特開 2023-100449 補助露光装置、露光方法および記憶媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023100449

(43)【公開日】2023-07-19

(54)【発明の名称】補助露光装置、露光方法および記憶媒体

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20230711BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 501

G03F7/20 521

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022001136

(22)【出願日】2022-01-06

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】藤原 慎

(72)【発明者】

【氏名】西山 淳

【テーマコード（参考）】

2H197

【Ｆターム（参考）】

2H197AA47

2H197AB16

2H197BA04

2H197BA09

2H197CA01

2H197CD25

2H197CD29

2H197CD45

2H197DA09

2H197HA02

2H197HA03

2H197HA04

2H197HA05

2H197HA10

2H197JA13

(57)【要約】

【課題】被処理基板の各製品エリア周辺での露光分解能を向上すること。
【解決手段】補助露光装置は、搬送部と、光源ユニットと、集光レンズとを備える。搬送部は、複数の製品エリアおよび各製品エリアの周辺に位置する周辺エリアを含む被処理基板を第１方向に搬送する。光源ユニットは、第１方向と交差する第２方向に複数の光源を配列して形成され、第１方向に搬送される被処理基板に光を照射する。集光レンズは、光源ユニットと被処理基板との間に配置され、光源ユニットによって被処理基板の第２方向に延びる周辺エリアに照射される光を第１方向に沿って集光する。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の製品エリアおよび各前記製品エリアの周辺に位置する周辺エリアを含む被処理基板を第１方向に搬送する搬送部と、
前記第１方向と交差する第２方向に複数の光源を配列して形成され、前記第１方向に搬送される前記被処理基板に光を照射する光源ユニットと、
前記光源ユニットと前記被処理基板との間に配置され、前記光源ユニットによって前記被処理基板の前記第２方向に延びる前記周辺エリアに照射される光を前記第１方向に沿って集光する集光レンズと
を備える、補助露光装置。

【請求項2】

前記被処理基板の前記第１方向に延びる前記周辺エリアに対応する位置に配置され、前記第１方向に搬送される前記被処理基板に光を照射する局所光源と、
前記局所光源と前記被処理基板との間に配置され、前記局所光源によって前記被処理基板の前記第１方向に延びる前記周辺エリアに照射される光を前記第２方向に沿って集光する局所集光レンズと
をさらに備える、請求項１に記載の補助露光装置。

【請求項3】

各部を制御する制御部をさらに備え、
前記制御部は、
前記被処理基板の前記第２方向に延びる前記周辺エリアに対する露光処理を行う場合、前記周辺エリアと前記集光レンズとが対向する位置で前記光源ユニットによって前記周辺エリアに光を照射し、
前記被処理基板の前記第１方向に延びる前記周辺エリアに対する露光処理を行う場合、前記局所光源によって前記周辺エリアに光を照射する、請求項２に記載の補助露光装置。

【請求項4】

前記集光レンズと前記被処理基板との間に配置され、前記被処理基板の前記第１方向に延びる前記周辺エリアに隣接する他のエリアを遮蔽するマスク部材をさらに備え、
前記光源ユニットは、前記マスク部材を介して、前記被処理基板の前記第１方向に延びる前記周辺エリアに光を照射する、請求項１に記載の補助露光装置。

【請求項5】

前記マスク部材を、前記集光レンズと前記被処理基板との間における処理位置と、予め定められた退避位置との間で移動させる移動部と、
各部を制御する制御部と
をさらに備え、
前記制御部は、
前記被処理基板の前記第２方向に延びる前記周辺エリアに対する露光処理を行う場合、前記移動部によって前記マスク部材を前記退避位置に退避させ、前記集光レンズと前記周辺エリアとが対向する位置で前記光源ユニットによって前記周辺エリアに光を照射し、
前記被処理基板の前記第１方向に延びる前記周辺エリアに対する露光処理を行う場合、前記移動部によって前記退避位置から前記処理位置に前記マスク部材を移動させ、前記光源ユニットによって前記処理位置に位置する前記マスク部材を介して前記周辺エリアに光を照射する、請求項４に記載の補助露光装置。

【請求項6】

前記集光レンズと前記被処理基板との間に配置され、前記被処理基板を遮蔽しない第１モードと、前記被処理基板の前記第１方向に延びる前記周辺エリアに隣接する他のエリアを遮蔽する第２モードとの間で遷移可能な液晶モジュールをさらに備え、
前記光源ユニットは、前記第２モードの前記液晶モジュールを介して、前記被処理基板の前記第１方向に延びる前記周辺エリアに光を照射する、請求項１に記載の補助露光装置。

【請求項7】

各部を制御する制御部をさらに備え、
前記制御部は、
前記被処理基板の前記第２方向に延びる前記周辺エリアに対する露光処理を行う場合、前記液晶モジュールを前記第１モードに遷移させ、前記集光レンズと前記周辺エリアとが対向する位置で前記光源ユニットによって前記第１モードの前記液晶モジュールを介して前記周辺エリアに光を照射し、
前記被処理基板の前記第１方向に延びる前記周辺エリアに対する露光処理を行う場合、前記液晶モジュールを前記第２モードに遷移させ、前記光源ユニットによって前記第２モードの前記液晶モジュールを介して前記周辺エリアに光を照射する、請求項６に記載の補助露光装置。

【請求項8】

各部を制御する制御部をさらに備え、
前記制御部は、
前記第１方向に前記被処理基板が搬送される間、前記被処理基板の前記第２方向に延びる前記周辺エリアと前記集光レンズとが対向する位置で前記光源ユニットによって第１照度で前記周辺エリアに光を照射し、
前記被処理基板の各前記製品エリアと前記集光レンズとが対向する位置で前記光源ユニットによって前記第１照度とは異なる第２照度で各前記製品エリアに光を照射する、請求項１に記載の補助露光装置。

