知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ 有限会社飯田製作所の特許一覧 ▶ 国立大学法人 東京大学の特許一覧
特開2022-91935成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための方法およびシステム
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022091935
(43)【公開日】2022-06-21
(54)【発明の名称】成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための方法およびシステム
(51)【国際特許分類】
G01B 15/04 20060101AFI20220614BHJP
G01N 21/3581 20140101ALI20220614BHJP
G01N 21/21 20060101ALI20220614BHJP
G01B 11/24 20060101ALI20220614BHJP
【ＦＩ】
G01B15/04 C
G01N21/3581
G01N21/21
G01B11/24 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】1
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022060119
(22)【出願日】2022-03-31
(62)【分割の表示】P 2021510139の分割
【原出願日】2020-02-27
(71)【出願人】
【識別番号】515110122
【氏名又は名称】有限会社飯田製作所
(71)【出願人】
【識別番号】504137912
【氏名又は名称】国立大学法人 東京大学
(74)【代理人】
【識別番号】100078282
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 秀策
(74)【代理人】
【識別番号】100113413
【弁理士】
【氏名又は名称】森下 夏樹
(74)【代理人】
【識別番号】100181674
【弁理士】
【氏名又は名称】飯田 貴敏
(74)【代理人】
【識別番号】100181641
【弁理士】
【氏名又は名称】石川 大輔
(74)【代理人】
【識別番号】230113332
【弁護士】
【氏名又は名称】山本 健策
(72)【発明者】
【氏名】三宅 茂夫
(72)【発明者】
【氏名】梶原 優介
(72)【発明者】
【氏名】野渡 透一
(72)【発明者】
【氏名】岩崎 晴一郎
(72)【発明者】
【氏名】野渡 潤也
(57)【要約】 （修正有）
【課題】テラヘルツ波の偏光強度を利用して、成形品の経時的寸法変化が収束したことを予測するための方法等を提供すること
【解決手段】本発明は、成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための方法を提供し、前記方法は、成形品上の複数の位置にテラヘルツ波を照射することであって、前記テラヘルツ波は、各位置に対して光軸周りの複数の向きで照射される、ことと、前記成形品を透過または反射した前記テラヘルツ波の偏光強度を測定することと、前記複数の位置における前記偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定することとを含む。
【選択図】なし
【解決手段】本発明は、成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための方法を提供し、前記方法は、成形品上の複数の位置にテラヘルツ波を照射することであって、前記テラヘルツ波は、各位置に対して光軸周りの複数の向きで照射される、ことと、前記成形品を透過または反射した前記テラヘルツ波の偏光強度を測定することと、前記複数の位置における前記偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定することとを含む。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
本明細書に記載の発明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための方法等に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、樹脂成型品などの成形品を切削加工などで製品として所定の寸法に加工することが行われているが、せっかく所定の寸法に加工した成型品が、経時的に変化してしまい、実際に使用する際には所定の寸法から外れてしまうという問題がある。
【0003】
ところで、近年、テラヘルツ波を用いて物体の内部状態を解析する技術が開発されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】国際公開第２０１１／０５９０４４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、従来のテラヘルツ波を用いた物体の内部状態の解析では、内部の欠陥や歪みの状況については解析できても、物体の寸法が今後変化するのか否かについて予測することはできなかった。
【0006】
本発明は、成形品の経時的寸法変化が収束したことを予測するための方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の発明者は、成形品の内部構造に起因して、テラヘルツ波が透過した後の偏光強度が変動するという知見から、偏光強度と成形品の経時的寸法変化との間に相関関係があることを初めて見出した。
【0008】
本発明は、例えば、以下の項目を提供する。
（項目１）
成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための方法であって、
成形品上の複数の位置にテラヘルツ波を照射することであって、前記テラヘルツ波は、各位置に対して光軸周りの複数の向きで照射される、ことと、
前記成形品を透過または反射した前記テラヘルツ波の偏光強度を測定することと、
前記複数の位置における前記偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定することと
を含む方法。
（項目２）
前記光軸周りの複数の向きは、前記偏光強度が極大となる複数の向きを含み、
前記所定の関係は、前記偏光強度が極大となる複数の向きのうちの１つでの前記複数の位置における前記偏光強度が、前記偏光強度が極大となる複数の向きのうちの他の１つでの前記複数の位置における前記偏光強度と相関することを含む、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記所定の関係は、前記偏光強度が極大となる複数の向きのうちの隣り合う向きのうちの１つでの前記複数の位置における前記偏光強度が、前記偏光強度が極大となる複数の向きのうちの前記隣り合う向きのうちの他の１つでの前記複数の位置における前記偏光強度と相関することを含む、項目２に記載の方法。
（項目４）
前記相関することは、相関係数が約０．９以上であることを含む、項目２または項目３に記載の方法。
（項目５）
前記成形品は、略円形の部材である、項目１～４のいずれか一項に記載の方法。
（項目６）
前記複数の位置は、少なくとも４つの位置であり、前記少なくとも４つの位置は、前記略円形の部材の中心を原点と置いたときの（ａ，０）、（－ａ，０）、（０，ａ）、（０，－ａ）であり、
ここで、０＜ａ＜ｒであり、ｒは、前記略円形の部材の半径である、項目５に記載の方法。
（項目７）
前記略円形の部材は、中空である、項目５または項目６に記載の方法。
（項目８）
前記略円形の部材は、中実である、項目５または項目６に記載の方法。
（項目９）
前記光軸周りの複数の向きは、約０度、約９０度、約１８０度、約２７０度を含む、項目１～８のいずれか一項に記載の方法。
（項目１０）
前記測定された偏光強度に基づいて、前記成形品に加えられている圧縮力または引張力を予測することをさらに含む、項目１～９のいずれか一項に記載の方法。
（項目１１）
前記測定された偏光強度に基づいて、前記成形品に混合されている混合物の割合を予測することをさらに含む、項目１～１０のいずれか一項に記載の方法。
（項目１２）
前記混合物は、炭素、ガラス繊維、炭素繊維、モリブデンのうちの少なくとも１つを含む、項目１１に記載の方法。
（項目１３）
前記成形品は、樹脂を含む、項目１～１２のいずれか一項に記載の方法。
（項目１４）
前記樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含む、項目１３に記載の方法。
（項目１５）
成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するためのシステムであって、
成形品上の複数の位置にテラヘルツ波を照射するための照射手段であって、前記テラヘルツ波は、各位置に対して光軸周りの複数の向きで照射される、照射手段と、
前記成形品を透過または反射した前記テラヘルツ波の偏光強度を測定する測定手段と、
前記複数の位置における前記偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定する判定手段と
を備えるシステム。
（項目１６）
成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するためのコンピュータシステムであって、
成形品上の複数の位置に、各位置に対して光軸周りの複数の向きで照射されたテラヘルツ波が前記成形品を透過または反射したときの偏光強度を取得する取得手段と、
前記取得された偏光強度に基づいて、前記複数の位置における前記偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定する判定手段と
を備えるコンピュータシステム。
（項目１７）
成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するためのプログラムであって、前記プログラムは、プロセッサ部を備えるコンピュータシステムにおいて実行され、前記プログラムは、
成形品上の複数の位置に、各位置に対して光軸周りの複数の向きで照射されたテラヘルツ波が前記成形品を透過または反射したときの偏光強度を取得することと、
前記取得された偏光強度に基づいて、前記複数の位置における前記偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定することと
を含む処理を前記プロセッサ部に行わせる、プログラム。
（項目１８）
成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための方法であって、
成形品上の複数の位置に、各位置に対して光軸周りの複数の向きで照射されたテラヘルツ波が前記成形品を透過または反射したときの偏光強度を取得することと、
前記取得された偏光強度に基づいて、前記複数の位置における前記偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定することと
を含む方法。
（項目１）
成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための方法であって、
成形品上の複数の位置にテラヘルツ波を照射することであって、前記テラヘルツ波は、各位置に対して光軸周りの複数の向きで照射される、ことと、
前記成形品を透過または反射した前記テラヘルツ波の偏光強度を測定することと、
前記複数の位置における前記偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定することと
を含む方法。
（項目２）
前記光軸周りの複数の向きは、前記偏光強度が極大となる複数の向きを含み、
前記所定の関係は、前記偏光強度が極大となる複数の向きのうちの１つでの前記複数の位置における前記偏光強度が、前記偏光強度が極大となる複数の向きのうちの他の１つでの前記複数の位置における前記偏光強度と相関することを含む、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記所定の関係は、前記偏光強度が極大となる複数の向きのうちの隣り合う向きのうちの１つでの前記複数の位置における前記偏光強度が、前記偏光強度が極大となる複数の向きのうちの前記隣り合う向きのうちの他の１つでの前記複数の位置における前記偏光強度と相関することを含む、項目２に記載の方法。
