特開 2022-99099 非接触式通信媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022099099

(43)【公開日】2022-07-04

(54)【発明の名称】非接触式通信媒体

(51)【国際特許分類】

   G06K 19/077 20060101AFI20220627BHJP

   G06K 19/07 20060101ALI20220627BHJP

   G11B 23/30 20060101ALI20220627BHJP

   H01Q 7/00 20060101ALI20220627BHJP

【ＦＩ】

G06K19/077 276

G06K19/077 144

G06K19/07 090

G11B23/30 E

H01Q7/00

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020212861

(22)【出願日】2020-12-22

(71)【出願人】

【識別番号】306037311

【氏名又は名称】富士フイルム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】特許業務法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】片岡 英一郎

(57)【要約】

【課題】アンテナコイルが形成された第１層と、補助アンテナコイルが形成された第２層とが両方とも基板上に露出している場合に比べ、アンテナコイル及び補助アンテナコイルのうちの少なくとも一方の耐久性を高めることができる非接触式通信媒体を提供する。
【解決手段】非接触式通信媒体は、基板に形成されており、外部から与えられた磁界が作用することで電力を誘起するアンテナコイルと、アンテナコイルによって誘起された電力を利用して動作する処理回路とを備える。基板は、厚さ方向において複数の層を有している。アンテナコイルは、複数の層のうちの第１層でループ状に巻回されている。アンテナコイルの一端及び他端は、複数の層のうちの第１層とは異なる第２層でループ状に巻回された補助アンテナコイルを介して電気的に接続されている。第１層及び第２層のうちの少なくとも一方は、基板に埋設されている。
【選択図】図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板に形成されており、外部から与えられた磁界が作用することで電力を誘起するアンテナコイルと、
前記アンテナコイルによって誘起された電力を利用して動作する処理回路と、を備える非接触式通信媒体であって、
前記基板は、厚さ方向において複数の層を有しており、
前記アンテナコイルは、前記複数の層のうちの第１層でループ状に巻回されており、
前記アンテナコイルの一端及び他端は、前記複数の層のうちの前記第１層とは異なる第２層でループ状に巻回された補助アンテナコイルを介して電気的に接続されており、
前記第１層及び前記第２層のうちの少なくとも一方は、前記基板に埋設されている
非接触式通信媒体。

【請求項2】

前記一端及び前記他端は、スルーホールを介して前記第２層で電気的に接続されている請求項１に記載の非接触式通信媒体。

【請求項3】

前記第１層と前記第２層との両方が、前記基板に埋設されている請求項１又は請求項２に記載の非接触式通信媒体。

【請求項4】

前記基板の厚さ方向中央から前記第１層までの距離を示す第１距離と、前記基板の厚さ方向中央から前記第２層までの距離を示す第２距離とが等しい請求項３に記載の非接触式通信媒体。

【請求項5】

前記第１層に形成された前記アンテナコイルと、前記第２層に形成された前記補助アンテナコイルとは、前記基板の厚さ方向において千鳥状に配置されている請求項１から請求項４の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。

【請求項6】

前記処理回路は、ＩＣチップに形成されており、
前記ＩＣチップは、前記第１層に実装され、前記第１層に形成された前記アンテナコイルの途中に挿入されている請求項１から請求項５の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。

【請求項7】

前記第１層は、前記基板に埋設されている請求項６に記載の非接触式通信媒体。

【請求項8】

前記基板の表面又は裏面は、前記第１層に実装された前記ＩＣチップを露出する露出口を有する請求項７に記載の非接触式通信媒体。

【請求項9】

前記基板の表面又は裏面は、前記第１層に実装された前記ＩＣチップの位置に対応する位置に形成された開口を有し、
前記開口が封止材で封止されている請求項７に記載の非接触式通信媒体。

【請求項10】

前記開口の大きさは、前記非接触式通信媒体に対して適用されるグローブトップの管理規格に従って定められている請求項９に記載の非接触式通信媒体。

【請求項11】

前記処理回路は、ＩＣチップに形成されており、
前記ＩＣチップは、前記複数の層のうちの前記第１層及び前記第２層とは異なる第３層に実装されている請求項１から請求項５の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。

【請求項12】

前記第３層は、前記基板の表面又は裏面である請求項１１に記載の非接触式通信媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の技術は、非接触式通信媒体に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、外部の送受信装置と無線通信を行うためのアンテナコイルを備えたカード本体に搭載される半導体装置が開示されている。特許文献１に記載の半導体装置は、配線基板、第１接続端子、第２接続端子、半導体チップ、第３接続端子、第４接続端子、及びコンデンサを有する。配線基板は、主面及び主面とは反対側にある裏面とを有する。第１接続端子は、配線基板の主面に設けられ、アンテナコイルの一端と第１導電性材料を介して電気的に接続される。第２接続端子は、配線基板の主面に設けられ、アンテナコイルの他端と第１導電性材料を介して電気的に接続される。半導体チップは、配線基板の主面に搭載され、さらに第１接続端子と第２接続端子とに電気的に接続され、データの処理を行う。第３接続端子は、配線基板の主面に設けられ、第１接続端子と配線基板の配線により電気的に接続されている。第４接続端子は、配線基板の主面に設けられ、第２接続端子と配線により電気的に接続されている。コンデンサは、第３接続端子にその一端を、第４接続端子にその他端を、第２導電性材料を介して電気的に接続されることにより共振回路を形成する。特許文献３に記載の半導体装置において、第１接続端子及び第２接続端子は、それぞれ半導体チップの異なる辺側に配置されている。