【請求項9】

複数の製品エリアおよび各前記製品エリアの周辺に位置する周辺エリアを含む被処理基板を第１方向に搬送する搬送部と、
前記第１方向と交差する第２方向に複数の光源を配列して形成され、前記第１方向に搬送される前記被処理基板に光を照射する光源ユニットと、
前記光源ユニットと前記被処理基板との間に配置され、前記光源ユニットから前記被処理基板の前記第２方向に延びる前記周辺エリアに照射される光を前記第１方向に沿って集光する集光レンズと、
前記被処理基板の前記第１方向に延びる前記周辺エリアに対応する位置に配置され、前記第１方向に搬送される前記被処理基板に光を照射する局所光源と、
前記局所光源と前記被処理基板との間に配置され、前記局所光源から前記被処理基板の前記第１方向に延びる前記周辺エリアに照射される光を前記第２方向に沿って集光する局所集光レンズと
を備える補助露光装置における露光方法であって、
前記被処理基板の前記第２方向に延びる前記周辺エリアに対する露光処理を行う場合、前記周辺エリアと前記集光レンズとが対向する位置で前記光源ユニットによって前記周辺エリアに光を照射し、
前記被処理基板の前記第１方向に延びる前記周辺エリアに対する露光処理を行う場合、前記局所光源によって前記周辺エリアに光を照射する
ことを含む、露光方法。

【請求項10】

請求項９に記載の露光方法をコンピュータに実行させるプログラムを記憶した記憶媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、補助露光装置、露光方法および記憶媒体に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、被処理基板上に塗布されたレジスト膜に対し、例えばマスクのパターンを転写する通常の露光装置とは別に、局所的な露光処理を行う補助露光装置が知られている。

【0003】

例えば、特許文献１には、複数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子をライン状に配列してなる光源ユニットを備えた補助露光装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１３－１８６１９１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は、被処理基板の各製品エリア周辺での露光分解能を向上することができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様による補助露光装置は、搬送部と、光源ユニットと、集光レンズとを備える。搬送部は、複数の製品エリアおよび各製品エリアの周辺に位置する周辺エリアを含む被処理基板を第１方向に搬送する。光源ユニットは、第１方向と交差する第２方向に複数の光源を配列して形成され、第１方向に搬送される被処理基板に光を照射する。集光レンズは、光源ユニットと被処理基板との間に配置され、光源ユニットによって被処理基板の第２方向に延びる周辺エリアに照射される光を第１方向に沿って集光する。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、被処理基板の各製品エリア周辺での露光分解能を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、第１実施形態に係る基板処理システムの構成を示す模式的な平面図である。

【図2】図２は、基板処理システムにおける１枚のガラス基板に対する全工程の処理手順を示すフローチャートである。

【図3】図３は、第１実施形態に係るガラス基板の構成を示す図である。

【図4】図４は、第１実施形態に係る補助露光装置を左右方向から見た図である。

【図5】図５は、第１実施形態に係る補助露光装置を前後方向から見た図である。

【図6】図６は、第１実施形態に係る補助露光装置による処理動作の一例を示す説明図である。

【図7】図７は、第２実施形態に係るガラス基板の構成を示す図である。

【図8】図８は、第２実施形態に係る補助露光装置を左右方向から見た図である。

【図9】図９は、第２実施形態に係る補助露光装置を前後方向から見た図である。

【図10】図１０は、第２実施形態に係る補助露光装置による処理動作の一例を示す説明図である。

【図11】図１１は、第３実施形態に係る補助露光装置を左右方向から見た図である。

【図12】図１２は、第３実施形態に係る補助露光装置を前後方向から見た図である。

【図13】図１３は、第３実施形態に係る補助露光装置による処理動作の一例を示す説明図である。

【図14】図１４は、第４実施形態に係る補助露光装置を左右方向から見た図である。

【図15】図１５は、第４実施形態に係る補助露光装置を前後方向から見た図である。

【図16】図１６は、第４実施形態に係る補助露光装置による処理動作の一例を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、本開示によるノズル、補助露光装置、露光方法および記憶媒体を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

【0010】

また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。

【0011】

また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。

【0012】

また、ここでは、Ｘ軸正方向を前方とし、Ｘ軸負方向を後方とする前後方向を規定し、Ｙ軸正方向を左方とし、Ｙ軸負方向を右方とする左右方向を規定する。また、Ｚ軸正方向を上方とし、Ｚ軸負方向を下方とする上下方向を規定する。

【0013】

ところで、ＬＥＤ素子を用いた場合の露光分解能は、ＬＥＤ素子から照射される光の拡大による制約を受ける可能性がある。例えば、被処理基板の各製品エリアの周辺に位置する周辺エリアに対して局所的な露光処理を行う場合、ＬＥＤ素子から照射される光の照射範囲が周辺エリアよりも拡大して各製品エリアに重なるため、各製品エリア周辺での露光分解能が低下する。

【0014】

そこで、被処理基板の各製品エリア周辺での露光分解能を向上することが期待されている。

【0015】

（第１実施形態）
＜基板処理システムの構成＞
第１実施形態に係る基板処理システム１００の構成について図１を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理システム１００の構成を示す模式的な平面図である。

【0016】

基板処理システム１００は、クリーンルーム内に設置される。基板処理システム１００は、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）用のガラス基板Ｇを被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィ工程中の洗浄、レジスト塗布、プリベイク、現像およびポストベイク等の一連の処理を行う。露光処理は、基板処理システム１００に隣接して設置される外部の露光装置２０（ＥＸＰ）で行われる。

【0017】

基板処理システム１００は、カセットステーション１と、搬入部２（ＩＮ ＰＡＳＳ）とを備える。また、基板処理システム１００は、洗浄装置３（ＳＣＲ）と、第１乾燥部４（ＤＲ）と、第１冷却部５（ＣＯＬ）と、塗布装置６（ＣＯＴ）と、第２乾燥部７（ＤＲ）と、プリベイク部８（ＰＲＥ ＢＡＫＥ）と、第２冷却部９（ＣＯＬ）とを備える。また、基板処理システム１００は、インタフェースステーション１０と、補助露光装置１１（ＡＥ）とを備える。また、基板処理システム１００は、現像装置１２（ＤＥＶ）と、ポストベイク部１３（ＰＯＳＴ ＢＡＫＥ）と、第３冷却部１４（ＣＯＬ）と、検査部１５（ＩＰ）と、搬出部１６（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）と、制御部１７とを備える。

【0018】

カセットステーション１とインタフェースステーション１０との間には、ガラス基板Ｇをカセットステーション１からインタフェースステーション１０へ搬送する搬送往路が設けられている。かかる搬送往路上には、搬入部２、洗浄装置３、第１乾燥部４、第１冷却部５、塗布装置６、第２乾燥部７、プリベイク部８および第２冷却部９が、カセットステーション１からインタフェースステーション１０に向かってこの順番で設けられる。

