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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023103022
(43)【公開日】2023-07-26
(54)【発明の名称】ガスセンサーデバイス及びガス濃度測定方法
(51)【国際特許分類】
G01N 27/12 20060101AFI20230719BHJP
【ＦＩ】
G01N27/12 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022003840
(22)【出願日】2022-01-13
(71)【出願人】
【識別番号】301021533
【氏名又は名称】国立研究開発法人産業技術総合研究所
(74)【代理人】
【識別番号】100094190
【弁理士】
【氏名又は名称】小島 清路
(74)【代理人】
【識別番号】100151644
【弁理士】
【氏名又は名称】平岩 康幸
(74)【代理人】
【識別番号】100151127
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 勝雅
(72)【発明者】
【氏名】崔 弼圭
(72)【発明者】
【氏名】増田 佳丈
【テーマコード（参考）】
2G046
【Ｆターム（参考）】
2G046AA10
2G046AA13
2G046AA24
2G046BA08
2G046BA09
2G046BB02
2G046BB04
2G046BC03
2G046BC05
2G046BH03
2G046EB01
2G046FB02
2G046FE02
2G046FE03
2G046FE10
2G046FE11
2G046FE15
2G046FE22
2G046FE25
2G046FE29
2G046FE31
2G046FE35
2G046FE39
2G046FE44
(57)【要約】
【課題】５０℃以下で高感度・高選択性を有するガスセンサーデバイス及び被検知ガスの濃度測定方法を提供する。
【解決手段】本発明のガスセンサーデバイスは、電気的絶縁性を有する基板と、該基板の表面に形成された一対の電極と、該電極に接続された、酸化スズ板状結晶の集合体を含むガス感応層１５とを有するガスセンサー素子１０、及び、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５に光を放射する光源２０を備える。酸化スズ板状結晶の最大長さと厚さとの比（アスペクト比）の平均値は、好ましくは２．５～１００である。
【選択図】図１
【解決手段】本発明のガスセンサーデバイスは、電気的絶縁性を有する基板と、該基板の表面に形成された一対の電極と、該電極に接続された、酸化スズ板状結晶の集合体を含むガス感応層１５とを有するガスセンサー素子１０、及び、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５に光を放射する光源２０を備える。酸化スズ板状結晶の最大長さと厚さとの比（アスペクト比）の平均値は、好ましくは２．５～１００である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電気的絶縁性を有する基板と、該基板の表面に形成された一対の電極と、該電極に接続された、酸化スズ板状結晶の集合体を含むガス感応層とを有するガスセンサー素子、
及び、
前記ガスセンサー素子の前記ガス感応層に光を放射する光源
を備えることを特徴とするガスセンサーデバイス。
及び、
前記ガスセンサー素子の前記ガス感応層に光を放射する光源
を備えることを特徴とするガスセンサーデバイス。
【請求項2】
前記光が紫外線である請求項１に記載のガスセンサーデバイス。
【請求項3】
前記酸化スズ板状結晶の最大長さと厚さとの比（アスペクト比）の平均値が２．５～１００である請求項１又は２に記載のガスセンサーデバイス。
【請求項4】
前記酸化スズ板状結晶の主な露出面が（１０１）結晶面である請求項１から３のいずれか一項に記載のガスセンサーデバイス。
【請求項5】
電気的絶縁性を有する基板と、該基板の表面に形成された一対の電極と、該電極に接続された、酸化スズ板状結晶の集合体を含むガス感応層とを有するガスセンサー素子の該ガス感応層に、光を照射しながら、被検知ガスを接触させ、該被検知ガスの濃度を測定することを特徴とするガス濃度測定方法。
【請求項6】
前記酸化スズ板状結晶の最大長さと厚さとの比（アスペクト比）の平均値が２．５～１００である請求項５に記載のガス濃度測定方法。
【請求項7】
前記酸化スズ板状結晶の主な露出面が（１０１）結晶面である請求項５又は６に記載のガス濃度測定方法。
【請求項8】
前記光が紫外線である請求項５から７のいずれか一項に記載のガス濃度測定方法。
【請求項9】
前記被検知ガスが二酸化窒素である請求項５から８のいずれか一項に記載のガス濃度測定方法。
【請求項10】
前記紫外線の波長が３１０～４００ｎｍである請求項８又は９に記載のガス濃度測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、被検知ガスの濃度測定に用いるガスセンサーデバイス及びガス濃度測定方法に関する。
【背景技術】
【0002】
被検知ガスに感応する金属酸化物（酸化スズ、酸化亜鉛、γ－Ｆｅ２Ｏ３等）を用いたセンサー素子を備えるガスセンサーデバイスは、産業的に広く利用されており、未来産業においても需要が極めて高いと予想される。このようなガスセンサーデバイスは、金属酸化物からなるセンサー素子の表面を反応部位として用いるものであるが、金属酸化物の表面反応制御は、デバイスの特性に大きく影響を及ぼすため、表面反応を制御する技術が強く要求されている。
【0003】
特許文献１には、２つの金属電極を備える基板上に構造体が形成されてなり、該構造体は、ナノ粒子の集合体の表面に、酸化スズのナノ結晶（シート状結晶）が存在し、該ナノ粒子の集合体は、酸化スズのナノ粒子及び貴金属のナノ粒子を含むことを特徴とするセンサーが開示されている。また、本発明者らは、特許文献２において、くし型電極付きガラス基板の表面にシート状の酸化スズの集合体を形成させて、得られた複合体を、水素及びメタンに対するガスセンサーとして評価した。しかしながら、特許文献１及び２のガスセンサーは、駆動温度の制御を通じて表面反応を制御することから、２５０℃以上の高い温度で検知特性を示す。即ち、常温では十分な感応性が得られなかった。
【0004】
非特許文献１には、酸化スズ薄膜からなるセンサー素子に光（可視光～ＵＶ－Ａ領域）を照射して、二酸化窒素に対してセンサー応答を得る技術が開示されているが、その感度は僅かである。
【0005】
非特許文献２には、室温において、単結晶ＳｎＯ２ナノワイヤーからなるセンサー、単結晶ＺｎＯナノワイヤーからなるセンサー、又は、単結晶ＳｎＯ２からなるコア部と、単結晶ＺｎＯからなるシェル部とを備えるナノワイヤーからなるセンサーに紫外線（波長：３６５ｎｍ）を照射して二酸化窒素の感応性を確認したことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１６－１７７６０号公報
【特許文献2】特開２０２１－５３８０４号公報
【非特許文献】
【0007】
【非特許文献1】Ｋ．Ａｎｏｔｈａｉｎａｒｔら、Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ、 Ｂ ９３（２００３） ５８０－５８４
【非特許文献2】Ｓｕｎｇｈｏｏｎ Ｐａｒｋら、ＡＣＳ Ａｐｐｌ． Ｍａｔｅｒ． Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ、 ２０１３， ５， ４２８５－４２９２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
被検知ガスの中には可燃性を有するものがあるため、例えば、水素、アセトン、イソプレン、トルエン又はエタノールを検知又は濃度測定する場合の安全性の観点から、少なくとも１５０℃までの温度で、十分な感応性を有するガスセンサーデバイス及びガス濃度測定方法が求められている。被検知ガスの種類によるが、生体の皮膚近くでガスセンサーデバイスを用いる場合の温度の上限は、通常、体温より少々高い温度である。本発明は、５０℃以下で高感度・高選択性を有するガスセンサーデバイス及び被検知ガスの濃度測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明は、以下の通りである。
【0010】
〔１〕電気的絶縁性を有する基板と、該基板の表面に形成された一対の電極と、該電極に接続された、酸化スズ板状結晶の集合体を含むガス感応層とを有するガスセンサー素子、及び、上記ガスセンサー素子の上記ガス感応層に光を放射する光源を備えることを特徴とするガスセンサーデバイス。
〔２〕上記光が紫外線である上記〔１〕に記載のガスセンサーデバイス。
〔３〕上記酸化スズ板状結晶の最大長さと厚さとの比（アスペクト比）の平均値が２．５～１００である上記〔１〕又は〔２〕に記載のガスセンサーデバイス。
〔４〕上記酸化スズ板状結晶の主な露出面が（１０１）結晶面である上記〔１〕から〔３〕のいずれか一項に記載のガスセンサーデバイス。
〔５〕電気的絶縁性を有する基板と、該基板の表面に形成された一対の電極と、該電極に接続された、酸化スズ板状結晶の集合体を含むガス感応層とを有するガスセンサー素子の該ガス感応層に、光を照射しながら、被検知ガスを接触させ、該被検知ガスの濃度を測定することを特徴とするガス濃度測定方法。
〔６〕上記酸化スズ板状結晶の最大長さと厚さとの比（アスペクト比）の平均値が２．５～１００である上記〔６〕に記載のガス濃度測定方法。
〔７〕上記酸化スズ板状結晶の主な露出面が（１０１）結晶面である上記〔５〕から〔７〕のいずれか一項に記載のガス濃度測定方法。
〔８〕上記光が紫外線である上記〔７〕に記載のガス濃度測定方法。
〔９〕上記被検知ガスが二酸化窒素である上記〔５〕から〔８〕のいずれか一項に記載のガス濃度測定方法。
〔１０〕上記紫外線の波長が３１０～４００ｎｍである上記〔８〕又は〔９〕に記載のガス濃度測定方法。
〔２〕上記光が紫外線である上記〔１〕に記載のガスセンサーデバイス。
〔３〕上記酸化スズ板状結晶の最大長さと厚さとの比（アスペクト比）の平均値が２．５～１００である上記〔１〕又は〔２〕に記載のガスセンサーデバイス。
〔４〕上記酸化スズ板状結晶の主な露出面が（１０１）結晶面である上記〔１〕から〔３〕のいずれか一項に記載のガスセンサーデバイス。
〔５〕電気的絶縁性を有する基板と、該基板の表面に形成された一対の電極と、該電極に接続された、酸化スズ板状結晶の集合体を含むガス感応層とを有するガスセンサー素子の該ガス感応層に、光を照射しながら、被検知ガスを接触させ、該被検知ガスの濃度を測定することを特徴とするガス濃度測定方法。
〔６〕上記酸化スズ板状結晶の最大長さと厚さとの比（アスペクト比）の平均値が２．５～１００である上記〔６〕に記載のガス濃度測定方法。
〔７〕上記酸化スズ板状結晶の主な露出面が（１０１）結晶面である上記〔５〕から〔７〕のいずれか一項に記載のガス濃度測定方法。
〔８〕上記光が紫外線である上記〔７〕に記載のガス濃度測定方法。
〔９〕上記被検知ガスが二酸化窒素である上記〔５〕から〔８〕のいずれか一項に記載のガス濃度測定方法。
〔１０〕上記紫外線の波長が３１０～４００ｎｍである上記〔８〕又は〔９〕に記載のガス濃度測定方法。
【発明の効果】
【0011】
本発明のガスセンサーデバイスによれば、ガスセンサー素子のガス感応層を構成する酸化スズ板状結晶が、光の波長や強度により表面活性度を制御することができるので、従来、必要としていた高温とすることなく、５０℃以下で、被検知ガスの濃度を効率よく測定することができる。
本発明のガス濃度測定方法によれば、ガスセンサー素子のガス感応層に被検知ガスを接触させて、光を照射すると、従来、必要としていた高温とすることなく、５０℃以下で、被検知ガスを効率よくガス感応層の酸化スズ板状結晶に吸着させることができるので、経済的に、被検知ガスの濃度を容易に得ることができる。このとき、例えば、一対の電極間の電気的物性値（抵抗値、導電率等）の変化量を利用することができる。また、照射する光が紫外線であり、被検知ガスが二酸化窒素である場合には、より効率よくガス濃度を測定することができる。
また、本発明の他の態様によれば、光の波長や強度により被検知ガスに対して異なる応答値が得られる。得られた応答値データを用いてデータ分析を行い、被検知ガスの種類を識別できる。また、本発明の他の態様によれば、常温付近で被検知ガスの測定又は同定が可能であるので、皮膚や素材の近くでも利用することができる。
本発明のガス濃度測定方法によれば、ガスセンサー素子のガス感応層に被検知ガスを接触させて、光を照射すると、従来、必要としていた高温とすることなく、５０℃以下で、被検知ガスを効率よくガス感応層の酸化スズ板状結晶に吸着させることができるので、経済的に、被検知ガスの濃度を容易に得ることができる。このとき、例えば、一対の電極間の電気的物性値（抵抗値、導電率等）の変化量を利用することができる。また、照射する光が紫外線であり、被検知ガスが二酸化窒素である場合には、より効率よくガス濃度を測定することができる。
また、本発明の他の態様によれば、光の波長や強度により被検知ガスに対して異なる応答値が得られる。得られた応答値データを用いてデータ分析を行い、被検知ガスの種類を識別できる。また、本発明の他の態様によれば、常温付近で被検知ガスの測定又は同定が可能であるので、皮膚や素材の近くでも利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明のガスセンサーデバイスの１例を示す概略図である。
【図2】実施例１～４で作製したガスセンサーデバイスを示す概略断面図である。
【図3】実施例１～４で作製したガスセンサーデバイスの外観を示す概略斜視図である。
【図4】本発明のガスセンサーデバイスの他例を示す概略図である。
【図5】本発明のガスセンサーデバイスの他例を示す概略図である。
【図6】本発明のガスセンサーデバイスに係るガスセンサー素子の１例を示す概略断面図である。
【図7】本発明のガスセンサーデバイスに係るガス感応層を構成する酸化スズ板状結晶の好ましい含有形態を示す概略断面図である。
【図8】酸化スズ板状結晶の断面の透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）像である。
【図9】ガス感応層を構成する酸化スズ板状結晶のアスペクト比を得るための概略説明図である。
【図10】本発明のガスセンサーデバイスの製造に用いる、ガス感応層形成前の電極付き基板の１例を示す概略図である。
【図11】本発明のガスセンサーデバイスの製造に用いる、ガス感応層形成前の電極付き基板の他例を示す概略図である。
【図12】実施例１で得られたガスセンサーデバイス（センサーα１及びα２）を構成するガス感応層表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。
【図13】実施例２で得られたガスセンサーデバイス（センサーβ１及びβ２）を構成するガス感応層表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。
【図14】実施例３で得られたガスセンサーデバイス（センサーγ１及びγ２）を構成するガス感応層表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。
【図15】実施例４で得られたガスセンサーデバイス（センサーδ１及びδ２）を構成するガス感応層表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。
【図16】実施例１～４で得られたガスセンサーデバイスによる、２０ｐｐｍの二酸化窒素ガスに対する抵抗値変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0013】
本発明のガスセンサーデバイスは、例えば、図１、図２、図３、図４及び図５に示すように、ガスセンサー素子１０と、光源２０とを備える。ガスセンサー素子１０は、例えば、図６に示すように、電気的絶縁性を有する基板１１と、該基板１１の表面に形成された一対の電極１２，１２とからなる電極付き基板１４、並びに、上記の電極１２，１２どうしを接続する、酸化スズ板状結晶の集合体を含むガス感応層１５を有する。
【0014】
本発明のガスセンサーデバイスを用いて、被検知ガスの測定を行う場合、被検知ガスを、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５、即ち、酸化スズ板状結晶の集合体に接触させた状態で、光を照射する。被検知ガスが、酸化スズ板状結晶に吸着すると、被検知ガスの接触前の状態に比べて、電極１２，１２どうしの間の抵抗値、導電率等の電気物性が変化することから、その変化量を利用して被検知ガスの濃度を得ることができる。
