特開 2022-99101 非接触式通信媒体の製造方法、及び非接触式通信媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022099101

(43)【公開日】2022-07-04

(54)【発明の名称】非接触式通信媒体の製造方法、及び非接触式通信媒体

(51)【国際特許分類】

   G06K 19/07 20060101AFI20220627BHJP

   G06K 19/077 20060101ALI20220627BHJP

   G11B 23/30 20060101ALI20220627BHJP

   H01Q 7/00 20060101ALI20220627BHJP

【ＦＩ】

G06K19/07 260

G06K19/07 090

G06K19/077 272

G11B23/30 E

H01Q7/00

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020212863

(22)【出願日】2020-12-22

(71)【出願人】

【識別番号】306037311

【氏名又は名称】富士フイルム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】特許業務法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】片岡 英一郎

(57)【要約】

【課題】基準共振周波数と仮共振周波数との相違度を全く考慮せずに外部コンデンサの容量を決定する場合に比べ、共振回路の共振周波数を基準共振周波数に合わせ易くすることができる非接触式通信媒体の製造方法、及び非接触式通信媒体を提供する。
【解決手段】非接触式通信媒体は、アンテナコイルが形成された基板に実装され、内蔵コンデンサを有する処理回路と、予め定められた共振周波数で共振する共振回路を内蔵コンデンサ及びアンテナコイルと共に構成する外部コンデンサと、を備える。非接触式通信媒体の製造方法は、外部コンデンサが処理回路に接続されていない状態で、かつ、処理回路がアンテナコイルに接続されている状態で仮共振周波数を測定すること、及び、非接触式通信媒体が磁界を介して外部と通信を行う場合の基準共振周波数と仮共振周波数との相違度に基づいて外部コンデンサの容量を決定すること、を含む。
【選択図】図１２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

外部から与えられた磁界が作用することで電力を誘起するアンテナコイルが形成された基板に実装され、内蔵コンデンサを有する処理回路と、前記処理回路に対して外付けされる外部コンデンサであって、前記磁界が作用することで予め定められた共振周波数で共振する共振回路を前記内蔵コンデンサ及び前記アンテナコイルと共に構成する外部コンデンサと、を備え、前記処理回路が前記共振回路によって生成された電力を用いて動作する非接触式通信媒体の製造方法であって、
前記外部コンデンサが前記処理回路に接続されていない状態で、かつ、前記処理回路が前記アンテナコイルに接続されている状態で仮共振周波数を測定すること、及び、
前記非接触式通信媒体が前記磁界を介して前記外部と通信を行う場合の基準共振周波数と、前記仮共振周波数との相違度に基づいて前記外部コンデンサの容量を決定すること、
を含む非接触式通信媒体の製造方法。

【請求項2】

決定した容量を有する前記外部コンデンサを前記基板に実装することにより前記共振回路を形成することを更に含む請求項１に記載の非接触式通信媒体の製造方法。

【請求項3】

前記外部コンデンサを前記基板に対して表面実装方式で接続することにより前記共振回路を形成する請求項２に記載の非接触式通信媒体の製造方法。

【請求項4】

前記アンテナコイルに接続されている状態の前記処理回路を封止材で封止した後に、決定した容量を有する前記外部コンデンサを前記基板に実装する請求項２又は請求項３に記載の非接触式通信媒体の製造方法。

【請求項5】

前記外部コンデンサが前記処理回路に接続されていない状態で、前記処理回路を前記アンテナコイルに接続した後、前記仮共振周波数を測定する請求項１から請求項４の何れか一項に記載の非接触式通信媒体の製造方法。

【請求項6】

前記仮共振周波数を示す信号を送信すること、及び
送信した前記信号を受信すること、を更に含み、
受信した前記信号により示される前記仮共振周波数に基づいて、前記外部コンデンサの容量を決定する請求項１から請求項５の何れか一項に記載の非接触式通信媒体の製造方法。

【請求項7】

前記処理回路は、ＩＣチップ化されている請求項１から請求項６の何れか一項に記載の非接触式通信媒体の製造方法。

【請求項8】

前記基板は、フレキシブルタイプの基板である請求項１から請求項７の何れか一項に記載の非接触式通信媒体の製造方法。

【請求項9】

外部から与えられた磁界が作用することで電力を誘起するアンテナコイルが形成された基板に搭載され、内蔵コンデンサを有する処理回路と、
前記処理回路に対して外付けされる外部コンデンサであって、前記磁界が作用することで予め定められた共振周波数で共振する共振回路を前記内蔵コンデンサ及び前記アンテナコイルと共に構成する外部コンデンサと、を備える非接触式通信媒体であって、
前記処理回路は、前記共振回路によって生成された電力を用いて動作し、
前記非接触式通信媒体が前記磁界を介して前記外部と通信を行う場合の基準共振周波数と、前記外部コンデンサが前記処理回路に接続されていない状態で、かつ、前記処理回路が前記アンテナコイルに接続されている状態で測定された仮共振周波数との相違度に基づいて前記外部コンデンサの容量が定められている
非接触式通信媒体。

【請求項10】

前記処理回路は、ＩＣチップ化されている請求項９に記載の非接触式通信媒体。

【請求項11】

前記基板は、フレキシブルタイプの基板である請求項９又は請求項１０に記載の非接触式通信媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の技術は、非接触式通信媒体の製造方法、及び非接触式通信媒体に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、基板と、基板の一方の面に形成されたアンテナ部と、一方の面に形成されたＩＣチップと、基板の他方の面に形成された共通電極と、を有する非接触型ＩＣモジュールが開示されている。特許文献１に記載の非接触型ＩＣモジュールでは、アンテナ部は、螺旋状パターンのアンテナコイルと、アンテナコイルの外周に沿って螺旋状に位置する導体部と、を備える。

