡ、Ｐａｒａｌｌｅｌ－ＡＴＡ、ＳＣＳＩ（ｓｍａｌｌ ｃｏｍｐｕｔｅｒ ｓｙｓｔｅｍ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＥＳＤＩ（ｅｎｈａｎｃｅｄ ｓｍａｌｌ ｄｉｓｋ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＩＤＥ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｄｒｉｖｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）、ファイヤワイヤ（Ｆｉｒｅｗｉｒｅ）、ＵＦＳ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｆｌａｓｈ Ｓｔｏｒａｇｅ）、ＷＩＦＩ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、ＮＶＭｅなどの様々な通信規格のうち少なくとも１つを介して外部装置と通信するように構成される。例えば、コネクタ２３００は上述した様々な通信規格のうち少なくとも１つによって定義されてもよい。
【0276】
メモリ装置２１００及びメモリコントローラ２２００は１つの半導体装置に集積されてメモリカードを構成することができる。例えば、メモリコントローラ２２００及びメモリ装置２１００は１つの半導体装置に集積されてＰＣカード（ＰＣＭＣＩＡ、ｐｅｒｓｏｎａｌ ｃｏｍｐｕｔｅｒ ｍｅｍｏｒｙ ｃａｒｄ ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）、コンパクトフラッシュ（登録商標）カード、スマートメディア（登録商標）カード（ＳＭ、ＳＭＣ）、メモリスティック、マルチメディアカード（ＭＭＣ、ＲＳ－ＭＭＣ、ＭＭＣｍｉｃｒｏ、ｅＭＭＣ）、ＳＤカード（ＳＤ、ｍｉｎｉＳＤ、ｍｉｃｒｏＳＤ、ＳＤＨＣ）、汎用フラッシュ記憶装置（ＵＦＳ）などのメモリカードを構成してもよい。
【0277】
図１３は本発明の実施例に係る記憶装置が適用されたＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）システムを示すブロック図である。
【0278】
図１３を参照すると、ＳＳＤシステムはホスト４００及びＳＳＤ３０００を含む。
【0279】
ＳＳＤ３０００は信号コネクタ３００１を介してホスト４００と信号ＳＩＧをやり取りし、電源コネクタ３００２を介して電源ＰＷＲの入力を受ける。ＳＳＤ３０００はＳＳＤコントローラ３２００、複数のフラッシュメモリ３１００＿１、３１００＿２、３１００＿ｎ、補助電源装置３３００、及びバッファメモリ３４００を含む。
【0280】
本発明の実施例によると、ＳＳＤコントローラ３２００は図８を参照して説明したメモリコントローラ２００の機能を行うことができる。
【0281】
ＳＳＤコントローラ３２００は、ホスト４００から受信した信号ＳＩＧに応答して複数のフラッシュメモリ３１００＿１、３１００＿２、３１００＿ｎを制御することができる。例えば、信号ＳＩＧはホスト４００及びＳＳＤ３０００のインターフェースに基づいた信号であってもよい。例えば、信号ＳＩＧは、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ）、ＭＭＣ（ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ ｃａｒｄ）、ｅＭＭＣ（ｅｍｂｅｄｅｄ ＭＭＣ）、ＰＣＩ（ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）、ＰＣＩ－Ｅ（ＰＣＩ－ｅｘｐｒｅｓｓ）、ＡＴＡ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）、Ｓｅｒｉａｌ－ＡＴＡ、Ｐａｒａｌｌｅｌ－ＡＴＡ、ＳＣＳＩ（ｓｍａｌｌ ｃｏｍｐｕｔｅｒ ｓｙｓｔｅｍ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＥＳＤＩ（ｅｎｈａｎｃｅｄ ｓｍａｌｌ ｄｉｓｋ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＩＤＥ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｄｒｉｖｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）、ファイヤワイヤ（Ｆｉｒｅｗｉｒｅ）、ＵＦＳ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｆｌａｓｈ Ｓｔｏｒａｇｅ）、ＷＩＦＩ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、ＮＶＭｅなどのインターフェースのうち少なくとも１つによって定義された信号であってもよい。
【0282】