図１、図２、図３、図４及び図５に示していないが、本発明のガスセンサーデバイスは、例えば、抵抗値を指標とする場合、電極１２，１２を介してガス感応層１５に電圧を印加させ、ガス感応層１５を流れる電流と、上記電圧とから、電極１２，１２の間の抵抗値を測定する抵抗測定器又は電位差計を、更に備えることができる。
図１、図２、図３、図４及び図５に示していないが、本発明のガスセンサーデバイスは、例えば、抵抗値を指標とする場合、電極１２，１２を介してガス感応層１５に電圧を印加させ、ガス感応層１５を流れる電流と、上記電圧とから、電極１２，１２の間の抵抗値を測定する抵抗測定器又は電位差計を、更に備えることができる。
【0015】
本発明のガスセンサーデバイスにおいて、ガスセンサー素子１０を構成するガス感応層１５は、複数の酸化スズ板状結晶が集合体となって構成されている。図７は、ガス感応層１５における酸化スズ板状結晶１３の好ましい含有形態を示す概略図である。即ち、各酸化スズ板状結晶１３は、基板１１（又は電極１２）に対して、垂直方向に配向していることが好ましい。本発明に係るガス感応層１５は、この態様に限定されず、複数の酸化スズ板状結晶１３がランダムに混在する態様、又は、複数の酸化スズ板状結晶１３が基板１１の表面から、順次、積み上げられた態様であってもよい。
【0016】
酸化スズ板状結晶の結晶構造、形状及びサイズは、特に限定されない。酸化スズ板状結晶の結晶構造は、好ましくはルチル型である。
【0017】
本発明において、酸化スズ板状結晶１３は、図７に示されるように、主な露出面が（１０１）結晶面であることが好ましい。このような結晶であることにより、被検知ガスを効率よく酸化スズ板状結晶１３に吸着させることができる。尚、（１０１）結晶面であることは、以下により確認することができる。
（ａ）透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて得られた酸化スズ板状結晶の画像（図８参照）から、酸化スズの（１０１）結晶面と一致する格子縞の間隔を測定する。
（ｂ）他方、Ｘ線回折測定により得られた回折像を用いて結晶子サイズを算出し、結晶子サイズの酸化スズ板状結晶の合成時間依存性の有無を調べる。
（ｃ）［１０１］方位への結晶子サイズの依存性が低い場合、［１０１］方向にほとんど結晶成長していないことになり、主な露出面が（１０１）結晶面であると判断できる。
（ａ）透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて得られた酸化スズ板状結晶の画像（図８参照）から、酸化スズの（１０１）結晶面と一致する格子縞の間隔を測定する。
（ｂ）他方、Ｘ線回折測定により得られた回折像を用いて結晶子サイズを算出し、結晶子サイズの酸化スズ板状結晶の合成時間依存性の有無を調べる。
（ｃ）［１０１］方位への結晶子サイズの依存性が低い場合、［１０１］方向にほとんど結晶成長していないことになり、主な露出面が（１０１）結晶面であると判断できる。
【0018】
酸化スズ板状結晶の形状は、平面及び曲面のいずれでもよく、これらの組み合わせであってもよい。
酸化スズ板状結晶の長さ及び厚さは、特に限定されない。酸化スズ板状結晶の厚さは、好ましくは２～５０ｎｍ、より好ましくは３～１０ｎｍである。また、図９をもとにして算出される、最大長さＬと厚さＴとの比（Ｌ／Ｔ：アスペクト比）の平均値は、ガス感応性の観点から、好ましくは２．５～１００、より好ましくは３．５～８５、更に好ましくは７～７０、特に好ましくは１０～５０である。ガス感応層１５は、アスペクト比が２．５未満の酸化スズ板状結晶を含んでもよいが、露出している酸化スズ板状結晶の大部分（例えば、露出面５０％以上）は、アスペクト比が２．５を超える酸化スズ板状結晶であることが好ましい。
酸化スズ板状結晶の長さ及び厚さは、特に限定されない。酸化スズ板状結晶の厚さは、好ましくは２～５０ｎｍ、より好ましくは３～１０ｎｍである。また、図９をもとにして算出される、最大長さＬと厚さＴとの比（Ｌ／Ｔ：アスペクト比）の平均値は、ガス感応性の観点から、好ましくは２．５～１００、より好ましくは３．５～８５、更に好ましくは７～７０、特に好ましくは１０～５０である。ガス感応層１５は、アスペクト比が２．５未満の酸化スズ板状結晶を含んでもよいが、露出している酸化スズ板状結晶の大部分（例えば、露出面５０％以上）は、アスペクト比が２．５を超える酸化スズ板状結晶であることが好ましい。
【0019】
ガス感応層１５の厚さ（基板１１表面からの厚さ、又は、電極１２表面からの厚さ）は、特に限定されない。基板１１表面からみたガス感応層１５の厚さは、好ましくは５～１０００ｎｍ、より好ましくは２０～２００ｎｍである。尚、ガス感応層１５の厚さは、その全表面に渡って、均一及び不均一のいずれでもよい。
【0020】
上記のように、ガスセンサー素子１０は、図６に示すように、基板１１と、該基板１１の表面に形成された一対の電極１２，１２と、該電極１２，１２どうしを接続するガス感応層１５とを備える。図６は、一対の電極１２，１２の全体がガス感応層１５により被覆されたことを示すが、本発明は、これに限定されず、各電極１２，１２の表面の一部を露出するようにして、ガス感応層が形成されていてもよい。
【0021】
ガスセンサー素子１０を構成する基板１１の構成材料、構造、形状及びサイズは、特に限定されない。基板１１の構成材料は、無機材料及び有機材料のいずれでもよい。これらのうち、無機材料が好ましく、金属、セラミックス（酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物等）等とすることができる。
【0022】
電極１２，１２の構成材料及び膜厚は、特に限定されない。電極１２の構成材料は、通常、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）等である。
基板１１上において、電極１２，１２は、通常、パターン化されており、その形状は、例えば、図１０又は図１１に示すくし型とすることができるが、これに限定されない。
基板１１上において、電極１２，１２は、通常、パターン化されており、その形状は、例えば、図１０又は図１１に示すくし型とすることができるが、これに限定されない。
【0023】
ガスセンサー素子１０は、例えば、表面に一対の電極を有する基板（電極付き基板）を、酸化スズ板状結晶用前駆体を含有する原料液体に浸漬させて、電極を有する側の基板表面において、酸化スズ板状結晶が一対の電極を接続するように酸化スズ板状結晶を生成させる方法により得られたものとすることができる。
この製造方法において、原料液体は、好ましくは、スズイオンを含む水溶液である。スズイオンを含む水溶液は、ＳｎＦ４（フッ化スズ）、ＳｎＣｌ４（四塩化スズ）、ＳｎＣｌ２（二塩化スズ）、ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ（塩化スズ二水和物）、ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ（塩化スズ五水和物）、ＳｎＢｒ２（臭化スズ）、ＳｎＩ２（ヨウ化スズ）、ＳｎＩ４（ヨウ化スズ）、酢酸スズ、シュウ酸スズ、ステアリン酸スズ、硫酸スズ、酒石酸スズ、テトラフルオロホウ酸スズ、トリフルオロメタンスルホン酸スズ等を、水に溶解して得られたものとすることができる。特に好ましい原料液体は、フッ化スズの水溶液であり、上記好ましいアスペクト比の酸化スズ板状結晶の集合体が基板又は電極の表面に効率よく形成されることから、フッ化スズ水溶液の濃度は、好ましくは２０～６００ｍＭ、より好ましくは５０～４００ｍＭ、更に好ましくは１００～３００ｍＭである。
電極付き基板を浸漬する際の原料液体の温度は、特に限定されないが、好ましくは２０℃～９９℃、より好ましくは４０℃～９５℃、更に好ましくは７０℃～９２℃である。また、浸漬時間は、電極付き基板のサイズ等により、適宜、選択されるが、酸化スズ板状結晶を含むガス感応層の厚さを確保するために、通常、３０分間以上である。
この製造方法において、原料液体は、好ましくは、スズイオンを含む水溶液である。スズイオンを含む水溶液は、ＳｎＦ４（フッ化スズ）、ＳｎＣｌ４（四塩化スズ）、ＳｎＣｌ２（二塩化スズ）、ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ（塩化スズ二水和物）、ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ（塩化スズ五水和物）、ＳｎＢｒ２（臭化スズ）、ＳｎＩ２（ヨウ化スズ）、ＳｎＩ４（ヨウ化スズ）、酢酸スズ、シュウ酸スズ、ステアリン酸スズ、硫酸スズ、酒石酸スズ、テトラフルオロホウ酸スズ、トリフルオロメタンスルホン酸スズ等を、水に溶解して得られたものとすることができる。特に好ましい原料液体は、フッ化スズの水溶液であり、上記好ましいアスペクト比の酸化スズ板状結晶の集合体が基板又は電極の表面に効率よく形成されることから、フッ化スズ水溶液の濃度は、好ましくは２０～６００ｍＭ、より好ましくは５０～４００ｍＭ、更に好ましくは１００～３００ｍＭである。
電極付き基板を浸漬する際の原料液体の温度は、特に限定されないが、好ましくは２０℃～９９℃、より好ましくは４０℃～９５℃、更に好ましくは７０℃～９２℃である。また、浸漬時間は、電極付き基板のサイズ等により、適宜、選択されるが、酸化スズ板状結晶を含むガス感応層の厚さを確保するために、通常、３０分間以上である。
【0024】
本発明のガスセンサーデバイスは、光を、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５に放射する光源２０を備える。光の種類は、特に限定されず、紫外線、可視光線等とすることができるが、紫外線が好ましい。紫外線を放射する光源２０は、ＵＶ－Ａ領域（波長３１０～４００ｎｍ）の紫外線を発する光源、ＵＶ－Ｂ領域（波長２８０～３１０ｎｍ）の紫外線を放射する光源、及び、ＵＶ－Ｃ領域（波長１００～２８０ｎｍ）の紫外線を発する光源のいずれでもよい。これらのうち、ＵＶ－Ａ領域（波長３１０～４００ｎｍ）の紫外線を発する光源が好ましい。
上記光源２０としては、具体的には、発光ダイオード（ＬＥＤ）、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、紫外線（ＵＶ）無電極ランプ、紫外レーザー等を用いることができる。また、光ファイバーを併用してもよい。
また、本発明のガスセンサーデバイスが備える光源２０の数は、用途により、適宜、選択され、１台でも複数台でもよい。複数台の場合、互いに異なる波長の紫外線を放射する光源どうしであってもよい。
上記光源２０としては、具体的には、発光ダイオード（ＬＥＤ）、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、紫外線（ＵＶ）無電極ランプ、紫外レーザー等を用いることができる。また、光ファイバーを併用してもよい。
また、本発明のガスセンサーデバイスが備える光源２０の数は、用途により、適宜、選択され、１台でも複数台でもよい。複数台の場合、互いに異なる波長の紫外線を放射する光源どうしであってもよい。
【0025】
図１は、本発明のガスセンサーデバイスを示す概略図であり、光源２０は、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５に光を放射可能である限りにおいて、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５との距離が限定されない任意の位置に配置されたものとすることができる。
【0026】
図２（図３）、図４及び図５は、本発明のガスセンサーデバイスの具体例である。
図２は、図３に示すように、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５を、上面中央に開口部４１を備える蓋４０で保護するガスセンサーデバイス１Ａであり、被検知ガスを開口部４１から導入してガスセンサー素子１０のガス感応層１５に接触状態としたところへ、同様に蓋４０で保護された光源２０から光を照射する装置である。尚、図２及び図３は、蓋４０を備え、且つ、開口部４１の数を１つとしているが、本発明のガスセンサーデバイスは、これに限定されない。蓋を備える場合には、側面であってもよい。また、開口部は、通気性を確保できるものであれば、メッシュを配設してもよい。
図４は、光源２０を蓋４０の外側に配置して、光源２０からの光を、開口部４１を通ってガス感応層１５に照射するガスセンサーデバイス１Ｂである。図５は、蓋４０の外側に配置された光源２０からの光を、光ファイバー２２を用いてガス感応層１５に照射するガスセンサーデバイス１Ｃである。
図２は、図３に示すように、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５を、上面中央に開口部４１を備える蓋４０で保護するガスセンサーデバイス１Ａであり、被検知ガスを開口部４１から導入してガスセンサー素子１０のガス感応層１５に接触状態としたところへ、同様に蓋４０で保護された光源２０から光を照射する装置である。尚、図２及び図３は、蓋４０を備え、且つ、開口部４１の数を１つとしているが、本発明のガスセンサーデバイスは、これに限定されない。蓋を備える場合には、側面であってもよい。また、開口部は、通気性を確保できるものであれば、メッシュを配設してもよい。
図４は、光源２０を蓋４０の外側に配置して、光源２０からの光を、開口部４１を通ってガス感応層１５に照射するガスセンサーデバイス１Ｂである。図５は、蓋４０の外側に配置された光源２０からの光を、光ファイバー２２を用いてガス感応層１５に照射するガスセンサーデバイス１Ｃである。
【0027】
次に、本発明のガス濃度測定方法は、電気的絶縁性を有する基板と、該基板の表面に形成された一対の電極と、該電極に接続された、酸化スズ板状結晶の集合体を含むガス感応層とを有するガスセンサー素子の該ガス感応層に、光を照射しながら、被検知ガスを接触させ、該被検知ガスの濃度を測定する方法である。本発明のガス濃度測定方法は、ガスセンサー素子のガス感応層に光を照射することができるものであれば、どのような装置を用いてもよいが、図２（図３）、図４又は図５の構成を有し、紫外線を放射する光源を用いたガスセンサーデバイスが好ましく用いられる。また、ガス感応層を構成する酸化スズ板状結晶の好ましい性質は、上記の通りである。
【0028】
図２、図４又は図５のガスセンサーデバイスを用いる場合、例えば、被検知ガスの非存在下、ガスセンサー素子のガス感応層に光（好ましくは波長４００ｎｍ以下の紫外線）を照射しながら、一対の電極の間の電気抵抗値（以下、「抵抗値Ｒ１」という）を測定し、その後、被検知ガスをガス感応層に接触させて、ガス感応層に光を照射しながら、同様にして、電気抵抗値（以下、「抵抗値Ｒ２」という）を測定し、上記の抵抗値Ｒ１及びＲ２の間の変化量と、予め、濃度既知の被検知ガスを用いて作製された検量線とから、被検知ガスの濃度を算出することができる。尚、被検知ガスをガス感応層に接触させる場合、空気との混合ガス、合成空気との混合ガス、不活性ガス及び酸素との混合ガス等を接触させることが好ましい。
【0029】
本発明のガス濃度測定方法において、上記ガスセンサーデバイスを用いる場合、ガスセンサー素子のガス感応層に被検知ガスを接触させ、ガス感応層に光を照射すると、従来、必要としていた高温とすることなく、５０℃以下で、被検知ガスを効率よくガス感応層の酸化スズ板状結晶に吸着させることができるので、経済的に且つ容易に、被検知ガスの濃度を得ることができる。また、以下の作用効果を得ることができる。
（１）センサー応答値（以下、単に「応答値」という）の二酸化窒素ガス濃度依存性値を、好ましくは０．２～１００、より好ましくは１．５～５５とすることができる。
（２）１００～４００ｎｍの範囲の波長の光を照射した場合、応答値の二酸化窒素ガス濃度依存性値が、水素、アセトン、イソプレン、トルエン、エタノール又はアンモニアのそれに対して、好ましくは１０～１０００００倍、より好ましくは３０～８００００倍高くなる。
（３）３１０～４００ｎｍの範囲の波長の光を照射した場合、応答値のアンモニアガス濃度依存性値を、好ましくは０．００１～１、より好ましくは０．１～０．５とすることができる。
（４）３１０～４００ｎｍの範囲の波長の光を照射した場合、応答値のアンモニアガス濃度依存性値が、水素、アセトン、イソプレン、トルエン又はエタノールのそれに対して、好ましくは１０～１００００倍、より好ましくは１００～２５００倍高くなる。