【0003】

特許文献２には、基板内部にデータ受送信用のアンテナコイルが配置され、かつ、基板表面にデータ受送信用の端子をもつＩＣチップ内蔵のＣＯＢを有する接触式、非接触式兼用の複合型ＩＣカードが開示されている。特許文献２に記載のＩＣカードでは、基板内部に、少なくとも１つ以上のうねり部分を有する金属板が配置され、金属板にアンテナコイルの端子、及びＣＯＢの接続端子が接続されている。

【0004】

特許文献３には、ＩＣチップと、接続端子基板と、回路パターンとを少なくとも備えるＩＣカードが開示されている。ＩＣチップは、接触式通信機能と、非接触式通信機能との両方を有する。接続端子基板は、複数の区画を有する外部接続端子と、ＲＦ接続端子とを含む。回路パターンは、アンテナコイルと、アンテナコイル接続端子とを含む。ＲＦ接続端子とアンテナコイル接続端子とが、導電性物質を少なくとも含む接合材を介して接続している。特許文献１に記載のＩＣカードにおいて、接続端子基板は、その接触式通信に使用しない区画において、接続端子機材に孔を有し、孔を介して、外部接続用端子と、アンテナ接続用端子とが、金属で接続されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００９－０８０８４３号公報

【特許文献2】特開２００４－３１８６５７号公報

【特許文献3】特開２０１５－１１４７５４号公報

【発明の概要】

【0006】

本開示の技術に係る一つの実施形態は、アンテナコイルが形成された第１層と、補助アンテナコイルが形成された第２層とが両方とも基板上に露出している場合に比べ、アンテナコイル及び補助アンテナコイルのうちの少なくとも一方の耐久性を高めることができる非接触式通信媒体を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の技術に係る第１の態様は、基板に形成されており、外部から与えられた磁界が作用することで電力を誘起するアンテナコイルと、アンテナコイルによって誘起された電力を利用して動作する処理回路と、を備える非接触式通信媒体であって、基板が、厚さ方向において複数の層を有しており、アンテナコイルが、複数の層のうちの第１層でループ状に巻回されており、アンテナコイルの一端及び他端が、複数の層のうちの第１層とは異なる第２層でループ状に巻回された補助アンテナコイルを介して電気的に接続されており、第１層及び第２層のうちの少なくとも一方が、基板に埋設されている非接触式通信媒体である。

【0008】

本開示の技術に係る第２の態様は、一端及び他端が、スルーホールを介して第２層で電気的に接続されている第１の態様に係る非接触式通信媒体である。

【0009】

本開示の技術に係る第３の態様は、第１層と第２層との両方が、基板に埋設されている第１の態様又は第２の態様に係る非接触式通信媒体である。

【0010】

本開示の技術に係る第４の態様は、基板の厚さ方向中央から第１層までの距離を示す第１距離と、基板の厚さ方向中央から第２層までの距離を示す第２距離とが等しい第３の態様に係る非接触式通信媒体である。

【0011】

本開示の技術に係る第５の態様は、第１層に形成されたアンテナコイルと、第２層に形成された補助アンテナコイルとが、基板の厚さ方向において千鳥状に配置されている第１の態様から第４の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

【0012】

本開示の技術に係る第６の態様は、処理回路が、ＩＣチップに形成されており、ＩＣチップが、第１層に実装され、第１層に形成されたアンテナコイルの途中に挿入されている第１の態様から第５の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

【0013】

本開示の技術に係る第７の態様は、第１層が、基板に埋設されている第６の態様に係る非接触式通信媒体である。

【0014】

本開示の技術に係る第８の態様は、基板の表面又は裏面が、第１層に実装されたＩＣチップを露出する露出口を有する第７の態様に係る非接触式通信媒体である。

【0015】

本開示の技術に係る第９の態様は、基板の表面又は裏面が、第１層に実装されたＩＣチップの位置に対応する位置に形成された開口を有し、開口が封止材で封止されている第７の態様に係る非接触式通信媒体である。

【0016】

本開示の技術に係る第１０の態様は、開口の大きさが、非接触式通信媒体に対して適用されるグローブトップの管理規格に従って定められている第９の態様に係る非接触式通信媒体である。

【0017】

本開示の技術に係る第１１の態様は、処理回路が、ＩＣチップに形成されており、ＩＣチップが、複数の層のうちの第１層及び第２層とは異なる第３層に実装されている第１の態様から第５の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

【0018】

本開示の技術に係る第１２の態様は、第３層が、基板の表面又は裏面である第１１の態様に係る非接触式通信媒体である。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】実施形態に係る磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。

【図2】実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内側の右後端部の構造の一例を示す概略斜視図である。

【図3】実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内面に設けられた支持部材の一例を示す側面視断面図である。

【図4】実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。

【図5】実施形態に係る磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。

【図6】実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに対して非接触式読み書き装置から磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。

【図7】実施形態に係るカートリッジメモリの構造の一例を示す分解図である。

【図8】図７に示すカートリッジメモリの線Ａ－Ａにおける概略断面図である。

【図9】実施形態に係るカートリッジメモリの回路構成の一例を示す概略回路図である。

【図10】カートリッジメモリの変形例を示す概略断面図である。

【図11】カートリッジメモリの構造の変形例を示す分解図である。

【図12】カートリッジメモリの構造の別の変形例を示す分解図である。

【図13】磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの傾斜角度の変形例を示す概念図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

【0021】

ＣＰＵとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Random Access Memory”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Non-Volatile Memory”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Read Only Memory”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Solid State Drive”の略称を指す。ＵＳＢとは、“Universal Serial Bus”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Programmable Logic Device”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Field-Programmable Gate Array”の略称を指す。ＳｏＣとは、“System-on-a-Chip”の略称を指す。ＩＣとは、“Integrated Circuit”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Radio Frequency Identifier”の略称を指す。ＬＴＯとは、“Linear Tape-Open”の略称を指す。ＣＯＢとは、“Chip On Board”の略称を指す。ＲＦとは、“Radio Frequency”の略称を指す。