補助電源装置３３００は電源コネクタ３００２を介してホスト４００に接続される。補助電源装置３３００はホスト４００から電源ＰＷＲの入力を受けて充電することができる。補助電源装置３３００はホスト４００からの電源供給が円滑でないか、一定のレベルまたはパターンに該当しない場合、ＳＳＤ３０００に電源を提供することができる。例えば、補助電源装置３３００はＳＳＤ３０００内に位置してもよく、ＳＳＤ３０００と電気的に接続された外部に位置してもよい。例えば、補助電源装置３３００はマザーボードに位置し、ＳＳＤ３０００に補助電源を提供することもできる。
【0283】
バッファメモリ３４００はデータを一時的に保存することができる。例えば、バッファメモリ３４００はホスト４００から受信したデータまたは複数のフラッシュメモリ３１００＿１、３１００＿２、３１００＿ｎから受信したデータを一時的に保存したり、フラッシュメモリ３２２１～３２２ｎのメタデータ（例えば、マッピングテーブル）を一時的に保存することができる。バッファメモリ３４００は、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ、ＬＰＤＤＲ ＳＤＲＡＭ、ＧＲＡＭなどの揮発性メモリまたはＦＲＡＭ、ＲｅＲＡＭ、ＳＴＴ－ＭＲＡＭ、ＰＲＡＭなどの不揮発性メモリを含んでもよい。
【0284】
図１４は本発明の実施例に係る記憶装置が適用されたユーザーシステムを示すブロック図である。
【0285】
図１４を参照すると、ユーザーシステム４０００は、アプリケーションプロセッサ４１００、メモリモジュール４２００、ネットワークモジュール４３００、ストレージモジュール４４００、及びユーザーインターフェース４５００を含む。
【0286】
アプリケーションプロセッサ４１００は、ユーザーシステム４０００に含まれた構成要素、オペレーティングシステム（ＯＳ；Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）、またはユーザープログラムなどを駆動させることができる。例えば、アプリケーションプロセッサ４１００は、ユーザーシステム４０００に含まれた構成要素を制御するコントローラ、インターフェース、グラフィックスエンジンなどを含んでもよい。アプリケーションプロセッサ４１００はシステムオンチップ（ＳｏＣ；Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ－Ｃｈｉｐ）で提供されてもよい。
【0287】
メモリモジュール４２００は、ユーザーシステム４０００の主メモリ、動作メモリ、バッファメモリ、またはキャッシュメモリとして動作することができる。メモリモジュール４２００は、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ、ＤＤＲ２ ＳＤＲＡＭ、ＤＤＲ３ ＳＤＲＡＭ、ＬＰＤＤＲ ＳＤＡＲＭ、ＬＰＤＤＲ２ ＳＤＲＡＭ、ＬＰＤＤＲ３ ＳＤＲＡＭなどの揮発性ランダムアクセスメモリまたはＰＲＡＭ、ＲｅＲＡＭ、ＭＲＡＭ、ＦＲＡＭなどの不揮発性ランダムアクセスメモリを含んでもよい。例えば、アプリケーションプロセッサ４１００及びメモリモジュール４２００はＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅ）を基盤にパッケージ化されて１つの半導体パッケージで提供されてもよい。
【0288】
ネットワークモジュール４３００は外部装置と通信を行うことができる。例えば、ネットワークモジュール４３００は、ＣＤＭＡ（Ｃｏｄｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ａｃｃｅｓｓ）、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）、ＷＣＤＭＡ（登録商標）（ｗｉｄｅｂａｎｄ ＣＤＭＡ）、ＣＤＭＡ－２０００、ＴＤＭＡ（Ｔｉｍｅ Ｄｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ａｃｃｅｓｓ）、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｗｉｍａｘ、ＷＬＡＮ、ＵＷＢ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、Ｗｉ－Ｆｉなどの無線通信を支援することができる。例えば、ネットワークモジュール４３００はアプリケーションプロセッサ４１００に含まれてもよい。
【0289】
ストレージモジュール４４００はデータを保存することができる。例えば、ストレージモジュール４４００はアプリケーションプロセッサ４１００から受信したデータを保存することができる。またはストレージモジュール４４００はストレージモジュール４４００に保存されたデータをアプリケーションプロセッサ４１００に伝送することができる。例えば、ストレージモジュール４４００は、ＰＲＡＭ（Ｐｈａｓｅ－ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ ＲＡＭ）、ＲＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）、ＮＡＮＤ ｆｌａｓｈ、ＮＯＲ ｆｌａｓｈ、３次元構造のＮＡＮＤ型フラッシュなどの不揮発性半導体メモリ素子で具現されてもよい。例えば、ストレージモジュール４４００はユーザーシステム４０００のメモリカード、外付けドライブなどの取り外し可能な記憶媒体（ｒｅｍｏｖａｂｌｅ ｄｒｉｖｅ）で提供されてもよい。