【0019】

また、カセットステーション１とインタフェースステーション１０との間には、ガラス基板Ｇをインタフェースステーション１０からカセットステーション１へ搬送するための搬送復路が設けられている。かかる搬送復路上には、補助露光装置１１、現像装置１２、ポストベイク部１３、第３冷却部１４、検査部１５および搬出部１６が、インタフェースステーション１０からカセットステーション１に向かってこの順番で配置されている。なお、搬送往路および搬送復路は、例えばコロ搬送路等により構成される。

【0020】

カセットステーション１は、ガラス基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容したカセットＣを搬入出するポートである。カセットステーション１は、水平な一方向（Ｙ軸方向）に例えば４個並べて載置可能なカセットステージ１ａと、カセットステージ１ａ上のカセットＣに対してガラス基板Ｇの出し入れを行う搬送装置１ｂとを備える。搬送装置１ｂは、ガラス基板Ｇを保持する搬送アームを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するカセットステージ１ａ、搬入部２および搬出部１６との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

【0021】

インタフェースステーション１０は、搬送装置１０ａを備える。搬送装置１０ａは、ガラス基板Ｇを保持する搬送アームを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接する第２冷却部９、補助露光装置１１および露光装置２０との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。なお、インタフェースステーション１０には、搬送装置１０ａの他に、例えば、周辺露光装置やタイトラー等の装置が配置されていてもよい。周辺露光装置は、ガラス基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光処理を行う。タイトラーは、ガラス基板Ｇ上の所定の部位に所定の情報を記録する。

【0022】

制御部１７は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）であり、図示しない記憶部に記憶された図示しないプログラムを読み出して実行することにより、基板処理システム１００全体を制御する。制御部１７は、プログラムを用いずにハードウェアのみで構成されてもよい。

【0023】

図２は、基板処理システム１００における１枚のガラス基板Ｇに対する全工程の処理手順を示すフローチャートである。先ず、カセットステーション１において、搬送装置１ｂが、カセットステージ１ａ上のいずれか１つのカセットＣからガラス基板Ｇを取り出し、取り出したガラス基板Ｇを搬入部２へ搬入する（ステップＳ１０１）。

【0024】

搬入部２に搬入されたガラス基板Ｇは、搬送往路上を搬送されて洗浄装置３に搬入されて洗浄処理が施される（ステップＳ１０２）。ここで、洗浄装置３は、搬送往路上を水平に移動するガラス基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施す。洗浄装置３における一連の洗浄処理を終えると、ガラス基板Ｇは第１乾燥部４に搬入される。

【0025】

つづいて、ガラス基板Ｇは、第１乾燥部４において所定の乾燥処理を施された後（ステップＳ１０３）、第１冷却部５に搬入されて所定の温度まで冷却される（ステップＳ１０４）。その後、ガラス基板Ｇは、塗布装置６に搬入される。

【0026】

塗布装置６において、ガラス基板Ｇは、例えばスリットノズルを用いたスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液が塗布される（ステップＳ１０５）。その後、ガラス基板Ｇは、第２乾燥部７に搬入され、例えば減圧による常温の乾燥処理を受ける（ステップＳ１０６）。

【0027】

第２乾燥部７から搬出されたガラス基板Ｇは、プリベイク部８に搬入され、プリベイク部８において所定の温度で加熱される（ステップＳ１０７）。この処理により、ガラス基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、ガラス基板Ｇに対するレジスト膜の密着性が強化される。

【0028】

つづいて、ガラス基板Ｇは、第２冷却部９に搬入され、第２冷却部９において所定の温度まで冷却される（ステップＳ１０８）。その後、ガラス基板Ｇは、インタフェースステーション１０の搬送装置１０ａによって露光装置２０に搬入される。なお、ガラス基板Ｇは、露光装置２０に搬入される前に図示しない周辺露光装置に搬入されてもよい。

【0029】

露光装置２０では、ガラス基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される（ステップＳ１０９）。そして、パターン露光を終えたガラス基板Ｇは、インタフェースステーション１０の搬送装置１０ａによって露光装置２０から搬出されて補助露光装置１１へ搬入される。なお、ガラス基板Ｇは、補助露光装置１１に搬入される前に図示しないタイトラーに搬入されてもよい。

【0030】

補助露光装置１１では、露光処理後のガラス基板Ｇに対し、現像処理後に得られるレジストパターンの膜厚や線幅の均一性を向上させるための局所的な露光処理（以下、適宜「補助露光処理」と呼ぶ。）が行われる（ステップＳ１１０）。補助露光処理を終えたガラス基板Ｇは、現像装置１２に搬入され、現像装置１２において現像、リンスおよび乾燥の一連の現像処理が施される（ステップＳ１１１）。

【0031】

現像処理を終えたガラス基板Ｇは、ポストベイク部１３に搬入され、ポストベイク部１３において現像処理後の熱処理が施される（ステップＳ１１２）。これにより、ガラス基板Ｇのレジスト膜に残存していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。その後、ガラス基板Ｇは、第３冷却部１４に搬入され、第３冷却部１４において所定の温度まで冷却される（ステップＳ１１３）。

【0032】

つづいて、ガラス基板Ｇは、検査部１５に搬入される。検査部１５では、ガラス基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ１１４）。検査部１５における検査結果は、制御部１７に出力され、制御部１７によって図示しない記憶部に記憶される。

【0033】

搬出部１６は、検査を終えたガラス基板Ｇを検査部１５から受け取って、カセットステーション１の搬送装置１ｂへ渡す。搬送装置１ｂは、搬出部１６から受け取った処理済みのガラス基板ＧをカセットＣに収容する（ステップＳ１１５）。以上により、１枚のガラス基板Ｇに対する基板処理の全工程が終了する。

【0034】

＜ガラス基板の構成＞
次に、第１実施形態に係るガラス基板Ｇの構成について図３を参照して説明する。図３は、第１実施形態に係るガラス基板Ｇの構成を示す図である。図３に示すように、ガラス基板Ｇは、複数の（ここでは、８つの）製品エリアＡ１および各製品エリアＡ１の周辺に位置する周辺エリアＡ２を含んで構成される。