【0003】

特許文献２には、アンテナコイルとコンデンサとを有する共振回路を内蔵して少なくとも電磁誘導により非接触で通信を行うＩＣカードが開示されている。特許文献２に記載のＩＣカードは、カード本体と、カード本体に内蔵されたＩＣチップと、カード本体に内蔵され、ＩＣチップに接続され、コンデンサの静電容量値を調整する調整用コンデンサと、少なくともエンボス加工領域におけるカード内部においてＩＣチップと調整用コンデンサとを接続して形成され、エンボス加工領域におけるエンボス加工によって物理的に切断可能に構成された配線部と、を有する。

【0004】

特許文献３には、絶縁基板表面に形成されたアンテナ回路が開示されている。特許文献３に記載のアンテナ回路は、巻回された平面アンテナと、平面アンテナの一端と接続された共通接続パッドと、複数の個別接続パッドと、インダクタンス調整用配線と、を有する。複数の個別接続パッドは、共通接続パッドと所定間隔離間して共通接続パッドの周囲に配設されている。複数の個別接続パッドの何れか１個の個別接続パッドが平面アンテナの他端に接続されている。インダクタンス調整用配線は、平面アンテナの中間端子部と、複数の個別接続パッドのうち平面アンテナの他端に接続された個別接続パッド以外の個別接続パッドとをそれぞれ接続される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００７－３１０８９８号公報

【特許文献2】特開２００９－２７１６５６号公報

【特許文献3】特表２００６－２１７１８５号公報

【発明の概要】

【0006】

本開示の技術に係る一つの実施形態は、基準共振周波数と仮共振周波数との相違度を全く考慮せずに外部コンデンサの容量を決定する場合に比べ、共振回路の共振周波数を基準共振周波数に合わせ易くすることができる非接触式通信媒体の製造方法、及び非接触式通信媒体を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の技術に係る第１の態様は、外部から与えられた磁界が作用することで電力を誘起するアンテナコイルが形成された基板に実装され、内蔵コンデンサを有する処理回路と、処理回路に対して外付けされる外部コンデンサであって、磁界が作用することで予め定められた共振周波数で共振する共振回路を内蔵コンデンサ及びアンテナコイルと共に構成する外部コンデンサと、を備え、処理回路が共振回路によって生成された電力を用いて動作する非接触式通信媒体の製造方法であって、外部コンデンサが処理回路に接続されていない状態で、かつ、処理回路がアンテナコイルに接続されている状態で仮共振周波数を測定すること、及び、非接触式通信媒体が磁界を介して外部と通信を行う場合の基準共振周波数と、仮共振周波数との相違度に基づいて外部コンデンサの容量を決定すること、を含む非接触式通信媒体の製造方法である。

【0008】

本開示の技術に係る第２の態様は、決定した容量を有する外部コンデンサを基板に実装することにより共振回路を形成することを更に含む第１の態様に係る非接触式通信媒体の製造方法である。

【0009】

本開示の技術に係る第３の態様は、外部コンデンサを基板に対して表面実装方式で接続することにより共振回路を形成する第２の態様に係る非接触式通信媒体の製造方法である。

【0010】

本開示の技術に係る第４の態様は、アンテナコイルに接続されている状態の処理回路を封止材で封止した後に、決定した容量を有する外部コンデンサを基板に実装する第２の態様又は第３の態様に係る非接触式通信媒体の製造方法である。

【0011】

本開示の技術に係る第５の態様は、外部コンデンサが処理回路に接続されていない状態で、処理回路をアンテナコイルに接続した後、仮共振周波数を測定する第１の態様から第４の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体の製造方法である。

【0012】

本開示の技術に係る第６の態様は、仮共振周波数を示す信号を送信すること、及び、送信した信号を受信すること、を更に含み、受信した信号により示される仮共振周波数に基づいて、外部コンデンサの容量を決定する第１の態様から第５の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体の製造方法である。

【0013】

本開示の技術に係る第７の態様は、処理回路は、ＩＣチップ化されている第１の態様から第６の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体の製造方法である。

【0014】

本開示の技術に係る第８の態様は、基板は、フレキシブルタイプの基板である第１の態様から第７の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体の製造方法である。

【0015】

本開示の技術に係る第９の態様は、外部から与えられた磁界が作用することで電力を誘起するアンテナコイルが形成された基板に搭載され、内蔵コンデンサを有する処理回路と、処理回路に対して外付けされる外部コンデンサであって、磁界が作用することで予め定められた共振周波数で共振する共振回路を内蔵コンデンサ及びアンテナコイルと共に構成する外部コンデンサと、を備える非接触式通信媒体であって、処理回路は、共振回路によって生成された電力を用いて動作し、非接触式通信媒体が磁界を介して外部と通信を行う場合の基準共振周波数と、外部コンデンサが処理回路に接続されていない状態で、かつ、処理回路がアンテナコイルに接続されている状態で測定された仮共振周波数との相違度に基づいて外部コンデンサの容量が定められている非接触式通信媒体である。

【0016】

本開示の技術に係る第１０の態様は、処理回路は、ＩＣチップ化されている第９の態様に係る非接触式通信媒体である。

【0017】

本開示の技術に係る第１１の態様は、基板は、フレキシブルタイプの基板である第９の態様又は第１０の態様に係る非接触式通信媒体である。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】実施形態に係る磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。

【図2】実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内側の右後端部の構造の一例を示す概略斜視図である。

【図3】実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内面に設けられた支持部材の一例を示す側面視断面図である。

【図4】実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。

【図5】実施形態に係る磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。

【図6】実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに対して非接触式読み書き装置から磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。

【図7】実施形態に係るカートリッジメモリの裏面構造の一例を示す下面図である。

【図8】実施形態に係るカートリッジメモリの表面構造の一例を示す上面図である。

【図9】実施形態に係るカートリッジメモリの回路構成の一例を示す概略回路図である。

【図10】実施形態に係る共振回路形成システムの一例を示すブロック図である。

【図11】実施形態に係る容量決定部の動作の一例を示す説明図である。

【図12】実施形態に係る容量決定部の動作の一例を示す説明図である。

【図13】実施形態に係る容量決定部の動作の一例を示す説明図である。

【図14】実施形態に係るカートリッジメモリの製造工程の一例を示すフローチャートである。

【図15】カートリッジメモリの表面構造の変形例を示す上面図である。

【図16】磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの傾斜角度の変形例を示す概念図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