【0022】

以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の磁気テープドライブ３０（図４参照）への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１０の前方向とし、磁気テープカートリッジ１０の前方向の側を磁気テープカートリッジ１０の前側とする。以下の構造上の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１０の前側を指す。

【0023】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１０の右方向の側を磁気テープカートリッジ１０の右側とする。以下の構造上の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１０の右側を指す

【0024】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１０の上方向とし、磁気テープカートリッジ１０の上方向の側を磁気テープカートリッジ１０の上側とする。以下の説明において、以下の構造上の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１０の上側を指す。

【0025】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の後方向とし、磁気テープカートリッジ１０の後方向の側を、磁気テープカートリッジ１０の後側とする。以下の構造上の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１０の後側を指す。

【0026】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の下方向とし、磁気テープカートリッジ１０の下方向の側を磁気テープカートリッジ１０の下側とする。以下の構造上の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１０の下側を指す。

【0027】

また、以下の説明では、磁気テープカートリッジ１０の仕様としてＬＴＯを例に挙げて説明する。また、以下の説明では、本開示の技術に係るＬＴＯに対して、下記の表１に示す仕様が適用されていることを前提として説明するが、これはあくまでも一例に過ぎず、ＩＢＭ３５９２の磁気テープカートリッジの仕様に準じていてもよい。

【0028】

【表1】

【0029】

表１において、「ＲＥＱＡ～ＳＥＬＣＥＴ系」とは、後述のポーリングコマンドを意味する。「ＲＥＱＡ～ＳＥＬＣＥＴ系」には、少なくとも“Request A”というコマンド、“Request SN”というコマンド、及び“Select”というコマンドが含まれている。“Request A”は、カートリッジメモリに対して、如何なるタイプのカートリッジメモリであるかを問い合わせるコマンドである。本実施形態において“Request A”は、１種類であるが、これに限らず、複数種類であってもよい。“Request SN”は、カートリッジメモリに対して、シリアルナンバーを問い合わせるコマンドである。“Select”は、カートリッジメモリに対して読み書きの準備を予告するコマンドである。ＲＥＡＤ系は、後述の読出コマンドに相当するコマンドである。ＷＲＩＴＥ系は、後述の書込コマンドに相当するコマンドである。

【0030】

一例として図１に示すように、磁気テープカートリッジ１０は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１２を備えている。ケース１２は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１４及び下ケース１６を備えている。上ケース１４及び下ケース１６は、上ケース１４の下周縁面と下ケース１６の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。

【0031】

ケース１２の内部には、カートリッジリール１８が回転可能に収容されている。カートリッジリール１８は、リールハブ１８Ａ、上フランジ１８Ｂ１、及び下フランジ１８Ｂ２を備えている。リールハブ１８Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ１８Ａは、カートリッジリール１８の軸心部であり、軸心方向がケース１２の上下方向に沿っており、ケース１２の中央部に配置されている。上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ１８Ａの上端部には上フランジ１８Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ１８Ａの下端部には下フランジ１８Ｂ２の平面視中央部が固定されている。リールハブ１８Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２によって保持されている。なお、リールハブ１８Ａ及び下フランジ１８Ｂ２は一体として成型されていてもよい。

【0032】

ケース１２の右壁１２Ａの前側には、開口１２Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１２Ｂから引き出される。

【0033】

一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部には、カートリッジメモリ１９が収容されている。カートリッジメモリ１９は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ１９として採用されている。

【0034】

カートリッジメモリ１９には、管理情報が記憶されている。管理情報は、磁気テープカートリッジ１０を管理する情報である。管理情報としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０を特定可能な識別情報、磁気テープＭＴの記録容量、磁気テープＭＴに記録されている情報（以下、「記録情報」とも称する）の概要、記録情報の項目、及び記録情報の記録形式等を示す情報が挙げられる。

【0035】

カートリッジメモリ１９は、非接触式で外部装置（図示省略）と通信を行う。外部装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０の生産工程で使用される読み書き装置、及び、磁気テープドライブ（例えば、図４に示す磁気テープドライブ３０）内で使用される読み書き装置（例えば、図４～図６に示す非接触式読み書き装置５０）が挙げられる。

【0036】

外部装置は、カートリッジメモリ１９に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ１９は、外部装置から与えられた磁界に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ１９は、生成した電力を用いて作動し、磁界を介して外部装置と通信を行うことで外部装置との間で各種情報の授受を行う。なお、通信方式は、例えば、ＩＳＯ１４４４３又はＩＳＯ１８０９２等の公知の規格に準じる方式であってもよいし、ＥＣＭＡ３１９のＬＴＯ仕様に準じる方式等であってもよい。

【0037】

一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部の底板１６Ａの内面には、支持部材２０が設けられている。支持部材２０は、カートリッジメモリ１９を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂである。第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂは、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース１６の後壁１６Ｂの内面及び底板１６Ａの内面に一体化されている。第１傾斜台２０Ａは、傾斜面２０Ａ１を有しており、傾斜面２０Ａ１は、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。また、傾斜面２０Ｂ１も、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。

【0038】

支持部材２０の前方側には、一対の位置規制リブ２２が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ２２は、底板１６Ａの内面に立設されており、支持部材２０に配置された状態のカートリッジメモリ１９の下端部の位置を規制する。