【0035】

製品エリアＡ１は、ＬＣＤに対応する回路パターンが形成されるレジストの領域である。ガラス基板Ｇには、複数の製品エリアＡ１がマトリクス状に配列されている。

【0036】

周辺エリアＡ２は、ＬＣＤを駆動する駆動回路に対応する回路パターン（以下適宜「駆動回路パターン」と呼ぶ。）が形成されるレジストの領域である。周辺エリアＡ２は、第１周辺エリアＡ２ａと、第２周辺エリアＡ２ｂとを含んでいる。第１周辺エリアＡ２ａは、補助露光装置１１におけるガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向、図４参照）と交差する左右方向（Ｙ軸方向）に延びている。第２周辺エリアＡ２ｂは、補助露光装置１１におけるガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向）に延びている。ガラス基板Ｇにおいては、駆動回路パターンが第１周辺エリアＡ２ａまたは第２周辺エリアＡ２ｂに形成される。本実施形態では、３つの第１周辺エリアＡ２ａの各々に、駆動回路パターンが形成されている。図３においては、３つの第１周辺エリアＡ２ａの各々に形成される駆動回路パターンが斜線により示されている。

【0037】

＜補助露光装置の構成＞
次に、第１実施形態に係る補助露光装置１１の構成について図４および図５を参照して説明する。図４は、第１実施形態に係る補助露光装置１１を左右方向から見た図である。図５は、第１実施形態に係る補助露光装置を前後方向から見た図である。

【0038】

図４に示すように、補助露光装置１１は、ガラス基板Ｇを走査方向（Ｘ軸負方向）に搬送する平流し搬送部３０と、平流し搬送部３０によって搬送されるガラス基板Ｇ上のレジストに光、具体的には所定波長の紫外線（ＵＶ）を照射する光源ユニット３２とを備える。また、補助露光装置１１は、装置内の各部を制御するための制御部１７と、制御部１７で用いる各種プログラムおよびデータを蓄積または保存するメモリ４２とを備える。

【0039】

平流し搬送部３０は、例えば多数のコロ４４を搬送方向に敷設してなるコロ搬送路４６と、コロ搬送路４６上でガラス基板Ｇを搬送するために各コロ４４を例えばベルトやギア等を有する伝動機構４８を介して回転駆動する走査駆動部５０とを有している。コロ搬送路４６は、図１に示す基板処理システム１００において、インタフェースステーション１０からカセットステーション１への搬送復路の一部を構成する。

【0040】

平流し搬送部３０は、露光処理後のガラス基板Ｇを平流しで補助露光装置１１内に搬入し、補助露光装置１１内で補助露光処理の走査のためにガラス基板Ｇを平流しで搬送し、補助露光処理を終えたガラス基板Ｇを平流しで現像装置１２へ搬出する。なお、制御部１７は、コロ搬送路４６の所々に配置されている位置センサ（図示せず）を通じてガラス基板Ｇの現時の位置を検出ないし把握できるようになっている。

【0041】

光源ユニット３２は、コロ搬送路４６の上方に配置され、図示しない支持部材により支持される。図５に示すように、光源ユニット３２は、走査方向と交差する左右方向（Ｙ軸方向）に複数の光源３２１を配列して形成される。光源３２１は、紫外線（ＵＶ）を出射する。光源３２１は、例えばＬＥＤ素子である。光源３２１としては、例えばレーザービーム発生器等の他の光源を用いてもよい。光源ユニット３２は、複数の光源３２１を個別に点灯および消灯することができる。かかる光源ユニット３２は、走査方向（Ｘ軸負方向）に搬送されるガラス基板Ｇに光を照射する。

【0042】

ところで、補助露光装置１１においては、ＬＥＤ素子である光源３２１を用いた場合の露光分解能は、光源３２１から照射される光の拡大による制約を受ける可能性がある。例えば、ガラス基板Ｇの第１周辺エリアＡ２ａ（図３参照）に対して局所的な露光処理を行う場合、光源３２１から照射される光の照射範囲が第１周辺エリアＡ２ａよりも拡大して各製品エリアＡ１に重なるため、各製品エリアＡ１周辺での露光分解能が低下する。

【0043】

そこで、図４および図５に示すように、本実施形態に係る補助露光装置１１は、光源ユニット３２とガラス基板Ｇとの間に集光レンズ３４を配置した。集光レンズ３４は、例えば、走査方向（Ｘ軸負方向）に対する集光性を有するリニアフレネルレンズである。集光レンズ３４は、光源ユニット３２によってガラス基板Ｇの第１周辺エリアＡ２ａに照射される光を走査方向（Ｘ軸負方向）に沿って集光する。

【0044】

具体的には、集光レンズ３４は、光源ユニット３２の下方を通過するガラス基板Ｇの第１周辺エリアＡ２ａに対し、光源ユニット３２から照射される光を走査方向（Ｘ軸負方向）に沿って縮小して投射する。

【0045】

かかる集光レンズ３４では、光源ユニット３２から照射される光の照射範囲をガラス基板Ｇの第１周辺エリアＡ２ａの範囲内に収めることができる。言い換えれば、集光レンズ３４を用いることにより、光源ユニット３２によってガラス基板Ｇの第１周辺エリアＡ２ａに照射される光の照射範囲と各製品エリアＡ１との重なりを回避することができる。したがって、本実施形態に係る補助露光装置１１によれば、ＬＥＤ素子から照射される光の拡大による制約を受ける従来の補助露光装置と比較して、ガラス基板Ｇの各製品エリアＡ１周辺での露光分解能を向上することができる。特に、本実施形態に係る補助露光装置１１によれば、ガラス基板Ｇの左右方向（Ｙ軸方向）に延びる第１周辺エリアＡ２ａでの露光分解能を向上することができる。

【0046】

＜補助露光装置による処理動作＞
次に、第１実施形態に係る補助露光装置１１による処理動作について、図６を参照して説明する。図６は、第１実施形態に係る補助露光装置１１による処理動作の一例を示す説明図である。

【0047】

制御部１７は、平流し搬送部３０を制御して、ガラス基板Ｇを走査方向（Ｘ軸負方向）に搬送する。制御部１７は、ガラス基板Ｇの左右方向（Ｙ軸方向）に延びる第１周辺エリアＡ２ａに対する補助露光処理を行う場合、第１周辺エリアＡ２ａと集光レンズ３４とが対向する位置で光源ユニット３２によって第１周辺エリアＡ２ａに光を照射する。これにより、ガラス基板Ｇの第１周辺エリアＡ２ａと集光レンズ３４とが対向するたびに、光源ユニット３２から照射される光が集光レンズ３４により走査方向（Ｘ軸負方向）に沿って縮小されて第１周辺エリアＡ２ａに投射される。図６の例では、第１周辺エリアＡ２ａと集光レンズ３４とが対向する３つの位置が破線により示されている。