（項目４）
前記相関することは、相関係数が約０．９以上であることを含む、項目２または項目３に記載の方法。
（項目５）
前記成形品は、略円形の部材である、項目１～４のいずれか一項に記載の方法。
（項目６）
前記複数の位置は、少なくとも４つの位置であり、前記少なくとも４つの位置は、前記略円形の部材の中心を原点と置いたときの（ａ，０）、（－ａ，０）、（０，ａ）、（０，－ａ）であり、
ここで、０＜ａ＜ｒであり、ｒは、前記略円形の部材の半径である、項目５に記載の方法。
（項目７）
前記略円形の部材は、中空である、項目５または項目６に記載の方法。
（項目８）
前記略円形の部材は、中実である、項目５または項目６に記載の方法。
（項目９）
前記光軸周りの複数の向きは、約０度、約９０度、約１８０度、約２７０度を含む、項目１～８のいずれか一項に記載の方法。
（項目１０）
前記測定された偏光強度に基づいて、前記成形品に加えられている圧縮力または引張力を予測することをさらに含む、項目１～９のいずれか一項に記載の方法。
（項目１１）
前記測定された偏光強度に基づいて、前記成形品に混合されている混合物の割合を予測することをさらに含む、項目１～１０のいずれか一項に記載の方法。
（項目１２）
前記混合物は、炭素、ガラス繊維、炭素繊維、モリブデンのうちの少なくとも１つを含む、項目１１に記載の方法。
（項目１３）
前記成形品は、樹脂を含む、項目１～１２のいずれか一項に記載の方法。
（項目１４）
前記樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含む、項目１３に記載の方法。
（項目１５）
成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するためのシステムであって、
成形品上の複数の位置にテラヘルツ波を照射するための照射手段であって、前記テラヘルツ波は、各位置に対して光軸周りの複数の向きで照射される、照射手段と、
前記成形品を透過または反射した前記テラヘルツ波の偏光強度を測定する測定手段と、
前記複数の位置における前記偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定する判定手段と
を備えるシステム。
（項目１６）
成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するためのコンピュータシステムであって、
成形品上の複数の位置に、各位置に対して光軸周りの複数の向きで照射されたテラヘルツ波が前記成形品を透過または反射したときの偏光強度を取得する取得手段と、
前記取得された偏光強度に基づいて、前記複数の位置における前記偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定する判定手段と
を備えるコンピュータシステム。
（項目１７）
成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するためのプログラムであって、前記プログラムは、プロセッサ部を備えるコンピュータシステムにおいて実行され、前記プログラムは、
成形品上の複数の位置に、各位置に対して光軸周りの複数の向きで照射されたテラヘルツ波が前記成形品を透過または反射したときの偏光強度を取得することと、
前記取得された偏光強度に基づいて、前記複数の位置における前記偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定することと
を含む処理を前記プロセッサ部に行わせる、プログラム。
（項目１８）
成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための方法であって、
成形品上の複数の位置に、各位置に対して光軸周りの複数の向きで照射されたテラヘルツ波が前記成形品を透過または反射したときの偏光強度を取得することと、
前記取得された偏光強度に基づいて、前記複数の位置における前記偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定することと
を含む方法。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、成形品の経時的寸法変化が収束したことを予測することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】成形品のテラヘルツ波偏光計測の概念を概略的に示す図
【図2】成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するためのシステム１００の構成の一例を示す図
【図3A】成形品１０上のテラヘルツ波を照射する位置を変化させるためのワーク回転台３００を上から見た図
【図3B】成形品１０上のテラヘルツ波を照射する位置を変化させるためのワーク回転台３００を上から見た図
【図3C】成形品１０上のテラヘルツ波を照射する位置を変化させるためのワーク回転台３００を上から見た図
【図3D】成形品１０上のテラヘルツ波を照射する位置を変化させるためのワーク回転台３００を上から見た図
【図3E】成形品１０上のテラヘルツ波を照射する位置を変化させるためのワーク回転台３００を上から見た図
【図3F】成形品１０上のテラヘルツ波を照射する位置を変化させるためのワーク回転台３００を上から見た図
【図3G】成形品１０上のテラヘルツ波を照射する位置を変化させるためのワーク回転台３００を上から見た図
【図4】コンピュータシステム１３０の構成の一例を示す図
【図5A】成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための手順５００の一例を示すフローチャート
【図5B】成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための手順５００の一例を示すフローチャート
【図6】成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するためのコンピュータシステムによる処理６００の一例を示すフローチャート
【図7】中空略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験１の結果を示す図
【図8A】中空略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験２の結果を示す図
【図8B】中空略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験２の結果を示す図
【図8C】中空略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験２の結果を示す図
【図9】中空略円形ＰＴＦＥに対する寸法計測実験の結果を示す図
【図10】中実略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験１の結果を示す図
【図11A】中実略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験２の結果を示す図
【図11B】中実略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験２の結果を示す図
【図12】中実略円形ＰＴＦＥに対する寸法計測実験の結果を示す図
【図13】圧縮力を加えたＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験の結果を示す図
【図14】炭素Ｃを混合したＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験の結果を示す図
【発明を実施するための形態】
【0011】
（定義）
本明細書において、「テラヘルツ波」または「ＴＨｚ波」とは、波長約３０μｍ～約１ｍｍの光を意味する。「テラヘルツ波」または「ＴＨｚ波」は、パルス状の光であってもよいし、連続した光であってもよい。
本明細書において、「テラヘルツ波」または「ＴＨｚ波」とは、波長約３０μｍ～約１ｍｍの光を意味する。「テラヘルツ波」または「ＴＨｚ波」は、パルス状の光であってもよいし、連続した光であってもよい。
【0012】
本明細書において、「テラヘルツ波の偏光強度」とは、テラヘルツ波が物体に照射されたときに物体から受けた偏光の程度を意味する。「テラヘルツ波の偏光強度」は、物体を透過したテラヘルツ波または物体から反射したテラヘルツ波から計測される。テラヘルツ波が何も物体を透過しないとき、テラヘルツ波の偏光強度はゼロである。
【0013】
本明細書において、成形品の経時的寸法変化の「収束」とは、ある測定時点における所定位置の寸法測定による測定値と、その後少なくとも７日経過した測定時点における所定位置の寸法測定による測定値との差が約１０μｍ以下、好ましくは約５μｍ以下、さらに好ましくは約１μｍ以下であること、または測定値の変化率が約０．０５％以下、好ましくは約０．０３％以下、さらに好ましくは約０．００１％以下であることをいう。
【0014】
なお、測定値の変化率は、ある測定時点における所定位置の寸法測定による測定値ｄ０に対する、ある測定時点における所定位置の寸法測定による測定値ｄ０と少なくとも７日経過した測定時点における所定位置の寸法測定による測定値ｄ１との差の絶対値の割合、すなわち、
｜ｄ０－ｄ１｜／ｄ０
で表される。
｜ｄ０－ｄ１｜／ｄ０
で表される。
【0015】
本明細書において、「約」とは、後に続く数値の±１０％を意味する。
【0016】
（本発明の実施の形態）
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。
【0017】
図１は、成形品のテラヘルツ波偏光計測の概念を概略的に示す。
【0018】
テラヘルツ波偏光計測は、テラヘルツ波光源１１０と、テラヘルツ波検出器１２０を用いて行われる。テラヘルツ波光源１１０は、テラヘルツ波を照射するように構成されており、テラヘルツ波検出器１２０は、テラヘルツ波の偏光強度を検出するように構成されている。テラヘルツ波光源１１０と、テラヘルツ波検出器１２０との間に成形品を置き、テラヘルツ波光源１１０から成形品にテラヘルツ波１１を照射し、透過したテラヘルツ波１１をテラヘルツ波検出器１２０によって検出することにより、成形品によるテラヘルツ波の偏光強度を測定することができる。
【0019】
図１に示される例では、成形品の内部の高分子結晶１２が概略的に示されている。図１に示されるように、成形品の内部の高分子結晶１２が特定の方向に配向している場合、成形品を透過したテラヘルツ波１１のスペクトルに異方性が現れる。この異方性が、テラヘルツ波の偏光強度の原因であると考えられている。
【0020】
本発明の発明者は、成形品上の複数の位置にテラヘルツ波を照射し、複数の位置のそれぞれにおいて、成形品を透過したテラヘルツ波を検出することにより、成形品によるテラヘルツ波の偏光強度を測定する。このとき、複数の位置のそれぞれにおいて、成形品自体を回転させるまたはテラヘルツ波光源を回転させることによって、成形品に照射されるテラヘルツ波の光軸周りの向きを変化させ、複数の向きのそれぞれにおいて成形品を透過したテラヘルツ波を検出する。すなわち、（位置の数）×（向きの数）のテラヘルツ波の偏光強度が測定されることになる。本発明の発明者は、このようにして測定された（位置の数）×（向きの数）のテラヘルツ波の偏光強度と、成形品の寸法の経時的変化との間に相関関係があることを見出した。すなわち、成形品の寸法の経時的変化が収束したときには、（位置の数）×（向きの数）のテラヘルツ波の偏光強度が所定の関係にあることを見出したのである。これにより、（位置の数）×（向きの数）のテラヘルツ波の偏光強度が所定の関係にあるか否かを判断することにより、成形品の寸法の経時的変化が収束したか否かを予測することが可能になる。
【0021】
これは、例えば、後述する成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するためのシステム１００によって実装され得る。
【0022】