【0290】
例えば、ストレージモジュール４４００は、図８を参照して説明した記憶装置１０００と同様に動作することができる。ストレージモジュール４４００は複数の不揮発性メモリ装置を含んでもよく、複数の不揮発性メモリ装置は図８を参照して説明したメモリ装置１００と同様に動作することができる。
【0291】
ユーザーインターフェース４５００は、アプリケーションプロセッサ４１００にデータまたは命令語を入力するかまたは外部装置にデータを出力するインターフェースを含んでもよい。例えば、ユーザーインターフェース４５００は、キーボード、キーパッド、ボタン、タッチパネル、タッチスクリーン、タッチパッド、タッチボール、カメラ、マイク、ジャイロスコープセンサ、振動センサ、圧電素子などのユーザー入力インターフェースを含んでもよい。ユーザーインターフェース４５００は、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）表示装置、ＡＭＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ）表示装置、ＬＥＤ、スピーカー、モニターなどのユーザー出力インターフェースを含んでもよい。
【0292】
一実施例において、装置は、命令語を保存するための記憶領域、及び第１記憶装置及びキャッシュ階層を制御するための命令語を実行するように構成されたコントローラを含む。記憶領域は、コントローラにより実行されるとき、本明細書に説明されているような動作を行うファームウェアまたは別の類型の命令に対応できる命令を保存する非一時的なコンピュータ可読媒体であってもよい。
【0293】
キャッシュティアは、上で説明したキャッシュティアの任意の実施例に対応することができ、例えば、それぞれ複数のデータゾーンを含む第１ゾーングループ及び第２ゾーングループを含んでもよい。
【0294】
命令を実行することで、コントローラは第１ゾーングループの複数のデータゾーンのうち１つに対応するソースデータゾーンにおいて第１記憶装置に保存されたデータをロードするためのロード動作を行うことができる。また、コントローラは、ソースデータゾーンにロードされたデータを第２ゾーングループの複数のデータゾーンのうち１つに対応するターゲットデータゾーンに移動させるための移動動作を行うように命令を実行することができる。
【0295】
移動動作は第１アクセスカウント及び第２アクセスカウントに基づいて行われてもよく、ここで、第１アクセスカウントはソースデータゾーンのアクセスカウントに対応し、第２アクセスカウントは第２ゾーングループの複数のデータゾーンのうち１つに対応する基準データゾーンのアクセスカウントに対応する。
【0296】
ここに説明されている方法、プロセス及び／または作業は、コンピュータ、プロセッサ、コントローラ、またはその他の信号処理装置によって実行されるコードまたは命令によって遂行されてもよい。コンピュータ、プロセッサ、コントローラ、または他の信号処理装置は、ここに説明されているか、またはここに説明されている要素に追加されたものであってもよい。方法（またはコンピュータ、プロセッサ、コントローラ、またはその他の信号処理装置の動作）の基礎を形成するアルゴリズムが詳説されているため、方法実施例の動作を具現するためのコードまたは命令は、コンピュータ、プロセッサ、コントローラ、またはその他の信号処理装置をここの方法を遂行するための特殊目的のプロセッサに変換することができる。
【0297】
ソフトウェアにおいて少なくとも部分的に具現されるとき、コントローラ、プロセッサ、装置、モジュール、ユニット、マルチプレクサ、生成器、ロジック、インターフェース、デコーダ、ドライバ、生成器及びその他の信号生成及び信号処理装置は、例えば、コンピュータ、プロセッサ、マイクロプロセッサ、コントローラ、またはその他の信号処理装置によって実行され得るコードまたは命令を保存するためのメモリまたはその他の記憶装置を含んでもよい。
【0298】
様々な実施例を例示の目的で説明したが、添付の請求の範囲に定義されたような開示内容の思想及び範囲から外れずに様々な変更及び修正ができることは当業者には明白である。実施例は更なる実施例を形成するために組み合わせられてもよい。
【符号の説明】
【0299】
１ ストレージシステム
１０ システムコントローラ
２０ キャッシュティア
３０ ストレージティア
１０ システムコントローラ
２０ キャッシュティア
３０ ストレージティア
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】