【0048】

このように、補助露光装置１１の制御部１７は、ガラス基板Ｇの第１周辺エリアＡ２ａに対する補助露光処理を行う場合、第１周辺エリアＡ２ａと集光レンズ３４とが対向する位置で光源ユニット３２によって第１周辺エリアＡ２ａに光を照射してもよい。このようにすることで、第１周辺エリアＡ２ａと集光レンズ３４とが対向する位置ごとに、光源ユニット３２から照射される光が集光レンズ３４により走査方向（Ｘ軸負方向）に沿って縮小されることから、走査方向に沿った露光分解能を向上することができる。

【0049】

（第２実施形態）
ところで、ガラス基板Ｇにおいては、第１周辺エリアＡ２ａに代えて、第２周辺エリアＡ２ｂに、駆動回路パターンが形成される場合がある。この場合、駆動回路パターンが形成される第２周辺エリアＡ２ｂが、補助露光処理の対象となる。

【0050】

以下においては、第２実施形態に係る補助露光装置１１の構成を説明する前に、第２実施形態に係るガラス基板Ｇの構成について図７を参照して説明する。図７は、第２実施形態に係るガラス基板Ｇの構成を示す図である。図７に示すガラス基板Ｇにおいては、駆動回路パターンが第２周辺エリアＡ２ｂに形成される。本実施形態では、３つの第２周辺エリアＡ２ｂの各々に、駆動回路パターンが形成されている。図７においては、３つの第２周辺エリアＡ２ｂの各々に形成される駆動回路パターンが斜線により示されている。

【0051】

なお、第２実施形態に係るガラス基板Ｇの構成は、図３に示した第１実施形態に係るガラス基板Ｇの構成と同様であってもよい。すなわち、ガラス基板Ｇにおいて、駆動回路パターンが第１周辺エリアＡ２ａに形成されてもよい。この場合、駆動回路パターンが形成される第１周辺エリアＡ２ａが、補助露光処理の対象となる。補助露光処理の対象となるエリアを特定するためのデータは、メモリ４２に予め格納されている。

【0052】

次に、第２実施形態に係る補助露光装置１１の構成について図８および図９を参照して説明する。図８は、第２実施形態に係る補助露光装置１１を左右方向から見た図である。図９は、第２実施形態に係る補助露光装置１１を前後方向から見た図である。

【0053】

図８および図９に示す補助露光装置１１は、図４に示した構成に加えて、局所光源３３と、局所集光レンズ３５とを備える。

【0054】

局所光源３３は、ガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向）に延びる第２周辺エリアＡ２ｂに対応する位置に配置され、図示しない支持部材により支持される。局所光源３３の配置位置は、図示しない位置調整機構により微調整可能である。局所光源３３は、紫外線（ＵＶ）を照射する。局所光源３３は、例えばＬＥＤ素子である。局所光源３３としては、例えばレーザービーム発生器等の他の光源を用いてもよい。かかる局所光源３３は、走査方向（Ｘ軸負方向）に搬送されるガラス基板Ｇに光を照射する。

【0055】

局所集光レンズ３５は、局所光源３３とガラス基板Ｇとの間に配置される。局所集光レンズ３５は、例えば、左右方向（Ｙ軸方向）に対する集光性を有するリニアフレネルレンズである。局所集光レンズ３５は、局所光源３３によってガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂに照射される光を左右方向（Ｙ軸方向）に沿って集光する。

【0056】

具体的には、局所集光レンズ３５は、局所光源３３の下方を通過するガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂに対し、局所光源３３から照射される光を左右方向（Ｙ軸方向）に沿って縮小して投射する。

【0057】

かかる局所集光レンズ３５では、局所光源３３から照射される光の照射範囲をガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂの範囲内に収めることができる。言い換えれば、局所光源３３および局所集光レンズ３５を用いることにより、局所光源３３によってガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂに照射される光の照射範囲と各製品エリアＡ１との重なりを回避することができる。したがって、本実施形態に係る補助露光装置１１によれば、ＬＥＤ素子から照射される光の拡大による制約を受ける従来の補助露光装置と比較して、ガラス基板Ｇの各製品エリアＡ１周辺での露光分解能を向上することができる。特に、本実施形態に係る補助露光装置１１によれば、ガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向）に延びる第２周辺エリアＡ２ｂでの露光分解能を向上することができる。

【0058】

次に、第２実施形態に係る補助露光装置１１による処理動作について、図１０を参照して説明する。図１０は、第２実施形態に係る補助露光装置１１による処理動作の一例を示す説明図である。

【0059】

制御部１７は、平流し搬送部３０を制御して、ガラス基板Ｇを走査方向（Ｘ軸負方向）に搬送する。制御部１７は、メモリ４２を参照して、補助露光処理の対象となるエリアを特定するためのデータに基づき、第１周辺エリアＡ２ａおよび第２周辺エリアＡ２ｂのいずれか一方を補助露光処理の対象として特定する。

【0060】

制御部１７は、ガラス基板Ｇの左右方向（Ｙ軸方向）に延びる第１周辺エリアＡ２ａに対する補助露光処理を行う場合、第１周辺エリアＡ２ａと集光レンズ３４とが対向する位置で光源ユニット３２によって第１周辺エリアＡ２ａに光を照射する。これにより、ガラス基板Ｇの第１周辺エリアＡ２ａと集光レンズ３４とが対向する位置ごとに、光源ユニット３２から照射される光が集光レンズ３４により走査方向（Ｘ軸負方向）に沿って縮小されて第１周辺エリアＡ２ａに投射される。制御部１７は、光源ユニット３２によって第１周辺エリアＡ２ａに光を照射する間、局所光源３３を消灯する。

【0061】

一方、制御部１７は、ガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向）に延びる第２周辺エリアＡ２ｂに対する補助露光処理を行う場合、図１０に示すように、局所光源３３によって第２周辺エリアＡ２ｂに光を照射する。これにより、局所光源３３から照射される光が局所集光レンズ３５により左右方向（Ｙ軸方向）に沿って縮小されて第２周辺エリアＡ２ｂに投射される。制御部１７は、局所光源３３によって第２周辺エリアＡ２ｂに光を照射する間、光源ユニット３２を消灯する。図１０の例では、第２周辺エリアＡ２ｂに光を照射する局所光源３３および局所集光レンズ３５の位置が破線により示されている。