（５）１００～２８０ｎｍの範囲の波長の光を照射した場合、応答値のエタノールガス濃度依存性値を、好ましくは０．００１～０．１、より好ましくは０．１～０．０５とすることができる。
（６）１００～２８０ｎｍの範囲の波長の光を照射した場合、応答値のエタノールガス濃度依存性値が、水素、アセトン、イソプレン、トルエン又はアンモニアのそれに対して、好ましくは１．５～５００倍、より好ましくは５～２５０倍高くなる。
（１）センサー応答値（以下、単に「応答値」という）の二酸化窒素ガス濃度依存性値を、好ましくは０．２～１００、より好ましくは１．５～５５とすることができる。
（２）１００～４００ｎｍの範囲の波長の光を照射した場合、応答値の二酸化窒素ガス濃度依存性値が、水素、アセトン、イソプレン、トルエン、エタノール又はアンモニアのそれに対して、好ましくは１０～１０００００倍、より好ましくは３０～８００００倍高くなる。
（３）３１０～４００ｎｍの範囲の波長の光を照射した場合、応答値のアンモニアガス濃度依存性値を、好ましくは０．００１～１、より好ましくは０．１～０．５とすることができる。
（４）３１０～４００ｎｍの範囲の波長の光を照射した場合、応答値のアンモニアガス濃度依存性値が、水素、アセトン、イソプレン、トルエン又はエタノールのそれに対して、好ましくは１０～１００００倍、より好ましくは１００～２５００倍高くなる。
（５）１００～２８０ｎｍの範囲の波長の光を照射した場合、応答値のエタノールガス濃度依存性値を、好ましくは０．００１～０．１、より好ましくは０．１～０．０５とすることができる。
（６）１００～２８０ｎｍの範囲の波長の光を照射した場合、応答値のエタノールガス濃度依存性値が、水素、アセトン、イソプレン、トルエン又はアンモニアのそれに対して、好ましくは１．５～５００倍、より好ましくは５～２５０倍高くなる。
【0030】
上記の各ガスに係るガス濃度依存性値は、ｘ軸を応答値、ｙ軸をガス濃度としてプロットし、得られた近似直線の式Ｆ（ｘ）＝ａｘ＋ｂにおいて切片のｂをノイズ値としたときの係数ａである。
【実施例0031】
以下、実施例及び比較例をもって本発明を具体的に説明する。但し、実施例は単に例示するのみであり、本発明は、実施例によって何ら限定されるものではない。
【0032】
以下に記載のように、表面に一対の白金電極（図１０のパターン形状を変形させたものであって、幅１５０μｍごとの間隔でくし形にパターン形成されたもの）を有するアルミナ基板（サイズ：３．３ｍｍ×３．３ｍｍ×０．３２ｍｍ、以下、「電極付きアルミナ基板」という）の白金電極表面に、ルチル型の酸化スズ板状結晶（以下、「ナノシート型酸化スズ」という）の集合体からなる膜（ガス感応層）を形成させて、ガスセンサー素子を作製した。そして、このガスセンサー素子におけるガス感応層の上方に、紫外線を放射するＬＥＤ素子を備える光源を配置して、ガスセンサーデバイスを得た（図２及び図３参照）。その後、水素、アセトン、イソプレン、トルエン、エタノール、二酸化窒素又はアンモニアを被検知ガスとし、この被検知ガスと空気との混合ガスに対するセンサー特性評価を行った。
【0033】
実施例１（平均アスペクト比が１０．８７のナノシート型酸化スズを含むガスセンサーデバイスの製造及び評価）
９０℃の蒸留水にふっ化スズ（ＳｎＦ２）（森田化学工業株式会社製）を溶解して２８０ｍＭのふっ化スズ水溶液を得た。次いで、電極付きアルミナ基板をこのフッ化スズ水溶液に浸漬し、９０℃で６時間保持することにより、一対の白金電極を含む全面に、ナノシート型酸化スズの集合体からなる膜（以下、「ガス感応層α」ともいう）を形成させ、ガスセンサー素子を得た。白金電極上におけるガス感応層αの厚さに相当するナノシート型酸化スズのサイズＬは、約１５０ｎｍであった。その後、得られたガスセンサー素子の裏面側を、金属半導体パッケージ３０の上に載せて、白金線溶接した。次いで、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５の上方に、紫外線光源２０を配置し、更に、上面中央に開口部４１を備える金属半導体パッケージ蓋４０を付けてガスセンサーデバイス１Ａを作製した（図２及び図３参照）。
図１２は、電極付きアルミナ基板の白金電極上に製膜されたガス感応層αの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。この図１２におけるいくつかのナノシート型酸化スズを画像解析して算出したアスペクト比は３．６５～１７．７５であり、平均は１０．８７であった。
９０℃の蒸留水にふっ化スズ（ＳｎＦ２）（森田化学工業株式会社製）を溶解して２８０ｍＭのふっ化スズ水溶液を得た。次いで、電極付きアルミナ基板をこのフッ化スズ水溶液に浸漬し、９０℃で６時間保持することにより、一対の白金電極を含む全面に、ナノシート型酸化スズの集合体からなる膜（以下、「ガス感応層α」ともいう）を形成させ、ガスセンサー素子を得た。白金電極上におけるガス感応層αの厚さに相当するナノシート型酸化スズのサイズＬは、約１５０ｎｍであった。その後、得られたガスセンサー素子の裏面側を、金属半導体パッケージ３０の上に載せて、白金線溶接した。次いで、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５の上方に、紫外線光源２０を配置し、更に、上面中央に開口部４１を備える金属半導体パッケージ蓋４０を付けてガスセンサーデバイス１Ａを作製した（図２及び図３参照）。
図１２は、電極付きアルミナ基板の白金電極上に製膜されたガス感応層αの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。この図１２におけるいくつかのナノシート型酸化スズを画像解析して算出したアスペクト比は３．６５～１７．７５であり、平均は１０．８７であった。
【0034】
〔Ａ〕センサーα１の作製
紫外線光源として、波長３６０ｎｍの光を発光するＬＥＤ素子（ＯＳＡ ＯＰＴＯ社製）を、ガス感応層から約１．５ｍｍ離れた上方に配設し、ガスセンサーデバイス（以下、「センサーα１」という）を得た。
紫外線光源として、波長３６０ｎｍの光を発光するＬＥＤ素子（ＯＳＡ ＯＰＴＯ社製）を、ガス感応層から約１．５ｍｍ離れた上方に配設し、ガスセンサーデバイス（以下、「センサーα１」という）を得た。
【0035】
〔Ｂ〕センサーα２の作製
紫外線光源として、波長２７５ｎｍの光を発光するＬＥＤ素子（Ｓｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ社製）を、ガス感応層から約１．５ｍｍ離れた上方に配設し、ガスセンサーデバイス（以下、「センサーα２」という）を得た。
紫外線光源として、波長２７５ｎｍの光を発光するＬＥＤ素子（Ｓｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ社製）を、ガス感応層から約１．５ｍｍ離れた上方に配設し、ガスセンサーデバイス（以下、「センサーα２」という）を得た。
【0036】
〔Ｃ〕ガスセンサーデバイスのセンサー特性評価
次に、得られたガスセンサーα１及びα２を用いて、被検知ガスとしての水素、アセトン、イソプレン、トルエン、エタノール、二酸化窒素又はアンモニアと、空気との混合ガス（被検知ガスを所定の濃度とした混合ガス）に対するセンサー特性評価を行った。測定温度は２５℃であり、以下、「常温」という。具体的には、空気のみの雰囲気下、ガス感応層に紫外線（波長：３６０ｎｍ又は２７５ｎｍ）を照射し、１８００秒間経過後、一対の電極の間の電気抵抗値を測定（電気抵抗値：Ｒａ）し、次いで、被検知ガスの濃度が既知である混合ガスをガス感応層に接触させ、この状態でガス感応層に紫外線（波長：３６０ｎｍ又は２７５ｎｍ）を照射し、照射開始から１２００秒間経過するまで、一対の電極の間の電気抵抗値を測定（電気抵抗値：Ｒｇ）した。各電気抵抗値は、多チャンネルデジタルマルチメータ（ケースレー社製；型番２７００及びサムス社製；型番ＰＷＯＮ－ＧＳ－４改）により測定した。
次に、得られたガスセンサーα１及びα２を用いて、被検知ガスとしての水素、アセトン、イソプレン、トルエン、エタノール、二酸化窒素又はアンモニアと、空気との混合ガス（被検知ガスを所定の濃度とした混合ガス）に対するセンサー特性評価を行った。測定温度は２５℃であり、以下、「常温」という。具体的には、空気のみの雰囲気下、ガス感応層に紫外線（波長：３６０ｎｍ又は２７５ｎｍ）を照射し、１８００秒間経過後、一対の電極の間の電気抵抗値を測定（電気抵抗値：Ｒａ）し、次いで、被検知ガスの濃度が既知である混合ガスをガス感応層に接触させ、この状態でガス感応層に紫外線（波長：３６０ｎｍ又は２７５ｎｍ）を照射し、照射開始から１２００秒間経過するまで、一対の電極の間の電気抵抗値を測定（電気抵抗値：Ｒｇ）した。各電気抵抗値は、多チャンネルデジタルマルチメータ（ケースレー社製；型番２７００及びサムス社製；型番ＰＷＯＮ－ＧＳ－４改）により測定した。
【0037】
ガスセンサーの評価項目は以下の通りであり、評価結果を表１及び表２に示した。
（１）応答値
混合ガス接触後、電気抵抗値が上昇してＲａ＜Ｒｇとなった場合はＲｇ／Ｒａを算出してこれを応答値とし、また、混合ガス接触後、電気抵抗値が低下してＲａ＞Ｒｇとなった場合はＲａ／Ｒｇを算出してこれを応答値とした。
（２）ノイズ
Ｒａ／（Ｒａ－Ｒａの標準偏差）を算出した。
（３）シグナル値
上記で得られた応答値及びノイズから、差（応答値－ノイズ）を算出した。
（４）９０％応答時間
Ｒａを０％、Ｒｇを１００％として、混合ガス流通後、Ｒｇの９０％に到達するまでの時間を計測した。
（５）９０％回復時間
Ｒｇを０％、Ｒａを１００％として、混合ガスに接触させた後、空気に切り替えて、Ｒａの９０％に到達するまでの時間を計測した。
（１）応答値
混合ガス接触後、電気抵抗値が上昇してＲａ＜Ｒｇとなった場合はＲｇ／Ｒａを算出してこれを応答値とし、また、混合ガス接触後、電気抵抗値が低下してＲａ＞Ｒｇとなった場合はＲａ／Ｒｇを算出してこれを応答値とした。
（２）ノイズ
Ｒａ／（Ｒａ－Ｒａの標準偏差）を算出した。
（３）シグナル値
上記で得られた応答値及びノイズから、差（応答値－ノイズ）を算出した。
（４）９０％応答時間
Ｒａを０％、Ｒｇを１００％として、混合ガス流通後、Ｒｇの９０％に到達するまでの時間を計測した。
（５）９０％回復時間
Ｒｇを０％、Ｒａを１００％として、混合ガスに接触させた後、空気に切り替えて、Ｒａの９０％に到達するまでの時間を計測した。
【0038】
〔Ｄ〕センサーα１のセンサー特性について
センサーα１は、１ｐｐｍ二酸化窒素に対してシグナル値が５．７６（シグナル値０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。また、同濃度のアンモニアに対してシグナル値が０．０８（シグナル値０．０３以上０．３０未満）であり、僅かに感応性を示した。しかしながら、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエン及びエタノールに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
センサーα１は、１ｐｐｍ二酸化窒素に対してシグナル値が５．７６（シグナル値０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。また、同濃度のアンモニアに対してシグナル値が０．０８（シグナル値０．０３以上０．３０未満）であり、僅かに感応性を示した。しかしながら、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエン及びエタノールに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
【0039】
１ｐｐｍ二酸化窒素に対する応答値は、測定した同濃度の他のガスに対するそれよりも大きかった。即ち、二酸化窒素／水素：６．７３、二酸化窒素／アセトン：６．５４、二酸化窒素／イソプレン：６．５０、二酸化窒素／トルエン：６．６９、二酸化窒素／エタノール：６．７５、二酸化窒素／アンモニア：６．１４であり、応答値比２．００以上１０．００未満であった。
【0040】
１ｐｐｍアンモニアに対する応答値は、測定した同濃度の二酸化窒素を除いた他のガスに対するそれよりも僅かに大きかった。即ち、アンモニア／水素：１．１０、アンモニア／アセトン：１．０６、アンモニア／イソプレン：１．０６、アンモニア／トルエン：１．０９、アンモニア／エタノール：１．１０であり、応答値比１．０１以上２．００未満であった。
【0041】
センサーα１は、５ｐｐｍ二酸化窒素に対してシグナル値が３２．７１（シグナル値１０．００以上１００．００未満）であり、高い感応性を示した。また、同濃度のアンモニアに対してシグナル値が０．５６（シグナル値０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。しかしながら、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエン及びエタノールに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
【0042】
５ｐｐｍの二酸化窒素に対する応答値は、測定した同濃度の他のガスに対するそれよりも格段大きかった。即ち、二酸化窒素／水素：３３．４１、二酸化窒素／アセトン：３３．５５、二酸化窒素／イソプレン：３２．９８、二酸化窒素／トルエン：３３．０７、二酸化窒素／エタノール：３２．７０、二酸化窒素／アンモニア：２１．２２であり、応答値比１０以上であった。
【0043】
５ｐｐｍアンモニアに対する応答値は、測定した同濃度の二酸化窒素を除いた他のガスに対するそれよりも僅かに大きかった。即ち、アンモニア／水素：１．５７、アンモニア／アセトン：１．５３、アンモニア／イソプレン：１．５５、アンモニア／トルエン：１．５６、アンモニア／エタノール：１．５４であり、応答値比１．０１以上２．００未満であった。
【0044】
センサーα１は、２０ｐｐｍ二酸化窒素に対してシグナル値が１６８．５７（シグナル値１００．００以上）であり、極めて高い感応性を示した。また、同濃度のアンモニアに対してシグナル値が３．４３（シグナル値０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。しかしながら、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエン及びエタノールに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
【0045】
２０ｐｐｍの二酸化窒素に対する応答値は、測定した同濃度の他のガスに対するそれよりも格段大きかった。即ち、二酸化窒素／水素：１６６．３１、二酸化窒素／アセトン：１６８．６９、二酸化窒素／イソプレン：１６１．０１、二酸化窒素／トルエン：１６９．７８、二酸化窒素／エタノール：１６５．７１、二酸化窒素／アンモニア：３８．０７であり、応答値比１０以上であった。
【0046】
２０ｐｐｍアンモニアに対する応答値は、測定した同濃度の二酸化窒素を除いた他のガスに対するそれよりも大きかった。即ち、アンモニア／水素：４．３７、アンモニア／アセトン：４．４３、アンモニア／イソプレン：４．２３、アンモニア／トルエン：４．４６、アンモニア／エタノール：４．３５であり、応答値比応答値比２．００以上１０．００未満であった。
【0047】
〔Ｅ〕センサーα２のセンサー特性について
センサーα２は、１ｐｐｍ二酸化窒素に対してシグナル値が０．５３（シグナル値０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。また、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエン、エタノール及びアンモニアに対してシグナル値が０．０３以上１０．００未満であり、僅かに感応性を示した。
センサーα２は、１ｐｐｍ二酸化窒素に対してシグナル値が０．５３（シグナル値０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。また、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエン、エタノール及びアンモニアに対してシグナル値が０．０３以上１０．００未満であり、僅かに感応性を示した。
【0048】
１ｐｐｍ二酸化窒素に対する応答値は、測定した同濃度の他のガスに対するそれよりも僅かに大きかった。即ち、二酸化窒素／水素：１．４２、二酸化窒素／アセトン：１．３９、二酸化窒素／イソプレン：１．４０、二酸化窒素／トルエン：１．４０、二酸化窒素／エタノール：１．３９、二酸化窒素／アンモニア：１．４０であり、応答値比１．０１以上２．００未満であった。
【0049】