図２は、成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するためのシステム１００の構成の一例を示す。
【0023】
システム１００は、成形品１０にテラヘルツ波を照射し、成形品１０を透過したテラヘルツ波の偏光強度を計測することにより、成形品１０の寸法の経時的変化が収束したことを予測することができるように構成されている。なお、成型品の寸法の経時的変化と成型品の残留応力とは関連性が高いと考えられるため、本発明の成型品の経時的寸法変化が収束したことを予測するシステムは、成型品の残留応力の有無などを予測することに応用することが可能と考える。
【0024】
成形品１０を構成する材料は、任意であり得る。例えば、材料としては樹脂であり、樹脂は加工された際に樹脂内部に残留応力を生じ、残留応力の開放などの影響により寸法が経時的に変化し、一定時間経過後に寸法変化が収束する樹脂であり得る。このような樹脂は、例えば、フッ素樹脂を含む。フッ素樹脂は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）、エチレンテトラフルオロエチレンコポリマー（ＥＴＦＥ）、パーフルオロエチレンプロペンコポリマー（ＦＥＰ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、エチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー（ＥＣＴＦＥ）、または、これらの組み合わせを含み得るが、これらに限定されない。樹脂成形品１０は、例えば、切削加工後の樹脂成形品であり得る。切削加工により樹脂成形品１０内には残留応力が発生するため、残留応力の解放に起因して寸法が経時的に変化する。本発明はこれに限定されない。例えば、金属材料、セラミック材料、およびそれらの複合材料からなる成形品であってもよい。
【0025】
システム１００は、テラヘルツ波光源１１０と、テラヘルツ波検出器１２０と、コンピュータシステム１３０とを備えている。テラヘルツ波光源１１０およびテラヘルツ波検出器１２０はそれぞれ、コンピュータシステム１３０に接続されている。本発明では、テラヘルツ波光源１１０およびテラヘルツ波検出器１２０と、コンピュータシステム１３０との接続態様は問わない。例えば、テラヘルツ波光源１１０およびテラヘルツ波検出器１２０と、コンピュータシステム１３０とは、有線で接続されてもよいし、無線で接続されてもよい。例えば、テラヘルツ波光源１１０およびテラヘルツ波検出器１２０と、コンピュータシステム１３０とは、任意のネットワーク（例えば、インターネット、ローカルエリアネットワーク）を介して接続され得る。
【0026】
テラヘルツ波光源１１０は、テラヘルツ波を照射することが可能な任意の機構であり得る。テラヘルツ波光源１１０は、例えば、特定の周波数または特定の周波数帯を有するＴＨｚ波のみを照射することが可能なように構成されてもよい。特定の周波数は、約０～約５．０ＴＨｚ等であり得る。テラヘルツ波光源１１０が、特定の周波数を有するテラヘルツ波のみを照射するようにすることにより、テラヘルツ波光源１１０は、広範なテラヘルツ波照射能力を有する必要がなく、テラヘルツ波光源１１０の構成を簡略化することができる。これは、システム１００の低コスト化につながる。
【0027】
テラヘルツ波光源１１０から照射されたテラヘルツ波は、成形品１０を透過し、テラヘルツ波検出器１２０に到達する。
【0028】
テラヘルツ波検出器１２０は、テラヘルツ波を検出するように構成された任意の機構であり得る。テラヘルツ波検出器１２０は、テラヘルツ波の偏光強度を測定するように構成されることができる。テラヘルツ波検出器１２０は、例えば、検出されたテラヘルツ波の偏光強度を電圧信号として出力することができる。
【0029】
コンピュータシステム１３０はさらに、成形品１０上の複数の位置に照射されたテラヘルツ波からテラヘルツ波検出器１２０が測定したテラヘルツ波の偏光強度に基づいて、成形品１０の偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定するように構成されている。コンピュータシステム１３０は、成形品１０の偏光強度が所定の関係にある場合に、成形品１０の経時的寸法変化が収束したと予測することができ、成形品１０の偏光強度が所定の関係にない場合に、成形品１０の経時的寸法変化がまだ収束していないと予測することができる。
【0030】
システム１００は、成形品１０上のテラヘルツ波を照射する位置を変化させるためのワーク回転台をさらに備えるようにしてもよい。
【0031】
【0032】
ワーク回転台３００上には成形品１０が載置されている。図３に示される例では、成形品１０は、中空の略円形部材として示されているが、本発明で測定対象となる成形品１０は、これに限定されない。成形品１０の形状は、任意の形状であることができる。例えば、成形品１０の形状は、断面が略円形、略楕円形、略多角形（三角形、四角形、五角形、六角形等）、略正多角形（略正三角形、略正方形、略正五角形、略正六角形等）等であり得る。さらに、成形品１０の形状は、中実であってもよいし、中空であってもよい。中空である場合には、中空部分の形状は任意の形状であり得る。例えば、中空部分は、略円形、略楕円形、略多角形（略三角形、略四角形、略五角形、略六角形等）、略正多角形（略正三角形、略正方形、略正五角形、略正六角形等）等であり得る。また、成形品は略柱状体であってもよいし、略筒体であってもよいし、略平板であってもよい。
【0033】
ワーク回転台３００上のスポットＳは、ワーク回転台３００の中心であり、孔（不可視）があいている。スポットＳにテラヘルツ波光源１１０からテラヘルツ波を照射する。テラヘルツ波光源１１０とワーク回転台３００との位置関係が固定されているため、ワーク回転台３００を回転させることによって、成形品１０上にテラヘルツ波が照射される光軸周りの向きを変化させることができる。テラヘルツ波は、電場ベクトルおよび磁場ベクトルが振動する方向を有しており、成形品１０上にテラヘルツ波が照射される光軸周りの向きを変化させることに伴って、成形品１０上でのテラヘルツ波の電場ベクトルおよび磁場ベクトルの振動方向も変化し得る。例えば、図３Ａ～図３Ｄに示すように、成形品１０上のテラヘルツ波が照射される位置を変化させることなく、ワーク回転台３００を回転させることによって、成形品１０上にテラヘルツ波が照射される向きを変化させることができる。
【0034】
さらに、ワーク回転台３００に対する成形品１０の位置および／または向きを変化させることによって、成形品１０上にテラヘルツ波が照射される照射位置を変化させることができる。例えば、図３Ａ，図３Ｅ～図３Ｇに示されるように、ワーク回転台に対する成形品１０の方向を変化させることによって、成形品１０上にテラヘルツ波が照射される位置を変化させることができる。
【0035】
図３Ａは、第１の状態を示し、第１の状態において、成形品１０がワーク回転台３００上の第１の位置に載置され、ワーク回転台３００が第１の向きに位置する。紙面左右方向をｘ軸方向とし、紙面上下方向をｙ軸とする。図３Ａに示される第１の状態において、便宜上、ｙ座標が最大となる成形品１０上の点をＡとし、ｙ座標が最大となるワーク回転台３００上の点をＢとする。
【0036】
図３Ｂは、図３Ａに示される第１の状態から、ワーク回転台３００を矢印αの方向に約９０度回転させた第２の状態を示し、第２の状態において、成形品１０がワーク回転台３００上の第１の位置に載置され、ワーク回転台３００が第２の向き（点Ｂが、ｘ座標が最大となる点となる向き）に位置する。
【0037】
図３Ｃは、図３Ｂに示される第２の状態から、ワーク回転台３００を矢印αの方向に約９０度回転させた第３の状態を示し、第３の状態において、成形品１０がワーク回転台３００上の第１の位置に載置され、ワーク回転台３００が第３の向き（点Ｂが、ｙ座標が最小となる点となる向き）に位置する。
【0038】
図３Ｄは、図３Ｃに示される第３の状態から、ワーク回転台３００を矢印αの方向に約９０度回転させた第４の状態を示し、第４の状態において、成形品１０がワーク回転台３００上の第１の位置に載置され、ワーク回転台３００が第４の向き（点Ｂが、ｘ座標が最小となる点となる向き）に位置する。
【0039】
図３Ｅは、図３Ａに示される第１の状態から、成形品１０を矢印βの方向に約９０度回転させた第５の状態を示し、第５の状態において、成形品１０がワーク回転台３００上の第２の位置（点Ａが、ｘ座標が最大となる点となる位置）に載置され、ワーク回転台３００が第１の向きに位置する。例えば、図３Ｅに示される第５の状態から、ワーク回転台３００を矢印αの方向に約９０度、約１８０度、約２７０度回転させて、第６の状態（成形品１０がワーク回転台３００上の第２の位置に載置され、ワーク回転台３００が第２の向きに位置する）、第７の状態（成形品１０がワーク回転台３００上の第２の位置に載置され、ワーク回転台３００が第３の向きに位置する）、第８の状態（成形品１０がワーク回転台３００上の第２の位置に載置され、ワーク回転台３００が第４の向きに位置する）となるようにすることができる。
【0040】
図３Ｆは、図３Ｅに示される第５の状態から、成形品１０を矢印βの方向に約９０度回転させた第９の状態を示し、第９の状態において、成形品１０がワーク回転台３００上の第３の位置（点Ａが、ｙ座標が最小となる点となる位置）に載置され、ワーク回転台３００が第１の向きに位置する。例えば、図３Ｆに示される第９の状態から、ワーク回転台３００を矢印αの方向に約９０度、約１８０度、約２７０度回転させて、第１０の状態（成形品１０がワーク回転台３００上の第３の位置に載置され、ワーク回転台３００が第２の向きに位置する）、第１１の状態（成形品１０がワーク回転台３００上の第３の位置に載置され、ワーク回転台３００が第３の向きに位置する）、第１２の状態（成形品１０がワーク回転台３００上の第３の位置に載置され、ワーク回転台３００が第４の向きに位置する）となるようにすることができる。
【0041】
図３Ｇは、図３Ｆに示される第９の状態から、成形品１０を矢印βの方向に約９０度回転させた第１３の状態を示し、第１３の状態において、成形品１０がワーク回転台３００上の第４の位置（点Ａが、ｘ座標が最小となる点となる位置）に載置され、ワーク回転台３００が第１の向きに位置する。例えば、図３Ｆに示される第１３の状態から、ワーク回転台３００を矢印αの方向に約９０度、約１８０度、約２７０度回転させて、第１４の状態（成形品１０がワーク回転台３００上の第４の位置に載置され、ワーク回転台３００が第２の向きに位置する）、第１５の状態（成形品１０がワーク回転台３００上の第４の位置に載置され、ワーク回転台３００が第３の向きに位置する）、第１６の状態（成形品１０がワーク回転台３００上の第４の位置に載置され、ワーク回転台３００が第４の向きに位置する）となるようにすることができる。
【0042】
上述した第１の状態～第１６の状態のそれぞれにおいてテラヘルツ波を成形品１０に照射し、透過したテラヘルツ波を検出することにより、複数の位置のそれぞれにおける複数の向きのそれぞれでのテラヘルツ波の偏光強度を測定することができる。
【0043】
上述した例では、複数の位置は、略円形中空の成形品１０における４つの位置であり、４つの位置の座標は、略円形の成形品１０の中心を原点と置いたときの（ａ，０）、（－ａ，０）、（０，ａ）、（０，－ａ）と表されることができ、ここで、０＜ａ＜ｒであり、ｒは、略円形の成形品１０の半径である。
【0044】
上述した例では、約９０度刻みにワーク回転台３００を回転させることを説明したが、本発明は、これに限定されない。例えば、約９０度以外の任意の角度刻みにワーク回転台３００を回転させるようにしてもよい。例えば、約５度刻み、約１０度刻み、約１５度刻み、約３０度刻み、約４５度刻み、または約６０度刻みでワーク回転台３００を回転させるようにすることができる。図３Ａ～図３Ｇに示される中空略円形の成形品１０の場合には、約９０度刻みにワーク回転台３００を回転させることが好ましい。なぜなら、図３Ａ～図３Ｇに示される中空略円形の成形品１０の場合には外径方向を基準として約９０度毎にテラヘルツ波の偏光強度のピーク（極大値）が現れるため、約９０度刻みの光軸周りの向きでテラヘルツ波を照射することにより、成形品１０の特性を効率的に分析することができ、かつ、測定にかかる負荷を小さく抑えられるからである。