【0020】

ＣＰＵとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Random Access Memory”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Non-Volatile Memory”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Read Only Memory”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Solid State Drive”の略称を指す。ＵＳＢとは、“Universal Serial Bus”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Programmable Logic Device”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Field-Programmable Gate Array”の略称を指す。ＳｏＣとは、“System-on-a-Chip”の略称を指す。ＩＣとは、“Integrated Circuit”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Radio Frequency Identifier”の略称を指す。ＬＴＯとは、“Linear Tape-Open”の略称を指す。ＣＭとは、“Cartridge Memory”の略称を指す。

【0021】

以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の磁気テープドライブ３０（図４参照）への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１０の前方向とし、磁気テープカートリッジ１０の前方向の側を磁気テープカートリッジ１０の前側とする。以下の構造上の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１０の前側を指す。

【0022】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１０の右方向の側を磁気テープカートリッジ１０の右側とする。以下の構造上の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１０の右側を指す

【0023】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１０の上方向とし、磁気テープカートリッジ１０の上方向の側を磁気テープカートリッジ１０の上側とする。以下の説明において、以下の構造上の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１０の上側を指す。

【0024】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の後方向とし、磁気テープカートリッジ１０の後方向の側を、磁気テープカートリッジ１０の後側とする。以下の構造上の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１０の後側を指す。

【0025】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の下方向とし、磁気テープカートリッジ１０の下方向の側を磁気テープカートリッジ１０の下側とする。以下の構造上の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１０の下側を指す。

【0026】

また、以下の説明では、磁気テープカートリッジ１０の仕様としてＬＴＯを例に挙げて説明する。また、以下の説明では、本開示の技術に係るＬＴＯに対して、下記の表１に示す仕様が適用されていることを前提として説明するが、これはあくまでも一例に過ぎず、ＩＢＭ３５９２の磁気テープカートリッジの仕様に準じていてもよい。

【0027】

【表1】

【0028】

表１において、「ＲＥＱＡ～ＳＥＬＣＥＴ系」とは、後述のポーリングコマンドを意味する。「ＲＥＱＡ～ＳＥＬＣＥＴ系」には、少なくとも“Request A”というコマンド、“Request SN”というコマンド、及び“Select”というコマンドが含まれている。“Request A”は、カートリッジメモリに対して、如何なるタイプのカートリッジメモリであるかを問い合わせるコマンドである。本実施形態において“Request A”は、１種類であるが、これに限らず、複数種類であってもよい。“Request SN”は、カートリッジメモリに対して、シリアルナンバーを問い合わせるコマンドである。“Select”は、カートリッジメモリに対して読み書きの準備を予告するコマンドである。ＲＥＡＤ系は、後述の読出コマンドに相当するコマンドである。ＷＲＩＴＥ系は、後述の書込コマンドに相当するコマンドである。

【0029】

一例として図１に示すように、磁気テープカートリッジ１０は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１２を備えている。ケース１２は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１４及び下ケース１６を備えている。上ケース１４及び下ケース１６は、上ケース１４の下周縁面と下ケース１６の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。

【0030】

ケース１２の内部には、カートリッジリール１８が回転可能に収容されている。カートリッジリール１８は、リールハブ１８Ａ、上フランジ１８Ｂ１、及び下フランジ１８Ｂ２を備えている。リールハブ１８Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ１８Ａは、カートリッジリール１８の軸心部であり、軸心方向がケース１２の上下方向に沿っており、ケース１２の中央部に配置されている。上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ１８Ａの上端部には上フランジ１８Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ１８Ａの下端部には下フランジ１８Ｂ２の平面視中央部が固定されている。リールハブ１８Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２によって保持されている。なお、リールハブ１８Ａ及び下フランジ１８Ｂ２は一体として成型されていてもよい。

【0031】

ケース１２の右壁１２Ａの前側には、開口１２Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１２Ｂから引き出される。

【0032】

一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部には、カートリッジメモリ１９が収容されている。カートリッジメモリ１９は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ１９として採用されている。

【0033】

カートリッジメモリ１９には、管理情報が記憶されている。管理情報は、磁気テープカートリッジ１０を管理する情報である。管理情報としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０を特定可能な識別情報、磁気テープＭＴの記録容量、磁気テープＭＴに記録されている情報（以下、「記録情報」とも称する）の概要、記録情報の項目、及び記録情報の記録形式等を示す情報が挙げられる。

【0034】

カートリッジメモリ１９は、非接触式で外部装置（図示省略）と通信を行う。外部装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０の生産工程で使用される読み書き装置、及び、磁気テープドライブ（例えば、図４に示す磁気テープドライブ３０）内で使用される読み書き装置（例えば、図４～図６に示す非接触式読み書き装置５０）が挙げられる。

【0035】

外部装置は、カートリッジメモリ１９に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ１９は、外部装置から与えられた磁界に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ１９は、生成した電力を用いて作動し、磁界を介して外部装置と通信を行うことで外部装置との間で各種情報の授受を行う。なお、通信方式は、例えば、ＩＳＯ１４４４３又はＩＳＯ１８０９２等の公知の規格に準じる方式であってもよいし、ＥＣＭＡ３１９のＬＴＯ仕様に準じる方式等であってもよい。

【0036】

一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部の底板１６Ａの内面には、支持部材２０が設けられている。支持部材２０は、カートリッジメモリ１９を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂである。第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂは、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース１６の後壁１６Ｂの内面及び底板１６Ａの内面にモジュール化されている。第１傾斜台２０Ａは、傾斜面２０Ａ１を有しており、傾斜面２０Ａ１は、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。また、傾斜面２０Ｂ１も、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。

【0037】

支持部材２０の前方側には、一対の位置規制リブ２２が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ２２は、底板１６Ａの内面に立設されており、支持部材２０に配置された状態のカートリッジメモリ１９の下端部の位置を規制する。