【0039】

一例として図３に示すように、底板１６Ａの外面には基準面１６Ａ１が形成されている。基準面１６Ａ１は、平面である。ここで、平面とは、底板１６Ａを下側にして下ケース１６を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。支持部材２０の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び傾斜面２０Ｂ１の傾斜角は、基準面１６Ａ１に対して４５度である。なお、４５度は、あくまでも一例に過ぎず、“０度＜傾斜角度θ＜４５度”であってもよいし、４５度以上であってもよい。

【0040】

カートリッジメモリ１９は、基板２６を備えている。基板２６は、本開示の技術に係る「基板」の一例である。基板２６は、略矩形の平板状をしており、厚さ方向に２つの面、すなわち、表面２６Ａと裏面２６Ｂとを有する。基板２６は、基板２６の裏面２６Ｂを下側に向けて支持部材２０上に置かれ、支持部材２０は、基板２６の裏面２６Ｂを下方から支持する。基板２６の裏面２６Ｂの一部は、支持部材２０の傾斜面、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１に接触しており、基板２６の表面２６Ａは、天板１４Ａの内面１４Ａ１側に露出している。

【0041】

上ケース１４は、複数のリブ２４を備えている。複数のリブ２４は、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されている。複数のリブ２４は、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１から下側に突設されており、各リブ２４の先端面２４Ａは、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１に対応した傾斜面を有する。すなわち、各リブ２４の先端面２４Ａは、基準面１６Ａ１に対して４５度に傾斜している。

【0042】

カートリッジメモリ１９が支持部材２０に配置された状態で、上述したように上ケース１４が下ケース１６に接合されると、各リブ２４の先端面２４Ａは、基板２６に対して表面２６Ａ側から接触し、基板２６は、各リブ２４の先端面２４Ａと支持部材２０の傾斜面とで挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ１９の上下方向の位置がリブ２４によって規制される。

【0043】

一例として図４に示すように、磁気テープドライブ３０は、搬送装置３４、読取ヘッド３６、及び制御装置３８を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープドライブ３０は、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴが引き出され、引き出された磁気テープＭＴから読取ヘッド３６を用いて記録情報をリニアサーペンタイン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、記録情報の読み取りとは、換言すると、記録情報の再生を指す。

【0044】

制御装置３８は、磁気テープドライブ３０の全体を制御する。本実施形態において、制御装置３８は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３８は、ＦＰＧＡによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＩＳＣ、ＦＰＧＡ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３８は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。

【0045】

搬送装置３４は、磁気テープＭＴを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ４０、巻取リール４２、巻取モータ４４、複数のガイドローラＧＲ、及び制御装置３８を備えている。

【0046】

送出モータ４０は、制御装置３８の制御下で、磁気テープカートリッジ１０内のカートリッジリール１８を回転駆動させる。制御装置３８は、送出モータ４０を制御することで、カートリッジリール１８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

【0047】

巻取モータ４４は、制御装置３８の制御下で、巻取リール４２を回転駆動させる。制御装置３８は、巻取モータ４４を制御することで、巻取リール４２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

【0048】

磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

【0049】

磁気テープＭＴがカートリッジリール１８に巻き戻される場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを逆方向に走行させるように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

【0050】

このようにして送出モータ４０及び巻取モータ４４の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることで、磁気テープＭＴに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープＭＴから読取ヘッド３６によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータ・シミュレーション及び／又は実機による試験等により得られた張力の範囲を指す。

【0051】

本実施形態では、送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴの張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴの張力は、ダンサローラを用いて制御されてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。

【0052】

複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１０と巻取リール４２との間において読取ヘッド３６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。

【0053】

読取ヘッド３６は、読取素子４６及びホルダ４８を備えている。読取素子４６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４８によって保持されており、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴから記録情報を読み取る。

【0054】

磁気テープドライブ３０は、非接触式読み書き装置５０を備えている。非接触式読み書き装置５０は、本開示の技術に係る「外部」の一例である。非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が装填された状態の磁気テープカートリッジ１０の下側にてカートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０が読取ヘッド３６による磁気テープＭＴに対する記録情報の読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に到達した状態を指す。

【0055】

一例として図５に示すように、非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０の下側からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９を貫通する。なお、磁界ＭＦは、本開示の技術に係る「磁界」の一例である。

【0056】

一例として図６に示すように、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８に接続されている。制御装置３８は、カートリッジメモリ１９を制御する制御信号を非接触式読み書き装置５０に出力する。非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８から入力された制御信号に従って、磁界ＭＦをカートリッジメモリ１９に向けて放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂ側から表面２６Ａ側に貫通する。

【0057】

非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する。詳しく後述するが、コマンド信号は、カートリッジメモリ１９に対する指令を示す信号である。コマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に空間伝送される場合、磁界ＭＦには、制御装置３８からの指示に従って非接触式読み書き装置５０によってコマンド信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには、コマンド信号が重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、磁界ＭＦを介してコマンド信号をカートリッジメモリ１９に送信する。

【0058】

一例として図７に示すように、カートリッジメモリ１９の基板２６は、第１層２７Ａ及び第２層２７Ｂを有する。第１層２７Ａと第２層２７Ｂとは、基板２６の表面２６Ａ側から裏面２６Ｂ側に向かって第１層２７Ａ、第２層２７Ｂの順で、基板２６の厚さ方向に重複する位置に埋設されている。第１層２７Ａには、基板２６の外周に沿ってループ状に巻回された第１コイル６０が形成されている。第２層２７Ｂには、基板２６の外周に沿ってループ状に巻回された第２コイル６１が形成されている。ここで、第１コイル６０及び第２コイル６１の素材として、銅箔が採用されているが、銅箔はあくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。なお、第１層２７Ａ及び第２層２７Ｂは、本開示の技術に係る「複数の層」の一例である。また、第１層２７Ａは、本開示の技術に係る「第１層」の一例であり、第２層２７Ｂは、本開示の技術に係る「第２層」の一例である。また、第１コイル６０は、本開示の技術に係る「アンテナコイル」の一例であり、第２コイル６１は、本開示の技術に係る「補助アンテナコイル」の一例である。