【0045】
上述した例では、約９０度刻みに成形品１０自体をワーク回転台３００上で回転させることを説明したが、本発明は、これに限定されない。例えば、約９０度以外の任意の角度刻みに成形品１０自体をワーク回転台３００上で回転させるようにしてもよい。例えば、約５度刻み、約１０度刻み、約１５度刻み、約３０度刻み、約４５度刻み、または約６０度刻みで成形品１０自体をワーク回転台３００上で回転させるようにすることができる。
【0046】
このように、テラヘルツ波光源１１０と、ワーク回転台３００とを用いることにより、成形品上の複数の位置にテラヘルツ波を照射することができる。すなわち、テラヘルツ波光源１１０およびワーク回転台３００により、成形品上の複数の位置にテラヘルツ波を照射するための照射手段が構成される。
【0047】
再び図２を参照して、コンピュータシステム１３０は、データベース部２００に接続され得る。
【0048】
データベース部２００には、過去に行われたテラヘルツ波偏光強度測定の結果が格納され得る。あるいは、データベース部２００には、過去に行われたテラヘルツ波偏光強度測定の結果を分析した結果が格納され得る。
【0049】
図４は、コンピュータシステム１３０の構成の一例を示す。
【0050】
コンピュータシステム１３０は、インターフェース部１３１と、プロセッサ部１３２と、メモリ部１３３とを備える。
【0051】
インターフェース部１３１は、インターフェース部１３１は、コンピュータシステム１３０の外部と情報のやり取りを行う。コンピュータシステム１３０のプロセッサ部１２０は、インターフェース部１３１を介して、コンピュータシステム１３０の外部から情報を受信することが可能であり、コンピュータシステム１３０の外部に情報を送信することが可能である。インターフェース部１３１は、任意の形式で情報のやり取りを行うことができる。
【0052】
インターフェース部１３１は、テラヘルツ波検出器１２０からの出力信号を受信することができる。インターフェース部１３１は、予測された、成形品の寸法の経時的変化が収束したことをコンピュータシステム１３０の外部に出力することができる。
【0053】
インターフェース部１３１は、例えば、コンピュータシステム１３０に情報を入力することを可能にする入力部を備える。入力部が、どのような態様でコンピュータシステム１３０に情報を入力することを可能にするかは問わない。例えば、入力部がタッチパネルである場合には、ユーザがタッチパネルにタッチすることによって情報を入力するようにしてもよい。あるいは、入力部がマウスである場合には、ユーザがマウスを操作することによって情報を入力するようにしてもよい。あるいは、入力部がキーボードである場合には、ユーザがキーボードのキーを押下することによって情報を入力するようにしてもよい。あるいは、入力部がマイクである場合には、ユーザがマイクに音声を入力することによって情報を入力するようにしてもよい。あるいは、入力部がデータ読み取り装置である場合には、コンピュータシステム１３０に接続された記憶媒体から情報を読み取ることによって情報を入力するようにしてもよい。あるいは、入力部が受信器である場合、受信器がネットワークを介してコンピュータシステム１３０の外部から情報を受信することにより入力してもよい。
【0054】
インターフェース部１３１は、例えば、コンピュータシステム１３０から情報を出力することを可能にする出力部を備える。出力部が、どのような態様でコンピュータシステム１３０から情報を出力することを可能にするかは問わない。例えば、出力部が表示画面である場合、表示画面に情報を出力するようにしてもよい。あるいは、出力部がスピーカである場合には、スピーカからの音声によって情報を出力するようにしてもよい。あるいは、出力部がデータ書き込み装置である場合、コンピュータシステム１３０に接続された記憶媒体に情報を書き込むことによって情報を出力するようにしてもよい。あるいは、出力部が送信器である場合、送信器がネットワークを介してコンピュータシステム１３０の外部に情報を送信することにより出力してもよい。
【0055】
プロセッサ部１３２は、コンピュータシステム１３０の処理を実行し、かつ、コンピュータシステム１３０全体の動作を制御する。プロセッサ部１３２は、メモリ部１３３に格納されているプログラムを読み出し、そのプログラムを実行する。これにより、コンピュータシステム１３０を所望のステップを実行するシステムとして機能させることが可能である。プロセッサ部１３２は、単一のプロセッサによって実装されてもよいし、複数のプロセッサによって実装されてもよい。このとき、複数のプロセッサは、同一のハードウェア部品内に位置してもよいし、近傍または遠隔の別個のハードウェア部品内に位置してもよい。
【0056】
プロセッサ部１３２は、インターフェース部１３１を介してテラヘルツ波検出器１２０から受信されたテラヘルツ波の偏光強度を取得することができる。あるいは、プロセッサ部１３２は、インターフェース部１３１を介してテラヘルツ波検出器１２０から受信された出力信号を分析することにより、テラヘルツ波の偏光強度を導出するようにしてもよい。
【0057】
プロセッサ部１３２は、成形品１０上の複数の位置におけるテラヘルツ波の偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定するように構成されている。所定の関係は、過去に行われた成形品に対するテラヘルツ波偏光強度測定の結果と、成形品の寸法計測の結果とから導出される関係であり得る。所定の関係は、計測対象の成形品の形状および／または材料に応じて変動し得る。
【0058】
所定の関係は、例えば、成形品１０上の複数の位置のうちの１つの位置でのテラヘルツ波の偏光強度が、成形品１０上の複数の位置のうちの他の位置でのテラヘルツ波の偏光強度と相関することを含む。相関することは、相関係数が閾値以上であることであり、例えば、相関係数が、約０．９９以上であること、約０．９８以上であること、約０．９７以上であること、約０．９６以上であること、約０．９５以上であること、約０．９４以上であること、約０．９３以上であること、約０．９２以上であること、約０．９１以上であること、約０．９０以上であること、約０．８５以上であること、約０．８０以上であること、約０．７５以上であること、または約０．７０以上であることのうちの１つであり得る。
【0059】
相関係数Ｃｏｒｒｅｌ（Ｘ，Ｙ）は、
で表され、
は、｛ｘｉ｝の相加平均であり、
は、｛ｙｉ｝の相加平均である。
【数1】
【化1】
【化2】
【0060】
複数の相関係数を算出することができる場合には、相関することは、例えば、複数の相関係数のそれぞれが閾値以上であると定義されてもよいし、複数の相関係数の平均値が閾値以上であると定義されてもよいし、複数の相関係数の中間値が閾値以上であると定義されてもよいし、複数の相関係数の最大値または最小値が閾値以上であると定義されてもよい。
【0061】
一実施形態において、所定の関係は、例えば、テラヘルツ波が照射される光軸周りの複数の向きのうち、偏光強度が極大となる複数の向き（例えば、略円形の成形品の外径方向を基準軸として約９０度刻みの複数の向き）のうちの１つ（例えば、略円形の成形品の外径方向を基準軸として約０度の向き、約９０度の向き、約１８０度の向き、または約２７０度の向き）での、成形品１０上の複数の位置におけるテラヘルツ波の偏光強度が、偏光強度が極大となる複数の向きのうちの他の１つでの、成形品１０上の複数の位置におけるテラヘルツ波の偏光強度と相関することを含む。相関することは、相関係数が閾値以上であることであり、例えば、相関係数が、約０．９９以上であること、約０．９８以上であること、約０．９７以上であること、約０．９６以上であること、約０．９５以上であること、約０．９４以上であること、約０．９３以上であること、約０．９２以上であること、約０．９１以上であること、約０．９０以上であること、約０．８５以上であること、約０．８０以上であること、約０．７５以上であること、または約０．７０以上であることのうちの１つであり得る。
【0062】
例えば、或る略円形の樹脂成形品Ａ（焼成切削後２０日目）上の４つの位置（ａ，０）、（－ａ，０）、（０，ａ）、（０，－ａ）において、２つの向き（略円形の樹脂成形品の外径方向を基準軸として、０度、９０度）でテラヘルツ波を照射したときに、表１に示される偏光強度が得られたとする。
【0063】
【表1】
【0064】
このとき、向き０度での複数の位置における偏光強度と、向き９０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.7497となる。
【0065】
さらに、別の略円形の樹脂成形品Ｂ（焼成切削後５０日目）上の４つの位置（ａ，０）、（－ａ，０）、（０，ａ）、（０，－ａ）において、２つの向き（略円形の樹脂成形品の外径方向を基準軸として、０度、９０度）でテラヘルツ波を照射したときに、表１に示される偏光強度が得られたとする。
【0066】
【表2】
【0067】
このとき、向き０度での複数の位置における偏光強度と、向き９０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.9979となる。
【0068】
所定の関係における相関係数を０．８以上であるとすると、樹脂成形品Ａは所定の関係を満たさず、樹脂成形品Ｂは所定の関係を満たすことになる。
【0069】
実際に、樹脂成形品Ａおよび樹脂成形品Ｂの直径を経時的に計測したところ、樹脂成形品Ａにおける直径の変化率は０．０３％よりも大きかった一方で、樹脂成形品Ｂにおける直径の変化率は０．０３％よりも小さかった。すなわち、樹脂成形品Ｂの寸法の経時的変化が収束しているといえる。
【0070】
例えば、或る略円形の樹脂成形品Ａ（焼成切削後２０日目）上の４つの位置（ａ，０）、（－ａ，０）、（０，ａ）、（０，－ａ）において、４つの向き（略円形の樹脂成形品の外径方向を基準軸として、０度、９０度、１８０度、２７０度）でテラヘルツ波を照射したときに、表３に示される偏光強度が得られたとする。
【0071】
【表3】
【0072】
このとき、向き０度での複数の位置における偏光強度と、向き９０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.7497となる。向き０度での複数の位置における偏光強度と、向き１８０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.7832となる。向き０度での複数の位置における偏光強度と、向き２７０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.3173となる。向き９０度での複数の位置における偏光強度と、向き１８０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.7662となる。向き９０度での複数の位置における偏光強度と、向き２７０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.3173となる。向き１８０度での複数の位置における偏光強度と、向き２７０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、-0.1078となる。
【0073】
これらの相関係数の平均値は、0.4710となる。
【0074】
さらに、別の略円形の樹脂成形品Ｂ（焼成切削後５０日目）上の４つの位置（ａ，０）、（－ａ，０）、（０，ａ）、（０，－ａ）において、４つの向き（略円形の樹脂成形品の外径方向を基準軸として、０度、９０度、１８０度、２７０度）でテラヘルツ波を照射したときに、表４に示される偏光強度が得られたとする。
【0075】
【表4】
【0076】