【0062】

このように、補助露光装置１１の制御部１７は、ガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向）に延びる第２周辺エリアＡ２ｂに対する補助露光処理を行う場合、局所光源３３によって第２周辺エリアＡ２ｂに光を照射してもよい。このようにすることで、局所光源３３から照射される光が局所集光レンズ３５により左右方向（Ｙ軸方向）に沿って縮小されることから、左右方向に沿った露光分解能を向上することができる。

【0063】

（第３実施形態）

【0064】

次に、第３実施形態に係る補助露光装置１１の構成について図１１および図１２を参照して説明する。図１１は、第３実施形態に係る補助露光装置１１を左右方向から見た図である。図１２は、第３実施形態に係る補助露光装置１１を前後方向から見た図である。第３実施形態に係る補助露光装置１１は、ガラス基板Ｇの第１周辺エリアＡ２ａに対する補助露光処理を行うための構成に加えて、ガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂに対する補助露光処理を行うための構成を有する点が第１実施形態と異なる。

【0065】

図１１および図１２に示す補助露光装置１１は、図４に示した構成に加えて、マスク部材３６と、移動部３７とを備える。

【0066】

マスク部材３６は、集光レンズ３４とガラス基板Ｇとの間に配置される。マスク部材３６は、ガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向）に延びる第２周辺エリアＡ２ｂ（図７参照）に隣接する他のエリアを遮蔽する。マスク部材３６は、ガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂに対応する位置に、第２周辺エリアＡ２ｂよりも幅が狭いスリットを有する。

【0067】

移動部３７は、マスク部材３６を、集光レンズ３４とガラス基板Ｇとの間における処理位置と、予め定められた退避位置との間で移動させる。図１１及び図１２の例では、処理位置に位置するマスク部材３６が示されている。

【0068】

図１２に示すように、本実施形態に係る光源ユニット３２は、処理位置に位置するマスク部材３６を介して、ガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂに光を照射する。光源ユニット３２によって照射される光は、マスク部材３６のスリットを透過する。かかるマスク部材３６では、光源ユニット３２によって照射される光の照射範囲をガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂの範囲内に収めることができる。言い換えれば、マスク部材３６を用いることにより、光源ユニット３２によってガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂに照射される光の照射範囲と各製品エリアＡ１との重なりを回避することができる。したがって、本実施形態に係る補助露光装置１１によれば、ＬＥＤ素子から照射される光の拡大による制約を受ける従来の補助露光装置と比較して、ガラス基板Ｇの各製品エリアＡ１周辺での露光分解能を向上することができる。特に、本実施形態に係る補助露光装置１１によれば、ガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向）に延びる第２周辺エリアＡ２ｂでの露光分解能を向上することができる。

【0069】

次に、第３実施形態に係る補助露光装置１１による処理動作について、図１３を参照して説明する。図１３は、第３実施形態に係る補助露光装置１１による処理動作の一例を示す説明図である。

【0070】

制御部１７は、平流し搬送部３０を制御して、ガラス基板Ｇを走査方向（Ｘ軸負方向）に搬送する。制御部１７は、メモリ４２を参照して、補助露光処理の対象となるエリアを特定するためのデータに基づき、第１周辺エリアＡ２ａおよび第２周辺エリアＡ２ｂのいずれか一方を補助露光処理の対象として特定する。

【0071】

制御部１７は、ガラス基板Ｇの左右方向（Ｙ軸方向）に延びる第１周辺エリアＡ２ａに対する補助露光処理を行う場合、移動部３７によってマスク部材３６を退避位置に退避させる。図１３の例では、退避位置に位置するマスク部材３６が破線により示されている。そして、制御部１７は、第１周辺エリアＡ２ａと集光レンズ３４とが対向する位置で光源ユニット３２によって第１周辺エリアＡ２ａに光を照射する。これにより、ガラス基板Ｇの第１周辺エリアＡ２ａと集光レンズ３４とが対向する位置ごとに、光源ユニット３２から照射される光が集光レンズ３４により走査方向（Ｘ軸負方向）に沿って縮小されて第１周辺エリアＡ２ａに投射される。

【0072】

一方、制御部１７は、ガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向）に延びる第２周辺エリアＡ２ｂに対する補助露光処理を行う場合、図１３に示すように、移動部３７によって退避位置から処理位置にマスク部材３６を移動させる。そして、制御部１７は、光源ユニット３２によって処理位置に位置するマスク部材３６を介して第２周辺エリアＡ２ｂに光を照射する。これにより、光源ユニット３２から照射される光が、マスク部材３６により左右方向（Ｙ軸方向）に沿って絞られて第２周辺エリアＡ２ｂに投射される。

【0073】

このように、補助露光装置１１の制御部１７は、ガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向）に延びる第２周辺エリアＡ２ｂに対する補助露光処理を行う場合、光源ユニット３２によってマスク部材３６を介して第２周辺エリアＡ２ｂに光を照射してもよい。このようにすることで、光源ユニット３２から照射される光が、マスク部材３６により左右方向（Ｙ軸方向）に沿って絞られることから、左右方向に沿った露光分解能を向上することができる。

【0074】

（第４実施形態）
次に、第４実施形態に係る補助露光装置１１の構成について図１４および図１５を参照して説明する。図１４は、第４実施形態に係る補助露光装置１１を左右方向から見た図である。図１５は、第４実施形態に係る補助露光装置１１を前後方向から見た図である。第４実施形態に係る補助露光装置１１は、ガラス基板Ｇの第１周辺エリアＡ２ａに対する補助露光処理を行うための構成に加えて、ガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂに対する補助露光処理を行うための構成を有する点が第１実施形態と異なる。