【0038】

一例として図３に示すように、底板１６Ａの外面には基準面１６Ａ１が形成されている。基準面１６Ａ１は、平面である。ここで、平面とは、底板１６Ａを下側にして下ケース１６を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。支持部材２０の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び傾斜面２０Ｂ１の傾斜角は、基準面１６Ａ１に対して４５度である。なお、４５度は、あくまでも一例に過ぎず、“０度＜傾斜角度θ＜４５度”であってもよいし、４５度以上であってもよい。

【0039】

カートリッジメモリ１９は、基板２６を備えている。基板２６は、本開示の技術に係る「基板」の一例である。基板２６は、フレキシブルタイプの基板であり、略矩形の平板状をしている。基板２６は、厚さ方向に２つの面、すなわち、表面２６Ａと裏面２６Ｂとを有する。基板２６は、基板２６の裏面２６Ｂを下側に向けて支持部材２０上に置かれ、支持部材２０は、基板２６の裏面２６Ｂを下方から支持する。基板２６の裏面２６Ｂの一部は、支持部材２０の傾斜面、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１に接触しており、基板２６の表面２６Ａは、天板１４Ａの内面１４Ａ１側に露出している。

【0040】

上ケース１４は、複数のリブ２４を備えている。複数のリブ２４は、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されている。複数のリブ２４は、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１から下側に突設されており、各リブ２４の先端面２４Ａは、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１に対応した傾斜面を有する。すなわち、各リブ２４の先端面２４Ａは、基準面１６Ａ１に対して４５度に傾斜している。

【0041】

カートリッジメモリ１９が支持部材２０に配置された状態で、上述したように上ケース１４が下ケース１６に接合されると、各リブ２４の先端面２４Ａは、基板２６に対して表面２６Ａ側から接触し、基板２６は、各リブ２４の先端面２４Ａと支持部材２０の傾斜面とで挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ１９の上下方向の位置がリブ２４によって規制される。

【0042】

一例として図４に示すように、磁気テープドライブ３０は、搬送装置３４、読取ヘッド３６、及び制御装置３８を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープドライブ３０は、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴが引き出され、引き出された磁気テープＭＴから読取ヘッド３６を用いて記録情報をリニアサーペンタイン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、記録情報の読み取りとは、換言すると、記録情報の再生を指す。

【0043】

制御装置３８は、磁気テープドライブ３０の全体を制御する。本実施形態において、制御装置３８は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３８は、ＦＰＧＡによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＩＳＣ、ＦＰＧＡ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３８は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。

【0044】

搬送装置３４は、磁気テープＭＴを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ４０、巻取リール４２、巻取モータ４４、複数のガイドローラＧＲ、及び制御装置３８を備えている。

【0045】

送出モータ４０は、制御装置３８の制御下で、磁気テープカートリッジ１０内のカートリッジリール１８を回転駆動させる。制御装置３８は、送出モータ４０を制御することで、カートリッジリール１８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

【0046】

巻取モータ４４は、制御装置３８の制御下で、巻取リール４２を回転駆動させる。制御装置３８は、巻取モータ４４を制御することで、巻取リール４２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

【0047】

磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

【0048】

磁気テープＭＴがカートリッジリール１８に巻き戻される場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを逆方向に走行させるように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

【0049】

このようにして送出モータ４０及び巻取モータ４４の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることで、磁気テープＭＴに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープＭＴから読取ヘッド３６によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータ・シミュレーション及び／又は実機による試験等により得られた張力の範囲を指す。

【0050】

本実施形態では、送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴの張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴの張力は、ダンサローラを用いて制御されてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。

【0051】

複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１０と巻取リール４２との間において読取ヘッド３６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。

【0052】

読取ヘッド３６は、読取素子４６及びホルダ４８を備えている。読取素子４６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４８によって保持されており、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴから記録情報を読み取る。

【0053】

磁気テープドライブ３０は、非接触式読み書き装置５０を備えている。非接触式読み書き装置５０は、本開示の技術に係る「外部」の一例である。非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が装填された状態の磁気テープカートリッジ１０の下側にてカートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０が読取ヘッド３６による磁気テープＭＴに対する記録情報の読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に到達した状態を指す。

【0054】

一例として図５に示すように、非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０の下側からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９を貫通する。なお、磁界ＭＦは、本開示の技術に係る「磁界」の一例である。

【0055】

一例として図６に示すように、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８に接続されている。制御装置３８は、カートリッジメモリ１９を制御する制御信号を非接触式読み書き装置５０に出力する。非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８から入力された制御信号に従って、磁界ＭＦをカートリッジメモリ１９に向けて放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂ側から表面２６Ａ側に貫通する。

【0056】

非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する。詳しく後述するが、コマンド信号は、カートリッジメモリ１９に対する指令を示す信号である。コマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に空間伝送される場合、磁界ＭＦには、制御装置３８からの指示に従って非接触式読み書き装置５０によってコマンド信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには、コマンド信号が重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、磁界ＭＦを介してコマンド信号をカートリッジメモリ１９に送信する。

【0057】

カートリッジメモリ１９の表面２６Ａには、ＩＣチップ５２及び外部コンデンサ５４が搭載されている。ＩＣチップ５２及び外部コンデンサ５４は、表面２６Ａに接着されている。また、カートリッジメモリ１９の表面２６Ａにおいて、ＩＣチップ５２及び外部コンデンサ５４は封止材５６によって封止されている。ここでは、封止材５６として、紫外線に反応して硬化する紫外線硬化樹脂が採用されている。なお、紫外線硬化樹脂は、あくまでも一例に過ぎず、紫外線以外の波長域の光に反応して効果する光硬化樹脂を封止材５６として使用してもよいし、熱硬化性樹脂を封止材５６として使用してもよいし、接着剤を封止材５６として使用してもよい。なお、ＩＣチップ５２は、本開示の技術に係る「処理回路」の一例である。外部コンデンサ５４は、本開示の技術に係る「外部コンデンサ」の一例である。また、封止材５６は、本開示の技術に係る「封止材」の一例である。

【0058】

一例として図７に示すように、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂには、コイル６０がループ状に形成されている。ここでは、コイル６０の素材として、銅箔が採用されている。銅箔は、あくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。コイル６０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦ（図５及び図６参照）が作用することで誘導電流を誘起する。なお、コイル６０は、本開示の技術に係る「アンテナコイル」の一例である。