このとき、向き０度での複数の位置における偏光強度と、向き９０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.9979となる。向き０度での複数の位置における偏光強度と、向き１８０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.8811となる。向き０度での複数の位置における偏光強度と、向き２７０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.9382となる。向き９０度での複数の位置における偏光強度と、向き１８０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.9010となる。向き９０度での複数の位置における偏光強度と、向き２７０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.9579となる。向き１８０度での複数の位置における偏光強度と、向き２７０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.9684となる。
【0077】
これらの相関係数の平均値は、0.9408となる。
【0078】
所定の関係における相関係数を０．８以上であるとすると、樹脂成形品Ａは所定の関係を満たさず、樹脂成形品Ｂは所定の関係を満たすことになる。
【0079】
上述したように、実際に、樹脂成形品Ａおよび樹脂成形品Ｂの直径を経時的に計測したところ、樹脂成形品Ａにおける直径の変化率は０．０３％よりも大きかった一方で、樹脂成形品Ｂにおける直径の変化率は０．０３％よりも小さかった。すなわち、樹脂成形品Ｂの寸法の経時的変化が収束しているといえる。
【0080】
一実施形態において、所定関係は、例えば、テラヘルツ波が照射される光軸周りの複数の向きのうち、偏光強度が極大となる複数の向き（例えば、略円形の樹脂成形品の外径方向を基準軸として約９０度刻みの複数の向き）のうちの隣り合う向き（例えば、略円形の樹脂成形品の外径方向を基準軸として約０度の向きおよび約９０度の向き、約９０度の向きおよび約１８０度の向き、約１８０度の向きおよび約２７０度の向き、または約２７０度の向きおよび約０度の向き）のうちの１つでの、樹脂成形品１０上の複数の位置におけるテラヘルツ波の偏光強度が、偏光強度が極大となる複数の向きのうちの隣り合う向きのうちの他の１つでの、樹脂成形品１０上の複数の位置におけるテラヘルツ波の偏光強度と相関することを含む。相関することは、相関係数が閾値以上であることであり、例えば、相関係数が、約０．９９以上であること、約０．９８以上であること、約０．９７以上であること、約０．９６以上であること、約０．９５以上であること、約０．９４以上であること、約０．９３以上であること、約０．９２以上であること、約０．９１以上であること、約０．９０以上であること、約０．８５以上であること、約０．８０以上であること、約０．７５以上であること、または約０．７０以上であることのうちの１つであり得る。
【0081】
例えば、或る略円形の樹脂成形品Ａ（焼成切削後２０日目）上の４つの位置（ａ，０）、（－ａ，０）、（０，ａ）、（０，－ａ）において、４つの向き（略円形の樹脂成形品の外径方向を基準軸として、０度、９０度、１８０度、２７０度）でテラヘルツ波を照射したときに、上記表３に示される偏光強度が得られたとする。
【0082】
このとき、向き０度での複数の位置における偏光強度と、向き９０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.7497となる。向き９０度での複数の位置における偏光強度と、向き１８０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.7662となる。向き１８０度での複数の位置における偏光強度と、向き２７０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、-0.1078となる。向き２７０度での複数の位置における偏光強度と、向き０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.3173となる。
【0083】
これらの相関係数の平均値は、0.4314となる。
【0084】
さらに、別の略円形の樹脂成形品Ｂ（焼成切削後５０日目）上の４つの位置（ａ，０）、（－ａ，０）、（０，ａ）、（０，－ａ）において、４つの向き（略円形の樹脂成形品の外径方向を基準軸として、０度、９０度、１８０度、２７０度）でテラヘルツ波を照射したときに、表４に示される偏光強度が得られたとする。
【0085】
このとき、向き０度での複数の位置における偏光強度と、向き９０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.9979となる。向き９０度での複数の位置における偏光強度と、向き１８０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.9010となる。向き１８０度での複数の位置における偏光強度と、向き２７０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.9684となる。向き２７０度での複数の位置における偏光強度と、向き０度での複数の位置における偏光強度との相関係数は、0.9382となる。
【0086】
これらの相関係数の平均値は、0.9513となる。
【0087】
所定の関係における相関係数を０．８以上であるとすると、樹脂成形品Ａは所定の関係を満たさず、樹脂成形品Ｂは所定の関係を満たすことになる。
【0088】
上述したように、実際に、樹脂成形品Ａおよび樹脂成形品Ｂの直径を経時的に計測したところ、樹脂成形品Ａにおける直径の変化率は０．０３％よりも大きかった一方で、樹脂成形品Ｂにおける直径の変化率は０．０３％よりも小さかった。すなわち、樹脂成形品Ｂの寸法の経時的変化が収束しているといえる。
【0089】
このように、プロセッサ部１３２が、成形品１０上の複数の位置におけるテラヘルツ波の偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定することにより、成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測することが可能である。
【0090】
メモリ部１３３は、コンピュータシステム１３０の処理を実行するために必要とされるプログラムやそのプログラムの実行に必要とされるデータ等を格納する。メモリ部１３３は、成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための処理をプロセッサ部１３２に行わせるためのプログラム（例えば、後述する図６に示される処理を実現するプログラム）を格納してもよい。ここで、プログラムをどのようにしてメモリ部１３３に格納するかは問わない。例えば、プログラムは、メモリ部１３３にプリインストールされていてもよい。あるいは、プログラムは、ネットワークを経由してダウンロードされることによってメモリ部１３３にインストールされるようにしてもよい。この場合、ネットワークの種類は問わない。メモリ部１３３は、任意の記憶手段によって実装され得る。
【0091】
データベース部２００には、過去に行われたテラヘルツ波偏光強度測定の結果が格納され得る。あるいは、データベース部２００には、過去に行われたテラヘルツ波偏光強度測定の結果を分析した結果が格納され得る。
【0092】
例えば、データベース部２００には、テラヘルツ波検出器１２０によって測定された偏光強度と、そのときの成形品１０上の位置および光軸周りの向きとが、関連付けられて格納される。
【0093】
例えば、データベース部２００には、成形品１０の寸法の経時的変化が収束していない場合のテラヘルツ波偏光強度測定の結果（例えば、成形品１０上の複数の位置のうちの１つの位置でのテラヘルツ波の偏光強度と、成形品１０上の複数の位置のうちの他の位置でのテラヘルツ波の偏光強度との相関係数）と、成形品１０の寸法の経時的変化が収束した場合のテラヘルツ波偏光強度測定の結果（例えば、成形品１０上の複数の位置のうちの１つの位置でのテラヘルツ波の偏光強度と、成形品１０上の複数の位置のうちの他の位置でのテラヘルツ波の偏光強度との相関係数）が格納される。
【0094】
プロセッサ部１３２は、データベース部２００に格納されたデータを利用することにより、成形品１０の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための所定の関係（例えば、相関係数の閾値）を導出することができる。あるいは、所定の関係は、事前実験によって定義されるようにしてもよい。
【0095】
例えば、データベース部２００には、テラヘルツ波検出器１２０によって測定された偏光強度と、そのときの成形品１０に加えられている圧縮力とが関連付けられて格納され得る。これは、成形品１０に複数の強度の圧縮力を加えたそれぞれの状態で行われたテラヘルツ波偏光強度測定の結果である。
【0096】
プロセッサ部１３２は、データベース部２００に格納されたデータを利用することにより、偏光強度と、成形品１０に加えられている圧縮力との関係（例えば、校正曲線）を導出することができる。あるいは、偏光強度と、成形品１０に加えられている圧縮力との関係は、事前実験によって定義されるようにしてもよい。
【0097】
例えば、データベース部２００には、テラヘルツ波検出器１２０によって測定された偏光強度と、そのときの成形品１０に加えられている引張力とが関連付けられて格納され得る。これは、成形品１０に複数の強度の引張力を加えたそれぞれの状態で行われたテラヘルツ波偏光強度測定の結果である。
【0098】
プロセッサ部１３２は、データベース部２００に格納されたデータを利用することにより、偏光強度と、成形品１０に加えられている引張力との関係（例えば、校正曲線）を導出することができる。あるいは、偏光強度と、成形品１０に加えられている引張力との関係は、事前実験によって定義されるようにしてもよい。
【0099】
例えば、データベース部２００には、テラヘルツ波検出器１２０によって測定された偏光強度と、そのときの成形品１０に混合されている混合物の割合とが関連付けられて格納され得る。混合物は、成形品１０を主として構築する材料（例えば、樹脂）以外の充填材であり、例えば、繊維系材料、セラミックス系材料、酸化物等を含む。混合物は、具体的には、例えば、炭素Ｃ、ガラス繊維、炭素繊維、モリブデンを含むが、これらに限定されない。データベース部２００には、複数の割合で混合物（例えば、炭素Ｃ）を混合された成形品１０それぞれに行われたテラヘルツ波偏光強度測定の結果が格納され得る。
【0100】
プロセッサ部１３２は、データベース部２００に格納されたデータを利用することにより、偏光強度と、成形品１０に混合されている混合物の割合との関係（例えば、校正曲線）を導出することができる。あるいは、偏光強度と、成形品１０に混合されている混合物割合との関係は、事前実験によって定義されるようにしてもよい。
【0101】
なお、上述した例では、成形品１０を透過したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出器１２０を用いて検出することによってテラヘルツ波の偏光強度を計測することを説明したが、本発明はこれに限定されない。成形品１０から反射したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出器を用いて検出することによってテラヘルツ波の偏光強度を計測することも本発明の範囲内である。成形品１０から反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出器は、成形品１０を透過したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出器１２０の構成と同様の構成であり得る。
【0102】
図２および図４に示される例では、データベース部２００は、コンピュータシステム１３０の外部に設けられているが、本発明はこれに限定されない。データベース部２００の少なくとも一部をコンピュータシステム１３０の内部に設けることも可能である。このとき、データベース部２００の少なくとも一部は、メモリ部１３３を実装する記憶手段と同一の記憶手段によって実装されてもよいし、メモリ部１３３を実装する記憶手段とは別の記憶手段によって実装されてもよい。いずれにせよ、データベース部２００の少なくとも一部は、コンピュータシステム１３０のための格納部として構成される。データベース部２００の構成は、特定のハードウェア構成に限定されない。例えば、データベース部２００は、単一のハードウェア部品で構成されてもよいし、複数のハードウェア部品で構成されてもよい。例えば、データベース部２００は、システム１００の外付けハードディスク装置として構成されてもよいし、ネットワークを介して接続されるクラウド上のストレージとして構成されてもよい。