【0059】

ループ状に巻回された第１コイル６０の外周端６０Ａは、基板２６に埋設された第１スルーホール６２Ａに接続されており、第１コイル６０の内周端６０Ｂは、基板２６に埋設された第２スルーホール６２Ｂに接続されている。また、ループ状に巻回された第２コイル６１の外周端６１Ａは、基板２６に埋設された第１スルーホール６２Ａに接続されており、第１コイル６０の内周端６０Ｂは、基板２６に埋設された第２スルーホール６２Ｂに接続されている。なお、第１コイル６０の外周端６０Ａ及び内周端６０Ｂは、本開示の技術に係る「アンテナコイルの一端及び他端」の一例である。また、第１スルーホール６２Ａ及び第２スルーホール６２Ｂは、本開示の技術に係る「スルーホール」の一例である。

【0060】

第１スルーホール６２Ａ及び第２スルーホール６２Ｂは、各々、基板２６に埋設された第１層２７Ａと第２層２７Ｂとを貫通する貫通孔を有する。貫通孔の内周面には銅めっきが施され、貫通孔の内部には導電性材料が充填されている。なお、銅めっきは、あくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウムめっき等の他種類の導電性素材のめっきであってもよい。第１スルーホール６２Ａは、第１コイル６０の外周端６０Ａと第２コイル６１の外周端６１Ａとを電気的に接続している。第２スルーホール６２Ｂは、第１コイル６０の内周端６０Ｂと第２コイル６１の内周端６１Ｂとを電気的に接続している。

【0061】

つまり、第１コイル６０の外周端６０Ａと内周端６０Ｂとは、第１スルーホール６２Ａ及び第２スルーホール６２Ｂ、並びに第２層２７Ｂに形成された第２コイル６１を介して電気的に接続されている。このように、第１スルーホール６２Ａ及び第２スルーホール６２Ｂを介して直列に接続された第１コイル６０と第２コイル６１とは、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦ（図５及び図６参照）が作用することで誘導電流を誘起する。

【0062】

第１層２７Ａには、ＩＣチップ５２が実装されている。ＩＣチップ５２は、第１層２７Ａの表面に接着されている。第１コイル６０の途中には、第１導通部６３Ａ及び第２導通部６３Ｂが設けられている。ＩＣチップ５２は、ワイヤ接続方式で第１導通部６３Ａ及び第２導通部６３Ｂに電気的に接続される。具体的には、第１導通部６３Ａ及び第２導通部６３Ｂは、半田を有しており、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が配線６５Ａを介して第１導通部６３Ａに半田付けされており、他方の端子が配線６５Ｂを介して第２導通部６３Ｂに半田付けされている。ＩＣチップ５２は、第１コイル６０の巻回方向の内周側に配置されている。なお、ＩＣチップ５２は、本開示の技術に係る「ＩＣチップ」の一例である。

【0063】

基板２６の表面２６Ａのうちの第１層２７Ａに実装されたＩＣチップ５２の位置に対応する位置には、開口２９が形成されている。開口２９は、カートリッジメモリ１９に対して適用されるグローブトップの管理規格に従って定められた大きさを有する。なお、開口２９は、本開示の技術に係る「開口」の一例である。

【0064】

開口２９は、封止材５７によって封止されている。すなわち、開口２９に封止材５７を充填することによって、ＩＣチップ５２と、第１導通部６３Ａ及び第２導通部６３Ｂと、配線６５Ａ及び６５Ｂとを封止するグローブトップ５６が管理規格に従った大きさに形成される。ここでは、封止材５７として、紫外線に反応して硬化する紫外線硬化樹脂が採用されている。なお、紫外線硬化樹脂は、あくまでも一例に過ぎず、紫外線以外の波長域の光に反応して効果する光硬化樹脂を封止材５７として使用してもよいし、熱硬化性樹脂を封止材５７として使用してもよいし、接着剤を封止材５７として使用してもよい。なお、封止材５７は、本開示の技術に係る「封止材」の一例である。

【0065】

従来既知の技術によれば、平面上にグローブトップを形成する場合、まず、グローブトップの外形に沿って封止材５７を滴下することによって、枠状のダム部が形成される。ダム部が硬化した後、ダム部の内部を封止材５７で満たすことによって、矩形のグローブトップが形成される。この方法では、グローブトップの寸法精度を上げるのが難しくなることが予想される。しかし、本実施形態によれば、グローブトップ５６の管理規格に従った大きさに開口２９を形成することによって、開口２９を使用しない方法に比べ、寸法精度の良いグローブトップ５６が容易に作成される。

【0066】

図８は、カートリッジメモリ１９の線Ａ－Ａにおける概略断面図の一例である。一例として図８に示すように、第１層２７Ａに形成された第１コイル６０と、第２層２７Ｂに形成された第２コイル６１とは、基板２６の厚さ方向において千鳥状に配置されている。第１コイル６０と第２コイル６１とが、基板２６の厚さ方向において重複する位置に配置されている場合、第１コイル６０と第２コイル６１とのインダクタンス成分が結合して、特性上、太い一本の導線とみなされてしまう。しかし、本実施形態によれば、第１コイル６０と第２コイル６１とは千鳥状に配置されているので、第１コイル６０と第２コイル６１とが、基板２６の厚さ方向において重複する位置に配置されている場合に比べ、インダクタンス成分が結合され難い。