【0075】

図１４および図１５に示す補助露光装置１１は、図４に示した構成に加えて、液晶モジュール３８を備える。

【0076】

液晶モジュール３８は、集光レンズ３４とガラス基板Ｇとの間に配置される。液晶モジュール３８は、複数の透過型液晶素子をマトリクス状に配列して形成される透過型液晶モジュールである。液晶モジュール３８は、ガラス基板Ｇを遮蔽しない透過モードと、ガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向）に延びる第２周辺エリアＡ２ｂ（図７参照）に隣接する他のエリアを遮蔽する遮蔽モードとの間で遷移可能である。液晶モジュール３８における透過モードと遮蔽モードとの間の遷移は、制御部１７による制御に従って、実行される。遮蔽モードの液晶モジュール３８は、ガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂに対応する位置に、第２周辺エリアＡ２ｂよりも幅が狭いスリットを形成する。図１５の例では、遮蔽モードの液晶モジュール３８が示されている。

【0077】

図１５に示すように、本実施形態に係る光源ユニット３２は、遮蔽モードの液晶モジュール３８を介して、ガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂに光を照射する。光源ユニット３２によって照射される光は、液晶モジュール３８のスリットを透過する。かかる液晶モジュール３８では、光源ユニット３２によって照射される光の照射範囲をガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂの範囲内に収めることができる。言い換えれば、液晶モジュール３８を用いることにより、光源ユニット３２によってガラス基板Ｇの第２周辺エリアＡ２ｂに照射される光の照射範囲と各製品エリアＡ１との重なりを回避することができる。したがって、本実施形態に係る補助露光装置１１によれば、ＬＥＤ素子から照射される光の拡大による制約を受ける従来の補助露光装置と比較して、ガラス基板Ｇの各製品エリアＡ１周辺での露光分解能を向上することができる。特に、本実施形態に係る補助露光装置１１によれば、ガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向）に延びる第２周辺エリアＡ２ｂでの露光分解能を向上することができる。

【0078】

次に、第４実施形態に係る補助露光装置１１による処理動作について、図１６を参照して説明する。図１６は、第４実施形態に係る補助露光装置１１による処理動作の一例を示す説明図である。

【0079】

制御部１７は、平流し搬送部３０を制御して、ガラス基板Ｇを走査方向（Ｘ軸負方向）に搬送する。制御部１７は、メモリ４２を参照して、補助露光処理の対象となるエリアを特定するためのデータに基づき、第１周辺エリアＡ２ａおよび第２周辺エリアＡ２ｂのいずれか一方を補助露光処理の対象として特定する。

【0080】

制御部１７は、ガラス基板Ｇの左右方向（Ｙ軸方向）に延びる第１周辺エリアＡ２ａに対する補助露光処理を行う場合、液晶モジュール３８を透過モードに遷移させる。そして、制御部１７は、第１周辺エリアＡ２ａと集光レンズ３４とが対向する位置で光源ユニット３２によって透過モードの液晶モジュール３８を介して第１周辺エリアＡ２ａに光を照射する。これにより、ガラス基板Ｇの第１周辺エリアＡ２ａと集光レンズ３４とが対向する位置ごとに、光源ユニット３２から照射される光が集光レンズ３４により走査方向（Ｘ軸負方向）に沿って縮小されて第１周辺エリアＡ２ａに投射される。

【0081】

一方、制御部１７は、ガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向）に延びる第２周辺エリアＡ２ｂに対する補助露光処理を行う場合、図１６に示すように、液晶モジュール３８を遮蔽モードに遷移させる。そして、制御部１７は、光源ユニット３２によって遮蔽モードの液晶モジュール３８を介して第２周辺エリアＡ２ｂに光を照射する。これにより、光源ユニット３２から照射される光が、液晶モジュール３８により左右方向（Ｙ軸方向）に沿って絞られて第２周辺エリアＡ２ｂに投射される。

【0082】

このように、補助露光装置１１の制御部１７は、ガラス基板Ｇの走査方向（Ｘ軸負方向）に延びる第２周辺エリアＡ２ｂに対する補助露光処理を行う場合、光源ユニット３２によって液晶モジュール３８を介して第２周辺エリアＡ２ｂに光を照射してもよい。このようにすることで、光源ユニット３２から照射される光が、液晶モジュール３８により左右方向（Ｙ軸方向）に沿って絞られることから、左右方向に沿った露光分解能を向上することができる。

【0083】

＜変形例＞
上述した第１実施形態では、ガラス基板Ｇの左右方向（Ｙ軸方向）に延びる第１周辺エリアＡ２ａに対する補助露光処理を行う場合の例について説明した。しかし、走査方向（Ｘ軸負方向）にガラス基板Ｇが搬送される間に、第１周辺エリアＡ２ａおよび各製品エリアＡ１に対して連続的に補助露光処理を行ってもよい。この場合、例えば、補助露光装置１１の制御部１７は、走査方向（Ｘ軸負方向）にガラス基板Ｇが搬送される間、以下のような処理を行ってもよい。すなわち、制御部１７は、ガラス基板Ｇの左右方向（Ｙ軸方向）に延びる第１周辺エリアＡ２ａと集光レンズ３４とが対向する位置で光源ユニット３２によって第１照度で第１周辺エリアＡ２ａに光を照射する。また、制御部１７は、ガラス基板Ｇの各製品エリアＡ１と集光レンズ３４とが対向する位置で光源ユニット３２によって第１照度とは異なる第２照度で各製品エリアＡ１に光を照射する。このように、走査方向（Ｘ軸負方向）にガラス基板Ｇが搬送される間に、第１周辺エリアＡ２ａおよび各製品エリアＡ１に対して連続的に補助露光処理を行うことで、補助露光処理の処理効率を向上することができる。

【0084】

＜その他の変形例＞
上述した各実施形態では、ガラス基板Ｇを平流しで搬送する平流し搬送部３０を備え、光源ユニット３２を走査方向で一定位置に固定した。しかし、ガラス基板Ｇを例えばステージに固定し、ステージ上で光源ユニット３２を走査方向に移動させる走査方式や、ガラス基板Ｇと光源ユニット３２の双方を移動させる走査方式も実現可能である。

【0085】

また、上述した各実施形態では、被処理基板がＦＰＤ用のガラス基板であるものとしたが、これに限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウェハ、有機ＥＬ、太陽電池用の各種基板、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等であってもよい。