【0103】
なお、コンピュータシステム１３０の各構成要素は、単一のハードウェア部品で構成されていてもよいし、複数のハードウェア部品で構成されていてもよい。複数のハードウェア部品で構成される場合は、各ハードウェア部品が接続される態様は問わない。各ハードウェア部品は、無線で接続されてもよいし、有線で接続されてもよい。コンピュータシステム１３０は、特定のハードウェア構成には限定されない。プロセッサ部１３２をデジタル回路ではなくアナログ回路によって構成することも本発明の範囲内である。本発明のシステム１００の構成は、その機能を実現できる限りにおいて上述したものに限定されない。
【0104】
【0105】
ステップＳ５０１では、テラヘルツ波光源１１０が、成形品１０上の第１の位置に、光軸周りの第１の向きでテラヘルツ波を照射する。
【0106】
ステップＳ５０２では、テラヘルツ波検出器１２０が、成形品１０を透過または反射したテラヘルツ波の偏光強度を測定する。あるいは、テラヘルツ波検出器１２０から出力された出力信号をコンピュータシステム１３０が分析することにより、テラヘルツ波の偏光強度を導出するようにしてもよい。
【0107】
ステップＳ５０２で測定された偏光強度は、その成形品１０上の位置および光軸周りの向きと関連付けられて、データベース部２００に格納される。あるいは、測定された偏光強度は、その成形品１０上の位置および光軸周りの向きと関連付けられて、コンピュータシステム１３０に送信される。
【0108】
ステップＳ５０３では、テラヘルツ波光源１１０が、成形品１０上の第１の位置に、光軸周りの第２の向きでテラヘルツ波を照射する。例えば、成形品１０が載置されているワーク回転台３００を回転させることによって、光軸周りの向きを変化させた後で、光軸周りの第２の向きで成形品１０にテラヘルツ波を照射することができる。
【0109】
ステップＳ５０４では、テラヘルツ波検出器１２０が、成形品１０を透過または反射したテラヘルツ波の偏光強度を測定する。あるいは、テラヘルツ波検出器１２０から出力された出力信号をコンピュータシステム１３０が分析することにより、テラヘルツ波の偏光強度を導出するようにしてもよい。
【0110】
ステップＳ５０４で測定された偏光強度は、その成形品１０上の位置および光軸周りの向きと関連付けられて、データベース部２００に格納される。あるいは、測定された偏光強度は、その成形品１０上の位置および光軸周りの向きと関連付けられて、コンピュータシステム１３０に送信される。
【0111】
その後、光軸周りの複数の向きの全てでテラヘルツ波の偏光強度が測定されるまで、テラヘルツ波の照射ステップおよびテラヘルツ波の偏光強度の測定ステップが続く。
【0112】
光軸周りの複数の向きの全てでテラヘルツ波の偏光強度が測定されると、ステップＳ５１１に進む。
【0113】
ステップＳ５１１では、テラヘルツ波光源１１０が、成形品１０上の第２の位置に、光軸周りの第１の向きでテラヘルツ波を照射する。例えば、ワーク回転台３００に対する成形品１０の位置および／または向きを変化させることによって、成形品１０上のテラヘルツ波が照射される位置を変化させた後で、第２の位置にテラヘルツ波を照射することができる。
【0114】
ステップＳ５１２では、テラヘルツ波検出器１２０が、成形品１０を透過または反射したテラヘルツ波の偏光強度を測定する。あるいは、テラヘルツ波検出器１２０から出力された出力信号をコンピュータシステム１３０が分析することにより、テラヘルツ波の偏光強度を導出するようにしてもよい。
【0115】
ステップＳ５１２で測定された偏光強度は、その成形品１０上の位置および光軸周りの向きと関連付けられて、データベース部２００に格納される。あるいは、測定された偏光強度は、その成形品１０上の位置および光軸周りの向きと関連付けられて、コンピュータシステム１３０に送信される。
【0116】
ステップＳ５１３では、テラヘルツ波光源１１０が、成形品１０上の第２の位置に、光軸周りの第２の向きでテラヘルツ波を照射する。例えば、成形品１０が載置されているワーク回転台３００を回転させることによって、光軸周りの向きを変化させた後で、光軸周りの第２の向きで成形品１０にテラヘルツ波を照射することができる。
【0117】
ステップＳ５１４では、テラヘルツ波検出器１２０が、成形品１０を透過または反射したテラヘルツ波の偏光強度を測定する。あるいは、テラヘルツ波検出器１２０から出力された出力信号をコンピュータシステム１３０が分析することにより、テラヘルツ波の偏光強度を導出するようにしてもよい。
【0118】
ステップＳ５１４で測定された偏光強度は、その成形品１０上の位置および光軸周りの向きと関連付けられて、データベース部２００に格納される。あるいは、測定された偏光強度は、その成形品１０上の位置および光軸周りの向きと関連付けられて、コンピュータシステム１３０に送信される。
【0119】
その後、光軸周りの複数の向きの全てでテラヘルツ波の偏光強度が測定されるまで、テラヘルツ波の照射ステップおよびテラヘルツ波の偏光強度の測定ステップが続く。
【0120】
光軸周りの複数の向きの全てでテラヘルツ波の偏光強度が測定されると、ステップＳ５１５に進む。
【0121】
ステップＳ５１５では、コンピュータシステム１３０が、複数の位置における偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定する。コンピュータシステム１３０は、複数の位置における偏光強度が所定の関係にある場合に、成形品１０の経時的寸法変化が収束したと予測することができ、複数の位置における偏光強度が所定の関係にない場合に、成形品１０の経時的寸法変化がまだ収束していないと予測することができる。
【0122】
上述した例では、成形品１０上の２つの位置（第１の位置および第２の位置）にテラヘルツ波を照射してテラヘルツ波の偏光強度を測定することを説明したが、ｎ個（ｎは３以上の整数）の位置にテラヘルツ波を照射してテラヘルツ波の偏光強度を測定するようにしてもよい。この場合は、ステップＳ５１５の前に、第ｎの位置において光軸周りの複数の向きのそれぞれについてテラヘルツ波の照射ステップおよびテラヘルツ波の偏光強度の測定ステップが行われる。
【0123】
上述した例では、特定の順序で手順５００が行われることを説明したが、手順５００の各ステップの順序は、説明されたものに限定されない。手順５００の各ステップは、論理的に可能な任意の順序で行われることができる。
【0124】
図６は、成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するためのコンピュータシステムによる処理６００の一例を示す。処理６００は、コンピュータシステム１３０のプロセッサ部１３２において行われる。
【0125】
ステップＳ６０１では、プロセッサ部１３２が、インターフェース部１３１を介して、成形品上の複数の位置に、各位置に対して光軸周りの複数の向きで照射されたテラヘルツ波が成形品を透過または反射したときの偏光強度を取得する。取得される偏光強度は、図５Ａおよび図５Ｂを参照して上述したステップＳ５０１～ステップＳ５１４で取得された偏光強度である。
【0126】
プロセッサ部１３２は、テラヘルツ波検出器１２０からインターフェース部１３１を介して受信された偏光強度を取得することができる。あるいは、プロセッサ部１３２は、データベース部２００からインターフェース部１３１を介して受信された偏光強度を取得することができる。
【0127】
ステップＳ６０２では、プロセッサ部１３２が、ステップＳ６０１で取得された偏光強度に基づいて、複数の位置における偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定する。所定の関係は、過去に行われた成形品に対するテラヘルツ波偏光強度測定の結果と、成形品の寸法計測の結果とから導出される関係であり得る。
【0128】
所定の関係は、例えば、成形品１０上の複数の位置のうちの１つの位置でのテラヘルツ波の偏光強度が、成形品１０上の複数の位置のうちの他の位置でのテラヘルツ波の偏光強度と相関することを含む。相関することは、相関係数が閾値以上であることである。
【0129】
一実施形態において、所定の関係は、例えば、テラヘルツ波が照射される光軸周りの複数の向きのうち、偏光強度が極大となる複数の向きのうちの１つでの、成形品１０上の複数の位置におけるテラヘルツ波の偏光強度が、偏光強度が極大となる複数の向きのうちの他の１つでの、成形品１０上の複数の位置におけるテラヘルツ波の偏光強度と相関することを含む。
【0130】
一実施形態において、所定関係は、例えば、テラヘルツ波が照射される光軸周りの複数の向きのうち、偏光強度が極大となる複数の向きのうちの隣り合う向きのうちの１つでの、成形品１０上の複数の位置におけるテラヘルツ波の偏光強度が、偏光強度が極大となる複数の向きのうちの隣り合う向きのうちの他の１つでの、成形品１０上の複数の位置におけるテラヘルツ波の偏光強度と相関することを含む。
【0131】
プロセッサ部１３２は、成形品１０上の複数の位置におけるテラヘルツ波の偏光強度が所定の関係にあるか否かを判定することにより、成形品の寸法の経時的変化が収束したか否かを予測することが可能である。
【0132】
別の実施形態において、プロセッサ部１３２は、ステップＳ６０２に加えてもしくはステップＳ６０２に代えて、ステップＳ６０３で、ステップＳ６０１で取得された偏光強度に基づいて、成形品１０に加えられている圧縮力または引張力を予測することができる。プロセッサ部１３２は、例えば、データベース部２００に格納されている過去のテラヘルツ波偏光強度測定結果から導出された偏光強度と、成形品に加えられている圧縮力との関係（例えば、校正曲線）に基づいて、成形品１０に加えられている圧縮力または引張力を予測することができる。あるいは、プロセッサ部１３２は、例えば、事前実験によって定義された偏光強度と成形品に加えられている圧縮力との関係（例えば、校正曲線）に基づいて、成形品１０に加えられている圧縮力または引張力を予測することができる。これにより、テラヘルツ波偏光強度測定を行うことで成形品１０に加えられている圧縮力または引張力を予測することができるので、テラヘルツ波の利用用途の幅が広がる。
【0133】
別の実施形態において、プロセッサ部１３２は、ステップＳ６０２に加えてもしくはステップＳ６０２に代えて、または、ステップＳ６０３に加えてもしくはステップＳ６０３に代えて、ステップＳ６０１で取得された偏光強度に基づいて、成形品１０に混合されている混合物の割合を予測することができる。混合物は、例えば、炭素Ｃである。プロセッサ部１３２は、例えば、データベース部２００に格納されている過去のテラヘルツ波偏光強度測定結果から導出された偏光強度と、成形品に混合されている混合物の割合との関係（例えば、校正曲線）に基づいて、成形品１０に混合されている混合物の割合を予測することができる。あるいは、プロセッサ部１３２は、例えば、事前実験によって定義された偏光強度と成形品に混合されている混合物との関係（例えば、較正曲線）に基づいて、成形品１０に混合されている混合物の割合を予測することができる。これにより、テラヘルツ波偏光強度測定を行うことで成形品１０に混合されている混合物の割合を予測することができるので、テラヘルツ波の利用用途の幅が広がる。
【0134】
図６を参照して上述した例では、図６に示される各ステップの処理は、プロセッサ部１３２とメモリ部１３３に格納されたプログラムとによって実現することが説明されたが、本発明はこれに限定されない。図６に示される各ステップの処理のうちの少なくとも１つは、制御回路などのハードウェア構成によって実現されてもよい。
【実施例0135】
（中空略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験１）
中空略円形ＰＴＦＥに対して、テラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
中空略円形ＰＴＦＥに対して、テラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
【0136】