【0059】

カートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂには、第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂが設けられている。第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂは、はんだを有しており、表面２６ＡのＩＣチップ５２（図６及び図８参照）及び外部コンデンサ５４（図６及び図８参照）に対してコイル６０の両端部を電気的に接続している。

【0060】

一例として図８に示すように、カートリッジメモリ１９の表面２６Ａにおいて、ＩＣチップ５２及び外部コンデンサ５４は、ワイヤ接続方式で互いに電気的に接続されている。具体的には、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子がワイヤ６４Ａを介して第１導通部６２Ａに接続されており、他方の端子がワイヤ６４Ｂを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。また、外部コンデンサ５４は、一対の電極を有する。図８に示す例では、一対の電極は、電極５４Ａ及び５４Ｂである。電極５４Ａは、ワイヤ６４Ｃを介して第１導通部６２Ａに接続されており、電極５４Ｂは、ワイヤ６４Ｄを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。これにより、コイル６０に対して、ＩＣチップ５２及び外部コンデンサ５４は並列に接続される。

【0061】

一例として図９に示すように、ＩＣチップ５２は、内蔵コンデンサ８０、電源回路８２、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８を備えている。ＩＣチップ５２は、磁気テープカートリッジ１０以外の用途にも使用可能な汎用タイプのＩＣチップであり、磁気テープカートリッジ用プログラムがインストールされることによって磁気テープカートリッジ用演算装置として機能する。なお、内蔵コンデンサ８０は、本開示の技術に係る「内蔵コンデンサ」の一例である。

【0062】

また、カートリッジメモリ１９は、電力生成器７０を備えている。電力生成器７０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦが、コイル６０に対して作用することで電力を生成する。具体的には、電力生成器７０は、共振回路９２を用いて交流電力を生成し、生成した交流電力を直流電力に変換して出力する。なお、共振回路９２は、本開示の技術に係る「共振回路」の一例である。

【0063】

電力生成器７０は、共振回路９２及び電源回路８２を有する。共振回路９２は、外部コンデンサ５４、コイル６０、及び内蔵コンデンサ８０を備えている。内蔵コンデンサ８０は、ＩＣチップ５２に内蔵されているコンデンサであり、電源回路８２もＩＣチップ５２に内蔵されている回路である。内蔵コンデンサ８０は、コイル６０に対して並列に接続されている。また、内蔵コンデンサ８０は、外部コンデンサ５４に対して並列に接続されている。

【0064】

外部コンデンサ５４は、ＩＣチップ５２に対して外付けされたコンデンサである。ＩＣチップ５２は、本来、磁気テープカートリッジ１０とは異なる用途でも用いることが可能な汎用のＩＣチップである。そのため、内蔵コンデンサ８０の容量は、磁気テープカートリッジ１０で用いられるカートリッジメモリ１９で要求される共振周波数を実現するには不足している場合がある。そこで、カートリッジメモリ１９では、磁界ＭＦが作用することで共振回路９２を予め定められた共振周波数で共振させる上で必要な容量を有するコンデンサとして、ＩＣチップ５２に対して外部コンデンサ５４が後付けされている。外部コンデンサ５４の容量は、後述する共振回路形成システム１２０（図１０参照）によって決定される。なお、予め定められた共振周波数に相当する周波数は、例えば、１３．５６ＭＨｚであり、カートリッジメモリ１９及び／又は非接触式読み書き装置５０の仕様等によって適宜決定されればよい。なお、１３．５６ＭＨｚは、本開示の技術に係る「予め定められた共振周波数」の一例である。

【0065】

電源回路８２は、整流回路及び平滑回路等を有する。整流回路は、複数のダイオードを有する全波整流回路である。全波整流回路は、あくまでも一例に過ぎず、半波整流回路であってもよい。平滑回路は、コンデンサ及び抵抗を含んで構成されている。電源回路８２は、共振回路９２から入力された交流電力を直流電力に変換し、変換して得た直流電力（以下、単に「電力」とも称する）をＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に供給する。各種の駆動素子としては、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８が挙げられる。このように、ＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に対して電力が電力生成器７０によって供給されることで、ＩＣチップ５２は、電力生成器７０によって生成された電力を用いて動作する。

【0066】

コンピュータ８４は、ＣＰＵ、ＮＶＭ、及びＲＡＭ（何れも図示省略）を備えている。ＮＶＭには、磁気テープカートリッジ用プログラムと管理情報とが記憶されている。ＣＰＵは、ＮＶＭからプログラムを読み出し、ＲＡＭ上でプログラムを実行することで、カートリッジメモリ１９の動作を制御する。

【0067】

具体的には、ＣＰＵは、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じて、ポーリング処理、読出処理、及び書込処理を選択的に行う。ポーリング処理は、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０との間で通信を確立する処理であり、例えば、読出処理及び書込処理の前段階の準備処理として行われる。読出処理は、ＮＶＭから管理情報等を読み出す処理である。書込処理は、ＮＶＭに管理情報等を書き込む処理である。ポーリング処理、読出処理、及び書込処理（以下、区別して説明する必要がない場合、「各種処理」と称する）は何れも、クロック信号生成器８６によって生成されたクロック信号に従ってＣＰＵによって行われる。すなわち、ＣＰＵは、各種処理をクロック周波数に応じた処理速度で行う。

【0068】

クロック信号生成器８６は、クロック信号を生成してコンピュータ８４に出力する。コンピュータ８４は、クロック信号生成器８６から入力されたクロック信号に従って動作する。