【0067】

また、第１層２７Ａ及び第２層２７Ｂは、基板２６の厚さ方向中央ＣＬから均等に離れた位置に配置されている。具体的には、基板２６の厚さ方向中央を示す中心線ＣＬから第１層２７Ａの厚さ方向中央までの距離を第１距離Ｄ１とし、中心線ＣＬから第２層２７Ｂの厚さ方向中央までの距離を第２距離Ｄ２とした場合、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とが等しくなる。なお、第１距離Ｄ１は、本開示の技術に係る「第１距離」の一例であり、第２距離Ｄ２は、本開示の技術に係る「第２距離」の一例である。

【0068】

一例として図９に示すように、ＩＣチップ５２は、コンデンサ８０、電源回路８２、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８を備えている。ＩＣチップ５２は、制御プログラムがインストールされることによってカートリッジメモリ１９の制御装置として機能する。なお、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８は、本開示の技術に係る「処理回路」の一例である。

【0069】

また、カートリッジメモリ１９は、電力生成器７０を備えている。電力生成器７０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦが、第１層２７Ａに形成された第１コイル６０及び第２層２７Ｂに形成された第２コイル６１に対して作用することで電力を生成する。具体的には、電力生成器７０は、共振回路９２を用いて交流電力を生成し、生成した交流電力を直流電力に変換して出力する。

【0070】

電力生成器７０は、共振回路９２及び電源回路８２を有する。共振回路９２は、第１コイル６０、第２コイル６１、及びコンデンサ８０を備えている。コンデンサ８０は、ＩＣチップ５２に内蔵されているコンデンサであり、電源回路８２もＩＣチップ５２に内蔵されている回路である。第１コイル６０及び第２コイル６１は、第１スルーホール６２Ａ及び第２スルーホール６２Ｂ（図７参照）を介して直列に接続されている。コンデンサ８０は、第１コイル６０及び第２コイル６１に対して並列に接続されている。

【0071】

共振回路９２は、磁界ＭＦが第１コイル６０及び第２コイル６１を貫通することで第１コイル６０及び第２コイル６１によって誘起された誘導電流を用いて、予め定められた共振周波数の共振現象を発生させることで交流電力を生成し、生成した交流電力を電源回路８２に出力する。カートリッジメモリ１９では、磁界ＭＦが作用することで共振回路９２を予め定められた共振周波数で共振させる。なお、予め定められた共振周波数は、例えば、１３．５６ＭＨｚである。なお、共振周波数は、１３．５６ＭＨｚに限らず、カートリッジメモリ１９及び／又は非接触式読み書き装置５０の仕様等によって適宜決定されればよい。

【0072】

電源回路８２は、整流回路及び平滑回路等を有する。整流回路は、複数のダイオードを有する全波整流回路である。全波整流回路は、あくまでも一例に過ぎず、半波整流回路であってもよい。平滑回路は、コンデンサ及び抵抗を含んで構成されている。電源回路８２は、共振回路９２から入力された交流電力を直流電力に変換し、変換して得た直流電力（以下、単に「電力」とも称する）をＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に供給する。各種の駆動素子としては、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８が挙げられる。このように、ＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に対して電力が電力生成器７０によって供給されることで、ＩＣチップ５２内の各種の駆動素子は、電力生成器７０によって生成された電力を用いて動作する。

【0073】

コンピュータ８４は、ＣＰＵ、ＮＶＭ、及びＲＡＭ（何れも図示省略）を備えている。ＮＶＭには、制御プログラムと管理情報とが記憶されている。ＣＰＵは、ＮＶＭから制御プログラムを読み出し、ＲＡＭ上で制御プログラムを実行することで、カートリッジメモリ１９の動作を制御する。

【0074】

具体的には、ＣＰＵは、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じて、ポーリング処理、読出処理、及び書込処理を選択的に行う。ポーリング処理は、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０との間で通信を確立する処理であり、例えば、読出処理及び書込処理の前段階の準備処理として行われる。読出処理は、ＮＶＭから管理情報等を読み出す処理である。書込処理は、ＮＶＭに管理情報等を書き込む処理である。ポーリング処理、読出処理、及び書込処理（以下、区別して説明する必要がない場合、「各種処理」と称する）は何れも、クロック信号生成器８６によって生成されたクロック信号に従ってＣＰＵによって行われる。すなわち、ＣＰＵは、各種処理をクロック周波数に応じた処理速度で行う。

【0075】

クロック信号生成器８６は、クロック信号を生成してコンピュータ８４に出力する。コンピュータ８４は、クロック信号生成器８６から入力されたクロック信号に従って動作する。

【0076】

信号処理回路８８は、共振回路９２に接続されている。信号処理回路８８は、復号回路及び符号化回路（何れも図示省略）を有する。信号処理回路８８の復号回路は、第１コイル６０及び第２コイル６１によって受信された磁界ＭＦからコマンド信号を抽出して復号し、コンピュータ８４に出力する。コンピュータ８４は、コマンド信号に対する応答信号を信号処理回路８８に出力する。すなわち、コンピュータ８４は、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じた処理を実行し、処理結果を応答信号として信号処理回路８８に出力する。信号処理回路８８では、コンピュータ８４から応答信号が入力されると、信号処理回路８８の符号化回路は、応答信号を符号化することで変調して共振回路９２に出力する。共振回路９２は、信号処理回路８８の符号化回路から入力された応答信号を、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信する。すなわち、カートリッジメモリ１９から非接触式読み書き装置５０に応答信号が送信される場合、磁界ＭＦには、応答信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには応答信号が重畳される。