中空略円形ＰＴＦＥは、外径２０．４ｍｍ、内径６．４ｍｍ、厚さ３．０ｍｍの寸法を有する。ＰＴＦＥは、焼成切削後１日目のものを使用した。テラヘルツ波光源として、T-Ray(R) 5000 HTS4002 Transmitter（Advanced Photonix, Inc.製）を使用し、テラヘルツ波検出器として、T-Ray(R) 5000 HRS4001（Advanced Photonix, Inc.製）を使用した。
【0137】
中空略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に載置し、ワーク回転台の中心にくる中空略円形ＰＴＦＥ上の１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した。
【0138】
次いで、ワーク回転台を１５度刻みで回転させ、それぞれの場合で、１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した。
【0139】
次いで、中空略円形ＰＴＦＥを中空略円形ＰＴＦＥ中心まわりに３０度回転させ、ワーク回転台の中心にくる中空略円形ＰＴＦＥ上の１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した（ステップ（ａ））。
【0140】
次いで、ワーク回転台を１５度刻みで回転させ、それぞれの場合で、１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した（ステップ（ｂ））。
【0141】
上記ステップ（ａ）およびステップ（ｂ）を中空略円形ＰＴＦＥを中空略円形ＰＴＦＥ中心まわりに３６０度回転するまで繰り返した。
【0142】
このときの結果を図７に示す。図７は、ワーク回転台を１５度刻みで回転させて測定したときのテラヘルツ波の偏光強度を示すレーダーチャートである。円周方向がワーク回転台の角度を示し、半径方向がテラヘルツ波の偏光強度を示す。（ａ）が中空略円形ＰＴＦＥのワーク回転台に対する基準位置での測定結果であり、（ｂ）は、中空略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から３０度回転させた位置での測定結果であり、（ｃ）は、中空略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から６０度回転させた位置での測定結果であり、（ｄ）は、中空略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から９０度回転させた位置での測定結果であり、（ｅ）は、中空略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から１２０度回転させた位置での測定結果であり、（ｆ）は、中空略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から１５０度回転させた位置での測定結果であり、（ｇ）は、中空略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から１８０度回転させた位置での測定結果であり、（ｈ）は、中空略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から２１０度回転させた位置での測定結果であり、（ｉ）は、中空略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から２４０度回転させた位置での測定結果であり、（ｊ）は、中空略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から２７０度回転させた位置での測定結果であり、（ｋ）は、中空略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から３００度回転させた位置での測定結果であり、（ｌ）は、中空略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から３３０度回転させた位置での測定結果である。
【0143】
（ａ）～（ｌ）から見て取れるように、各位置において、約０度、約９０度、約１８０度、約２７０度（すなわち、外径方向および内径方向、ならびにそれらに直交する方向）でテラヘルツ波の偏光強度がピーク（極大値）を取っている。
【0144】
上記実験から、中空略円形の樹脂成形品１０の場合には外径方向を基準として約９０度毎にテラヘルツ波の偏光強度のピーク（極大値）が現れることが理解される。
【0145】
（中空略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験２）
中空略円形ＰＴＦＥに対して、テラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
中空略円形ＰＴＦＥに対して、テラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
【0146】
中空略円形ＰＴＦＥは、外径２０．４ｍｍ、内径６．４ｍｍ、厚さ３．０ｍｍの寸法を有する。ＰＴＦＥは、焼成切削後１日目のもの、焼成切削後２０日目のもの、焼成切削後５０日目のものを使用した。テラヘルツ波光源として、T-Ray(R) 5000 HTS4002 Transmitter（Advanced Photonix, Inc.製）を使用し、テラヘルツ波検出器として、T-Ray(R) 5000 HRS4001（Advanced Photonix, Inc.製）を使用した。
【0147】
中空略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に載置し、ワーク回転台の中心にくる中空略円形ＰＴＦＥ上の１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した。
【0148】
次いで、ワーク回転台を９０度刻みで回転させ、それぞれの場合で、１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した。
【0149】
次いで、中空略円形ＰＴＦＥを中空略円形ＰＴＦＥ中心まわりに９０度回転させ、ワーク回転台の中心にくる中空略円形ＰＴＦＥ上の１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した（ステップ（ａ））。
【0150】
次いで、ワーク回転台を９０度刻みで回転させ、それぞれの場合で、１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した（ステップ（ｂ））。
【0151】
上記ステップ（ａ）およびステップ（ｂ）を中空略円形ＰＴＦＥを中空略円形ＰＴＦＥ中心まわりに３６０度回転するまで繰り返した。
【0152】
このときの結果を表５～表７、図８Ａ～図８Ｃに示す。表５は、焼成切削後１日目のものについて、４つの位置のそれぞれで、ワーク回転台を９０度刻みで回転させて測定したときのテラヘルツ波の偏光強度を示し、図８Ａは、これをレーダーチャート化したものである。表６は、焼成切削後２０日目のものについて、４つの位置のそれぞれで、ワーク回転台を９０度刻みで回転させて測定したときのテラヘルツ波の偏光強度を示し、図８Ｂは、これをレーダーチャート化したものである。表７は、焼成切削後５０日目のものについて、４つの位置のそれぞれで、ワーク回転台を９０度刻みで回転させて測定したときのテラヘルツ波の偏光強度を示し、図８Ｃは、これをレーダーチャート化したものである。図８Ａ～図８Ｃにおいて、円周方向がワーク回転台の角度を示し、半径方向がテラヘルツ波の偏光強度を示す。
【0153】
【表5】
【0154】
【表6】
【0155】
【表7】
【0156】
【0157】
また、テラヘルツ波の偏光強度の隣り合う角度での相関係数の平均値は、焼成切削後１日目のものでは、０．８３９５であり、焼成切削後２０日目のものでは、０．４３１８であり、焼成切削後５０日目のものでは、０．９５１４であった。
【0158】
（中空略円形ＰＴＦＥに対する寸法計測実験）
上記中空略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験２で使用した中空略円形ＰＴＦＥについて寸法計測実験を行った。
上記中空略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験２で使用した中空略円形ＰＴＦＥについて寸法計測実験を行った。
【0159】
寸法計測は、外径２０．４ｍｍで焼成切削された中空略円形ＰＴＦＥの外径を４か所（或る外径を基準として、４５度刻みの計４か所）で計測した。寸法計測は、ミツトヨ社製ディジマチックID-H0530を使用して行った。
【0160】
このときの結果を図９に示す。縦軸が外径寸法（ｍｍ）を示し、横軸が時間を示す。外径寸法は、焼成切削後に収縮する方向に変形し、或る時期を過ぎると、特定の値に収束する傾向が見て取れる。実験では、焼成切削後５０日後に各測定箇所の測定値は外径２０．３９５ｍｍ付近となり、図示しないが、その後の測定においても各測定箇所の測定値の変化の幅は約０．０１μｍ以下となった。したがって、焼成切削後５０日後に経時的変化が収束したことが分かる。
【0161】
このように、中空略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験２と、寸法計測実験との結果から、テラヘルツ波の偏光強度の隣り合う角度での相関係数の平均値が所定の閾値（例えば、０．９０）を超える場合に、寸法の経時的変化が収束していることが分かる。
【0162】
（中実略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験１）
中実略円形ＰＴＦＥに対して、テラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
中実略円形ＰＴＦＥに対して、テラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
【0163】
中実略円形ＰＴＦＥは、外径２０．４ｍｍ、厚さ３．０ｍｍの寸法を有する。ＰＴＦＥは、焼成切削後２０日目のものを使用した。テラヘルツ波光源として、T-Ray(R) 5000 HTS4002 Transmitter（Advanced Photonix, Inc.製）を使用し、テラヘルツ波検出器として、T-Ray(R) 5000 HRS4001（Advanced Photonix, Inc.製）を使用した。
【0164】
中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に載置し、ワーク回転台の中心にくる中実略円形ＰＴＦＥ上の１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した。
【0165】
次いで、ワーク回転台を１５度刻みで回転させ、それぞれの場合で、１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した。
【0166】
次いで、中実略円形ＰＴＦＥを中実略円形ＰＴＦＥ中心まわりに３０度回転させ、ワーク回転台の中心にくる中実略円形ＰＴＦＥ上の１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した（ステップ（ａ））。
【0167】
次いで、ワーク回転台を３０度刻みで回転させ、それぞれの場合で、１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した（ステップ（ｂ））。
【0168】
上記ステップ（ａ）およびステップ（ｂ）を中実略円形ＰＴＦＥを中実略円形ＰＴＦＥ中心まわりに３６０度回転するまで繰り返した。
【0169】