センサーα２は、５ｐｐｍ二酸化窒素に対してシグナル値が４．４８（シグナル値０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。また、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエンエタノール及びアンモニアに対してシグナル値が０．０３以上１０．００未満であり、僅かに感応性を示した。
【0050】
５ｐｐｍ二酸化窒素に対する応答値は、測定した同濃度の他のガスに対するそれよりも大きかった。即ち、二酸化窒素／水素：５．１９、二酸化窒素／アセトン：４．８９、二酸化窒素／イソプレン：５．０９、二酸化窒素／トルエン：５．１０、二酸化窒素／エタノール：４．６６、二酸化窒素／アンモニア：４．６８であり、応答値比２．００以上１０．００未満であった。
【0051】
センサーα２は、２０ｐｐｍ二酸化窒素に対してシグナル値が１６８．５７（シグナル値１０．００以上１００．００未満）であり、高い感応性を示した。また、同濃度のエタノール及びアンモニアに対してシグナル値が、それぞれ、０．５２及び０．３０（いずれも、シグナル値０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。更に、同濃度の水素、アセトン、イソプレン及びトルエンに対してシグナル値が０．０３以上０．３０未満であり、僅かに感応性を示した。
【0052】
２０ｐｐｍの二酸化窒素に対する応答値は、測定した同濃度の他のガスに対するそれよりも格段大きかった。即ち、二酸化窒素／水素：１６６．３１、二酸化窒素／アセトン：１６８．６９、二酸化窒素／イソプレン：１６１．０１、二酸化窒素／トルエン：１６９．７８、二酸化窒素／エタノール：１６５．７１、二酸化窒素／アンモニア：３８．０７であり、応答値比１０以上であった。
【0053】
２０ｐｐｍエタノールに対する応答値は、測定した同濃度の二酸化窒素及びアンモニアを除いた他のガスに対するそれよりも大きかった。即ち、エタノール／水素：１．４４、エタノール／アセトン：１．２９、エタノール／イソプレン：１．３８、エタノール／トルエン：１．４５であり、応答値比２．００以上１０．００未満であった。
【0054】
２０ｐｐｍアンモニアに対する応答値は、測定した同濃度の二酸化窒素及びエタノールを除いた他のガスに対するそれよりも僅かに大きかった。即ち、アンモニア／水素：４．３７、アンモニア／アセトン：４．４３、アンモニア／イソプレン：４．２３、アンモニア／トルエン：４．４６であり、応答値比１．０１以上２．００未満であった。
【0055】
実施例２（平均アスペクト比が１１．７９のナノシート型酸化スズを含むガスセンサーデバイスの製造及び評価）
９０℃の蒸留水にふっ化スズ（ＳｎＦ２）（森田化学工業株式会社製）を溶解して１４０ｍＭのふっ化スズ水溶液を得た。次いで、電極付きアルミナ基板をこのフッ化スズ水溶液に浸漬し、９０℃で６時間保持することにより、一対の白金電極を含む全面に、ナノシート型酸化スズの集合体からなる膜（以下、「ガス感応層β」ともいう）を形成させ、ガスセンサー素子を得た。白金電極上におけるガス感応層βの厚さに相当するナノシート型酸化スズのサイズＬは、約１００ｎｍであった。その後、得られたガスセンサー素子の裏面側を、金属半導体パッケージ３０の上に載せて、白金線溶接した。次いで、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５の上方に、紫外線光源２０を配置し、更に、上面中央に開口部４１を備える金属半導体パッケージ蓋４０を付けてガスセンサーデバイス１Ａを作製した（図２及び図３参照）。
図１３は、電極付きアルミナ基板の白金電極上に製膜されたガス感応層βの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。この図１３におけるいくつかのナノシート型酸化スズを画像解析して算出したアスペクト比は４．７３～２１．７５であり、平均は１１．７９であった。
９０℃の蒸留水にふっ化スズ（ＳｎＦ２）（森田化学工業株式会社製）を溶解して１４０ｍＭのふっ化スズ水溶液を得た。次いで、電極付きアルミナ基板をこのフッ化スズ水溶液に浸漬し、９０℃で６時間保持することにより、一対の白金電極を含む全面に、ナノシート型酸化スズの集合体からなる膜（以下、「ガス感応層β」ともいう）を形成させ、ガスセンサー素子を得た。白金電極上におけるガス感応層βの厚さに相当するナノシート型酸化スズのサイズＬは、約１００ｎｍであった。その後、得られたガスセンサー素子の裏面側を、金属半導体パッケージ３０の上に載せて、白金線溶接した。次いで、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５の上方に、紫外線光源２０を配置し、更に、上面中央に開口部４１を備える金属半導体パッケージ蓋４０を付けてガスセンサーデバイス１Ａを作製した（図２及び図３参照）。
図１３は、電極付きアルミナ基板の白金電極上に製膜されたガス感応層βの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。この図１３におけるいくつかのナノシート型酸化スズを画像解析して算出したアスペクト比は４．７３～２１．７５であり、平均は１１．７９であった。
【0056】
〔Ａ〕センサーβ１の作製
紫外線光源として、波長３６０ｎｍの光を発光するＬＥＤ素子（ＯＳＡ ＯＰＴＯ社製）を、ガス感応層から約１．５ｍｍ離れた上方に配設し、ガスセンサーデバイス（以下、「センサーβ１」という）を得た。
紫外線光源として、波長３６０ｎｍの光を発光するＬＥＤ素子（ＯＳＡ ＯＰＴＯ社製）を、ガス感応層から約１．５ｍｍ離れた上方に配設し、ガスセンサーデバイス（以下、「センサーβ１」という）を得た。
【0057】
〔Ｂ〕センサーβ２の作製
紫外線光源として、波長２７５ｎｍの光を発光するＬＥＤ素子（Ｓｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ社製）を、ガス感応層から約１．５ｍｍ離れた上方に配設し、ガスセンサーデバイス（以下、「センサーβ２」という）を得た。
紫外線光源として、波長２７５ｎｍの光を発光するＬＥＤ素子（Ｓｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ社製）を、ガス感応層から約１．５ｍｍ離れた上方に配設し、ガスセンサーデバイス（以下、「センサーβ２」という）を得た。
【0058】
〔Ｃ〕のセンサー特性評価
実施例１と同様にして、常温で、センサーβ１及びセンサーβ２のセンサー特性評価を行った。評価結果を表１及び表２に示した。
実施例１と同様にして、常温で、センサーβ１及びセンサーβ２のセンサー特性評価を行った。評価結果を表１及び表２に示した。
【0059】
〔Ｄ〕センサーβ１のセンサー特性について
センサーβ１は、１ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が１２．６８（シグナル値：１０．００以上１００．００未満）であり、高い感応性を示した。また、同濃度のアンモニアに対してシグナル値が０．１２（シグナル値：０．０３以上０．３０未満）であり、僅かに感応性を示した。しかしながら、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエン及びエタノールに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
センサーβ１は、１ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が１２．６８（シグナル値：１０．００以上１００．００未満）であり、高い感応性を示した。また、同濃度のアンモニアに対してシグナル値が０．１２（シグナル値：０．０３以上０．３０未満）であり、僅かに感応性を示した。しかしながら、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエン及びエタノールに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
【0060】
１ｐｐｍの二酸化窒素に対する応答値は、測定した同濃度の他のガスに対するそれよりも格段大きかった。即ち、二酸化窒素／水素：１３．５２、二酸化窒素／アセトン：１３．５２、二酸化窒素／イソプレン：１３．５２、二酸化窒素／トルエン：１３．５７、二酸化窒素／エタノール：１３．６０、二酸化窒素／アンモニア：１２．１４であり、応答値比１０．００以上であった。
【0061】
１ｐｐｍのアンモニアに対する応答値は、測定した同濃度の二酸化窒素を除いた他のガスに対するそれよりも僅かに大きかった。即ち、アンモニア／水素：１．１１、アンモニア／アセトン：１．１１、アンモニア／イソプレン：１．１１、アンモニア／トルエン：１．１２、アンモニア／エタノール：１．１２であり、応答値比１．０１以上２．００未満であった。
【0062】
センサーβ１は、５ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が７０．９９（シグナル値：１０．００以上１００．００未満）であり、高い感応性を示した。また、同濃度のアンモニアに対してシグナル値が２．５８（シグナル値：０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。しかしながら、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエン及びエタノールに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
【0063】
５ｐｐｍの二酸化窒素に対する応答値は、測定した同濃度の他のガスに対するそれよりも格段大きかった。即ち、二酸化窒素／水素：７１．３０、二酸化窒素／アセトン：７０．６５、二酸化窒素／イソプレン：７１．３７、二酸化窒素／トルエン：７１．９６、二酸化窒素／エタノール：７２．００、二酸化窒素／アンモニア：３４．９２であり、応答値比１０．００以上であった。
【0064】
５ｐｐｍのアンモニアに対する応答値は、測定した同濃度の二酸化窒素を除いた他のガスに対するそれよりも僅かに大きかった。即ち、アンモニア／水素：２．０４、アンモニア／アセトン：２．０２、アンモニア／イソプレン：２．０４、アンモニア／トルエン：２．０６、アンモニア／エタノール：２．０６であり、応答値比１．０１以上２．００未満であった。
【0065】
センサーβ１は、２０ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が３０６．６７（シグナル値：１００．００以上）であり、極めて高い感応性を示した。また、同濃度のアンモニアに対してシグナル値が９．２４（シグナル値０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。更に、同濃度のエタノールに対してシグナル値が０．０１（シグナル値０．０３以上０．３０未満）であり、僅かに感応性を示した。しかしながら、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエン及びエタノールに対してシグナル値が０．０３未満であり、感応性を示さなかった。
【0066】
２０ｐｐｍの二酸化窒素に対する応答値は、測定した同濃度の他のガスに対するそれよりも格段大きかった。即ち、二酸化窒素／水素：３０３．３０、二酸化窒素／アセトン：２８６．９１、二酸化窒素／イソプレン：３０６．８７、二酸化窒素／トルエン：３０３．５４、二酸化窒素／エタノール：３０３．４４、二酸化窒素／アンモニア：３４．９２であり、応答値比１０以上であった。
【0067】
２０ｐｐｍのアンモニアに対する応答値は、測定した同濃度の二酸化窒素及びアセトンを除いた他のガスに対するそれよりも格段大きかった。即ち、アンモニア／水素：１０．１２、アンモニア／イソプレン：１０．２２、アンモニア／トルエン：１０．１１、アンモニア／エタノール：１０．１０であり、応答値比１０以上であった。また、この２０ｐｐｍのアンモニアに対する応答値は９．５５であり、応答値比２．００以上１０．００未満であり、同濃度のアセトンに対するそれよりも大きかった。
【0068】
２０ｐｐｍのアセトンに対する応答値は、測定した同濃度の二酸化窒素及びアンモニアを除いた他のガスに対するそれよりも僅かに大きかった。即ち、アセトン／水素：１．０６、アセトン／イソプレン：１．０７、アセトン／トルエン：１．０６、アセトン、エタノール：１．０６であり、応答値比１．０１以上２．００未満であった。
【0069】
〔Ｅ〕センサーβ２のセンサー特性について
センサーβ２は、１ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が０．７８（シグナル値：０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。また、同濃度のエタノールに対してシグナル値が０．０４（シグナル値：０．０３以上０．３０未満）であり、僅かに感応性を示した。しかしながら、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエン及びアンモニアに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
センサーβ２は、１ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が０．７８（シグナル値：０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。また、同濃度のエタノールに対してシグナル値が０．０４（シグナル値：０．０３以上０．３０未満）であり、僅かに感応性を示した。しかしながら、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエン及びアンモニアに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
【0070】
１ｐｐｍの二酸化窒素に対する応答値は、測定した同濃度の他のガスに対するそれよりも僅かに大きかった。即ち、二酸化窒素／水素：１．７８、二酸化窒素／アセトン：１．７８、二酸化窒素／イソプレン：１．７８、二酸化窒素／トルエン：１．７６、二酸化窒素／エタノール：１．７２、二酸化窒素／アンモニア：１．７５であり、応答値比１．０１以上２．００未満であった。
【0071】
１ｐｐｍのエタノールに対する応答値は、測定した同濃度の二酸化窒素を除いた他のガスに対するそれよりも僅かに大きかった。即ち、エタノール／水素：１．０３、エタノール／アセトン：１．０４、エタノール／イソプレン：１．０４、エタノール／トルエン：１．０４、エタノール／アンモニア：１．０２であり、応答値比１．０１以上２．００未満であった。
【0072】
センサーβ２は、５ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が２．５８（シグナル値：０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。また、同濃度のエタノールに対してシグナル値が０．１４（シグナル値０．０３以上０．３０未満）であり、僅かに感応性を示した。しかしながら、同濃度の水素、アセトン、イソプレン、トルエン及びアンモニアに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
【0073】
５ｐｐｍの二酸化窒素に対する応答値は、測定した同濃度の他のガスに対するそれよりも大きかった。即ち、二酸化窒素／水素：３．５７、二酸化窒素／アセトン：３．５８、二酸化窒素／イソプレン：３．５７、二酸化窒素／トルエン：３．５０、二酸化窒素／エタノール：３．１４、二酸化窒素／アンモニア：３．５０であり、応答値比２．００以上１０．００未満であった。
【0074】
５ｐｐｍのエタノールに対する応答値は、測定した同濃度の二酸化窒素を除いた他のガスに対するそれよりも僅かに大きかった。即ち、エタノール／水素：１．１４、エタノール／アセトン：１．１４、エタノール／イソプレン：１．１３、エタノール／トルエン：１．１１、エタノール／アンモニア：１．１１であり、応答値比１．０１以上２．００未満であった。
【0075】
センサーβ２は、２０ｐｐｍの二酸化窒素及び２０ｐｐｍのエタノールに対してシグナル値が、それぞれ、６．２９及び０．３７（いずれも、シグナル値：０．３０以上１０．００未満）であり、感応性を示した。また、同濃度のトルエンに対してシグナル値が０．０７（シグナル値：０．０３以上０．３０未満）であり、僅かに感応性を示した。しかしながら、同濃度の水素、アセトン、イソプレン及びアンモニアに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