【0086】

上述してきたように、実施形態に係る補助露光装置（例えば、補助露光装置１１）は、搬送部（例えば、平流し搬送部３０）と、光源ユニット（例えば、光源ユニット３２）と、集光レンズ（例えば、集光レンズ３４）とを備える。搬送部は、複数の製品エリア（例えば、製品エリアＡ１）および各製品エリアの周辺に位置する周辺エリア（例えば、周辺エリアＡ２）を含む被処理基板（例えば、ガラス基板Ｇ）を第１方向（例えば、走査方向）に搬送する。光源ユニットは、第１方向と交差する第２方向（例えば、左右方向）に複数の光源（例えば、光源３２１）を配列して形成され、第１方向に搬送される被処理基板に光を照射する。集光レンズは、光源ユニットと被処理基板との間に配置され、光源ユニットによって被処理基板の第２方向に延びる周辺エリア（第１周辺エリアＡ２ａ）に照射される光を第１方向に沿って集光する。したがって、実施形態に係る補助露光装置によれば、被処理基板の各製品エリア周辺での露光分解能を向上することができる。

【0087】

また、実施形態に係る補助露光装置は、局所光源（例えば、局所光源３３）と、局所集光レンズ（例えば、局所集光レンズ３５）とをさらに備えてもよい。局所光源は、被処理基板の第１方向に延びる周辺エリア（例えば、第２周辺エリアＡ２ｂ）に対応する位置に配置され、第１方向に搬送される被処理基板に光を照射してもよい。局所集光レンズは、局所光源と被処理基板との間に配置され、局所光源によって被処理基板の第１方向に延びる周辺エリアに照射される光を第２方向に沿って集光してもよい。したがって、実施形態に係る補助露光装置によれば、被処理基板の第１方向に延びる周辺エリアでの露光分解能を向上することができる。

【0088】

また、実施形態に係る補助露光装置は、各部を制御する制御部（例えば、制御部１７）をさらに備えてもよい。制御部は、被処理基板の第２方向に延びる周辺エリアに対する露光処理（例えば、局所露光処理）を行う場合、周辺エリアと集光レンズとが対向する位置で光源ユニットによって周辺エリアに光を照射してもよい。また、制御部は、被処理基板の第１方向に延びる周辺エリアに対する露光処理を行う場合、局所光源によって周辺エリアに光を照射してもよい。したがって、実施形態に係る補助露光装置によれば、局所光源から照射される光が局所集光レンズにより第２方向に沿って縮小されることから、第２方向に沿った露光分解能を向上することができる。

【0089】

また、実施形態に係る補助露光装置は、集光レンズと被処理基板との間に配置され、被処理基板の第１方向に延びる周辺エリアに隣接する他のエリアを遮蔽するマスク部材（例えば、マスク部材３６）をさらに備えてもよい。また、光源ユニットは、マスク部材を介して、被処理基板の第１方向に延びる周辺エリアに光を照射してもよい。したがって、実施形態に係る補助露光装置によれば、被処理基板の第１方向に延びる周辺エリアでの露光分解能を向上することができる。

【0090】

また、実施形態に係る補助露光装置は、マスク部材を、集光レンズと被処理基板との間における処理位置と、予め定められた退避位置との間で移動させる移動部（例えば、移動部３７）と、各部を制御する制御部（例えば、制御部１７）とをさらに備えてもよい。制御部は、被処理基板の第２方向に延びる周辺エリアに対する露光処理を行う場合、移動部によってマスク部材を退避位置に退避させ、集光レンズと周辺エリアとが対向する位置で光源ユニットによって周辺エリアに光を照射してもよい。また、制御部は、被処理基板の第１方向に延びる周辺エリアに対する露光処理を行う場合、移動部によって退避位置から処理位置にマスク部材を移動させ、光源ユニットによって処理位置に位置するマスク部材を介して周辺エリアに光を照射してもよい。したがって、実施形態に係る補助露光装置によれば、光源ユニットから照射される光が、マスク部材により第２方向に沿って絞られることから、第２方向に沿った露光分解能を向上することができる。

【0091】

また、実施形態に係る補助露光装置は、集光レンズと被処理基板との間に配置され、被処理基板を遮蔽しない第１モード（例えば、透過モード）と、被処理基板の第１方向に延びる周辺エリアに隣接する他のエリアを遮蔽する第２モード（例えば、遮蔽モード）との間で遷移可能な液晶モジュール（例えば、液晶モジュール３８）をさらに備えてもよい。また、光源ユニットは、第２モードの液晶モジュールを介して、被処理基板の第１方向に延びる周辺エリアに光を照射してもよい。したがって、実施形態に係る補助露光装置によれば、被処理基板の第１方向に延びる周辺エリアでの露光分解能を向上することができる。

【0092】

また、実施形態に係る補助露光装置は、各部を制御する制御部（例えば、制御部１７）をさらに備えてもよい。制御部は、被処理基板の第２方向に延びる周辺エリアに対する露光処理を行う場合、液晶モジュールを第１モードに遷移させ、集光レンズと周辺エリアとが対向する位置で光源ユニットによって第１モードの液晶モジュールを介して周辺エリアに光を照射してもよい。また、制御部は、被処理基板の第１方向に延びる周辺エリアに対する露光処理を行う場合、液晶モジュールを第２モードに遷移させ、光源ユニットによって第２モードの液晶モジュールを介して周辺エリアに光を照射してもよい。したがって、実施形態に係る補助露光装置によれば、光源ユニットから照射される光が、液晶モジュールにより第２方向に沿って絞られることから、第２方向に沿った露光分解能を向上することができる。

【0093】

また、また、実施形態に係る補助露光装置は、各部を制御する制御部（例えば、制御部１７）をさらに備えてもよい。制御部は、第１方向に被処理基板が搬送される間、被処理基板の第２方向に延びる周辺エリアと集光レンズとが対向する位置で光源ユニットによって第１照度で周辺エリアに光を照射してもよい。また、制御部は、被処理基板の各製品エリアと集光レンズとが対向する位置で光源ユニットによって第１照度とは異なる第２照度で各製品エリアに光を照射してもよい。したがって、実施形態に係る補助露光装置によれば、補助露光処理の処理効率を向上することができる。

【0094】

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0095】

１１ 補助露光装置
１７ 制御部
３０ 平流し搬送部
３２ 光源ユニット
３３ 局所光源
３４ 集光レンズ
３５ 局所集光レンズ
３６ マスク部材
３７ 移動部
３８ 液晶モジュール
１００ 基板処理システム
３２１ 光源
Ａ１ 製品エリア
Ａ２ 周辺エリア
Ａ２ａ 第１周辺エリア
Ａ２ｂ 第２周辺エリア
Ｇ ガラス基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】