【0077】

以上説明したように、カートリッジメモリ１９は、基板２６に形成されており、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦが作用することで電力を誘起する第１コイル６０と、第１コイル６０によって誘起された電力を利用して動作するコンピュータ８４と、クロック信号生成器８６と、信号処理回路８８とを備える。基板２６は、厚さ方向に積層された第１層２７Ａと第２層２７Ｂとを有している。第１コイル６０は、第１層２７Ａでループ状に巻回されている。第２コイル６１は、第２層２７Ｂでループ状に巻回されている。第１コイル６０の外周端６０Ａと内周端６０Ｂとは、第１層２７Ａとは異なる第２層２７Ｂで第２コイル６１を介して電気的に接続されている。第１層２７Ａと第２層２７Ｂとの両方が、基板２６に埋設されている。従って、本構成によれば、第１コイル６０及び第２コイル６１の表面に傷がつくのを防止することができる。

【0078】

また、第１コイル６０の外周端６０Ａと内周端６０Ｂとは、第１スルーホール６２Ａ及び第２スルーホール６２Ｂを介して第２層２７Ｂで電気的に接続されている。従って、本構成によれば、第１コイル６０の外周端６０Ａと内周端６０Ｂとがワイヤで接続される場合に比べ、第１コイル６０の外周端６０Ａと内周端６０Ｂとを省スペースに接続することができる。

【0079】

また、基板２６の厚さ方向中央を示す中心線ＣＬから第１層２７Ａの厚さ方向中央までの距離を示す第１距離Ｄ１と、中心線ＣＬから第２層２７Ｂの厚さ方向中央までの距離を示す第２距離Ｄ２とが等しい。従って、本構成によれば、基板２６の表面２６Ａで磁界ＭＦを受けた場合と、裏面２６Ｂで磁界ＭＦを受けた場合とで、発生される電力を等しくすることができる。なお、ここで言う「等しい」には、完全に等しいという意味の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの等しいという意味も含む。

【0080】

また、第１層２７Ａに形成された第１コイル６０と、第２層２７Ｂに形成された第２コイル６１とは、基板２６の厚さ方向において千鳥状に配置されている。従って、本構成によれば、第１コイル６０と第２コイル６１とが、厚さ方向に重複する位置に配置されている場合に比べ、より多くの電力を得ることができる。

【0081】

また、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８はＩＣチップ５２に形成されている。ＩＣチップ５２は、第１層２７Ａに実装され、第１層２７Ａに形成された第１コイル６０の途中に挿入されている。従って、本構成によれば、ＩＣチップ５２を第１層２７Ａ以外の層に実装する場合に比べ、ＩＣチップ５２と第１コイル６０との間の配線距離を短くすることができる。

【0082】

また、第１層２７Ａは、基板２６に埋設されている。従って、本構成によれば、第１層２７Ａが基板２６から突出している場合に比べ、ＩＣチップ５２の実装に起因するカートリッジメモリ１９の凹凸を抑制することができる。

【0083】

また、基板２６の表面２６Ａは、第１層２７Ａに実装されたＩＣチップ５２の位置に対応する位置に形成された開口２９を有し、開口２９が封止材５７で封止されている。従って、本構成によれば、封止材５７によって、ＩＣチップ５２、並びに、ＩＣチップ５２と第１導通部６３Ａ及び第２導通部６３Ｂとの間の配線６５Ａ及び６５Ｂを保護することができる。

【0084】

また、開口２９の大きさは、カートリッジメモリ１９に対して適用されるグローブトップ５６の管理規格に従って定められている。従って、本構成によれば、カートリッジメモリ１９に対して適用されるグローブトップ５６の管理規格に合った大きさのグローブトップ５６を作成することができる。

【0085】

なお、上記実施形態では、基板２６の表面２６Ａに形成された開口２９が封止材５７によって封止されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。一例として図１０に示すように、開口２９は、第１層２７Ａに実装されたＩＣチップ５２を露出する露出口であってもよい。この場合、開口２９は、本開示の技術に係る「露出口」の一例である。従って、本構成によれば、基板２６に埋設されたＩＣチップ５２に対して処理を施すことができる。

【0086】

また、上記実施形態では、第１層２７Ａと第２層２７Ｂとは、基板２６の表面２６Ａ側から裏面２６Ｂ側に向かって第１層２７Ａ、第２層２７Ｂの順で、基板２６に埋設されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。第１層２７Ａと第２層２７Ｂとは、基板２６の裏面２６Ｂ側から表面２６Ａ側に向かって第１層２７Ａ、第２層２７Ｂの順で、基板２６に埋設されていてもよい。この場合、基板２６の裏面２６ＢのＩＣチップ５２の位置に対応する位置に開口が形成される。開口は、封止材５７で封止されてもよいし、ＩＣチップ５２を露出する露出口であってもよい。

【0087】

また、上記実施形態では、第１層２７Ａと第２層２７Ｂとの両方が、基板２６に埋設されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。一例として図１１に示すように、第１層２７Ａが基板２６の表面２６Ａに設けられ、第２層２７Ｂが基板２６に埋設されていてもよい。又は、第１層２７Ａが基板２６に埋設され、第２層２７Ｂが基板２６の表面２６Ａ又は裏面２６Ｂに設けられていてもよい。何れにしても、第１層２７Ａと第２層２７Ｂとのうちの少なくとも一方が、基板２６に埋設されていればよい。従って、本構成によれば、第１層２７Ａと第２層２７Ｂとが両方とも基板２６の表面２６Ａ及び／又は裏面２６Ｂに露出している場合に比べ、第１コイル６０と第２コイル６１とのうちの少なくとも一方の耐久性を高めることができる。