【0076】
２０ｐｐｍの二酸化窒素に対する応答値は、測定した同濃度の他のガスに対するそれよりも大きかった。即ち、二酸化窒素／水素：７．２８、二酸化窒素／アセトン：７．２８、二酸化窒素／イソプレン：７．２４、二酸化窒素／トルエン：６．８３、二酸化窒素／エタノール：５．３１、二酸化窒素／アンモニア：７．２８であり、応答値比２．００以上１０．００未満であった。
【0077】
２０ｐｐｍのエタノールに対する応答値は、測定した同濃度の二酸化窒素を除いた他のガスに対するそれよりも僅かに大きかった。即ち、エタノール／水素：１．３７、エタノール／アセトン：１．３７、エタノール／イソプレン：１．３６、エタノール／トルエン：１．２９、エタノール／アンモニア：１．３７であり、応答値比１．０１以上２．００未満であった。
【0078】
２０ｐｐｍのトルエンに対する応答値は、測定した同濃度の二酸化窒素及びエタノールを除いた他のガスに対するそれよりも僅かに大きかった。即ち、トルエン／水素：１．０６、トルエン／アセトン：１．０６、トルエン／イソプレン：１．０６、トルエン／アンモニア：１．０６であり、応答値比１．０１以上２．００未満であった。
【0079】
【表1】
【0080】
【表2】
【0081】
実施例３（平均アスペクト比が１２．３９のナノシート型酸化スズを含むガスセンサーデバイスの製造及び評価）
９０℃の蒸留水にふっ化スズ（ＳｎＦ２）（森田化学工業株式会社製）を溶解して２８ｍＭのふっ化スズ水溶液を得た。次いで、電極付きアルミナ基板をこのフッ化スズ水溶液に浸漬し、９０℃で６時間保持することにより、一対の白金電極を含む全面に、ナノシート型酸化スズの集合体からなる膜（以下、「ガス感応層γ」という）を形成させ、ガスセンサー素子を得た。白金電極上におけるガス感応層γの厚さに相当するナノシート型酸化スズのサイズＬは、約８０ｎｍであった。その後、得られたガスセンサー素子の裏面側を、金属半導体パッケージ３０の上に載せて、白金線溶接した。次いで、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５の上方に、紫外線光源２０を配置し、更に、上面中央に開口部４１を備える金属半導体パッケージ蓋４０を付けてガスセンサーデバイス１Ａを作製した（図２及び図３参照）。
図１４は、電極付きアルミナ基板の白金電極上に製膜されたガス感応層γの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。この図１４におけるいくつかのナノシート型酸化スズを画像解析して算出したアスペクト比は、５．３５～３４．１５であり、平均は１２．３９であった。
９０℃の蒸留水にふっ化スズ（ＳｎＦ２）（森田化学工業株式会社製）を溶解して２８ｍＭのふっ化スズ水溶液を得た。次いで、電極付きアルミナ基板をこのフッ化スズ水溶液に浸漬し、９０℃で６時間保持することにより、一対の白金電極を含む全面に、ナノシート型酸化スズの集合体からなる膜（以下、「ガス感応層γ」という）を形成させ、ガスセンサー素子を得た。白金電極上におけるガス感応層γの厚さに相当するナノシート型酸化スズのサイズＬは、約８０ｎｍであった。その後、得られたガスセンサー素子の裏面側を、金属半導体パッケージ３０の上に載せて、白金線溶接した。次いで、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５の上方に、紫外線光源２０を配置し、更に、上面中央に開口部４１を備える金属半導体パッケージ蓋４０を付けてガスセンサーデバイス１Ａを作製した（図２及び図３参照）。
図１４は、電極付きアルミナ基板の白金電極上に製膜されたガス感応層γの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。この図１４におけるいくつかのナノシート型酸化スズを画像解析して算出したアスペクト比は、５．３５～３４．１５であり、平均は１２．３９であった。
【0082】
〔Ａ〕センサーγ１の作製
紫外線光源として、波長３６０ｎｍの光を発光するＬＥＤ素子（ＯＳＡ ＯＰＴＯ社製）を、ガス感応層から約１．５ｍｍ離れた上方に配設し、ガスセンサーデバイス（以下、「センサーγ１」という）を得た。
紫外線光源として、波長３６０ｎｍの光を発光するＬＥＤ素子（ＯＳＡ ＯＰＴＯ社製）を、ガス感応層から約１．５ｍｍ離れた上方に配設し、ガスセンサーデバイス（以下、「センサーγ１」という）を得た。
【0083】
〔Ｂ〕センサーγ２の作製
紫外線光源として、波長２７５ｎｍの光を発光するＬＥＤ素子（Ｓｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ社製）を、ガス感応層から約１．５ｍｍ離れた上方に配設し、ガスセンサーデバイス（以下、「センサーγ２」という）を得た。
紫外線光源として、波長２７５ｎｍの光を発光するＬＥＤ素子（Ｓｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ社製）を、ガス感応層から約１．５ｍｍ離れた上方に配設し、ガスセンサーデバイス（以下、「センサーγ２」という）を得た。
【0084】
〔Ｃ〕のセンサー特性評価
実施例１と同様にして、常温で、センサーγ１及びセンサーγ２のセンサー特性評価を行った。評価結果を表３及び表４に示す。
実施例１と同様にして、常温で、センサーγ１及びセンサーγ２のセンサー特性評価を行った。評価結果を表３及び表４に示す。
【0085】
〔Ｄ〕二酸化窒素に対するセンサー特性
センサーγ１は、１ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が４９．５７（シグナル値：１０．００以上１００．００未満）であり、高い感応性を示した。５ｐｐｍの二酸化窒素及び２０ｐｐｍの二酸化窒素に対しても、シグナル値が、それぞれ、３０５．５９及び１００３．３１（いずれも、シグナル値：１００．００以上）であり、極めて高い感応性を示した。
センサーγ１は、１ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が４９．５７（シグナル値：１０．００以上１００．００未満）であり、高い感応性を示した。５ｐｐｍの二酸化窒素及び２０ｐｐｍの二酸化窒素に対しても、シグナル値が、それぞれ、３０５．５９及び１００３．３１（いずれも、シグナル値：１００．００以上）であり、極めて高い感応性を示した。
【0086】
センサーγ２は、１ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が３．３９（シグナル値：０．０３以上１０．００未満）であり、感応性を示した。５ｐｐｍの二酸化窒素及び２０ｐｐｍの二酸化窒素に対しても、シグナル値が、それぞれ、１４．６９及び３６．７４（いずれも、シグナル値：１０．００以上１００．００未満）であり、高い感応性を示した。
【0087】
【表3】
【表4】
【0088】
〔Ｅ〕センサーα１、α２、β１、β２、γ１及びγ２のガス濃度依存性
以上の結果から、各センサーの被検知ガスに対する応答値（以下、「センサー応答値」という）のガス濃度依存性値を算出し、表５及び表６に示した。
以上の結果から、各センサーの被検知ガスに対する応答値（以下、「センサー応答値」という）のガス濃度依存性値を算出し、表５及び表６に示した。
【0089】
（Ｉ）二酸化窒素
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値の二酸化窒素ガス濃度依存性値は０．３２７７～５０．８０７であった。また、この平均値は１３．０４５であり、１０以上であったため、極めて強いガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９８９であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値の二酸化窒素ガス濃度依存性値は０．３２７７～５０．８０７であった。また、この平均値は１３．０４５であり、１０以上であったため、極めて強いガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９８９であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
【0090】
照射する光の波長で比較すると、波長３６０ｎｍの光を照射した場合には、センサー応答値の二酸化窒素ガス濃度依存性値は８．３１１７～５０．８０７であった。また、この平均値は２４．７９３であり、１０以上であったため、極めて強いガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９８９であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
一方、波長２７５ｎｍの光を照射した場合には、センサー応答値の二酸化窒素ガス濃度依存性値は０．３２７７～１．９０５３であった。また、この平均値は１．２９９７であり、１以上であった。また、決定係数（Ｒ２）は０．９９９３であり、０．９以上であるため、強いガス濃度依存性を有すると共に高い線形関係を有すると解釈される。
一方、波長２７５ｎｍの光を照射した場合には、センサー応答値の二酸化窒素ガス濃度依存性値は０．３２７７～１．９０５３であった。また、この平均値は１．２９９７であり、１以上であった。また、決定係数（Ｒ２）は０．９９９３であり、０．９以上であるため、強いガス濃度依存性を有すると共に高い線形関係を有すると解釈される。
【0091】
ガス感応層の厚さで比較すると、光をガス感応層αに照射した場合には、センサー応答値の二酸化窒素ガス濃度依存性値は１．６６０１～８．３１１７であり、平均値は４．９８５９であった。また、決定係数（Ｒ２）は０．９９７１であった。ガス感応層βの場合には、センサー応答値の二酸化窒素ガス濃度依存性値は０．３２７７～１５．２６００であり、平均値は７．７９４０であった。また、決定係数（Ｒ２）は０．９９９９であった。ガス感応層γの場合には、センサー応答値の二酸化窒素ガス濃度依存性値は１．９０５３～５０．８０７であり、平均値は２６．３５６であった。また、決定係数（Ｒ２）は０．９９５９であった。これらから、ガス感応層α及びβに光照射した場合、二酸化窒素に対して強いガス濃度依存性を有すると共に高い線形関係を示し、ガス感応層γに光照射した場合には、極めて強いガス濃度依存性を有すると共に高い線形関係を有すると解釈される。
【0092】
（ＩＩ）アンモニア
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値のアンモニアガス濃度依存性値は０．０００４～０．４４６８であった。また、この平均値は０．１５７８であり、０．１以上であり、ガス濃度依存性を示した。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９１４であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値のアンモニアガス濃度依存性値は０．０００４～０．４４６８であった。また、この平均値は０．１５７８であり、０．１以上であり、ガス濃度依存性を示した。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９１４であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
【0093】
照射する光の波長で比較すると、波長３６０ｎｍの光を照射した場合には、センサー応答値のアンモニアガス濃度依存性値は０．１６８１～０．４４６８であった。また、この平均値は０．３０７４であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を示した。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９０６であり、０．９以上であるため、線形関係を有すると解釈される。
一方、波長２７５ｎｍの光を照射した場合には、センサー応答値のアンモニアガス濃度依存性値は０．０００４～０．０１６であった。また、この平均値は０．００８２であり、０．９以上であったため、僅かなガス濃度依存性を示した。また、決定係数（Ｒ２）は０．９５７８であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
一方、波長２７５ｎｍの光を照射した場合には、センサー応答値のアンモニアガス濃度依存性値は０．０００４～０．０１６であった。また、この平均値は０．００８２であり、０．９以上であったため、僅かなガス濃度依存性を示した。また、決定係数（Ｒ２）は０．９５７８であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
【0094】
ガス感応層の厚さで比較すると、光をガス感応層αに照射した場合には、センサー応答値のアンモニアガス濃度依存性値は０．０１６～０．１６８１であり、平均値は０．２２２７であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を示した。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９８８６であり、０．９以上であるため、高い線形関係を示した。ガス感応層βの場合には、センサー応答値のアンモニアガス濃度依存性値は０．０００４～０．４４６８で、平均値は０．０９２９であり、０．０１以上０．１未満であったため、僅かなガス濃度依存性を示した。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９６８であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
【0095】
（ＩＩＩ）エタノール
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値のエタノールガス濃度依存性値は－０．００１２～０．０２６４であった。また、この平均値は０．０１１４であり、０．０１以上０．１未満であったため、僅かなガス濃度依存性を示した。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９８９であり、高い線形関係を有すると解釈される。
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値のエタノールガス濃度依存性値は－０．００１２～０．０２６４であった。また、この平均値は０．０１１４であり、０．０１以上０．１未満であったため、僅かなガス濃度依存性を示した。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９８９であり、高い線形関係を有すると解釈される。
【0096】
照射する光の波長で比較すると、波長３６０ｎｍの光を照射した場合には、センサー応答値のエタノールガス濃度依存性値は－０．００１２～０．０００７であった。また、この平均値は－０．０００１であり、ガス濃度依存性を示さなかった。また、決定係数（Ｒ２）は０．６６３９であり、０．５以上０．７５未満であったため、僅かな線形関係を有すると解釈される。
一方、波長２７５ｎｍの光を照射した場合には、センサー応答値のエタノールガス濃度依存性値は０．０１９３～０．０２６４であり、平均値は０．０２２９であり０．０１以上０．１未満であるため、僅かなガス濃度依存性を示した。また、決定係数（Ｒ２）は０．９９９７であり、高い線形関係を有すると解釈される。
一方、波長２７５ｎｍの光を照射した場合には、センサー応答値のエタノールガス濃度依存性値は０．０１９３～０．０２６４であり、平均値は０．０２２９であり０．０１以上０．１未満であるため、僅かなガス濃度依存性を示した。また、決定係数（Ｒ２）は０．９９９７であり、高い線形関係を有すると解釈される。
【0097】
ガス感応層の厚さで比較すると、光をガス感応層αに照射した場合には、センサー応答値のエタノールガス濃度依存性値は－０．００１２～０．０２６４であり、平均値は０．０１２８であった。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９９９であった。また、ガス感応層βの場合には、センサー応答値のエタノールガス濃度依存性値は０．０００７～０．０１９３であり、平均値は０．０１であった。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９４５であった。これらから、ガス感応層α及びβに光照射した場合、いずれもエタノールに対して僅かなガス濃度依存性と共に高い線形関係を有すると解釈される。