【0069】

信号処理回路８８は、共振回路９２に接続されている。信号処理回路８８は、復号回路及び符号化回路（何れも図示省略）を有する。信号処理回路８８の復号回路は、コイル６０によって受信された磁界ＭＦからコマンド信号を抽出して復号し、コンピュータ８４に出力する。コンピュータ８４は、コマンド信号に対する応答信号を信号処理回路８８に出力する。すなわち、コンピュータ８４は、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じた処理を実行し、処理結果を応答信号として信号処理回路８８に出力する。信号処理回路８８では、コンピュータ８４から応答信号が入力されると、信号処理回路８８の符号化回路は、応答信号を符号化することで変調して共振回路９２に出力する。共振回路９２は、信号処理回路８８の符号化回路から入力された応答信号を、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信する。すなわち、カートリッジメモリ１９から非接触式読み書き装置５０に応答信号が送信される場合、磁界ＭＦには、応答信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには応答信号が重畳される。

【0070】

一例として図１０に示す共振回路形成システム１２０は、ＩＣチップ５２と外部コンデンサ５４とを、コイル６０が形成された基板２６に実装することによって、共振回路９２を形成するシステムである。共振回路形成システム１２０は、例えば、カートリッジメモリ１９の製造ラインに導入される。

【0071】

一例として図１０に示すように、共振回路形成システム１２０は、ＩＣチップ実装装置１２４、仮共振周波数測定装置１２６、外部コンデンサ実装装置１２８、及び制御装置１２１を備える。

【0072】

ＩＣチップ実装装置１２４は、例えば、製造ラインの作業員の操作により、ＩＣチップ５２を未完成カートリッジメモリ（以下、「未完成ＣＭ」と称する）１５２のコイル６０に接続することによって、ＩＣチップ実装済み未完成カートリッジメモリ（以下、「ＩＣチップ実装済み未完成ＣＭ」と称する）１５４を形成する。未完成ＣＭ１５２とは、基板２６にコイル６０が形成され、かつ、ＩＣチップ５２も外部コンデンサ５４も実装されていない状態の製造途中のカートリッジメモリである。ＩＣチップ実装済み未完成ＣＭ１５４とは、コイル６０が形成された基板２６にＩＣチップ５２が実装され、かつ、外部コンデンサ５４が実装されていない状態の製造途中のカートリッジメモリである。これにより、外部コンデンサ５４を含まず、内蔵コンデンサ８０とコイル６０とを含む共振回路である仮共振回路１４８（図１２参照）が形成される。また、ＩＣチップ実装装置１２４は、基板２６に接続したＩＣチップ５２を封止材５６で封止する。

【0073】

仮共振周波数測定装置１２６は、例えば、インピーダンスアナライザを備え、共振回路の共振周波数を測定する装置である。外部コンデンサ実装装置１２８は、外部コンデンサ５４を基板２６にボンディング接続する装置である。仮共振周波数測定装置１２６及び外部コンデンサ実装装置１２８は、ケーブルを介して制御装置１２１に接続されている。

【0074】

制御装置１２１は、コンピュータ１２２、受付デバイス１３６、及びディスプレイ１３８を備える。コンピュータ１２２は、ＣＰＵ１２２Ａ、ＮＶＭ１２２Ｂ、及びＲＡＭ１２２Ｃを備えており、ＣＰＵ１２２Ａ、ＮＶＭ１２２Ｂ、及びＲＡＭ１２２Ｃは、バス１２２Ｄを介して接続されている。図１０に示す例では、図示の都合上、バス１２２Ｄとして１本のバスが図示されているが、複数のバスであってもよい。また、バス１２２Ｄには、シリアルバス、又は、データバス、アドレスバス、及びコントロールバス等で構成されるパラレルバスが含まれていてもよい。受付デバイス１３６は、共振回路形成システム１２０を管理する管理者からの指示を受け付ける。ディスプレイ１３８は、各種情報を表示する。受付デバイス１３６及びディスプレイ１３８は、バス１２２Ｄを介してコンピュータ１２２に接続されている。

【0075】

ＮＶＭ１２２Ｂは、容量決定プログラム１３０及び基準共振周波数１３２を記憶している。ここでは、ＮＶＭ１２２Ｂの一例として、ＥＥＰＲＯＭ、ＳＳＤ、又はＨＤＤが採用されるが、これに限らず、これら複数の不揮発性の記憶装置の組み合わせであってもよい。ＲＡＭ１２２Ｃには、各種情報が一時的に記憶される。ＲＡＭ１２２Ｃは、ＣＰＵ１２２Ａによってワークメモリとして用いられる。

【0076】

ＣＰＵ１２２Ａは、ＮＶＭ１２２Ｂから容量決定プログラム１３０を読み出し、読み出した容量決定プログラム１３０をＲＡＭ１２２Ｃ上で実行する。ＣＰＵ１２２Ａは、ＲＡＭ１２２Ｃ上で実行する容量決定プログラム１３０に従って容量決定部１３４として動作することで、外部コンデンサ５４の容量を決定する容量決定処理を実行する。

【0077】

容量決定部１３４は、受付デバイス１３６から実行指示を受け付けた場合に、容量決定処理を実行する。実行指示は、例えば、作業者によって受付デバイス１３６から入力される。

【0078】

一例として図１１に示すように、容量決定処理では、容量決定部１３４は、仮共振周波数測定装置１２６に仮共振周波数測定指示１４２を出力することにより、仮共振周波数測定装置１２６に対して、仮共振回路１４８の共振周波数である仮共振周波数１５０（図１２参照）を測定させる。また、容量決定部１３４は、仮共振周波数測定装置１２６に対して、測定した仮共振周波数１５０を示す仮共振周波数信号１４４を容量決定部１３４に送信させる。なお、仮共振周波数１５０は、本開示の技術に係る「仮共振周波数」の一例である。仮共振周波数信号１４４は、本開示の技術に係る「信号」の一例である。

【0079】

一例として図１２に示すように、容量決定部１３４は、仮共振周波数測定装置１２６から送信された仮共振周波数信号１４４を受信する。容量決定部１３４は、ＮＶＭ１２２Ｂから基準共振周波数１３２を読み出し、受信した仮共振周波数信号１４４に含まれる仮共振周波数１５０と基準共振周波数１３２との相違度に基づいて、外部コンデンサ５４の容量を決定する。基準共振周波数１３２は、本開示の技術に係る「基準共振周波数」の一例である。基準共振周波数１３２は、カートリッジメモリ１９が磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０と通信を行う場合の周波数として予め定められた周波数であり、例えば、１３．５６ＭＨｚである。