【0088】

また、上記実施形態では、ＩＣチップ５２が第１層２７Ａに実装されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。一例として図１２に示すように、ＩＣチップ５２は、第１層２７Ａ及び第２層２７Ｂとは異なる第３層２７Ｃに実装されてもよい。第３層２７Ｃは、基板２６の表面２６Ａに形成された層である。ＩＣチップ５２は、第３層２７Ｃ、すなわち、基板２６の表面２６Ａに実装されている。

【0089】

図１２に示す例において、第１コイル６０の途中には、第１導通部６３Ａ及び第２導通部６３Ｂの代わりに、第３スルーホール６２Ｃ及び第４スルーホール６２Ｄが設けられている。第１層２７Ａに設けられた第３スルーホール６２Ｃ及び第４スルーホール６２Ｄは第３層２７Ｃに導通しており、ＩＣチップ５２は、配線６５Ａ及び６５Ｂを介して第３スルーホール６２Ｃ及び第４スルーホール６２Ｄにそれぞれ接続される。これにより、第１層２７Ａに形成された第１コイル６０の途中に、第３層２７Ｃに実装されたＩＣチップ５２が電気的に接続される。

【0090】

図１２に示す構成では、第１層２７Ａが第１コイル６０の専用層である。従って、本構成によれば、第１層２７ＡにＩＣチップ５２を実装する場合に比べ、第１コイル６０の巻き数を多くすることができる。

【0091】

第２層２７Ｂには、クランク状の第２コイル６１が形成されている。第２コイル６１は、第１コイル６０の外周端６０Ａと内周端６０Ｂとを、第１スルーホール６２Ａ及び第２スルーホール６２Ｂを介して電気的に接続している。なお、図１２では、第２コイル６１がクランク状に形成されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、第２コイル６１は直線状に形成されていてもよい。また、第２コイル６１は、第１コイル６０同様に、ループ状に形成されていてもよい。この場合、第２コイル６１がクランク状又はループ状である場合に比べ、第２コイル６１の巻き数を多くすることができる。

【0092】

また、図１２に示す構成では、第３層２７Ｃは、基板２６の表面２６Ａに形成された層である。従って、本構成によれば、基板２６に埋設されている層にＩＣチップ５２を実装する場合に比べ、ＩＣチップ５２の実装作業が簡単になる。なお、図１２では、第３層２７Ｃが、基板２６の表面２６Ａに形成されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、第３層２７Ｃは、基板２６の裏面２６Ｂに形成されていてもよい。

【0093】

また、上記実施形態では、ＩＣチップ５２と第１コイル６０とが配線６５Ａ及び６５Ｂ（図７参照）で接続されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、ＩＣチップ５２と第１コイル６０とがフリップチップ接続方式で接続されていてもよい。

【0094】

また、上記実施形態では、傾斜角度θとして４５度を例示したが、本開示の技術はこれに限定されず、一例として図１３に示すように、カートリッジメモリ１９の基準面１６Ａ１に対する傾斜角度として、傾斜角度θよりも小さな傾斜角度θ１が採用されてもよい。傾斜角度θ１の一例としては３０度が挙げられる。傾斜角度θ１は、傾斜角度θよりも小さな角度であるので、傾斜角度θの場合に比べ、第１コイル６０及び第２コイル６１（共に図７参照）に対して多くの磁力線を貫通させることができる。この結果、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態で、第１コイル６０及び第２コイル６１は、傾斜角度θの場合に比べ、大きな誘導電流を得ることができる。

【符号の説明】

【0095】

１０ 磁気テープカートリッジ
１２ ケース
１２Ａ 右壁
１２Ｂ 開口
１４ 上ケース
１４Ａ 天板
１４Ａ１ 内面
１６ 下ケース
１６Ａ 底板
１６Ａ１ 基準面
１６Ｂ 後壁
１８ カートリッジリール
１８Ａ リールハブ
１８Ｂ１ 上フランジ
１８Ｂ２ 下フランジ
１９ カートリッジメモリ
２０ 支持部材
２０Ａ 第１傾斜台
２０Ａ１，２０Ｂ１ 傾斜面
２０Ｂ 第２傾斜台
２２ 位置規制リブ
２４ リブ
２４Ａ 先端面
２６ 基板
２６Ａ 表面
２６Ｂ 裏面
２７Ａ 第１層
２７Ｂ 第２層
２７Ｃ 第３層
２９ 開口
３０ 磁気テープドライブ
３４ 搬送装置
３６ 読取ヘッド
３８ 制御装置
４０ 送出モータ
４２ 巻取リール
４４ 巻取モータ
４６ 読取素子
４８ ホルダ
５０ 非接触式読み書き装置
５２ ＩＣチップ
５６ グローブトップ
５７ 封止材
６０ 第１コイル
６０Ａ 外周端
６０Ｂ 内周端
６１ 第２コイル
６１Ａ 外周端
６１Ｂ 内周端
６２Ａ 第１スルーホール
６２Ｂ 第２スルーホール
６２Ｃ 第３スルーホール
６２Ｄ 第４スルーホール
６３Ａ 第１導通部
６３Ｂ 第２導通部
６５Ａ，６５Ｂ 配線
７０ 電力生成器
８０ コンデンサ
８２ 電源回路
８４ コンピュータ
８６ クロック信号生成器
８８ 信号処理回路
９２ 共振回路
Ａ，Ｂ，Ｃ 矢印
ＣＬ 中心線
Ｄ１ 第１距離
Ｄ２ 第２距離
ＧＲ ガイドローラ
ＭＦ 磁界
ＭＴ 磁気テープ
θ，θ１ 傾斜角度

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】