【0098】
（ＩＶ）トルエン
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値のトルエンガス濃度依存性値は－０．００２５～０．００２９であった。また、この平均値は０．００１１であり、ガス濃度依存性を示さなかった。更に、決定係数（Ｒ２）は０．１０４７であり、０．５未満であるため、線形関係を示さなかった。
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値のトルエンガス濃度依存性値は－０．００２５～０．００２９であった。また、この平均値は０．００１１であり、ガス濃度依存性を示さなかった。更に、決定係数（Ｒ２）は０．１０４７であり、０．５未満であるため、線形関係を示さなかった。
【0099】
（Ｖ）イソプレン
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値のイソプレンガス濃度依存性値は０．０００２～０．００５６であった。また、この平均値は０．００１８であり、ガス濃度依存性を示さなかった。更に、決定係数（Ｒ２）は０．３２０３であり、０．５未満であるため、線形関係を示さなかった。
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値のイソプレンガス濃度依存性値は０．０００２～０．００５６であった。また、この平均値は０．００１８であり、ガス濃度依存性を示さなかった。更に、決定係数（Ｒ２）は０．３２０３であり、０．５未満であるため、線形関係を示さなかった。
【0100】
（ＶＩ）アセトン
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値のアセトンガス濃度依存性値は－０．００２１～０．００９６であった。また、この平均値は０．００２９であり、ガス濃度依存性を示さなかった。一方、決定係数（Ｒ２）は０．９９９１であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値のアセトンガス濃度依存性値は－０．００２１～０．００９６であった。また、この平均値は０．００２９であり、ガス濃度依存性を示さなかった。一方、決定係数（Ｒ２）は０．９９９１であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
【0101】
（ＶＩＩ）水素
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値の水素ガス濃度依存性値は－０．０００８～０．００３１であった。また、この平均値は０．０００８であり、ガス濃度依存性を示さなかった。更に、決定係数（Ｒ２）は０．１１５９であり、０．５未満であるため、線形関係を示さなかった。
ガス感応層に光を照射した場合、センサー応答値の水素ガス濃度依存性値は－０．０００８～０．００３１であった。また、この平均値は０．０００８であり、ガス濃度依存性を示さなかった。更に、決定係数（Ｒ２）は０．１１５９であり、０．５未満であるため、線形関係を示さなかった。
【0102】
【表5】
【0103】
【表6】
【0104】
表１から、本発明のセンサーは、二酸化窒素に対して高感度であり、応答値は、測定した他のガス（水素、アセトン、イソプレン、トルエン、エタノール、アンモニア）に対するそれよりも大きかった。即ち、二酸化窒素に対して高選択性である。特にガス濃度が高くなるほどその効果は顕著である。
【0105】
本発明において、３６０ｎｍの波長の光を放射するセンサーを用いる場合には、アンモニアに対して特に感応性を示し、その応答値は、測定した二酸化窒素を除いた他のガス（水素、アセトン、イソプレン、トルエン、エタノール）に対するそれよりも大きかった。即ち、アンモニアに対して選択性を示す。特にガス濃度が高くなるほどその効果は顕著である。
【0106】
本発明において、２７５ｎｍの波長の光を放射するセンサーを用いる場合には、エタノールに対して特に感応性を示し、その応答値は、測定した二酸化窒素を除いた他のガス（水素、アセトン、イソプレン、トルエン、アンモニア）に対するそれよりも大きかった。即ち、エタノールに対して選択性を示す。特にガス濃度が高くなるほどその効果は顕著である。
【0107】
比較例１
〔Ａ〕センサーα３の作製
実施例１のガスセンサーデバイス（センサーα１）における光源を排除したガスセンサーデバイスを、「センサーα３」とした。
〔Ａ〕センサーα３の作製
実施例１のガスセンサーデバイス（センサーα１）における光源を排除したガスセンサーデバイスを、「センサーα３」とした。
【0108】
〔Ｂ〕センサーα４の作製
実施例１のガスセンサーデバイス（センサーα１）における光源を排除したガスセンサーデバイスであって、更に、アルミナ基板における白金電極が配されていない裏面側に白金ヒーターを具備するガスセンサー素子を備えるガスセンサーデバイスを、「センサーα４」とした。
実施例１のガスセンサーデバイス（センサーα１）における光源を排除したガスセンサーデバイスであって、更に、アルミナ基板における白金電極が配されていない裏面側に白金ヒーターを具備するガスセンサー素子を備えるガスセンサーデバイスを、「センサーα４」とした。
【0109】
〔Ｃ〕センサーα３及びα４のセンサー特性評価
実施例１と同様にして、センサーα３は、常温で、センサーα４は、白金ヒーターの駆動により３００℃で、それぞれ、センサー特性評価を行った。評価結果を表７及び表８に示した。
実施例１と同様にして、センサーα３は、常温で、センサーα４は、白金ヒーターの駆動により３００℃で、それぞれ、センサー特性評価を行った。評価結果を表７及び表８に示した。
【0110】
〔Ｄ〕センサーα３のセンサー特性について
センサーα３は、１ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が０．１０であり、僅かに感応性を示した。しかしながら、測定した同濃度の他のガスに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
センサーα３は、１ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が０．１０であり、僅かに感応性を示した。しかしながら、測定した同濃度の他のガスに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
【0111】
センサーα３は、５ｐｐｍ及び２０ｐｐｍの二酸化窒素に対して感応性を示した。しかしながら、測定した同濃度の他のガスに対してほとんど感応性を示さなかった。
【0112】
〔Ｅ〕センサーα４のセンサー特性について
センサーα４は、測定したいずれのガスに対してもシグナル値が０．３０以上であり、感応性を示した。
センサーα４は、測定したいずれのガスに対してもシグナル値が０．３０以上であり、感応性を示した。
【0113】
比較例２
〔Ａ〕センサーβ３の作製
上述の実施例２のガスセンサーデバイス（センサーβ１）における光源を排除したガスセンサーデバイスを、「センサーβ３」とした。
〔Ａ〕センサーβ３の作製
上述の実施例２のガスセンサーデバイス（センサーβ１）における光源を排除したガスセンサーデバイスを、「センサーβ３」とした。
【0114】
〔Ｂ〕センサーβ４の作製
実施例２のガスセンサーデバイス（センサーβ１）における光源を排除したガスセンサーデバイスであって、更に、アルミナ基板における白金電極が配されていない裏面側に白金ヒーターを具備するガスセンサー素子を備えるガスセンサーデバイスを、「センサーβ４」とした。
実施例２のガスセンサーデバイス（センサーβ１）における光源を排除したガスセンサーデバイスであって、更に、アルミナ基板における白金電極が配されていない裏面側に白金ヒーターを具備するガスセンサー素子を備えるガスセンサーデバイスを、「センサーβ４」とした。
【0115】
〔Ｃ〕センサーβ３及びβ４のセンサー特性評価
実施例１と同様にして、センサーβ３は、常温で、センサーβ４は、白金ヒーターの駆動により３００℃で、それぞれ、センサー特性評価を行った。評価結果を表７及び表８に示した。
実施例１と同様にして、センサーβ３は、常温で、センサーβ４は、白金ヒーターの駆動により３００℃で、それぞれ、センサー特性評価を行った。評価結果を表７及び表８に示した。
【0116】
〔Ｄ〕センサーβ３のセンサー特性について
センサーβ３は、１ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が０．０６であり、僅かに感応性を示した。しかしながら、測定した同濃度の他のガスに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
センサーβ３は、１ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が０．０６であり、僅かに感応性を示した。しかしながら、測定した同濃度の他のガスに対してシグナル値が０．０３未満であり、ほとんど感応性を示さなかった。
【0117】
センサーβ３は、５ｐｐｍ及び２０ｐｐｍの二酸化窒素に対して感応性を示した。しかしながら、測定した同濃度のガスに対してほとんど感応性を示さなかった。
【0118】
〔Ｅ〕センサーβ４のセンサー特性について
センサーβ４は、測定した１ｐｐｍのいずれのガスに対してもシグナル値が０．３０以上であり、感応性を示した。
センサーβ４は、測定した１ｐｐｍのいずれのガスに対してもシグナル値が０．３０以上であり、感応性を示した。
【0119】
センサーβ４は、５ｐｐｍの、水素、アセトン、イソプレン、トルエン、エタノール及び二酸化窒素に対していずれもシグナル値が０．３０以上であり、感応性を示した。しかしながら、同濃度のアンモニアに対してシグナル値が０．３０未満であり、僅かに感応性を示した。
【0120】
センサーβ４は、２０ｐｐｍのアセトン、イソプレン及び二酸化窒素に対していずれもシグナル値が１０．００以上であり、高い感応性を示した。しかしながら、同濃度の水素、トルエン及びエタノールに対していずれもシグナル値が０．３０以上であり、感応性を示した。また、同濃度のアンモニアに対してシグナル値が０．０３以上であり、僅かに感応性を示した。
【0121】
【表7】
【0122】
【表8】
【0123】
比較例３
〔Ａ〕センサーγ３の作製
実施例１のガスセンサーデバイス（センサーα１）における光源を排除したガスセンサーデバイスを、「センサーγ３」とした。
〔Ａ〕センサーγ３の作製
実施例１のガスセンサーデバイス（センサーα１）における光源を排除したガスセンサーデバイスを、「センサーγ３」とした。
【0124】
〔Ｂ〕センサーγ４の作製
実施例１のガスセンサーデバイス（センサーα１）における光源を排除したガスセンサーデバイスであって、更に、アルミナ基板における白金電極が配されていない裏面側に白金ヒーターを具備するガスセンサー素子を備えるガスセンサーデバイスを、「センサーγ４」とした。
実施例１のガスセンサーデバイス（センサーα１）における光源を排除したガスセンサーデバイスであって、更に、アルミナ基板における白金電極が配されていない裏面側に白金ヒーターを具備するガスセンサー素子を備えるガスセンサーデバイスを、「センサーγ４」とした。
【0125】
〔Ｃ〕センサーγ３及びγ４のセンサー特性評価
実施例１と同様にして、二酸化窒素に対するセンサー特性評価を、センサーγ３は、常温で、センサーγ４は、白金ヒーターの駆動により３００℃で、それぞれ、行った。評価結果を表９及び表１０に示した。
実施例１と同様にして、二酸化窒素に対するセンサー特性評価を、センサーγ３は、常温で、センサーγ４は、白金ヒーターの駆動により３００℃で、それぞれ、行った。評価結果を表９及び表１０に示した。
【0126】
〔Ｄ〕センサーγ３及びγ４のセンサー特性について
センサーγ３は、１ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が０．３０未満であり、僅かに感応性を示した。また、５ｐｐｍ及び２０ｐｐｍの二酸化窒素に対して感応性を示した。
センサーγ３は、１ｐｐｍの二酸化窒素に対してシグナル値が０．３０未満であり、僅かに感応性を示した。また、５ｐｐｍ及び２０ｐｐｍの二酸化窒素に対して感応性を示した。
【0127】
センサーγ４は、１ｐｐｍ５ｐｐｍの二酸化窒素に対して感応性を示した。特に、２０ｐｐｍの二酸化窒素に対して高い感応性を示した。
【0128】
【表9】
【0129】
【表10】
【0130】
〔Ｅ〕センサーα３、α４、β３、β４、γ３及びγ４の濃度依存性
以上の結果を用いて、センサーα１等の場合と同様にして、センサー応答値のガス濃度依存性値を算出した。その値を、表１１及び表１２に示した。
以上の結果を用いて、センサーα１等の場合と同様にして、センサー応答値のガス濃度依存性値を算出した。その値を、表１１及び表１２に示した。
【0131】
（Ｉ）二酸化窒素
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値の二酸化窒素ガス濃度依存性値は０．０８４１～０．１９４４であった。また、この平均値は０．１５０６であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９９６であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。一方、３００℃における二酸化窒素ガス濃度依存性値は０．４２６２～２．０７３７であった。また、この平均値は１．０８１３であり、１以上であったため、強いガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９９９であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値の二酸化窒素ガス濃度依存性値は０．０８４１～０．１９４４であった。また、この平均値は０．１５０６であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９９６であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。一方、３００℃における二酸化窒素ガス濃度依存性値は０．４２６２～２．０７３７であった。また、この平均値は１．０８１３であり、１以上であったため、強いガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９９９であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
【0132】
（ＩＩ）アンモニア
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値のアンモニアガス濃度依存性値は－０．０００３～０．０００１であった。また、この平均値は０．０００８であり、０．０１未満であったため、ガス濃度依存性を示さなかった。また、決定係数（Ｒ２）は０．９５７８であり、０．９以上であるため高い線形関係を有すると解釈される。一方、３００℃におけるアンモニアガス濃度依存性値は０．０１０５～０．０３１２であった。また、この平均値は０．３０７５であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９０６であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値のアンモニアガス濃度依存性値は－０．０００３～０．０００１であった。また、この平均値は０．０００８であり、０．０１未満であったため、ガス濃度依存性を示さなかった。また、決定係数（Ｒ２）は０．９５７８であり、０．９以上であるため高い線形関係を有すると解釈される。一方、３００℃におけるアンモニアガス濃度依存性値は０．０１０５～０．０３１２であった。また、この平均値は０．３０７５であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９９０６であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
【0133】
（ＩＩＩ）エタノール
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値のエタノールガス濃度依存性値は－０．００１１～－０．０００１であった。また、この平均値は－０．０００６であり、０．０１未満であったため、ガス濃度依存性を示さなかった。また、決定係数（Ｒ２）は０．００５９であり、０．５未満であったため、線形関係を示さなかった。一方、３００℃におけるエタノールガス濃度依存性値は０．１１９２～０．１２１９であった。また、この平均値は０．１２０６であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．６５１１であり、０．５以上であるため、僅かな線形関係を有すると解釈される。