【0080】

容量決定部１３４で用いられる相違度は、例えば、仮共振周波数１５０と基準共振周波数１３２との差分である。なお、差分は、あくまでも一例に過ぎず、例えば、仮共振周波数１５０及び基準共振周波数１３２のうちの一方に対する他方の割合であってもよく、仮共振周波数１５０が基準共振周波数１３２から乖離している度合いを特定可能な値であればよい。

【0081】

一例として図１３に示すように、容量決定部１３４は、外部コンデンサ実装装置１２８に、決定した容量に関する情報である容量情報を送信する。外部コンデンサ実装装置１２８は、容量決定部１３４から送信された容量情報を受信する。外部コンデンサ実装装置１２８は、ＩＣチップ実装装置１２４からＩＣチップ実装済み未完成ＣＭ１５４を取得し、容量情報によって示される容量を有する外部コンデンサ５４を表面実装方式でＩＣチップ実装済み未完成ＣＭ１５４に実装する。具体的には、製造ラインには、異なる容量を有する複数種類のコンデンサが予め用意されており、外部コンデンサ実装装置１２８は、複数種類のコンデンサのうち、決定した容量に最も近い容量を有するコンデンサを外部コンデンサ５４としてＩＣチップ実装済み未完成ＣＭ１５４に実装する。これにより、基準共振周波数１３２を有する共振回路９２が形成される。

【0082】

次に、本実施形態による共振回路形成システム１２０の作用について図１４を参照しながら説明する。

【0083】

一例として図１４に示す共振回路９２の製造工程では、先ず、ステップＳＴ１０１で、ＩＣチップ実装装置１２４は、ＩＣチップ５２を未完成ＣＭ１５２のコイル６０に接続する。この後、製造工程は、ステップＳＴ１０２に移行する。

【0084】

ステップＳＴ１０２で、ＩＣチップ実装装置１２４は、未完成ＣＭ１５２のコイル６０に接続したＩＣチップ５２を封止材５６で封止することにより、ＩＣチップ実装済み未完成ＣＭ１５４を形成する。この後、製造工程は、ステップＳＴ１０３に移行する。

【0085】

ステップＳＴ１０３で、仮共振周波数測定装置１２６は、ＩＣチップ実装済み未完成ＣＭ１５４に形成された仮共振回路１４８の共振周波数である仮共振周波数１５０を測定する。この後、製造工程は、ステップＳＴ１０４に移行する。

【0086】

ステップＳＴ１０４で、仮共振周波数測定装置１２６は、測定した仮共振周波数１５０を示す仮共振周波数信号１４４を容量決定部１３４に送信する。容量決定部１３４は、仮共振周波数測定装置１２６から送信された仮共振周波数信号１４４を受信する。この後、製造工程は、ステップＳＴ１０５に移行する。

【0087】

ステップＳＴ１０５で、容量決定部１３４は、ＮＶＭ１２２Ｂから読み出した基準共振周波数１３２と、仮共振周波数信号１４４に含まれる仮共振周波数１５０との相違度に基づき、外部コンデンサ５４の容量を決定する。容量決定部１３４は、決定した容量を示す容量情報を外部コンデンサ実装装置１２８に送信する。この後、製造工程はステップＳＴ１０６に移行する。

【0088】

ステップＳＴ１０６で、外部コンデンサ実装装置１２８は、容量情報によって示される容量を有する外部コンデンサ５４を、ＩＣチップ実装済み未完成ＣＭ１５４のコイル６０に接続する。これにより、共振回路９２が形成される。

【0089】

以上説明したように、カートリッジメモリ１９は、ＩＣチップ５２と外部コンデンサ５４とを備える。ＩＣチップ５２は、内蔵コンデンサ８０を有し、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦが作用することで電力を誘起するコイル６０が形成された基板２６に実装されている。外部コンデンサ５４は、ＩＣチップ５２に対して外付けされている。内蔵コンデンサ８０、外部コンデンサ５４、及びコイル６０は、磁界ＭＦが作用することで予め定められた共振周波数で共振する共振回路９２を構成する。ＩＣチップ５２は、共振回路９２によって生成された電力を用いて動作する。カートリッジメモリ１９の製造方法は、外部コンデンサ５４がＩＣチップ５２に接続されていない状態で、かつ、ＩＣチップ５２がコイル６０に接続されている状態で仮共振周波数１５０を測定すること、及び、カートリッジメモリ１９が磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０と通信を行う場合の基準共振周波数１３２と、仮共振周波数１５０との相違度に基づいて外部コンデンサ５４の容量を決定すること、を含む。従って、本構成によれば、基準共振周波数１３２と仮共振周波数１５０との相違度を全く考慮せずに外部コンデンサ５４の容量が決定される場合に比べ、共振回路９２の共振周波数を基準共振周波数１３２に合わせ易くすることができる。

【0090】

また、カートリッジメモリ１９の製造方法は、決定した容量を有する外部コンデンサ５４を基板２６に実装することにより、共振回路９２を形成することを含む。従って、本構成によれば、基準共振周波数１３２と仮共振周波数１５０との相違度を全く考慮せずに外部コンデンサ５４の容量が決定される場合に比べ、共振回路９２の共振周波数を基準共振周波数１３２に合わせ易くすることができる。

【0091】

また、カートリッジメモリ１９の製造方法では、外部コンデンサ５４が基板２６に対して表面実装方式で接続されることにより、共振回路９２が形成される。従って、本構成によれば、外部コンデンサ５４がスルーホール実装方式で基板２６に接続される場合に比べ、省スペースで外部コンデンサ５４を基板２６に対して実装することができる。

【0092】

また、カートリッジメモリ１９の製造方法では、コイル６０に接続されている状態のＩＣチップ５２が封止材５６で封止された後に、決定した容量を有する外部コンデンサ５４が基板２６に実装される。従って、本構成によれば、外部コンデンサ５４を基板２６に実装する前に、コイル６０とＩＣチップ５２との接続を保護することができる。