このときの結果を図１０に示す。図１０は、ワーク回転台を３０度刻みで回転させて測定したときのテラヘルツ波の偏光強度を示すレーダーチャートである。円周方向がワーク回転台の角度を示し、半径方向がテラヘルツ波の偏光強度を示す。（ａ）が中実略円形ＰＴＦＥのワーク回転台に対する基準位置での測定結果であり、（ｂ）は、中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から３０度回転させた位置での測定結果であり、（ｃ）は、中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から６０度回転させた位置での測定結果であり、（ｄ）は、中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から９０度回転させた位置での測定結果であり、（ｅ）は、中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から１２０度回転させた位置での測定結果であり、（ｆ）は、中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から１５０度回転させた位置での測定結果であり、（ｇ）は、中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から１８０度回転させた位置での測定結果であり、（ｈ）は、中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から２１０度回転させた位置での測定結果であり、（ｉ）は、中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から２４０度回転させた位置での測定結果であり、（ｊ）は、中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から２７０度回転させた位置での測定結果であり、（ｋ）は、中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から３００度回転させた位置での測定結果であり、（ｌ）は、中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に対して基準位置から３３０度回転させた位置での測定結果である。
【0170】
（ａ）～（ｌ）から見て取れるように、各位置において、約０度、約９０度、約１８０度、約２７０度（すなわち、外径方向および内径方向、ならびにそれらに直交する方向）でテラヘルツ波の偏光強度がピーク（極大値）を取っている。
【0171】
上記実験から、中実略円形の樹脂成形品１０の場合には外径方向を基準として約９０度毎にテラヘルツ波の偏光強度のピーク（極大値）が現れることが理解される。
【0172】
（中実略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験２）
中実略円形ＰＴＦＥに対して、テラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
中実略円形ＰＴＦＥに対して、テラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
【0173】
中実略円形ＰＴＦＥは、外径２０．４ｍｍ、厚さ３．０ｍｍの寸法を有する。ＰＴＦＥは、焼成切削後２０日目のもの、焼成切削後４０日目のものを使用した。テラヘルツ波光源として、T-Ray(R) 5000 HTS4002 Transmitter（Advanced Photonix, Inc.製）を使用し、テラヘルツ波検出器として、T-Ray(R) 5000 HRS4001（Advanced Photonix, Inc.製）を使用した。
【0174】
中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に載置し、ワーク回転台の中心にくる中実略円形ＰＴＦＥ上の１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した。
【0175】
次いで、ワーク回転台を９０度刻みで回転させ、それぞれの場合で、１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した。
【0176】
次いで、中実略円形ＰＴＦＥを中実略円形ＰＴＦＥ中心まわりに９０度回転させ、ワーク回転台の中心にくる中実略円形ＰＴＦＥ上の１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した（ステップ（ａ））。
【0177】
次いで、ワーク回転台を９０度刻みで回転させ、それぞれの場合で、１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した（ステップ（ｂ））。
【0178】
上記ステップ（ａ）およびステップ（ｂ）を中実略円形ＰＴＦＥを中実略円形ＰＴＦＥ中心まわりに３６０度回転するまで繰り返した。
【0179】
このときの結果を表８～表９、図１１Ａ～図１１Ｂに示す。表８は、焼成切削後２０日目のものについて、４つの位置のそれぞれで、ワーク回転台を９０度刻みで回転させて測定したときのテラヘルツ波の偏光強度を示し、図１１Ａは、これをレーダーチャート化したものである。表９は、焼成切削後４０日目のものについて、４つの位置のそれぞれで、ワーク回転台を９０度刻みで回転させて測定したときのテラヘルツ波の偏光強度を示し、図１１Ｂは、これをレーダーチャート化したものである。図１１Ａ～図１１Ｂにおいて、円周方向がワーク回転台の角度を示し、半径方向がテラヘルツ波の偏光強度を示す。
【0180】
【表8】
【0181】
【表9】
【0182】
図１１Ａでは、４つの位置のそれぞれのレーダーチャートの形状が図１１Ｂに比べて不ぞろいの形状をしている一方で、図１１Ｂでは、４つの位置のそれぞれのレーダーチャートの形状が図１１Ａに比べて相似形を有していた。
【0183】
また、テラヘルツ波の偏光強度の隣り合う角度での相関係数の平均値は、焼成切削後２０日目のものでは、０．９７２２であり、焼成切削後４０日目のものでは、０．９９３６であった。
【0184】
（中実略円形ＰＴＦＥに対する寸法計測実験）
上記中実略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験２で使用した中実略円形ＰＴＦＥについて寸法計測実験を行った。
上記中実略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験２で使用した中実略円形ＰＴＦＥについて寸法計測実験を行った。
【0185】
寸法計測は、外径２０．４ｍｍで焼成切削された中実略円形ＰＴＦＥの外径を４か所（或る外径を基準として、４５度刻みの計４か所）で計測した。寸法計測は、ミツトヨ社製ディジマチックID-H0530を使用して行った。
【0186】
このときの結果を図１２に示す。縦軸が外径寸法（ｍｍ）を示し、横軸が時間を示す。外径寸法は、焼成切削後に収縮する方向に変形し、或る時期を過ぎると、特定の値に収束する傾向が見て取れる。実験では、焼成切削後３５日後に各測定箇所の測定値は外径２０．２６０ｍｍ付近となり、その後の測定においても各測定箇所の測定値の変化の幅は約１μｍ以下となった。したがって、遅くとも焼成切削後３５日後に経時的変化が収束したことが分かる。
【0187】
このように、中実略円形ＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験２と、寸法計測実験との結果から、テラヘルツ波の偏光強度の隣り合う角度での相関係数の平均値が所定の閾値（例えば、０．９８）を超える場合に、寸法の経時的変化が収束していることが分かる。
【0188】
（圧縮力を加えたＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験）
中実略円形ＰＴＦＥに対して圧縮力を加えた状態で、テラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
中実略円形ＰＴＦＥに対して圧縮力を加えた状態で、テラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
【0189】
中実略円形ＰＴＦＥは、外径２０．４ｍｍの寸法を有する。テラヘルツ波光源として、T-Ray(R) 5000 HTS4002 Transmitter（Advanced Photonix, Inc.製）を使用し、テラヘルツ波検出器として、T-Ray(R) 5000 HRS4001（Advanced Photonix, Inc.製）を使用した。
【0190】
プレスクランプを使用して中実略円形ＰＴＦＥに圧縮力を加えた。クランプで挟んだだけの状態（圧縮なし）、クランプの圧縮ネジを１回転させて圧縮力（圧縮力１）を加えた状態、クランプの圧縮ネジを２回転させて圧縮力（圧縮力２）を加えた状態のそれぞれについてテラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
【0191】
中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に載置し、ワーク回転台の中心にくる中空略円形ＰＴＦＥ上の１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した。
【0192】
このときの結果を図１３に示す。縦軸がテラヘルツ波偏光強度を示し、横軸が圧縮力を示す。
【0193】
図１３から、テラヘルツ波の偏光強度と、圧縮力との間には略線形の関係があることがわかる。
【0194】
（炭素Ｃを混合したＰＴＦＥに対するテラヘルツ波偏光強度測定実験）
炭素Ｃを混合した中実略円形ＰＴＦＥに対してテラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
炭素Ｃを混合した中実略円形ＰＴＦＥに対してテラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
【0195】
中実略円形ＰＴＦＥは、外径２０．４ｍｍの寸法を有する。テラヘルツ波光源として、T-Ray(R) 5000 HTS4002 Transmitter（Advanced Photonix, Inc.製）を使用し、テラヘルツ波検出器として、T-Ray(R) 5000 HRS4001（Advanced Photonix, Inc.製）を使用した。
【0196】
炭素Ｃを混合しないＰＴＦＥ、炭素Ｃを１％混合したＰＴＦＥ、炭素Ｃを２％混合したＰＴＦＥのそれぞれについてテラヘルツ波偏光強度測定実験を行った。
【0197】
中実略円形ＰＴＦＥをワーク回転台に載置し、ワーク回転台の中心にくる中空略円形ＰＴＦＥ上の１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した。
【0198】
次いで、ワーク回転台を３０度刻みで回転させ、それぞれの場合で、１点にテラヘルツ波を照射し、透過したテラヘルツ波の偏光強度を測定した。
【0199】
このときの結果を図１４に示す。図１４（ａ）において縦軸がテラヘルツ波偏光強度を示し、横軸がワーク回転台の回転角度を示し、最上のグラフが炭素を混合しないＰＴＦＥの結果であり、中央のグラフが炭素を１％混合したＰＴＦＥの結果であり、最下のグラフが炭素を２％混合したＰＴＦＥの結果である。図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の各グラフを平均化して得られた校正曲線である。縦軸がテラヘルツ波偏光強度を示し、横軸が炭素の混合率を示す。
【0200】
図１４（ｂ）から、テラヘルツ波の偏光強度と、炭素の混合率との間には略線形の関係があることがわかる。
【0201】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【0202】
本発明は、成形品の寸法の経時的変化が収束したことを予測するための方法等を提供することができるという点で有用である。
【符号の説明】
【0203】
１１ テラヘルツ波
１２ 高分子結晶
１００ システム
１１０ テラヘルツ波光源
１２０ テラヘルツ波検出器
１３０ コンピュータシステム
２００ データベース部
３００ ワーク回転台
１２ 高分子結晶
１００ システム
１１０ テラヘルツ波光源
１２０ テラヘルツ波検出器
１３０ コンピュータシステム
２００ データベース部
３００ ワーク回転台
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図3G】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図12】
【図13】
【図14】