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値のエタノールガス濃度依存性値は－０．００１１～－０．０００１であった。また、この平均値は－０．０００６であり、０．０１未満であったため、ガス濃度依存性を示さなかった。また、決定係数（Ｒ２）は０．００５９であり、０．５未満であったため、線形関係を示さなかった。一方、３００℃におけるエタノールガス濃度依存性値は０．１１９２～０．１２１９であった。また、この平均値は０．１２０６であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．６５１１であり、０．５以上であるため、僅かな線形関係を有すると解釈される。
【0134】
（ＩＶ）トルエン
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値のトルエンガス濃度依存性値は－０．００１～－０．０００３であった。また、この平均値は－０．０００７であり、０．０１未満であったため、ガス濃度依存性を示さなかった。また、決定係数（Ｒ２）は０．００２４であり、０．５未満であったため、線形関係を示さなかった。一方、３００℃におけるトルエンガス濃度依存性値は０．３６４４～０．０５２２であった。また、この平均値は０．２０８３であり、０．５以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．６７０８であり、０．５以上であるため、僅かな線形関係を有すると解釈される。
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値のトルエンガス濃度依存性値は－０．００１～－０．０００３であった。また、この平均値は－０．０００７であり、０．０１未満であったため、ガス濃度依存性を示さなかった。また、決定係数（Ｒ２）は０．００２４であり、０．５未満であったため、線形関係を示さなかった。一方、３００℃におけるトルエンガス濃度依存性値は０．３６４４～０．０５２２であった。また、この平均値は０．２０８３であり、０．５以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．６７０８であり、０．５以上であるため、僅かな線形関係を有すると解釈される。
【0135】
（Ｖ）イソプレン
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値のイソプレンガス濃度依存性値は－０．０００９～０．０００１であった。また、この平均値は－０．０００４であり、０．０１未満であったため、ガス濃度依存性を示さなかった。また、決定係数（Ｒ２）は０．０７２８であり、０．５未満であったため、線形関係を示さなかった。一方、３００℃におけるイソプレンガス濃度依存性値は０．１００４～０．５６３３であった。また、この平均値は０．３３１９であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９０４２であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値のイソプレンガス濃度依存性値は－０．０００９～０．０００１であった。また、この平均値は－０．０００４であり、０．０１未満であったため、ガス濃度依存性を示さなかった。また、決定係数（Ｒ２）は０．０７２８であり、０．５未満であったため、線形関係を示さなかった。一方、３００℃におけるイソプレンガス濃度依存性値は０．１００４～０．５６３３であった。また、この平均値は０．３３１９であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９０４２であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
【0136】
（ＶＩ）アセトン
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値のアセトンガス濃度依存性値は－０．００１～０．０００４であった。また、この平均値は－０．０００３であり、０．０１未満であったため、ガス濃度依存性を示さなかった。尚、決定係数（Ｒ２）は０．９１３９であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。一方、３００℃におけるアセトンガス濃度依存性値は０．１５７４～０．５４８９であった。また、この平均値は０．４０３２であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９８８１であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値のアセトンガス濃度依存性値は－０．００１～０．０００４であった。また、この平均値は－０．０００３であり、０．０１未満であったため、ガス濃度依存性を示さなかった。尚、決定係数（Ｒ２）は０．９１３９であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。一方、３００℃におけるアセトンガス濃度依存性値は０．１５７４～０．５４８９であった。また、この平均値は０．４０３２であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．９８８１であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。
【0137】
（ＶＩＩ）水素
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値の水素ガス濃度依存性値は－０．００１１～－０．０００１であった。また、この平均値は－０．０００６であり、０．０１未満であったため、ガス濃度依存性を示さなかった。尚、決定係数（Ｒ２）は０．９４９１であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。一方、３００℃における水素ガス濃度依存性値は０．１３０６～０．０．２８２８であった。また、この平均値は０．２０６７であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．８１４９であり、０．７５以上であるため、線形関係を有すると解釈される。
ガス感応層の常温におけるセンサー応答値の水素ガス濃度依存性値は－０．００１１～－０．０００１であった。また、この平均値は－０．０００６であり、０．０１未満であったため、ガス濃度依存性を示さなかった。尚、決定係数（Ｒ２）は０．９４９１であり、０．９以上であるため、高い線形関係を有すると解釈される。一方、３００℃における水素ガス濃度依存性値は０．１３０６～０．０．２８２８であった。また、この平均値は０．２０６７であり、０．１以上であったため、ガス濃度依存性を有すると解釈される。更に、決定係数（Ｒ２）は０．８１４９であり、０．７５以上であるため、線形関係を有すると解釈される。
【0138】
【表11】
【0139】
【表12】
【0140】
表１及び表７から、以下のことが分かる。
紫外線を照射するセンサーα１（実施例）の場合、常温における１ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーα３（比較例）の常温におけるそれより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、二酸化窒素：６１４．７８）。また、センサーα３による１ｐｐｍの二酸化窒素のシグナル値は、センサーα１による同濃度のアンモニアに対するそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、アンモニア：８．４６）。
紫外線を照射するセンサーα１（実施例）の場合、常温における１ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーα３（比較例）の常温におけるそれより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、二酸化窒素：６１４．７８）。また、センサーα３による１ｐｐｍの二酸化窒素のシグナル値は、センサーα１による同濃度のアンモニアに対するそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、アンモニア：８．４６）。
【0141】
紫外線を照射するセンサーα１（実施例）の場合、常温における５ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーα３（比較例）の常温におけるそれより格段大きかった（シグナル値比１０００以上、二酸化窒素：６１０２．６６）。また、センサーα３による５ｐｐｍの二酸化窒素のシグナル値は、センサーα１による同濃度のアンモニアに対するそれより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、アンモニア：１０５・２３）。
【0142】
紫外線を照射するセンサーα１（実施例）の場合、常温における２０ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーα３（比較例）の常温におけるそれより格段大きかった（シグナル値比１０００以上、二酸化窒素：３４０１８．３２）。また、センサーα３による２０ｐｐｍの二酸化窒素のシグナル値は、センサーα１による同濃度のアンモニアに対するそれより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、アンモニア：６９２．０１）。
【0143】
紫外線を照射するセンサーα２（実施例）の場合、常温における１ｐｐｍのいずれのガスに対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーα３（比較例）の常温におけるそれらより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、水素：８．６７、アセトン：１０．８８、イソプレン：９．６７、トルエン：９．５９、エタノール：１０．９８、二酸化窒素：５６．９６、アンモニア：１０．７４）。
【0144】
紫外線を照射するセンサーα２（実施例）の場合、常温における５ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーα３（比較例）の常温におけるそれより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、二酸化窒素：８３６．２５）。また、センサーα３による５ｐｐｍの二酸化窒素のシグナル値は、センサーα２による同濃度の他のガスに対するそれらより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、水素：９．２５、アセトン：２１．０９、イソプレン：１２．７０、トルエン：１２．３９、エタノール：３２．０５、アンモニア：３１．２４）。
【0145】
紫外線を照射するセンサーα２（実施例）の場合、常温における２０ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーα３（比較例）の常温におけるそれより格段大きかった（シグナル値比１０００以上、二酸化窒素：６９０４．０２）。また、センサーα３による２０ｐｐｍの二酸化窒素のシグナル値は、センサーα２による同濃度のエタノールに対するそれらより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、エタノール：１０４．４５）。更に、センサーα３による２０ｐｐｍの二酸化窒素のシグナル値は、センサーα２による同濃度のエタノール以外の他のガスに対するそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、水素：９．９９、アセトン：３４．４３、イソプレン：１９．７０、トルエン：８．２９、アンモニア：６０．５５）。
【0146】
次に、紫外線を照射するセンサーβ１（実施例）の場合、常温における１ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーβ３（比較例）の常温におけるそれより格段大きかった（シグナル値比１０００以上、二酸化窒素：１５１２１．２４）。また、センサーβ３による１ｐｐｍの二酸化窒素のシグナル値は、センサーβ１による同濃度のアンモニアに対するそれより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、アンモニア：１４５．５４）。
【0147】
紫外線を照射するセンサーβ１（実施例）の場合、常温における５ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーβ３（比較例）の常温におけるそれより格段大きかった（シグナル値比１０００以上、二酸化窒素：６７４５．５６）。また、センサーβ３による５ｐｐｍの二酸化窒素のシグナル値は、センサーβ１による同濃度のアンモニアに対するそれより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、アンモニア：１００．４２）。
【0148】
紫外線を照射するセンサーβ１（実施例）の場合、常温における２０ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーβ３（比較例）の常温におけるそれより格段大きかった（シグナル値比１０００以上、二酸化窒素：１４１５０．０７）。また、センサーβ３による２０ｐｐｍの二酸化窒素のシグナル値は、センサーβ１による同濃度のアンモニアに対するそれより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、アンモニア：４２６．３８）。
【0149】
紫外線を照射するセンサーβ２（実施例）の常温における１ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーβ３（比較例）の常温におけるそれより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、二酸化窒素：９２９．９４）。また、センサーβ３による１ｐｐｍの二酸化窒素のシグナル値は、センサーβ２による同濃度のエタノールに対するそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、エタノール：４４．０２）。
【0150】
紫外線を照射するセンサーβ２（実施例）の常温における５ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーβ３（比較例）の常温におけるそれより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、二酸化窒素：２４５．３０）。また、センサーβ３による５ｐｐｍの二酸化窒素のシグナル値は、センサーβ２による同濃度のエタノールに対するそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、エタノール：１３．２７）。
【0151】
紫外線を照射するセンサーβ２（実施例）の常温における２０ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーβ３（比較例）の常温におけるそれより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、二酸化窒素：２９０．４５）。また、センサーβ３による２０ｐｐｍの二酸化窒素のシグナル値は、センサーβ２による同濃度のエタノールに対するそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、エタノール：１７．２７）。
【0152】
表３及び表９から、以下のことが分かる。
紫外線を照射するセンサーγ１（実施例）の常温における１ｐｐｍ、５ｐｐｍ及び２０ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーγ３（比較例）の常温におけるそれらより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、１ｐｐｍ二酸化窒素：１８６．５３、５ｐｐｍ二酸化窒素：２７５．３９、２０ｐｐｍ二酸化窒素：２６０．６８）。