【0093】

また、カートリッジメモリ１９の製造方法では、外部コンデンサ５４がＩＣチップ５２に接続されていない状態で、ＩＣチップ５２がコイル６０に接続された後、仮共振周波数１５０が測定される。従って、本構成によれば、外部コンデンサ５４がＩＣチップ５２に接続された状態で仮共振周波数１５０が測定される場合に比べ、仮共振周波数１５０を正しく測定することができる。

【0094】

また、カートリッジメモリ１９の製造方法は、仮共振周波数１５０を示す仮共振周波数信号１４４を送信すること、及び、送信した仮共振周波数信号１４４を受信すること、を更に含む。カートリッジメモリ１９の製造方法では、受信した仮共振周波数信号１４４により示される仮共振周波数１５０に基づいて、外部コンデンサ５４の容量が決定される。従って、本構成によれば、仮共振周波数信号１４４の送受信を行わずに外部コンデンサ５４の容量が決定される場合に比べ、外部コンデンサ５４の容量を短時間で決定することができる。

【0095】

また、カートリッジメモリ１９の製造方法において、内蔵コンデンサ８０と各種の駆動素子とはＩＣチップ化されている。従って、本構成によれば、内蔵コンデンサ８０と各種の駆動素子とがＩＣチップ化されていない場合に比べ、内蔵コンデンサ８０と各種の駆動素子とを容易に基板２６に実装することができる。

【0096】

また、カートリッジメモリ１９の製造方法において、基板２６は、フレキシブルタイプの基板である。従って、本構成によれば、非フレキシブルタイプの基板を用いる場合に比べ、割れにくいカートリッジメモリ１９を形成することができる。

【0097】

なお、上記実施形態では、ＩＣチップ実装装置１２４は、作業員の操作によって、ＩＣチップ５２を未完成ＣＭ１５２に実装する形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。ＩＣチップ実装装置１２４は、制御装置１２１からの指示に応じて、ＩＣチップ５２を未完成ＣＭ１５２に実装してもよい。

【0098】

また、上記実施形態では、容量決定部１３４からの指示に従って、仮共振周波数測定装置１２６が仮共振回路１４８の仮共振周波数１５０を測定し、測定した仮共振周波数１５０を示す仮共振周波数信号１４４を容量決定部１３４に送信する形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。作業員が、インピーダンスアナライザ又はオシロスコープ等を用いて仮共振周波数１５０を測定し、測定した仮共振周波数１５０を示す仮共振周波数信号１４４を、受付デバイス１３６を介してコンピュータ１２２に入力してもよい。

【0099】

また、上記実施形態では、ＩＣチップ５２とコイル６０とがワイヤ接続方式で接続されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１５に示すように、ＩＣチップ５２がフリップチップ接続方式で接続されていてもよい。この場合、例えば、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が第１導通部６２Ａに直接接続され、他方の端子が第２導通部６２Ｂに直接接続される。

【0100】

また、上記実施形態では、傾斜角度θとして４５度を例示したが、本開示の技術はこれに限定されず、一例として図１６に示すように、カートリッジメモリ１９の基準面１６Ａ１に対する傾斜角度として、傾斜角度θよりも小さな傾斜角度θ１が採用されてもよい。傾斜角度θ１の一例としては３０度が挙げられる。傾斜角度θ１は、傾斜角度θよりも小さな角度であるので、傾斜角度θの場合に比べ、コイル６０（図７参照）に対して多くの磁力線を貫通させることができる。この結果、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態で、コイル６０は、傾斜角度θの場合に比べ、大きな誘導電流を得ることができる。

【0101】

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。

【0102】

本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。

【0103】

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

【符号の説明】

【0104】

１０ 磁気テープカートリッジ
１２ ケース
１２Ａ 右壁
１２Ｂ 開口
１４ 上ケース
１４Ａ 天板
１４Ａ１ 内面
１６ 下ケース
１６Ａ 底板
１６Ａ１ 基準面
１６Ｂ 後壁
１８ カートリッジリール
１８Ａ リールハブ
１８Ｂ１ 上フランジ
１８Ｂ２ 下フランジ
１９ カートリッジメモリ
２０ 支持部材
２０Ａ 第１傾斜台
２０Ａ１，２０Ｂ１ 傾斜面
２０Ｂ 第２傾斜台
２２ 位置規制リブ
２４ リブ
２４Ａ 先端面
２６ 基板
２６Ａ 表面
２６Ｂ 裏面
３０ 磁気テープドライブ
３４ 搬送装置
３６ 読取ヘッド
３８ 制御装置
４０ 送出モータ
４２ 巻取リール
４４ 巻取モータ
４６ 読取素子
４８ ホルダ
５０ 非接触式読み書き装置
５２ ＩＣチップ
５４ 外部コンデンサ
５４Ａ，５４Ｂ 電極
５６ 封止材
６０ コイル
６２Ａ 第１導通部
６２Ｂ 第２導通部
６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ，６４Ｄ ワイヤ
７０ 電力生成器
８０ 内蔵コンデンサ
８２ 電源回路
８４ コンピュータ
８６ クロック信号生成器
８８ 信号処理回路
９２ 共振回路
１２０ 共振回路形成システム
１２１ 制御装置
１２２ コンピュータ
１２２Ａ ＣＰＵ
１２２Ｂ ＮＶＭ
１２２Ｃ ＲＡＭ
１２２Ｄ バス
１２４ ＩＣチップ実装装置
１２６ 仮共振周波数測定装置
１２８ 外部コンデンサ実装装置
１３０ 容量決定プログラム
１３２ 基準共振周波数
１３４ 容量決定部
１３６ 受付デバイス
１３８ ディスプレイ
１４２ 仮共振周波数測定指示
１４４ 仮共振周波数信号
１４８ 仮共振回路
１５０ 仮共振周波数
１５２ 未完成カートリッジメモリ
１５４ ＩＣチップ実装済み未完成カートリッジメモリ
Ａ，Ｂ，Ｃ 矢印
ＧＲ ガイドローラ
ＭＦ 磁界
ＭＴ 磁気テープ
θ，θ１ 傾斜角度

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】