紫外線を照射するセンサーγ１（実施例）の常温における１ｐｐｍ、５ｐｐｍ及び２０ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーγ３（比較例）の常温におけるそれらより大きかった（シグナル値比１００以上１０００未満、１ｐｐｍ二酸化窒素：１８６．５３、５ｐｐｍ二酸化窒素：２７５．３９、２０ｐｐｍ二酸化窒素：２６０．６８）。
【0153】
また、紫外線を照射するセンサーγ２（実施例）の常温における１ｐｐｍ、５ｐｐｍ及び２０ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、紫外線を照射しないセンサーγ３（比較例）の常温におけるそれられより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、１ｐｐｍ二酸化窒素：１１．５３、５ｐｐｍ二酸化窒素：１３．２４、２０ｐｐｍ二酸化窒素：９．５５）。
【0154】
これらの結果から、以下のことが分かる。
（１）実施例（室温）のセンサーの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、比較例（室温）のセンサーのそれよりも大きかった。更に、応答値のガス濃度依存性値は、比較例（室温）のセンサーのそれよりも大きかった。即ち、光照射によって、常温における二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値を増大することができた。
（２）３６０ｎｍの光を照射した実施例（室温）のセンサーのアンモニアに対するシグナル値の絶対値は３６０ｎｍの光を照射した比較例（室温）のセンサーのそれよりも大きかった。更に、応答値のガス濃度依存性値は比較例（室温）のセンサーのそれよりも大きかった。即ち、３６０ｎｍの光を照射することにより、常温におけるアンモニアに対するシグナル値の絶対値を増大することができた。
（３）２７５ｎｍの光を照射した実施例（室温）のセンサーのエタノールに対するシグナル値の絶対値は２７５ｎｍの光を照射した比較例（室温）のセンサーのそれよりも大きかった。更に、応答値のガス濃度依存性値は比較例（室温）のセンサーのそれよりも大きかった。即ち、２７５ｎｍの光を照射することにより、常温におけるエタノールに対するシグナル値の絶対値を増大することができた。
（１）実施例（室温）のセンサーの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、比較例（室温）のセンサーのそれよりも大きかった。更に、応答値のガス濃度依存性値は、比較例（室温）のセンサーのそれよりも大きかった。即ち、光照射によって、常温における二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値を増大することができた。
（２）３６０ｎｍの光を照射した実施例（室温）のセンサーのアンモニアに対するシグナル値の絶対値は３６０ｎｍの光を照射した比較例（室温）のセンサーのそれよりも大きかった。更に、応答値のガス濃度依存性値は比較例（室温）のセンサーのそれよりも大きかった。即ち、３６０ｎｍの光を照射することにより、常温におけるアンモニアに対するシグナル値の絶対値を増大することができた。
（３）２７５ｎｍの光を照射した実施例（室温）のセンサーのエタノールに対するシグナル値の絶対値は２７５ｎｍの光を照射した比較例（室温）のセンサーのそれよりも大きかった。更に、応答値のガス濃度依存性値は比較例（室温）のセンサーのそれよりも大きかった。即ち、２７５ｎｍの光を照射することにより、常温におけるエタノールに対するシグナル値の絶対値を増大することができた。
【0155】
また、センサーα１、α２、α３、β１、β２、β３、γ１、γ２及びγ３において、２０ｐｐｍの二酸化窒素に対する抵抗値変化を示すグラフである図１５から、以下のことが分かる。
センサーα１（実施例）の常温における９０％応答時間は、紫外線を照射しないセンサーα３（比較例）の常温におけるそれより短縮された（２５％以上５０％、１－α１／α３：４０％）。
センサーα１（実施例）の常温における９０％応答時間は、紫外線を照射しないセンサーα３（比較例）の常温におけるそれより短縮された（２５％以上５０％、１－α１／α３：４０％）。
【0156】
センサーα１（実施例）の常温における９０％回復時間は、紫外線を照射しないセンサーα３（比較例）の常温におけるそれより大きく短縮された（５０％以上、１－α１／α３：７５％）。
【0157】
センサーα２（実施例）の常温における９０％応答時間は、紫外線を照射しないセンサーα３（比較例）の常温におけるそれより僅かに短縮された（１％以上２５％未満、１－α２／α３：２４％）。
【0158】
センサーα２（実施例）の常温における９０％回復時間は、紫外線を照射しないセンサーα３（比較例）の常温におけるそれより大きく短縮された（５０％以上、１－α２／α３：６２％）。
【0159】
センサーβ１（実施例）の常温における９０％応答時間は、紫外線を照射しないセンサーβ３（比較例）の常温におけるそれより大きく短縮された（５０％以上、１－β１／β３：６２％）。
【0160】
センサーβ１（実施例）の常温における９０％回復時間は、紫外線を照射しないセンサーβ３（比較例）の常温におけるそれより大きく短縮された（５０％以上、１－β１／β３：８０％）。
【0161】
センサーβ２（実施例）の常温における９０％応答時間は、紫外線を照射しないセンサーβ３（比較例）の常温におけるそれより短縮された（２５％以上５０％未満、１－β２／β３：４７％）。
【0162】
センサーβ２（実施例）の常温における９０％回復時間は、紫外線を照射しないセンサーβ３（比較例）の常温におけるそれより短縮された（２５％以上５０％未満、１－β２／β３：３７％）。
【0163】
センサーγ１（実施例）の常温における９０％応答時間は、紫外線を照射しないセンサーγ３（比較例）の常温におけるそれより短大きく短縮された（５０％以上、１－γ２／γ３：７２％）。
【0164】
センサーγ１（実施例）の常温における９０％回復時間は、紫外線を照射しないセンサーγ３（比較例）の常温におけるそれより大きく短縮された（５０％以上、１－γ１／γ３：９４％）。
【0165】
センサーγ２（実施例）の常温における９０％応答時間は、紫外線を照射しないセンサーγ３（比較例）の常温におけるそれより大きく短縮された（５０％以上、１－γ２／γ３：９０％）。
【0166】
センサーγ２（実施例）の常温における９０％回復時間は、紫外線を照射しないセンサーγ３（比較例）の常温におけるそれより大きく短縮された（５０％以上、１－γ２／γ３：８７％）。
【0167】
以上のことから、実施例（室温）のセンサーの二酸化窒素に対する９０％応答時間及び９０％回復時間は、比較例（室温）のセンサーのそれよりも小さかった。即ち、光照射によって、常温における二酸化窒素に対する９０％応答時間及び９０％回復時間を短縮できた。
【0168】
次に、センサーα１、α２、β１、β２、γ１及びγ２を、従来、公知のセンサーα４、β４又はγ４と比較して得られた知見を示す。
センサーα１（実施例）の常温における１ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、センサーα４（比較例）の３００℃におけるそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、二酸化窒素：１６．９３）。
センサーα１（実施例）の常温における１ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、センサーα４（比較例）の３００℃におけるそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、二酸化窒素：１６．９３）。
【0169】
センサーα１（実施例）の常温における５ｐｐｍの二酸化窒素及びアンモニアに対するシグナル値の絶対値は、センサーα４（比較例）の３００℃におけるそれらより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、二酸化窒素：２６．４８、アンモニア：１．１４）。
【0170】
センサーα１（実施例）の常温における２０ｐｐｍの二酸化窒素及びアンモニアに対するシグナル値の絶対値は、センサーα４（比較例）の３００℃におけるそれらより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、二酸化窒素：１９．２６、アンモニア：６．６６）。
【0171】
センサーα２（実施例）の常温における１ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、センサーα４（比較例）の３００℃におけるそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、二酸化窒素：１．５７）。
【0172】
センサーα２（実施例）の常温における５ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、センサーα４（比較例）の３００℃におけるそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、二酸化窒素：３．６３）。
【0173】
センサーα２（実施例）の常温における２０ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、センサーα４（比較例）の３００℃におけるそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、二酸化窒素：３．９１）。
【0174】
センサーβ１（実施例）の常温における１ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、センサーβ４（比較例）の３００℃におけるそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、二酸化窒素：２５．３２）。
【0175】
センサーβ１（実施例）の常温における５ｐｐｍの二酸化窒素及びアンモニアに対するシグナル値の絶対値は、センサーβ４（比較例）の３００℃におけるそれらより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、二酸化窒素：１２．５３、アンモニア：５．２３）。
【0176】
センサーβ１（実施例）の常温における２０ｐｐｍの二酸化窒素及びアンモニアに対するシグナル値の絶対値は、センサーβ４（比較例）の３００℃におけるそれらより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、二酸化窒素：７．１８、アンモニア：６０．９２）。
【0177】
センサーβ２（実施例）の常温における１ｐｐｍの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、センサーβ４（比較例）の３００℃におけるそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、二酸化窒素：１．５６）。
【0178】
センサーγ１（実施例）の常温における二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、センサーγ４（比較例）の３００℃におけるそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、１ｐｐｍ二酸化窒素：３７．５３、５ｐｐｍ二酸化窒素：３３．９４、２０ｐｐｍ二酸化窒素：７４．１８）。
【0179】
センサーγ２（実施例）の常温における二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、センサーγ４（比較例）の３００℃におけるそれより僅かに大きかった（シグナル値比１．０１以上１００未満、１ｐｐｍ二酸化窒素：２．５７、５ｐｐｍ二酸化窒素：１．６３、２０ｐｐｍ二酸化窒素：２．７２）。
【0180】
以上のことから、実施例（室温）のセンサーの二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値は、比較例（３００℃）のセンサーのそれよりも大きい。更に、応答値のガス濃度依存性値は、比較例（３００℃）のセンサーのそれよりも大きい。即ち、加熱せずに光照射するのみとした実施例は、３００℃に加熱した比較例と比べて、二酸化窒素に対するシグナル値の絶対値の増大効果は同程度かそれ以上になる。
【0181】
これらの実施例は、常温において、上記の非特許文献１におけるものより高いセンサー応答値を示した。即ち、非特許文献１のセンサー材料のセンサー応答値は、１００ｐｐｍの二酸化窒素に対して２を超えないのに対して、上記実施例では、より低い濃度の２０ｐｐｍの二酸化窒素に対して、センサーα１が１６９．５９、センサーα２が３５．２２、センサーβ１が３０７．６７、センサーβ２が７．２９、センサーγ１が１００４．３２、センサーγ２が３７．７４のセンサー応答値を示した（表１３参照）。
【0182】
【表13】
【0183】
実施例４（平均アスペクト比が７．８８のナノシート型酸化スズを含むガスセンサーデバイスの製造及び評価）
９０℃の蒸留水にふっ化スズ（ＳｎＦ２）（森田化学工業株式会社製）を溶解して２８ｍＭのふっ化スズ水溶液を得た。次いで、電極付きアルミナ基板をこのフッ化スズ水溶液に浸漬し、９０℃で２４時間保持することにより、一対の白金電極を含む全面に、ナノシート型酸化スズの集合体からなる膜（以下、「ガス感応層δ」という）を形成させ、ガスセンサー素子を得た。白金電極上におけるガス感応層δの厚さに相当するナノシート型酸化スズのサイズＬは、約１００ｎｍであった。その後、得られたガスセンサー素子の裏面側を、金属半導体パッケージ３０の上に載せて、白金線溶接した。次いで、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５の上方に、紫外線光源２０を配置し、更に、上面中央に開口部４１を備える金属半導体パッケージ蓋４０を付けてガスセンサーデバイス１Ａを作製した（図２及び図３参照）。
図１６は、電極付きアルミナ基板の白金電極上に製膜されたガス感応層δの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。この図１６におけるいくつかのナノシート型酸化スズを画像解析して算出したアスペクト比は、５．０４～１１．５２であり、平均は７．８８であった。
９０℃の蒸留水にふっ化スズ（ＳｎＦ２）（森田化学工業株式会社製）を溶解して２８ｍＭのふっ化スズ水溶液を得た。次いで、電極付きアルミナ基板をこのフッ化スズ水溶液に浸漬し、９０℃で２４時間保持することにより、一対の白金電極を含む全面に、ナノシート型酸化スズの集合体からなる膜（以下、「ガス感応層δ」という）を形成させ、ガスセンサー素子を得た。白金電極上におけるガス感応層δの厚さに相当するナノシート型酸化スズのサイズＬは、約１００ｎｍであった。その後、得られたガスセンサー素子の裏面側を、金属半導体パッケージ３０の上に載せて、白金線溶接した。次いで、ガスセンサー素子１０のガス感応層１５の上方に、紫外線光源２０を配置し、更に、上面中央に開口部４１を備える金属半導体パッケージ蓋４０を付けてガスセンサーデバイス１Ａを作製した（図２及び図３参照）。
図１６は、電極付きアルミナ基板の白金電極上に製膜されたガス感応層δの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。この図１６におけるいくつかのナノシート型酸化スズを画像解析して算出したアスペクト比は、５．０４～１１．５２であり、平均は７．８８であった。
【産業上の利用可能性】
【0184】
本発明のガスセンサーデバイスは、二酸化窒素（ＮＯ２）ガスの濃度測定に好適であり、例えば、ゴミ等の焼却炉、ボイラー等からの燃焼排ガス；焼却炉、車両、船舶等からの排ガス、製鉄所からの排ガス等に対して測定することができる。
【符号の説明】
【0185】
１，１Ａ，１Ｂ及び１Ｃ：ガスセンサーデバイス
１０：ガスセンサー素子
１１：基板
１２：電極
１３：酸化スズ板状結晶
１４：電極付き基板
１５：ガス感応層
２０：光源
３０：半導体パッケージ
４０：半導体パッケージ蓋
４１：開口部
５０：支持体
１０：ガスセンサー素子
１１：基板
１２：電極
１３：酸化スズ板状結晶
１４：電極付き基板
１５：ガス感応層
２０：光源
３０：半導体パッケージ
４０：半導体パッケージ蓋
４１：開口部
５０：支持体
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
